TW202416616A - 電源保護電路和電源轉換系統 - Google Patents

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Abstract

一種電源保護電路，包含一控制電壓產生電路、一電容及一第一開關。上述之控制電壓產生電路電性連接於一輸入端與一參考端之間，且根據上述之輸入端的一輸入電壓產生一控制電壓。上述之電容電性連接電源保護電路的一輸出端和上述之參考端之間。上述之第一開關的第一端電性連接上述之輸入端，上述之第一開關的第二端電性連接上述之輸出端，上述之第一開關的控制端電性連接上述之控制電壓產生電路以接收上述之控制電壓。當上述之輸入電壓大於一預定值時，上述之第一開關根據上述之控制電壓開啟以使上述之輸出端輸出一輸出電壓。

Description

電源保護電路和電源轉換系統
本揭露有關於一種電源保護電路和具有電源保護功能的電源轉換系統，尤指一種具有電源保護功能的電源轉換系統。
在現有技術中，電源轉換器中的橋式整流器可將一交流輸入電壓整流以產生一直流電壓和一接地電壓，其中交流輸入電壓可以是110VAC、220VAC或230VAC的市電，以及接地電壓可做為電源轉換器中0V的參考電位。
一般線性降壓電路大多是使用高壓電晶體做為主要承受高電壓元件，使得後端控制電路與一些低壓元件不會受損，但是電晶體如果在高電壓下並且是電晶體在開的狀態，這時電晶體會因為超過承受功率而損毀，因此如何使線性電源轉換器在較高交流輸入電壓(250V~265V)的條件下仍可正常運作已成為一項重要課題。
本揭露的一實施例提供一種電源保護電路。上述之電源保護電路包含一控制電壓產生電路、一電容及一第一開關。上述之控制電壓產生電路電性連接於一輸入端與一參考端之間，且根據上述之輸入端的一輸入電壓產生一控制電壓；上述之電容電性連接上述之電源保護電路的一輸出端和上述之參考端之間；及上述之第一開關，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述之第一開關的第一端電性連接上述之輸入端，上述之第一開關的第二端電性連接上述之電源保護電路的輸出端，上述之第一開關的控制端電性連接上述之控制電壓產生電路以接收上述之控制電壓，以及當上述之輸入電壓大於一預定值時，上述之控制電壓產生電路產生上述之控制電壓，且上述之第一開關根據上述之控制電壓開啟以使上述之電源保護電路的輸出端輸出一輸出電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之控制電壓產生電路包含一第一電阻、一第二電阻及一稽納二極體。上述之第一電阻電性連接於上述之輸入端和一分壓節點之間；上述之第二電阻電性連接上述之第一開關的控制端和上述之分壓節點之間；及上述之稽納二極體電性連接上述之分壓節點和上述之參考端之間，其中當上述之輸入電壓大於上述之預定值時，上述之第二電阻電性連接上述之第一開關的控制端的一端產生上述之控制電壓，以及上述之預定值為上述之稽納二極體的崩潰電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之控制電壓產生電路包含一第二開關、一第三電阻、一第四電阻、一第五電阻及一第六電阻。上述之第二開關具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述之第二開關的第二端電性連接上述之參考端，以及上述之第二開關的控制端電性連接一分壓節點；上述之第三電阻電性連接上述之輸入端和上述之分壓節點之間；上述之第四電阻電性連接上述之分壓節點和上述之參考端之間，其中上述之第三電阻和上述之第四電阻根據上述之輸入端的輸入電壓產生一分壓；上述之第五電阻電性連接上述之輸入端和上述之第二開關的第二端之間；及上述之第六電阻具有一第一端和一第二端，其中上述之第六電阻的第一端電性連接上述之第二開關的第二端，上述之第六電阻的第二端電性連接上述之第一開關的控制端，以及當上述之第二開關根據上述之分壓開啟時，上述之第六電阻的第二端產生上述之控制電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之第二開關為一N型高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)或為一N型場效電晶體(field-effect transistor, MOSFET)。
在本揭露的一實施例中，上述之第一開關為一PNP型雙極電晶體(bipolar transistor)。
本揭露的另一實施例提供一種電源轉換系統。上述之電源轉換系統包含一電源轉換器和一電源保護電路。上述之電源轉換器至少包含電性連接於上述之電源轉換器的輸出端的一電晶體和一第一電容，其中上述之電晶體受控於上述之第一電容上的電壓；及上述之電源保護電路包含一控制電壓產生電路、一第二電容及一第一開關。上述之控制電壓產生電路包含一輸入端，電性連接於上述之電源轉換器的輸出端，其中上述之控制電壓產生電路經由上述之輸入端電性連接於上述之電源轉換器的輸出端與一參考端之間，且根據上述之電源轉換器的輸出端的一輸出電壓產生一控制電壓；上述之第二電容電性連接上述之電源保護電路的輸出端和上述之參考端之間；及上述之第一開關具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述之第一開關的第一端電性連接上述之電源轉換器的輸出端，上述之第一開關的第二端電性連接上述之電源保護電路的輸出端，上述之第一開關的控制端電性連接上述之控制電壓產生電路以接收上述之控制電壓，以及當上述之電源轉換器的輸出端的輸出電壓高於一預定值時，上述之控制電壓產生電路產生上述之控制電壓，且上述之第一開關根據上述之控制電壓開啟以使上述之電源保護電路的輸出端輸出一輸出電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之控制電壓產生電路包含一第一電阻、一第二電阻及一稽納二極體。上述之第一電阻電性連接於上述之電源轉換器的輸出端和一分壓節點之間；上述之第二電阻電性連接上述之第一開關的控制端和上述之分壓節點之間；及上述之稽納二極體，電性連接上述之分壓節點和上述之參考端之間，其中當上述之電源轉換器的輸出端的輸出電壓大於上述之預定值時，上述之第二電阻電性連接上述之第一開關的控制端的一端產生上述之控制電壓，以及上述之預定值為上述之稽納二極體的崩潰電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之控制電壓產生電路包含一第二開關、一第三電阻、一第四電阻、一第五電阻及一第六電阻。上述之第二開關具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述之第二開關的第二端電性連接上述之參考端，以及上述之第二開關的控制端電性連接一分壓節點；上述之第三電阻電性連接上述之電源轉換器的輸出端和上述之分壓節點之間；上述之第四電阻電性連接上述之分壓節點和上述之參考端之間，其中上述之第三電阻和上述之第四電阻根據上述之電源轉換器的輸出端的上述之輸出電壓產生一分壓；上述之第五電阻電性連接上述之電源轉換器的輸出端和上述之第二開關的第二端之間；及上述之第六電阻，具有一第一端和一第二端，其中上述之第六電阻的第一端電性連接上述之第二開關的第二端，上述之第六電阻的第二端電性連接上述之第一開關的控制端，以及當上述之第二開關根據上述之分壓開啟時，上述之第六電阻的第二端產生上述之控制電壓。
在本揭露的一實施例中，上述之第二開關和上述之電晶體為N型高電子遷移率電晶體或為N型場效電晶體(上述之第二開關和上述之電晶體為雙數)。
在本揭露的一實施例中，上述之第一開關為一PNP型雙極電晶體。
請參照第1圖，請參照第1圖，第1圖是本揭露的第一實施例所公開的一種電源轉換系統1的示意圖。如第1圖所示，電源轉換系統1包含電源轉換器100以及電源保護電路10。電源轉換器100包含輸出端OUTPUT1，電源保護電路10包含輸入端INPUT1電性連接於電源轉換器100的輸出端OUTPUT1。於一實施例中，電源轉換器100包含橋式整流器101，分壓電路201，電阻R1、R2，電晶體Q1、Q2，稽納二極體D1，以及電容C1。於一實施例中，橋式整流器101可包含四個整流二極體D2-D5。其中整流二極體D2-D5可以是蕭特基二極體(Schottky Barrier Diode, SBD)。分壓電路201可包含電阻R3、R4。橋式整流器101將一交流輸入電壓VAC-IN整流以產生一直流電壓VDC-IN和一接地電壓GND。舉例來說，交流輸入電壓VAC-IN可以是110VAC、220VAC或230VAC的市電，以及接地電壓GND可做為電壓轉換電路100中0V的參考電位。於一實施例中，電晶體Q2可為一N型高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)或可為一N型金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)，其中標號D、G、S分別表示電晶體Q2的汲極、閘極和源極。於一實施例中，電晶體Q1可為一NPN型雙極電晶體(bipolar transistor)，其中標號B表示電晶體Q1的基極。
如第1圖所示，稽納二極體D1的陰極電性連接至一輸出端OUTPUT1，稽納二極體D1的陽極電性連接至電晶體Q1的基極B；電阻R3的一端與直流電壓VDC-IN電性連接，電阻R4的一端電性連接至接地電壓GND，一接點202與電阻R3的另一端及電阻R4的另一端電性連接且位於電阻R3及電阻R4之間，以及接點202更電性連接至電晶體Q1的基極B。如第1圖所示，接點202的電壓由電阻R3及電阻R4的電阻值決定，例如，當電阻R3為10K歐姆，電阻R4為7K歐姆時，則接點202電壓為7/17 ×(直流電壓VDC-IN)。因此，與接點202電性連接的基極B的電壓也會被施加7/17×(直流電壓VDC-IN)的電壓。當直流電壓VDC-IN由低逐漸升高時，此時基極B的電壓也會伴隨直流電壓VDC-IN的上升而上升。當直流電壓VDC-IN上升到一預定電壓時，基極B的電壓也上升使得電晶體Q1被導通，而讓電晶體Q2的閘極G經由導通的電晶體Q1接收到接地電壓GND，導致電晶體Q2被關閉(turn-off)。在電晶體Q2被關閉後，直流電壓VDC-IN將無法再繼續對電容C1充電。
如此，只要直流電壓VDC-IN大於上述之預定電壓時，直流電壓VDC-IN將因電晶體Q2被關閉而不再對電容C1充電，以防止電晶體Q2因過高之汲源壓(drain-to-source voltage)且通過大電流而燒壞。換言之，電源轉換器100可以調整設計來在直流電壓VDC-IN的電壓波谷附近供電，而在直流電壓VDC-IN的電壓波峰停止供電，其中這功能在此稱作波谷供電。另外，上述之預定電壓是對應電阻R3及電阻R4的電阻值比。
如第1圖所示，電源保護電路10包含輸入端INPUT1，控制電壓產生電路A、電容C2和第一開關S1。控制電壓產生電路A經由輸入端INPUT1電性連接於電源轉換器100的輸出端OUTPUT1與一接地電壓GND(也就是一參考端)之間。於一實施例中，控制電壓產生電路A可包含一第一電阻R11、一第二電阻R22和一稽納二極體D2。於一實施例中，第一開關S1具有一第一端S1T1、一第二端S1T2和一控制端S1TC，其中第一開關S1的第一端S1T1電性連接電源轉換器100的輸出端OUTPUT1，第一開關S1的第二端S1T2電性連接電源保護電路10的輸出端OUTPUT，第一開關S1的控制端S1TC電性連接第二電阻R22以接收一控制電壓VC。於一實施例中，第一開關S1可為一PNP型雙極電晶體(bipolar transistor)。如第1圖所示，第一電阻R11經由輸入端INPUT1電性連接於電源轉換器100的輸出端OUTPUT1和一分壓節點DN之間，第二電阻R22電性連接第一開關S1的控制端，例如第一開關S1的基極，和分壓節點DN之間，以及稽納二極體D2電性連接分壓節點DN和接地電壓GND之間。如第1圖所示，電容C2電性連接電源保護電路10的輸出端OUTPUT和接地電壓GND之間
如第1圖所示，在電源轉換器100的輸出端OUTPUT1的輸出電壓VOUT(相當於輸入端INPUT1的一輸入電壓VIN)大於一預定值之前，第一開關S1的控制端S1TC不會接收到控制電壓VC。在本揭露的一實施例中，上述之預定值為稽納二極體D2的崩潰電壓，例如40V，當電源轉換器100的輸出端OUTPUT1的輸出電壓VOUT小於稽納二極體D2的崩潰電壓時，控制電壓VC不會傳給第一開關S1的控制端S1TC。當輸入電壓VIN大於上述之預定值時，稽納二極體D2崩潰，導致分壓節點DN上具有稽納二極體D2的崩潰電壓，進而使第二電阻R22電性連接第一開關S1的控制端S1TC的一端產生控制電壓VC，其中在第一開關S1根據控制電壓VC開啟時，流經第一開關S1的電流可對電容C2充電以在電源保護電路10的輸出端OUTPUT上產生輸出電壓VOUT。也就是說在電源轉換器100的輸出端OUTPUT1的輸出電壓VOUT在達到大於稽納二極體D2的崩潰電壓前，第一開關S1關閉且電源保護電路10不會輸出輸出電壓VOUT。因為電源保護電路10是在電源轉換器100的輸出端OUTPUT1的輸出電壓VOUT大於稽納二極體D2的崩潰電壓後才輸出輸出電壓VOUT，所以電源保護電路10在輸出輸出電壓VOUT前可確保電晶體Q2完全關閉以避免電晶體Q2被燒毀。
請參照第2圖，第2圖是本發明的第二實施例所公開的一種電源保護電路20的示意圖，其中電源保護電路20和電源保護電路10的差別在於電源保護電路20所包含的一控制電壓產生電路A1的電路架構和電源保護電路10所包含的控制電壓產生電路A的電路架構不同。如第2圖所示，控制電壓產生電路A1包含輸入端INPUT1，一第二開關S2、一第三電阻R33、一第四電阻R44、一第五電阻R5及一第六電阻R6，其中第二開關S2具有一第一端S2T1、一第二端S2T2和一控制端S2TC。如第2圖所示，第二開關S2的該第二端S2T2電性連接接地電壓GND，以及該第二開關S2的該控制端S2TC電性連接一分壓節點DN；第三電阻R33電性連接輸入端INPUT1和分壓節點DN之間；第四電阻R44電性連接分壓節點DN和接地電壓GND之間，其中第三電阻R33和第四電阻R44根據輸入端INPUT1的輸入電壓VIN產生一分壓VD；第五電阻R5電性連接輸入端INPUT1和第二開關S2的該第一端S2T1之間；及第六電阻R6具有一第一端和一第二端，其中第六電阻R6的上述之第一端電性連接第二開關S2的該第一端S2T1，以及第六電阻R6的上述之第二端電性連接第一開關S1的該控制端S1TC。在本發明的一實施例中，第二開關S2為一N型金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)，但在本發明的另一實施例中，第二開關S2為一N型氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)。
如第2圖所示，分壓VD會隨著電源轉換器100的輸出端OUTPUT1的輸出電壓VOUT(相當於輸入端INPUT1的輸入電壓VIN)的增加而增加。因此，在輸入電壓VIN大於一預定值(例如40V)之前(也就是分壓VD使第二開關S2開啟之前)，第一開關S1的控制端S1TC不會接收到控制電壓VC。當輸入電壓VIN大於上述之預定值時，分壓VD使第二開關S2開啟，進而使第六電阻R6的第二端產生控制電壓VC，其中在第一開關S1根據控制電壓VC開啟時，流經第一開關S1的電流可對電容C2充電以在電源保護電路10的輸出端OUTPUT上產生輸出電壓VOUT。也就是說在輸入電壓VIN大於上述之預定值前，第一開關S1關閉且電源保護電路10不會輸出輸出電壓VOUT。因為電源保護電路20是在輸入電壓VIN大於上述之預定值後才輸出輸出電壓VOUT，所以電源保護電路20在輸出輸出電壓VOUT前可確保電晶體Q2完全關閉以避免電晶體Q2被燒毀。
請參照第3圖，第3圖是本揭露的第三實施例所公開的一種電源轉換系統400的示意圖，其中電源轉換系統400包含電源轉換器100、電源保護電路10和直流/直流轉換電路402。電源保護電路10電性連接於電源轉換器100的輸出端OUTPUT1，直流/直流轉換電路402電性連接於電源保護電路10的輸出端OUTPUT，以及可參照第1圖中電源轉換器100和電源保護電路10。在另一實施例中，電源保護電路10可由電源保護電路20取代)。如第3圖所示，電源轉換系統400可對交流輸入電壓VAC-IN執行二階段降壓，其中電源轉換器100是交流/直流轉換器且用以對交流輸入電壓VAC-IN執行上述之二階段降壓中的第一階段降壓以產生輸出電壓VOUT(例如40V)，以及直流/直流轉換電路402是用以對輸出電壓VOUT執行上述之二階段降壓中的第二階段降壓以產生一低輸出電壓VOUTL(例如3.3V)且另用以產生一高輸出電流IOUTH(例如200mA)。因此，如第3圖所示，電源轉換系統400的輸入為交流輸入電壓VAC-IN(例如90V~260V)，以及電源轉換系統400的輸出為低輸出電壓VOUTL(例如3.3V)和高輸出電流IOUTH(例如200mA)，其中耦接於電源轉換系統400的輸出端OUTPUTL的負載可例如為一無線熱點(Wi-Fi)模組，且電源轉換系統400提供低輸出電壓VOUTL(例如3.3V)和高輸出電流IOUTH(例如200mA)給上述之無線熱點(Wi-Fi)模組。
綜上所述，本揭露所公開的電源保護電路是要在其所電性連接的所述輸入端的輸入電壓大於所述預定值後才輸出所述輸出電壓，而本揭露另公開的線性交流/直流降壓且提高輸出電流的電路可用以提供所述低輸出電壓和所述高輸出電流給耦接於所述電路的負載，所以相較於現有技術，在所述電源保護電路輸出所述輸出電壓前可確保電性連接於所述輸入端的電晶體完全關閉以避免所述電晶體被燒毀，且可提供所述高輸出電流給所述負載。 以上所述僅為本揭露之較佳實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
1、400:電源轉換系統 10、20:電源保護電路 100:電源轉換器 101:橋式整流器 201:分壓電路 202:接點 402:直流/直流轉換電路 A、A1:控制電壓產生電路 B:基極 C1、C2:電容 D1、D2:稽納二極體 D2-D5:整流二極體 D:汲極 DN:分壓節點 G:閘極 GND:接地電壓 IOUTH:高輸出電流 INPUT1:輸入端 OUTPUT1、OUTPUT、OUTPUTL:輸出端 Q1、Q2:電晶體 R1、R2、R3、R4:電阻 R11:第一電阻 R22:第二電阻 R33:第三電阻 R44:第四電阻 R5:第五電阻 R6:第六電阻 S:源極 S1:第一開關 S1T1、S2T1:第一端 S1T2、S2T2:第二端 S1TC、S2TC:控制端 S2:第二開關 VDC-IN:直流電壓 VAC-IN:交流輸入電壓 VC:控制電壓 VOUT:輸出電壓 VOUTL:低輸出電壓 VIN:輸入電壓 VD:分壓
第1圖是本揭露的第一實施例所公開的一種電源保護電路的示意圖。 第2圖是本揭露的第二實施例所公開的一種電源保護電路的示意圖。 第3圖是本揭露的第三實施例所公開的一種線性交流/直流降壓且提高輸出電流的電路的示意圖。
1:電源轉換系統
10:電源保護電路
100:電源轉換器
101:橋式整流器
201:分壓電路
202:接點
A:控制電壓產生電路
B:基極
C1、C2:電容
D1、D2:稽納二極體
D2-D5:整流二極體
D:汲極
DN:分壓節點
G:閘極
GND:接地電壓
INPUT1:輸入端
OUTPUT1、OUTPUT:輸出端
Q1、Q2:電晶體
R1、R2、R3、R4:電阻
R11:第一電阻
R22:第二電阻
S:源極
S1:第一開關
S1T1:第一端
S1T2:第二端
S1TC:控制端
VDC-IN:直流電壓
VAC-IN:交流輸入電壓
VC:控制電壓
VOUT:輸出電壓
VIN:輸入電壓

Claims (10)

  1. 一種電源保護電路，包含： 一控制電壓產生電路，電性連接於一輸入端與一參考端之間，且根據該輸入端的一輸入電壓產生一控制電壓； 一電容，電性連接該電源保護電路的一輸出端和該參考端之間；及 一第一開關，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中該第一開關的該第一端電性連接該輸入端，該第一開關的該第二端電性連接該電源保護電路的該輸出端，該第一開關的該控制端電性連接該控制電壓產生電路以接收該控制電壓，以及當該輸入電壓大於一預定值時，該控制電壓產生電路產生該控制電壓，且該第一開關根據該控制電壓開啟以使該電源保護電路的該輸出端輸出一輸出電壓。
  2. 如請求項1所述的電源保護電路，其中該控制電壓產生電路包含： 一第一電阻，電性連接於該輸入端和一分壓節點之間； 一第二電阻，電性連接該第一開關的該控制端和該分壓節點之間；及 一稽納二極體，電性連接該分壓節點和該參考端之間，其中當該輸入電壓大於該預定值時，該第二電阻電性連接該第一開關的該控制端的一端產生該控制電壓，以及該預定值為該稽納二極體的崩潰電壓。
  3. 如請求項1所述的電源保護電路，其中該控制電壓產生電路包含： 一第二開關，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中該第二開關的該第二端電性連接該參考端，以及該第二開關的該控制端電性連接一分壓節點； 一第三電阻，電性連接該輸入端和該分壓節點之間； 一第四電阻，電性連接該分壓節點和該參考端之間，其中該第三電阻和該第四電阻根據該輸入端的輸入電壓產生一分壓； 一第五電阻，電性連接該輸入端和該第二開關的該第二端之間；及 一第六電阻，具有一第一端和一第二端，其中該第六電阻的該第一端電性連接該第二開關的該第二端，該第六電阻的該第二端電性連接該第一開關的該控制端，以及當該第二開關根據該分壓開啟時，該第六電阻的該第二端產生該控制電壓。
  4. 如請求項3所述的電源保護電路，其中該第二開關為一N型高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)或為一N型場效電晶體(field-effect transistor, MOSFET)。
  5. 如請求項1所述的電源保護電路，其中該第一開關為一PNP型雙極電晶體(bipolar transistor)。
  6. 一種電源轉換系統，包含： 一電源轉換器，至少包含電性連接於該電源轉換器的一輸出端的一電晶體和一第一電容，其中該電晶體受控於該第一電容上的電壓；及 一電源保護電路，包含： 一控制電壓產生電路，包含一輸入端，電性連接於該電源轉換器的該輸出端，其中該控制電壓產生電路經由該輸入端電性連接於該電源轉換器的該輸出端與一參考端之間，且根據該電源轉換器的該輸出端的一輸出電壓產生一控制電壓； 一第二電容，電性連接該電源保護電路的一輸出端和該參考端之間；及 一第一開關，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中該第一開關的該第一端電性連接該電源轉換器的該輸出端，該第一開關的該第二端電性連接該電源保護電路的該輸出端，該第一開關的該控制端電性連接該控制電壓產生電路以接收該控制電壓，以及當該電源轉換器的該輸出端的該輸出電壓高於一預定值時，該控制電壓產生電路產生該控制電壓，且該第一開關根據該控制電壓開啟以使該電源保護電路的該輸出端輸出一輸出電壓。
  7. 如請求項6所述的電源轉換系統，其中該控制電壓產生電路包含： 一第一電阻，電性連接於該電源轉換器的該輸出端和一分壓節點之間； 一第二電阻，電性連接該第一開關的該控制端和該分壓節點之間；及 一稽納二極體，電性連接該分壓節點和該參考端之間，其中當該電源轉換器的該輸出端的該輸出電壓大於該預定值時，該第二電阻電性連接該第一開關的該控制端的一端產生該控制電壓，以及該預定值為該稽納二極體的一崩潰電壓。
  8. 如請求項6所述的電源轉換系統，其中該控制電壓產生電路包含： 一第二開關，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中該第二開關的該第二端電性連接該參考端，以及該第二開關的該控制端電性連接一分壓節點； 一第三電阻，電性連接該電源轉換器的該輸出端和該分壓節點之間； 一第四電阻，電性連接該分壓節點和該參考端之間，其中該第三電阻和該第四電阻根據該電源轉換器的該輸出端的該輸出電壓產生一分壓； 一第五電阻，電性連接該電源轉換器的該輸出端和該第二開關的該第二端之間；及 一第六電阻，具有一第一端和一第二端，其中該第六電阻的該第一端電性連接該第二開關的該第二端，該第六電阻的該第二端電性連接該第一開關的該控制端，以及當該第二開關根據該分壓開啟時，該第六電阻的該第二端產生該控制電壓。
  9. 如請求項6所述的電源轉換系統，其中該第二開關和該電晶體為一N型高電子遷移率電晶體或為一N型場效電晶體。
  10. 如請求項6所述的電源轉換系統，其中該第一開關為一PNP型雙極電晶體。
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