TW202422124A - 濾光器和圖像獲取裝置 - Google Patents

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鄭埈皓
梁善鎬
黃盛珉
池春祐
權亮豪
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南韓商Ｌｍｓ股份有限公司
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Abstract

本發明為了其使用提供了濾光器和圖像獲取裝置。在本發明中，提供有效阻擋紫外線和紅外線並且在可見光中表現出高透射率的濾光器是可能的。此外，提供即使在入射角改變時也穩定地保持透射特性的濾光器是可能的。此外，提供不表現出諸如波紋、花瓣眩光和捲曲的問題的濾光器是可能的。

Description

濾光器和圖像獲取裝置
本發明關於濾光器和圖像獲取裝置。
濾光器在使用電荷耦合器件（CCD）或互補金屬氧化物半導體（CMOS）圖像傳感器的圖像獲取裝置中使用。這樣的濾光器用於取得良好的顏色再現性並清晰的圖像，並且也被稱作近紅外截止濾光片。因此，對於這樣的濾光器，需要各種特性。
濾光器必須在有效阻擋紫外區和紅外區中的光的同時以高透射率透射可見光。為了實現這樣的特性，在要被阻擋的紫外光與可見光之間的邊界處以及紅外光與可見光之間的邊界處需要透射率的迅速且急劇的變化。
即使當入射角改變時，濾光器也需要保持如上所述的透射特性和阻擋特性。隨著這樣的廣角相機的發展，這些特性變得更重要，並且對即使在更寬的入射角下也保持透射特性和阻擋特性的濾光器的需求更大。
對於濾光器，應抑制被稱為波紋的現象也為必要的。波紋為在可見光區中出現透射率的時段性變化的現象以及時段性地觀察到預定區中的實際透射率與對應區的平均透射率相比增大和減小的現象。圖像獲取裝置對於相應的RGB（紅色、綠色、藍色）顏色中的每個通過傳感器感測透射通過濾光器的可見光。考慮對於每個波長的平均透射率來調整RGB的每個傳感器的靈敏度。當出現波紋時，在由傳感器識別的光中出現波動，並且因此，顏色再現性降低。這樣的波紋現象可能產生透射率在可見光區中短暫下降的區（被稱作空區（Bunk Region）），從而引起重影（Ghost）現象。這種重影現象也使顏色再現性劣化。
近來，被稱作花瓣眩光（Petal Flare）的現象也變成問題。花瓣眩光現象是指儘管在拍攝照片時紅線未由肉眼觀察到但紅線在照片中示出的現象。其由於存在來自發光體的紅線示出為花葉的形狀的許多情況而也被稱作花瓣眩光。由於包括在圖像獲取裝置中的傳感器的靈敏度增加並且濾光器的透射率增大以取得更清楚的圖片，因此花瓣眩光的出現增加。
由於圖像獲取裝置在各種環境中使用並且頻繁在惡劣條件下使用，因此需要濾光器具有優異的耐久性，以即使在惡劣條件下也保持其光學特性。例如，當包括介電膜的濾光器暴露於嚴峻條件下時，出現被稱作捲曲的翹曲。這樣的捲曲在濾光器的製備工藝中引起各種問題。例如，捲曲濾光器在清潔工藝中可能由於托盤夾具脫落而引起損壞，在切割工藝中可能引起品質的劣化，並且甚至在光罩印刷工藝期間可能引起遮光膜的均勻性劣化或損壞。
作為公知的濾光器，包括包含吸收劑的吸收層和/或採用介電膜的反射層的濾光器是已知的。當使用介電膜時，能夠阻擋紫外區和/或紅外區中的光。然而，介電膜具有透射率曲線根據入射角而改變（偏移）的特性。因此，為了彌補介電膜的缺點，使用依賴透射率具有小的入射角的包含近紅外吸收染料的吸收層的濾光器也是已知的。
採用具有近紅外吸收性質的所謂的紅外吸收玻璃（也被稱作藍色玻璃）作為基板的濾光器也是已知的。紅外吸收玻璃為諸如CuO的材料添加到玻璃中以選擇性地吸收近紅外波長區中的光的玻璃濾波器。
然而，由於紅外吸收玻璃甚至在可見光區中也表現出一定程度的吸收特性，因此存在可見光的透射率也降低的問題。因此，取得表現出期望的阻擋特性和透射特性、不根據入射角而使透射特性偏移並且不產生波紋和花瓣眩光等的濾光器是困難的問題。
本發明的目的是為了其使用提供有效阻擋紫外線和紅外線並且在可見光中表現出高透射率的濾光器。
本發明的另一目的是為了其使用提供即使在入射角改變時也穩定地保持透射特性從而防止示出諸如波紋或花瓣眩光的問題的濾光器。
根據本發明的實施例，提供了濾光器，該濾光器包括：紅外吸收基板，紅外吸收基板包含銅；第一介電膜，第一介電膜形成在紅外吸收基板的第一表面上並且包括分別具有不同的折射率的第一子層和第二子層重複堆疊的結構；以及第二介電膜，第二介電膜形成在紅外吸收基板的第二表面上並且包括分別具有不同的折射率的第三子層和第四子層重複堆疊的結構；下面的公式1中的對於第一介電膜的V值限定為V 1，並且公式1中的對於第二介電膜的V值限定為V 2，其中， 公式1： 其中，n 1為對於第一子層與第二子層之間或第三子層與第四子層之間的具有較大折射率的子層的折射率；n 2為對於第一子層與第二子層之間或第三子層與第四子層之間的具有較小折射率的子層的折射率；R為n 1與n 2的比率（n 1/n 2）；Cu為包含在紅外吸收基板中的銅的量；K為第一介電膜中的第一子層和第二子層的總數或第二介電膜中的第三子層和第四子層的總數；並且2p為K-1，其中，V 1和V 2之和在45至75的範圍內；V 2與V 1的比率（V 2/V 1）在0.1至2的範圍內；並且對於第一介電膜或第二介電膜的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為720nm或更長或者不存在。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，紅外吸收基板中的銅的量在7重量%至30重量%的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，紅外吸收基板為包含CuO的氟磷酸鹽玻璃基板或包含CuO的磷酸鹽玻璃基板。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，紅外吸收基板在700nm至800nm的波長範圍內具有20%或更小的最大透射率，並且在700nm至800nm的波長範圍內具有10%或更小的平均透射率。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，紅外吸收基板在800nm至1,000nm的波長範圍內具有5%或更小的最大透射率，並且在800nm至1,000nm的波長範圍內具有5%或更小的平均透射率。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，紅外吸收基板在1,000nm至1,200nm的波長範圍內具有10%或更小的最大透射率，並且在1,000nm至1,200nm的波長範圍內具有10%或更小的平均透射率。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，根據公式1的對於第一介電膜的V值（V 1）在10至50的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，對於第一介電膜的在700nm至800nm的波長範圍內的最大反射率為30%或更小，並且對於第一介電膜的在700nm至800nm的波長範圍內的平均反射率為15%或更小。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，根據公式1的對於第二介電膜的V值（V 2）在10至50的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，第二介電膜在700nm至800nm的波長範圍內具有50%或更大的最大反射率，並且在700nm至800nm的波長範圍內具有30%或更大的平均反射率。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，第二介電膜在800nm至1,000nm的波長範圍內具有70%或更大的最大反射率，並且在800nm至1,000nm的波長範圍內具有70%或更大的平均反射率。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，對於第一介電膜或第二介電膜的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為80%或更小。
在實施例中，本發明中的濾光器進一步包括在紅外吸收基板的一個或兩個表面上的光吸收層。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，對於第一介電膜的厚度（T1）與第二介電膜的厚度（T2）的比率（T1/T2）在0.1至2的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，第一子層和第二子層中的每個具有在1nm至300nm的範圍內的厚度，並且第一子層和第二子層的厚度的平均值在50nm至300nm的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，第三子層和第四子層中的每個具有在1nm至300nm的範圍內的厚度，並且第三子層和第四子層的厚度的平均值在50nm至250nm的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，700nm至800nm的波長範圍內的最大透射率為3%或更小，並且700nm至800nm的波長範圍內的平均透射率為2%或更小。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，800nm至1,000nm的波長範圍內的最大透射率為1%或更小，並且800nm至1,000nm的波長範圍內的平均透射率為1%或更小。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，在350nm至425nm的波長區內的表現出50%的透射率的最短波長在400nm至425nm的範圍內。
在實施例中，對於本發明中的濾光器，在560nm至700nm的波長區內的表現出50%的透射率的最長波長在590nm至680nm的範圍內。
在實施例中，圖像獲取裝置包括本發明中的濾光器。
說明書中使用的各種實施例和術語不旨在將說明書中描述的技術特徵限於特定實施例，而是應理解為包括實施例的各種修改、等同物或替代物。結合附圖的描述，相似的附圖標記可以用於相似或相關的組件。除非相關上下文另有清楚指示，否則與一物對應的名詞的單數形式可以包括一個或多個元件。
將參考相關聯的附圖來描述實施例。在描述呈現的實施例時，相同的名稱和相同的附圖標記用於相同的組件，並且將省略其附加描述。另外，在描述本發明的實施例時，相同的名稱和附圖標記用於具有相同功能的組件，並且其與現有技術實質上不完全相同。
根據各種實施例，諸如“包括”或“具有”的術語旨在指定說明書中描述的特徵、數字、步驟、操作、組件、部件或組合的存在。然而，應理解的是，上文不排除其它特徵、數字、步驟、操作、組件、部件或組合中的一種或多種的添加或存在的可能性。
對於本發明中提及的測量溫度的結果可能影響的那些物理性質，除非另有說明，否則其在室溫下測量。在本發明中使用的術語“室溫”是指不加熱或不降低的自然溫度，其意味著在10℃至30℃的範圍內的任何溫度，例如，大約23℃的溫度或大約25℃的溫度。另外，在本說明書中，除非另有說明，否則溫度的單位為攝氏度（℃）。
術語“大氣壓力”為不加壓或減壓的自然壓力。其通常意味著具有大約740mmHg至780mmHg的值的大約1atm的大氣壓力。在測量的濕度影響結果的物理性質的情況下，物理性質為在自然濕度下測量的物理性質，自然濕度在室溫和/或大氣壓力下沒有特別控制。
在本發明中涉及的光學特性（例如，折射率）為根據波長而變化的特性的情況下，除非另有說明，否則光學特性為對於具有520nm的波長的光所取得的結果。
除非另有說明，否則在本發明中使用的術語“透射率”或“反射率”意味著在特定波長下確認的實際透射率（測量的透射率）或實際反射率（測量的反射率）。
除非入射角具體地說明，否則在本發明中使用的術語“透射率”或“反射率”為使用紫外和可見分光光度計測量的值，並且意味著在基於測量目標表面的法線的0°的入射角下的對於光的透射率或反射率。
在本發明中，除非另有說明，否則術語“平均透射率”為在於預定波長區內從最短波長起將波長增加1nm的同時測量每個波長的透射率之後取得測量的透射率的算術平均值的結果。例如，在350nm至360nm的波長範圍內的平均透射率為在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm的波長下測量的透射率的算術平均值。
在本說明書中，術語“最大透射率”是指在於預定波長區內從最短波長起將波長增加1nm的同時測量每個波長的透射率時的最大透射率。例如，在350nm至360nm的波長範圍內的最大透射率為在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm的波長下測量的透射率當中的最高透射率。
在本發明中，除非另有說明，否則術語“平均反射率”為在於預定波長區內從最短波長起將波長增加1nm的同時測量每個波長的反射率之後取得測量的反射率的算術平均值的結果。例如，在350nm至360nm的波長範圍內的平均反射率為在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm的波長下測量的反射率的算術平均值。
在本說明書中，術語“最大反射率”是指在於預定波長區內從最短波長起將波長增加1nm的同時測量每個波長的反射率時的最大反射率。例如，在350nm至360nm的波長範圍內的最大反射率為在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm的波長下測量的反射率當中的最高反射率。
在本發明中使用的術語“入射角”為垂直於待評估的表面的角。例如，濾光器的在0°的入射角下的透射率意味著對於在與濾光器表面的法線平行的方向上入射的光的透射率。此外，對於在40°的入射角下的透射率為在相對於濾光器表面的法線在順時針或逆時針方向上形成40°的角的入射光的透射率。入射角的這種限定同樣適用於諸如透射率的其它特性。
本發明的濾光器層能夠高效且準確地阻擋短波長可見光區附近的紫外光和長波長可見光區附近的紅外光，並且實現具有高透射率的可見光透射波段。本發明的濾光器可以包括透明基板，並且可以應用所謂的紅外吸收基板作為透明基板。紅外吸收基板為在紅外區的至少一部分中表現出吸收特性的基板。通過包括銅而表現出以上特性的所謂的藍色玻璃為紅外吸收基板的代表性示例。這樣的紅外吸收基板在構造阻擋紅外區中的光的濾光器上為有用的，但由於吸收特性而在確保可見光區中的高透射率上為不利的。在本發明中，通過選擇紅外吸收基板並且將其與特定介電膜結合，提供在高效阻擋期望的紫外區和紅外區中的光的同時在可見光區中表現出高透射率特性的濾光器是可能的。
對於紅外吸收基板，可以使用在425nm至560nm的範圍內具有75%或更大的平均透射率的基板。再舉個示例，平均透射率可以在77%或更大、79%或更大、81%或更大、83%或更大、85%或更大、87%或更大、89%或更大、或者91%或更大和/或98%或更小、96%或更小、94%或更小、或者92%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在425nm至560nm的範圍內具有80%或更大的最大透射率的基板。再舉個示例，最大透射率可以在82%或更大、84%或更大、86%或更大、88%或更大、90%或更大、或者92%或更大和/或100%或更小、98%或更小、96%或更小、或者94%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在350nm至390nm的範圍內具有75%或更大的平均透射率的基板。再舉個示例，平均透射率可以在77%或更大、79%或更大、或者81%或更大和/或98%或更小、96%或更小、94%或更小、92%或更小、90%或更小、88%或更小、86%或更小、或者84%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在350nm至390nm的範圍內具有80%或更大的最大透射率的基板。再舉個示例，最大透射率可以在82%或更大、84%或更大、或者86%或更大和/或100%或更小、98%或更小、96%或更小、94%或更小、92%或更小、90%或更小、或者88%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在700nm的波長下具有30%或更小的透射率的基板。再舉個示例，透射率可以在28%或更小、26%或更小、24%或更小、22%或更小、20%或更小、18%或更小、16%或更小、14%或更小、或者12%或更小、或者0%或更大、2%或更大、4%或更大、6%或更大、8%或更大、10%或更大、或者12%或更大的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在700nm至800nm的範圍內具有10%或更小的平均透射率的基板。再舉個示例，平均透射率可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、1.5%或更大、2%或更大、2.5%或更大、3%或更大、或者3.5%或更大和/或9%或更小、8%或更小、7%或更小、6%或更小、5%或更小、或者4%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在700nm至800nm的範圍內具有20%或更小的最大透射率的基板。再舉個示例，最大透射率可以在0%或更大、2%或更大、6%或更大、8%或更大、10%或更大、或者12%或更大和/或19%或更小、18%或更小、17%或更小、16%或更小、15%或更小、14%或更小、13%或更小、12%或更小、11%或更小、或者10%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以使用在800nm至1000nm的範圍內的表現出5%或更小的平均透射率的基板。再舉個示例，可以在0%或更大、0.1%或更大、0.2%或更大、或者0.3%或更大和/或4.8%或更小、4.6%或更小、4.4%或更小、4.2%或更小、4.0%或更小、3.8%或更小、3.6%或更小、3.4%或更小、3.2%或更小、3.0%或更小、2.8%或更小、2.6%或更小、2.4%或更小、2.2%或更小、2.0%或更小、1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、或者0.6%或更小的範圍內進一步調整平均透射率。
對於紅外吸收基板，可以使用在800nm至1000nm的範圍內的表現出5%或更小的最大透射率的基板。再舉個示例，最大透射率可以在0%或更大、0.2%或更大、0.4%或更大、或者0.6%或更大和/或4.8%或更小、4.6%或更小、4.4%或更小、4.2%或更小、4.0%或更小、3.8%或更小、3.6%或更小、3.4%或更小、3.2%或更小、3.0%或更小、2.8%或更小、2.6%或更小、2.4%或更小、2.2%或更小、2.0%或更小、1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、或者0.6%或更小的範圍內。
對於紅外吸收基板，可以應用在1000nm至1200nm的範圍內具有10%或更小的平均透射率的基板。再舉個示例，平均透射率可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、或者1.5%或更大和/或9.5%或更小、9%或更小、8.5%或更小、8%或更小、7.5%或更小、7%或更小、6.5%或更小、6%或更小、5.5%或更小、5%或更小、4.5%或更小、4%或更小、3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、或者2%或更小的範圍內。
紅外吸收基板可以具有在1000nm至1200nm的範圍內的表現出10%或更小的最大透射率的透射波段。再舉個示例，最大透射率可以為0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、1.5%或更大、2%或更大、2.5%或更大、3%或更大、或者3.5%或更大和/或9%或更小、8%或更小、7%或更小、6%或更小、5%或更小、或者4%或更小。
具有以上特性的紅外吸收基板能夠與本發明的介電膜結合以形成期望的濾光器。作為這樣的基板，因所謂的紅外吸收玻璃而已知的基板能夠被使用。這樣的玻璃為通過將CuO或類似物添加到氟磷酸鹽類玻璃或磷酸鹽類玻璃中而製造的吸收型玻璃。因此，在本發明中，舉個示例，對於紅外吸收基板，可以使用包含CuO的氟磷酸鹽玻璃基板或包含CuO的磷酸鹽玻璃基板。在上文中，磷酸鹽玻璃包括玻璃的結構的一部分由SiO 2組成的矽磷酸鹽玻璃。這樣的吸收型玻璃是已知的，並且例如，可以使用第10-2056613號韓國授權專利中公開的如此玻璃或其它市售吸收型玻璃（例如，諸如Hoya、Short、PTOT的市售產品）。
這種紅外吸收基板包含銅。在本發明中，可以使用銅量在以重量計7%（7重量%）至30重量%的範圍內的基板。此時，在本說明書的示例中總結了用於測量銅量的方法。再舉個示例，銅量可以為8重量%或更大、9重量%或更大、10重量%或更大、11重量%或更大、或者12重量%或更大、或者28重量%或更小、26重量%或更小、24重量%或更小、22重量%或更小、20重量%或更小、18重量%或更小、16重量%或更小、14重量%或更小、或者13重量%或更小。
具有這樣的銅量的基板傾向於表現出上述光學特性，並且因此其能夠與稍後描述的介電膜結合而形成具有期望的特性的濾光器。可以在例如大約0.03mm至大約5mm的範圍內調整紅外吸收基板的厚度，但不限於該數字。
本發明的濾光器可以包括在紅外吸收基板的兩側上的介電膜。為了方便，在下面的說明書中，形成在紅外吸收基板的兩側上的介電膜中的一個可以被稱為第一介電膜，並且另一個可以被稱為第二介電膜。
紅外吸收基板可以包括形成在第一表面上的第一介電膜和形成在第二表面上的第二介電膜。在上文中，第一表面意味著紅外吸收基板的任何一主表面，並且第二表面意味著紅外吸收基板的與第一表面相對的另一主表面。
圖1是這樣的濾光器的示例性結構，並且其為介電膜201和202形成在紅外吸收基板100的兩個表面上的情況。第一介電膜和第二介電膜可以具有包括分別具有不同折射率的至少兩個子層的多層結構，並且其可以包括兩個子層重複堆疊的多層結構。例如，第一介電膜可以包括具有不同折射率的第一子層和第二子層重複堆疊的結構，並且第二介電膜可以包括具有不同折射率的第三子層和第四子層重複堆疊的結構。
第一子層和第二子層為通過折射率的差異來區分的子層，並且第三子層和第四子層也為通過折射率的差異來區分的子層。因此，只要第二子層的折射率與第一子層的折射率不同，第一子層可以由與第三子層或第四子層相同的材料製成，並且對於第二子層至第四子層也是如此。
通常，介電膜為通過重複堆疊具有低折射率的介電材料和具有高折射率的介電材料而形成的膜，並且其用於形成所謂的IR反射層和AR（抗反射）層。在本發明中可以應用用於形成常規AR層或IR反射層的介電膜。
能夠通過與紅外吸收基板相關地調整介電膜的形成來提供期望的濾光器。例如，在本發明的濾光器中，以下根據公式1的第一介電膜的V值（V 1）和根據公式1的第二介電膜的V值（V 2）之和（V 1+V 2）可以在45至75的範圍內。
[公式1]
在公式1中，R為對於確認第一介電膜的V值的情況的第一子層和第二子層當中的具有較大折射率的子層的折射率（n 1）相對於第一子層和第二子層當中的具有較低折射率的子層的折射率（n 2）的比率（n 1/n 2）和對於確認第二介電膜的V值的情況的第三子層和第四子層當中的具有較大折射率的子層的折射率（n 1）相對於第三子層和第四子層當中的具有較低折射率的子層的折射率（n 2）的比率（n 1/n 2）。
在公式1中，n 2為對於確認第一介電膜的V值的情況的第一子層和第二子層當中的具有較低折射率的子層的折射率（n 2），並且n 2為對於確認第二介電膜的V值的情況的第三子層和第四子層當中的具有較低折射率的子層的折射率（n 2）。在公式1中，Cu為包括在紅外吸收基板中的銅的量。
在公式1中，K為對於確認第一介電膜的V值的情況的第一介電膜中的第一子層和第二子層的層的總數。K為對於確認第二介電膜的V值的情況的第二介電膜中的第三子層和第四子層的層的總數。在公式1中，2p為K-1。
確認公式1的V值的第一子層和第二子層為在第一介電膜中形成具有不同折射率的子層的重複堆疊結構的子層，並且第一子層和第二子層的總數可以為第一介電膜中的全部子層的總數的至少50%或更大、55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大。第一子層和第二子層的總數與全部子層的總數的比率的上限將不受限制，並且其可以為例如100%或更小或者小於100%。換句話說，第一介電膜可以僅包括第一子層和第二子層，或者其可以包括其它子層。
確認公式1的V值的第三子層和第四子層為在第二介電膜中形成具有不同折射率的子層的重複堆疊結構的子層，並且第三子層和第四子層的總數可以為第二介電膜中的全部子層的總數的至少50%或更大、55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大。第三子層和第四子層的總數與全部子層的總數的比率的上限將不受限制，並且其可以為例如100%或更小或者小於100%。換句話說，第二介電膜可以僅包括第三子層和第四子層，或者其可以包括其它子層。
再舉個示例，V值之和（V 1+V 2）可以為46或更大、47或更大、48或更大、49或更大、50或更大、51或更大、52或更大、或者54或更大和/或73或更小、71或更小、69或更小、67或更小、65或更小、63或更小、61或更小、60或更小、59或更小、58或更小、57或更小、56或更小、或者55或更小。
對於濾光器，第二介電膜的V值（V 2）與第一介電膜的V值（V 1）的比率（V 2/V 1）可以在0.1至2的範圍內。再舉個示例，比率（V 2/V 1）可以為0.2或更大、0.3或更大、0.4或更大、0.5或更大、0.6或更大、0.7或更大、0.8或更大、0.9或更大、1或更大和/或1.9或更小、1.8或更小、1.7或更小、1.6或更小、1.5或更小、1.4或更小、1.3或更小、1.2或更小、1.1或更小。
形成為滿足這樣的條件的介電膜可以提供通過補充或改善紅外吸收基板的不足特性而在表現出期望的阻擋特性和透射特性的同時不引起諸如波紋和花瓣眩光的問題的濾光器。
公式1中的V值與第一子層和第二子層之間或第三子層和第四子層之間的折射率的差、基板中的銅的量以及第一子層和第二子層或第三子層和第四子層的總數成比例，並且也與第一子層和第二子層之間或第三子層和第四子層之間的具有較低折射率的子層的折射率成反比。
影響V值的因素影響濾光器的單獨的組件的透射特性和反射特性中的每個。
例如，隨著基板中的銅的量增加，基板本身在長波長區中的吸收特性增大，並且示出了從近似550nm的波長起透射率的急劇減小。因此，如果基板中的銅的量增加，則有利於阻擋長波長區中的光，但增加的銅的量使基板的耐久性劣化。
第一子層與第二子層（或第三子層與第四子層）之間的折射率的差、第一子層和第二子層（或第三子層和第四子層）的層的總數以及第一子層和第二子層（或第三子層和第四子層）之間的較低折射率的子層的折射率影響對應的介電膜的透射特性和反射特性。
在本發明中，通過將基板和介電膜結合為使第一介電膜和第二介電膜的V值之和在15至50的範圍內並且使兩個V值的比率（V 2/V 1）在4至12的範圍內，對於濾光器中的每個元件（基板和介電膜），使用於示出濾光器的期望的光學特性的貢獻部分最大化並且在消除可能不利地影響濾光器的特性的一個元件的特性的同時補充其它元件是可能的。因此，在本發明中，具有優異耐久性的濾光器以及其用途能夠提供為使得紫外線和紅外線被有效阻擋、在可見光中示出高透射率、即使當入射角改變時也穩定地保持特性以及不示出諸如波紋和花瓣眩光的問題。
例如，如果濾光器被配置為使得第一介電膜和第二介電膜的V值之和過大，則可能出現諸如濾光器的耐久性的減小和/或可見光區中的透射率的減小的問題，或者使用光的效率可能由於濾光器阻擋可見光區中的可用的長波長的光而劣化。如果濾光器被配置為使得第一介電膜和第二介電膜的V值之和太小，則濾光器的長波長區的阻光效率降低，並且在應當阻擋的長波長區中的一些區（例如，700nm至800nm）處可能出現透射率的局部增大。
如果第一介電膜和第二介電膜的V值的比率過分減小或增大，則可能出現諸如濾光器的耐久性的減小和/或可見光區中的透射率的減小的問題，或者使用光的效率可能由於濾光器阻擋可見光區中的可用的長波長的光而劣化。或者濾光器的長波長區中的阻光效率降低和/或在長波長區中的一些區（例如，700nm至800nm）處可能出現透射率的局部增大。
例如，在公式1中，第一子層和第二子層或第三子層和第四子層當中的高折射率層的折射率（n 1）與低折射率層的折射率（n 2）的比率（n 1/n 2）可以在大約1.4至2.0的範圍內。再舉個示例，比率可以為大約1.45或更大、1.5或更大、1.55或更大、1.6或更大、1.65或更大、1.7或更大、或者1.75或更大、或者1.95或更小、1.9或更小、1.85或更小、或者1.8或更小。
在公式1中，第一子層和第二子層或第三子層和第四子層當中的高折射率層的折射率（n 1）可以在大約1.8至3.5的範圍內。再舉個示例，折射率（n 1）可以為2.0或更大、2.2或更大、2.4或更大、2.5或更大、或者2.55或更大、或者大約3.3或更小、3.1或更小、2.9或更小、或者2.7或更小。
在公式1中，第一子層和第二子層或第三子層和第四子層當中的低折射率層的折射率（n 2）可以在大約1.1至1.7的範圍內。再舉個示例，折射率（n 2）可以為1.2或更大、1.3或更大、或者1.4或更大、或者1.65或更小、1.6或更小、1.55或更小、或者大約1.5或更小。
如上所述，公式1的Cu（換句話說，包括在紅外吸收基板中的銅的量）可以在7重量%至30重量%的範圍內。當計算公式1的V值時，在忽略銅量的單位的情況下僅取代數字。換句話說，公式1的V值可以為無量綱的。再舉個示例，公式1中的Cu可以為8重量%或更大、9重量%或更大、10重量%或更大、11重量%或更大、或者12重量%或更大、或者28重量%或更小、26重量%或更小、24重量%或更小、22重量%或更小、20重量%或更小、18重量%或更小、16重量%或更小、14重量%或更小、或者13重量%或更小。
對於第一介電膜的情況，公式1中確定2p的K（換句話說，第一子層和第二子層的層的總數（第一子層的層的數量+第二子層的層的數量））可以為2至50。再舉個示例，對於第一介電膜的K值可以為3或更大、4或更大、5或更大、6或更大、7或更大、8或更大、9或更大、10或更大、11或更大、12或更大、13或更大、14或更大、15或更大、16或更大、17或更大、18或更大、19或更大、20或更大、21或更大、或者22或更大、或者48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、29或更小、28或更小、27或更小、26或更小、25或更小、24或更小、23或更小、22或更小、或者21或更小。第一介電膜可以包括第一子層和第二子層的重複堆疊結構，並且因此，在此情況下，第一子層和第二子層中的每個的層的數量彼此相同，或者任一個可以具有一個或兩個以上的層。包括在第一介電膜中的子層的總數可以為50或更小、48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、29或更小、28或更小、27或更小、26或更小、25或更小、24或更小、23或更小、22或更小、或者21或更小、或者2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、6或更大、7或更大、8或更大、9或更大、10或更大、11或更大、12或更大、13或更大、14或更大、15或更大、16或更大、17或更大、18或更大、19或更大、20或更大、21或更大、或者22或更大。
對於第二介電膜的情況，公式1中確定2p的K（換句話說，第三子層和第四子層的層的總數（第三子層的層的數量+第四子層的層的數量））可以為2至50。再舉個示例，對於第一介電膜的K值可以為3或更大、4或更大、5或更大、6或更大、7或更大、8或更大、9或更大、10或更大、11或更大、12或更大、13或更大、14或更大、15或更大、16或更大、17或更大、18或更大、19或更大、20或更大、21或更大、或者22或更大、或者48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、29或更小、28或更小、27或更小、26或更小、25或更小、24或更小、23或更小、22或更小、或者21或更小。第二介電膜可以包括第三子層和第四子層的重複堆疊結構，並且因此，在此情況下，第三子層和第四子層中的每個的層的數量彼此相同，或者任一個可以具有一個或兩個以上的層。包括在第二介電膜中的子層的總數可以為例如50或更小、48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、29或更小、28或更小、27或更小、26或更小、25或更小、24或更小、23或更小、22或更小、或者21或更小。再舉個示例，其可以為2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、6或更大、7或更大、8或更大、9或更大、10或更大、11或更大、12或更大、13或更大、14或更大、15或更大、16或更大、17或更大、18或更大、19或更大、20或更大、21或更大、或者22或更大。
對於濾光器，為第一介電膜的厚度（T1）與第二介電膜的厚度（T2）的比率（T2/T1）可以在0.1至2的範圍內。再舉個示例，比率（T2/T1）可以為0.2或更大、0.3或更大、0.4或更大、0.5或更大、0.6或更大、0.7或更大、0.8或更大、0.9或更大、或者1或更大、或者1.9或更小、1.8或更小、1.7或更小、1.6或更小、或者1.5或更小。其可以為大約1.4或更小、1.3或更小、1.2或更小、或者1.1或更小。形成為滿足以上條件的介電膜可以提供通過補充或改善紅外吸收基板的特性的不足部分而在表現出期望的阻擋特性和透射特性的同時不引起諸如波紋、花瓣眩光和捲曲的問題的濾光器。
第一介電膜中的第一子層和第二子層或第二介電膜中的第三子層和第四子層中的每個的厚度可以根據使用意圖來調整，但其可以在近似1nm至300nm的範圍內。再舉個示例，厚度可以為2nm或更大、3nm或更大、4nm或更大、5nm或更大、6nm或更大、7nm或更大、8nm或更大、9nm或更大、10nm或更大、15nm或更大、20nm或更大、25nm或更大、30nm或更大、35nm或更大、40nm或更大、45nm或更大、50nm或更大、55nm或更大、60nm或更大、65nm或更大、70nm或更大、75nm或更大、80nm或更大、85nm或更大、90nm或更大、95nm或更大、100nm或更大、110nm或更大、120nm或更大、130nm或更大、140nm或更大、150nm或更大、160nm或更大、170nm或更大、或者180nm或更大、或者290nm或更小、280nm或更小、270nm或更小、260nm或更小、250nm或更小、240nm或更小、230nm或更小、220nm或更小、210nm或更小、200nm或更小、190nm或更小、180nm或更小、170nm或更小、160nm或更小、150nm或更小、140nm或更小、130nm或更小、120nm或更小、110nm或更小、100nm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、15nm或更小、或者10nm或更小。
包括在第一介電膜中的第一子層和第二子層的厚度或第二介電膜中的第三子層和第四子層的厚度的平均值（算術均值）可以在大約50nm至300nm的範圍內。再舉個示例，平均值可以為55nm或更大、60nm或更大、65nm或更大、70nm或更大、75nm或更大、80nm或更大、85nm或更大、90nm或更大、95nm或更大、100nm或更大、105nm或更大、110nm或更大、115nm或更大、120nm或更大、或者125nm或更大、或者290nm或更小、280nm或更小、270nm或更小、260nm或更小、250nm或更小、240nm或更小、230nm或更小、220nm或更小、210nm或更小、200nm或更小、190nm或更小、180nm或更小、170nm或更小、160nm或更小、150nm或更小、140nm或更小、130nm或更小、120nm或更小、或者115nm或更小。
如以上陳述的，第一介電膜或第二介電膜的總厚度可以在大約500nm至大約5,000nm的範圍內。再舉個示例，厚度可以在1,000nm或更大、1,500nm或更大、2,000nm或更大、2,400nm或更大、2,500nm或更大、或者2,600nm或更大、或者4,800nm或更小、4,600nm或更小、4,400nm或更小、4,200nm或更小、4,000nm或更小、3,800nm或更小、3,600nm或更小、3,400nm或更小、3,200nm或更小、3,000nm或更小、2,800nm或更小、2,700nm或更小、2,600nm或更小、或者2,500nm或更小的範圍內。
對於第一介電膜，在交替地包括第一子層和第二子層的堆疊結構中，一個表面可以形成為第一子層，並且另一表面可以形成為第二子層。例如，堆疊結構的在紅外吸收基板上的第一介電膜的表面可以由第一子層或第二子層形成，並且相對側上的表面可以由第二子層或第一子層形成。然而，堆疊順序可以改變。
在交替地包括第三子層和第四子層的堆疊結構中，第二介電膜的兩個表面可以由相同的子層形成。例如，第三子層和第四子層當中的具有高折射率的層或具有低折射率的層可以形成在兩個表面上。然而，堆疊順序可以改變。
舉個示例，公式1中的對於第一介電膜的V值（V 1）可以在10至50的範圍內。再舉個示例，V 1可以為12或更大、14或更大、16或更大、18或更大、20或更大、22或更大、24或更大、或者26或更大、或者48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、28或更小、或者27或更小。
舉個示例，公式1中的對於第二介電膜的V值（V 2）可以在10至50的範圍內。再舉個示例，V 2可以為12或更大、14或更大、16或更大、18或更大、20或更大、22或更大、24或更大、或者26或更大、或者48或更小、46或更小、44或更小、42或更小、40或更小、38或更小、36或更小、34或更小、32或更小、30或更小、28或更小、或者27或更小。具有以上特性的第一介電膜和第二介電膜可以與紅外吸收基板一起確保期望的光學特性。
用於形成第一介電膜或第二介電膜的材料（換句話說，用於形成子層中的每個的材料的種類）沒有特別限制，並且可以應用已知的材料。通常，SiO 2或諸如Na 5Al 3F 14、Na 3AlF 6或MgF 2的氟化物可以為了低折射子層的製備而應用，並且TiO 2、Ta 2O 5、Nb 2O 5、ZnS或ZnSe可以為了高折射子層的製備而應用。然而，在本發明中應用的材料可以不限於此。
為了取得適當的效果，第一介電膜和第二介電膜中的一個可以使用具有比另一個介電膜強的反射特性的介電膜。例如，第二介電膜可以具有比第一介電膜高的反射特性。
第一介電膜可以在425nm至560nm的範圍內表現出2%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在0%或更大、0.1%或更大、0.2%或更大、0.3%或更大、或者0.4%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、或者0.5%或更小的範圍內。
第一介電膜可以在425nm至560nm的範圍內表現出10%或更大的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、1.5%或更大、或者1.8%或更大和/或9%或更小、7%或更小、6%或更小、5%或更小、4%或更小、3%或更小、或者2%或更小的範圍內。
第一介電膜可以在350nm至390nm的範圍內表現出50%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在60%或更大、70%或更大、80%或更大、90%或更大、或者94%或更大和/或100%或更小、98%或更小、96%或更小、或者95%或更小的範圍內。
第一介電膜可以在350nm至390nm的範圍內表現出50%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在60%或更大、70%或更大、80%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小的範圍內。
對於第一介電膜，能夠使用在700nm的波長下具有2%或更小的反射率的基板。再舉個示例，反射率可以為1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、或者0.4%或更小、或者0%或更大、0.1%或更大、0.2%或更大、0.3%或更大、或者0.4%或更大。
第一介電膜可以在700nm至800nm的範圍內表現出20%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在19%或更小、18%或更小、17%或更小、16%或更小、15%或更小、14%或更小、13%或更小、12%或更小、11%或更小、10%或更小、9%或更小、8%或更小、7%或更小、或者6%或更小和/或0%或更大、1%或更大、2%或更大、3%或更大、4%或更大、或者5%或更大的範圍內。
第一介電膜可以在700nm至800nm的範圍內表現出30%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在28%或更小、26%或更小、24%或更小、22%或更小、20%或更小、18%或更小、16%或更小、15%或更小、或者14.5%或更小和/或0%或更大、1%或更大、2%或更大、3%或更大、4%或更大、5%或更大、6%或更大、7%或更大、8%或更大、9%或更大、10%或更大、11%或更大、12%或更大、13%或更大、或者14%或更大的範圍內。
第一介電膜可以在800nm至1,000nm的範圍內表現出30%或更小的平均反射率。再舉個示例，可以在32%或更大、34%或更大、36%或更大、38%或更大、40%或更大、42%或更大、44%或更大、46%或更大、48%或更大、50%或更大、52%或更大、54%或更大、56%或更大、或者57%或更大和/或80%或更小、75%或更小、70%或更小、65%或更小、或者60%或更小的範圍內進一步調整平均反射率。
第一介電膜可以在800nm至1,000nm的範圍內表現出50%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第一介電膜可以在1,000nm至1,200nm的範圍內表現出50%或更小的平均反射率。再舉個示例，可以在55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內進一步調整平均反射率。
第一介電膜可以在1,000nm至1,200nm的範圍內表現出50%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第一介電膜可以在600nm至900nm的範圍內表現出80%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在75%或更小、70%或更小、65%或更小、60%或更小、55%或更小、50%或更小、45%或更小、40%或更小、35%或更小、30%或更小、25%或更小、20%或更小、18%或更小、16%或更小、14%或更小、12%或更小、10%或更小、或者9.5%或更小和/或0%或更大、1%或更大、2%或更大、3%或更大、4%或更大、5%或更大、6%或更大、7%或更大、8%或更大、或者8.5%或更大的範圍內。
第一介電膜可以在600nm至900nm的範圍內表現出80%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在78%或更小、76%或更小、74%或更小、72%或更小、70%或更小、68%或更小、66%或更小、64%或更小、62%或更小、60%或更小、58%或更小、56%或更小、或者54%或更小和/或0%或更大、10%或更大、15%或更大、20%或更大、25%或更大、30%或更大、35%或更大、40%或更大、45%或更大、或者50%或更大的範圍內。
第一介電膜可以具有在600nm至900nm的波長範圍內表現出50%的反射率的在710nm或更大的範圍內的最短波長。再舉個示例，最短波長可以為715nm或更大、720nm或更大、725nm或更大、730nm或更大、735nm或更大、740nm或更大、745nm或更大、750nm或更大、或者754nm或更大、或者900nm或更小、850nm或更小、800nm或更小、790nm或更小、780nm或更小、770nm或更小、或者760nm或更小。
第二介電膜可以在425nm至560nm的範圍內表現出2%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在0%或更大、0.1%或更大、0.2%或更大、0.3%或更大、或者0.4%或更大和/或1.5%或更小、1%或更小、或者0.5%或更小的範圍內。
第二介電膜可以在425nm至560nm的範圍內表現出4%或更小的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、1.2%或更大、或者1.4%或更大和/或3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、或者2%或更小的範圍內。
第二介電膜可以在350nm至390nm的範圍內表現出75%或更大的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者94%或更大和/或98%或更小、96%或更小、或者95%或更小的範圍內。
第二介電膜可以在350nm至390nm的範圍內表現出80%或更大的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在85%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小的範圍內。
第二介電膜可以在700nm的波長下具有30%或更小的反射率。再舉個示例，反射率可以為28%或更小、26%或更小、24%或更小、22%或更小、20%或更小、18%或更小、16%或更小、14%或更小、或者12%或更小、或者0%或更大、2%或更大、4%或更大、6%或更大、8%或更大、或者10%或更大。
第二介電膜可以在700nm至800nm的範圍內表現出30%或更大的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在35%或更大、40%或更大、45%或更大、55%或更大、或者60%或更大和/或80%或更小、75%或更小、70%或更小、65%或更小、或者62%或更小的範圍內。
第二介電膜可以在700nm至800nm的範圍內表現出50%或更大的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第二介電膜可以在800nm至1,000nm的範圍內表現出70%或更大的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在75%或更大、80%或更大、85%或更大、90%或更大、94%或更大、96%或更大、97%或更大、98%或更大、或者99%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第二介電膜可以在800nm至1,000nm的範圍內表現出70%或更大的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在72%或更大、74%或更大、76%或更大、78%或更大、80%或更大、82%或更大、84%或更大、86%或更大、88%或更大、90%或更大、92%或更大、94%或更大、96%或更大、98%或更大、或者99%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
對於第二介電膜，可以應用在1,000nm至1,200nm的範圍內具有30%或更大的平均反射率的基板。再舉個示例，平均反射率可以在35%或更大、40%或更大、45%或更大、50%或更大、或者52%或更大和/或100%或更小、95%或更小、90%或更小、85%或更小、80%或更小、75%或更小、70%或更小、65%或更小、60%或更小、或者55%或更小的範圍內。
第二介電膜可以具有在1,000nm至1,200nm的範圍內的表現出70%或更大的最大反射率的透射波段。再舉個示例，最大反射率可以在72%或更大、74%或更大、76%或更大、78%或更大、80%或更大、82%或更大、84%或更大、86%或更大、88%或更大、90%或更大、92%或更大、94%或更大、96%或更大、98%或更大、或者99%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第二介電膜可以在600nm至900nm的範圍內表現出80%或更小的平均反射率。再舉個示例，平均反射率可以在78%或更小、76%或更小、74%或更小、72%或更小、70%或更小、68%或更小、66%或更小、64%或更小、62%或更小、60%或更小、58%或更小、56%或更小、或者55%或更小和/或10%或更大、15%或更大、20%或更大、25%或更大、30%或更大、35%或更大、40%或更大、45%或更大、50%或更大、52%或更大、或者53%或更大的範圍內。
第二介電膜可以在600nm至900nm的範圍內表現出50%或更大的最大反射率。再舉個示例，最大反射率可以在52%或更大、54%或更大、56%或更大、58%或更大、60%或更大、62%或更大、64%或更大、66%或更大、68%或更大、70%或更大、72%或更大、74%或更大、76%或更大、78%或更大、80%或更大、82%或更大、84%或更大、86%或更大、88%或更大、90%或更大、92%或更大、94%或更大、96%或更大、98%或更大、或者99%或更大和/或100%或更小或者小於100%的範圍內。
第二介電膜可以具有在600nm至900nm的波長範圍內表現出50%的反射率的在710nm或更大的範圍內的最短波長。再舉個示例，最短波長可以在715nm或以上、720nm或以上、725nm或以上、730nm或以上、735nm或以上、740nm或以上、745nm或以上、750nm或以上、或者754nm或以上、或者900nm或更小、850nm或更小、800nm或更小、790nm或更小、780nm或更小、770nm或更小、或者760nm或更小的範圍內。
為了取得濾光器的恰當特性，可以調整第一介電膜、第二介電膜或濾光器的反射特性，特別是在600nm至900nm的範圍內的反射特性。舉個示例，第一介電膜、第二介電膜和濾光器中的任何一個或者它們中的任何兩個或所有可以具有在600nm至900nm的波長範圍內表現出50%的反射率的710nm或以上的最短波長，或者可以不存在該最短波長。在後一種情況下，最大透射率在從600nm至900nm的波長範圍內小於50%。再舉個示例，如果存在，則表現出50%反射率的最短波長可以為715nm或以上、720nm或以上、725nm或以上、730nm或以上、735nm或以上、740nm或以上、745nm或以上、750nm或以上、754nm或以上、或者900nm或更小、850nm或更小、800nm或更小、790nm或更小、780nm或更小、770nm或更小、或者760nm或更小。
在此情況下，第一介電膜、第二介電膜和濾光器中的任何一個或者它們中的任何兩個或所有在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率可以為80%或更小。再舉個示例，平均反射率可以在75%或更小、70%或更小、65%或更小、60%或更小、55%或更小、50%或更小、45%或更小、40%或更小、35%或更小、30%或更小、25%或更小、20%或更小、15%或更小、或者10%或更小、或者5%或更大、10%或更大、15%或更大、20%或更大、25%或更大、30%或更大、35%或更大、40%或更大、45%或更大、或者50%或更大的範圍內。
在上文中，第一介電膜或第二介電膜的反射率為在每個介電膜形成在透明基板（SCHOTT，D263）上的情況下測量的值，並且濾光器的反射特性為從濾光器的第一介電膜存在的表面或濾光器的第二介電膜存在的表面測量的值。
通常，由於在濾光器中存在的層相對薄並且在基板的情況下存在極少反射特性或不存在反射特性，因此，從第一介電膜存在的表面測量的反射特性和從第二介電膜存在的表面測量的反射特性幾乎相似。
如上所述，通過控制反射特性，能夠防止所謂的花瓣眩光現象。換句話說，可以認為花瓣眩光現象的原因中的一個為近紅外光的反射在安裝有濾光器的圖像獲取裝置中重複。在此情況下，如上所述，通過控制第一介電膜和/或第二介電膜和/或濾光器的反射特性，能夠防止花瓣眩光現象。
如上所述的形成介電膜的方法沒有特別限制，並且例如，可以通過應用已知的沉積方法來形成。在工業上，考慮沉積厚度或子層的數量來控制介電膜的反射特性和透射特性的方法是已知的，並且因此，在本發明中根據已知方法形成示出以上特性的第一介電膜和第二介電膜。此外，能夠通過控制介電膜的特性來調整濾光器的第二介電膜的表面的反射率。
濾光器可以進一步包括各種可選的層，只要大體上包括透明基板（紅外吸收基板）以及介電膜即可。例如，濾光器可以進一步包括形成在透明基板和/或介電膜的一個或兩個表面上的吸收層。吸收層為光吸收層，例如，吸收在紅外區和/或紫外區的至少一部分的波長範圍內的光的層。一層或兩層或者更多層的吸收層可以形成在濾光器上。
圖2至圖4是圖示吸收層300、301和302形成在圖1的濾光器中的情況的視圖。如圖2至圖4中，吸收層可以形成為紅外吸收基板100與第一介電膜201和/或第二介電膜202之間的一層或兩層或更多層。
舉個示例，吸收層可以為紅外吸收層和/或紫外吸收層。吸收層也可以為具有紅外吸收性質和紫外吸收性質兩者的層。這些層通常為包含吸收劑（顏料、染料等）和透明樹脂的層，並且它們可以應用為通過截止在近紫外區和/或近紅外區中的光來實現更清晰的透射率波段。
舉個示例，紫外吸收層可以設計為在大約300nm至390nm的波長範圍內表現出最大吸收，並且紅外吸收層可以設計為在600nm至800nm的波長範圍內表現出最大吸收。舉個示例，當光吸收層為表現出紫外吸收性和紅外吸收性兩者的層時，光吸收層能夠設計為同時表現出在大約300nm至390nm的波長區內的吸收波段和在600nm至800nm的波長區內的吸收波段。
紅外吸收層和紫外吸收層可以被配置為一層，或者它們可以分別被配置為分開的層。例如，一層可以設計為表現出紫外吸收層的吸收最大值和紅外吸收層的吸收最大值兩者，或者可以形成示出相應的吸收最大值的兩層。另外，可以存在多個紅外吸收層和/或多個紫外吸收層。
每個吸收層可以僅包含一種吸收劑，並且如果必要，它可以包含用於恰當截止紅外和/或紫外的兩種或更多種吸收劑。例如，紅外吸收層可以包括第一吸收劑、第二吸收劑和第三吸收劑，第一吸收劑具有在700nm至720nm的範圍內的最大吸收波長和在50nm至60nm的範圍內的半峰全寬（FWHM），第二吸收劑具有在730nm至750nm的範圍內的最大吸收波長和在60nm至70nm的範圍內的半峰全寬（FWHM），第三吸收劑具有在760nm至780nm的範圍內的最大吸收波長和在90nm至100nm的範圍內的半峰全寬（FWHM）。紫外吸收層可以包括第一吸收劑和第二吸收劑，第一吸收劑具有在340nm至350nm的範圍內的最大吸收波長，第二吸收劑具有在360nm至370nm的範圍內的最大吸收波長。
構成吸收層的材料和配置方法沒有特別限制，並且能夠應用已知的材料和配置方法。通常，吸收層通過使用透明樹脂和能夠表現出期望的最大吸收的吸收劑（諸如染料或顏料）共混的材料來形成。
例如，作為紫外吸收劑，可以應用在大約300nm至390nm的波長區內表現出最大吸收的已知吸收劑。示例性紫外吸收劑可以包括由Exiton製造的ABS 407；來自QCR Solutions Corp的UV381A、UV381B、UV382A、UV386A和VIS404A；HW Sands的ADA1225、ADA3209、ADA3216、ADA3217、ADA3218、ADA3230、ADA5205、ADA3217、ADA2055、ADA6798、ADA3102、ADA3204、ADA3210、ADA2041、ADA2323201、ADA3202、ADA3215、ADA3225、ADA3268、ADA3202、ADA3215、ADA26、ADA3219、ADA3、ADA7226、ADA4634、ADA3213、ADA3227、ADA5922、ADA5950、ADA6752、ADA7130、ADA8212、ADA2984、ADA2999、ADA3220、ADA3228、ADA3235、ADA3240、ADA3211、ADA3221、ADA5220和ADA7158；以及CRYSTALYN的DLS 381B、DLS 381C、DLS 382A、DLS 386A、DLS 404A、DLS 405A、DLS 405C和DLS 403A等，但不限於此。
作為紅外吸收劑，可以使用在600nm至800nm的波長區內的表現出最大吸收的適當的染料或顏料。例如，可以使用方酸類染料、菁類化合物、酞菁類化合物、萘菁類化合物或二硫醇金屬絡合物類化合物，但不限於此。
已知樹脂也可以用於應用於吸收層的透明樹脂。例如，可以使用選自環烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯樹脂、聚亞芳基醚氧化膦樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂和各種有機-無機雜化樹脂中的一種或更多種樹脂。
如上所述的本發明的濾光器可以表現出優異的光學性質連同優異的耐久性。例如，濾光器可以表現出在大約400nm至425nm的範圍內的具有T50%截止起始波長的透射波段。T50%截止起始波長為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%的透射率的波長當中的最短波長。示出50%的透射率的一個或者兩個或更多個波長可以在400nm至425nm的範圍內存在。如果一個波長存在，則其成為T50%截止起始波長。如果兩個或更多個波長存在，則最短波長成為T50%截止起始波長。可以在402nm或以上、404nm或以上、406nm或以上、408nm或以上、410nm或以上、412nm或以上、或者414nm或以上和/或423nm或更小、421nm或更小、419nm或更小、417nm或更小、或者415nm或更小的範圍內進一步調整T50%截止起始波長。
濾光器可以表現出在大約590nm至680nm的範圍內的具有T50%截止終止波長的透射波段。T50%截止終止波長為在560nm至700nm的波長範圍內的示出50%的透射率的波長當中的最長波長。示出50%的透射率的一個或兩個或者更多個波長可以在560nm至700nm的範圍內存在。如果一個波長存在，則其成為T50%截止終止波長。如果兩個或更多個波長存在，則最長波長成為T50%截止終止波長。可以在600nm或以上、610nm或以上、或者620nm或以上和/或670nm或更小、660nm或更小、650nm或更小、640nm或更小、或者630nm或更小的範圍內進一步調整T50%截止終止波長。
濾光器可以具有在425nm至560nm的範圍內的表現出75%或更大的平均透射率的透射波段。再舉個示例，可以在77%或更大、79%或更大、81%或更大、83%或更大、85%或更大、87%或更大、89%或更大、91%或更大、92%或更大、或者92.5%或更大、或者98%或更小、96%或更小、94%或更小、93%或更小、或者92.5%或更小的範圍內調整平均透射率。
本發明的濾光器可以具有在425nm至560nm的範圍內的表現出79%或更大的最大透射率的透射波段。再舉個示例，可以在81%或更大、83%或更大、85%或更大、87%或更大、89%或更大、91%或更大、93%或更大、或者95%或更大和/或100%或更小、98%或更小、或者96%或更小的範圍內調整最大透射率。
本發明的濾光器可以具有在350nm至390nm的範圍內的表現出2%或更小的平均透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.1%或更大、或者0.2%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、0.4%或更小、0.35%或更小、或者0.3%或更小的範圍內進一步調整平均透射率。
本發明的濾光器可以具有在300nm至390nm的範圍內的表現出10%或更小的最大透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、1.5%或更大、2%或更大、或者2.5%或更大和/或9.5%或更小、9%或更小、8.5%或更小、8%或更小、7.5%或更小、7%或更小、6.5%或更小、6%或更小、5.5%或更小、5%或更小、4.5%或更小、4%或更小、3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、2%或更小、1.5%或更小、1%或更小、0.5%或更小、0.3%或更小、或者0.1%或更小的範圍內進一步調整最大透射率。
本發明的濾光器可以在700nm的波長下具有2%或更小的透射率。再舉個示例，可以在0%或更大、0.2%或更大、0.4%或更大、0.6%或更大、或者0.8%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、或者1.0%或更小的範圍內進一步調整透射率。
本發明的濾光器可以具有在700nm至800nm的範圍內的表現出2%或更小的平均透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.1%或更大、0.3%或更大、0.4%或更大、或者0.5%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、或者0.5%或更小的範圍內進一步調整平均透射率。
本申請的濾光器可以具有在700nm至800nm的範圍內的表現出3%或更小的最大透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.2%或更大、0.4%或更大、0.6%或更大、或者0.8%或更大和/或2.5%或更小、2%或更小、1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、或者1.0%或更小的範圍內進一步調整最大透射率。
本發明的濾光器可以具有在800nm至1,000nm的範圍內的表現出2%或更小的平均透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.01%或更大、0.03%或更大、0.05%或更大、0.07%或更大、或者0.09%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、0.4%或更小、0.2%或更小、0.15%或更小、或者0.1%或更小的範圍內進一步調整平均透射率。
本發明的濾光器可以具有在800nm至1,000nm的範圍內的表現出2%或更小的最大透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.2%或更大、0.4%或更大、0.6%或更大、或者0.8%或更大和/或1.8%或更小、1.6%或更小、1.4%或更小、1.2%或更小、1.0%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、或者0.4%或更小的範圍內進一步調整最大透射率。
本發明的濾光器可以具有在1,000nm至1,200nm的範圍內的表現出5%或更小的平均透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、或者1.5%或更大和/或4.5%或更小、4%或更小、3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、2%或更小、1.5%或更小、1%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、0.4%或更小、或者0.3%或更小的範圍內進一步調整平均透射率。
本發明的濾光器可以具有在1,000nm至1,200nm的範圍內的表現出5%或更小的最大透射率的透射波段。再舉個示例，可以在0%或更大、0.5%或更大、1%或更大、或者1.5%或更大和/或4.5%或更小、4%或更小、3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、2%或更小、1.5%或更小、1%或更小、0.8%或更小、0.6%或更小、0.4%或更小、或者0.3%或更小的範圍內進一步調整最大透射率。
以下，將通過實施例詳細描述本發明的濾光器。然而，本發明的濾光器的範圍不受下面的實施例限制。 透射率光譜或反射率光譜的評估
對於通過將測量對象切割成在長度和寬度上分別為10mm和10mm而取得的樣品，使用分光光度計測量透射率光譜或反射率光譜（產品名稱：Lambda750分光光度計，由Perkin-Elmer製造）。根據設備手冊對於每個波長和入射角測量透射率光譜或反射率光譜。將樣品放置在測量光束與分光光度計的檢測器之間的直線上，並且在將測量光束的入射角從0°改變為40°的同時觀察透射率光譜或反射率光譜。除非另有具體陳述，否則在這種實施例中的透射率光譜或反射率光譜的結果為當入射角為0°時的結果。0°的入射角為與垂直於樣品的表面的方向基本上平行的方向。
透射率光譜或反射率光譜中的預定波長範圍內的平均透射率或平均反射率為在於波長範圍內從最短波長起將波長增加1nm的同時測量每個波長的透射率或反射率之後計算的透射率或反射率。其為取得算術均值的結果，並且最大透射率或最大反射率為在將波長增加1nm的同時測量的透射率或反射率當中的最大透射率或最大反射率。例如，在350nm至360nm的波長範圍內的平均透射率基於在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm下測量的透射率，其為在波長下測量的透射率的算術均值，並且在350nm至360nm的波長範圍內的最大透射率基於在350nm、351nm、352nm、353nm、354nm、355nm、356nm、357nm、358nm、359nm和360nm下測量的透射率，其為在波長下測量的透射率當中的最高透射率。 銅量評估
使用X射線螢光光譜法（WD XRF，波長色散X射線螢光光譜法）確認玻璃基板中的銅的量。當使用設備將X射線照射到樣品（玻璃基板）上時，從樣品的單獨的元素產生特有的二次X射線，並且設備檢測每個元素的根據波長的二次X射線。二次X射線的強度與元素量成比例，並且因此，能夠通過每個元素的根據波長測量的二次X射線的強度來執行定量分析。 折射率的評估
使用來自Wiz Optics Co.的橢圓計（M-2000 ®橢圓計）相對於520nm波長測量對於介電膜的子層的折射率。 製備例 1 ：吸收層材料（ A ）的製備
通過使用吸收劑（1）、紅外吸收劑（2）、紅外吸收劑（3）和紅外吸收劑（4）來製備吸收層材料（A），吸收劑（1）（三嗪類染料）在大約340nm至390nm的範圍內表現出最大吸收，紅外吸收劑（2）（方酸類染料）具有在大約700nm至720nm的範圍內的最大吸收波長和大約50nm至60nm的半峰全寬（FWHM），紅外吸收劑（3）（方酸類染料）具有在大約730nm至大約750nm的範圍內的最大吸收波長和大約60nm至70nm的半峰全寬（FWHM），紅外吸收劑（4）（方酸類染料）具有在大約760nm至780nm的範圍內的最大吸收波長和大約90nm至100nm的半峰全寬（FWHM）。通過將吸收劑（1）至吸收劑（4）與黏合劑樹脂混合來製備吸收層材料（A）。對於黏合劑樹脂，使用COP（環烯烴聚合物）。基於100重量份的黏合劑樹脂，大約5重量份的吸收劑（1）、大約0.1重量份的吸收劑（2）、大約0.2重量份的吸收劑（3）和大約0.4重量份的吸收劑（4）與甲苯混合。因此，製備了吸收層材料（A）。 製備例 2 ：吸收層材料（ B ）的製備
通過進一步將具有大約1,050nm至1,150nm的最大吸收波長的紅外吸收劑（4）（二銨類染料）與吸收層材料（A）共混來製備吸收層材料（B）。當共混時，基於吸收層材料（A）的固體成分的100重量份，以大約0.8重量份的量添加紅外吸收劑（4）。 實施例 1
對於紅外吸收玻璃基板，使用示出圖5中的透射率光譜的磷酸鹽類紅外吸收玻璃基板（由HOYA製造）（厚度：大約0.21mm）。對於紅外吸收玻璃基板測量的銅量為大約12.08重量%。在以下表1中總結了紅外吸收玻璃基板的光譜特性。在表1中，T MAX為對應波長範圍內的最大透射率，其單位為%，並且T AVG為對應波長範圍內的平均透射率，其單位為%。在表1中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率的最短波長（單位：nm），並且T50%截止終止為在560nm至700nm的波長範圍內的示出50%透射率的最長波長（單位：nm）。
[表1]
紅外吸收玻璃基板（實施例1）
350nm至390nm T MAX 87.9
T AVG 83.3
T50%截止起始 波長（nm） -
425nm至560nm T MAX 92.5
T AVG 91.6
T50%截止終止 波長（nm） 635
700nm 透射率（%） 12
700nm至800nm T MAX 12
T AVG 3.7
800nm至1,000nm T MAX 0.6
T AVG 0.3
1,000nm至1,200nm T MAX 3.8
T AVG 1.6
將製備例1的吸收層材料（A）塗布到紅外吸收玻璃基板的一個表面，並且在135℃下執行熱處理2小時以形成吸收層。吸收層具有大約3μm的厚度。第一介電膜形成在吸收層形成的表面上。通過使用離子束輔助沉積方法沉積子層來形成第一介電膜。沉積期間的真空水平和溫度條件分別為5.0E-5托和120℃，並且將IBS（離子束濺射）源電壓設置為350V和電流850mA。通過以以上方式交替形成作為高折射率層（大約2.61的折射率）的TiO 2層和作為低折射率層（大約1.46的折射率）的SiO 2層來形成第一介電膜。子層（高折射率層和低折射率層）形成總共21層。
如以下表2中所示地調整每層的厚度。在表2中，序號1為首先形成在紅外吸收玻璃上的層，並且序號21為最後形成的層。
[表2]
層號 材料 厚度（nm）
1 SiO 2 82.75
2 TiO 2 104.21
3 SiO 2 180.14
4 TiO 2 108.78
5 SiO 2 184.81
6 TiO 2 110.9
7 SiO 2 186.07
8 TiO 2 111.23
9 SiO 2 187.41
10 TiO 2 111.44
11 SiO 2 186.51
12 TiO 2 111.42
13 SiO 2 186.30
14 TiO 2 111.45
15 SiO 2 186.11
16 TiO 2 109.28
17 SiO 2 181.08
18 TiO 2 111.64
19 SiO 2 44.86
20 TiO 2 8.20
21 SiO 2 57.30
對於第一介電膜，其為對於下面的公式1的R（n 1/n 2，其中，n 1為TiO 2的折射率（大約2.61），並且n 2為SiO 2的折射率（大約1.46））為大約1.79、n 2為大約1.46（SiO 2層的折射率）、K為21並且2p為20的介電膜。當第一介電膜塗布到紅外吸收玻璃基板時，由於下面的公式1中的Cu（紅外吸收玻璃基板的銅量）為大約12.08重量%，因此下面的公式1的V值為大約26.5。
[公式1]
圖6是示出以以上方式形成的第一介電膜的透射率的光譜，並且圖7是示出第一介電膜的反射率的光譜。在第一介電膜形成在透明基板上之後測量透射率和反射率。在圖6和圖7中，AR(21L)-0deg為在0°的入射角下的透射率或反射率，AR(21L)-30deg為在30°的入射角下的透射率或反射率，並且AR(21L)-40deg為在40°的入射角下的透射率或反射率。
在以下表3中總結了圖6和圖7的透射率特性和反射率特性。在表3中，T MAX為對應波長區內的最大透射率或最大反射率並且單位為%，並且T AVG為對應波長區內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。
在表3中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在600nm至900nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。
[表3]
透射率 （入射角0°） 反射率 （入射角0°）
350nm至390nm T MAX 86.3 99.9
T AVG 5.5 94.2
T50%截止起始 波長（nm） 大約407 大約407
425nm至560nm T MAX 95 1.9
T AVG 94.6 0.5
T50%截止終止 波長（nm） 大約858 大約900
700nm 透射率（%） 94.6 0.4
600nm至900nm T MAX 95 53.5
T AVG 86.5 8.9
700nm至800nm T MAX 94.6 14.1
T AVG 89.9 5.4
800nm至1,000nm T MAX 95 99.7
T AVG 40.3 57.6
1,000nm至1,200nm T MAX 1.3 99.8
T AVG 0.4 99.6
接下來，通過在紅外吸收玻璃基板的與其上形成有第一介電膜的表面相對的表面上形成第二介電膜來製備濾光器。以與第一介電膜相同的方式形成第二介電膜。然而，對於第二介電膜，交替形成TiO 2的高折射率層（大約2.61的折射率）和SiO 2層的低折射率層（大約1.46的折射率），以製成總共22層，並且如以下表4中所示地調整每層的厚度。在表4中，序號1為首先形成在紅外吸收玻璃上的層，並且序號22為最後形成的層。
[表4]
層號 材料 厚度（nm）
1 SiO 2 79.78
2 TiO 2 93.22
3 SiO 2 158.67
4 TiO 2 90.5
5 SiO 2 154.3
6 TiO 2 87.94
7 SiO 2 152.78
8 TiO 2 87.32
9 SiO 2 152.11
10 TiO 2 88.49
11 SiO 2 157.60
12 TiO 2 93.48
13 SiO 2 163.35
14 TiO 2 93.56
15 SiO 2 160.01
16 TiO 2 87.54
17 SiO 2 153.63
18 TiO 2 91.36
19 SiO 2 159.28
20 TiO 2 98.64
21 SiO 2 32.31
22 TiO 2 9.06
在第二介電膜中，其為對於公式1的R（n 1/n 2，其中，n 1為TiO 2的折射率（大約2.61），並且n 2為SiO 2的折射率（大約1.46））為大約1.79、n 2為大約1.46（SiO 2層的折射率）、K為22並且2p為21的介電膜。當第二介電膜塗布到紅外吸收玻璃基板時，由於公式1的Cu（紅外吸收玻璃基板的銅量）為大約12.08重量%，因此公式1的V值為大約27.9。
圖8是以與以上所述的相同的方式形成的第二介電膜的透射率的光譜，並且圖9是第二介電膜的反射率的光譜。以與對於第一介電膜的相同的方式測量透射率和反射率。在圖8和圖9中，IR(22L)-0deg為在0°的入射角下的透射率或反射率，IR(22L)-30deg為在30°的入射角下的透射率或反射率，並且IR(22L)-40deg為在40°的入射角下的透射率或反射率。
在以下表5中總結了圖8和圖9的透射率特性和反射率特性。在表5中，T MAX為對應波長區內的最大透射率或最大反射率並且單位為%。T AVG為對應波長區內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。在表5中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在600nm至900nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。
[表5]
透射率 （入射角0°） 反射率 （入射角0°）
350nm至390nm T MAX 52.2 100
T AVG 5.6 94.1
T50%截止起始 波長（nm） 大約417 大約417
425nm至560nm T MAX 95 1.4
T AVG 94.8 0.4
T50%截止終止 波長（nm） 大約755 大約755
700nm 透射率（%） 84.1 11.5
600nm至900nm T MAX 95 100
T AVG 43.7 54
700nm至800nm T MAX 85.6 99.7
T AVG 37.8 60.2
800nm至1,000nm T MAX 0.5 100
T AVG 0.1 99.9
1,000nm至1,200nm T MAX 92.1 99.5
T AVG 44.5 53.2
在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的範圍內的平均反射率為大約54%，並且在600nm至900nm的範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約755nm。 比較例 1
以與實施例1中的相同的方式製備濾光器，除了使用不具有吸收特性的普通透明玻璃基板作為玻璃基板之外。圖10是用於比較例1的透明玻璃基板的透射率光譜，並且能夠從圖看出的是，基板根本不具有吸收特性。對於這樣的透明玻璃基板，對於公式1，Cu為0重量%。
在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為大約54%。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約755nm。 比較例 2
以與比較例1中的相同的方式製造濾光器，除了在形成吸收層時使用製備例2的吸收層材料（B）之外。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為大約54%。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約755nm。 比較例 3
對於紅外吸收玻璃基板，使用示出圖11中的透射率光譜的磷酸鹽類紅外吸收玻璃基板（由HOYA製造）（厚度：大約0.21mm）。對於紅外吸收玻璃基板測量的銅量為大約2.89重量%。在以下表6中總結了紅外吸收玻璃基板的光譜特性。在表6中，T MAX為對應波長範圍內的最大透射率並且單位為%。T AVG為對應波長範圍內的平均透射率並且單位為%。在表6中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率的最短波長（單位：nm），並且T50%截止終止為在560nm至700nm的波長範圍內的示出50%透射率的最長波長（單位：nm）。
[表6]
紅外吸收玻璃基板 （比較例3）
350nm至390nm T MAX 87.7
T AVG 83.9
T50%截止起始 波長（nm） -
425nm至560nm T MAX 90
T AVG 89.3
T50%截止終止 波長（nm） 大約650
700nm 透射率（%） 28.1
700nm至800nm T MAX 28.1
T AVG 16.8
800nm至1,000nm T MAX 15.9
T AVG 11.2
1,000nm至1,200nm T MAX 36.3
T AVG 25.3
在紅外吸收玻璃基板的情況下，由於公式1中的Cu為大約2.89重量%，因此對於塗布到紅外吸收玻璃基板的第一介電膜，公式1的V值為大約14.1，並且對於塗布到紅外吸收玻璃基板的第二介電膜，公式1的V值為大約14.8。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為大約43%。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約755nm。 比較例 4
以與實施例1中的相同的方式製備濾光器，除了通過如下改變方式形成第一介電膜和第二介電膜之外：第一介電膜通過交替形成作為高折射率層的TiO 2層（大約2.61的折射率）和作為低折射率層的SiO 2層（大約1.46的折射率）以製成總共9層來形成，並且如以下表7中所示地調整每層的厚度。在表7中，序號1為首先形成在紅外吸收玻璃上的層，並且序號9為最後形成的層。
[表7]
層號 材料 厚度（nm）
1 SiO 2 98.9
2 TiO 2 28.54
3 SiO 2 12.01
4 TiO 2 76.08
5 SiO 2 23.1
6 TiO 2 24.54
7 SiO 2 56.53
8 TiO 2 8.31
9 SiO 2 44.33
在這樣的第一介電膜中，其為對於下面的公式1的R（n 1/n 2，其中，n 1為TiO 2的折射率（大約2.61），並且n 2為SiO 2的折射率（大約1.46））為大約1.79、n 2為大約1.46（SiO 2層的折射率）、K為9並且2p為8的介電膜。當第一介電膜塗布到紅外吸收玻璃基板時，由於下面的公式1中的Cu（紅外吸收玻璃基板的銅量）為大約12.08重量%，因此下面的公式1的V值為大約10.5。
圖12是示出以以上方式形成的第一介電膜的透射率的光譜，並且圖13是示出第一介電膜的反射率的光譜。在不吸收或反射光的透明基板上形成第一介電膜之後測量透射率和反射率。在圖12和圖13中，AR(9L)-0deg為在0°的入射角下的透射率或反射率，AR(9L)-30deg為在30°的入射角下的透射率或反射率，並且AR(9L)-40deg為在40°的入射角下的透射率或反射率。
在以下表8中總結了圖12和圖13的透射率特性和反射率特性。在表8中，T MAX為對應波長範圍內的最大透射率或最大反射率並且單位為%，並且T AVG為對應波長範圍內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。在表8中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在600nm至900nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。
[表8]
透射率 （入射角0°） 反射率 （入射角0°）
350nm至390nm T MAX 91.2 41.1
T AVG 76 20.8
T50%截止起始 波長（nm） - -
425nm至560nm T MAX 95.7 0.5
T AVG 95.6 0.4
T50%截止終止 波長（nm） - -
700nm 透射率（%） 95.7 0.4
600nm至900nm T MAX 95.7 2.1
T AVG 95.4 0.6
700nm至800nm T MAX 95.7 0.4
T AVG 95.7 0.3
800nm至1,000nm T MAX 95.6 5.6
T AVG 93.7 2.4
1,000nm至1,200nm T MAX 90.6 13.6
T AVG 86.7 9.7
第二介電膜通過交替形成高折射率的TiO 2層（大約2.61的折射率）和低折射率的SiO 2層（大約1.46的折射率）而具有總共39層，並且如以下表9中所示地調整每層的厚度。在表9中，序號1為首先形成在紅外吸收玻璃上的層，並且序號39為最後形成的層。
[表9]
層號 材料 厚度（nm）
1 SiO 2 91.29
2 TiO 2 109.42
3 SiO 2 185.18
4 TiO 2 113.02
5 SiO 2 189.6
6 TiO 2 115.66
7 SiO 2 190.09
8 TiO 2 114.31
9 SiO 2 191.32
10 TiO 2 116.73
11 SiO 2 190.25
12 TiO 2 113.85
13 SiO 2 188.75
14 TiO 2 115.31
15 SiO 2 186.51
16 TiO 2 106.99
17 SiO 2 167.91
18 TiO 2 93.59
19 SiO 2 160.83
20 TiO 2 91.88
21 SiO 2 156.31
22 TiO 2 90.62
23 SiO 2 154.95
24 TiO 2 89.96
25 SiO 2 155.51
26 TiO 2 89.28
27 SiO 2 155.74
28 TiO 2 89.22
29 SiO 2 155.40
30 TiO 2 90.1
31 SiO 2 155.46
32 TiO 2 91.87
33 SiO 2 157.56
34 TiO 2 94.48
35 SiO 2 167.73
36 TiO 2 105.13
37 SiO 2 39.75
38 TiO 2 8.82
39 SiO 2 102.45
在第二介電膜中，其為對於公式1的R（n 1/n 2，其中，n 1為TiO 2的折射率（大約2.61），並且n 2為SiO 2的折射率（大約1.46））為大約1.79、n 2為大約1.46（SiO 2層的折射率）、K為39並且2p為38的介電膜。當第二介電膜塗布到紅外吸收玻璃基板時，由於公式1的Cu（紅外吸收玻璃基板的銅量）為大約12.08重量%，因此公式1的V值為大約50.54。
圖14是以與以上所述的相同的方式形成的第二介電膜的透射率的光譜，並且圖15是第二介電膜的反射率的光譜。在第二介電膜形成在不具有光吸收並且不具有反射的透明基板上之後測量透射率和反射率。在圖14和圖15中，IR(39L)-0deg為在0°的入射角下的透射率或反射率，IR(39L)-30deg為在30°的入射角下的透射率或反射率，並且IR(39L)-40deg為在40°的入射角下的透射率或反射率。
在以下表10中總結了圖14和圖15的透射率特性和反射率特性。在表10中，T MAX為對應波長範圍內的最大透射率或最大反射率並且單位為%。T AVG為對應波長範圍內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。在表10中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在600nm至900nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。
[表10]
透射率 （入射角0°） 反射率 （入射角0°）
350nm至390nm T MAX 52.2 100
T AVG 5.6 94.1
T50%截止起始 波長（nm） 417 417
425nm至560nm T MAX 95 1.4
T AVG 94.8 0.4
T50%截止終止 波長（nm） 754 755
700nm 透射率（%） 94.7 0.4
600nm至900nm T MAX 95 100
T AVG 49.3 48.1
700nm至800nm T MAX 95 99.6
T AVG 53 44.2
800nm至1,000nm T MAX 0.4 100
T AVG 0 100
1,000nm至1,200nm T MAX 0.9 100
T AVG 0.2 99.8
在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為大約48.1%。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約755nm。 比較例 5
以與實施例1中的相同的方式製備濾光器，除了通過如下改變方式形成第二介電膜之外：第二介電膜通過將作為高折射率層的TiO 2層（大約2.61的折射率）和作為低折射率層的SiO 2層（大約1.46的折射率）交替形成為製成總共22層來形成，並且如以下表11中所示地調整每層的厚度。在表11中，序號1為首先形成在紅外吸收玻璃上的層，並且序號22為最後形成的層。
[表11]
層號 材料 厚度（nm）
1 SiO 2 76.25
2 TiO 2 87.94
3 SiO 2 152.36
4 TiO 2 86.64
5 SiO 2 146.74
6 TiO 2 83.14
7 SiO 2 145.9
8 TiO 2 82.91
9 SiO 2 143.54
10 TiO 2 82.72
11 SiO 2 145.02
12 TiO 2 81.65
13 SiO 2 144.23
14 TiO 2 83.7
15 SiO 2 144.91
16 TiO 2 82.85
17 SiO 2 148.76
18 TiO 2 88.17
19 SiO 2 155.69
20 TiO 2 96.27
21 SiO 2 34.49
22 TiO 2 8.47
在第二介電膜中，其為對於公式1的R（n 1/n 2，其中，n 1為TiO 2的折射率（大約2.61），並且n 2為SiO 2的折射率（大約1.46））為大約1.79、n 2為大約1.46（SiO 2層的折射率）、K為22並且2p為31的介電膜。當第二介電膜塗布到紅外吸收玻璃基板時，由於公式1的Cu（紅外吸收玻璃基板的銅量）為大約12.08重量%，因此公式1的V值為大約27.86。
圖16是以與以上所述的相同的方式形成的第二介電膜的透射率的光譜，並且圖17是第二介電膜的反射率的光譜。在第二介電膜形成在不具有光吸收並且不具有反射的透明基板上之後測量透射率和反射率。在圖16和圖17中，IR(22L)-0deg為在0°的入射角下的透射率或反射率，IR(22L)-30deg為在30°的入射角下的透射率或反射率，並且IR(22L)-40deg為在40°的入射角下的透射率或反射率。
在以下表12中總結了圖16和圖17的透射率特性和反射率特性。在表12中，T MAX為對應波長範圍內的最大透射率或最大反射率並且單位為%。T AVG為對應波長範圍內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。在表12中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在600nm至900nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。
[表12]
透射率 （入射角0°） 反射率 （入射角0°）
350nm至390nm T MAX 52.2 100
T AVG 5.6 94.1
T50%截止起始 波長（nm） 417 417
425nm至560nm T MAX 95 1.3
T AVG 94.7 0.4
T50%截止終止 波長（nm） 700 700
700nm 透射率（%） 49.9 47.5
600nm至900nm T MAX 95 100
T AVG 32.2 66.1
700nm至800nm T MAX 49.9 100
T AVG 4.1 95.7
800nm至1,000nm T MAX 94.2 100
T AVG 9 90.6
1,000nm至1,200nm T MAX 94.1 80.1
T AVG 48.6 48.8
在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的平均反射率為大約66.1%。在濾光器的第二介電膜的表面上測量的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為大約700nm。 測試例 1 ：透射率光譜的評估
圖18至圖23分別是實施例1（圖18）和比較例1至比較例5（圖19至圖23）的濾光器的透射率光譜（基於0°的入射角）。在以下表13中總結了濾光器的光譜特性。在表13中，T MAX為對應波長區內的最大透射率或最大反射率並且單位為%。T AVG為對應波長區內的平均透射率或平均反射率並且單位為%。在表13中，T50%截止起始為在350nm至425nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最短波長（單位：nm）。T50%截止終止為在560nm至700nm的波長範圍內的示出50%透射率或反射率的最長波長（單位：nm）。
[表13]
實施例1 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5
350nm至390nm T MAX 0.1 0.1 0 0.1 0.2 0.1
T AVG 0 0 0 0 0 0
T50%截止起始 波長（nm） 414 414 415 414 414 414
425nm至560nm T MAX 94.7 93.7 83.6 94 95.5 94.7
T AVG 91.7 91.5 79.9 91.2 92.7 91.6
T50%截止終止 波長（nm） 624 665 655 631 625 624
700nm （透射率（%）） 0.9 7.2 5.5 2.3 1.1 0.6
700nm至800nm T MAX 0.9 19 12.9 3.3 1.1 0.6
T AVG 0.2 4.6 3.2 0.9 0.3 0
800nm至1,000nm T MAX 0 0.2 0.1 0 0 0
T AVG 0 0 0 0 0 0
1,000nm至1,200nm T MAX 0 0.8 0.2 0.3 0 0
T AVG 0 0.2 0 0.1 0 0
將實施例1（圖18）和比較例1（圖19）的濾光器的透射率光譜進行比較，與實施例1相比，對於比較例1的T50%截止終止波長為更長的波長。因此，光譜示出比較例1對於紅外線比較例1未恰當阻擋，並且甚至在700nm或更長的長波長帶中也表現出高透射率。結果，比較例1可能不適合執行為濾光器。光譜也示出比較例2（圖20）的濾光器的透射率光譜沒有如比較例1那樣表現出適當的紅外線阻擋效果，並且可見光區中的透射率大大降低。
將實施例1和比較例3（圖18和圖21）的濾光器的透射率光譜進行比較，與實施例1相比，對於比較例3的T50%截止終止波長為更長的波長。因此，光譜示出對於紅外線比較例3未恰當阻擋，並且甚至在700nm或更長的長波長帶中也表現出高透射率。結果，比較例3可能不適合執行為濾光器。 測試例 2 ：花瓣眩光評估
使用分別配備有實施例1和比較例5的濾光器的圖像獲取裝置對發光源進行拍照。圖24和圖25（實施例1：圖24，比較例5：圖25）中示出了結果。
圖24和圖25是分別用配備有實施例1的濾光器的後置相機（圖24）和配備有比較例5的濾光器的後置相機（圖25）拍攝的發光源（具有3,100K的色溫的鹵素LED光源）的照片。
在拍攝照片圖像期間，發光源與相機之間的距離設置為大約50cm，並且在暗室中在發光源周圍1m的半徑內執行拍照。將照片圖像進行比較，從配備有實施例1的濾光器的圖像獲取裝置拍攝的圖像未發現缺陷。然而，在由配備有比較例5的濾光器的圖像獲取裝置拍攝的圖像上觀察到紅線（花瓣眩光現象），儘管肉眼未看出它們。
在定量比較中，對於暗室的RGB值分別為11、11和9，並且在圖24的圖像中在具有最大的R值的點處的RGB值分別為39、40和42。因此，在圖24中，在R值最大的點處的R值與G值之間的差以及R值與B值之間的差的絕對值分別為大約1和大約3。
另一方面，在圖25的圖像中，在具有最大的R值的點處的RGB值分別為136、43和28。因此，在圖25中，在R值最大的點處的R值與G值之間的差以及R值與B值之間的差的絕對值分別為大約93和大約108。這些結果示出，儘管在圖24中沒有出現所謂的花瓣眩光，但在圖26中明顯出現了花瓣眩光現象。 測試例 3 ：捲曲特性評估
通過用SEMI標準的Bow測量方法來確認實施例1和比較例4的濾光器中是否出現捲曲。如圖26中所示，Bow測量方法為測量基板（濾光器）的中間的中間表面距支撐基板的由三點支撐件組成的參考平面多遠。
為了測量Bow，分別測量基板的上表面與上探針之間的距離“f”以及當基板翻轉時上探針與基板的下表面之間的距離“b”並且將其代入以下公式2中：
[公式2] Bow=(f-b)/2。
實施例1和比較例4的濾光器被切割成分別具有77mm的寬度和長度以作為樣品，並且以以上方式在室溫（大約25℃）下評估Bow。
以下表14列出了以上測量之後的Bow、f和b的值。
[表14]
f（mm） b（mm） Bow（mm）
實施例1 5 5.8 0.4
比較例4 2.5 7.3 2.4
從表14的結果能夠看出的是，在實施例的濾光器的情況下幾乎不出現捲曲。
本發明的濾光器可以表現出上述光學特性中的任何一種或者兩種或更多種的組合，並且可以適合地滿足如以上陳述的所有光學特性。除了上述層以外，在不損害期望的效果的範圍內，濾光器可以另外包括各種必要的層。
本發明也涉及包括濾光器的圖像獲取裝置。此時，圖像獲取裝置的配置或用於圖像獲取裝置的濾光器的應用沒有特別限制，並且因此可以應用已知的配置和應用。此外，本發明的濾光器的使用不限於圖像獲取裝置，並且其能夠應用於需要近紅外線截止的各種其它應用（例如，諸如PDP等的顯示裝置）。
無。
圖1至圖4是示出本發明的濾光器的示例性結構的圖。 圖5是在實施例中應用的紅外吸收基板的透射率光譜。 圖6、圖8、圖12、圖14和圖16是在實施例或比較例中應用的介電膜的透射率光譜。 圖7、圖9、圖13、圖15和圖17是在實施例或比較例中應用的介電膜的反射率光譜。 圖10和圖11是在比較例中應用的透明基板的透射率光譜。 圖18是實施例的濾光器的透射率光譜。 圖19至圖23是比較例的濾光器的透射率光譜。 圖24是當應用實施例的濾光器時用於確認花瓣眩光現象的照片圖像。 圖25是當應用比較例的濾光器時用於確認花瓣眩光現象的照片圖像。 圖26是用於利用三點支撐件測量Bow的示意性視圖。

Claims (21)

  1. 一種濾光器，包括： 紅外吸收基板，所述紅外吸收基板包含銅； 第一介電膜，所述第一介電膜形成在所述紅外吸收基板的第一表面上並且包括分別具有不同的折射率的第一子層和第二子層重複堆疊的結構；以及 第二介電膜，所述第二介電膜形成在所述紅外吸收基板的第二表面上並且包括分別具有不同的折射率的第三子層和第四子層重複堆疊的結構， 其中，公式1中的對於所述第一介電膜的V值限定為V 1，並且所述公式1中的對於所述第二介電膜的V值限定為V 2；並且 所述公式1： 其中，n 1為對於所述第一子層與所述第二子層之間或所述第三子層與所述第四子層之間的具有較大折射率的子層的折射率； n 2為對於所述第一子層與所述第二子層之間或所述第三子層與所述第四子層之間的具有較小折射率的子層的折射率； R為n 1與n 2的比率； Cu為包含在所述紅外吸收基板中的所述銅的量； K為所述第一介電膜中的所述第一子層和所述第二子層的總數或所述第二介電膜中的所述第三子層和所述第四子層的總數；並且 2p為K-1；並且 其中，V 1和V 2之和在45至75的範圍內； V 2與V 1的比率在0.1至2的範圍內；並且 對於所述第一介電膜或所述第二介電膜的在600nm至900nm的波長範圍內的表現出50%的反射率的最短波長為720nm或更長或者不存在。
  2. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述紅外吸收基板中的所述銅的所述量在7重量%至30重量%的範圍內。
  3. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述紅外吸收基板為包含CuO的氟磷酸鹽玻璃基板或包含CuO的磷酸鹽玻璃基板。
  4. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述紅外吸收基板在700nm至800nm的波長範圍內具有20%或更小的最大透射率，並且在700nm至800nm的所述波長範圍內具有10%或更小的平均透射率。
  5. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述紅外吸收基板在800nm至1,000nm的波長範圍內具有5%或更小的最大透射率，並且在800nm至1,000nm的所述波長範圍內具有5%或更小的平均透射率。
  6. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述紅外吸收基板在1,000nm至1,200nm的波長範圍內具有10%或更小的最大透射率，並且在1,000nm至1,200nm的所述波長範圍內具有10%或更小的平均透射率。
  7. 如請求項1所述的濾光器，其中，根據所述公式1的對於所述第一介電膜的所述V值在10至50的範圍內。
  8. 如請求項1所述的濾光器，其中，對於所述第一介電膜的在700nm至800nm的波長範圍內的最大反射率為30%或更小，並且對於所述第一介電膜的在700nm至800nm的所述波長範圍內的平均反射率為15%或更小。
  9. 如請求項1所述的濾光器，其中，根據所述公式1的對於所述第二介電膜的所述V值在10至50的範圍內。
  10. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述第二介電膜在700nm至800nm的波長範圍內具有50%或更大的最大反射率，並且在700nm至800nm的所述波長範圍內具有30%或更大的平均反射率。
  11. 如請求項1所述的濾光器，其中，所述第二介電膜在800nm至1,000nm的波長範圍內具有70%或更大的最大反射率，並且在800nm至1,000nm的所述波長範圍內具有70%或更大的平均反射率。
  12. 如請求項1所述的濾光器，其中，對於所述第一介電膜或所述第二介電膜在600nm至900nm的所述波長範圍內的平均反射率為80%或更小。
  13. 如請求項1所述的濾光器，進一步包括：在所述紅外吸收基板的一個或兩個表面上的光吸收層。
  14. 如請求項1所述的濾光器，其中，對於所述第一介電膜的厚度與所述第二介電膜的厚度的比率在0.1至2的範圍內。
  15. 如請求項14所述的濾光器，其中，所述第一子層和所述第二子層中的每個具有在1nm至300nm的範圍內的厚度，並且所述第一子層和所述第二子層的所述厚度的平均值在50nm至300nm的範圍內。
  16. 如請求項14所述的濾光器，其中，所述第三子層和所述第四子層中的每個具有在1nm至300nm的範圍內的厚度，並且所述第三子層和所述第四子層的所述厚度的平均值在50nm至250nm的範圍內。
  17. 如請求項1所述的濾光器，其中，在700nm至800nm的波長範圍內的最大透射率為3%或更小，並且在700nm至800nm的所述波長範圍內的平均透射率為2%或更小。
  18. 如請求項1所述的濾光器，其中，在800nm至1,000nm的波長範圍內的最大透射率為1%或更小，並且在800nm至1,000nm的所述波長範圍內的平均透射率為1%或更小。
  19. 如請求項1所述的濾光器，其中，在350nm至425nm的波長區內的表現出50%的透射率的最短波長在400nm至425nm的範圍內。
  20. 如請求項1所述的濾光器，其中，在560nm至700nm的波長區內的表現出50%的透射率的最長波長在590nm至680nm的範圍內。
  21. 一種圖像獲取裝置，包括如請求項1至20中任何一項所述的濾光器。
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