TW379445B - Method of manufacturing capacitors for DRAMs - Google Patents

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五、發明説明（ 發明领域： Λ7 本發明與一種半導體製程之動態 , ^丨艰錢存取記恃晌(DRAM cell)有關，特别是一種具有多重指 ^脃動態隨機存取記憶胞之製作方法。 、.·》冓心南密度發明背景： 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製

隨著半導體工業持續的發展，動態 , 、隨機存取記情贈 (DRAM)元件應用在積體電路中也有好幾年 〜 丁】。一般而含，動態隨機存取記憶體(dram)，具有許多的却味 " v a匕憶胞（memory cell) ’且其記憶胞通常由電容器與電晶體所構成，用以儲存 一位元（bit)之訊號。其中，電晶體之汲極或源極與電容之一 端連接，而電容之另一端則與參考電位連接，至於電晶體之 另一端及閘極則分别與位元線（bit line)及字語線（w〇rd Ike) 連接。因此在製造DRAM記憶胞時，往往也包含了電晶體 與電容之製程’並藉著電容器與源極區之電性接觸，將數位 資訊儲存在電容器中，再藉由金氧半場效電晶體 (MOSFETs)、位元線（bit line)、字語線（word line)陣列來存 取電容器之數位資料。然而，隨著超大型積體電路（ULSI)的發展，爲了符合 高密度積體電路之設計趨勢，動態隨機存取記憶胞（DRAM 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先間讀肯面之注意事項再填寫本頁) .率. 、vs Γ 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Λ 7 B7 五、發明説明（） cell)之尺寸亦隨著.降至次微米以下。而且由於元件不斷的縮 小，促使DRAM中電容的尺寸也隨之減少，故其儲存載子 之性能亦相對降低。是以對動態隨機存取記憶體（DRAM)中 之記憶胞（memorycell)而言，所面臨的最大問題是如何在元 件尺寸趨向於縮小且積集度持績提高之情形下，提昇電容的 儲存能力，並增加電容的可靠度，以避免電容器在讀取資料 時受雜質影響（如α粒子}而產生軟記錯（soft errors).，或是電 容的“再補充（refresh)”頻率增加等等。 爲了解決上述之問題，在電容器的製造上，朝著增加 電容表面積之方向而努力，並由此發展出溝渠式電容（如 U.S. Patent No_ 5,374,580)與堆疊式電容（如 U.S. patent No. 5,〇21，357)。但是，溝渠式電容器常因無法有效儲存電荷 而導致產生漏電流，而堆疊式電容则因受制於目前微影解析 度而有製造上之因難。此外，降低電容介電層之厚度也可以 增加電容器的儲存能力，但是基於良率及穩定性之考量，此 >法也有其、艮制。

一種具有半球形晶粒之多晶矽之 COB 電容 capacitor-over-bit-line (COB) cell with a hemispherical-grain (HSG) polysilicon storage node)也已發表在文獻中，W“ACapacitor-Over-Bit-Line Cell With Hemispherical-Grain Storge Node For 64 Mb Drams，’， M. Sakao etc. microelectr research laboratories, NEC 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ς 袭------ΐτι-----βΊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟·部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 Β7 . 1 五、發明説明（）

Corporation。上述文獻之半球形梦晶粒是藉著化學氣相沈積 法，於非晶形轉變至晶形之相變溫度下沈積，且藉著提昇 電容器之表面積而增加電容器之儲存能力。另外，一種具 有半球形矽晶粒之中空圓柱形電容器也已經被提出，請參閲 MA New Cylindrical Capacitor Using Hemispherical Grained Si For 256 Mb Drams”，H. Watanabe et al·，Tech Dig，Dec. 1992, pp.259-262。其中上述之 半球形珍晶粒是利用一種稱爲“seeding method”的方法形 成.，如H. Watanabe et al文獻中所述。 發明目的及概述： 本發明之目的爲一種動態隨機存取記憶胞（DRAM cell)之形成方法。 本發明之另一目的爲提供一種具有複數個水平指狀 物（multi-fins)及垂直柱狀物（vertical puiars)之多重指狀幹 構（mulitipk fin-shape structure)做爲電容之底部電極以增 加電谷之表面積並且挺昇動態隨機存取記憶胞性能之方 法。 本發明所要揭示的爲利用増加表面積之方式以提昇 動態隨機存取記憶體性能。首先’形成一場氧化區域於半導 體底材上，接著，在底材上形成氧化矽以做爲閘極氧化層， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------: '裝-- (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T A 7 -- ~~~—_ B7 五、發明説明（） =氧化石夕層：場氧化層及底材上沈積一多晶石夕層，再以習 (讀先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 術形成字w吾線、位疋線、間㉟結構及侧壁間㉟，且藉著 離子植入的方式形成捧雜區。 '形成-介電層於上述閘極結構、場氧化區、及底材上 以作爲-絶緣層，再於上述之介電層上形成氮化㈣，接著 使用έι知技術形成一接觸孔。然後在氮化矽層上形成第一導 電層’並對該第電層進行回㉔程序以形成插塞。再於氮 化矽層及插塞上交替重複沈積—組成爲硼磷矽玻璃⑺ 與氧化矽之複合層。 接著，在該複合層上形成一光阻圖案以定義儲存電極 之區域，並以蝕刻程序對該複合層進行蝕刻。在該光阻移除 後，使用南選擇性蝕刻製程對該複合層進行蝕刻，在此步驟 中蝴鱗石夕玻璃（BPSG)之蝕刻速率遠大於二氧化矽，此高選 擇性蚀刻之敍刻劑爲使用低壓的HF蒸氣。然後，在該複合 層、氮化#層及插塞的表面上充份且均勻的形成第二導電 層’且沿著第二導電層之表面形成一自旋式玻璃（s〇G)層。 接著，使用化學機械研磨法（CMP)移除位於該複合層上之部 份SOG層及第二導電層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

然後利用 BOE (buffer oxide etching)溶液移除 BPSG 層、氧化矽層、及SOG層以形成一具有複數個指狀物及柱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（ Λ7 里式簡單説明： 藉由以下詳細之描述結合所附圖示 上述内容及此項發明之諸多優點，其中: 將可輕易的了解 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第一圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發 材上形成閘極結構之步驟； 队 第二圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明在底 材上形成一介電層及氮化矽層之步驟； 第一圖爲半導體晶.片之截面圖，顯示根.據本發明在該 氮化發層及該介電層中形成一接觸孔之步驟； 第四圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明在該 接觸孔中形成一多晶石夕插塞之步驟； 第五圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明在該 氮化層及多晶矽插塞上形成以硼磷矽玻璃（BpSG)層及氧化 石夕層交替組成之複合層；_ 第六圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明在該 複合層中形成一開口以便後續製作儲存電極之用. 第七圖爲半導體晶片之截面圖， ’ 顯π根據本發明選擇 性蝕刻該複合層中之BPSG層； (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 五、發明説明（ Λ7 B7 弟八圖爲半導體晶片之截面圖 複合層上形成第二導電層之步驟； α 第九圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明沿益 第二導電層的表面形成一厚SOG層之步驟； 〜秦 第十圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明移 位於該複合層上表面之S0G層及第二導電層其步驟.夕除 第十一圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明 除SOG層、BpSG層及複合層中之氧化矽層其步驟； 私 第十二圏爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明外 著第二導電層及該氮化矽層的表面形成一薄介電芦 沿 驟； 胃 < 歩 第十三圖爲半導體晶片之截面圖，顯示根據本發明外 著該薄介電層的表面形成第三導電層之步驟。 沿 頌本根據本發明在讀 發明詳細説明： ---------' 製------訂 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本發明所揭示爲利用增加表面積之方式以提昇動_ 隨機存取記憶體性能之方法，另外本發明利用硼嶙砍玫= (BPSG)對二氧化矽之高選擇性蝕刻形成具有複數水平指狀 物（horizontal fins)及柱狀物（vertical pillars)之多重指狀系士 構（multiple fin-shape structure)以大量增加電容表面積，此 高選擇性蝕刻之蝕刻比高於2000 : 1，本發明之方珐將如不 所述。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（ Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 參閲第一圖，提供一晶向爲< 100>之單晶矽做爲底 材2，一場氧化區域4形成於半導體底材2之上，其中該場 氧化區域4可以使用L0C0S或是其他相關之場氧化絶緣區 j技術形成於該底材2上，以做爲元件間絶緣之用般而 言，可藉由微影與蝕刻技術蝕刻氮化矽及氧化矽複合層，再 以氧化製程形成場氧化區4於底材2上，完成後以熱磷酸去 除殘餘之氮化矽層，以氫氟酸去除氧化矽層，場氧化區域* 之厚度约爲3000-8000埃之間。 接著，在底材2上形成氧化矽層6，以做爲閘極氧化 層，在一較佳之具體實施例中，該閘極氧化層6是由在溫度 约750至1100。〇之氧蒸氣環境中形成的氧化矽所構成:同 理，該閘極氧化層6亦可以合適的氧化物之化學組合及程序 來形成。例如，該閘極氧化層6可以是使用化學氣相沈積法 所形成之二氧化矽，該化學氣相沈積法是以正矽酸乙醋 (TEOS)在溫度600至800。〇間且壓力约〇」至1〇t〇rr時形 成。在一較佳之具體實施例中，該閘極氧化層6之厚度大約 是 30-200 埃。 仍請參閲第一圖’一多晶矽層8沈積於二氧化發層6、 場氧化層4及底材2上，以一實施例而言此多晶發層8是以 化學氣相沈積法（CVD)形成，且厚度約在1〇〇〇至5〇〇〇埃之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) .裂-- —訂------<一 Λ7 --------- B7 五、發明説明（） 間。接著以習知技術形成字語線10、位元線12 '具有保護 層14之閉極結構、以及側16，然㈣離子植入方式 形成摻雜區，由於上述製程並非本發明之重點，因此在此 加以詳述。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、 接著，如第二圖所示，一做爲絶緣層之介電層18形 成於上述之閘極結構、場氧化層4、以及底材2之^。以較 佳實施例而言’該介電| 18 &利用TE〇s形成厚度约爲 3〇〇〇 = 0000埃之二氧化矽。然後，形成厚度約3〇〇至2〇〇〇 埃冬氮化矽層20於上述介電層18之上，以做爲後續製程之 蝕刻阻障層。接著參照第三圖，形成第一光阻22於該氡化 矽層20上，以曝露一區域作爲製造接觸孔之用。使用二蝕 刻程序對該介電層1 8及氮化矽層20進行蝕刻，形成一接觸 孔24’以便後續製造儲存電極之製程。在—最佳實施例中， 該蝕刻程序是以電漿蝕刻術來完成，且用來去除二氧化矽之 蝕刻劑爲 CC12F2、CHF3/CF4、CHF3/〇2、CH3CHF2、CF4/〇， 氮化矽則藉由CF4/H2、 CHF3或CHSCHF2去除。接著移 除該第一光阻層。 請參照第四圖’在氮化矽層2 〇上沉積第一導電層（未 顯示於圖中）並填滿該接觸孔24。以最佳實施例而言本發明 之第一導電層爲以化學氣相沈積之多晶矽，此第一導電層可 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 ------------------( ' -、玎 — "^-----®1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210><297公楚） A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（） % 以是#雜多晶石夕（doped polysilicon)或是同步摻雜多晶石夕 (in-situ doped polysilicon)，此外如鋁、銅、鶴、白金或飲 等金屬亦可做爲第一導電層之材料。接著對該第一導電層進 行回蝕程序直至抵達該氮化矽層爲止，以便在該接觸孔24 中形成一插塞26。此步驟所使用蝕刻多晶矽之蝕刻劑爲 SiCl4 /Cl2、BC13 /Cl2、HBr/Cl2 /02、HBr/〇2 > Br2/ SF6 或 SF6。 接著參照第五圖’一組成爲棚嶙石夕玻璃（B p s G) 2 8與 二氧化矽30之複合層交替重複沈積於氮化發層2〇及該插 塞26之上。此複合層爲奇數層與偶數層所組成，奇數層爲 二氧化矽，偶數層爲硼嶙矽玻璃（BPSG)，或者相反，偶數 層爲二氧化矽，奇數層爲硼磷矽玻璃（BPS G)。其中，硼磷 矽玻璃（BPSG)28可以使用低壓化學氣相沈積法，以TE〇s 爲反應物，在形成硼骑矽玻璃之製程中挣入爛與嶙，且领麟 矽玻璃（BPSG)28其厚度約在300至1 000埃間。二氧化矽層 3 0則可利兩任何適合之方式形成，如化學氣相沈積法，以 TE0S爲反應物，製程溫度約600至800。〇，壓力約1至1〇 托耳，形成二氧化矽層30,且厚度約在300至1〇〇〇埃之間。 參照第六圖，在該複合層上形成第二光阻32，以曝露 一區域用以在後續製程中形成儲存電極。接著對該複合層進 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4i ( 210X297公麓） (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝— 訂 -·1 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明说明（） 行独刻程序’以在該複合廣中形成一開口 34。在該最佳實 例中，用來去除二氧化矽之蝕刻劑可選擇 CC1 F 、 CHF 3 /CF 4、CHF 3 / 0 2、CH 3 CHF 2 或 CF 4/〇2。再移除該第二光 阻層3 2。 接著,請參照第七圖，對該複合層施以高選擇性之蚀 刻，在此步驟中硼磷矽玻璃（BPSG) 28之蝕刻逡率遠大於二 氧化矽30,其次硼磷矽玻璃（BPSG) 28之蝕刻速率也遠大於 领石夕玻璃（BSG)，因此也可以使用BSG來取代二氧化砍 以最佳實施例而T，此高選擇性独刻之姓刻劑使用低壓之 HF蒸氣，且硼磷矽玻璃（BPSG) 28對二氧化矽3〇之餘刻比 高於 2000:1。（參閲“A New Cylindrical Capacitor Using Hemispherical Grained Si For 256 Mb Drams”，H. Watanabe et al·, 1992, IEEE) ° 因此领 磷矽玻璃（BPSG) 28明顯地比二氧化矽30蝕刻得多。 接著，請參照第八圖，使用低壓化學氣相沉積法 (LPCVD)，》&著該複合層之表面、氮化矽層20及插塞2ό之 上，形成第二導電層38。此外，該第二導電層38亦均勻的 填入位於BPSG層28及氧化矽層30間之空隙36中。在該 最佳實施例中，第二導電層38之厚度爲3 00至3 000埃，且 其材料可選擇摻雜多晶矽（doped poly silicon)或是同步掺雜 多晶石夕（in-situ doped polysilicon)，此外如銘、銅、鎢、白 (讀先闊讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝I ϋ^ϋ sm —^ϋ Am— · ΐτ------®----- 本紙張Λ度適用中國國家標準（CNS)A4il格（210X297公釐） 五、發明説明（ A7 B7 金或鈦等金屬亦可做爲第二導電層之材料 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然後，如第九圖所示，沿著第二導電層3 8的表面， 形成一厚旋塗式玻璃（sPin-〇n glass，SOG)40，以作爲一犧牲 層。其中，該SOG層40可用光阻來取代。接著使用化學機 械研磨法（chemical mechanism polishing, CMP)，將位於該 複合層上表面之部份SOG層40及部份第二導電層38移 除，如第十圖斷所示。 再參照第Η--圖，隨後利用阻障氧化物蝕刻（buffer oxide etching,BOE)溶液將複合層中之二氧化梦30、蝴鱗石夕 玻璃（BPS G) 28以及位於第二導電層38之上殘餘的SOG層 40完全去除，以形成具有水平指狀物（horizontal fins)42a 及垂直柱狀物（vertical pillar)42b之多重指狀結構（multiple fin-shape structure) 42，利用此結構做爲電容之底部錯存電 極將可大幅提昇電容之表面積。 請參照第十二圖，接著沿著第二導電層3 8及氮化矽 層20的表面形成一薄介電層44。一般而言，此介電層44 可以利用N/O、0/N/0之複合薄膜或是利用高介電値之薄膜 如Ta 20 5、BST、PZT、PLZT等加以形成。最後’如第十三 圖所示，在該介電層44上沉積第三導電層46，以作爲電容 之頂部電極。該第三導電層46之材料可選擇多晶發、同步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 Λ7 B7 五、發明説明（） 摻雜多晶石夕、13、銅、鎢、白金或欽.等等。 本發明相較於先前技術，具有諸多優點。首先，本發 明提供了一個極便捷的方法來形成電容器的底部儲存電 極，抵要進行一次導電層沉積之步驟，便可製造出多重指 狀結構來作爲電容之底部電極，並有效的降低指狀結構^ 生斷折之機會。其次’本發明利用介於蝴嶙石夕玻璃（Βρ^ο) 與二氧化矽間之高選擇性蝕刻形成具有水平指狀物42a及 垂直柱狀物42b之多重指狀結構42，可大量增加電容器之 表面積，且大幅的提昇電容器之性能。 本發明雖以一較佳實例闡明如上，然其並非用以限定 本發明精神與發明實體，僅止於此一實施例爾。對熟系此領 域技藝者，在不脱離本發明之精神與範圍内所作之修改，均 應包含在下述之申請專利範圍内。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·

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Claims (1)

1. Λ 〇 Β8 C8 D8六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1. 一種積體電路電容之製作方法，該方法至少包含下 列步骤： 蝕刻一半導體底材以形成一接解孔； 形成第一導電層於該底材上及該接解孔中； 移除部份該第一導電層以形成一插塞； 形成一複合層於該底材及該插塞上，該複合層具有複 數個子層且該子層中至少有兩層具有不同之蝕刻率； 蝕刻該複合層以形成一開口； 選擇俥蝕刻該複合層； 形成第二導電層於該複合層、該底材及該插塞之表面； 形成一犧牲層於該第二導電層之表面； 移除位於該複合層上表面之部份該犧牲層及部份該 第二導電層； 移除該複合層及該犧牲層； 形成一介電層於該第二導電層及該底材之表面上；且 形成^三導電層於該介電層之表面上。 2. 如申請專利範園第1項之方法，其中形成上述之 第一導電層之前更包含： 形成一介電層於該底材之上；且 形成氮化矽層於該介電層之上。 ml nn In— nn 1.^^1 I ml n (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 m cs D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中上述之介電層 之厚度約爲3000至10000埃。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之複合層 是由硼嶙矽玻璃（BPSG)及氧化矽層組成。 5. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中上述之複合 層是由硼嶙矽玻璃（BPS G)及硼矽玻璃（BSG)組成。 6. 如申請專利範圍第4項之方法，其中上述之,鱗石夕 玻璃（BPS G)其厚度約爲300至1 000埃，上述之氧化發層其 厚度約爲300至1〇〇〇埃。 7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中上述之爛鱗石夕 玻璃（BPSG)其厚度約爲300至1000埃，上述之硼發玻璃 (BSG)其厚痩約爲300至1 000埃。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之第二導 電層之厚度約爲300至3000埃》 9. 如申請專利範園第1項之方法，其中上述之犧牲層 爲自旋式玻璃（SOG)。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .»n - - I I - I I L·. f i (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) . Λ Η ΰ6 CS __________ D8 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之 層爲光阻廣。 11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之選擇性 蚀刻該複合層是利用低壓之HF蒸氣來進行。 12. 如申請專利範園第9項之方法，其中上述之複合層 及自旋式玻璃（S Ο G)是使用阻障氧化物敍刻（β 〇 ε )溶液去 除。 13_如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之介電層 其衬料可選擇 N/0 、〇/N/〇 、Ta 2 0 5、BST、 ΡΖΤ 或 PLZT。 14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中上述之第一導 電層、第二導電層以及第三導電層爲摻雜多晶矽（d〇ped P〇lysilic'OIr)、同步摻雜多晶石夕（in-situ doped p〇lySiiicon)、 銅、铭、鈦、鎢、白金或上述之任意組合。 15. —種積體電路電容之製作方法，該方法至少包含下 列步驟： 蝕刻一半導體底材以形成一接解孔； 形成第一導電層於該底材上及該接解孔中； 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 Di 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 移除部份該第一導電層以形成一插塞； 形成一複合層於該底材及該插塞上，該複合層以棚鱗 矽玻璃（BPSG)與氧化矽層交替形成； 蝕刻該複合層以形成一開口； 選擇性触刻該複合層； 形成第二導電層於該複合層、該底材及該插塞之表面； 形成一犧牲層於該第二導電層之表面； 移除位於該複合層上表面之部份該犧牲層及部份該 第二導電層； 移除該複合層及該犧牲層； · 形成一介電層於該第二導電層及該底材之表面上；且 形成第三導電層於該介電層之表面上。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中上述之選擇 性蝕刻該複合層爲是利用低壓之HF蒸氣來進行。 17. 如'申請專利範圍第15項之方法，其中上述之複合 層及犧牲層是使用阻障氧化物蝕刻（BOE)溶液去除。 1 8. —種具有複數個指狀物及柱狀物之多重指狀多晶 矽其製作方法，該方法至少包含下列步驟： 形成第一光阻於一半導體底材上以定義一接觸孔； 蚀刻該底材以形成該接解孔，其中該蝕刻程序是以該 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） In m n nn I. Ί1 In n (#先M讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-°, Λ;、 B8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 第一光阻作爲罩冪； 移除該第一光阻； 形成第一摻雜多晶矽層於該底材上及該接解孔中； 移除部份該第一掺雜多晶矽層以形成一插塞； 形成一複合層於該底材及該插塞上，該複合層以硼磷 石夕玻璃（BPSG)與氧化矽層交替形成； 形成第二光阻於該複合層上以定義一儲存電極； 姓刻該複合層至該底材及該插塞之上表面，該蚀刻程 序是以該第二光阻作爲罩冪； 移除該第二光阻； 選擇性蝕刻該硼磷矽玻璃（BPSG); •形成第二摻雜多晶矽層於該複合層、該底材及該插塞 之表面； 形成一自旋式玻璃（SOG)於該第二摻雜多晶矽層之表 面； ，移除位於該複合層上表面之部份該自旋式玻璃（S0G) 及部份該第_二摻雜多晶矽層； 移除該複合層及該自旋式玻璃（SOG); 形成一介電層於該第二摻雜多晶矽層及該底材之表 面上；且 形成第三摻雜多晶矽層於該介電層之表面上。 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝------訂 •IP---- • m ·1 UBi 本紙張认適用t國國家樣準（CNS )从祕（加〆297公疫） 々、申請專利範圍 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中上述之選擇 性蝕刻該複合層爲是利用低壓之HF蒸氣來進行。 20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中上述之複合 層及自旋式玻璃（SOG)是使用阻障氧化物蝕刻（BOE)溶液去 除。 (讀先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 袭------.訂------Φ.---------： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）