TW202405920A - 用於基板處理設備的頂圓蓋以及基板處理設備 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種基板處理設備包含：供處理製程在基板上進行的腔體；在腔體中支撐至少一基板的基板支撐單元；覆蓋腔體頂部的頂圓蓋以及與腔體底部耦接的底圓蓋，其中頂圓蓋的邊緣部被提供以具有比頂圓蓋的中心部的厚度更厚的厚度。

Description

用於基板處理設備的頂圓蓋以及基板處理設備

本發明關於一種在基板上進行如沉積製程以及蝕刻製程的處理製程之基板處理設備。

一般來說，應在基板上形成薄膜層、薄膜電路圖案或光學圖案(optical pattern)以製造太陽電池(solar cell)、半導體裝置、平坦顯示裝置等。為此，會在基板上進行處理製程，並且處理製程的示例包含了在基板上沉積包含特定材料的薄膜之沉積製程、利用感光材料選擇性曝光部分薄膜之曝光製程、將選擇性曝光的部分薄膜移除以形成圖案之蝕刻製程等。此種處理製程是藉由基板處理設備在基板上進行。

相關技術的基板處理設備包含腔體、在腔體中支撐基板的基板支撐單元以及覆蓋腔體之頂部的頂圓蓋。頂圓蓋被形成以具有整體(wholly)均勻的厚度。因此，相關技術的基板處理設備在將腔體的內部改變成真空狀態以在基板上進行處理製程的製程中，具有因外部吸引力集中在頂圓蓋的中心部而導致頂圓蓋損壞或故障之高風險的問題。

技術問題

本發明在於解決上述問題並且提供基板處理設備以及基板處理設備的頂圓蓋，其可降低在將腔體的內部改變成真空狀態以在基板上進行處理製程的製程中使頂圓蓋損壞或故障的風險。

技術手段

為了達成上述目的，本發明可包含以下要件。

根據本發明的基板處理設備可包含：供處理製程在基板上被進行之腔體；在腔體中支撐至少一基板之基板支撐單元；覆蓋腔體的頂部之頂圓蓋；以及與腔體的底部耦接之底圓蓋。頂圓蓋的邊緣部可被提供以具有比頂圓蓋的中心部之厚度更厚的厚度。

在根據本發明的基板處理設備中，頂圓蓋可包含內部直徑以及外部直徑。內部直徑的曲率中心與外部直徑的曲率中心彼此相隔。

在根據本發明的基板處理設備中，內部直徑的曲率中心可被設置在比外部直徑的曲率中心更靠近中心部的位置。

在根據本發明的基板處理設備中，頂圓蓋可被提供以使其厚度隨著頂圓蓋從中心部延伸至邊緣部而逐漸增加。

在根據本發明的基板處理設備中，中心部可包含面對基板支撐單元的內表面以及相對於內表面設置的外表面。平坦表面可被提供在內表面以及外表面中至少一者中。

在根據本發明的基板處理設備中，頂圓蓋可包含透明部以及被設置於透明部外側的不透明部。中心部可被包含在透明部中。邊緣部可被包含在不透明部中

在根據本發明的基板處理設備中，透明部可被提供以使其厚度隨著透明部從中心部延伸至不透明部而逐漸增加。

在根據本發明的基板處理設備中，不透明部被提供以使其厚度隨著不透明部從不透明部與透明部連接之一側延伸至另一側而逐漸增加。

在根據本發明的基板處理設備中，不透明部被提供以使其厚度為均勻隨著不透明部從不透明部與透明部連接之一側延伸至另一側而逐漸增加。

根據本發明的基板處理設備可包含與頂圓蓋耦接之凸緣(flange)。凸緣可在凸緣的一側與頂圓蓋耦接並在凸緣的另一側與腔體耦接。

根據本發明的用於基板處理設備的頂圓蓋會覆蓋供處理製程在基板上進行之腔體的頂部。頂圓蓋可包含：被設置在被提供於腔體中之基板支撐單元上的中心部；被設置在中心部外側的邊緣部。邊緣部可被提供以具有較中心部之厚度更厚的厚度。

在根據本發明的基板處理設備的頂圓蓋中，中心部可包含內部直徑以及外部直徑。內部直徑的曲率中心可被設置在比外部直徑的曲率中心更靠近中心部的位置。

在根據本發明的基板處理設備的頂圓蓋中，頂圓蓋可被提供以使其厚度隨著頂圓蓋從中心部延伸至邊緣部而逐漸增加。

在根據本發明的基板處理設備的頂圓蓋中，平坦表面可被提供在中心部的內表面以及中心部的外表面中至少一者中。

在根據本發明的基板處理設備的頂圓蓋中，中心部可被包含在透明部中。邊緣部可被包含在設置於透明部外側的不透明部中。透明部可被提供以使其厚度隨著透明部從中心部延伸至不透明部而逐漸增加。

有利功效

根據本發明，可實現以下功效。

在本發明中，頂圓蓋的中心部可被形成以具有比頂圓蓋的邊緣部之厚度更薄的厚度。因此，在本發明中，中心部可藉由將腔體的內部改變成真空狀態以在基板上進行處理製程的製程中施加至中心部的外部吸引力，而彈性變形。因此，本發明可將施加至中心部的外部吸引力分散(disperse)至邊緣部，從而降低中心部損壞或故障的風險。

因為邊緣部被形成以具有比中心部之厚度更厚的厚度，所以即使在施加至中心部的外部吸引力被朝邊緣部傳遞之時候，本發明被實施而使得邊緣部穩定地支撐中心部。

因為邊緣部被形成以具有比中心部之厚度更厚的厚度，所以本發明可降低透過邊緣部排放至外部的腔體之內部熱的量。因此，本發明可降低自基板的邊緣部之周邊損失的熱，且因此可減少基板的邊緣部與基板的中心部之間的溫度差。因此，本發明可提高基板上的處理製程的均勻度(uniformity)。

以下，將參考所附圖式來詳細描述根據本發明之基板處理設備的實施例。根據本發明之基板處理設備的頂圓蓋可被包含在根據本發明的基板處理設備中，且因此將隨著描述根據本發明的基板處理設備而一起被描述。而且，圖1是沿圖2中的線段I-I的剖面圖。

參考圖1，根據本發明的基板處理設備1在基板100上進行處理製程。基板100可為矽基板、玻璃基板或金屬基板。根據本發明的基板處理設備1可進行在基板100上沉積薄膜的沉積製程以及將沉積在基板100上的部分薄膜移除的蝕刻製程。舉例來說，根據本發明的基板處理設備1可進行使用磊晶生長(epitaxial growth)的沉積製程。以下，將描述根據本發明的基板處理設備1進行沉積製程之實施例，但是對本領域具通常知識者而言顯而易見的是，當可推導出根據本發明之基板處理設備1進行如蝕刻製程等另一處理製程的實施例。

根據本發明的基板處理設備1可包含腔體2、基板支撐單元3、底圓蓋4以及頂圓蓋5。

＜腔體＞

參考圖1，基板100上的處理製程是在腔體2中進行。在基板100上如沉積製程以及蝕刻製程的處理製程可在腔體2中進行。在進行處理製程的情況下，可將腔體2的內部配置成真空狀態。腔體2可提供製程空間21。製程空間21可被設置在腔體2中。腔體2可與供應氣體至製程空間21的氣體供應單元22連接。腔體2可與從製程空間21排放氣體的氣體排放單元23連接。在圖1中，繪示的是氣體供應單元22透過腔體2的側壁與氣體排放單元23連接，但是本發明並不限於此並且氣體供應單元22可透過腔體2的另一部分與氣體排放單元23連接。在處理製程中未被使用而殘留的氣體可透過氣體排放單元23從腔體2被排放。在將腔體2的內部變成真空狀態以進行處理製程的情況下，殘留在腔體2中的氣體可透過氣體排放單元23從腔體2被排放。在此情況下，為了將腔體2的內部變成真空狀態，腔體2可另外(separately)與排氣單元(exhaust unit)連接。

＜基板支撐單元＞

參考圖1，基板支撐單元3支撐基板100。基板支撐單元3可支撐一個基板100或可支撐多個基板100。在基板支撐單元3支撐多個基板100的情況下，處理製程可一次性地在這些基板100上進行。基板支撐單元3可與腔體2耦接。基板支撐單元3可被設置在腔體2中。

＜底圓蓋＞

參考圖1，底圓蓋4與腔體2的底部耦接。底圓蓋4可塞住(plug)製程空間21的底部。支撐基板支撐單元3的支撐件31可被設置在底圓蓋4中。底圓蓋4可由石英(quartz)形成。發出加熱光的多個底燈(圖未示)可被安裝在底圓蓋4外側。從底燈發出的加熱光可通過底圓蓋4並且可被傳遞至製程空間21，且因此可加熱製程空間21。

＜頂圓蓋＞

參考圖1至圖3，頂圓蓋5覆蓋腔體2的頂部。頂圓蓋5可作為根據本發明之基板處理設備的頂圓蓋被實施。頂圓蓋5可塞住(plug)製程空間21的頂側。頂圓蓋5可由石英形成。發出加熱光的多個頂燈(圖未示)可被安裝在頂圓蓋5外側。從頂燈發出的加熱光可通過頂圓蓋5並且可被傳遞至製程空間21，且因此可加熱製程空間21。頂圓蓋5可被形成為其底側為完全開放式(wholly opened)的圓蓋(dome)形狀。

頂圓蓋5可包含邊緣部51以及中心部52。

邊緣部51被設置在中心部52外側。邊緣部51可被設置以圍繞中心部52的外側。可藉由腔體2支撐邊緣部51。因此，邊緣部51可利用由腔體2支撐所產生的支撐力來支撐中心部52。

中心部52被設置在基板支撐單元3上。中心部52可設置於邊緣部51的內部。相對圖2中的平面圖來說，中心部52可為相對頂圓蓋5的中心點(center)CP被提供於特定直徑內的部分。在此情況下，中心部52的直徑可被決定為對應於頂圓蓋5的總直徑相對中心點CP之預設比例的長度。中心部52以及邊緣部51可被提供為一體成型。

中心部52可被提供以具有比邊緣部51的厚度更薄的厚度。因此，邊緣部51可被提供以具有比中心部52的厚度更厚的厚度。因此，根據本發明的基板處理設備1可實現(realize)以下功效。

首先，在根據本發明的基板處理設備1中，因為中心部52被提供以具有比邊緣部51的厚度更薄的厚度，所以當在將腔體2的內部改變成真空狀態以進行處理製程的製程中將外部吸引力施加至中心部52時，中心部52可向基板支撐單元3彈性變形。因此，根據本發明的基板處理設備1可降低中心部52因施加至中心部52的外部吸引力而損壞或故障的風險。再者，當氣體從製程空間21的排放結束時，中心部52可回復至原始形狀。

第二，在根據本發明的基板處理設備1中，因為在將腔體2的內部改變成真空狀態以進行處理製程的製程中，中心部52會向基板支撐單元3彈性變形，所以施加至中心部52的外部吸引力會如圖3中的虛線箭頭所繪示向邊緣部51分散。因此，根據本發明的基板處理設備1可更進一步降低中心部52損壞或故障的風險。而且，因為邊緣部51被提供以具有比中心部52的厚度更厚的厚度，所以即使在施加至中心部52的外部吸引力朝邊緣部51傳遞之時候，根據本發明的基板處理設備1仍被實施而使得邊緣部51穩定地支撐中心部52。因此，因為邊緣部51被提供以具有比中心部52的厚度更厚的厚度，所以根據本發明的基板處理設備1可增加頂圓蓋5的整體剛性。

第三，因為邊緣部51被提供以具有比中心部52的厚度更厚的厚度，所以根據本發明的基板處理設備1可降低透過邊緣部51排放至外部的製程空間21的熱。因此，根據本發明的基板處理設備1可減少從由基板支撐單元3支撐的基板的邊緣部之周邊損失的熱，且因此可補償基板100的邊緣部比基板100的中心部還低溫的情形。因此，根據本發明的基板處理設備1可減少基板100的邊緣部與基板100的中心部之間的溫度差，從而提高基板100上的處理製程的均勻度。

第四，在根據本發明的基板處理設備1中，因為中心部52被提供以具有比邊緣部51的厚度更薄的厚度，所以頂圓蓋5的總高度可降低至薄化中心部52的厚度之程度。因此，在根據本發明的基板處理設備1中，可透過降低總高度提高工作場所(workplace)的安裝之容易程度。

中心部52可包含內部直徑ID以及外部直徑ED。

中心部52內部直徑ID可對應於中心部52的內表面521的直徑。中心部52的內表面521是面對基板支撐單元3的表面。相對圖3中繪示的垂直剖面圖來說，中心部52的內部直徑ID可為相對曲率中心IDM的直徑。中心部52的內部直徑ID以及頂圓蓋5的總內部直徑可被實施為相等的。

中心部52的外部直徑ED可對應於中心部52的外表面522的直徑。中心部52的外表面522是相對中心部52的內表面521設置的表面。相對圖3中繪示的垂直剖面圖來說，中心部52的外部直徑ED可為相對曲率中心EDM的直徑。中心部52的外部直徑ED以及頂圓蓋5的外部直徑可被實施為相等的。

內部直徑ID的曲率中心IDM以及外部直徑ED的曲率中心EDM可被設置為彼此相隔。因此，頂圓蓋5可被實施而基於曲率中心IDM、EDM之間的位置差異使邊緣部51的厚度不同於中心部52的厚度。

參考圖1至圖4，內部直徑ID的曲率中心IDM可被設置在比外部直徑ED的曲率中心EDM更靠近中心部52的位置。在此情況下，內部直徑ID的曲率中心IDM與中心部52的內表面521之間相隔的最短距離可被實施為短於外部直徑ED的曲率中心EDM與中心部52的外表面522之間相隔的最短距離。因此，頂圓蓋5可被提供使邊緣部51具有比中心部52的厚度更厚的厚度。而且，因為內部直徑ID的曲率中心IDM被設置成比外部直徑ED的曲率中心EDM更靠近中心部52，所以根據本發明的基板處理設備1可實現(realize)以下功效。

首先，如圖4中之虛線所繪示，在外部直徑ED的曲率中心EDM以及內部直徑ID'的曲率中心被設置在相同位置的比較例中，係基於對應於腔體2的直徑2D之內部直徑ID'的交點IP'來決定頂圓蓋5的高度5H'。

接著，在如圖4中實線所繪示之內部直徑ID的曲率中心IDM被設置在比外部直徑ED的曲率中心EDM更靠近中心部52的位置的實施例中，對應於腔體2的直徑2D之內部直徑ID的交點IP可相較比較例來說被設置成更靠近中心部。亦即，關於圖4，實施例中的內部直徑ID的交點IP相較比較例中的內部直徑ID'的交點IP'來說被向上移動了更多。因此，實施例中的頂圓蓋5的高度5H可被實施為低於比較例中的頂圓蓋5的高度5H'。而且，實施例中的頂圓蓋5的內部體積可被實施為小於比較例中的頂圓蓋5的內部體積。

如上所述，在根據本發明的基板處理設備1中，因為內部直徑ID的曲率中心IDM被設置在比外部直徑ED的曲率中心EDM更靠近中心部52的位置，所以頂圓蓋5的高度5H可被降低，並且此外頂圓蓋5的內部體積可被減小。而且，在根據本發明的基板處理設備1中，處理頂圓蓋5的流程之容易程度可被增加而使邊緣部51被提供以具有比中心部52的厚度更厚的厚度。

頂圓蓋5可被提供而使其厚度隨著頂圓蓋5從中心部52延伸至邊緣部51而逐漸增加。在此情況下，頂圓蓋5的內表面可被形成以構成一個曲面，且頂圓蓋5的外表面可被形成以構成一個曲面。因此，在根據本發明的基板處理設備1中，可增加切除頂圓蓋5的內表面之處理流程的容易程度及切除頂圓蓋5的外表面之處理流程的容易程度。

參考圖1至圖6，可在中心部52的內表面521以及中心部52的外表面522中至少一者中形成平坦表面523。

在平坦表面523如圖5所繪示被提供在中心部52的內表面521中的情況下，製程空間21的體積可因為平坦表面523而減少。因此，根據本發明的基板處理設備1可提高調整製程空間21的溫度之流程的容易程度。而且，中心部52的厚度可因形成平坦表面523而變厚，且因此根據本發明的基板處理設備1可基於平坦表面523而被實施以具有能夠使中心部52承受更高的真空(vacuum)之剛性。平坦表面523可僅被提供於中心部52的內表面521的部分。雖然圖未示，但平坦表面523仍可被提供於中心部52的整個內表面521。

在平坦表面523如圖6所繪示被提供在中心部52的外表面522中的情況下，頂圓蓋5的高度可因為平坦表面523而降低。因此，在根據本發明的基板處理設備1中，工作場所之安裝的容易程度可基於頂圓蓋5的高度減少而被提高。而且，在平坦表面523如圖6所繪示被提供在中心部52的外表面522中的情況下，角落部523a(圖5中所繪示)不被提供在製程空間21中。因此，根據本發明的基板處理設備1可減少由角落部523a造成之裂痕出現在面對製程空間21的中心部52的內表面521中的風險。平坦表面523可僅被提供於中心部52的外表面522之部分。雖然未繪示，但平坦表面523仍可被提供於中心部52的整個外表面522。

參考圖1至圖6，頂圓蓋5可包含連接部53。

連接部53可被設置在邊緣部51與中心部52之間。在此情況下，邊緣部51與中心部52可透過連接部53彼此連接。連接部53可設置於邊緣部51的內部，並且中心部52可設置於連接部53的內部。構成邊緣部51與中心部52之間的邊界的直徑可被決定為對應於頂圓蓋5的總直徑相對於中心點CP的預設比例的長度。連接部53的內表面、中心部52的內表面521以及邊緣部51的內表面可被形成以構成一個曲面。連接部53的外表面、中心部52的外表面522以及邊緣部51的外表面可被形成以構成一個曲面。在此情況下，平坦表面523可被提供於中心部52的內表面521以及中心部52的外表面522中至少一者中。連接部53、中心部52以及邊緣部51可被提供為一體成型。頂圓蓋5可在沒有連接部53的情況中僅由邊緣部51以及中心部52構成。

參考圖1至圖7，頂圓蓋5可包含透明部54以及不透明部55。

透明部54被形成為透明的。中心部52可被包含在透明部54中。在頂圓蓋5包含連接部53的情況下，中心部52以及連接部53可被包含在透明部54中。在此情況下，連接部53的全部或部分可被包含在透明部54中。透明部54可位於不透明部55的內部。在此情況下，不透明部55可被設置以圍繞透明部54的外側。透明部54以及不透明部55可被個別製造且接著可彼此耦接，且因此可被實施為頂圓蓋5。透明部54以及不透明部55可被提供為一體成型。

透明部54可被提供使其厚度隨著透明部54從中心部52延伸至不透明部55而逐漸增加。因此，透明部54被實施以降低在將腔體2的內部改變成真空狀態以進行處理製程的製程中因為施加至中心部52的外部吸引力而中心部52損壞或故障的風險。

不透明部55被形成為不透明或半透明的。邊緣部51可被包含在不透明部55中。當頂圓蓋5包含連接部53時，邊緣部51以及連接部53可被包含在不透明部55中。在此情況下，連接部53的全部或部分可被包含在不透明部55中。只有邊緣部51可被包含在不透明部55中。

因為邊緣部51被包含在不透明部55中，所以根據本發明的基板處理設備1透過邊緣部51排放至外部的製程空間21的熱量。因此，根據本發明的基板處理設備1可降低自基板100的邊緣部之周邊損失的熱，且因此可減少基板100的邊緣部與基板100的中心部之間的溫度差，從而更提高基板100上的處理製程的均勻度。

不透明部55可被提供以使其厚度隨著不透明部55從不透明部55中與透明部54連接之一側延伸至不透明部55之另一側而逐漸增加。在此情況下，透明部54的內表面以及不透明部55的內表面可被提供以構成一個曲面，並且透明部54的外表面以及不透明部55的外表面可被提供以構成一個曲面。

不透明部55可被提供使其厚度為均勻隨著不透明部55從不透明部55中與透明部54連接之一側延伸至不透明部55的另一側延伸。在此情況下，各個透明部54的內表面以及外表面可被提供以構成一個曲面，並且各個不透明部55的內表面以及外表面可被提供以構成平坦表面。

參考圖1至圖6，根據本發明的基板處理設備1可包含凸緣6。

凸緣6與腔體2耦接。頂圓蓋5可與凸緣6的一側耦接，並且凸緣6的另一側可與腔體2耦接。在此情況下，可透過凸緣6藉由腔體2支撐頂圓蓋5。凸緣6可被提供以具有比頂圓蓋5的厚度更厚的厚度。因此，凸緣6可利用由腔體2之支撐提供的支撐力來穩定地支撐頂圓蓋5。凸緣6可被設置以圍繞頂圓蓋5。在此情況下，頂圓蓋5可設置於凸緣6的內部。凸緣6可由石英形成。凸緣6可被形成為不透明或半透明的。

再者，在根據本發明的基板處理設備1中，底圓蓋4的邊緣部可被提供以具有比底圓蓋4的中心部的厚度更厚的厚度。因此，根據本發明的基板處理設備1可降低底圓蓋4以及頂圓蓋5在將腔體2的內部改變成真空狀態以進行處理製程的製程中損壞或故障的風險。在此情況下，除了底圓蓋4與腔體2的底部耦接之外，底圓蓋4可被實施以大約匹配於上述頂圓蓋5。因此，對本領域具通常知識者而言顯而易見的是，底圓蓋4是從頂圓蓋5的描述推導而來的，且因此省略被實施以大約匹配於頂圓蓋5的底圓蓋4之詳細描述。

本發明並不限於上述的實施例以及所附圖式，並且本領域具通常知識者將清楚意識到在不偏離本發明的精神與範圍的前提下，當可進行各種修改、變形以及替換。

CP:中心點 ED:外部直徑 ID:內部直徑 IDM:曲率中心 EDM:曲率中心 1:基板處理設備 2:腔體 3:基板支撐單元 4:底圓蓋 5:頂圓蓋 6:凸緣 21:製程空間 22:氣體供應單元 23:氣體排放單元 31:支撐件 51:邊緣部 52:中心部 53:連接部 54:透明部 55:不透明部 100:基板 521:內表面 522:外表面 523:平坦表面 523a:角落部 2D:直徑 IP':交點 IP:交點 5H':高度 5H:高度 ID':內部直徑

圖1是根據本發明之基板處理設備的剖面示意圖。 圖2是根據本發明之基板處理設備中之頂圓蓋的平面示意圖。 圖3以及圖4是沿圖2中的線段I-I之頂圓蓋的剖面概念圖。 圖5以及圖6是沿圖2中的線段I-I之頂圓蓋的中心部的剖面示意圖。 圖7是沿圖2中的線段I-I之頂圓蓋的剖面示意圖。

ED:外部直徑

ID:內部直徑

EDM:曲率中心

IDM:曲率中心

51:邊緣部

52:中心部

53:連接部

Claims (15)

1. 一種基板處理設備，包含：一腔體，供一處理製程在一基板上進行；一基板支撐單元，在該腔體中支撐至少一基板；一頂圓蓋，覆蓋該腔體的一頂部；以及一底圓蓋，與該腔體的一底部耦接，其中該頂圓蓋的一邊緣部被提供以具有比該頂圓蓋的一中心部之厚度更厚的厚度。
2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該頂圓蓋包含一內部直徑以及一外部直徑，並且該內部直徑的曲率中心與該外部直徑的曲率中心彼此相隔。
3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中該內部直徑的曲率中心被設置在比該外部直徑的曲率中心更靠近該中心部的位置。
4. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該頂圓蓋被提供以使其厚度隨著該頂圓蓋從該中心部延伸至該邊緣部而逐漸增加。
5. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該中心部包含面對該基板支撐單元的一內表面以及相對於該內表面設置的一外表面，並且一平坦表面被提供在該內表面以及該外表面中至少一者中。
6. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該頂圓蓋包含一透明部以及被設置於該透明部外側的一不透明部，該中心部被包含在該透明部中，並且該邊緣部被包含在該不透明部中。
7. 如請求項6所述之基板處理設備，其中該透明部被提供以使其厚度隨著該透明部從該中心部延伸至該不透明部而逐漸增加。
8. 如請求項6或7所述之基板處理設備，其中該不透明部被提供以使其厚度隨著該不透明部從該不透明部中與該透明部連接之一側延伸至該不透明部之另一側而逐漸增加。
9. 如請求項6或7所述之基板處理設備，其中該不透明部被提供以使其厚度為均勻隨著該不透明部從該不透明部中與該透明部連接之一側延伸至該不透明部的另一側而逐漸增加。
10. 如請求項1所述之基板處理設備，包含與該頂圓蓋耦接之一凸緣(flange)，其中該凸緣在該凸緣的一側與該頂圓蓋耦接並在該凸緣的另一側與該腔體耦接。
11. 一種用於基板處理設備的頂圓蓋，覆蓋供一處理製程在一基板上進行之一腔體的一頂部，該頂圓蓋包含：一中心部，被設置在被提供於該腔體中之該基板支撐單元上；以及一邊緣部，被設置在該中心部外側，其中該邊緣部被提供以具有較該中心部之厚度更厚的厚度。
12. 如請求項11所述的頂圓蓋，其中該中心部包含一內部直徑以及一外部直徑，並且該內部直徑的曲率中心被設置在比該外部直徑的曲率中心更靠近該中心部的位置。
13. 如請求項11所述的頂圓蓋，其中該頂圓蓋被提供以使其厚度隨著該頂圓蓋從該中心部延伸至該邊緣部而逐漸增加。
14. 如請求項11所述的頂圓蓋，其中平坦表面被提供在該中心部的一內表面以及該中心部的一外表面中至少一者中。
15. 如請求項11所述的頂圓蓋，其中該中心部被包含在一透明部中，該邊緣部被包含在設置於該透明部外側的一不透明部中，並且該透明部被提供以使其厚度隨著該透明部從該中心部延伸至該不透明部而逐漸增加。