TW202410243A - 用於最小化處理腔室泵的熱輻射的熱屏蔽組件 - Google Patents
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Abstract
本文提供用於處理腔室的熱屏蔽組件的實施例。在一些實施例中,用於一處理腔室的熱屏蔽組件包括:一第一屏蔽,該第一屏蔽包括一圓形板;一第二屏蔽,該第二屏蔽耦合至該第一屏蔽且與該第一屏蔽呈一平行配置,其中該第二屏蔽具有大於該第一屏蔽的一外直徑的一外直徑,且該第二屏蔽包括一中心開口,該中心開口具有小於該第一屏蔽的一外直徑的一直徑;及一第三屏蔽,該第三屏蔽耦合至該第二屏蔽且與該第二屏蔽呈一平行配置,其中該第三屏蔽的一外直徑大於該第二屏蔽的該中心開口的該直徑。
Description
本揭示案的實施例通常相關於基板處理腔室。
半導體基板處理系統可執行第一和第二階段抽空以產生足夠的真空以用於在處理腔室中處理半導體晶圓。通常,在第一階段,腔室被排氣並達到第一真空位凖。在大部分大氣從腔室移除並建立真空之後,開始第二階段。在第二階段期間,使用低溫泵(通常稱為低溫泵)在處理腔室內獲得高真空位凖。
通常,低溫泵藉由在第一階段抽空之後移除殘留在腔室大氣中的分子和其他氣體而在腔室內產生高真空。低溫泵在冷時吸收氣體,然後隨著低溫泵溫度增加逐漸失去吸收氣體的能力,直到達到低溫泵解吸氣體的溫度。因此,泵的溫度直接影響低溫泵達到和維持高真空的能力(亦即,低溫泵必須保持冷卻以有效達到高真空)。
通常,低溫泵經由彎頭導管連接到處理腔室中的泵端口。彎頭導管用於保護低溫泵免受腔室內由燈、基座加熱器、電漿、和其他熱源在腔室中產生的熱的影響。彎頭導管藉由將低溫泵放置在與腔室相距一距離處來熱「隔離」低溫泵,在該距離處來自腔室的加熱效應不太嚴重。泵端口可裝配有屏蔽以反射處理腔室內產生的輻射能。然而,單個屏蔽可能不足以保護低溫泵。
因此,發明人提供了改善的熱屏蔽組件以用於屏蔽低溫泵免受處理腔室內產生的熱能的影響。
本文提供用於處理腔室的熱屏蔽組件的實施例。在一些實施例中,用於一處理腔室的熱屏蔽組件包括:一第一屏蔽,該第一屏蔽包括一圓形板;一第二屏蔽,該第二屏蔽耦合至該第一屏蔽且與該第一屏蔽呈一平行配置,其中該第二屏蔽具有大於該第一屏蔽的一外直徑的一外直徑,且該第二屏蔽包括一中心開口,該中心開口具有小於該第一屏蔽的一外直徑的一直徑;及一第三屏蔽,該第三屏蔽耦合至該第二屏蔽且與該第二屏蔽呈一平行配置,其中該第三屏蔽的一外直徑大於該第二屏蔽的該中心開口的該直徑。
在一些實施例中,用於一處理腔室的熱屏蔽組件包括:複數個屏蔽,該複數個屏蔽排列成一平行配置,其中該複數個屏蔽的一第一屏蔽包括一圓形板,其中該複數個屏蔽的一第二屏蔽具有大於該第一屏蔽的一外直徑的一外直徑,且該第二屏蔽包括一中心開口,該中心開口具有小於該第一屏蔽的一外直徑的一直徑。
在一些實施例中,處理腔室包括:一腔室主體,該腔室主體界定該腔室主體中的一內部容積,其中該腔室主體包括一泵端口,該泵端口經配置以用於耦合該腔室主體至一低溫泵;一基板支撐件,該基板支撐件設置於該內部容積中且經配置以支撐一基板;及一熱屏蔽組件,該熱屏蔽組件設置於該內部容積中接近該泵端口且實質覆蓋該泵端口,該熱屏蔽組件包括:複數個屏蔽,該複數個屏蔽排列成一平行配置,其中該複數個屏蔽的一第一屏蔽包括一圓形板,其中該複數個屏蔽的一第二屏蔽具有大於該第一屏蔽的一外直徑的一外直徑,且該第二屏蔽包括一中心開口,該中心開口具有小於該第一屏蔽的一外直徑的一直徑。
下方描述本揭示案的其他及進一步的實施例。
本文提供了與處理腔室一起使用的熱屏蔽組件的實施例。本文提供的熱屏蔽組件的實施例有利地保護處理腔室的泵(例如低溫泵)免受處理腔室內產生的熱的影響,同時允許足夠的流導通過處理腔室的泵端口。單個熱屏蔽在加熱時可將熱從背側(亦即,面向低溫泵的一側)輻射到低溫泵。因此,本文提供的熱屏蔽組件通常包括以平行配置排列的複數個屏蔽。一個或更多個屏蔽可為阻擋熱輻射的固體屏蔽,而一個或更多個屏蔽可具有開口以提供流導。
圖1描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的具有熱屏蔽組件118的處理腔室100。熱屏蔽組件118有效地屏蔽了裝置免受處理腔室100的腔室主體116內產生的熱能的影響。熱屏蔽組件119通常適用於半導體晶圓處理系統的真空腔室,包括例如物理氣相沉積(PVD)或濺射腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室、高溫腔室(HTC)、或任何其他其中需要對裝置進行熱屏蔽的腔室。
圖1示意性地圖示了作為PVD腔室的處理腔室100。處理腔室100包括泵190,例如低溫泵,及耦合到腔室主體116的粗抽泵組件140。腔室主體116包括泵端口108,泵端口108經配置以將泵190流體耦合到腔室主體116。腔室主體116在腔室主體116中界定了內部容積117。熱屏蔽組件118設置在內部容積117中接近泵端口108。流體源176可耦合到熱屏蔽組件118以在使用期間冷卻熱屏蔽組件118。在一些實施例中,熱屏蔽組件118實質覆蓋泵端口108。
腔室主體116通常包括腔室壁114和靶板106。靶板106設置在腔室壁114的頂部並封閉內部容積117。靶板106可藉由環形絕緣體(未展示)與腔室壁114電絕緣。通常,為了確保腔室主體116中真空的完整性,在環形絕緣體上方和下方使用O形環(未展示)以提供真空密封。靶板106可由將成為沉積材料的材料製成或可包含沉積材料的塗層。為了促進濺射處理,高電壓DC電源102連接在靶板106和腔室壁114之間。
腔室壁114和靶板106界定了內部容積117。在一些實施例中,腔室壁114界定了流體耦合到粗抽泵組件140的第二泵端口111。粗抽泵組件140通常包括關閉閥144和粗抽泵142。關閉閥144在粗抽泵142和第二泵端口111之間耦合。關閉閥144被致動以將粗抽泵142與內部容積117隔離,例如,當在處理腔室100內達到第一真空位凖時。
泵端口108使內部容積117與泵190流體連通。關閉閥185在泵端口108和泵190之間耦合。關閉閥185在未使用泵時隔離泵190。基板支撐件135設置在內部容積117中且經配置以支撐和保持基板120。可被加熱的基板支撐件135藉由升降系統(未展示)升高和降低以相對於靶板106放置基板120。
熱屏蔽組件118包括以平行配置排列的複數個屏蔽148。複數個屏蔽148以任何合適的方式耦合到腔室壁114接近泵端口108。在一些實施例中,熱屏蔽組件118進一步包括耦合到腔室壁114的環形裝設凸緣136。環形裝設凸緣136通常可由導熱材料製成,例如銅或不銹鋼。環形裝設凸緣136通常包括環形環,經配置以具有環形裝設凸緣136裝設到的與腔室開口或泵端口108相同或相似的周向剖面。在一些實施例中,環形裝設凸緣136可與複數個屏蔽148設置為平行配置。
在一些實施例中,複數個屏蔽148經由從環形裝設凸緣136的中心軸126延伸的支撐構件122耦合到環形裝設凸緣136。複數個屏蔽148包括第一屏蔽132和第二屏蔽134。在一些實施例中,支撐構件122耦合到第一屏蔽132且第一屏蔽132沿著第一屏蔽132的外周邊區域152經由複數個緊固器150直接耦合到第二屏蔽134。在一些實施例中,複數個屏蔽148在沒有環形裝設凸緣136的情況下耦合到腔室壁114,例如,使用安裝支架,如下面相關於圖5和圖6所展示和討論的。
圖2描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件118的等距視圖。圖3描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件118的分解視圖。如圖2和圖3中所描繪,熱屏蔽組件118包括第一屏蔽132、第二屏蔽134、和與環形裝設凸緣136呈平行配置的第三屏蔽206。在一些實施例中,第一屏蔽132包括與第二屏蔽134中的複數個緊固器開口218對齊的複數個緊固器開口204,以容納複數個緊固器150,複數個緊固器150經配置以將第一屏蔽132耦合到第二屏蔽134。
在一些實施例中,複數個屏蔽148由具有約0.2或更低的發射率的材料製成。在一些實施例中,複數個屏蔽148由不銹鋼或銅製成。在一些實施例中,複數個屏蔽148之其中一者或更多者具有熱反射飾面。在一些實施例中,複數個屏蔽148以金屬鍍層完成,例如,使用包括以下的塗層:鎳、金、銀、鉬、或其他熱反射材料。
第一屏蔽132通常包括圓形板,然而,可使用其他合適的形狀。在一些實施例中,第一屏蔽132具有彎曲形式,例如凹形,以將熱輻射反射遠離泵190。在一些實施例中,第一屏蔽132具有凹形,其中第一屏蔽132的外邊緣268延伸遠離第二屏蔽134。在一些實施例中,第一屏蔽132的外直徑小於泵端口108的前開口的直徑,前開口是最靠近基板支撐件135的開口。在一些實施例中,第一屏蔽132包括在中心區域258中的一個或更多個開口256以促進將第一屏蔽132耦合到熱屏蔽組件118的其他部件。
第二屏蔽134通常包括環形或環狀板,具有中心開口202。中心開口202提供穿過其中的氣體流動路徑以促進流導,而環形板為泵190提供額外的熱保護。第二屏蔽134具有大於第一屏蔽132的外直徑的外直徑。在一些實施例中,中心開口202具有小於第一屏蔽132的外直徑的直徑。在一些實施例中,複數個屏蔽148的尺寸被設計成使得從基板支撐件135到泵端口108沒有開放的視線。在一些實施例中,第二屏蔽134具有大於泵端口108的前開口的外直徑。在一些實施例中,第二屏蔽134由與第一屏蔽132相同的材料製成。
在一些實施例中,第三屏蔽206耦合到第二屏蔽134並與第二屏蔽134呈平行配置。在一些實施例中,第三屏蔽206的外直徑大於第二屏蔽134的中心開口202的直徑。在一些實施例中,第三屏蔽206由與第一屏蔽132相同的材料製成。在一些實施例中,第三屏蔽206由兩個零件製成,當該兩個零件耦合在一起時形成第三屏蔽206的中心開口(例如,中心開口450)。中心開口450的尺寸被設計成容納通過中心開口450的支撐構件122。例如,第三屏蔽206可包括第一零件320和第二零件322。在一些實施例中,第一零件320包括第一槽326且第二零件322包括第二槽328,使得當第一零件320和第二零件322重疊時,第一槽326和第二槽328形成中心開口(參見中心開口450)。在一些實施例中,第一零件320包括與第二零件322的一個或更多個開口330對齊的一個或更多個開口332,以促進將第一零件320連接到第二零件322。在一些實施例中,第一零件320和第二零件322之每一者界定第三屏蔽206的外邊緣的至少一部分。在一些實施例中,第三屏蔽206具有圓形形狀。在一些實施例中,第三屏蔽206具有平坦剖面。在一些實施例中,第三屏蔽206具有彎曲的剖面。
環形裝設凸緣136可包括沿著螺栓圓周等距的複數個裝設孔208。在一些實施例中,在環形裝設凸緣136中提供一個或更多個凹槽216。在一些實施例中,一個或更多個凹槽216設置在裝設孔208的徑向內側。一個或更多個凹槽216可經配置以用於接收相應的密封環(例如,密封環410)。支撐構件122通常由具有良好導熱性的材料製成,例如銅或不銹鋼。支撐構件122有利地支撐複數個屏蔽148,同時最小化阻礙通過泵端口108的氣體流動路徑的投影面積。
在一些實施例中,支撐構件122包括橫向構件232、支撐桿334、和裝設區塊336。橫向構件232在相對端部上耦合到環形裝設凸緣136,且可與通常是圓形的環形裝設凸緣136的直徑共線延伸。在一些實施例中,支撐桿334從橫向構件232垂直延伸,例如,在橫向構件232的端部之間的中間,且終止於裝設區塊336處。裝設區塊336通常為矩形形狀且包括位於裝設區塊336與支撐桿334的連接處的相對處的槽338。在一些實施例中,裝設區塊336額外地具有正交於槽338並繞著槽338間隔的複數個穿過裝設區塊336的孔。
在一些實施例中,支撐構件122包括第二裝設區塊342,第二裝設區塊342的尺寸被設計成適合並保持在裝設區塊336的槽338中。第二裝設區塊342可包括複數個孔348,孔348穿過第二裝設區塊342並與裝設區塊336的複數個孔對齊,使得銷或緊固器(例如,銷418)可延伸穿過裝設區塊336和第二裝設區塊342的複數個孔以耦合第二裝設區塊342到裝設區塊336。第二裝設區塊342可包括正交於複數個孔348且與第一屏蔽132的一個或更多個開口256對齊的一個或更多個開口344,以促進將第一屏蔽132耦合到第二裝設區塊342,從而耦合到裝設區塊336。
圖4描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件118的一部分的橫截面側視圖。如上所述,銷418可延伸穿過裝設區塊336的複數個孔之其中一者和第二裝設區塊342的複數個孔之其中一者,以將第二裝設區塊342耦合到裝設區塊336。而且,如上所簡述,一個或更多個凹槽216可經配置以用於接收相應的密封環410。例如,密封環410可設置在外表面212、內表面210、或外表面212和內表面210兩者中。密封環410具有暴露的密封表面且與內表面210和外表面212中的相應表面大致共平面。密封環410可由金屬材料製成,例如不銹鋼。墊圈416可設置在任何密封環410和相鄰部件之間以確保在從處理腔室100拆卸熱屏蔽組件118之後可靠的密封和再使用。在一些實施例中,墊圈416設置在密封環410中的環形凹槽中。通常,密封環410的材料被選擇為比墊圈416的材料更硬。在一些實施例中,密封環410藉由真空釬焊固定在凹槽216內,儘管可替代地使用其他氣密密封方法,例如黏合劑和過盈配合。
在一些實施例中,環形裝設凸緣136包括流體通路412。在一些實施例中,流體通路412設置在密封環410的徑向外側。在一些實施例中,流體通路412設置在裝設孔208的徑向外側。流體通路412實質環繞環形裝設凸緣136。流體通路412耦合到流體源176(圖1中所展示),從流體源176提供流體以流過流體通路412。
流體藉由將通過環形裝設凸緣136傳導的熱(或替代地,引入熱,取決於是否需要加熱或冷卻熱屏蔽組件118)引入流體來調節熱屏蔽組件118的溫度。當流體從流體源176循環通過環形裝設凸緣136時,藉由改變流體、流體流率、或流體溫度來控制從熱屏蔽組件118移除的熱量,從而允許熱屏蔽組件118保持在預定溫度。在一些實施例中,可為液態及/或氣態流體的流體是液體,例如去離子水及/或乙二醇。也可使用其他流體,例如液態或氣態氮或氟利昂。在一些實施例中,流體通路412被塞子428封閉。例如,如圖4中所描繪,塞子428與環形裝設凸緣136的外表面212齊平地裝配以形成流體通路412。
在一些實施例中,第三屏蔽206設置在泵端口108中,而第一屏蔽132設置在泵端口108外部。在一些實施例中,熱屏蔽組件118界定了繞著第一屏蔽的外邊緣268且穿過第二屏蔽的中心開口202且到泵端口的流動路徑。在一些實施例中,第二屏蔽134與第一屏蔽132之間的水平距離(或第一距離464)為約0.1至約0.4吋。在一些實施例中,第二屏蔽134和第三屏蔽206之間的水平距離(或第二距離466)為約0.3吋至約1吋。在一些實施例中,第三屏蔽206設置得離第二屏蔽134比離第一屏蔽132更遠,或換句話說,第一距離464小於第二距離466。在一些實施例中,第二距離466小於第三屏蔽206和環形裝設凸緣136之間的第三距離468。
在一些實施例中,複數個第一間隔器420設置在第一屏蔽132和第二屏蔽134之間。複數個第一間隔器420經配置以保持第一屏蔽132和第二屏蔽134之間的間隔。在一些實施例中,複數個第一間隔器420為管狀元件。在一些實施例中,複數個第一間隔器420包括繞著中心軸126在對角上相對的兩個間隔器。在一些實施例中,複數個第一間隔器420繞著緊固器150設置。在一些實施例中,複數個第二間隔器422設置在第二屏蔽134和第三屏蔽206之間以保持其間的間隔。在一些實施例中,複數個第二間隔器422包括繞著中心軸126在對角上相對的兩個間隔器。
圖5描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件118的橫截面等距視圖。圖5描繪了複數個屏蔽148如何耦合在一起的替代實施例。例如,在一些實施例中,第一屏蔽132、第二屏蔽134、和第三屏蔽206皆耦合到設置於第一屏蔽132和第三屏蔽206之間的裝設支架540。在一些實施例中,第一屏蔽132經由中心區域258中的一個或更多個開口256耦合到裝設支架540。在一些實施例中,裝設支架540包括一個或更多個彎部510。在一些實施例中,第三屏蔽206在一個或更多個開口256的徑向外側位置處經由緊固器520耦合到裝設支架540。在一些實施例中,第二屏蔽134在緊固器520的徑向外側位置處經由緊固器530耦合到裝設支架540。在一些實施例中,裝設支架540可耦合到支撐構件122。在一些實施例中,裝設支架540包括在緊固器530的徑向外側的一個或更多個緊固器560以用於將裝設支架540耦合到腔室部件。
圖6描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的泵端口108的橫截面等距視圖。在一些實施例中,泵端口108包括一個或更多個突片610。一個或更多個突片610通常從泵端口108的側壁606徑向向內突出。在一些實施例中,一個或更多個突片610包括用於容納緊固件的開口以將裝設支架540耦合到突片610。例如,裝設支架540的一個或更多個緊固器560可用於將裝設支架540耦合到一個或更多個突片610。在此類實施例中,熱屏蔽組件118可不包括環形裝設凸緣136和支撐構件122,而是經由裝設支架540和突片610耦合到泵端口108。在這樣的實施例中,第三屏蔽206可包括單件結構。
雖然前述是針對本揭示案的實施例,在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下,可設計本揭示案的其他和進一步的實施例。
100:處理腔室
102:電源
106:靶板
108:泵端口
111:第二泵端口
114:腔室壁
116:腔室主體
117:內部容積
118:熱屏蔽組件
120:基板
122:支撐構件
126:中心軸
132:第一屏蔽
134:第二屏蔽
135:基板支撐件
136:環形裝設凸緣
140:粗抽泵組件
142:粗抽泵
148:屏蔽
150:緊固器
152:外周邊區域
176:流體源
185:關閉閥
190:泵
204:緊固器
206:第三屏蔽
208:裝設孔
210:內表面
212:外表面
216:凹槽
218:開口
232:橫向構件
256:開口
258:中心區域
268:外邊緣
320:第一零件
322:第二零件
328:第二槽
330:開口
332:開口
334:支撐桿
336:裝設區塊
342:第二裝設區塊
344:開口
348:孔
410:密封環
412:流體通路
416:墊圈
418:銷
420:第一間隔器
422:第二間隔器
428:塞子
450:中心開口
464:第一距離
466:第二距離
468:第三距離
510:彎部
520:緊固器
530:緊固器
540:裝設支架
560:緊固器
606:側壁
610:突片
可藉由參考附圖中描繪的本揭示案的說明性實施例來理解上文簡要總結和下文更詳細討論的本揭示案的實施例。然而,附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例且因此不應被視為限制範圍,因為本揭示案可承認其他等效的實施例。
圖1描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的具有熱屏蔽組件的處理腔室的示意性側視圖。
圖2描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件的等距視圖。
圖3描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件的分解視圖。
圖4描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件的一部分的橫截面側視圖。
圖5描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的熱屏蔽組件的橫截面等距視圖。
圖6描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的泵端口的橫截面等距視圖。
為了便於理解,儘可能地使用相同的參考數字來指示圖式共有的相同元件。圖式不是按比例繪製的且可能為了清楚起見被簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:處理腔室
102:電源
106:靶板
108:泵端口
111:第二泵端口
114:腔室壁
116:腔室主體
117:內部容積
118:熱屏蔽組件
120:基板
122:支撐構件
126:中心軸
132:第一屏蔽
134:第二屏蔽
135:基板支撐件
136:環形裝設凸緣
140:粗抽泵組件
142:粗抽泵
148:屏蔽
150:緊固器
152:外周邊區域
176:流體源
185:關閉閥
190:泵
Claims (20)
- 一種用於一處理腔室的熱屏蔽組件,包括: 一第一屏蔽,該第一屏蔽包括一圓形板; 一第二屏蔽,該第二屏蔽耦合至該第一屏蔽且與該第一屏蔽呈一平行配置,其中該第二屏蔽具有大於該第一屏蔽的一外直徑的一外直徑,且該第二屏蔽包括一中心開口,該中心開口具有小於該第一屏蔽的一外直徑的一直徑;及 一第三屏蔽,該第三屏蔽耦合至該第二屏蔽且與該第二屏蔽呈一平行配置,其中該第三屏蔽的一外直徑大於該第二屏蔽的該中心開口的該直徑。
- 如請求項1所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽具有一凹形。
- 如請求項1所述之熱屏蔽組件,進一步包括一環形裝設凸緣,該環形裝設凸緣設置以與該第一屏蔽呈一平行配置,且經由一支撐構件耦合至該第一屏蔽,該支撐構件從該環形裝設凸緣的一中心軸延伸。
- 如請求項3所述之熱屏蔽組件,其中該環形裝設凸緣包括一流體通路。
- 如請求項1所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽及該第二屏蔽之間的一第一距離小於該第二屏蔽及該第三屏蔽之間的一第二距離。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽的該外直徑、該第二屏蔽的該外直徑、及該第三屏蔽的該外直徑不同。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽、該第二屏蔽、及該第三屏蔽皆耦合至一裝設支架,該裝設支架設置於該第一屏蔽及該第三屏蔽之間。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,進一步包括: 一環形裝設凸緣,該環形裝設凸緣設置以與該第一屏蔽呈一平行配置,且經由一支撐構件耦合至該第一屏蔽,該支撐構件從該環形裝設凸緣的一中心軸延伸; 複數個第一間隔器,該複數個第一間隔器設置於該第一屏蔽及該第二屏蔽之間,其中該第一屏蔽經由緊固器耦合至該第二屏蔽,該等緊固器延伸穿過該複數個第一間隔器;及 複數個第二間隔器,該複數個第二間隔器設置於該第二屏蔽及該第三屏蔽之間。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽、該第二屏蔽、及該第三屏蔽由具有約0.2或更低的一發射率的一材料製成。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,進一步包括複數個第一間隔器,該複數個第一間隔器設置於該第一屏蔽及該第二屏蔽之間。
- 如請求項10所述之熱屏蔽組件,進一步包括複數個第二間隔器,該複數個第二間隔器設置於該第二屏蔽及該第三屏蔽之間。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第三屏蔽由兩個零件製成,在該兩個零件耦合在一起時形成該第三屏蔽的一中心開口。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽的一外邊緣延伸遠離該第二屏蔽。
- 如請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,其中該第一屏蔽沿著該第一屏蔽的一外周邊區域經由複數個緊固器直接耦合至該第二屏蔽。
- 一種處理腔室,包括: 一腔室主體,該腔室主體界定該腔室主體中的一內部容積,其中該腔室主體包括一泵端口,該泵端口經配置以用於耦合該腔室主體至一泵; 一基板支撐件,該基板支撐件設置於該內部容積中且經配置以支撐一基板;及 請求項1至5之任一項所述之熱屏蔽組件,該熱屏蔽組件設置於該內部容積中接近該泵端口且實質覆蓋該泵端口。
- 如請求項15所述之處理腔室,其中該熱屏蔽組件界定一流動路徑,該流動路徑繞著該第一屏蔽的一外邊緣且穿過該第二屏蔽的該中心開口且至該泵端口。
- 如請求項15所述之處理腔室,進一步包括一低溫泵,該低溫泵耦合至該泵端口。
- 如請求項15所述之處理腔室,其中該第一屏蔽設置於該泵端口外部。
- 如請求項15所述之處理腔室,其中該泵端口包括一突片,且其中該熱屏蔽組件經由該突片耦合至該泵端口。
- 如請求項15所述之處理腔室,進一步包括複數個第一間隔器及複數個第二間隔器,該複數個第一間隔器設置於該第一屏蔽及該第二屏蔽之間,該複數個第二間隔器設置於該第二屏蔽及該第三屏蔽之間。
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US17/690,644 US20230290614A1 (en) | 2022-03-09 | 2022-03-09 | Heat shield assemblies for minimizing heat radiation to pump of process chamber |
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Publication number | Publication date |
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WO2023172545A1 (en) | 2023-09-14 |
US20230290614A1 (en) | 2023-09-14 |
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