TW202417820A

TW202417820A - 單光子偵測器、單光子偵測器陣列及其製法

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Publication number: TW202417820A
Application number: TW112122816A
Authority: TW
Inventors: 果尚志; 張菁文
Original assignee: 漢民科技股份有限公司
Priority date: 2022-10-14
Filing date: 2023-06-17
Publication date: 2024-05-01

Abstract

本發明提供一種單光子偵測器，其中包括由具有較高臨界溫度的高品質均勻超導薄膜製成的超導線。並具有高反射率的反射器或多層反射器，較佳者為氮化物類的分佈式布拉格反射器，可將入射光反射至超導線。在超導線上方可加上表面電漿子波長選擇面，以在選擇通帶內共振地傳輸入射光，使單光子偵測器可在紫外、可見和紅外波段範圍內偵測。此外，還成長大面積高均勻性的超導薄膜，以實現大面積單光子偵測器和單光子偵測器陣列。

Description

單光子偵測器、單光子偵測器陣列及其製法

本發明涉及光偵測領域，更具體地，涉及一種可在紫外、可見光和紅外光波段工作的單光子偵測器和單光子偵測器陣列，以及它們的製造方法。

超導奈米線單光子偵測器(SNSPD)是基於超導奈米線以偵測最小光量的光學偵測器。SNSPD在量子光學、光通信和光偵測與測距(LIDAR)等應用中發揮著越來越重要的作用。在偵測器性能方面，由於高偵測效率(＞90%)、皮秒級時間分辨率、短恢復時間，以及低暗計數等特性，使得SNSPD脫穎而出。

SNSPD基於以下原理偵測光子。奈米線被冷卻到它的超導臨界溫度以下，並施加小於奈米線的超導臨界電流的直流偏壓。當單個光子被蜿蜒的奈米線吸收，奈米線的超導性就會被局部破壞。具有有限電阻的局部非超導區域或熱點會產生一個可測量的電壓脈衝以供偵測。光子被吸收後，奈米線的超導性在幾十皮秒(ps)內恢復，並且SNSPD準備好偵測下一個光子。

在單光子偵測器中，通常採用光纖將待測光引導至偵測器元件，例如超導奈米線。在光纖末端和偵測器元件之間具有耦合損耗，降低了偵測器的效率。有多種方法被用來提高超導奈米線的吸收。美國專利US9,500,519 B2揭露一種整合在晶片中的SNSPD，其中平面波導位於基板上，奈米線放置在波導上。美國專利 US 9,726,536 B2 揭露一種直接在光纖尖端上構成的 SNSPD，其配置透過光腔中光信號的來回反射增強了吸收。美國專利公開號US 2021/0381884 A1揭露一種包括光纖和至少一條奈米線的單光子偵測器，其中光纖包括纖芯和包層，光纖的第一區域是光信號的入口區域，光纖的第二區域是光信號的是偵測器區域，並且在偵測器區域中，奈米線基本上沿光纖的光軸延伸。

到目前為止，SNSPD主要用於研究和開發，其缺點是難以在同一元件上多個波段同時工作。並且，對於特定波長光子的偵測，標準SNSPD的偵測效率會顯著降低 ¹。再者，大型SNSPD陣列有利於量子成像、時間分辨成像，或LIDAR等應用。然而，無論是在元件數量還是在主動區域面積方面，這些應用通常需要比目前現有陣列更大的陣列。目前的設備技術通常僅限於單個裝置，需要改進才能在實際應用中實現大規模的SNSPD陣列。

參考資料: [1] A. Korneev, V. Matvienko, O. Minaeva, I. Milostnaya, I. Rubtsova, G. Chulkova, K. Smirnov, V. Voronov, G. Gol’tsman, W. Słysz, A. Pearlman, A. Verevkin, and R. Sobolewski, “Quantum efficiency and noise equivalent power of nanostructured, NbN, single-photon detectors in the wavelength range from visible to infrared,” IEEE Transactions on Applied Superconductivity, vol. 15, pp. 571-574 (2005); [2] C.-W. Cheng, Y.-J. Liao, C.-Y. Liu, B.-H. Wu, S. S. Raja, C.-Y. Wang, X. Li, C.-K. Shih, L.-J. Chen, and S. Gwo, “Epitaxial aluminum-on-sapphire films as a plasmonic material platform for ultraviolet and full visible spectral regions,” ACS Photonics, vol. 5, pp. 2624-2630 (2018); [3] W.-P. Guo, R. Mishra, C.-W. Cheng, B.-H. Wu, L.-J. Chen, M.-T. Lin, and S. Gwo, “Titanium nitride epitaxial films as a plasmonic material platform: alternative to gold,” vol. 6, pp. 1848-1854 (2019); [4] R. Cheng, S. Wang, and H. X. Tang, “Superconducting nanowire single-photon detectors fabricated from atomic-layer-deposited NbN,” Appl. Phys. Lett., vol. 115, 241101 (2019).

本發明的一些實施例提供一種用於偵測入射光的單光子偵測器，其包括基板、設置在基板上方或下方的反射器，以及設置在反射器或基板上方較佳為單晶的至少一超導線，其中，入射光照射在超導線上及/或被下方的反射器反射到超導線。反射器可以是基板下方的單層反射器或基板上方的多層反射器。

在本發明的另一些實施例，除了上述架構之外，單光子偵測器還包括覆蓋在至少一超導線上的介電層以及表面電漿子波長選擇面。表面電漿子波長選擇面包括位於介電層上的奈米結構陣列，其中奈米結構陣列被配置為能夠由入射光的一或多個波長激發表面電漿共振，表面電漿子波長選擇面在通帶(passband)內共振地傳輸入射光，並且透射光照射在超導線上及/ 或被反射器反射到超導線。

本發明的另一些實施例提供一種用於偵測入射光的單光子偵測器陣列，其包括被分成多個像素的基板，其中每個像素包括類似於上述單光子偵測器的結構，並且其中每個像素的通帶的中心波長可不同於相鄰像素的通帶的中心波長。

本發明的另一些實施例提供一種製造前述單光子偵測器和單光子偵測器陣列的方法。該方法包括以下步驟：提供基板；在基板上或基板下形成反射器；在反射器或基板上形成超導層；圖案化超導層以形成至少一超導線。該方法還可以包括：形成介電層以覆蓋至少一超導線；在介電層上形成導電層；圖案化導電層以形成包含奈米結構陣列的表面電漿子波長選擇面，該奈米結構陣列被配置為能夠由入射光的一或多個波長激發表面電漿共振。

本發明透過製造和材料成長技術的改進，以具有更高臨界溫度的高質量和均勻的超導薄膜製成高效率的單光子偵測器。此外，還成長大面積、均勻性高的超導薄膜，實現單光子偵測器的規模化。從紫外到紅外光的大波段範圍內，大型超導單光子偵測器陣列提供無與倫比的偵測和成像性能。

以下將詳述本案的各實施例，並配合圖式作為例示。除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地實行在其他的實施例中，任何該實施例的輕易替代、修改、等效變化都包含在本案的範圍內，並以之後的專利範圍為準。在說明書的描述中，為了使讀者對本發明有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本發明可能在省略部分或全部這些特定細節的前提下，仍可實施。此外，眾所周知的程式步驟或元件並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。

圖1為根據本發明一實施例的單光子偵測器1的示意圖。如圖1所示，單光子偵測器1用於偵測入射光200，通常包括基板10、設置在基板10上的反射器12，以及設置在反射器12上的至少一根超導線13。此外，在反射器12與基板10之間具有可選的緩衝層11。入射光200照射在超導線13上及/或被反射器12反射至超導線13。

圖2為根據本發明另一實施例的單光子偵測器2的示意圖。單光子偵測器2類似於圖1描述的單光子偵測器1，其差別描述如下。除了圖1所示的架構，單光子偵測器2還包括：覆蓋在至少一根超導線13上的介電層14，以及設置在介電層14上的表面電漿子波長選擇面15。表面電漿子波長選擇面15包括奈米結構陣列，其能夠由入射光200的一或多個波長激發表面電漿共振(SPR)。表面電漿子波長選擇面15使入射光200在通帶(passband)內發生共振透射，而透射光照射到超導線13上及/或被反射器12反射到超導線13上。

圖3說明如何製造圖1的單光子偵測器1以及圖2的單光子偵測器2的方法。參照圖3的步驟(1)，在較佳實施例中基板1為碳化矽，例如具有六方晶結構的單晶碳化矽(4H-SiC)。在其他實施例中使用具有其他晶體結構的碳化矽，例如6H-SiC或3C-SiC。基板10可以由任何其他材料製成，例如矽、藍寶石(Al ₂O ₃)、氧化鎂(MgO)、石英、其他半導體、其他電介質，甚至金屬。

參考圖3的步驟(2)，反射器12較佳是多層的並且沉積或磊晶成長在具有可選緩衝層11的基板10上。在一些實施例中，基板10不是碳化矽，緩衝層11可以先形成在基板10上方，然後在緩衝層11上方形成反射器12。反射器12可以是分佈式布拉格反射器(DBR)，包括多對由高折射率材料和低折射率材料形成的層。可以使用化學氣相沉積或物理氣相沉積製程，例如濺鍍、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)，通過交替沉積高折射率材料和低折射率材料來形成反射器12。較佳者，反射器12的每一層都是單晶的。在示例性實施例中，採用氮電漿輔助分子束磊晶(MBE) ²在基板10上交替成長單晶的高折射率材料和低折射率材料。

透過控制多層反射器12中的厚度和材料(從而控制折射率)以增加對於選定波長或波段中的反射，使其反射率＞99%。例如，多層反射器12中各層的厚度和材料可以針對從表面電漿子波長選擇面15透射的通帶的中心波長λ的光的反射進行最佳化。例如，如圖1所示，多層反射器12可以針對入射光200的中心波長的光的反射進行最佳化。

在一些實施例中，可控制的DBR反射器12包括多對的高/低折射率材料，其中每一對包括高折射率層120和低折射率層122。較佳者，交替的高折射率層120和低折射率層112由III族氮化物材料製成。在一些實施例中，交替的高折射率層120和低折射率層122均由介電材料或氧化物製成。在一個實施例中，交替的高折射率層120和低折射率層122包括GaN/AlN交替層。在一個實施例中，交替的高折射率層120和低折射率層122包括TiO ₂/SiO ₂交替層。高折射率層120和低折射率層122的折射率差很大，因此只要幾對λ/4光學厚度的層即足以成為一個具有非常高反射率(＞99%)的多層寬帶反射器12。在一些實施例中，標號120為代低折射率層，而標號122為高折射率層。在一些實施例中，標號120為高折射率層，而標號122為低折射率層。本領域已知的其他材料也可用於多層寬帶反射器12。

參考圖3的步驟(2)，可選的緩衝層11的較佳材料為III族氮化物，例如AlN或Al _xGa _1-xN。緩衝層11也可以由氧化物，例如二氧化矽製成。緩衝層11可以採用化學氣相沉積或物理氣相沉積，例如濺鍍、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)，或氮電漿輔助分子束磊晶(MBE) ^2-3製程來形成。

參考圖3的步驟(2)，接下來，採用化學氣相沉積或物理氣相沉積製程，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)或原子層沉積(ALD)，在多層反射器12上形成大面積的超導層3。較佳者，超導層3是單晶的。在示例性實施例中，採用氮電漿輔助分子束磊晶(MBE) ^2-3在多層反射器12上成長大面積的單晶超導層3。

參考圖3的步驟(3)，以圖案製程，例如電子束微影在超導層3上形成第一蝕刻遮罩5。參考圖3的步驟(3)，例如，首先在超導層3上形成第一光阻層4，然後用聚焦電子束掃描以定義圖案(曝光區域)。接著，透過顯影選擇性去除第一光阻層4的曝光或未曝光區域之後以形成第一蝕刻遮罩5。

參考圖3的步驟(4)，以第一蝕刻遮罩5為遮罩，採用例如反應離子蝕刻製程對超導層3進行蝕刻，從而形成至少一條超導線13。之後，去除第一蝕刻遮罩5。可以進行進一步的微影以定義與超導線13的端子連接的電極觸點。至此，如圖1所示的單光子偵測器1已製成。

迄今，兩大類超導材料已被用於製造高效的SNSPD ⁴：(1)多晶(poly-crystalline)氮化物超導體，如NbN和NbTiN；(2)非晶質(amorphous)合金超導體，如WSi、MoSi，及MoGe。在本發明實施中，用於形成超導層3並從而形成至少一根超導線13的材料選自NbN、TiN、Nb _1-xTi _xN、TaN、Nb _1-xTa _xN、Nb ₃Al，以及MgB ₂。在示例性實施例中，至少一根超導線13由NbN、TiN、TaN、Nb ₃Al，或MgB ₂製成。由X射線繞射圖顯示，所成長的NbN、TiN和TaN薄膜為(111)方向的單晶，所成長的MgB ₂薄膜為六方晶結構的單晶。所成長的高質量和均勻的超導層3，例如NbN薄膜，可以具有高達約16 K的臨界溫度(Tc，以Kelvin為溫度單位)。工作溫度和臨界溫度之間的較大差異提供了更高的偵測效率、更低的暗計數，以及更快的時間響應。由超導層3製成的單光子偵測器由於相當好的均勻性而表現出高偵測效率。

為了製造圖2的單光子偵測器，參照圖3的步驟(5)，形成介電層14，例如氧化物或氮化物層，例如SiO ₂或SiN _x層，以覆蓋至少一條超導線13。

參考圖3的步驟(6)，接著，在介電層14上形成導電層6。介電層14和導電層6採用化學氣相沉積或物理氣相沉積製程，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)或原子層沉積(ALD)來形成。在示例性實施例中，採用氮電漿輔助分子束磊晶(MBE) ³來成長大面積的導電層6和介電層14。導電層6由電漿子材料，例如鋁，金、銀、銅、氮化鈦或氧化銦錫製成。在示例性實施例中，選擇氮化鈦(TiN)來製造導電層6。成長高質量的化學計量TiN薄膜需要超潔淨的成長環境，因為鈦很可能與殘餘氣體(例如氧氣)反應。在示例性實施例中，在超高真空(UHV)室中成長TiN膜在介電層14上，基礎壓力為 ~1×10 ^-10torr，X射線繞射圖(X射線波長：1.54 Å)顯示所成長的TiN薄膜具有緊密排列(111)方向的岩鹽晶體結構。

參考圖3的步驟(7)，採用圖案製程，例如電子束微影，在導電層6上形成第二蝕刻遮罩8。參考圖3的步驟(7)，例如，首先在導電層6上形成第二光阻層7，然後用聚焦電子束掃描以定義圖案(曝光區域)。接著，透過顯影選擇性地去除第二光阻層7的曝光區域或未曝光區域，以形成第二蝕刻遮罩8。

參考圖3的步驟(8)，以第二蝕刻遮罩8作為遮罩，透過例如反應離子蝕刻製程對導電層6進行蝕刻，以形成具有次波長(subwavelength)奈米結構陣列的表面電漿子波長選擇面15。接著，去除第二蝕刻遮罩8。至此，完成如圖2所示的單光子偵測器2。

圖4為本發明另一實施例的單光子偵測器2’的示意圖。單光子偵測器2'類似於圖2描述的單光子偵測器2，除了以下所述差異。在本實施例中，反射器12較佳為單層結構，採用化學氣相沉積或物理氣相沉積製程形成在基板10下方。單層反射器12可以由金屬，例如金、鋁、銀，或鉑製成。單層反射器12可以針對從表面電漿子波長選擇面15的通帶的中心波長λ的光的反射進行最佳化。單光子偵測器2'可以透過類似在圖3描述的方法來製造。

圖5A-5D為根據本發明一些實施例的超導線13的俯視圖。單光子偵測器2/2'可以包括至少一根超導線13設置在多層反射器12或可選的緩衝層11上。超導線13可以連接在導電電極(未示出)之間。如圖5A-5D所示，在反射器12或可選緩衝層11上的超導線可以被佈置成，但不限於，皮亞諾(Peano)、螺旋、曲折，或平行圖案，例如前後平行的。在一些實施例中，多根超導線13並聯在兩個平行電極之間。在一些實施例中，超導線13具有大致上呈矩形的橫截面。在一些實施例中，超導線13的厚度通常小於15nm，而寬度在10nm和150nm之間。

參考圖2，具有次波長奈米結構陣列的表面電漿子波長選擇面15能夠由入射光200的一或多個波長激發表面電漿共振(SPR)。在電漿共振帶中，入射光被次波長奈米結構陣列共振散射表面電漿子波長選擇面15共振地傳輸具有中心波長λ的特定波長範圍Δλ(通帶，passband)的入射光，中心波長λ由次波長奈米結構的幾何形狀和尺寸(例如，厚度、寬度、深度、直徑)決定(局部表面電漿共振，LSPR)，以及次波長奈米結構陣列的間距或週期決定(集體表面電漿共振，CSPR)。

圖6為根據本發明一個實施例的表面電漿子波長選擇面15的俯視示意圖。在示例性實施例中，表面電漿子波長選擇面15包括奈米孔陣列，並且激發的一或多個共振波長可以由，例如，奈米孔陣列的直徑(d)及/或週期(p)來決定。

圖7為根據本發明一個實施例的表面電漿子波長選擇面15的俯視示意圖。在示例性實施例中，表面電漿子波長選擇面15包括奈米帶陣列，並且激發的一或多個共振波長可以由，例如，奈米帶陣列的寬度(w)及/或週期(p)來決定。

在一些較佳實施例中，基板10和組成單光子偵測器1/2/2'的任何其他層之間的晶格失配(lattice mismatch)很小，通常小於5%。表 1 列出了形成單光子偵測器 1/2/2' 組成層的一些較佳材料相對於碳化矽(SiC)基板的晶體結構、晶格常數，及晶格失配。例如，AlN和4H-SiC之間的晶格失配為0.96%。這允許在4H-Si 基板上磊晶成長高質量的AlN薄膜。形成單光子偵測器1/2/2'的各層相對於4H-SiC基板磊晶成長。磊晶成長是指在保持晶格連續的狀態下從基板成長晶體。

表 1

材料	晶體結構	晶格常數(nm)	和碳化矽基板的晶格失配
4H-SiC	六方晶體	a = 0.307 c = 1.008	-
GaN	六方晶體	a = 0.318 c = 0.516	3.50%
AlN	六方晶體	a = 0.311 c = 0.498	0.96%
TiN (111)	立方晶體	a = 0.425 (a(111)=0.301)	–2.2%
NbN (111)	立方晶體	a = 0.439 (a(111)=0.310)	1.1%
TaN (111)	立方晶體	a = 0.434 (a(111)=0.307)	~0%
MgB ₂	六方晶體	a = 0.308 c = 3.521	~0.3%

圖8為根據本發明一個實施例的單光子偵測器陣列100的示意圖。單光子偵測器陣列100包括類似上文圖2、3和4中描述的單光子偵測器，除了以下描述的差異。

參照圖8，單光子偵測器陣列100包括被分成多個區域或像素例如A1、A2和A3的基板10。在示例性實施例中，設置在基板10或緩衝層11上的多層反射器12作為多個像素的共同反射器。然而，在另一個實施例中，每個像素可以包括個自的反射器12。此外，每個像素包括設置在反射器12上的至少一超導線13、覆蓋至少一超導線13的介電層14，以及介電層14上具有奈米結構陣列的表面電漿子波長選擇面15。奈米結構陣列能夠由入射光2的一個或多個波長激發表面電漿共振(SPR)。在每個像素內，表面電漿子波長選擇面15在通帶內共振地透射入射光2，而透射光照射在超導線13上及/或被反射器12反射到超導線13上。

參考圖8，在一些實施例中，每個像素的表面電漿子波長選擇面15的通帶不同於相鄰像素的通帶。例如，像素A1、A2和A3的表面電漿子波長選擇面15具有通帶Δλ1、Δλ2，及Δλ3，其中心波長分別為λ1、λ2、λ3。在示例性實施例中，Δλ1、Δλ2，及Δλ3(從而λ1、λ2，及λ3)彼此不同。在示例性實施例中，每個像素的表面電漿子波長選擇面15的通帶的中心波長不同於相鄰像素的通帶的中心波長。這可以透過，例如，相鄰像素的表面電漿子波長選擇面15的奈米結構陣列具有不同的週期來實現。例如，在示例性實施例中，週期P1、P2和P3彼此不同。

上述本發明之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟悉此技藝之人士能瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即凡其它未脫離本發明所揭示之精神所完成之等效的各種改變或修飾都涵蓋在本發明所揭露的範圍內，均應包含在下述之申請專利範圍內。

1:單光子偵測器 2:單光子偵測器 2’:單光子偵測器 3:超導層 4:第一光阻層 5:第一蝕刻遮罩 6:導電層 7:第二光阻層 8:第二蝕刻遮罩 10:基板 11:緩衝層 12:反射器 13:超導線 14:介電層 15:表面電漿子波長選擇面 100:單光子偵測器陣列 120:高折射率層 122:低折射率層 200:入射光 A1-A3:像素 d:直徑 P:週期 P1-P3:週期 W:寬度 λ₀:中心波長 λ:中心波長 λ1-λ3:中心波長

圖1是根據本發明一個實施例的單光子偵測器的剖面示意圖。

圖2是根據本發明另一個實施例的單光子偵測器的剖面示意圖。

圖3例示根據本發明一個實施例製造圖1和圖2的單光子偵測器的方法。

圖4為本發明另一實施例的單光子偵測器的剖面示意圖。

圖5A至5D為根據本發明一些實施例的超導線的俯視示意圖。

圖6是根據本發明一個實施例的表面電漿子波長選擇面的俯視示意圖。

圖7是根據本發明另一個實施例的表面電漿子波長選擇面的俯視示意圖。

圖8為根據本發明一個實施例的單光子偵測器陣列的截面示意圖。

1:單光子偵測器

10:基板

11:緩衝層

12:反射器

13:超導線

14:介電層

15:表面電漿子波長選擇面

120:高折射率層

122:低折射率層

200:入射光

λ₀:中心波長

Claims

一種用於偵測入射光的單光子偵測器，包括：一基板；一多層反射器，設置於該基板上；以及至少一單晶超導線，配置於該多層反射器上；其中，入射光照射在該至少一單晶超導線上及/或被該多層反射器反射到該至少一單晶超導線上。
如請求項1之單光子偵測器，其中該多層反射器包括交替的高折射率層和低折射率層，該高折射率層和該低折射率層均由III族氮化物材料製成。
如請求項2之單光子偵測器，其中該高折射率層和該低折射率層的晶體結構均為單晶。
如請求項1之的單光子偵測器，其中該至少一單晶超導線的材料為NbN、TiN、Nb _1-xTi _xN、TaN、Nb _1-xTa _xN、Nb ₃Al，或MgB ₂。
一種用於偵測入射光的單光子偵測器，包括：一基板；一反射器，設置在該基板之上或之下；至少一超導線，配置於該反射器或該基板上；一介電層，覆蓋該至少一超導線；以及一表面電漿子波長選擇面，包含位在該介電層上的一奈米結構陣列，該奈米結構陣列能夠由該入射光的一或多個波長激發表面電漿共振；其中，該表面電漿子波長選擇面在一通帶(passband)內共振地透射該入射光，而透射光照射在該至少一超導線上及/或被該反射器反射到該至少一超導線。
如請求項5之單光子偵測器，其中該反射器為一多層反射器，該多層反射器包括交替的高折射率層和低折射率層，該高折射率層和該低折射率層均由III族氮化物材料製成。
如請求項6之單光子偵測器，其中該高折射率層和該低折射率層的晶體結構均為單晶。
如請求項5之單光子偵測器，其中該通帶的中心波長由該奈米結構陣列的幾何形狀、尺寸及周期決定。
如請求項8之單光子偵測器，其中該中心波長可在紫外光、可見光，和紅外光的波段範圍內調整。
如請求項5所述的單光子偵測器，其中該至少一超導線的材料為NbN、TiN、Nb _1-xTi _xN、TaN、Nb _1-xTa _xN、Nb ₃Al，或MgB ₂。
如請求項5之單光子偵測器，其中該至少一超導線的晶體結構是單晶。
如請求項5之單光子偵測器，其中該基板與該反射器的任一組成層以及該至少一超導線之間的晶格失配(lattice mismatch)小於5％。
如請求項5之單光子偵測器，其中該反射器設置在該基板上，並且在該基板與該反射器之間設置有一緩衝層。
如請求項5之單光子偵測器，其特徵在於，所述反射器設置在該基板下方，並且在該基板與該至少一超導線之間設置有一緩衝層。
如請求項5之單光子偵測器，其中該奈米結構陣列包含奈米孔陣列。
如請求項5之單光子偵測器，其中該奈米結構陣列包含奈米帶陣列。
如請求項5之單光子偵測器，其中該奈米結構陣列的材料包含鋁、金、銀、銅、氮化鈦，或氧化銦錫。
一種用於偵測入射光的單光子偵測器陣列，包括：一基板，分成複數個像素，每個該像素包括；一反射器，沉積在該基板上或該基板下；至少一超導線，沉積在該反射器或該基板上；一介電層，覆蓋該至少一超導線；以及一表面電漿子波長選擇面，包括位在該介電層上的一奈米結構陣列，該奈米結構陣列能夠由該入射光的一或多個波長激發表面電漿共振；其中，該表面電漿子波長選擇面在具有一中心波長的一通帶內共振地透射該入射光，而透射光照射在該至少一超導線上及/或被該反射器反射到該至少一超導線。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該複數個像素中相鄰的兩個像素的該通帶的該中心波長不同。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該反射器為一多層反射器，該多層反射器包括交替的高折射率層和低折射率層，該高折射率層和該低折射率層均由III族氮化物材料製成。
如請求項20之單光子偵測器陣列，其中該高折射率層和該低折射率層的晶體結構均為單晶。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該通帶的該中心波長由該奈米結構陣列的幾何形狀、尺寸，及周期決定。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該中心波長可在紫外光、可見光，和紅外光的波段範圍內調整。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該至少一超導線的材料為NbN、TiN、Nb _1-xTi _xN、TaN、Nb _1-xTa _xN、Nb ₃Al，或MgB ₂。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該至少一超導線的晶體結構是單晶的。
如請求項18之單光子偵測器陣列，其中該基板與該反射器的任一組成層以及該至少一超導線之間的晶格失配(lattice mismatch)小於5％。
一種單光子偵測器的製作方法，包括以下步驟：提供一基板；形成一反射器於該基板上或該基板下；形成一單晶超導層在該反射器或該基板上；以及圖案化該超導層，以在該反射器或該基板上形成至少一超導線。
根據請求項27所述的方法，還包括：形成一介電層覆蓋該至少一超導線；形成一導電層在該介電層上；以及圖案化該導電層以形成包含一奈米結構陣列的表面電漿子波長選擇面，該奈米結構陣列能夠由該入射光的一或多個波長激發表面電漿共振。
如請求項27之方法，其中該反射層形成於該基板上，該方法還包括在該基板與該反射層之間形成一緩衝層。
如請求項27之方法，其中該反射器形成在該基板下，並且該方法還包括在該基板和該至少一超導線之間形成一緩衝層。