TW385483B - An analytic method for a insulating test sample by auger electron spectroscopy - Google Patents

Description

【技術領域】 本發明係有關一種奥格電故座 P沉ποποπ，簡.稱為 子6日儀（ ，更明確的是，其係有關於片之分物 片之分析方法，其巾，歸穴電子Ρθ儀對—絶緣言 ，而使其達到可避免充二Π:試片上敍上-㈣ 【先前技術之討論】 體：般而言，半導體裝置 的· 體、.液晶顯示器（刪等等，有J 例如·記境 體裝置製造時，選擇性的抽樣析是要在半導 上试目的* ^、 個式片來造行的。為達 )，龙析儀器之—就是奥格電子譜'儀（廳 份。奥格電子譜儀係為一 染:¾成 到此試㈣、/ 係藉由—將電子束射 /片之表面《―原子，並掃描其奥格電子（纖, 之動能來分析。由於該儀器能在很小 圓中造订極佳的分析，此奥格電子譜儀主要係用來分析 圓（1侧）表面、損傷區域、及一薄層W心 =，肌，職··.）之成份之上的粒子。特別是：，.此奥 格電子譜儀之特徵在於它是一種施加電子束之儀器, 具有高解析度。 然而，根據電子束之使用，因為此層之充電效應 故傳統之奥格电子_儀並不能夠分析—絶緣層，因此， 此分析係受限於用在不會產生充電效應之導電試片 A7 B7 ，經濟部中央標準局員工消費合作社印製 夂、發明説明( \ , ~~--——- /藉由鍍上如金uK)之類的導電材料於―做為掃描電子顯 '散鐄Λ SCANNING ELECTRON MICROSCOnc)分析用之試片 上的方法，此奥格電子譜儀分析得以進行。如以諸如一般 常用來鍍膜之二極體嘖濺（i}/〇此仰吖r£R)之類的設備 ，並不容易嘖鍍上至少；"埃（1)至y ”埃之^产 導電層，也不容易精確的控制此鍍膜厚度達到所要： 程度。由於奥格電子譜儀只限於埃至J C埃之厚度， 故奥格電子譜儀不可能用來分析具有鑛膜 L 。埃至…埃之導電層之一試片之表面。. 【目的及功效】 藉此，本發明係指-種奥格電子譜儀對一絶緣試片之 分析方法，主要在解決因相關技術之限制及缺點所產生之 一個或數個問題。 ㈣再—目的，為提供—種奥格電子譜儀對—絶 緣试片之分析万法，⑽—料料濺（傭伽 娜刪，在-含有絶緣層之試片上鍍上數埃至 之厚度之導電層。 ^ 本發明之其他特徵及優點將會在下列敘述中得知，而 而暸:份可由敘述中明顯的看出，或者，由本發明之實施 【技術內容】. . 為達成上述優點.以及本發明之納曰 是廣泛的描述，本發明係提俾種:：，不論是具體的或 ㈣供—種奥格電子譜儀對-絶緣 (.請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j ------

、1T Φ 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) .I - i - - 1 - - -- - » ------- A7 A7 輕濟部中央標準局員工消費合作社印製

五、發明説明（3 ) -試片表面之定性及定量分析用方法，其特徵在於 有-絶緣層之試片的表面上鍍覆上一預定厚度之導^含 以便避免—充m效應，之後，再進行該分析。 該導電層被鍍覆上之厚度係至少為$埃至 該試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該束•麽且 ” (千電子伏特）。此外，此導電層係；由ΐ 列任選其—：銀（"）、路（〇)及金（‘）。最好/ 此導電層藉由-離子束嘴濺而鍍覆上，且，該 :， 液晶顯示器用之坡璃而進行。因為在該試片上 … 電部份會透過此導電層而被釋放掉。 足充 要瞭解的是，前面的一般敘述以及以下的詳 ==及解難f，其只是««本Μ更進-步之 【圖式簡單説明] 為更ϋ-步瞭解本案，兹⑽佳實施❹配 細説明本發明於後： 巧洋 第7圖係根據本發明之奥格電子譜儀對-絶緣試片之分析 方法之剖視圖。 第2圖係-份奥格電子譜儀分析之資料表，其係在一破填 .上形成厚度為』埃之㈣，且―朿電壓（咖 VOLTAGE )為 3 ΚΎ。 们圖係-份奥格電子譜儀分析之資料表，其係在一破璃 上形成厚度為J埃之餘.層，且一束電壓為。 本紙張尺度

f部先閑讀背面之廷意事If再嗔寫本頁J .敦---- 啜. • I I H- Γ ·

(210X297公釐） 、發明説明（手） 第⑽係-❹格電讀儀分析之資料 ~^ .上形成厚度為J埃之銥層，且在-坡填 。 罘电塵為i 第J圖係一份奥格電错 %fp日儀分析之資料表，龙 上形成厚度為）埃之銥層v且_、係在—破填 。 球潛且—束電壓為^ ^ 第d"圖係一份奥格電子 甩于叫儀分析之資料表，i 上形成厚度為7埃 〃係在一坡璃 第7圖係-份奥格電子迷 ’.且一束電壓為。 上形成厚产：二析之資料表，其係在-破璃， 。厚度為7埃之銀層，且-束電壓為 第^^^格電子譜儀分析之資料表，其髮一坡璃 4厚度為7埃产銥層，且一束電勘 〇 y [實施例之詳細説明】 施例之結構’此僅供 圖中所示者為本發明所選用 説明之用。 板一Μ 7，圖所不’本發明所選用之較佳實施例係用來分 色緣試片’其係在—試片“上鍍覆上一銥層”。 :要進#冑格電子譜儀分析，將—電子朿射在在—绝 片上’會導致_充電現象。&，鱗係被提供以做為 離:朿噴濺之目標，並且，進行—_鍍膜過隹，如此 I製造出鍍覆有導電之铱層之試片i 0。在該試片j 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（f ~~^—' 一~ -P上’此所形成之銥層u係心於此奥格電子譜儀之— 固定裝置（圖中未示）上，其側邊及底部均被貼上_ (卿删歷）"關定。然後，在此奥格電子㉟ 儀分析之過程中，透過此導電層；2、此銘帶η及固^ 裝置，充電之部份會被釋放棹。 在於-常用之離子述噴濺鍍膜中，要被鍍膜之厚度可 以被控制於在數埃之範圍，如果該過程之條件，係被 成用來將此層經—離子束嘴濺而將銀做為目標後，而鍍成 7埃，則該試片以上將會鍍覆上-7埃厚之㈣72。 在一奥格電子譜儀分析，最好如鼓層7/之部份是屬於較 薄的導電層因為我們可以得到更深入内部之分析。 々此層也應該要足夠厚，厚到至少不會產生充電現象的程 度0 一於該电子束电壓與該試片間之關係，.當束電壓升高 ，則分析深度更深，且此被鍍上之層則較不會影響到料 結果。再者，此奥格電子語儀應該被建立成具有—最低街 流，因域充電縣與電流，即電荷量，成[比。4 亦即’本發明之方法可歸納成包括下列之步驟： (.) 在該絶緣層卜> —=-37 ) bL· ) 增上之衣面上鍍覆上一預定厚度之導 電層，其中，該導電層被鍍覆上之厚度係至少為6 f諳先開讀背兩<>1意事¾再镇寫本I) -裝 訂 埃至约J 0埃（νί ); U).透過該導電層而將該絶緣體.上之該表面之一充電 .引出而被釋放，以避免在該絶緣層上產生充電累積

五、發明説明（么） U)進行該試片之奥電子迷^ 在弟』表、“圖至第s圖中 該試片上鍍層厚度輿充電所致 '…果，則顯示出 束之電流是無關繁要的。 B的關係，其中，該 第2圖貝J為此奥格電子譜儀分析中 j埃且此束電壓為…之數據圖。第：此級層之厚度為 此奥格電子譜儀分析中當此_之 4及；圖則為. 分別為又為J埃且此束電壓 及2 (9欠'y之數掳圖 7及δ圖則為此奥格電子譜儀分析中 。<5、 埃且此束電壓分別為j《I厚度為7 圖。 17及2。7之敷據 此第2圖至第δ圖中所標註為 格電子笋儀奮g晷、則π/β 巧原知敷據，係直接由奥 鑪 ' 1、侍，此原始數據"讀i^TVO係被 .轉换成容易分析的數據，卟 则）。 ㈣此即成為所謂的差.異數.據（卿 ⑦h·根據導電層厚度及束電壓所產生控制充電現 象之實驗。 I釐 公 * i — —II 1 I- -I- f讀先聞讀背面之注意事碩再填寫本頁) 裝丨 訂-- Φ. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

五、發明説明（) A7 B7

之束电歷增加時，此充電效應減少，此係因為二次產生之 電子之數量升高。 ·--:·- -*·*1'·—-:ί am· tm· ....... --·it « ,/¾ / /! \ (讀先閱讀背面之注意事碩再填寫本寊) 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社坪製 根據此奥格電子釋放之狀態，即此充電效應並未完全 被移除，此雜訊係由在一特定頻寬（fR£Q[J£NC£似仙）中 <動能之誤撿測（fLMf )而測得，且，此化 學轉變係由於在充電狀態下總動能累積所導致的。 由上述所示之第_/表、第2圖至.第§圖中可能可以分 析出這些情況。成功的奥格電子譜儀分析，可以由下列之 .情況來或獲#，即，導電層之厚度至少為7埃，且該束電 壓超過J V。 i紙張中國國家鱗（CNS ) A4祕（21GX297公釐) ~ ~~~~~ --~~~~~ I® --Β-ζ·-ϋ^ 五、發明説明〆 g本發明之較佳實施例係使用銀做為形成該導電層。但 疋’其他的導電性相似之金屬材料，諸如鉻及金，雖未 本例子中提及，但亦可被成功的使用。 乂對於那些熟習此技術之人士而言，對本發明之南费 J:儀對—絶緣試片之分析方法做的任何： 脱離本發明之精神與範菌。希望 不 之申^利m其等效部份所—附 歐傑電子 在某些文獻是譯成 -__10 本紙張尺度ϋ财國^S^YcNS ) A4祕（21GX297公釐)~~~~~----

Claims (1)

1. 六 經濟部中央樣準局舅工消費合作社印製 懷請委員明示•'本案改讀麵翅寝是否i.更原實賀内容 ’ 一 申請專利範圍 i.-種奥格電子譜儀對—絶緣試片表面之定 析用方法，該方法包括下列步鞭： )在該絶緣層上之_表面上鍍覆上一預定厚度之導 電層，其中，該導電層被鑛覆上之厚度係至少為6 埃至約J Θ埃（j ). U)透過該導電層而將該絶緣體上之該表面之-充電 引出而被釋放，以避免在該絶緣層上產生J電.累積 ;及 ' (")進行該試片之奥格電子譜儀分析。 =申請專利範菌第7項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 2表面之定性及定量分析用方法，其中，該步驟。 又包括-施加一至少⑴v之束電壓之次步驟。 依申請專利範圍第7p @ 第項所紅奥格電子譜儀對-絶緣 式片衣面之定性及定量分析用方法，其中，該導電層. 係由銥（/ r )所製成。 依申請專利範圍第J項所述之奥格電子譜儀對_絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該導電層 —係由鉻（Ο)所製成。 依申請專利範圍第；項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 試片表面之定性及定量分祈用方法，其中，該導電層 係由金（—）所製成。 依申請專利範圍第7項所述之奥格電子譜儀對—絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該步驟k 係藉由一離子束噴濺法來實施。 〇 2 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁} ，裝—— 3 4 6 本紙張从適用中^^1標準（CNS ) Α4· ( 210X2^楚了 ---、π iM. ,---I I . ---- · ill 六 經濟部中央樣準局舅工消費合作社印製 懷請委員明示•'本案改讀麵翅寝是否i.更原實賀内容 ’ 一 申請專利範圍 i.-種奥格電子譜儀對—絶緣試片表面之定 析用方法，該方法包括下列步鞭： )在該絶緣層上之_表面上鍍覆上一預定厚度之導 電層，其中，該導電層被鑛覆上之厚度係至少為6 埃至約J Θ埃（j ). U)透過該導電層而將該絶緣體上之該表面之-充電 引出而被釋放，以避免在該絶緣層上產生J電.累積 ;及 ' (")進行該試片之奥格電子譜儀分析。 =申請專利範菌第7項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 2表面之定性及定量分析用方法，其中，該步驟。 又包括-施加一至少⑴v之束電壓之次步驟。 依申請專利範圍第7p @ 第項所紅奥格電子譜儀對-絶緣 式片衣面之定性及定量分析用方法，其中，該導電層. 係由銥（/ r )所製成。 依申請專利範圍第J項所述之奥格電子譜儀對_絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該導電層 —係由鉻（Ο)所製成。 依申請專利範圍第；項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 試片表面之定性及定量分祈用方法，其中，該導電層 係由金（—）所製成。 依申請專利範圍第7項所述之奥格電子譜儀對—絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該步驟k 係藉由一離子束噴濺法來實施。 〇 2 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁} ，裝—— 3 4 6 本紙張从適用中^^1標準（CNS ) Α4· ( 210X2^楚了 ---、π iM. ,---I I . ---- · ill A8 Βδ C8 > D8 六、申請專利範圍 7.依申請專利範圍第_/項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該試片係 為一液晶顯示器用之坡璃。 δ.依申請專利範圍第J項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該步驟（c) 包括一施加至少_/ ν之束電壓之次步驟。 夕·依申請專利範圍第S項所述之奥格電子譜儀對一絶緣 試片表面之定性及定量分析用方法，其中，該預定厚 度係為7埃。 (請先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）