B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 1 ) Ί I (發明之技術領域） 1 1 1 本 發 明 係 關 於 一 種 離 子 化 濺 鍍 裝 置 9 即 本 發 明 係 為 關 於 1 __ 種 該 使 用 在 各 種 之 半 導 體 元 件 之 製 造 上 之 濺 鍍 裝 置 > 特 請 龙 1 閲 1 別 是 關 於 一 種 具 備 有 該 可 以 使 得 濺 鍍 粒 子 呈 雛 子 化 之 功 能 背 1 面 I 之 雛 子 化 濺 鍍 裝 置 0 之 注 I 意 丨· (先前技術） 事 項 1 I 再 1 I > 在 例 如 像 各 種 之 記 億 體 和 邏 輯 電 路 之 半 導 體 元 件 之 中 9 填 寫 本 於 各 種 之 配 線 膜 -a. 形 成 ·、 Μ 及 該 用 Μ 防 止 不 同 種 類 層 之 相 頁 1 I 互 擴 散 的 障 蔽 膜 之 製 造 之 時 9 係 使 用 該 濺 鍍 製 程 Ο 並 且 9 1 1 I 在 該 濺 鍍 製 程 中 係 使 用 有 濺 鍍 裝 置 Ο 跌 而 最 近 已 經 強 1 1 烈 地 要 求 在 這 樣 之 濺 鍍 裝 置 中 必 須 可 圼 良 好 之 有 效 1 訂 覆 蓋 範 圍 性 地 被 覆 住 m 形 成 在 基 板 上 之 孔 洞 之 內 面 〇 1 1 尤 其 是 最 近 強 烈 地 要 求 在 有 障 蔽 膜 存 在 之 狀 態 下 9 必 I I 須 提 升 該 成 為 孔 洞 之 底 面 之 成 膜 速 度 相 對 於 孔 洞 之 周 圍 之 1 1 1 面 上 之 成 膜 速 度 之 比 值 的 底 面 有 效 覆 蓋 範 圍 率 (該對於孔 1 線V 洞 底 面 之 成 膜 速 度 9 相 對 於 孔 洞 周 圍 之 面 上 之 成 膜 速 度 之 1 1 比 值 ) 。然f fo ，在該積體度增加之背景下 ，例ί Ώ像接觸孔 1 1 之 孔 洞 9 其 縦 横 比 (孔洞之深尤 ®對1 冷孔洞之開丨 :]之大 . 1 | 小 之 比 值 )正在每年提高之中 。ί 汗對像這種比較高之縱横 1 1 I 比 之 孔 洞 而 言 9 在 習 知 之 濺 鍍 方 法 中 ? 並 -inr 幾 法 圼 現 出 相 當 1 1 良 好 之 底 面 有 效 覆 蓋 範 圍 率 地 9 進 行 該 成 膜 作 業 0 當 該 底 1 1 面 有 效 覆 蓋 範 圍 率 呈 降 低 之 時 9 則 該 在 孔 洞 底 面 之 障 蔽 膜 1 t 會 變 得 比 較 薄 9 因 此 很 可 能 會 發 生 有 像 接 點 (面 洩 漏 1 I (j u n c 1 t 1 < )η .e i a k 之 元 件 特 性 之 致 命 之 缺 陷 Ο 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 -A ^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（2 ) 該作為提高其底面有效覆蓋範圍率之濺鍍之方法，一直 到目前為止，已經開發有準直濺鍍法（col limate y s p ii 11 e r )和低壓遠間隔濺鍍法等之方法。雖然在這裡，省 略掉前述這些方法之詳细之說明，但是，不論是哪一種方 法，皆係嘗試能否使得許多之中性濺鍍粒子，垂直地入射 至基板中。 但是，在該準直濺鍍法（coilimate sputter)之中，由 於該濺鍍粒子，會堆積在準直儀（collimator)之部位上， 而損失掉該濺鍍粒子，因此會有該成膜速度降低之問題產 生；並且，在該低壓遠間隔濺鍍法中，由於壓力呈降低， 而且加長該標靶和基板間之距雛，因此，在本質上，也會 有該成膜速度降低之問題產生。由於像前述之問題的闥係 ，因此，可Μ預測出，在該準直濺鍍法（col 1 iraate sputter)之狀態下，僅可Μ被使用在64百萬位元為止之元 件上，就已經達到極限，而在低壓遠間隔濺鍍法之狀態下 ，則僅可Μ被使用在2 5 6百萬位元之第1世代左右為止之元 件上，也已經達到極限。至於該可Κ實際地被利用在2 5 6 百萬位元Μ上之下一個世代之元件製造上的方法，則還在 摸索當中。 為了應付像前述之要求，因此，最近已經考量到，該離 子化濺鍍之方法，是否為一種相當有效之方法？該離子化 濺鍍法，係使得該由標靶所發射出之濺鍍粒子圼離子化， 然後再藉由離子之作用，而能夠非常有效率地使得該濺鍍 粒子，到達至孔洞內之方法。比起該準直濺鍍法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） _ ς _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· © 訂 織. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) (collimate sputter)和低壓遠間隔濺鑛法，該離子化避 鍍法，更可Μ得到非常高之底面有效覆蓋範圍率。 該離子化濺鍍法，呈現出相當典型地，而在基板和標靶 間之濺鍍粒子之飛行路徑上，形成有電漿，並且在該濺鍍 粒子通過電漿之時，使得該濺鍍粒子，發生_子化作用。 通常，係形成有該感應结合型電漿，Μ作為電漿。若說得 * 更為具體一點，係設置有高頻線圈，Μ包圍出該用Μ進行 其飛行路徑上之離子化作用之空間（Κ下，則稱為離子化
I 空間。）。係供應一定之高頻至該高頻線圏中，而在高頻 線圈之.內部中，形成有電漿。於電漿之中，係有高頻電流 在進行著流動，而使得該電漿和高頻線圏，發生有感應性 結合作用。由於像這樣之感應性结合作用的存在關係，則 被稱為感應結合型電漿， (發明所欲解決之問題） 但是，經過本發明人之檢討，结果很清楚地發現到，在 習知之離子化濺鍍處理之中，則還有Μ下所敘述之問題存 在。 / 第1 :為了在該離子化空間之中，設定出該具有足夠強 度之高頻電場，因此，通常在濺鍍室之內部中，配置有高 頻線圈。而由於電漿之作用，使得該高頻線圈，被進行濺 鍍處理，然後，該被濺鍍處理過之高頻線圈之材料，會到 達至基板，結果，會有污損到基板之問題產生。 第2:由於氣體在濺鍍室內，並不容易進行擴散，因此 ，即使在高頻線圏之外側，也會有該形成電漿之狀態發生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） --/1- ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線' -6 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 。在這樣之場所而形成之電漿，不僅會成為該離子化作用 上之並不需要之物質，而且會有造成該配置在這個場所之 構件上之損傷的狀態發生。 第3:在形成有電漿之狀態下，該用Μ進行濺鍍放電之 最適當之氣體導入之構成、和該用於離子化作用之電漿形 成之最適當之氣體導入之構成，並不相同。因此，無法很 有效率地供應氣體，來形成電漿，結果，導致該電漿形成 之效率，會變得比較差。 本發明，就是為了解決這樣之問題而產生的；本發明之 目的，係為提供一種可Μ解決例如像在離子化濺鍍處理上 所產生之問題，並且能夠非常有效地實際蓮用在下一個世 代之元件製造上之離子化濺鍍裝置。 (解決問題之手段） 為了解決前述之問題，因此，本發明之申請專利範圍第 1項所記載之發明，係為一種具有離子化手段之離子化濺 鍍裝置。該離子化手段，係由該設置在濺鍍室内而用Μ包 圍出該標靶和基板座架間之離子化空間之高頻線圏、和該 用Κ供應高頻至該高頻線圈中而在該離子化空間中形成有 高頻感應结合型電漿之高頻電源所構成的。然後，本發明 之特徵係為：在該高頻線圈，係設置有線圈屏蔽件，以遮 蔽住該由於這個高頻線圈進行濺鍍處理而被發射出並且到 達至基板之高頻線圈材料所組成之濺鍍粒子。該離子化濺 鍍裝置，係為具備有該具有排氣系統之濺鍍室。而該濺鍍 室，則具備有：該設置在濺鍍室內之標靶、和該用Μ對於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝' 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 5 ) 1 Ί I 標 靶 進 行 濺 鍍 處 理 之 濺 鍍 用 電 源 Λ 和 該 用 將 氣 體 導 入 至 1 1 1 濺 鍍 室 內 之 氣 體 導 入 用 手 段 % 和 該 用 Μ 使 得 其 藉 由 濺 鍍 處 1 I 理 而 由 標 靶 所 發 射 出 之 濺 鍍 粒 子 .呈 離 子 化 之 離 子 化 手 段 請 閲 1 >λ 及 該 用 Μ 使 得 基 板 保 持 固 定 在 該 圼 離 子 化 之 濺 鍍 粒 子 之 讀 背 1 1 面 I 所 入 射 到 之 位 置 上 之 基 板 座 架 Ο 之 注 1 I 意 I 為 了 解 決 前 述 之 問 題 9 因 此 9 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 事 項 1 I 再 1 !v 2項所記載之發明 係具備有電場設定用手段 Μ沿著該 填 寫 本 Η 裝 垂 直 於 基 板 之 方 向 9 而 設 定 出 電 場 9 便 將 該 圼 雛 子 化 之 頁 '〆 鈦 金 屬 9 拉 進 至 基 板 中 Ο 1 1 I 為 了 顧 m 決 前 述 之 問 題 因 此 9 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 1 3項所記載之發明 其所配置之線圈屏蔽件 係由金屬製 1 訂 之 構 件 所 形 成 的 並 且 圼 電 氣 性 之 接 地 狀 態 而 且 還 覆 蓋 1 I 住 該 高 頻 線 圈 之 一 部 份 0 並 且 該 線 圏 屏 蔽 件 係 沿 著 該 1 I 由 高 頻 線 圈 所 放 射 出 之 電 場 之 等 電 位 面 9 而 形 成 該 面 對 著 1 1 I 高 頻 線 圏 之 表 面 〇 1 線 為 了 解 決 前 述 之 問 題 ， 因 此 9 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 1 4項所記載之發明 ，其線圏屏蔽件 >傜覆蓋住高頻線圈之 1 | 外 側 9 並 且 成 為 該 在 高 頻 線 圈 之 内 側 9 設 置 有 高 頻 通 過 用 1 I 開 口 9 而 朝 向 著 該 離 子 化 空 間 9 放 射 出 高 頻 之 形 狀 0 此 外 1 1 9 該 線 圈 屏 蔽 件 也 具 有 * 不 論 是 從 該 基 板 上 或 者 是 標 靶 之 1 1 被 濺 鍍 面 上 之 任 何 一 個 點 9 都 無 法 由 該 線 圈 屏 蔽 件 開 始 而 1 1 通 過 該 高 頻 通 過 用 開 □ 來 看 穿 之 形 狀 0 1 | 為 了 解 決 前 述 之 問 題 * 因 此 9 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 I 5項f 听 记載 之發明 ，其ΐ S頻線圈 * J 系 孩成為用以製造丨 ±5 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 8 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 6 ) Ί I 基 板 之 薄 膜 材 料 的 標 靶 材 料 為 相 同 之 材 料 所 形 成 的 而 且 1 1 1 9 在 該 高 頻 線 圈 之 外 側 係 設 置 有 輔 助 用 屏 蔽 件 0 並 且 該 ^ 1 | 輔 助 用 屏 蔽 件 5 係 由 金 屬 製 之 構 件 所 形 成 的 9 並 且 學 電 氣 請 先 1 閲 1 性 之 接 地 狀 態 9 Μ 便 在 高 頻 線 圈 之 內 側 9 封 閉 住 電 漿 〇 讀 背 1 面 I 為 了 解 決 月IJ 述 之 問 題 9 因 此 t 本 發 明 之 請 專 利 範 圍 第 之 注 1 I 意 I" 6項所記載之發明* 其輔助用屏蔽件 係按照該沿著由高 事 項 1 1 再 1 1 頻 線 圈 圈 所 放 射 出 之 電 場 之 等 電 位 面 之 形 狀 而 形 成 有 該 面 填 % 本 II 裝 對 著 高 頻 線 圈 之 表 面 〇 頁 s· 1 I 為 了 解 決 前 述 之 問 題 9 因 此 9 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 1 1 7項所記載之發明 其高頻線圈 該高頻線圈之内部係為 1 1 中 空 的 並 且 在 面 對 著 該 離 子 化 空 間 之 內 側 面 上 均 等 地 1 訂 形 成 有 該 氣 體 吹 出 用 孔 穴 〇 而 且 該 氣 體 吹 出 用 孔 穴 m 1 | 連 接 有 氣 體 導 入 用 手 段 之 輔 肋 用 濺 鍍 室 內 配 管 r 因 此 能 夠 1 I 由 氣 體 吹 出 用 孔 而 將 氣 war 體 來 導 入 至 該 離 子 化 空 間 中 〇 1 1 | 為 了 解 決 a.-f. 刖 述 之 問 題 因 此 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 線; δ項所記載之發明 |其氣體導入用手段 ，係具備有溫度調 1 1 節 器 9 Μ 便 用 來 使 得 該 供 rrlatr 歷' 至 高 頻 線 圈 中 之 體 之 溫 度 9 1 | 維 持 在 所 要 求 之 m 度 狀 態 下 9 因 此 9 能 夠 對 於 該 高 頻 線 圏 1 1 S 進 行 溫 度 調 節 ο 1 1 (發明之實施形態） 1 1 下 9 則 就 本 發 明 之 實 施 形 態 ， 來 作 說 明 Cr 首 先 t 就 該 1 1 對 ate 懕 於 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 第 1 、2及 3 J 頁 之發明的第] ί實 1 I 施 形 態 9 來 作 說 明 ΰ 圖 1係為顯示1 ϋ本發明. 之第1實 施 形 態 1 I 之 濺 鍍 裝 置 之 構 成 的 前 視 概 略 圖 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 7 ) Ί I 就 正 如 圖 1所顯示的，本實 施形態之濺鍍裝置， 係具備 1 1 1 有 該 具 有 排 氣 糸 統11之濺鍍室1。而該濺鍍室1， 係 具 備 有 -V 1 | * * 該 設 置 在 濺 鍍 室1內之標靶 2、和該用Μ 對 於這 個 標 靶 2 請 先 閱 1 I 進 行 濺 鍍 處 理 之 濺鍍用電源： 3、Κ及該用Κ將濺鍍用氣體 讀 背 1 1 | 來 導 入 至 濺 鍍 室 1內之氣體導 入用手段4。 為 了使 得 該 藉 由 之 注 1 I 意 I — 濺 鍍 處 理 而 由 標 靶2所發射出 之灑鍍粒子， 發生有離子化 事 項 1 I 再 1 1 - 作 用 9 因 此 9 該 濺鍍室1，還 具備有離子化手段6 、 及 電 填 寫 本 1 裝 場 設 定 用 手 段 7 ； 而該電場設 定用手段7， 係 沿著 該 垂 直 於 頁 1 I 基 板 50之 方 向 9 而設定出電 場，Μ便將該 呈 離子 化 之 钛 金 1 1 1 屬 9 拉 進 至 基 板 5 0中。接著， ，該圼離子化 之 濺鍍 粒 子 9 會 I 1 入 射 至 該 保 持 固 定在基板座 架5上之基板5 0.中。 1 訂 該 濺 鍍 室 1 係為一具備有 •圖式上所並沒有顯示出之閛 1 I 閥 (S at e - -V a 1 v e )之密閉之容 :器。該濺鍍室1 ，係 為 不 銹 鋼 1 I 之 金 屬 製 品 而 圼電氣性之 接地狀態。該 排 氣糸 統 11 係 1 1 I 為 一 具 備 有 渦 輪 分子幫浦和 擴散用幫浦之 多 段式 之 真 空 排 1 線 氣 系 統 ΰ 該 排 氣 系統11，可 Κ對於該濺鍍 室 1內 ，進行排 1 1 氣 9 而 一 直 排 氣 到1 0 _ 8〜 10" 9 Torr左 右 為止 0 該 排 氣 1 | 系 統 11 9 係 具 備 有例如像可 變孔板（v a r i a b 1 e — c > Γ 1 f i c e ) 1 I 等 之 圖 式 上 所 並 沒有顯示出 之排氣速度調 整 器， 因 此 可 以 1 1 I 用 來 調 整 其 排 氣 速度。 1 1 標 靶 2 * 1 系為- 一厚度6 m m、 直徑300mm左右之圓板狀物 〇 1 1 該 標 靶 2 • i 系透過該在圖式上並未顯示出之標靶座架 > ΪΠ 1 | 被 安 裝 在 濺 鍍 用 電極3上。該濺鍍用電極： 5 , 係為 該 具 備 有 1 I 磁 鐵 組 裝 體 之 磁 控管陰極。 該磁鐵組裝體 9 係由 中 心 磁 鐵 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 10 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發,明説明 ( 8 ) 1 Ί I 31 、 和 該 用 Μ 包 圍 住 該 中 心 磁 鐵 31 之 周 圍 磁 鐵32、 Μ 及 該 1 1 1 用 Μ 連 接 中 心 磁 鐵 31及 周 圍 磁 鐵 32之 圓 板 狀 之軛板 33所 構 1 I 請 1 成 的 〇 雖 然 各 個 磁 鐵 9 都 是 永 久 磁 鐵 9 但 是 ，也可 以 使 用 先 閲 1 I 電 磁 鐵 9 來 構 成 這 些 中 心 磁 鐵 31及 周 圍 磁 鐵 32。所 安 裝 之 背 1 1 1¾ I 濺 鍍 用 電 極 3， 係對ί >該濺鍍室1 圼 緣 狀 態 ，而且 9 該 濺 之 注 | 意 鍍 用 電 極 3， 還連接有濺鍍用電源35。 該濺鍍用電源35 事 項 再 - 係 用 以 施 加 所 要 求 之 負 高 電 壓 或 者 高 頻 電 壓 ，至濺 鍍 用 電 填 寫 本 裝( 極 3中c 例如在鈦金屬之標靶之狀態下， 則施加6 0 0 V左右 頁 '-w-· 1 I 之 負 直 流 電 壓 9 至 濺 鍍 用 電 極 3中= 1 該 氣 體 導 入 用 手 段 4 係主要由該用Κ積存有像氬氣 (A r) 之 濺 鍍 放 電 用 氣 體 之 高 壓 氣 體 筒 41 Λ Μ 及該用 Μ 連 接 1 訂 至 濺 鍍 室 内 配 管 45之 前 端 之 氣 體 分 配 器 46 而 構成的 〇 藉 由 1 1 配 管 42 Μ 連 接 該 高 壓 氣 體 ηΆ 筒 41和 濺 鍍 室 1 >在配管42 S 1 I 則 安 裝 有 閥 43和 流 量 調 整 器 44 〇 在 配 管 42 之 t Λ. 刖端， 則 連 接 1 1 I 有 該 濺 鍍 至 內 配 管 45 1 線 上 氣 體 分 配 器 46 則 採 用 圓 環 狀 管 t 而 該 圓環狀 管 9 係 1 1 在 本 身 之 中 心 側 面 上 9 形 成 有 該 氣 體 吹 出 用 孔穴。 該 氣 體 1 I 分 配 器 - 係 呈 均 一 地 將 氣 體 導 入 至 該 標 靶 2和基 板座架5 1 1 間 之 空 間 中 〇 1 1 | 於 本 實 施 形 態 中 9 係 採 用 該 可 在 從 標 靶 2開始 而至 基 1 1 板 50為 止 之 鈦 金 屬 之 飛 行 路 徑 中 而 形 成 有 感 應結合 型 高 頻 1 1 電 漿 之 離 子 化 手 段 9 來 作 為 離 子 化 手 段 6 ° i 而該離 子 ih 手 1 1 段 6 ，主 要 由 该 設 置 在 Μ 渡 室 1內 而 用 Μ 包 園出該標 靶2 I 和 基 板 座 架 5間 之 離 子 化 空 間 之 高 頃 € a 31 、和該 用 透 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - A7 B7 經濟部中央標樂局員工消費合作社印聚 五、發明説明 ( 9 ) 1 I 過 匹 配 器 63而 連 接 至 該高 頻線圈 61之 高頻電源62所 構 成 的。 1 1 1 該 高 頻 線 圈 61 ， 係 為使 得該粗 细10 mm左右之金 屬 棒 j 幾 1 I 請 1 | 乎 形 成 為 螺 旋 狀 而 製 造出 來的； 由濺 鍍室1之中心軸開始 1 1 讀 1 而 τ" 直 到 高 頻 線 圈 β 1為止 之半徑 距離 ，係為1 5 0〜2 5 0 mm 左 背 面 1 I 右 0 於 本 實 施 形 態 中 ，由 於在該 高頻 線圈6 1，係 設 置 有 如 之 注 1 | 意 /後 面 所 述 之 線 圏 屏 蔽 件64 ，因此 ，並 沒有特別地 限 制 住 該 事 項 1 I 再 1 高 頻 線 圏 61 之 材 質 〇 該高 頻線圏 61， 係使用該能 夠 很 有 效 填 寫 h 未 衣 1 率 地 激 發 出 高 頻 之 材 質， 例如可 Μ使 用鈦金屬。 頁 —， 1 I 係 使 用 該 頻 率 13 .56MHz 、輸出 功率 5KW左右之高頻電源 1 I 9 來 作 為 該 高 頻 電 源 62 ° 該高頻 電源 62，係透過 匹 配 器 63 1 1 1 ， 而 供 S 高 頻 電 力 至 該高 頻線圈 61中 。藉由該高 頻 線 圈 61 1 訂 9 而 在 該 離 子 化 空 間 中， 設定出 高頻 電場。該藉 由 氣 體 導 1 1 入 用 手 段 4所導入之氣體 則藉由該高頻電場之作用 而 1 | 進 行 離 子 化 作 用 以 形成 有電漿 Ρ。於電漿Ρ中， 有 高 頻 電 1 I 流 在 流 動 著 因 此 電漿 Ρ和高頻線圈61，會發生有感應 1 線 1 性 結 合 作 用 〇 1 1 眹 由 標 靶 2所發射出之濺鍍粒子，在通過電漿P 中 之 時 > 1 1 會 和 電 漿 P中之電子 ，發生衝撞 ，而產生有離子化現象 1 I 該 圼 離 子 化 之 濺 鍍 粒 子， 會由於 如後 面所述之電 場 之 作 用 1 I 而 被 進 行 加 速 9 Μ 到 達至 基板5C 〇 1 1 基 板 座 架 5 ，係平行於標靶2， 而用 K保持固定 住 基 板 50 1 1 0 在 該 基 板 座 架 5 系設置有圖式上ί ϊέ未顯示出之靜電吸 1 1 附 機 構 、 和 圖 式 上 也 並未 顯示出 之加 熱機構；而 該 靜 電 吸 1 | 附 拠 m 構 9 係 藉 由 靜 電 作用 而吸附 住基 板5 0 ;至於 該 加 熱 機 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (10 ) 1 Ί I 構 9 則 係 用 Μ 在 進 行 成 膜 作 業 之 時 f 加 熱 該 基 板 50 而 使 1 1 1 • 得 該 成 膜 作 業 9 能 夠 非 常 有 效 率 地 被 進 行 〇 1 I 請 I 1 在 本 實 施 形 態 中 9 該 電 場 設 定 用 手 段 7， 係 藉 r由 掩 ί加— ku 閱 1 I 定 之 高 頻 電 壓 至 基 板 座 架 5中- Μ賦予負偏電麗 I ：基 :板50 讀 背 面 1 1 1 中 Ο 該 電 場 設 定 用 手 段 7， 係由該透過级間耦合電容器 之 注 1 | 意 (b 1 〇 c k in g c a pa c i to Γ )72而連接至基板座架5之 基 板 鴒 rTTU 壓 事 項 I I 再 1 I > 用 高 頻 電 源 71所 構 成 的 〇 寫 本 Ιζ 裝 該 基 板 偏 壓 用 高 頻 電 源 71 9 係 為 頻 率 13 .56MHz 輸 出 功 頁 '·—' 1 I 率 300W 左 右 〇 當 藉 由 該 基 板 偏 壓 用 高 頻 電 源 7 1 而 施 加 高 頻 1 1 | 電 壓 至 基 板 50中 之 時 則 該 電 漿 中 之 帶 電 粒 子 9 會 呈 週 期 1 1 性 地 被 拉 近 至 該 基 板 50 之 表 面 〇 這 個 時 候 9 比 起 正 離 子 9 1 訂 則 會 有 許 多 之 遷 移 率 (ffl 〇 b i 1 ity ) 比 較 高 之 電 子 ， 被 拉 近 至 1 1 基 板 50之 表 面 结 果 ， 該 基 板 50之 表 面 t 就 會 變 成 為 與 該 1 1 被 偏 ΓΠΠ 壓 成 為 負 電 U 之 狀 態 之 相 同 之 狀 態 〇 若 說 得 更 為 具 體 1 1 I 一 點 在 前 述 例 子 中 之 基 板 偏 壓 用 高 頻 電 源 7 1 之 狀 態 下 1 線' 9 係 可 Μ 施 加 上士 m 平 均 值 為 — 100V左 右 之 偏 rfitl 電 壓 至 基 板 5 0 中 ° ， 1 1 該 施 加 有 前 述 之 基 板 偏 電 壓 之 狀 態 9 和 該 在 藉 由 直 流 二 1 1 極 放 電 而 形 成 有 電 漿 之 狀 態 下 之 陰 極 尖 區 域 係 為 相 同 1 I 的 V 即 該 施 加 有 t. 刖 述 之 基 板 偏 電 壓 之 狀 態 係 成 為 該 被 設 1 1 I 定 在 電 漿 和 基 板 50之 間 而 具 備 有 該 朝 向 著 基 板 50 呈 降 低 之 1 1 電 位 傾 斜 度 之 電 場 (K下 ，則稱為引出用電場 )) 之 狀 態 〇 1 1 藉 由 該 引 出 用 電 場 S 則 可 以 從 電 漿 中 9 來 吸 引 出 該 圼 離 子 1 1 化 之 濺 鍍 粒 % 子 (鈦 金 囑 之正離- ?) 9 而 使 得 該 圼 離 子 化 之 濺 1 I 鍍 粒 子 (鈦 金 霱 之 E 雖 子 * 非 常 有 效 率 地 到 達 至 基 板 50 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） 13 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (11) 1 Ί I 在 標 靶 2為金屬之狀態下，則前述之基板座架5 9 係和標 1 1 1 靶 2為相同之金屬材料所構成的；但是 在標靶2為 介電質 1 I 之 狀 態 下 9 則 前 述 之基板座架 5，係由像不銹鋼之具有耐 請 先 閲 1 I 熱 性 之 金 屬 材 料 所 形成的。不 管是前述 之任何一 種 狀態， 讀 背 1 1 1 該 基 板 座 架 5 皆為金屬製的 因此，就理論上而言，_在 之 注 1 | I ' 基 板 座 架 5之載置面内，並不會存在有直流成份之電場。 事 項 1 I 再 1 1 ' 前 述 之 引 出 用 電 場 ，係僅為垂 直地朝向 基板50之 電 場。該 填 寫 本 裝 引 出 用 電 場 垂 直 於基板50， 而發揮出 該加速這 個 離子化 頁 1 I 濺 鍍 粒 子 之 作 用 ϋ 因此，能夠 非常有效 率地使得 該 離子化· 1 1 I 濺 鍍 粒 子 到 達 至 該形成於基 板50上之 孔六之底 面 為止。 1 1 就 該 成 為 本 實 施 形態之裝置 之比較大 之特徵的 線 圏屏蔽 1 訂 件 64之 構 成 ， 來 作 說明。在本 實施形態 之裝置中 係設置 1 1 有 線 圏 屏 蔽 件 64 3 以遮蔽住該 因為高頻 線圈61進 行 濺鍍處 1 I 理 而 被 發 射 出 並 且 到達至基板 50之高頻 線圏6 1之 材 料。 1 1 1 就 正 如 圖 1所顯示的，該線圏屏蔽件6 4，係成為該殘留 1 線 有 高 頻 線 圏 61 內 側部份而覆 蓋住該高 頻線圏61 周圍部 1 1 份 之 形 狀 0 該 線 圈 屏蔽件64， 係成為該 和高頻線 圏 6 1之剖 1 1 面 形 狀 呈 同 心 圓 之 圓周狀之剖 面形狀。 該線圏屏 蔽 件6 4， 1 1 係 沿 著 和 高 頻 線 圈 6 1之延伸方 向之相同 方向，進 行 延伸， 1 1 I 而 成 為 該 跨 越 該 高 頻線圏61之 整個長度 而覆蓋住 高 頻線圈 1 1 61 之 形 狀 〇 1 1 在 高 頻 線 圈 6 1 之 内側，係形 成有開口 640 ;然後 ，使得 1 1 高 頻 9 通 過 該 開 Ρ 640 (Μ 下， 則稱呼該 開口，為 厂 高頻通 1 1 過 用 開 □ J 〇 ) 。由於係跨越該高頻線圈6 1之整個長度而 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 (12 ) J I 形 成 有 該 高 頻 通 過 用 開 P 640， 因此該高頻通過用 Ρ 640 1 1 1 之 形 狀 9 就 成 為 螺 旋 狀 之 鏠 隙 〇 1 I 請 1 | 使 用 IS] 2而就該線圏屏蔽件64之具體尺寸之例子， 來作 先 閲 1 I 說 明 ΰ 圖 2係為該使用在_ 1 之 裝置中 之線 圏屏蔽 件 64之具 讀 背 & 1 1 | 體 /3Ά 之 尺 寸 之 說 明 圖 0 之 注 1 | 意 於 圔 2中， 在高頻線圈61之粗细dl為10m ΙΠ左右之狀態下 事 項 1 I 再 1 則 該 線 圈 屏 蔽 件 64和 高 頻 線 圈61之 表面 之間的 距 離d2， 寫 本 就 成 為 3- ^ 5 mm 左 右 9 而 該 高 頻 通過用 開口 640之幅寬d3， 頁 、««〆 1 I 則 成 為 10 mm 左 右 〇 當 使 用 賤 由 高頻線 圏61 之粗细 之 中心所 1 1 I 估 計 出 之 估 計 角 Θ 而 來 表 示 出 該高頻 通過 用開口 640之大 1 1 小 之 時 9 則 & 會 成 為 70 0 左 右 〇 1 訂 若 由 該 電 漿 形 成 之 效 率 問 題 和該電 漿擴 散至線 圏 屏蔽件 1 1 64內 之 電 漿 擴 散 問 題 之 兩 者 來 看的話 ’該 高頻通 過 用開口 1 I 640之幅寬d3之選定 係為- -相當重要之技術事項。 若從 1 1 1 該 藉 由 離 子 化 空 間 而 放 射 出 許 多之高 頻， Μ提高 該 電漿形 1 線 成 效 率 之 意 思 來 看 的 話 最 好 是加大 該高 頻通過 用 開口 1 1 640之幅寬d3 i但是 •當加大該高頻通過用開口 640之幅寬 1 1 d3之 時 9 則 會 使 得 該 電 漿 擴 散 至線圈 屏蔽 件'6 4內 之 電漿擴 1 I 散 問 題 9 變 得 更 為 顯 著 化 〇 I 1 I 當 加 大 該 高 頻 通 過 用 開 口 6 4 0之幅寬d 3之時，則電漿會 1 1 擴 散 至 該 線 圈 屏 蔽 件 64內 * 而 在線圈 屏蔽 件64內 產生有 1 1 高 頻 放 電 現 象 0 而 這 個 現 象 9 剛好和 高頻 中空放 電 琨象之 1 1 狀 態 為 相 同 的 9 但 是 9 當 在 該 線圈屏 蔽件 6 4內而 產 生有放 1 I 電 規 象 之 時 9 則 該 放 電 規 象 9 會使用 掉許 多之高 頻 能量。 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (13 ) J | 因 此 9 無 法 供 應 足 夠 之 能 量 至 該 高 頻 線 圈 61 之 内 側 之 離 子 1 1 1 化 空 間 中 结 果 會 導 致 該 電 漿 形 成 之 效 率 圼 降 低 〇 同 時 9 1 I 請 1 | 該 高 頻 線 圈 61 之 濺 鍍 現 象 f 也 會 變 得 更 加 激 烈 9 而 使 得 所 閱 1 I 明 高 頻 線 ΙΞί 圈 61 發 生 損 傷 之 問 題 9 也 變 得 更 為 厭 重 〇 讀 背 1 1 & I 因 此 針 對 前 述 之 問 題 點 f 進 行 考 量 t 結 果 發 現 到 3 應 之 注 | 意 該 在 電 漿 並 不 會 擴 散 至 線 圏 屏 蔽 件 64內 之 範 圍 下 f 盡 可 能 事 項 1 1 地 賦 予 該 高 頻 通 過 用 開 P 640之幅S ί d3， 比較大 值（ 因 -n~ 填 寫 本 r 為 這 個 值 5 會 隨 著 壓 力 和 電 漿 密 度 而 改 J 所 以 也 應 該 要 頁 '---- 1 I 考 慮 到 這 些 參 數 0 1 1 | 像 這 樣 的 線 圈 屏 蔽 件 64 > ' 係 為 不 銹 鋼 或 者 鋁 之 金 屬 製 品 1 1 9 並 且 呈 電 氣 性 之 接 地 狀 態 〇 該 線 圈 屏 蔽 件 64之 表 面 (內 1 訂 面 和 外 面 ) 則可Κ施加該考量有附熱性和耐電漿性之表 1 1 面 處 理 例 如 鋁 陽 極 處 理 0 1 I 在 該 線 圈 屏 蔽 件 64之 内 面 Λ 也 就 是 該 面 對 著 高 頻 線 围 圏 61 1 | 之 表 面 f 係 形 成 有 凹 凸 而 該 凹 凸 係 用 Μ 防 止 住 該 所 堆 1 線' 積 之 薄 膜 發 生 有 落 下 之 現 象 〇 由 於 電 漿 之 作 用 而 使 得 該 1 1 高 頻 線 圈 6 1 之 表 面 9 進 行 有 濺 鍍 處 理 9 因 此 > 該 濺 鍍 處 理 1 1 過 之 高 頻 線 圏 61 之 材 料 9 會 堆 積 在 線 圈 屏 蔽 件 64之 表 面 上 1 1 0 接 著 9 當 該 堆 積 膜 t 達 到 某 個 程 度 之 數 量 之 時 > 就 會 由 1 1 I 於 本 身 重 量 之 關 係 9 而 發 生 有 落 下 之 現 象 » 成 為 灰 塵 微 ιΙαΛ. 1 1 〇 該 灰 塵 微 fe 9 會 在 濺 鍍 室 内 9 進 行 浮 游 而 且 有 時 候 9 1 1 就 附 著 在 基 板 上 » 而 成 為 該 污 損 到 基 板 之 原 因 0 並 且 9 形 1 1 成 有 凹 凸 9 而 提 高 該 薄 膜 之 密 著 性 9 Μ 便 使 得 該 線 圏 屏 蔽 1 I 件 64之 表 面 堆 積 膜 t 不 容 易 發 生 有 落 下 現 象 〇 i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 ~ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (1 4 ) 1 Ί I 使 用 圖 1， 就本賀 施形態之離 子 •化濺鍍 裝置之 動作，來 1 1 1 做 說 明 0 該 基 板 50 係 通 過 圖 上 並未 顯示出之閘閥（gate 1 | 一 v a 1 V e ) 9 而 被 搬 入 至 該 濺 鍍 审 1内， K 使得該 基板50， 請 1 閲 1 被 載 置 在 基 板 座 架 5上。 並且， 預先it! Ϊ對 於該濺 鍵室1内， 讀 背 1 面 1 進 行 排 氣 9 而 一 直 排 氣 到 10 一 8 〜10 -9 Torr左右為止。 之 注 1 I 意 * j- I 在 將 基 板 50 載 置 在 基 板 座 架 5上之後， 啟 動該氣 體導入用 事 項 1 1 再 1 I > 手 段 4， 而導入該- -定流量之例如 3像氬氣 (Ar )之 製程用氣 填 寫 本 體 〇 該 製 程 用 氣 體 t 可 以 為 濺 鍍 放電 C〇 -V BM 用之氣體3 也可K為 頁 '---- 1 | 該 在 離 子 化 空 間 中 之 電 漿 形 成 用 之氣 體 1 1 控 制 該 排 氣 系 統 11 之 排 氣 速 度 調整 器 而使得該濺鍍室 1 1 1內 維持在30〜40mTo Γ Γ 左 右 之 狀態 下 然後 在這樣之 1 訂 狀 態 下 啟 動 該 濺 鍍 用 電 極 3 〇 藉由該濺 鍍用電 源3 5 *而 1 I 施 加 一 定 之 電 壓 至 該 濺 鍍 用 電 極 3中 K 產生有 該磁控管 1 I 濺 鍍 現 象 0 1 1 1 同 時 也 啟 動 該 離 子 化 手 段 6 然後再藉 由該高 頻電源6 2 1 線 9 Μ 施 加 高 頻 電 壓 至 該 高 頻 線 圏 61中 ，並且，在離子化空 1 1 間 中 9 還 設 定 有 高 頻 電 場 〇 該 濺 鍍放 電用氣體 ，也擴散至 1 | Α--Ϊ- m 離 子 化 空 間 中 9 並 且 該 濺 鍍 放 電用 氣體，發生有電離現 1 I 象 9 而 生 成 有 電 漿 P 。同時也啟動該電場 設定用 手段7，並 1 1 且 藉 由 該 基 板 偏 壓 用 高 頻 電 源 71 ，而 施加所規定之偏電壓 1 1 至 基 板 50中 9 Μ 便 在 基 板 50和 電 漿P之間 ，設定 出該引出 1 1 用 電 場 0 1 | 藉 由 該 濺 鍍 放 電 作 用 > 而 對 於 標靶 2進 行濺鍍 處理；而 1 1 該 被 濺 鍍 處 理 過 之 鈦 金 屬 f 則 朝 向著 基 坂50而 進行飛行。 1 1 _ 1 7 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 (15 ) Ί I 在 該 駄 金 屬 之 飛 行 途 中 9 鈦 金 屬 會 通 過 該 離 子 化 空 間 中之 1 1 1 電 漿 P， 1Η :時， 該鈦金屬會發生有離子化作用c 藉由該引 1 I 出 用 電 場 > 而 非 常 有 效 率 地 由 電 漿 中 j 吸 引 出 該 圼 離 子化 請 先 閲 1 I 之 钛 金 屬 9 並 且 使 得 該 圼 離 子 化 之 鈦 金 屬 9 人 射 至 基 板50 讀 背 1 1 I 中 0 該 入 射 至 基 板 50中 之 圼 離 子 化 之 鈦 金 厘 屬 9 會 到 達 至該 之 注 1 I 意 I 孔 洞 之 底 面 和 側 面 f 而 堆 積 出 薄 膜 9 因 此 3 可 K 非 常 有效 項 1 I 再 1 | ^ 率 地 被 覆 住 該 孔 洞 内 部 〇 填 寫 本 當 Μ 所 要 求 之 厚 度 而 製 造 出 薄 膜 之 時 f 則 分 別 地 停 止該 頁 、〆 1 電 XB m 設 定 用 手 段 7、 離子化手段6 濺 鍍 用 電 極 3 、Μ及氣 1 1 1 3M m 導 入 用 手 段 4之動作， 然後 >再由濺鍍室1 內 9 搬 蓮 出基 1 1 板 50 〇 1 訂 在 前 述 之 動 作 中 9 藉 由 該 —V-· 要 由 電 漿 P所飛來之製程用 1 | 氣 體 之 雛 子 (有時候 也可能有濺鍍粒子之離子£ 丨勺狀態發 1 I 生 0 ) *而對於該高頻線圈61之表面 進行灑鍍處理 >但 1 1 1 是 9 因 為 該 藉 由 像 這 樣 之 濺 鍍 處 理 而 被 發 射 出 之 高 頻 線圏 1 線 61 材 料 所 組 成 之 濺 鍍 粒 子 9 幾 乎 都 被 -Ϊ—?- 線 圏 屏 蔽 件 6 4所 1 1 遮 蔽 住 所 Μ 該 濺 鍍 粒 子 j 並 無 法 到 達 至 基 板 50和 標 靶2 1 | 0 該 由 於 濺 鍍 處 理 過 之 高 頻 線 rgT 圈 61 之 材 料 所 造 成 之 基 板50 1 I 污 損 之 問 題 .9 則 在 本 實 施 形 態 中 9 m 乎 都 沒 有 發 生 〇 當該 1 1 由 高 頻 線 圏 6 1之 材 料 所 組 成 之 濺 鍍 粒 子 » 附 著 在 標 靶 2上 1 1 之 時 9 則 該 附 著 在 標 靶 2上之 賤鍍粒子 ，會再- 次J 也被進 1 1 行 濺 鍍 處 理 > 而 到 達 至 基 板 5 0 ； 就 是 因 為 會 有 這 樣 的 狀態 1 | 發 生 J 所 Μ 不 僅 必 須 要 遮 蔽 住 基 板 50 > 同 時 即 使 是 對 於標 1 I 2之 遮 蔽 處 理 *也是ί 泪 當 重 要 的 〇 1 1 _ 1 Q - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 18 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (1 • 6 ) 1 Ί 1 即 使 是 在 高 頻 線 圏 61 之 外 側 上 > 設 置 有像 這 樣 呈 接 地 狀 1 1 1 態 之 線 圏 屏 蔽 件 64之 狀 態 下 9 也 可 Μ 在 高頻 線 圏 61 之 内 側 1 | 5 積 存 有 足 夠 能 量 之 高 頻 〇 请 1 閱 1 接 著 9 就 該 相 對 懕 於 申 萌 專 利 範 圍 第 3項之發明之實施 背 1 面 1 形 態 9 來 做 補 充 之 說 明 〇 圖 3係為顯示出圖1 之 線 圆 圈 屏 蔽 件 冬 1 I 意 r· 1 6 4内 之 電 場 狀 態 之 剖 面 概 略 圖 〇 事 項 1 I 再 I I % 該 線 圈 屏 蔽 件 64 j 係 具 備 有 該 與 高 頻 線圏 61 之 剖 面 形 狀 填 寫 本 裝 呈 同 心 圓 周 狀 之 剖 面 〇 該 線 圈 屏 蔽 件 64本身 ， 係 呈 接 地 狀 頁 1 1 態 ΰ 就 正 如 圖 3所顯示的， 該藉由供應至高頻線圈61中之 1 1 I 高 頻 電 壓 而 形 成 之 電 力 線 610， 就正如圖2所 顯 示 的 9 係 Κ 1 1 該 高 頻 線 圈 61 之 粗 细 部 之 中 心 點 9 作 中心 9 而 呈 放 射 狀 1 訂 地 發 散 出 去 〇 然 後 該 由 高 頻 線 圏 61所 放射 出 之 電 場 之 1 I 電 位 面 61 1 係由該中心開始而擴大成為同心圚周狀t >在 1 I 該 線 圏 屏 蔽 件 6 4内 所 激 發 出 之 高 頻 電 場， 並 不 會 發 生 有 1 1 | 混 亂 琨 象 因 此 可 >λ 很 安 定 地 由 高 頻 通過 用 開 口 640而 1 線 放 射 出 高 頻 0 结 果 能 夠 在 離 子 化 空 間 中， 形 成 有 該 呈 安 1 1 定 化 之 電 漿 〇 1 I 接 著 y 就 該 相 對 應 於 甲 請 專 利 範 圍 第 4項之發明之實施 1 | 形 態 1 來 做 補 充 之 說 明 〇 画 4條為顯示出圖1 之 線 圏 屏 蔽 件 1 1 64之 適 當 之 構 成 的 剖 面 概 略 圖 〇 1 1 就 正 如 前 面 所 敘 述 的 9 該 線 圏 屏 蔽 件 64 - 係 為 用 Μ 覆 蓋 1 1 住 該 高 頻 線 圈 6] L之 外 側 » 即 該 線 圏 屏 蔽 件6 ζ - 係 用 遮 蔽 1 I 住 該 由 於 經 過 濺 鍍 處 理 而 被 發 射 出 並 且 到達 至 基 板 50之 高 1 I 頻 線 圈 61之 材 料 〇 為 了 能 夠 非 常 有 效 果 地完 成 該 遮 蔽 住 濺 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297么釐） 一 19 一 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (17) 1 Ί | 鍍 粒 子 由 高 頻線圏6 1開始而到 達至基板50之遮蔽作用，就 1 1 1 由 線 圈 屏 蔽 件64開始而通過該 高頻通過用開口 640而言， 1 I 請 1 I 則 er 取 好 適 用 該並無法穿透該基 板50上Μ及標靶2之 被濺鍍 先 I 閲 1 面 上 之 任 何 一點。 請 背 1 面 I 使 用 圖 4， 而來作更加具體 之說 明 0就 該 位處在 圖式上 冬 1 意 * <-I 之 右 側 之 高 頻通過用開口 640 ，來 作 為例 子 ，而進 行說明 事 項 1 I 再 1 〇 就 正 如 圖 4所顯示的，在該 由基 板 50左 側 之邊緣 開始而 寫 本 It r 通 過 基 板 5 0外側之狀態下，該 通過這個高頻通過用開口 ι 頁 、/ I I 640之下緣而連接至高頻線圏 51上 側 之面 上 之切線 (Μ下， 1 1 1 則 稱 第 1切線。）6 41，.也並 無法 通 過該 高 頻通過 用開口 1 1 640而穿透至基板50上之任何 一點 〇 在這 裡 ，則可 Κ想像 1 訂 in. S51 定 基 板 5 0係為圚形。 1 1 在 由 標 靶 2之被濺鍍面之左 側之 邊 緣開 始 而通過 該標靶2 1 I 之 被 濺 鍍 面 之外側之狀態下， 該通過這個高頻通過用開口 1 1 I 6 40之上緣而連接至高頻線圏 61下 側 之面 上 之切線 (Κ下， 1 線i 則 稱 為 第 2切線。）642，並無 法通 過 該高 頻 通過用 開口 640 1 1 而 穿 透 至 該 標靶2之被濺鍍面 上之 任 何一 點 。所請 標靶2之 1 l 被 濺 鍍 面 9 則係意味著：除了該被固定在 標靶座架上之標 1 I 靶 2之表面區域之外，其他之 專門 供 由濺 鍵 用電極 3進行濺 1 1 I 鍍 處 理 之 表 面區域。 1 1 該 位 處 在 圖4上之左側之高 頻通 過 用開 口 6 4 0，也是和前 1 1 面 之 敘 述 為 相同的；即是在第1切 線 641由 基板5 0右側之邊 1 l 緣 開 始 而 通 過基板5 0之外側 Μ及第2切 線6 4 2由標靶2之 1 I 被 濺 鍍 面 之 右側之邊緣開始而通過該標靶 2之被濺 鍍面之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 9 f) 一 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (1 8 ) 1 Ί | 外 側 之 狀 態 下 9 皆 無法 通過該 高頻通 過 用開 口 640而穿透 1 1 1 至 該 基 板 50上 和 標 靶2之被濺鍍面上之任何- ^^ 1 | 就 正 如 1—f. 刖 面 所 敘 述的 ，係藉 由構成 出 該咼 頻通 過 用開口 請 先 閲 1 I 640之幾何學上之配置， 而能夠得到所諝最為良好之該由 讀 背 © 1 1 高 頻 線 圏 61 開 始 而 一直 到基板 5 0為止 之 濺鍍 粒子 之 遮蔽之 1 I 意 Γ 效 果 0 若 由 高 頻 之 通過 效率之 觀點來 看 的話 ，由 於 該高頻 事 項 1 I 再 1 | r- 通 過 用 開 P 6 40 * 係儘可能地越大越好， 因此，也採用臨 填 寫 本 界 極 限 之 配 置 f 而 使得 第1切線641連 接 到基 板5 0之 邊緣， 頁 、〆 1 1 Μ 及 第 2切線642 連 接到 標靶2之被濺鍍面之邊緣。 1 1 I 接 著 > 就 該 相 對 應於 申請專 利範園 第 5及6 項之 發 明之第 1 I 2實施形態， 來做說明< 圖5係 為顯示 出 本發 明之 第 2實施 1 訂 形 態 中 之 雛 子 化 濺 鍍裝 置之重 要部位 之 構成 的前 視 概路圖。 1 I 在 該 第 2實施形態之裝置中 其比較大之特徵點 係為 1 I ♦ r-4- 用 該 與 標 靶 2材料為相同之材料 來形成高頻線圏61 1 1 I 9 而 該 標 靶 2材料 係為用Μ製造出基板5 0之薄膜之材料 1 線 i Μ 及 ，在高頻線圏6 1之外側， 設置有 m 輔助 用屏 蔽 件65。 1 1 為 藉 由 第 1實施形態以外之另一種想法 來解決所諝 1 I 該 由 於 前 述 之 濺 鍍 處理 過之高 頻線圏 61 之材 科而 污 損到基 1 I 板 50 之 問 題 9 因 此 ，使 得高頻 線圈6 1使 用和 標靶 2相同之 1 1 1 材 料 〇 但 是 也 有 一 種看 法，就 是使用 該 並不 會發 生 有其使 1 1 得 高 頻 線 圈 6 1 之 材 料而 附著在 基板50上 之問 題的 材 料，來 1 1 形 成 高 頻 線 圈 61 〇 在形 成有障 蔽膜之 狀 態下 ，該 標 靶2係 1 | 為 鈦 金 屬 製 的 > 而 高頻 線圏6 1也同樣 是 1太金 屬製 的 。由於 1 I 高 頻 線 圈 61 9 會 随 著時 間之經 過*進 行 濺鍍 處理 而 被消耗 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） -21 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（19 ) 掉，因此，最好是在相當容易進行交換之狀態下，將高頻 線圈61，安裝在濺鍍室1内。 該高頻線圏6 1外側之輔助用屏蔽件6 5，係和第1實施形 態之線圈屏蔽件64，在目的上，有存在著若干之不同處。 由於高頻線圏61，和標靶2係為相同之材料，因此，在這 $ 個第2實施形態之中，該遮蔽住其由高頻線圏6 1開始而一 直到基板50為止之濺鍍粒子之必要性，並沒有像第1實施 形態一樣，那麼地有需要。該輔肋用屏蔽件65之主要之目 的，係用K防止住該在高頻線圈6 1外側中之能量供應現象 之發生，Μ便將電槳封閉在高頻線圏6 1之内側中。 當並無存在有該輔助用屏蔽件65之時，則在高頻線圏61 外側，也會放射出高頻，而施加能量至該存在於高頻線圏 61之外側中之氣體分子，因此產生有放電現象，而在高頻 線圈61外側中，也形成有電漿。所Μ，由高頻線圈61之内 側開始而一直擴大到高頻線圈6 1之外側為止，會形成有電 漿。該形成在高頻線圈6 1之外側中之電槳，對於使得該來 自標靶2之濺鍍粒子發生雛子化作用，幾乎並沒有什麼功 效存在。當在像這樣之不必要之區域中而形成有電漿之時 ，則會發生有所謂該對於存在這個區域中之構件而進行有 並不需要之濺鍍處理的問題發生。但是，在本實施形態中 ，由於可以藉由該輔助用屏蔽件6 5而抑制住該高頻線圈6 1 之外側中之電漿形成之現象，因此，並不會發生有像所謂 該對於存在這個區域中之構件而進行有並不需要之濺鍍處 理的問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (20 ―丨 | 圖 4所元 之 .輔助用 屏 ί蔽件6 5，和圔3所示 之 線 圈 屏 蔽 件 64 1 1 1 同 樣 地 9 係 具 備 有 該 與 高頻線圏61之粗细 部 之 中 心 圼 同 心 /-— 1 I 圓 周 狀 之 剖 面 形 狀 0 該 面對著輔肋用屏蔽 件 65之 高 頻 線 圏 請 先 閲 1 I 61 之 表 面 9 係 成 為 該 由 高頻線圏61所放射 出 之 電 場 之 等 電 讀 背 1 1 1 η U 面 的 形 狀 〇 在 高 頻 線圏61和輔助用屏 蔽 件 65 間 之 電 場 1 I 意 1 之 分 布 f 1系 成 為 中 心 對 稱的，因此*相當 有 肋 於 該 在 離 子 事 項 1 I 再 1 I 化 空 間 中 之 圼 安 定 化 之 高頻電場之設定。 填 寫 本 1 裝 該 輔 肋 用 屏 蔽 件 65 i 和線圈屏蔽件6 4同 樣 地 9 係 由 像 不 頁 1 I 銹 鋼 或 者 鋁 之 金 屬 所 形 成的，並且呈電氣 之 接 地 狀 態 〇 此 1 1 外 9 至 於 該 輔 肋 用 屏 蔽 件6 5，對於輔肋用 屏 蔽 件 65之 表 面 1 1 而 施 加 Μ 鋁 陽 極 處 理 之 優點、Μ及設置有 該 用 Κ 防 止 其 堆 1 訂 積 膜 落 下 之 凹 凸 優 點 ，也是和線圏屏蔽 件 64 為 相 同 的 ϋ 1 | 當 然 前 述 之 第 1實施形態中之線圈屏蔽件64 ，也具備 1 I 有 和 該 輔 助 用 屏 蔽 件 6 5相同之效果。即使 是 有 m 於 該 輔 肋 1 1 I 用 屏 蔽 件 65 9 也 和 線 圏 屏蔽件6 4同樣地， 可 Μ 具 備 有 該 用 1 線 Μ 遮 蔽 住 其 來 由 高 頻 線 圏6 1之濺鍍粒子之 遮 蔽 效 果 〇 1 1 接 著 9 就 該 相 對 應 於 申請專利範圍第7及S 項 之 發 明 之 第 1 I • 3實施形態 ，來做說明 。圖6係為用Μ說明 本 發 明 之 第 3實 1 I 施 形 態 中 之 雛 子 化 濺 鍍 裝置之重要部位之 構 成 的 前 視 概 略 1 1 圖 0 1 1 就 該 設 置 有 線 圈 屏 蔽 件6 4之方面來看的 話 9 該 第 3實施 1 1 形 態 裝 置 J 係 和 第 1實施形態之裝置為； 相 司 的 ;但 1 S 1 | 若 就 高 頻 線 圏 6 1具 備 有 該用Κ將氣體導入 至 離 子 化 空 間 中 1 I 之 氣 體 導 入 用 功 能 之 方 面來看的話，則該 第 3 5M 杉 態 之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 23 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (21 ) Ί I 裝 置 和 第 1實施形態之裝置， 係有存 在 1 相 當 X :之 不 同 1 1 1 處 0 也 就 是 說 S 該 第 3實施形態ΐ 1之高 頻 •線圏 61， 其 内 部 1 I 係 為 中 空 的 j 並 且 9 該 第 3實施形態中 之 .高頻 H t 圏 61， 在 請 閲 1 面 對 著 離 子 化 空 間 之 內 側 之 面 上 r 甲. 均 等 地 形 成 有 該 氣 體 讀 背 面 I 吹 出 用 孔 穴 612。 I 意 該 高 頻 線 圏 61 9 Λ-Τ 保 被 形 成 螺 旋 狀 之 內 徑 6 in Ιδ、 夕f 、徑 事 項 再 f 10 mm 之 管 狀 之 構 件 0 該 氣 體 吹 出 用 孔 612， 係為直 .徑 填 裝 本 0 . 2 in Π1左右之圚形； 並且能夠Μ 2 0 ffl m左右之間隔， ffr ί設置 頁 ____ 出 Λ-ί- m 氣 體 吹 出 用 孔 穴 612 〇 當該氣體8¾ it 月 ί孔穴612 過 於 加 1 大 之 時 9 則 會 有 所 i田 m 電 漿 通 過 該 氣 體 吹 出 用 孔 穴 612而進 1 1 入 至 高 頻 線 圏 61 之 內 部 中 的 問 題 發 生 S 因 此 f 該 氣 體 吹 出 1 訂 用 孔 穴 612 則應該並不適宜被過度ϋ i加大。 1 I 像 這 樣 之 高 頻 線 圈 61 9 係 連 接 有 該 氣 體 導 入 用 手 段 4之 1 I 配 管 42 〇 由 該 配 管 42 甲. 分 歧 出 來 而 設 置 有 輔 助 用 配 管 47 » 1 1 1 而 且 在 联 輔 助 用 配 管 47 還 連 接 有 該 輔 助 用 濺 鍍 室 内 配 官 1 線 48 0 並 且 9 在 該 輔 助 用 濺 鍍 室 內 配 管 48 之 前 端 ， 則 連 接 有 1 1 高 頻 線 圈 61 0 與 該 由 氣 體 niL 分 配 器 46所 導 入 之 氣 體 為 相 同 的 1 | > 同 樣 地 也 由 高 頻 線 圈 61 來 導 入 氣 體 〇 1 I 像 這 樣 之 高 頻 線 圈 61 之 構 成 係 藉 由 供 愿 有 許 多 之 氣 體 1 1 1 至 該 被 供 nty 懕 有 許 多 之 高 頻 能 量 之 場 所 中 提 高 該 電 漿 形 1 1 成 之 效 率 〇 若 從 高 頻 線 圈 61來 看 的 話 則 在 該 高 頻 線 圏 61 1 1 之 內 側 之 離 子 化 空 間 中 9 係 被 供 應 有 最 多 之 高 頻 能 量 但 1 | 是 9 若 當 在 僅 有 氣 體 分 配 器 46存 在 之 狀 態 下 則 會 因 為 該 1 I 由 氣 體 分 配 器 46開 始 而 —* 直 到 該 離 子 化 空 間 為 止 9 有 著 相 1 1 6 -2 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (2 2 ) Ί I 當 之 距 離 f 因 此 9 很 可 能 在 氣 體 到 達 至 該 離 子 化 空 間 之 月U 1 1 1 9 該 氣 體 就 已 經 發 生 有 擴 散 現 象 9 而 -fijE 法 供 rrfcg 懕 足 夠 數 量 之 —«. 1 I 氣 體 至 該 雛 子 化 空 間 中 〇 請 先 1 1 閲 1 另 一 方 面 9 當 由 該 高 頻 線 圏 6 1 之 氣 體 吹 出 用 孔 612而 讀 背 1 面 I 進 行 該 氣 體 供 愿 作 業 之 時 ϊ 因 為 該 離 子 化 空 間 9 就 L.X. U 處 在 之 注 1 I 意 r· 眼 前 之 i_S_ U 置 上 9 因 此 可 Μ 供 歷 足 夠 數 量 之 氣 體 9 至 該 離 子 事 項 1 1 再 化 空 間 中 〇 這 個 結 果 9 就 導 致 該 電 漿 形 成 效 率 之 提 升 〇 填 寫 本 k 至 於 該 對 於 濺 鍍 用 電 極 3之氣體供應 則在並無使用氣 頁 Sw-» 1 I 體 分 配 器 46 t 而 僅 藉 由 該 來 白 高 頻 線 圏 61 之 氣 體 供 應 9 就 1 1 1 可 以 滿 足 需 要 9 因 此 S 在 這 種 狀 態 下 9 可 K 省 略 掉 賊 氣 體 1 1 分 配 器 46和 濺 鍍 室 內 配 管 45 0 1 訂 在 該 連 接 有 高 頻 線 圏 61 之 輔 助 用 配 管 47 則 設 置 有 該 用 1 1 Μ 調 節 其 被 供 rrtB 懕 至 高 頻 線 圏 61 中 之 氣 體 之 溫 度 調 節 器 49 〇 1 1 該 溫 度 調 節 器 49 若 說 得 更 加 具 體 一 點 則 係 為 該 用 Μ 使 1 1 1 得 氣 體 冷 卻 至 所 規 定 溫 度 之 冷 卻 器 〇 線 由 於 該 來 i 其 彤 成 於 離 子 化 空 間 中 之 電 漿 的 電 子 撞 擊 1 1 Μ 及 該 隨 著 在 表 面 上 所 流 動 之 高 頻 電 流 而 帶 來 之 焦 耳 熱 ， 1 1 而 對 於 該 高 頻 線 圈 61 9 進 行 加 熱 0 當 上·>- 高 頻 線 圏 61 被 加 埶 1 i 至 某 個 限 度 Μ 上 之 溫 度 之 時 9 則 會 有 在 該 高 頻 線 圈 61 » 發 I 1 生 有 熱 損 傷 現 象 9 同 時 促 進 該 對 於 高 頻 線 圈 61 之 薄 膜 堆 積 1 1 現 象 之 問 題 的 發 生 0 1 1 在 本 實 施 形 態 中 9 係 藉 由 溫 度 調 節 器 49， 而 將 該 供 rrty 懕 至 1 I 高 頻 線 圈 61 中 之 氣 體 ί 冷 卻 至 所 要 求 之 溫 度 * 然 後 再 藉 由 1 I 該 氣 體 之 冷 卻 效 果 9 而 抑 制 住 該 高 頻 線 圏 61之 溫 度 上 升 » 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 25 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (23 ) 1 Ί I 係 在 所 要 求 之 溫 度 下 〇 因 此 > 在 該 高頻 線 圏61 中 9 並 不 1 1 1 會 有 像 熱 損 傷 和 過 剰 之 薄 膜 堆 積 之 問 題之 產 生。 /-—s. 1 I 該 溫 度 調 節 器 49 a 也 可 K 被 使 用 在 除了 高 頻線 圏 61 之 冷 請 先 閲 1 I 郤 之 外 之 巨 的 上 〇 例 如 在 由 於 某 些事 情 之關 係 而 必 須 讀 背 1 1 面 1 對 於 該 被 供 應 至 離 子 化 空 間 中 之 氣 體 之溫 度 ，進 行 m im 度 調 之 注 1 I 意 節 時 之 狀 態 下 9 則 非 常 適 合 使 用 該 溫 度調 節 器49 〇 拳 項 1 I 再 1 即 使 是 該 第 3實施形態中之高頻線圏61 也可M fl ]第2 實 填 窝 本 1 施 形 態 同 樣 地 9 使 用 與 標 靶 2相同之材料c 並且也能夠使 頁 、， 1 I 用 第 2實施形態之輔肋用屏蔽件65, 來取代線圈屏蔽件64。 1 I 1 在 前 述 之 各 個 實 施 形 態 中 係 採 用 高頻 感 應結 合 型 電 漿 1 1 3 來 作 為 離 子 化 手 段 6 但是， 除了該高頻感應結合型電 1 訂 漿 之 外 也 可 Μ 考 慮 到 採 用 其 他 之 許 多之 構 成0 例 如 可 1 | K 採 用 該 形 成 有 高 頻 電 容 量 结 合 型 電 漿.、 直 流二 極 放 電 電 1 I 漿 電 子 迴 旋 加 速 共 振 (ECR el e c t r on c y c 1 〇 t r on 1 1 1 r e S 0 n a n c e ) 電 漿 Μ 及 螺 旋 波 (h e 1 i c on w a v e)電 漿 之 手 段 1 線 9 來 作 為 該 用 形 成 有 電 將 之 手 段 ο 並且 一種 離 子 源 9 1 1 係 在 離 子 化 空 間 中 9 對 於 正 離 子 進 行 照射 而從 濺 鍍 粒 子 1 | 中 f 奪 取 到 電 子 9 Μ 使 得 联 濺 鍍 粒 子 圼雛 子 化； 因 此 也 可 1 1 Μ 採 用 該 離 子 源 J 來 作 為 離 子 化 手 段 6 〇 1 1 在 前 述 之 各 個 實 施 形 態 中 9 係 使 採 用有 電 場設 定 用 手 段 1 1 7 ，Μ設定出電場 ，r fii將該圼雛子化之濺鍍粒子 ，吸引出 1 1 至 基 板 5( >中 9 但 是 > 在 並 fnr 幾 設 置 有 像 這樣 之 電場 設 定 用 手 1 | 段 7之狀態下 ，也可Μ得3 纽像離子化濺鍍之效果 。例如 I 1 I 藉 由 該 施 加 至 高 頻 線 圈 61 L中 之 高 頻 電 場， 則 可Μ 加 快 該 離 1 1 -ο fi _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 26 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明 (24 ) 1 Ί 子 之 速 度 > 而 非 常 有 效 果 地 使 得 联 離 子 入 射至基 板 50 中 9 1 1 1 因 此 9 在 這 種 狀 態 下 9 就 並 不 需 要 該 電 場 設定用 手 段 Ί。 /-— 1 | 該 作 為 高 頻 線 圈 61 之 構 成 ， 除 了 前 述 之 螺旋狀 之 構 成 之 請 先 1 閲 1 外 9 也 可 採 用 該 僅 由 環 圈 狀 之 構 件 所 構 成之單 捲 線 圏 、 背 1 面 I 及 該 沿 著 一 定 之 間 隔 而 呈 上 下 地 配 置 有 2支（或 者 3支Μ 之 注 1 I 意 上 )之環圈狀構件並且由連桿所連接而成之構成 來作為 事 項 1 I 再 1 1 r 局 頻 線 圏 61 0 填 寫 本 κ 裝 本 發 明 之 濺 鍍 裝 置 9 除 了 可 被 使 用 在 各種之 半 導 體 元 頁 I 件 之 製 造 上 之 外 能 夠 被 利 用 在 液 晶 顯 示器和 其 他 之 各 1 1 I 種 電 子 製 品 之 製 造 上 Ο 1 1 (發明之效果） 1 訂 就 正 如 K 上 之 說 明 所 敘 述 的 若 藉 由 本 發明之 串 請 專 利 1 | 範 圍 第 1項之發明的話 則該由.於濺鍍處理所發射出之高 1 I 頻 線 圏 之 材 科 而 組 成 之 濺 鍍 粒 子 都 幾 乎 會被線 圏 屏 蔽 件 1 1 I 所 遮 蔽 住 〇 Λ.·*- m 濺 鍍 粒 子 並 無 法 到 達 至 基 板和標 靶 〇 因 此 1 線 9 並 不 會 有 該 被 濺 鍍 處 理 過 之 高 頻 線 圏 之 材料， 污 損 到 基 1 1 板 之 問 題 產 生 0 1 I 若 藉 由 本 發 明 之 甲 請 專 利 範 圍 第 2項之發明的話 ，則除 1 I 前 逑 之 申 請 專 利 範 圍 第 1項之效果之外 ，還可Μ更進- 1 1 I 步 地 提 高 該 離 子 化 濺 鍍 處 理 之 效 果 ΰ 1 1 若 藉 由 本 發 明 之 甲 請 專 利 範 圍 第 3項之] g明的話 ，則除 1 1 了 前 述 之 甲 請 專 利 範 圍 第 1或2項 之 效 果 之 外，遯 可 Μ 使 得 1 | 該 線 圈 屏 蔽 件 內 之 電 場 3 成 為 中 心 對 稱 » 因此， 能 夠 得 到 1 | 所 謂 該 使 得 離 子 化 空 間 圼 安 定 化 而 放 射 出 高頻， 安 定 地 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） 27 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（25 ) 進行該離子化作用之效果。 若藉由本發明之申請專利範圍第4項之發明的話，則除 了前述之申請專利範圍第1、2或3項之效果之外，還可Μ 得到所諝最高程度之遮蔽住該來自高頻線圈之濺鍍粒子之 遮蔽效果的效果。 若藉由本發明之申請專利範圍第5項之發明的話，則並 不會有該被高頻線圏之材料所污損到基板之問題產生，同 時，也能夠抑制住該在並不需要之場所而形成有電漿之現 象0 若藉由本發明之申請專利範圍第6項之發明的話，則除 了前述之申請專利範圍第5項之效果之外，還可Μ使得該 線圏屏蔽件65内之電場，成為中心對稱；因此，能夠得到 所請該使得離子化空間呈安定化而放射出高頻，以安定地 進行該離子化作用之效果。 若藉由本發明之申請專利範圍第7項之發明的話，則由 於可Μ供應相當多之氣體，至該被供應有相當多之高頻能 量之離子化空間中，因此，能夠提高該電漿形成效率。 若藉由本發明之申請專利範圍第8項之發明的話，則除 了前述之申請專利範圍第7項之效果之外，還可以很容易 地進行溫度調節，Μ防止住該由於將高頻線圈冷卻至所要 求之溫度而產生之高頻線圈之熱損傷和過剩之膜堆積之問 題發生。 (圖式之簡單說明） 圖1係為顯示出本發明之第1實施形態之濺鍍裝置之構成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ W7公釐） _ ? S _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂 -線 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ；2 6) 1 1 I 的 前視概 略 圖 〇 1 ! 1 圖2係為該使用 在圖1之裝置 中 之 線圏 屏 蔽 件 64之 具 體 之 1 I 尺 寸之說 明 圖 〇 請 先 1 1 閱 I 圖3係為顯示出 圔1之線圏屛 蔽 件 64内 之 電 場 狀 態 之 剖 面 潰 背 1 面 I 概 略圖。 之 注 1 I 意 圖4儀為顯示出 圖1之線圏屏 蔽 件 64之 適 當 之 構 成 的 剖 面 # 項 1 I * 1 1 r 概 略圖。 填 寫 本 裝 _ 5彳糸為顯示出 本發明之第2 實 施 形態 中 之 離 子 化 濺 鍍 裝 頁 、〆 1 I 置 之重要 部 位 之構成的前視概 略 圖 0 1 1 I 圖6係為顯示出 本發明之。第3 實 施 彩態 中 之 離 子 化 濺 鍍 裝 1 1 置 之重要 部 位 之構成的前視概 略 圖 〇 1 訂 (元件編號之說明 ) 1 I 1 :濺鍍 室 1 1 1 11 :排氣 糸 統 1 1 2 :標靶 1 線 3 :濺鍍 用 電 源 1 1 4 :氣體 導 入 用手段 1 I 41 :高壓 氣 體 筒 1 1 I 42 :配管 1 1 43 ••閥 I 1 44 :流量 調 節 器 1 1 45 :濺鍍 室 内 配管 1 I 46 :氣體 分 配 器 1 1 1 47 :輔助 用 配 管 1 1 _ ο ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 29 A7 B7 五、發明説明（27) 48 :輔助用濺鍵室內配管 49 :溫度調節器 5 :基板座架 50 :基板 6 :離子化手段 61 :高頻線圏 62 :高頻電源 63:匹配器（matcher) 64 :線圏屏蔽件 65 :輔助用屏蔽件 7 :電場設定用手段 71:基板偏壓用高頻電源 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、1T 線 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^ -J Q -