TW202410001A

TW202410001A - 顯示裝置

Info

Publication number: TW202410001A
Application number: TW112128705A
Authority: TW
Inventors: 權會容
Original assignee: 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Priority date: 2022-08-18
Filing date: 2023-07-31
Publication date: 2024-03-01

Abstract

本發明提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基板，包括包含複數個子像素的主動區以及與主動區相鄰的非主動區，並且該第一基板由透明導電氧化物和氧化物半導體中的一種形成；無機層，設置在第一基板上；平坦化層，設置在無機層上；堤部，設置在平坦化層上；黏著層，設置在無機層、平坦化層及堤部上；以及第二基板，設置在黏著層上，其中，堤部包含：第一堤部，設置在與第一基板重疊的區域中；以及第二堤部，設置以包圍第一堤部的側表面，以提高防濕氣滲透特性並減少在外圍區域產生的裂紋。

Description

顯示裝置

本發明涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種提高防濕氣滲透特性的顯示裝置。

作為用於電腦、電視或行動電話的螢幕的顯示裝置，存在作為自發光裝置的有機發光顯示（OLED）裝置和需要單獨的光源的液晶顯示（LCD）裝置。

顯示裝置的應用範圍多樣化，從個人數位助理到電腦和電視的顯示器，並且正在研究一種顯示面積大且體積和重量減少的顯示裝置。

此外，近來，藉由在諸如作為可撓性材料的塑膠等的可撓性基板上形成顯示元件和佈線來製造可撓性顯示裝置，從而使顯示裝置即使被折疊或捲起也能夠顯示影像而作為下一代顯示裝置受到關注。

本發明涉及一種不使用塑膠基板的顯示裝置，其提高了防濕氣滲透特性並減少了在外圍區域產生的裂紋。

本發明提供一種顯示裝置，其使用透明導電氧化物層和氧化物半導體層中的一種來代替塑膠基板作為基板。

本發明提供一種顯示裝置，其中，減少了在顯示裝置的外圍區域產生的基板和無機層的裂紋。

本發明提供一種顯示裝置，其中，密封構件被去除以減小邊框面積。

本發明的技術特徵和優點不限於上述所提到者，並且，上述沒有提到的其他技術特徵和優點可以透過以下描述由本發明所屬技術領域中具有通常知識者清楚地理解。

根據本發明的一態樣，提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基板，包括包含複數個子像素的主動區以及包圍主動區的非主動區，且第一基板由透明導電氧化物和氧化物半導體中的一種形成；無機層，設置在第一基板上；平坦化層，設置在無機層上；堤部，設置在平坦化層上；黏著層，設置在無機層、平坦化層以及堤部上；以及第二基板，設置在黏著層上，其中，堤部包含：第一堤部，設置在與第一基板重疊的區域中；以及第二堤部，設置以包圍第一堤部的側表面，以提高防濕氣滲透特性並減少在外圍區域產生的裂紋。

該些示例性實施例的其他詳細內容包括在詳細說明和圖式中。

根據本發明，使用透明導電氧化物層和氧化物半導體層作為顯示裝置的基板，其易於控制透濕性並提高可撓性。

根據本發明，堤部設置在第一基板的外側，該堤部易於分離臨時基板。

根據本發明，減少了從顯示裝置的外圍部分產生的無機層和第一基板的裂紋，其提高了顯示裝置的可靠性。

根據本發明，去除設置在顯示裝置的外圍部分上的密封構件，其減少了非主動區的面積。

根據本發明的技術效果不限於本文中具體提及的內容，並且更多種的效果包含在本說明書的範圍內。

本發明的優點和特徵以及實現該些優點和特徵的方法將透過參考以下詳細描述的該些示例性實施例及所附圖式變得更加清楚。然而，本發明不限於本文揭露的該些示例性實施例，而是可以以各種形式來實施。該些示例性實施例僅以示例的方式提供，以使本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解本發明的揭露內容和本發明的範圍。

用於描述本發明的該些示例性實施例的所附圖式中示出的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅是示例，本發明不限於此。在整個說明書中，相同的元件符號表示相同的元件。此外，在本發明的以下說明中，可以省略現有技術的詳細解釋以避免不必要地模糊本發明的主題。除非與術語「僅」一起使用，否則本文中所使用的術語「包括」、「具有」以及「由...組成」通常意旨允許添加其他構件。除非另有明確說明，否則對單數的任何引用可包括複數。

即使沒有明確的說明，這些構件被解釋為包括常規誤差範圍。

除非這些術語與「立即」或「直接」一起使用，否則當使用諸如「上」、「上方」、「下方」以及「旁邊」等用語來描述兩個部件之間的位置關係時，一個或多個部件可以位於該兩個部件之間。

當一個元件或層設置在另一元件或層「上」時，其他層或元件可以直接插入到該另一元件上或它們之間。

儘管用語「第一」、「第二」等用於描述各種構件，但是這些構件不被這些用語限制。這些用語僅用於區分一個構件與其他構件。因此，下方所提到的第一構件可以是本發明的技術概念中的第二構件。

在整個說明書中，相同的元件符號表示相同的元件。

為了便於描述而示出了圖式所示的每個構件的尺寸和厚度，並且本發明不限於所示出的構件的尺寸和厚度。

本發明的各個實施例的特徵可以部分或全部地彼此依附或組合，並且可以以技術上的各種方式聯動和操作，而且該些實施例可以彼此獨立或關聯地實施。

以下，將參照所附圖式詳細描述本發明該些示例性實施例的顯示裝置。

圖1是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的平面圖。圖2是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的示意性剖面圖。為了便於描述，在圖1中，在顯示裝置100的各個構件中，僅示出第一基板101、複數個可撓性膜160以及複數個印刷電路板170。

參照圖1和圖2，第一基板101是支撐顯示裝置100的其他構件的支撐構件。第一基板101可以由透明導電氧化物和氧化物半導體中的任一種形成。例如，第一基板101可以由諸如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）或氧化銦錫鋅（ITZO）的透明導電氧化物（TCO）形成。

此外，第一基板101可以由銦（In）和鎵（Ga）所形成的氧化物半導體材料形成，例如透明氧化物半導體，如氧化銦鎵鋅（IGZO）、氧化銦鎵（IGO）以及氧化銦錫鋅（ITZO）。然而，透明導電氧化物和氧化物半導體的材料類型是示例性的，因此第一基板101可以由說明書中未描述的另一個透明導電氧化物和氧化物半導體材料形成，但不限於此。

在一些實施方式中，第一基板101可以包含多於一種材料。例如，第一基板101可以包含兩種或更多種透明導電氧化物、兩種或更多種氧化物半導體材料、或者一種或更多種透明導電氧化物及一種或更多種氧化物半導體材料。

同時，可以藉由沉積薄厚度的透明導電氧化物或氧化物半導體來形成第一基板101。因此，當第一基板101形成為具有薄的厚度時，基板可以具有可撓性。包含具有可撓性的第一基板101的顯示裝置100可以實施為即使在折疊或捲起狀態下也可以顯示影像的可撓性顯示裝置100。例如，當顯示裝置100是可折疊顯示裝置時，第一基板101可以相對於折疊軸折疊或展開。作為另一示例，當顯示裝置100是可捲式顯示裝置時，可以藉由圍繞滾軸將顯示裝置捲起而將其收納。因此，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100使用具有可撓性的第一基板101來實施為可撓性顯示裝置100，如可折疊顯示裝置或可捲式顯示裝置。

此外，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100使用由透明導電氧化物或氧化物半導體形成的第一基板101，以執行雷射剝離（LLO）製程。LLO製程是指在顯示裝置100的製造過程期間使用雷射將第一基板101下方的臨時基板與第一基板101分離的製程。因此，第一基板101是為了更易於執行LLO製程的層，因此其可以稱為功能性薄膜、功能性薄膜層或功能性基板。以下將更詳細地描述LLO製程。

第一基板101包含：主動區AA；以及非主動區NA。

主動區AA是顯示影像的區域。在主動區AA中，可以設置由複數個子像素構成的像素單元120以顯示影像。例如，像素單元120包含複數個子像素，該複數個子像素包含發光二極體和驅動電路以顯示影像。

非主動區NA是不顯示影像的區域，並設置有用於驅動設置在主動區AA中的子像素的各種佈線和驅動IC。例如，在非主動區NA中，可以設置諸如閘極驅動器IC和資料驅動器IC的各種驅動IC。

複數個可撓性膜160設置在第一基板101的一端處。複數個可撓性膜160電性連接到第一基板101的一端。複數個可撓性膜160為其中各種構件設置在具有可撓性的基膜上的薄膜，以向主動區AA的複數個子像素供應信號。複數個可撓性膜160的一端設置在第一基板101的非主動區NA中，以向主動區AA的複數個子像素供應資料電壓。同時，儘管在圖1中示出了複數個可撓性膜160為四個，但是可撓性膜160的數量可以根據設計而變化，並不限於此。

同時，在複數個可撓性膜160上可以設置諸如閘極驅動器IC或資料驅動器IC的驅動IC。驅動IC是處理用於顯示影像的資料和用於處理資料的驅動信號的構件。根據安裝方法，可以透過玻璃覆晶（COG）、薄膜覆晶（COF）或捲帶式封裝（TCP）技術來設置驅動IC。在本說明書中，為了描述方便，描述了驅動IC透過薄膜覆晶封裝方式安裝在複數個可撓性膜160上，但不限於此。

印刷電路板170連接到複數個可撓性膜160。印刷電路板170是向驅動IC供應信號的構件。可以在印刷電路板170中設置各種構件，以將諸如驅動信號或資料電壓的各種驅動信號供應給驅動IC。同時，儘管在圖1中示出了兩個印刷電路板170，但是印刷電路170的數量可以根據設計而變化，並不限於此。

參照圖2，無機層110設置在第一基板101上。無機層110可以是包含將在下文描述的下緩衝層116、上緩衝層111、閘極絕緣層112以及鈍化層113的複數個無機層。以下將參照圖4至圖6B更詳細地描述無機層110。

堤部115設置在無機層110上。堤部115可以設置在非主動區NA中以包圍第一基板101。以下將參照圖4至圖6B更詳細地描述堤部115。

像素單元120設置在無機層110上。可以設置像素單元120以便與主動區AA相對應。像素單元120是包含複數個子像素以顯示影像的構件。像素單元120的複數個子像素是構成主動區AA的最小單元，並可以在複數個子像素的每一個中設置發光二極體和驅動電路。例如，複數個子像素中的每一個的發光二極體可以包含：含有陽極、有機發光層以及陰極的有機發光二極體；或者包含N型和P型半導體層以及發光層的LED，但不限於此。用於驅動複數個子像素的驅動電路可以包含諸如薄膜電晶體或儲存電容器的驅動元件，但不限於此。在下文中，為了便於描述，假設複數個子像素中的每一個的發光二極體是有機發光二極體，但不限於此。

同時，顯示裝置100根據從發光二極體發出的光的發射方向可以配置為頂部發光型或底部發光型。

根據頂部發光型，從發光二極體發出的光發射到其上設置有發光二極體的第一基板101的上部。在頂部發光型的情況下，可以在陽極下方形成反射層，以使從有機發光二極體發出的光行進到第一基板101的上部，即，朝向陰極行進。

根據底部發光型，從發光二極體發出的光發射到其上設置有發光二極體的第一基板101的下部。在底部發光型的情況下，陽極可以僅由透明導電材料形成，而陰極可以由具有高反射率的金屬材料形成，以使從發光二極體發出的光行進到第一基板101的下部。

在下文中，為了便於描述，將假設根據本發明示例性實施例的顯示裝置100是底部發光型顯示裝置來進行描述，但不限於此。

設置黏著層130以覆蓋像素單元120。黏著層130用於黏合第一基板101和第二基板140並包圍像素單元120，以保護像素單元120的發光二極體免受外部濕氣、氧氣和衝擊。黏著層130可以透過面密封方式配置。例如，可以藉由在像素單元120的整個表面上形成紫外線密封劑或熱固性密封劑來形成黏著層130。然而，黏著層130的結構可以由各種方法和材料形成，但不限於此。

同時，將具有高模數且由具有強耐腐蝕性的金屬材料形成的第二基板140設置在黏著層130上。例如，第二基板140可以由具有大約200至900 MPa的高模數的材料形成。該第二基板可以由具有高耐腐蝕性且易於加工成箔或薄膜形式的金屬材料形成，例如鋁（Al）、鎳（Ni）、鉻（Cr）、鐵（Fe）以及鎳的合金材料。因此，當第二基板140由金屬材料形成時，第二基板140可以實施為超薄膜並提供對外部衝擊和刮痕的強大抵抗力。

偏光板150設置在第一基板101下方。偏光板150選擇性地透射光以減少入射到第一基板101上的外部光的反射。具體地，在顯示裝置100中，應用於半導體裝置、佈線以及發光二極體的各種金屬材料形成在第一基板101上。因此，入射到第一基板101上的外部光可能被金屬材料反射，使得顯示裝置100的能見度可能由於外部光的反射而降低。此時，抑制外部光反射的偏光板150設置在第一基板101下方，以增加顯示裝置100的戶外能見度。然而，根據顯示裝置100的實施例，可以省略偏光板150。

儘管在圖式中未示出，但是障壁膜可以與偏光板150一起設置在第一基板101下方。障壁膜使第一基板101外部的濕氣和氧氣滲透到第一基板101中的情形最小化，以保護包含發光二極體的像素單元120。然而，根據顯示裝置100的實施例，可以省略障壁膜，但不限於此。

在下文中，將參照圖3至圖6B更詳細地描述像素單元120的複數個子像素。

圖3是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的子像素的電路圖。

參照圖3，用於驅動複數個子像素SP的發光二極體OLED的驅動電路包含：第一電晶體TR1；第二電晶體TR2；第三電晶體TR3；以及儲存電容器SC。為了驅動驅動電路，在第一基板101上設置包含閘極線GL、資料線DL、高電位電源線VDD、感測線SL以及參考線RL的複數條佈線。

包含在一個子像素SP的驅動電路中的第一電晶體TR1、第二電晶體TR2以及第三電晶體TR3中的每一個都包含：閘極電極；源極電極；以及汲極電極。

第一電晶體TR1、第二電晶體TR2以及第三電晶體TR3可以是P型薄膜電晶體或N型薄膜電晶體。例如，由於在P型薄膜電晶體中，電洞從源極電極流向汲極電極，因此電流可以從源極電極流向汲極電極。例如，由於在N型薄膜電晶體中，電子從源極電極流向汲極電極，因此電流可以從汲極電極流向源極電極。在下文中，將假設第一電晶體TR1、第二電晶體TR2以及第三電晶體TR3是電流從汲極電極流向源極電極的N型薄膜電晶體來進行描述，但是本發明不限於此。

第一電晶體TR1包含：第一閘極電極GE1；第一源極電極SE1；以及第一汲極電極DE1。第一閘極電極GE1連接到第一節點N1，第一源極電極SE1連接到發光二極體OLED的陽極，而第一汲極電極DE1連接到高電位電源線VDD。當第一節點N1的電壓高於閾值電壓時，第一電晶體TR1導通，而當第一節點N1的電壓低於閾值電壓時，第一電晶體TR1可以關斷。當第一電晶體TR1導通時，可以透過第一電晶體TR1將驅動電流傳輸到發光二極體OLED。因此，控制傳輸到發光二極體OLED的驅動電流的第一電晶體TR1可以稱為驅動電晶體。

第二電晶體TR2包含：第二閘極電極GE2；第二源極電極SE2；以及第二汲極電極DE2。第二閘極電極GE2連接到閘極線GL，第二源極電極SE2連接到第一節點N1，而第二汲極電極DE2連接到資料線DL。第二電晶體TR2可以基於來自閘極線GL的閘極電壓而導通或關斷。當第二電晶體TR2導通時，來自資料線DL的資料電壓可以充入第一節點N1中。因此，透過閘極線GL導通或關斷的第二電晶體TR2也可以稱為開關電晶體。

第三電晶體TR3包含：第三閘極電極GE3；第三源極電極SE3；以及第三汲極電極DE3。第三閘極電極GE3連接到感測線SL，第三源極電極SE3連接到第二節點N2，而第三汲極電極DE3連接到參考線RL。第三電晶體TR3可以基於來自感測線SL的感測電壓來導通或關斷。當第三電晶體TR3導通時，來自參考線RL的參考電壓可以傳輸到第二節點N2和儲存電容器SC。因此，第三電晶體TR3也可以稱為感測電晶體。

同時，儘管在圖3中示出了閘極線GL和感測線SL是不同的佈線，但是閘極線GL和感測線SL可以實施為一條佈線，但不限於此。

儲存電容器SC連接在第一電晶體TR1的第一閘極電極GE1與第一源極電極SE1之間。也就是說，儲存電容器SC可以連接在第一節點N1與第二節點N2之間。當發光二極體OLED發光時，儲存電容器SC維持第一電晶體TR1的第一閘極電極GE1與第一源極電極SE1之間的電位差，從而可以向發光二極體OLED供應恆定的驅動電流。儲存電容器SC包含複數個電容器電極，並且例如，複數個電容器電極中的一個可以連接到第一節點N1，而另一個可以連接到第二節點N2。

發光二極體OLED包含：陽極；發光層；以及陰極。發光二極體OLED的陽極連接到第二節點N2，陰極連接到低電位電源線VSS。對發光二極體OLED供應來自第一電晶體TR1的驅動電流以發光。

同時，在圖3中，描述了根據本發明示例性實施例的顯示裝置100的子像素SP的驅動電路具有包含三個電晶體和一個儲存電容器SC的3T1C結構。然而，電晶體和儲存電容器的數量和連接關係可以根據設計以各種方式變化，並且不限於此。

圖4是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的放大平面圖。圖5是沿圖4的V-V′線所截取的剖面圖。圖6A是用於解釋根據本發明示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖6B是根據本發明示例性實施例的顯示裝置在LLO製程之前的剖面圖。圖4是構成一個像素的紅色子像素SPR、白色子像素SPW、藍色子像素SPB以及綠色子像素SPG的放大俯視圖。在圖4中，為了便於描述，省略了堤部115，並且用粗實線示出了複數個彩色濾光片CF的邊緣。圖6A和圖6B是沿圖1的VI-VI′線所截取的剖面圖。圖6A是示出根據本發明示例性實施例在顯示裝置的製造過程的LLO製程之前的狀態的剖面圖。參照圖4至圖6B，根據本發明的示例性實施例的顯示裝置100包括：第一基板101；無機層110；平坦化層114；堤部115；第一電晶體TR1；第二電晶體TR2；第三電晶體TR3；儲存電容器SC；發光二極體OLED；閘極線GL；感測線SL；資料線DL；參考線RL；高電位電源線VDD；複數個彩色濾光片CF；黏著層130；以及第二基板140。

參照圖4，複數個子像素SP包含：紅色子像素SPR；綠色子像素SPG；藍色子像素SPB；以及白色子像素SPW。例如，紅色子像素SPR、白色子像素SPW、藍色子像素SPB以及綠色子像素SPG可以沿著列方向（row direction）依序設置。然而，複數個子像素SP的放置順序不限於此。

複數個子像素SP中的每一個包含：發光區；以及電路區。發光區是可以獨立發出一種顏色的光並可以在其中設置發光二極體OLED的區域。在一些實施方式中，在複數個彩色濾光片CF與陽極AN重疊的區域中，從堤部115暴露以允許從發光二極體OLED發出的光行進到外部的區域可以稱為發光區。例如，同時參照圖4和圖5，紅色子像素SPR的發光區可以是在紅色濾光片CFR與陽極AN重疊的區域中從堤部115暴露的區域。綠色子像素SPG的發光區可以是在綠色濾光片CFG與陽極AN重疊的區域中從堤部115暴露的區域。藍色子像素SPB的發光區可以是在藍色濾光片CFB與陽極AN重疊的區域中從堤部115暴露的區域。此時，在未設置單獨的彩色濾光片CF的白色子像素SPW的發光區中，與從堤部115暴露的陽極AN的一部分重疊的區域可以是發出白光的白色發光區。

電路區是不包含發光區的區域，並可以設置用於驅動複數個發光二極體OLED的驅動電路DP和將各種信號傳輸到驅動電路DP的複數條佈線。其中設置有驅動電路DP、複數條佈線以及堤部115的電路區可以是非發光區。例如，在電路區中，可以設置包含第一電晶體TR1、第二電晶體TR2、第三電晶體TR3和儲存電容器SC的驅動電路DP、複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL、複數條閘極線GL、感測線SL、以及堤部115。

同時參照圖3至圖6B，無機層110設置在第一基板101上。無機層110可以包含設置在第一基板101上的一種或多種無機材料的複數個層。例如，無機層110可以包含：下緩衝層116；上緩衝層111；閘極絕緣層112；以及鈍化層113，但不限於此。

可以設置無機層110以暴露第一基板101的一端。例如，可以將無機層110的一端設置在第一基板101的該端或邊緣的內部。然而，不限於此，無機層110的該端或邊緣可以與第一基板101的該端重合。

下緩衝層116設置在第一基板101上。下緩衝層116可以抑制從第一基板101的外部滲透的濕氣及/或氧氣的擴散。可以藉由控制下緩衝層116的厚度或疊層結構來控制顯示裝置100的濕氣滲透特性。此外，下緩衝層116可以抑制當由透明導電氧化物或氧化物半導體形成的第一基板101與諸如像素單元120的其他構造接觸時所引起的短路缺陷。下緩衝層116可以由無機材料形成，例如，可以包含單層或複數層的氧化矽（SiO _x）和氮化矽（SiN _x），但不限於此。

複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL以及遮光層LS設置在下緩衝層116上。

複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL以及遮光層LS設置在第一基板101上的同一層上，並可以由相同的導電材料形成。例如，複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL以及遮光層LS可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

複數條高電位電源線VDD是將高電位電源信號傳輸到複數個子像素SP中的每一個的佈線。複數條高電位電源線VDD可以在行方向（column direction）上於複數個子像素SP之間延伸，並且，在列方向上彼此相鄰的兩個子像素SP可以共用複數條高電位電源線VDD之中的一條高電位電源線VDD。例如，一條高電位電源線VDD設置在紅色子像素SPR的左側，以向紅色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一個的第一電晶體TR1供應高電位電源電壓。另一條高電位電源線VDD設置在綠色子像素SPG的右側，以向藍色子像素SPB和綠色子像素SPG中的每一個的第一電晶體TR1供應高電位電源電壓。

複數條資料線DL是沿行方向在複數個子像素SP之間延伸以將資料電壓傳輸到複數個子像素SP中的每一個的線，並包含第一資料線DL1、第二資料線DL2、第三資料線DL3以及第四資料線DL4。第一資料線DL1設置在紅色子像素SPR與白色子像素SPW之間，以將資料電壓傳輸到紅色子像素SPR的第二電晶體TR2。第二資料線DL2設置在第一資料線DL1與白色子像素SPW之間，以將資料電壓傳輸到白色子像素SPW的第二電晶體TR2。第三資料線DL3設置在藍色子像素SPB與綠色子像素SPG之間，以將資料電壓傳輸到藍色子像素SPB的第二電晶體TR2。第四資料線DL4設置在第三資料線DL3與綠色子像素SPG之間，以將資料電壓傳輸到綠色子像素SPG的第二電晶體TR2。

複數條參考線RL在複數個子像素SP之間沿行方向延伸，以將參考電壓傳輸到複數個子像素SP中的每一個。形成一個像素的複數個子像素SP可以共用一條參考線RL。例如，一條參考線RL設置在白色子像素SPW與藍色子像素SPB之間，以將參考電壓傳輸至紅色子像素SPR、白色子像素SPW、藍色子像素SPB以及綠色子像素SPG中的每一個的第三電晶體TR3。

同時參照圖4和圖5，遮光層LS設置在下緩衝層116上。設置遮光層LS以便與複數個電晶體TR1、TR2和TR3之中的至少第一電晶體TR1的第一主動層ACT1重疊，以阻擋入射到第一主動層ACT1上的光。如果光照射到第一主動層ACT1上，則產生漏電流，使得作為驅動電晶體的第一電晶體TR1的可靠性可能下降。此時，如果設置由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金等不透明導電材料構成的遮光層LS以與第一主動層ACT1重疊，則從第一基板101的下部入射到第一主動層ACT1上的光可以被阻擋。因此，可以提高第一電晶體TR1的可靠性。然而，不限於此，並且可以設置遮光層LS以便與第二電晶體TR2的第二主動層ACT2和第三電晶體TR3的第三主動層ACT3重疊。

同時，儘管在圖式中示出了遮光層LS是單層，但是遮光層LS可以形成為複數個層。例如，遮光層LS可以形成在該些無機層110之間，也就是說，無機層110由設置以便彼此重疊的複數個層形成，且下緩衝層116、上緩衝層111、閘極絕緣層112、以及鈍化層113中的至少一個位於其間。

上緩衝層111設置在複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL以及遮光層LS上。上緩衝層111可以減少通過第一基板101的濕氣或雜質的滲透。例如，上緩衝層111可以由單層或複數層的氧化矽（SiO _x）或氮化矽（SiN _x）構成，但不限於此。此外，可以根據第一基板101的類型或電晶體的類型省略上緩衝層111，但不限於此。

在複數個子像素SP的每一個中，第一電晶體TR1、第二電晶體TR2、第三電晶體TR3以及儲存電容器SC設置在上緩衝層111上。

首先，第一電晶體TR1包含：第一主動層ACT1；第一閘極電極GE1；第一源極電極SE1；以及第一汲極電極DE1。

第一主動層ACT1設置在上緩衝層111上。第一主動層ACT1可以由諸如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽的半導體材料形成，但不限於此。例如，當第一主動層ACT1由氧化物半導體形成時，第一主動層ACT1由通道區、源極區以及汲極區形成，並且源極區和汲極區可以是導電區，但是不限於此。

閘極絕緣層112設置在第一主動層ACT1上。閘極絕緣層112是用於使第一閘極電極GE1與第一主動層ACT1電性絕緣的層，並可以由絕緣材料形成。例如，閘極絕緣層112可以由單層或複數層的氧化矽（SiO _x）或氮化矽（SiN _x）構成，但不限於此。

第一閘極電極GE1設置在閘極絕緣層112上，以便與第一主動層ACT1重疊。第一閘極電極GE1可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

彼此間隔開的第一源極電極SE1和第一汲極電極DE1設置在閘極絕緣層112上。第一源極電極SE1和第一汲極電極DE1可以經由形成在閘極絕緣層112上的接觸孔電性連接到第一主動層ACT1。第一源極電極SE1和第一汲極電極DE1可以設置在與第一閘極電極GE1相同的層上以由相同的導電材料形成，但不限於此。例如，第一源極電極SE1和第一汲極電極DE1可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金構成，但不限於此。

第一汲極電極DE1電性連接到高電位電源線VDD。例如，紅色子像素SPR和白色子像素SPW的第一汲極電極DE1可以電性連接到紅色子像素SPR左側的高電位電源線VDD。藍色子像素SPB和綠色子像素SPG的第一汲極電極DE1可以電性連接到綠色子像素SPG右側的高電位電源線VDD。

此時，還可以進一步設置輔助高電位電源線VDDa，以將第一汲極電極DE1與高電位電源線VDD電性連接。輔助高電位電源線VDDa的一端電性連接到高電位電源線VDD，而另一端可以電性連接到複數個子像素SP中的每一個的第一汲極電極DE1。例如，當輔助高電位電源線VDDa由與第一汲極電極DE1相同的材料形成在同一層上時，輔助高電位電源線VDDa的一端通過形成在閘極絕緣層112和上緩衝層111中的接觸孔電性連接到高電位電源線VDD。輔助高電位電源線VDDa的另一端延伸至第一汲極電極DE1以與第一汲極電極DE1一體形成。

此時，電性連接到同一高電位電源線VDD的紅色子像素SPR的第一汲極電極DE1和白色子像素SPW的第一汲極電極DE1可以連接到同一輔助高電位電源線VDDa。藍色子像素SPB的第一汲極電極DE1和綠色子像素SPG的第一汲極電極DE1也可以連接到同一輔助高電位電源線VDDa。然而，第一汲極電極DE1和高電位電源線VDD可以透過其他方法電性連接，但不限於此。

第一源極電極SE1可以通過形成在閘極絕緣層112和上緩衝層111上的接觸孔電性連接到遮光層LS。此外，連接到第一源極電極SE1和第一主動層ACT1的一部份可以通過形成在上緩衝層111上的接觸孔電性連接到遮光層LS。如果遮光層LS是浮置的，則第一電晶體TR1的閾值電壓波動以影響顯示裝置100的驅動。因此，遮光層LS電性連接到第一源極電極SE1以向遮光層LS施加電壓，並且第一電晶體TR1的驅動可以不受到影響。然而，在本說明書中，儘管已經描述了第一主動層ACT1和第一源極電極SE1都與遮光層LS接觸，但是僅第一源極電極SE1和第一主動層ACT1中的任何一個可以與遮光層LS直接接觸。然而，這不限於此。

同時，儘管在圖5中示出了閘極絕緣層112形成在第一基板101的整個表面上，但是可以對閘極絕緣層112進行圖案化以使其僅與第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1重疊，但不限於此。

第二電晶體TR2包含：第二主動層ACT2；第二閘極電極GE2；第二源極電極SE2；以及第二汲極電極DE2。

第二主動層ACT2設置在上緩衝層111上。第二主動層ACT2可以由諸如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽的半導體材料形成，但不限於此。例如，當第二主動層ACT2由氧化物半導體形成時，第二主動層ACT2可以由通道區、源極區以及汲極區形成，並且源極區和汲極區可以是導電區，但是不限於此。

第二源極電極SE2設置在上緩衝層111上。第二源極電極SE2可以與第二主動層ACT2一體形成以彼此電性連接。例如，將半導體材料形成在上緩衝層111上，並將該半導體材料的一部分導電以形成第二源極電極SE2。因此，半導體材料未導電的部分可以成為第二主動層ACT2，而導電的部分可以用作第二源極電極SE2。然而，第二主動層ACT2和第二源極電極SE2可以分開形成，但不限於此。

第二源極電極SE2電性連接到第一電晶體TR1的第一閘極電極GE1。第一源極電極SE1可以通過形成在閘極絕緣層112上的接觸孔電性連接到第二源極電極SE2。因此，第一電晶體TR1可以由來自第二電晶體TR2的信號導通或關斷。

閘極絕緣層112設置在第二主動層ACT2和第二源極電極SE2上。第二汲極電極DE2及第二閘極電極GE2設置在閘極絕緣層112上。

第二閘極電極GE2設置在閘極絕緣層112上以便與第二主動層ACT2重疊。第二閘極電極GE2可以電性連接到閘極線GL，並且第二電晶體TR2可以基於傳輸到第二閘極電極GE2的閘極電壓來導通或關斷。第二閘極電極GE2可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

同時，第二閘極電極GE2可以從閘極線GL延伸。也就是說，第二閘極電極GE2可以與閘極線GL一體形成，並且第二閘極電極GE2和閘極線GL可以由相同的導電材料形成。例如，閘極線GL可以由銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金構成，但不限於此。

閘極線GL是向複數個子像素SP的每一個傳輸閘極電壓的佈線，並與複數個子像素SP的電路區交叉以沿列方向延伸。閘極線GL沿列方向延伸以與沿行方向延伸的複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL和複數條參考線RL交叉。

第二汲極電極DE2設置在閘極絕緣層112上。第二汲極電極DE2通過形成在閘極絕緣層112中的接觸孔電性連接到第二主動層ACT2，並同時可以通過形成在閘極絕緣層112和上緩衝層111中的接觸孔電性連接到複數條資料線DL中的一條。例如，紅色子像素SPR的第二汲極電極DE2電性連接到第一資料線DL1，而白色子像素SPW的第二汲極電極DE2可以電性連接到第二資料線DL2。例如，藍色子像素SPB的第二汲極電極DE2電性連接到第三資料線DL3，而綠色子像素SPG的第二汲極電極DE2可以電性連接到第四資料線DL4。第二汲極電極DE2可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

第三電晶體TR3包含：第三主動層ACT3；第三閘極電極GE3；第三源極電極SE3；以及第三汲極電極DE3。

第三主動層ACT3設置在上緩衝層111上。第三主動層ACT3可以由諸如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽的半導體材料形成，但不限於此。例如，當第三主動層ACT3由氧化物半導體形成時，第三主動層ACT3由通道區、源極區以及汲極區形成，並且源極區和汲極區可以是導電區，但是不限於此。

閘極絕緣層112設置在第三主動層ACT3上。第三閘極電極GE3、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3設置在閘極絕緣層112上。

第三閘極電極GE3設置在閘極絕緣層112上以便與第三主動層ACT3重疊。第三閘極電極GE3可以電性連接到感測線SL，並且第三電晶體TR3可以基於傳輸到第三電晶體TR3的感測電壓來導通或關斷。第三閘極電極GE3可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

同時，第三閘極電極GE3可以從感測線SL延伸。也就是說，第三閘極電極GE3可以與感測線SL一體形成，並且第三閘極電極GE3和感測線GL可以由相同的導電材料形成。例如，感測線SL可以由銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金構成，但不限於此。

感測線SL將感測電壓傳輸至複數個子像素SP中的每一個，並在複數個子像素SP之間沿列方向延伸。例如，感測線SL在複數個子像素SP之間的邊界處沿列方向延伸，以與沿行方向延伸的複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL和複數條參考線RL交叉。

第三源極電極SE3可以通過形成在閘極絕緣層112上的接觸孔電性連接到第三主動層ACT3。第三源極電極SE3可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

此外，第三主動層ACT3與第三源極電極SE3接觸的一部份可以通過形成在上緩衝層111中的接觸孔電性連接到遮光層LS。也就是說，第三源極電極SE3可以電性連接到遮光層LS，且第三主動層ACT3位於第三源極電極SE3與遮光層LS之間。因此，第三源極電極SE3和第一源極電極SE1可以透過遮光層LS彼此電性連接。

第三汲極電極DE3可以通過形成在閘極絕緣層112上的接觸孔電性連接到第三主動層ACT3。第三汲極電極DE3可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr）或其合金的導電材料構成，但不限於此。

第三汲極電極DE3可以電性連接到參考線RL。例如，紅色子像素SPR、白色子像素SPW、藍色子像素SPB以及綠色子像素SPG的第三汲極電極DE3電性連接到同一參考線RL。也就是說，形成一個像素的複數個子像素SP可以共用一條參考線RL。

此時，可以設置輔助參考線RLa以將沿行方向延伸的參考線RL傳輸到沿列方向平行設置的複數個子像素SP。輔助參考線RLa沿列方向延伸以電性連接參考線RL和複數個子像素SP中的每一個的第三汲極電極DE3。輔助參考線RLa的一端可以通過形成在上緩衝層111和閘極絕緣層112中的接觸孔電性連接到參考線RL。輔助參考線RLa的另一端可以電性連接到複數個子像素SP中的每一個的第三汲極電極DE3。在這種情況下，輔助參考線RLa可以與複數個子像素SP中的每一個的第三汲極電極DE3一體形成，並且，來自參考線RL的參考電壓可以透過輔助參考線RLa傳輸到第三汲極電極DE3。然而，輔助參考線RLa可以與第三汲極電極DE3分開形成，但不限於此。

儲存電容器SC設置在複數個子像素SP的電路區中。儲存電容器SC可以儲存第一電晶體TR1的第一閘極電極GE1與第一源極電極SE1之間的電壓，以使發光二極體OLED在一幀中持續地維持恆定狀態。儲存電容器SC包含：第一電容器電極SC1；以及第二電容器電極SC2。

在複數個子像素SP的每一個中，第一電容器電極SC1設置在下緩衝層116與上緩衝層111之間。第一電容器電極SC1可以設置成在設置在第一基板101上的導電構件之中最靠近第一基板101。第一電容器電極SC1可以與遮光層LS一體形成，並可以藉由遮光層LS電性連接到第一源極電極SE1。

上緩衝層111設置在第一電容器電極SC1上，而第二電容器電極SC2設置在上緩衝層111上。可以設置第二電容器電極SC2以便與第一電容器電極SC1重疊。第二電容器電極SC2與第二源極電極SE2一體形成，以電性連接到第二源極電極SE2和第一閘極電極GE1。例如，將半導體材料形成在上緩衝層111上，並且將該半導體材料的一部分導電以形成第二源極電極SE2和第二電容器電極SC2。因此，半導體材料未導電的部分用作第二主動層ACT2，而導電的部分可以用作第二源極電極SE2和第二電容器電極SC2。如上所述，第一源極電極SE1通過形成在閘極絕緣層112中的接觸孔電性連接到第二源極電極SE2。因此，第二電容器電極SC2與第二源極電極SE2一體形成，以電性連接到第二源極電極SE2和第一閘極電極GE1。

綜上所述，儲存電容器SC的第一電容器電極SC1與遮光層LS一體形成，以電性連接到遮光層LS、第一源極電極SE1以及第三源極電極SE3。因此，第二電容器電極SC2與第二源極電極SE2和第二主動層ACT2一體形成，以電性連接到第二源極電極SE2和第一閘極電極GE1。因此，與其間的上緩衝層111重疊的第一電容器電極SC1和第二電容器電極SC2恆定地保持第一電晶體TR1的第一閘極電極GE1和第一源極電極SE1的電壓，以維持發光二極體OLED的恆定狀態。

鈍化層113設置在第一電晶體TR1、第二電晶體TR2、第三電晶體TR3以及儲存電容器SC上。鈍化層113是用於保護鈍化層113下方的構件的絕緣層。例如，鈍化層113可以由單層或複數層的氧化矽（SiO _x）或氮化矽（SiN _x）構成，但不限於此。此外，根據示例性實施例，可以省略鈍化層113。

複數個彩色濾光片CF設置在鈍化層113上複數個子像素SP的每一個的發光區中。如上所述，根據本發明示例性實施例的顯示裝置100是底部發光型，其中，從發光二極體OLED發出的光被引導至發光二極體OLED的下部和第一基板101。因此，可以將複數個彩色濾光片CF設置在發光二極體OLED下方。從發光二極體OLED發出的光穿過複數個彩色濾光片CF並可以實施為各種顏色的光。

複數個彩色濾光片CF包含：紅色濾光片CFR；藍色濾光片CFB；以及綠色濾光片CFG。可以將紅色濾光片CFR設置在複數個子像素SP的紅色子像素SPR的發光區中，可以將藍色濾光片CFB設置在藍色子像素SPB的發光區中，並可以將綠色濾光片CFG設置在綠色子像素SPG的發光區中。

平坦化層114設置在鈍化層113和複數個彩色濾光片CF上。

平坦化層114是使其上設置有第一電晶體TR1、第二電晶體TR2、第三電晶體TR3、儲存電容器SC、複數條高電位電源線VDD、複數條資料線DL、複數條參考線RL、複數條閘極線GL以及複數條感測線SL的第一基板101的上部平坦化的絕緣層。平坦化層114可以由有機材料形成，例如可以由基於丙烯酸的單層或複數個層構成，但不限於此。

發光二極體OLED設置在複數個子像素SP中的每一個的發光區中。發光二極體OLED設置在該數個子像素SP中的每一個的平坦化層114上。發光二極體OLED包含：陽極AN；發光層EL；以及陰極CA。

陽極AN設置在發光區中的平坦化層114上。陽極AN將電洞供應到發光層EL，因此陽極AN可以由具有高功函數的導電材料形成。例如，陽極AN可以由諸如氧化銦錫（ITO）和氧化銦鋅（IZO）的透明導電材料形成，但不限於此。

同時，陽極AN可以朝電路區延伸。陽極AN的一部分可以從發光區朝電路區的第一源極電極SE1延伸，並可以通過形成在平坦化層114和鈍化層113中的接觸孔電性連接到第一源極電極SE1。因此，發光二極體OLED的陽極AN延伸至電路區以電性連接至第一電晶體TR1的第一源極電極SE1和儲存電容器SC的第二電容器電極SC2。

在發光區和電路區中，發光層EL設置在陽極AN上。可以將發光層EL形成為複數個子像素SP上方的一個層。也就是說，複數個子像素SP的發光層EL彼此連接以一體形成。發光層EL可以由一層發光層構成，或者可以具有其中發出不同顏色的光的複數個發光層疊層的結構。發光層EL還可以包含有機層，例如電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層。

陰極CA設置在發光區和電路區中的發光層EL上。陰極CA將電子供應到發光層EL，因此陰極CA可以由具有低功函數的導電材料形成。可以將陰極CA形成為複數個子像素SP上方的一層。也就是說，複數個子像素SP的每個陰極CA彼此連接以一體形成。例如，陰極CA可以由諸如氧化銦錫（ITO）和氧化銦鋅（IZO）或鐿（Yb）合金的透明導電材料形成並可以進一步包含金屬摻雜層，但不限於此。儘管在圖4和圖6A中未示出，但是發光二極體OLED的陰極CA電性連接到低電位電源線VSS以供應有低電位電源電壓。

堤部115設置在陽極AN與發光層EL之間。設置堤部115以與主動區AA重疊並覆蓋陽極AN的邊緣。堤部115設置在彼此相鄰的子像素SP之間的邊界處，以減少從複數個子像素SP中的每一個的發光二極體OLED發出的光的混合。堤部115可以由絕緣材料形成，並且例如由聚醯亞胺形成，但不限於此。

同時，堤部115可以包含：第一堤部115a；以及第二堤部115b。可以用相同的材料一體形成第一堤部115a和第二堤部115b。第一堤部115a設置在與第一基板101重疊的區域中，而第二堤部115b設置在不與第一基板101重疊的區域中。因此，可以設置第二堤部115b以包圍第一堤部115a、無機層110、平坦化層114以及第一基板101的側表面。第一堤部115a設置在與第一基板101重疊的區域中，因此圖5所示的堤部115對應於第一堤部115a。將參照圖6A和圖6B詳細描述設置在非主動區NA中的堤部115。

參照圖6B，在非主動區NA中，依序設置偏光板150、第一基板101、無機層110、平坦化層114、堤部115、陰極CA、黏著層130以及第二基板140。圖6B所示的非主動區NA是第一基板101上除了設置有可撓性膜160的一側以外的側部處的非主動區NA。

在製造過程中，參照圖6A，在第一基板101下方設置面積大於第一基板101的臨時基板SUB，以覆蓋第一基板101的底表面。臨時基板SUB是在顯示裝置100的製造過程中支撐第一基板101和設置在第一基板101上的構件的基板。臨時基板SUB可以由具有剛性的材料形成。例如，臨時基板SUB可以由玻璃形成，但不限於此。

犧牲層102設置在臨時基板SUB上。犧牲層102是為了易於將臨時基板SUB與第一基板101彼此分離而形成的層。因此，犧牲層102設置為具有與第一基板101相同的面積，並可以形成為具有比臨時基板SUB更小的面積。雷射從臨時基板SUB的下部照射到犧牲層102上，以使犧牲層102脫氫並將臨時基板SUB和犧牲層102與第一基板101分離。例如，犧牲層102可以使用氫化非晶矽或氫化並摻雜有雜質的非晶矽。

第一基板101設置在犧牲層102上。第一基板101可以設置為具有與犧牲層102相同的面積以便與犧牲層102完全重疊。

無機層110設置在第一基板101上。無機層110的一端可以位於非主動區NA中的第一基板101的該端的內側。然而，不限於此，可以將無機層110的該端設置在與第一基板101的該端相同的平面上。

平坦化層114設置在無機層110上。平坦化層114的一端可以位於非主動區NA中的無機層110該端的內側。

堤部115設置在臨時基板SUB、第一基板101、無機層110以及平坦化層114上。堤部115設置以覆蓋臨時基板SUB的整個表面。此時，堤部115的與第一基板101重疊的區域稱為第一堤部115a，而堤部115不與第一基板101重疊的區域可以稱為第二堤部115b。因此，第二堤部115b可以與非主動區NA中的臨時基板SUB直接接觸。

陰極CA、黏著層130以及第二基板140可以設置在堤部115上。黏著層130可以與堤部115在未設置陰極CA的區域中接觸。因此，第二堤部115b的一部分與黏著層130接觸，而另一部分可以不與黏著層130接觸。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101和臨時基板SUB彼此分離。犧牲層102可以使用氫化非晶矽或摻雜有雜質的氫化非晶矽。當從臨時基板SUB的下部朝臨時基板SUB和犧牲層102照射雷射時，犧牲層102的氫被脫氫，並且犧牲層102和臨時基板SUB可以與第一基板101分離。

在LLO製程期間，設置在第一基板101外部的臨時基板SUB可以與第二堤部115b分離。如果在犧牲層102外部的區域中設置有由具有低雷射吸收率的材料形成的層，則在LLO期間照射的雷射穿過相應的層，使得由於與臨時基板的黏著性而可能難以分離臨時基板。即使相應的層與臨時基板SUB分離，也會產生裂紋，因此無機層110或第一基板101也可能破裂。堤部115，即，第二堤部115b由作為具有相對高的雷射吸收率的材料的聚醯亞胺形成以吸收雷射。因此，第二堤部115b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB與第二堤部115b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

當完成LLO製程時，如圖6B所示，保留了第一基板101和第二堤部115b。如上所述，第二堤部115b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，第二堤部115b與黏著層130接觸的部分維持在附著於黏著層130的狀態，而第二堤部115b不與黏著層130接觸的部分可以在去除臨時基板SUB的製程期間一起去除。也就是說，第二堤部115b不與黏著層130接觸的部分被外力分離，使得最終僅保留與黏著層130接觸的第二堤部115b，如圖6B所示。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部115b和第一基板101下方。

參照圖6B，第二堤部115b可以在第一基板101的外部處設置在與第一基板101相同的層或水平面上。可以設置第二堤部115b以便例如在橫向方向上包圍非主動區NA中的第一堤部115a、平坦化層114、無機層110以及第一基板101，並可以設置在除了設置有可撓性膜160的一側以外的側部處的非主動區NA中。

可以將第二堤部115b的一端或邊緣設置在與黏著層130的一端相同的平面上。如上所述，黏著層130可以支撐破碎或破裂的第二堤部115b，因此，第二堤部115b的該端或邊緣可以位於與黏著層130的該端或邊緣相同的平面上。然而，當第二堤部115b的一部分被進一步分離時，第二堤部115b的該端可以位於比黏著層130的該端更內側處。

第一堤部115a和剩餘的第二堤部115b可以具有不同的密度。如上所述，在犧牲層102不位於第二堤部115b下方的狀態下對第二堤部115b執行LLO製程，而在犧牲層102位於第一堤部115a下方的狀態下對第一堤部115a執行LLO製程。因此，引導到第一堤部115a的大部分雷射被犧牲層102吸收，使得第一堤部115a可以維持為單個連續層而不會破碎或破裂。然而，在第二堤部115b的情況下，犧牲層102不位於第二堤部115b下方，且第二堤部115b的材料具有相對高的雷射吸收率，使得第二堤部115b可以在LLO製程期間破碎或破裂。因此，最終，第二堤部115b可以處於破裂的狀態，或者處於藉由破碎第一堤部115a而形成的粉末聚集的狀態。因此，第二堤部115b的密度可以不同於第一堤部115a的密度，並可以小於第一堤部115a的密度。

在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物和氧化物半導體中的任一種形成，以減少顯示裝置100的厚度。在現有技術中，已主要使用塑膠基板作為顯示裝置的基板。然而，塑膠基板是藉由在高溫下塗佈並固化基板材料來形成，因此存在需要較長時間且難以形成相對較小的厚度、例如低於預定厚度程度的厚度的問題。相反地，透明導電氧化物和氧化物半導體可以透過諸如濺鍍的沉積製程形成以具有薄的厚度。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，支撐顯示裝置100的各種構件的第一基板101包含透明導電氧化物層或氧化物半導體層，這減少了顯示裝置100的厚度並實現了薄型設計。

因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物或氧化物半導體形成，這提高了顯示裝置100的可撓性並減少了當顯示裝置100變形時所產生的應力。在一些實施方式中，當第一基板101包含透明導電氧化物層或氧化物半導體層時，可以將第一基板101形成為薄膜。在這種情況下，第一基板101也可以稱為第一透明薄膜層。因此，包含第一基板101的顯示裝置100可以具有高可撓性，並且顯示裝置100可以輕易地彎折或捲曲。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物層和氧化物半導體層中的任一種形成，以提高顯示裝置100的可撓性。因此，當顯示裝置100變形時所產生的應力也可以緩解，從而可以最小化在顯示裝置100中引起的裂紋。

此外，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物層和氧化物半導體層中的任一種形成，以減少第一基板101中產生靜電的可能性。如果第一基板101由塑膠形成，從而產生靜電，則第一基板101上的各種佈線和驅動元件會被損壞或者由於靜電而影響驅動，從而可能會降低顯示品質。相反地，當第一基板101由透明導電氧化物層或氧化物半導體層形成時，可以最小化在第一基板101中產生的靜電，並可以簡化用於阻擋和釋放靜電的構造。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由具有產生靜電的可能性低的透明導電氧化物層和氧化物半導體層中的任一種形成。透過這樣做，可以最小化由於靜電造成的損壞或顯示品質下降。

另外，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物層和氧化物半導體層中的一種形成，以使外部的濕氣或氧氣透過第一基板101滲透到顯示裝置100中的情形最小化。當第一基板101由透明導電氧化物層或氧化物半導體層形成時，第一基板101在真空環境中形成，因此異物產生的可能性顯著降低。此外，即使產生異物，異物的尺寸也很小，因而可以使濕氣和氧氣滲透到顯示裝置100中的情形最小化。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由具有產生異物的可能性低且防濕氣滲透性能優異的透明導電氧化物或氧化物半導體形成。透過這樣做，可以提高包含有機層和顯示裝置100的發光二極體OLED的可靠性。

在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物和氧化物半導體中的任一種形成，並可以在第一基板101下方附著薄且便宜的障壁膜之後使用。當第一基板101由具有低濕氣滲透性能的材料形成時，例如由塑膠形成時，可以藉由附著高性能障壁膜來補充防濕氣滲透性能。然而，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由具有優異防濕氣滲透性能的透明導電氧化物或氧化物半導體形成，從而可以在第一基板101下方附著薄且便宜的障壁膜。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101包含具有優異防濕氣滲透性能的透明導電氧化物或氧化物半導體中的任一種，以降低顯示裝置的製造成本。

此外，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101由透明導電氧化物和氧化物半導體中的任一種形成，以進行雷射剝離（LLO）製程。當製造顯示裝置100時，形成有犧牲層的臨時基板SUB附著在第一基板101下方，然後像素單元120可以形成在第一基板101上。該犧牲層可以使用氫化非晶矽或氫化並摻雜有雜質的非晶矽。在完成顯示裝置100的製造之後，當從臨時基板SUB的下部照射雷射時，犧牲層的氫被脫氫，並且犧牲層及臨時基板SUB可以與第一基板101分離。此時，透明導電氧化物和氧化物半導體是可以用犧牲層和臨時基板SUB執行LLO製程的材料。因此，即使第一基板101由透明導電氧化物或氧化物半導體中的任一種形成，第一基板101也可以輕易地與臨時基板SUB分離。因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101包含可以進行LLO製程的透明導電氧化物層或氧化物半導體層中的任一種。因此，可以利用現有製程和設備容易地製造顯示裝置100。

同時，當如上所述地使用由透明導電氧化物層和氧化物半導體中的一種構成的第一基板時，為了LLO製程，第一基板可以設置在顯示裝置的整個區域中。也就是說，第一基板可以設置在顯示裝置的整個主動區和非主動區中。此時，第一基板和無機層設置在顯示裝置的最外側區域。然而，當第一基板和無機層設置在最外側區域時，第一基板和無機層可能容易因外部衝擊而破裂從而損壞。此外，當外力施加到具有相對高剛性的第二基板的邊界時，第一基板和無機層可能在與第二基板的邊界相對應的區域中破裂而損壞。因此，可能存在水分滲透穿過無機層的問題，並且可靠性可能下降。此外，當在第一基板和無機層中產生裂紋時，裂紋可能擴散至其他構件，具體地，當裂紋擴散至佈線或電路構造時，可能發生驅動故障。

在根據本發明的示例性實施例的顯示裝置100中，可以配置堤部115以包含設置以包圍無機層110、平坦化層114以及第一基板101的側表面的第二堤部115b。因此，在LLO製程期間，可以透過使雷射光透射的臨時基板SUB和吸收雷射的第二堤部115b容易地進行LLO製程。此時，堤部115可以由對雷射具有高吸收率的材料構成。當由對雷射具有低吸收率的丙烯酸樹脂形成的平坦化層與臨時基板直接接觸時，雷射穿過大部分的臨時基板和平坦化層，使得臨時基板和平坦化層不易分離。然而，類似於根據本發明示例性實施例的顯示裝置100，由對雷射具有高吸收率的聚醯亞胺形成的堤部115與臨時基板SUB直接接觸，雷射被堤部115吸收，使得堤部115可以破碎或破裂。因此，在去除臨時基板SUB的製程期間，堤部115之中僅保留與黏著層130接觸的第二堤部115b，並可以去除不與黏著層130接觸的部分。

因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，可以在無需於顯示裝置100外部設置第一基板101和無機層的情況下容易進行LLO製程。

因此，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，第一基板101和無機層110可以不設置在顯示裝置100的外部。此外，甚至在與第二基板140的邊界相對應的區域中也可以不設置第一基板101和無機層110。因此，第一基板101和無機層110可以不因來自顯示裝置100的外部的衝擊和施加到第二基板140的邊界的應力而損壞或破裂。因此，在根據本發明的示例性實施例的顯示裝置100中，可以提高可靠性並還可以減少由於裂紋導致的驅動故障。

此外，在根據本發明示例性實施例的顯示裝置100中，將設置在第二堤部115b和黏著層130的外側的密封構件去除以減小邊框面積。一般來說，在顯示裝置中，設置密封構件以便包圍像素單元的側表面和黏著層。因此，邊框增加了與設置密封構件一樣多的面積。在根據本發明的示例性實施例的顯示裝置100中，在去除臨時基板SUB的LLO製程期間，將設置在黏著層130外部的堤部115去除，從而可以消除設置密封構件的必要性。因此，與設置密封構件的情況相比，邊框面積可以減小。

圖7A是用於解釋根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖7B是根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。圖7A和圖7B的顯示裝置700與圖1至圖6A的顯示裝置100之間的區別僅在於堤部715和黏著層730，其他構造基本相同，因此將省略多餘的描述。

在顯示裝置700的製造過程中，參照圖7A，堤部715設置在臨時基板SUB、第一基板101、無機層110以及平坦化層114上。

堤部715包含：第一堤部715a；以及第二堤部715b。堤部715的與第一基板101重疊的區域稱為第一堤部715a，而堤部715不與第一基板101重疊的區域可以稱為第二堤部715b。

第一堤部715a和第二堤部715b可以設置成彼此間隔開。

第一堤部715a的一端可以設置在比無機層110的一端更內側處。第二堤部715b的一端可以設置成與非主動區NA中的臨時基板SUB直接接觸。因此，無機層110和第一基板101頂表面的一部分可以在第一堤部715a與第二堤部715b之間暴露。

第二堤部715b可以設置成與第一基板101間隔開。例如，第一基板101與第二堤部715b之間的間隔空間的寬度W可以是100 μm以下。此外，第二堤部715b還可以設置成與設置在第一基板101的該端內側的無機層110間隔開。

陰極CA、黏著層730以及第二基板140可以設置在堤部715上。可以形成黏著層730以填滿第二堤部715b與第一基板101及無機層110之間的間隔空間。例如，黏著層730可以覆蓋第一堤部715a的側表面、以及由第一堤部715a暴露的臨時基板SUB的頂表面、無機層110的側表面和第一基板101。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101與臨時基板SUB彼此分離。在設置第一基板101的區域中，犧牲層102位於第一基板101與臨時基板SUB之間，使得第一基板101與臨時基板SUB可以輕易地分離。

第二堤部715b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB之與第二堤部715b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

當完成LLO製程時，如圖7B所示，保留了第一基板101和第二堤部715b。如上所述，第二堤部715b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，第二堤部715b之與黏著層730接觸的部分維持在附著於黏著層730的狀態，而第二堤部715b不與黏著層730接觸的部分可以在去除臨時基板SUB的製程期間一起去除。也就是說，第二堤部715b不與黏著層730接觸的部分被外力分離，使得最終僅保留與黏著層730接觸的第二堤部715b，如圖7B所示。

在LLO製程期間，臨時基板SUB與黏著層730可以輕易分離。臨時基板SUB和黏著層730透過黏著層730的黏著性而彼此附接。然而，如上所述，當第一基板101與第二堤部715b之間的間隔空間的寬度W為100 μm或以下時，黏著層730與臨時基板SUB的接觸面積較小。因此，臨時基板SUB與黏著層730可以輕易分離。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部715b和第一基板101下方。同時，黏著層730可以實施以在第一基板101與第二堤部715b之間突出。例如，黏著層730可以具有填滿第一基板101與第二堤部715b之間的突出形狀，並且實際上以幾十奈米的厚度從第二堤部715b和第一基板101的底表面突出。因此，偏光板150可以使黏著層730的突出形狀平坦化。

在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置700中，堤部715包含設置在第一基板101外部的第二堤部715b。因此，在第一基板101和無機層110不設置在顯示裝置700外部的情況下進行LLO製程以提高可靠性。此外，還可以減少由裂紋引起的驅動故障。

此外，在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置700中，將設置在第二堤部715b和黏著層730外部的密封構件去除以減小邊框面積。

此外，在根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置700中，第二堤部715b與無機層110間隔開，以減少在顯示裝置700外部產生的無機層110的裂紋。如上所述，第二堤部715b可以在LLO製程期間破碎或破裂。此時，裂紋可能會因為第二堤部715b的潰散材料而擴散至無機層110。因此，在根據本發明的另一示例性實施例的顯示裝置700中，無機層110與第二堤部715b彼此間隔開，以阻止由於在LLO製程期間產生的堤部715的潰散材料而導致的無機層110的裂紋或損壞。

圖8A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖8B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。圖8A和圖8B的顯示裝置800與圖1至圖6A的顯示裝置100之間的區別僅在於平坦化層814、堤部815以及黏著層830，而其他構造基本相同，因此將省略多餘的描述。

為了描述製造過程，參照圖8A，平坦化層814設置在臨時基板SUB、第一基板101以及無機層110上。

平坦化層814的一端可以位於非主動區NA中無機層110和第一基板101一端的外側。例如，平坦化層814可以在無機層110上覆蓋第一基板101的側表面和無機層110，並可以在第一基板101外部與臨時基板SUB接觸。

堤部815設置在平坦化層814上。

堤部815與第一基板101重疊的區域稱為第一堤部815a，而堤部815不與第一基板101重疊的區域可以稱為第二堤部815b。

第一堤部815a和第二堤部815b可以設置成彼此間隔開。

可以在平坦化層814上將第一堤部815a的一端設置在比無機層110的一端和第一基板101的一端更內側處。例如，第一堤部815a可以與設置在無機層110和第一基板101上的平坦化層814接觸。

第二堤部815b可以在第一基板101的外部處設置在與第一基板101相同的層上。此外，第二堤部815b的一端可以設置在平坦化層814上。因此，第二堤部815b可以覆蓋平坦化層814的該端。此時，可以設置第二堤部815b以與平坦化層814及臨時基板SUB接觸。因此，第二堤部815b的一端可以在設置在非主動區NA中的平坦化層814的外部處與非主動區NA中的臨時基板SUB接觸。

因此，平坦化層814的頂表面的一部分可以在第一堤部815a與第二堤部815b之間暴露。

陰極CA、黏著層830以及第二基板140可以設置在堤部815上。可以形成黏著層830以填滿第一堤部815a與第二堤部815b之間的間隔空間。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101與臨時基板SUB分離。在設置第一基板101的區域中，犧牲層102位於第一基板101與臨時基板SUB之間，使得第一基板101與臨時基板SUB可以被輕易地分離。

第二堤部815b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB之與第二堤部815b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

此外，當第二堤部815b設置成與臨時基板SUB上的平坦化層814接觸時，第二堤部815b可以吸收穿過臨時基板SUB和平坦化層814的光。因此，第二堤部815b和平坦化層814的界面可以在去除臨時基板SUB的製程期間分離。

當完成上述LLO製程時，如圖8B所示，保留了第一基板101和第二堤部815b。如上所述，第二堤部815b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，第二堤部815b之與黏著層830接觸的部分維持在附著於黏著層830的狀態，而第二堤部815b不與黏著層830接觸的部分可以在去除臨時基板SUB的製程期間一起去除。也就是說，第二堤部815b不與黏著層830接觸的部分被外力分離，使得最終僅保留與黏著層830接觸的第二堤部815b，如圖8B所示。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部815b、平坦化層814以及第一基板101下方。

參照圖8B，在LLO製程期間去除與臨時基板SUB接觸的平坦化層814，使得如圖8B所示，可以存在第一空間880，其是由第一基板101、偏光板150、第二堤部815b以及平坦化層814包圍的空的空間。然而，不限於此，第一空間880可以由用於偏光板150的黏著製程的黏著層填滿。

平坦化層814可以在與無機層110和第一基板101重疊的區域中包圍無機層110的側表面。

陰極CA、黏著層830以及第二基板140可以設置在堤部815上。黏著層830可以填滿第一堤部815a與第二堤部815b之間的間隔空間。因此，黏著層830可以覆蓋在第一堤部815a與第二堤部815b之間暴露的平坦化層814的頂表面。

在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，堤部815包含設置在第一基板101外部的第二堤部815b。因此，在不將第一基板101和無機層110設置在顯示裝置800外部的情況下進行LLO製程以提高可靠性。此外，還可以減少由裂紋引起的驅動故障。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，將設置在第二堤部815b和黏著層830外部的密封構件去除以減小邊框面積。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，第二堤部815b與無機層110間隔開，以減少在顯示裝置800外部產生的無機層110的裂紋。如上所述，第二堤部815b可以在LLO製程期間破碎或破裂。此時，裂紋可能會因為第二堤部815b的潰散材料而擴散至無機層110。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，無機層110與第二堤部815b彼此間隔開，以阻止由於在LLO製程期間產生的堤部815的潰散材料而導致的無機層110的裂紋或損壞。

在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，將平坦化層814填滿由第一基板101和第二堤部815b暴露的空間，以容易地進行LLO製程。也就是說，當平坦化層814在第一基板101外部與臨時基板SUB接觸時，即使第一基板101與第二堤部815b之間的間隔空間的寬度W沒有被微型化至100 μm以下，臨時基板SUB和第一基板101也可以被輕易地分離。因此，不需要為了確保第一基板101與第二堤部815b之間的空間而調整製程餘裕度，從而可以更容易進行顯示裝置800的製造過程。

圖9A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖9B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。圖9A和圖9B的顯示裝置900與圖1至圖6A的顯示裝置100之間的區別僅在於堤部915和黏著層930，而其他構造基本相同，因此將省略多餘的描述。

為了描述製造過程，參照圖9A，堤部915設置在臨時基板SUB、第一基板101、無機層110以及平坦化層114上。

堤部915包含：第一堤部915a；以及第二堤部915b。堤部915與第一基板101重疊的區域稱為第一堤部915a，而堤部915不與第一基板101重疊的區域可以稱為第二堤部915b。

第一堤部915a包含：第一部分915a-1，連接到第二堤部915b；以及第二部分915a-2，與第一部分915a-1間隔開並設置成比第一部分915a-1更靠近主動區AA。

第一堤部915a的第一部分915a-1可以設置在由無機層110暴露的第一基板101上。也就是說，第一部分915a-1可以覆蓋第一基板101的該端。此外，第一部分915a-1可以設置成與平坦化層114間隔開。此時，當無機層110的一端從平坦化層114的一端突出到外部時，第一部分915a-1可以設置成與無機層110間隔開。

第一堤部915a的第二部分915a-2可以設置在與第一基板101重疊的區域中。此時，第二部分915a-2的一端可以設置在陰極CA的一端與平坦化層114的該端之間。如圖9A和圖9B所示，第二部分915a-2可以設置在與陰極CA重疊的區域中。

可以設置第二堤部915b以便與臨時基板SUB接觸。此時，第二堤部915b可以設置成連接到設置在第一基板101上的第一部分915a-1。

陰極CA、黏著層930以及第二基板140可以設置在堤部915上。可以形成黏著層930以填滿第一部分915a-1與無機層110之間的間隔空間。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101與臨時基板SUB分離。在設置第一基板101的區域中，犧牲層102位於第一基板101與臨時基板SUB之間，使得第一基板101與臨時基板SUB可以輕易地分離。

第二堤部915b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB之與第二堤部915b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

當完成LLO製程時，如圖9B所示，保留了第一基板101和第二堤部915b。如上所述，第二堤部915b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，第二堤部915b之與黏著層930接觸的部分維持在附著於黏著層930的狀態，而第二堤部915b不與黏著層930接觸的部分可以在去除臨時基板SUB的製程期間一起去除。也就是說，第二堤部915b不與黏著層930接觸的部分被外力分離，使得最終僅保留與黏著層930接觸的第二堤部915b，如圖9B所示。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部915b和第一基板101下方。

在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，堤部915包含設置在第一基板101外部的第二堤部915b。因此，在不將第一基板101和無機層110設置在顯示裝置900外部的情況下進行LLO製程以提高可靠性。此外，還可以減少由裂紋引起的驅動故障。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，將設置在第二堤部915b和黏著層930外部的密封構件去除以減小邊框面積。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，第二堤部915b與無機層110間隔開，以減少在顯示裝置900外部產生的無機層110的裂紋。如上所述，第二堤部915b可以在LLO製程期間破碎或破裂。此時，裂紋可能會因為第二堤部915b的潰散材料而擴散至無機層110。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，無機層110與第二堤部915b間隔開，以阻止由於在LLO製程期間產生的堤部915的潰散材料而導致的無機層110的裂紋或損壞。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，設置堤部915以便覆蓋第一基板101的該端，以容易地進行LLO製程。參照圖9A，臨時基板SUB的頂表面僅與犧牲層102和堤部915接觸，而不與其他有機層或黏著層接觸。因此，在LLO製程期間，臨時基板SUB在第一基板101和犧牲層102所設置的區域中可以輕易地與第一基板101分離，而臨時基板SUB在第二堤部915b所設置的區域中可以輕易地與第二堤部915b分離。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，可以藉由設置第一基板101和堤部915來容易地進行LLO製程，並且不會引起其他構件的裂痕故障。

圖10A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖10B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。圖10A和圖10B的顯示裝置1000與圖9A和圖9B的顯示裝置900之間的區別僅在於堤部1015、無機層1010、平坦化層1014以及黏著層1030，而其他構造（如上緩衝層1011、閘極絕緣層1012、鈍化層1013及下緩衝層1016）基本相同，因此將省略多餘的描述。

為了描述製造過程，參照圖10A，無機層1010設置在臨時基板SUB和第一基板101上。

為了增加第一基板101的暴露面積，無機層1010可以設置成靠近設置在非主動區NA中的陰極CA的一端。

平坦化層1014設置在無機層1010上。可以設置平坦化層1014以覆蓋無機層1010的一端。可以設置平坦化層1014以便與無機層1010的頂表面及由無機層1010暴露的第一基板101的一部分重疊。因此，可以設置平坦化層1014以便在密封無機層1010的同時包圍無機層1010的頂表面和側表面。

堤部1015設置在平坦化層1014上。堤部1015包含：第一堤部1015a；以及第二堤部1015b。第一堤部1015a可以設置在與第一基板101重疊的區域中。此時，第一堤部1015a的一端可以設置在陰極CA的一端與平坦化層1014的一端之間。如圖10A和圖10B所示，第一堤部1015a可以設置在與陰極CA重疊的區域中。

可以設置第二堤部1015b以便與臨時基板SUB接觸。此時，第二堤部1015b可以設置在由無機層1010暴露的第一基板101上。也就是說，第二堤部1015b可以覆蓋第一基板101的該端。此外，第二堤部1015b可以設置成與平坦化層1014間隔開。例如，臨時基板SUB的一個表面可以在平坦化層1014與第二堤部1015b之間暴露。

陰極CA、黏著層1030以及第二基板140可以設置在堤部1015上。

可以形成黏著層1030以填滿第二堤部1015b與平坦化層1014之間的間隔空間。例如，黏著層1030可以覆蓋第二堤部1015b的側表面、平坦化層1014的側表面、以及由第二堤部1015b和平坦化層1014暴露的臨時基板SUB的頂表面。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101和臨時基板SUB分離。在設置有第一基板101的區域中，將第一基板101與臨時基板SUB一起從黏著層1030、平坦化層1014以及第二堤部1015b與第一基板101接觸的區域去除。在剩餘區域中，第一基板101與臨時基板SUB可以被輕易地分離。

第二堤部1015b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB之與第二堤部1015b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部1015b和第一基板101下方。

參照圖10B，偏光板150設置在第一基板101下方。此時，在圖10B中，示出了偏光板150設置以朝黏著層1030突出，但不限於此，且第一基板101被去除的區域可以由將第一基板101與偏光板150黏合的黏著劑填滿。

在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，堤部1015包含設置在第一基板101外部的第二堤部1015b。因此，在不將第一基板101和無機層1010設置在顯示裝置1000外部的情況下進行LLO製程以提高可靠性。此外，還可以減少由裂紋引起的驅動故障。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，將設置在第二堤部1015b和黏著層1030外部的密封構件去除以減小邊框面積。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，第二堤部1015b與無機層1010間隔開，以減少在顯示裝置1000外部產生的無機層1010的裂紋。如上所述，第二堤部1015b可以在LLO製程期間破碎或破裂。此時，裂紋可能會因為第二堤部1015b的潰散材料而擴散至無機層1010。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，無機層1010與第二堤部1015b間隔開，以阻止由於在LLO製程期間產生的堤部1015的潰散材料而導致的無機層1010的裂紋或損壞。

具體地，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，設置平坦化層1014以便覆蓋無機層1010的一端，以減少對無機層1010的損害。即使第二堤部1015b在顯示裝置1000的外部處與無機層1010間隔開，裂紋也可能擴散到無機層1010。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，設置平坦化層1014以便在顯示裝置1000外部覆蓋無機層1010的一端。因此，可以有效地保護無機層1010免受外部衝擊或堤部1015的潰散材料的影響。

圖11A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。圖11B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。圖11A和圖11B的顯示裝置1100與圖10A和圖10B的顯示裝置1000之間的區別僅在於平坦化層1114、第二堤部1115b以及黏著層1130，而其他構造基本相同，因此將省略多餘的描述。

為了描述製造過程，參照圖11A，平坦化層1114設置在臨時基板SUB、第一基板101以及無機層1010上。

可以設置平坦化層1114以覆蓋無機層1010的一端。因此，可以設置平坦化層1114以便與無機層1010的頂表面及由無機層1010暴露的第一基板101的一部分重疊。因此，可以設置平坦化層1114以便在密封無機層1010的同時包圍無機層1010的頂表面和側表面。

堤部1115設置在平坦化層1114上。堤部1115包含：第一堤部1015a；以及第二堤部1115b。

第一堤部1015a可以設置在與第一基板101重疊的區域中。

可以設置第二堤部1115b以便與臨時基板SUB接觸。此時，第二堤部1115b可以設置在由無機層1010暴露的第一基板101上。也就是說，第二堤部1115b可以覆蓋第一基板101的該端。第二堤部1115b可以與平坦化層1114的側表面接觸，且第二堤部1115b的一端可以設置在由無機層1010暴露的第一基板101及平坦化層1114上。

此外，第二堤部1115b可以設置成與第一堤部1015a間隔開。例如，可以形成堤部1115以便暴露第一堤部1015a與第二堤部1115b之間的平坦化層1114的頂表面的一部分。陰極CA、黏著層1130以及第二基板140可以設置在堤部1115上。

可以形成黏著層1130以填滿第一堤部1015a與第二堤部1115b之間的間隔空間。因此，黏著層1130可以與在第一堤部1015a與第二堤部1115b之間暴露的平坦化層1114的一個表面接觸。

接下來，可以透過LLO製程將第一基板101與臨時基板SUB分離。在設置有第一基板101的區域中，將第一基板101與臨時基板SUB一起從平坦化層1114及第二堤部1115b與第一基板101接觸的區域去除。在剩餘區域中，第一基板101與臨時基板SUB可以被輕易地分離。

第二堤部1115b在LLO製程期間變形而破碎或破裂。因此，臨時基板SUB之與第二堤部1115b接觸的部分可以在LLO製程期間被輕易地分離。

接下來，將偏光板150設置在第二堤部1115b和第一基板101下方。

參照圖11B，偏光板150設置在第一基板101下方。在圖11B中，示出了偏光板150設置以朝第二堤部1115b和平坦化層1114突出，但不限於此，且第一基板101被去除的區域可以由將第一基板101與偏光板150黏合的黏著劑填滿。

在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，堤部1115包含設置在第一基板101外部的第二堤部1115b。因此，在不將第一基板101和無機層1010設置在顯示裝置1100外部的情況下進行LLO製程以提高可靠性。此外，還減少由裂紋引起的驅動故障。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，將設置在第二堤部1115b和黏著層1130的外側的密封構件去除以減小邊框面積。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，第二堤部1115b與無機層1010間隔開，以減少在顯示裝置1100外部產生的無機層1010的裂紋。如上所述，第二堤部1115b可以在LLO製程期間破碎或破裂。此時，裂紋可能會因為第二堤部1115b的潰散材料而擴散至無機層1010。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，無機層1010與第二堤部1115b間隔開，以阻止由於在LLO製程期間產生的堤部1115的潰散材料而導致的無機層1010的裂紋或損壞。

具體地，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，設置平坦化層1114以便覆蓋無機層1010的一端，以減少對無機層1010的損害。即使第二堤部1115b在顯示裝置1100的外部處與無機層1010間隔開，裂紋也可能擴散到無機層。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，設置平坦化層1114以便在顯示裝置1100外部覆蓋無機層1010的一端。因此，可以有效地保護無機層1010免受外部衝擊或堤部1115的潰散材料的影響。

此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1100中，設置平坦化層1114以與第一基板101接觸，而不是將黏著層1130設置以與第一基板101接觸，以容易地進行LLO製程。

本發明該些示例性實施例還可以如下描述。

根據本發明的一態樣，提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基板，其包括包含複數個子像素的主動區、以及包圍主動區或在一些實施例中與主動區相鄰的非主動區，並且第一基板由透明導電氧化物和氧化物半導體中的一種形成；無機層，設置在第一基板上；平坦化層，設置在無機層上；堤部，設置在平坦化層上；黏著層，設置在無機層、平坦化層以及堤部上；以及第二基板，設置在黏著層上，其中，堤部包含：第一堤部，設置在與第一基板重疊的區域中；以及第二堤部，設置以包圍第一堤部的側表面。

可以設置第二堤部以便包圍無機層、平坦化層、以及第一基板的側表面。

第二堤部可以設置在第一基板外部與第一基板相同的層上。

顯示裝置可以進一步包括設置在第一基板上的非主動區的一側的可撓性膜，其中，第二堤部可以設置在除了設置第一可撓性膜的一側以外的側部處的非主動區中。

第二堤部的一端可以位於與黏著層的一端相同的平面上，或設置在黏著層該端的內側。

第一堤部和第二堤部可以具有不同的密度。

第二堤部可以包含破裂部。

第二堤部可以處於破碎的粉體聚集的狀態。

第一堤部和第二堤部可以一體形成。

第一堤部和第二堤部可以設置成彼此間隔開。

第二堤部可以與第一基板及無機層間隔開，並且黏著層可以填滿第二堤部與第一基板及無機層之間的間隔空間。

第一基板與第二堤部之間的間隔空間的寬度可以是100 μm以下。

第二堤部的一端可以設置在平坦化層上，黏著層可以填滿第一堤部與第二堤部之間的間隔空間，並且第一基板與第二堤部可以彼此間隔開。

平坦化層可以覆蓋無機層的一端並設置成與第二堤部間隔開。

黏著層可以填滿第二堤部與平坦化層之間的間隔空間。

第一堤部可以包含：第一部分，連接到第二堤部；以及第二部分，其可以與第一部分間隔開，並設置成比第一部分更靠近主動區。

第一部分可以與無機層間隔開，黏著層可以填滿第一部分和無機層之間的間隔空間，並且無機層的一端可以從平坦化層的一端突出到外部。

平坦化層可以由丙烯酸材料構成，並且堤部可以由聚醯亞胺形成。

可以將第一基板的一端和無機層的一端設置在第二基板的一端的內側。

儘管已經參照所附圖式詳細描述了本發明的該些示例性實施例，但是本發明不限於此，並可以在不脫離本發明的技術構思的情況下以許多不同的形式來實施。因此，本發明的該些示例性實施例僅供說明用途並不旨在限制本發明的技術構思。本發明的技術範圍不限於此。因此，應當理解的是，上述示例性實施例在所有態樣都是說明性的，並且不限制本發明。本發明的保護範圍應當基於所附申請專利範圍來解釋，並且落入與申請專利範圍均等的範圍內的所有技術構思均包含在本發明的保護範圍內。

可以組合上述各個實施例以提供另外的實施例。本說明書中提及的及/或申請資料表中列出的所有美國專利、美國專利申請公開文獻、美國專利申請案、外國專利、外國專利申請案和非專利公開文獻均透過引用完整地併入本文中。如果需要採用各種專利、申請案和公開文獻的構思來提供進一步的實施例，則可以修改實施例的態樣。

有鑒於上述詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。一般而言，在所附申請專利範圍中，所使用的術語不應被解釋為將申請專利範圍限制於說明書和申請專利範圍中揭露的具體實施例，而被解釋為包含所有可能的實施例以及這些申請專利範圍所賦予的均等物的完整範圍。因此，申請專利範圍不受本發明的限制。

本申請主張於2022年8月18日向大韓民國專利廳所提交之韓國專利申請第10-2022-0103431號的優先權，其全文內容透過引用併入本文中。

100, 700, 800, 900, 1000, 1100:顯示裝置 101:第一基板 102:犧牲層 110, 1010:無機層 111, 1011:上緩衝層 112, 1012:閘極絕緣層 113, 1013:鈍化層 114, 814, 1014, 1114:平坦化層 115, 715, 815, 915, 1015, 1115:堤部 115a, 715a, 815a, 915a,1015a:第一堤部 115b, 715b, 815b,915b,1015b, 1115b:第二堤部 116, 1016:下緩衝層 120:像素單元 130, 730, 830, 930, 1030, 1130:黏著層 140:第二基板 150:偏光板 160:可撓性膜 170:印刷電路板 880:第一空間 915a-1:第一部分 915a-2:第二部分 AA:主動區 ACT1:第一主動層 ACT2:第二主動層 ACT3:第三主動層 AN:陽極 CA:陰極 CF:彩色濾光片 CFB:藍色濾光片 CFG:綠色濾光片 CFR:紅色濾光片 DE1:第一汲極電極 DE2:第二汲極電極 DE3:第三汲極電極 DL:資料線 DL1:第一資料線 DL2:第二資料線 DL3:第三資料線 DL4:第四資料線 DP:驅動電路 EL:發光層 GE1:第一閘極電極 GE2:第二閘極電極 GE3:第三閘極電極 GL:閘極線 LS:遮光層 N1:第一節點 N2:第二節點 NA:非主動區 OLED:發光二極體 RL:參考線 RLa:輔助參考線 SC:儲存電容器 SC1:第一電容器電極 SC2:第二電容器電極 SE1:第一源極電極 SE2:第二源極電極 SE3:第三源極電極 SL:感測線 SP:子像素 SPB:藍色子像素 SPG:綠色子像素 SPR:紅色子像素 SPW:白色子像素 SUB:臨時基板 TR1:第一電晶體 TR2:第二電晶體 TR3:第三電晶體 VDD:高電位電源線 VDDa:輔助高電位電源線 VSS:低電位電源線 W:寬度

透過以下結合所附圖式的詳細描述，將更清楚地理解本發明的上述和其他態樣、特徵以及其他優點，其中：圖1是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的平面圖；圖2是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的示意性剖面圖；圖3是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的子像素的電路圖；圖4是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的放大平面圖；圖5是沿圖4的V-V′線所截取的剖面圖；圖6A是用於解釋根據本發明示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；圖6B是根據本發明示例性實施例的顯示裝置的剖面圖；圖7A是用於解釋根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；圖7B是根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖；圖8A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；圖8B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖；圖9A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；圖9B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖；圖10A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；圖10B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖；圖11A是用於解釋根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖；以及圖11B是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置的剖面圖。

100:顯示裝置

101:第一基板

110:無機層

115:堤部

120:像素單元

130:黏著層

140:第二基板

150:偏光板

Claims

一種顯示裝置，包括：一第一基板，其包括包含複數個子像素的一主動區以及與該主動區相鄰的一非主動區；一無機層，設置在該第一基板上；一平坦化層，設置在該無機層上；一堤部，設置在該平坦化層上；一黏著層，設置在該無機層、該平坦化層以及該堤部上；以及一第二基板，設置在該黏著層上，其中，該堤部包含：一第一堤部，設置在與該第一基板重疊的區域中；以及一第二堤部，其包圍該第一堤部的一側表面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二堤部包圍該無機層、該平坦化層、以及該第一基板的一側表面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二堤部設置在與該第一基板同一水平面上，並位於該第一基板的橫向外側。
如請求項1所述的顯示裝置，進一步包括：一可撓性膜，設置在該第一基板上的該非主動區的一側，其中，該第二堤部設置在除了設置該可撓性膜的該側以外的一側部處的該非主動區中。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二堤部的一端與該黏著層的一端位於相同平面上，或者位於相對於該黏著層的該端的內側。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一堤部和該第二堤部具有不同的密度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二堤部包含一破裂部。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二堤部處於破碎的粉體聚集的狀態。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一堤部與該第二堤部一體形成。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一堤部與該第二堤部彼此間隔開。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該第二堤部與該第一基板及該無機層間隔開，並且該黏著層位於該第二堤部與該第一基板或該無機層中的一個或多個之間。
如請求項11所述的顯示裝置，其中，該第一基板與該第二堤部之間的距離為100 μm以下。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該第二堤部的一端設置在該平坦化層上，該第一堤部與該第二堤部彼此分開，該黏著層位於該第一堤部與該第二堤部之間，並且該第一基板與該第二堤部彼此間隔開。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該平坦化層覆蓋該無機層的一端，並與該第二堤部間隔開。
如請求項10所述的顯示裝置，其中，該第二堤部與該平坦化層彼此分開，並且該黏著層位於該第二堤部與該平坦化層之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一堤部包含：一第一部分，連接到該第二堤部；以及一第二部分，與該第一部分間隔開，並且比該第一部分更靠近該主動區。
如請求項16所述的顯示裝置，其中，該第一部分與該無機層間隔開，該黏著層位於該第一部分與該無機層之間，並且該無機層的一端突出超過該平坦化層的一端。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該平坦化層包含丙烯酸材料，並且該堤部包含聚醯亞胺。
一種顯示裝置，包括：一第一層，包含一透明導電氧化物或一氧化物半導體中的一種或多種；一第一堤部結構，位於該第一層上；一第二堤部結構，與該第一層的邊緣橫向相鄰，該第二堤部結構具有與該第一堤部結構相同的材料，該第二堤部結構的材料的密度低於該第一堤部結構的材料的密度；以及一第一黏著層，位於該第一堤部結構和該第二堤部結構上。
一種方法，包括：在一臨時基板上形成一犧牲層，該犧牲層的面積小於該臨時基板的面積；在該犧牲層上形成一第一層，該第一層包含一透明導電氧化物或一氧化物半導體中的一種或多種；在該第一層和該臨時基板上形成一堤部，該堤部與該第一層的一端及該犧牲層的一端橫向相鄰；在該堤部上方形成一黏著層；以及在形成該黏著層之後，使用雷射剝離製程去除該犧牲層和該臨時基板。