TW202409522A - 用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法 - Google Patents

用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202409522A
TW202409522A TW112117739A TW112117739A TW202409522A TW 202409522 A TW202409522 A TW 202409522A TW 112117739 A TW112117739 A TW 112117739A TW 112117739 A TW112117739 A TW 112117739A TW 202409522 A TW202409522 A TW 202409522A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical
pixels
pixel values
signal
measurement system
Prior art date
Application number
TW112117739A
Other languages
English (en)
Inventor
約翰 柯雷斯
克里斯 皮蘭特
安德魯 庫尼
Original Assignee
美商梅瑞堤儀器公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商梅瑞堤儀器公司 filed Critical 美商梅瑞堤儀器公司
Publication of TW202409522A publication Critical patent/TW202409522A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G01N21/274—Calibration, base line adjustment, drift correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2823—Imaging spectrometer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/444—Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G01J2003/2813—2D-array
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J2003/2866—Markers; Calibrating of scan
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J2003/2866—Markers; Calibrating of scan
    • G01J2003/2869—Background correcting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/127—Calibration; base line adjustment; drift compensation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Character Input (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)

Abstract

本發明提供用於藉由識別及特性化表示自一光學量測系統之一光學感測器收集之資料的電資料中之固定及瞬變信號進行對光學資料之經增進處理的特徵。在一個實例中，揭示一種光學量測系統，其包括：(1)一光學感測器之一像素區域，其具有儲存對應於一所接收光學信號之一電荷之多個像素；(2)一或多個減少照明區，其提供該光學感測器固有之信號位準；及(3)一或多個處理器，其經組態以在該系統之主動操作期間使用來自該一或多個減少照明區之該等信號位準之特性化調整來自該像素區域之該等像素之該等電荷之數位表示。

Description

用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法
本發明大體上係關於光譜學系統及使用方法，且更具體言之，係關於自半導體處理期間使用之成像及非成像光譜儀記錄之資料之經增進背景校正及校準。
半導體製程之光學監測為用於控制諸如蝕刻、沈積、化學機械拋光及植入之製程之公認的方法。光發射光譜學(OES)及干涉量測終點(IEP)為兩個基本類型之資料收集操作模式。在OES應用中，收集及分析自製程(通常係自電漿)發射之光，以識別及追蹤原子及分子物種之變化，該等變化指示被監測之製程之狀態或進展。在IEP應用中，通常自外部源(諸如閃光燈)供應光，且將光引導至工件上。在自工件反射後，有來源之光就承載呈工件之反射率之形式的資訊，該資訊指示工件之狀態。工件反射率之提取及模型化能實現對膜厚度及特徵大小/深度/寬度以及其他屬性之理解。
在一個態樣中，本發明提供一種光學量測系統。在一個實例中，該光學量測系統包括：(1)一光學感測器之一像素區域，其具有儲存對應於一所接收光學信號之一電荷之多個像素；(2)一或多個減少照明區，其提供該光學感測器固有之信號位準；及(3)一或多個處理器，其經組態以在該系統之主動操作期間使用來自該一或多個減少照明區之該等信號位準之特性化調整來自該像素區域之該等像素之該等電荷之數位表示。
本發明亦提供一種處理光學資料之方法。在一個實例中，該方法包括：(1)界定接收該光學資料之一光學感測器之一暗位準估計值；(2)自該光學感測器之主動像素收集主動像素值；(3)自該等主動像素值及該等暗位準估計值產生暗減除像素值；及(4)藉由基於該等暗減除像素值修改該等主動像素值來產生經校正主動像素值。
在又一態樣中，本發明提供一種電腦程式產品，其具有儲存在一非暫時性電腦可讀媒體上之一系列操作指令，該非暫時性電腦可讀媒體在一或多個處理器由其起始時指導該一或多個處理器執行操作以用於調整來自一光學感測器之一像素區域之像素之電荷之數位表示。在一個實例中，該等操作包括：(1)特性化來自該光學感測器之像素之信號位準，其中該等像素包括來自該光學感測器之一或多個減少照明區之像素；及(2)使用該等特性化調整該等電荷之數位表示。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張約翰科利斯(John Corless)等人於2022年5月13日申請之名為「用於光譜儀之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法(SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD FOR IMPROVED BACKGROUND CORRECTION AND CALIBRATION FOR SPECTROMETERS)」之美國臨時申請案第63/341,869號的權益，該美國臨時申請案與本申請案共同讓渡，且以全文引用之方式併入本文中。
在以下描述中，參考形成其部分之隨附圖式，且在隨附圖式中以圖示方式展示可實踐本發明之特定實施例。足夠詳細地描述此等實施例以使熟習此項技術者能夠實踐本發明，且應理解，可利用其他實施例。亦應理解，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可進行結構、程序及系統改變。因此，不應以限制性意義看待以下描述。為了解釋清楚起見，隨附圖式中展示之相同特徵以相同參考編號指示，且圖式中在替代實施例中展示之類似特徵以類似參考編號指示。本發明之其他特徵將自隨附圖式及以下詳細描述中顯而易見。應注意，出於繪示清晰之目的，圖式中之某些元件可能並非按比例繪製。
半導體製程朝向更快製程、更小特徵大小及更複雜結構之不斷進步對製程監測技術提出了很高的要求。舉例而言，需要更高的資料速率來在非常薄的層上準確監測更快的蝕刻速率，其中以埃(幾個原子層)計之變化諸如對於場效電晶體(FinFET)及3D NAND結構而言至關重要。在許多情況下，OES及IEP方法均需要更寬的光學頻寬及更大的信雜比，以幫助偵測反射率、光發射或此兩者之微小變化。隨著製程設備本身變得更加複雜及昂貴，成本及封裝大小亦面臨著持續的壓力。所有此等要求都尋求提高半導體製程之光學監測效能。無論係OES抑或IEP方法，許多光學監測系統之重要組件都為量測裝置或系統，諸如光譜儀，以及其將所接收光學資料一致且準確地轉換為電資料以控制及監測半導體製程的能力。
因此，本文中揭示藉由識別及特性化表示自光學量測系統內之光學感測器收集之資料的電資料中之固定及瞬變信號來提供對光學資料之經增進處理的製程、系統及設備。自光學感測器收集之電資料通常可包括來自入射光之轉換的光學資料及在感測器或其他系統組件內部產生之並非源於入射光的非光學資料。由於非光學資料不指示正監測之製程，因此需要此特定資料應儘可能穩定且最小化以避免所監測製程之不當特性化。經增進處理亦可包括在類比或數位信號域中修改電信號或與電信號相關聯之資料，以提供光學資料之更真實表示，以及隔離與例如非光學資料相關聯之信號位準的不同類型之變化。經增進處理可用於更準確地監測半導體製程。
特定地關於監測及評估製程工具內之半導體製程之狀態， 圖 1繪示利用OES及/或IEP來監測及/或控制半導體製程工具110內之電漿或非電漿製程之狀態之製程系統100的方塊圖。半導體製程工具110，或簡單地為製程工具110，通常將晶圓120及可能的製程電漿130圍封在室135之通常部分抽空的容積中，該室可包括各種製程氣體。製程工具110可包括或簡稱為介面之一或多個光學介面140、141及142以准許在各種位置及定向對室135內進行觀測。介面140、141及142可包括多種類型之光學元件，諸如但不限於濾光器、透鏡、窗口、孔隙、光纖等。
對於IEP應用，光源150可直接或經由光纖纜線總成153與介面140連接。如此組態中所展示，介面140垂直於晶圓120之表面定向，且通常相對於該晶圓居中。來自光源150之光可以準直光束155之形式進入室135之內部容積。光束155自晶圓120反射後就可再次由介面140接收。在常見應用中，介面140可為光學準直儀。在由介面140接收之後，光可經由光纖纜線總成157傳送至光學量測系統160以用於偵測及轉換成數位信號。光學量測系統160可包括或可為光譜儀。如圖1中所指示，光譜儀將在本文中用作可用於將光轉換為電信號之光學量測系統之實例。光學量測系統之其他實例包括固定或掃描單色器以及具有或不具有波長濾波之單一或多個二極體偵測器。光可包括有來源之光及偵測到之光，且可包括例如自深紫外線(DUV)至近紅外線(NIR)之波長範圍。所關注波長可選自波長範圍之任何子範圍。對於較大的基板或在需要理解晶圓非均一性的情況下，可使用與晶圓120垂直定向之額外光學介面( 圖 1中未展示)。處理工具110亦可包括定位在不同位置以用於其他監測選項之額外光學介面。
對於OES應用，介面142可經定向以收集來自電漿130之光發射。介面142可簡單地為視埠，或可另外包括其他光學件，諸如透鏡、反射鏡及光學波長濾波器。光纖纜線總成159可將任何收集之光引導至光譜儀160以用於偵測及轉換為數位信號。光譜儀160可包括CCD感測器及轉換器，諸如 圖 2之CCD感測器200及轉換器250，以用於偵測及轉換。可單獨或並行使用多個介面來收集OES相關光學信號。舉例而言，介面141可經定位以收集來自晶圓120表面附近之發射，而介面142可經定位以檢視電漿130之主體，如 圖 1中所展示。
在許多半導體處理應用中，常見的是對OES及IEP光學信號進行收集，且此收集給使用光譜儀160帶來了多個問題。通常，OES信號在時間上係連續的，而IEP信號可能在時間上係連續的或離散的。此等信號之混合造成了許多困難，此係因為製程控制通常需要偵測OES及IEP信號中之微小變化，且任一信號中之固有變化可掩蓋對另一信號中之變化的觀測。由於例如信號定時同步、校準及封裝之成本、複雜性、不便性，支援用於每種信號類型之多個光譜儀係不利的。
在光譜儀160偵測且將所接收光學信號轉換為類比電信號之後，類比電信號通常在光譜儀160之子系統內被放大及數位化，且傳送至信號處理器170。信號處理器170可為例如工業PC、PLC或其他系統，其使用一或多個演算法來產生輸出180，諸如表示特定波長之強度或兩個波長帶之比率的類比或數位控制值。代替單獨裝置，信號處理器170可替代地與光譜儀160整合。信號處理器170可使用OES演算法，該OES演算法分析預定波長之發射強度信號且判定與製程狀態相關之趨勢參數，且可用於存取該狀態，例如終點偵測、蝕刻深度等。對於IEP應用，信號處理器170可使用分析光譜之寬頻寬部分以判定膜厚度的演算法。舉例而言，參見以引用之方式併入本文中的美國專利7,049,156「用於膜厚度及溝槽深度之原位監測及控制之系統及方法(System and Method for In-situ Monitor and Control of Film Thickness and Trench Depth)」。輸出180可經由通信鏈路185傳送至製程工具110，以用於監測及/或修改製程工具110之室135內發生的生產製程。
為了方便起見， 圖 1中所繪示及描述之組件被簡化，且眾所周知。除了常見功能之外，光譜儀160或信號處理器170亦可經組態以識別光學及非光學信號之固定及瞬變變化，且根據本文中揭示之方法及/或特徵來處理此等信號。因而，光譜儀160或信號處理器170可包括演算法、處理能力及/或邏輯以識別及處理固定及瞬變光學及非光學信號。演算法、處理能力及/或邏輯可呈硬體、軟體、韌體或其任何組合之形式。演算法、處理能力及/或邏輯可在一個計算裝置內，或亦可分佈在諸如光譜儀160及信號處理器170之多個裝置上。因此，一或多個處理器可經組態以執行識別及處理。該處理可包括使用來自光學感測器之一或多個減少照明區之信號位準之特性化調整來自光學感測器像素區域之像素之電荷之數位表示。光學感測器可為光譜儀160之部分。光學感測器可為諸如圖2中表示之電荷耦合裝置(CCD)感測器。
圖 2為大體上描繪習知面CCD感測器200之功能元件的示意圖。感測器200通常包括主動像素區域210，該主動像素區域可被劃分為個別像素之陣列，諸如1024(H) × 122(V)，就如日本濱松(Hamamatsu of Japan)之S7031 CCD感測器中那樣。感測器200可與光譜儀(諸如圖1之光譜儀160)整合，或與另一類型之光學量測系統一起使用。為了定義及清晰起見，應注意，本文中在提及光學感測器時使用之「水平」及「豎直」分別係指所論述之光學感測器之長實體軸及短實體軸。在光譜學應用中，通常光學感測器之長/水平軸與波長色散之定向對準，而短/豎直軸與界定之光源或照明孔隙(諸如光纖或光學狹縫)之成像或收集相關聯。
感測器200亦包括接近像素區域210之水平移位暫存器220。諸如來自光纖纜線總成157或159的在感測器200上積分之光學信號係通常經由將像素區域210之各像素中儲存的電荷如箭頭230所指示豎直移位至水平移位暫存器220中來讀取。主動像素區域210之全部或部分可按逐列方式如此移位。在豎直移位之後，可如箭頭240所指示執行水平移位。當水平移位暫存器220之各像素被移位(朝向 圖 2中之頂部)時，其信號內容可由轉換器250自類比信號基礎轉換至數位信號基礎，例如自類比電信號轉換至數位電信號。所得數位資料之後續處置及處理可在光譜儀內部或外部(諸如在信號處理器170中)發生，且可包括求平均值、曲線擬合、臨限值偵測、濾波及諸如本文中所描述之其他數學操控。
感測器200可進一步包括非照明或部分照明元件之一或多個減少照明區，諸如移位暫存器元件260及261以及像素區域元件270、271及272。通常，元件260及261可被稱作「空白」像素，且元件270、271及272可被稱作「斜面」像素。此等區或元件中之一或多者可包括在感測器200內且提供感測器200固有之信號位準。該等信號位準可為非光學信號位準。非光學信號可通常包括信號偏移、信號瞬變及由溫度或其他非光學因素驅動的其他形式之信號變化。
圖 3A 及圖 3B提供光學及非光學信號資料之上下文以及本文中所描述的用於處理光學及非光學信號之方法。 圖 3A及 圖 3B中之各者繪示自光譜儀收集之信號的曲線圖。各曲線圖具有以實體像素為單位(通常為非均一間隔之波長單位)之x軸及以信號計數為單位之y軸。 圖 3A繪示自光譜儀之感測器上之入射光導出之典型OES光學信號(光譜) 320的曲線圖300。光譜320展示分子(例如接近400 nm之寬頻結構)及原子發射(例如貫穿整個時期之窄峰)兩者之典型特徵。 圖 3B繪示自同一感測器收集之非光學信號導出之背景信號360的曲線圖350。藉由比較 圖 3A 及 圖 3B可容易觀測到，若不去除背景信號360，則其可對光譜320提供顯著修改。舉例而言，背景信號360之平均位準為大約2080個計數，而光譜320之平均信號位準為大約5000個計數。另外，背景信號360包括在像素1與100之間發生的可解譯為光譜特徵之特徵。背景信號(或光譜) 360及其中之任何特徵之平均值之靜態值及時間演變可能導致對特徵之誤解或相關聯光譜(諸如光學信號320)之變化，從而導致半導體製程控制錯誤。對於最先進的半導體製程，控制偵測臨限值可能接近或低於百分之幾，且可能容易被非光學背景信號之變化所掩蔽。
圖 4繪示曲線圖400，其指示自非光學信號導出之背景信號可如何受感測器(諸如感測器200)之操作溫度及取樣頻率影響。曲線圖400具有以實體像素為單位(通常為非均一間隔之波長單位)之x軸及以信號計數為單位之y軸。運用以2 ms之取樣週期或等效地以每秒500個光譜之取樣速率以及分別在0攝氏度及40攝氏度之環境溫度下操作的感測器收集信號410及420。信號410及420基本上不可區分，且其特徵為幾乎相同的平均信號位準以及幾乎相同的像素數目變化。
自與信號410及420相同但以100 ms之取樣週期或等效地以每秒10個光譜之取樣速率以及分別在0攝氏度及40攝氏度之環境溫度下操作的感測器收集信號430及440。信號430及440可容易區分，且其特徵為大約30個計數之平均信號位準變化以及像素數目變化之多個差異以及變化之RMS雜訊位準。此表明，較好的是以2 ms之取樣週期操作感測器，但此係不實際的，此係因為取樣週期取決於諸如入射光量之因素。對於相對極高的入射光位準，2 ms之取樣週期可能係合適的，但對於明顯較低的入射光位準，需要更長的取樣週期來獲得合適的信號位準及信雜比。
圖 5A 及圖 5B為一組曲線圖500及550，其進一步詳述對由取樣頻率及熱變化影響之背景信號之瞬變效應。曲線圖500具有以樣本數目計之x軸(其可與每樣本之時間增量相關聯)及信號計數單位之y軸。曲線圖500繪示由2 ms之預定固定閒置時間取樣週期與實際製程信號收集週期期間使用之取樣週期之間的取樣速率變化所驅動的背景信號變化。信號510具有2 ms之製程取樣週期，且因此未指示瞬變行為，此係因為閒置時間速率及實際速率相等。信號520具有10 ms之製程取樣週期且指示瞬變行為，此係因為閒置時間速率及實際速率不同。對於信號530，將取樣週期增加至100 ms，且觀測到瞬變行為之更大增加。由於常見的做法係在處理期間更深一步利用所收集之資料之最早部分(樣本)作為參考值，因此諸如曲線圖500中所展示之瞬變的瞬變可能對製程控制有害。瞬變之可變性可不利地影響處理參數，諸如基線及臨限值。作用中狀態(其中為了製程控制而發生正在進行的信號收集及處理)與閒置狀態(其中在等待起始製程控制之收集時可更改或暫停信號收集及處理)之間的變化可歸因於改變去往感測器之電流的不同讀取頻率，此會改變熱環境且導致各個組件中之移位偏移。
曲線圖 550繪示熱驅動瞬變及其對取樣週期之相依性。曲線圖550具有以時間為單位之x軸及以信號計數為單位之y軸。信號560及570分別為來自以2 ms取樣週期操作之光學感測器之空白像素及主動像素之平均值的時間趨勢。對於此操作條件，基本上沒有觀測到瞬變，但可容易觀測到偏移。信號580及590分別為來自以100 ms取樣週期操作之光學感測器之空白像素及主動像素之平均值的時間趨勢。對於此操作條件，觀測到大約10秒之瞬變以及信號位準之偏移。諸如曲線圖550中所展示之瞬變及偏移的瞬變及偏移可源自光學感測器及相關聯熱電冷卻器之功率使用變化以及感測器對周圍環境之後續再熱化。由於常見的做法係在處理期間更深一步利用所收集之資料之最早部分(樣本)作為參考值，因此此等類型之偏差可能對製程控制有害。瞬變之可變性可不利地影響處理參數，諸如基線及臨限值。
圖 6為用於自光學感測器讀取光譜資料且藉由對彼等信號應用背景校正及校準以處理光譜資料來解決本文中所論述之瞬變、偏移及其他信號變化之方法600之實例的流程圖。舉例而言，處理光譜資料以適應圖4中表示之偏移/形狀以及圖5A及圖5B中表示之瞬變。方法600特性化來自至少一些減少照明區之信號位準及變化，且使用該等特性化來調整來自光學感測器之主動像素之光譜資料之數位表示。方法600可由一或多個處理器執行，且可在光學感測器或包括該光學感測器之光學量測系統之主動操作期間即時執行。舉例而言，方法600可由光譜儀160、信號處理器170或其組合執行。方法600以初始化步驟610、620及630起始，該等初始化步驟可在閒置時間期間以2 ms速率且在主動收集時間期間以其他速率重複地執行，其亦被稱為如上文所指出之主動操作。閒置時間為在期間光譜儀並未主動地收集用於製程控制及/或製程監測之光學資料的彼等週期。在步驟610期間，可自感測器收集來自各區之像素(減少照明像素)之值。如上文結合 圖 2所論述，各種感測器可包括多個減少照明像素，諸如空白像素及/或斜面像素。若減少照明像素僅與移位暫存器元件相關聯，則通常可存在且讀取4至20個減少照明像素。在收集之後且在步驟620期間，可自減少照明像素值中選擇中值或其他數學值(例如平均值或其他更複雜的數學導出值)。隨著閒置時間期間之循環計數增加，可在步驟630期間計算在步驟620期間選擇之值之運行平均值。
一旦已進入光譜儀之主動收集狀態，就可在步驟640期間界定暗位準估計值。自感測器之亦被稱為暗像素之減少照明像素判定暗位準估計值，且該暗位準估計值亦可包括來自感測器之主動區之資料。暗位準估計值可能受到作用中狀態及閒置狀態之組態之間的類似性或差異的影響。舉例而言，在各狀態之間，取樣週期、溫度或其他屬性可不同。在閒置狀態及作用中狀態之組態相同的特定實例中，暗位準估計值可等於在步驟630期間判定之運行平均值。在閒置狀態與作用中狀態之間出現差異的情況下，在步驟620期間選擇之值可等於在步驟640期間之暗位準估計值，其中有可能繞過運行平均值且自作用中狀態操作選擇當前值。在圖6中，使用步驟630之運行平均值之選項由指示製程步驟開關之箭頭之位置表示。使用來自步驟620之數學表示，來自步驟630之運行平均值或甚至為另一表示或計算可經預定且實施，或可由處理器即時判定。用於考慮使用哪一選項之因素可為熱特性、取樣速率、作用中狀態及閒置狀態之其他屬性，或其組合。除上文描述之特定實例外，暗位準估計值之其他值可藉由對空白像素值之數學運算產生。暗位準估計值可對應於光譜儀之暗光譜，該暗光譜為在沒有光撞擊光學感測器的情況下獲得的光譜。
在步驟650中之主動收集期間，可收集主動像素值。在收集之後，主動像素值可在數學上與來自步驟640之暗位準估計值組合以在步驟660中提供暗減除像素。主動像素值與暗位準估計值之數學組合可為如自主動像素值減去暗位準估計值中之簡單組合，或可包括額外操控。
來自步驟650之主動像素值亦可與在步驟670期間判定之預定飽和度臨限值一起進行處理，以在步驟675期間提供對主動像素值集合(通常為1024或2048個值之陣列)內之飽和像素值之偵測。飽和度臨限值可為被界定為使得處於或高於此值之主動像素值可能受到飽和度、非線性效能或其他非期望變化影響的像素值。在步驟675期間偵測飽和像素會產生在步驟678中界定之飽和度遮罩。飽和度遮罩可由二進位陣列表示，對於各陣列索引，該二進位陣列指示對應於主動像素值飽和或不飽和的真值或假值。
寬頻校準向量可在步驟680中預定。感測器至感測器(或光譜儀至光譜儀)一致性很重要；因此製程監測應相同。但各處理機器包括不同組件且因此包括不同靈敏度。因此，680之寬頻校準向量僅需要應用於實際光信號。因此，在寬頻校準之前，諸如藉由應用寬頻校準向量，自步驟650之主動像素值中減去步驟640之暗位準估計值，以獲得步驟660之暗減除像素值。寬頻校準向量或其值可與步驟660之暗減除像素值組合以提供各像素之強度校正值。
可藉由在步驟682期間預定之均一增益值之應用來進一步調整強度校正值。增益因子通常為純量值，例如1.5，其應用於所有資料以提供對光學感測器之輸入處的相同量之入射光的一致回應。增益有助於補償光學感測器及其他光譜儀組件之不一致回應。在增益調整之後，可將預定的經設計暗位準值與所有像素值相加以在步驟685期間提供像素值相對於零值之適當偏移。預定的經設計暗位準值可基於步驟640之暗位準估計值。在已將信號位準修改應用於修改或校正主動像素值之後，可在步驟687期間將先前判定之飽和度遮罩應用於經校正主動像素值，以產生經調整主動像素值。飽和度遮罩之應用適當地重作可能已藉由方法600之任何先前步驟調整之飽和信號，諸如任何飽和信號。在應用飽和度遮罩之後，在步驟690期間，可將像素資料內插至經調整主動像素值之均一波長空間表示中。然後在步驟695期間輸出經調整主動像素值之均一波長空間表示以供進一步使用。舉例而言，經調整主動像素值可被提供至信號處理器170，且用於監測或修改生產製程。
製程600可有利地用於多組特徵，諸如但不限於1)提供獨立於基線偏移之寬頻輻射量測校正方法之整合、2)提供降低溫度靈敏度之背景校正(空白像素跟隨具有溫度漂移之主動像素)，及3)提供背景校正，該背景校正不會將雜訊添加至背景位準且避免由於CCD內之自加熱及冷卻而引起的基線位準瞬變。製程600可特別適用於低暗電流系統(亦即，熱電(TE)冷卻裝置，其中一般而言，暗電流較低，且通常使用較短的積分時間，因此，暗電流可具有有限影響)，其中環境溫度變化為基線偏移及瞬變變化之主要起因之一。
圖 7為根據本發明之一個實施例的包括光譜儀710及特定相關系統之光學系統700的方塊圖。光譜儀710可結合本文中揭示之系統、特徵及方法以利於量測來自半導體製程之光學信號，且可與 圖 1之光譜儀160相關聯。光譜儀710可諸如經由光纖纜線總成157或159自外部光學件730接收光學信號，且可在積分及轉換之後將資料發送至外部系統720，諸如圖1之輸出180，該等外部系統亦可用於藉由諸如選擇如本文中所界定之操作模式或控制積分定時來控制光譜儀710。光譜儀710可包括光學介面740，諸如超小型總成(SMA)或套接管連接器(FC)光纖連接器或其他光學機械介面。諸如狹縫、透鏡、濾波器及光柵之其他光學組件745可用於形成、導引及色度分離所接收光學信號，且將其引導至感測器750以進行積分及轉換。感測器750可與 圖 2之感測器200相關聯。感測器750之低級別功能可由諸如FPGA 760及處理器770之元件控制。在光電轉換之後，類比信號可被引導至A/D轉換器780，且自電類比信號轉換為電數位信號，其隨後可被儲存在記憶體790中以供立即或以後使用及傳輸，諸如傳輸至外部系統720 (參看 圖 1之信號處理器170)。儘管某些介面及關係由箭頭指示，但並非所有互動及控制關係都在 圖 7中指示。 圖 3 至 圖 5B中展示之光譜資料可例如根據 圖 6之製程600且在記憶體/儲存器790、FPGA 760、處理器770及/或外部系統720中之一或多者內/由其中之一或多者收集、儲存及/或作用。光譜儀710亦包括電源供應器795，該電源供應器可為通常與光譜儀一起包括之習知AC或DC電源供應器。
圖 8繪示可在本文中所揭示之製程中用於諸如識別光譜資料中之信號且處理該等信號之計算系統800。計算裝置800可為光譜儀或光譜儀之一部分，諸如本文中揭示之光譜儀160或710。計算裝置800可包括至少一個介面832、記憶體834及處理器836。介面832包括必要的硬體、軟體或其組合以接收例如原始光譜資料且傳輸例如經處理光譜資料。
介面832之一部分亦可包括用於傳達類比或數位電信號之必要的硬體、軟體或其組合。介面832可為根據諸如標準協定或專屬協定(例如介面832可支援I2C、USB、RS232、SPI或MODBUS)之協定經由各種通信系統、連接、匯流排等通信的習知介面。
記憶體834經組態以儲存與計算裝置800相關之各種軟體及數位資料態樣。另外，記憶體834經組態以儲存對應於一演算法或多個演算法之一系列操作指令，該或該等演算法在處理器836被起始時指導該處理器之操作以例如識別光譜資料中之異常信號且處理經識別異常信號。製程600及其變化形式為演算法之代表性實例。處理可包括移除或修改信號資料或不同動作。舉例而言，處理器836可識別及特性化背景信號或自非光學信號導出之信號，且將背景校正及校準應用於背景信號。記憶體834可為非暫時性電腦可讀媒體(例如快閃記憶體及/或其他媒體)。處理器836經組態以指導計算裝置800之操作。因而，處理器836包括必要的邏輯以與介面832及記憶體834通信，且執行本文中所描述之功能以識別及處理光譜資料中之異常信號。
上述設備、系統或方法之一部分可體現在各種諸如習知的數位資料處理器或電腦中或由其執行，其中電腦被程式化或儲存軟體指令序列之可執行程式，以執行方法之一或多個步驟。此類程式或程式碼之軟體指令可表示演算法，且以機器可執行形式編碼在非暫時性數位資料儲存媒體上，例如磁碟或光碟、隨機存取記憶體(RAM)、磁硬碟、快閃記憶體及/或唯讀記憶體(ROM)，以使各種類型之數位資料處理器或電腦能夠執行本文中所描述之一或多個上述方法之步驟、功能、系統或設備中之一者、多者或全部。
所揭示之實施例之部分可關於具有非暫時性電腦可讀媒體之電腦儲存產品，該等電腦儲存產品上具有用於執行各種電腦實施操作之程式碼，該等電腦實施操作體現本文中所闡述之設備、裝置之一部分或執行本文中所闡述之方法之步驟。本文中使用之非暫時性係指除了暫時的傳播信號之外的所有電腦可讀媒體。非暫時性電腦可讀媒體之實例包括但不限於：磁性媒體，諸如硬碟、軟碟及磁帶；光學媒體，諸如CD-ROM碟；磁光媒體，諸如光磁碟；以及經專門組態以儲存及執行程式碼之硬體裝置，諸如ROM及RAM裝置。程式碼之實例包括諸如由編譯程式產生之機器程式碼以及含有可由電腦使用解譯程式執行之高層級程式碼之文件兩者。經組態意謂例如運用必要的邏輯、演算法、處理指令及/或特徵而經設計、建構或程式化以執行一任務或多個任務。
在不脫離本發明之範疇的情況下，可在本文中所描述之光學量測系統及子系統中進行上文所描述之變化等。舉例而言，儘管結合半導體晶圓處理設備描述某些實例，但可理解，本文中描述之光學量測系統可適於其他類型之處理設備，諸如卷輪式薄膜處理、太陽能電池製造，或可能需要高精度光學量測之任何應用。此外，儘管本文中所論述之某些實施例描述諸如成像攝譜儀之普通光分析裝置之使用，但應理解，可利用具有已知相對靈敏度之多個光分析裝置。此外，儘管在描述本發明之各態樣時在本文中使用術語「晶圓」，但應理解，可使用其他類型之工件，諸如石英板、相移遮罩、LED基板及其他非半導體處理相關基板以及工件，包括固體、氣體及液體工件。
選擇及描述本文中所描述之實例係為了最好地解釋本發明之原理及實際應用，且使熟習此項技術者能夠理解本發明用於具有適合於預期的特定用途之各種修改的各種應用。本文中描述之特定實例絕非意欲限制本文中揭示之特徵之範疇，此係因為本發明可在不脫離其範疇及意圖的情況下在各種變化形式及環境中實踐。因此，本發明並非意欲限於所繪示之實例，而應被賦予與本文中所描述之原理及特徵一致的最廣泛範疇。
圖中之流程圖及方塊圖繪示根據本發明之各種實施例之系統、方法及電腦程式產品之可能實施方案的架構、功能性及操作。就此而言，流程圖或方塊圖中之各區塊可表示模組、區段或程式碼之部分，其包含用於實施指定邏輯功能之一或多個可執行指令。亦應注意，在一些替代實施方案中，區塊中標註之功能可不按圖中標註之次序發生。舉例而言，取決於所涉及之功能性，連續展示之兩個區塊實際上可實質上同時執行，或該等區塊有時可按相反次序執行。亦應注意，方塊圖及/或流程圖圖示中之各區塊以及方塊圖及/或流程圖圖示中之區塊之組合可由基於專用硬體之系統實施，該等系統執行指定功能或動作或專用硬體及電腦指令之組合。
本文中所使用之術語僅出於描述特定實施例之目的，且並不意欲限制本發明。如本文中所使用，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一」及「該」意欲亦包括複數形式。應進一步理解，術語「包含」在用於本說明書中時指定所陳述之特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。
熟習此項技術者應瞭解，本發明可體現為方法、系統或電腦程式產品。因此，本發明可呈完全硬體實施例、完全軟體實施例(包括韌體、常駐軟體、微碼等)或組合軟體與硬體態樣之實施例的形式，一般全部在本文中被稱為「電路」或「模組」。此外，本發明可呈電腦可用儲存媒體上之電腦程式產品的形式，該電腦可用儲存媒體具有體現在該媒體中之電腦可用程式碼。
可主張本發明之各個態樣，包括本文中所揭示之設備、系統及方法。本文中揭示且在發明內容中指出之各態樣包括：
A. 一種光學量測系統，其包含：(1)一光學感測器之一像素區域，其具有儲存對應於一所接收光學信號之一電荷之多個像素；(2)一或多個減少照明區，其提供該光學感測器固有之信號位準；及(3)一或多個處理器，其經組態以在該系統之主動操作期間使用來自該一或多個減少照明區之該等信號位準之特性化調整來自該像素區域之該等像素之該等電荷之數位表示。
B. 一種處理光學資料之方法，其包含：(1)界定接收該光學資料之一光學感測器之一暗位準估計值；(2)自該光學感測器之主動像素收集主動像素值；(3)自該等主動像素值及該等暗位準估計值產生暗減除像素值；及(4)藉由基於該等暗減除像素值修改該等主動像素值來產生經校正主動像素值。
C. 一種電腦程式產品，其具有儲存在一非暫時性電腦可讀媒體上之一系列操作指令，該非暫時性電腦可讀媒體在一或多個處理器由其起始時指導該一或多個處理器執行操作以用於調整來自一光學感測器之一像素區域之像素之電荷之數位表示，該等操作包含：(1)特性化來自該光學感測器之像素之信號位準，其中該等像素包括來自該光學感測器之一或多個減少照明區之像素；及(2)使用該等特性化調整該等電荷之數位表示。
態樣A、B及C中之各者可具有呈組合形式之以下額外要素中之一或多者：要素1：其中該一或多個減少照明區包括空白像素、斜面像素或此兩者之一組合。要素2：其中該一或多個減少照明區包括未被該所接收光學信號照明的該像素區域之像素。要素3：其中該等特性化中之各者對應於該等信號位準之多個不同類型之變化中之一者。要素4：其中該多個不同類型之該等變化對應於非光學信號。要素5：其中該多個不同類型之該等變化包括信號偏移或信號瞬變中之至少一者。要素6：其中該多個不同類型之該等變化包括由溫度、取樣頻率或其他非光學因素驅動之信號變化。要素7：其中該多個不同類型之該等變化包括熱飽和度。要素8：其中該一或多個處理器進一步經組態以根據與該像素區域之該等像素中之一或多者相關聯的至少一個變化而調整來自該等像素之該等電荷之該等數位表示。要素9：其中該光學量測系統包括一光譜儀。要素10：其中該一或多個處理器中之至少一者與該光譜儀整合。要素11：其中該一或多個處理器中之至少一者在該光譜儀外部。要素12：其中該一或多個處理器進一步經組態以提供該等特性化。要素13：其中產生該等經校正主動像素值包括基於該等暗減除像素值提供該等主動像素值之強度校正值。要素14：其進一步包含應用一寬頻校準向量以用於處理該光譜資料，其中該等強度校正值為來自該寬頻校準向量之值與該等暗減除像素值之一組合。要素15：其進一步包含使用一飽和度臨限值偵測該等主動像素內之飽和像素，基於該等飽和像素產生一飽和度遮罩，及藉由將該飽和度遮罩應用於該等經校正主動像素值來產生經調整主動像素值。要素16：其進一步包含使用內插將該等經調整主動像素值提供為一均一波長空間表示。要素17：其中產生該等經校正主動像素值進一步包括藉由應用一均一增益值來修改該等主動像素值。要素18：其中產生該等經校正主動像素值進一步包括將一經設計暗位準值提供至該等經校正主動像素值。要素19：其中該特性化包括界定該光學感測器之一暗位準估計值。要素20：其中該暗位準估計值係基於來自該一或多個減少照明區之像素之該等信號位準之一運行平均值。要素21：其中該暗位準估計值係基於來自該一或多個減少照明區之像素之該等信號位準之一數學表示。要素22：其中該特性化包括使用經設計暗位準值。
100:製程系統 110:半導體製程工具 120:晶圓 130:製程電漿 135:室 140:光學介面 141:光學介面 142:光學介面 150:光源 153:光纖纜線總成 155:準直光束 157:光纖纜線總成 159:光纖纜線總成 160:光學量測系統/光譜儀 170:信號處理器 180:輸出 185:通信鏈路 200:CCD感測器 210:主動像素區域 220:水平移位暫存器 230:箭頭 240:箭頭 250:轉換器 260:移位暫存器元件 261:移位暫存器元件 270:像素區域元件 271:像素區域元件 272:像素區域元件 300:曲線圖 320:OES光學信號/光譜 350:曲線圖 360:背景信號 400:曲線圖 410:信號 420:信號 430:信號 440:信號 500:曲線圖 510:信號 520:信號 530:信號 550:曲線圖 560:信號 570:信號 580:信號 590:信號 600:方法/製程 610:步驟 620:步驟 630:步驟 640:步驟 650:步驟 660:步驟 670:步驟 675:步驟 678:步驟 680:步驟 682:步驟 685:步驟 687:步驟 690:步驟 695:步驟 700:光學系統 710:光譜儀 720:外部系統 730:外部光學件 740:光學介面 745:光學組件 750:感測器 760:FPGA 770:處理器 780:A/D轉換器 790:記憶體/儲存器 795:電源供應器 800:計算系統/計算裝置 832:介面 834:記憶體 836:處理器
現在參考結合隨附圖式之以下描述，在隨附圖式中：
圖 1為用於使用OES及/或IEP監測及/或控制半導體製程工具內之電漿或非電漿製程之狀態之系統的方塊圖；
圖 2為大體上描繪典型面CCD感測器之功能元件的示意圖；
圖 3A為根據本發明之原理的由所收集光之轉換產生之典型OES光學信號(光譜)的曲線圖；
圖 3B為根據本發明之原理的由非光學信號源之發生產生之背景信號之實例的曲線圖；
圖 4為根據本發明之原理的指示背景信號可如何受操作溫度及取樣頻率影響的曲線圖；
圖 5A 及圖 5B為根據本發明之原理的詳述對由取樣頻率及熱變化影響之背景信號之瞬變效應的一組曲線圖；
圖 6為根據本發明之原理的自CCD裝置讀取光譜資料且藉由將背景校正及校準應用於彼等信號而處理光譜資料之實例方法的流程圖；
圖 7為根據本發明之原理之光譜儀及特定相關系統的方塊圖；且
圖 8繪示根據本發明之原理的經組態以將背景校正及校準應用於光譜資料之計算系統之實例的方塊圖。
600:方法/製程
610:步驟
620:步驟
630:步驟
640:步驟
650:步驟
660:步驟
670:步驟
675:步驟
678:步驟
680:步驟
682:步驟
685:步驟
687:步驟
690:步驟
695:步驟

Claims (25)

  1. 一種光學量測系統，其包含： 一光學感測器之一像素區域，其具有儲存對應於一所接收光學信號之一電荷之多個像素； 一或多個減少照明區，其提供該光學感測器固有之信號位準；及 一或多個處理器，其經組態以在該系統之主動操作期間使用來自該一或多個減少照明區之該等信號位準之特性化調整來自該像素區域之該等像素之該等電荷之數位表示。
  2. 如請求項1之光學量測系統，其中該一或多個減少照明區包括空白像素、斜面像素或此兩者之一組合。
  3. 如請求項1之光學量測系統，其中該一或多個減少照明區包括未被該所接收光學信號照明的該像素區域之像素。
  4. 如請求項1之光學量測系統，其中該等特性化中之各者對應於該等信號位準之多個不同類型之變化中之一者。
  5. 如請求項4之光學量測系統，其中該多個不同類型之該等變化對應於非光學信號。
  6. 如請求項4之光學量測系統，其中該多個不同類型之該等變化包括信號偏移或信號瞬變中之至少一者。
  7. 如請求項4之光學量測系統，其中該多個不同類型之該等變化包括由溫度、取樣頻率或其他非光學因素驅動之信號變化。
  8. 如請求項4之光學量測系統，其中該多個不同類型之該等變化包括熱飽和度。
  9. 如請求項1之光學量測系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以根據與該像素區域之該等像素中之一或多者相關聯的至少一個變化而調整來自該等像素之該等電荷之該等數位表示。
  10. 如請求項1之光學量測系統，其中該光學量測系統包括一光譜儀。
  11. 如請求項10之光學量測系統，其中該一或多個處理器中之至少一者與該光譜儀整合。
  12. 如請求項10之光學量測系統，其中該一或多個處理器中之至少一者在該光譜儀外部。
  13. 如請求項1之光學量測系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以提供該等特性化。
  14. 一種處理光學資料之方法，其包含： 界定接收該光學資料之一光學感測器之一暗位準估計值； 自該光學感測器之主動像素收集主動像素值； 自該等主動像素值及該等暗位準估計值產生暗減除像素值；及 藉由基於該等暗減除像素值修改該等主動像素值來產生經校正主動像素值。
  15. 如請求項14之處理光譜資料之方法，其中產生該等經校正主動像素值包括基於該等暗減除像素值提供該等主動像素值之強度校正值。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包含應用一寬頻校準向量以用於處理該光譜資料，其中該等強度校正值為來自該寬頻校準向量之值與該等暗減除像素值之一組合。
  17. 如請求項14之方法，其進一步包含使用一飽和度臨限值偵測該等主動像素內之飽和像素，基於該等飽和像素產生一飽和度遮罩，及藉由將該飽和度遮罩應用於該等經校正主動像素值來產生經調整主動像素值。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含使用內插將該等經調整主動像素值提供為一均一波長空間表示。
  19. 如請求項14之方法，其中產生該等經校正主動像素值進一步包括藉由應用一均一增益值來修改該等主動像素值。
  20. 如請求項14之方法，其中產生該等經校正主動像素值進一步包括將一經設計暗位準值提供至該等經校正主動像素值。
  21. 一種電腦程式產品，其具有儲存在一非暫時性電腦可讀媒體上之一系列操作指令，該非暫時性電腦可讀媒體在一或多個處理器由其起始時指導該一或多個處理器執行操作以用於調整來自一光學感測器之一像素區域之像素之電荷之數位表示，該等操作包含： 特性化來自該光學感測器之像素之信號位準，其中該等像素包括來自該光學感測器之一或多個減少照明區之像素；及 使用該等特性化調整該等電荷之數位表示。
  22. 如請求項21之電腦程式產品，其中該特性化包括界定該光學感測器之一暗位準估計值。
  23. 如請求項22之電腦程式產品，其中該暗位準估計值係基於來自該一或多個減少照明區之像素之該等信號位準之一運行平均值。
  24. 如請求項22之電腦程式產品，其中該暗位準估計值係基於來自該一或多個減少照明區之像素之該等信號位準之一數學表示。
  25. 如請求項22之電腦程式產品，其中該特性化包括使用經設計暗位準值。
TW112117739A 2022-05-13 2023-05-12 用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法 TW202409522A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263341869P 2022-05-13 2022-05-13
US63/341,869 2022-05-13
US18/316,117 2023-05-11
US18/316,117 US20230366736A1 (en) 2022-05-13 2023-05-11 System, apparatus, and method for improved background correction and calibration of optical devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202409522A true TW202409522A (zh) 2024-03-01

Family

ID=88699752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112117739A TW202409522A (zh) 2022-05-13 2023-05-12 用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230366736A1 (zh)
JP (1) JP2023168317A (zh)
KR (1) KR20230159311A (zh)
TW (1) TW202409522A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230159311A (ko) 2023-11-21
US20230366736A1 (en) 2023-11-16
JP2023168317A (ja) 2023-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7025897B2 (ja) 半導体処理システム内の光信号の校正のためのシステムおよび方法
US7402207B1 (en) Method and apparatus for controlling the thickness of a selective epitaxial growth layer
JP5563555B2 (ja) 発光スペクトルを正規化するための方法及び構成
US20220406586A1 (en) Multimode configurable spectrometer
WO2014062886A1 (en) Plasma etching endpoint detection using multivariate analysis
US10910201B1 (en) Synthetic wavelengths for endpoint detection in plasma etching
JP7419566B2 (ja) スペクトル・フィルタリングのためのシステム、機器、及び方法
WO2020142451A1 (en) Monitoring process wall depositions and coatings
WO2021205445A1 (en) Machine and deep learning methods for spectra-based metrology and process control
TW202409522A (zh) 用於光學裝置之經增進背景校正及校準之系統、設備及方法
CN117053921A (zh) 用于改进光学装置的背景校正和校准的系统、设备和方法
US20240021450A1 (en) Control for semiconductor processing systems
US20240019302A1 (en) Very high resolution spectrometer for monitoring of semiconductor processes
CN117411461A (zh) 用于半导体处理系统的改进的控制
TW202419827A (zh) 用於監測半導體製程之超高解析度光譜儀
US20230102821A1 (en) Etalon thermometry for plasma environments
US20230169643A1 (en) Monitoring of deposited or etched film thickness using image-based mass distribution metrology
CN117405227A (zh) 用于监测半导体工艺的极高分辨率光谱仪
WO2024015515A2 (en) System and method for spatially resolved optical emission spectroscopic monitoring of semiconductor processes
WO2024054380A1 (en) Multi-sensor determination of a state of semiconductor equipment
WO2024118852A1 (en) Spectral sensing of process chamber conditions
Barna et al. In Situ Metrology