TW202349443A - 高功率產生器以及供應高功率脈波的方法 - Google Patents

Abstract

高功率（HP）產生器（10）與方法，將具有高電壓值和/或高電流值的脈波高功率輸送到電容負載，特別輸送至電漿製程，包括： - 多個低功率（LP）產生器（14、16、18）， o 每個LP產生器（14、16、18）包括儲能部件（C1、L1），其中在使用中將該儲能部件（C1、L1）充電至與該儲能部件相關的預定義值， o 在使用中，每個LP產生器（14、16、18）在其輸出處提供LP產生器值，其對應於各自的該LP產生器（14、16、18）中所包含的該儲能部件（C1、C2、Cn；L1、L2、Ln）的該值， - 一耦合器（20），電性連接至該等LP產生器（14、16、18），使得可獲得在該耦合器（20）的輸出處的一耦合值，該耦合值對應於該HP產生器（10）的輸出值，並且在使用中，至少在該HP產生器（10）的一些狀態下，該耦合值高於該等LP產生器（14、16、18）其中之一的該輸出處的該LP產生器值， - 控制單元（22），其配置為在該HP產生器（10）的電力輸送期間選擇該等LP產生器（14、16、18）對該HP產生器（10）的該輸出值的貢獻，以在該耦合器（20）的該輸出處產生脈波的上升和/或衰減， - 該控制單元（22）進一步配置成在該HP產生器（10）的該輸出處和/或在該負載上的一專用位置處，特別是在電漿製程的基板上，以減少電壓超越的方式選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻。

Description

高功率產生器以及供應高功率脈波的方法

本發明關於一種高功率（High power，HP）產生器，其配置為將具有高電壓值和/或高電流的脈波高功率輸送至電容負載，特別是電漿製程。本發明還涉及一種提供高功率脈波至電漿製程的方法。

電容負載是指帶有電容部分的負載，也就是說，這個負載上的電壓上升意味著高電流能力。在這些情況下，該電容部分可以至少為100pF，較佳為200pF或更大，例如大約500pF。這可能是電漿製程中的負載，例如，電漿處理應用。

一些電漿處理應用，例如蝕刻或層沉積，需要高壓（High voltage，HV）、高頻（High frequency，HF）、矩形、不對稱、脈波電壓供應。特別是當需要高頻操作時，電壓值通常會明顯超過單個半導體開關的電壓處理可能性。

本發明的目的是提供一種高功率產生器和一種提供高功率脈波至電漿的方法，其允許提供快速變化的功率（脈波）至電漿製程。

根據第一態樣，本發明關於一種高功率（HP）產生器，其配置為將具有高電壓值和/或高電流值的高功率輸送到負載，特別輸送至電漿製程，該高功率產生器包括： 多個低功率（Low power，LP）產生器， 每個LP產生器包括儲能部件，其中在使用中將儲能部件充電至與儲能部件相關的預定義值， 在使用中，每個LP產生器在其輸出處提供一個LP產生器值，該LP產生器值對應於各自的LP產生器中所包含的儲能部件的值， 一耦合器，其中電性連接至LP產生器，使得可獲得在耦合器輸出處的耦合值，該耦合值對應於HP產生器的輸出值，並且在使用中，至少在HP產生器的某些狀態下，該耦合值高於LP產生器其中之一的輸出處的LP產生器值， 一控制單元，其配置為在HP產生器的電力輸送期間選擇LP產生器對HP產生器的輸出值的貢獻，以在耦合器的輸出處產生脈波的上升和/或衰減。

在一個態樣中，該控制單元可配置成在HP產生器的輸出處和/或在該負載上的專用位置處減少電壓超越(voltage overshoot)的方式，選擇LP產生器（14、16、18）的貢獻，特別是在電漿製程的基板上。這可以藉由HP產生器輸出處的第一階躍來完成，它只是第二階躍值的一部分，特別只是第二階躍值的一半，例如第二階躍值可以是全量。

根據一個態樣，耦合器的輸出和/或HP產生器（10）的輸出在使用中是階躍函數(step-function)，特別是沒有連續斜率的實際階躍函數。

根據一個態樣，在一個脈波期間依序啟動LP產生器。這意味著並非所有的LP產生器都在脈波開始時立即啟動。因此，如果脈波長度為0.5µs至2µs，則在脈波開始時啟動第一個LP產生器或一些LP產生器的堆疊。大約10ns或100ns後，一個或一些額外的LP產生器被啟動，因此HP產生器輸出處的脈波上升。然後，再過10ns或100ns後，額外啟動下一個LP產生器或LP產生器的堆疊，因此脈波進一步上升。對於脈波的衰減，可用相同的方式逐步停用一個或一些LP產生器。藉由啟動一個或多個LP產生器意味著控制單元選擇這些LP產生器，以在HP產生器的電力輸送期間為HP產生器的輸出值做出貢獻。換言之，該控制單元可以配置為在HP產生器輸出的脈波期間，多次選擇每個LP產生器對HP產生器的輸出值的貢獻。

根據一個態樣，該耦合器包括多於四個電性連接的LP產生器，特別是6個或更多LP產生器，較佳是10個或更多，最佳是15個或更多個LP產生器。使用如此大量的LP產生器，可以產生沒有連續斜率的實際階躍函數。

在一個態樣中，該控制單元配置成以至少一個振幅階躍(amplitude step)低於500V的方式，以及或者以不需要具有連續斜率輸出的產生器的方式來選擇LP產生器的貢獻。

有了這樣的解決方案，就不需要產生連續斜率的產生器，這使得HP產生器效率更高。

在一個態樣中，該耦合器和該控制單元配置成僅藉由切換(switching)來連接LP產生器。

在一個態樣中，該控制單元可配置為選擇LP產生器對HP產生器的輸出值的貢獻，以在脈波的上升邊緣和/或下降邊緣形成階躍線脈波形狀(step-line pulse shape)。

在一個態樣中，LP產生器的數量足夠多到可以在耦合器的輸出處形成電壓上升和/或下降的脈波，其值等於或高於LP產生器的多個值的總和，以及階躍線脈波形狀，其中階躍的值與一數值對應，此數值等於或高於一個或多個LP產生器的值。

根據一個態樣，藉由具有初級繞組(primary winding)與用於每個LP產生器的次級繞組的變壓器(transformer)提供LP產生器的充電能量，次級繞組連接到整流器(rectifier)，每個整流器連接到各自的該的LP產生器的儲能部件。整流器可以包括至少一個半導體元件，例如二極體。整流器可包括以橋式整流方式連接的四個二極體。整流器和/或變壓器可以是電源的一部分。

數個LP產生器，特別是每個LP產生器，其具有各自的該的變壓器。

數個變壓器，特別是對應於LP產生器的每個變壓器，其自身具有磁芯。

數個變壓器，特別是對應於LP產生器的每個變壓器，其包括平衡繞組，較佳是兩個平衡繞組。

這允許交流（AC）電源電流沿變壓器自由流動，為負載級（即連接到負載的LP產生器）提供電荷，並防止空載級，即，LP產生器未連接到負載，因此不會對HV產生器輸出做出貢獻，以免被過度充電。相同的概念可用於供電至驅動電路。

一個變壓器的一個平衡繞組可連接至不同變壓器的一平衡繞組。

因此，數個變壓器，特別是對應於LP產生器的每個變壓器，可以藉由開放鏈配置(open chain configuration)進行連接。

多個變壓器的初級繞組，特別是對應於LP產生器的變壓器的每個初級繞組，可以串聯連接。這可能意味著以一條電線經由所有串聯的變壓器，配置成由交流電源電流供電。

如果每個變壓器都有自己的磁芯並且唯一的共同元件是初級繞組，則可藉由高效和有效的方式分離高電壓和高電流，可由一條共同導線製成初級繞組。

數個變壓器，特別是對應於LP產生器的每個變壓器，也稱為「級(stage)」，可實施為環芯變壓器。

在一個態樣中，平衡電路包括僅允許電流單向流動的部件，特別是二極體或是如同二極體運作的部件，二極體連接在兩個LP產生器之間。例如，數個LP產生器的儲能部件，特別是每個LP產生器的儲能部件（特別是電容器）的負輸出藉由這種平衡電路與前述LP產生器的相同電位連接。這可以當啟動與負載並聯的開關並且較低的LP產生器儲能部件值超過較高的LP產生器上的值時，使電荷從較低的LP產生器儲能部件轉移到較高的LP產生器上的儲能部件。「啟動」的意思是：「切換到導通狀態」，或「在其輸出處切換到低阻抗」。「與負載並聯的開關」是指負責在啟動時將相應的LP產生器與附近連接的LP產生器斷開連接的切換元件。在圖2a、圖2b、圖4、圖5中，示出切換元件S1。在圖3中，示出切換元件S2。連接開關是指當啟動時負責連接相應LP產生器的切換元件。在圖2a、圖2b、圖4、圖5中，示出切換元件S2。在圖3中，示出切換元件S1。最高的LP產生器的儲能部件將從整體堆疊中積累過多的電荷。因此，可有利地以一種方式控制這些最高的LP產生器，以向負載提供比其他LP產生器更多的功率，以便擺脫過多的電荷。

在一個態樣中，在開放鏈配置中，阻尼回路(damping circuit)位於LP產生器其中數個之間，特別是位於所有的LP產生器之間。開放鏈配置意味著這種阻尼回路位於每個LP產生器與其下一個更高的LP產生器之間，但不在最高和最低之間。如果儲能部件是電容器，則阻尼回路可以包括電阻器和/或電感性。如果儲能部件是電感器，則阻尼回路可以包括電阻器和/或電容器。LP產生器之間的阻尼回路可以較佳地與平衡電路串聯定位。阻尼回路可用於消除電荷處理路徑的寄生部件上的振盪。

整體HP產生器可以直接進行液體冷卻。這可以藉由浸沒式介電質冷卻液來完成，特別是LP產生器藉由介電質冷卻液浸洗。HP產生器的所有部件，包括變壓器，都可以浸泡在介電質冷卻液中，進而降低電氣間隙和爬電距離要求，同時提供高度冷卻能力。這允許針對所有部件的安全工作區域的使用進行改良，並導致進一步縮小尺寸並減少寄生電感和電容。這使得整體HP產生器的尺寸變小並提高效率。

數個LP產生器和數個控制單元，特別是所有LP產生器和所有控制單元至少部分地、至少連同切換單元一起位於一個外殼之中。耦合器可位在同一外殼之中。變壓器和整流器可位於該外殼之中。該外殼可以是防水的。介電質冷卻液可以流經該外殼。由此可以增強冷卻和隔離效果。可以縮短距離。這使得所使用導線的長度能縮短，進而減少固有電感，使切換能力更快。可藉由這種直接液體冷卻來降低不同開關和LP產生器和/或耦合器的其他部件之間的溫差。因此可以達成進階平衡。

在一個態樣中，控制單元可配置成經由LP產生器而依序選擇LP產生器的貢獻。特別是，可以在不同的LP產生器上開始每一個脈波序列，以便所有n個LP產生器在n個脈波後均等加載。這會增強LP產生器組之間的負載分佈，進而在切換元件之間實現更好的功率損耗平衡。

在一個態樣中，該控制單元可包括切換單元，具有至少10A/μs的電流上升能力。憑藉如此高的電流上升能力，可以足夠快地為電容負載充電。

在一個態樣中，該控制單元可包括切換單元，切換單元在電壓上升和下降速率為15kV/μs或更高狀況下，具有承受約0.5kV或更高電壓的能力。由此，可以實現具有極強電壓轉變的極脈波。這是許多應用（例如電漿製程，尤其是半導體電漿製程）亟需的功能。

在一個態樣中，LP產生器的至少一個，較佳是幾個，最佳是所有的LP產生器包括LP產生器值限制電路，例如電壓限制電路或電流限制電路。這可能是帶有附加電阻器的附加切換元件或帶有功率損耗部件的可變電控阻抗。有了這樣的電路，HP產生器變得更加可靠。

在一個態樣中，控制單元配置為以電流隔離的方式(galvanically isolated way)選擇LP產生器的貢獻，特別是通過光纖連接或磁耦合。可以由控制單元對切換單元進行控制來選擇LP產生器的其中一些或較佳為每個LP產生器。數據處理器的輸出與切換單元之間可藉由光纖或磁耦合進行連接。這有助於有效、快速且無時間延遲地切換所有LP產生器，以形成具有尖銳電壓邊緣的脈波，例如可以藉由一個電流隔離連接來連接一個切換單元的多個切換元件。可以將具有相應切換單元的多個LP產生器合併為一個組，該組的配置可以是只能一起啟動或停用的方式。然後，對於這樣的組，可能僅使用一個電流隔離連接。電流隔離連接的數量減少可以節省成本，並由於具有故障風險的部件變少而使HP產生器更加可靠。有利地，每個開關有自己的電流隔離連接。然而，如果合併多個發射器，則可以由一個控制信號進行控制。這減少了所需的I/O端口數。

在一個態樣中，所有LP產生器（也稱為「級」）上的電壓是相等的，儘管它們的負載不平衡。此外，藉由將初級繞組定位在環芯變壓器的中間附近，同時使次級繞組靠近鐵芯並遠離初級繞組，很容易實現初級繞組到次級繞組的隔離（接地到高壓）。平衡繞組可以靠近次級繞組放置，因為這裡只應提供級至級之間的電壓絕緣。

「控制單元配置為選擇LP產生器對HP產生器輸出值的貢獻」的含義應理解為HP產生器的電路與控制單元的程式相結合的能力和配置。這使得HP產生器能夠選擇LP產生器及其各自的LP產生器值，以提供對HP產生器輸出值的貢獻。

控制單元可以包括數據處理器，例如實施為帶有程式記憶體的嵌入式微控制器，例如實施為非揮發性數據記憶體和數據記憶體，例如實施為揮發性數據記憶體，這種控制單元通常包括用於輸入數據（例如測量數據、控制輸入數據等）以及輸出數據（例如控制信號、資訊信號、警報信號等）的數據介面。這種控制單元通常包括數據計算部分、數據比較可能性和類似電路，使其能夠從輸入數據中計算出新數據，找到與輸入和/或計算數據相關的決策，並輸出相關數據信號以控制例如HP產生器的其他電路。

耦合器的輸出可以是HP產生器的輸出。但也有可能在耦合器輸出和HP產生器的輸出之間連接一些較小的附加電壓或電流整形部件。這種較小的附加電壓或電流整形部件可以是濾波器或小電壓、電流或電源，其數值遠小於耦合器的輸出值。

「HP產生器的狀態」是指HP產生器在使用時可能處於的不同狀態，這取決於啟動不同LP產生器和/或切換單元和/或HP產生器中的切換元件。

高功率意味著脈波期間為10kW或更高。高電壓值意味著4kV或更高。高電流意味著10A或更高。HP產生器可配置成影響電漿製程中電漿中和/或電漿電位與基板之間的電壓和/或電荷載體的移動。儲能部件可以是電容器或電感器和/或其他儲能部件。應當理解為儲能部件經配置為儲存一定量的能量，其可以是HP產生器的一個脈波的輸出能量的合理部分，這意味著至少是HP產生器的一個脈波的能量的1/200，較佳至少是HP產生器的一個脈波的能量的1/100，甚至更佳至少是HP產生器的一個脈波的能量的1/50。對儲能部件持續充電包括將電容器充電至預定電壓值或將電感器充電至預定電流值。耦合器中的LP產生器的電性連接可以是串聯連接、並聯連接或其兩者組合。耦合值可以是電壓、電流或功率。控制單元可判定哪個LP產生器對HP產生器的輸出功率有貢獻。控制單元可配置成控制LP產生器使得至少兩個LP產生器對HP產生器的輸出有貢獻，即，將至少兩個LP產生器的輸出值相加以形成HP輸出值。

主要優點是對儲能部件進行充電，其獨立於控制單元的狀態。這意味著產生輸出值的工作週期沒有限制，特別是輸出脈波、它們的寬度以及結果：平均輸出功率。第二個優勢是每個LP產生器都有自己的儲能部件，分別保護控制單元中的開關，避免開關受過電壓或過電流的影響。第三個優勢是由於低功率部件，所有部件都相對便宜。

控制單元可以包括切換單元，其中一個切換單元與每個LP產生器相關聯。每個切換單元可以包括一個或兩個電晶體，特別是MOSFET。MOSFET提供高切換能力，可用於50A或更高的電流，並允許切換500V或更高的電壓。如果使用MOSFET，則可以為每個MOSFET提供反平行二極體，特別是與每個MOSFET並聯。MOSFET可以是基於碳化矽（SiC）或基於氮化鎵（GaN）的MOSFET，其適用於500V或更高的快速切換電壓，具有高電壓上升和下降時間（15kV/µs或更高）以及具有高電流上升和下降時間（10A/µs或更多）的高電流（50A或更多）。

每個切換單元可以包括半橋電路，該半橋電路包括兩個串聯連接的切換元件。一個電晶體可配置為在閉合時以這樣的方式連接兩個LP產生器，使得兩個LP產生器的兩個值都影響耦合器輸出處的值。特別地，可以將兩個LP產生器的輸出值相加。另一個電晶體可以在啟動時，也就是當電晶體關閉或處於導通狀態時配置成使得負載短路。

每個半橋電路可由其儲存部件，例如電容器，進行箝位。這意味著儲存部件直接並聯連接到其半橋。這種配置可保護兩個開關免受高達電容器電壓的過電壓。該儲存部件也可以是電感器。這種配置可以保護兩個開關免受高達電感器中電流值的過電流影響。這足以在所有LP產生器上分別保持安全電壓/電流，以分別防止過電壓或過電流所造成的相關故障。因此，每個LP產生器都將其運行級別保持在自身範圍內。這達成了自我維護的安全條件。

控制單元可包括驅動器。驅動器可配置為驅動切換單元，特別是電晶體，特別是MOSFET。控制單元，特別是切換單元，可以是各自的LP產生器的一部分。

將至少6個LP產生器、較佳是10個LP產生器或更多、更佳是15個LP產生器或更多耦合於一個耦合器中。至少兩個LP產生器可以提供相同的LP產生器值。較佳地，大多數LP產生器，或甚至所有LP產生器都能提供相同的值。至少兩個LP產生器也有可能提供不同的LP產生器值，具體來說，所有LP產生器都可以提供不同的值。單個LP產生器可以提供單一LP產生器值，該LP產生器值是另一個LP產生器的LP產生器值的一半。

電容器可提供作為儲能部件，其特別與切換單元半橋並聯。這能穩定耦合器的輸出值。每個LP產生器可能有自己的電容器，其充電到適當的電壓位準。啟動相關聯切換單元的一個開關使負載連接到電容器，例如電漿製程。啟動切換單元的另一個開關會縮短負載。整個HP產生器的輸出可能在每個脈波期間呈現真正的動態電壓源，進而實現巨大的輸出電流和所需的快速電壓轉換。

具有全橋電路和較佳是降壓轉換器(buck converter)的變流器(inverter)可以連接到初級繞組。以此向LP產生器高效供電。

在另一態樣中，本發明關於一種將高功率（HP）產生器所提供的具有不同振幅的高功率脈波供應至電漿製程的方法，包括以下步驟： a. 將多個低功率（LP）產生器的儲能部件分別連續充電至預定義值， b. 藉由控制LP產生器對於HP產生器輸出的貢獻，選擇性耦合至少一些LP產生器的輸出值以獲得對應於具有期望振幅的脈波的HP產生器的期望輸出值。

藉由使用多個LP產生器，每個LP產生器都包含儲能部件連同耦合器，可選擇使用多少個LP產生器有助於產生輸出脈波。這種解決方案相對安全、通用且便宜。這方案是安全的，因為每個LP產生器都可配置為保護其相關開關免受高於其儲能部件功率值的功率影響。該方案是通用的，因為可以快速改變輸出脈波振幅，其分辨率等於低功率產生器的數量。該方案是便宜的，因為可以使用許多低功率產生器和低電壓開關，這通常比單個HP產生器和高功率脈波單元便宜。

在一個態樣中，LP產生器，也稱為「級」，可以單獨或成組地控制。可饋送控制信號到切換單元的驅動器，較佳地藉由光纖，但也可以使用其他裝置。可由一塊主控板單獨控制切換單元的所有開關，也可使用一個信號控制整個級（例如，切換單元連接開關的控制信號可以來自主控板；切換單元之並聯負載開關的信號可以在連接開關驅動板上產生），一個信號可以控制多個開關/級進行分組控制等。總輸出值是僅啟動/選定的LP產生器的輸出值的總和。藉由為每個脈波啟動或選擇不同數量的LP產生器，可以改變每個脈波的總輸出值。

在一個態樣中，LP產生器的輸出值，即LP產生器值，可以動態穩定。每個LP產生器可能有自己的電容器，將其充電到適當的電壓位準。啟動一個開關，將負載連接到該電容器。啟動另一個開關會縮短負載。整體HP產生器的輸出在每個脈波期間呈現真正的動態電源，進而實現巨大的輸出電流和所需的快速電壓轉換。

可以實現雙階躍轉換而不是單階躍輸出值轉換。藉由任何連接器電感將低阻抗電壓源與電容負載相連，不可避免地會導致電流和電壓振盪。負載峰值電壓達到所施加電壓電平的兩倍。電阻阻尼回路消耗大量功率。藉由雙階躍轉換的應用，可以顯著降低功率損耗。這在所呈現的拓撲中是可能的。藉由雙階躍轉換可以獲得接近矩形的電壓波形、更低的超越和顯著降低的功率損耗。

在持續輸出脈波期間能依序啟動數個級，也稱為「LP產生器」。啟動LP產生器意味著啟動相應的連接切換元件。為了補償衰減的晶圓電壓，可以分幾個階躍增加輸出電壓。每一階躍將其電壓添加到總輸出電壓值。如果所有級上的電壓相等，則每一階躍的分辨率是整體LP產生器組電壓的1/n倍。可以構建獨立堆疊來處理補償功能。這可以單獨控制，並可能導致更精細的階躍分辨率，進而導致更穩定的晶圓電壓和更佳的離子能量分佈。

下文中基於示出本發明重要細節的附圖以及申請專利範圍，針對本發明的具體實施例的詳細說明中可獲得本發明的其他特徵和優點。此處所示的特徵不必理解為按比例繪製，並且以使得根據本發明的特殊特徵可以清晰可見的方式示出。可以在本發明的變化例中單獨地或以任意組合來實現各種特徵。

圖1示出電漿應用所需的脈波1的序列。可以看出，對於某些脈波，脈波1的振幅可能必須保持不變，然而從脈波1到脈波1a也可能必須產生振幅變化。

圖2a示出適用於產生高功率脈波的高功率（HP）產生器10的第一具體實施例。HP產生器具有正輸出32和負輸出12。HP產生器10包括數個低功率（LP）產生器14、16、18，其中每個LP產生器14、16、18包括儲能部件C1、C2、Cn，在這種情況下實施為電容器。在使用中，將儲能部件C1持續充電至儲能部件C1的相關預定義值以保持儲存在其中的能量恆定。在使用中，每個LP產生器14、16、18在其輸出處提供一個LP產生器值，該值對應於併入各自的LP產生器14、16、18中的儲能部件C1的值。LP產生器14、16、18電性連接在耦合器20中，使得耦合器20輸出處的耦合值可以對應於HP產生器10的輸出值，該耦合值高於LP產生器14、16、18之一的輸出處的LP產生器值。控制單元22配置成在HP產生器10的電力輸送期間，選擇LP產生器14、16、18對HP產生器10的輸出值的貢獻。為清楚起見，僅示出三個LP產生器。實際上，使用了更多的LP產生器，通常為6個或更多，甚至10個或更多，尤其是15個或更多，以產生輸出的逐步過渡，其與負載所需的一樣平滑。

控制單元22包括與每個LP產生器14、16、18相關聯的切換單元24、26、28。切換單元24、26、28各自包括切換元件S1、S2。在所示的具體實施例中，切換元件S1、S2串聯連接並因此實現半橋。由控制單元22的驅動器30驅動切換單元24、26、28以及切換元件S1、S2。

HP產生器的正輸出32接地，也稱為接地電位PE。所有LP產生器都連接到電源34，電源34包括連接到電網的變壓器、整流器和變流器，電源34本身包括全橋和降壓轉換器，這將在下文中更詳細地說明。

圖2b很大程度上對應於圖2a。因此，相似的元件具有相似的編號。圖2a與圖2b的區別在於，圖2b中儲能部件具體實施為電感器L1、L2、Ln。因此，耦接器20內的電性連接/佈線略有不同。通常，儲存在電感器中的能量會變成電流源。因此，儲能部件與其他電流源並聯連接並導致電流倍增。

在圖2a、圖2b兩圖中，接地電位，也稱為接地電位PE，可以連接到LP產生器14、16、18其中之一的輸出其中之一。由此可以形成對地具有正電壓和負電壓的電壓信號，如US10,474,184B2的圖10或US10,607,813B2的圖21所示。接地電位也可以連接到正輸出32或負輸出12。作為示例，在圖2a和2b中接地電位連接到正輸出32。

圖3示出具有多個LP產生器14、16、18的一部分HP產生器10的簡化具體實施例。為了產生高壓脈波，構建一個推拉開關是有利的，這意味著切換單元應該至少有兩個切換元件S1、S2：「推」（切換元件S1），用於為電漿反應器的電容充電，和「拉」（S2），用於對電漿反應器的電容進行放電。為了產生具有不同振幅的脈波，同時使得振幅可以在脈波之間快速變化（如圖1、圖7、圖8所示），有必要組合兩個或多個LP產生器14、16、18的輸出。LP產生器14、16、18的LP產生器值可以相同或不同，在這種情況下LP產生器值稱為電壓振幅。在圖3中，接地電位，也稱為接地電位PE，係連接到LP產生器18的負輸出。

在一種情況下，當切換元件S1、S2均未導通時（在兩個工作狀態之間的過渡狀態期間）並且LP產生器14、16、18串聯連接並且還與負載（例如電漿反應器）串聯，過電壓可能會損壞切換元件S1、S2。為此，有利的是添加與所有切換元件S1、S2並聯的二極體D1、D2以保護它們免受高於儲存在各自的儲能部件中電壓的電壓。如果切換元件S1、S2實施為MOSFET，則特別會如此。如果切換元件實施為單極電晶體，通常如MOSFET，二極體已經安裝為電晶體的一部分或者是電晶體晶片（die）的組成部分。在積體電路的背景下，晶片是一小塊半導體材料，在晶片上製造預定的功能電路。然後這些二極體就可以使用，而不需要單獨添加二極體。

可以在HP產生器的輸出處產生接地電位（負載與接地電位PE短路）。當接地電位連接到HP產生器的負輸出12或正輸出32時，通過接通切換元件S2可實現此狀態。在此狀態下打開（斷開）切換元件S1。為了在負載上產生（電壓）脈波，需要接通合適數量的切換元件S1。LP產生器14、16、18的LP產生器值可以相同或不同，在這種情況下LP產生器值稱為電壓振幅。藉由接通一些切換元件S1將關聯的LP產生器串聯連接，例如LP產生器14、16，因此負載上的電壓脈波振幅等於LP產生器值的總和，例如它們的輸出電壓。

與LP產生器14、16相關聯的互補切換元件S2應該斷開，以避免LP產生器14、16短路。

與LP產生器18（或其他LP產生器）相關聯的切換元件S1應該斷開，並且切換元件S2可接通或斷開（無論如何電流將流過二極體D2）。

可以快速改變接通和斷開的切換元件的配置，使得在HP產生器10的輸出處產生的脈波振幅快速變化。正在提供負載的LP產生器14、16、18的數量可以快速更改為任何可存取的數字（從0到n）。

圖4與圖3的不同之處僅在於佈線，即LP產生器14、16、18的互連，以及負載和PE的連接點。然而，可達成與圖3相同的結果，即，可以藉由選擇LP產生器14、16、18來實現不同振幅的電壓脈波，藉由適當驅動切換元件S1、S2，有助於輸出電壓脈波。在圖4中，接地電位，也稱為接地電位PE，係連接到HP產生器10的負輸出。

圖5更詳細地示出LP產生器14、16、18的電源供應。分別由變壓器T1、T2、Tn和相關的整流器X1、X2、Xn對LP產生器14、16、18的儲能部件C1、C2、Cn進行連續充電。如果每個變壓器X1、X2、Xn都有自己的磁芯，並且唯一的共同元件是初級繞組P1、P2、Pn，它們可以由一條共同導線製成，則將更簡化且更便宜。為了具有不依賴於負載的相同電壓，添加了平衡繞組BW。平衡繞組BW將每個變壓器T1、T2、Tn中的磁通量平均化。如果次級繞組SW1、SW2、SWn的線數相同，則儲能部件C1上的電壓相等。改變次級繞組SW1、SW2、SWn的匝數，則可以改變儲能部件C1的充電電壓。這樣，保證能將每個儲能部件C1充電至不同的電壓。

變壓器T1、T2、Tn中的平衡繞組BW的工作方式如下：如果兩個相鄰變壓器T1、T2、Tn中的磁通量相同，則兩個繞組BW上的電壓相同，因此繞組BW之間沒有電流。如果出於某種原因，一個磁芯中的磁通量與下一個磁芯中的磁通量不同（例如：更高），則不同變壓器T1、T2、Tn中的感應電壓將不同，因此一些電流將開始在該繞組BW之間流動。藉由這個電流，使得具有更高磁通量的變壓器T1、T2、Tn負載更多，同時增加下一個變壓器的磁通量。均衡磁芯中的磁通量會均衡感應電壓。在使用磁通量均衡方法連接的兩個變壓器中，平衡繞組BW的匝數應相同。

初級繞組P1、P2、Pn連接到變流器40，變流器40連接到電網42。作為電源34一部分的變流器40，其包括全橋44和位於全橋44上游的降壓轉換器46，而降壓轉換器46連接到整流器48。

圖6示出類似於圖2a中的HP產生器10，例如，在兩個LP產生器14、16、18之間連接了平衡電路，該平衡電路包括允許電流僅沿單一方向流動的部件，特別是二極體D或像二極體一樣工作的部件。切換單元24、26、28包括半橋中的切換元件。這些切換元件顯示為電晶體，更準確地說是雙極電晶體。對於高切換時間，更佳的電晶體類型是MOSFET，特別是基於SiC或GaN的MOSFET。在該具體實施例中，每個LP產生器14、16、18（也稱為級）的負端子藉由二極體D或包含二極體的電路連接到與前述LP產生器14、16、18的相同電位。這使得當啟動切換元件且下級儲能部件電壓超過該上級時，儲存在下級儲能部件中的能量能夠傳輸到更高級的儲能部件。最高級14的電荷將積累來自整個堆疊的過量電荷。因此應該控制最高級14以向負載提供最大功率，以便去除過多的電荷。使用二極體D或包含二極體的電路可以改善沿LP產生器組的電壓分佈。特別是與平衡電路串聯的阻尼回路50，這裡是指二極體D，可用於消除電荷處理路徑的寄生部件上的振盪。阻尼回路可以包括電感器L和/或電阻器R，具體如圖6所示以並聯連接。

藉由任何連接器電感將低阻抗電壓源（例如電容電壓源）與電容負載相連，不可避免地會導致電流和電壓振盪。負載峰值電壓可能達到施加電壓電平的兩倍。這可能會損壞負載並且是非常不理想狀態。電阻緩衝電路通常用於抑制峰值電壓。那些損耗電路損耗了大量的功率並因此產生大量熱能，這也是非常不理想狀態。藉由雙階躍轉換應用，可以控制、減少甚至避免這種超越。可以顯著減少甚至避免損耗電路中的損耗能量。損耗能量的部分應該能夠減小很多，或者可以完全避免。可以顯著降低功率損耗。這在所呈現的拓撲中是可能的並且在圖7中示出。波形70示出耦合器20輸出處的0kV到10kV的單階躍過渡，例如，在一個時刻啟動全部15級。這會導致電壓超越，如圖7所示。藉由僅啟動15級中的8個，從0V到5.5kV的第一階躍之後逐步過渡，藉由啟動15級中剩餘的那些，從5.5kV到10kV的第二階躍，例如，大約10或100ns之後，如波形71所示，具有更好的結果。產生的波形73具有更低的超越峰值，且雖然電壓上升較慢但對於製程使用已足夠快。從波形73中可以看出，雙階躍過渡導致接近矩形的輸出波形和較低的超越，因此幾乎沒有功耗，而單階躍轉換導致波形74示出電壓超越，並因此導致顯著的功率損耗75。例如在1µs、3.5µs之後的下降斜率處，可以看到相同的超越峰值及其縮減。

圖8示出脈波80振幅的逐步增加，其作為依序啟動LP產生器14、16、18以貢獻HP輸出信號的結果。波形81示出HP產生器輸出處的電壓，波形82示出電漿室中晶圓上的電壓。

圖9示出循環控制信號序列經由包括15個LP產生器#01-#015的LP產生器組的結果。這些圖在水平軸上示出時間線t，如圖8。在垂直軸上，示出啟動15個切換元件，對應於15個LP產生器#01…#15。斜線陰影區域92是啟動連接切換元件的區域。白箱區域91是啟動並聯負載切換元件的區域，因此，在不存在斜線陰影區域的時間範圍內，輸出處沒有脈波。在第1行中，LP產生器#01-#06與相應的連接切換元件一起切換。在第2行中，LP產生器#01-#10與相應的連接切換元件一起切換。在第3行中，LP產生器#01-#11與相應的連接切換元件一起切換。在第4行中，LP產生器#01-#12與相應的連接切換元件一起切換，依此類推。以這種方式，將脈波整形為階躍函數。在第9行中，脈波結束，停用所有的連接切換元件。然後，在第10行中，下一個脈波開始，這次不是LP產生器#01-#06，而是LP產生器#02-#07。雖然本示例中的所有LP產生器都具有相同的輸出值，但耦合器20的輸出處的輸出值與第一個脈波的輸出值相同。優點是每個脈波序列都從不同的LP產生器組開始，因此在15個脈波後所有15個LP產生器和相應的切換元件平均負載。這使得LP產生器組之間更好的負載分配，進而更佳地平衡切換元件之間的功率損耗。

圖10示出具有電漿室100的電漿處理系統，其中在電漿空間中建立電漿101。此種或類似系統在US20200118794A1、US10,474,184B2或US10,607,813B2中展示和描述。上電極103可以放置在電漿室中。氣體入口和/或出口，特別是可從電漿室100的外部將氣體供應管線104放置到電漿室100的內部，特別是連接到電極103。基板102，特別是半導體晶圓可以放置在支架105上，支架105包括電漿室100內的基板支架。在使用中，可以由電漿101處理基板102，例如，在蝕刻、灰化或沉積過程中，特別是原子層沉積。蝕刻製程可能是一個非常大的挑戰，例如當蝕刻孔直徑和孔長度之間的比率非常低時（小於1/100），例如，在深蝕刻中經常是必需的。可將導電電極106放置在電漿室100中，特別是在基板102附近，例如在基板102周圍。導電電極106可以是邊緣環，也可以稱為聚焦環。導電電極106可藉由第一連接線115連接到第一電源114。第一電源114可以是DC脈波電源，其中具體來說脈波的長度、振幅和形狀可以是不同的，如US9,287,086B2的圖11、圖14或US10,474,184B2的圖2中所述。藉由第一電源114的控制，導電電極106可以額外地或替代地用作離子能量和/或離子加速方向控制，同樣如在US9,287,086B2或US10,474,184B2中所說明者。第一射頻（Radio frequency，RF）電源118可以藉由第一供電桿119和第一匹配單元116和第一連接單元117電性連接到支架105。第二射頻（RF）電源108可以藉由第二供電桿109和第二匹配單元110和第二連接單元111電性連接到上電極103。電極107可位於支架105之中或附近，並且藉由第二連接線113電連接到第二電源112。第二電源112可以是DC脈波電源，其中具體來說振幅的長度、振幅和形狀可以是不同的，如US9,287,086B2的圖11和圖14或US10,474,184B2的圖2中所說明者。藉由可用作靜電吸盤的電極107可將基板102固定在支架105上。藉由第二電源112的控制，電極107可以額外地或替代地用作離子能量和/或離子加速方向控制，如US9,287,086B2或US10,474,184B2中所說明者。

一些電漿處理應用，例如蝕刻或層沉積，需要高壓（HV）、高頻（HF）、矩形、不對稱、脈波電壓供應。特別是當需要高頻操作時，電壓值通常會明顯超過單個半導體開關的電壓處理可能性。

一些電漿應用不僅需要脈波，還需要脈波至脈波的振幅變化。一些電漿應用需要電源提供高峰值電流以獲得較短的電壓轉換時間。大多數電漿應用都有一個負載，其中包含一個電容元件。顯著的功率損耗與該負載電容的脈波至脈波充電和放電過程有關。一些電漿應用需要脈波整形，如US9,287,086B2的圖11、圖14或US10,474,184B2的圖2中所說明者。

因此，將此類開關進行串聯是一種可能的解決方案。串聯需要電壓平衡裝置。在高頻操作中不容易實現這些電壓平衡裝置。

圖11示出如圖5所示的HP產生器的替代具體實施例。圖5和圖11所示的HP產生器之間的區別在於：在圖11中初級繞組P1、P2、...Pn與變壓器T1、T2、...Tn並聯連接，並且沒有設置平衡繞組BW。

圖12示出如圖5所示的HP產生器的另一個替代具體實施例。圖5和圖12所示的HP產生器之間的區別在於：在圖12中，圖5的所有變壓器T1、T2、...Tn在圖12中合併為一個主變壓器T1，其只有一個鐵芯。只需要一個初級繞組P，而沒有設置平衡繞組BW。

圖13示出如圖5所示的HP產生器的另一個替代具體實施例。圖5和圖13所示的HP產生器之間的區別在於：在圖13中，初級繞組P1、P2、...Pn並聯連接到變壓器T1、T2、...Tn。雖示出了平衡繞組，但在這種配置中也不是絕對必要的。

圖14示出如圖5所示的HP產生器的另一個替代具體實施例。圖5和圖14所示的HP產生器之間的區別在於：在圖14中，初級繞組P1僅連接到變壓器T1。平衡繞組BW用於將能量從變壓器T1傳輸到T2以及從變壓器T2傳輸到後續變壓器。

圖15示出LP產生器值限制電路151的示例。此LP產生器值限制電路151是電壓限制電路。電壓限制電路的端152a、152b並聯連接到LP產生器14、16、18其中的一個、一些或所有LP產生器。電壓限制電路的端152a、152b並聯連接到切換單元24、26、28其中的一個、或一些或所有切換單元。此LP產生器值限制電路151包括二極體D15和電容器C15的串聯電路，以將出現在端152、153處的過電壓箝位到電容器C15的充電電壓。將由放電電路153控制電容器C15的電壓。放電電路153包括電晶體T15，在這種情況下是指MOSFET，以及電阻器R15，在這種情況下是指功率電阻器，能夠被非常有效地冷卻。將電晶體T15控制為導通或斷開，因此處於脈波模式。因此，電晶體T15不會將太多能量耗散成熱量，而是保持相當涼爽。當電晶體T15導通時，電容器放電，放電電流流過電阻器R15，將能量轉化為熱能。在電阻器R15中產生大部分熱量，與電晶體T15一樣，電阻器R15更容易保持足夠的冷卻，也更便宜。電晶體T15藉由電壓控制電路154，對於電晶體T15的控制輸入G15進行控制。電壓控制電路154包括串聯的第一高壓季納二極體155、限流電阻156、第二低壓季納二極體158。限流電阻器156與第二低壓季納二極體158的連接點連接到電晶體T15的控制輸入G15。電壓控制電路154還可以包括驅動器157。驅動器157的輸入連接到限流電阻器156和第二低壓季納二極體158的連接點。驅動器157的輸出連接到電晶體T15的控制輸入G15。分壓器159可連接到驅動器157的輸出和電晶體T15的控制輸入G15之間。

驅動器的輸入處可能產生磁滯現象，因此，驅動器實施為施密特觸發器，其會產生一個脈波信號來驅動電晶體T15放電，其頻率約為2至20kHz。採用這種配置，超過90%的功率會消耗在電阻器R15中。這樣可以使電晶體保持足夠的溫度，以便長時間可靠地工作。

圖16示出具有平衡電路的HP產生器10的具體實施例，平衡電路包括允許電流僅能單向流動的部件，特別是二極體D或像二極體一樣工作的部件連接在兩個LP產生器14、16和18之間。平衡電路，特別是二極體D，連接在LP產生器14、16、18的兩個負輸出之間。當啟動切換元件S1且下級儲能部件電壓超過上級時，這使得來自下級儲能部件的能量能夠傳輸到更高級的儲能部件。最高級14的電荷將積累來自整個堆疊的過量電荷。因此應該控制最高級14向負載提供最大功率，以便去除過多的電荷。使用二極體D或包含二極體的電路可以改善沿LP產生器組的電壓分佈。

圖17示出具有液體冷卻的HP產生器10的具體實施例。HP產生器10的所有電子部件，例如LP產生器14、16、18、切換單元24、26、28、變壓器T1、T2、Tn和變流器40都位於防水外殼171之中。在該外殼附近有一個貯液器174。在該外殼和貯液器174之間設置液體泵173。在封閉的液體回路中，液體泵173能使液體171在該外殼和貯液器174之間循環。該貯液器與熱交換器175熱接觸，使得熱量從封閉的冷卻液回路傳遞至外部環境。

圖18a和18b示出HP產生器10的具體實施例，其中在驅動器30和切換元件S1、S2之間具有電流隔離連接181。

因此在此處，控制單元22配置為以電流隔離的方式選擇LP產生器14、16、18的貢獻，特別是藉由光纖連接或磁耦合。可以藉由光纖或磁耦合來實現數據處理器的輸出與切換單元24、26、28之間的連接。這可能有助於有效、快速且無時間延遲地切換所有LP產生器14、16、18，以形成具有尖銳電壓邊緣的脈波。例如，可藉由單個電流隔離連接將單個切換單元24、26、28的多個切換元件S1、S2進行連接。具有對應切換單元24、26、28的數個LP產生器14、16、18可以合併為一組，其配置方式可以是僅一起啟動或停用該組。然後，對於這樣的一組，可以只使用單個電流隔離連接181。每個開關都可使用電流隔離（發射器和接收器）。可以同時控制多組發射器，進而減少所需控制信號的數量。減少電流隔離連接181的數量可以節省成本，並且由於具有故障風險的部件減少而使HP產生器10更加可靠。

1:脈波 1a:脈波 10:高功率（HP）產生器 12:負輸出 14:低功率（LP）產生器 16:低功率（LP）產生器 18:低功率（LP）產生器 20:耦合器 22:控制單元 24:切換單元 26:切換單元 28:切換單元 30:驅動器 32:正輸出 34:電源 40:變流器 42:電網 44:全橋 46:降壓轉換器 48:整流器 50:阻尼回路 70:波形 71:波形 73:波形 74:波形 75:顯著的功率損耗 80:脈波 81:波形 82:波形 91:白箱區域 92:斜線陰影區域 100:電漿室 101:電漿 102:基板 103:上電極；電極 104:氣體供應管線 105:支架 106:導電電極 107:電極 108:第二射頻（RF）電源 109:第二供電桿 110:第二匹配單元 111:第二連接單元 112:第二電源 113:第二連接線 114:第一電源 115:第一連接線 116:第一匹配單元 117:第一連接單元 118:第一射頻（RF）電源 119:第一供電桿 151:LP產生器值限制電路 152:端 152a:端 152b:端 153:端；放電電路 154:電壓控制電路 155:第一高壓季納二極體 156:限流電阻 157:驅動器 158:第二低壓季納二極體 159:分壓器 171:防水外殼 173:液體泵 174:貯液器 175:熱交換器 181:電流隔離連接 BW:平衡繞組 C1:儲能部件 C15:電容器 C2:儲能部件 Cn:儲能部件 D:二極體 D1:二極體 D15:二極體 D2:二極體 G15:控制輸入 L:電感器 L1:儲能部件 L2:儲能部件 Ln:儲能部件 P1:初級繞組 P2:初級繞組 PE:接地電位 Pn:初級繞組 R:電阻器 R15:電阻器 S1:切換元件 S2:切換元件 SW1:次級繞組 SW2:次級繞組 SWn:次級繞組 t:時間線 T1:變壓器 T15:電晶體 T2:變壓器 Tn:變壓器 X1:整流器 X2:整流器 Xn:整流器

在以下說明中更詳細地示出和解釋了處於不同使用級的本發明的示意圖、示例。

圖1示出具有不同振幅的脈波序列。

圖2a示出HP產生器的第一具體實施例。

圖2b示出HP產生器的第二具體實施例。

圖3示出用於產生正電壓脈波的HP產生器的一部分的第一具體實施例。

圖4示出用於產生正電壓脈波的HP產生器的一部分的第二具體實施例。

圖5示出具有用於向LP產生器供電的電源的HP產生器的具體實施例。

圖6示出具有平衡和阻尼回路的HP產生器的具體實施例。

圖7示出單階躍和雙階躍轉換中的波形形狀和功率損耗。

圖8示出由LP產生器的啟動順序而產生的波形。

圖9示出藉由LP產生器循環控制信號序列的結果。

圖10示出具有電漿室的電漿處理系統。

圖11示出HP產生器的替代具體實施例。

圖12示出HP產生器的替代具體實施例。

圖13示出HP產生器的替代具體實施例。

圖14示出HP產生器的替代具體實施例。

圖15示出LP產生器值限制電路的示例。

圖16示出具有平衡電路的HP產生器的具體實施例。

圖17示出具有液體冷卻的HP產生器的一個具體實施例。

圖18a、18b 示出帶有電流隔離驅動器的HP產生器的具體實施例。

70:波形

71:波形

73:波形

74:波形

75:顯著的功率損耗

Claims (15)

1. 一種高功率（HP）產生器（10），其配置為將具有一高電壓值和/或一高電流值的一脈波高功率輸送到一電容負載，特別輸送至一電漿製程，該HP產生器包括： - 多個低功率（LP）產生器（14、16、18）， o 每個LP產生器（14、16、18）包括一儲能部件（C1、L1），其中在使用中將該儲能部件（C1、L1）充電至與該儲能部件相關的一預定義值， o 在使用中，每個LP產生器（14、16、18）在其輸出處提供一LP產生器值，其對應於各自的該LP產生器（14、16、18）中所包含的該儲能部件（C1、C2、Cn；L1、L2、Ln）的該值， - 一耦合器（20），電性連接至該等LP產生器（14、16、18），使得可獲得在該耦合器（20）的輸出處的一耦合值，該耦合值對應於該HP產生器（10）的輸出值，並且在使用中，至少在該HP產生器（10）的一些狀態下，該耦合值高於該等LP產生器（14、16、18）其中之一的該輸出處的該LP產生器值， - 一控制單元（22），其配置為在該HP產生器（10）的電力輸送期間選擇該等LP產生器（14、16、18）對該HP產生器（10）的該輸出值的貢獻，以在該耦合器（20）的該輸出處產生一脈波的上升和/或衰減， - 其中該控制單元（22）進一步配置成在該HP產生器（10）的該輸出處和/或在該負載上的一專用位置處，特別是在電漿製程的基板上，以減少電壓超越的方式選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻。
2. 如請求項1所述的HP產生器，其中該控制單元（22）進一步配置成以實現以下特徵之一或組合的方式，選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻： o 該耦合器（20）的該輸出和/或該HP產生器（10）的該輸出是一階躍函數，特別是在一脈波的上升邊緣和/或下降邊緣和/或該脈波期間， o 在一個脈波期間依序啟動該等LP產生器（14、16、18）， o 至少一個振幅階躍低於1kV，特別是低於500V， o 該等LP產生器（14、16、18）僅藉由切換進行連接。
3. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中該耦合器（20）包括多於四個電性連接的LP產生器（14、16、18），其中特別是至少6個，特別是10個或更多，較佳是15個或更多LP產生器（14、16、18），其耦合在單一耦合器（20），和/或 - 其中該等LP產生器（14、16、18）的數量足夠多到可以在該耦合器（20）的該輸出處形成： o 具有一電壓上升和/或下降的多個脈波，其多個值等於或高於該等LP產生器（14、16、18）的多個值的總和，以及 o 一階躍線脈波形狀，其中一階躍的值與一數值對應，該數值等於或高於該等LP產生器（14、16、18）的一個或多個LP產生器的值。
4. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中，藉由具有一初級繞組（P1、P2、..Pn）與用於每個LP產生器（14、16、18）的一次級繞組（SW1、SW2、..SWn）的一變壓器（T1、T2、..Tn）提供該等LP產生器（14、16、18）的充電能量， a. 該次級繞組（SW1、SW2、..SWn）連接至一整流器（X1、X2、..Xn），每個整流器（X1、X2、..Xn）連接至對應的該LP產生器（14、16、18）之該儲能部件（C1、C2、Cn；L1、L2、Ln），和/或 b. 該等初級繞組（P1、P2、..Pn）的其中數個，特別是對應於一LP產生器的一變壓器的每個初級繞組，為串聯連接。
5. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中藉由一變壓器（T1、T2、..Tn）提供該等LP產生器（14、16、18）的充電能量，其中該等變壓器（T1、T2、..Tn）中數個，特別是對應於一LP產生器的每個變壓器，可包括一平衡繞組（BW），較佳是兩個平衡繞組，以及更佳是一個變壓器（T1）的一個平衡繞組（BW）可連接至一不同變壓器（T2）的一平衡繞組。
6. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中一平衡電路包括僅允許電流單向流動的一部件，特別是一個二極體D或是如同一個二極體運作的部件，該平衡電路連接在兩個LP產生器之間。
7. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中在一開放鏈配置中，一阻尼回路（50）位於該等LP產生器（14、16、18）其中數個之間，特別是位於所有的LP產生器（14、16、18）之間，其中特別地，該阻尼回路（50）包括一電阻器（R）和/或一電感性（L）。
8. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中直接藉由液體冷卻至少部分的該HP產生器（10），特別是藉由浸沒式介電質冷卻液，特別是該等LP產生器（14、16、18）藉由介電質冷卻液浸洗。
9. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中該控制單元（22）可配置成經由該等LP產生器（14、16、18）依序選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻，特別地，可在一不同的LP產生器（14、16、18）上開始每個脈波序列。
10. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中該控制單元（22）包括多個切換單元（24、26、28），具有至少10A/µs的電流上升能力，和/或具有在電壓上升和下降速率為15kV/µs或更高的狀況下，承受約0.5kV或更高電壓的能力。
11. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中該等LP產生器（14、16、18）的至少一個，較佳是其中幾個，最佳是所有的LP產生器（14、16、18）包括一LP產生器值限制電路（151），例如一電壓限制電路或一電流限制電路。
12. 如前述請求項中任一所述的HP產生器，其中該控制單元（22）配置成以電流隔離的方式，特別是通過光纖連接或磁耦合，選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻。
13. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中並聯提供一電容至一切換單元（24、26、28），特別是一半橋。
14. 如前述請求項中任一項所述的HP產生器，其中一變流器（40）包括一全橋電路（44）和一降壓轉換器（46），並且連接到該等初級繞組（PW1、PW2、PWn）。
15. 一種提供多個高功率脈波至一電漿製程的方法，該等高功率脈波的不同振幅是一高功率產生器（10）所提供，該方法包括以下步驟： a. 將多個低功率產生器（14、16、18）的多個儲能部件（C1、L1）分別持續充電至一預定義值， b. 藉由控制該等LP產生器（14、16、18）以選擇性地耦合該等LP產生器（14、16、18）其中至少一些LP產生器的多個輸出值，以獲得該高功率產生器（10）的一期望輸出值，其對應於具有一期望振幅的一脈波， c. 在該HP產生器（10）的該輸出處和/或在該負載上的一專用位置處，特別是在電漿製程的基板上，以減少電壓超越的方式選擇該等LP產生器（14、16、18）的貢獻。

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