TW202428913A - 遮罩、積層體及遮罩之製造方法 - Google Patents

遮罩、積層體及遮罩之製造方法 Download PDF

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曽根康子
川崎博司
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日商大日本印刷股份有限公司
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract

本發明之遮罩可具備：矽層，其包含第1面、位於第1面之相反側之第2面、自第1面向第2面貫通之至少1個第1開口、及面對第1開口之第1壁面；以及樹脂層，其包含與第2面對向之第3面、位於第3面之相反側之第4面、及自第3面向上述第4面貫通且俯視下與第1開口重疊之複數個第2開口。樹脂層可具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於第1層位於第4面側之第2層。第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。

Description

遮罩、積層體及遮罩之製造方法
本發明之實施方式係關於一種遮罩、積層體及遮罩之製造方法。
作為用以形成精密圖案之方法，已知有蒸鍍法。於蒸鍍法中，首先，使形成有開口之遮罩與基板組合。繼而，使蒸鍍材料經由遮罩之開口附著於基板。藉此，能以與遮罩之開口之圖案對應之圖案，於基板上形成包含蒸鍍材料之蒸鍍層。蒸鍍法例如被用作形成有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置之像素之方法。
例如專利文獻1揭示了一種使用遮罩裝置之形態，上述遮罩裝置具備框架、及於受到張力之狀態下與框架接合之遮罩。框架及遮罩由包含鎳之鐵合金構成。
另外，例如專利文獻2提出了由金屬構成之遮罩上產生撓曲，而導致蒸鍍層之位置偏移之問題。為了解決上述問題，專利文獻2提議由矽基板構成遮罩。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-49889號公報 [專利文獻2]日本專利特開2001-185350號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]"In Situ Measurements of Stress-Potential Coupling in Lithiated Silicon", V. A. Sethuraman et al., Journal of The Electrochemical Society, 157 (11) A1253-A1261 (2010)
[發明所欲解決之問題]
矽基板之厚度越小，形成於基板之蒸鍍層之精度便越高。另一方面，矽基板之厚度越小，遮罩便越易破損。
本發明之實施方式之目的在於，提供一種能有效解決上述問題之遮罩及遮罩之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施方式之遮罩可具備：矽層，其包含第1面、位於上述第1面之相反側之第2面、自上述第1面向上述第2面貫通之至少1個第1開口、及面對上述第1開口之第1壁面；以及樹脂層，其包含與上述第2面對向之第3面、位於上述第3面之相反側之第4面、及自上述第3面向上述第4面貫通且俯視下與上述第1開口重疊之複數個第2開口。上述樹脂層可具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於上述第1層位於上述第4面側之第2層。上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，能抑制於使包含矽之遮罩移動時遮罩破損。
以下，參照圖式，對一實施方式之遮罩之構成及其製造方法詳細地進行說明。再者，以下所示之實施方式僅為本發明之實施方式之一例，本發明並不限定於該等實施方式來解釋。本說明書中，「板」、「基材」、「薄片」、「薄膜」等用語並非僅基於叫法之差異來相互區分。例如，「板」係亦包括可被稱作薄片或薄膜之構件之概念。所謂「面(薄片面、薄膜面)」，係指全面且宏觀地觀察作為對象之板狀(片狀、膜狀)構件時，與作為對象之板狀構件(片狀構件、膜狀構件)之平面方向一致之面。對板狀(片狀、膜狀)構件使用之法線方向係指相對於該構件之面(薄片面、薄膜面)之法線方向。關於本說明書中所使用之規定形狀或幾何學條件及其等之程度的例如「平行」、「正交」等用語、或長度、角度之值等，要將有望發揮相同功能之程度範圍包括在內來解釋，而不受嚴格含義約束。
本說明書中，針對某參數例舉有複數個上限值之候補及複數個下限值之候補之情形時，該參數之數值範圍可藉由使任意1個上限值之候補與任意1個下限值之候補組合來構成。例如，可設想記載為「參數B例如為A1以上，亦可為A2以上，亦可為A3以上。參數B例如為A4以下，亦可為A5以下，亦可為A6以下。」之情形。該情形時，參數B之數值範圍可為A1以上且A4以下，亦可為A1以上且A5以下，亦可為A1以上且A6以下，亦可為A2以上且A4以下，亦可為A2以上且A5以下，亦可為A2以上且A6以下，亦可為A3以上且A4以下，亦可為A3以上且A5以下，亦可為A3以上且A6以下。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，便包括某構件或某區域等某構成位於其他構件或其他區域等其他構成之「上」、「下」、「上側」、「下側」、或「上方」、「下方」之情形、及某構成與其他構成直接相接之情形。進而，亦包括某構成與其他構成之間包含另一構成之情形，即，間接相接之情形。又，只要未特別說明，關於「上」、「上側」、「上方」、或「下」、「下側」、「下方」等說法，亦可上下方向顛倒。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，便對相同部分或具有相同功能之部分標註相同符號或類似符號，其重複說明有時會予以省略。又，有時會使圖式之尺寸比例與實際比例有所不同以便說明，有時會自圖式中省略構成之一部分。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，本發明之實施方式便可於不產生矛盾之範圍內，與其他實施方式或變化例組合。又，其他實施方式彼此、或其他實施方式與變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，針對製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，便可於所揭示之步驟之間實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內任意。
本說明書之一實施方式中，將對製造有機EL顯示裝置時為了於基板上形成有機層或電極而使用遮罩之例進行說明。但遮罩之用途並不特別限定，對各種用途中所使用之遮罩皆可應用本實施方式。例如，為了形成用以顯示或投影圖像或影像之裝置之有機層、電極等層，亦可使用本實施方式之遮罩，上述圖像或影像係用以呈現虛擬實境，即所謂VR、或擴增實境，即所謂AR者。又，為了形成液晶顯示裝置之電極等有機EL顯示裝置以外之顯示裝置之層，亦可使用本實施方式之遮罩。又，為了形成壓力感測器之有機層、電極等顯示裝置以外之有機器件之層，亦可使用本實施方式之遮罩。
本發明之第1樣態係一種遮罩，其具備： 矽層，其包含第1面、位於上述第1面之相反側之第2面、自上述第1面向上述第2面貫通之至少1個第1開口、及面對上述第1開口之第1壁面；以及 樹脂層，其包含與上述第2面對向之第3面、位於上述第3面之相反側之第4面、及自上述第3面向上述第4面貫通且俯視下與上述第1開口重疊之複數個第2開口； 上述樹脂層具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於上述第1層位於上述第4面側之第2層， 上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第1樣態之第2樣態之遮罩，其中上述樹脂材料可包含聚醯亞胺。
如上述第1樣態或第2樣態之第3樣態之遮罩，其中上述第2層之厚度可為上述第1層之厚度以下。
如上述第1樣態至上述第3樣態中任一樣態之第4樣態之遮罩，其中上述第2層可不包含碳黑粒子及矽化合物粒子。
如上述第1樣態至上述第4樣態中任一樣態之第5樣態之遮罩，其中上述樹脂層可具備中間樹脂層，上述中間樹脂層位於上述第1層與上述第2層之間，包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子；且上述中間樹脂層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率，且高於上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第1樣態至上述第4樣態中任一樣態之第6樣態之遮罩，其中上述樹脂層可具備相對於上述第1層位於上述第3面側之第3層，且上述第3層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第1樣態至上述第6樣態中任一樣態之第7樣態之遮罩，其可具備位於上述第2面與上述第3面之間之第1中間層。
如上述第1樣態至上述7之樣態中任一樣態之第8樣態之遮罩，其中上述第1壁面可包含於上述矽層之厚度方向上排列之複數個凹部。
如上述第1樣態至上述7之樣態中任一樣態之第9樣態之遮罩，其中上述第1壁面可包含隨著趨向上述第1面而向外側擴展之傾斜面。
本發明之第10樣態係一種積層體，其用以製造遮罩，且具備： 矽層，其包含第1面、及位於上述第1面之相反側之第2面；以及 樹脂層，其包含與上述第2面對向之第3面、及位於上述第3面之相反側之第4面； 上述樹脂層具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於上述第1層位於上述第4面側之第2層， 上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第10樣態之第11樣態之積層體，其可以上述樹脂層向上述矽層凸起之方式翹曲。
如上述第11樣態之第12樣態之積層體，其中上述樹脂層可被施加在上述樹脂層之面方向上拉伸上述樹脂層之方向之拉伸應力。
如上述第10樣態至上述第12樣態中任一樣態之第13樣態之積層體，其中上述樹脂材料可包含聚醯亞胺。
如上述第10樣態至上述第13樣態中任一樣態之第14樣態之積層體，其中上述第2層之厚度可為上述第1層之厚度以下。
如上述第10樣態至上述第14樣態中任一樣態之第15樣態之積層體，其中上述第2層可不包含碳黑粒子及矽化合物粒子。
如上述第10樣態至上述第15樣態中任一樣態之第16樣態之積層體，其中上述樹脂層可具備中間樹脂層，上述中間樹脂層位於上述第1層與上述第2層之間，包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子；且上述中間樹脂層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率，且高於上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第10樣態至上述第15樣態中任一樣態之第17樣態之積層體，其中上述樹脂層可具備相對於上述第1層位於上述第3面側之第3層，且上述第3層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率可低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
如上述第10樣態至上述第17樣態中任一樣態之第18樣態之積層體，其可具備位於上述第2面與上述第3面之間之第1中間層。
本發明之第19樣態係一種遮罩之製造方法，其包含： 準備如上述第10樣態至上述第18樣態中任一樣態之積層體之步驟； 於上述第1面上局部形成抗蝕劑層之步驟； 第1加工步驟，即，藉由自上述第1面側蝕刻上述矽層，而於上述矽層形成第1開口；及 第2加工步驟，即，於上述樹脂層形成複數個第2開口。
本發明之第20樣態係一種有機器件之製造方法，其 包含藉由使用如上述第1樣態至上述第9樣態中任一樣態之遮罩之蒸鍍法而於基板上形成有機層之步驟。
(第1實施方式) 參照圖1至圖19，對第1實施方式進行說明。首先，對具備藉由使用遮罩而形成之有機層之有機器件100進行說明。圖1係表示有機器件100之一例之剖視圖。
有機器件100包含基板110、及沿著基板110之面內方向排列之複數個元件115。基板110包含第1面111、及位於第1面111之相反側之第2面112。元件115位於第1面111。元件115例如為像素。基板110可包含2種以上元件115。例如，基板110可包含第1元件115A及第2元件115B。雖未圖示，但基板110亦可包含第3元件。第1元件115A、第2元件115B及第3元件例如為紅色像素、藍色像素及綠色像素。
元件115可具有第1電極120、位於第1電極120上之有機層130、及位於有機層130上之第2電極140。
有機器件100可具備俯視下位於相鄰2個第1電極120之間之絕緣層160。絕緣層160例如包含聚醯亞胺。絕緣層160可與第1電極120之端部重疊。所謂「俯視」，意指沿著基板110等板狀構件之面之法線方向觀察對象。
基板110可為具有絕緣性之構件。作為基板110之材料，例如可使用矽、石英玻璃、Pyrex(註冊商標)玻璃、合成石英板等不具有可撓性之剛性材料、或樹脂薄膜、光學用樹脂板、薄玻璃等具有可撓性之柔性材料等。基板110可具有與半導體製造中所使用之矽晶圓相同之平面形狀。該情形時，使用實施半導體製造步驟之裝置便能處理基板110。例如，使用實施半導體製造步驟之裝置便能於基板110形成第1電極120、絕緣層160等。
元件115係以藉由使第1電極120與第2電極140之間被施加電壓、或使第1電極120與第2電極140之間流通電流，而實現某些功能之方式構成。例如，元件115為有機EL顯示裝置之像素之情形時，元件115能釋放構成影像之光。
第1電極120包含具有導電性之材料。例如，第1電極120包含金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他具有導電性之無機材料等。第1電極120亦可包含銦錫氧化物等具有透明性及導電性之金屬氧化物。
有機層130包含有機材料。一旦使有機層130通電，有機層130便能發揮某些功能。所謂通電，意指對有機層130施加電壓、或使有機層130中流通電流。作為有機層130，可使用通電後會釋放光之發光層、通電後光之透過率及折射率會發生變化之層等。有機層130亦可包含有機半導體材料。
如圖1所示，有機層130可包含第1有機層130A及第2有機層130B。第1有機層130A包含於第1元件115A。第2有機層130B包含於第2元件115B。雖未圖示，但有機層130亦可包含第3有機層，且該第3有機層包含於第3元件。第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層例如為紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。
若對第1電極120與第2電極140之間施加電壓，則位於兩者之間之有機層130被驅動。有機層130為發光層之情形時，會自有機層130釋放出光，且光會被自第2電極140側或第1電極120側提取至外部。
有機層130亦可進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層等。
第2電極140可包含金屬等具有導電性之材料。作為第2電極140之材料，例如可使用鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、碳等及其等之合金。如圖1所示，第2電極140可為俯視下以跨越相鄰2個有機層130之方式擴展。
其次，對藉由蒸鍍法於基板110形成有機層130之方法進行說明。圖2係表示蒸鍍裝置10之圖。蒸鍍裝置10實施使蒸鍍材料蒸鍍至對象物之蒸鍍處理。
如圖2所示，蒸鍍裝置10可於內部具備蒸鍍源6、加熱器8及遮罩20。蒸鍍裝置10亦可進而具備用以使蒸鍍裝置10之內部成為真空環境之排氣機構。蒸鍍源6例如為坩堝。蒸鍍源6收容有機材料、金屬材料等蒸鍍材料7。加熱器8加熱蒸鍍源6，使蒸鍍材料7於真空環境之下蒸發。
遮罩20包含入射面201、出射面202及第2開口41。入射面201與蒸鍍源6對向。出射面202位於入射面201之相反側。出射面202與基板110之第1面111對向。自出射面202進入遮罩20中之蒸鍍材料7之一部分通過第2開口41自出射面202排出。自出射面202排出之蒸鍍材料7附著於基板110之第1面111。遮罩20之出射面202可與基板110之第1面111相接。
其次，對遮罩20詳細地進行說明。圖3A係表示自入射面201側觀察時之遮罩20之一例之俯視圖。圖4係表示自出射面202側觀察時之遮罩20之一例之俯視圖。圖5A係圖3A之遮罩20之沿著V-V線之剖視圖。
如圖5A所示，遮罩20具備自入射面201向出射面202依序排列之矽層30及樹脂層40。矽層30包含矽或矽化合物。矽化合物例如為碳化矽(SiC)。樹脂層40包含樹脂材料。對各層進行說明。
矽層30包含第1面301、第2面302、第1開口31及第1壁面32。第1面301可構成入射面201。第2面302位於第1面301之相反側。
第1開口31自第1面301向第2面302貫通。如圖3A所示，矽層30可包含複數個第1開口31。複數個第1開口31可於第1方向D1及第2方向D2上排列。第2方向D2可與第1方向D1正交。
第1開口31可與有機EL顯示裝置之1個畫面對應。圖3A所示之遮罩20能於基板110同時形成與複數個畫面對應之有機層之圖案。如圖3A所示，第1開口31可於俯視下具有矩形之輪廓。
圖3B及圖3C分別係表示遮罩20之另一例之俯視圖。如圖3B所示，第1開口31之輪廓之角部亦可包含曲線。如圖3C所示，第1開口31之輪廓亦可為八邊形。根據圖3B及圖3C所示之例，能抑制當第1開口31之輪廓受到應力時應力集中於角部。因此，能抑制矽層30破損。
第1壁面32係面對第1開口31之矽層30之面。圖3A所示之例中，第1壁面32沿著第1面301之法線方向擴展。
如圖3A所示，未形成第1開口31之矽層30之區域可劃分成外側區域35及內側區域36。內側區域36係俯視下位於相鄰2個第1開口31之間之區域。外側區域35係俯視下位於矽層30之外緣303與第1開口31之間之區域。如圖3A所示，內側區域36可於第1方向D1及第2方向D2上延伸。
如圖3A及圖4所示，矽層30亦可包含對準標記39。對準標記39例如形成於第2面302。對準標記39亦可形成於第1面301。對準標記39例如用以調整基板110相對於遮罩20之相對位置。基板110具有能使可見光透過之性質之情形時，能經由基板110識認出對準標記39。
如圖3A及圖4所示，對準標記39可於俯視下具有十字形之輪廓。雖未圖示，但對準標記39亦可具有矩形或圓形等十字形以外之輪廓。對準標記39可位於外側區域35，亦可位於內側區域36。
剖視圖中之對準標記39之形狀任意。 例如，對準標記39可包含位於第1面301或第2面302之凹部。對準標記39亦可包含自第1面301向第2面302貫通之孔。凹部及孔可藉由蝕刻第1面301或第2面302來形成。凹部及孔亦可藉由對第1面301或第2面302照射雷射光來形成。 例如，對準標記39亦可包含位於第1面301或第2面302之上之層。層由與矽層30不同之材料形成。層形成於第2面302之上之情形時，樹脂層40可包含與層重疊之貫通孔。藉此，能提高對準標記39之視認性。 對準標記39亦可形成於矽層30以外之層。
矽層30例如藉由加工矽晶圓來製作。如圖3A所示，矽層30之外緣303可包含直線狀之部分。直線狀之部分亦稱為參考面。雖未圖示，但亦可於外緣303形成缺口。缺口亦稱為凹口。參考面及凹口表示矽晶圓之結晶方位。
俯視下之矽層30之最大之尺寸S1例如為100 mm以上，亦可為150 mm以上，亦可為200 mm以上。尺寸S1例如為500 mm以下，亦可為400 mm以下，亦可為300 mm以下。
第1開口31之排列方向上的第1開口31之尺寸S2例如為5 mm以上，亦可為10 mm以上，亦可為20 mm以上。尺寸S2例如為100 mm以下，亦可為50 mm以下，亦可為30 mm以下。
第1開口31之排列方向上的2個第1開口31之間之間隔S3例如為0.1 mm以上，亦可為0.5 mm以上，亦可為1.0 mm以上。間隔S3例如為20 mm以下，亦可為15 mm以下，亦可為10 mm以下。
矽層30之厚度被定義為外側區域35之最大之厚度T1。厚度T1例如為50 μm以上，亦可為100 μm以上，亦可為200 μm以上。厚度T1例如為1000 μm以下，亦可為800 μm以下，亦可為600 μm以下。
其次，對樹脂層40進行說明。樹脂層40包含第3面401、第4面402及複數個第2開口41。第3面401與矽層30之第2面302對向。第4面402位於第3面401之相反側。
第2開口41自第3面401向第4面402貫通。1個第2開口41與1個有機層130對應。一群規則排列之複數個第2開口41與有機EL顯示裝置之1個畫面對應。如圖3A及圖4所示，一群規則排列之複數個第2開口41可於俯視下與1個第1開口31重疊。複數群第2開口41被藉由加工矽晶圓等1片構件而形成之矽層30支持。
樹脂層40可劃分成周緣區域43及有效區域44。周緣區域43係俯視下與矽層30重疊之區域。有效區域44係分佈有一群規則排列之複數個第2開口41之區域。有效區域44亦可定義為俯視下與第1開口31重疊之樹脂層40之區域。
較佳為：如圖5A所示，樹脂層40，尤其是其有效區域44被施加在樹脂層40之面方向上拉伸樹脂層40之方向之拉伸應力F。藉由拉伸應力F，能抑制有效區域44撓曲。藉由撓曲之抑制，能提高形成於有效區域44之第2開口41之位置精度。拉伸應力F可藉由矽層30而施加至樹脂層40。拉伸應力F之產生可起因於矽層30之熱膨脹係數與樹脂層40之熱膨脹係數之差。
圖5B係表示有效區域44之一例之剖視圖。樹脂層40包含面對第2開口41之第2壁面42。如圖5B所示，第2壁面42可包含以隨著趨向第3面401而遠離第2開口41之中心之方式擴展之傾斜面42a。藉由使第2壁面42包含傾斜面42a，能抑制於第2壁面42附近產生陰影。
於圖5B中，符號S8表示第2開口41之排列方向上之傾斜面42a之寬度。寬度S8例如為0.2 μm以上，亦可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上。寬度S8例如為25 μm以下，亦可為20 μm以下，亦可為10 μm以下。
於圖5B中，符號θ1表示第2壁面42與第4面402所成之角度。角度θ1例如為50°以上，亦可為55°以上，亦可為60°以上。角度θ1例如未達90°，亦可為85°以下，亦可為80°以下。
如圖5B所示，樹脂層40包含第1層40A及第2層40B。第1層40A及第2層40B均包含樹脂材料。第2層40B相對於第1層40A位於第4面402側。即，第2層40B至第4面402之距離短於第1層40A至第4面402之距離。第1層40A可構成第3面401。第2層40B可構成第4面402。
第1層40A係以適當地調整樹脂層40上所產生之應力之方式構成。第2層40B係以縮小遮罩20與基板110之間之間隙之方式構成。關於第1層40A及第2層40B之具體構成，將於下文加以敍述。
第1層40A及第2層40B之樹脂材料為聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯腈樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物樹脂、甲基丙烯酸共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、賽璐凡、離子聚合物樹脂等。樹脂層40可由單個樹脂層構成，亦可包含複數個樹脂層。第2層40B之樹脂材料可與第1層40A之樹脂材料相同，亦可與之不同。
第1層40A之厚度Ta例如為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上。厚度Ta例如為4.0 μm以下，亦可為3.0 μm以下。第2層40B之厚度Tb例如為0.2 μm以上，亦可為0.4 μm以上。厚度Tb例如為2.5 μm以下，亦可為2.0 μm以下，亦可為1.5 μm以下。
第2層40B之厚度Tb可為第1層40A之厚度Ta以下。厚度Tb相對於厚度Ta之比率，即Tb/Ta例如為1.0以下，亦可為0.8以下，亦可為0.6以下，亦可為0.4以下。
樹脂層40之厚度T0小於矽層30之厚度T1。樹脂層40之厚度T0例如為25 μm以下，亦可為10 μm以下，亦可為5 μm以下。藉此，能抑制陰影之產生。樹脂層40之厚度T0例如為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上，亦可為3.0 μm以上。藉此，能抑制於樹脂層40產生針孔等缺陷或變形等。圖5B所示之例中，樹脂層40之厚度T0係厚度Ta與厚度Tb之和。
俯視下之第2開口41之尺寸S4例如為1 μm以上，亦可為2 μm以上，亦可為3 μm以上。尺寸S4例如為25 μm以下，亦可為10 μm以下，亦可為5 μm以下。
第2開口41之排列方向上的2個第2開口41之間之間隔S5例如為1 μm以上，亦可為2 μm以上，亦可為3 μm以上。尺寸S4例如為25 μm以下，亦可為10 μm以下，亦可為5 μm以下。
俯視下之第1壁面32與第2開口41之間之間隔S6可大於間隔S5。藉此，能抑制於接近於第1壁面32之第2開口41產生陰影。
各層之厚度、各構成要素之尺寸、間隔等可藉由使用掃描型電子顯微鏡觀察遮罩20之剖面圖像來測定。
樹脂層40亦可包含對準標記。樹脂層40之對準標記可與矽層30之對準標記39分開形成，亦可取代矽層30之對準標記39而形成。
樹脂層40之對準標記可包含位於第3面401或第4面402之凹部。樹脂層40之對準標記亦可包含自第3面401向第4面402貫通之孔。凹部及孔可藉由蝕刻第3面401或第4面402來形成。凹部及孔亦可藉由對第3面401或第4面402照射雷射光來形成。
其次，對矽層30之第1壁面32之構造詳細地進行說明。圖6係將第1壁面32放大表示之剖視圖。
如圖6所示，第1壁面32包含於矽層30之厚度方向上排列之複數個凹部33。複數個凹部33於如下所述，藉由交替地反覆實施乾式蝕刻步驟及保護膜形成步驟來形成第1開口31時產生。凹部33包含頂部331及底部332。頂部331係各凹部33中位於最內側之部分。底部332係各凹部33中位於最外側之部分。所謂「內側」，係指於第1面301之面內方向上趨向第1開口31之中心之側。所謂「外側」，係指於第1面301之面內方向上遠離第1開口31之中心之側。
於圖6中，符號P表示矽層30之厚度方向上之凹部33之週期。週期P係於矽層30之厚度方向上相鄰之2個頂部331之間之間隔。週期P例如為100 nm以上，亦可為300 nm以上，亦可為500 nm以上。週期P例如為3 μm以下，亦可為2 μm以下，亦可為1 μm以下。
於圖6中，符號H表示凹部33之深度。深度H係第1面301之面內方向上的頂部331與底部332之間之距離。深度H例如為1 nm以上，亦可為3 nm以上，亦可為5 nm以上。深度H例如為3 μm以下，亦可為2 μm以下，亦可為1 μm以下。
與假定為壁面平坦之情形時相比，包含凹部33之第1壁面32之表面面積更大。故而，第1壁面32包含凹部33有助於提高蒸鍍材料7對於第1壁面32之密接性。例如，能抑制一旦附著於第1壁面32之蒸鍍材料7在執行蒸鍍步驟之期間自第1壁面32剝落。藉由抑制剝離，能抑制無用之蒸鍍材料7之團塊於蒸鍍裝置10之內部懸浮。懸浮之蒸鍍材料7之團塊有可能會再次附著於遮罩20或基板110，因此較佳抑制蒸鍍材料7之剝離。
圖7係將圖5A中標有符號VII且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。如圖7所示，接近於第1面301之複數個凹部33以第1週期P1於矽層30之厚度方向上排列。凹部33具有第1深度H1。
圖8係將圖5A中標有符號VIII且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。如圖8所示，接近於第2面302之複數個凹部33以第2週期P2於矽層30之厚度方向上排列。凹部33具有第2深度H2。
如圖7及圖8所示，第2週期P2可小於第1週期P1。第2深度H2可小於第1深度H1。該情形時，接近於第2面302之第1壁面32之表面面積小於接近於第1面301之第1壁面32之表面面積。換言之，接近於第1面301之第1壁面32之表面面積大於接近於第2面302之第1壁面32之表面面積。在第1面301附近，可期待提高蒸鍍材料7對於第1壁面32之密接性。 P2/P1例如為0.98以下，亦可為0.95以下，亦可為0.90以下。P2/P1例如為0.10以上，亦可為0.20以上，亦可為0.30以上。 H2/H1例如為0.98以下，亦可為0.95以下，亦可為0.90以下。H2/H1例如為0.10以上，亦可為0.20以上，亦可為0.30以上。
凹部33之週期及高度可藉由使用掃描型電子顯微鏡觀察矽層30之剖面圖像來測定。用於觀察之樣本可藉由使用聚焦離子束裝置將矽層30切斷來獲取。第1週期P1及第1高度H1係自第1面301向第2面302側排列之5個凹部33之週期及高度之平均值。第2週期P2及第2高度H2係自第2面302向第1面301側排列之5個凹部33之週期及高度之平均值。週期P係第1週期P1與第2週期P2之平均值。高度H係第1高度H1與第2高度H2之平均值。
(遮罩之製造方法) 對本實施方式之遮罩之製造方法進行說明。準備矽層30。作為矽層30，可使用矽晶圓。矽層30之第1面301及第2面302可研磨成鏡面狀。第1面301及第2面302之算術平均粗糙度Ra可為1.5 nm以下，亦可為1.0 nm以下。第1面301及第2面302之面方位可為(100)、(110)等。
繼而，於矽層30之第2面302上形成樹脂層40。首先，如圖9所示，於第2面302上形成第1層40A。如圖9所示，第1層40A除了上述樹脂材料45以外，亦可包含碳黑粒子46。調整第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca會使樹脂層40上容易產生拉伸應力。
如圖9所示，第1層40A亦可包含複數個粒子群47。粒子群47包含凝聚狀態之複數個碳黑粒子46。1個粒子群中所包含之碳黑粒子46之數量例如為2個以上，亦可為5個以上，亦可為10個以上。1個粒子群47中所包含之碳黑粒子46之數量例如為100個以下，亦可為50個以下，亦可為20個以下。
碳黑粒子46之直徑例如為3 nm以上，亦可為5 nm以上，亦可為10 nm以上。碳黑粒子46之直徑例如為100 nm以下，亦可為50 nm以下，亦可為30 nm以下。
如圖9所示，粒子群47彼此可不接觸。粒子群47彼此不接觸之情形時，第1層40A不具有因碳黑粒子46而產生之導電性。藉由使粒子群47彼此不接觸，能抑制第1層40A變脆。
第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca例如為1%以上，亦可為2%以上，亦可為5%以上。第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca例如為25%以下，亦可為20%以下，亦可為15%以下。
第1層40A可藉由在矽層30上塗佈包含樹脂材料45及碳黑粒子46之塗佈材料來形成。
可於在矽層30上塗佈第1層40A之材料之後，實施加熱第1層40A之第1加熱步驟。藉由第1加熱步驟，能使第1層40A固化。例如，於在矽層30上塗佈包含聚醯亞胺之前驅物，即聚醯胺酸之塗佈材料之後，實施加熱步驟，藉此能產生醯亞胺化反應。藉由醯亞胺化反應，會形成包含聚醯亞胺之第1層40A。第1加熱步驟之溫度例如為200℃以上，亦可為300℃以上。第1加熱步驟之溫度例如為500℃以下，亦可為400℃以下。第1加熱步驟之時間例如為10分鐘以上，亦可為20分鐘以上。第1加熱步驟之時間例如為200分鐘以下，亦可為100分鐘以下。
繼而，如圖10A所示，於第1層40A上形成第2層40B。藉此，能獲得具備矽層30及樹脂層40之積層體22。第2層40B與第1層40A同樣地，除了上述樹脂材料45以外，亦可包含碳黑粒子46。
如圖10A所示，第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb低於第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca。如下述實施例及比較例中所證實，若構成第4面402之層中之碳黑粒子46之比率較高，則遮罩20之第4面402對於基板110之密接性下降，基板110與第4面402之間容易產生間隙。 本實施方式中，具有較第1層40A之比率Ca低之比率Cb之第2層40B相對於第1層40A配置於第4面402側。藉此，既能使樹脂層40上產生拉伸應力，又能抑制基板110與第4面402之間產生間隙。從而，能抑制於蒸鍍步驟中產生陰影。
第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb例如為2.0%以下，亦可為1.5%以下，亦可為1.0%以下，亦可為0.5%以下。比率Ca與比率Cb之差例如為1.0%以上，亦可為2.0%以上，亦可為3.0%以上。
第2層40B可藉由在第1層40A上塗佈包含樹脂材料45及碳黑粒子46之塗佈材料來形成。
可於在矽層30上塗佈第2層40B之材料之後，實施加熱第2層40B之第2加熱步驟。藉由第2加熱步驟，能使第2層40B固化。第2加熱步驟之溫度例如為200℃以上，亦可為300℃以上。第2加熱步驟之溫度例如為500℃以下，亦可為400℃以下。第2加熱步驟之時間例如為10分鐘以上，亦可為20分鐘以上。第2加熱步驟之時間例如為200分鐘以下，亦可為100分鐘以下。藉由實施上述第1加熱步驟及第2加熱步驟，能使第1層40A與第2層40B之間之界面更清晰地呈現。
圖10B係表示積層體之層構成之另一例之剖視圖。如圖10B所示，第2層40B亦可不包含碳黑粒子。所謂「比率Cb低於比率Ca」，係亦包括如圖10B所示第2層40B不包含碳黑粒子之形態在內之概念。
圖11係表示具備矽層30及樹脂層40之積層體22之一例之剖視圖。如圖11所示，積層體22可以樹脂層40向矽層30凸起之方式翹曲。此種翹曲例如在樹脂層40相對於矽層30收縮時產生。若以樹脂層40向矽層30凸起之方式翹曲，則能於矽層30產生將積層體22之翹曲復原之力。因此，樹脂層40被矽層30施加在樹脂層40之面方向上拉伸樹脂層40之方向之拉伸應力F。藉由調整第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca，能調整拉伸應力F。比率Ca越高，越容易產生拉伸應力F。
拉伸應力F例如為5 MPa以上，亦可為7 MPa以上，亦可為15 MPa以上。藉此，能抑制樹脂層40，尤其是其有效區域44撓曲。拉伸應力F例如為100 MPa以下，亦可為50 MPa以下，亦可為35 MPa以下，亦可為30 MPa以下，亦可為25 MPa以下。
拉伸應力F係基於積層體22上所產生之翹曲量而計算得出。具體而言，可基於下述Stoney公式，計算出拉伸應力F。詳細內容例如可參照非專利文獻1。 [數式1] σ f為積層於矽層30之第2面302之層上所產生之膜應力。圖9所示之例中，膜應力σ f相當於對樹脂層40施加之拉伸應力F。h f為樹脂層40之厚度。υ s為矽層30之泊松比。E s為矽層30之楊氏模數。h s為矽層30之厚度。κ為積層體22之曲率。作為測定積層體22之曲率之裝置，可使用NIDEC股份有限公司製造之平坦度測定裝置FT-900。例如，藉由對積層體22之樹脂層40之第4面402照射雷射光，來測定積層體22之曲率。所謂積層體22之曲率，係指積層體22之中立面之曲率。矽層30為矽晶圓之情形時，使用FT-900來測定包含矽晶圓及矽晶圓上之樹脂層40之積層體22。測定時之環境為溫度25℃、相對濕度45%RH。
第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca、及第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb可藉由使用透過型電子顯微鏡觀察樹脂層40之剖面來計算。具體而言，首先，切割出積層體22，製成俯視下具有300 μm×1000 μm之尺寸之測試片。繼而，藉由透過型電子顯微鏡觀察測試片之剖面。比率Ca係第1層40A之剖面上所出現之碳黑粒子46之剖面之合計面積相對於第1層40A之剖面之面積之比率。比率Ca係第2層40B之剖面上所出現之碳黑粒子46之剖面之合計面積相對於第2層40B之剖面之面積之比率。1個粒子群47中所包含之碳黑粒子46之數量、碳黑粒子46之直徑等同樣藉由使用透過型電子顯微鏡觀察測試片之剖面來計算。
透過型電子顯微鏡之觀察條件如下所示。 ・倍率：30,000倍 ・加速電壓：100 kV ・發射電流：10 μA ・聚焦透鏡光圈：1 ・物鏡光圈：1 ・觀察模式：HC ・點測光(Spot)：2
雖未圖示，但亦可實施按壓樹脂層40之按壓步驟。例如，亦可將與矽層30不同之矽晶圓、玻璃晶圓等基板之面壓抵於樹脂層40。基板之面較樹脂層40之第4面402平坦之情形時，藉由按壓步驟，能提高第4面402之平坦性。壓抵於樹脂層40之基板之面可包含凹凸圖案。基板之面包含凹凸圖案之情形時，藉由按壓步驟，能對第4面402賦予凹凸圖案。按壓步驟亦可於加熱樹脂層40之步驟之前實施。
繼而，對使用積層體22製造遮罩20之方法進行說明。首先，如圖12所示，實施於矽層30之第1面301上局部形成抗蝕劑層38之抗蝕劑形成步驟。抗蝕劑層38上要形成有與第1開口31對向之抗蝕劑開口381。
抗蝕劑層38亦可為光阻劑。該情形時，首先，於第1面301上塗佈液狀之抗蝕材，藉此於第1面301上形成抗蝕劑層38。可於塗佈之後，實施加熱抗蝕劑層38之步驟。繼而，實施對抗蝕劑層38加以曝光及顯影之光微影處理。藉此，能於抗蝕劑層38形成抗蝕劑開口381。
雖未圖示，但抗蝕劑層38亦可為部分形成於第1面301之氧化矽膜。氧化矽膜例如藉由對第1面301局部實施熱氧化處理等來形成。氧化矽膜亦可在將樹脂層40積層於矽層30之前形成於矽層30。
繼而，如圖13所示，實施第1加工步驟，即，藉由自第1面301側蝕刻矽層30，而於矽層30形成第1開口31。第1加工步驟中之蝕刻可為使用蝕刻氣體之乾式蝕刻。蝕刻氣體係上述蝕刻劑之一例。
參照圖14～圖17，對第1加工步驟詳細地進行說明。此處，對藉由深度反應性離子蝕刻形成第1開口31之例進行說明。
首先，如圖14所示，實施自第1面301側乾式蝕刻矽層30之步驟。例如，向腔室內導入蝕刻氣體。又，藉由對腔室內之空間施加電壓，而將蝕刻氣體電漿化。藉由使電漿中之自由基、離子等通過抗蝕劑開口381撞擊第1面301，如圖14所示，能於第1面301形成第1孔穴311。蝕刻氣體例如為SF 6氣體。
第1孔穴311包含第1壁面311a及第1底面311b。第1壁面311a可位於較抗蝕劑層38之端面38e靠外側。藉由調整乾式蝕刻步驟之時間、氣體流量、電壓等，能調整第1壁面311a之位置。1次乾式蝕刻步驟之時間例如為1秒以上，亦可為2秒以上。1次乾式蝕刻步驟之時間例如為10秒以下，亦可為5秒以下。
繼而，實施於孔穴之壁面及底面形成保護膜之保護膜形成步驟。具體而言，將向腔室內導入之氣體自蝕刻氣體切換為原料氣體。原料氣體例如為C 4F 8氣體。又，藉由對腔室內之空間施加電壓，而將原料氣體電漿化。藉由使電漿中之自由基等在第1壁面311a及第1底面311b反應，如圖15所示，能於第1壁面311a及第1底面311b形成保護膜34。
其次，實施第2次乾式蝕刻步驟。藉由使電漿中之自由基、離子等撞擊第1底面311b上之保護膜34，能將保護膜34去除。其後，藉由使電漿中之自由基、離子等撞擊第1底面311b，如圖16所示，能於第1底面311b形成第2孔穴312。
第2孔穴312包含第2壁面312a及第2底面312b。第2壁面312a可在第1面301之面內方向上位於與第1壁面311a相同之位置。雖未圖示，但第2壁面312a既可位於較第1壁面311a靠外側，亦可位於較之靠內側。藉由調整乾式蝕刻步驟之時間、氣體流量、電壓等，能調整第2壁面312a之位置。
繼而，實施第2次保護膜形成步驟。藉此，如圖17所示，能於第2壁面312a及第2底面312b形成保護膜34。
交替地反覆實施上述乾式蝕刻步驟及保護膜形成步驟，直至第1開口31到達樹脂層40為止。藉此，能形成自第1面301向第2面302貫通之第1開口31。為了便於說明，例舉了自乾式蝕刻步驟開始之例，但其實亦可自保護膜形成步驟開始。
另，孔穴越深，即，第1開口31越向第2面302靠近，蝕刻劑越難到達孔穴之底面。因此，蝕刻條件固定之情形時，越向第2面302靠近，藉由1次乾式蝕刻步驟而形成之孔穴之大小越小。結果，如圖7及圖8所示，第2週期P2小於第1週期P1，第2深度H2小於第1深度H1。
可根據孔穴之位置來調整蝕刻條件，藉此調整孔穴之大小。 例如，可隨著第1開口31向第2面302靠近，而使蝕刻之強度或時間增加。藉此，能抑制第2週期P2與第1週期P1之間產生差。又，能抑制第2深度H2與第1深度H1之間產生差。蝕刻之強度例如隨著電壓、蝕刻氣體之流量、濃度等增加而增加。 反之，亦可隨著第1開口31向第2面302靠近，而使蝕刻之強度或時間減少。藉此，能促進第2週期P2與第1週期P1之間產生差。又，能促進第2深度H2與第1深度H1之間產生差。
可於第1開口31到達樹脂層40之後，實施將保護膜34去除之保護膜去除步驟。例如，將保護膜處理液供給至矽層30之第1開口31。亦可使積層體22浸漬於收容有保護膜處理液之槽之中。保護膜處理液例如包含氫氟醚。
亦可於第1開口31到達樹脂層40之後，如圖18所示，實施將抗蝕劑層38去除之抗蝕劑去除步驟。例如，將抗蝕劑處理液供給至第1面301。 抗蝕劑層38為光阻劑之情形時，抗蝕劑處理液例如包含N-甲基-2-吡咯啶酮。亦可藉由對抗蝕劑層38照射氧電漿來去除抗蝕劑層38。 抗蝕劑層38為氧化矽膜之情形時，抗蝕劑處理液例如包含氫氟酸。亦可藉由使用CF 4氣體等之乾式蝕刻來去除抗蝕劑層38。
保護膜去除步驟及抗蝕劑去除步驟之順序並不特別限定。亦可同時實施保護膜去除步驟及抗蝕劑去除步驟。
繼而，實施於樹脂層40形成複數個第2開口41之第2加工步驟。例如，如圖19所示，自第3面401側對樹脂層40照射雷射光L。藉由雷射光L之照射，能於樹脂層40形成第2開口41。作為雷射光L，可使用波長248 nm之KrF(Krypton Flourine，氟化氪)準分子雷射光、波長355 nm之YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)雷射光等。
第2加工步驟可於在樹脂層40之第4面402形成有保護薄膜或保護膜之狀態下實施。 保護薄膜係貼附於第4面402之構件。保護薄膜例如包含樹脂薄膜及接著層。保護薄膜以接著層與第4面402相接之方式貼附於第4面402。接著層可為黏著層，亦可為吸附層。 保護膜藉由在第4面402上塗佈包含樹脂之液體來形成。塗佈方法例如為桿塗法、旋塗法、噴塗法等。 保護薄膜或保護膜可於第2加工步驟結束之後去除。 較佳為保護薄膜或保護膜對雷射光之反應性低於樹脂層40對雷射光之反應性。所謂反應性，係指保護薄膜或保護膜、或者樹脂層40被雷射光加工之速度。
於第2加工步驟中，首先，將積層體22以第4面402與平台面對向之方式載置於平台。繼而，調整照射頭相對於積層體22之位置。於調整位置之步驟中，可使照射頭移動，亦可使平台移動。藉由反覆實施雷射光之照射及位置之調整，能於樹脂層40形成複數個第2開口41。如此，能獲得圖5A所示之遮罩20。
或者，亦可使用與複數個第2開口41之圖案對應之雷射用遮罩。使用雷射用遮罩之情形時，可於雷射用遮罩與樹脂層40之間設置聚光透鏡。藉由使用縮小投影光學系統之雷射加工法，能形成複數個第2開口41。
雷射光可藉由1次照射步驟，對與1個第1開口31重疊之樹脂層40之全域照射。例如，雷射用遮罩可包含與複數個第2開口41對應之複數個透過部，上述複數個第2開口41與1個第1開口31重疊，雷射光同時透過該等複數個透過部。該情形時，與1個第1開口31重疊之複數個第2開口41藉由1次雷射光之照射步驟來形成。如上所述，1個第1開口31可與有機EL顯示裝置之1個畫面對應。根據該方法，能抑制構成1個畫面之複數個有機層之位置精度因照射頭或平台之移動而下降。所謂「1次照射步驟」，意指在樹脂層40相對於雷射光之相對位置固定之狀態下實施的雷射光之照射。該方法可於1個第1開口31之尺寸相對較小之情形時採用。第1開口31之一邊之長度例如為6 mm以下。第1開口31之一邊之長度例如可為2 mm以上。
與1個第1開口31重疊之複數個第2開口41亦可藉由2次以上雷射光之照射步驟來形成。例如，亦可藉由2次以上雷射光之照射步驟，使雷射光以累積方式透過雷射用遮罩之1個圖案區域。例如，可藉由一面使照射頭相對於雷射用遮罩移動一面照射雷射光，而使雷射光以累積方式透過雷射用遮罩之1個圖案區域。雷射用遮罩之1個圖案區域包含與複數個第2開口41對應之複數個透過部，上述複數個第2開口41與1個第1開口31重疊。該方法可於1個第1開口31之尺寸相對較大之情形時採用。第1開口31之一邊之長度例如為10 mm以上。第1開口31之一邊之長度例如可為40 mm以下。
1個第2開口41可藉由1次雷射光之發射來形成。 1個第2開口41亦可藉由2次以上雷射光之發射來形成。該情形時，藉由1次雷射光之發射而形成於樹脂層40之凹部之深度較樹脂層40之厚度小。
雷射光可加以調整，來使第2開口41之第2壁面42包含傾斜面42a。 例如，可於每次發射時皆變更與第2開口41對應之雷射光之照射面積。例如，第2加工步驟可包含：第1發射步驟，對第3面401照射具有第1照射面積之雷射光；及第2發射步驟，對第3面401照射具有較第1照射面積大之第2照射面積之雷射光。第1照射面積可與第4面402中之第2開口41之面積對應。第2照射面積可與第3面401中之第2開口41之面積對應。第2加工步驟亦可包含3個以上發射步驟。各發射步驟中之雷射光之照射面積及強度以使第2壁面42包含傾斜面42a之方式來設定。 例如，雷射用遮罩之1個透過部可包含具有第1透過率之第1透過區域、及具有較第1透過率低之第2透過率之第2透過區域。第1透過區域之輪廓可與第4面402中之第2開口41之輪廓對應。第2透過區域可於俯視下包圍第1透過區域。第2透過區域之輪廓可與第3面401中之第2開口41之輪廓對應。1個透過部亦可包含3個以上透過區域。各透過區域之形狀及透過率以使第2壁面42包含傾斜面42a之方式來設定。
雖未圖示，但亦可使用雷射以外之手段於樹脂層40形成第2開口41。例如，亦可藉由光微影法於樹脂層40形成第2開口41。該情形時，樹脂層40包含具有感光性之樹脂材料。
其次，對使用遮罩20製造有機器件100之方法之一例進行說明。
首先，準備形成有第1電極120之基板110。基板110可為矽晶圓。第1電極120例如可藉由採用真空成膜法等在基板110形成構成第1電極120之導電層之後，再採用光微影法等將導電層圖案化來形成。導電層之圖案化可使用實施半導體製造步驟之裝置來實施。基板110上可形成有位於相鄰2個第1電極120之間之絕緣層160。
繼而，於第1電極120上形成包含第1有機層130A、第2有機層130B等之有機層130。例如，首先，藉由使用第1遮罩20之蒸鍍法形成第1有機層130A。第1遮罩20具備與第1有機層130A對應之第2開口41。繼而，藉由使用第2遮罩20之蒸鍍法形成第2有機層130B。第2遮罩20具備與第2有機層130B對應之第2開口41。其次，藉由使用第3遮罩20之蒸鍍法形成第3有機層。第3遮罩20具備與第3有機層對應之第2開口41。
然後，於有機層130上形成第2電極140。例如，如圖1所示，可藉由真空成膜法等在整個第1面111形成第2電極140。或者，雖未圖示，但亦可與有機層130同樣地，藉由使用遮罩20之蒸鍍法形成第2電極140。其後，可於第2電極140上形成未圖示之密封層等。如此，能獲得有機器件100。
亦可於1個基板110形成複數個有機器件100。1個有機器件100可與遮罩20之1個第1開口31對應。該情形時，可實施裁切基板110之步驟。例如，沿著與遮罩20之內側區域36對應之基板110之區域裁切基板110。藉此，能獲得複數個有機器件100。
對藉由使用遮罩20之蒸鍍法形成有機層130、第2電極140等時遮罩20之效果進行說明。
遮罩20具備包含矽或矽化合物之矽層30。因此，基板110包含矽或矽化合物之情形時，能抑制基板110上所產生之熱膨脹與遮罩20上所產生之熱膨脹之間產生差。藉由抑制熱膨脹之差，能抑制有機層130、第2電極140等蒸鍍層之位置、形狀等之精度因遮罩20之熱膨脹而下降。從而，能提供具有高元件密度之有機器件100。
遮罩20具備包含複數個第2開口41之樹脂層40。樹脂層40包含樹脂材料。藉由與矽層30分開設置樹脂層40，能縮小樹脂層40之厚度，因此能抑制於蒸鍍步驟中產生陰影。又，藉由確保俯視下之第1壁面32與第2開口41之間之間隔S6合適，既能抑制陰影，又能確保矽層30之厚度合適。藉由矽層30之合適之厚度，能抑制於處理操作遮罩20時，例如於使遮罩移動時，矽層30破損。又，由於樹脂層40包含樹脂材料，因此樹脂層40容易與基板110上之構成要素接觸。作為緣由，可想到以下(A)、(B)等。 (A)產生凡得瓦力。 (B)樹脂材料具有柔軟性，因此樹脂層40容易根據基板110上之構成要素之形狀而變形。 樹脂層40容易與基板110上之構成要素接觸能抑制樹脂層40與基板110上之構成要素之間產生間隙。這亦有助於抑制陰影。
遮罩20之樹脂層40之周緣區域43對於矽層30之第2面302而固定。因此，能抑制樹脂層40之有效區域44撓曲。藉此，能提高形成於有效區域44之第2開口41之位置精度。從而，能提高蒸鍍層之位置、形狀等之精度。
又，本實施方式中，使用如圖11所示，以樹脂層40向矽層30凸起之方式翹曲之積層體22來製作遮罩20。藉此，能產生於樹脂層40之面方向上拉伸樹脂層40之拉伸應力F。藉由拉伸應力F，能於蒸鍍步驟中，抑制樹脂層40，例如其有效區域44撓曲。藉由撓曲之抑制，能提高形成於有效區域44之第2開口41之位置精度。從而，能提高蒸鍍層之位置、形狀等之精度。
當於遮罩20之狀態下有效區域44中產生撓曲時，可認為是：如圖18所示之形成第2開口41之前之狀態之樹脂層40上產生了皺褶。於圖18所示之狀態下，樹脂層40之第3面401上所產生之皺褶之最大高度較佳為例如20 μm以下，亦可為10 μm以下，亦可為7.0 μm以下。最大高度例如可為0.5 μm以上，亦可為1.0 μm以上。
又，本實施方式中，樹脂層40包含第1層40A、及相對於第1層40A位於第4面402側之第2層40B。第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb低於第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca。藉此，能抑制遮罩20對於基板110之密接性受到碳黑粒子46阻礙。因此，既能使樹脂層40上產生拉伸應力，又能抑制基板110與第4面402之間產生間隙。從而，能抑制於蒸鍍步驟中產生陰影。
可對上述一實施方式進行各種變更。視需要，參照圖式對其他實施方式進行說明。以下說明及以下說明所使用之圖式中，對能與上述一實施方式同樣地構成之部分使用與對上述一實施方式中之對應部分所使用之符號相同之符號。重複說明予以省略。又，已知上述一實施方式中所能獲得之作用效果於其他實施方式中亦能獲得之情形時，有時亦會省略相關說明。
(第2實施方式) 圖20係表示第2實施方式之積層體22之一例之剖視圖。如圖20所示，積層體22之樹脂層40亦可具備第1層40A、第2層40B及中間樹脂層40C。第2層40B相對於第1層40A位於第4面402側。中間樹脂層40C位於第1層40A與第2層40B之間。第1層40A可構成第3面401。第2層40B可構成第4面402。圖21係表示由圖20之積層體22製成的遮罩20之樹脂層40之剖視圖。
如圖20所示，中間樹脂層40C與第1層40A同樣地，包含樹脂材料45及碳黑粒子46。中間樹脂層40C中之碳黑粒子46之比率Cc低於第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca，且高於第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb。比率Ca與比率Cc之差例如為1.0%以上，亦可為2.0%以上，亦可為3.0%以上。比率Cc與比率Cb之差例如為1.0%以上，亦可為2.0%以上，亦可為3.0%以上。
中間樹脂層40C之厚度Tc可為第1層40A之厚度Ta以下。厚度Tc相對於厚度Ta之比率，即Tc/Ta例如為1.0以下，亦可為0.8以下，亦可為0.6以下，亦可為0.4以下。
(第3實施方式) 圖22係表示第3實施方式之積層體22之一例之剖視圖。如圖22所示，積層體22之樹脂層40亦可具備第1層40A、第2層40B及第3層40D。第2層40B相對於第1層40A位於第4面402側。第3層40D相對於第1層40A位於第3面401側。第3層40D可構成第3面401。第2層40B可構成第4面402。圖23係表示由圖22之積層體22製成的遮罩20之樹脂層40之剖視圖。
如圖22所示，第3層40D可包含樹脂材料45，但不包含碳黑粒子46。雖未圖示，但第3層40D亦可包含樹脂材料45及碳黑粒子46。第3層40D中之碳黑粒子46之比率Cd低於第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca。比率Ca與比率Cd之差例如為1.0%以上，亦可為2.0%以上，亦可為3.0%以上。
第3層40D中之碳黑粒子46之比率Cd可高於亦可低於第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb，還可與之相同。
第3層40D之厚度Tc可為第1層40A之厚度Ta以下。厚度Td相對於厚度Ta之比率，即Td/Ta例如為1.0以下，亦可為0.8以下，亦可為0.6以下，亦可為0.4以下。
(第4實施方式) 圖24A係表示第4實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖24A所示，遮罩20亦可具備位於矽層30之第2面302與樹脂層40之第3面401之間之中間層50。中間層50包含對矽層30或樹脂層40發揮某些功能之層。例如，中間層50包含第1中間層51。圖24A所示之例中，第1中間層51位於矽層30與樹脂層40之間。
第1中間層51可於藉由蝕刻而加工矽層30之步驟中，作為使蝕刻終止之終止層發揮功能。具體而言，第1中間層51對蝕刻矽層30之蝕刻劑具有耐性。第1中間層51可包含鋁、鋁合金、鈦或鈦合金。第1中間層51亦可包含氧化矽等無機化合物。
第1中間層51為終止層之情形時，第1中間層51之厚度並不特別限定，只要能抑制樹脂層40於加工矽層30之步驟中受到蝕刻即可。例如，第1中間層51之厚度可小於樹脂層40之厚度，亦可為樹脂層40之厚度以上。第1中間層51之厚度例如為5 nm以上，亦可為50 nm以上，亦可為75 nm以上。第1中間層51之厚度例如為100 μm以下，亦可為50 μm以下，亦可為10 μm以下，亦可為5 μm以下，亦可為1 μm以下，亦可為150 nm以下。第1中間層51對用於矽層30之蝕刻劑之耐性越高，越能縮小第1中間層51之厚度。第1中間層51之厚度特佳為1 μm以下。
中間層50亦可包含發揮將矽層30與樹脂層40接合之功能之層。例如，第1中間層51亦可為包含接著劑之接合層。接合層之厚度例如為0.1 μm以上，亦可為0.2 μm以上，亦可為0.5 μm以上。接合層之厚度例如為3 μm以下，亦可為2 μm以下，亦可為1 μm以下。
較佳為中間層50位於俯視下不與第2開口41重疊之位置。藉此，能抑制因中間層50而產生陰影。
圖24B係將圖24A中標有符號XIXB且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。如圖24B所示，第1中間層51可包含面對第1開口31之第1中間壁面52。第1中間壁面52可於俯視下與矽層30之第2面302重疊。換言之，第1中間壁面52可位於較第2面302上之第1開口31之輪廓靠外側。上述第1中間壁面52之形成起因於藉由濕式蝕刻將俯視下與第1開口31重疊之第1中間層51去除時之側蝕。
第1中間層51亦可包含對準標記。第1中間層51之對準標記可與矽層30或樹脂層40之對準標記分開形成，亦可取代矽層30或樹脂層40之對準標記而形成。
(遮罩之製造方法) 其次，對本實施方式之遮罩之製造方法進行說明。首先，準備矽層30。繼而，於矽層30之第2面302上形成中間層50。中間層50例如包含第1中間層51。中間層50可形成於整個第2面302。中間層50例如可藉由濺鍍法等真空成膜法來形成。其次，於中間層50上形成樹脂層40。藉此，如圖25所示，能獲得具備矽層30、中間層50及樹脂層40之積層體22。樹脂層40可形成於整個中間層50。樹脂層40例如可藉由旋塗法等塗佈法來形成。
與第1實施方式之情形時同樣地，積層體22可以樹脂層40及第1中間層51向矽層30凸起之方式翹曲。此種翹曲與第1實施方式之情形時同樣地，在樹脂層40及第1中間層51相對於矽層30收縮時產生。該情形時，能於矽層30產生將積層體22之翹曲復原之力。因此，樹脂層40及第1中間層51被施加在樹脂層40之面方向上拉伸樹脂層40及第1中間層51之方向之拉伸應力F。
拉伸應力F例如為15 MPa以上，亦可為18 MPa以上，亦可為30 MPa以上。藉此，能抑制樹脂層40，尤其是其有效區域44撓曲。拉伸應力F例如為100 MPa以下，亦可為70 MPa以下，亦可為50 MPa以下，亦可為45 MPa以下，亦可為40 MPa以下。
與第1實施方式之情形時同樣地，拉伸應力F係基於積層體22上所產生之翹曲量而計算得出。具體而言，可基於下述Stoney公式，計算出拉伸應力F。σ f為積層於矽層30之第2面302之層上所產生之膜應力。圖25所示之例中，膜應力σ f相當於對樹脂層40及第1中間層51施加之拉伸應力F。 [數式2]
繼而，如圖26所示，實施於矽層30之第1面301上局部形成抗蝕劑層38之抗蝕劑形成步驟。抗蝕劑層38上要形成有與第1開口31對向之抗蝕劑開口381。
然後，如圖27所示，實施第1加工步驟，即，藉由自第1面301側蝕刻矽層30，而於矽層30形成第1開口31。第1加工步驟中之蝕刻可為使用蝕刻氣體之乾式蝕刻。蝕刻氣體係上述蝕刻劑之一例。由於中間層50對蝕刻劑具有耐性，因此如圖27所示，能抑制蝕刻推進至樹脂層40。第1加工步驟可與第1實施方式之情形時同樣地，包含乾式蝕刻步驟及保護膜形成步驟。
交替地反覆實施乾式蝕刻步驟及保護膜形成步驟，直至第1開口31到達中間層50為止。藉此，能形成自第1面301向第2面302貫通之第1開口31。由於中間層50對蝕刻氣體具有耐性，因此能抑制樹脂層40受到蝕刻。
可於第1開口31到達中間層50之後，實施將保護膜34去除之保護膜去除步驟。例如，將保護膜處理液供給至矽層30之第1開口31。亦可使積層體22浸漬於收容有保護膜處理液之槽之中。保護膜處理液例如包含氫氟醚。
亦可於孔穴到達中間層50之後，實施將抗蝕劑層38去除之抗蝕劑去除步驟。例如，將抗蝕劑處理液供給至第1面301。 抗蝕劑層38為光阻劑之情形時，抗蝕劑處理液例如包含N-甲基-2-吡咯啶酮。亦可藉由對抗蝕劑層38照射氧電漿來去除抗蝕劑層38。 抗蝕劑層38為氧化矽膜之情形時，抗蝕劑處理液例如包含氫氟酸。亦可藉由使用CF 4氣體等之乾式蝕刻來去除抗蝕劑層38。
於第1加工步驟之後，實施將中間層50去除之中間層去除步驟。例如，將用於中間層50之蝕刻劑供給至第1開口31。藉此，如圖28所示，能將俯視下與第1開口31重疊之中間層50去除。此時，若發生側蝕，則如圖24B所示，形成位於較第2面302上之第1開口31之輪廓靠外側之第1中間壁面52。中間層50之蝕刻可為使用氟系氣體等之乾式蝕刻，亦可為使用酸性蝕刻液之濕式蝕刻。
保護膜去除步驟、抗蝕劑去除步驟及中間層去除步驟之順序並不特別限定。亦可同時實施保護膜去除步驟、抗蝕劑去除步驟及中間層去除步驟中之2個步驟或3個步驟。
繼而，實施於樹脂層40形成複數個第2開口41之第2加工步驟。例如，如圖29所示，自第3面401側對樹脂層40照射雷射光L。藉此，能於樹脂層40形成第2開口41。
根據本實施方式，藉由設置中間層50，能抑制樹脂層40於第1加工步驟中受到蝕刻。又，由於包含樹脂材料之樹脂層40經由中間層50而結合於矽層30，因此即便矽層30破損了，亦能抑制矽層30之碎片飛散。
當於遮罩20之狀態下有效區域44中產生撓曲時，可認為是：如圖28所示之形成第2開口41之前之狀態之樹脂層40上產生了皺褶。於圖28所示之狀態下，樹脂層40之第3面401上所產生之皺褶之最大高度較佳為例如30 μm以下，亦可為20 μm以下，亦可為10 μm以下。
(第5實施方式) 參照圖30，對第5實施方式進行說明。
與第4實施方式之情形時同樣地，準備具有矽層30、中間層50及樹脂層40之積層體22。繼而，實施於矽層30形成第1開口31之第1加工步驟。
然後，實施於樹脂層40形成複數個第2開口41之第2加工步驟。例如，如圖30所示，自中間層50側向包含樹脂層40及中間層50之積層體照射雷射光L。藉此，能於中間層50形成開口，且於樹脂層40形成第2開口41。
第5實施方式中，於照射雷射光L之步驟中，樹脂層40之第3面401被中間層50覆蓋。因此，能抑制由雷射光之照射所產生之飛散物附著於第3面401。
繼而，實施將中間層50去除之中間層去除步驟。例如，將用於中間層50之蝕刻劑供給至第1開口31。藉此，能將俯視下與第1開口31重疊之中間層50去除。
(第6實施方式) 圖31係表示第6實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖31所示，矽層30之內側區域36之厚度T2亦可小於外側區域35之厚度T1。
厚度T2例如為10 μm以上，亦可為30 μm以上，亦可為50 μm以上。厚度T2例如為300 μm以下，亦可為200 μm以下，亦可為100 μm以下。
厚度T2相對於厚度T1之比率例如為1%以上，亦可為10%以上，亦可為20%以上。厚度T2相對於厚度T1之比率例如為90%以下，亦可為70%以下，亦可為50%以下。
參照圖32～圖35，對遮罩20之製造方法進行說明。首先，準備積層體22。繼而，如圖32所示，於矽層30之第1面301上形成第1抗蝕劑層38a及第2抗蝕劑層38b。第1抗蝕劑層38a形成於與外側區域35對應之位置。第2抗蝕劑層38b形成於與內側區域36對應之位置。
第1抗蝕劑層38a之材料與第2抗蝕劑層38b之材料不同。例如，第1抗蝕劑層38a包含氧化矽膜，第2抗蝕劑層38b包含光阻劑。
然後，實施於矽層30形成第1開口31之第1加工步驟。如圖33所示，於第1開口31到達第2面302之前停止第1加工步驟。
繼而，如圖34所示，將第2抗蝕劑層38b去除。例如，將第2抗蝕劑處理液供給至第1面301。較佳為第2抗蝕劑處理液對第1抗蝕劑層38a不具有蝕刻性。換言之，較佳為第1抗蝕劑層38a對第2抗蝕劑處理液具有耐性。藉此，如圖34所示，能將第1抗蝕劑層38a保留於第1面301上。第2抗蝕劑處理液例如包含N-甲基-2-吡咯啶酮。亦可藉由對第2抗蝕劑層38b照射氧電漿來去除第2抗蝕劑層38b。
然後，再次開始於矽層30形成第1開口31之第1加工步驟。如圖35所示，持續實施第1加工步驟，直至第1開口31到達第2面302為止。於再次開始後之第1加工步驟中，與內側區域36對應之矽層30亦會受到蝕刻。因此，與內側區域36對應之矽層30之厚度T2將變得較被第1抗蝕劑層38a覆蓋之矽層30之厚度T1小。
其後，將第1抗蝕劑層38a去除。例如，將第1抗蝕劑處理液供給至第1面301。第1抗蝕劑處理液例如包含氫氟酸。亦可藉由使用CF 4氣體等之乾式蝕刻來去除第1抗蝕劑層38a。
與第4實施方式之情形時同樣地，實施保護膜去除步驟、中間層去除步驟、第2加工步驟等。藉此，能獲得圖31所示之遮罩20。
根據本實施方式，藉由縮小內側區域36之厚度T2，能抑制於接近於內側區域36之第1壁面32之第2開口41產生陰影。
圖31至圖35中示出了遮罩20及積層體22具備中間層50之例。雖未圖示，但遮罩20及積層體22亦可不具備中間層50。
(第7實施方式) 圖36係表示第7實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖36所示，亦可為內側區域36僅一部分具有較厚度T1小之厚度T3。將具有厚度T3之部分亦稱為薄壁部37。薄壁部37較佳為位於俯視下與第1開口31鄰接之位置。藉此，能抑制於接近於薄壁部37之第2開口41產生陰影。
如圖36所示，外側區域35亦可包含薄壁部37。薄壁部37較佳為位於俯視下與第1開口31鄰接之位置。藉此，能抑制於接近於薄壁部37之第2開口41產生陰影。
對遮罩20之製造方法進行說明。首先，與第1實施方式之情形時同樣地，準備積層體22。繼而，於與薄壁部37對應之矽層30之部分形成第2抗蝕劑層38b。又，於與薄壁部37以外之內側區域36對應之矽層30之部分形成第1抗蝕劑層38a。又，於與薄壁部37以外之外側區域35對應之矽層30之部分形成第1抗蝕劑層38a。然後，與第5實施方式之情形時同樣地，實施第1加工步驟、第2抗蝕劑去除步驟、第1加工步驟、第1抗蝕劑去除步驟、保護膜去除步驟、中間層去除步驟、第2加工步驟等。藉此，能獲得圖36所示之遮罩20。
根據本實施方式，藉由使矽層30包含薄壁部37，能抑制於接近於薄壁部37之第2開口41產生陰影。又，藉由使內側區域36包含較薄壁部37厚之部分，能提高內側區域36之強度。
圖36中示出了遮罩20具備中間層50之例。雖未圖示，但遮罩20亦可不具備中間層50。
(第8實施方式) 圖37係表示第8實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖37所示，第1壁面32亦可包含隨著趨向第1面301而向外側擴展之傾斜面32a。
所謂「外側」，如上所述，係指於第1面301之面內方向上遠離第1開口31之中心之側。於俯視下與第1開口31重疊之位置存在第2開口41。故而，傾斜面32a以隨著趨向第1面301而於第1面301之面內方向上遠離第2開口41之方式擴展。藉由使第1壁面32包含傾斜面32a，能抑制於接近於傾斜面32a之第2開口41產生陰影。傾斜面32a亦可包含向外側凸起之彎曲面。
於圖37中，符號S7表示第1開口31之排列方向上之傾斜面32a之寬度。寬度S7例如為2 μm以上，亦可為5 μm以上，亦可為10 μm以上。寬度S7例如為100 μm以下，亦可為50 μm以下，亦可為20 μm以下。
對遮罩20之製造方法進行說明。首先，準備積層體22。繼而，實施於矽層30之第1面301上局部形成抗蝕劑層38之抗蝕劑形成步驟。
然後，實施於矽層30形成第1開口31之第1加工步驟。例如，藉由濕式蝕刻自第1面301側至第2面302地加工矽層30。亦可藉由乾式蝕刻自第1面301側至第2面302地加工矽層30。藉此，如圖38所示，能形成彎曲之傾斜面32a。
其後，實施抗蝕劑去除步驟、中間層去除步驟、第2加工步驟等。藉此，能獲得圖37所示之遮罩20。
圖37及圖38中示出了遮罩20及積層體22具備中間層50之例。雖未圖示，但遮罩20及積層體22亦可不具備中間層50。
(第9實施方式) 圖39係表示第9實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖39所示，遮罩20亦可具備位於矽層30之第1面301之應力調整層61。應力調整層61作用於矽層30之第1面301，以抵消矽層30之第2面302上所積層之層對矽層30之第2面302造成之應力。圖39所示之例中，應力調整層61作用於矽層30之第1面301，以抵消樹脂層40及第1中間層51對矽層30之第2面302造成之應力。例如，樹脂層40及第1中間層51對第2面302施加拉伸應力之情形時，應力調整層61亦對第1面301施加拉伸應力。反之，樹脂層40及第1中間層51對第2面302施加壓縮應力之情形時，應力調整層61亦對第1面301施加壓縮應力。
應力調整層61之材料可為有機材料，亦可為無機材料。可根據應力調整層61對第1面301所應施加之應力來選擇應力調整層61之材料。例如，包含氧化矽之應力調整層61能對第1面301施加壓縮應力。包含氮化矽之應力調整層61能對第1面301施加拉伸應力。
雖未圖示，但遮罩20亦可具備位於第1面301與應力調整層61之間之密接層。密接層對於第1面301之密接性較應力調整層61對於第1面301之密接性高。密接層可由1層構成，亦可由2層以上構成。
遮罩20包含密接層之情形時，第1面301將被施加密接層之應力及應力調整層61之應力之合計力。要將密接層之應力考慮在內，來調整應力調整層61之材料、厚度等。
根據本實施方式，藉由在第1面301形成應力調整層61，能降低對矽層30施加之應力。藉此，能抑制矽層30上產生翹曲等變形。
圖39中示出了遮罩20具備中間層50之例。雖未圖示，但遮罩20亦可不具備中間層50。
(第10實施方式) 圖40係表示第10實施方式之遮罩20之一例之剖視圖。如圖40所示，矽層30之第1壁面32亦可包含連接於第1面301之彎曲面32b。彎曲面32b可不擴展至第2面302。例如，第1壁面32可包含連接於第1面301之彎曲面32b、及連接於第2面302之凹凸面32c。凹凸面32c包含於矽層30之厚度方向上排列之複數個凹部33。
對遮罩20之製造方法進行說明。首先，準備積層體22。繼而，實施於矽層30之第1面301上局部形成抗蝕劑層38之抗蝕劑形成步驟。
然後，與第8實施方式之情形時同樣地，藉由濕式蝕刻自第1面301側加工矽層30。藉此，如圖41所示，能形成連接於第1面301之彎曲面32b。彎曲面32b具有向外側凸起之形狀。要使濕式蝕刻於彎曲面32b到達第2面302之前結束。再者，亦可藉由各向同性乾式蝕刻自第1面301側加工矽層30。
繼而，如圖42所示，反覆實施乾式蝕刻步驟及保護膜形成步驟，直至第1開口31到達第2面302側為止。藉此，能形成彎曲面32b及連接於第2面302之凹凸面32c。
彎曲面32b亦為隨著趨向第1面301而向外側擴展之傾斜面32a。因此，能抑制於接近於彎曲面32b之第2開口41產生陰影。
(第11實施方式) 上述實施方式中示出了為了調整積層體22上所產生之翹曲而向樹脂層40中添加碳黑粒子46之例。但向樹脂層40中添加之粒子並不限於碳黑粒子46。例如，亦可向樹脂層40中添加矽化合物之粒子，以此取代碳黑粒子46，或者除了碳黑粒子46以外，進而向樹脂層40中添加矽化合物之粒子。矽化合物例如為二氧化矽。
矽化合物之粒子之直徑例如為50 nm以上，亦可為100 nm以上。矽化合物之粒子之直徑例如為200 nm以下，亦可為150 nm以下。樹脂層40之第1層40A中之矽化合物之粒子之比率例如為1%以上，亦可為2%以上，亦可為5%以上。樹脂層40之第1層40A中之矽化合物之粒子之比率例如為25%以下，亦可為20%以下，亦可為15%以下。與第1層40A之比率Ca、第2層40B之比率Cb、中間樹脂層40C之比率Cc、及第3層40D之比率Cd相關之上述關係可於使用矽化合物粒子之情形時亦成立。
(第12實施方式) 上述實施方式中示出了俯視下1個第1開口31與1個有效區域44重疊之例。本實施方式中，對1個第1開口31與2個以上有效區域44重疊之例進行說明。
例如，如圖43或圖44所示，亦可為矽層30包含1個第1開口31，且1個第1開口31與2個以上有效區域44重疊。第1開口31如圖43所示，可於俯視下具有包含複數條直線邊之輪廓。第1開口31如圖44所示，亦可於俯視下具有包含彎曲部分之輪廓。如圖44所示，第1開口31之輪廓可與矽層30之輪廓相似。
例如，如圖45或圖46所示，亦可為矽層30包含2個以上第1開口31，且1個第1開口31與2個以上有效區域44重疊。第1開口31如圖45所示，可於俯視下包圍沿著第2方向D2排列之2個以上有效區域44之行。第1開口31如圖46所示，亦可於俯視下包圍沿著第1方向D1排列之2個以上有效區域44、及沿著第2方向D2排列之2個以上有效區域44。
根據本實施方式，與上述實施方式之情形時相比，能減小俯視下之矽層30之面積。這有可能會提高遮罩20之出射面202對於基板110之密接性。
(第13實施方式) 圖47係表示具備有機器件100之裝置200之一例之圖。裝置200包含基板110及有機層130。有機層130係藉由使用遮罩20之蒸鍍法而形成之層。裝置200例如為智慧型手機。裝置200亦可為平板終端、可穿戴終端等。可穿戴終端為智慧型眼鏡、頭戴式顯示器等。
(第14實施方式) 圖48係表示第11實施方式之遮罩20之第1開口31的第1壁面32之一例之剖視圖。符號K表示於矽層30之厚度方向上相鄰之2個凹部33的頂部331之間之間隔。如圖48所示，間隔K亦可不均一。該情形時，凹部33之週期P藉由將位於一定範圍內的複數個凹部33之間隔K之值平均化而計算得出。
圖49係表示矽層30之第1面301附近之第1開口31的第1壁面32之一例之剖視圖。上述第1週期P1藉由將位於與第1面301在厚度方向上相隔距離L1之範圍內的複數個凹部33之間隔K之值平均化而計算得出。
圖50係表示矽層30之第2面302附近之第1開口31的第1壁面32之一例之剖視圖。上述第2週期P2藉由將位於與第2面302在厚度方向上相隔距離L1之範圍內的複數個凹部33之間隔K之值平均化而計算得出。
與第1實施方式之情形時同樣地，第2週期P2可小於第1週期P1。P2/P1例如為0.98以下，亦可為0.95以下，亦可為0.90以下。P2/P1例如為0.10以上，亦可為0.20以上，亦可為0.30以上。
距離L1根據矽層30之厚度T1而定。具體而言，距離L1為厚度T1之4%。例如，矽層30之厚度T1為625 μm之情形時，距離L1為25 μm。
間隔K可藉由使用掃描型電子顯微鏡觀察矽層30之剖面圖像來測定。用於觀察之樣本可藉由使用聚焦離子束裝置將矽層30切斷來獲取。矽層30要以通過俯視下之第1開口31之中心點之方式來切斷。第1開口31之中心點藉由操作聚焦離子束裝置之作業人員之目視而確定。矽層30之切斷線會因加工精度而自第1開口31之中心點偏移。允許自第1開口31之中心點偏移3 mm以下。
將第1面301附近之間隔K之測定結果、及第2面302附近之間隔K之測定結果之一例示於以下表中。針對6個第1開口31，於第1面301附近及第2面302附近分別測定間隔K。第1面301附近之間隔K之平均值相當於上述第1週期P1。第2面302附近之間隔K之平均值相當於上述第2週期P2。矽層30之厚度為625 μm。第1開口31之尺寸S2為16 mm。 [表1]
第1面附近 第2面附近
間隔K之最小值 2.06 μm 0.68 μm
間隔K之最大值 9.34 μm 4.10 μm
平均值 5.98 μm 1.96 μm
圖51係用以說明第1開口31之凹部33之間隔K變得不均一之理由之一例之圖。第1開口31係藉由上述第1加工步驟而形成。第1加工步驟中，於腔室內反覆實施自第1面301側乾式蝕刻矽層30之乾式蝕刻步驟、以及於藉由乾式蝕刻而形成之孔穴之壁面及底面形成保護膜之保護膜形成步驟。圖51之縱軸表示向腔室內供給之氣體之流量。橫軸表示時間。符號F1表示於乾式蝕刻步驟ST1中向腔室內供給之蝕刻氣體之流量。蝕刻氣體例如為SF 6氣體。符號F2表示於保護膜形成步驟ST2中向腔室內供給之原料氣體之流量。原料氣體例如為C 4F 8氣體。
於第1加工步驟中，腔室內會混合存在蝕刻氣體及原料氣體。例如，如圖51所示，剛自乾式蝕刻步驟ST1切換成保護膜形成步驟ST2時，腔室內會殘留蝕刻氣體。例如，如圖51所示，剛自保護膜形成步驟ST2切換成乾式蝕刻步驟ST1時，腔室內會殘留原料氣體。矽層30之蝕刻速度會受蝕刻氣體與原料氣體之混合比率影響。因此，當蝕刻氣體與原料氣體之混合比率因位置而有所不同時，凹部33之形狀有可能會因位置而有所差異。例如，凹部33之間隔及/或深度變得不均一。
矽層30之厚度T1越大，第1開口31之深度亦越大。因此，殘留於第1開口31內部之氣體難以排出。結果，容易發生蝕刻氣體與原料氣體之混合，從而容易導致凹部33之形狀有所差異。
圖52及圖53係用以說明第1開口31之凹部33之間隔K變得不均一之理由之一例之圖。圖52示出了藉由第1加工步驟而形成之凹部33之一例。如圖52所示，複數個頂部331中之一部分向內側尖銳地突出。此種尖銳之突出部亦稱為毛邊。第1加工步驟亦可包含將此種毛邊去除之平滑化步驟。平滑化步驟例如包含各向同性蝕刻處理。各向同性蝕刻處理例如可使用SF 6氣體來去除毛邊。
平滑化步驟亦可不僅於第1壁面32上產生了毛邊之情形時實施，於第1壁面32較為粗糙之情形時亦實施。第1壁面32之粗糙例如為線狀之起伏等。線狀之起伏有時沿著矽層30之厚度方向產生。第1壁面32較為粗糙之情形時，可想而知，於遮罩20之製造步驟之期間、遮罩20之洗淨步驟之期間等，第1壁面32之一部分會破損。平滑化步驟能減輕第1壁面32之粗糙。因此，能抑制第1壁面32之一部分破損。
圖53示出了被實施平滑化步驟後之凹部33之一例。一部分尖銳之頂部331之去除使得凹部33之頂部331之間之間隔K變得不均一。
對凹部33之頂部331之間之間隔K不均一時之若干優點進行說明。較佳為發現下述複數個優點中之至少一個。
第1優點為：能打亂附著於第1開口31之第1壁面32之蒸鍍材料7之規則性。例如，能使附著於第1壁面32之蒸鍍材料7之厚度根據位置而不規則地變化。藉由第1優點，與蒸鍍材料7規則地附著於第1壁面32之情形時相比，能抑制蒸鍍材料7於蒸鍍步驟之期間自第1壁面32剝落。
第2優點為：於遮罩20之洗淨步驟中，洗淨液容易滲入附著於第1壁面32之蒸鍍材料7之間隙內。藉由第2優點，能縮短洗淨步驟所需之時間。洗淨步驟於蒸鍍步驟之後實施。被洗淨後之遮罩20會再次用於蒸鍍步驟中。
第3優點為：一旦附著於第1開口31之第1壁面32之蒸鍍材料7蒸發而飄向基板110之情形時，蒸鍍材料7之行進方向變得不規則。藉由第3優點，能提高形成於基板110之第1面111的蒸鍍層之厚度之均一性。第1壁面32上之蒸鍍材料7之蒸發會於矽層30被加熱時發生。
亦可將上述實施方式及變化例中所揭示之複數個構成要素視需要適當組合。或者，亦可自上述實施方式及變化例所示之全部構成要素中刪除若干構成要素。 [實施例]
其次，藉由實施例對本發明之實施方式更具體地進行說明，但本發明之實施方式並不限定於以下實施例之記載，只要不超出其主旨即可。
(實施例1) 首先，準備矽晶圓作為矽層30。俯視下之矽層30之直徑為150 mm。矽層30之厚度為625 μm。
其次，於矽層30之第2面302上形成包含第1層40A及第2層40B之樹脂層40。 首先，藉由旋塗法於矽層30之第2面302上塗佈包含聚醯亞胺及碳黑粒子46之塗佈材料。繼而，焙燒所塗佈之塗佈材料。具體而言，於烘箱中以350℃之溫度加熱矽晶圓60分鐘。如此，於第2面302上形成第1層40A。第1層40A中之碳黑粒子46之比率Ca為5.0%。經過焙燒後之第1層40A之厚度為2.5 μm。 其次，藉由旋塗法於第1層40A上塗佈包含聚醯亞胺及碳黑粒子46之塗佈材料。繼而，焙燒所塗佈之塗佈材料。具體而言，於烘箱中以350℃之溫度加熱矽晶圓60分鐘。如此，於第1層40A上形成第2層40B。第2層40B中之碳黑粒子46之比率Cb為0.5%。經過焙燒後之第2層40B之厚度為0.5 μm。 如此，製成具備矽層30及樹脂層40之積層體22。
使用NIDEC股份有限公司製造之平坦度測定裝置FT-900，測定積層體22之曲率。基於積層體22之曲率，計算出積層體22之曲率半徑。又，基於曲率之測定結果，計算出樹脂層40上所產生之膜應力。膜應力為5 MPa。膜應力之符號為正意味著對樹脂層40施加了拉伸應力。測定時之環境為溫度25℃、相對濕度45%RH。
繼而，藉由第1實施方式中所記載之方法，使用積層體22製作遮罩20。具體而言，首先，如圖13所示，藉由蝕刻矽層30而形成第1開口31。俯視下之第1開口31之形狀為包含具有20 mm長度之邊之正方形。繼而，如圖19所示，藉由對樹脂層40照射雷射光而形成第2開口41。俯視下之第2開口41之形狀為包含具有4 μm長度之邊之正方形。
繼而，評價遮罩20對於基板110之密接性。具體而言，計算出在使遮罩20之樹脂層40之第4面402與基板110接觸而實施蒸鍍步驟時，第4面402與基板110之間所產生之間隙之大小。發現產生了0.21 μm之間隙。測定時之環境為溫度25℃、相對濕度45%RH。
對計算第4面402與基板110之間之間隙之方法進行說明。圖54A係表示樹脂層40與藉由蒸鍍步驟而形成於基板110上之蒸鍍層70之位置關係之剖視圖。符號θ2係蒸鍍材料7向基板110之飛來方向與基板110之面方向所成之角度。基板110之面方向上的蒸鍍源6與第2開口41之間之距離越大，角度θ2越小。
符號k1表示第4面402與基板110之間之間隙。間隙k1越大，蒸鍍材料7越容易進入第4面402與基板110之間。符號k2表示形成於較第4面402上之樹脂層40之端部402e靠外側之位置的蒸鍍層70之尺寸。端部402e確定了第4面402上之第2開口41之輪廓。間隙k1越大，蒸鍍材料7越容易進入第4面402與基板110之間，從而尺寸k2變得越大。又，角度θ2越小，蒸鍍材料7越容易進入第4面402與基板110之間，從而尺寸k2變得越大。圖54B係表示間隙k1、尺寸k2及角度θ2之關係之圖。
於間隙k1、尺寸k2及角度θ2之間，以下關係成立。 tan(θ2)＝k1/k2 基於該關係，能由尺寸k2及角度θ2計算出間隙k1。
於蒸鍍步驟中，使遮罩20與基板110一體地旋轉。該情形時，角度θ2根據遮罩20及基板110之旋轉角度而變化。遮罩20及基板110處於第1旋轉角度時，蒸鍍材料7以第1角度θ2向基板110飛來。遮罩20及基板110處於與第1旋轉角度相差180°之第2旋轉角度時，蒸鍍材料7以第2角度θ2向基板110飛來。基於尺寸k2及第1角度θ2，計算出第1間隙k1。基於尺寸k2及第2角度θ2，計算出第2間隙k1。將第1間隙k1與第2間隙k1之平均值用作實施例1中之間隙之值。
(比較例1) 與實施例1之情形時同樣地，準備矽晶圓作為矽層30。繼而，藉由旋塗法於矽層30之第2面302上塗佈包含聚醯亞胺之塗佈材料。其次，與實施例1之情形時同樣地，焙燒所塗佈之塗佈材料。如此，於矽層30上形成由聚醯亞胺構成之樹脂層40。樹脂層40不包含碳黑粒子46。經過焙燒後之樹脂層40之厚度為5.0 μm。
與實施例1之情形時同樣地，計算出具備矽層30及樹脂層40之積層體22之樹脂層40之膜應力。膜應力為-5 MPa。膜應力之符號為負意味著對樹脂層40施加了壓縮應力。
與實施例1之情形時同樣地，使用積層體22製作遮罩20。又，評價遮罩20對於基板110之密接性。遮罩20之第4面402與基板110之間之間隙之大小為0.02 μm。
(比較例2) 與實施例1之情形時同樣地，準備矽晶圓作為矽層30。繼而，藉由旋塗法於矽層30之第2面302上塗佈包含聚醯亞胺及碳黑粒子46之塗佈材料。其次，與實施例1之情形時同樣地，焙燒所塗佈之塗佈材料。如此，於矽層30上形成包含聚醯亞胺及碳黑粒子46之樹脂層40。樹脂層40中之碳黑粒子46之比率Ca為5.0%。經過焙燒後之樹脂層40之厚度為5.0 μm。
與實施例1之情形時同樣地，計算出具備矽層30及樹脂層40之積層體22之樹脂層40之膜應力。膜應力為7 MPa。
與實施例1之情形時同樣地，使用積層體22製作遮罩20。又，評價遮罩20對於基板110之密接性。遮罩20之第4面402與基板110之間之間隙之大小為2.10 μm。
將實施例1、比較例1～2之評價結果示於圖55中。根據實施例1，藉由使樹脂層40包含第1層40A及第2層40B，既能使樹脂層40上產生拉伸應力，又能抑制基板110與第4面402之間產生間隙。
(實施例2～7) 與實施例1之情形時同樣地，準備矽晶圓作為矽層30。繼而，與實施例1之情形時同樣地，於矽層30之第2面302上形成包含第1層40A及第2層40B之樹脂層40。將實施例2～7之第1層40A及第2層40B中之碳黑粒子46之比率Ca及Cb、以及厚度Ta及Tb示於圖55中。
與實施例1之情形時同樣地，計算出具備矽層30及樹脂層40之積層體22之樹脂層40之膜應力。將實施例2～7之樹脂層40之膜應力示於圖55中。根據實施例2～7，藉由使樹脂層40包含第1層40A及第2層40B，能使樹脂層40上產生拉伸應力。由於實施例2～7之樹脂層40之第2層40B不包含碳黑粒子46，因此待遮罩20對於基板110之密接性有望良好。
5:磁鐵 6:蒸鍍源 7:蒸鍍材料 8:加熱器 10:蒸鍍裝置 20:遮罩 22:積層體 30:矽層 31:第1開口 32:第1壁面 32a:傾斜面 32b:彎曲面 32c:凹凸面 33:凹部 34:保護膜 35:外側區域 36:內側區域 37:薄壁部 38:抗蝕劑層 38a:第1抗蝕劑層 38b:第2抗蝕劑層 39:對準標記 40:樹脂層 40A:第1層 40B:第2層 40C:中間樹脂層 40D:第3層 41:第2開口 42:第2壁面 42a:傾斜面 44:有效區域 45:樹脂材料 46:碳黑粒子 47:粒子群 50:中間層 51:第1中間層 52:第1中間壁面 61:應力調整層 100:有機器件 110:基板 111:第1面 112:第2面 115:元件 115A:第1元件 115B:第2元件 120:第1電極 130:有機層 130A:第1有機層 130B:第2有機層 140:第2電極 160:絕緣層 200:裝置 201:入射面 202:出射面 301:第1面 302:第2面 303:矽層之外緣 311:第1孔穴 311a:第1壁面 311b:第1底面 312:第2孔穴 312a:第2壁面 312b:第2底面 331:頂部 332:底部 381:抗蝕劑開口 401:第3面 402:第4面 402e:樹脂層之端部 Ca:比率 Cb:比率 Cc:比率 Cd:比率 D1:第1方向 D2:第2方向 F:拉伸應力 H:深度 H1:第1深度 H2:第2深度 K:間隔 k1:間隙 k2:尺寸 L:雷射光 P:週期 P1:第1週期 P2:第2週期 S1:尺寸 S2:尺寸 S3:間隔 S4:尺寸 S5:間隔 S6:間隔 S7:寬度 S8:寬度 T0:厚度 T1:厚度 T2:厚度 T3:厚度 Ta:厚度 Tb:厚度 Tc:厚度 Td:厚度 θ1:角度 θ2:角度
圖1係表示有機器件之一例之俯視圖。 圖2係表示具備遮罩之蒸鍍裝置之一例之圖。 圖3A係表示自入射面側觀察時之遮罩之一例之俯視圖。 圖3B係表示自入射面側觀察時之遮罩之一變化例之俯視圖。 圖3C係表示自入射面側觀察時之遮罩之一變化例之俯視圖。 圖4係表示自出射面側觀察時之遮罩之一例之俯視圖。 圖5A係圖3A之遮罩之沿著V-V線之剖視圖。 圖5B係表示有效區域之一例之剖視圖。 圖6係將矽層之第1壁面放大表示之剖視圖。 圖7係將圖5A中標有符號VII且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。 圖8係將圖5A中標有符號VIII且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。 圖9係表示積層體之製造方法之一例之剖視圖。 圖10A係表示積層體之層構成之一例之剖視圖。 圖10B係表示積層體之層構成之另一例之剖視圖。 圖11係表示積層體上所產生之翹曲之一例之剖視圖。 圖12係表示第1實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖13係表示第1實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖14係表示於矽層形成第1開口之方法之一例之剖視圖。 圖15係表示於矽層形成第1開口之方法之一例之剖視圖。 圖16係表示於矽層形成第1開口之方法之一例之剖視圖。 圖17係表示於矽層形成第1開口之方法之一例之剖視圖。 圖18係表示第1實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖19係表示第1實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖20係表示第2實施方式之積層體之剖視圖。 圖21係表示第2實施方式之遮罩之樹脂層之剖視圖。 圖22係表示第3實施方式之積層體之剖視圖。 圖23係表示第3實施方式之遮罩之樹脂層之剖視圖。 圖24A係表示第4實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖24B係將圖24A中標有符號XXIVB且以單點鏈線圈起之部分放大表示之剖視圖。 圖25係表示用以製造第4實施方式之遮罩的積層體之一例之剖視圖。 圖26係表示第4實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖27係表示第4實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖28係表示第4實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖29係表示第4實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖30係表示第5實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖31係表示第6實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖32係表示第6實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖33係表示第6實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖34係表示第6實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖35係表示第6實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖36係表示第7實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖37係表示第8實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖38係表示第8實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖39係表示第9實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖40係表示第10實施方式之遮罩之一例之剖視圖。 圖41係表示第10實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖42係表示第10實施方式之遮罩之製造方法的一例之剖視圖。 圖43係表示第12實施方式之遮罩之一例之俯視圖。 圖44係表示第12實施方式之遮罩之一例之俯視圖。 圖45係表示第12實施方式之遮罩之一例之俯視圖。 圖46係表示第12實施方式之遮罩之一例之俯視圖。 圖47係表示具備有機器件之裝置之一例之圖。 圖48係表示第14實施方式之第1開口之一例之剖視圖。 圖49係表示第1層之第1面附近的第1開口之一例之剖視圖。 圖50係表示第1層之第2面附近的第1開口之一例之剖視圖。 圖51係用以說明凹部之間隔變得不均一之理由之一例之圖。 圖52係用以說明凹部之間隔變得不均一之理由之一例之圖。 圖53係用以說明凹部之間隔變得不均一之理由之一例之圖。 圖54A係表示樹脂層與蒸鍍層之位置關係之剖視圖。 圖54B係表示遮罩與基板之間之間隙與蒸鍍材料之飛來角度之關係之圖。 圖55係表示實施例1～7及比較例1～2中之評價結果之圖。
40:樹脂層
40A:第1層
40B:第2層
41:第2開口
42:第2壁面
42a:傾斜面
401:第3面
402:第4面
S8:寬度
T0:厚度
Ta:厚度
Tb:厚度
θ1:角度

Claims (20)

  1. 一種遮罩，其具備： 矽層，其包含第1面、位於上述第1面之相反側之第2面、自上述第1面向上述第2面貫通之至少1個第1開口、及面對上述第1開口之第1壁面；以及 樹脂層，其包含與上述第2面對向之第3面、位於上述第3面之相反側之第4面、及自上述第3面向上述第4面貫通且俯視下與上述第1開口重疊之複數個第2開口； 上述樹脂層具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於上述第1層位於上述第4面側之第2層， 上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  2. 如請求項1之遮罩，其中上述樹脂材料包含聚醯亞胺。
  3. 如請求項1之遮罩，其中上述第2層之厚度為上述第1層之厚度以下。
  4. 如請求項1之遮罩，其中上述第2層不包含碳黑粒子及矽化合物粒子。
  5. 如請求項1至4中任一項之遮罩，其中上述樹脂層具備中間樹脂層，上述中間樹脂層位於上述第1層與上述第2層之間，包含樹脂材料及碳黑粒子；且 上述中間樹脂層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率，且高於上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  6. 如請求項1至4中任一項之遮罩，其中上述樹脂層具備相對於上述第1層位於上述第3面側之第3層，且 上述第3層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  7. 如請求項1至4中任一項之遮罩，其具備位於上述第2面與上述第3面之間之第1中間層。
  8. 如請求項1至4中任一項之遮罩，其中上述第1壁面包含於上述矽層之厚度方向上排列之複數個凹部。
  9. 如請求項1至4中任一項之遮罩，其中上述第1壁面包含隨著趨向上述第1面而向外側擴展之傾斜面。
  10. 一種積層體，其用以製造遮罩，且具備： 矽層，其包含第1面、及位於上述第1面之相反側之第2面；以及 樹脂層，其包含與上述第2面對向之第3面、及位於上述第3面之相反側之第4面； 上述樹脂層具備包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子之第1層、以及相對於上述第1層位於上述第4面側之第2層， 上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  11. 如請求項10之積層體，其中上述積層體以上述樹脂層向上述矽層凸起之方式翹曲。
  12. 如請求項11之積層體，其中上述積層體之上述樹脂層被施加在上述樹脂層之面方向上拉伸上述樹脂層之方向之拉伸應力。
  13. 如請求項10之積層體，其中上述樹脂材料包含聚醯亞胺。
  14. 如請求項10之積層體，其中上述第2層之厚度為上述第1層之厚度以下。
  15. 如請求項10之積層體，其中上述第2層不包含碳黑粒子及矽化合物粒子。
  16. 如請求項10至15中任一項之積層體，其中上述樹脂層具備中間樹脂層，上述中間樹脂層位於上述第1層與上述第2層之間，包含樹脂材料及碳黑粒子或矽化合物粒子；且 上述中間樹脂層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率，且高於上述第2層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  17. 如請求項10至15中任一項之積層體，其中上述樹脂層具備相對於上述第1層位於上述第3面側之第3層，且 上述第3層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率低於上述第1層中之碳黑粒子或矽化合物粒子之比率。
  18. 如請求項10至15中任一項之積層體，其具備位於上述第2面與上述第3面之間之第1中間層。
  19. 一種遮罩之製造方法，其包含： 準備如請求項10至15中任一項之積層體之步驟； 於上述第1面上局部形成抗蝕劑層之步驟； 第1加工步驟，即，藉由自上述第1面側蝕刻上述矽層，而於上述矽層形成第1開口；及 第2加工步驟，即，於上述樹脂層形成複數個第2開口。
  20. 一種有機器件之製造方法，其包含藉由使用如請求項1至4中任一項之遮罩之蒸鍍法而於基板上形成有機層之步驟。
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