TW202410981A

TW202410981A - 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

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Publication number: TW202410981A
Application number: TW112144287A
Authority: TW
Inventors: 花島建夫; 原田和宏; 牛田卓朗
Original assignee: 日商國際電氣股份有限公司
Priority date: 2021-03-19
Filing date: 2021-12-29
Publication date: 2024-03-16

Abstract

[課題]能藉由有效果地除去洗淨後之殘留元素，減少在成膜處理中之膜厚變動。 [解決手段]在具有複數噴嘴之反應管內處理基板而搬出之後，具有：(a)對複數噴嘴之中之至少一個噴嘴供給洗淨氣體的工程，(b)對進行(a)之工程後的至少一個噴嘴，供給包含氫和氧的氣體的工程，和(c)於(b)之工程之後，對反應管內搬入下一個基板的工程。

Description

基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

本揭示係關於噴嘴之洗淨方法、基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式。

作為半導體裝置之製造工程之一工程，有進行在處理容器內對基板進行處理之工程的情形(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2016-157871號公報

[發明所欲解決之課題]

在半導體製造裝置之運用中，藉由重複成膜處理，反應室內之累積膜藉由應力而剝落，有引起微粒等之問題的情形。因此，當累積某程度的膜時，為了除去膜，有實施洗淨之情形。近年來，作為洗淨手段，有使用反應氣體除去累積膜之氣體洗淨所致的運用。

作為洗淨氣體，有使用包含例如F ₂或NF ₃等的氟(F)之氣體的方法。在該方法中，有在完成洗淨後，殘留洗淨氣體所含的氟等之元素，成為成膜處理之阻礙要因之情況。在此情況，有在洗淨前後之成膜處理中，產生膜厚變動等之課題的情形。作為針對該課題的對策，有使用NH ₃氣體的處置所致的殘留元素除去手段，或採取重疊累積膜而進行塗佈所致的殘留元素之封閉等之手段來對應。

本揭示係提供藉由有效果地除去洗淨後之殘留元素，減少在成膜處理中之膜厚變動的手段。 [用以解決課題之手段]

若藉由本揭示之一態樣時，提供一種技術，該技術係在具有複數噴嘴之反應管內處理基板而搬出之後，具有： (a)對上述複數噴嘴之中之至少一個噴嘴供給洗淨氣體的工程， (b)對進行上述(a)之工程後的上述至少一個噴嘴，供給包含氫和氧的氣體的工程， (c)於上述(b)之工程之後，對上述反應管內搬入下一個基板的工程。 [發明之效果]

若藉由本揭示，能藉由有效果地除去洗淨後之殘留元素，減少在成膜處理中之膜厚變動。

＜本揭示之一態樣＞

以下，針對本揭示之一態樣適當地使用圖面進行說明。另外，在以下之說明中所使用的圖面，皆為示意性，圖面上的各要素之尺寸關係、各要素之比率等不一定和現實者一致。再者，即使在複數圖面之彼此間，各要素之尺寸的關係、各要素之比率等不一定一致。

在本說明書中，使用「晶圓」之語句之情況，有意味著晶圓本身之情況，或意味著晶圓和被形成在其表面的特定層或膜等的疊層體之情況。在本說明書中，使用「晶圓之表面」之語句之情況，有意味著晶圓本身之表面之情況，或意味著被形成在晶圓上的特定層或膜等之表面之情況。在本說明書中，記載為「在晶圓上形成特定層」之情況，有意味著直接在晶圓本身之表面上形成特定層之情況，或意味著在被形成在晶圓上之層等上形成特定層之情況。在本說明書中，使用「基板」之語句之情況也與使用「晶圓」之語句之情況同義。再者，將上述形成有特定層或膜的晶圓或基板稱為「半導體裝置」。

(1)基板處理裝置之構成如圖1所示般，處理爐202具有作為加熱機構(溫度調整部)的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，藉由被支持於保持板，被垂直安裝。加熱器207也作為利用熱使氣體活性化(激發)的活性化機構(激發部)而揮發功能。

在加熱器207之內側，以與加熱器207呈同心圓狀地配設有反應管203。反應管203係由例如石英(SiO ₂)或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料所構成，被形成上端封閉且下端開口之圓筒形狀。在反應管203之下方，與反應管203呈同心圓狀地配設有分歧管209。分歧管209係藉由例如不鏽鋼(SUS)等之金屬材料而構成，被形成上端及下端開口的圓筒形狀。分歧管209之上端部與反應管203之下端部卡合，被構成支持反應管203。在分歧管209和反應管203之間，設置作為密封構件的O型環220a。反應管203與加熱器207同樣被垂直安裝。主要，藉由反應管203和分歧管209構成處理容器(反應容器)。在處理容器之筒中空部形成處理室201。處理室201被構成能夠收容作為基板的晶圓200。在該處理室201內進行對晶圓200的處理。

在處理室201內，以貫通分歧管209之側壁之方式，分別設置作為第1供給部、第2供給部、第3供給部之噴嘴249a、249b、249c。將噴嘴249a、249b、249c也分別稱為第1噴嘴、第2噴嘴、第3噴嘴。噴嘴249a、249b、249c分別藉由石英或SiC等之作為非金屬材料的耐熱性材料構成。噴嘴249a、249b、249c分別被構成為被使用於複數種氣體之供給的共用噴嘴。

在噴嘴249a、249b、249c分別連接作為第1配管、第2配管、第3配管之氣體供給管232a、232b、232c。氣體供給管232a、232b、232c分別被構成為被使用於複數種氣體之供給的共用配管。在氣體供給管232a、232b、232c，從氣流之上游側依序分別設置有作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)241a、241b、241c及作為開關閥的閥體243a、243b、243c。

在較氣體供給管232a之閥體243a更下游側，依序連接氣體供給管232d、232e、232f、232g、232n。在氣體供給管232d、232e、232f、232g、232n，從氣流的上游側，依序分別設置MFC241d、241e、241f、241g、241n及閥體243d、243e、243f、243g、243n。另外，在氣體供給管232d、232e之閥體243d、243e之下游側，安裝有第2加熱器207a。

在較氣體供給管232b之閥體243b更下游側，依序連接氣體供給管232h、232i、232j、232o。在氣體供給管232h、232i、232j、232o，從氣流之上游側依序設置MFC241h、241i、241j、241o及閥體243h、243i、243j、243o。另外，在氣體供給管232b、232h之閥體243b、243h之下游側，安裝有第2加熱器207b。

在較氣體供給管232c之閥體243c更下游側，依序連接氣體供給管232k、232l、232m、232p。在氣體供給管232k、232l、232m、232p，從氣流之上游側依序設置MFC241k、241l、241m、241p及閥體243k、243l、243m、243p。另外，在氣體供給管232c、232k之閥體243c、243k之下游側，安裝有第2加熱器207c。

氣體供給管232a~232p係藉由金屬材料而構成。另外，上述分歧管209之素材，和後述密封蓋219、旋轉軸255、排氣管231之素材也可以設為與氣體供給管232a~232m相同的素材。

如圖2所示般，噴嘴249a、249b、249c分別被設置成在反應管203之內壁和晶圓200之間的在俯視觀看下呈圓環狀之空間，從反應管203之內壁之下部沿著上部，朝向晶圓200之配列方向上方豎立。即是，噴嘴249a、249b、249c係在配列晶圓200之晶圓配列區域之側方的水平地包圍晶圓配列區域之區域，分別被設置成沿著晶圓配列區域。在噴嘴249a、249b、249c之側面分別設置有供給氣體之氣體供給孔250a、250b、250c。氣體供給孔250a、250b、250c在俯視下分別沿著晶圓200之中心而開口，能朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔250a、250b、250c係從反應管203之下部到上部被設置複數個。

原料氣體係從氣體供給管232a經由MFC241a、閥體243a及噴嘴249a而被供給至處理室201內。原料氣體係藉由使氣體狀態之原料，例如在常溫常壓下為液體狀態的原料氣化而獲得的氣體，或在常溫常壓下為氣體狀態的原料等。

第1反應氣體係從氣體供給管232b、232d、232k分別經由MFC241b、241d、241k、閥體243b、243d、243k、噴嘴249b、249a、249c而被供給至處理室201內。

第2反應氣體係從氣體供給管232c、232e、232h分別經由MFC241c、241e、241h、閥體243c、243e、243h、噴嘴249c、249a、249b而被供給至處理室201內。另外，即使第2反應氣體為與第1反應氣體不同的分子的氣體亦可，即使為相同的分子之氣體亦可。在以下的說明中，第2反應氣體係針對使用與第1反應氣體不同的分子之氣體的例予以記載。

洗淨氣體係從氣體供給管232f、232i、232l分別經由MFC241f、241i、241l、閥體243f、243i、243l、氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c而被供給至處理室201內。

添加氣體係從氣體供給管232g、232j、232m分別經由MFC241g、241j、241m、閥體243g、氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c而被供給至處理室201內。

作為惰性氣體，例如氮(N ₂)氣係從氣體供給管232n、232o、232p分別經由MFC241n、241o、241p、閥體243n、243o、243p、氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c而被供給至處理室201內。N ₂氣體係作為淨化氣體、載體氣體、稀釋氣體等而發揮作用。

主要藉由氣體供給管232a、MFC241a、閥體243a、噴嘴249a構成原料氣體供給系統。主要，藉由氣體供給管232b、232d、232k、MFC241b、241d、241k、閥體243a、243b、243c、噴嘴249a、249b、249c構成第1反應氣體供給系統。主要，藉由氣體供給管232c、232e、232h、MFC241c、241e、241h、閥體243c、243e、243h、氣體供給管232c、232a、232b、閥體249c、249a、249b，構成第2反應氣體供給系統。另外，即使將第1反應氣體供給系統及第2反應氣體供給系統總稱為反應氣體供給系統亦可。主要，藉由氣體供給管232f、232i、232l、MFC241f、241i、241l、閥體243f、243i、243l，構成洗淨氣體供給系統。即使洗淨氣體供給系統包含氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c亦可。主要，藉由氣體供給管232g、232j、232m、MFC241g、241j、241m、閥體243g、243j、243m、氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c構成添加氣體供給系統。主要，藉由氣體供給管232n、232o、232p、MFC241n、241o、241p、閥體243n、243o、243p、氣體供給管232a、232b、232c、噴嘴249a、249b、249c構成惰性氣體供給系統。

在上述各種供給系統之中之任一者或全部的供給系統即使被構成積體閥體243a~243p或MFC241a~241p等而構成的積體型供給系統248亦可。積體型供給系統248相對於氣體供給管232a~232p之各者被連接，被構成藉由後述控制器121控制對氣體供給管232a~232p內供給各種氣體的動作，即是閥體243a~243p之開關動作或MFC241a~241p所致的流量調整動作等。積體型供給系統248係被構成一體型或分割型之積體單元，相對於氣體供給管232a~232p等可以以積體單元單位進行裝卸，被構成能夠以積體單元單位進行積體型供給系統248之維修、更換、增設等。

在反應管203之側壁下方設置對處理室201內之氛圍進行排氣的排氣口231a。即使排氣口231a係從反應管203之側壁之下部沿著上部，即是沿著晶圓配列區域而被設置亦可。在排氣口231a連接排氣管231。在排氣管231連接有作為檢測處理室201內之壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)之壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)之APC(Auto Pressure Controller)閥244，連接有作為真空排氣裝置之真空閥246。APC閥244係被構成可以在使真空泵246作動之狀態下，藉由對閥體進行開關，來進行處理室201內之真空排氣及真空排氣停止，並且，可以在使真空泵246作動之狀態下，藉由根據以壓力感測器245所檢測到的壓力資訊，調節閥開度，來調整處理室201內的壓力。主要，藉由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245構成排氣系統。即使想排氣系統包含真空泵246亦可。

在分歧管209之下方，設置有作為能夠氣密地封閉分歧管209之下端開口的爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219係由例如SUS等之金屬材料構成，被形成為圓盤狀。在密封蓋219之上面，設置有作為與分歧管209之下端抵接的密封構件的O型環220b。在密封蓋219之下方，設置有使後述晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267之旋轉軸255貫通密封蓋219被連接於晶舟217。旋轉機構267係被構成藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219係被構成藉由作為被設置在反應管203之外部的升降機構的晶舟升降器115而在垂直方向升降。晶舟升降器115係作為藉由使密封蓋219升降，能夠將晶圓200朝處理室201內外搬入及搬出(搬運)的搬運裝置(搬運機構)而被構成。在分歧管209之下方，設置作為在使密封蓋219下降且從處理室201內搬出晶舟217之狀態，能夠氣密地封閉分歧管209之下端開口的作為爐口蓋體的擋板219s。擋板219s係由例如SUS等之金屬材料形成，被形成為圓盤狀。在擋板219s之上面，設置有作為與分歧管209之下端抵接的密封構件的O型環220c。擋板219s之開關動作(升降動作或轉動動作等)係藉由擋板開關機構115s而被控制。

作為基板支持具的晶舟217係以水平姿勢，並且彼此中心一致的狀態下在垂直方向排列且多層地支持複數片，例如25~200片之晶圓200，即是以隔著間隔被配列之方式被構成。晶舟217係藉由例如石英或SiC等之耐熱性材料而被構成。在晶舟217之下部，以多層地支持藉由例如石英或SiC等之耐熱性材料而被構成的隔熱板218。

在反應管203內，設置作為溫度檢測器的溫度感測器263。根據藉由溫度感測器263被檢測到的溫度資訊，調整對加熱器207的通電狀態，依此處理室201之溫度成為期望的溫度分布。溫度感測器263係沿著反應管203之內壁而被設置。

如圖3所示般，作為控制部(控制手段)之控制器121係作為具備有CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d的電腦而被構成。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係被構成可經內部匯流排121e而與CPU121a進行資料交換。在控制器121連接例如作為例如觸控面板等而被構成的輸入輸出裝置122。

記憶裝置121c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等而被構成。在記憶裝置121c內，以能夠讀出之方式儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載有後述成膜之順序或條件等之程式配方，或記載有後述洗淨的順序或條件等的洗淨配方。製程配方係使控制器121實行後述之成膜中之各順序，組合成可以獲得特定之結果者，作為程式而發揮功能。洗淨配方係使控制器121實行後述之洗淨中之各順序，組合成可以獲得特定之結果者，作為程式而發揮功能。以下，也將該製程配方、洗淨配方、控制程式等統稱為程式。再者，也將製程配方或洗淨配方稱為配方。在本說明書中使用稱為程式之語句的情況，有僅包含配方單體之情形、僅包含控制程式單體之情形，或者包含其雙方之情形。RAM121b作為暫時性保持藉由CPU121a被讀出之程式或資料等的記憶體區域(工作區域)而被構成。

I/O埠121d被連接於上述MFC241a~241p、閥體243a~243p、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、溫度感測器263、加熱器207、第2加熱器207a~207c、旋轉機構267、晶舟升降器115、擋板開關機構115s等。

CPU121a係被構成從記憶裝置121c讀出控制程式而實行，同時因應來自輸入輸出裝置122之操作指令之輸入等而從記憶裝置121c讀出配方。CPU121a係被構成以沿著讀出的配方之內容，控制MFC241a~241p所致的各種氣體之流量調整動作、閥體243a~243p之開關動作、APC閥體244之開關動作及基於壓力感測器245的APC閥244所致的壓力調整動作、真空泵246之啟動及停止、基於溫度感測器263的加熱器207之溫度調整動作、第2加熱器207a~207c之溫度調整動作、旋轉機構267所致的晶舟217之旋轉及旋轉速度調節動作、晶舟升降器115所致的晶舟217之升降動作、擋板開關機構115s所致的擋板219s之開關動作等。

作為上述控制部的控制器121係被構成能以進行(a)在反應管203內處理基板(晶圓200)而搬出之後，對上述至少一個噴嘴供給洗淨氣體的處理，(b)對已進行上述(a)工程的上述至少一個噴嘴供給包含氫和氧的氣體的處理，和(c)於上述(b)工程之後，將下一個基板(晶圓200)搬入至反應管203內的處理之方式，控制搬運機構、供給洗淨氣體的洗淨氣體供給系統及供給包含氫和氧的氣體的反應氣體供給系統。

控制器121可以藉由使被儲存於外部記憶裝置123的上述程式，即是藉由電腦使基板處理裝置實行下述順序的程式，安裝於電腦而構成， (a)對在具有複數噴嘴249a、249b、249c之反應管203內，處理基板(晶圓200)而搬出後的上述複數噴嘴249a、249b、249c之中之至少一個噴嘴供給洗淨氣體的步驟， (b)對進行上述(a)之工程後的上述至少一個噴嘴，供給包含氫和氧的氣體的步驟，和 (c)於上述(b)之步驟之後，將下一個基板(晶圓200)搬入至上述反應管203內的順序。外部記憶裝置123包含例如HDD等之磁碟、CD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體等之半導體記憶體等。記憶裝置121c或外部記憶裝置123係被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，將該些統稱為記錄媒體。在本說明書中使用稱為記錄媒體之語句的情況，有僅包含記憶裝置121c單體之情形、僅包含外部記憶裝置123單體之情形，或者包含其雙方之情形。另外，對電腦提供程式即使不使用外部記憶裝置123而使用網路或專用線路等之通訊手段亦可。

(2)半導體裝置之製造方法使用上述基板處理裝置的本揭示的半導體裝置之製造方法係在具有複數噴嘴249a、249b、249c之反應管203內處理基板(晶圓200)而搬出之後，具有： (a)對上述複數噴嘴249a、249b、249c之中之至少一個噴嘴供給洗淨氣體的工程， (b)對進行上述(a)之工程後的上述至少一個噴嘴，供給包含氫和氧的氣體的工程，和 (c)於上述(b)之工程之後，對上述反應管203內搬入下一個基板(晶圓200)的工程。

在此，在上述製造方法中之「複數噴嘴」在上述基板處理裝置中為3根，但是若為2根以上時則不特別限定。

(2-1)基板(晶圓200)之處理在上述製造方法中，於上述工程(a)之前，在反應管203內的基板(晶圓200)之處理係例如可以藉由進行特定次數(n次，n為1以上的整數)循環，該循環係非同時進行：對反應管203內之晶圓200，經由氣體供給管232a及噴嘴249a而供給原料氣體的步驟1，在停止對反應管203內供給原料氣體之後，邊經由氣體供給管232n及噴嘴249a，而供給淨化氣體，邊對反應管203內進行真空排氣而排除殘留在處理室內的原料氣體的步驟2，對反應管203內之晶圓200，邊經由氣體供給管232b及噴嘴249b而供給第1反應氣體，邊經由氣體供給管232c及噴嘴249c而供給第2反應氣體的步驟3，和停止對反應管203內供給第1反應氣體及第2反應氣體之供給後，邊經由氣體供給管232o、232p及噴嘴249b、249c，供給作為淨化氣體的N ₂氣體，邊對反應器203內進行真空排氣而排除殘留在處理室內之第1反應氣體及第2反應氣體的步驟4，在晶圓200上，形成包含特定元素之膜以作為膜的成膜處理。在步驟2及步驟4中之排氣處理係從排氣口231a通過排氣管231而進行。

另外，作為原料氣體，使用作為構成膜之主元素(特定元素)的Si及鹵素元素的鹵矽烷系氣體。鹵矽烷係指具有鹵素基的矽烷。鹵素基包括氯基、氟基、溴基、碘基等。即是，鹵素基包含氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等的鹵素元素。作為鹵素系氣體，可以使用例如包含Si及Cl之原料氣體，即是氯矽烷系氣體。氯矽烷系氣體作為Si源而揮發作用。作為氯矽烷系氣體，可以使用例如六氯乙矽烷(Si ₂Cl ₆，縮寫：HCDS)氣體。HCDS氣體係在上述處理條件下包含單獨成為固體的元素(Si)的氣體，即是在上述處理條件下可以單獨堆積膜的氣體。

作為第1反應氣體，使用例如含氫(H)氣體。作為含H氣體，可以使用例如氫(H ₂)氣體，包含活化後的含氫的氣體。

作為第2反應氣體，使用例如含氧(O)氣體。作為含O氣體，可以使用例如氧(O ₂)氣、水(H ₂O)氣體、臭氧(O ₃)氣體、包含活化後的氧的氣體

將上述成膜處理如下述般地表示。另外，「P/V」係表示步驟2及步驟4之淨化處理及排氣處理。 (原料氣體→P/V→第1反應氣體+第2反應氣體→P/V)×n

(2-2)洗淨處理在上述製造方法中，上述工程(a)之洗淨處理係可以例如藉由從噴嘴249a、249b、249c中之至少一個供給洗淨氣體至反應管203內來實施。作為洗淨氣體，使用例如含氟(F)氣體。作為含氟氣體，使用例如氟(F ₂)氣體或三氟化氮(NF ₃)氣體。在以下中，作為洗淨氣體，針對使用F ₂氣體的例予以記載。

例如，在從供給原料氣體後的噴嘴249a供給之情況，可以從氣體供給管232f經由噴嘴249a而供給洗淨氣體。在此情況，上述工程(a)之期間，以不對其他噴嘴249b、249c供給洗淨氣體為佳。如此一來，例如使用石英製之噴嘴之情況，因不流通洗淨氣體的噴嘴可以抑制含氟氣體所致的蝕刻，其結果可以延長噴嘴的壽命。

另一方面，在上述工程(a)之期間，以將朝不供給洗淨氣體的其他噴嘴249b、249c的氣體之供給量實質上設為零為佳。如此一來，藉由從噴嘴249a被供給的洗淨氣體流入至其他噴嘴249b、249c，能夠進行不供給洗淨氣體的噴嘴之洗淨處理。

再者，上述工程(a)係可以藉由從噴嘴249a、249b、249c之全部供給洗淨氣體供給至反應管203內來實施。即是，藉由經由氣體供給管232f、232i、232l及噴嘴249a、249b、249c之各者而對反應管203內供給洗淨氣體，可以提升反應管203內之洗淨處理的均勻性。再者，在此情況，即使從全部的噴嘴249a、249b、249c同時期對反應管203內供給洗淨氣體亦可。如此一來，藉由從全部的噴嘴249a、249b、249c同時期地供給洗淨氣體，可以抑制殘留氟，或在後述工程(b)產生的反應生成物(例如，HF)等侵入至不供給洗淨氣體的噴嘴而殘留氟之情形。此時，雖然若有洗淨氣體從全部的噴嘴249a、249b、249c被供給至反應管203內之時期時，即使在各噴嘴中之洗淨氣體之供給開始時序及供給結束時序不一致亦可，但是從防止殘留氟或HF等朝其他噴嘴侵入之觀點來看，以使在各噴嘴的洗淨氣體的供給結束時序一致為佳，並且以開始時序也一致為更佳。

另外，以對複數噴嘴之中，進行上述工程(a)後的噴嘴，供給添加氣體為佳。例如，在從噴嘴249a供給洗淨氣體之情況，經由氣體供給管232g及噴嘴249a而對反應管203內供給添加氣體。再者，在從噴嘴249b供給洗淨氣體之情況，經由氣體供給管232j及噴嘴249b而對反應管203內供給添加氣體。並且，在從噴嘴249c供給洗淨氣體之情況，經由氣體供給管232m及噴嘴249c而對反應管203內供給添加氣體。

另外，作為添加氣體，使用含氮(N)和氧(O)的氧化氮系氣體。雖然氧化氮系氣體以單體無法發揮洗淨作用，但是藉由與洗淨氣體反應，生成例如氟自由基和鹵化亞硝基化化合物等的活性種，作用成提升洗淨氣體的洗淨作用。作為氧化氮系氣體，可以使用例如一氧化氮(NO)氣體。如此一來，因藉由供給，例如藉由洗淨氣體和添加氣體，可以生成氟自由基(･F)，可以提升洗淨處理的效率。

另外，對進行上述工程(a)後的噴嘴供給添加氣體之情況，以同時不進行洗淨氣體的供給，和添加氣體的供給，而交替進行為佳。依此，可以抑制例如洗淨氣體和添加氣體直接反應之情形，藉由抑制所生成的氟自由基(･F)的量，可以抑制例如石英製之噴嘴的蝕刻。

如此交替進行洗淨氣體之供給和添加氣體之供給的處理，可以如下述(處理A)、(處理B)般地表示。另外，洗淨處理之模態如後述般具有幾個模態。 (處理A)：(洗淨氣體→P/V→添加氣體→P/V)×n (處理B)：(添加氣體→P/V→洗淨氣體→P/V)×n

＜洗淨處理模態1＞即使構成對複數噴嘴之一個以上進行(處理A)或(處理B)亦可。即構成對複數噴嘴之各者，進行(處理A)或(處理B)亦可。可以對一個以上的噴嘴，進行(處理A)或(處理B)，在噴嘴內，以特定量混合洗淨氣體和添加氣體，可以進行噴嘴內之洗淨。在此，特定量係指例如吸附於噴嘴內而殘留的洗淨氣體，和之後被供給的添加氣體反應的量。

＜洗淨處理模態2＞再者，即使構成對全部的噴嘴，同時進行(處理A)或(處理B)亦可。藉由同時對全部的噴嘴進行，可以使全部的噴嘴或其周邊的洗淨速度一致。

＜洗淨處理模態3＞再者，即使構成對一個噴嘴進行(處理A)，對其他噴嘴進行(處理B)亦可。具體而言，構成使在噴嘴249b進行(處理A)，同時使在噴嘴249c進行(處理B)。藉由如此地構成，同時對反應管203內供給洗淨氣體和添加氣體。藉由同時供給洗淨氣體和添加氣體，可以提升反應管203內之洗淨處理的效率。再者，藉由洗淨氣體和添加氣體之供給位置順序改變，可以抑制複數噴嘴內，或反應管203內之洗淨的偏差，能夠均勻地洗淨噴嘴內和反應管203內。

另外，此時，即使在噴嘴249a進行持續供給惰性氣體的(處理C)亦可。藉由以噴嘴249a持續供給惰性氣體，可以抑制在反應管203內之噴嘴側從噴嘴249b被供給的氣體，和從噴嘴249c被供給的氣體急遽反應之情形。再者，從噴嘴249a被供給的惰性氣體，能夠作為從噴嘴249b和噴嘴249c被供給的氣體之導引而發揮作用，能助於反應管203內之洗淨均勻化。另外，即使在噴嘴249a，進行(處理A)或(處理B)亦可。再者，即使構成依序進行(處理A)或(處理B)和(處理C)亦可。

另外，即使洗淨處理組合複數上述處理圖案而進行亦可。

(2-3)氟去活化處理在上述製造方法中，上述工程(b)的氟去活化處理可以藉由對在上述工程(a)對反應管203內已供給洗淨氣體的噴嘴，供給例如含氫和氧的氣體來實施。在此，「含氫和氧的氣體」雖然係以從分別不同的氣體供給管供給氫(H ₂)氣和氧(O ₂)氣而至少在噴嘴混合而獲得的混合氣體為佳，但是即使如水蒸汽(H ₂O)或過氧化氫(H ₂O ₂)般，為在一分子中包含氫(H)原子和氧(O)原子的氣體亦可。例如，認為表示藉由H ₂氣體和O ₂氣體的混合氣體，除去殘留在反應管內的氟(F ₂)或氟離子(F ^-)的機構之反應式如同下述般。

再者，認為藉由H ₂氣體和O ₂氣體的混合氣體而產生的水(H ₂O)，引起以下的反應。

在此，藉由從另外的氣體供給管供給作為第1反應氣體的H ₂氣體和第2反應氣體的O ₂氣體，以各者的MFC調節流量，依此能夠進行因應殘留在噴嘴內或反應管內的氟之化學性狀態的氟除去處理。例如，因應殘留在噴嘴內或反應管內的氟之狀態，變更第1反應氣體和第2反應氣體之各者的流量比。再者，即使調整成因應除去殘留氟的構件，變更流量比亦可。在此，構件為噴嘴或反應管。例如，即使構成在除去噴嘴內的殘留氟之工程，和除去殘留在反應管內的氟之工程，使流量比不同亦可。再者，即使構成使每工程的流量不同亦可。

例如，在從噴嘴249a供給洗淨氣體之情況，從氣體供給管232d供給第1反應氣體，及從氣體供給管232e供給第2反應氣體，而從噴嘴249a作為混合氣體被供給至反應管203內。再者，在從噴嘴249b供給洗淨氣體之情況，從氣體供給管232b供給第1反應氣體，及從氣體供給管232h供給第2反應氣體，而從噴嘴249a作為混合氣體被供給至反應管203內。並且，在從噴嘴249c供給洗淨氣體之情況，從氣體供給管232k供給第1反應氣體，及從氣體供給管232c供給第2反應氣體，而從噴嘴249a作為混合氣體被供給至反應管203內。

在此，在上述工程(a)中，從噴嘴249a、249b、249c之全部對反應管203內供給洗淨氣體之情況，藉由從噴嘴249a、249b、249c全部對反應管203內供給第1反應氣體和第2反應氣體的混合氣體，可以更確實地實施反應管203內之氟除去處理。即是，在對任一個噴嘴供給之情況，有殘留氟或反應生成物侵入至其他噴嘴之可能性(朝噴嘴內逆流)，但是藉由從全部的噴嘴供給，可以抑制如此的朝噴嘴內逆流。

另外，在該工程(b)中，以含氫和氧的氣體在噴嘴249a、249b、249c內活化之方式，藉由加熱反應管203之加熱器207，加熱該些複數噴嘴249a、249b、249c為佳。如此一來，藉由加熱H ₂氣體和O ₂氣體並使反應，除了水(H ₂O)之外，可以產生如羥基活性種(･OH)、氧活性種(･O)、氫活性種(･O)般之複數種類的活性種。依此，即使殘留在反應管203內的氟在複數化學性狀態下存在，亦可以藉由複數活性種，使殘留在供給含氟氣體後的噴嘴249a、249b、249c內的氟去活化，而除去氟。

另外，如上述般，藉由加熱反應管203之加熱器207，加熱該些複數噴嘴249a、249b、249c之情況，被加熱成該些複數噴嘴249a、249b、249c之主區域實質上成為均勻的溫度。以在複數噴嘴249a、249b、249c之主區域，第1反應氣體和第2反應氣體如產生上述反應般，複數噴嘴249a、249b、249c被加熱。具體而言，複數噴嘴249a、249b、249c之主區域249d係以配置在加熱器207之端部更內側之方式，配置複數噴嘴249a、249b、249c和加熱器207之至少任一者。在此，噴嘴249a、249b、249c之主區域249d係指各種氣體被供給至基板(晶圓200)，較佳為製品基板的區域，換言之，基板(晶圓200)在反應管203內被施予各種處理的區域。另外，以該各種氣體被供給至基板(晶圓200)之區域，包含無設置在噴嘴249a、249b、294c中釋放氣體的氣體供給孔250a、250b、250c的部分為佳。而且，以設置該氣體供給孔250a、250b、250c之區域至少與加熱器207相向為佳。再者，實質上均勻的溫度係指例如在該區域內最高溫度之處和最低溫度之處的溫度差為3℃以內。如此一來，藉由將噴嘴249a、249b、249c之主區域加熱成實質上均勻的溫度，可以均勻地實施在噴嘴249a、249b、249c之主區域內的氟去活化處理。再者，能夠將在噴嘴249a、249b、249c之主區域249d內生成的複數種類之活性種，供給至反應管203之至少載置晶圓200的處理區域。依此，可以均勻地實施反應管203之處理區域的洗淨。

在此，上述加熱器207係構成沿著上述複數噴嘴249a、249b、249c內之上述氣體的流動方向而分割成複數區域，在上述工程(a)和上述工程(b)中，以使上述複數區域之溫度控制不同之方式，變更溫度為佳。例如，在圖1所示的反應管203中，在垂直方向分割成複數區域，控制部(控制器121)係以能對其複數區域的每個控制加熱器207之溫度為佳。

例如，在上述工程(a)之洗淨處理中，以進行設置溫度傾斜的溫度控制，以使位於上方側之區域的溫度高於位於下方側之區域的溫度為佳。藉由設置如此的溫度傾斜，即使噴嘴之上方側，或到達至反應管之上方側的洗淨氣體的量變少，藉由提高上方側的溫度，可以提升洗淨氣體的反應性，能夠從噴嘴或反應管之上方側至下方側，進行均勻的洗淨處理。另外，在上述工程(a)之後，設置供給添加氣體之工程之情況，以設置同樣的溫度傾斜的溫度控制為佳。

再者，在上述工程(b)之氟去活化處理中，能夠以使全部的區域成為實質上相同的溫度之方式進行控制。如此一來，成為能夠進行對應於全部的區域之噴嘴249a、249b、249c內之氟去活化處理。另外，在此所指的實質上均勻的溫度係指例如最高溫度之區域和最低溫度之區域的溫度差為3℃以內。

另一方面，如圖1所示般，在噴嘴249a、249b、249c內之氣體的流動方向從下朝上之情況，在上述工程(b)之氟去活化處理中，以將下端側之區域的溫度控制成較其他區域之溫度高的溫度為佳。依此，成為將含氫氧氣體在下端側之區域，換言之，在上游側之區域進行預備加熱，可以縮短直至在反應管203內之較佳反應溫度為止的加熱時間。

另外，藉由被設置在供給第1反應氣體的氣體供給管232d之閥體243d及供給第2反應氣體之氣體供給管232e之閥體243e之下游的第2加熱器207a，分別對第1反應氣體及第2反應氣體進行預備加熱，可以進行直至噴嘴249a為止之氣體供給管232a內之殘留氟的除去。同樣，藉由被設置在供給第1反應氣體的氣體供給管232b之閥體243b及供給第2反應氣體之氣體供給管232h之閥體243h之下游的第2加熱器207b，分別對第1反應氣體及第2反應氣體進行預備加熱，可以進行直至噴嘴249b為止之氣體供給管232b內之殘留氟的除去。並且，藉由被設置在供給第1反應氣體的氣體供給管232k之閥體243k及供給第2反應氣體之氣體供給管232c之閥體243c之下游的第2加熱器207c，分別對第1反應氣體及第2反應氣體進行預備加熱，可以進行直至噴嘴249c為止之氣體供給管232c內之殘留氟的除去。另外，在此，雖然表示在不同的氣體供給管內加熱第1反應氣體和第2反應氣體的例，但是即使於混合第1反應氣體和第2反應氣體後進行加熱亦可。

以上述工程(a)及工程(b)所致的半導體裝置之洗淨方法，能夠藉由洗淨氣體進行反應管203內及噴嘴249a、249b、249c內之洗淨處理及氟去活化處理。

(2-4)再次的基板(晶圓200)之處理當藉由上述工程(a)及(b)完成反應管203內及噴嘴249a、249b、249c內的洗淨處理及氟去活化處理時，作為上述工程(c)，下一個基板(晶圓20)被搬入至上述反應管203內。針對被搬入的下一個基板(晶圓200)進行在上述(2-1)敘述的基板(晶圓200)之處理。 [實施例]

以下，說明本案之半導體裝置之製造方法的實施例。

另外，在以下的記載中之「75~200℃」般之數值範圍的記載係指在其範圍包含下限值及上限值之意。依此，例如，「75~200℃」係指「75℃以上200℃以下」之意。即使針對其他數值範圍也相同。

＜實驗概要＞在實施例及比較例中，首先，於對在晶圓上形成膜之成膜處理實施數次之後，交替重複供給上述工程(a)之洗淨處理和添加氣體的處理複數次。而且，進行上述工程(b)之氟去活化處理後，再次重複實施成膜處理。針對在各成膜處理所獲得的晶圓，測量膜厚。

＜成膜處理＞實施在上述(2-1)提及到的下述成膜處理。另外，省略成膜處理之前的設置或初期洗淨等的處置。

(原料氣體→P/V→第1反應氣體+第2反應氣體→P/V)×n

首先，將晶圓200搬入至反應管203內後，作為步驟1，從氣體供給管232a(第1配管)及噴嘴249a(第1噴嘴)對反應管203內供給作為原料氣體的HCDS氣體。

接著，作為步驟2，邊從氣體供給管232n經第1配管及第1噴嘴，供給作為淨化氣體的N ₂氣體(或不供給)，邊對反應管203內進行真空排氣而排除殘留在處理室內的原料氣體。

而且，作為步驟3，邊對反應管203內之晶圓200，經由氣體供給管232b(第2配管)及噴嘴249b(第2噴嘴)而供給作為第1反應氣體的H ₂氣體，邊經由氣體供給管232c(第3配管)及噴嘴249c(第3噴嘴)而供給作為第2反應氣體的O ₂氣體。

最後，作為步驟4，邊從氣體供給管232o經由第2配管及第2噴嘴而供給淨化氣體，同時從氣體供給管232p經由第3配管及第3噴嘴而供給淨化氣體，邊對反應管203內進行真空排氣而排除殘留在處理室內的第1反應氣體及第2反應氣體。

重複上述步驟1~步驟4特定次數。再者，在各步驟中之處理條件如同下述般。原料氣體供給流量：0.01~2slm，以0.1~1slm為佳淨化氣體供給流量：0~10slm 第1反應氣體供給流量：0.1~10slm 第2反應氣體供給流量：0.1~10slm 各氣體供給時間：1~120秒，以1~60秒為佳處理溫度：250~800℃，以400~700℃為佳處理壓力：1~2666Pa，以67~1333Pa為佳

＜洗淨處理＞搬出完成成膜處理後的晶圓之後，使用第1噴嘴、第2噴嘴及第3噴嘴全部實施在上述(2-2)中提及到的洗淨處理。在此，對各者的噴嘴，進行以下的處理。各者處理並行進行。第1噴嘴(噴嘴249a)：處理C 第2噴嘴(噴嘴249b)：處理A 第3噴嘴(噴嘴249c)：處理B

即是，在洗淨處理中，持續從氣體供給管232n經由第1配管及第1噴嘴供給作為惰性氣體的N ₂氣體。再者，以從氣體供給管232i、氣體供給管232j經由第2配管及第2噴嘴而對應於處理A之順序之方式，依序供給作為洗淨氣體的F ₂氣體，和作為添加氣體的NO氣體。再者，以經由氣體供給管2321、氣體供給管232m經由第3配管及第3噴嘴而對應於處理B之順序之方式，依序供給洗淨氣體和添加氣體。在此，處理A和處理B係以各者的噴嘴同時實行。

重複上述洗淨氣體供給及添加氣體供給特定次數。再者，處理條件如同下述般。洗淨氣體供給流量：1~20slm，以5~15slm為佳。添加氣體供給流量：0.1~2slm，以0.5~1.5slm為佳各氣體供給時間：10~120秒，以20~40秒為佳處理溫度：250~400℃，以250~350℃為佳處理壓力：1~1000Torr，以10~500Torr為佳

＜氟去活化處理＞於上述洗淨處理之後，使用第1噴嘴、第2噴嘴及第3噴嘴全部實施在上述(2-3)中提及到的氟去活化處理。

首先，從氣體供給管232d將作為第1反應氣體的H ₂氣體，及從氣體供給管232e將作為第2反應氣體的O ₂氣體，皆經由第1配管及第1噴嘴，朝反應管203內供給。同時，從氣體供給管232b將第1反應氣體，及從氣體供給管232h將第2反應氣體，皆經由第2配管及第2噴嘴，朝反應管203內供給。並且，同時從氣體供給管232k將第1反應氣體，及從氣體供給管232c將第2反應氣體，皆經由第1配管及第1噴嘴，朝反應管203內供給。第1反應氣體和第2反應氣體之供給流量之比率設為略1:1。其他的處理條件如同下述般。第1反應氣體供給流量：1~10slm 第2反應氣體供給流量：1~10slm 各氣體供給時間：30~300分鐘，以100~150分鐘為佳處理溫度：600~800℃，處理壓力：5~133Pa，以5~30Pa為佳

另外，在比較例中，也不從第1配管及第1噴嘴供給第1反應氣體及第2反應氣體，僅從第2配管及第2噴嘴供給來自氣體供給管232b之第1反應氣體，僅從第3配管及第3噴嘴供給來自氣體供給管232c之第2反應氣體。

＜結果＞在圖4及圖5分別表示在比較例及實施例中之成膜穩定性的結果。另外，在圖4及圖5中，曲線圖之縱軸係表示晶圓200之膜厚(以單位埃表示相對於基準膜之增減)，橫軸係表示成膜處理之次數。再者，兩圖的虛線表示基準膜厚。並且，在兩圖中，以箭號表示進行洗淨處理及氟去活化處理的時點。

在比較例中，在第3次之成膜處理之後，進行洗淨處理及氟去活化處理之結果，緊接著膜厚立即比基準膜厚減少0.5程度。尤其，在處理次數第41次之後，膜厚之減少更為顯著。

另一方面，在實施例中，在第6次的成膜處理之後，進行洗淨處理及氟去活化處理之結果，雖然緊接著膜厚立即減少，但是減少量未達0.1。而且，處理次數到達14次之後，膜厚穩定。

在比較例中，如圖6之示意圖所示般，僅從噴嘴249b(第2噴嘴)供給第1反應氣體，再者僅從噴嘴249c(第3噴嘴)供給第2反應氣體，不從噴嘴249a(第1噴嘴)供給第1反應氣體及第2反應氣體。其結果，在包含反應管203內之處理室201及排氣管231的圖中以B表示的區域中，因第1反應氣體和第2反應氣體無法充分地混合，故充分地進行氟去活化處理。但是，推測在圖中以A表示的噴嘴249a、249b、249c之附近區域，因第1反應氣體和第2反應氣體之混合不充分，故無法充分地進行氟去活化處理，而對之後的成膜處理造成壞影響。

另一方面，在實施例中，如圖7之示意圖所示般，從噴嘴249a(第1噴嘴)、噴嘴249b(第2噴嘴)及噴嘴249c(第3噴嘴)之全部供給第1反應氣體和第2反應氣體之雙方。其結果，推測為因第1反應氣體和第2反應氣體不僅在圖中之B區域，連在A區域，也可以充分地混合，故充分地進行氟去活化處理，良好地進行之後的成膜處理。

＜本揭示之其他態樣＞以上，具體性說明本揭示之態樣。但是，本揭示之態樣並非限定於上述態樣者，只要在不脫離其主旨之範圍可做各種變更。

在成膜處理中，即使藉由以下所示的氣體供給序列在晶圓200上形成膜亦可。即使對形成有以下所示的材料之噴嘴或反應管，亦可以適當地運用上述洗淨處理。

(含Si原料氣體→含碳氣體→氮化氣體→氧化氣體（第2反應氣體))×n⇒SiOCN (含Si原料氣體→氧化氣體(第2反應氣體)→氮化氣體)×n⇒SiON (含Si原料氣體→氮化氣體→氧化氣體(第2反應氣體))×n⇒SiON (含Si原料氣體→氮化氣體)×n⇒SiN 在此，含碳氣體係例如丙烯氣體(C ₃H ₆氣體)，氮化氣體系例如氨氣(NH ₃氣體)。

各處理所使用的配方係因應處理內容而個別準備，以經由電訊線路或外部記憶裝置123而儲存於記憶裝置121c內為佳。而且，以開始各處理之時，CPU121a從被儲存於記憶裝置121c之複數配方之中，因應處理內容而適當選擇恰當的配方為佳。依此，可以以1台基板處理裝置重現性佳地形成各種膜種、組成比、膜質、膜厚的膜。再者，可以減少操作者之負擔，一面回避操作錯誤，一面可以迅速地開始各種處理。

上述配方不限定於新作成之情況，即使例如藉由變更已經安裝於基板處理裝置之現有配方來準備亦可。在變更配方之情況，即使經由電訊線路或記錄該配方之記錄媒體，而將變更後的配方安裝於基板處理裝置亦可。再者，即使操作現存的基板處理裝置具備的輸入輸出裝置122，直接變更已經安裝於基板處理裝置之現存的配方亦可。

在上述態樣中，作為洗淨氣體，以F ₂氣體或NF ₃氣體作為含氟氣體的例予以說明。本揭示不限定於上述態樣，例如可舉出氟化氫(HF)氣體、四氟化碳(CF ₄)、三氟化氯(ClF ₃)等氣體。另外，以洗淨氣體包含F ₂、NF ₃、HF、CF ₄、ClF ₃之至少一個以上為佳。

在上述態樣中，作為洗淨氣體，針對使用含氟氣體進行洗淨的例予以說明。本揭示不限定於上述態樣，例如即使在使用含鹵素元素之洗淨氣體之情況也能適用。在此，鹵素元素為氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。

在上述態樣中，針對使用一次處理複數片基板的批量式的基板處理裝置而形成膜之例予以說明。本揭示不限定於上述態樣，例如即使在一次處理1片或數片之基板的逐片式之基板處理裝置而形成膜之情況，也可以適合運用。再者，上述態樣中，針對使用熱壁型之處理爐的基板處理裝置而形成膜的例予以說明。本揭示不限定於上述態樣，即使在使用具有冷壁型之處理爐的基板處理裝置而形成膜之情況，亦可以適當地運用。

即使在使用該些基板處理裝置之情況，亦可以以與上述態樣相同的處理程序、處理條件進行各處理，能獲得與上述態樣相同的效果。

再者，上述態樣可以適當組合使用。此時的處理程序、處理條件可以設為例如與上述態樣之處理程序、處理條件相同。

121:控制部 200:晶圓(基板) 201:處理室 203:反應管 232a:氣體供給管(第1配管) 232b:氣體供給管(第2配管) 232c:氣體供給管(第3配管) 249a:噴嘴(第1噴嘴) 249b:噴嘴(第2噴嘴) 249c:噴嘴(第3噴嘴)

[圖1]係在本揭示之一態樣中適合被使用的基板處理裝置之縱型處理爐之概略構成圖，以縱剖面圖表示處理爐部分的圖。 [圖2]係在本揭示之一態樣中適合被使用的基板處理裝置之縱型處理爐之概略構成圖，以圖1之A-A線剖面圖表示處理爐部分的圖。 [圖3]係以在本揭示之一態樣中適合被使用的基板處理裝置之控制器之概略構成圖，以區塊圖表示控制器之控制系統的圖。 [圖4]為表示比較例中之成膜穩定性之結果的曲線圖。 [圖5]為表示實施例中之成膜穩定性之結果的曲線圖。 [圖6]為表示比較例中之殘留氟去活化的示意圖。 [圖7]為表示實施例中之殘留氟去活化的示意圖。

115:晶舟升降器

115s:擋板開關機構

121:控制部

200:晶圓(基板)

201:處理室

202:處理爐

203:反應管

207:加熱器

207a:第2加熱器

207b:第2加熱器

207c:第2加熱器

209:分歧管

217:晶舟

218:隔熱板

219:密封蓋

219s:擋板

220a:O型環

220b:O型環

220c:O型環

231:排氣管

231a:排氣口

232a~232p:氣體供給管

241a~241p:MFC

243a~243p:閥體

244:APC閥

245:壓力感測器

246:真空閥

248:積體型供給系統

255:旋轉軸

263:溫度感測器

267:旋轉機構

249a:噴嘴(第1噴嘴)

249b:噴嘴(第2噴嘴)

249c:噴嘴(第3噴嘴)

249d:主區域

250a:氣體供給孔

250b:氣體供給孔

250c:氣體供給孔

Claims

一種處理方法，具有： (a)從第1供給部對基板供給含矽元素的氣體，而在上述基板形成膜的工程； (b)於(a)之後，對上述第1供給部供給含氟的氣體的工程；及 (c)於(b)之後，對上述第1供給部供給含氫和氧的氣體的工程。
如請求項1記載之處理方法，其中在(a)中，從第2供給部對上述基板供給反應氣體，在(b)中，對上述第2供給部供給含氟的氣體，在(c)中，對上述第2供給部供給含氫和氧的氣體。
如請求項1記載之處理方法，其中具有 (d)於(b)之後，對上述第1供給部供給含氮和氧的氣體的工程。
如請求項1記載之處理方法，其中在(a)中，從上述第1供給部之其他供給部對上述基板供給氣體，在(b)中，對上述第1供給部和上述其他供給部供給上述含氟的氣體。
如請求項4記載之處理方法，其中在(c)中，對上述第1供給部和上述其他供給部供給上述含氫和氧的氣體。
如請求項4記載之處理方法，其中在(b)中，對上述第1供給部和上述其他供給部同時期供給上述含氟的氣體。
如請求項1記載之處理方法，其中上述含氟的氣體係包含F ₂氣體及NF ₃氣體中之至少任一者的氣體。
如請求項3記載之處理方法，其中進一步具有(e)交替地進行(b)和(d)的工程。
如請求項1記載之處理方法，其中在(c)中，以上述含氫和氧的氣體在上述第1供給部內活化之方式，藉由加熱器加熱上述第1供給部。
如請求項9記載之處理方法，其中在(c)中，以上述第1供給部之主區域成為實質上均勻的溫度之方式被加熱。
如請求項9記載之處理方法，其中上述加熱器係被構成為沿著收容上述基板的處理室之上述氣體的流動方向而分割成複數區域，在(c)中，將上述複數區域之中，至少與基板之處理區域對應的區域之溫度控制成實質上相同的溫度。
如請求項9記載之處理方法，其中上述加熱器係被構成為沿著收容上述基板的處理室之上述氣體的流動方向而分割成複數區域，在(c)中，將上述複數區域之中，下端側之區域的溫度控制成較其他區域之溫度高的溫度。
如請求項1記載之處理方法，其中在(c)中，以上述含氫和氧的氣體在上述第1供給部內活化之方式，藉由被設置在上述第1供給部的第2加熱器，加熱上述含氫和氧的氣體。
如請求項1之處理方法，其中在(c)中，在收容上述基板的反應管之外側，藉由第2加熱器，加熱以使上述含氫和氧的氣體活化。
一種半導體裝置之製造方法，具有： (a)從第1供給部對基板供給含矽元素的氣體，而在上述基板形成膜的工程； (b)於(a)之後，對上述第1供給部供給含氟的氣體的工程；及 (c)於(b)之後，對上述第1供給部供給含氫和氧的氣體的工程。
一種基板處理裝置，具有：第1供給部，其係被構成能夠對上述基板供給含矽元素的氣體和含氟氣體；含氫氧氣體供給系統，其係對上述第1供給部供給含氫和氧的氣體；和控制部，其係被構成為能控制上述第1供給部和上述含氫氧氣體供給系統，以使進行： (a)從第1供給部對基板供給含矽元素的氣體，而在上述基板形成膜的處理； (b)於(a)之後，對上述第1供給部供給含氟的氣體的處理；及 (c)於(b)之後，對上述第1供給部供給含氫和氧的氣體的處理。
一種程式，其係藉由藉由電腦使基板處理裝置實行： (a)從第1供給部對基板供給含矽元素的氣體，而在上述基板形成膜的步驟； (b)於(a)之後，對上述第1供給部供給含氟的氣體的步驟；及 (c)於(b)之後，對上述第1供給部供給含氫和氧的氣體的步驟。