TW202407299A - 環境光感測器 - Google Patents

環境光感測器 Download PDF

Info

Publication number
TW202407299A
TW202407299A TW112129866A TW112129866A TW202407299A TW 202407299 A TW202407299 A TW 202407299A TW 112129866 A TW112129866 A TW 112129866A TW 112129866 A TW112129866 A TW 112129866A TW 202407299 A TW202407299 A TW 202407299A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
ambient light
metasurface
sub
light sensor
Prior art date
Application number
TW112129866A
Other languages
English (en)
Inventor
古士良
廖子漢
黃俊維
Original Assignee
采鈺科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 采鈺科技股份有限公司 filed Critical 采鈺科技股份有限公司
Publication of TW202407299A publication Critical patent/TW202407299A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0204—Compact construction
    • G01J1/0209—Monolithic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0437—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using masks, aperture plates, spatial light modulators, spatial filters, e.g. reflective filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0474—Diffusers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
    • G01J1/0492—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering using at least two different filters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • G01J3/513—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters having fixed filter-detector pairs
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J2003/1213—Filters in general, e.g. dichroic, band

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

一種環境光感測器，包括：基底；超穎表面（metasurface），設置於基底上；以及光孔（aperture）層，設置於基底上。超穎表面包括複數個奈米結構、以及橫向地圍繞奈米結構的填充層。光孔層橫向地將超穎表面分隔成複數個次超穎組。

Description

環境光感測器
本揭露實施例是關於一種環境光感測器，特別是關於環境光感測器的超穎表面（metasurface）。
電子裝置，如筆記型電腦、手機、以及其他產品，有時配備有光感測器。舉例來說，可在裝置中納入環境光感測器以提供對環境光狀況所需的資訊。環境光感測器的光學讀數可用來控制裝置設定。舉例來說，若偵測到很亮的日光狀況，電子裝置可增加顯示亮度作為補償。在一些配置中，執行環境光感測器以收集環境光的顏色資訊（如光譜）。可基於環境光的顏色調整所顯示影像的顏色。
為了收集不同顏色的光學讀數，環境光感測器可包括多光譜帶通濾波器（multi-spectral bandpass filter）。每個多光譜帶通濾波器可傳輸環境光的特定波長（或顏色），而其他不想要的顏色（包括來自陽光的紅外線）可被多光譜帶通濾波器吸收或反射遠離，從而提高顏色辨識的能力。由於多光譜帶通濾波器彼此不同，需要被分開圖案化。取決於所設計的多光譜帶通濾波器的數量，可能有很多道圖案化製程循環，其導致更長的週期時間和更高的製造成本。因此，需要透過環境光感測器的設計和製造來解決這些相關問題。
在一實施例中，一種環境光感測器，包括：基底；設置於基底上的超穎表面（metasurface）；以及設置於基底上的光孔（aperture）層。超穎表面包括複數個奈米結構、以及橫向地圍繞奈米結構的填充層。光孔層橫向地將超穎表面分隔成複數個次超穎組。
以下揭露提供了許多不同的實施例或範例，用於實施本發明的不同部件。組件和配置的具體範例描述如下，以簡化本揭露實施例。當然，這些僅僅是範例，並非用以限定本揭露實施例。舉例來說，敘述中提及第一部件形成於第二部件之上，可包括形成第一和第二部件直接接觸的實施例，也可包括額外的部件形成於第一和第二部件之間，使得第一和第二部件不直接接觸的實施例。
應理解的是，額外的操作步驟可實施於所述方法之前、之間或之後，且在所述方法的其他實施例中，部分的操作步驟可被取代或省略。
此外，與空間相關用詞，例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「在…上方」、「上方」、「較高的」和類似用語可用於此，以便描述如圖所示一元件或部件和其他元件或部件之間的關係。這些空間用語企圖包括使用或操作中的裝置的不同方位，以及圖式所述的方位。當裝置被轉至其他方位（旋轉90°或其他方位），則在此所使用的空間相對描述可同樣依旋轉後的方位來解讀。
在本揭露實施例中，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的±20%之內、或±10%之內、或±5%之內、或±3%之內、或±2%之內、或±1%之內、或甚至±0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量。亦即，在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。
除非另外定義，在此使用的全部用語（包括技術及科學用語）具有與所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解的相同涵義。應能理解的是，這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例中有特別定義。
以下所揭露之不同實施例可能重複使用相同的參考符號及∕或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以主導所討論的各種實施例及∕或結構之間的關係。
在大自然中，環境光可為所有波段的各種顏色的組合。在具有多光譜配置的環境光感測器中，執行多個帶通濾波器以偵測環境光各種顏色。在一些實施例中，可設計多個帶通濾波器以具有特定半峰全幅值（full width at half maximum, FWHM）、透光度、中心波長（central wavelength, CWL）、以及其他參數。舉例來說，半峰全幅值為在透光度軸上的兩個點之間所量測的光譜曲線的寬度，其兩個點位在光譜曲線最大振幅一半之處。透光度為環境光在帶通濾波器所傳輸的特定波長的部分。中心波長為橫越光譜的波長的加權平均值。前述參數可決定環境光感測器的整體光學性能。
本揭露將超穎表面納入環境光感測器中以取代傳統的多個帶通濾波器。超穎表面包括奈米結構（如奈米柱或柱體），其針對不同波長（或顏色）產生所需的相位調變（phase modulation）。當排列奈米結構橫越超穎表面時，可將環境光的不同波長（或顏色）分離，其可充當帶通濾波器。透過使用演算法設計奈米結構的尺寸和節距，環境光的顏色可分別傳輸穿過所指定的區域。
由於傳統的多個帶通濾波器需要被分開圖案化，可能使週期時間延長，而製造成本可能提高。圖案化可為包括沉積、光微影、以及蝕刻的製程循環。每個製程循環僅可用來形成單一帶通濾波器。由於之前形成的結構可能針對之後的製程循環創造階梯高度，進行後續的製程循環可能更具挑戰性。舉例來說，可能輕易誘發很差的塗佈、剝離、或其他表面的缺陷。發明人發現採用超穎表面可簡化整體量產，且可提供多個帶通濾波器的相同功能。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面，使得表面缺陷的發生率降低。應理解的是，即使環境光感測器的多光譜配置要擴張以配合額外的顏色，可相應地設計超穎表面，而仍可在單一製程循環中圖案化超穎表面。結果是，可更迅速且更便宜地製造超穎表面。
第1A～1C圖是根據本揭露的一些實施例，具有各種設計的環境光感測器10A、10B、和10C的剖面示意圖。根據本揭露的一些實施例，環境光感測器10A、10B、和10C可包括基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔（aperture）層116、膠層130、以及擴散粒子132。超穎表面110可包括複數個奈米結構112和填充層114。額外地，光孔層116可橫向地將超穎表面110分隔成次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E。
參照第1A圖，基底100可為例如晶圓或晶粒，但本揭露實施例並不以此為限。在一些實施例中，基底100可為半導體基底，例如矽（silicon, Si）基底。此外，在一些實施例中，半導體基底亦可為：元素半導體（elemental semiconductor），包括鍺（germanium, Ge）；化合物半導體（compound semiconductor），包含氮化鎵（gallium nitride, GaN）、碳化矽（silicon carbide, SiC）、砷化鎵（gallium arsenide, GaAs）、磷化鎵（gallium phosphide, GaP）、磷化銦（indium phosphide, InP）、砷化銦（indium arsenide, InAs）、或銻化銦（indium antimonide, InSb）；合金半導體（alloy semiconductor），包含矽鍺（silicon germanium, SiGe）合金、磷砷鎵（gallium arsenide phosphide, GaAsP）合金、砷鋁銦（aluminum indium arsenide, AlInAs）合金、砷鋁鎵（aluminum gallium arsenide, AlGaAs）合金、砷鎵銦（gallium indium arsenide, GaInAs）合金、磷鎵銦（gallium indium phosphide, GaInP）合金、或砷磷鎵銦（gallium indium arsenide phosphide, GaInAsP）合金；或其組合。在一些實施例中，基底100可為光電轉換（photoelectric conversion）基底，如矽基底或有機光電轉換層。
在其他實施例中，基底100也可以是絕緣層上半導體（semiconductor on insulator, SOI）基底。絕緣層上半導體基底可包含底板、設置於底板上之埋入式氧化物（buried oxide, BOX）層、以及設置於埋入式氧化物層上之半導體層。此外，基底100可為N型或P型導電類型。
在一些實施例中，基底100可包括各種以例如離子佈植（ion implantation）及∕或擴散製程（diffusion process）所形成之P型摻雜區及∕或N型摻雜區（未繪示）。在一些實施例中，可在主動區（以隔離結構所定義）形成電晶體、光電二極體、或其他類似元件。
在一些實施例中，可在基底100內埋入隔離結構以定義主動區並電性隔離基底100之內或之上的主動區部件，但本揭露實施例並不以此為限。隔離結構可為深溝槽隔離（deep trench isolation, DTI）結構、淺溝槽隔離（shallow trench isolation, STI）結構、或局部矽氧化（local oxidation of silicon, LOCOS）結構。在一些實施例中，形成隔離結構可包括例如在基底100上形成絕緣層。透過合適的光微影製程和蝕刻製程，可形成溝槽延伸進入基底100中。
接著，可沿著溝槽順應性地成長富含氮材料（如氧氮化矽（silicon oxynitride, SiON））的襯層。之後，可藉由合適的沉積製程將絕緣材料（如二氧化矽（silicon dioxide, SiO 2）、氮化矽（silicon nitride, SiN）、或氧氮化矽）填入溝槽中。然後，可對溝槽中的絕緣材料進行退火製程，接著對基底100進行平坦化製程（如化學機械研磨（chemical mechanical polish, CMP））以移除多餘的絕緣材料，使溝槽中的絕緣材料與基底100的頂面齊平。
繼續參照第1A圖，在基底100中埋入複數個感測部104。在一些實施例中，複數個感測部104為光電二極體。配置每個感測部104用以感測環境光，並根據所感測之環境光強度產生強度訊號。藉由強度訊號形成電訊號，其可為數據資料或電子量的讀數。
參照第1A圖，可在基底100上設置超穎表面110。在一些實施中，次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E可分別對應至環境光感測器10A的基底100內的感測部104。根據本揭露的一些實施例，超穎表面110可作為光譜選擇層，其可使用繞射或折射特性將環境光的不同波長（或顏色）分離。結果是，可設計次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個以允許僅所欲的顏色傳輸，而不想要的顏色可被次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E吸收或反射遠離。
在一些實施例中，次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個允許環境光的預定範圍波長通過。舉例來說，紅光具有在620nm至750nm範圍的波長以傳輸至對應的感測部104，綠光具有在495nm至570nm範圍的波長以傳輸至對應的感測部104，而藍光具有在450nm至495nm範圍的波長以傳輸至對應的感測部104。在本揭露的特定實施例中，次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E可分別傳輸紅色、黃色、綠色、藍色、以及洋紅色，或更特定顏色的波長包括遠紅外線（far infrared, FIR）和短波紅外線（short-wave infrared, SWIR）。
如先前所提及，超穎表面110可包括複數個奈米結構112和填充層114。在一些實施例中，填充層114可橫向地圍繞複數個奈米結構112。超穎表面110的厚度介於10nm和10μm之間。在一些實施例中，填充層114和複數個奈米結構112可為相同的厚度。在其他實施例中，填充層114的厚度和複數個奈米結構112的厚度可能有所變化，取決於應用和設計需求。從上視圖來看，每個奈米結構112具有圓形、矩形、六角形、或任何其他對稱形狀或非對稱形狀。從上視圖來看，每個奈米結構112的尺寸可介於2nm和2000nm之間。根據本揭露的一些實施例，填充層114的折射率小於複數個奈米結構112的折射。填充層114的折射率可介於1.0和3.0之間。複數個奈米結構112的折射可高於1.4，例如介於1.4和4.0之間。在一些實施例中，填充層114可為空氣（其折射率為1）。
複數個奈米結構112的材料可包括導電或介電材料，如氧化鋁（aluminum oxide, Al 2O 3）、五氧化二鈮（niobium(V) oxide, Nb 2O 5）、氮化鎵、五氧化二鉭（tantalum pentoxide, Ta 2O 5）、氮化鈦（titanium nitride, TiN）、二氧化鈦（titanium dioxide, TiO 2）、氮化矽、矽甲烷（silane, SiH 4）、氧化矽（silicon oxide, SiO）、其他類似材料、或其組合。填充層114的材料可包括聚合物或介電材料，如氧化矽、二氧化矽、聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate, PET）樹脂、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）樹脂、聚酰亞胺（polyimide, PI）樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylates, PMMA）、聚苯乙烯樹脂（polystyrene）樹脂、聚醚碸（polyethersulfone, PES）樹脂、聚噻吩（polythiophene, PT）樹脂、酚醛清漆（phenol novolac, PN）、旋轉塗佈玻璃（spin-on glass, SOG）、旋轉塗佈介電質（spin-on dielectric, SOD）、其他類似材料，或其組合。
可藉由圖案化複數個奈米結構112，接著以填充層114填入複數個奈米結構112之間的空間來形成超穎表面110。起初，可使用合適的沉積製程在基底100上沉積材料層，沉積製程如化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）、高密度電漿化學氣相沉積（high-density plasma chemical vapor deposition, HDP-CVD）、電漿輔助化學氣相沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）、流動性化學氣相沉積（flowable chemical vapor deposition, FCVD）、次大氣壓化學氣相沉積（sub-atmospheric chemical vapor deposition, SACVD）、物理氣相沉積（physical vapor deposition, PVD）、原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）、其他類似方法、或其組合。接著，在材料層上塗佈硬遮罩層（未繪示）。在一些實施例中，硬遮罩層可為光阻。進行光微影製程以圖案化硬遮罩層，其可包括光阻塗佈、軟烤（soft baking）、曝光、曝光後烘烤、顯影、其他類似技術、或其組合。之後，使用圖案化後的硬遮罩對材料層進行蝕刻製程（如乾蝕刻、濕蝕刻、其他類似方法、或其組合）。在蝕刻製程之後，在基底100上移除一部分的材料層，而在其中形成多個開口。如先前所提及，後續將以填充層114填入開口。
繼續參照第1A圖，可在相鄰的次超穎組之間水平地設置光孔層116。舉例來說，光孔層116可定義次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的邊界。根據本揭露的一些實施例，當環境光傳輸穿過次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、或次超穎組110E且被分離時，光孔層116可在特定次超穎組內隔離光線以作為光阻擋功能。
在傳統的設計中，在基底上排列多個帶通濾波器且將其相鄰放置之後，可在多個帶通濾波器的整體結構上順應性地沉積光孔層。然後，可圖案化光孔層以露出下方的多個帶通濾波器的每一個。如先前所提及，需要分開圖案化多個帶通濾波器，而之前形成的結構可能針對之後的製程循環創造階梯高度，其造成更大的挑戰性。理想上，相鄰的多個帶通濾波器之間的鄰接界面應為筆直的。然而，由於階梯高度所造成的製程差異，鄰接的多個帶通濾波器可能無法精密地對準，其導致一些鄰接界面為傾斜的。當環境光在法線方向上進入時，傾斜界面可產生混合顏色的離散光線，其可被視為光學雜訊。法線方向為垂直於基底表面的方向。若這些混合顏色的離散光線被感測部接收，可轉換不想要的訊號。基於這樣的理由，從上視圖來看，僅露出多個帶通濾波器的中心部分。靠近鄰接界面的區域可維持被光孔層覆蓋，因而其區域被稱為無效區。從上視圖來看，鄰接界面的無效區可具有介於20μm和25μm之間範圍的尺寸。針對在多個帶通濾波器的整體結構邊緣的無效區，從上視圖來看，無效區的尺寸可介於10μm和15μm之間。
根據本揭露的一些實施例，可利用超穎表面110來取代傳統的多個帶通濾波器。由於可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，每個次超穎組的放置可有更高的設計彈性。在圖案化期間的階梯高度問題和在相鄰的多個帶通濾波器之間的錯位問題皆可被消除。從上視圖來看，在相鄰的次超穎組之間的光孔層116（或在鄰接界面的無效區）的尺寸可減少至大約10μm。應理解的是，儘管次超穎組未彼此鄰接放置，光孔層116的存在仍為必要的，以確保相鄰的次超穎組間隔開來避免任何不想要的交互作用（舉例來說，繞射行為）。
光孔層116的厚度可與超穎表面110的厚度相同。光孔層116的材料可包括黑光阻、介電材料、不透明金屬（如鎢（tungsten, W）、鋁（aluminum, Al））、不透明金屬氮化物（如氮化鈦）、不透明金屬氧化物（如氧化鈦（titanium oxide, TiO））、其他合適材料、或其組合，但本揭露實施例並不以此為限。可藉由任何合適的沉積製程形成光孔層116，沉積製程如旋轉塗佈（spin-on coating）製程、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、其他合適的方法、或其組合。
參照第1A圖，可在超穎表面110和光孔層116上設置膠層130。在一些實施例中，膠層130可覆蓋超穎表面110和光孔層116。根據本揭露的一些實施例，膠層130可提供所需的介質，使得環境光（特別是傾斜的光線）擴散成較為法線的分佈光譜。再者，膠層130可針對下方的結構提供機械保護、以及黏附任何上方的組件。膠層130的折射率可介於1.0和3.0之間。膠層130的厚度可介於100nm和100μm之間。
膠層130可為介電材料，包括例如氧化矽、氮化矽、碳化矽、碳氮化矽（silicon carbonitride, SiCN）、氧氮化矽、氧氮碳化矽（silicon oxynitrocarbide, SiO xN yC 1-x-y，其中x和y係在0至1的範圍）、四乙氧基矽烷（tetra ethyl ortho silicate, TEOS）、無摻雜矽酸玻璃、或摻雜氧化矽（如硼摻雜磷矽酸玻璃（boron-doped phosphosilicate glass, BPSG）、熔矽石玻璃（fused silica glass, FSG）、磷矽酸玻璃（phosphosilicate glass, PSG）、硼摻雜矽玻璃（boron doped silicon glass, BSG）、或其他類似材料）、低介電常數（low-k）介電材料、有機透明材料、其他類似材料、或其組合，但本揭露實施例並不以此為限。膠層130的形成可包括上述任何合適的沉積製程。之後，可進行平坦化製程（如化學機械研磨）以形成平坦化的頂面。
繼續參照第1A圖，可在膠層130內隨機地分佈擴散粒子132。在一些實施例中，膠層130和擴散粒子132可一起被稱為後端製造的擴散結構。在一些實施例中，可採用擴散結構以收集來自各種角度的環境光，以便被複數個感測部104所接收。根據本揭露的一些實施例，可設計擴散粒子132以干擾光學傳播，使得傾斜光線的入射方向可被調整成與法線方向接近。換言之，擴散粒子132可提升離軸環境光的接收，且由環境光感測器10A的觀點來看，環境光源可變得能夠更均勻地被偵測。結果是，環境光感測器10A的光學讀數可較不依賴環境光感測器10A與環境光源之間的相對方向。
從剖面示意圖來看，擴散粒子132可具有圓形、橢圓形、或任何合適的幾何形狀。每個擴散粒子132的尺寸可介於1nm和10μm之間。擴散粒子132的材料可包括透明導電材料，如氧化銦錫（indium tin oxide, ITO）、氟摻雜氧化錫（fluorine-doped tin oxide, FTO）、氧化鋅（zinc oxide, ZnO）、氧化錫（tin oxide, SnO）、銦摻雜氧化鋅（indium-doped zinc oxide, IZO）、氧化銦鎵鋅（indium gallium zinc oxide, IGZO）、氧化銦錫鋅（indium tin zinc oxide, ITZO）、氧化銻錫（antimony tin oxide, ATO）、鋁摻雜氧化鋅（aluminum-doped zinc oxide, AZO）、二氧化鈦、五氧化二鉭、五氧化二鈮、氮化矽、氮化鎵、氮化鋁（aluminum nitride, AlN）、其他類似材料、或其組合。可藉由壓鑄（casting）、擠壓（extrusion）、注入成型（injection molding）、輥軋（rolling）、其他類似方法、或其組合將擴散粒子132納進膠層130中。
參照第1B圖，繪示環境光感測器10B的剖面示意圖。相較於第1A圖，可在超穎表面110與擴散結構（例如膠層130和擴散粒子132）之間設置間隔物層120。基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔層116、膠層130、以及擴散粒子132的特徵與第1A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。
繼續參照第1B圖，間隔物層120可將超穎表面110和擴散結構（例如膠層130和擴散粒子132）隔開，取決於應用和設計需求。在一些實施例中，間隔物層120可提供擴散後的光線所需的傳播路徑以進入超穎表面110。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
間隔物層120的厚度可介於100nm和50μm之間。間隔物層120的材料可與填充層114的材料類似，其細節將不於此重複贅述。可藉由上述任何合適的沉積製程形成間隔物層120。在其他實施例中，可將填充層114沉積成超出複數個奈米結構112。舉例來說，填充層114可完全地覆蓋複數個奈米結構112，使得填充層114的頂面高於複數個奈米結構112的頂面。在這樣的情況下，填充層114於複數個奈米結構112的頂面之上的部分可被視為間隔物層120。因此，填充層114的材料和間隔物層120的材料可實質上一致。
參照第1C圖，繪示環境光感測器10C的剖面示意圖。相較於第1A圖，可在超穎表面110之上，而非超穎表面110之內，設置光孔層116。基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔層116、膠層130、以及擴散粒子132的特徵與第1A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。
繼續參照第1C圖，超穎表面110和光孔層116被放置在不同的水平，取決於應用和設計需求。更具體而言，可在填充層114的正上方設置光孔層116。在一些實施例中，可在膠層130內設置光孔層116，使得在傳輸擴散後的光線穿過超穎表面110之前，可先匯合擴散的光線。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
第2A～2C圖是根據本揭露的其他實施例，具有各種設計的環境光感測器20A、20B、和20C的剖面示意圖。在一些實施例中，可在基底100與超穎表面110之間設置額外的膜層，取決於應用和設計需求。基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔層116、間隔物層120、膠層130、以及擴散粒子132的特徵與第1A～1C圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。
參照第2A圖，繪示環境光感測器20A的剖面示意圖。相較於第1A圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜（transparent conducting film, TCF）108。根據本揭露的一些實施例，第一透明導電膜108可輸入或輸出額外電訊號，讓複數個感測部104轉換。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。第一透明導電膜108的厚度可介於10nm和200nm之間。第一透明導電膜108可為透明導電氧化物（transparent conducting oxide, TCO），其包括氧化銦錫、氟摻雜氧化錫、氧化鋅、或鋁摻雜氧化鋅。可藉由上述任何合適的沉積製程形成第一透明導電膜108。
參照第2B圖，繪示環境光感測器20B的剖面示意圖。相較於第1B圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜108。第一透明導電膜108的特徵與第2A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
參照第2C圖，繪示環境光感測器20C的剖面示意圖。相較於第1C圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜108。第一透明導電膜108的特徵與第2A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
第3A～3C圖是根據本揭露的一些實施例，具有各種設計的環境光感測器30A、30B、和30C的剖面示意圖。在一些實施例中，可採用不同的擴散結構，取決於應用和設計需求。基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔層116、以及間隔物層120的特徵與第1A～1C圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。
參照第3A圖，繪示環境光感測器30A的剖面示意圖。相較於第1A圖，以具有膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的新擴散結構取代具有膠層130和擴散粒子132的擴散結構。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
繼續參照第3A圖，可在超穎表面110和光孔層116上設置膠層130。第3A圖所示的膠層130的特徵與第1A圖所示的膠層130的特徵類似，其細節將不於此重複贅述。與其納入擴散粒子132，可在膠層130上設置下玻璃層140。下玻璃層140可作為所產生的透鏡結構的基板。下玻璃層140的厚度可介於150μm和700μm之間。下玻璃層140的材料可包括聚合物、樹脂、或任何合適的光穿透絕緣材料。可藉由上述任何合適的沉積製程形成下玻璃層140。
參照第3A圖，可在下玻璃層140上設置透鏡層152。在一些實施例中，透鏡層152具有彎曲表面，例如往內面向超穎表面110的凹透鏡輪廓的陣列。凹透鏡輪廓的陣列可具有各種曲率半徑（radius of curvature）。根據本揭露的一些實施例，當環境光觸及透鏡層152時，傾斜光線的入射方向可被調整成與法線方向接近。類似於擴散粒子132，透鏡層152可提升離軸環境光的接收，且由環境光感測器30A的觀點來看，環境光源可變得能夠更均勻地被偵測。結果是，環境光感測器30A的光學讀數可較不依賴環境光感測器30A與環境光源之間的相對方向。透鏡層152的厚度可介於500nm和5μm之間。透鏡層152的材料可包括五氧化二鉭、氮化鈦、二氧化鈦、氮化矽、矽甲烷、氧化矽、樹脂、其他類似材料、或其組合。透鏡層152可包括有機或無機材料，取決於應用和設計需求。可藉由上述任何合適的沉積製程或樹脂塗佈製程形成透鏡層152。可藉由微影或壓模直接定義透鏡圖案，其模具包含具有與透鏡層152所欲形狀相反的立體透鏡圖案。之後，可藉由任何合適的蝕刻製程將透鏡圖案轉移至所沉積的膜層。
繼續參照第3A圖，可在透鏡層152上設置膠層150。在一些實施例中，膠層150填入透鏡層152的凹透鏡輪廓的陣列。膠層150的特徵可與膠層130的特徵類似，其細節將不於此重複贅述。接著，可在膠層150上設置上玻璃層160。上玻璃層160的特徵可與下玻璃層140的特徵類似，其細節將不於此重複贅述。值得注意的是，下玻璃層140和上玻璃層160可侷限膠層150和透鏡層152。膠層130和膠層150可分別黏附下玻璃層140和上玻璃層160。應理解的是，下玻璃層140和上玻璃層160為可選的。舉例來說，可直接在感測結構上製作透鏡層，使得下玻璃層140、上玻璃層160、或下玻璃層140和上玻璃層160兩者可被移除。由於下玻璃層140或上玻璃層160通常具有相對大的厚度，省略下玻璃層140及∕或上玻璃層160可顯著地減少環境光感測器30A的整體尺寸。
參照第3B圖，繪示環境光感測器30B的剖面示意圖。相較於第1B圖，可在超穎表面110上製造具有膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的擴散結構。膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的特徵與第3A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
參照第3C圖，繪示環境光感測器30C的剖面示意圖。相較於第1C圖，可在超穎表面110上製造具有膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的擴散結構。膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的特徵與第3A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
第4A～4C圖是根據本揭露的其他實施例，具有各種設計的環境光感測器40A、40B、和40C的剖面示意圖。在一些實施例中，可在超穎表面110之下和之上設置額外的膜層，取決於應用和設計需求。基底100、複數個感測部104、超穎表面110、光孔層116、以及間隔物層120的特徵與第1A～1C圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。再者，膠層130、下玻璃層140、膠層150、透鏡層152、以及上玻璃層160的特徵與第3A～3C圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。
參照第4A圖，繪示環境光感測器40A的剖面示意圖。相較於第3A圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜108，且可在膠層130與下玻璃層140之間設置第二透明導電膜138。第4A圖所示的第一透明導電膜108的特徵與第2A圖所示的第一透明導電膜108的特徵類似，其細節將不於此重複贅述。第二透明導電膜138的特徵與第一透明導電膜108的特徵類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
參照第4B圖，繪示環境光感測器40B的剖面示意圖。相較於第3B圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜108，且可在膠層130與下玻璃層140之間設置第二透明導電膜138。第一透明導電膜108和第二透明導電膜138的特徵與第4A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
參照第4C圖，繪示環境光感測器40C的剖面示意圖。相較於第3C圖，可在基底100與超穎表面110之間設置第一透明導電膜108，且可在膠層130與下玻璃層140之間設置第二透明導電膜138。第一透明導電膜108和第二透明導電膜138的特徵與第4A圖所示類似，其細節將不於此重複贅述。根據本揭露的一些實施例，可藉由超穎表面110將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得次超穎組110A、次超穎組110B、次超穎組110C、次超穎組110D、以及次超穎組110E的每一個僅可允許所欲的顏色傳輸。再者，可在單一製程循環中圖案化超穎表面110，從而降低表面缺陷的發生率。換言之，可更迅速且更便宜地製造超穎表面110。
本揭露實施例以超穎表面取代在環境光感測器中傳統的多個帶通濾波器。可藉由超穎表面將環境光的不同波長（或顏色）分離，使得每個次超穎組僅可允許所欲的顏色傳輸，而不想要的顏色可被次超穎組吸收或反射遠離。換言之，超穎表面可展現相同的帶通濾波器功能。不像傳統的多個帶通濾波器需要被分開圖案化且經常誘發很差的塗佈、剝離、或其他表面的缺陷，可在單一製程循環中圖案化本揭露實施例的超穎表面，從而消除任何表面缺陷和潛在的錯位。結果是，可更迅速且更便宜地製造超穎表面。
以上概述數個實施例之特徵，以使本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更加理解本揭露實施例的觀點。本發明所屬技術領域中具有通常知識者應該理解，可輕易地以本揭露實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及∕或優勢。本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解到，此類等效的結構並無悖離本揭露實施例的精神與範圍，且可在不違背本揭露實施例之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。因此，本揭露實施例之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，雖然本揭露已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露實施例的範圍。
整份說明書對特徵、優點或類似語言的引用，並非意味可以利用本揭露實施例實現的所有特徵和優點應該或者可以在本揭露的任何單一實施例中實現。相對地，涉及特徵和優點的語言被理解為其意味著結合實施例描述的特定特徵、優點或特性包括在本揭露的至少一個實施例中。因而，在整份說明書中對特徵和優點以及類似語言的討論可以但不一定代表相同的實施例。
再者，在一或複數個實施例中，可以任何合適的方式組合本揭露實施例的所描述的特徵、優點和特性。根據本文的描述，所屬技術領域中具有通常知識者將意識到，可在沒有特定實施例的一個或複數個特定特徵或優點的情況下實現本揭露實施例。在其他情況下，在某些實施例中可辨識附加的特徵和優點，這些特徵和優點可能不存在於本揭露的所有實施例中。
10A:環境光感測器 10B:環境光感測器 10C:環境光感測器 20A:環境光感測器 20B:環境光感測器 20C:環境光感測器 30A:環境光感測器 30B:環境光感測器 30C:環境光感測器 40A:環境光感測器 40B:環境光感測器 40C:環境光感測器 100:基底 104:感測部 108:第一透明導電膜 110:超穎表面 110A:次超穎組 110B:次超穎組 110C:次超穎組 110D:次超穎組 110E:次超穎組 112:奈米結構 114:填充層 116:光孔層 120:間隔物層 130:膠層 132:擴散粒子 138:第二透明導電膜 140:下玻璃層 150:膠層 152:透鏡層 160:上玻璃層
以下將配合所附圖式詳述本揭露實施例之各面向。值得注意的是，依據在業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，可任意地放大或縮小各種元件的尺寸，以清楚地表現出本揭露實施例的特徵。 第1A～1C圖是根據本揭露的一些實施例，具有各種設計的環境光感測器的剖面示意圖。 第2A～2C圖是根據本揭露的其他實施例，具有各種設計的環境光感測器的剖面示意圖。 第3A～3C圖是根據本揭露的一些實施例，具有各種設計的環境光感測器的剖面示意圖。 第4A～4C圖是根據本揭露的其他實施例，具有各種設計的環境光感測器的剖面示意圖。
10A:環境光感測器
100:基底
104:感測部
110:超穎表面
110A:次超穎組
110B:次超穎組
110C:次超穎組
110D:次超穎組
110E:次超穎組
112:奈米結構
114:填充層
116:光孔層
130:膠層
132:擴散粒子

Claims (10)

  1. 一種環境光感測器，包括： 一基底； 一超穎表面（metasurface），設置於該基底上，包括： 複數個奈米結構；以及 一填充層，橫向地圍繞該些奈米結構；以及 一光孔（aperture）層，設置於該基底上，其中該光孔層橫向地將該超穎表面分隔成複數個次超穎組。
  2. 如請求項1之環境光感測器，其中該光孔層包括黑光阻、介電材料、或金屬，其中該光孔層水平地設置於該些次超穎組之間，或該光孔層設置於該超穎表面之上。
  3. 如請求項1之環境光感測器，更包括複數個感測部，埋入於該基底內，其中該些次超穎組分別設置對應該些感測部。
  4. 如請求項1之環境光感測器，其中從上視圖來看，每個奈米結構具有圓形、矩形、或六角形，其中該填充層的厚度等於該些奈米結構的厚度，或該填充層的厚度高於該些奈米結構的厚度。
  5. 如請求項1之環境光感測器，其中該些奈米結構的折射率小於1.4，其中該填充層的折射率小於該些奈米結構的折射率，其中該填充層為空氣。
  6. 如請求項1之環境光感測器，其中一第一透明導電膜（transparent conducting film, TCF）設置於該基底與該超穎表面之間，其中該第一透明導電膜為一透明導電氧化物（transparent conducting oxide, TCO），該透明導電氧化物包括氧化銦錫（indium tin oxide, ITO）、氟摻雜氧化錫（fluorine-doped tin oxide, FTO）、氧化鋅（zinc oxide, ZnO）、或鋁摻雜氧化鋅（aluminum-doped zinc oxide, AZO）。
  7. 如請求項1之環境光感測器，更包括： 一擴散結構，設置於該超穎表面和該光孔層上；以及 一間隔物層，設置於該超穎表面與該擴散結構之間。
  8. 如請求項7之環境光感測器，其中該擴散結構包括： 一膠層，覆蓋該超穎表面和該光孔層；以及 多個擴散粒子，設置於該膠層中。
  9. 如請求項7之環境光感測器，其中該擴散結構包括： 一第一膠層，覆蓋該超穎表面和該光孔層； 一透鏡層，設置於該第一膠層上，其中該透鏡層具有彎曲表面；以及 一第二膠層，覆蓋該透鏡層。
  10. 如請求項9之環境光感測器，更包括： 一下玻璃層，設置於該第一膠層與該透鏡層之間； 一第二透明導電膜，設置於該第一膠層與該下玻璃層之間；以及 一上玻璃層，設置於該第二膠層之上。
TW112129866A 2022-08-11 2023-08-09 環境光感測器 TW202407299A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263397052P 2022-08-11 2022-08-11
US63/397,052 2022-08-11
US18/192,416 2023-03-29
US18/192,416 US11946802B2 (en) 2022-08-11 2023-03-29 Ambient light sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202407299A true TW202407299A (zh) 2024-02-16

Family

ID=89846972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112129866A TW202407299A (zh) 2022-08-11 2023-08-09 環境光感測器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11946802B2 (zh)
CN (1) CN117589305A (zh)
FR (1) FR3138861A1 (zh)
TW (1) TW202407299A (zh)

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10180383B2 (en) * 2016-03-31 2019-01-15 Purdue Research Foundation System and method for sensing and trapping nanoparticles with plasmonic nanopores
US10259704B2 (en) * 2016-04-07 2019-04-16 Regents Of The University Of Minnesota Nanopillar-based articles and methods of manufacture
US10725290B2 (en) * 2016-04-29 2020-07-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Device components formed of geometric structures
KR102587958B1 (ko) * 2017-02-03 2023-10-11 삼성전자주식회사 메타 광학 소자 및 그 제조 방법
GB201708407D0 (en) * 2017-05-25 2017-07-12 Cambridge Entpr Ltd Optical Devices
CA3074566A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Metalenz, Inc. Transmissive metasurface lens integration
CN110972505B (zh) * 2018-09-21 2023-10-27 深圳市汇顶科技股份有限公司 影像感测器及半导体结构
US11487139B2 (en) * 2018-11-27 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Nanostructures for optical devices
US11747614B2 (en) * 2018-12-11 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Beam scanning device and system including the same comprising a spatial light modulator with a cavity provided between a first and a second reflector
US20230186870A1 (en) * 2019-01-03 2023-06-15 Lucomm Technologies, Inc. Display Control System
JP2022535270A (ja) * 2019-06-05 2022-08-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フラットな光学デバイスのための開孔
CN110346313A (zh) * 2019-07-31 2019-10-18 清华大学 一种光调制微纳结构、微集成光谱仪及光谱调制方法
WO2021145819A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 Agency For Science, Technology And Research Tunable optical device and method of forming the same
US20230118541A1 (en) * 2020-04-02 2023-04-20 Nil Technology Aps Metasurface coatings
KR20230008219A (ko) * 2020-05-18 2023-01-13 닐 테크놀로지 에이피에스 메타 구조물을 포함하는 광학 장치 및 광학 장치의 제조 방법
US11666273B2 (en) * 2020-05-20 2023-06-06 Apple Inc. Electronic device enclosure including a glass ceramic region
US11681077B2 (en) * 2020-10-30 2023-06-20 Avalon Holographics Inc. Optical metasurface with sub-hogels
WO2022105506A1 (zh) * 2020-11-18 2022-05-27 北京与光科技有限公司 光谱成像芯片和设备及信息处理方法、以及指纹活体识别装置和指纹模组
US11619857B2 (en) * 2021-05-25 2023-04-04 Apple Inc. Electrically-tunable optical filter
US20230012003A1 (en) * 2021-07-07 2023-01-12 Qualcomm Incorporated Meta-lens systems and techniques
US20230221416A1 (en) * 2022-01-07 2023-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Distance information acquisition apparatus and electronic apparatus including the same
JP2023110453A (ja) * 2022-01-28 2023-08-09 Tdk株式会社 光検知素子、光センサーユニット及び受信装置
US20230266167A1 (en) * 2022-02-23 2023-08-24 Viavi Solutions Inc. Optical sensor device

Also Published As

Publication number Publication date
FR3138861A1 (fr) 2024-02-16
CN117589305A (zh) 2024-02-23
US20240053195A1 (en) 2024-02-15
US11946802B2 (en) 2024-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8674283B2 (en) Image sensor with reduced optical crosstalk
TWI623090B (zh) 背面感光式影像感測器及其形成方法
US9177985B2 (en) Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US6171883B1 (en) Image array optoelectronic microelectronic fabrication with enhanced optical stability and method for fabrication thereof
US7667286B2 (en) Light-collecting device, solid-state imaging apparatus and method of manufacturing thereof
US20100116976A1 (en) Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
CN107342300B (zh) 半导体器件及制造图像传感器器件的方法
JP2003229553A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20050224694A1 (en) High efficiency microlens array
CN101105543A (zh) 微透镜装置及其制造方法
MXPA06014220A (es) Metodo para manufacturar un sensor de imagen, y un sensor de imagen.
TW202015230A (zh) 影像感測器與其形成方法
CN100463204C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20150194460A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TWI747589B (zh) 具增進光電轉換效率的影像感測器及其形成方法
TWI713210B (zh) 圖像感測器以及用於形成圖像感測器的方法
JP6039294B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN103022068B (zh) 一种cmos图像传感器及其制造方法
TW202407299A (zh) 環境光感測器
US9721983B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI622165B (zh) 影像感測器及其製作方法
TWI804362B (zh) 影像感測器
TW202416520A (zh) 影像感測器
US20240113142A1 (en) Image sensor
US20240021634A1 (en) Image sensor and method for reducing image signal processor