TW202424639A - 微影設備中使用之薄膜及形成薄膜的方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種在一微影設備中使用之薄膜，該薄膜包括：一隔膜，該隔膜具有一第一部分及一第二部分；及一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處。本發明揭示一種用於形成一微影設備中使用之一薄膜的方法，該方法包括：提供一隔膜，該隔膜具有一第一部分及一第二部分；及在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分。

Description

微影設備中使用之薄膜及形成薄膜的方法

本說明書係關於一種在一微影設備中使用之薄膜及用於形成此類薄膜的相關聯方法。本說明書亦係關於一種微影設備，其包含安置在(用於在一基板上形成一影像之)該微影設備之一輻射光束之一路徑中之一薄膜。

微影設備係經構造以將所要圖案施加至基板上之一機器。舉例而言，微影設備可用於積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影設備可將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為在基板上投影圖案，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可在基板上形成的特徵的最小大小。較之使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，可使用使用極紫外線(EUV)輻射(具有在4 nm至20 nm範圍內之波長，例如6.7 nm或13.5 nm)的微影設備來在基板上形成較小特徵。

使用圖案化裝置(例如，遮罩)來在微影設備中將圖案賦予至輻射光束。圖案化裝置可藉由薄膜來保護免受粒子污染。薄膜可由薄膜框架支撐。

典型的薄膜為經定位遠離圖案化裝置且位於使用中之微影設備之焦平面之外的隔膜。因為薄膜在微影設備之焦平面之外，所以落在薄膜上之污染物粒子在微影設備中係離焦的。因此，污染物粒子之影像未投影至基板上。若不存在薄膜，則落在圖案化裝置上之污染物粒子可經投影至基板上且可將缺陷引入至投影圖案中。

可期望提供一種設備及/或方法，該設備及/或方法消除或減輕與先前技術相關聯的一或多個問題。

根據第一態樣，提供了一種微影設備中使用之薄膜，該薄膜包含：一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分；及一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處。舉例而言，一微影設備中使用之該薄膜係包含以下各項之一薄膜：包含碳奈米管之一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分；及一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處，其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受蝕刻之一材料。

該隔膜可例如包含一層，該層在該第一部分及該第二部分兩者中具有相同類型之碳奈米管，且其中覆蓋該隔膜之該第二部分之該保護部分之該材料對於至少某一分率的由該第一部分接收之EUV成像輻射係透明的。

優點為可增加該薄膜之使用壽命而不影響該微影設備之效能。

該保護部分可僅位於該第二部分處或該第二部分上。該保護部分可不位於該第一部分處或在該第一部分上。該保護部分位於該第一部分處或該第一部分上的程度可小於位於該第二部分處或該第二部分上。保護部分可直接位於隔膜上、與隔膜接觸及/或由隔膜支撐。保護部分可為例如足夠厚從而以化學方式保護第二部分免受(例如，電漿)蝕刻環境影響之層，同時其仍然足夠薄使得第二部分保持實質上可透射EUV輻射。保護部分可為與隔膜直接接觸沉積之材料層，或其可較厚，此係因為在隔膜製造程序中其經蝕刻掉的程度小於第一部分。換言之，若第一部分及第二部分相同，則第一部分與第二部分之間的差異在於隔膜之第二部分比第一部分厚。替代地，保護部分之材料可不同於隔膜之第二部分及/或整個隔膜之材料。保護部分之材料在下文中通常被稱為「罩蓋材料」。舉例而言，若隔膜芯由某些特性(尺寸等)之碳奈米管製成，則形成保護部分之罩蓋材料可包含不同的材料，或具有不同於隔膜之特性的碳奈米管。然而，其亦可具有與隔膜(芯)相同的碳奈米管組成，只要第二部分比第一部分厚(其中保護部分為厚度等於第一部分與第二部分之間的厚度差之碳奈米管層)。

替代地，保護部分可為與隔膜分離(例如，藉由間隙)之獨立元件。獨立元件可為例如板、剛性隔膜或突出狀元件。在此狀況下，保護部分仍可被認為毗鄰於隔膜之至少一側/位於隔膜之至少一側上。

隔膜之至少一側可為隔膜之前側。亦即，EUV輻射(EUV輻射光束B)自輻射源SO及/或照明系統入射之側。該前側可與後側(第二側) (亦即，在使用中面向圖案化裝置之側)相對。該前側可與附接至一薄膜框架之側相對。

在使用中，該第二部分可不接收EUV成像輻射或可僅接收某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射。然而，為了清楚起見，該第二部分可透射EUV成像輻射，使得在該第二部分在使用中將接收EUV成像輻射或某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射之狀況下，則接收到之EUV輻射之至少一部分透射穿過該隔膜。

該第二部分可為一未曝光區域，例如在曝光期間蝕刻得更快之區域。第二未曝光區域之此較高蝕刻率可歸因於在碳基膜具有較高蝕刻率之情況下處於比經曝光區域更低之溫度。

該第一部分可實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。

該第一部分可與該圖案化裝置之該預定曝光區域之大小實質上相同。

該第二部分可位於該隔膜之一周邊處。

該薄膜可包含在該隔膜之該周邊處之一邊界，其中該第二部分可與該邊界重合。然而，應理解，該邊界通常並非該第二部分之一部分，且該邊界在本文中亦不被視為一保護區域。該邊界通常不透射EUV輻射，且其功能僅係支撐該周邊處之該隔膜，防止與框架接觸時彎曲或斷裂。僅在特殊狀況下，當該邊界如此薄以便於透射至少10%之EUV輻射且可用曝光輻射照明時，則該邊界可被視為一保護區域。舉例而言，該薄膜包含在該隔膜之該周邊處之一邊界，其中該第二部分在大小上與該邊界重合，且該邊界設置在該隔膜之與該保護部分相對的一側上。

該保護部分可包含適合於保薄該隔膜之該第二部分免受氫蝕刻的材料。

該保護部分可位於以下中之至少一者上：該隔膜之一第一側及一相對第二側；及該隔膜之一邊緣。

該保護部分可僅位於該隔膜之一側(例如，該隔膜之一前側)上。

該隔膜之該第一側可為該隔膜之一前側。該隔膜之該第二側可為該隔膜之一後側。

該保護部分可包含覆蓋該第二部分之一材料(亦被稱為一罩蓋材料)。

該罩蓋材料可包含以下中之至少一者：碳奈米管、石墨烯、非晶碳、(低熔點金屬)、鉬(Mo)、釔(Y)、氧化釔(Y _aO _b)、氧化鋁(Al ₂O ₃) (AlO ₂)、氧化鉿(HfO ₂)、氧化鋯(ZrO ₂)、釕(Ru)、鉑(Pt)、金(Au)、氮化鋯(ZrN)、鋁(Al)、鋯(Zr)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽(SiO _a)、硼(B)、碳化硼(B ₄C)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)及氮化鈦(TiN)。

該隔膜可包含該保護部分，且該保護部分可包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。

該薄膜可包含一薄膜框架，且該保護部分包含一護罩，其中該護罩可由該薄膜框架支撐。

該護罩可藉由一間隙與該隔膜分離，較佳地其中該間隙小於1000 μm或小於2000 μm。

該護罩可為以下中之至少一者：對於加熱器輻射係實質上透明的、對於IR輻射係實質上透明的、對於DUV輻射係實質上透明的，及在電漿中係惰性的。

該護罩可包含以下中之至少一者：氧化鋁(Al ₂O ₃)、藍寶石、氧化鋁(Al ₂O ₃)鍍膜玻璃，及藍寶石鍍膜玻璃。

該保護部分可包含複數個護罩，位於該隔膜之一第一側上之一第一護罩，位於該隔膜之一相對第二側上之一第二護罩。

該第一部分可實質上對應於大於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之該預定曝光區域的一延伸區域。

該延伸區域可自該圖案化裝置之該預定曝光區域向外延伸至一預定距離。

該延伸區域可自該圖案化裝置之該預定曝光區域向外延伸1000 μm、1000至2000 μm之範圍內及1000至4000 μm之範圍內中之至少一者。

該第二部分可相對於一薄膜框架之一內邊緣及/或該隔膜之該周邊處之一邊界向內延伸至一預定距離。

該第二部分可相對於該薄膜框架之該內邊緣及/或該邊界向內延伸：至少1300 μm、至少1500 μm、至少2300 μm、在1300 μm至2300 μm之範圍內。

該隔膜可包含一碳基材料，諸如碳奈米管。

根據第二態樣，提供了一種微影設備，其可操作以使用一輻射光束在一基板上形成一圖案化裝置之一影像，該微影設備包含安置在該輻射光束之一路徑中之一薄膜，該薄膜係如上文所描述。

根據第三態樣，提供了一種用於形成微影設備中使用之一薄膜的方法，該方法包含：提供包含一第一部分及一第二部分之一隔膜，在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分。舉例而言，用於形成一微影設備中使用之一薄膜的方法包含：提供包含碳奈米管之一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分，在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分，其中該保護部分包含適合於保護該薄隔膜之該第二部分免受蝕刻之一材料。

該方法可進一步包含使用一加成法或一減除法來提供該保護部分。

該方法可進一步包含使用一加成法來提供該保護部分，其中該保護部分可包含一罩蓋材料；將該罩蓋材料沉積在該第二部分上方以覆蓋該第二部分。

該方法可進一步包含使用一遮蔽元件來遮蔽該第一部分。

該遮蔽元件可實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。

該方法可進一步包含使用以下中之至少一者來沉積該罩蓋材料：熱蒸發、電子束蒸發、電子束沉積、脈衝雷射沉積、原子層沉積及遠程電漿濺射。

該方法可進一步包含使用一減除法來提供該保護部分，其中該保護部分可包含一罩蓋材料；將該罩蓋材料施加在該第一部分及該第二部分上方，及自該第一部分移除該罩蓋材料。

該方法可進一步包含使用以下中之至少一者來將該罩蓋材料自該第一部分移除：雷射退火、雷射燒蝕、反應性離子蝕刻及剝離。

該罩蓋材料可為藉由EUV輻射解吸之揮發性或熱不穩定材料。

該方法可進一步包含使用一減除法來提供該保護部分，包括提供具有一定厚度之該隔膜，及部分地移除該第一部分以減小該第一部分之厚度，其中該隔膜可包含該保護部分且該保護部分可包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。

該方法可進一步包含在氫電漿中蝕刻該第一部分。

該方法可進一步包含在以下中之至少一者上提供該保護部分：該隔膜之一第一側及一相對第二側；及該隔膜之一邊緣。

該方法可進一步包含提供該第一部分以實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。

該方法可進一步包含在該薄膜之製作、一圖案化裝置之製作及一基板之製作中之至少之一者期間提供該保護部分。

該方法可進一步包含提供一薄膜框架，其中該保護部分可包含一護罩且該薄膜框架可支撐該護罩。

該方法可進一步包含藉由一間隙將該護罩與該隔膜分離。

該方法可進一步包含提供複數個護罩，位於該隔膜之一第一側上之一第一護罩，及位於該隔膜之一相對第二側上之一第二護罩。

該方法可進一步包含提供該第一部分以實質上對應於大於與該薄膜一起使用的一圖案化裝置之該預定曝光區域的一延伸區域。

圖1展示包括薄膜15之微影系統。微影系統包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B並將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)的支撐結構MT、投影系統PS以及經組態以支撐基板W的基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B射入於由支撐結構MT保持之圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。此外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起提供具有所要剖面形狀及所要強度分佈的EUV輻射光束B。照明系統IL可包括除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11之外或替代其的其他鏡面或裝置。圖案化裝置MA由薄膜15保護。薄膜15包括由薄膜框架17固定就位之隔膜19。隔膜19及薄膜框架17一起形成薄膜15。

在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA交互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含複數個鏡面13、14，該等鏡面經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上，該基板W由基板台WT保持。投影系統PS可將縮減因子應用至經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵的特徵之影像。舉例而言，可應用4或8的縮減因子。儘管投影系統PS在圖1中經說明為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。

基板W可包括預先形成之圖案。在狀況如此之情況下，微影設備LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成在基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，壓力遠低於大氣壓力之少量氣體(例如，氫氣)。

圖1中所展示之輻射源SO為例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO ₂雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沉積至燃料中，諸如錫(Sn)，其由例如燃料發射器3提供。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合之燃料。燃料例如可呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以將例如呈液滴形式之錫沿著軌跡引導朝向電漿形成區域4。雷射光束2入射在電漿形成區域4處之錫上。雷射能量沉積至錫中在電漿形成區域4處產生錫電漿7。在電子與電漿之離子去激發及重新組合期間，自電漿7發射輻射，包括EUV輻射。

來自電漿之EUV輻射由收集器5收集及聚焦。收集器5包含例如近正入射輻射收集器5(有時較一般地稱作正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EUV輻射)的多層鏡面結構。收集器5可具有橢圓體組態，具有兩個焦點。如下文所論述，焦點中之第一者可處於電漿形成區域4處，且焦點中之第二者可處於中間焦點6處。

雷射系統1可與輻射源SO在空間上分離。在狀況如此之情況下，雷射光束2可在光束遞送系統(未展示)的輔助下自雷射系統1傳遞至輻射源SO，該光束遞送系統包含例如適合之定向鏡面及/或光束擴展器，及/或其他光學器件。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可一起認為係輻射系統。

收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦在中間焦點6處以在存在於電漿形成區域4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當照明系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或在其附近。

儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何適合之源可用以產生EUV輻射。

如上文簡要描述，薄膜15包括毗鄰於圖案化裝置MA設置之隔膜19。隔膜19經設置在輻射光束B之路徑中，使得輻射光束B既在其自照明系統IL接近圖案化裝置MA時又在其由圖案化裝置MA朝向投影系統PS反射時穿過隔膜19。隔膜(或薄膜) 19對於EUV輻射係實質上透明的(儘管其將吸收少量之EUV輻射)。EUV透明隔膜或對於EUV輻射係實質上透明的膜在本文中意謂隔膜19透射至少65%之EUV輻射、較佳地至少80%且更佳地至少90%之EUV輻射。隔膜19用以保護圖案化裝置MA免受粒子污染。隔膜19在本文中可被稱為EUV透明隔膜。

雖然可努力維持微影設備LA內部之清潔環境，但粒子可仍然存在於微影設備LA內部。在不存在隔膜19的情況下，粒子可沉積至圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA上之粒子可不利地影響賦予至輻射光束B之圖案並因此影響轉印至基板W之圖案。隔膜19在圖案化裝置MA與微影設備LA中之環境之間提供障壁以便防止粒子沉積於圖案化裝置MA上。

在使用中，隔膜19定位於距圖案化裝置MA一定距離處，該距離足以使得入射於隔膜19之表面上之任何粒子不在輻射光束B之焦平面中。隔膜19與圖案化裝置MA之間的此間隔用於減小隔膜19之表面上之任何粒子賦予圖案至輻射光束B的程度。應瞭解，在粒子存在於輻射光束B中但處於不在輻射光束B之焦平面中之位置處(亦即，不在圖案化裝置MA之表面處)的情況下，則該粒子之任何影像將在基板W之表面處不聚焦。在不存在其他注意因素之情況下，可期望將隔膜19定位為遠離圖案化裝置MA相當大距離。然而，實際上，微影設備LA中可用於容納薄膜15之空間歸因於其他組件之存在而受限。在一些實施例中，隔膜19與圖案化裝置MA之間的間隔可例如大約在1 mm與10 mm之間，例如在1 mm與5 mm之間，例如在2 mm與3 mm之間(例如，大約2.5 mm)，例如在2 mm與2.5 mm之間。在一些實施例中，隔膜19與圖案化裝置MA之間的間隔可為可調整的。

薄膜15可包含邊界部分。薄膜15之邊界部分可為中空的且為大體上矩形的，且隔膜19可由邊界部分定界。如此項技術中已知，一種類型之薄膜可藉由將一或多個薄材料層沉積於大體上矩形矽基板上來形成。在薄膜構造的此階段期間，矽基板支撐一或多個薄層。一旦已施加所要或目標厚度及組合物的層，藉由蝕刻移除矽基板之中心部分(此可被稱作回蝕刻)。矩形矽基板之周邊部分未經蝕刻(或替代地經蝕刻至小於中心部分的程度)。此周邊部分形成最終薄膜之邊界部分，而一或多個薄層形成薄膜之隔膜(其由邊界部分環繞)。薄膜之邊界部分可由矽形成。

本揭示內容之一些實施例係關於一種新類型的表膜及形成此表膜之方法。

薄膜15 (例如，包含邊界)可需要來自較剛性薄膜框架17的某一支撐。薄膜框架17可提供兩種功能。首先，薄膜框架17可支撐並張緊隔膜19。其次，薄膜框架17可促進薄膜15與圖案化裝置(倍縮光罩或光罩)MA之連接。在一個已知配置中，薄膜框架17可包含經膠合至薄膜15之邊界部分的主要、大體上矩形之主體部分以及經膠合至此主體之側的鈦附接機構。中間固定構件(被稱作螺柱)黏附至圖案化裝置(倍縮光罩) MA。圖案化裝置(倍縮光罩) MA上之中間固定構件(螺柱)可與薄膜框架17之附接構件接合(例如可釋放地接合)。

圖2為圖1中所展示之薄膜15及圖案化裝置MA的更詳細剖面圖。薄膜15包含薄膜框架17 (下文中被稱為框架)及隔膜19。儘管圖1中未展示，但薄膜15包含薄膜邊界20。邊界20可視情況與隔膜19成整體、包含在該隔膜中或與該隔膜實體分離。邊界20可比隔膜19之主要部分顯著較厚，且可位於隔膜19之外周界(周邊)周圍。正是此邊界20附接至框架17。框架17經由邊界20支撐隔膜19之周界部分周圍的薄膜15。邊界20可膠合至框架17或可以另一方式附接。在實施例中，隔膜19及邊界20一起(亦即，同時)製作。在一些實施例中，邊界20可與框架17整合。應瞭解，在其他實施例中，薄膜15可不包含邊界，亦即隔膜19可直接形成在框架17上。

框架17可包括接合機構22，該接合機構經組態以允許框架17可拆卸地附接至圖案化裝置MA (亦即，允許框架17能夠附接至圖案化裝置MA且能夠自圖案化裝置MA拆卸)。接合機構22經組態以與設置於圖案化裝置MA上之附接構件24接合。舉例而言，附接構件24可係突出或自圖案化裝置MA延伸之螺柱。接合機構22可例如包含鎖定構件(未展示)，該鎖定構件與附接構件24接合並將框架17固定至圖案化裝置MA。

可提供複數個接合機構22及相關聯附接構件24。接合機構22可分佈在框架17周圍。相關聯的附接構件可分佈在圖案化裝置MA之周界周圍。

圖案化裝置MA具有圖案化表面25。示意性地展示污染物粒子26。污染物粒子26入射在隔膜19上並由隔膜19保持。隔膜19將污染物粒子26保持得距遮罩MA之圖案化表面21足夠遠，以使得其不會被微影設備LA成像至基板上。薄膜15可允許提供遮罩圖案(在圖案化裝置MA上)，該遮罩圖案受到薄膜15的保護而免受污染，使得使用遮罩產生之圖案在使用期間保持實質上無缺陷。

薄膜15可藉由將隔膜19直接沉積在欲提供邊界20之基板之頂部上來構造。在沉積薄膜15之隔膜19之後，可選擇性地回蝕刻基板以移除基板之中心部分並僅留下外周界以形成支撐隔膜19之邊界20。替代地，可沉積用於邊界20的材料。此可較佳，因為其避免了選擇性移除的挑戰及壓力。

薄膜15可適合於在EUV微影設備LA內毗鄰於倍縮光罩MA使用。在使用中，此類(反射性) MA被例如來自照明系統IL之EUV輻射照明。應瞭解，倍縮光罩MA經組態以為自照明系統IL接收之輻射光束在其剖面圖中賦予圖案，以形成經圖案化輻射光束。投影系統收集(反射的)圖案化輻射光束並在基板(例如抗蝕劑塗佈矽晶圓)上形成倍縮光罩MA之(繞射限制)影像。一般而言，倍縮光罩MA上之任何污染物將變更形成在基板上之影像，從而導致印刷錯誤。

為了避免倍縮光罩MA之粒子污染，使用薄膜15來保護倍縮光罩MA。如所描述，薄膜15安置在倍縮光罩MA之前端並防止粒子26落在倍縮光罩MA上。薄膜15之隔膜19經安置為使得其不會由投影系統清晰地成像，且因此隔膜19上之粒子不會干擾成像程序。期望隔膜19足夠堅固使得其阻止粒子26入射於倍縮光罩MA上(該入射會導致不可接受的印刷錯誤)，但應儘可能薄以減少隔膜19對EUV輻射的吸收。

薄膜15包含保護部分28。在此實施例中，保護部分28設置在隔膜19之周邊處及該隔膜之第一側30A上。第一側30A可被認為係前側。亦即，EUV輻射(EUV輻射光束B)自輻射源SO及/或照明系統IL入射之側。第一側30A與隔膜19在使用中面向圖案化裝置MA之側相對。第一側30A與附接至薄膜框架17之隔膜19之側相對。邊界20設置在隔膜19之周邊處及該隔膜之第二側30B上。第二側30B可被認為係後側。在使用中，第二側30B面向圖案化裝置MA。第二側30B附接至薄膜框架17 (亦即，經由邊界20)。在其他實施例中，保護部分可替代地或另外地設置在隔膜之後側上。舉例而言，隔膜之兩側(前[第一]側及後[第二]側)可在其表面之一部分上具有保護部分。此外，替代地或另外地，保護部分可設置在隔膜之邊緣30C (亦即，在z方向上延伸之邊緣)上。另外，在實施例(例如，具有CNT隔膜)中，保護部分可為保形的(亦即，塗佈在CNT管周圍)或間隙的(亦即，隔膜中之內部空間)。一般而言，保護部分可設置在隔膜之可需要保護(例如，免受蝕刻)之任何部分上。在實施例中，隔膜之前側上之保護部分可覆蓋與隔膜之後側上之保護部分不同的區。隔膜之後側上之保護部分亦可覆蓋邊界。

圖案化裝置MA包含曝光區域32及非曝光區域34 (如由虛線35所展示地定界)。亦即，在成像期間，曝光區域32將接收EUV輻射，而非曝光區域34將不接收EUV輻射。曝光區域32具有形成圖案化表面25之至少一部分的區(在xy平面中)。曝光區域32可基於所選擇或所要之特定場大小來預定。曝光區域32可為所選擇遮罩曝光場。曝光區域32可被稱為遮罩成像場。曝光區域32可為連續的，亦即，為單個區。曝光區域32可包括具有用於切口或度量衡的間隔的複數個晶粒(未示出)或單個晶粒。晶粒可為叢集的。若認為存在用於分開之晶粒之曝光區域，則曝光區域可為連續的。

隔膜19包含第一部分36及第二部分38 (如由虛線39所展示地定界)。第一部分36具有第一區且第二部分38具有第二區(亦即，在xy平面中)。在實施例中，第一部分36對應於圖案化裝置MA之預定曝光區域32。亦即，第一部分36與曝光區域32之大小實質上相同(亦即，具有相同面積)。因此，類似地，第二部分38向內(在x方向上朝向中心)延伸至與非曝光區域34相同的程度。應瞭解，非曝光區域34可比第二部分38進一步向外延伸(在x方向上遠離中心)，此係因為圖案化裝置MA在x方向上可比隔膜19更大。

應瞭解，第一部分36亦可被認為係經曝光區域，且第二部分38亦可被認為係未曝光區域，此係因為在成像期間僅第一部分將接收EUV輻射。然而，在一些實施例中，第一部分36與第二部分38之間的區別可涉及入射於其上之EUV成像輻射之量。舉例而言，第一部分36可接收全部(100%)的最大EUV功率密度，而第二部分38可僅接收某一分率(例如50%)的最大EUV功率密度。一般而言，第二部分38在使用中可接收EUV成像輻射，但可僅接收某一分率的EUV成像輻射(當與由第一部分36接收之量相比時)。

如所展示，保護部分28位於隔膜19之一側(亦即，隔膜19之前側)上之第二部分38處。保護部分28不在第一部分36處。換言之，保護部分28僅位於第二部分38上，而不位於第一部分36上。保護部分28覆蓋第二部分38且不覆蓋第一部分36。可認為保護部分28僅部分地覆蓋隔膜19。此外，保護部分28僅覆蓋非成像區(亦即，第二部分38之區)。

圖3為圖2中所展示之薄膜15的平面(前側)視圖。為了清楚起見，不包括框架17及圖案化裝置MA。隔膜19之第一部分36實質上在隔膜19之中心中形成矩形形狀。第二部分38在圖2中位於保護部分28下方，因此在此視圖中無法看到。然而，應瞭解，第二部分38在各側(相對於xy平面)環繞第一部分36。保護部分28經展示為覆蓋第二部分38 (亦即，覆蓋相同面積)。應瞭解，此僅為實例，且可提供第一部分、第二部分及/或保護部分之其他大小及/或形狀。

如現在所論述，圖2及圖3中所展示之薄膜15係特別有利的。

一種用作EUV微影設備中之薄膜隔膜的特別優勢碳基材料係由碳奈米管(CNT)形成之織物或隔膜。此CNT薄膜係多孔材料，且因此可提供極其高的EUV透射率(＞98%)。此外，CNT薄膜亦提供極其好之機械穩定性，且因此可以較小厚度製作，同時保持抗機械故障之穩健性。然而，低壓氫氣通常提供在微影設備內，該低壓氫氣在EUV輻射存在的情況下(在曝光期間)形成氫電漿。電漿具體地存在於微影設備LA中以移除在真空中沉積至鏡面表面上之碳。然而，此可導致CNT隔膜本身被蝕刻。已發現來自氫電漿之氫離子及氫自由基可蝕刻由CNT形成之薄膜，從而限制薄膜之可能使用壽命並阻擋CNT薄膜之商業實施。

為了減輕對CNT薄膜之此蝕刻，先前已提出為此類CNT薄膜提供保護罩蓋層(塗層)。然而，期望最小化薄膜對EUV輻射的吸收，且包括罩蓋層將增加EUV透射損耗。另外，CNT隔膜上之塗層對溫度敏感且不會在高源功率微影設備LA中保存(至少在所要時間量內)。此外，碳之折射率與適合之罩蓋層之折射率之間的差通常大於碳之折射率與真空之折射率之間的差。因此，此類罩蓋層將導致EUV閃焰(散射光)增加，此為非所要的，因為其降低影像品質。對於CNT薄膜或任何基於碳之薄膜，微影設備LA中之氫電漿最終將限制使用壽命。

在以下兩個刊行論文中定量描述氫離子與碳材料之相互作用，該兩個刊行論文之內容特此以引用的方式併入本文中：(1) J.洛特(Roth)、C.加西亞-羅沙勒斯(C. García-Rosales)，「Analytic description of the chemical erosion of graphite by hydrogen ions」，《核聚變(Nucl. Fusion)》1996, 36/12, 1647 - 1659；及(2) J.洛特、C.加西亞-羅沙勒斯，「Corrigendum - Analytic description of the chemical erosion of graphite by hydrogen ions」，《核聚變》1997, 37, 897。對氫離子與碳材料之相互作用的此定量描述可被稱為洛特-加西亞-羅沙勒斯(RGR)模型。RGR模型可用於預測針對微影設備內遇到之典型氫離子能量(諸如例如，離子能量形成1至30 eV)的碳材料之蝕刻良率與溫度的函數關係。在EUV微影設備內，入射在薄膜上之典型氫離子通量可為大約1 · 1019 m-2 · s-1。在EUV微影設備內，入射在薄膜上之典型氫離子通量可在多個數量級1 · 1019 m-2 · s-1 (例如自1018 m-2 · s-1至1020 m-2 · s-1)。

圖4展示針對四種不同的離子能量：5 eV、10 eV、20 eV及30 eV，針對1.5 · 1019 m-2 · s-1之氫離子通量，碳的氫蝕刻之預期蝕刻率與溫度的函數關係。該圖展示sp3碳濃度與溫度的函數關係。可看出，對於微影設備LA中之此等典型環境條件，預期對於純粹由CNT形成的薄膜，薄膜之氫蝕刻率在大約1050 K之溫度下下降至可忽略不計的位準。然而，熟習此項技術者將瞭解，在不同條件下，不同的最低溫度可為所要的。

氫離子及自由基對碳的蝕刻可為溫度相依的。特定而言，碳蝕刻率在低溫及中溫下可為較高，但在足夠高溫下碳蝕刻率下降至可忽略位準。此外，雖然EUV微影掃描器LA內之隔膜19之中心部分可達到足夠高溫使得氫蝕刻可忽略不計(至少部分時間)，但隔膜19之周邊通常將保持低於此溫度且因此更容易受到氫蝕刻。亦即，CNT隔膜將經加熱至實際上限制氫電漿蝕刻率之溫度。此基本上為隔膜19產生了多個分區，該等分區將被稱為第一部分36及第二部分38。儘管在實施例中，第一部分36及第二部分38分別為相對較熱(經曝光)及相對較冷(未曝光)區，但應瞭解，在其他實施例中，第一部分36及第二部分38(不同分區)可由其他特性來界定。此外，不同分區(亦即，第一部分36及第二部分38)可根據需要具有不同的大小及形狀。在實施例中，可存在複數個第一部分36及/或複數個第二部分38。該等部分可分離，例如兩個第一部分36可藉由第二部分38分離，且反之亦然。

為了最大化掃描器之使用壽命及效能，針對其用途定製各CNT薄膜分區(或部分)較重要。隔膜之最高曝光區域(第一部分36)將位於倍縮光罩曝光場上方。最低曝光區域(第二部分38)位於框架區域上方且具有不太嚴格的光學要求。

有利地，圖2及圖3中所展示之薄膜15在隔膜19 (之前側30A)之第二部分38上提供額外保護部分28，該第二部分：(a)最容易受到氫蝕刻之風險；(b)在使用中，不接收EUV輻射。此允許增加薄膜15之使用壽命，而不影響微影設備LA之效能。

在一些實施例中，保護部分28設置在隔膜19之一部分上，該部分在使用中不接收EUV輻射(在成像[曝光]期間)。第一部分36曝光於EUV輻射(在成像期間)並因此經加熱。第二部分38未曝光於EUV輻射(在成像期間)且因此未經加熱。因此，需要保護第二部分38以延長使用壽命。應瞭解，第二部分38不一定需要與圖案化裝置MA之曝光區域32精確對齊，亦即，其可實質上對應。舉例而言，由於來自EUV成像輻射之熱傳遞，隔膜19之一部分可遠距曝光於(全部)EUV成像輻射之一部分一定距離(例如，0.25至2 mm)，該部分不遭受蝕刻(或至少受到影響至對於使用壽命注意事項而言不成問題的程度)。應理解，在參考不接收(全部EUV成像輻射)之第二部分38或對應於圖案化裝置MA之預定曝光區域32之第一部分36之情況下，第二部分38之位置，以及因此保護部分28之位置可考慮此等距離。亦即，第二部分38可精確地開始於曝光區域結束之位置，或可開始於遠離考慮到此熱傳遞之曝光區域(亦即，朝向隔膜19之邊緣)一定距離(例如，0.25至2 mm)。

保護部分28可設置在隔膜19上，使得其大小與邊界20重合。亦即，保護部分28與邊界20重疊，但邊界20設置在隔膜19之相對側30B上。為了清楚起見，邊界20具有對隔膜19之支撐功能，而保護部分28具有保護隔膜19之第二部分(其不被EUV輻射照明或僅部分地被EUV輻射照明)免於在EUV曝光期間在隔膜18周圍產生之電漿環境中經蝕刻的功能。然而，保護部分28亦可具有與邊界不同的大小，且與邊界部分重合或甚至不重合，同時仍然覆蓋在第一曝光區域之外的第二隔膜區域。因此，可選擇保護部分28之材料，使得除了提供抗蝕刻性之外，其亦可對於EUV輻射係部分地透明的。

當保護部分28之大小與邊界20不重合時，由於保護部分28覆蓋整個第二部分38且邊界20不覆蓋整個第二部分38 (在另一側上)，因此保護部分28延伸至隔膜19之不與邊界20重合之部分中。亦即，保護部分28亦部分地向內延伸至隔膜19之未附接至邊界20之區域上。在一些實施例中，可在薄膜製造期間而非在遮罩之製造期間提供保護部分。在薄膜製造期間，薄膜可尚未與倍縮光罩或場匹配。然而，在薄膜製造期間，薄膜可經生產具有一定的標準場大小，其中相應地在周邊塗佈有保護部分，諸如100%、80%等。

在一些實施例中，保護部分28可由適合於保護其所附接之隔膜19之一部分免受氫蝕刻的材料形成。對於此類實施例，保護部分28可包含罩蓋材料(其可被稱為塗層)。罩蓋材料可被認為覆蓋第二部分38。罩蓋材料可僅覆蓋第二部分38，亦即，可不覆蓋第一部分36。可認為塗層僅部分地覆蓋隔膜19。塗層可僅覆蓋隔膜19之非成像區(亦即，第二部分38之第二區)。該塗層僅應用於成像場之外。塗層可不覆蓋隔膜19之成像區(亦即，第一部分36之第一區)。在實施例中，保護部分28可設置在隔膜19之兩(所有)側(亦即，第一側30A及第二側30B(及邊緣30C))上之周邊上。當與僅位於隔膜19之第一側30A上之保護部分28相比時，此可提供增強的保護。

罩蓋材料可單獨地或組合地包含以下材料中之任一者：碳奈米管、石墨烯、非晶碳、(低熔點金屬(例如，溫度低於600℃))、鉬(Mo)、釔(Y)、氧化釔(Y _aO _b)、氧化鋁(Al ₂O ₃) (AlO ₂)、氧化鉿(HfO ₂)、氧化鋯(ZrO ₂)、釕(Ru)、鉑(Pt)、金(Au)、氮化鋯(ZrN)、鋁(Al)、鋯(Zr)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽(SiO _a)、硼(B)、碳化硼(B ₄C)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)。應瞭解，此等僅為實例且可使用其他材料。罩蓋材料可包含由不同材料形成之複數個子層。

應瞭解，相對於隔膜19之中心第一部分36，可在保護部分28中(亦即，在第二部分38上方)提供更大厚度之此類罩蓋材料。亦即，在一些實施例中，在第一部分36上方可存在一些罩蓋材料。在一些實施例中，在經曝光區域中可存在相對厚或薄之塗層，且在周邊中可存在相對厚之塗層。一般而言，可存在不同程度之覆蓋範圍且梯度可為可能的。更一般而言，在實施例中，第一保護部分可位於第一部分處或第一部分上，但程度僅小於第二部分處或第二部分上。

在一些實施例中，保護部分28可由與隔膜19之主體相同的材料形成。對於此類實施例，保護部分28可為厚度增加之塊體材料(例如CNT隔膜)，其可充當提供欲由氫蝕刻之增加的厚度的犧牲部分。在此實施例中，可認為隔膜19包含保護部分28，且保護部分28包含與第一部分36及第二部分38相同的材料(例如，碳奈米管)。

在一些實施例中，隔膜19可包含多孔隔膜。在一些實施例中，隔膜19包含奈米管。舉例而言，隔膜19可為由CNT形成之織物。此可被為碳奈米管隔膜。此為在EUV微影設備中用作薄膜隔膜之特別優勢材料。

可需要第一部分36提供＞90%之EUV透射率，而第二部分38可僅需要提供＞80%之EUV透射率。此外，可需要第一部分36耐受(可承受)高溫(＞700℃)，而第二部分38可僅需要耐受(承受)較低溫度(＞500℃)。圖案化裝置MA之框架中可存在用於例如校正、對準等之結構，且可需要對度量衡感測器可見，且因此第二部分38能需要在某一程度上對於EUV輻射係透明的，但未達到第一部分36之程度。此外，可入射在第二部分38上之此EUV輻射可不同於用於成像之EUV輻射(亦即，EUV成像輻射)。舉例而言，其可不具有與用於成像之EUV輻射相同的高功率，或可相對於EUV成像輻射具有不同的波長及減少的劑量，並且因此不會損壞(或毀壞)保護部分28 (罩蓋材料)。

本揭示內容之一些實施例係關於一種形成諸如圖1中所展示之微影設備LA之微影設備中使用之薄膜15的方法。圖5中示意性地繪示此類方法100。

方法100包含提供包含第一部分36及第二部分38之隔膜19的步驟102。

該方法進一步包含在隔膜19之一側或多側上之第二部分38處提供保護部分28，此可為藉由如將解釋之數種不同方法。

保護部分28可藉由加成法或減除法來提供，如將更詳細地描述。

一般而言，該方法可包含提供第一部分36以對應於圖案化裝置MA之預定曝光區域32 (亦即，與薄膜15一起使用之曝光區域)。

重要的態樣為薄膜15可在使用時(例如在圖案化裝置MA之製作及/或基板W之製作期間)經修改(亦即，藉由提供保護部分28)。此為一旦與遮罩(圖案化裝置MA)相關聯的倍縮光罩場大小(例如，最大104×132 mm ²或小於全場大小)經識別。在此狀況下，可針對所要設計(具有特定場)大小來選擇及處理薄膜15。該處理可被認為在第二部分38處為薄膜15提供保護部分28。

遮罩製作可包含例如藉助CD量測、缺陷檢測等來鑑定圖案化裝置；及將薄膜安裝至圖案化裝置上，此可包括再鑑定遮罩。基板(晶圓)製作可包括例如藉助檢測及/或基板曝光來鑑定圖案化裝置。若薄膜15安裝在圖案化裝置MA上，則薄膜處理(亦即，選擇並處理所要設計大小)可在基板W製作時進行。

在其他實施例中，薄膜15可在薄膜15之製作期間設置有保護部分28。此可為在製作隔膜19並將隔膜19附接至框架17時。隔膜19可在邊界20上製作或獲得。

對於加成法，保護部分28可包含罩蓋材料(例如，由諸如上述彼等方法的材料形成)—此可被稱為塗層。在一些實施例中，方法100可包含使用遮蔽元件來遮蔽第一部分36的步驟104。此意謂第二部分38可用罩蓋材料覆蓋而亦不覆蓋第一部分36。遮蔽元件可為陰影遮罩。由於場大小為遮罩特定的，於是陰影遮罩適於所選遮罩場大小。在實施例中，遮蔽元件對應於圖案化裝置MA之預定曝光區域32(亦即，與薄膜15一起使用之曝光區域)。

方法100可包含在第二部分38(及遮蔽元件)上方沉積罩蓋材料以覆蓋第二部分38的步驟106。由於第一部分36在步驟104中被遮蔽，上述情形導致保護部分28位於第二部分38處。

罩蓋材料可使用以下中之至少一者來沉積：熱蒸發、電子束蒸發、電子束沉積、脈衝雷射沉積、原子層沉積及遠程電漿濺射。

對於減除法，保護部分28可包含罩蓋材料(例如，由諸如上述彼等方法的材料形成)—此可被稱為塗層。該方法可包含將罩蓋材料施加在第一部分36及第二部分38上方，及然後自第一部分36移除罩蓋材料。因此，罩蓋材料將僅留在第二部分38 (冷區)上方。此導致保護部分28位於第二部分38處。亦即，隔膜19經完全塗佈，且然後選擇性地移除一些塗層(在第一部分36上方)以僅留下部分塗層。

該方法可進一步包含雷射退火、雷射燒蝕、反應性離子蝕刻及/或自第一部分36剝離罩蓋材料。此可為在高溫下(例如，最低500℃、600℃或更實際地900℃)。應瞭解，此等僅為實例且可應用其他溫度。

罩蓋材料可為適合於被EUV輻射(例如，在200 W至數kW之範圍內、高於200 W、高於600 W或高於1 kW EUV源功率)解吸之揮發性或熱不穩定材料。舉例而言，此可為在成像期間(例如，在EUV微影設備中之第一場之曝光期間)。在實施例中，此可為在「預掃描」期間，因為實際影像經印刷，因為彼等需要極其穩定的條件。諸如非晶碳(厚層)或低熔點金屬(例如，硼)等材料在化合物解吸之特定溫度以上表現出除潤行為，且因此在使用此方法時可能適合於用作罩蓋材料。舉例而言，化合物解吸之溫度可為500℃、600℃、700℃、800℃、900℃或更低或更高，此取決於材料。

對於減除法，保護部分28可包含與第一部分36及第二部分38相同的材料(例如碳奈米管)。在此狀況下，可認為隔膜19包含保護部分28。

該方法可包含為隔膜19提供一定厚度(在z方向上)，且然後部分地移除第一部分36以減小第一部分36之厚度。保護部分28之厚度可被認為等於已自第一部分36移除之的厚度。亦即，在移除之後，可認為第一部分36具有減小的厚度，其中保護部分28之厚度等於自第一部分36移除之厚度。可認為第二部分38包含保護部分28 (亦即，第二部分38(包括保護部分28)之總厚度等於在第一部分36之一部分被移除之前隔膜19之厚度)。

該方法可包含在氫電漿中蝕刻第一部分36，例如RF電漿蝕刻。

保護部分28可被認為係犧牲部分，亦即提供欲被氫蝕刻之增加的厚度，使得第二部分38不被氫蝕刻。

僅在成像區外部之第二部分38上提供保護部分28具有以下優點：保護部分28保護隔膜19免受電漿蝕刻，同時不增加成像區中之EUV透射損耗。在成像區中不需要保護部分28，此係因為高功率EUV光束將隔膜19加熱至足夠高的溫度以確保在成像區中不發生或僅發生可忽略的(CNT)蝕刻。在成像區之外，在隔膜與成像區相比相對較冷之情況下，EUV透射率值係無關緊要的，或至少不如成像區中般重要。藉由防止電漿，隔膜19上之部分塗層(第二部分38上之保護部分28)實現(CNT)隔膜19之在微影操作期間未經加熱之部分具有較長使用壽命，且因此實現作為整體之(CNT)隔膜19之較長使用壽命。

圖6示意性地描繪根據另一實施例的薄膜15及圖案化裝置MA的剖面圖。為了清楚起見，相同的附圖標記將用於與圖2中所描繪之相同及相應部分，且為了簡潔起見，將不再進一步詳細論述此等部分。

圖6之薄膜15與圖2中之薄膜的不同之處至少在於保護部分包含複數個護罩、前護罩40及後護罩42。此外，薄膜框架17包含一或多個護罩附接構件44 (例如突出或螺柱)，該等護罩附接構件在前護罩40之周邊邊緣處附接或可附接至前護罩40。護罩附接構件44可位於薄膜15之X邊緣上。護罩附接構件44可與附接構件24重合或偏移(如在圖6中所展示)。應瞭解，所描繪之精確配置僅為實例，且可使用其他適合之配置來支撐前護罩。因此，更一般而言，薄膜框架17在隔膜19之第一側30A (亦即前側)上支撐前護罩40。在其他實施例中，護罩可由另一不同的組件支撐。

另外，薄膜框架17在隔膜19之相對第二側30B (亦即後側)上支撐後護罩42。在此實施例中，後護罩42在薄膜框架17之內邊緣17A上附接至或可附接至薄膜框架17。在其他實施例中，後護罩42可以與前護罩40類似的方式由護罩附接構件44支撐。舉例而言，後護罩42可位於邊界20與薄膜框架17之間，且後護罩42之周邊邊緣附接至或可附接至護罩附接構件44。

前護罩40經支撐使得在隔膜19之第一側30A (亦即前側)與前護罩40之間存在前間隙。在實施例中，前間隙可小於1000 μm。在其他實施例中，前間隙可小於2000 μm。通常，前間隙可為一距離使得電漿通量經充分抑制。具有前間隙允許隔膜19有下垂空間，且前間隙之大小可經選擇以最大化隔膜之下垂空間，同時保持在隔膜19之前端中可用之允許體積內。此外，前護罩40之厚度可經選擇為易於商業獲得之厚度(諸如200 μm)，但亦可經選擇為小於(或大於) 200 μm，例如，若前間隙之大小不同係所要的。應瞭解，在一些實施例中

類似地，後護罩42經支撐使得在隔膜19之第二側30B (亦即後側)與後護罩42之間存在後間隙。在實施例中，後間隙可小於1000 μm。後間隙可小於2000 μm。通常，後間隙可為一距離使得電漿通量經充分抑制。在邊界20位於後護罩42與隔膜19之間的實施例中，後間隙之大小可由邊界20之厚度決定。否則，後間隙可具有與前間隙類似的大小。最關鍵的尺寸可為前間隙，此係因為此處可存在較小公差或無公差來允許定位護罩。因此，較薄的護罩(＜1000 μm)可為較佳的。在隔膜與X方向倍縮光罩遮蔽刀片、Y噴嘴及/或EUV內艙之間可有足夠的空間以裝配前護罩40。

應瞭解，在一些實施例中，在隔膜19之第一側30A (亦即，前側)與前護罩40之間可實質上不存在或至少存在極其小的前間隙。類似地，在一些實施例中，在隔膜19之第二側30B (亦即後側)與後護罩42之間可實質上不存在或者至少存在極其小的後間隙。因此，在一些實施例中，前護罩40及/或後護罩42可直接位於隔膜19上、與該隔膜接觸及/或由該隔膜支撐。換言之，前間隙及/或後間隙可為可選的。對於後護罩42，此可為不存在邊界20且隔膜19直接位於薄膜框架17上之實施例中之狀況。

儘管在各別前護罩40及後護罩42與隔膜19之間存在各別前間隙及後間隙，但應瞭解，前護罩及後護罩仍然可被認為位於隔膜之前側及後側上。換言之，「在隔膜之至少一側上」之保護部分不一定需要意謂保護部分(例如護罩)直接在隔膜上或與隔膜接觸或由隔膜支撐。因此，此亦可覆蓋例如保護部分(例如護罩)，該保護部分位於該隔膜之一側上遠離該隔膜一定距離(間隙)，且保護部分可由另一組件(諸如薄膜框架)支撐。類似地，「在隔膜之第一側及相對第二側上」之保護部分亦可覆蓋例如位於該隔膜之第一側(例如前側)上遠離該隔膜一定距離的保護部分(例如第一護罩)，以及位於隔膜之相對第二側(例如，後側)上遠離隔膜一定距離(例如，後間隙)的(例如第二護罩)，其中(例如，第一護罩及第二護罩)由另一組件(諸如薄膜框架)支撐。

前護罩40及後護罩42兩者相對於薄膜框架17之內邊緣17A朝向隔膜19之中心向內(平行於x軸)延伸。在實施例中，前護罩40及後護罩42可相對於薄膜框架17之向內邊緣17A向內延伸至少1500 μm(例如，在X方向上)。在一些實施例中，前護罩40及後護罩42可另外或替代地相對於邊界20之向內邊緣20A朝向隔膜19之中心向內延伸(例如至少1500 μm，例如在X方向上)。對於前一選項，此可為當薄膜框架17之內邊緣17A及邊界20之內邊緣20A彼此對應(對齊)時。在圖6之實施例中，前護罩40及後護罩42向內延伸相同的程度(亦即，彼此距薄膜框架17的距離相同(且彼此距邊界20的距離相同，儘管至薄膜框架17及至邊界20的距離不同，因為其內邊緣17A、20A不彼此對齊))。然而，應瞭解，在其他實施例中，前護罩40及後護罩42可自薄膜框架17及/或邊界20延伸不同的距離。此外，前護罩40及後護罩42可在X方向上(對於X邊界)及在Y方向上(對於Y邊界)延伸不同的距離。

在圖2之實施例中，隔膜19之第一部分36及第二部分38分別對應於圖案化裝置MA之預定曝光區域32及非曝光區域34。然而，在圖6之實施例中，第一部分36對應於圖案化裝置MA之延伸區域46，該延伸區域大於圖案化裝置MA之曝光區域32。虛線35仍然界定圖案化裝置MA之曝光區域32及非曝光區域34，其中圖案化裝置MA之延伸區域46經展示為由虛線48定界。應理解，圖案化裝置MA之延伸區域46包括圖案化裝置MA之曝光區域32以及虛線35與48之間的部分。圖案化裝置MA之曝光區域32可被稱為品質區。可使用品質區之其他定義，諸如量測光學屬性之區域、用於檢測效能之區以及用於夾緊效能之區。

儘管隔膜19之第一部分36及第二部分38仍如由虛線39所展示地定界，但圖6中之虛線39與定界圖案化裝置MA之延伸區域46的虛線48相對應(沿著z軸對齊)，而非定界圖案化裝置MA之曝光區域32及非曝光區域34的虛線35。相反，隔膜19可被認為係經曝光區域之部分(因為其為在成像期間將接收EUV輻射之唯一部分)及隔膜19可被認為係未曝光區域之部分(因為其在成像期間不接收EUV輻射)由虛線49定界。應理解，前護罩40 (亦即，向內邊緣40A)及後護罩42(亦即，向內邊緣42A)之向內延伸與定界隔膜19之第一部分36及第二部分38之虛線39相對應(沿著z軸對齊)，且與圖案化裝置MA之延伸區域46之虛線48對應(對齊)。應瞭解，在一些實施例中，隔膜19之第一部分36及第二部分38可與圖2中相同(亦即，前護罩及/或後護罩一直向內延伸以對應於圖案化裝置MA之曝光區域32)。重要的是，護罩不會延伸，使得其將侵入至成像區上方之EUV輻射光束路徑，因為(例如，除非其與薄膜一樣薄)該等護罩然後會被印刷在晶圓上，此並非所要的。

在實施例中，圖案化裝置MA之延伸區域46自圖案化裝置MA之曝光區域32向外延伸至預定距離。舉例而言，延伸區域46可自曝光區域32向外延伸至1000 μm。此可為使得護罩40、42不干擾EUV輻射(EUV光錐)。

在實施例中，隔膜19之第二部分38相對於薄膜框架17之內邊緣17A向內(平行於x軸)延伸至預定距離(且相對於邊界20之向內邊緣20A向內延伸至預定距離(平行於x軸))。在薄膜框架17之內邊緣17A及邊界20之內邊緣20A彼此對應(對齊)的實施例中，預定距離可為相同的。在實施例中，隔膜19之第二部分38可相對於薄膜框架17之內邊緣17A向內延伸至少1500 μm。在實施例中，隔膜19之第二部分38可相對於邊界20之內邊緣20A向內延伸至少1500 μm。

圖案化裝置MA之延伸區域46之向外範圍(亦即，由虛線48所展示)在圖案化裝置MA之黑邊界內。護罩40、42延伸超過(向內)薄膜15之邊界20(及框架17)，但保持在圖案化裝置MA之品質區(曝光區域32)之外。由於護罩40、42相對於薄膜15之邊界20(及框架17)向內延伸，因此其具有保護薄膜免受電漿(亦即氫電漿蝕刻損壞)的優點。

藉由使用(週期性)加熱器脈衝，可保護薄膜(例如CNT隔膜)免受微影設備LA中之氫電漿蝕刻損壞。來自薄膜加熱器(未展示)之熱50在圖6中進行繪示並且經展示為入射於實質上向外至隔膜19之經曝光區域(亦即，在虛線49外部)的隔膜之區域上。重要的是加熱自隔膜19之經曝光區域向外的區域，因為該區域在成像期間將不會被EUV輻射加熱且因此將更容易受到氫蝕刻(如上文所解釋)。將瞭解，熱50覆蓋之區域可與圖6中所展示之區域不同，例如，其可一直延伸至邊界20或薄膜框架17，或甚至進一步覆蓋邊界20及薄膜框架17之一些或全部。可發現，由於邊界20之熱質量高，因此照射邊界係不值得的。

然而，薄膜加熱器僅加熱薄隔膜19。薄膜15之邊界20將保持相對冷，因為其係具有更高熱容量及熱導率的厚得多之主體。因此，已認識到，將存在隔膜19之靠近邊界20之有限大小之區，該區不能被加熱裝置充分加熱(例如達到將氫蝕刻減輕至令人滿意位準所需的程度)，因為其連接至相對冷的邊界20。應瞭解，此亦適用於不存在邊界之實施例，亦即隔膜19直接形成在框架17上之實施例。亦即，由於熱質量，薄膜15之框架17將保持相對較冷，且將存在隔膜19之靠近框架17之有限大小之區，該區不能被加熱裝置充分加熱(例如達到將氫蝕刻減輕至令人滿意位準所需的程度)，因為其連接至相對冷的框架17。

隔膜19靠近邊界20之此區係問題，因為隔膜19之經曝光區域與邊界20之間的容限在+/-X方向上之大小僅數mm (+/-Y方向可為稍微寬容一點，例如因為隔膜19之經曝光區域與邊界20之間的距離在Y方向上可比X方向上更大且因此隔膜19之冷部分(靠近邊界20)可離電漿更遠，且因此將不易受到蝕刻，因為其接收的電漿較少)。此窄距離意謂邊界20上或靠近邊界的膜19將接收不可忽略的電漿劑量，且可藉由蝕刻損壞導致隔膜19故障。

可展示，CNT隔膜上蝕刻最高的區域不在場，而是在曝光區之外，亦即在倍縮光罩遮蔽刀片下方。倍縮光罩遮蔽刀片不提供護罩功能(在X或Y方向上)，因為其距隔膜太遠且在倍縮光罩遮蔽刀片下方(在X及Y方向兩者上)存在顯著電漿通量洩漏。

護罩40、42藉由抑制至靠近邊界20之隔膜19之區的電漿通量來保護薄膜免受蝕刻損壞。亦即，護罩40、42與隔膜19之間的相對小的間隙(前間隙及後間隙)防止一些電漿通量到達問題區。護罩40、42經定位距離隔膜19愈近，護罩將阻止電漿在其下方擴散愈有效。此外，護罩40、42對於來自薄膜加熱器之輻射(例如IR輻射及/或DUV輻射)之波長係透明的，且因此允許護罩40、42之間的隔膜19加熱。護罩40、42可包含氧化鋁(Al ₂O ₃)、藍寶石、氧化鋁(Al ₂O ₃)鍍膜玻璃，或藍寶石鍍膜玻璃。小於1000 μm之前間隙及後間隙可足以將電漿通量抑制至所要位準。另外，護罩40、42在電漿中係惰性的。護罩40、42受到強電漿照射，此可導致護罩之腐蝕(對其功能不利)，且腐蝕產物可沉積在遮罩(倍縮光罩)或微影設備LA之其他部分上(對微影設備LA功能不利)。因此，微影設備LA中之所有部分(包括護罩)，尤其靠近光(EUV輻射)光束之部分，應具有非除氣要求。

可展示曝光之後CNT薄膜之蝕刻損壞，且曝光區域周圍可存在受影響最嚴重(亦即具有最大蝕刻損壞)之環(其可被稱為「火環」)。此「火環」可與倍縮光罩之黑邊重合，使其更難以在微影設備LA中成像。「火環」沿著x軸位於隔膜19之經曝光區域與邊界20 (及框架17)之間。因此，護罩40、42應定位成覆蓋「火環」或「火環」之預期位置。舉例而言，隔膜19之第二部分38以及因此護罩40、42可相對於薄膜框架17之內邊緣17A (及/或邊界20之內邊緣20A)向內延伸至少1500 μm(例如，在X方向上)，使得「火環」位置被覆蓋。作為實例，「火環」可經定位於在X方向上遠離圖案化裝置MA之曝光區域32 (亦即，遠離界定影像場) 1000至2000μm及/或在Y方向上遠離該圖案化裝置MA之曝光區域32 1000至4000μm處。因此，隔膜19之第二部分38以及因此護罩40、42可至少延伸以覆蓋「火環」之此等例示性位置。舉例而言，隔膜19之第一部分36可對應於自圖案化裝置MA之預定曝光區域32向外延伸1000 μm之延伸區域46。延伸區域46可自圖案化裝置MA之預定曝光區域32向外延伸1000 μm至2000 μm之範圍內(例如，在X方向上)及1000至4000μm之範圍內(例如，在Y方向上)中之至少一者。舉例而言，若「火環」經定位成在X方向上距圖案化裝置MA之預定曝光區域32 1800μm處，則隔膜19之第一部分36可自預定曝光區域32延伸1700 μm，使得「火環」將被前護罩40及/或後護罩42覆蓋(因為隔膜19之第二部分38將延伸對應距離)。實例包括第二部分38 (以及因此前護罩40及/或後護罩42)相對於薄膜框架之內邊緣及/或邊界向內延伸至少1300 μm、至少1500 μm、至少2300 μm、或在1300 μm至2300 μm之範圍內(例如相對於X方向)。

圖6展示沿著X邊緣之護罩40、42 (亦即，其在Y方向上延伸至頁面中並屏蔽X邊界)，但應理解，此等護罩亦沿著Y邊緣延伸(亦即，其屏蔽Y邊界)。亦即，此等護罩可被認為係連續的，使得可被認為係單個前護罩及單個後護罩。對於使用整個可用品質區的全場曝光，護罩40、42可防止在X邊緣及Y邊緣兩者中出現「火環」。在一些實施例中，可僅沿著X邊緣及/或Y邊緣存在護罩。前護罩或後護罩可非連續的且可為分離的(例如，在沿著X邊緣僅存在護罩之情況下)。此外，在一些實施例中，可沿著X邊緣及Y邊緣兩者存在護罩，但該等護罩可為分離的(亦即，非連續的)，例如在拐角處。在任何狀況下，可較佳地，在隔膜19之所有4個邊緣(亦即X邊緣及Y邊緣兩者)上存在護罩(例如前護罩及/或後護罩)。

使用護罩40、42可至少由於電漿蝕刻效應的減少而增加微影設備LA中之薄膜(例如CNT薄膜)之使用壽命。使用護罩40、42可優於在邊界及隔膜邊緣上之塗層，因為塗層對於熱應力可能不穩定且該等護罩可能需要將沉積與曝光場仔細對準。此外，塗層可僅起到保護邊界的作用。另外，使用護罩40、42可優於倍縮光罩之曝光區域之外的較厚CNT層，因為此可需要挑戰性的程序控制來將較厚的邊界層對準在薄隔膜之頂部上。此外，靠近邊界之較厚隔膜仍可經蝕刻掉，此意謂比具有護罩之情況更短的使用壽命，且微影設備LA中存在更多的碳蝕刻產物。

應瞭解，儘管圖6中展示兩個護罩，但在一些實施例中，可存在單個護罩(亦即，前護罩或後護罩)，因為此將提供至少一些保護及/或可足以防止蝕刻至所需程度。若存在單個防護罩，則可較佳地，其為前防護罩，因為前防護罩將比後防護罩提供更多的保護。

儘管在本文中可具體參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。其他可能應用包括整合式光學系統的製造、磁域記憶體之指引及偵測型樣、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。

儘管在本文中可在微影設備之上下文中具體參考本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備之一部分。此等設備通常可被稱為微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

儘管上文已對本發明之實施例在光學微影之上下文中之使用進行了具體參考，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可在其他應用中使用，例如壓印微影。

在上下文允許之情況下，本發明之實施例可實施於硬體、韌體、軟體或其任何組合中。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於以機器(例如，計算裝置)可讀之形式儲存或傳輸資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式的傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅係為了方便起見，且此類動作實際上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置產生，且如此做可致使致動器或其他裝置與實體世界相互作用。

雖然本發明之特定實施例已在上文進行描述，但將瞭解，本發明可除所描述外之方式進行實踐。上述描述意欲為繪示性，而非限制性。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 1.     一種在一微影設備中使用之薄膜，該薄膜包含： 一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分；及 一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處。 2.     如條項1之薄膜，其中該第二部分在使用中不接收EUV成像輻射或僅接收某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射。 3.     如條項1或2中任一項之薄膜，其中該第一部分實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 4.     如條項3之薄膜，其中該第一部分之大小與該圖案化裝置之該預定曝光區域實質上相同。 5.     如任一前述條項之薄膜，其中該第二部分位於該隔膜之一周邊處。 6.     如條項5之薄膜，其中該薄膜包含在該隔膜之該周邊處之一邊界，其中該第二部分與該邊界重合。 7.     如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受氫蝕刻的一材料。 8.     如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分位於以下中之至少一者上： 該隔膜之一第一側及一相對第二側；及 該隔膜之一邊緣。 9.     如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分包含覆蓋該第二部分之一罩蓋材料。 10.   如條項9之薄膜，其中該罩蓋材料包含以下中之至少一者：碳奈米管、石墨烯、非晶碳、(低熔點金屬)、鉬(Mo)、釔(Y)、氧化釔(Y _aO _b)、氧化鋁(Al ₂O ₃) (AlO ₂)、氧化鉿(HfO ₂)、氧化鋯(ZrO ₂)、釕(Ru)、鉑(Pt)、金(Au)、氮化鋯(ZrN)、鋁(Al)、鋯(Zr)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽(SiO _a)、硼(B)、碳化硼(B ₄C)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)及氮化鈦(TiN)。 11.   如條項1至8中任一項之薄膜，其中該隔膜包含該保護部分且該保護部分包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。 12.   如條項1至8中任一項之薄膜，其中該薄膜包含一薄膜框架且該保護部分包含一護罩，其中該護罩由該薄膜框架支撐。 13.   如條項12之薄膜，其中該護罩藉由一間隙與該隔膜分離，較佳地其中該間隙小於1000 μm或小於2000 μm。 14.   如條項12或13中任一項之薄膜，其中該護罩為以下中之至少一者：對於加熱器輻射係實質上透明的、對於IR輻射係實質上透明的、對於DUV輻射係實質上透明的，及在電漿中係惰性的。 15.   如條項14之薄膜，其中該護罩包含以下中之至少一者：氧化鋁(Al ₂O ₃)、藍寶石、氧化鋁(Al ₂O ₃)鍍膜玻璃，及藍寶石鍍膜玻璃。 16.   如條項12至15中任一項之薄膜，其中該保護部分包含複數個護罩、位於該隔膜之一第一側上之一第一護罩及位於該隔膜之一相對第二側上之一第二護罩。 17.   如條項1至2及條項5至16中任一項之薄膜，當不依賴於條項3及4時，其中該第一部分實質上對應於大於與該薄膜一起使用的一圖案化裝置之該預定曝光區域的一延伸區域。 18.   如條項17之薄膜，其中該延伸區域自該圖案化裝置之該預定曝光區域向外延伸至一預定距離。 19.   如條項18之薄膜，其中該延伸區域自該圖案化裝置之該預定曝光區域向外延伸1000 μm、1000至2000 μm之一範圍內及1000至4000μm之一範圍內中之至少一者。 20.   如任一前述條項之薄膜，其中該第二部分相對於一薄膜框架之一內邊緣及/或在該隔膜之該周邊處之一邊界向內延伸至一預定距離。 21.   如條項20之薄膜，其中該第二部分相對於該薄膜框架之該內邊緣及/或該邊界向內延伸至少以下中之一者：至少1300 μm、至少1500 μm、至少2300 μm、在1300 μm至2300 μm之範圍內。 22.   如任一前述條項之薄膜，其中該隔膜包含碳奈米管。 23.   一種微影設備，其可操作以使用一輻射光束在一基板上形成一圖案化裝置之一影像，該微影設備包含安置在該輻射光束之一路徑中之一薄膜，該薄膜係如前述條項中任一項之薄膜。 24.   一種用於形成一微影設備中使用之一薄膜的方法，該方法包含： 提供包含一第一部分及一第二部分之一隔膜， 在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分， 25.   如條項24之方法，其進一步包含使用一加成法或一減除法來提供該保護部分。 26.   如條項25之方法，其進一步包含： 使用一加成法提供該保護部分，其中該保護部分包含一罩蓋材料； 將該罩蓋材料沉積在該第二部分上方以覆蓋該第二部分。 27.   如條項26之方法，其進一步包含使用一遮蔽元件遮蔽該第一部分。 28.   如條項27之方法，其中該遮蔽元件實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 29.   如條項26至28中任一項之方法，其進一步包含使用以下中之至少一者來沉積該罩蓋材料：熱蒸發、電子束蒸發、電子束沉積、脈衝雷射沉積、原子層沉積及遠程電漿濺射。 30.   如條項25之方法，其進一步包含： 使用一減除法提供該保護部分，其中該保護部分包含一罩蓋材料； 將該罩蓋材料施加在該第一部分及該第二部分上方，及 自該第一部分移除該罩蓋材料。 31.   如條項30之方法，該方法進一步包含使用以下中之至少一者來將該罩蓋材料自該第一部分移除：雷射退火、雷射燒蝕、反應性離子蝕刻及剝離。 32.   如條項30或31中任一項之方法，其中該罩蓋材料為用於藉由EUV輻射解吸之一揮發性或熱不穩定材料。 33.   如條項25之方法，其進一步包含使用一減除法來提供該保護部分，包括提供具有一定厚度之該隔膜，及部分地移除該第一部分以減小該第一部分之該厚度，其中該隔膜包含該保護部分且該保護部分包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。 34.   如條項33之方法，其進一步包含在氫電漿中蝕刻該第一部分。 35.   如條項24至34中任一項之方法，其進一步包含在以下中之至少一者上提供該保護部分： 該隔膜之一第一側及一相對第二側；及 該隔膜之一邊緣。 36.   如條項24至35中任一項之方法，其進一步包含提供該第一部分以實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 37.   如條項24至36中任一項之方法，其進一步包含在該薄膜之製作、一圖案化裝置之製作及一基板之製作中之至少之一者期間提供該保護部分。 38.   如條項24之方法，其進一步包含提供一薄膜框架，其中該保護部分包含一護罩且該薄膜框架支撐該護罩。 39.   如條項38之方法，其進一步包含藉由一間隙將該護罩與該隔膜分離。 40.   如條項38或39中任一項之方法，其進一步包含提供複數個護罩，位於該隔膜之一第一側上之一第一護罩，及位於該隔膜之一相對第二側上之一第二護罩。 41.   如條項38至40中任一項之方法，其進一步包含提供該第一部分以實質上對應於大於與該薄膜一起使用的一圖案化裝置之該預定曝光區域的一延伸區域。 42.   一種在一微影設備中使用之薄膜，該薄膜包含： 一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分；及 一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處。 43.   如條項42之薄膜，其中該第二部分在使用中不接收EUV成像輻射或僅接收某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射。 44.   如條項42或43中任一項之薄膜，其中該第一部分實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 45.   如條項44之薄膜，其中該第一部分之大小與該圖案化裝置之該預定曝光區域實質上相同。 46.   如任一前述條項之薄膜，其中該第二部分位於該隔膜之一周邊處。 47.   如條項46之薄膜，其中該薄膜包含在該隔膜之該周邊處之一邊界，其中該第二部分與該邊界重合。 48.   如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受氫蝕刻的一材料。 49.   如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分位於以下中之至少一者上： 該隔膜之一第一側及一相對第二側；及 該隔膜之一邊緣。 50.   如任一前述條項之薄膜，其中該保護部分包含覆蓋該第二部分之一罩蓋材料。 51.   如條項50之薄膜，其中該罩蓋材料包含以下中之至少一者：碳奈米管、石墨烯、非晶碳、(低熔點金屬)、鉬(Mo)、釔(Y)、氧化釔(Y _aO _b)、氧化鋁(Al ₂O ₃) (AlO ₂)、氧化鉿(HfO ₂)、氧化鋯(ZrO ₂)、釕(Ru)、鉑(Pt)、金(Au)、氮化鋯(ZrN)、鋁(Al)、鋯(Zr)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽(SiO _a)、硼(B)、碳化硼(B ₄C)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)及氮化鈦(TiN)。 52.   如條項42至49中任一項之薄膜，其中該隔膜包含該保護部分且該保護部分包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。 53.   如任一前述條項之薄膜，其中該隔膜包含碳奈米管。 54.   一種微影設備，其可操作以使用一輻射光束在一基板上形成一圖案化裝置之一影像，該微影設備包含安置在該輻射光束之一路徑中之一薄膜，該薄膜係如前述條項中任一項之薄膜。 55.   一種用於形成一微影設備中使用之一薄膜的方法，該方法包含： 提供包含一第一部分及一第二部分之一隔膜， 在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分， 56.   如條項55之方法，其進一步包含使用一加成法或一減除法來提供該保護部分。 57.   如條項56之方法，其進一步包含： 使用一加成法提供該保護部分，其中該保護部分包含一罩蓋材料； 將該罩蓋材料沉積在該第二部分上方以覆蓋該第二部分。 58.   如條項57之方法，其進一步包含使用一遮蔽元件遮蔽該第一部分。 59.   如條項58之方法，其中該遮蔽元件實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 60.   如條項57至59中任一項之方法，其進一步包含使用以下中之至少一者來沉積該罩蓋材料：熱蒸發、電子束蒸發、電子束沉積、脈衝雷射沉積、原子層沉積及遠程電漿濺射。 61.   如條項56之方法，其進一步包含： 使用一減除法提供該保護部分，其中該保護部分包含一罩蓋材料； 將該罩蓋材料施加在該第一部分及該第二部分上方，及 自該第一部分移除該罩蓋材料。 62.   如條項61之方法，該方法進一步包含使用以下中之至少一者來將該罩蓋材料自該第一部分移除：雷射退火、雷射燒蝕、反應性離子蝕刻及剝離。 63.   如條項61或62中任一項之方法，其中該罩蓋材料為用於藉由EUV輻射解吸之一揮發性或熱不穩定材料。 64.   如條項56之方法，其進一步包含使用一減除法來提供該保護部分，包括提供具有一定厚度之該隔膜，及部分地移除該第一部分以減小該第一部分之該厚度，其中該隔膜包含該保護部分且該保護部分包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。 65.   如條項64之方法，其進一步包含在氫電漿中蝕刻該第一部分。 66.   如條項55至65中任一項之方法，其進一步包含在以下中之至少一者上提供該保護部分： 該隔膜之一第一側及一相對第二側；及 該隔膜之一邊緣。 67.   如條項55至66中任一項之方法，其進一步包含提供該第一部分以實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。 68.   如條項55至67中任一項之方法，其進一步包含在該薄膜之製作、一圖案化裝置之製作及一基板之製作中之至少之一者期間提供該保護部分。

1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區域 5:收集器/近正入射輻射收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 15:薄膜 17:薄膜框架 17A:內邊緣 19:隔膜 20:邊界 20A:向內邊緣 22:接合機構 24:附接構件 25:圖案化表面 26:污染物粒子 28:保護部分 30A:第一側 30B:第二側 30C:邊緣 32:曝光區域 34:非曝光區域 35:虛線 36:第一部分 38:第二部分 39:虛線 40:前護罩 40A:向內邊緣 42A:向內邊緣 42:後護罩 44:護罩附接構件 46:延伸區域 48:虛線 49:虛線 50:熱 100:方法 102:步驟 104:步驟 106:步驟 B:EUV輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現在將僅藉由實例的方式參考隨附示意圖式描述本發明之實施例，在圖式中：

-圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統；

-圖2示意性地描繪了根據本揭示內容之實施例的薄膜及圖案化裝置的剖面圖；

-圖3示意性地描繪了圖2之薄膜的平面圖；

-圖4展示針對四種不同的離子能量：5 eV、10 eV、20 eV及30 eV，針對1.5 · 1019 m-2 · s-1之氫離子通量，碳的氫蝕刻之預期蝕刻率與溫度的函數關係；圖4亦展示sp3碳濃度與溫度的函數關係；

-圖5為根據本揭示內容之實施例的形成薄膜的方法的示意圖；及

-圖6示意性地描繪了根據本揭示內容之另一實施例的薄膜及圖案化裝置的剖面圖。

15:薄膜

17:薄膜框架

19:隔膜

20:邊界

22:接合機構

24:附接構件

25:圖案化表面

26:污染物粒子

28:保護部分

30A:第一側

30B:第二側

30C:邊緣

32:曝光區域

34:非曝光區域

35:虛線

36:第一部分

38:第二部分

39:虛線

MA:圖案化裝置

Claims (15)

1. 一種在一微影設備中使用之薄膜，該薄膜包含： 一隔膜，其包含碳奈米管， 該隔膜包含一第一部分及一第二部分；及 一保護部分，其位於該隔膜之至少一側上之該第二部分處， 其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受蝕刻的一材料。
2. 如請求項1之薄膜，其中該第二部分在使用中不接收EUV成像輻射或僅接收某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射。
3. 如請求項1或2之薄膜，其中該第一部分實質上對應於與該薄膜一起使用之一圖案化裝置之一預定曝光區域。
4. 如請求項3之薄膜，其中該第一部分之大小與該圖案化裝置之該預定曝光區域實質上相同。
5. 如請求項1或2之薄膜，其中該第二部分位於該隔膜之一周邊處。
6. 如請求項5之薄膜，其中該薄膜包含在該隔膜之該周邊處之一邊界，其中該第二部分在大小上與該邊界重合，且該邊界設置在該隔膜之與該保護部分相對的一側上。
7. 如請求項1或2之薄膜，其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受氫蝕刻的一材料。
8. 如請求項1或2之薄膜，其中該保護部分位於以下中之至少一者上： 該隔膜之一第一側及一相對第二側；及 該隔膜之一邊緣。
9. 如請求項1或2之薄膜，其中該保護部分包含覆蓋該第二部分之一罩蓋材料。
10. 如請求項9之薄膜，其中該罩蓋材料包含以下中之至少一者：碳奈米管、石墨烯、非晶碳、(低熔點金屬)、鉬(Mo)、釔(Y)、氧化釔(Y _aO _b)、氧化鋁(Al ₂O ₃) (AlO ₂)、氧化鉿(HfO ₂)、氧化鋯(ZrO ₂)、釕(Ru)、鉑(Pt)、金(Au)、氮化鋯(ZrN)、鋁(Al)、鋯(Zr)、矽(Si)、碳化矽(SiC)、氧化矽(SiO _a)、硼(B)、碳化硼(B ₄C)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)及氮化鈦(TiN)。
11. 如請求項1或2之薄膜，其中該隔膜包含該保護部分且該保護部分包含與該第一部分及該第二部分相同的材料。
12. 如請求項1或2之薄膜，其中該隔膜包含一層，該層在該第一部分及該第二部分兩者中具有相同類型之碳奈米管，且其中覆蓋該隔膜之該第二部分之該保護部分之該材料對於至少某一分率的由該第一部分接收之該EUV成像輻射係透明的。
13. 一種微影設備，其可操作以使用一輻射光束在一基板上形成一圖案化裝置之一影像，該微影設備包含安置在該輻射光束之一路徑中之一薄膜，該薄膜係如請求項1至12中任一項之薄膜。
14. 一種用於形成一微影設備中使用之一薄膜的方法，該方法包含： 提供包含碳奈米管之一隔膜，該隔膜包含一第一部分及一第二部分， 在該隔膜之至少一側上之該第二部分處提供一保護部分， 其中該保護部分包含適合於保護該隔膜之該第二部分免受蝕刻的一材料。
15. 如請求項14之方法，其進一步包含使用一加成法或一減除法來提供該保護部分。