TW202343612A - 液體偵測設備及對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法 - Google Patents

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王一忠
吳振昌
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Abstract

本發明實施例提供一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備。所述設備包括靠近晶圓處理裝置的第一導體。所述設備包括與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。所述設備包括環繞第一導體及第二導體的液體吸收材料。所述設備包括耦合至第一導體的電流源。所述設備包括耦合至第一導體及第二導體中的至少一者的電流偵測器。當液體吸收材料對晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電流源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。電流偵測器對電流進行偵測。

Description

液體偵測設備及對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法
本發明實施例提供一種液體偵測設備及對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法。
半導體裝置形成於半導體晶圓上、半導體晶圓中及/或由半導體晶圓形成，且用於例如行動電話、膝上型電腦、桌上型電腦、平板電腦、手錶、遊戲系統及各種其它工業電子產品、商業電子產品及消費者電子產品等多種電子裝置中。在半導體製造中使用一或多個晶圓處理裝置以於半導體晶圓上、半導體晶圓中及/或由半導體晶圓形成半導體裝置。
根據本發明的一實施例，一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備包括第一導體、第二導體、液體吸收材料、電流源以及電流偵測器。第一導體靠近晶圓處理裝置。第二導體與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置。液體吸收材料環繞第一導體及第二導體。電流源耦合至第一導體。電流偵測器耦合至第一導體及第二導體中的至少一者。當液體吸收材料對晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電流源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。電流偵測器對電流進行偵測。
根據本發明的一實施例，一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備包括第一導體、第二導體、液體吸收材料、電壓源以及電流偵測器。第一導體靠近晶圓處理裝置。第二導體與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置。液體吸收材料環繞第一導體及第二導體。電壓源耦合至第一導體的正端子以及耦合至第二導體的負端子。電流偵測器耦合至第一導體及第二導體中的至少一者。當液體吸收材料對晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電壓源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。電流偵測器對電流進行偵測。
根據本發明的一實施例，一種用於對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法包括以下步驟。利用液體吸收材料來環繞靠近晶圓處理裝置的第一導體。利用液體吸收材料來環繞與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。所述方法包括以下中的至少一者：將電流源耦合至第一導體，或者將電壓源耦合於第一導體與第二導體的兩端。藉由對第一導體及第二導體中的至少一者中的電流進行偵測來對晶圓處理裝置中的液體進行偵測。當液體吸收材料對液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。進行以下中的至少一者：當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電流源產生電流，或者當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電壓源產生電流。
以下揭露內容提供用於實施所提供標的物的不同特徵的幾個不同實施例或實例。以下闡述組件及排列的具體實例以簡化本揭露。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例而言，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵之上或第二特徵上可包括其中第一特徵與第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵進而使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可能在各種實例中重複使用參考編號或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例或配置之間的關係。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如「位於…之下（beneath）」、「位於…下方（below）」、「下部的（lower）」、「位於…上方（above）」、「上部的（upper）」等空間相對性用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的定向外亦囊括裝置在使用或操作中的不同定向。設備可具有其它定向（旋轉90度或處於其它定向），且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。
根據一些實施例，一種設備具有：第一導體，靠近晶圓處理裝置；第二導體，與第一導體間隔開；以及液體吸收材料，環繞第一導體及第二導體。電源耦合至第一導體及第二導體中的至少一者。當液體吸收材料對液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。藉由使用電流偵測器對電流進行偵測來對晶圓處理裝置中的液體進行偵測。所述設備具有被配置成將一或多個訊號提供至一或多個裝置的控制器。在一些實施例中，所述一或多個訊號指示晶圓處理裝置中的液體。在一些實施例中，基於所述一或多個訊號，實行一或多種維護操作以達成自晶圓處理裝置移除液體或對洩漏組件進行維修中的至少一者。藉此，自動地偵測晶圓處理裝置中的液體而不依賴技術人員手動地對晶圓處理裝置進行檢查來可視地辨識出晶圓處理裝置中的液體。在一些實施例中，所述一或多個訊號具有自液體供應部（例如水供應部）斷開液體冷卻系統的指令。自液體供應部斷開液體冷卻系統可減少進入晶圓處理裝置的液體量，藉此減輕對晶圓處理裝置或晶圓處理裝置內的一或多個晶圓中的至少一者的損壞。
圖1A及圖1B示出根據一些實施例的感測器線100。圖1A示出感測器線100的俯視圖且圖1B中所繪示的視圖是感測器線100沿圖1A的線B-B截取的剖視圖。感測器線100用於對晶圓處理裝置中的液體進行偵測。感測器線100包括第一導體104及第二導體108。圖1A中的虛線示出第一導體104的外邊界及第二導體108的外邊界。感測器線100包括環繞第一導體104及第二導體108的液體吸收材料102。液體吸收材料102包括對液體進行吸收的一或多種材料，例如棉花、聚酯、孔隙率（porosity）超過臨限值的多孔材料或一或多種其它材料中的至少一者。在一些實施例中，第一導體104與第二導體108被由液體吸收材料102製成的套（sheath）環繞。
第一導體104包含第一金屬及其它合適的材料中的至少一者。第一金屬包括鈦（Ti）、鉭（Ta）、鋁（Al）、銅（Cu）、鎢（W）及其它合適的金屬中的至少一者。第二導體108包含第二金屬及其它合適的材料中的至少一者。第二金屬包括Ti、Ta、Al、Cu、W及其它合適的金屬中的至少一者。在一些實施例中，第一導體104的第一金屬與第二導體108的第二金屬相同。在一些實施例中，第一導體104的第一金屬不同於第二導體108的第二金屬。
液體吸收材料102包括第一內表面110及第二內表面112（圖1B中所示）。在一些實施例中，液體吸收材料102的第一內表面110與第一導體104的外表面直接接觸。在一些實施例中，第一內表面110界定用於在其中設置第一導體104的第一區域。第一區域的形狀為例如圓形等橢圓形（圖1B中所示）、例如矩形等多邊形（未示出）或其它形狀。在一些實施例中，第一區域的形狀根據第一導體104的剖面形狀而定。在一些實施例中，液體吸收材料102的第二內表面112與第二導體108的外表面直接接觸。在一些實施例中，第二內表面112界定用於在其中設置第二導體108的第二區域。第二區域的形狀為例如圓形等橢圓形（圖1B中所示）、例如矩形等多邊形（未示出）或其它形狀。在一些實施例中，第二區域的形狀根據第二導體108的剖面形狀而定。
第一導體104與第二導體108彼此間隔開。第一導體104包括第一表面116（圖1B中所示）且第二導體108包括面對第一導體104的第一表面116的第二表面118（圖1B中所示）。在一些實施例中，第一表面116與第二表面118之間的區域106不存在液體吸收材料。在一些實施例中，區域106包含除液體吸收材料以外的材料。在一些實施例中，區域106包含液體吸收材料。
在一些實施例中，第一導體104延伸的方向平行於第二導體108延伸的方向。第一導體104及第二導體108中的至少一者在第一方向114上穿過液體吸收材料102延伸（圖1A中所示）。
圖2A至圖2B示出根據一些實施例的包括感測器線100的設備200的示意圖。在一些實施例中，設備200包括耦合至感測器線100的電源202。電源202包括耦合至第一導體104的第一端子212及耦合至第二導體108的第二端子222中的至少一者。在一些實施例中，當第一導體104與第二導體108之間不存在導電路徑時，來自電源202的電流不經過第一導體104及第二導體108中的至少一者。在一些實施例中，由於第一導體104與第二導體108間隔開，因此當液體未被吸收至液體吸收材料102中時，第一導體104與第二導體108之間不存在導電路徑。在一些實施例中，當第一導體104與第二導體108之間建立起導電路徑時，由電源202在第一導體104及第二導體108中的至少一者中產生電流。在一些實施例中，當液體被吸收至液體吸收材料102中時，在第一導體104與第二導體108之間建立起導電路徑。液體吸收材料102中所吸收的液體形成導電路徑。由電源202產生的電流流經導電路徑。
在一些實施例中，電源202包括電流源。在一些實施例中，電流源（例如電流源的第一端子212）耦合至第一導體104。在一些實施例中，電流源（例如電流源的第二端子222）耦合至第二導體108。在一些實施例中，當第一導體104與第二導體108之間不存在導電路徑時，來自電流源的電流不經過第一導體104及第二導體108中的至少一者。在一些實施例中，當在第一導體104與第二導體108之間建立起導電路徑時，由電流源在第一導體104及第二導體108中的至少一者中產生電流。由電流源產生的電流流經導電路徑。在一些實施例中，由電流源產生的電流是微電流（micro-current）。由電流源產生的電流為約1毫安（milliampere）。電流的其它值亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，電源202包括電壓源。在一些實施例中，電壓源的第一端子212為正端子且電壓源的第二端子222為負端子。在一些實施例中，電壓源（例如電壓源的第一端子212）耦合至第一導體104。在一些實施例中，電壓源（例如電壓源的第二端子222）耦合至第二導體108。在一些實施例中，電壓源將電壓施加至第一導體104與第二導體108的兩端。在一些實施例中，由電壓源施加的電壓是微電壓（micro-voltage）。由電壓源產生的電壓為約1毫伏（millivolt）。電壓的其它值亦處於本揭露的範圍內。在一些實施例中，當第一導體104與第二導體108之間不存在導電路徑時，來自電壓源的電流不經過第一導體104及第二導體108中的至少一者。在一些實施例中，當在第一導體104與第二導體108之間建立起導電路徑時，由電壓源在第一導體104及第二導體108中的至少一者中產生電流。由電壓源產生的電流流經導電路徑。
在一些實施例中，設備200包括電流偵測器204。電流偵測器204包括電錶及其它裝置中的至少一者。電流偵測器204耦合至第一導體104及第二導體108中的至少一者。電流偵測器204提供電流訊號208。在一些實施例中，電流訊號208指示第一導體104及第二導體108中的至少一者中是否偵測到電流。在一些實施例中，電流訊號208指示在第一導體104及第二導體108中的至少一者中偵測到的電流的量度，例如量值。
在一些實施例中，設備200包括控制器206。控制器206基於電流訊號208而提供控制器訊號218。在一些實施例中，控制器訊號218指示是否偵測到液體。
圖2A示出其中設備200未偵測到液體的情況。在一些實施例中，在圖2A的情況中，在液體吸收材料102中未吸收液體且第一導體104與第二導體108之間未建立起導電路徑。在一些實施例中，控制器206基於以下中的至少一者來輸出控制器訊號218以指示未偵測到液體（圖2A中所示）：由電流訊號208指示的電流的量度小於臨限值；以及電流訊號208指示未偵測到第一導體104及第二導體108中的至少一者中的電流。
圖2B示出其中設備200偵測到液體的情況。在一些實施例中，在圖2B的情況中，在液體吸收材料102中吸收了液體且第一導體104與第二導體108之間建立起導電路徑214。導電路徑214由液體吸收材料102中所吸收的液體形成。當建立起導電路徑214時，由電源202在第一導體104及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑214的電流216。如圖2B中所示，在一些實施例中，電流216自電源202流經第一導體104、流經導電路徑214且流經第二導體108。電流被電流偵測器204偵測到。電流偵測器204輸出電流訊號208以指示以下中的至少一者：指示電流的量度；以及指示在第一導體104及第二導體108中的至少一者中偵測到電流。控制器206基於以下中的至少一者來輸出控制器訊號218以指示偵測到液體（圖2B中所示）：由電流訊號208指示的電流的量度超過臨限值；以及電流訊號208指示偵測到第一導體104及第二導體108中的至少一者中的電流。
在一些實施例中，設備200被配置成對晶圓處理裝置中的液體進行偵測。感測器線100、第一導體104及第二導體108中的至少一者靠近晶圓處理裝置。在一些實施例中，感測器線100與晶圓處理裝置的組件直接接觸或間接接觸。在一些實施例中，感測器線100、第一導體104及第二導體108跨越晶圓處理裝置的組件的外表面延伸，例如感測器線100、第一導體104與第二導體108包圍所述組件及/或包繞所述組件的周邊。在一些實施例中，所述組件包括晶圓處理裝置的曝光透鏡組件、晶圓處理裝置的冷卻板、晶圓處理裝置的晶圓平台、晶圓處理裝置的晶圓、晶圓處理裝置的石台（stone）及晶圓處理裝置的其它組件中的至少一者。晶圓處理裝置包括微影曝光裝置及其它類型的晶圓處理裝置中的至少一者。
圖3A至圖3F示出根據一些實施例的晶圓處理裝置300。圖3A示出晶圓處理裝置300的側視圖。圖3B中所繪示的視圖是晶圓處理裝置300沿圖3A的線B-B截取的剖視圖。圖3C中所繪示的視圖是晶圓處理裝置300沿圖3A的線C-C截取的剖視圖。圖3D中所繪示的視圖是晶圓處理裝置300沿圖3A的線D-D截取的剖視圖。圖3E中所繪示的視圖是晶圓處理裝置300沿圖3A的線E-E截取的剖視圖。圖3F中所繪示的視圖是晶圓處理裝置300沿圖3A的線F-F截取的剖視圖。
在一些實施例中，設備200被配置成對晶圓處理裝置300中的液體進行偵測。在一些實施例中，設備200包括一或多條感測器線。在一些實施例中，設備200的一或多條感測器線中的每一感測器線包括本文中關於感測器線100提供的特徵及/或組件中的至少一些特徵及/或組件。
晶圓處理裝置300包括微影曝光裝置或其它類型的晶圓處理裝置中的至少一者。在一些實施例中，晶圓處理裝置300被配置成實行微影製程以在晶圓326的光阻中形成圖案，例如以用於製造一或多個半導體裝置。
晶圓處理裝置300包括光源318、光罩（reticle）320、光罩平台322、曝光透鏡組件324、冷卻板334、晶圓平台328、石台330及其它組件中的至少一者。在一些實施例中，晶圓處理裝置300的一或多個組件耦合至被配置成支撐所述一或多個組件的框架（未示出）。在一些實施例中，所述一或多個組件包括光源318、光罩320、光罩平台322、曝光透鏡組件324、冷卻板334、晶圓平台328、石台330及其它組件中的至少一者。
在一些實施例中，光罩平台322被配置成以下中的至少一者：對光罩320進行支撐；及維持光罩320在曝光透鏡組件324與光源318之間的位置。晶圓平台328被配置成以下中的至少一者：對晶圓326進行支撐；及維持晶圓在石台330與曝光透鏡組件324之間的位置。
晶圓處理裝置300被配置成將晶圓326的光阻暴露於來自光源318的光。在一些實施例中，光穿過光罩320與曝光透鏡組件324到達光阻的頂表面。在一些實施例中，曝光透鏡組件324包括曝光透鏡、曝光透鏡筒（exposure lens cylinder）及曝光透鏡支撐件中的至少一者，所述曝光透鏡支撐件被配置成對曝光透鏡及曝光透鏡筒中的至少一者進行支撐。在一些實施例中，光阻的頂表面的被照射部分根據光罩320（例如罩幕）的圖案而定。所述光阻包含光敏材料，其中光阻的性質（例如溶解度）受光的影響。光阻為負性光阻或正性光阻。對於負性光阻來說，當被光源318照射時，負性光阻的區變得不可溶，使得在後續的顯影階段期間對負性光阻施加溶劑會移除負性光阻的未照射區。因此，在負性光阻中形成的圖案是由位於光源318與負性光阻之間的光罩320的不透明區界定的圖案的負像（negative image）。在正性光阻中，正性光阻的被照射區在顯影期間藉由施加溶劑而變得可溶且被移除。因此，在正性光阻中形成的圖案是位於光源318與正性光阻之間的光罩320的不透明區的正像（positive image）。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近曝光透鏡組件324的一或多條第一感測器線SL1。在一些實施例中，所述一或多條第一感測器線SL1跨越曝光透鏡組件324的外表面延伸，例如所述一或多條第一感測器線SL1包圍曝光透鏡組件324及/或包繞曝光透鏡組件324的周邊（例如圓周）。所述一或多條第一感測器線SL1中的兩條相鄰的感測器線之間的距離314介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離314亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近冷卻板334的第一部分334a的一或多條第二感測器線SL2。在一些實施例中，所述一或多條第二感測器線SL2跨越冷卻板334的第一部分334a的外表面延伸，例如所述一或多條第二感測器線SL2包繞冷卻板334的第一部分334a的周邊。所述一或多條第二感測器線SL2中的兩條相鄰的感測器線之間的距離302介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離302亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近晶圓326的一或多條第三感測器線SL3。在一些實施例中，所述一或多條第三感測器線SL3跨越晶圓326的外表面延伸，例如所述一或多條第三感測器線SL3包圍晶圓326及/或包繞晶圓326的周邊（例如圓周）。所述一或多條第三感測器線SL3中的兩條相鄰的感測器線之間的距離316介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離316亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近晶圓平台328的第一部分328a的一或多條第四感測器線SL4。在一些實施例中，所述一或多條第四感測器線SL4跨越晶圓平台328的第一部分328a的外表面延伸，例如所述一或多條第四感測器線SL4包繞晶圓平台328的第一部分328a的周邊。在一些實施例中，晶圓平台328的第一部分328a及所述一或多條第四感測器線SL4中的至少一者在側向上自晶圓326偏移開。在一些實施例中，晶圓平台328的第一部分328a及所述一或多條第四感測器線SL4中的至少一者位於晶圓326之下。所述一或多條第四感測器線SL4中的兩條相鄰的感測器線之間的距離308介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離308亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近石台330的第一部分330a的一或多條第五感測器線SL5。在一些實施例中，所述一或多條第五感測器線SL5跨越石台330的第一部分330a的外表面延伸，例如所述一或多條第五感測器線SL5包繞石台330的第一部分330a的周邊。在一些實施例中，石台330的第一部分330a及所述一或多條第五感測器線SL5中的至少一者在側向上自晶圓平台328偏移開。在一些實施例中，石台330的第一部分330a及所述一或多條第五感測器線SL5中的至少一者位於晶圓平台328之下。所述一或多條第五感測器線SL5中的兩條相鄰的感測器線之間的距離304介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離304亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近冷卻板334的第二部分334b的一或多條第六感測器線SL6。在一些實施例中，所述一或多條第六感測器線SL6跨越冷卻板334的第二部分334b的外表面延伸，例如所述一或多條第六感測器線SL6包繞冷卻板334的第二部分334b的周邊。在一些實施例中，曝光透鏡組件324位於冷卻板334的第一部分334a與冷卻板334的第二部分334b之間。所述一或多條第六感測器線SL6中的兩條相鄰的感測器線之間的距離312介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離312亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近晶圓平台328的第二部分328b的一或多條第七感測器線SL7。在一些實施例中，所述一或多條第七感測器線SL7跨越晶圓平台328的第二部分328b的外表面延伸，例如所述一或多條第七感測器線SL7包繞晶圓平台328的第二部分328b的周邊。在一些實施例中，晶圓平台328的第二部分328b及所述一或多條第七感測器線SL7中的至少一者在側向上自晶圓326偏移開。在一些實施例中，晶圓平台328的第二部分328b及所述一或多條第七感測器線SL7中的至少一者位於晶圓326之下。在一些實施例中，晶圓326位於晶圓平台328的處於晶圓平台328的第一部分328a與晶圓平台328的第二部分328b之間的部分之上。所述一或多條第七感測器線SL7中的兩條相鄰的感測器線之間的距離310介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離310亦處於本揭露的範圍內。
在一些實施例中，設備200的所述一或多條感測器線包括靠近石台330的第二部分330b的一或多條第八感測器線SL8。在一些實施例中，所述一或多條第八感測器線SL8跨越石台330的第二部分330b的外表面延伸，例如所述一或多條第八感測器線SL8包繞石台330的第二部分330b的周邊。在一些實施例中，石台330的第二部分330b及所述一或多條第八感測器線SL8中的至少一者在側向上自晶圓平台328偏移開。在一些實施例中，石台330的第二部分330b及所述一或多條第八感測器線SL8中的至少一者位於晶圓平台328之下。在一些實施例中，晶圓平台328位於石台330的處於石台330的第一部分330a與石台330的第二部分330b之間的部分之上。所述一或多條第八感測器線SL8中的兩條相鄰的感測器線之間的距離306介於約零公分至約10公分之間。其它值的距離306亦處於本揭露的範圍內。
如圖3B中所示，所述一或多條第一感測器線SL1中的感測器線SL1跨越曝光透鏡組件324的外表面350延伸，例如跨越曝光透鏡組件324的外表面350的圓周的一部分或跨越曝光透鏡組件324的外表面350的整個圓周延伸。感測器線SL1包括內表面348及與內表面348相對的外表面336。感測器線SL1的內表面348面對曝光透鏡組件324的外表面350。在一些實施例中，感測器線SL1的內表面348為以下中的至少一者：與曝光透鏡組件324的外表面350對準；與曝光透鏡組件324的外表面350直接接觸；及與曝光透鏡組件324的外表面350間接接觸。在一些實施例中，圖3B中所示的曝光透鏡組件324的橫截面的中心點346與曝光透鏡組件324的外表面350之間的距離344小於中心點346與感測器線SL1的外表面336之間的距離342。在一些實施例中，距離344對應於曝光透鏡組件324的橫截面的半徑。
如圖3C中所示，所述一或多條第二感測器線SL2中的感測器線SL2跨越冷卻板334的第一部分334a的外表面360延伸，例如跨越冷卻板334的第一部分334a的外表面360的周邊的一部分或跨越冷卻板334的第一部分334a的外表面360的整個周邊延伸。感測器線SL2包括內表面362及與內表面362相對的外表面364。感測器線SL2的內表面362面對冷卻板334的第一部分334a的外表面360。在一些實施例中，感測器線SL2的內表面362為以下中的至少一者：與冷卻板334的第一部分334a的外表面360對準；與冷卻板334的第一部分334a的外表面360直接接觸；及與冷卻板334的第一部分334a的外表面360間接接觸。在一些實施例中，圖3C中所示的冷卻板334的第一部分334a的橫截面的中心點357與冷卻板334的第一部分334a的外表面360之間的距離356小於中心點357與感測器線SL2的外表面364之間的距離358。冷卻板334的第一部分334a的長度352小於、大於或等於冷卻板334的第一部分334a的高度354。
如圖3D中所示，所述一或多條第三感測器線SL3中的感測器線SL3跨越晶圓326的外表面372延伸，例如跨越晶圓326的外表面372的圓周的一部分或跨越晶圓326的外表面372的整個圓周延伸。感測器線SL3包括內表面374及與內表面374相對的外表面366。感測器線SL3的內表面374面對晶圓326的外表面372。在一些實施例中，感測器線SL3的內表面374為以下中的至少一者：與晶圓326的外表面372對準；與晶圓326的外表面372直接接觸；及與晶圓326的外表面372間接接觸。在一些實施例中，圖3D中所示的晶圓326的橫截面的中心點367與晶圓326的外表面372之間的距離368小於中心點367與感測器線SL3的外表面366之間的距離370。在一些實施例中，距離368對應於晶圓326的橫截面的半徑。
如圖3E中所示，所述一或多條第四感測器線SL4中的感測器線SL4跨越晶圓平台328的第一部分328a的外表面388延伸，例如跨越晶圓平台328的第一部分328a的外表面388的周邊的一部分或跨越晶圓平台328的第一部分328a的外表面388的整個周邊延伸。感測器線SL4包括內表面386及與內表面386相對的外表面384。感測器線SL4的內表面386面對晶圓平台328的第一部分328a的外表面388。在一些實施例中，感測器線SL4的內表面386為以下中的至少一者：與晶圓平台328的第一部分328a的外表面388對準；與晶圓平台328的第一部分328a的外表面388直接接觸；及與晶圓平台328的第一部分328a的外表面388間接接觸。在一些實施例中，圖3E中所示的晶圓平台328的第一部分328a的橫截面的中心點387與晶圓平台328的第一部分328a的外表面388之間的距離380小於中心點387與感測器線SL4的外表面384之間的距離382。晶圓平台328的第一部分328a的長度376小於、大於或等於晶圓平台328的第一部分328a的高度378。
如圖3F中所示，所述一或多條第五感測器線SL5中的感測器線SL5跨越石台330的第一部分330a的外表面393延伸，例如跨越石台330的第一部分330a的外表面393的周邊的一部分或跨越石台330的第一部分330a的外表面393的整個周邊延伸。感測器線SL5包括內表面395及與內表面395相對的外表面398。感測器線SL5的內表面395面對石台330的第一部分330a的外表面393。在一些實施例中，感測器線SL5的內表面395為以下中的至少一者：與石台330的第一部分330a的外表面393對準；與石台330的第一部分330a的外表面393直接接觸；及與石台330的第一部分330a的外表面393間接接觸。在一些實施例中，圖3F中所示的石台330的第一部分330a的橫截面的中心點397與石台330的第一部分330a的外表面393之間的距離394小於中心點397與感測器線SL5的外表面398之間的距離396。石台330的第一部分330a的長度390小於、大於或等於石台330的第一部分330a的高度392。
圖4示出根據一些實施例的系統400的示意圖。系統400包括設備200、晶圓處理裝置300以及溫度控制單元404中的至少一者。在一些實施例中，溫度控制單元404被配置成使用液體冷卻系統402對晶圓處理裝置300的一或多個組件的一或多個溫度進行控制。液體冷卻系統402包括用於傳導水的一或多個管道。液體冷卻系統402中所使用的液體包括水或其它材料中的至少一者。在一些實施例中，液體冷卻系統402的所述一或多個管道鄰近晶圓處理裝置300的一或多個組件，其中液體經由所述一或多個管道的流動會使得例如藉由對流傳熱（convective heat transfer）自所述一或多個組件移除熱量。
在一些實施例中，設備200的一或多個電流偵測器410耦合至設備200的一或多條感測器線408（例如感測器線100）。所述一或多條感測器線408可包括所述一或多條第一感測器線SL1、所述一或多條第二感測器線SL2、所述一或多條第三感測器線SL3、所述一或多條第四感測器線SL4、所述一或多條第五感測器線SL5、所述一或多條第六感測器線SL6、所述一或多條第七感測器線SL7、所述一或多條第八感測器線SL8及其它感測器線中的至少一者。所述一或多個電流偵測器410將一或多個電流訊號420（例如電流訊號208）輸出至控制器206。
在一些實施例中，控制器206包括與晶圓處理裝置300的各個區段相關聯的一組狀態指示器（status indicator）412。在一些實施例中，所述一組狀態指示器412中的指示器包括指示在晶圓處理裝置300的一區段中是否偵測到液體的燈（例如指示燈），其中燈處於第一狀態指示在晶圓處理裝置300的所述區段中偵測到液體，及/或燈處於第二狀態指示在晶圓處理裝置300的所述區段中未偵測到液體。在一些實施例中，第一狀態對應於由燈發出的第一顏色，例如紅色或其它顏色，且第二狀態對應於由燈發出的第二顏色，例如綠色或其它顏色。所述一組狀態指示器包括與曝光透鏡組件324相關聯的第一指示器「EL」、與冷卻板334的第一部分334a相關聯的第二指示器「CP1」、與冷卻板334的第二部分334b相關聯的第三指示器「CP2」、與晶圓326相關聯的第四指示器「W」、與晶圓平台328的第一部分328a相關聯的第五指示器「WS1」、與晶圓平台328的第二部分328b相關聯的第六指示器「WS2」、與石台330的第一部分330a相關聯的第七指示器「S1」、與石台330的第二部分330b相關聯的第八指示器「S2」及其它指示器中的至少一者。
在一些實施例中，第一指示器「EL」指示在晶圓處理裝置300的包括曝光透鏡組件324的第一區段中是否偵測到液體，例如在曝光透鏡組件324上或周圍是否偵測到液體。在一些實施例中，控制器206基於來自所述一或多個電流偵測器410中的第一電流偵測器的所述一或多個電流訊號420中的第一電流訊號來判斷晶圓處理裝置300的第一區段中是否存在液體。在一些實施例中，第一電流偵測器耦合至所述一或多條第一感測器線SL1。
在一些實施例中，第一電流訊號指示在所述一或多條第一感測器線SL1的導體中是否偵測到電流。在一些實施例中，控制器206基於第一電流訊號指示在所述一或多條第一感測器線SL1的導體中偵測到電流而確定出晶圓處理裝置300的第一區段中存在液體。在一些實施例中，控制器206基於第一電流訊號指示在所述一或多條第一感測器線SL1的導體中未偵測到電流而確定出在晶圓處理裝置300的第一區段中不存在液體。
在一些實施例中，第一電流訊號指示在所述一或多條第一感測器線SL1的導體中偵測到的電流的量度。在一些實施例中，控制器206基於第一電流訊號指示電流的量度超過臨限值而確定出晶圓處理裝置300的第一區段中存在液體。在一些實施例中，控制器206基於第一電流訊號指示電流的量度小於臨限值而確定出晶圓處理裝置300的第一區段中不存在液體。
在一些實施例中，控制器206確定與晶圓處理裝置300相關聯的液體狀態資訊。液體狀態資訊指示以下中的至少一者：晶圓處理裝置300中是否偵測到液體、所偵測到的液體的一或多種性質及其它資訊。在一些實施例中，所述一或多種性質包括指示在晶圓處理裝置300中所偵測到的液體的導電性的導電性性質。在一些實施例中，導電性性質是基於由來自所述一或多個電流偵測器410中的電流偵測器的所述一或多個電流訊號420中的電流訊號所指示的電流的量度來確定。在一些實施例中，越高的電流量度的值可對應於越高的導電性性質的值。在一些實施例中，所述一或多種性質包括成分性質。在一些實施例中，成分性質指示晶圓處理裝置300中所偵測到的液體中存在的鈉的量及其它物質的量中的至少一者。在一些實施例中，成分性質是基於電流的量度、導電性性質及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，越高的電流量度的值及/或越高的導電性性質的值對應於越高的鈉量的值。在一些實施例中，所述一或多種性質包括液體量性質。在一些實施例中，液體量性質指示晶圓處理裝置300中所偵測到的液體的量。在一些實施例中，液體量性質是基於電流的量度及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，越高的電流量度的值對應於越高的液體量性質的值。
在一些實施例中，控制器206確定與晶圓處理裝置300的多個區段相關聯的多組液體狀態資訊。在一些實施例中，所述多組液體狀態資訊中的每一組液體狀態資訊指示以下中的至少一者：在晶圓處理裝置300的一區段中是否偵測到液體、晶圓處理裝置300的所述區段中所偵測到的液體的導電性性質、晶圓處理裝置300的所述區段中所偵測到的液體的成分性質、晶圓處理裝置300的所述區段中所偵測到的液體的液體量性質以及其它資訊。所述多組液體狀態資訊包括以下中的至少一者：與晶圓處理裝置300的包括曝光透鏡組件324的第一區段相關聯的第一組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括冷卻板334的第一部分334a的第二區段相關聯的第二組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括冷卻板334的第二部分334b的第三區段相關聯的第三組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括晶圓326的第四區段相關聯的第四組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括晶圓平台328的第一部分328a的第五區段相關聯的第五組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括晶圓平台328的第二部分328b的第六區段相關聯的第六組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括石台330的第一部分330a的第七區段相關聯的第七組液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的包括石台330的第二部分330b的第八區段相關聯的第八組液體狀態資訊及與晶圓處理裝置300的其它區段相關聯的其它組液體狀態資訊。在一些實施例中，第一組液體狀態資訊指示以下中的至少一者：在晶圓處理裝置300的第一區段中是否偵測到液體、晶圓處理裝置300的第一區段中所偵測到的液體的導電性性質、晶圓處理裝置300的第一區段中所偵測到的液體的組成物性質、晶圓處理裝置300的第一區段中所偵測到的液體的液體量性質及其它資訊。在一些實施例中，第一組液體狀態資訊中的至少一者是基於來自耦合至所述一或多條第一感測器線SL1的第一電流偵測器的第一電流訊號來確定，第二組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第二感測器線SL2的第二電流偵測器的第二電流訊號來確定，第三組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第六感測器線SL6的第三電流偵測器的第三電流訊號來確定，第四組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第三感測器線SL3的第四電流偵測器的第四電流訊號來確定，第五組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第四感測器線SL4的第五電流偵測器的第五電流訊號來確定，第六組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第七感測器線SL7的第六電流偵測器的第六電流訊號來確定，第七組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第五感測器線SL5的第七電流偵測器的第七電流訊號來確定，或第八組液體狀態資訊是基於來自耦合至所述一或多條第八感測器線SL8的第八電流偵測器的第八電流訊號來確定。
在一些實施例中，控制器206基於所述一或多個電流訊號420來提供訊號（例如控制器訊號218）。所述訊號是使用控制器206的訊號產生器產生的。所述訊號指示液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，控制器206將訊號傳輸至一或多個裝置。
在一些實施例中，控制器206將第一訊號414傳輸至晶圓處理裝置300。第一訊號414是使用控制器206的訊號產生器產生的。第一訊號414指示液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，控制器206例如使用控制器206的無線通訊裝置將第一訊號414無線地傳輸至晶圓處理裝置300。在一些實施例中，控制器206經由控制器206與晶圓處理裝置300之間的實體連接將第一訊號414傳輸至晶圓處理裝置300。
在一些實施例中，控制器206將第二訊號416傳輸至溫度控制單元404。第二訊號416是使用控制器206的訊號產生器產生的。第二訊號416指示液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，控制器206例如使用控制器206的無線通訊裝置將第二訊號416無線地傳輸至溫度控制單元404。在一些實施例中，控制器206經由控制器206與溫度控制單元404之間的實體連接將第二訊號416傳輸至溫度控制單元404。
在一些實施例中，控制器206將第三訊號418傳輸至一或多個客戶端裝置406。所述一或多個客戶端裝置406包括電話、智慧型電話、行動電話、陸上通訊線（landline）、膝上型電腦、桌上型電腦、硬體及其它類型的客戶端裝置中的至少一者。第三訊號418是使用控制器206的訊號產生器產生的。第三訊號418指示液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊中的至少一者。在一些實施例中，控制器206例如使用控制器206的無線通訊裝置將第三訊號418無線地傳輸至所述一或多個客戶端裝置406中的客戶端裝置。在一些實施例中，控制器206經由控制器206與客戶端裝置之間的實體連接將第三訊號418傳輸至所述一或多個客戶端裝置406中的客戶端裝置。在一些實施例中，所述一或多個客戶端裝置406中的客戶端裝置基於第三訊號418而觸發警報。在一些實施例中，客戶端裝置基於指示在晶圓處理裝置300中偵測到液體的第三訊號418而觸發警報。在一些實施例中，因應於觸發所述警報，警報訊息經由客戶端裝置顯示出來。警報訊息包括在晶圓處理裝置300中偵測到液體的指示、晶圓處理裝置300的其中偵測到液體的一或多個區段的一或多個指示及其它指示中的至少一者。在一些實施例中，因應於觸發警報，經由連接至客戶端裝置的揚聲器輸出警報聲。在一些實施例中，第三訊號418包括因應於在晶圓處理裝置300中偵測到液體而傳輸的訊息，例如電子郵件、文字訊息等中的至少一者。在一些實施例中，因應於在晶圓處理裝置300中偵測到液體，例如使用控制器206的撥號器對所述一或多個客戶端裝置406中的客戶端裝置（例如陸上通訊線或行動電話）進行電話呼叫（telephonic call）。
在一些實施例中，所述一或多個電流訊號420用作反饋，由控制器206基於所述反饋對一或多個裝置的操作進行控制。在一些實施例中，控制器206基於以下中的至少一者對所述一或多個裝置的操作進行控制：與晶圓處理裝置300相關聯的液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊。所述一或多個裝置包括晶圓處理裝置300、溫度控制單元404、液體冷卻系統402及其它裝置中的至少一者。
在一些實施例中，使用第一訊號414對晶圓處理裝置300的操作進行控制。在一些實施例中，第一訊號414指示一或多個指令。
在一些實施例中，晶圓處理裝置300基於指示以下中的至少一者而終止晶圓處理裝置300的操作：第一訊號414指示在晶圓處理裝置300中偵測到液體及第一訊號414指示欲終止晶圓處理裝置300的操作的指令。在一些實施例中，第一訊號414指示基於由控制器206確定出在晶圓處理裝置300中偵測到液體而欲終止晶圓處理裝置300的操作的指令。在一些實施例中，晶圓處理裝置300的終止操作包括以下中的至少一者：將晶圓處理裝置300的一或多個組件進行斷電、自晶圓處理裝置300的一或多個組件斷開電源、晶圓處理裝置300進入其中晶圓處理裝置300不實行一或多種操作的模式及其它動作。
在一些實施例中，晶圓處理裝置300基於以下中的至少一者而自第一模式轉換至第二模式：第一訊號414指示在晶圓處理裝置300中偵測到液體及第一訊號414指示欲自第一模式轉換至第二模式的指令。在一些實施例中，第一模式是其中晶圓處理裝置300實行一或多種第一操作的模式且第二模式是其中晶圓處理裝置300實行不同於所述一或多種第一操作的一或多種第二操作的模式。在一些實施例中，第一模式是具有以下中的至少一者的模式：組件被解鎖及未阻止接近所述組件進行存取（access），且第二模式是具有以下中的至少一者的模式：組件被鎖定及阻止對所述組件進行存取。在一些實施例中，第一模式是具有以下中的至少一者的模式：啟用晶圓處理裝置300的一或多個功能及未阻止使用所述一或多個功能來啟動新的製程，且第二模式是具有以下中的至少一者的模式：禁用晶圓處理裝置300的所述一或多個功能及阻止使用所述一或多個功能來啟動新的製程。
在一些實施例中，使用第二訊號416對溫度控制單元404及液體冷卻系統402中的至少一者的操作進行控制。在一些實施例中，第二訊號416指示一或多個指令。在一些實施例中，晶圓處理裝置300中偵測到的液體是來自液體冷卻系統402，例如因來自液體冷卻系統402的液體自液體冷卻系統402的管道、歧管（manifold）等中的至少一者洩漏。
在一些實施例中，溫度控制單元404基於以下中的至少一者來終止液體冷卻系統402的操作：第二訊號416指示在晶圓處理裝置300中偵測到液體及第二訊號416指示欲終止液體冷卻系統402的操作的指令。
在一些實施例中，溫度控制單元404基於以下中的至少一者而自液體冷卻系統402斷開液體供應部（例如水供應部）：第二訊號416指示在晶圓處理裝置300中偵測到液體及第二訊號416指示欲自液體冷卻系統402斷開液體供應部的指令。
在一些實施例中，溫度控制單元404進行以下中的至少一者：自液體冷卻系統402的一或多個管道取出液體及阻止液體進入液體冷卻系統402的所述一或多個管道。在一些實施例中，自所述一或多個管道取出液體以清空所述一或多個管道的液體。在一些實施例中，使用幫浦（pump）自所述一或多個管道取出液體。在一些實施例中，溫度控制單元404基於第二訊號416指示在晶圓處理裝置300的一或多個區段中偵測到液體及指示欲自所述一或多個管道取出液體的指令中的至少一者而進行以下中的至少一者：自液體冷卻系統402的所述一或多個管道取出液體及阻止液體進入液體冷卻系統402的所述一或多個管道。在一些實施例中，所述一或多個管道是基於晶圓處理裝置300的在其中偵測到液體的所述一或多個區段來確定。在一些實施例中，在其中偵測到液體的所述一或多個區段是基於與所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊來確定。在一些實施例中，所述一或多個管道中的每一管道位於以下中的至少一者：在其中偵測到液體的所述一或多個區段中的區段內及位於所述區段的臨限距離以內。在一些實施例中，在所述一或多個區段中偵測到的液體是來自所述一或多個管道中的管道，例如歸因於管道的液體洩露。在一些實施例中，進行以下中的至少一者會防止更多液體進入晶圓處理裝置300，藉此防止對晶圓處理裝置300造成損壞：自液體冷卻系統402的所述一或多個管道取出液體及阻止液體進入所述一或多個管道。
根據一些實施例在圖5中示出對一或多個裝置的操作進行控制的方法500。在502處，接收一或多個訊號，例如所述一或多個電流訊號420。所述一或多個訊號由控制器（例如控制器206）進行接收。在504處，基於所述一或多個訊號對一或多個裝置的操作進行控制。在一些實施例中，所述一或多個裝置包括晶圓處理裝置300、溫度控制單元404、液體冷卻系統402及其它裝置中的至少一者。在一些實施例中，基於所述一或多個訊號，所述控制器確定包括以下中的至少一者的資訊：與晶圓處理裝置300相關聯的液體狀態資訊、與晶圓處理裝置300的所述多個區段相關聯的所述多組液體狀態資訊及其它資訊。在一些實施例中，所述一或多個裝置的所述操作是基於所述資訊進行控制的。
根據一些實施例在圖6中示出對晶圓處理裝置（例如晶圓處理裝置300）中的液體進行偵測的方法600。在動作602處，利用液體吸收材料來環繞靠近晶圓處理裝置的第一導體。在一些實施例中，所述第一導體是第一導體104或其它導體。在動作604處，利用液體吸收材料來環繞與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。在一些實施例中，所述第二導體是第二導體108或其它導體。在一些實施例中，一起實行動作602與動作604。在一些實施例中，單獨地實行動作602及動作604。在動作606處，進行以下中的至少一者：將電流源耦合至第一導體及將電壓源耦合於第一導體與第二導體的兩端。在一些實施例中，電源202包括電流源及電壓源中的至少一者。在608處，藉由對第一導體及第二導體中的至少一者中的電流進行偵測而在晶圓處理裝置中偵測液體。當液體吸收材料對液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。進行以下中的至少一者：當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電流源產生電流，及當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電壓源產生電流。
在一些實施例中，將第一導體、第二導體及液體吸收材料中的至少一者靠近晶圓處理裝置放置。
在一些實施例中，因應於在晶圓處理裝置中偵測到液體，自液體供應部斷開液體冷卻系統，所述液體冷卻系統被配置成自晶圓處理裝置移除熱量。在一些實施例中，液體冷卻系統是液體冷卻系統402。
在一些實施例中，提供指示晶圓處理裝置中的液體的訊號。在一些實施例中，所述訊號包括控制器訊號218、第一訊號414、第二訊號416及第三訊號418中的至少一者。
一或多個實施例涉及包括處理器可執行指令（processor-executable instruction）的電腦可讀取媒體（computer-readable medium），所述處理器可執行指令被配置成實施本文所提供的一或多個技術。圖7中示出示例性電腦可讀取媒體，其中實施例700包括其上編碼有電腦可讀取資料706的電腦可讀取媒體708（例如，可錄式光碟（compact disc-recordable，CD-R）、可寫入數位多功能光碟（digital video disc-recordable，DVD-R）、快閃驅動器（flash drive）、硬碟驅動器的磁盤（platter）等）。此電腦可讀取資料706繼而包括一組處理器可執行電腦指令704，所述一組處理器可執行電腦指令704被配置成在由處理器執行時實施本文闡述的原理中的一或多個原理。在一些實施例700中，處理器可執行電腦指令704被配置成在由處理器執行時實施方法702，例如上述方法中的至少一些方法。在一些實施例中，處理器可執行電腦指令704被配置成在由處理器執行時實施一種系統，例如所述一或多個上述系統中的至少一些系統。此項技術中具有通常知識者可設想出被配置成根據本文中提供的技術進行操作的許多此種電腦可讀取媒體。
在一些實施例中，提供一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備。所述設備包括靠近晶圓處理裝置的第一導體。所述設備包括與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。所述設備包括環繞第一導體及第二導體的液體吸收材料。所述設備包括耦合至第一導體的電流源。所述設備包括耦合至第一導體及第二導體中的至少一者的電流偵測器。當液體吸收材料對晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電流源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。電流偵測器對電流進行偵測。
在一些實施例中，其中所述液體吸收材料包括棉花。
在一些實施例中，其中：所述第一導體包括第一表面；所述第二導體包括面對所述第一導體的所述第一表面的第二表面；且所述第一表面與所述第二表面之間的區域不存在所述液體吸收材料。
在一些實施例中，其中：所述第一導體包括第一表面；所述第二導體包括面對所述第一導體的所述第一表面的第二表面；且所述第一表面與所述第二表面之間的區域包括所述液體吸收材料。
在一些實施例中，其中：所述液體吸收材料包括內表面，且所述內表面界定橢圓形區域。
在一些實施例中，其中：所述液體吸收材料包括內表面，且所述內表面界定多邊形區域。
在一些實施例中，其中：所述晶圓處理裝置包括曝光透鏡組件，且所述第一導體與所述第二導體跨越所述曝光透鏡組件的外表面延伸。
在一些實施例中，其中：所述晶圓處理裝置包括冷卻板，且所述第一導體與所述第二導體跨越所述冷卻板的外表面延伸。
在一些實施例中，其中：所述晶圓處理裝置包括晶圓平台，且所述第一導體與所述第二導體跨越所述晶圓平台的外表面延伸。
在一些實施例中，還包括：控制器，耦合至所述電流偵測器，其中所述控制器提供指示所述晶圓處理裝置中的所述液體的訊號。
在一些實施例中，其中所述控制器將所述訊號提供至客戶端裝置。
在一些實施例中，提供一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備。所述設備包括靠近晶圓處理裝置的第一導體。所述設備包括與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。所述設備包括環繞第一導體及第二導體的液體吸收材料。所述設備包括含有耦合至第一導體的正端子以及耦合至第二導體的負端子的電壓源。所述設備包括耦合至第一導體及第二導體中的至少一者的電流偵測器。當液體吸收材料對晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。由電壓源在第一導體及第二導體中的至少一者中產生經由導電路徑的電流。電流偵測器對電流進行偵測。
在一些實施例中，其中所述液體吸收材料包括棉花。
在一些實施例中，其中：所述液體吸收材料包括內表面，且所述內表面界定橢圓形區域。
在一些實施例中，還包括：控制器，耦合至所述電流偵測器，其中所述控制器提供指示所述晶圓處理裝置中的所述液體的訊號。
在一些實施例中，其中：所述晶圓處理裝置包括曝光透鏡組件；且所述第一導體與所述第二導體跨越所述曝光透鏡組件的外表面延伸。
在一些實施例中，提供一種用於對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法。所述方法包括利用液體吸收材料來環繞靠近晶圓處理裝置的第一導體。所述方法包括利用液體吸收材料來環繞與第一導體間隔開且靠近晶圓處理裝置的第二導體。所述方法包括以下中的至少一者：將電流源耦合至第一導體，或者將電壓源耦合於第一導體與第二導體的兩端。所述方法包括藉由對第一導體及第二導體中的至少一者中的電流進行偵測來對晶圓處理裝置中的液體進行偵測。當液體吸收材料對液體進行吸收時，液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑。進行以下中的至少一者：當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電流源產生電流，或者當液體吸收材料在第一導體與第二導體之間建立導電路徑時，電壓源產生電流。
在一些實施例中，還包括將所述第一導體及所述第二導體中的至少一者靠近所述晶圓處理裝置放置。
在一些實施例中，還包括：因應於對所述晶圓處理裝置中的所述液體進行偵測，自液體供應部斷開液體冷卻系統，所述液體冷卻系統被配置成自所述晶圓處理裝置移除熱量。
在一些實施例中，還包括：提供指示所述晶圓處理裝置中的所述液體的訊號。
以上概述了若干實施例的特徵，以使熟習此項技術者可更佳地理解本揭露的態樣。熟習此項技術者應理解，他們可容易地使用本揭露作為設計或修改其它製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的或達成與本文中所介紹的實施例相同的優點。熟習此項技術者亦應認識到，此種等效構造並不背離本揭露的精神及範圍，而且他們可在不背離本揭露的精神及範圍的條件下在本文中作出各種改變、取代及變更。
儘管已採用結構特徵或方法動作專用的語言闡述了本標的物，然而應理解，隨附申請專利範圍的標的物未必僅限於上述具體特徵或動作。確切而言，上述具體特徵及動作是作為實施請求項中的至少一些請求項的實例性形式而揭露的。
本文中提供實施例的各種操作。對所述操作中的一些操作或所有操作進行闡述的次序不應被解釋為暗示該些操作必須依照次序進行。將瞭解具有本說明的有益效果的替代次序。此外，將理解，並非所有操作均必須存在於本文中提供的每一實施例中。此外，將理解，在一些實施例中，並非所有操作均是必要的。
將瞭解，在一些實施例中，例如出於簡明及便於理解的目的，本文中所繪示的層、特徵、元件等是以相對於彼此的特定尺寸（例如，結構尺寸或定向）進行例示，且所述層、特徵、元件等的實際尺寸實質上不同於本文中所例示的尺寸。另外，舉例而言，存在例如以下中的至少一者等各種技術來形成本文中所提及的層、區、特徵、元件等：蝕刻技術、平坦化技術、植入技術、摻雜技術、旋塗技術、濺鍍技術、生長技術或沉積技術（例如，化學氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD））。
此外，本文中使用「示例性」來指充當實例、例子、例示等，而未必指為有利的。本申請案中使用的「或」旨在指包含性的「或」而不是指排他性的「或」。另外，除非另有指明或自上下文中清楚地表明指單數形式，否則本申請案及隨附申請專利範圍中使用的「一（a及an）」一般而言被視為指「一或多個」。此外，A及B中的至少一者及/或類似表述一般而言指A或B或A與B二者。此外，就使用「包含（include）」、「具有（having、has）」、「帶有（with）」或其變型而言，此種用語旨在以相似於用語「包括（comprising）」的方式表示包含。此外，除非另有指明，否則「第一（first）」、「第二（second）」等並不旨在暗示時間方面、空間方面、次序等。確切而言，此種用語僅用作特徵、元件、物項等的辨識符、名稱等。舉例而言，第一元件及第二元件一般而言對應於元件A及元件B、或兩個不同元件、或兩個相同元件或同一元件。
此外，儘管已針對一或多種實施方式示出並闡述了本揭露，然而此項技術中具有通常知識者在閱讀並理解本說明書及附圖之後將會想到等效變更及潤飾形式。本揭露包括所有此種潤飾及變更形式，且僅受限於以下申請專利範圍的範圍。特別對於由上述組件（例如，元件、資源等）實行的各種功能而言，即使所述組件在結構上不與所揭露的結構等效，用於闡述此種組件的用語亦旨在對應於實行所述組件的指定功能的（例如，功能上等效的）任意組件（除非另有表明）。另外，儘管可能僅針對若干實施方式中的一種實施方式揭露了本揭露的特定特徵，然而在對於任意給定或特定應用而言可能為期望的及有利的時，此種特徵可與其它實施方式的一或多種其它特徵進行組合。
100,408:感測器線 102:液體吸收材料 104:第一導體 106:區域 108:第二導體 110:第一內表面 112:第二內表面 114:第一方向 116:第一表面 118:第二表面 200:設備 202:電源 204:電流偵測器 206:控制器 208,420:電流訊號 212:第一端子 214:導電路徑 216:電流 218:控制器訊號 222:第二端子 300:晶圓處理裝置 302,304,306,308,310,312,314,316,342,344,356,358,368,370,380,382,394,396:距離 318:光源 320:光罩 322:光罩平台 324:曝光透鏡組件 326:晶圓 328:晶圓平台 328a,330a,334a:第一部分 328b,330b,334b:第二部分 330:石台 334:冷卻板 336,350,360,364,366,372,384,388,393,398:外表面 346,357,367,387,397:中心點 348,362,374,386,395:內表面 352,376,390:長度 354,378,392:高度 400:系統 402:液體冷卻系統 404:溫度控制單元 406:客戶端裝置 410:電流偵測器 412:狀態指示器 414:第一訊號 416:第二訊號 418:第三訊號 500,600,702:方法 502,504,602,604,606,608:動作 700:實施例 704:處理器可執行電腦指令 706:電腦可讀取資料 708:電腦可讀取媒體 B-B,C-C,D-D,E-E,F-F:線 CP1:第二指示器 CP2:第三指示器 EL:第一指示器 S1:第七指示器 S2:第八指示器 SL1,SL2,SL3,SL4,SL5,SL6,SL7,SL8:感測器線 W:第四指示器 WS1:第五指示器 WS2:第六指示器
結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。 圖1A示出根據一些實施例的感測器線的至少一些部分的俯視圖。 圖1B示出根據一些實施例的感測器線的至少一些部分的剖視圖。 圖2A示出根據一些實施例的設備的至少一些部分的示意圖。 圖2B示出根據一些實施例的設備的至少一些部分的示意圖。 圖3A示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的側視圖。 圖3B示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的剖視圖。 圖3C示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的剖視圖。 圖3D示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的剖視圖。 圖3E示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的剖視圖。 圖3F示出根據一些實施例的晶圓處理裝置的至少一些部分的剖視圖。 圖4示出根據一些實施例的系統的至少一些部分的示意圖。 圖5是示出根據一些實施例的對一或多個裝置的操作進行控制的方法的流程圖。 圖6是示出根據一些實施例的對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的方法的流程圖。 圖7示出根據一些實施例的實例性電腦可讀取媒體，所述實例性電腦可讀取媒體中可包括被配置成實施本文中所提出的方案中的一或多者的處理器可執行指令。
100:感測器線
102:液體吸收材料
104:第一導體
108:第二導體
200:設備
202:電源
204:電流偵測器
206:控制器
208:電流訊號
212:第一端子
218:控制器訊號
222:第二端子

Claims (1)

  1. 一種對晶圓處理裝置中的液體進行偵測的設備，包括： 第一導體，靠近晶圓處理裝置； 第二導體，與所述第一導體間隔開且靠近所述晶圓處理裝置； 液體吸收材料，環繞所述第一導體及所述第二導體； 電流源，耦合至所述第一導體；以及 電流偵測器，耦合至所述第一導體及所述第二導體中的至少一者，其中： 當所述液體吸收材料對所述晶圓處理裝置中的液體進行吸收時，所述液體吸收材料在所述第一導體與所述第二導體之間建立導電路徑， 由所述電流源在所述第一導體及所述第二導體中的至少一者中產生經由所述導電路徑的電流，且 所述電流偵測器對所述電流進行偵測。
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