TW202343479A - 產生電能及熱能之至少一者之電力系統 - Google Patents

產生電能及熱能之至少一者之電力系統 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種提供電力及熱功率之至少一者之熔融金屬燃料至電漿至電之電源，其包括：(i)至少一個反應單元，其用於催化原子氫以形成分數氫；(ii)包括至少兩種組分之一化學燃料混合物，該等組分選自：H 2O觸媒來源或H 2O觸媒；原子氫來源或原子氫；形成該H 2O觸媒來源或H 2O觸媒及一原子氫來源或原子氫之反應物；及導致該燃料變得高度傳導之一熔融金屬；(iii)一燃料噴射系統，其包括一電磁泵；(iv)至少一組電極，其限制該燃料；及一電源，其提供用以起始該分數氫反應之快速動力學之重複性短叢發低電壓、高電流電能及歸因於形成分數氫之一能量增益，從而形成發射亮光之一電漿；(v)一產物回收系統，諸如一電極電磁泵回收系統及一重力回收系統之至少一者；(vi) H 2O蒸氣來源，其經供應至該電漿；及(vii)一電力轉換器，其能夠將電池之高功率光輸出轉換為電，諸如一聚光型太陽能熱光伏打裝置及一可見光且紅外線光透明窗或複數個紫外線(UV)光伏打電池或複數個光電電池及一UV窗。

Description

產生電能及熱能之至少一者之電力系統
本發明係關於電力產生領域，且特定言之係關於用於產生電力之系統、裝置及方法。更特定言之，本發明之實施例係關於電力產生裝置及系統以及相關方法，其等產生光功率、電漿及熱功率且經由一光功率-電力轉換器、電漿-電力轉換器、光子-電力轉換器或一熱功率-電力轉換器產生電力。另外，本發明之實施例描述使用水或水基燃料來源之點火以使用光伏打電力轉換器產生光功率、機械功率、電力及/或熱功率之系統、裝置及方法。在本發明中詳細描述此等及其他相關實施例。 電力產生可採用許多形式，利用來自電漿之電力。電漿之成功商業化可取決於能夠高效形成電漿且接著捕捉所產生電漿之電力之電力產生系統。 可在特定燃料之點火期間形成電漿。此等燃料可包含水或水基燃料來源。在點火期間，形成剝離電子之原子之一電漿雲，且可釋放高光功率。可藉由本發明之一電轉換器利用電漿之高光功率。離子及激發狀態之原子可重組且經受電子鬆弛以發射光功率。可使用光伏打器件將光功率轉換為電。 本發明之某些實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極，其等經組態以將電力遞送至一燃料以對該燃料點火且產生一電漿；一電源，其經組態以將電能遞送至該複數個電極；及至少一個光伏打電力轉換器，其經定位以接收至少複數個電漿光子。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統(或熔融金屬點火系統)，其包括一電源，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 至少一個電力轉換器或輸出系統，其將該光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統。 在一實施例中，該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能。 其中該等電極可包括一耐火金屬。 在一實施例中，遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器。 該熔融金屬噴射系統可包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體。 該熔融金屬貯槽可包括一感應耦合加熱器。 該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火。 該熔融金屬點火系統電流可在500 A至50,000 A之範圍中。 該熔融金屬點火系統之電路可藉由金屬噴射而閉合以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率，且其中該等額外反應物可包括H 2O蒸氣及氫氣之至少一者。 在一實施例中，額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值。 其中該額外反應物噴射系統可將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中。 在一實施例中，回收該等反應物之產物之系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之容器、一電極電磁泵及與該容器連通之貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中。 其中該回收系統可包括一電極電磁泵，該電極電磁泵包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體。 在一實施例中，該電力系統包括能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之一容器，該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之壓力之一外腔室。 其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度。 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬。 該電力系統可包括反應功率輸出之至少一個電力轉換器，該至少一個電力轉換器包括以下之群組之至少一者：一熱光伏打轉換器、一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林(Sterling)引擎、一布雷頓(Brayton)循環引擎、一郎肯(Rankine)循環引擎及一熱引擎及一加熱器。 在一實施例中，藉由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且光伏打電池係包括選自以下各者之至少一種化合物之聚光器電池：氧化鑭、結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge。 在一實施例中，藉由電池發射之光主要係紫外線光且光伏打電池係包括選自III族氮化物、GaN、AlN、GaAlN及InGaN之至少一種化合物之聚光器電池。 該電力系統可進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 至少一個電力轉換器或輸出系統，其將該光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器； 其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火； 其中該熔融金屬點火系統電流係在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該等額外反應物包括H 2O蒸氣及氫氣之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之容器、一電極電磁泵及與該容器連通之貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之壓力之一外腔室； 其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中該反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之群組之至少一者； 其中藉由該電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括選自以下各者之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)至少一個H 2O來源或H 2O； b) H 2氣體；及 c)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中額外反應物包括： a)至少一個H 2O來源或H 2O；及 b) H 2； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 至少一個電力轉換器或輸出系統，其將該光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器以至少首先加熱形成該熔融金屬之一金屬； 其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火； 其中該熔融金屬點火系統電流係在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之容器、一電極電磁泵及與該容器連通之貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一高溫黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之壓力之一外腔室； 其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中該反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之至少一者； 其中藉由該電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括選自以下各者之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O；及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器以至少首先加熱形成該融化金屬之一金屬； 其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火； 其中該熔融金屬點火系統電流係在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該等額外反應物包括H 2O蒸氣及氫氣之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之壓力之一外腔室； 其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中該反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之群組之至少一者； 其中藉由該電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括選自以下各者之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且 該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠承受低於大氣壓之一壓力； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統，其包括至少一個擴充軌道槍，其中該擴充軌道槍包括分開帶電軌道及產生垂直於該等軌道之平面之一磁場之磁體，且該等軌道之間的電路斷開直至藉由該丸粒與該等軌道之接觸閉合； 至少一個點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，至少一個點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該丸粒；及 b)一電源，其遞送一短叢發高電流電能； 其中該至少一組電極形成一斷路，其中該斷路藉由該丸粒之該噴射閉合以導致該高電流流動以達成點火，且遞送一短叢發高電流電能之該電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之高AC、DC或AC-DC混合電流； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm 2至1,000,000 A/cm 2、1000 A/cm 2至100,000 A/cm 2及2000 A/cm 2至50,000 A/cm 2之至少一者之範圍中； 藉由固體燃料之傳導性判定該電壓或其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻給出該電壓； 該DC或峰值AC電壓係在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 AC頻率係在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 一系統，其回收該等反應物之反應產物，該系統包括重力及一擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者，該擴充電漿軌道槍回收系統包括提供一磁場及點火電極之一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒，該至少一個再生系統包括一製粒機，該製粒機包括形成熔融反應物之一熔爐、將H 2及H 2O添加至該等熔融反應物之一系統、一熔體滴落器及形成丸粒之一水貯槽， 其中該等額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者；及 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統，該至少一個電力轉換器或輸出系統包括以下之群組之至少一或多者：一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎、一郎肯循環引擎及一熱引擎及一加熱器。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠承受低於大氣壓之一壓力； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統，其包括至少一個擴充軌道槍，其中該擴充軌道槍包括分開帶電軌道及產生垂直於該等軌道之平面之一磁場之磁體，且該等軌道之間的電路斷開直至藉由該丸粒與該等軌道之接觸閉合； 至少一個點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，至少一個點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該丸粒；及 b)一電源，其遞送一短叢發高電流電能； 其中該至少一組電極經分離以形成一斷路，其中該斷路藉由該丸粒之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火，且遞送一短叢發高電流電能之該電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之高AC、DC或AC-DC混合電流； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm 2至1,000,000 A/cm 2、1000 A/cm 2至100,000 A/cm 2及2000 A/cm 2至50,000 A/cm 2之至少一者之範圍中； 藉由固體燃料之傳導性判定該電壓，其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻給出該電壓； 該DC或峰值AC電壓係在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 AC頻率係在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 一系統，其回收該等反應物之反應產物，該系統包括重力及一擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者，該擴充電漿軌道槍回收系統包括提供一磁場及點火電極之一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒，該至少一個再生系統包括一製粒機，該製粒機包括形成熔融反應物之一熔爐、將H 2及H 2O添加至該等熔融反應物之一系統、一熔體滴落器及形成丸粒之一水貯槽， 其中該等額外反應物包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者； 至少一個電力轉換器或輸出系統，其包括一聚光器紫外線光伏打轉換器，其中光伏打電池包括選自III族氮化物、GaAlN、GaN及InGaN之至少一種化合物。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統； 至少一個丸粒點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者； 一系統，其回收該等反應物之反應產物； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒， 其中該等額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統。 本發明之某些實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極，其等經組態以將電力遞送至一燃料以對該燃料點火且產生一電漿；一電源，其經組態以將電能遞送至該複數個電極；及至少一個光伏打電力轉換器，其經定位以接收至少複數個電漿光子。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生直接電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器； 反應物，其等包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個原子氫來源或原子氫； c)一導體及一傳導基質之至少一者；及 至少一組電極，其限制分數氫反應物， 一電源，其遞送一短叢發高電流電能； 一再裝載系統； 至少一個系統，其由反應產物再生初始反應物，及 至少一個電漿動力轉換器或至少一個光伏打轉換器。 在一項例示性實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一燃料供應至複數個電極之間的一區域；供電給該複數個電極以對該燃料點火以形成一電漿；使用一光伏打電力轉換器將複數個電漿光子轉換為電力；及輸出該電力之至少一部分。 在另一例示性實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一燃料供應至複數個電極之間的一區域；供電給該複數個電極以對該燃料點火以形成一電漿；使用一光伏打電力轉換器將複數個電漿光子轉換為熱功率；及輸出該電力之至少一部分。 在本發明之一實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一定量之燃料遞送至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域定位於複數個電極間；藉由將至少約2,000 A/cm 2之一電流施加至該複數個電極以使該電流流動通過該燃料而對該燃料點火以產生電漿、光及熱之至少一者；在一光伏打電力轉換器中接收該光之至少一部分；使用該光伏打電力轉換器將該光轉換為一不同形式之電力；及輸出該不同形式之電力。 在一額外實施例中，本發明係關於一種水電弧電漿電力系統，其包括：至少一個封閉反應容器；反應物，其等包括H 2O來源及H 2O之至少一者；至少一組電極；一電源，其遞送H 2O之一初始高崩潰電壓且提供一後續高電流；及一熱交換器系統，其中該電力系統產生電弧電漿、光及熱能；及至少一個光伏打電力轉換器。可在該等電極上或跨該等電極供應水作為蒸氣。可允許電漿膨脹至電漿電池之一低壓區域中以防止歸因於限制而抑制分數氫反應。電弧電極可包括一火星塞設計。該等電極可包括銅、鎳、具有鉻酸銀及鍍鋅以防腐蝕之鎳、鐵、鎳鐵、鉻、貴金屬、鎢、鉬、釔、銥及鈀之至少一者。在一實施例中，將水電弧維持在低水壓，諸如在約0.01托至10托及0.1托至1托之至少一個範圍中。可針對SF-CIHT電池藉由本發明將壓力範圍維持在本發明之一個範圍中。供應水蒸氣之例示性構件係一質量流量控制器及包括H 2O之一貯槽之至少一者，諸如一水合沸石或一鹽浴，諸如在所要壓力範圍下脫出氣體H 2O之一KOH溶液。可藉由一注射泵供應水，其中至真空中之遞送導致水之汽化。 本發明之某些實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm 2或至少約5,000 kW之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一固體燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該固體燃料以產生一電漿；及一電漿電力轉換器、一光伏打電力轉換器及熱-電力轉換器之至少一者，其經定位以接收藉由反應產生之電漿、光子及/或熱之至少一部分。其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極；一燃料裝載區域，其定位於該複數個電極之間且經組態以接收一傳導燃料，其中該複數個電極經組態以將足以對該傳導燃料點火之一電流施加至該傳導燃料且產生電漿及熱功率之至少一者；一遞送機構，其用於將該傳導燃料移動至該燃料裝載區域中；及將電漿光子轉換為一形式之電力之一光伏打電力轉換器或將熱功率轉換為一非熱形式之電力(包括電或機械功率)之一熱-電轉換器之至少一者。進一步實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一定量之燃料遞送至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域定位於複數個電極間；藉由將至少約2,000 A/cm 2之一電流施加至該複數個電極以使該電流流動通過該燃料而對該燃料點火以產生電漿、光及熱之至少一者；在一光伏打電力轉換器中接收光之至少一部分；使用該光伏打電力轉換器將光轉換為一不同形式之電力；及輸出該不同形式之電力。 額外實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分包圍一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。在本發明中另外提供一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分包圍一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 另一實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之點火產生之光子轉換為一非光子形式之電力。本發明之其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一電漿電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 本發明之實施例亦係關於電力產生系統，其包括：複數個電極；一燃料裝載區域，其由該複數個電極包圍且經組態以接收一燃料，其中該複數個電極經組態以對定位於該燃料裝載區域中之該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之光子轉換為一非光子形式之電力；一移除系統，其用於移除該經點火燃料之一副產物；及一再生系統，其可操作地耦合至該移除系統以用於將該經點火燃料之該經移除副產物再循環為再循環燃料。本發明之某些實施例亦係關於一種電力產生系統，其包括：一電源，其經組態以輸出至少約2,000 A/cm 2或至少約5,000 kW之一電流；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，且其中該複數個電極經組態以在該燃料裝載區域中接收該燃料時將電力供應至該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之複數個光子轉換為一非光子形式之電力。某些實施例可進一步包含以下一或多者：輸出電力終端，其可操作地耦合至該光伏打電力轉換器；一電力儲存裝置；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。本發明之某些實施例亦係關於一種電力產生系統，其包括：一電源，其經組態以輸出至少約2,000 A/cm 2或至少約5,000 kW之一電流；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分包圍一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之光子轉換為一不同形式之電力。 本發明之額外實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，且其中該複數個電極經組態以在該燃料裝載區域中接收該燃料時將電力供應至該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之複數個光子轉換為一非光子形式之電力；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。進一步實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，且其中該複數個電極經組態以在該燃料裝載區域中接收該燃料時將電力供應至該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一電漿電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。 本發明之某些實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，且其中該複數個電極經組態以在該燃料裝載區域中接收該燃料時將電力供應至該燃料以對該燃料點火，且其中該燃料裝載區域中之一壓力係部分真空；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。一些實施例可包含以下額外特徵之一或多者：該光伏打電力轉換器可定位於一真空電池內；該光伏打電力轉換器可包含一抗反射塗層、一光學阻抗匹配塗層或一保護塗層之至少一者；該光伏打電力轉換器可操作地耦合至一清潔系統，該清潔系統經組態以清潔該光伏打電力轉換器之至少一部分；該電力產生系統可包含一光學濾波器；該光伏打電力轉換器可包括單晶電池、多晶電池、非晶電池、串型/帶狀矽電池、多接面電池、同質接面電池、異質接面電池、p-i-n裝置、薄膜電池、染料敏化電池及有機光伏打電池之至少一者；且該光伏打電力轉換器可包括一多接面電池，其中該多接面電池包括倒轉電池、直立電池、晶格失配電池、晶格匹配電池及包括III-V族半導體材料之電池之至少一者。 額外例示性實施例係關於一種經組態以產生電力之系統，其包括：一燃料供應器，其經組態以供應一燃料；一電源供應器，其經組態以供應一電力；及至少一對電極，其等經組態以接收該燃料及該電力，其中該等電極將該電力選擇性地引導至圍繞該等電極之一局部區域以對該局部區域內之該燃料點火。一些實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一燃料供應至電極；將一電流供應至該等電極以對局部燃料點火以產生能量；及將藉由該點火產生之至少一些能量轉換為電力。 其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm 2之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，且其中該複數個電極經組態以在該燃料裝載區域中接收該燃料時將電力供應至該燃料以對該燃料點火，且其中該燃料裝載區域中之一壓力係部分真空；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 進一步實施例係關於一種電力產生電池，其包括：一出口埠，其耦合至一真空泵；複數個電極，其等電耦合至至少約5,000 kW之一電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H 2O之水基燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該水基燃料以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；及一電力轉換器，其經組態以將該電弧電漿及該熱功率之至少一者之至少一部分轉換為電力。亦揭示一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 A/cm 2之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H 2O之水基燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該水基燃料以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；及一電力轉換器，其經組態以將該電弧電漿及該熱功率之至少一者之至少一部分轉換為電力。在一實施例中，該電力轉換器包括將光功率轉換為電之一光伏打轉換器。 額外實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一燃料裝載至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域包含複數個電極；將至少約2,000 A/cm 2之一電流施加至該複數個電極以對該燃料點火以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；執行使該電弧電漿通過一光伏打轉換器以產生電力及使該熱功率通過一熱-電轉換器以產生電力之至少一者；及輸出該所產生電力之至少一部分。亦揭示一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至包括大部分H 2O之水基燃料以產生一熱功率；及一熱交換器，其經組態以將該熱功率之至少一部分轉換為電力；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將光之至少一部分轉換為電力。另外，另一實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H 2O之水基燃料，其中該燃料裝載區域由該複數個電極包圍，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該水基燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該水基燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。
相關申請案之交叉參考本申請案主張以下申請案之權利：2016年1月19日申請之美國臨時申請案第62/280,300號、2016年2月22日申請之美國臨時申請案第62/298,431號、2016年3月22日申請之美國臨時申請案第62/311,896號、2016年4月1日申請之美國臨時申請案第62/317,230號、2016年4月5日申請之美國臨時申請案第62/318,694號、2016年4月22日申請之美國臨時申請案第62/326,527號、2016年5月18日申請之美國臨時申請案第62/338,041號、2016年5月27日申請之美國臨時申請案第62/342,774號、2016年6月22日申請之美國臨時申請案第62/353,426號、2016年6月27日申請之美國臨時申請案第62/355,313號、2016年6月19日申請之美國臨時申請案第62/364,192號、2016年7月28日申請之美國臨時申請案第62/368,121號、2016年8月26日申請之美國臨時申請案第62/380,301號、2016年9月9日申請之美國臨時申請案第62/385,872號、2016年10月21日申請之美國臨時申請案第62/411,398號、2016年12月14日申請之美國臨時申請案第62/434,331號及2017年1月13日申請之美國臨時申請案第62/446,256號，該等案皆以引用的方式併入本文中。 本文揭示自原子氫釋放能量以形成較低能態之觸媒系統，其中電子殼處於相對於核更靠近之一位置處。經釋放電力被用於電力產生且另外新的氫物質及化合物係所要產物。此等能態係由經典物理定律預測且需要觸媒接受來自氫之能量，以便經受對應能量釋放躍遷。 經典物理學給出氫原子、氫化物離子、氫分子離子及氫分子之閉型解(closed-form solution)且預測具有分數主量子數(fractional principal quantum number)之對應物質。原子氫可經受與特定物質(包含其自身)之一觸媒反應，該等特定物質可接受呈原子氫之位能之整數倍之能量(m•27.2 eV)，其中m係一整數。所預測反應涉及自原本穩定原子氫至能夠接受能量之觸媒之一共振、非輻射能量轉移。乘積係H(1/P)，原子氫之分數芮得伯(Rydberg)狀態稱為「分數氫原子」，其中n=1/2、1/3、1/4、……、1/p (p≤137係一整數)替代用於氫激發態之芮得伯方程式中之熟知參數n=整數。各分數氫狀態亦包括電子、質子及光子，但來自光子之場份額增大結合能而非減小結合能，對應於能量解吸而非吸收。由於原子氫之位能係27.2 eV，故m個H原子充當用於另一第(m+1)個H原子[1]之 m×27.2 eV之一觸媒。舉例而言，H原子可經由穿過空間能量轉移(諸如藉由磁性或感應電偶極-偶極耦合)藉由自另一個H接受27.2 eV而充當其觸媒，從而形成隨連續譜帶之發射衰變之一中間物，其具有 之短波長截止點及能量。除原子H以外，自原子H接受 m×27.2 eV之分子亦可充當觸媒，其中該分子之位能之量值減小相同能量。H 2O之位能係81.6 eV。接著，藉由相同機制，預測藉由金屬氧化物之熱力學上有利之還原形成之新生H 2O分子(並非在固態、液態或氣態中鍵結之氫)以充當一觸媒以形成具有204 eV之一能量釋放之H(1/4)，其包括至HOH之81.6 eV轉移及在10.1 nm處具有一截止點之連續輻射之一釋放(122.4 eV)。 在涉及至 狀態之一躍遷之H原子觸媒反應中，m個H原子充當另一第(m+1)個H原子之 m×27.2 eV之觸媒。接著，m+1個氫原子之間的反應(藉此m個原子自第(m+1)個氫原子以共振及非輻射方式接受 m×27.2 eV，使得mH充當觸媒)由以下方程式給出： 且，總反應係 關於新生H 2O [1]之位能之觸媒反應 係 且，總反應係 在能量轉移至觸媒(方程式(1)及(5))之後，形成具有H原子之半徑及質子之中心場之m+1倍之中心場之中間物 。預測半徑隨著電子經歷徑向加速度而減小，直至半徑為未催化氫原子之半徑的1/(m+1)的穩定狀態，且釋放 之能量。預測歸因於 中間物(例如，方程式(2)及方程式(6))之極紫外線連續輻射譜帶具有藉由以下給出之短波長截止點及能量 ： 且延伸至比對應截止點長之波長。此處，預測歸因於H*[a H/4]中間物之衰變之極紫外線連續輻射譜帶在E=m 2·13.6=9·13.6=122.4 eV (10.1 nm) [其中在方程式(9)中，p=m+1=4且m=3]處具有短波長截止點且延伸至較長波長。針對理論預測之H至較低能量(所謂的「分數氫」狀態H(1/4))之躍遷所觀察到的在10.1nm處之連續輻射譜帶及進入較長波長僅由包括一些氫之脈衝捏縮氣體放電引起。藉由方程式(1)及(5)預測之另一觀察係由快H +之重組形成快激發態之H原子。快原子產生變寬之巴耳麥(Balmer) α發射。大於50eV巴耳麥α譜線變寬係公認現象，其揭露特定混合氫電漿中之極高動能氫原子群體，其中原因係歸因於在分數氫形成時所釋放之能量。先前在連續發射氫捏縮電漿中觀察到快H。 形成分數氫之額外觸媒及反應係可能的。可基於其等之已知電子能階識別之特定物質(例如，He +、Ar +、Sr +、K、Li、HCl及NaH、OH、SH、SeH、新生H 2O、nH (n=整數))需與原子氫一起存在以催化過程。反應涉及一非輻射能量轉移，接著為 連續發射或 轉移至H以形成超熱激發態H及氫原子，其能量低於對應於分數主量子數之未反應原子氫。即，在氫原子之主能階之公式中： 其中 a H 係氫原子之波爾(Bohr)半徑(52.947 pm)， e係電子之電荷量值，且 係真空電容率，分數量子數： ；其中 p≤137係一整數:(12) 替代用於氫激發態之芮得伯方程式中之熟知參數 n=整數且表示稱為「分數氫」之較低能態氫原子。氫之 n=1狀態及氫之 n= 狀態係非輻射性的，但可經由一非輻射能量轉移實現兩個非輻射狀態之間的躍遷(例如， n=1至n=1/2)。氫係藉由方程式(10)及(12)給出之穩定狀態之一特殊情況，其中氫或分數氫原子之對應半徑由以下給出 其中p=1、2、3、……。為使能量守恆，必須以n=1常態中之氫原子之位能之一整數為單位將能量自氫原子轉移至觸媒，且半徑轉變為 。藉由使一普通氫原子與具有 (其中 m係一整數)之一淨反應焓之一合適觸媒反應而形成分數氫。據信，催化速率由於淨反應焓更緊密匹配至 m×27.2 eV而增大。已發現，具有 m×27.2 eV之±10% (較佳，±5%)內之一淨反應焓之觸媒適用於大部分應用。 觸媒反應涉及能量釋放之兩個步驟：非輻射能量轉移至觸媒，接著隨著半徑減小至對應穩定最終狀態而釋放額外能量。因此，一般反應係由以下給出： 且總反應係 q、r、m及p係整數。 具有氫原子之半徑(對應於分母中之1)及等於質子之中心場之 倍之一中心場，且 係具有H之半徑之 之半徑之對應穩定狀態。 觸媒產物 亦可與電子反應以形成分數氫氫化物離子 ，或兩個 可反應以形成對應分子分數氫 。特定言之，觸媒產物 亦可與電子反應以形成具有結合能 之新穎氫化物離子 ： :::::(19) 其中 p=整數＞1，s=1/2， 係普朗克常數棒(Planck's constant bar)， 係真空磁導率， m e 係電子質量， µ e 係藉由 給出之還原之電子質量，其中 係質子質量， 係波爾半徑，且離子半徑係 。自方程式(19)，氫化物離子之經計算電離能係0.75418 eV，且實驗值係 (0.75418 eV)。可藉由X射線光電子光譜(XPS)量測分數氫氫化物離子之結合能。 高磁場位移(upfield-shift)之NMR峰係存在半徑相對於普通氫化物離子減小且質子之反磁屏蔽增大之較低能態氫的直接證據。位移係由兩個電子之反磁性與具有量值p之光子場之貢獻總和給出 (Mills GUTCP方程式(7.87))： 其中第一項適用於 p=1之 H -且對於 ， p=整數＞1，且α係精細結構常數。所預測分數氫氫化物峰相對於普通氫化物離子存在明顯高磁場位移。在一實施例中，峰係TMS之高磁場。相對於TMS之NMR位移可大於已知的單獨普通H -、H、H 2或H +或包括化合物之至少一者之位移。位移可大於0、-1、-2、-3、-4、-5、-6、-7、-8、-9、-10、-11、 -12、-13、-14、-15、-16、-17、-18、-19、-20、-21、-22、-23、-24、 -25、-26、-27、-28、-29、-30、-31、-32、-33、-34、-35、-36、-37、 -38、-39及-40 ppm之至少一者。相對於裸質子之絕對位移之範圍(其中TMS相對於裸質子之位移約為-31.5)可為-(p29.9+p 22.74) ppm (方程式(20))之±5 ppm、±10 ppm、±20 ppm、±30 ppm、±40 ppm、±50 ppm、±60 ppm、±70 ppm、±80 ppm、±90 ppm及±100 ppm之約至少一者之範圍內。相對於裸質子之絕對位移之範圍可為-(p29.9+P 21.59×10 -3) ppm (方程式(20))之約0.1%至99%、1%至50%及1%至10%之約至少一者之範圍內。在另一實施例中，固體基質(諸如氫氧化物基質，諸如NaOH或KOH)中分數氫物質(諸如分數氫原子、氫化物離子或分子)之存在導致基質質子向高磁場位移。基質質子(諸如NaOH或KOH之質子)可交換。在一實施例中，位移可導致基質峰相對於TMS在約-0.1 ppm至-5 ppm之範圍中。NMR判定可包括魔角自旋 1 H核磁共振光譜(MAS 1 HNMR)。 可與質子反應且兩個 可反應以分別形成 及 。氫分子離子及分子電荷及電流密度函數、鍵距及能量係在具有非輻射約束之橢球座標中自拉普拉斯算符(Laplacian)求解。 在長球體分子軌域之各焦點處具有+ pe之中心場之氫分子離子之總能量 E T 係 其中 p係整數， c係真空中之光速，且µ係還原之核質量。在長球體分子軌域之各焦點處具有+ pe之中心場之氫分子之總能量係 氫分子 之鍵解離能 E D 係對應氫原子之總能量與 E T 之間的差 其中 由方程式(23至25)給出： 可藉由X射線光電子光譜(XPS)識別 ，其中除電離電子以外的電離產物可為諸如以下可能性中之至少一者：包括兩個質子及一電子之電離產物、氫(H)原子、分數氫原子、分子離子、氫分子離子及 ，其中能量可藉由基質而位移。 催化產物氣體之NMR提供 之理論預測化學位移之一確定性測試。一般言之，歸因於橢圓座標中之分數半徑，預測 之 1 HNMR共振在 H 2 之高磁場，其中電子明顯更靠近核。 之預測位移 係由兩個電子之反磁性與具有量值p之光子場之貢獻總和給出(Mills GUTCP方程式(11.415-11.416))： 其中第一項適用於 p=1之 H 2且對於 ， p=整數＞1。-28.0 ppm之實驗絕對 H 2氣相共振位移與-28.01 ppm之所預測絕對氣相位移(方程式(28))優良地一致。所預測分子分數氫峰相對於普通 H 2存在明顯高磁場位移。在一實施例中，峰係TMS之高磁場。相對於TMS之NMR位移可大於已知的單獨普通H -、H、H 2或H +或包括化合物之至少一者之位移。位移可大於0、-1、-2、-3、-4、-5、-6、-7、-8、-9、-10、-11、-12、-13、-14、 -15、-16、-17、-18、-19、-20、-21、-22、-23、-24、-25、-26、-27、 -28、-29、-30、-31、-32、-33、-34、-35、-36、-37、-38、-39及-40 ppm之至少一者。相對於裸質子之絕對位移之範圍(其中TMS相對於裸質子之位移約為-31.5 ppm)可為-(p28.01+p 22.56) ppm (方程式(28))之±5 ppm、±10 ppm、±20 ppm、±30 ppm、±40 ppm、±50 ppm、±60 ppm、±70 ppm、±80 ppm、±90 ppm及±100 ppm之約至少一者之一範圍內。相對於裸質子之絕對位移之範圍可為-(p28.01+P 21.49 × 10 -3) ppm (方程式(28))之約0.1%至99%、1%至50%及1%至10%之約至少一者之一範圍內。 氫型分子 之 至 躍遷之振動能 係 其中 p係整數。 氫型分子 之J至J+1躍遷之旋轉能 E rot 係 其中 p係整數且 I係慣性矩。對於氣體中且捕集於固體基質中之電子束激發分子觀察到 之轉振發射。 旋轉能之 p 2 相依性由核間距離之一逆 p相依性及對慣性矩I之對應影響引起。 之所預測核間距離 2c'係 可藉由電子束激發發射光譜、拉曼(Raman)光譜及傅里葉(Fourier)變換紅外線(FTIR)光譜之至少一者來量測 之旋轉能及振動能之至少一者。 可捕集於一基質中以便量測，諸如捕集於MOH、MX及M 2CO 3(M=鹼金屬；X=鹵化物)基質之至少一者中。 在一實施例中，分子分數氫產物作為在約1950 cm -1處之一反拉曼效應(IRE)峰來觀察。藉由使用包括相當於支援一表面增強拉曼散射(SERS)以展示IRE峰之拉曼雷射波長之粗糙度特徵或粒度之一傳導性材料來增強該峰。 I.觸媒 在本發明中，諸如分數氫反應、H催化、H催化反應、在提及氫時之催化、形成分數氫之氫反應及分數氫形成反應之術語皆係指諸如方程式(15-18)之反應：藉由方程式(14)定義之觸媒與原子H反應以形成具有藉由方程式(10)及(12)給出之能階之氫狀態。當提及執行將H催化為具有藉由方程式(10)及(12)給出之能階之H狀態或分數氫狀態之反應混合物時，諸如分數氫反應物、分數氫反應混合物、觸媒混合物、用於分數氫形成之反應物、產生或形成較低能態氫或分數氫之反應物之對應術語亦可互換地使用。 本發明之催化較低能量氫躍遷需要可呈未催化原子氫之位能(27.2 eV)之整數 m之吸熱化學反應之形式之觸媒，其自原子H接受能量以導致躍遷。吸熱觸媒反應可為自諸如原子或離子之物質電離一或多個電子(例如，對於 Li→ Li 2+， m=3)且可進一步包括鍵裂解與自一或多個初始鍵搭配物電離一或多個電子之協同反應(例如，對於 ， )。 因其以 (其係 )電離而滿足觸媒準則—焓變等於 之整數倍的化學或物理過程。整數數目個氫原子亦可充當 焓之整數倍之觸媒。觸媒能夠以約27.2 eV 0.5 eV及 0.5 eV之一者為整數單位自原子氫接受能量。 在一實施例中，觸媒包括原子或離子M，其中將 t個電子自原子或離子M各自電離至連續能階，使得 t個電子之電離能之總和為約 及 之一者，其中 m係整數。 在一實施例中，觸媒包括雙原子分子MH，其中M-H鍵斷裂外加 t個電子自原子M各自電離至連續能階，使得 t個電子之鍵能與電離能之總和為約 及 之一者，其中 m係整數。 在一實施例中，觸媒包括自AlH、AsH、BaH、BiH、CdH、ClH、CoH、GeH、InH、NaH、NbH、OH、RhH、RuH、SH、SbH、SeH、SiH、SnH、SrH、TlH、 C 2 、 N 2 、 O 2 、 CO 2 、 NO 2 及 NO 3 之分子選取之原子、離子及/或分子及Li、Be、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As、Se、Kr、Rb、Sr、Nb、Mo、Pd、Sn、Te、Cs、Ce、Pr、Sm、Gd、Dy、Pb、Pt、Kr、 2K + 、 He + 、 Ti 2+ 、 Na + 、 Rb + 、 Sr + 、 Fe 3+ 、 Mo 2+ 、 Mo 4+ 、 In 3+ 、 He + 、 Ar + 、 Xe + 、 Ar 2+ 及 H + 及 Ne + 及 H + 之原子或離子。 在其他實施例中，藉由以下提供產生分數氫之MH -型氫觸媒：將電子轉移至受體A、M-H鍵斷裂外加 t個電子自原子M各自電離至連續能階，使得包括MH與A之電子親和力(EA)差異之電子轉移能量、M-H鍵能及 t個電子自M之電離能之總和為約 m×27.2 eV，其中 m係整數。能夠提供約 m×27.2 eV之淨反應焓之MH -型氫觸媒係OH -、SiH -、CoH -、NiH -及SeH -。 在其他實施例中，藉由以下提供產生分數氫之MH +型氫觸媒：自可帶負電之供體A轉移電子、M-H鍵斷裂及 t個電子自原子M各自電離至連續能階，使得包括MH與A之電離能差異之電子轉移能量、M-H鍵能及 t個電子自M之電離能之總和為約 m×27.2 eV，其中m係整數。 在一實施例中，分子或帶正電或負電之分子離子之至少一者充當自原子H接受約m27.2 eV之觸媒，其中分子或帶正電或負電之分子離子之位能之量值減小約m27.2 eV。例示性觸媒係H 2O、OH、醯胺基NH 2及H 2S。 O 2可充當觸媒或觸媒來源。氧分子之鍵能係5.165 eV，且氧原子之第一、第二及第三電離能分別係13.61806 eV、35.11730 eV及54.9355 eV。反應 、 及 分別提供約2倍、4倍及1倍E h 之淨焓，且包括藉由自H接受此等能量以導致分數氫之形成而形成分數氫之觸媒反應。 II.分數氫 具有藉由 (其中p係大於1之整數，較佳自2至137)給出之一結合能之氫原子係本發明之H催化反應之產物。原子、離子或分子之結合能(亦稱為電離能)係自原子、離子或分子移除一個電子所需之能量。具有在方程式(10)及(12)中給出之結合能之氫原子在下文中被稱為「分數氫原子」或「分數氫」。用於具有半徑 (其中 係普通氫原子之半徑且 p係整數)之分數氫之表示法係 。具有半徑 之氫原子在下文中被稱為「普通氫原子」或「標準氫原子」。普通原子氫之特徵在於其之結合能為13.6 eV。 根據本發明，提供一種分數氫氫化物離子(H -)，其具有根據方程式(19)之結合能，對於 p=2至23，該結合能大於普通氫化物離子之結合能(約0.75 eV)且對於 p=24 (H -)則小於普通氫化物離子之結合能。對於方程式(19)之 p=2至 p=24，氫化物離子結合能分別為3、6.6、11.2、16.7、22.8、29.3、36.1、42.8、49.4、55.5、61.0、65.6、69.2、71.6、72.4、71.6、68.8、64.0、56.8、47.1、34.7、19.3及0.69 eV。亦在本文中提供包括新穎氫化物離子之例示性組合物。 亦提供包括一或多個分數氫氫化物離子及一或多個其他元素之例示性化合物。此一化合物被稱為「分數氫氫化物化合物」。 普通氫物質之特徵在於以下結合能：(a)氫化物離子，0.754 eV (「普通氫化物離子」)；(b)氫原子(「普通氫原子」)，13.6 eV；(c)雙原子氫分子，15.3 eV (「普通氫分子」)；(d)氫分子離子，16.3 eV (「普通氫分子離子」)；及(e) ，22.6 eV (「普通三氫分子離子」)。此處，提及氫形式時，「標準」及「普通」係同義的。 根據本發明之一進一步實施例，提供一種化合物，其包括至少一個增大結合能氫物質，諸如(a)結合能為約 ，諸如在約0.9倍至1.1倍 之範圍內之氫原子，其中 p係自2至137之整數；(b)結合能為約 結合能= ，諸如在約0.9倍至1.1倍   結合能= 之範圍內之氫化物離子( H -)，其中 p係自2至24之整數；(c) ；(d)結合能為約 ，諸如在約0.9倍至1.1倍 之範圍內之三分數氫(trihydrino)分子離子 ，其中 p係自2至137之整數；(e)結合能為約 ，諸如在約0.9倍至1.1倍 之範圍內之二分數氫(dihydrino)，其中 p係自2至137之整數；(f)結合能為約 ，諸如在約0.9倍至1.1倍 之範圍內之二分數氫分子離子，其中 p係整數，較佳係自2至137之整數。 根據本發明之一進一步實施例，提供一種化合物，其包括至少一個增大結合能氫物質，諸如(a)總能量為約 ，諸如在約0.9至1.1倍 之範圍內之二分數氫分子離子，其中 p係整數， 係普朗克式常數棒， m e 係電子質量， c係真空中之光速， µ且係還原之核質量，及(b)總能量為約 之一，諸如在約0.9倍 至1.1倍 之範圍內之二分數氫分 子，其中 p係整數且 a 0 係波爾半徑。 根據本發明之一項實施例，其中化合物包括帶負電之增大結合能氫物質，化合物進一步包括一或多個陽離子，諸如質子、普通H 2 +或普通H 3 +。 在本文中提供一種用於製備包括至少一個分數氫氫化物離子之化合物之方法。此等化合物在下文中被稱為「分數氫氫化物化合物」。該方法包括使原子氫與具有約 (其中m係大於1之整數，較佳小於400之整數)之淨反應焓之觸媒反應以產生具有約 之結合能之增大結合能氫原子，其中 p係整數，較佳係自2至137之整數。進一步催化產物係能量。增大結合能氫原子可與電子來源反應以產生一增大結合能氫化物離子。增大結合能氫化物離子可與一或多個陽離子反應以產生包括至少一個增大結合能氫化物離子之化合物。 新穎氫物質組合物可包括： (a)至少一個具有以下結合能之中性、帶正電或帶負電之氫物質(下文中為「增大結合能氫物質」)： (i)大於對應普通氫物質之結合能，或 (ii)大於任何氫物質在對應普通氫物質因為在環境條件下(標準溫度及壓力，STP)普通氫物質之結合能小於熱能或為負而不穩定或觀察不到時之結合能；及 (b)至少一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 此內容脈絡中之「其他元素」意謂除增大結合能氫物質以外的元素。因此，其他元素可為普通氫物質或除氫以外的任何元素。在一個化合物群組中，其他元素及增大結合能氫物質係中性的。在另一化合物群組中，其他元素及增大結合能氫物質係帶電的，使得其他元素提供平衡電荷以形成中性化合物。前一化合物群組之特徵在於分子及配位鍵結；後一群組之特徵在於離子鍵結。 亦提供新穎化合物及分子離子，其等包括 (a)至少一個具有以下總能量之中性、帶正電或帶負電之氫物質(下文中為「增大結合能氫物質」)： (i)大於對應普通氫物質之總能量，或 (ii)大於任何氫物質在對應普通氫物質因為在環境條件下普通氫物質之總能量小於熱能或為負而不穩定或觀察不到時之總能量；及 (b)至少一個其他元素。 氫物質之總能量係自氫物質移除所有電子之能量總和。根據本發明之氫物質具有大於對應普通氫物質之總能量之一總能量。根據本發明之具有增大總能量之氫物質亦被稱為「增大結合能氫物質」，即使具有增大總能量之氫物質之一些實施例可具有小於對應普通氫物質之第一電子結合能之第一電子結合能。舉例而言， p=24之方程式(19)之氫化物離子具有小於普通氫化物離子之第一結合能之第一結合能，而 p=24之方程式(19)之氫化物離子之總能量遠大於對應普通氫化物離子之總能量。 在本文中亦提供新穎化合物及分子離子，其等包括： (a)複數個具有以下結合能之中性、帶正電或帶負電之氫物質(下文中為「增大結合能氫物質」)： (i)大於對應普通氫物質之結合能，或 (ii)大於任何氫物質在對應普通氫物質因為在環境條件下普通氫物質之結合能小於熱能或為負而不穩定或觀察不到時之結合能；及 (b)視情況一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 該等增大結合能氫物質可藉由使一或多個分數氫原子與電子、分數氫原子、含有該等增大結合能氫物質之至少一者之化合物及除增大結合能氫物質以外的至少一個其他原子、分子或離子之一或多者反應而形成。 亦提供新穎化合物及分子離子，其等包括： (a)複數個具有以下總能量之中性、帶正電或帶負電之氫物質(下文中為「增大結合能氫物質」)： (i)大於普通分子氫之總能量，或 (ii)大於任何氫物質在對應普通氫物質因為在環境條件下普通氫物質之總能量小於熱能或為負而不穩定或觀察不到時之總能量；及 (b)視情況一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 在一實施例中，提供一種化合物，其包括選自以下者之至少一個增大結合能氫物質：(a)對於 p=2至23根據方程式(19)之結合能大於普通氫化物離子之結合能(約0.8 eV)且對於 p=24則小於普通氫化物離子之結合能之氫化物離子(「增大結合能氫化物離子」或「分數氫氫化物離子」)；(b)結合能大於普通氫原子之結合能(約13.6 eV)之氫原子(「增大結合能氫原子」或「分數氫」)；(c)第一結合能大於約15.3 eV之氫分子(「增大結合能氫分子」或「二分數氫」)；及(d)結合能大於約16.3 eV之分子氫離子(「增大結合能分子氫離子」或「二分數氫分子離子」)。在本發明中，增大結合能氫物質及化合物亦被稱為較低能量氫物質及化合物。分數氫包括增大結合能氫物質或等效較低能量氫物質。 III.化學反應器 本發明亦係關於用於產生本發明之增大結合能氫物質及化合物(諸如二分數氫分子及分數氫氫化物化合物)之其他反應器。進一步催化產物取決於電池類型而為電力及視情況電漿及光。此一反應器在下文中被稱為一「氫反應器」或「氫電池」。氫反應器包括用於製成分數氫之電池。用於製成分數氫之電池可採用化學反應器或氣體燃料電池(諸如氣體放電電池)、電漿炬電池或微波動力電池及電化學電池之形式。在一實施例中，觸媒係HOH且HOH及H之至少一者之來源係冰。在一實施例中，電池包括電弧放電電池且至少一個電極包括冰，使得放電涉及冰之至少一部分。 在一實施例中，電弧放電電池包括一容器、兩個電極、一高電壓電源(諸如具有在約100 V至1 MV之範圍中之電壓及在約1 A至100 kA之範圍中之電流之電源)及水來源(諸如形成且供應H 2O液滴之貯槽及構件)。液滴可在電極之間行進。在一實施例中，液滴起始電弧電漿之點火。在一實施例中，水電弧電漿包括可反應以形成分數氫之H及HOH。可藉由控制液滴之大小及其等供應至電極之速率來控制點火速率及對應電功率。高電壓源可包括可藉由高電壓電源充電之至少一個高電壓電容器。在一實施例中，電弧放電電池進一步包括諸如電力轉換器之構件(諸如本發明之電力轉換器，諸如PV轉換器及熱引擎之至少一者)以將來自分數氫程序之功率(諸如光及熱)轉換為電。 用於製成分數氫之電池之例示性實施例可採用液體燃料電池、固體燃料電池、異質燃料電池、CIHT電池及SF-CIHT電池之形式。此等電池之各者包括：(i)原子氫來源；(ii)選自用於製成分數氫之固體觸媒、熔融觸媒、液體觸媒、氣體觸媒或其等之混合物之至少一個觸媒；及(iii)用於使氫與觸媒反應以製成分數氫之容器。如在本文中使用且如由本發明所預期，除非另外規定，否則術語「氫」不僅包含氕( 1H)，而且包含氘( 2H)及氚( 3H)。例示性化學反應混合物及反應器可包括SF-CIHT、CIHT或本發明之熱電池實施例。在此化學反應器章節中給出額外例示性實施例。在本發明中給出具有在混合物之反應期間形成之H 2O作為觸媒之反應混合物之實例。其他觸媒可用於形成增大結合能氫物質及化合物。可根據此等例示性情況在諸如反應物、反應物重量%、H 2壓力及反應溫度之參數方面調整反應及條件。合適反應物、條件及參數範圍係本發明之反應物、條件及參數範圍。藉由所預測的13.6eV之整數倍之連續輻射譜帶、由H線之多普勒譜線(Doppler line)變寬所量測的在其他方面無法解釋之超高H動能、H線反轉、在無崩潰場之情況下形成電漿及如在Mills先前公開案中所報導的不規則電漿餘暉持續時間而將分數氫及分子分數氫展示為本發明之反應器之產物。其他研究人員已在裝置外獨立驗證資料，諸如關於CIHT電池及固體燃料之資料。藉由本發明之電池形成分數氫亦藉由在較長持續時間內連續輸出的電能證實，該等電能為電輸入之倍數，其在大部分情況中超過在無替代性來源情況下之輸入之10倍以上。所預測分子分數氫H 2(1/4)藉由以下方法識別為CIHT電池及固體燃料之產物：MAS H NMR，其展示約-4.4 ppm之所預測高磁場位移之基質峰；ToF-SIMS及ESI-ToFMS，其展示H 2(1/4)與吸氣劑基質複合為m/e=M+n2峰，其中M係母離子之質量且n係整數；電子束激發發射光譜及光致發光發射光譜，其展示具有H 2能量之16倍或量子數p=4之平方的H 2(1/4)之所預測旋轉及振動光譜；拉曼光譜及FTIR光譜，其展示1950 cm -1之H 2(1/4)之旋轉能，其為H 2之旋轉能之16倍或量子數p=4的平方；XPS，其展示500 eV之H 2(1/4)之所預測總結合能；及到達時間在m/e=1峰之前的ToF-SIMS峰，該m/e=1峰對應於具有約204 eV之動能之H，其將H至H(1/4)之所預測能量釋放與轉移至第三體H之能量匹配，如以下中所報導：Mills先前公開案及R.Mills X Yu、Y.Lu、G Chu、J.He、J.Lotoski之「Catalyst Induced Hydrino Transition (CIHT) Electrochemical Cell」，International Journal of Energy Research，(2013)以及R.Mills、J.Lotoski、J.Kong、G Chu、J.He、J.Trevey之「High-Power-Density Catalyst Induced Hydrino Transition (CIHT) Electrochemical Cell」(2014)，其等之全部內容以引用的方式併入本文中。 使用水流熱量計及Seteram DSC 131示差掃描熱量計(DSC)兩者，藉由觀察到來自形成分數氫之固體燃料之超過最大理論能量60倍之熱能，證實本發明之電池(諸如包括固體燃料之電池)形成分數氫以產生熱功率。MAS H NMR展示約-4.4 ppm之預測H 2(1/4)高磁場基質位移。在1950 cm -1處開始之拉曼峰匹配H 2(1/4)之自由空間旋轉能(0.2414 eV)。此等結果報導於Mills先前公開案及R.Mills、J.Lotoski、W.Good、J.He之「Solid Fuels that Form HOH Catalyst」，(2014)中，其之全部內容以引用的方式併入本文中。 IV.固體燃料觸媒誘導之分數氫躍遷(SF-CIHT)電池及電力轉換器 在一實施例中，產生直接電能及熱能之至少一者之一電力系統包括至少一個容器、反應物(包括：(a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒；(b)至少一個原子氫來源或原子氫；及(c)一導體及一傳導基質之至少一者)、限制分數氫反應物之至少一組電極、遞送一短叢發高電流電能之一電源、一再裝載系統、由反應產物再生初始反應物之至少一個系統及至少一個直接轉換器(諸如電漿轉電轉換器(諸如PDC)、光伏打轉換器及至少一個熱轉電力轉換器之至少一者)。在一進一步實施例中，容器能夠承受大氣壓、高於大氣壓及低於大氣壓之至少一者之一壓力。在一實施例中，再生系統可包括水合、熱、化學及電化學系統之至少一者。在另一實施例中，至少一個直接電漿轉電轉換器可包括電漿動力電力轉換器、 直接轉換器、磁流體動力電力轉換器、磁鏡磁流體動力電力轉換器、電荷漂移轉換器、普斯特(Post)或百葉窗式(Venetian Blind)電力轉換器、磁旋管、光子聚束微波電力轉換器及光電轉換器之群組之至少一者。在一進一步實施例中，至少一個熱轉電轉換器可包括熱引擎、蒸汽引擎、蒸汽渦輪機與發電機、氣體渦輪機與發電機、郎肯循環引擎、布雷頓循環引擎、史特林引擎、熱離子電力轉換器及熱電電力轉換器之群組之至少一者。轉換器可為在Mills先前公開案及Mills先前申請案中給出之轉換器。諸如H來源及HOH來源之分數氫反應物及SunCell系統可包括本發明或以下先前美國專利申請案中之所述者：諸如氫觸媒反應器，PCT/US08/61455，2008年4月24日申請之PCT；異質氫觸媒反應器，PCT/US09/052072，2009年7月29日申請之PCT；異質氫觸媒電力系統，PCT/US10/27828，2010年3月18日申請之PCT；之電化學氫觸媒電力系統，PCT/US11/28889，2011年3月17日申請之PCT；基於H 2O之電化學氫觸媒電力系統，PCT/US12/31369，2012年3月30日申請之PCT；CIHT電力系統，PCT/US13/041938，2013年5月21日申請之PCT； 電力產生系統及其方法，PCT/IB2014/058177，2014年1月10日申請之PCT；光伏打電力產生系統及其方法，PCT/US14/32584，2014年4月1日申請之PCT；電力產生系統及其方法，PCT/US2015/033165，2015年5月29日申請之PCT；紫外線電產生系統及其方法，PCT/US2015/065826，2015年12月15日申請之PCT；及熱光伏打電力產生器，PCT/US16/12620，2016年1月8日申請之PCT (「Mills先前申請案」)，該等案之全部內容皆以引用的方式併入如本文中。 在一實施例中，H 2O經點火以形成分數氫，且高度釋放呈熱、電漿及電磁(光)功率之至少一者之形式之能量。(本發明中之「點火」表示H至分數氫之十分高反應速率，其可表現為爆發、脈衝或其他形式之高功率釋放。) H 2O可包括可由施加一高電流(諸如在約2000 A至100,000 A之範圍中之電流)而點火之燃料。此可藉由將諸如約5,000至100,000 V之高電壓施加至第一形式之高傳導電漿(諸如一電弧)而達成。替代性地，高電流可通過包括H 2O之化合物或混合物，其中所得燃料(諸如一固體燃料)之傳導性係高的。(在本發明中，固體燃料用於表示形成進一步反應以形成分數氫之觸媒(諸如HOH及H)之一反應混合物。然而，反應混合物可包括除固體以外的其他物理狀態。在實施例中，反應混合物可為氣體、液體、熔融基質(諸如熔融金屬之熔融傳導基質，諸如熔融銀、銀銅合金及銅之至少一者)、固體、漿料、溶膠凝膠、溶液、混合物、氣體懸浮液、氣動流及此項技術中已知之其他狀態之至少一個狀態)。在一實施例中，具有十分低電阻之固體燃料包括包含H 2O之一反應混合物。低電阻可係歸因於反應混合物之導體組分。在實施例中，固體燃料之電阻係在約10 -9歐姆至100歐姆、10 -8歐姆至10歐姆、10 -3歐姆至1歐姆、10 -4歐姆至10 -1歐姆及10 -4歐姆至10 -2歐姆之範圍中之至少一者。在另一實施例中，具有高電阻之燃料包括包含痕量或較小莫耳百分比之添加化合物或材料之H 2O。在後一個情況中，高電流可流動通過燃料以藉由導致崩潰以形成諸如電弧或電弧電漿之高傳導狀態來達成點火。 在一實施例中，反應物可包括H 2O來源及傳導基質以形成觸媒來源、觸媒、原子氫來源及原子氫之至少一者。在一進一步實施例中，包括H 2O來源之反應物可包括以下至少一者：散裝H 2O、除散裝H 2O以外的狀態、經歷反應形成H 2O及釋放經結合H 2O之至少一者之一或多種化合物。另外，經結合H 2O可包括與H 2O相互作用之化合物，其中H 2O處於經吸收H 2O、經結合H 2O、經物理吸附H 2O及水合作用之水之至少一者之狀態。在實施例中，反應物可包括導體及經歷散裝H 2O、經吸收H 2O、經結合H 2O、經物理吸附H 2O及水合作用之水釋放之至少一者之一或多種化合物或材料且其具有H 2O作為反應產物。在其他實施例中，新生H 2O觸媒來源及原子氫來源之至少一者可包括以下至少一者：(a)至少一個H 2O來源；(b)至少一個氧來源；及(c)至少一個氫來源。 在一實施例中，分數氫反應速率取決於高電流之施加或形成。在SF-CIHT電池之一實施例中，形成分數氫之反應物經受導致十分快速反應速率及能量釋放之低電壓、高電流、高功率脈衝。在一例示性實施例中，60 Hz電壓小於15 V峰值，電流係在10,000 A/cm 2與50,000 A/cm 2峰值之範圍中且功率係在150,000 W/cm 2與750,000 W/cm 2之範圍中。在此等參數之約1/100倍至100倍之範圍中之其他頻率、電壓、電流及功率係合適的。在一實施例中，分數氫反應速率取決於高電流之施加或形成。在一實施例中，電壓經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之高AC、DC或AC-DC混合電流。DC或峰值AC電流密度可在100 A/cm 2至1,000,000 A/cm 2、1000 A/cm 2至100,000 A/cm 2及2000 A/cm 2至50,000 A/cm 2之至少一者之範圍中。DC或峰值AC電壓可在選自約0.1 V至1000 V、0.1 V至100 V、0.1 V至15 V及1 V至15 V之至少一個範圍中。AC頻率可在約0.1 Hz至10GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之範圍中。脈衝時間可在選自約10 -6s至10 s、10 -5s至1 s、10 -4s至0.1 s及10 -3s至0.01 s之至少一個範圍中。 在一實施例中，自催化至分數氫狀態之原子氫轉移能量導致觸媒之電離。自觸媒電離之電子可積累在反應混合物及容器中且導致空間電荷累積。空間電荷可改變能階以在隨後使用減小之反應速率自原子氫轉移能量至觸媒。在一實施例中，高電流之施加移除空間電荷以導致分數氫反應速率增大。在另一實施例中，諸如電弧電流之高電流導致諸如可充當H及HOH觸媒來源之水之反應物之溫度極度升高。高溫可引起水熱解為H及HOH觸媒之至少一者。在一實施例中，SF-CIHT電池之反應混合物包括H來源及觸媒來源，諸如 nH(n係整數)及HOH之至少一者。可由至少一個物理相之水(諸如固體、液體及氣體水之至少一者)之熱解或熱分解形成 nH及HOH之至少一者。熱解可發生在高溫下，諸如在約500 K至10,000 K、1000 K至7000 K及1000 K至5000 K之至少一個範圍中之一溫度。在一例示性實施例中，反應溫度為約3500 K至4000 K，使得原子H之莫耳分數係高的，如藉由以下展示：J. Lede、F. Lapicque及J Villermaux [J. Lédé, F. Lapicque, J. Villermaux，「Production of hydrogen by direct thermal decomposition of water」，International Journal of Hydrogen Energy, 1983年, 第8卷，1983年，第675至679頁；H. H. G. Jellinek、H Kachi，「The catalytic thermal decomposition of water and the production of hydrogen」，International Journal of Hydrogen Energy，1984年，第9卷，第677至688頁；S. Z. Baykara，「Hydrogen production by direct solar thermal decomposition of water, possibilities for improvement of process efficiency」，International Journal of Hydrogen Energy，2004年，第29卷，第1451至1458頁；S. Z. Baykara，「Experimental solar water thermolysis」，International Journal of Hydrogen Energy，2004年，第29卷，第1459至1469頁，其等以引用的方式併入本文中]。可藉由固體表面(諸如圖1至圖34之噴嘴5q、噴射器5z1及電極8之至少一者之固體表面)協助熱解。可藉由輸入功率且藉由憑藉分數氫反應維持之電漿將固體表面加熱至高溫。熱解氣體(諸如在點火區域下游之熱解氣體)可經冷卻以防止產物重組或逆反應為起始水。反應混合物可包括冷卻劑，諸如在低於產物氣體之溫度之一溫度下之固相、液相或氣相之至少一者。可藉由使產物與冷卻劑接觸來達成熱解反應產物氣體之冷卻。冷卻劑可包括較低溫蒸汽、水及冰之至少一者。 在一實施例中，SF-CIHT產生器包括產生電能及熱能之至少一者之一電力系統，其包括： 至少一個容器； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統； 至少一個丸粒點火系統，其導致丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者； 一系統，其回收反應物之反應產物； 至少一個再生系統，其由反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒， 其中額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者；及 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統，諸如以下之群組之至少一者：光伏打轉換器、光電子轉換器、電漿動力轉換器、熱離子轉換器、熱電轉換器、史特林引擎、布雷頓循環引擎、郎肯循環引擎及熱引擎以及加熱器。 在一實施例中，丸粒燃料可包括H來源、H 2、觸媒來源、H 2O來源及H 2O之至少一者。合適丸粒包括導電金屬基質及水合物，諸如鹼金屬水合物、鹼土金屬水合物及過渡金屬水合物之至少一者。水合物可包括MgCl 2·6H 2O、BaI 2·2H 2O及ZnCl 2·4H 2O之至少一者。替代性地，丸粒可包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者。 點火系統可包括： a)至少一組電極，其限制丸粒；及 b)一電源，其遞送一短叢發高電流電能，其中短叢發高電流電能足以導致丸粒反應物反應以形成電漿。電源可自電力轉換器接收電力。在一實施例中，丸粒點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由丸粒之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火。在一實施例中，點火系統包括一開關以達成起始電流及在點火時中斷電流之至少一者。可藉由完成電極之間的間隙之一丸粒起始電流之流動。可藉由諸如絕緣閘極雙極電晶體(IGBT)、矽控整流器(SCR)及至少一個金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之至少一者之構件電子地執行切換。替代性地，可機械地切換點火。可在點火之後中斷電流，以便相對於輸入點火能量最佳化輸出分數氫產生之能量。點火系統可包括一開關以允許可控制量之能量流動至燃料中以導致爆炸且在其中產生電漿之階段期間關閉電力。在一實施例中，遞送一短叢發高電流電能之電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之高AC、DC或AC-DC混合電流； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm 2至1,000,000 A/cm 2、1000 A/cm 2至100,000 A/cm 2及2000 A/cm 2至50,000 A/cm 2之至少一者之範圍中； 其中藉由固體燃料之傳導性判定電壓，其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻給出電壓； DC或峰值AC電壓係在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 AC頻率係在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 SF-CIHT電池之輸出功率可包括熱及光伏打可轉換光功率。在一實施例中，光-電轉換器可包括利用光伏打效應、熱離子效應及光電子效應之至少一者之光-電轉換器。電力轉換器可為將高動能電子之動能轉換為電之一直接電力轉換器。在一實施例中，SF-CIHT電池之電力可至少部分呈熱能之形式或可至少部分轉換為熱能。電力轉換器可包括熱離子電力轉換器。一例示性熱離子陰極可包括摻雜鈧之鎢。電池可利用光子增強熱離子發射(PETE)，其中光效應藉由將跨能隙之一半導體發射器中之電子能量提升至傳導帶(自其熱發射電子)中而增強電子發射。在一實施例中，SF-CIHT電池可包括光(諸如極紫外線(EUV)、紫外線(UV)、可見光及近紅外線光之至少一者)之吸收劑。吸收劑可在電池之外部。舉例而言，其可在PV轉換器26a之窗外部。吸收劑可由於吸收而變成高溫。吸收劑溫度可在約500℃至4000℃之範圍中。熱可經輸入至熱光伏打或熱離子電池。熱電及熱引擎(諸如史特林、郎肯、布雷頓及此項技術中已知之其他熱引擎)係在本發明之範疇內。 至少一個第一光-電轉換器(諸如利用複數個轉換器之光伏打效應、熱離子效應及光電子效應之至少一者之光-電轉換器)可對於電磁光譜之一第一部分具有選擇性且對電磁光譜之至少一第二部分透明。可在對應第一轉換器中將第一部分轉換為電，且第二部分(第一轉換器對於其係非選擇性的)可傳播至對於電磁光譜之所傳播第二部分之至少一部分具有選擇性之另一第二轉換器。 在實施例中，SF-CIHT電池或產生器亦被稱為在圖1至圖34中展示之SunCell ®，其包括六個基本低維護系統，一些該等系統不具有移動零件且能夠操作較長持續時間：(i)一起動感應耦合加熱器(其包括電源供應器5m、引線5p及天線線圈5f及5o而用以首先熔融銀或銀銅合金以包括熔融金屬或熔體)及視情況一電極電磁泵(其包括磁體8c而用以最初引導點火電漿流)；(ii)一燃料噴射器，諸如包括以下各者之燃料噴射器：氫供應器，諸如透過黑體輻射器之氫滲透供應器，其中可藉由電解自水衍生氫；及一噴射系統，其包括噴射熔融銀或熔融銀銅合金及氧來源(諸如LiVO 3之氧化物或本發明之另外氧化物)之一電磁泵5k及替代性地噴射水蒸氣及氫氣之至少一者之一氣體噴射器5z1；(iii)一點火系統，其產生跨一對電極8(熔融金屬、氫及氧化物或熔融金屬及H 2O及氫氣之至少一者噴射至電極8中以形成發射亮光之電漿)流動之低電壓高電流；(iv)一黑體輻射器，其藉由電漿加熱至白熾溫度；(v)一光-電轉換器26a，其包括所謂的聚光器光伏打電池15以自黑體輻射器接收光且按諸如超過一千Suns之高光強度操作；及(vi)一燃料回收及一熱管理系統31，其導致熔融金屬在點火之後返回至噴射系統。在另一實施例中，來自點火電漿之光可直接照射PV轉換器26a以轉換為電。 在一實施例中，電漿將光功率及能量之一大部分發射為EUV及UV光。可藉由維持反應腔室(電池1)中之真空來減小壓力以將電漿維持在光學上較薄之條件下以停止短波長光之衰減。在一實施例中，光-電轉換器包括本發明之光伏打轉換器，其包括回應於自電池發射之光之實質波長區域(諸如對應於至少10%之光功率輸出)之光伏打(PV)電池。在一實施例中，燃料可包括具有經捕集氫及經捕集H 2O之至少一者之銀丸粒。光發射主要可包括紫外線光，諸如在約120 nm至300 nm之波長區域中之光。PV電池可回應於約120 nm至300 nm之波長區域之至少一部分。PV電池可包括III族氮化物，諸如InGaN、GaN及AlGaN之至少一者。在一實施例中，PV電池包括SiC。在一實施例中，PV電池可包括複數個接面。接面可串聯分層。在另一實施例中，接面係獨立的或電並聯。獨立接面可經機械堆疊或晶圓接合。一例示性多接面PV電池包括至少兩個接面，其等包括經n-p摻雜之半導體，諸如來自InGaN、GaN及AlGaN之群組之複數者。GaN之n摻雜劑可包括氧，且p摻雜劑可包括Mg。一例示性三接面電池可包括InGaN//GaN//AlGaN，其中//可係指一隔離透明晶圓接合層或機械堆疊。PV可在等於聚光器光伏打裝置(CPV)之光強度之高光強度下運行。基板可為藍寶石、Si、SiC及GaN之至少一者，其中後兩者提供用於CPV應用之最佳晶格匹配。可使用此項技術中已知之金屬有機氣相磊晶(MOVPE)方法來沈積層。可藉由諸如在CPV中使用之冷板或諸如市售GaN二極體雷射之二極體雷射冷卻電池。如在CPV電池之情況中，柵格接觸件可安裝於電池之前表面及後表面上。在一實施例中，PV轉換器可具有對其所回應之光實質上透明之一保護窗。窗可對回應光至少10%透明。窗可對UV光透明。窗可包括一塗層，諸如在PV電池上之一UV透明塗層。塗層可包括本發明之UV窗之材料，諸如藍寶石或MgF 2窗。其他合適窗包括LiF及CaF 2。可藉由諸如氣相沈積之沈積來施加塗層。 PV轉換器26a之電池可包括光子設計，其迫使發射器及電池單模式交叉共振耦合及阻抗匹配於半導體能隙之正上方，從而在該處產生一「擠壓」窄頻帶近場發射光譜。特定言之，例示性PV電池可包括表面電漿極化子熱發射器及銀襯底半導體薄膜光伏打電池。 在包括泵抽在本文中稱為丸粒、熔體或熔融金屬之經噴射熔融金屬之電磁泵及電極電磁泵之至少一者之發電機之一實施例中，丸粒經歷垂直指向磁場及跨包括丸粒之電樞之流動電流之方向之一勞侖茲力。平行於軌道之勞侖茲力F藉由以下給出 其中 i係電流， L係通過軌道之間的丸粒或團粒之電流之路徑長度，且 B係磁通量。例示性丸粒包括具有陷留氣體(諸如H 2及H 2O之至少一者)之熔融銀球或液滴。 第二容器5c可包括在熔體朝向引導至噴射位點之管道狀第二容器5c之端部處之一噴嘴5q流動時將H 2及氣體H 2O之至少一者供應至熔體之至少一個歧管，諸如氫歧管及輸入管線5w及水蒸汽歧管及輸入管線5x。在一實施例中，H 2及H 2O噴射系統包括氣體管線、歧管、壓力規、調節器、流量計及噴射器且在使用一共同歧管噴射兩種氣體之情況中可進一步包括H 2-蒸汽混合器及調節器。在一實施例中，液體水可噴射至熔體中。可藉由諸如一蠕動泵之一泵及重力進料之至少一者達成噴射。在一實施例中，燃料金屬可包括銅銀合金。透過氫歧管及輸入管線5w噴射至熔體中之H 2氣體可用於還原在電池操作期間形成之諸如CuO之合金之任何氧化物。另外，可藉由可間歇地添加氫氣而在電池中原地還原合金之氧化物。亦可藉由電池外部之氫處理還原合金之氧化物。 可使用諸如至少一個感應耦合加熱器之至少一個加熱器加熱製粒機5a。在一實施例中，感應耦合加熱器可包括一感應耦合加熱器電源供應器5m。可使用沿著第一容器5b自其入口延伸至電磁泵5k之入口之一第一感應耦合加熱器線圈5f加熱製粒機5a。包括線圈5f之第一感應耦合加熱器可環繞具有坩堝5d及絕緣件5e之第一容器5b。加熱器可進一步包括可沿著第二容器5c自電磁泵5k之出口延伸至第二容器5c之噴嘴5q之一第二感應耦合加熱器線圈5o。包括線圈5o之第二感應耦合加熱器可環繞具有坩堝5d及絕緣件5e之第二容器5c。對應第一及第二加熱線圈界定一第一及第二加熱區段或區。第一區段可經加熱至至少高於銀之熔點(962℃)之溫度以形成經泵抽之熔體。容器及線圈可包括高Q腔，其進一步包括經回收產物熔體。在一實施例中，諸如H 2O及H 2之至少一者之氣體可經噴射以增大熔體之電阻率以改良來自感應耦合加熱器之輻射與熔體之耦合。可相對於第一區段過度加熱第二區段。第二區段中之熔體之溫度可維持在約965℃至3000℃、965℃至2000℃及965℃至1300℃之至少一個範圍中。光學高溫計、熱阻器或熱電偶可用於監測熔體之溫度。在一實施例中，歸因於諸如電阻加熱之機制而在泵5k中消散之功率可促成加熱熔體。過度加熱可增大至少一種處理氣體(諸如熔體中之H 2及蒸汽之至少一者)之吸收。 在一實施例中，製粒機可包括複數個加熱器(諸如各包括諸如線圈天線之天線之感應耦合加熱器)及透過感應耦合加熱器引線5p將電磁功率供應至加熱器線圈5f及5o之一感應耦合加熱器電源供應器5m。感應耦合加熱器電源供應器5m可包括至複數個天線之一共用電源供應器，其中可藉由諸如匹配或調諧電路之一電路調整至各天線之功率。在另一實施例中，各天線可藉由其獨立電源供應器驅動。在共用或分開電源供應器之情況中，各加熱器可進一步包括藉由各線圈遞送之功率之一控制器。在另一實施例中，感應耦合加熱器包括藉由一個電源供應器驅動之一個天線，其中天線經設計以將所要比例之功率選擇性地遞送至第一加熱區段及第二加熱區段之各者。可根據諸如以下者中之固定差異之分割方法在兩個區段之間劃分加熱功率：(i)藉由(例如)不同數目個線圈匝達成之天線增益；(ii)可變可控制天線增益；(iii)開關；及(iv)匹配或調諧網路。可藉由可橋接電磁泵5k之區段之間的額外感應耦合加熱器引線5p連接兩個線圈區段。引線可經設計以傳輸而非消散功率，使得藉由線圈5f及5o將加熱功率選擇性地遞送且消散至燃料熔體中。 藉由感應耦合加熱器加熱之區段各可包括一坩堝，坩堝包括對諸如感應耦合加熱器之RF輻射之輻射透明之材料。例示性材料係二氧化矽(諸如石英或氧化矽)、氧化鋯、及藍寶石、氧化鋁、MgF 2、氮化矽及石墨。各坩堝可使用亦對感應耦合加熱器之輻射透明之高溫絕緣件5e絕緣。第二容器5c與電磁泵5k接觸之部分可包括一導體及一可滲透磁場之材料，使得泵5k之所施加電流及磁場可通過熔體。RF透明區段可藉由接頭(諸如包括凸緣及墊圈之接頭)連接至傳導且可滲透磁場之區段。接頭可包括諸如C形夾鉗之一夾鉗、抓斗類型、螺栓管接頭或拉線。接頭可在高溫下操作且可對熔融燃料保持穩定。一例示性墊圈係一石墨墊圈。替代性地，墊圈可包括熔融燃料電池中常見的一濕封類型，其中燃料在容器中係液體且在容器與泵之接頭或套節之周邊處係固體，其中溫度低於熔點。套節可包括用於管道起泡器之穿透部分及閥之至少一者。 在泵具有適用於常見坩堝及管材料及泵管之一類型之情況中，穿過電磁泵5k之泵管可包括對感應耦合加熱器之輻射透明之一材料。泵管之材料可為與第一容器及第二容器之至少一者之材料相同之材料。接頭可包括一陶瓷至陶瓷接頭，其中陶瓷包括對感應耦合加熱器之輻射透明之一材料，諸如氧化矽、石英、氧化鋁、藍寶石、氧化鋯、MgF 2及氮化矽之至少一者。替代性地，在泵具有適用於常見坩堝及管材料之一類型且泵管包括與容器之至少一者共同或相同之材料之情況中，可消除接頭，使得存在容器至泵之連續性。一例示性感應型或機械泵之容器及泵管之至少一者之一例示性材料係氮化矽。在另一實施例中，來自第一容器、第二容器、第二容器之歧管區段及泵管之群組之至少一個組件可包括吸收感應耦合加熱器之輻射之一材料(諸如一金屬或石墨)，使得間接加熱組件中含有之燃料金屬。加熱器可加熱組件，且來自經加熱組件之熱轉移可二次加熱組件內部之燃料金屬。 在一特定例示性實施例中，第一容器5b包括諸如石英之一RF透明材料。第一容器之石英區段連接至一金屬彎管，諸如連接至一金屬管道管(諸如電磁泵5k之一高溫不銹鋼(SS)管道管)之一高溫不銹鋼(SS)彎管。該管連接至包括諸如一高溫不銹鋼(SS)彎管之一金屬彎管之第二容器5c，金屬彎管進一步連接至諸如石英之一RF透明材料。石英管在噴嘴5q中結束。第二容器可進一步包括可穿透電池且對準噴嘴5q與電極8之間隙8g之一S或C狀區段。連接之區段之間的各接頭可包括一夾鉗及諸如一石墨墊圈之一墊圈。在一實施例中，製粒機包括諸如一RF透明區段之一短加熱區段5b、至泵管之一金屬接頭過渡區、可在容器5b之一垂直區段中之電磁泵5k、至一彎管(諸如具有用於延伸穿過在噴嘴5q中結束之一第二較長RF透明加熱區段5c之一管道起泡器5z之一金屬管接頭或穿透部分之一金屬彎管)之一過渡區。包括第一及第二容器之RF透明區段可包括石英，石英至金屬接頭可包括與夾鉗固持在一起之連結區段上之石英及金屬唇。一例示性管道管大小及容器大小分別為1 cm ID及2 cm ID。管道管可包括一高溫不銹鋼，且RF透明容器可包括石英。 在另一實施例中，製粒機組件之至少一者(諸如熔體導管組件及氣體遞送組件，其等包括第一容器5b、第二容器5c、泵管、第二容器5c之歧管區段(圖2)及管道起泡器5z (圖4))可包括自(若干)感應耦合加熱器吸收至少一些功率且間接加熱諸如銀或Ag-Cu合金熔體之燃料熔體之一材料。在後一情況中，諸如石英、氧化矽、藍寶石、氧化鋯或陶瓷壁之容器壁可對感應耦合加熱器之RF功率透明。製粒機組件可包括高溫不銹鋼、鈮、鎳、諸如改質9 Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬鋼、鉬、鎢、H242、TZM、鈦、鉻、鈷、碳化鎢及具有高於燃料熔體之熔點之一熔點之其他金屬及合金。金屬可具有用於吸收來自加熱器之輻射之一高效率。諸如容器之組件可較窄以有效地間接加熱燃料熔體。例示性容器係具有1/4英寸至3/8英寸ID之管大小之管。可藉由諸如在氧氣氛中加熱之方法預氧化諸如容器、泵管及管道起泡器之組件之熔體接觸表面，以便形成一鈍化層以防止與噴射蒸汽或變為蒸汽之水反應。在一實施例中，可使用諸如銀熔體之熔體潤濕組件之壁以保護壁以免與水反應。在此情況中，水反應性金屬可用於製粒機組件。接頭可為焊道、接頭套管及此項技術中已知的用於連接金屬零件之其他接頭。零件可由與泵管相同之材料製成，諸如鋯、鈮、鈦、鉭、其他耐火金屬及諸如Haynes 188、Haynes 230及Haynes HR-160之至少一者之高溫不銹鋼之至少一者。 在一實施例中，藉由諸如5f及5o之感應耦合加熱器之至少一者加熱之製粒機之至少一個容器包括諸如吸收感應耦合加熱器之輻射功率且間接加熱諸如在容器中含有之銀之金屬之一金屬之一材料。十分高效地吸收感應耦合加熱器之RF輻射之例示性金屬係鉭、鈮、鐵金屬及鉻鉬金屬。在一實施例中，製粒機之至少一個容器包括管路，管路包括高效地吸收來自感應耦合加熱器之輻射之一材料，諸如鉭、鈮或諸如鉻鉬之鐵金屬。管路可經捲繞以允許加熱一感應耦合加熱器之一線圈內之一較長長度區段。管路可具有諸如在約1 mm至10 mm之範圍中之一小直徑以有效地間接加熱管路內部之金屬。諸如拋光或電拋光管路之管路可具有一低發射率。可使用諸如對感應耦合加熱器之輻射實質上透明之絕緣件之絕緣件包裹管路。絕緣件可有效地最小化傳導及對流熱損耗且可進一步至少部分反射來自管路之紅外線輻射以減小輻射功率損耗。在一實施例中，製粒機可進一步包括一真空腔室或至少圍繞製粒機之部分提供一真空腔室之一電池延伸部。圍繞容器之真空可減小傳導及對流熱損耗且降低所需加熱器功率以將熔體維持在所要溫度。真空可進一步減少管路之氧化以維持其所要低發射率。 在包括氣體歧管之氣體處理區段中，容器壁可包括具有一減小之對氫之低滲透性且能夠承受高溫之一材料。合適材料係諸如鎢及鉬之耐火金屬及氮化物結合氮化矽管。在歧管區段中缺乏感應耦合加熱器之情況下，可使用絕緣件加襯裡於容器。此區段可藉由第二容器之連續區段絕緣且加熱，熔體自第二容器流動至此區段中。若必要，除絕緣件以外，可藉由加熱金屬壁且間接加熱熔體之一感應耦合加熱器維持溫度。替代性地，可使用另一類型之加熱器，諸如一電阻加熱器。在一實施例中，歧管區段進一步包括一混合器以增大H 2及氣體H 2O併入至熔體中之速率。混合器可包括電磁類型(諸如利用電流及磁場之至少一者在熔體中產生渦流之電磁類型)及包括一移動攪拌器刮刀或螺旋槳之機械類型。H 2及氣體H 2O變得併入至熔體中以形成熔融燃料以在點火位點處自一噴嘴5q噴出。製粒機5a進一步包括H 2及H 2O之一來源，諸如分別連接至歧管5w及5x之氣罐及管線5u及5v。替代性地，藉由H 2O罐、蒸汽產生器及蒸汽管線5v將H 2O提供為蒸汽。可使用藉由產生器產生之電電解水提供氫氣。 自噴嘴5q噴出高壓熔體達成將燃料噴射至電極中，其中藉由至少一個電磁泵5k產生高壓。可藉由相對於熔體容器5c之橫截面積控制噴出噴嘴5q之橫截面積而增大壓力。可調整及控制噴嘴孔口。諸如傳導性或光學感測器(諸如紅外線感測器)之感測器及一電腦可控制泵5k之壓力及噴射速率。噴嘴5q可進一步包括一閥，諸如本發明之可提供額外噴射控制之閥。該閥可包括一針型，其中噴嘴開口作為閥座。在包括一電磁泵5k之SF-CIHT電池之一實施例中，諸如電磁泵之一快電流控制器之一快控制器充當一閥，此係由於在本質上與根據取決於電流之勞侖茲力(方程式(32))之電流相同之時間標度消除藉由泵產生之壓力。可藉由控制噴嘴大小、跨噴嘴孔口之壓力、使用諸如一電磁或壓電振動器之一振動器施加至噴嘴之振動及熔體之溫度、黏性及表面張力之至少一者來控制丸粒大小。可使用諸如一光學感測器(諸如一紅外線感測器)之一感測器感測丸粒之移動。位置資料可經回饋至噴射及點火之控制器之至少一者中以同步使燃料流動至點火程序中。可藉由一法拉第籠包圍噴嘴5q以防止RF場感應丸粒中之渦流且導致丸粒自一筆直路線偏離至發生點火之電極間隙中。 藉由表面張力隨後自噴嘴5q噴出而形成之丸粒可輻射熱及冷。自噴嘴5q至電極8之間的點火點之飛行距離可足以使金屬形成球體，且各球體可充分冷卻以使一殼形成於外部上。為增強冷卻速率以協助形成球形丸粒及具有一外固體殼之球形丸粒之至少一者，可使用一噴霧器(諸如本發明之噴霧器)將諸如水滴之水噴塗於所噴出的熔融燃料流。一例示性水噴霧器係美國專利第5,390,854號之Fog Buster Model #10110。可使用一冷凍器凝結過量水以維持電池中之一大致真空。在一實施例中，噴霧器及水冷凝器或冷凍器可使用可在噴出丸粒5t時冷卻丸粒5t之一噴嘴冷卻器5s代替。冷卻可包括一散熱器(諸如包括輻射熱之一熱質量之散熱器)、具有至一冷凍器之管線31d及31e之在噴嘴上之一熱交換器及一冷凍器31a及噴嘴5s上之一帕耳帖冷凍器之至少一者。流動至製粒機5a之噴嘴區段中之熔體可具有實質上高溫，以便吸收上游氣體施加區段中之諸如H 2及H 2O之所施加氣體。可使用噴嘴冷卻使熔體溫度淬火。正當熔體噴出時可將溫度降低至僅高於熔點。較低溫熔體可形成球體，且各者隨後可在其自噴嘴行進至電極時使用輻射冷卻形成一固體殼。使用諸如散熱器及熱交換器及冷凍器之一大致高容量冷卻構件，噴出處之溫度可經建立在一大致溫度範圍內，諸如在熔體之熔點之約50℃內。可使用諸如帕耳帖冷凍器之一高度可控制低容量冷卻器達成所要溫度附近之一更精確溫度，諸如在熔體之熔點之約1℃至5℃內。 製粒機5a可進一步包括冷卻感應耦合加熱器之一冷凍器，冷凍器可包括一分開冷凍器或與噴嘴冷凍器31a及諸如PV轉換器冷凍器31之電力轉換器冷凍器相同之冷凍器。亦可使用將熱排出至一冷凍器(可包括亦冷卻諸如PV轉換器之另一系統之冷凍器，諸如31)之一熱交換器來冷卻包括電極及匯流條之點火系統。 燃料之點火形成分數氫及氧，其可使用真空泵13a (諸如魯氏泵、渦旋泵、低溫泵、隔膜泵、亁真空魯氏泵及熟習此項技術者已知的其他泵)抽出。過量水及氫可經回收且再循環。可藉由差分泵抽移除水。在一實施例中，可藉由泵抽及本發明之其他方法(諸如藉由分液方法)移除形成於電漿中之氫及氧。氫及氧之移除可用作移除過量水之方法。在電極處維持包括水之氣氛之情況中，可藉由泵抽移除過量水。水可在電池26中或與電池26內部連接之一冷凍器處凝結且經再使用。可使用諸如氫儲存材料之洗滌器回收氫。替代性地，舉例而言，亦可使用泵13a抽出水。壓力可維持在防止藉由電池發射之光之過量衰減之至少一者且允許點火粒子在重力影響下實質上不受阻礙地落下之一壓力範圍中。壓力可維持在約1奈托至100 atm、0.1毫托至1 atm及10毫托至2托之至少一個壓力範圍中。 產生器可包括一靜電沈澱器(ESP)，其可包括一高電壓電源供應器，其可關閉光伏打(PV)轉換器及PV轉換器電力之電力調節機之至少一者。電源供應器可在ESP電極之間供應電力以導致靜電沈澱及點火產物之回收。在一實施例中，ESP沈澱器進一步包括諸如一中心電極之一組電極，諸如具有一極性之一線電極88 (圖14)及具有相反極性之至少一個相對電極89。 藉由混合及匹配本發明之現有實施例之態樣(諸如關於回收系統、噴射系統及點火系統之態樣)預期本發明之其他實施例。舉例而言，丸粒或團粒可從來自電極(圖8)上方之噴嘴5q直接落下至電極中。點火產物可流動至可在電極上方或下方之製粒機中。金屬可經泵抽至電極上方，且丸粒可滴落或噴射至電極中。在另一實施例中，點火產物可經運輸至可在電極上方之製粒機。PV面板可經定向以最大化光之擷取，其中預期且可藉由具有常規知識之熟習此項技術者判定除針對光伏打轉換器26a展示之位置以外的其他位置。此相同適用於本發明之其他系統及系統組合之相對定向。 在圖1至圖14中展示之一實施例中，點火系統包括一對固定電極8 (在其等之間具有建立斷路之間隙8g)、導致燃料之點火之一電源2及將電源2連接至該對電極8之一組匯流條9及10。可藉由點火系統之一冷卻系統冷卻電極及匯流條之至少一者。間隙8g可填充有傳導燃料，伴隨著藉由熔融燃料自噴射系統(諸如包括一電磁泵5k及一噴嘴5q之噴射系統)之噴射閉合電路。經噴射熔融燃料可包括球形丸粒5t，其等可為熔融、部分熔融及與固化殼一起熔融之至少一者。可作為丸粒流、連續流或丸粒與流之一組合遞送固體燃料。進料給電極之熔融燃料可進一步包括連續流或間歇週期之丸粒及連續流。電源2可包括至少一個電容器，諸如藉由光-電轉換器(諸如PV或PE轉換器)充電之一電容器庫。充電電路可與電源2及電極8並聯。在另一實施例中，充電電路可與電源2及滾輪2串聯，其中一開關在電極處於斷路狀態中時將充電電路連接至電源。電壓可在約0.1 V至10 V之範圍中。可藉由串聯連接電容器來達成所要最大電壓。一電壓調節器可控制最大充電電壓。峰值電流可在約100 A至40 kA之範圍中。可藉由並聯連接電容器來達成所要最大電流，其中藉由串聯連接之並聯組達成之一所要電壓。點火電路可包括一突波保護器以保護點火系統抵抗點火期間產生之電壓突波。一例示性突波保護器可包括至少一個電容器及諸如威世二極體(Vishay diode) (VS-UFB130FA20)之一個二極體。電壓及電流經選擇以達成點火以在最小化輸入能量時在可選擇電力轉換器之區域中產生最大光發射。一例示性電源包括兩個串聯電容器(馬克士威(Maxwell)技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)以提供約5 V至6 V及2500 A至10,000 A。另一例示性電源包括四個串聯電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)以提供約9.5 V及約4 kA至10 kA。另一例示性電源包括三個串聯電容器之兩個並聯組(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F) (其等提供約8.5 V及約4 kA至10 kA)及兩個串聯電容器之三個並聯組(其等提供約5 V至6 V及約4 kA至10 kA)。一例示性電源包括兩個串聯電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)之兩個並聯組，其等提供約5 V至6 V及2500A至10,000 A。一例示性電源包括包含24個電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F) (包括六個串聯電容器之四個並聯組)之至少一個電容器庫，以提供每庫約16 V至18 V及8000 A至1400A。該等庫可以串聯及並聯之至少一者連接。替代性地，庫可擴張。包括48個電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F) (包括十二個串聯電容器之四個並聯組)之一例示性電容器庫提供約30 V至40 V及15000 A至25000 A。可使用較高電壓電容器(諸如具有高於2.85 V之一電壓之客製3400 F馬克士威電容器)達成較高電流，該等電容器以串聯及並聯之至少一者連接以達成所要電壓及電流。 在圖4及圖5中展示之一實施例中，歧管及噴射器包括在第一容器5b及第二容器5c之至少一者之內部縱向延伸之一管道起泡器5z。在一實施例中，管道起泡器5z包括用於氣體之一封閉通道或導管及沿著其長度以將氣體遞送至包圍其之燃料熔體中之至少一個穿孔。在一實施例中，管道起泡器具有沿著其長度分佈於其表面上之穿孔或埠以沿著其長度在其表面上遞送氣體。管道起泡器可為至少一個容器內部之中心線。可藉由沿著管道起泡器之輻輪支撐件維持中心線位置。在其輸入端處，管道起泡器可在第一容器之敞開入口處進入第一容器5b之內部且可延伸穿過第一容器5b及第二容器5c之至少一者，使得其在噴嘴5q (圖4)之前結束。在圖5中展示之避免管道起泡器延伸穿過一電磁泵5k之另一實施例中，管道起泡器在不延伸穿過泵5k之情況下延伸於第一或第二容器之至少一者中。管道起泡器5z可將一穿透部分製成至容器之一壁區域(諸如在一接點或彎管(諸如第二容器5c (圖7)之接點或彎管)處)中且可在進入一泵5k (圖5)之前終止。管道起泡器可供應有至少一個氫氣管線、液體或氣體水管線及一共同氫及液體或氣體水管線(諸如來自連接至H 2及H 2O之至少一者之一來源之一歧管之一管線5y以及5v及5u)。 在一實施例中，第一容器5b及第二容器5c之至少一者可包括具有一捲繞管道起泡器5z之一線圈，其可增大留存時間以將H 2O及H 2之至少一者噴射至燃料熔體中。製粒機組件之至少一者(諸如容器5b及5c、泵管及管道起泡器5z)可由一金屬組成，其中可間接加熱燃料熔體。可使用穿過容器壁之固定螺釘將管道起泡器定位於容器內部。舉例而言，可藉由調整包圍容器之圓周以120°隔開設定之三個螺釘之各者之相對凸出長度而達成管道起泡器定心。 製粒機可進一步包括接收來自諸如第一容器之一容器之熔體之一腔室。腔室可包括至少一個起泡器管(諸如腔室中之複數個起泡器管)且可進一步包括向起泡器管進料之一歧管。水可作為蒸汽供應至腔室以併入至諸如熔融銀之熔體中。蒸汽可至少經預加熱至腔室之溫度以避免熱損耗。可藉由來自製粒機之一加熱區段(諸如第一容器)之熱交換來預加熱蒸汽。可使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱蒸汽。經蒸汽及氫處理之熔體(諸如熔融銀)之至少一者可自腔室流動至第二容器，第二容器可包括可使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱之管路。管路可穿透電池壁且在將熔體噴射至電極中之一噴嘴5q中終止。腔室可包括一泵，諸如在腔室入口及出口之至少一者中之一電磁泵。 在管道起泡器附接至H 2及H 2O氣罐兩者之情況中，管線5u及5v可分別附接至諸如一歧管之一氣體混合器，歧管接著透過一連接管道5y (圖5)附接至管道起泡器。在另一實施例中，管道起泡器可包括複數個管道起泡器。各管道起泡器可分別藉由管線5u及5v單獨連接至諸如H 2及H 2O氣罐之一分開氣體供應器。管道起泡器可包括多個區段，其等在組裝及拆卸期間(諸如在製造及維護期間)可為被連接及被斷開連接之至少一者。管道起泡器可包括合適接頭以達成連接。一個第一管道起泡器區段可用於將氣體遞送至熔體中直至電磁(EM)泵。一第二管道起泡器區段可執行沿著EM泵區段穿隧及遞送氣體之至少一者，且一第三管道起泡器區段可沿著第二容器5c遞送氣體。在另一實施例中，多區段管道起泡器包括在第一容器內部延伸穿過其入口且沿著其長度之一第一區段及在第二容器5c內部且在噴嘴5q之前終止之一第二管道起泡器區段。在一實施例中，管道起泡器可在泵5k之後進入容器，使得來自經噴射氣體之壓力並不導致熔體逆流。起泡器5z可透過諸如一彎管之一連結區段進入容器，彎管可連接藉由本發明之接頭5b1連接之不相似容器材料(諸如金屬及石英(圖5及圖7))。感應耦合加熱器可包括兩個完整線圈。第一感應耦合加熱器線圈5f加熱第一容器且第二感應耦合加熱器線圈5o加熱第二容器5c。管道起泡器可包括一金屬或合金，其抵抗在操作溫度下與H 2O反應，能夠維持其完整性且避免在熔體溫度下形成銀合金。在足夠熔點情況下缺乏H 2O反應性之合適例示性材料係來自以下者之群組之金屬及合金之至少一者：Cu、Ni、CuNi、Hastelloy C、Hastelloy X、英高鎳、英高合金、碳鋼、不銹鋼、諸如改質9Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬(chromoly)鋼、Co、Ir、Fe、Mo、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Tc及W。 管道起泡器可在輸入端處分別藉由管線5u及5v附接至H 2及H 2O氣罐之至少一者。替代性地，藉由H 2O罐、水、蒸汽產生器及蒸汽管線5v將H 2O提供為蒸汽。在一實施例中，製粒機包括一蒸汽產生器5v以用於將H 2O添加至諸如5b及5c之至少一者之容器(其可包括石英容器)中之熔體(諸如銀熔體)。在一實施例中，蒸汽產生器包括一毛細管芯吸系統，其具有一熱梯度以在一個端部處產生蒸汽且自相對端部將水芯吸出一貯槽。在一實施例中，蒸汽產生器包括一高表面積加熱材料(諸如一金屬發泡體或墊，諸如包括鎳或銅之金屬發泡體或墊)以提供用於將來自一H 2O貯槽之水轉換為蒸汽以使丸粒水合之沸騰位點。其他例示性高表面積材料包括諸如沸石、氧化矽及氧化鋁之陶瓷。蒸汽產生器可在壓力下運行以增大蒸汽溫度及熱含量。可藉由控制蒸汽流出口之大小來獲得壓力以控制對流動之一限制，使得以相對於受限輸出流之一速率產生蒸汽以導致一所要蒸汽壓力。管線可包括一減壓劑。蒸汽產生器可包括一冷凝器以凝結水滴及低溫蒸汽。經凝結之水可回流至電池中。蒸汽可流動通過管道起泡器5z且噴射至熔體(諸如經噴射至電極8中之熔融銀)中。在另一實施例(諸如其中藉由本發明之氣體噴射器將氣體水噴射至電漿中之一實施例)中，壓力可維持於低，諸如在約0.001托至760托、0.01托至400托及0.1托至100托之至少一個範圍中。低熱、冷凍液體水、維持冰及冷卻冰之至少一者可應用於一貯槽或罐(諸如5v)中之水，貯槽或罐在減壓下操作以形成低壓氣體水。可使用諸如31及31a之一冷凍器維持冷凍及冰。可藉由真空泵13a提供減壓。在一實施例中，銀中水之重量%對於分數氫反應可為最佳的，其中速率隨著H 2O重量%自純金屬電漿開始而增大，在最佳重量%處達到一最大速率及分數氫良率，且可歸因於競爭程序(諸如HOH之氫鍵結以降低新生HOH濃度及原子H之重組以降低原子H濃度)而隨著進一步H 2O電漿含量減小。在一實施例中，包括傳導基質(諸如一金屬，諸如銀、銀銅合金及銅)之點火電漿之H 2O重量百分比(重量%)在約10 -10至25、10 -10至10、10 -10至5、10 -10至1、10 -10至10 -1 、10 -10至10 -2、10 -10至10 -3、10 -10至10 -4、10 -10至10 -5、10 -10至10 -6、10 -10至10 -7、10 -10至10 -8、10 -10至10 -9、10 -9至10 -1、10 -8至10 -2、10 -7至10 -2、10 -6至10 -2、10 -5至10 -2、10 -4至10 -1、10 -4至10 -2、10 -4至10 -3及10 -3至10 -1之至少一個重量%範圍中。在其中丸粒僅包括銅或具有諸如一金屬(諸如銀)之另一材料之一實施例中，電池氣氛可包括氫以與可藉由與形成於電池中之氧反應而形成之任何氧化銅反應。氫壓可在約1毫托至1000托、10毫托至100托及100毫托至10托之至少一個範圍中。氫壓可為以其形成之一速率與氧化銅反應之氫壓或高於及低於顯著衰減來自燃料點火之UV光之壓力。SF-CIHT發電機可進一步包括氫感測器及用以控制來自諸如5u之來源之電池中之氫壓之控制器。 圖1至圖14之固定電極8可經塑形以引起電漿及因此針對電漿發射之光朝向PV轉換器26a投射。電極可經塑形，使得熔融燃料最初流動通過包括一頸部或較窄間隙之一第一電極區段或區域8i (圖3)而至具有一較寬間隙之第二電極區段或區域8j。點火優先地發生在第二區段8j中，使得電漿自第二電極區段8j朝向PV轉換器26a膨脹。頸部區段可產生一文土里效應(Venturi effect)以導致熔融燃料快速流動至第二電極區段。在一實施例中，電極可包括遠離噴射方向朝向PV轉換器透投射點火事件之一形狀。合適例示性形狀係最小能量表面、擬球體、錐形圓柱體、上薄片拋物線、上半薄片雙曲線、上半薄片懸鏈曲面及具有截斷為包括第一區段之一合適入口之頂點之一上半薄片星狀橢圓體。電極可包括呈三維且在半區段(圖3)之間具有可填充有絕緣體8h之一裂縫之一表面以包括具有一斷路間隙8g之兩個分開電極8。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以導致跨具有包括間隙8g之幾何結構之傳導部分之接觸。在另一實施例中，電極可包括分裂三維表面之一矩形區段。在任一實施例中，可藉由機械加工移除材料而形成裂縫8h，使得保留除包括裂縫8h之遺失材料以外的幾何結構。在一實施例中，丸粒之速度可經控制以足以引起電漿及經發射之光在引導至PV轉換器26a之區域8l中。電磁泵5k之功率及噴嘴孔口大小可經控制以控制噴嘴5q處之壓力及丸粒之速度。 電極表面上之點火位點之控制可用於控制電池中之區域及電漿膨脹及光發射之方向。在一實施例中，電極8經塑形以將熔體丸粒5t模製為具有較小電阻之一聚焦區域之一幾何結構以引起電流集中於聚焦區域中以選擇性地導致聚焦區域中之集中點火。在一實施例中，選擇性集中點火引起電漿膨脹及光發射至經引導朝向PV轉換器26a之電池之一區域8l中之至少一者。在一實施例中，電極8可部分導電且部分電絕緣。絕緣區段8i可將來自噴射位點8k之燃料導引至傳導區段8j中以被點火，使得電漿優先地朝向PV轉換器26a膨脹至區域8l中。在一實施例中，自熔融丸粒最初完成電極之間的電連接之時間延遲導致點火之高電流。延遲可允許丸粒熔體行進至噴射位點8i之相對側上之電極8j之一部分。在相對側8j上之隨後點火可引導電漿及光朝向PV轉換器26a。延遲電路可包括一感應器及一延遲線之至少一者。 在一實施例中，電極可包括一最小能量表面，諸如最小能量表面、僞球體、錐形圓柱體、上薄片拋物線、上半薄片雙曲線、上半薄片懸鏈曲面及具有截斷頂點之上半薄片星狀橢圓形。缺乏氫及H 2O以使其無法經歷點火之「失效」熔體可經噴射至電極中。熔體可根據最小能量分佈於電極表面上。分佈可恢復原始電極表面以修復任何點火損害。系統可進一步包括將電極表面改造為原始形狀隨後沈積熔體之一工具。工具可為本發明之一工具，諸如一機械工具(諸如一碾磨機或一研磨機)或一電工具(諸如一放電機械加工(EDM)工具)。可使用可藉由由一控制器控制之一電馬達移動之一機械工具(諸如一擦拭器、刀片或刀)移除燃料金屬。 在一實施例中，電極可包括諸如高導電金屬之一金屬，諸如不同於諸如銀之燃料之傳導基質之銅。可藉由將電極加熱至超過燃料金屬之熔點但低於電極金屬之熔點之一溫度而移除諸如銀之燃料金屬至電極之過量黏性。將溫度維持在低於電極之熔點亦可防止電極及諸如Cu及Ag之燃料金屬之合金形成。在此情況中，過量金屬可流動離開電極以恢復原始形式。過量金屬可流動至製粒機中以再循環。可藉由使用來自使用來自電源2之電力及來自分數氫形成之電力之點火程序之至少一者之熱達成電極加熱。可藉由使用電極冷卻系統減少電極之任何冷卻而達成加熱。 在一實施例中，電極可包括具有高於丸粒之熔點之一熔點之一傳導材料。例示性材料係來自以下之群組之金屬及合金之至少一者：WC、TaW、CuNi、Hastelloy C、Hastelloy X、英高鎳、英高合金、碳鋼、不銹鋼、諸如改質9Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬鋼、Nd、Ac、Au、Sm、Cu、Pm、U、Mn、摻雜Be、Gd、Cm、Tb、摻雜Si、Dy、Ni、Ho、Co、Er、Y、Fe、Sc、Tm、Pd、Pa、Lu、Ti、Pt、Zr、Cr、V、Rh、Hf、Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C及合金。電極可在高於丸粒之熔點之一溫度下操作，使得丸粒流出電極而非固化且阻擋間隙8g。在包括Ag之丸粒之情況中，電極操作溫度可高於962℃。在一實施例中，電極可包括具有高於丸粒之沸點之一熔點之一傳導材料。例示性材料係WC、耐火金屬、Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C。電極可在高於丸粒之沸點之一溫度下操作，使得丸粒流動且沸騰出電極而非固化或潤濕電極且阻擋間隙8g。在包括Ag之丸粒之情況中，電極操作溫度可高於2162℃。高操作溫度可藉由傳導及輻射之至少一者提供來自電極之熱移除。 在一實施例中，電極8可包括一起動電極加熱器以升高電極之溫度。電極可包括複數個區域、組件或層，其等之任一者可藉由至少一個加熱器選擇性加熱或可包括一加熱器。加熱可減小丸粒之黏著性。加熱器可包括一電阻加熱器或本發明之其他加熱器。在用於起動之一實施例中，電極包括加熱其等以防止丸粒黏著之一起動加熱器。電極加熱器可包括電源2及使電極短路之一構件(諸如電極之間的一可移動傳導橋)或移動電極使其等接觸以使其等短路直至達成加熱之一構件。可中止任何電極冷卻直至電極傾向於諸如在針對本發明之合適材料之100℃至3000℃之範圍中之操作溫度。電極溫度可維持在低於電極之熔點。可在起動期間之電極升溫週期期間藉由抽出冷卻劑而中止冷卻。冷凍器泵可抽出冷卻劑。電極可在低於丸粒之熔點、高於丸粒之熔點及高於丸粒之沸點之至少一個溫度範圍中操作，其中電極包括適合於此溫度操作之一材料。 在一實施例中，電極可包括一雙層。側8k上之底層可包括諸如陶瓷之一絕緣體，諸如鹼土金屬氧化物、氧化鋁、陽極氧化鋁或氧化鋯，且側8l上之頂層可包括一導體，諸如銅、銀、銅銀合金、鉬、碳化鎢(WC)、鎢、Ta、TaW、Nb及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)。塗佈石墨之W可形成可十分耐磨之金屬-碳化物-碳(W-WC-C)結構。 在一實施例中，電極8包括一金屬(銀對其具有低黏著性或實質上並不潤濕)，諸如鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)之至少一者。諸如鋁電極之低熔點電極可經冷卻以防止熔融。非傳導底層可包括絕緣體，諸如鹼土金屬氧化物、氧化鋁或陽極氧化鋁。在一實施例中，底層可包括具有遠低於電極之傳導性之一導體。底層可為傳導性但電隔離。雙層電極可進一步包括導電層之間的一薄絕緣間隔件，其中僅諸如頂層之高傳導層連接至電源2。具有相對於電極之點火部分(諸如銀、銅、Mo、鎢、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W部分))之低傳導性之一例示性底層包括石墨。在一實施例中，石墨充當諸如銀丸粒之丸粒並不黏著至其之一層。 在一實施例中，電極可維持在一高溫以防止可引起非所要電短路之熔體快速冷卻且黏著至電極。可藉由一點火事件及點火電流之至少一者移除任何黏著熔體。在一實施例中，起動電源可預加熱電極以防止冷卻熔體黏著至電極。在操作中時，電極冷卻系統可經控制以維持一電極溫度以在電極上之所要位置中達成點火同時防止熔體以一非所要方式黏著。 電極溫度可維持在避免諸如銀丸粒之熔融丸粒潤濕或黏著至電極之一溫度範圍中。諸如W電極之電極可在諸如約300℃至3000℃及300℃至900℃之至少一個高溫範圍中操作，其中高Ag收縮角係較佳的。替代性地，諸如WC電極之電極可在諸如約25℃至300℃之較低溫下操作，其中高Ag收縮角係較佳的。可藉由使用電極冷卻系統入口及出口31f及31g (圖4)冷卻來達成較低溫。底層及頂層各可包括經連接之一間隙8g。在一實施例中，諸如W板電極之電極包括W板與諸如銅匯流條之匯流條之間的間隙，使得W電極在引起銀汽化之一溫度下(諸如在約1700℃至2500℃之溫度範圍中)操作。 在一起動模式中，可藉由EM泵5k將熔融固體燃料噴射給電極電磁(EM)泵之通道。固體燃料可包括可固化之銀。來自電源2之電流可流動通過固體直至其溫度高於熔點，且可藉由電極EM泵將銀抽出通道。電極EM泵之通道中之材料之加熱會加熱電極。因此，電極EM泵之通道可充當起動加熱器。 雙層電極可用於遠離側8k上之噴射方向朝向PV轉換器投射點火事件。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在頂層中引起跨間隙8g之傳導部分之接觸。非傳導底層之間隙8g可足夠深，使得對來自燃料點火之衝擊之耐壓性可優先迫使膨脹發光電漿向上以在區域8l中發射。在一例示性實施例中，一組雙層電極包括在一底部陶瓷層(諸如氧化鋁、氧化鋯、MgO或具有至頂層之間隙8g之孔之耐火磚)上之銅、Mo、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)上電極。頂層及底層可包括在兩個層及一間隙之介面處具有一頸部之相對錐體或錐形區段。替代性地，該等層可在橫截面中形成背對背之V。此等例示性雙層電極係一向下V狀石墨或氧化鋯底層及一向上V狀W或WC上層。電極沿著橫向軸恆定以形成具有填充有丸粒之一間隙之V狀溝以引起電路閉合且發生點火。面向下之V狀層可具有低傳導性且可將丸粒導引至對電漿點火之具有高傳導性之第二層。頂層之向上V狀可朝向PV轉換器引導電漿及光。 在一實施例中，電極可包括一雙層電極，諸如包括一向下V狀層(諸如石墨或氧化鋯底層)及具有朝向間隙8g之垂直壁或接近垂直壁之一頂層之一雙層電極。頂層之例示性材料係W、WC及Mo。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在頂層中引起跨間隙8g之傳導部分之接觸。 在一實施例中，電極可包括一三層電極，諸如包括包含一向下V狀之一底層、一中間電流遞送層(諸如板邊緣稍微延伸至間隙8g中之一平板)及經凹入遠離間隙8g之一向上V狀電極引線層之一三層電極。底層可包括抵抗諸如銀丸粒熔體之丸粒熔體之黏著之一材料。合適例示性材料係石墨及氧化鋯。石墨可經高度定向以使最佳地抵抗黏著之面定向成接觸丸粒。石墨可為熱解石墨。中間電流遞送層可包括具有一高熔點及高硬度之一導體，諸如W、WC或Mo平板。頂電極引線層可包括亦可為高度熱傳導以協助熱轉移之一高導體。合適例示性材料係銅、銀、銅銀合金及鋁。在一實施例中，頂引線電極層亦包括抵抗諸如銀或Ag-Cu合金之丸粒熔體之黏著之一材料。合適例示性非黏著引線電極係WC及W。替代性地，諸如一銅電極之引線電極可經塗佈有或包覆有抵抗丸粒熔體之黏著之一表面。合適塗層或包覆層係WC、W、碳或石墨。塗層或包覆層可經施加於在點火期間曝露於丸粒熔體之表面區域上方。可藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在中間層中引起跨間隙8g之傳導部分之接觸。頂引線層可經冷卻，諸如透過內部導管冷卻。中間層與頂冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻中間層。底層與中間冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻底層。在一測試實施例中，丸粒噴射速率係1000 Hz，跨電極之電壓降小於0.5 V，且點火電流在約100 A至10 kA之範圍中。 電極可包括複數個層，諸如一引線部分(諸如銅部分)上之Mo、鎢、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)，其中對Mo、W、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W表面)點火，且電極可進一步包括一非傳導層以在PV轉換器之方向上引導點火。W或Mo可經焊接至或電鍍於引線部分上。可藉由此項技術中已知的沈積技術沈積WC，該等沈積技術諸如焊接、熱灑、高速度氧燃料(HVOF)沈積、電漿氣相沈積、電火花沈積及化學氣相沈積。在另一實施例中，包括一引線部分上之石墨之一雙層電極之石墨層可包括點火電極。石墨點火電極可較薄且包括與諸如銅或銀板引線之一高傳導引線之一大面積連接。接著，電阻可較低，且石墨表面可防止粘著。在一實施例中，石墨電極可包括傳導元件(諸如一石墨電極中之銅柱)以賦予石墨更多傳導性。可藉由在石墨中鑽孔且機械地添加柱或藉由將熔融銅傾倒至孔中接著機械加工面向點火之一乾淨石墨銅桿表面而添加柱。 分別在圖5及圖8中展示SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射於電極之底部及頂部上之一噴嘴之橫截面。分別在圖6及圖9中展示對應噴射及點火系統之細節。在圖7中展示電磁(EM)泵及管道起泡器容器穿透部分之細節。電磁泵5k可包括複數個級且可定位於沿著製粒機(圖5)之複數個位置處。在圖19中展示電磁(EM)泵總成5ka。EM泵5k (圖7及圖15至圖19)可包括一EM泵熱交換器5k1、一電磁泵冷卻劑管線饋通總成5kb、磁體5k4、磁軛及視情況熱障5k5 (其可包括具有選用輻射屏蔽之一氣體或真空間隙)、泵管5k6、匯流條5k2、及具有可藉由來自PV轉換器之電流供應之饋通5k31之匯流條電流源連接件5k3。泵管5k6可經塗佈以減小腐蝕。例示性塗層係具有高於諸如鎳及貴金屬(諸如Ag或Ag-Cu合金熔體之情況中之Pt或Ir)之燃料金屬之一熔點之抗腐蝕金屬。磁體及磁性電路之至少一者可包括諸如面向間隙之端表面之一拋光表面以充當輻射屏蔽。可藉由EM泵熱交換器5k1 (諸如使用諸如水之冷卻劑冷卻之EM泵熱交換器，其具有至一冷凍器31a之冷卻劑入口管線31d及冷卻劑出口管線31e)冷卻磁體5k4及磁性電路之軛5k5之至少一者。EM泵5k之泵管5k6可藉由本發明之接頭5b1連接至諸如第一容器5b、第二容器5c之容器及至噴嘴5q之容器區段。在一實施例中，EM泵5k可定位於第一容器5b之端部處，且另一者可定位於第二容器5c之端部處之容器壁處。後者之泵管之一延伸部可用作穿透電池壁且經密封於電池壁處之管線。泵管延伸部可包括一S狀管以用於在電極8下方噴射。在另一實施例中，泵管延伸部可垂直進入電池，在一彎管或彎頭處水平平移，且噴嘴5q可包括具有一端部出口之一彎頭。替代性地，噴嘴可包括在端部處加蓋之管之側壁中之一孔，使得管中之壓力將熔體噴出側壁孔且進入至電極8中。電池中之管區段可為絕緣及加熱之至少一者以將熔體維持在一所要溫度。可使用穿透電池壁且圍封管之至少一部分之一感應耦合加熱器線圈進行加熱。電池內部之管區段及電池中之任何其他物件(諸如加熱器線圈及匯流條)可經塗佈有抵抗點火產物之黏著之一材料。本發明之例示性材料包括石墨、鎢及碳化鎢。 在一實施例中，自電極噴出電漿及黏著金屬丸粒，且藉由採用軌道槍(諸如丸粒及電漿電樞類型，其可進一步包括在本文中亦被稱為一電極電磁泵之一擴充軌道槍類型)之原理使用勞侖茲力達成燃料再循環。勞侖茲力可導致黏著丸粒流動至電極之點火區段中且導致點火電漿經引導且流動至諸如燃料再生系統(諸如製粒機)之入口之一收集區域中。 在圖5及圖6中展示之一實施例中，電極可包括一向下(負z軸定向) V狀，其在V之頂部處之8g處具有一間隙。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在頂部處具有一間隙之一V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之黏著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。支撐件可經水冷卻。支撐件可為至少部分中空。中空部分各可包括一導管以使冷卻劑流動通過導管且冷卻電極。在一實施例中，電極可進一步包括具有間隙8g處之垂直壁或近垂直壁之一上區段。壁可形成一通道。可藉由熔體丸粒之噴射閉合電極之斷開點火電路以在V之頂部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。 可經曝露於點火產物之電池表面可經塗佈有一抗黏著材料，諸如可被陽極氧化之石墨或鋁或本發明之另一此材料。表面可經塗佈有氧化鋁，諸如可濺射塗佈於諸如一高溫金屬之一基板上之α氧化鋁。在另一實施例中，表面可經塗佈有一外殼，其包括或經塗佈有抵抗熔體黏著之一材料，諸如本發明之一材料。匯流條可透過分離一共同凸緣而穿透電池，其中各匯流條電隔離。匯流條、電極基座及電極之至少一者可經塑形以最小化用於黏著點火產物之表面及擁有用於積累諸如Ag或Ag-Cu熔體之返回熔體之一低橫截面之至少一者。在一實施例中，電極8可包括在端部處傾斜之直棒匯流條9及10以形成電極8或電極基座。各傾斜匯流條之表面可經覆蓋有一緊固電極板。匯流條可包括具有安裝至內表面之電極之平坦銅匯流條。各匯流條可經覆蓋有諸如鎢板之板電極或其他耐久導體。板可經彎曲以形成一間隙8g。彎曲板可包括一管或電連接至匯流條之一管之一半圓形橫截面之至少一者。管電極亦可連接至具有諸如棒之一不同幾何結構之一匯流條。管可與棒連接點同心。跨間隙8g之一例示性電極間隔在約0.05 mm至10 mm及1 mm至3 mm之至少一個範圍中。諸如包括板或管之電極之電極可能夠承受高溫。電極可包括一耐火金屬，諸如Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C及本發明之另一此金屬之至少一者。高溫電極可充當用於熱光伏打電力轉換之一黑體輻射器。電極可包括一抗熱脆化組合物。電極可包括一燒結材料，諸如一燒結耐火金屬。電極可為分段及較厚之至少一者以避免在熱脆化時斷裂。電極可包括耐火金屬板與匯流條之間的一熱絕緣層或間隙以允許電極溫度相對於匯流條之溫度而升高。彎曲板電極可形成一熱絕緣層或間隙。諸如MgO或Al 2O 3之熱絕緣材料可包括可經模製或機械加工之一陶瓷。匯流條及電極基座之至少一者可經冷卻，諸如水或空氣冷卻。諸如熔融金屬(諸如熔融鋰)之其他冷卻劑在本發明之範疇內。 在一實施例中，電極進一步包括一磁場源，諸如在電極之通道之相對端部處之一組磁體，諸如圖5及圖6之8c。磁體可在跨匯流條9及10安裝時藉由一電絕緣體(諸如一陶瓷或高溫塗料或塗層，諸如可藉由諸如噴塗之方法施加於匯流條接觸區域上之氮化硼塗層)與匯流條9及10電隔離。諸如一陶瓷管之一絕緣體套筒可電隔離諸如螺栓或螺釘之緊固件。其他此等零件可藉由本發明之電絕緣材料與另一電化系統電隔離。支援點火電流之磁體8c及通道8g可包括一電磁泵，其執行噴出黏著至電極及通道之至少一者之任何丸粒且自電極8及通道8g噴出點火粒子之功能。噴出可藉由根據方程式(32)之勞侖茲力進行，勞侖茲力藉由一交叉施加磁場(諸如來自磁體8c之交叉施加磁場)及通過電漿粒子及丸粒(諸如黏著至電極表面(諸如通道8g之電極表面)之銀丸粒)之至少一者之點火電流形成。電流攜載粒子可帶電。電漿可另外包括電子及離子。點火電流可來自電源2 (圖1)。可透過黏著底層之電極且使該等電極短路之金屬攜載電流。電流與所施加磁場交叉，使得產生一勞侖茲力以自電極表面推動黏著金屬。磁場及電流之方向可經選擇以導致丸粒及電漿粒子(諸如來自丸粒點火之電漿粒子)經引導以在正方向或負方向上離開通道8g (圖6及圖8)，其中可在正z軸方向(圖5及圖6)或負z軸方向(圖8及圖9)上噴射丸粒。磁體可產生沿著y軸之一磁場，y軸平行於電極或通道軸且垂直於沿著x軸之點火電流。包括沿著正z軸引導之一電磁(EM)泵之具有交叉電流及磁場之通道可執行將經噴射丸粒向上泵抽至電極中以被點火、向上泵抽黏著丸粒以被點火、將黏著丸粒向上泵抽出電極及通道以及將點火粒子向上泵抽出電極及通道之至少一個功能。替代性地，藉由使電流或磁場方向之一者反轉，歸因於交叉點火電流及磁場之勞侖茲力可執行向下泵抽黏著丸粒以被點火、將黏著丸粒向下泵抽出電極及通道、將點火粒子向下泵抽離開PV轉換器及朝向製粒機之入口向下泵抽點火粒子之至少一個功能以回收點火產物。交叉電流及磁場之強度以及通道之尺寸提供貫穿包括電磁泵管之通道之泵壓力。泵管及任何沖積扇(splay)之寬度經選擇以分佈來自電源2之電流以用於點火及泵抽以達成兩者之最佳化。電極EM泵可進一步包括一開關，其可使電流方向反轉以使EM泵之方向反轉。在其中藉由EM泵5k及歸因於黏著丸粒之電極短路向上噴射丸粒之一例示性實施例中，電極EM泵開關可經啟動以使電流反轉且將丸粒向上泵抽至製粒機之入口。電極可進一步包括一感測器及一控制器。感測器可包括可偵測一電極短路之一電流感測器。感測器可將短路資料饋送至控制器中，控制器可撤銷啟動EM泵5k以停止丸粒之進一步噴射且啟動開關以使電極EM泵之電流反轉直至清除短路。在本發明之其他實施例中，電極及磁體可經設計以在一向上電弧中引導電漿以執行以下至少一個功能：(i)噴出來自電極及諸如8g之通道之丸粒及粒子；及(ii)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機，同時避免將點火粒子導引至PV轉換器26a。 在一實施例中，電極可包括一向下(負z軸定向) V狀，其在V之頂部處具有一間隙8g。可藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以在V之頂部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在頂部處具有一間隙之一V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之黏著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。電極可進一步包括一第一電極EM泵，其包括高於間隙8g之電極之頂部處之一通道，其中磁場源8c交叉至點火電流。在一例示性實施例中，可在正z軸方向(圖5及圖6)上自下方噴射熔融丸粒，且電極EM泵可執行促進丸粒向上流動至間隙8g中以導致點火、將黏著丸粒泵抽出電極及通道以及將點火產物泵抽出電極及通道8g之至少一個功能。在一實施例中，電極包括包含磁體8c1及第二電極通道8g1之一第二電極EM泵，第二電極通道8g1產生勞侖茲力以迫使粒子遠離PV轉換器及促進粒子回收至製粒機之至少一者。第二電極EM泵可高於第一電極EM泵以接收來自點火之電漿及粒子且將粒子泵抽離開PV轉換器26a。第二電極EM泵之磁體之極性可與第一電極EM泵之磁體相反但使用與電極及兩個電極EM泵共同之點火電流之一部分。電極EM泵可為擴充類型。第一EM泵及第二電極EM泵之至少一者可包括可在與點火電流相同或不同之方向上之一獨立電流源。電流源可來自PV轉換器。在第二電極EM泵之一實施例中，電流可在與點火電流之方向不同之一方向上，其中交叉磁場經定向以在點火粒子上產生遠離PV轉換器之一力及至少部分促進粒子運輸至製粒機之入口之至少一者。舉例而言，獨立電流可在點火電流之相反方向上，且磁場可在與第一電極EM泵之方向相同之方向上。在一實施例中，第二電極EM泵之磁體及電流之至少一者可稍弱於第一電極EM泵之該等參數，使得點火粒子之速度減小。在一實施例中，粒子方向可不完全反轉。勞侖茲力及重力之至少一者可防止粒子撞擊PV轉換器及促進粒子回收之至少一者。 在一實施例中，第一及第二電極泵之第一及第二組磁體之各者經安裝至匯流條9及10，且藉由熱隔離或冷卻磁體之至少一個方法保護磁體以免過度加熱。各電極電磁泵之磁體可包括一熱障或熱隔離構件(諸如絕緣件或一熱絕緣間隔件)及一冷卻構件(諸如一冷板或水冷卻管線或線圈及一冷凍器)之至少一者。冷卻板或冷板可包括一微通道板，諸如一聚光器光伏打電池(諸如藉由Masimo製成之聚光器光伏打電池)之微通道板或此項技術中已知的一二極體雷射冷板。 在另一實施例中，第二電極EM泵包括一通道、可包括電源之一部分以導致點火之一電流源及磁體，其中通道、電流及磁場之至少一者之定向產生可沿著正或負z軸且具有xy平面中之一分量之勞侖茲力。第二電極EM泵之勞侖茲力可經定向以在點火粒子上產生遠離PV轉換器之力及至少部分促進粒子運輸至製粒機之入口之至少一者。在一實施例中，勞侖茲力可在正z方向上且具有xy平面中之一分量。本發明之電極EM泵之實施例之交叉電流及磁場可導致黏著丸粒噴出且使電漿粒子流動至諸如製粒機之再生系統。經泵抽點火粒子之軌跡可係使得可避免撞擊PV轉換器。粒子軌跡可進一步朝向電池壁之一所要部分，諸如不具有諸如電極穿透部分之穿透部分之一部分。 在一實施例中，電極及點火電漿之至少一者具有沿著z軸之一電流分量及xy平面中之一分量，且諸如8c及8c1之磁體經定向以提供與電流交叉之一磁場。在一實施例中，來自磁體之交叉施加磁場導致具有橫向xy平面中以及z軸方向上之一分量之一勞侖茲力。在z方向上之力可噴出電漿及黏著至電極之任何丸粒。在xy平面方向上之力可迫使點火粒子到達電池壁以被回收。在一實施例中，電極沿著z軸偏移(一電極具有稍高於另一電極之一高度)，使得點火及電漿電流之至少一者之一分量係沿著z軸以及在xy平面中。在一實施例中，可迫使點火粒子在順時針或逆時針方向上沿著一彎曲軌跡，其中原點在電極之點火點處。彎曲路徑可為以下至少一者：(i)將粒子引導至與匯流條9及10 (圖5)及電極8之穿透部分之位置相對之壁；及(ii)將粒子運輸至製粒機之入口。電極及包圍其等之任何鏡(諸如一拋物面碟)可將經發射之光引導至PV轉換器26a。 在一實施例中，藉由至少一個電漿及粒子偏轉器(諸如在通道之出口中之一中心錐體，其中錐體之尖端面向點火電極之方向)防止粒子撞擊及黏著至PV轉換器。偏轉器可包括在基底處連結之兩個錐體以促進粒子返回至製粒機。電漿可經引導至至少一個額外電漿偏轉器，其選擇性地將電漿及光偏轉至PV轉換器。粒子可與複數個偏轉器碰撞以損失速度且落入及流動至製粒機之入口中之至少一者。電漿可遵循一S狀軌跡通過藉由中心及周邊偏轉器形成之通道，但粒子被停止，使得其等可流動至製粒機之入口。 在一實施例中，藉由至少一個實體障壁防止粒子撞擊及黏著至PV轉換器，該至少一個實體障壁在至少部分阻擋點火粒子時選擇性地透射電漿及光。實體障壁可包括沿著z軸定位之複數個元件，各元件包括一部分敞開之實體障壁，其中藉由一系列n個元件之另一元件至少部分阻擋穿過第n個元件之一敞開部分之沿著z軸之位點線，其中n係整數。複數個實體元件可包括複數個水平交錯之柵格，諸如沿著自點火點朝向PV轉換器之方向定位之螢幕。元件可在阻擋粒子時允許電漿及光之實體透射。電漿氣體可圍繞交錯柵格流動，而粒子撞擊阻擋部分以損失動量以促進粒子回收至製粒機之入口中。 在一實施例中，電極總成可進一步包括一磁場源，諸如永久磁體或電磁體。使用磁場，電漿可為受限、聚焦及引導至區域8l (圖3)之至少一者，使得來自電漿之光經引導至PV轉換器。電極磁體可迫使來自間隙8g之電漿到達電池區域8l。磁體可進一步提供對電漿之限制以導致其在PV轉換器之方向上發射光。限制磁體可包括一磁瓶。諸如圖1之8c之磁體可進一步包括本發明之一點火產物回收系統。 SF-CIHT電池可進一步包括諸如本發明之柵格電極之電極，其等可環繞電漿且主要在一選定區域中含有電漿，使得電漿在一所要方向上(諸如在PV轉換器26a之方向上)發射。在一實施例中，來自點火之電漿及粒子可帶相反電且以不同速率遷移，使得其等在電池中之各自遷移在時間上分開。電漿可由離子及電子組成。粒子可相對大量。電漿可歸因於電子之十分高移動率而帶負電。粒子可帶正電。電漿與粒子相比可十分快速地遷移，使得其在粒子之前自電極膨脹。諸如允許粒子流動之柵格電極之電極可用於選擇性地引導及限制電漿之至少一者，使得將光引導至PV轉換器26a，而勞侖茲力將粒子引導至電池之一所要區域(諸如遠離PV轉換器26a且返回至製粒機)。電極可經浮動、接地及充電之至少一者以達成將電漿選擇性地運輸及限制至電池之一所要區域(諸如8l)之至少一者。所施加電壓及極性可經控制以達成將電漿選擇性地運輸及限制至電池之一所要區域(諸如8l)之至少一者。 在一實施例中，丸粒可經形成以具有一小直徑，使得包圍一球狀維持之表面張力大於電極黏著力；因此，丸粒並不黏著至電極。丸粒大小可在約0.01 mm至10 mm、0.1 mm至5 mm及0.5 mm至1.5 mm之至少一個直徑範圍中。可藉由使用一較小噴嘴5q、一較高熔體流動速率、一較高熔體壓力及一較低熔體黏性之至少一者將丸粒製成具有一較小直徑。 在有效防止丸粒黏著至電極之另一實施例中，電極包括一丸粒分裂器，諸如至少一個細線，諸如跨其中期望丸粒點火之間隙之一耐火線。例示性線包括銅、鎳、具有鉻酸銀及鍍鋅以抗腐蝕之鎳、鐵、鎳鐵、鉻、貴金屬、鎢、鉬、釔、銥、鈀、諸如SiC、TiC、WC之碳化物及諸如氮化鈦之氮化物之至少一者。至少一個線可將丸粒分割為散佈於大於未分離丸粒之一面積上之複數個片段。電極間隙可足夠大(諸如大於丸粒)，使得丸粒在缺乏分裂器之情況下通過間隙而不觸發。分裂器可散佈丸粒且導致電流流動通過散佈丸粒。丸粒之散佈可導致點火受限於寬間隙區域，使得藉由避免丸粒與丸粒原本可黏著之電極之其他區域接觸而避免至電極之黏著。電極可傾斜以形成一向上V狀，使得在朝向PV轉換器引導之區域8l中發射光。丸粒分裂器可移動且電極間隙可調整，使得可在起動期間使用散佈且在長持續時間操作期間使用升高之電極溫度以防止丸粒黏著至電極。 在一實施例中，點火系統進一步包括一對準機構，諸如一機械或壓電對準機構，其調整電極8及噴嘴5q之至少一者之位置，使得丸粒5t自噴嘴行進至電極之所要位置(諸如中心孔或間隙8g)。可藉由諸如一光學或電感測器及一電腦之一感測器及控制器感測及控制對準。對準機構可進一步用於在起動期間使電極短路，其中短路用於加熱電極。在一實施例中，噴嘴5q可以一角度偏離中心以防止熔體滴回且中斷流，其中調整機構可維持丸粒5t自電極8下方噴射至間隙8g中。 參考圖5至圖22，電池可在抽空條件下操作。電池26可包括一真空腔室，諸如可具有圓頂狀端帽之一圓柱形腔室或錐形圓柱形腔室。電池可包括具有至燃料回收及噴射系統之一錐形基底之一直圓柱體，諸如製粒機。電極可穿透可為真空氣密之陽極氧化饋通。替代性地，如在圖15至圖18中展示，電池26可容置於一腔室5b3中且電磁泵5k可容置於一下可真空腔室5b5中。製粒機之入口及出口(諸如噴嘴)可饋通電池壁至使用用於各入口及出口饋通之密封件維持之電池之真空空間中。電池26之內部可包括抵抗銀之黏著之表面，諸如Al、W、WC、Mo及石墨表面之至少一者。電池26之內部、匯流條9及10以及除直接接觸熔體以供應點火電流之電極組件以外的電極組件之至少一者可經塗佈有抵抗熔體之黏著之材料。例示性塗層包括諸如拋光陽極氧化鋁之鋁、W、Mo、WC、石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。在另一實施例中，引線及電極組件可覆蓋有一外殼，諸如可經塗佈有抵抗熔體之黏著之本發明之一材料之一高溫不銹鋼外殼。可藉由本發明之其他方法以及此項技術中已知的其他方法噴塗、拋光或沈積塗層。塗層可在諸如一耐火金屬(諸如鋯、鈮、鈦或鉭)或一高溫不銹鋼(諸如Hastelloy X)之一支撐件上。真空電池之內部可包括具有抗黏著表面之一錐形襯墊。襯墊可包括本發明之壁材料及塗層。製粒機可包括自第一容器5b至第一泵5k之泵管之至少一漸縮管、自泵管至第二容器5c之一擴張器及第二容器5c與第二泵5k之泵管之間的一直漸縮管。在一例示性實施例中，泵管為約3/8’’ OD且容器各為約1’’ ID。在一實施例中，製粒機入口在電池錐體26之底部處。包括第二容器5c及噴嘴5q之製粒機出口可在電極8 (圖5及圖6)下方或電極(圖8及圖9)之頂部處噴射。包括磁體8c及通道8g之第一電極EM泵及包括磁體8c1及第二電極通道8g1之第二電極EM泵之至少一者可進行以下至少一者：(i)促進將丸粒及粒子噴射至間隙8g中以導致點火；(ii)促進將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機；(iii)促進引導及導引點火粒子遠離PV轉換器26a之至少一者以避免粒子撞擊；及(iv)提供限制以增大分數氫良率。限制可產生在約1 atm至10,000 atm、2 atm至1000 atm及5 atm至100 atm之至少一個範圍中之一壓力。過量噴射Ag丸粒及粒子可經泵抽、引導及促進至製粒機入口之至少一者。系統可使用約1000℃之一底壁溫度操作，使得銀保持熔融。因此，即使並非所有丸粒參與點火，能量損耗大部分仍可為可十分低之泵能量。第一容器中之一最小加熱量可為必要的，此係由於來自固體燃料之點火之一些能量可加熱銀。 在一實施例中，可藉由點火產物及點火程序之至少一者加熱包括製粒機之入口之區域中之電池壁之電池底板。底板可在諸如高於燃料金屬(諸如銀)之熔點之一高溫下操作。底板可加熱經回收產物之至少一部分。在被收集時較熱之經回收產物及藉由底板加熱之經回收產物可流動至經預加熱製粒機中以消耗較少能量。熔融點火產物可作為一液體自底板流動至製粒機。並未在電極8處點火之丸粒5t落下至底板且亦流動至製粒機中。流可作為液體或固體。在顯著功率在被清除之前藉由點火產物吸收之情況中，點火產物可變得十分熱，使得可因此降低在製粒機中消散之能量。 在圖10至圖12中展示之一實施例中，電池錐體之底部包括一熔體貯槽或錐體貯槽5b。電池錐體可包括具有抗銀黏著性、能夠承受高溫及非磁性之群組之至少一個性質之一材料。用於電池之至少一個組件(諸如包括電池壁之錐體貯槽及一上錐體之至少一者)之例示性材料係石墨、鎢、鉬、碳化鎢、氮化硼、碳化硼、碳化矽、塗佈SiC之石墨及高溫不銹鋼。材料可經塗佈。例示性實施例係塗佈SiC之石墨、富鋁紅柱石及塗佈富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼。電池26之內部、匯流條9及10以及除直接接觸熔體以供應點火電流之電極組件以外的電極組件(諸如磁體8c及8c1、通道8g1、電極8至匯流條9及10之連接件、噴嘴5q及噴射器5z1)之至少一者可經塗佈有抵抗熔體之黏著之材料。例示性塗層包括諸如拋光陽極氧化鋁之鋁、W、Mo、WC、石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。在另一實施例中，引線及電極組件可覆蓋有一外殼，諸如可經塗佈有抵抗熔體之黏著之本發明之一材料之一高溫不銹鋼外殼。SF-CIHT電池可進一步包括監測塗層之完整性及施加諸如石墨之更多塗層之至少一者之構件。為執行常規維護，SF-CIHT電池可進一步包括諸如一噴霧器之一石墨塗佈裝置。噴霧器可包括將包括石墨之噴霧引導至錐體表面上之至少一個噴嘴及石墨來源(諸如此項技術中已知的亁石墨潤滑劑)。諸如石墨之材料可經拋光。可使用一精細磨料(諸如至少包括氧化鋁、碳化矽及鑽石粉末之磨料)執行拋光。在一實施例中，可藉由3D印刷製造包括石墨之錐體貯槽。在一實施例中，藉由一切割機自石墨切割電池錐體。切割機可包括一雷射或水刀。切割機可包括一機械鋸。切割機可成角度且旋轉。替代性地，可自一傾斜且旋轉石墨塊切割錐體。錐體可製成為複數個區段，諸如一上圓柱體、一中間錐體(諸如具有45°壁之中間錐體)及一底部錐體貯槽。 在一實施例中，錐體包括分段件，諸如經組裝以形成一錐體之三角形件。該等件可為薄片。薄片可經切割為三角形件且配裝在一起以形成錐體。該等件可包括諸如一不銹鋼錐形框架或錐體之一支撐結構之包覆層。可將包括一總成機構中之公件之該等件配裝至包括母槽之頂環及底環中以接納公件。頂環及底環可直接或間接緊固至一框架(諸如真空腔室26)，其中緊固導致該等件固持在一起。底環可進一步包括附接至錐體貯槽5b之一凸緣。由石墨組成之錐體元件之附接點可包括膨脹接頭。 上錐體及錐體貯槽之至少一者之例示性實施例係形成為一錐體之石墨及塗佈SiC之石墨之至少一者、加襯裡於一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之石墨及塗佈SiC之石墨之至少一者、加襯裡於一不銹鋼錐體之分段石墨及塗佈SiC之石墨板之至少一者、機械地固持在一起之分段石墨及塗佈SiC之石墨板之至少一者、形成為一錐體之W箔、鍍W之不銹鋼錐體、加襯裡於一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之W箔、加襯裡於一不銹鋼錐體之分段W板、機械地固持在一起之分段W板、具有諸如約60°之一陡角且塗佈富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼、形成為一錐體之Mo箔、鍍Mo之不銹鋼錐體、加襯裡於一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之Mo箔、加襯裡於一不銹鋼錐體之分段Mo板、機械地固持在一起之分段Mo板、具有諸如約60°角之一陡角且塗佈富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼。諸如一不銹鋼錐體之錐體經加熱至高於熔體(諸如Ag或Ag-Cu合金熔體)之熔點。可藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器及一電阻加熱器之至少一者及藉由分數氫反應達成加熱。用於上錐體、諸如PV窗之窗及外殼之至少一者以防止點火產物黏著之其他材料包括藍寶石、氧化鋁、硼矽酸鹽玻璃、MgF 2及陶瓷玻璃之至少一者。 在一實施例中，錐體貯槽上方之電池壁可包括諸如一金屬之一材料，諸如可具有低於錐體貯槽之操作溫度之一熔點之鋁。在此情況中，對應上錐體(諸如包括分段鋁件或板之上錐體)可在錐體貯槽之前結束且可進一步延伸於與錐體貯槽之以其他方式連接的邊緣上方，使得返回熔體可流過邊緣至錐體貯槽中。上錐體可包括諸如厚板之一散熱器及可經冷卻以防止熔融之至少一者。表面可包括諸如氧化鋁之氧化物以防止熔體之黏著。 錐形電池26及錐體貯槽5b之至少一者可包括或經塗佈有雲母、木材、纖維素、木質素、碳纖維及碳纖維強化碳之至少一者，其中至少一些表面可經碳化為石墨。來自分數氫程序之熱可導致錐體壁過熱。木質錐體貯槽或錐體電池可包括一背襯散熱器，諸如可經冷卻之一金屬散熱器。冷卻可包括可附接至錐體貯槽或錐體電池壁之一熱交換器。熱交換器可包括可藉由一冷凍器31a冷卻之一冷卻劑。熱交換器可包括緊固至錐體壁之管道，其中藉由諸如一風扇之一空氣移動器使諸如空氣之一氣體流動通過管道。 可藉由加熱使貯槽中之金屬熔融或維持在一熔融狀態中。可藉由加熱貯槽之外部間接加熱金屬或直接加熱金屬。可使用諸如一電阻加熱器及包括引線5p及線圈5f之一外部或內部感應耦合加熱器5m之至少一者之一加熱器加熱貯槽。由於銀具有一高熱傳導性，故應針對一內部電阻加熱器快速且均勻地轉移內熱。能夠承受高溫之合適電阻加熱器係包括鎳鉻合金、石墨、鎢、鉬、鉭、SiC或MoSi 2、貴金屬及耐火金屬加熱元件之電阻加熱器。幾何結構可係使得存在具有一最小化空間之快速熱轉移，諸如一盤餅狀加熱器。可使用適當保護塗層處理加熱器以與蒸汽及氫之至少一者介接。替代性地，可藉由使用諸如銀之熔體潤濕加熱元件而保護加熱元件以免與水及氫之至少一者反應。來自燃料點火之光主要向上傳播至PV轉換器26a；然而，向下傳播之任何光及熱可用於加熱點火產物(諸如錐體貯槽5b中之點火產物)以限制所消耗之加熱器電量。貯槽可維持在藉由下可真空腔室5b5及真空連接件5b6提供之電池真空中以藉由諸如傳導及對流之方法減小熱損耗。貯槽可進一步包括可具有用於使諸如熔融銀之點火產物返回之通路之輻射屏蔽。如在一燃料電池之例示性情況中，貯槽可包括一保溫瓶或真空夾套壁，使得熱損耗最小。在SF-CIHT電池之一閒置條件中，貯槽可僅需週期性地加熱以維持熔體，使得電池在一就緒條件中操作。作為一例示性情況，在燃料電池之技術中已知，需按約每十二小時至二十四小時之一時段執行加熱。 貯槽可包括至少一個起泡器管5z以將水及氫之至少一者供應且併入至熔體中。起泡器管5z可包括一蛇形氣流場或擴散器，諸如燃料電池(諸如熔融燃料電池)之技術中已知者。起泡器管可包括一倒轉杯以捕集諸如H 2O及H 2之經噴射氣體以經溶解及混合至熔體中之至少一者。氣體可經釋放於倒轉杯狀擴散器內部。擴散器可浸沒於熔體下方，且熔體可圍繞擴散器之頂部流動至底側以接收氣體。經捕集氣體可提供壓力以促進熔體流動至電磁泵5k中。諸如流場之起泡器管5z可包括銀並不潤濕之一材料，諸如石墨、W及WC之至少一者。潤濕性之缺乏可防止銀阻塞起泡器之氣孔。管道起泡器5z可包括一可滲透氫之薄膜，諸如包括以下材料之至少一個薄膜：諸如木材、雲母或木質素之碳(其中表面可經碳化)及石墨、碳纖維強化碳及Pd-Ag合金、Ni、鈮、Pd、Pt、Ir、貴金屬及此項技術中已知的其他可滲透氫之薄膜。薄膜可諸如自來源5u接收氫氣且促進其跨薄膜擴散至諸如Ag、Ag-Cu合金及Cu熔體之至少一者之熔體。管道起泡器5z可進一步包括一可滲透水之薄膜或玻璃料，諸如一多孔陶瓷薄膜或玻璃料。可滲透H 2O之玻璃料可包括諸如不與H 2O反應且未被熔體潤濕之氧化鋯、富鋁紅柱石、富鋁紅柱石-YSZ或多孔石墨之一材料。薄膜可包括一蜂巢。其他例示性薄膜及玻璃料包括氧化釔穩定氧化鋯、氧化鈧穩定氧化鋯、可進一步包括金屬陶瓷之釓摻雜氧化鈰。替代薄膜包括纖維素、木材、碳化木材及碳纖維強化碳。來自諸如5u及5v之來源之壓力可控制H 2及H 2O經供應至熔體之速率。 H 2O及H 2之至少一者可以取決於對應所施加氣體之分壓之一方式溶解於熔體中。在諸如圖8中展示之一實施例中，產生器可包括一製粒機以形成經噴射至電極8中之丸粒。製粒機可包括一熔融金屬泵5k、將諸如蒸汽及H 2之至少一者之氣體添加至熔融金屬之一構件及將丸粒噴射至電極8中之一噴嘴。在一實施例中，包括一熔融金屬燃料之製粒機5a進一步包括至少兩個閥以選擇性、替代性地密封第二容器5c及來自歧管5y之氣體，使得諸如H 2O及H 2之至少一者之加壓氣體經施加至第二容器5c中之熔體。首先，可關閉第二容器5c之入口上之一閥以防止回流至第一EM泵5k中，且打開一歧管閥以允許使用透過歧管5y供應之加壓氣體處理熔體。接著，第二泵5k及氣體壓力之至少一者可迫使經氣體處理之熔體離開第二容器5c且通過噴嘴5q。接著，關閉歧管5y之閥且打開第二容器5c之入口處之閥以允許第一EM泵5k將熔體泵抽至第二容器5c中以重複加壓氣體處理及經處理熔體之噴出之一循環。熟習此項技術者已知的替代閥、泵及氣體及熔體管線以及連接件係在本發明之範疇內。製粒機可包括具有入口及歧管閥之複數個第二腔室5c。可在腔室之間同步燃料水合以達成經處理熔體之約連續噴射。 複數個起泡器可由一歧管5y進料。可藉由諸如5u及5v之各氣體之來源供應H 2及H 2O之至少一者。在一例示性實施例中，自來源5v提供水、水蒸氣及蒸汽之至少一者。可藉由一水蒸氣產生器及蒸汽產生器5v之至少一者供應水蒸氣及蒸汽之至少一者。水蒸氣產生器可包括一載體氣體及一水源，其中載體氣體透過水(諸如水貯槽5v)起泡。氫可包括透過H 2O起泡之載體氣體以亦充當分數氫反應中之一反應物。SF-CIHT產生器可進一步包括可經再循環之任何未反應H 2之一回收及再循環系統。回收系統可包括諸如一金屬之吸氣劑，其選擇性地結合氫以將其提供至諸如一泵之再循環系統。回收系統可包括用於H 2之一選擇性過濾器或熟習此項技術者已知的其他系統。在另一實施例中，載體氣體可包括一惰性氣體，諸如稀有氣體，諸如氬。SF-CIHT產生器可進一步包括可經再循環之載體氣體之一回收及再循環系統。回收系統可包括用於載體氣體之一選擇性過濾器或熟習此項技術者已知的其他系統。包括已吸收H 2O及H 2之至少一者之熔體之燃料可經運輸出貯槽。貯槽可出口至一電磁(EM)泵5k。在圖5至圖9中展示之實施例中，EM泵可出口至第二容器5c中，第二容器5c包括可使用諸如一感應耦合加熱器5o之一加熱器痕量加熱之一噴射管。管路(諸如本發明之管路)可十分高效地吸收感應耦合加熱器輻射。該管可具有一低發射率，諸如可在一真空腔室中延伸之拋光或電拋光管路。替代性地，諸如第二容器5c之一電阻加熱器之加熱器可在第二容器內部，其中第二容器具有足夠直徑或大小以容納內部加熱器。 為起動，泵管5k6可填充有諸如銀或銀銅合金之燃料金屬以增大熱轉移橫截面積。面積可經增大以增大沿著自經加熱錐體貯槽5b至泵5k之入口之管路傳導熱之速率。替代性地，可使用電阻痕量加熱來加熱泵管路或管路可經絕緣。在一實施例中，管路包括可變或可調整之絕緣件以控制絕緣之間的熱轉移及熱轉移處之效應。在泵起動期間可使絕緣件處在高絕緣之一狀態中，且在操作期間可使絕緣件處在提供高熱轉移之一狀態中以防止泵過熱。在一實施例中，可變、可調整或可控制之絕緣件包括包圍泵管路之一真空夾套。真空夾套可在起動期間抽空，且氣體可經添加至該夾套以在泵操作之後進行快速熱轉移。可使用水冷卻來冷卻真空夾套之歧管之外部以提供額外熱移除能力以防止過熱。替代性地，泵管路及匯流條可包括能夠在超過泵操作期間可達成之溫度之一溫度下操作之一高溫材料，諸如Ta。能夠承受高溫之泵管(諸如Ta泵管)可經塗佈有一高溫抗氧化塗層。匯流條可包括與泵管金屬相比具更大傳導性之一金屬。匯流條可能夠在高溫下操作。輻射熱轉移可限制最大操作溫度。泵管可包括諸如增大表面積之散熱片之元件以增大熱轉移。能夠承受高溫之管可包括一塗層以防止氧化。替代性地，泵管可包括一冷卻系統(諸如與其表面接觸之一水螺旋管)，其中在起動期間首先將水抽空。一旦泵在操作溫度下，可透過冷卻系統泵抽水或其他合適冷卻劑以視需要按一受控方式移除過量熱。可藉由控制冷卻劑泵速度、冷凍器排熱速率以及冷卻劑入口及出口溫度而達成控制。在圖10中展示之另一實施例中，電磁泵容置於可填充有諸如一惰性氣體(諸如氬或氦)之一熱轉移氣體之一下腔室5b5中。惰性氣體可進一步包括氫(諸如稀有氣體-氫混合物，諸如包括約1%至5%之H 2之稀有氣體-氫混合物)，以便防止泵管之氧化。可使用一凸緣及諸如一石墨墊圈之一墊圈將下腔室5b5密封至電池26。壓力可經調整以控制泵管溫度。冷卻系統可包括一惰性氣體罐、泵、壓力計、壓力控制器及溫度記錄器以控制自泵管之熱轉移速率。 在另一實施例中，第二容器5c包括其入口端處之一彎頭及在噴嘴5q處結束之一噴射區段，其中噴射區段接收來自泵5k之熔體且充當將熔體運輸至噴嘴5q以噴射至電極8中之一導管。電池錐體貯槽可漸縮至泵管5k之入口中。泵管可垂直定向。第二容器可彎曲成在約90°至300°之範圍中之一弧形，使得第二容器之噴射區段經定向朝向電極8。第二容器5c可在路線上行進回通過錐體貯槽以將熔體噴射至電極中。諸如第二容器之製粒機組件之直徑或大小可經選擇，使得對流動的阻力並不過度。另外，可藉由諸如一電阻加熱器或感應耦合加熱器之一加熱器加熱(諸如痕量加熱)第二容器。加熱噴射區段之加熱器(諸如感應耦合加熱器)可包括加熱入口部分之一線圈(諸如5f)且可進一步包括可穿透電池26之壁且加熱噴射區段之線圈5o。第二容器之入口部分可包括一管狀迴路，其藉由具有包圍管狀迴路之一線圈5f之一感應耦合加熱器來加熱。 在圖10及圖11中展示之一實施例中，電池壁26包括抵抗銀黏著之一材料，諸如石墨、塗佈石墨之金屬(諸如塗佈石墨之高溫不銹鋼)、鎢及碳化鎢之至少一者。電池壁可漸縮至一錐形底部中。電池底部可包括一凸緣，其可連接至連接至一錐體貯槽5b之一配對凸緣以含有諸如銀熔體之熔體。錐體貯槽5b可能夠承受高溫操作且可包括諸如石墨、鉭、鈮、鈦、鎳、鉬、鎢之一材料或諸如一高溫不銹鋼之其他高溫或耐火材料或金屬。可使用抵抗諸如銀熔體之熔體之黏著之材料加襯裡於錐體貯槽。一例示性錐體貯槽及襯墊包括石墨或使用石墨加襯裡之鉭或鈮。石墨襯墊可連接至電池。可藉由使用諸如高溫螺釘(諸如Mo、Ta或Nb螺釘)之緊固件緊固在一起之配對凸緣進行連接。緊固件可包括錨，其中配對螺栓或螺釘螺合至錨中。在其中錐體貯槽處於真空或惰性氣氛中之一實施例中，其亦可包括不具有襯墊之石墨。可藉由一可真空下腔室5b5提供真空或惰性氣氛。錐體貯槽可包括連接至一電磁泵5k之一泵管之入口之一配對凸緣之一底部凸緣。包括環繞線圈5f之一感應耦合加熱器可將錐體貯槽5b及泵5k之入口之至少一部分加熱至高於熔融金屬(諸如銀、銀銅合金及銅金屬之至少一者)之熔點之一溫度。將凸緣連接界定為原點，管可首先指向下且接著形成具有一合適曲率半徑之一迴路以將該管放置在一垂直方向上以與錐體貯槽5b交叉。入口可過渡至直泵管5k6中，其中泵抽方向可垂直定向。泵之出口管可垂直延伸以與錐體貯槽壁交叉。交叉可在錐體最大半徑處以提供泵軛及磁體5k4及5k5 (圖7)與錐體貯槽5b之最大距離以提供在低於錐體貯槽之溫度之一合適溫度下操作此等泵組件。泵磁性電路5k4及5k5可正切於錐體貯槽定向，且匯流條5k2可較短且垂直於錐體貯槽定向，其中至電流源之引線5k3與匯流條5k2之方向成約90°。磁性電路5k4及5k5之定向可最大化與高溫組件之距離。諸如錐體貯槽及入口管、泵管5k6及出口管之高操作溫度組件需高於熔體之熔點，且諸如EM泵5k之磁性電路5k4及5k5之低操作溫度組件需處於一遠更低溫度(諸如小於約300℃)。為維持兩種類型之組件之間的一溫度分離，製粒機可包括組件之間的絕緣材料。另外，可藉由一冷卻系統(諸如包括水冷卻熱轉移板5k1及一冷凍器31a之一冷卻系統)冷卻磁性電路。感應耦合加熱器5f之水冷卻線圈亦可用於冷卻電磁泵5k之磁性電路且反之亦然。錐體貯槽及泵入口可包括第一容器5b。電磁(EM)泵5k可透過第二容器5c將諸如銀熔體之熔體自錐體貯槽泵抽至電極，第二容器5c可包括泵出口管(諸如具有約3/8英寸直徑之鉭或鈮管)及噴嘴5q。泵入口及出口管之迴路可包括返回穿過錐體貯槽壁之至少約180°之一彎頭。管5c可在錐體貯槽5b內部在諸如包含於錐體貯槽中之銀熔體位準下方之一區域中行進，且凸出於在噴嘴5q中結束之熔體位準上方。噴嘴可稍高於熔體位準，使得熔體在流動至管中時保持熔融而無需一容器加熱器。在噴嘴顯著遠離於熔體位準之其他實施例中，藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器將加熱施加至第二容器之遠端噴射區段。在諸如前一情況之一實施例中，電極可經定位十分接近於熔體位準。在一實施例中，熔體與電極之分離距離在約1 mm至100 mm、1 mm至50 mm及1 mm至10 mm之至少一個範圍內。電池可在電池之底部處具有一較大直徑真空外殼凸緣，其含有內錐體貯槽凸緣及錐體貯槽之入口。能夠維持一真空或一惰性氣氛之一下腔室5b5可連接至真空外殼凸緣。真空外殼之內部真空可藉由一真空連接線5b6連接至電池之內部真空。替代性地，真空連接線5b6可連接至電池真空泵13a之一共同歧管。下可真空腔室5b5可包括可具有一圓頂狀端帽之一直圓柱體。下可真空腔室5b5可含有錐體貯槽5b、包括泵管5k6之電磁泵5k及其入口及出口之至少一部分、EM泵匯流條5k2及磁性電路5k4及5k5之至少一部分以及加熱線圈5f之至少一者。EM泵之匯流條之電連接件5k3、感應耦合加熱器線圈之引線5p及任何感測器引線可穿透下可真空腔室5b5之壁。EM泵磁性電路5k4及5k5之一部分可穿透下可真空腔室5b5或具有穿透下可真空腔室5b5之通量，其中磁體及視情況磁性電路5k4及5k5之一部分可在下可真空腔室5b5外部。真空可保護諸如石墨、Ta及Nb之空氣敏感材料以防氧化。在另一實施例中，能夠維持一真空或自大氣之密封之下腔室5b5可不連接至電池之真空。在此情況中，下腔室5b5可填充有諸如氮之一惰性氣體或諸如氬之一稀有氣體。可藉由使用諸如一電鍍或實體塗層(諸如陶瓷)之一保護塗層塗佈大氣氣體反應材料而達成進一步保護。 在一實施例中，感應耦合加熱器線圈引線穿透至產生器之一密封區段中，諸如電池26或下腔室5b5之至少一者。對應壁(諸如電池、腔室5b5及兩者之間的一分割(諸如一電磁泵凸緣板)之至少一者)之引線5p穿透部分可電隔離，使得引線5p並未電短路。穿透可發生在壁處或可發生在遠離壁之一位置處，以便提供其中溫度低於壁之一位置。壁可藉由在不具有電接觸之情況下容置引線之一導管連接至遠端位置。與經密封穿透部分相對之導管端部可經焊接至被穿透之壁以在壁位置處形成一密封件。在其中引線穿透一熱傳導元件之一實施例中(其中真空密封件處在遠端位置)，引線可穿過諸如電磁泵凸緣板之元件中之一孔而不與元件電接觸。引線可經拋光以降低發射率及至引線之熱轉移。導管可在導管之與熱傳導元件相對之端部處使用一電絕緣體(其中溫度十分低)圍繞引線真空密封。絕緣體可包括一低溫密封件，諸如鐵氟龍密封件，諸如具有Kalrez O形環之鐵氟龍Swagelok或Ultra-Torr。替代性地，真空氣密引線穿透部分可包括市售高溫RF穿透部分。 在一實施例中，錐體貯槽及腔室5b在真空連接器中一起螺合且旋合至真空外殼之一頂板。泵管可穿透頂板。容器5b可藉由諸如焊接之方法附接至頂板。在一實施例中，可藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器獨立加熱泵管5k6，加熱器可將該管維持在高於熔體之熔點之溫度之一所要溫度。在一實施例中，一個感應耦合加熱器RF功率單元可經多工至複數個感應耦合加熱器線圈。泵管加熱器可包括藉由用於錐體貯槽加熱器之RF產生器按RF產生器之一工作循環間歇地驅動之一加熱器線圈，RF產生器隨著時間在驅動錐體貯槽加熱器線圈與泵管加熱器線圈之間切換。工作循環可經控制以將錐體貯槽及泵管維持在所要溫度。一例示性工作循環範圍為約10%至90%。替代性地，可藉由自產生器之一熱區段轉移之熱來加熱EM泵管。熱可來自一加熱器或來自分數氫反應。在一實施例中，熱轉移係來自藉由諸如銅之一傳導介質轉移之經加熱錐體貯槽5b，該傳導介質可包括熱轉移塊5k7 (圖17)。塊可經機械加工或鑄造以接觸錐體貯槽及泵管。為進行泵管5k6與熱轉移塊體5k7之間的良好熱接觸，泵管可經塗佈有諸如Thermon T-99之一熱轉移化合物。在一實施例中，可藉由熱轉移塊5k7且沿著甭管5k6將熱自錐體貯槽5b及貯槽5c之至少一者轉移至泵管。管可在入口區域中擴大以增大透過諸如AgCu合金熔體之銀之金屬熔體之熱傳導。 各匯流條9及10可包括至一電容器庫之一連接件。電容器庫可包括兩個串聯電容器(其中一電容器連接至正匯流條且一電容器連接至負匯流條)之複數個(例如，兩個)並聯組，其中藉由一匯流條連接對應相反極性電容器終端。在一例示性實施例中，使用一對並聯電容器之兩個串聯組(其等使用較高電壓電容器，諸如具有高於5.7 V之一電壓之兩個串聯客製3400 F馬克士威電容器)達成較高電流。可以丸粒到達電極之間而完成電路。電容器可連接至一電源以對電容器充電且在操作期間維持其等之電壓，其中在電容器處感測電壓。各匯流條可垂直穿透電池壁且包括諸如具有螺紋之一銅塊之一基座以接納對應電容器之終端之螺紋。一水平匯流條可旋合至各垂直匯流條之螺紋端部中，且電極可滑動至水平區段之端部上。可藉由諸如具有螺栓或固定螺釘之夾鉗之緊固件固定電極。 電極可包括本發明之電極(諸如在朝向PV轉換器26a之間隙8處形成一通道之一向下V狀)且進一步包括一電極EM泵(其包括通道8及磁體8c)及視情況一第二電極EM泵(其包括磁體8c1及通道8g1)。為防止任一電極EM泵之磁體之過度加熱，諸如8c及8c1之磁體可定位於電池26外部。可藉由一磁性電路8c (圖20至圖22) (諸如可在高溫下操作之鐵磁軛，諸如鐵、鈷及Hiperco® 50合金(49% Co、49% Fe、2% V)軛之至少一者)將磁場供應至諸如8g及8g1之通道。在另一實施例中，軛可在其中溫度最高之間隙處包括諸如Co或Hiperco® 50合金之一種材料且在介接磁體之較低溫部分處包括諸如鐵之另一材料。磁體可包括具有一高最大操作溫度之一材料，諸如CoSm磁體。為進一步熱隔離CoSm，磁性電路可包括可在較高溫度下操作之一內磁體，諸如可在高達525℃ (相較於CoSm之350℃)之一最大高溫下操作之AlNiCo磁體。電極EM泵磁性電路可包括磁體及軛且各自可穿透電池壁26。替代性地，磁通量可自一第一外部磁性電路區段穿透壁至電池內部之一第二磁性電路區段。允許通量穿透之一例示性壁材料係一高溫不銹鋼。在一替代實施例中，噴嘴5q可定位成緊密接近於電極8，使得來自EM泵5k之壓力透過電極間隙8g及視情況8g1泵抽熔體，其中第一及第二電極EM泵之至少一者係選用的。噴嘴5q可包括諸如石英之一非導體或諸如石墨之一低導體，使得其可接近於間隙8g或可與電極8接觸以促進透過至少一個電極間隙或通道8g及8g1直接泵抽熔體。替代性地，噴嘴可以諸如一石英或陶瓷套筒之一非導體為尖端，塗佈有諸如氮化硼之一非導體或包括諸如泵管之材料之一導體，但可在噴嘴與電極8之間維持一最小間隙。電池可電浮動而非接地以防止電流動通過噴嘴至電池中之其他組件。電池壁、匯流條9及10以及電池中之任何其他元件可覆蓋有抵抗諸如銀或銀銅合金(諸如Ag 72重量%-Cu 28重量%)之熔體之黏著之一護套。一例示性護套材料係石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。藉由電極點火之丸粒可包括熔融金屬，諸如可進一步包括H 2O及氫之群組之至少一個氣體之熔融Ag。錐體貯槽5b可包括至少一個氣體管線或水管線(諸如來自連接至H 2O及H 2之至少一者之來源之一歧管5y之一管線)5u及5v及一管道起泡器或氣體流場5z以將氣體添加至熔體。管線可穿透錐體貯槽5b之壁以連接至管道起泡器5z或氣體流場。 替代性地，可藉由憑藉電極8處之噴射器調節器及閥5z2調節之一噴射器5z1之噴射而添加H 2O及H 2之至少一者。噴射器5z1可將H 2O及H 2之至少一者噴射至點火電漿之一部分、點火電漿之中心之至少一者中，至熔體之一部分中且實質上至熔體流之中間以最大化H 2O及H 2之至少一者併入至熔體及電漿之至少一者中。一例示性噴射器5z1包括一管，其在端部處具有一50 μm之孔以將H 2O直接噴射至電漿中。管可包括抵抗水反應之一材料，諸如一鎳管。噴射器可包括包含至少一個針孔(諸如各具有在約0.001 μm至5 mm之範圍中之一直徑)之一噴嘴。氣體可自噴射器5z1方向性地流動。氣體可包括一氣體噴流或分子束，諸如H 2O及H 2噴流或束之至少一者。噴嘴可定位成接近於點火點(諸如在電極間隙8g之0.1 mm至5 mm內)以將氣體高效地供應至點火，同時避免自電池泵抽過量氣體。噴射可在電極間隙8g上方或下方發生。噴射器5z1之尖端可包括抵抗熱損害之一材料，諸如一耐火材料，諸如本發明之耐火材料，諸如W或Mo。在另一實施例中，噴射器5z1之噴嘴可包括複數個針孔或針孔陣列(諸如沿著電極之長度對準之針孔)以將氣體噴射至熔融金屬中。在一例示性實施例中，針孔之直徑為約25 μm。噴射可以高速度進行。高速度可協助用氣體浸漬金屬，使得可以一較大良率將氣體引入至反應混合物。分子束可促進HOH觸媒之形成。在一實施例中，噴射器5z1之尖端可包括一擴散器以形成噴射至被點火之電漿或燃料中之細密水霧。 在一實施例中，噴射器5z1經設計以限制自電漿至噴射器之熱轉移速率，使得按其流動速率保持來自分數氫程序之一所要功率之水在處於噴射器內時並未沸騰。噴射器5z1可包括：i.)一最小表面積；ii.)具有低熱轉移速率之材料；iii.)表面絕緣件；及iv.)輻射屏蔽以限制至流動水之熱轉移。在其中分數氫反應係H 2O至H 2(l/4)+l/2O 2+50 MJ之一例示性實施例中，產生X瓦特之功率之最小水流動速率由以下給出： 流動速率=(X瓦特/50 MJ/莫耳H 2O) × (1公升H 2O/55莫耳)::(33) 在其中X=500 kW之例示性情況中，流動速率係0.18 ml/s。導致每秒0.18 ml水自0℃之一初始溫度沸騰之功率係490 W。因此，噴射器5z1經設計，使得其自電池(諸如自電漿)接受熱之最大速率對應於小於490 W之一功率。使用以下關係： 其中 P係壓力， ρ係水密度，且ν係速度，3 atm之一水噴射壓力對應於25 m/s之一噴嘴5q流動速率。按此流動速率遞送0.18 ml/s (0.18 X10 -6 m 3)之噴嘴5q之孔口大小係7.2 X10 -9 m 2(95 μm直徑之圓盤)。給出兩倍於此直徑之一管(其中3 cm浸沒於電漿中)，管之電漿接觸面積係1 X10 -5 m 2，此需要熱轉移速率小於490 W/1 X10 -5 m 2或4.9×10 7 W/m 2。具有一低熱接受速率之例示性耐熱噴嘴包括可使用氧化鈣或氧化釔穩定之氧化鋁或氧化鋯。噴嘴5q (諸如包括一針孔之噴嘴)可具有導致水流散佈至貫穿電漿之一所要部分分散水之一體積中之一形狀。散佈可包括水在電漿中之一均勻分散。水源5v可包括一水貯槽及一泵以將水供應至噴射器5z1。閥、流量計及調節器5z2可控制透過噴嘴5q噴射之水流之速率。 噴射器5z1可包括一增濕器，其可維持電極之區域中之一所要部分H 2O壓力，諸如在約0.01托至1000托、0.1托至100托、0.1托至50托及1托至25托之至少一個範圍中之壓力。 分子束可經冷卻以形成可增大分數氫反應之速率之冰晶。可藉由冷凍器31a提供冷卻。可藉由冷卻諸如氫或一稀有氣體之一載體氣體而達成冷卻。水可經冷卻至結冰限制。可藉由在水中溶解諸如氫之載體氣體而降低冰點以形成超冷卻之水。可藉由使諸如氫之載體氣體起泡而使超冷卻之水霧化。在一實施例中，可藉由諸如一超音波霧化器之一霧化器形成諸如在0.1 μm至100 μm直徑之範圍中之微水滴。超音波頻率可較高，諸如在約1 kHz至100 kHz之一範圍中。霧化可導致冰晶之形成。水可經噴射至真空中。至真空中之膨脹可冷卻水以形成冰。噴射至真空中之水之蒸發可形成冰。蒸發可冷卻噴射器5z1之尖端，此可導致經噴射之水形成冰。可藉由冷凍器31a冷卻經噴射之水及尖端之至少一者。冷卻可至導致經噴射水之冰晶形成同時防止尖端結冰且阻塞之一溫度。可藉由使經冷卻載體氣體起泡而進一步促進冰晶之形成。亦可藉由減壓及消除水貯槽(諸如起泡器)中之成核位點之至少一者達成超冷卻。在一實施例中，一添加劑可經添加至水以降低冰點。例示性添加劑係鹽、無機化合物及有機化合物。在後一情況中，可在電池之操作期間消耗且替換有機化合物。諸如氫氣之氣體可透過水起泡以形成冰晶，冰晶可經噴射至熔體中以充當用於分數氫反應之H及HOH觸媒之至少一者之一來源。在一實施例中，冰可經昇華且引導至電極。汽化之冰可流動通過一歧管。冰可藉由與一合適表面進行實體接觸而成核或經受沈積至較大晶體，其中較大粒子可流動至點火位點中。流動可通過具有複數個針孔之歧管。在一實施例中，噴射器可定位於電極之壁中(諸如通道8g中)。在另一實施例中，噴射器5z1在噴嘴5q之相對側上。在一例示性實施例中，噴嘴5q將熔體噴射至電極8中，且噴射器5z1在電極之另一側上(諸如在通道8g中)自頂部噴射H 2O及H 2之至少一者。水可呈細冰晶、蒸氣及液體水之至少一者之形式。在一實施例中，來自諸如5u及5v之一來源之輸入氣體經噴射至維持在一真空下之電池中。控制可小於大氣壓之輸入壓力可控制氣體通過噴射器5z1之流動速率。可藉由閥、泵、流量控制器及壓力監測器及控制器5z2控制用於噴射之輸入氣體壓力及流動速率之至少一者。可使用諸如冷凍器、低溫泵及真空泵13a之至少一者之一水蒸氣冷凝器維持電池真空。可使用一水阱及諸如一真空泵(諸如一渦旋泵)之一泵維持電池真空。水冷凝器可包括一冷凍器及一低溫阱之至少一者。在一實施例中，泵可包括一高溫泵，其在泵抽時將電池氣體維持在一高溫，使得水蒸氣組分本質上表現為一理想氣體。任何經噴射或形成之水可作為蒸汽被移除，此可充當冷卻電池之一方法。 在另一實施例中，電池包括一化學吸氣劑以用於自電池氣體移除水蒸氣以維持真空。吸氣劑可包括與水反應之一化合物，諸如可形成氧化物之一金屬。可藉由加熱使水反應產物可逆。吸氣劑可包括一吸濕化合物，諸如一乾燥劑，諸如分子篩、矽膠、諸如蒙脫石黏土之黏土、諸如鹼土金屬氧化物(諸如CaO)之脫水鹼基、諸如包括氧離子之鹼土金屬化合物(諸如硫酸鹽，諸如CaSO 4)之脫水水合化合物及鹼金屬鹵化物(其形成諸如LiBr之水合物以吸收電池中之水蒸氣)之至少一者。可藉由加熱再生化合物。熱可來自藉由電池產生之過量熱。 化合物可循環地自與電池氣體之接觸移除、再生及返回。化合物可在加熱時保留於一密封腔室中，使得產生高於大氣壓之一蒸汽壓力。可透過打開之一閥排放處於一初始高壓之蒸汽。閥可在相對於初始壓力之一減壓(其仍大於大氣壓)下關閉，使得空氣不流動至腔室中。腔室可經冷卻且化合物曝露於電池氣體以在一重複循環中吸收水。在其中運輸化合物以達成曝露於電池氣體以在一個循環階段中吸收水且曝露於大氣壓以在另一循環階段中釋放經吸收之水之一實施例中，可藉由本發明之構件(諸如藉由機械構件，諸如藉由一螺鑚或藉由使用一泵)運輸化合物。替代性地，可藉由使用一氣動構件(諸如本發明之氣動構件)進行運輸。在包括一往復雙閥乾燥腔室水移除系統(其中未運輸化合物以達成曝露於電池氣體以在一個循環階段中吸收水且曝露於大氣壓以在另一循環階段中釋放經吸收之水)之一實施例中，化合物在具有至少兩個閥之一腔室中。一第一吸水閥控制與電池氣體之連接且一第二排水閥控制至諸如周圍大氣之排水區域之連接。在吸水階段期間，吸水閥打開且排水閥關閉。在排水階段期間，吸水閥關閉且排水閥打開。閥可交替地打開及關閉以達成吸水及排水。吸水閥可包括諸如一閘閥之一大閥以增大曝露於化合物之氣流。排水閥可包括諸如吹洩閥之一較小壓力調節閥，其在一所要壓力下打開且在一較低所要壓力下關閉。腔室可接近於電池，使得電池通常加熱腔室。在吸水階段期間，諸如31a之冷凍器可冷卻腔室。冷卻可被中止以允許電池在排水階段期間加熱。可藉由停止冷卻劑流而達成中止。冷卻劑可具有高於腔室之最高操作溫度之一沸點。在另一實施例中，可藉由諸如一熱管道之一熱交換器移除熱或將熱供應至腔室。在一實施例中，可藉由複數個往復雙閥乾燥腔室水移除系統連續地移除水，其中至少一個系統在吸水階段中操作而另一者在排水階段中操作。 在一實施例中，來自分數氫反應之紫外線及極紫外線光導致電池中之水蒸氣解離為氫及氧。藉由本發明之方法分離氫及氧以提供此等貴重工業氣體之一供應。可藉由此項技術中已知的至少一個方法分離光子解離水之氫及氧產物混合物，諸如來自以下之群組之一或多者：藉由一微孔薄膜分離H 2；藉由電擴散薄膜(諸如耐火氧化物，諸如CaO、CeO 2、Y 2O 3及ZrO 2)分離O 2；藉由一無孔金屬薄膜(諸如鈀或Pd-Ag薄膜)分離H 2；藉由使用一孔口及一束分離器產生一高速噴流而分離氣體；藉由離心作用分離氣體；及藉由低溫蒸餾分離氣體。可藉由將氫及氧供應至一燃料電池(諸如一質子交換薄膜燃料電池、一熔融碳酸鹽燃料電池及此項技術中已知的其他燃料電池之至少一者)而將氣體轉換為電。替代性地，氫及氧或大氣氧可在一熱引擎(諸如一內部燃燒引擎、一布雷頓循環引擎、一氣體渦輪機及此項技術中已知的其他熱引擎之至少一者)中燃燒。 在一實施例中，噴射器5z1可包括具有複數個針孔之一歧管以遞送H 2及H 2O之至少一者，其中H 2O可包括冰晶。噴射器進一步包括一泵5z2。水貯槽5v可經冷卻至至少水之冰點。貯槽可藉由泵5z2而在小於大氣壓之一壓力下操作。低壓可導致冰在一超冷卻狀態中昇華，其中蒸氣具有低於大氣壓下之水之冰點之一溫度。冰之表面積可經增大以增大昇華速率。泵5z2可壓縮超冷卻之水蒸氣以導致其結冰。泵可改變壓力以導致自液體至固體之一相變。泵可包括一蠕動泵。氣泡腔室使用一壓力改變以導致一相變以及在https://en.wikipedia.org/wiki/Bubble_chamber中給出。此原理可經應用以導致細冰晶之形成以用於噴射至點火電漿中，藉由點火分數氫反應物而形成電漿。可使用諸如31a之一冷凍器冷卻接觸超冷卻之水蒸氣及所形成冰晶之泵零件。可藉由泵5z2將冰晶泵抽至噴射器5z1 (諸如具有複數個針孔之歧管)中，且晶體可經噴射至燃料點火位點中。 在一實施例中，氫噴射器5z1可包括可滲透氫之薄膜，諸如鎳、石墨或鈀銀合金薄膜，其中氫滲透薄膜且經遞送至維持在低壓下之熔體。可滲透氫之薄膜可將氫流動速率減小至一所要速率，其中在電極處將氫噴射至一低壓區域中(諸如電池中)。流動速率可為並不促成一對應顯著功率消耗之一流動速率。可針對真空泵13a管理流動速率以維持電池壓力。氫流動速率可在每一電池(其產生約100 kW之光)約0.1標準立方厘米/分鐘(sccm)至10標準公升/分鐘(slm)、1 sccm至1 slm及10 sccm至100 sccm之至少一個範圍中。H 2O之電解可包括氫來源5u。在一實施例中，諸如鈀或Pd-Ag薄膜之薄膜可執行以下至少一個功能：分離一水電解氣體混合物之氫與氧；以一受控方式將H 2噴射至分數氫電漿中(諸如在電極處)；及將分子氫解離為原子氫。可藉由控制薄膜溫度(諸如在約100℃至500℃之範圍中)來控制滲透速率及選擇性地氫滲透。分數氫電漿可提供薄膜加熱。在其他實施例中，可藉由此項技術中已知的至少一個方法分離一電解產物混合物之氫與氧，諸如來自以下之群組之一或多者：藉由一微孔薄膜分離H 2；藉由一電擴散薄膜(諸如耐火氧化物，諸如CaO、CeO 2、Y 2O 3及ZrO 2)分離O 2；藉由一無孔金屬薄膜(諸如一鈀或Pd-Ag薄膜)分離H 2；藉由使用一孔口及一束分離器產生一高速噴流而分離氣體；藉由離心作用分離氣體；及藉由低溫蒸餾分離氣體。 在一實施例中，噴射器將一冰晶噴流供應至熔融金屬中，其中冰晶可歸因於其等之高速度而浸漬至熔體中。在噴流包括用於運輸水蒸氣之一載體氣體(諸如氫或諸如氬之一稀有氣體)之情況中，使用冰晶替代水蒸氣可顯著增大每一載體氣體體積遞送至點火之水之量及濃度。亦可藉由此項技術中已知的構件(諸如藉由刨冰器或切削機)機械地形成冰晶。機械冰晶機器可包括將固體冰分裂為具有一所要大小之小冰粒之至少一個旋轉葉片。可藉由諸如一高速研磨機(諸如Dremel工具)或一高速鑽機或研磨機(諸如牙醫鑽機或研磨機)之至少一個機器工具將冰供應至電極。工具或鑽機可在一冰表面上方光柵化，冰表面可在其被消耗時前移。可藉由一光柵機構產生光柵。可藉由具有來自基底處之一結冰前端之補足之一對應機構前移具有頂部處之表面之一冰行。諸如31a之一冷凍器可用於達成結冰。機械頻率可在約1000 RPM至50,000 RPM之範圍中。可藉由諸如31a之一冷凍器冷凍諸如5u之一貯槽中之水而供應冰。在一實施例中，低溫可限制H 2O蒸氣壓力以有助於HOH形成。類型I冰結構亦可增強分數氫反應速率。在一實施例中，形成分數氫之固體燃料反應混合物包括冰以作為H及HOH之至少一者之一來源。冰可呈提供一高表面積之一實體形式，諸如可藉由噴射器5z1噴射之冰晶。可在一冰供應器5v中形成冰，冰供應器5v可進一步包括用於形成細粉末冰或小冰晶之一構件，諸如使水結冰之一冷凍器(諸如31a)及一研磨機。替代性地，冰供應器可包括一冰晶製造器，諸如包括經冷凍膨脹或霧化H 2O之一來源之一冰晶製造器。 在一實施例中，噴射器5z1包括一噴射噴嘴。噴射器之噴嘴可包括一氣體歧管，諸如與電極8之溝對準之氣體歧管。噴嘴可進一步包括來自歧管之複數個針孔，其等遞送H 2O及H 2之至少一者之複數個氣體噴流。在一實施例中，在大於電池壓力之一壓力下透過諸如5v之H 2O貯槽使H 2起泡，且在H 2載體氣體中挾帶H 2O。高壓氣體混合物流動通過針孔至熔體中以維持氣體噴流。可藉由壓力控制器或流量控制器5z2調節流量，在大於電池壓力之一高壓下(諸如在約1毫托至10,000托、1毫托至1000托及1毫托至100托之至少一個範圍中)供應流量。在電極處，可為一混合物之氣體可與傳導基質、金屬熔體組合。在施加一高電流之情況下，對應燃料混合物可點火以形成分數氫。 針孔可為雷射、水刀或機械鑽孔。噴射器中之氣體可經加壓以促進複數個高速氣體噴射噴流或分子束之形成。未在分數氫之形成中消耗之氣體可藉由諸如泵13a之構件收集且循環。可使水凝結且再循環。可使用一低壓泵達成凝結。可使氫再循環，其中氫可在再循環之前與其他氣體分離。可使用一選擇性過濾器達成分離。 噴射時序可係使得丸粒及氣體中之電漿同時產生。噴射可約為連續的。連續氣體流動速率可經調整至點火頻率及燃料流動速率之至少一者。燃料噴射可為間歇的且與丸粒之點火同步。可藉由噴射器中之機械共振達成時序且第n次點火之壓力波延遲且壓縮用於第n+1次點火之噴射氣體，其中n係整數。替代性地，諸如噴射器5z1之一螺線管閥5z2之一閥可控制噴射。可藉由點火電流啟動閥5z2。一例示性閥係一機械回饋伺服閥。閥可包括一壓力控制閥，諸如噴射器出口處之壓力控制閥，其中可在閥之供應側中維持一超壓。水可經供應及噴射為液體或氣體之至少一者之至少一者。氣體供應可來自來源5u及5v。 在一實施例中，可藉由氫在本文中稱為歧化(如在Mills GUT Chp. 5中給出，其以引用的方式併入)之一程序中經歷向具有方程式(18)中之高p值之分數氫之躍遷而達成十分高功率及能量之至少一者。氫原子 可經歷藉由方程式(10)及(12)給出之向較低能態之進一步躍遷，其中一個原子之躍遷係由以共振及非輻射方式接受 且伴隨其位能之相反改變之第二原子所催化。關於藉由 共振轉移至H(1/p')所誘導的H(1/p)躍遷至H(1/(p+m))之一般總方程式由方程式(35)給出，其表示為： 來自分數氫程序之EUV光可解離二分數氫分子且所得分數氫原子可充當躍遷至較低能態之觸媒。一例示性反應包括藉由H(1/4)將H催化至H(1/17)，其中H(1/4)可為藉由HOH催化另一H之一反應產物。分數氫之歧化反應經預測以產生X射線區域中之特徵。如藉由方程式(5-8)展示，HOH觸媒之反應產物係 。考慮到含有H 2O氣體之氫雲中之可能躍遷反應，其中第一氫類原子 係H原子且充當觸媒之第二受體氫類原子 係 。由於 之位能係 ，故躍遷反應表示為 且，總反應係 ::::::::(39) 歸因於 中間物(例如，方程式(16)及方程式(37))之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有由以下給出且延伸至比對應截止點長之波長之一短波長截止點及能量 ： 此處，歸因於 中間物之衰變之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有 且延伸至更長波長之一短波長截止點。NASA之錢德拉X射線天文台(Chandra X-ray Observatory)及XMM-Newton [E. Bulbul、M. Markevitch、A. Foster、R. K. Smith、M. Loewenstein、S. W. Randall，「Detection of an unidentified emission line in the stacked X-Ray spectrum of galaxy clusters」，The Astrophysical Journal，第789卷，第1期，(2014)；A. Boyarsky、O. Ruchayskiy、D. Iakubovskyi、J. Franse，「An unidentified line in X-ray spectra of the Andromeda galaxy and Perseus galaxy cluster」(2014)，arXiv:1402.4119 [astro-ph.CO]]近來在英仙座星團中觀察到具有3.48 keV截止點之寬X射線峰，其不匹配任何已知原子躍遷。藉由BulBul等人指派至具有未知身份之暗物質之3.48 keV特徵匹配 躍遷且進一步將分數氫確認為暗物質之身份。 在一實施例中，產生器可使用H 2O之一低壓產生高功率及能量。水蒸氣壓力可在約0.001托至100托、0.1毫托至50毫托、1毫托至5托、10毫托至1托及100毫托至800托之至少一個範圍中。可藉由水蒸氣來源及控制流動速率及壓力之至少一者之一構件供應及維持低H 2O蒸氣壓力之至少一者。水供應器可足以維持一所要點火速率。可藉由穩態或動態控制及平衡控制之至少一者控制水蒸氣壓力。可藉由加濕點火區域(諸如電極間及電極EM泵通道區域8g)中之氣氛而將低壓水添加至電漿。產生器可包括維持一所要區域(諸如電極區域外部之區域)中之一較低水蒸氣壓力之一泵13a。可藉由差分泵抽來移除水，使得電極區域外部之電池區域可具有一較低壓力，諸如水之一較低分壓。較低壓力可經維持以減小諸如可入射至PV轉換器26a之EUV光之光之衰減。 可藉由與電池連接之一水貯槽/阱維持電池水蒸氣壓力。電池水蒸氣壓力可在穩態或與水貯槽/阱之水表面上方之水蒸氣壓力平衡之至少一者中。水貯槽/阱可包括降低蒸氣壓力之一構件，諸如維持減小溫度(諸如一低溫)之冷凍器、H 2O吸收材料(諸如活性炭或乾燥劑)及溶質之至少一者。水蒸氣壓力可為在平衡或穩態中建立之一低壓，其中可使冰超冷卻。冷卻可包括一低溫冷凍器或浴，諸如二氧化碳、液氮或液氦浴。一溶質可經添加至水貯槽/阱以降低水蒸氣壓力。可根據拉午耳定律(Raoult’s Law)降低蒸氣壓力。溶質可高度溶解且呈高濃度。例示性溶質係糖及離子化合物(諸如鹼金屬、鹼土金屬及鹵化氨、氫氧化物、硝酸鹽、硫酸鹽、重鉻酸鹽、碳酸鹽及醋酸鹽之至少一者)，諸如K 2SO 4、KNO 3、KCl、NH 4SO 4、NaCl、NaNO 2、Na 2Cr 2O 7、Mg(NO 3) 2、K 2CO 3、MgCl 2、KC 2H 3O 2、LiCl及KOH。阱乾燥劑可包括一分子篩，諸如例示性分子篩13X、4-8篩孔團粒。 在移除過量水之一實施例中，阱可經密封及加熱；接著，液體水可經抽出或其可經排放為蒸汽。阱可經再冷卻及再運行。在一實施例中，H 2經添加至電池26 (諸如在電極處之一區域中)以與O 2反應產物反應以將其轉換為使用水貯槽/阱控制之水。可藉由一可滲透氫之陰極(諸如PdAg陰極)處之電解提供H 2。可使用一感測器監測氫壓，該感測器提供回饋信號至諸如一電解控制器之氫供應控制器。 在一例示性實施例中，藉由諸如13X之一水合分子篩將水分壓維持在一所要壓力，諸如在約50毫托至500毫托之範圍中之壓力。自分子篩釋放之任何水可由一水供應器替代，諸如來自藉由歧管及管線5x供應之罐5v之水供應器。分子篩之面積可足以至少按維持所要分壓所需之一速率供應水。分子篩之排氣速率可匹配分數氫程序之消耗速率與抽出速率之總和。可藉由控制分子篩之溫度來控制釋放速率及分壓之至少一者。電池可包括連接至電池26之分子篩之一控制器。容器可進一步包括維持分子篩之溫度之一構件，諸如一加熱器及一冷凍器及一溫度控制器。 在一替代穩態實施例中，藉由一流量控制器(諸如控制電池中之質量流量及水蒸氣壓力之至少一者之一流量控制器)維持水蒸氣壓力。水供應速率可經調整以匹配在分數氫及任何其他電池反應中消耗且藉由諸如泵抽之方法移除之速率。泵可包括水貯槽/阱、一低溫泵、一真空泵、一機械真空泵、一渦旋泵及一渦輪泵之至少一者。供應速率及移除速率之至少一者可經調整以達成所要電池水蒸氣壓力。另外，可添加氫之一所要分壓。可藉由感測器及控制器(諸如壓力計，諸如Baratron計及質量流量控制器)感測及控制H 2O及H 2壓力之至少一者。可藉由一注射泵供應氣體。作為一質量流量控制器之一替代方案，可藉由一高精度可電子控制閥(諸如一針閥、比例電子閥及步進器馬達閥之至少一者)維持水蒸氣壓力。可藉由一水蒸氣壓力感測器及一電腦控制閥以使電池水蒸氣壓力維持在一所要值，諸如在約0.5托至2托之範圍中，其中控制可達諸如20%內之一小容限。閥可具有一快速回應以在電池中之水蒸氣壓力之快速改變之情況下維持容限。可藉由改變閥之供應側上之水蒸氣壓力而調整通過閥之流量之動態範圍以適應不同最小及最大範圍。可分別藉由增大或減小一水貯槽5v之溫度來增大或減小供應側壓力。 在另一實施例中，泵5k包括一潛水泵，諸如浸沒在錐體貯槽中所含有之熔體中且透過一導管(諸如一容器，諸如附接至泵5k之出口之一管)將熔體垂直泵抽至電極之一電磁泵。含有單相電磁繞組之一例示性泵在1994年1月11日之美國專利第5,277,551號中給出。泵材料能夠承受高溫。在一實施例中，潛水電磁泵可包括一垂直(z軸)定向之泵管，其之入口浸沒在熔體中。泵可包括一DC電磁泵，其可經定向使得電流沿著x軸且磁場沿著y軸施加。施加勞侖茲力之磁場之EM泵之y軸對準之磁性電路可包括：一選用周邊磁體冷卻系統之鏡像組，諸如一水冷卻散熱器；一磁性電路，其包括諸如釹磁體之周邊磁體；一磁軛，其可進一步包括與熱泵管接觸之一熱障或絕緣件；及一選用冷板，其毗鄰泵管。在一實施例中，熱障包括一氣隙或真空間隙之至少一者。熱障可進一步包括減小跨間隙之熱輻射之一構件(諸如一輻射反射器或屏蔽之至少一者)及泵之熱零件(諸如磁性電路零件，諸如軛、匯流條及泵管)之一減小發射率。可藉由諸如形成一光滑表面(諸如一拋光、電鍍或電拋光表面)之方法減小發射率。在一例示性實施例中，使用諸如鉻之一材料電鍍Fe或Co軛以使其具有低發射率。可首先施加一銅層且接著施加鉻。一例示性EM泵設計包括附接至矩形泵管之短側壁之寬、高傳導匯流條，且垂直磁性電路具有以下佈局：諸如釹或SmCo磁體之磁體(經冷卻)/諸如鐵氧體、鐵或鈷之軛(經冷卻)/真空或氣隙/泵管/真空或氣隙/諸如鐵氧體、鐵或鈷之軛(經冷卻)/釹或SmCo磁體(經冷卻)。該對y軸對準之鏡像電流匯流條可在周邊端部處連接至一高電流源且在相對端部上毗鄰泵管側。包括磁性電路及電流匯流條之泵之xy平面可升高至熔體及錐體貯槽之最熱區域之至少一者外部。替代性地，泵可放置於在熔體位準處或下方之一保護外殼中以維持熔體至泵之一重力進料，或泵可維持在一準備狀態中，其中金屬在泵電流攜載區段中。匯流條及磁性電路之至少一者可至少部分定位於電池外部，其中穿透部分穿過電池壁。磁性電路可包括電池外部之磁體，其提供穿過一非磁性壁(諸如一不銹鋼壁)之通量，其中磁通量集中於磁性電路之內軛中且跨泵管導引。匯流條穿透部分各可包括一凸緣(具有穿透凸緣之一陶瓷絕緣導體)或熟習此項技術者已知的其他承受高溫電饋通。EM泵之材料(諸如泵管、磁體及磁軛)可能夠在高溫下操作。替代性地，EM泵可包括絕緣件、冷板、熱交換器及此項技術中已知的其他熱移除系統以冷卻材料。具有適合於磁體及磁性電路之一高居里溫度(Curie temperature)之例示性鐵磁材料係Co (1400K)、Fe (1043K)、釹磁體(583-673K)及AlNiCo (973-1133K)。在一實施例中，諸如釹、AlNiCo、SmCo及鐵磁體之磁體具有一高最大操作溫度。在對去磁敏感之磁體(諸如AlNiCo磁體)之情況中，磁體包括一封套，諸如將屏蔽DC場之mu金屬及將掩蔽RF場之一金屬屏(法拉第籠)。此等態樣適用於本發明之EM泵之其他實施例。泵之組件(諸如磁性電路及匯流條)各可覆蓋有一外殼以允許返回點火產物在外殼上方流動且至錐體貯槽中。外殼可包括或可經塗佈有抵抗點火產物黏著之一材料。用於銀之例示性非黏著材料係石墨、WC、W及Al。泵管之出口可連接至製粒機之一噴射區段，噴射區段包括一導管或容器(諸如至噴嘴5q之一管)以將熔融燃料(諸如包括H 2O及H 2之至少一者之熔融銀)噴射至電極8中。諸如加熱噴射區段之感應耦合加熱器之一加熱器可包括諸如5o之一線圈，其可穿透電池26之壁且加熱噴射區段。 在一實施例中，電池錐體貯槽可用於儲存藉由EM泵使用將容器及EM泵抽空之一反向泵電流向後泵抽之金屬。可允許金屬藉由移除加熱功率而固化。接著，在起動期間，可使用向前方向上之泵作用首先啟動加熱器且接著啟動EM泵以使SF-CIHT產生器返回至操作。 在一實施例中，可使用一噴霧器將水噴塗至電漿中，其中壓力可維持為低以避免藉由水蒸氣衰減諸如UV光之短波長光。水蒸氣壓力可維持在小於10托。在另一實施例中，水(諸如蒸汽)及氫之至少一者可與諸如銀丸粒之熔融金屬丸粒同時噴射。水、蒸汽及氫噴射器之至少一者可包括在一快速電磁閥中終止之一遞送管。螺線管閥可以串聯及並聯之至少一者電連接至電極，使得在電流流動通過電極時電流流動通過閥。在此情況中，水(諸如蒸汽)及氫之至少一者可與諸如銀丸粒之熔融金屬丸粒同時噴射。在另一實施例中，噴射器系統包括一光學感測器及一控制器以導致噴射。控制器可在感測丸粒時打開及關閉諸如一螺線管閥之一快速閥。在一實施例中，用於噴射熔體(諸如銀熔體)、水(諸如蒸汽)及氫之至少兩者之管線可一致。一致可為透過一共同管線。在一實施例中，噴射器包括一噴射噴嘴。噴射器之噴嘴可包括一氣體歧管，諸如與電極8之溝對準之一氣體歧管。噴嘴可進一步包括來自遞送H 2O及H 2之至少一者之複數個氣體噴流之歧管之複數個針孔。在一實施例中，在大於電池壓力之一壓力下透過H 2O貯槽使H 2起泡，且在H 2載體氣體中挾帶H 2O。高壓氣體混合物流動通過針孔至熔體中以維持氣體噴流。在電極處，可為一混合物之氣體可與傳導基質、金屬熔體組合。在施加一高電流之情況下，對應燃料混合物可點火以形成分數氫。 在圖8中展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射於電極頂部上之一噴嘴之橫截面，在圖9中展示電極之細節。在圖8中展示之一實施例中，第一容器5b處之製粒機5a入口可單獨定位於電池26之底部處。電池可經塑形為錐體或漏斗以導致點火產物流動至製粒機之入口中。第一容器5b、第二容器5c及噴嘴5q可形成一迴路之至少一部分，其中第一容器5b處在電池26之底部以接收點火產物且第二容器5c及噴嘴5q處在一分開位置中以將丸粒遞送至電極8。第二容器5c可穿透電池26之側。在一實施例中，第二容器5c及噴嘴5q可將燃料之噴出點升高至電極8上方。噴嘴可將燃料遞送至第二電極區段8j (圖3及圖9)，使得點火膨脹及光發射發生在第二電池區域8l中。可藉由重力及來自泵之壓力之至少一者促進噴出。在一實施例中，第一電極區段可僅包括電極間隙或可藉由一絕緣體封閉，使得電漿僅在光伏打轉換器26a之方向上膨脹。 在一實施例中，電極可包括一雙層電機組，其包括一頂部傳導層(其上發生點火)及具有一絕緣體之一底板(其形成間隙8g中之一底板)。傳導頂層可包括銅、Mo、Ta、TaW、鎢、碳化鎢(WC)或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)之至少一者，且底部非傳導層可包括一陶瓷，諸如氧化鋁、氧化鋯、MgO及耐火磚。頂部傳導層可包括或可覆蓋有銀並不粘著之一材料，諸如可經冷卻之鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W電極8)。被銀潤濕之材料(諸如銅、銀及CuAg合金)各可覆蓋有諸如銀丸粒之丸粒並不黏著之一材料。 電極可包括複數個層，諸如一覆蓋層、一點火層及一底部非傳導板。非黏著覆蓋層可包括一絕緣體、相對於導致燃料點火之電極部分具有低傳導性之一導體及一導體之至少一者。在非黏著層係傳導性之情況中，其可與電極之點火部分電隔離。電極可包括一頂部丸粒非黏著層、一薄絕緣間隔層及專門連接至電源2之一高傳導點火部分層。相對於電極之點火部分(諸如一銀或銅部分)具有低傳導性之一例示性頂層包括石墨。在一例示性實施例中，石墨或氧化鋯充當諸如銀丸粒之丸粒並不黏著之一層。可藉由諸如一陶瓷層之一絕緣層使非黏著層與諸如一銅部分之點火部分電隔離。非黏著層可包括一漏斗以將丸粒導引至電極之點火部分之間隙8g中。 在一實施例中，電極可包括一雙層電極，諸如包括一向上V狀頂層(諸如石墨或氧化鋯頂層)之一雙層電極。頂層可將丸粒導引至一底部點火層。包括一導體之底層可具有朝向間隙8g之垂直壁或近垂直壁。底層或點火層之例示性材料係W、WC及Mo。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在底層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。在一實施例中，可沿著y軸遞送丸粒。噴嘴5q可沿著y軸將丸粒水平遞送至電極(圖8及圖9)之頂部。光可經約束以歸因於允許來自經點火頂部裝載丸粒之電漿主要在正z方向上沿著z軸朝向PV轉換器26a膨脹之一電極設計而主要向上傳播。 在一實施例中，電極可包括一三層電極，諸如包括包含一向上V狀之一頂層、一中間電流遞送層(諸如板邊緣稍微延伸至間隙8g中之一平板)及經凹入遠離間隙8g之一向下V狀電極層之一三層電極。頂層可包括抵抗諸如銀丸粒熔體之丸粒熔體之黏著之一材料。合適例示性材料係一非導體或不良導體(諸如陽極氧化鋁、石墨及氧化鋯)或一導體(諸如鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W))之至少一者。諸如鋁電極之低熔點電極可經冷卻以防止熔融。頂層可針對中間層電絕緣。中間電流遞送層可包括具有一高熔點及高硬度之一導體，諸如W、WC或Mo平板。在一實施例中，電源2可連接至可充當一引線層之中間層及底層之至少一者。底部電極引線層可包括亦可為高度熱傳導以有助於熱轉移之一高導體。合適例示性材料係銅、銀、銅銀合金及鋁。在一實施例中，底部引線電極層亦包括抵抗諸如銀之丸粒熔體之黏著之一材料。合適例示性非黏著引線電極係WC及W。替代性地，諸如一銅電極之引線電極可經塗佈有或包覆有抵抗丸粒熔體之黏著之一表面。合適塗層或包覆層係WC、W、碳或石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石、富鋁紅柱石-YSZ及氧化鋯。塗層或包覆層可經施加於在點火期間曝露於丸粒熔體之表面區域上方。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在中間層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由一冷卻劑流動系統(諸如包括電極內部導管之冷卻劑流動系統)冷卻底層。中間層與底部冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻中間層。頂層與中間冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻頂層。在一測試實施例中，丸粒噴射速率係1000 Hz，跨電極之電壓降小於0.5 V，且點火電流在約100 A至10 kA之範圍中。 諸如圖8及圖9之8c之磁體可導致電漿粒子(諸如來自丸粒點火之電漿粒子)經引導遠離區域8k (圖3)。在其中在負z軸方向上引導勞侖茲力之一例示性實施例中，磁體及通道8g包括執行以下至少一個功能之一電磁泵：(i)將區域8j中之丸粒噴射至間隙8g中以被點火；ii)將已黏著至電極之上部(諸如在區域8j處)之丸粒泵抽至間隙8g中以被點火；(iii)噴出來自區域8i及間隙8g之未點火丸粒及粒子；及(iv)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機。可藉由使用一交叉施加磁場(諸如來自磁體8c之交叉施加磁場)及通過電漿粒子及丸粒(諸如黏著至諸如8i、8g及8j之電極表面之銀丸粒)之至少一者之點火電流形成之勞侖茲力進行噴出及回收。點火電流可來自電源2 (圖1)。 考量具有自圖3之區域8k至8l之z軸之笛卡兒座標。在一實施例中，電極可包括一向上(正z軸定向) V狀，在V (圖8及圖9)之底部處之8g處具有一間隙。可藉由熔體丸粒5t自噴嘴5q之噴射閉合斷路以在V之底部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在底部處具有一間隙之V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之黏著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。支撐件可經水冷卻。支撐件可為至少部分中空。中空部分各可包括供冷卻劑流動通過且冷卻電極之一導管。 在一實施例中，電極可進一步包括具有間隙8g處之垂直壁或近垂直壁之一下區段。壁可形成一通道。在一實施例中，電極進一步包括一磁場源，諸如在電極之通道之相對端部處之一組磁體。磁體可產生平行於電極或通道軸且垂直於點火電流之一磁場。具有交叉電流及磁場之通道可包括一電磁(EM)泵。EM泵可將黏著丸粒泵抽至電極中以被點火。在一實施例中，歸因於交叉磁場及點火電流之勞侖茲力可向下泵抽黏著至電極之上部之壁之丸粒以被點火及將點火粒子向下泵抽遠離PV轉換器以被回收於製粒機之入口中之至少一者。 在一例示性實施例中，可在V狀電極8 (圖8及圖9)之頂部上沿著y軸水平噴射丸粒5t。在一實施例中，磁體8c經定位以沿著V狀電極8之溝施加沿著y軸之一磁場。電路經閉合且x軸導向之點火電流流過丸粒以提供跨間隙8g之一電流路徑，其中磁場橫向於電流。交叉電流及磁場根據方程式(32)產生一勞侖茲力以推出黏著至電極之任何金屬丸粒。勞侖茲力可進一步將點火粒子向下推動至區域8k (圖3)以回收未點火丸粒且回收點火粒子。勞侖茲力導致黏著丸粒流動至電極之點火區段中(在間隙8g處)且導致點火電漿經引導且流動至諸如燃料再生系統(諸如製粒機)之入口之一收集區域中。在本發明之其他實施例中，電極及磁體可經設計以在一向上電弧中引導電漿以執行以下至少一個功能：(i)將區域8i中之丸粒噴射至間隙8g中以被點火；(ii)噴出已黏著至電極之上部(諸如在區域8j處)之丸粒；(iii)噴出來自區域8i、8j及間隙8g之未點火丸粒及粒子；及(iv)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機，同時避免將點火粒子導引至PV轉換器26a。 在一實施例中，沿著y軸遞送丸粒(圖8及圖9)。噴嘴5q可沿著y軸將丸粒水平遞送至電極之頂部。固體燃料可經遞送為丸粒流、連續流或丸粒及流之一組合。光可經約束以歸因於允許來自經點火頂部裝載丸粒之電漿主要在正z方向上沿著z軸朝向PV轉換器26a膨脹之一電極設計而主要向上傳播。電極可進一步包括至少一個磁體(諸如在電極之相對端部處分離之一組磁體8c)以在垂直於點火電流之一方向上產生一磁場。歸因於交叉電流及磁場之勞侖茲力可導致噴出黏著丸粒且電漿粒子流動至諸如製粒機之再生系統。勞侖茲力可在負z方向上。在勞侖茲力在負z方向上之情況中，一區域、區段或層(諸如電極8之點火層)可包括一通道，其可充當用於噴出點火粒子及未作為粒子及電漿噴出之丸粒之一電磁泵。通道之大小可經選擇以提供對高壓膨脹點火電漿之流量限制以迫使電漿及光朝向電極之區域8l膨脹(圖3)。電極之點火部分可形成包括一短電磁泵管之一淺通道，使得粒子及黏著丸粒填充泵管且將經發射光之路徑限制為僅沿著正z軸。交叉電流及磁場之強度以及通道之尺寸提供貫穿包括電磁泵管之通道之泵壓力。泵管及任何沖積扇之寬度經選擇以分佈來自電源2之電流以用於點火及泵抽以達成兩者之最佳化。 在相同於期望電漿膨脹之側(諸如側8l)上噴射丸粒之情況中，電源可在不具有實質時間延遲之情況下遞送點火電流。噴射可經定時以避免第n+1次噴射被來自第n次噴射之點火衝擊之壓力波中斷，其中n係整數。可使用衝擊及噴射感測器(諸如光學、電流、電壓及壓力感測器之至少一者)及一控制器達成定時。控制器可控制電磁泵壓力、噴嘴閥及點火電流之至少一者。 在一實施例中，SF-CIHT產生器可包括複數個電極，其中各組可利用以下至少一者：(i)一共同或分開專用噴射系統；(ii)導致點火之一共同或分開專用電源；及(iii)一共同或分開專用PV轉換系統。點火系統可進一步包括如在圖13中展示之點火系統之一冷卻系統。在一實施例中，冷卻系統可包括穿過匯流條9及10 (圖5)及電極8之導管或入口31f及出口冷卻劑管線31g及用以冷卻透過導管或管線泵抽之冷卻劑之一冷卻劑泵及冷凍器31a。電極冷卻劑系統可包括伺服兩個電極之一對冷卻劑管線31f及31g (圖14)，或各電極可具有一獨立入口管線31f及一出口管線31g (圖13)。在共用管線之情況中，可取決於平均局部冷卻劑溫度調整管線與電極之接觸面積以達成自電極至冷卻劑之高效熱轉移。在圖14中展示之另一實施例中，可藉由一被動冷卻系統31h冷卻點火系統之電極及匯流條，被動冷卻系統31h包括一熱交換器，諸如包括空氣散熱片及視情況至空氣散熱片之熱管道之熱交換器。在圖14中展示之一實施例中，亦可藉由一被動冷卻系統31i冷卻光伏打轉換系統，被動冷卻系統31i包括一熱交換器，諸如包括空氣散熱片及視情況至空氣散熱片之熱管道之熱交換器。在圖13中展示之一實施例中，使用熱交換器87冷卻光伏打(PV)轉換器26a之光伏打電池或面板15，其中熱冷卻劑透過入口31b流動至光伏打轉換器冷卻系統31中且冷凍冷卻劑透過出口31c離開。PV電池可在諸如30℃至450℃之高溫下操作且可在減小電池壓力下操作以防止水蒸氣凝結在PV電池上。 在改良產生器之能量平衡之一實施例中，可藉由可包括藉由電池產生之熱之熱功率驅動諸如31及31a之至少一者之冷凍器。熱功率可來自內部消散且來自分數氫反應。冷凍器可包括熟習此項技術者已知的一吸收冷凍器。在一實施例中，藉由一冷卻劑或致冷劑(諸如可汽化之水)吸收待排斥之熱。吸收冷凍器可使用熱凝結致冷劑。在一實施例中，水蒸氣經吸收於諸如矽膠、沸石或奈米結構材料(諸如Pacific Northwest Laboratory之P. McGrail之奈米結構材料)之一吸收材料(吸附劑)中。被吸收之水經加熱以導致其釋放於一腔室中，其中壓力充分增大以導致水凝結。 在一實施例中，燃料速度、丸粒大小、熔體丸粒黏度、電極之間的間隙8g之寬度及電極8之形狀之至少一者經選擇以導致點火主要發生在電極8l之相對於噴射側或區域8k之相對側上之一區域中。在一實施例中，電極8j之第二區段充當電池8l之第二區域之入口，其中電漿及光優先經引導朝向PV轉換器26a (圖3)。諸如熔融燃料之燃料之速度可在約0.01 m/s至1000 m/s、0.1 m/s至100 m/s及0.1 m/s至10 m/s之至少一個範圍中。噴嘴5q處之壓力及燃料黏度之至少一者可用於控制燃料速度。噴嘴孔口大小、熔體壓力、熔體流動速率、熔體黏度及熔體溫度可用於控制熔體丸粒大小。熱平衡可經控制以控制熔體溫度，其繼而控制熔體黏度。電磁泵5k之功率及噴嘴孔口大小可經控制以控制噴嘴5q處之壓力。加熱功率、絕緣、冷卻及熔體流動速率之至少一者可用於控制熱平衡。電磁泵功率可用於控制熔體流動速率。熔體溫度可用於控制熔體表面張力。可手動選擇電極間隙8g。替代性地，可藉由諸如機械、液壓或壓電的方法調整一可調整或可變形電極間隙。可手動選擇電極形狀。替代性地，可藉由諸如機械、液壓或壓電的方法調整一可調整或可變形電極。在一實施例中，諸如電腦之一控制系統、電磁泵、噴嘴閥及加熱器控制諸如壓力、噴嘴大小及熔體溫度及黏度之參數以控制噴出速度以及噴出速率。噴出速度可經控制以補償重力加速度以維持一所要噴射速率。噴嘴5q之高度可經調整以支援一最大噴射速率。最大高度可係基於一燃料熔體流形成隔離球體或熔體丸粒之速率。在一實施例中，SF-CIHT產生器包括一使用者介面(諸如電腦之觸控螢幕顯示器)以控制產生器，產生器進一步包括具有噴射系統、點火系統、燃料回收系統、燃料再生系統(諸如製粒機)及轉換器系統(諸如光伏打及光電子轉換器系統之至少一者)之感測器及控制系統之一電腦。具有感測器及控制系統之電腦可感測及控制電磁泵、感應耦合加熱器、噴射器流量、噴嘴、點火系統電流及脈衝速率、產物回收系統(諸如所施加磁體及電流)及靜電沈澱器(ESP)、光伏打(PV)轉換器系統、冷卻系統、功率調節及其他系統監測及控制以操作熟習此項技術者已知的產生器。感測器可將輸入提供至控制器保護系統(諸如針對經加熱容器區段中之熔體流量及體積以及輸入至EM泵之熔體流量及體積之控制器保護系統)，其中控制器在流量或體積低於一容許限制時關斷加熱器及EM泵。控制系統可進一步包括可程式化邏輯控制器及熟習此項技術者已知的其他此等裝置，以便達成控制。 SF-CIHT產生器包括具有諸如經感測及控制之本發明之參數之組件。在實施例中，具有感測器及控制系統之電腦可感測及控制：(i)各經冷卻系統(諸如PV轉換器、電極、感應耦合加熱器及噴嘴冷凍器之至少一者)之各冷凍器之入口及出口溫度及冷卻劑壓力及流動速率；(ii)點火系統電壓、電流、功率、頻率及工作循環；(iii)使用諸如一光學感測器之一感測器及控制器之丸粒軌跡及使用諸如一光學、多普勒或電極電阻感測器之一感測器及控制器之EM泵噴射流動速率；(iv)感應耦合加熱器、擴充電漿軌道槍、電磁泵5k、電極電磁泵及靜電沈澱器回收系統之電壓、電流及功率；(v)電池中之壓力；(vi)電池之壁溫度；(vii)任何吸氣劑之消耗狀態；(viii)各區段中之加熱器功率；(ix)電磁泵之電流及磁通量；(x)在容器中及在諸如歧管及噴嘴之關鍵位置處之銀熔體溫度、流動速率及壓力；(xi)各噴射氣體(諸如H 2及H 2O及在一共同氣體噴射歧管之情況中藉由調節器形成之混合物)之壓力、溫度及流動速率；(xii)至PV轉換器之入射光之強度；(xiii) PV轉換器之電壓、電流及功率輸出；(xiv)任何功率調節設備之電壓、電流、功率及其他參數；及(xv)至寄生負載及外部負載之至少一者之SF-CIHT產生器輸出電壓、電流及功率；(xvi)輸入至任何寄生負載(諸如感應耦合加熱器、電磁泵、冷凍器及感測器及控制器之至少一者)之電壓、電流及功率；及(xii)具有能量儲存之起動器電路之電壓、電流及電荷狀態。在一實施例中，待量測之一參數可與系統之具有一高溫(其將在感測器量測期間損害感測器)之一區域分離。舉例而言，可藉由使用諸如一冷卻塔之一連接氣體管線量測諸如H 2及H 2O之至少一者之一氣體之壓力，冷卻塔連接至諸如5b或5c之電池且在氣體進入諸如Baratron電容壓力計之一壓力傳感器之前冷卻氣體。 電池可包括少量移動零件或不包括移動零件。在一實施例中，冷卻可包括至一空氣冷卻熱交換器之排熱。在圖14中展示用於電極31h及PV轉換系統31i之例示性空氣冷卻系統。在此情況中，電池可不包括移動零件或包括十分少移動零件。唯一移動零件可包括使冷卻劑循環之一機械泵，且其可由不具有移動零件之一機械泵取代。在冷卻劑係諸如鹼金屬(諸如鈉)之一液體金屬之情況中，泵可包括可不具有移動零件之一電磁泵。在一實施例中，電磁泵冷卻劑可不易燃。替代性地，熱管道及空氣散熱片或帕耳帖冷凍器可用於作為非機械排熱之一構件而移除熱。例示性熱管道係具有焊接縱向銅散熱片(使用水或丙酮作為工作流體)之一銅熱管道及具有焊接縱向鋁散熱片(使用氨作為工作流體)之一鋁熱管道。熱源可為點火電極，其中可藉由大橫截面熱匯流條9及10使熱快速傳導遠離電極表面至冷卻系統，大橫截面熱匯流條9及10包括高度熱傳導材料，諸如銅、銀或一銀銅合金。熱源亦可包括PV轉換器。 機械真空泵亦可經取代以將其作為具有移動零件之一系統消除。在一實施例中，可藉由至少一個吸氣劑13b (圖14) (諸如用於氧、氫及水之至少一者)維持電池中之真空。諸如氧反應性材料(諸如碳或可細分之一金屬)之氧吸氣劑可清除形成於電池中之任何氧。在碳之情況中，可使用可逆之CO 2洗滌器分接產物二氧化碳。在此項技術中已知二氧化碳洗滌器，諸如有機化合物(諸如胺(諸如單乙醇胺))、礦物質及沸石、氫氧化鈉、氫氧化鋰及基於金屬氧化物之系統。細分之碳吸氣劑亦可用於清除氧之目的以保護電池(諸如包括諸如Mo、W、石墨及Ta之氧敏感材料之容器或泵管)中之氧敏感材料。在此情況中，二氧化碳可使用CO 2洗滌器移除或可使用真空泵抽出，其中細分之碳僅用於組件保護。 金屬吸氣劑可選擇性地透過H 2O與氧反應，使得其可使用氫再生。具有低水反應性之例示性金屬包括Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn之群組之金屬。吸氣劑或氧洗滌器可自SF-CIHT電池移除且再生。移除可為週期性或間歇的。可藉由氫還原達成再生。再生可在原地發生。原地再生可為間歇或連續的。熟習此項技術者已知其他氧吸氣劑及其等之再生，諸如形成包括氧之可逆配位鍵之沸石及化合物，諸如鹽，諸如2-氨基第四鄰苯二甲酸鹽-聯結之脫氧系統、[{(bpbp)CO I(NO 3)} 2(NH 2bdc)] (NO 3) 2.2H 2O (bpbp -=2,6-雙(N,N-雙(2-吡啶基甲基)氨甲基)-4-叔丁基苯酚、NH 2bdc 2-=2-氨基-1,4-苯二甲酸二甲酯)之硝酸鹽。高度可燃金屬亦可用作氧吸氣劑，諸如例示性金屬：鹼金屬、鹼土金屬、鋁及稀土金屬。高度可燃金屬亦可用作一水清除劑。氫儲存材料可用於清除氫。例示性氫儲存材料包括金屬氫化物、密鈰合金(mischmetal) (諸如富含Ml:La之密鈰合金，諸如MlNi 3.65Al 0.3Mn 0.3或Ml(NiCoMnCu) 5)、Ni、R-Ni、R-Ni+約8重量% Vulcan XC-72、LaNi 5、Cu或Ni-Al、Ni-Cr (諸如約10%之Cr)、Ce-Ni-Cr(諸如約3/90/7重量%)、Cu-Al或Cu-Ni-Al合金、M-N-H系統之物質(諸如LiNH 2、Li 2NH或Li 3N)及進一步包括硼(諸如硼氫化物)或鋁(諸如鋁氫化物)之一鹼金屬氫化物。進一步合適氫儲存材料係金屬氫化物(諸如鹼土金屬氫化物，諸如MgH 2)、金屬合金氫化物(諸如BaReH 9、LaNi 5H 6、FeTiH 1.7及MgNiH 4)、金屬硼氫化物(諸如Be(BH 4) 2、Mg(BH 4) 2、Ca(BH 4) 2、Zn(BH 4) 2、Sc(BH 4) 3、Ti(BH 4) 3、Mn(BH 4) 2、Zr(BH 4) 4、NaBH 4、LiBH 4、KBH 4及Al(BH 4) 3)、AlH 3、NaAlH 4、Na 3AlH 6、LiAlH 4、Li 3AlH 6、LiH、LaNi 5H 6、La 2Co 1Ni 9H 6及TiFeH 2、NH 3BH 3)、聚胺基硼烷、胺硼烷錯合物(諸如胺硼烷)、硼氫化物氨合物、肼-硼烷錯合物、二硼烷二氨合物、環硼氮烷及銨八氫三硼酸鹽或四氫硼酸鹽、咪唑離子液體(諸如烷基(芳基)-3-甲基咪唑N-雙(三氟甲磺酰基)醯亞胺酯鹽)、磷硼酸鹽及天然焦物質。進一步例示性化合物係氨硼烷、鹼金屬氨硼烷(諸如鋰氨硼烷)及硼烷烷基胺錯合物(諸如硼烷二甲胺錯合物、硼烷三甲胺錯合物)及胺基硼烷及硼烷胺(諸如胺基二硼烷、n-二甲基胺基二硼烷、三(二甲基胺基)硼烷、二-n-丁基硼胺、二甲基胺基硼烷、三甲基胺基硼烷、氨-三甲基硼烷及三乙基胺基硼烷)。進一步合適氫儲存材料係具有經吸收氫之有機液體，諸如咔唑及衍生物，諸如9-(2-乙基己基)咔唑、9-乙基咔唑、9-苯基咔唑、9-甲基咔唑及4,4'-雙(N-咔唑基)-l,l'-聯苯)。吸氣劑可包括能夠儲存氫之一合金，諸如AB 5(LaCePrNdNiCoMnAl)或AB 2(VTiZrNiCrCoMnAlSn)類型之一者，其中「AB x」符號係指A類型元素(LaCePrNd或TiZr)與B類型元素(VNiCrCoMnAlSn)之比率。額外合適氫吸氣劑係在金屬氫化物電池組(諸如熟習此項技術者已知的鎳金屬氫化物電池組)中使用之氫吸氣劑。氫化物陽極之例示性合適吸氣劑材料包括R-Ni、LaNi 5H 6、La 2CO 1Ni 9H 6、ZrCr 2H 3.8、LaNi 3.55Mn 0.4Al 0.3Co 0.75、ZrMn 0.5Cr 0.2V 0.1Ni 1.2之群組之氫化物及能夠儲存氫之其他合金，諸如AB 5(LaCePrNdNiCoMnAl)或AB 2(VTiZrNiCrCoMnAlSn)類型之一者，其中「AB x」符號係指A類型元素(LaCePrNd或TiZr)與B類型元素(VNiCrCoMnAlSn)之比率。在其他實施例中，氫化物陽極吸氣劑材料包括以下至少一者：MmNi 5(Mm=密鈰合金) (諸如MmNi 3.5Co 0.7Al 0.8、AB 5型：MmNi 3.2Co 1.0Mn 0.6Al 0.11Mo 0.09(Mm=密鈰合金：25重量%之La、50重量%之Ce、7重量%之Pr、18重量%之Nd)、La 1-yR yNi 5-xM x、AB 2型：Ti 0.51Zr 0.49V 0.70Ni 1.18Cr 0.12合金)、鎂基合金(諸如Mg 1.9Al 0.1Ni 0.8Co 0.1Mn 0.1合金、Mg 0.72Sc 0.28(Pd 0.012+Rh 0.012)及Mg 80Ti 20、Mg 80V 20)、La 0.8Nd 0.2Ni 2.4C0 2.5Si 0.1、LaNi 5-xM x(M=Mn、Al)、(M=Al、Si、Cu)、(M=Sn)、(M=Al、Mn、Cu)及LaNi 4Co、MmNi 3.55Mn 0.44Al 0.3Co 0.75、LaNi 3.55Mn 0.44Al 0.3Co 0.75、MgCu 2、MgZn 2、MgNi 2、AB化合物(諸如TiFe、TiCo及TiNi)、ABn化合物(n=5、2或1)、AB 3-4化合物及AB X(A=La、Ce、Mn、Mg；B=Ni、Mn、Co、Al)。其他合適氫化物吸氣劑係ZrFe 2、Zr 0.5Cs 0.5Fe 2、Zr 0.8Sc 0.2Fe 2、YNi 5、LaNi 5、LaNi 4.5Co 0.5、(Ce、La、Nd、Pr)Ni 5、密鈰合金-鎳合金、Ti 0.98Z r0.02V 0.43Fe 0.09Cr 0.05Mn 1.5、La 2Co 1Ni 9、FeNi及TiMn 2。本發明之吸氣劑及熟習此項技術者已知的其他吸氣劑可包括具有一個以上物質之電池氣體之一吸氣劑。額外吸氣劑可為熟習此項技術者已知的吸氣劑。一例示性多氣體吸氣劑包括一鹼金屬或鹼土金屬，諸如可吸氣O 2、H 2O及H 2之至少兩者之鋰。可藉由此項技術中已知的方法(諸如藉由還原、分解及電解)再生吸氣劑。在一實施例中，吸氣劑可包括一低溫阱，其凝結諸如水蒸氣、氧及氫之至少一者之氣體及將氣體捕集於呈一冷卻狀態之一吸收材料中之至少一者。可在一較高溫度下自吸收材料釋放氣體，使得在加熱及泵抽廢氣之情況下，可再生吸氣劑。吸收水蒸氣、氧及氫之至少一者之可藉由加熱及泵抽再生之例示性材料係碳，諸如活性炭及沸石。氧、氫及水洗滌器再生之時序可在對應氣體位準增大至如藉由對應電池氣體含量之一感測器感測之一不容許位準時判定。在一實施例中，可藉由熟習此項技術者已知的系統及方法將電池產生之氫及氧之至少一者收集且售賣為一商業氣體。替代性地，經收集之氫氣可用於SunCell中。 併入至熔體中之氫及水可在藉由對應泵(諸如機械泵)產生之壓力下自罐5u及5v流動通過歧管及進料管線5w及5x。替代性地，可由藉由加熱水罐來產生蒸汽壓力而取代水泵，且可由藉由電解產生壓力以使氫流動而取代氫泵。替代性地，藉由H 2O罐、蒸汽產生器及蒸汽管線5v將H 2O提供為蒸汽。氫可滲透通過與藉由電解加壓之氫罐連接之一中空陰極。此等取代系統可消除具有移動零件之對應系統。 在一實施例中，SF-CIHT產生器可包括一閥及貯槽以及視情況一貯槽泵，諸如本發明之貯槽泵，諸如機械泵。可至少藉由電磁泵5k將諸如銀之燃料金屬泵抽至貯槽中以用於儲存。金屬之轉移可用於關機。貯槽可包括諸如一感應耦合加熱器之一加熱器以熔融諸如銀之燃料金屬以再啟動產生器。可藉由重力及泵抽之至少一者使金屬流動回至第一容器5b、第二容器5c及電磁泵5k之至少一者中。泵抽可藉由貯槽泵進行。可藉由本發明之能量儲存器(諸如藉由電池組或電容器)供應用於加熱及流動(諸如藉由泵抽)之至少一者之功率。在另一實施例中，電磁泵5k可包括一電磁泵加熱器，諸如一電阻加熱器或一感應耦合加熱器。電阻加熱器可至少部分包括產生勞侖茲力之泵之電流源。在一實施例中，電磁泵及加熱器經停止以關機。藉由使用感應耦合加熱器(諸如5f及5o之感應耦合加熱器以及電磁泵加熱器)熔融諸如銀之燃料金屬而達成起動。功率可來自本發明之能量儲存器。在另一實施例中，產生器未關機，但仍按一最小功率位準操作以維持燃料金屬之流動。 在一實施例中，SF-CIHT包括電磁泵之至少一者(諸如5k)上之一開關，其使泵電流之極性反轉以使勞侖茲力及泵抽方向反轉。在包括包含電磁體之電磁(EM)泵之另一實施例中，磁場方向可經反轉以使泵抽方向反轉。熔體之泵抽方向可經反轉以將金屬運輸至儲存器。儲存器可包括電池在其基底處之一部分(諸如第一容器5b之入口處之基底錐體)、第一容器5b及第一EM泵5k之入口之至少一者。可藉由移除加熱功率而使熔體在儲存器中固化。可藉由使用第一感應耦合加熱器5f將熱施加至第一容器5b且藉由EM泵加熱器將熱施加至EM泵5k而達成起動，其中流動通過泵管中之金屬之泵電流可充當泵加熱器。所得熔體可經泵抽至製粒機之其他區段(諸如第二容器5c及噴嘴5q)中而由其他加熱器(諸如加熱第二容器5c之感應耦合加熱器5o)加熱。可藉由本發明之能量儲存器(諸如藉由電池組或電容器)供應用於加熱及流動(諸如藉由泵抽)之至少一者之功率。 在一實施例中，SF-CIHT電池組件及系統經組合、小型化及以其他方式最佳化之至少一者以減小重量及大小、降低成本及減少維護之至少一者。在一實施例中，SF-CIHT電池包括用於冷凍器及電池真空泵之一共同壓縮器。用於排熱之冷凍器亦可充當一低溫泵以維持電池中之真空。可藉由低溫泵凝結H 2O及H 2以維持所要真空位準。在一實施例中，藉由使用減小數目個電容器(諸如儘可能接近電極之一例示性單一2.75 V、3400 F馬克士威超級電容器)小型化包括一電容器庫之點火系統。在一實施例中，至少一個電容器可使其之正終端直接連接至正匯流條或正電極且至少一個電容器可使其之負終端直接連接至負匯流條或負電極，其中可藉由一匯流條連接具有相反極性之電容器之其他終端，使得電流在丸粒藉由橋接電極而閉合包括電容器之電路時流動通過該電路。在一實施例中，螺紋電容器終端可直接旋合至螺紋電極、電極基座或匯流條中。跨電極串聯連接之電容器組可經複製成整數倍以視需要提供約整數倍之更多電流。在一實施例中，可藉由使用來自PV轉換器之功率充電而將電容器上之電壓維持在一所要範圍內。由於充電匯流條上之電壓降係依據可變充電電流而變化，故可在電容器處感測控制充電電流之電壓。可藉由諸如一電腦之一控制器使用此遠端感測之電壓以控制充電電流。電容器及連接匯流條或若干匯流條可經定位，使得噴嘴5q可具有用於丸粒噴射之一清晰路徑且點火電漿未過度阻礙發射光至PV轉換器。 電源2之接近消除透過廣泛匯流條驅動高峰值點火電流所需之額外電壓。減小電容點火系統可安裝在電極處且使用一穩定電流持續充電，該穩定電流可顯著小於脈衝高點火電流(諸如藉由峰值脈衝電流乘以工作循環所給出之電流)。將高電流攜載至電極之電路可包括具有諸如電感、電容及電阻之所要特性以允許電容器至點火負載之阻抗匹配之電路元件。 可藉由使用用於固有負載之所有DC功率簡化SF-CIHT產生器之功率調節，其中藉由PV轉換器供應DC功率。在一實施例中，來自PV轉換器之DC功率可供應以下至少一者：(i)至電極8之包括電源2之點火系統之電容器之DC充電功率；(ii)至少一個電磁泵之DC電流；(iii)電阻或感應耦合加熱器之DC功率；(iv)包括一DC電動馬達之冷凍器之DC功率；(v)包括一DC電動馬達之真空泵之DC功率；及(vi)至電腦及感測器之DC功率。輸出功率調節可包括來自PV轉換器之DC功率或AC功率(來自使用一換流器之來自PV轉換器之DC功率轉AC之轉換)。 在一實施例中，光-電轉換器包括包含光伏打(PV)電池之本發明之光伏打轉換器，其等回應於自電池發射之光之一實質波長區域(諸如對應於光學功率輸出之至少10%)。在一實施例中，PV電池係可接受高強度光(大於太陽光之強度，諸如在約1.5 suns至75,000 suns、10 suns至10,000 suns及100 suns至2000 suns之至少一者之強度範圍中)之聚光器電池。聚光器PV電池可包括可在約1 sun至1000 suns之範圍中操作之c-Si。PV電池可包括複數個接面，諸如三接面。聚光器PV電池可包括諸如III/V族半導體之複數個層，諸如以下各自之群組之至少一者：InGaP/InGaAs/Ge；InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge；GaInP/GaAsP/SiGe；GaInP/GaAsP/Si；GaInP/GaAsP/Ge；GaInP/GaAsP/Si/SiGe；GaInP/GaAs/InGaAs；GaInP/GaAs/GaInNAs；GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs；GaInP/Ga(In)As/InGaAs；GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs；GaInP-Ga(In)As-Ge；及GaInP-GaInAs-Ge。諸如三接面或雙接面之複數個接面可串聯連接。在另一實施例中，接面可並聯連接。接面可經機械堆疊。接面可經晶圓接合。在一實施例中，可由晶圓接合取代接面之間的隧道二極體。晶圓接合可電隔離且針對藉由隨後或更深接面轉換之波長區域透明。各接面可經連接至一獨立電連接件或匯流條。獨立匯流條可串聯或並聯連接。用於各電獨立接面之電接觸件可包括柵格線。可歸因於電流分佈在多個並聯電路或用於獨立接面或接面群組之互連件上方而最小化線陰影區域。可橫向移除電流。晶圓接合層可包括一透明傳導層。一例示性透明導體係一透明傳導氧化物(TCO) (諸如氧化銦錫(ITO)、摻雜氟之氧化錫(FTO)及摻雜氧化鋅)及傳導聚合物、石墨烯及奈米碳管及熟習此項技術者已知的其他導體。苯並環丁烯(BCB)可包括一中間接合層。接合可在諸如一玻璃(諸如硼矽酸鹽玻璃)之一透明材料與一PV半導體材料之間。一例示性雙接面電池係包括接合至GaAs底層之GaInP晶圓之頂層之電池(GaInP//GaAs)。一例示性四接面電池包括InP基板上之GaInP/GaAs/GaInAsP/GaInAs，其中各接面可藉由一隧道二極體(/)或一隔離透明晶圓接合層(//)個別地分開，諸如藉由InP上之GaInP//GaAs//GaInAsP//GaInAs給出之一電池。基板可為GaAs或Ge。PV電池可包括Si-Ge-Sn及合金。二極體及晶圓接合之所有組合皆在本發明之範疇內。藉由法國之SOITEC製成在AM1.5d光譜之297倍濃度處具有44.7%轉換效能之一例示性四接面電池。PV電池可包括一單一接面。一例示性單一接面PV電池可包括一單晶矽電池，諸如Sater等人(B. L. Sater、N. D. Sater，「High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities」，Photovoltaic Specialists Conference, 2002. Conference Record of the Twenty-Ninth IEEE，2002年5月19至24日，第1019至1022頁) (其之全部內容以引用的方式併入本文中)給出之單晶矽電池之一者。替代性地，單一接面電池可包括GaAs或摻雜有其他元素(諸如來自III及V族之元素)之GaAs。在一例示性實施例中，PV電池包括在約1000 suns下操作之三接面聚光器PV電池或GaAs PV電池。在另一例示性實施例中，PV電池包括在250 suns下操作之c-Si。在一例示性實施例中，PV可包括可選擇性地回應於小於900 nm之波長之GaAs及在InP、GaAs及Ge之至少一者上之可選擇性地回應於在900 nm與1800 nm之間的區域中之波長之InGaAs。包括GaAs及InP上之InGaAs之兩種類型之PV電池可組合使用以增大效率。兩個此等單一接面類型電池可經使用以具有一雙接面電池之效應。可藉由使用二向色鏡、二向色濾波器及單獨或與鏡組合之電池之一架構之至少一者實施組合以達成如在本發明中給出之光之多個反彈或反射。在一實施例中，各PV電池包括分離且分類傳入光、重新引導傳入光以撞擊一多接面電池中之特定層之一多色層。在一例示性實施例中，電池包括用於可見光之磷化銦鎵層及用於紅外線光之砷化鎵層，其中引導對應光。 PV電池可包括鈣鈦礦電池。一例示性鈣鈦礦電池自上而下包括Au、Ni、Al、Ti、GaN、CH 3NH 3SnI 3、單層h-BN、CH 3NH 3PbI 3-xBr x、HTM/GA、底部接觸件(Au)之層。 電池可包括一多p-n接面電池，諸如包括分別轉換EUV及UV之AlN頂層及GaN底層之一電池。在一實施例中，光伏打電池可包括在表面附近具有重度p摻雜以避免諸如UV及EUV之短波長光之過度衰減之GaN p層電池。n型底層可包括AlGaN或AlN。在一實施例中，PV電池包括在p-n接面之頂層中經重度p摻雜之GaN及Al xGa 1-xN，其中p摻雜層包括二維電洞氣體。在一實施例中，PV電池可包括具有一半導體接面之GaN、AlGaN及AlN之至少一者。在一實施例中，PV電池可包括具有一金屬接面之n型AlGaN或AlN。在一實施例中，PV電池回應於高於具有多個電子-電洞對之PV材料之能隙之高能光。光強度可足以使重組機構飽和以改良效率。 轉換器可包括複數個以下至少一者：(i) GaN；(ii) AlGaN或AlN p-n接面；及(iii)淺超薄p-n異質接面光伏打電池，其等各包括在一n型AlGaN或AlN基底區域上之GaN中之p型二維電洞氣體。各可包括至一金屬膜層(諸如Al薄膜層)之一引線、一n型層、一空乏層、一p型層及至一金屬膜層(諸如歸因於短波長光及真空操作而不具有鈍化層之Al薄膜層)之一引線。在包括AlGaN或AlN n型層之光伏打電池之一實施例中，具有適當功函數之一金屬可取代p層以包括一肖特基整流障壁以包括一肖特基障壁金屬/半導體光伏打電池。 在另一實施例中，轉換器可包括光伏打(PV)電池、光電(PE)電池及PV電池與PE電池之一混合體之至少一者。PE電池可包括一固態電池，諸如一GaN PE電池。PE電池各可包括一光陰極、一間隙層及一陽極。一例示性PE電池包括相關聯之GaN (陰極)/AlN (分離器或間隙)/可能相關聯之Al、Yb或Eu (陽極)。PV電池各可包括本發明之GaN、AlGaN及AlN PV電池之至少一者。PE電池可為混合體之頂層且PV電池可為底層。PE電池可轉換最短波長光。在一實施例中，PE電池之陰極及陽極層以及一PV電池之p層及n層之至少一者可上下翻轉。架構可經改變以改良電流收集。在一實施例中，來自燃料點火之光發射經偏振且轉換器經最佳化以使用光偏振選擇材料以最佳化光穿透至電池之作用層中。可藉由憑藉對應電極或磁體(諸如磁體8c)施加諸如電場或磁場之場而使光偏振。 在一實施例中，燃料可包括銀、銅或Ag-Cu合金丸粒或具有經捕集氫及經捕集H 2O之至少一者之熔體。光發射可主要包括紫外線光及極紫外線，諸如在約10 nm至300 nm之波長區域中之光。PV電池可回應於約10 nm至300 nm之波長區域之至少一部分。PV電池可包括聚光器UV電池。入射光強度可在約2 suns至100,000 suns及10 suns至10,000 suns之至少一個範圍中。電池可在此項技術中已知的一溫度範圍中操作，諸如約小於300℃及小於150℃之至少一個溫度範圍中。PV電池可包括III族氮化物，諸如InGaN、GaN及AlGaN之至少一者。在一實施例中，PV電池可包括複數個接面。接面可串聯分層。在另一實施例中，接面係獨立的或電並聯。獨立接面可經機械堆疊或晶圓接合。一例示性多接面PV電池包括至少兩個接面，其等包括諸如來自InGaN、GaN及AlGaN之群組之複數者之n-p摻雜半導體。GaN之n摻雜劑可包括氧，且p摻雜劑可包括Mg。一例示性三接面電池可包括InGaN//GaN//AlGaN，其中//可係指一隔離透明晶圓接合層或機械堆疊。PV可在等於聚光器光伏打裝置(CPV)之光強度之高光強度下運行。基板可為藍寶石、Si、SiC及GaN之至少一者，其中後兩者提供用於CPV應用之最佳晶格匹配。可使用此項技術中已知之有機金屬氣相磊晶(MOVPE)方法來沈積層。可藉由冷板(諸如在CPV或二極體雷射(諸如商業GaN二極體雷射)中使用之冷板)冷卻電池。如在CPV電池之情況中，柵格接觸件可安裝於電池之前表面及後表面上。在一實施例中，可終止PV電池之表面(諸如包括GaN、AlN及GaAlN之至少一者之表面)。終止層可包括H及F之至少一者。終止可減小載體重組缺陷效應。可使用諸如AlN之一窗終止表面。 在一實施例中，光伏打(PV)及光電(PE)轉換器之至少一者可具有實質上對其所回應之光透明之一保護窗。窗可對回應光至少10%透明。窗可對UV光透明。窗可包括一塗層，諸如PV或PE電池上之一UV透明塗層。可藉由諸如氣相沈積之沈積來施加塗層。塗層可包括本發明之UV窗之材料，諸如藍寶石或MgF 2窗。其他合適窗包括LiF及CaF 2。諸如MgF 2窗之任何窗可製成薄以限制EUV衰減。在一實施例中，PV或PE材料(諸如硬玻璃狀材料，諸如GaN)充當一可清潔表面。諸如GaN之PV材料可充當窗。在一實施例中，PV或PE電池之表面電極可包括窗。電極及窗可包括鋁。窗可包括鋁、碳、石墨、氧化鋯、石墨烯、MgF 2、鹼土金屬氟化物、鹼土金屬鹵化物、Al 2O 3及藍寶石之至少一者。窗可十分薄(諸如約1 Å至100 Å厚)，使得其對來自電池之UV及EUV發射透明。例示性透明薄膜係Al、Yb及Eu薄膜。可藉由MOCVD、氣相沈積、濺鍍及此項技術中已知的其他方法施加膜。在一實施例中，重力回收系統、電漿限制系統、擴充電漿軌道槍回收系統及靜電沈澱回收系統之至少一者可改善點火產物與PV或其窗之接觸及衝擊。SF-CIHT產生器可包括自表面移除點火產物之一構件，諸如一機械刮刀或一離子濺鍍束。刮刀可包括未被銀潤濕且亦非研磨性之碳。 在一實施例中，電池可藉由至少一個機制(諸如來自光伏打效應、光電效應、熱離子效應及熱電效應之群組之至少一個機制)將入射光轉換為電。轉換器可包括各具有一光伏打層之頂部上之一光電層之雙層電池。可藉由頂層選擇性地吸收且轉換諸如極紫外線光之較高能光。複數個層之一層可包括一UV窗，諸如MgF 2窗。UV窗可保護紫外線UV PV以防被電離輻射損害(諸如被軟X射線輻射損害)。在一實施例中，低壓電池氣體可經添加以選擇性地衰減將損害UV PV之輻射。替代性地，可藉由光電子轉換器頂層將此輻射至少部分轉換為電且至少部分被阻擋以免影響UV PV。在另一實施例中，諸如GaN之UV PV材料亦可使用光伏打效應及光電效應之至少一者將來自電池之極紫外線發射之至少一部分轉換為電。 光伏打轉換器可包括將紫外線光轉換為電之PV電池。例示性紫外線PV電池包括p型半導體聚合物PEDOT-PSS：藉由沈積於摻雜Nb之氧化鈦上之聚(4-苯乙烯磺酸鹽)膜摻雜之聚(3,4-乙烯二氧噻吩) (SrTiO3:Nb) (PEDOT-PSS/SrTiO3:Nb異質結構)、GaN、摻雜有諸如錳之一過渡金屬之GaN、SiC、鑽石、Si及TiO 2之至少一者。其他例示性PV光伏打電池包括n-ZnO/p-GaN異質接面電池。 為將高強度光轉換為電，產生器可包括一光學分佈系統及光伏打轉換器26a，諸如在圖46中所展示者。光學分佈系統可包括沿著自電池發射之光之傳播軸配置成一百葉窗式堆疊之複數個半透明鏡，其中在堆疊之各鏡部件23處，使光至少部分反射至一PC電池15 (諸如與光傳播方向平行對準之PC電池)上以接收橫向反射之光。光至電面板15可包括PE、PV及熱離子電池之至少一者。轉換器之窗可對電池發射之光(諸如短波長光)透明。PV轉換器之窗可包括藍寶石、LiF、MgF 2及CaF 2、其他鹼土金屬鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF 2、CdF 2)、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽及紅外矽(ThorLabs)之至少一者。半透明鏡23可對短波長光透明。材料可相同於具有反射材料之一部分覆蓋之PV轉換器窗(諸如鏡，諸如UV鏡)之材料。半透明鏡23可包括反射材料之一網紋圖案，諸如UV鏡，諸如塗佈MgF 2之Al及薄氟化物膜(諸如MgF 2或LiF膜)或鋁上之SiC膜之至少一者。 在一實施例中，分數氫電力轉換器可包括一熱光伏打(TPV)電力轉換器。諸如Mo或W電極之電極可維持在高溫以產生輻射，諸如可使用光伏打電池轉換為電之黑體輻射。在一實施例中，諸如Ag或AgCu熔體之熔體藉由熱電極加熱且經汽化，使得電極周圍之區域對諸如EUV及UV之短波長光變為光學上厚。汽化金屬可加入點火電漿。形成分數氫之來自燃料點火之功率可將電漿加熱至一高黑體溫度。可藉由憑藉諸如控制燃料流動速率、觸發速率、水蒸氣壓力之方法及本發明之其他方法控制分數氫反應之速率而控制黑體溫度。在一實施例中，電極間隔或間隙8g及電流經調整以達成主要發射超過UV及EUV發射之黑體輻射之一電漿。可藉由本發明之方法調整電極間隙8g。在一實施例中，在疊加脈衝之情況下，電流可恆定。恆定電流可在約50 A至30,000 A、100 A至10,000 A及200 A至2000 A之至少一個範圍中。峰值電流脈衝可在約50 A至30,000 A、500 A至10,000 A及1000 A至5000 A之至少一個範圍中。電流脈衝之頻率可在約1 Hz至20,000 Hz、100 Hz至10,000 Hz及500 Hz至5000 Hz之至少一個範圍中。 在一實施例中，產生器進一步包括一開關(諸如IGBT或本發明或此項技術中已知的另一開關)以在藉由熱解傳播分數氫反應自身之情況下關閉點火電流。反應可自保持一升高電池及電漿溫度之至少一者，諸如以足以維持溫度及分數氫反應速率支援熱解之溫度。電漿可包括光學上厚之電漿。電漿可包括一黑體。可藉由維持一高氣體壓力達成光學上厚之電漿。在一例示性實施例中，隨著在鎢電極處噴射熔融銀及熔融銀銅(28重量%)合金之各者而發生熱解，其中一連續點火電流在100 A至1000 A之範圍中，疊加脈衝在約2 kA至10 kA之範圍中，一電漿黑體溫度係5000 K且一電極溫度在約3000 K至3700 K之範圍中。熱解可在電漿及與電漿接觸之電池組件之至少一者之高溫下發生。溫度可在約500 K至10,000 K、1000 K至7000 K及1000 K至5000 K之至少一個範圍中。電池組件可為電極8、錐體貯槽5b、錐體5b2及頂蓋5b4之至少一者。在另一實施例中，電池組件之至少一者(諸如錐體貯槽5b)可充當一冷卻劑以冷卻熱解H以防止其回復至H 2O。匯流條及錐體貯槽之至少一者可經冷卻以充當冷卻劑。 所維持的黑體溫度可為發射可使用一光伏打電池轉換為電之輻射之溫度。在一例示性實施例中，黑體溫度可維持在約1000 K至3690 K之至少一個範圍中。光伏打電池可包括一熱光伏打(TPV)電池。用於熱光伏打轉換之例示性光伏打電池包括多晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)電池。轉換器可包括鏡以將輻射引導及重導引至熱光伏打轉換器上之至少一者。在一實施例中，後鏡將未轉換輻射反射回至源以促成重新輻射至轉換器之功率。例示性鏡包括錐體材料之至少一者，諸如鋁及陽極氧化鋁、塗佈MgF 2之Al及薄氟化物膜(諸如MgF 2或LiF膜)或鋁及藍寶石上之SiC膜、氧化鋁(諸如可濺鍍塗佈於諸如不銹鋼之一基板上之α氧化鋁)、塗佈MgF 2之藍寶石、硼矽酸鹽玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃(諸如大猩猩玻璃)、LiF、MgF 2及CaF 2、其他鹼土金屬鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF 2、CdF 2)、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽、紅外矽(ThorLabs)及在透明時可鏡像化於外表面上之陶瓷玻璃。諸如陽極氧化鋁鏡之鏡可漫射光以均勻地照射PV轉換器。透明材料(諸如藍寶石、氧化鋁、硼矽酸鹽玻璃、LiF、MgF 2及CaF 2、其他鹼土金屬鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF 2、CdF 2)、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽、紅外矽(ThorLabs)及陶瓷玻璃之至少一者)可充當用於TPV轉換器之窗。TPV轉換器之另一實施例包括黑體發射器濾波器以使匹配至PV之能隙之波長通過且將未匹配波長反射回至發射器，其中發射器可包括諸如電極之一熱電池組件。電池之能隙經選擇以針對一給定黑體操作溫度及對應光譜最佳化電輸出效率。在約3000 K或3500 K下操作之一例示性實施例中，在表1中給出TPV電池接面之能隙。 表1.用於具有n=1、2、3或4個接面(J)之電池之最佳能隙組合。
1J 2J 3J 4J
3000K 0.75 eV 0.62 eV、0.96 eV 0.61 eV、0.82 eV、1.13 eV 0.61 eV、0.76 eV、0.95 eV、1.24 eV
3500K 0.86 eV 0.62 eV、1.04 eV 0.62 eV、0.87 eV、1.24 eV 0.62 eV、0.8 eV、1.03 eV、1.37 eV
為最佳化包括一多接面電池之一熱光伏打轉換器之效能，自電池發射之光之黑體溫度可維持約恆定，諸如在10%內。接著，可使用功率調節設備控制功率輸出，其中將過量功率儲存於諸如一電池組或電容器之一裝置中或經排出(諸如作為熱排出)。在另一實施例中，可藉由憑藉本發明之方法(諸如藉由改變觸發頻率及電流、金屬噴射速率及H 2O及H 2之至少一者之噴射速率)減小反應速率而維持來自電漿之功率，其中可藉由控制電漿之發射率而維持黑體溫度。可藉由添加諸如稀有氣體之一電池氣體以改變電池氣氛(諸如最初包括金屬蒸氣之電池氣氛)而改變電漿之發射率。 在一實施例中，使用對應感測器或壓力計感測諸如水蒸氣、氫及氧之電池氣體壓力及總壓力。在一實施例中，藉由監測電池之至少一個參數(其回應於至少一種氣體壓力(諸如水壓及氫壓之至少一者)之改變而改變)而感測此等電池氣體之至少一者之壓力。可藉由使用氣體之供應改變一或多個壓力同時監測改變之效應而達成一所要水壓及氫壓之至少一者。藉由氣體改變之例示性監測參數包括點火電路之電行為及電池之光輸出。可在氫壓及水蒸氣壓力之至少一者之一所要壓力下最大化點火電流及光輸出之至少一者。一光偵測器(諸如二極體)及PV轉換器之輸出之至少一者可量測電池之光輸出。電壓及電流計之至少一者可監測點火電路之電行為。產生器可包括一壓力控制系統(諸如包括軟體之壓力控制系統)、處理器(諸如電腦)及自參數監測接收輸入資料且調整氣體壓力以達成產生器之所要功率輸出之最佳化之一控制器。在包括包含銅之一燃料金屬之一實施例中，氫可維持在達成來自銅與氧(來自H 2O至分數氫之反應)之反應之氧化銅之減少之一壓力，其中藉由監測參數調整水蒸氣壓力以最佳化產生器輸出。在一實施例中，可藉由使用電解供應H 2而將氫壓控制在約一恆定壓力。電解電流可維持在約一恆定電流。可以與約所有分數氫反應氧產物反應之一速率供應氫。過量氫可擴散穿過電池壁以維持高於由分數氫反應及與氧產物之反應消耗之壓力之一恆定壓力。氫可滲透通過一中空陰極至反應單元腔室5b31。在一實施例中，壓力控制系統回應於點火電流及頻率以及光輸出而控制H 2及H 2O壓力以最佳化至少一者。可使用二極體、功率計或光譜儀監測光。可使用一萬用電錶或數位示波器監測點火電流。電磁泵5k之熔融金屬之噴射器速率亦可經控制以最佳化點火電路之電行為及電池之光輸出之至少一者。 在另一實施例中，感測器可量測多個組件。在一例示性實施例中，使用一質譜儀(諸如四極質譜儀，諸如殘餘氣體分析儀)量測電池氣體及總壓力。質譜儀可分批感測或按趨勢模式感測。水或濕度感測器可包括絕對、電容性及電阻性濕度感測器之至少一者。能夠分析複數種氣體之感測器包括一電漿源，諸如一微波腔室及產生器，其中電漿激發電池氣體發射諸如可見光及紅外線光之光。藉由光譜發射(諸如氣體分量之特性線及強度)判定氣體及濃度。可在取樣之前冷卻氣體。在針對氣體組合物分析電池氣體之前可自電池氣體移除金屬蒸氣。電池中之金屬蒸氣(諸如包括銀及銅之至少一者之金屬蒸氣)可經冷卻以凝結金屬蒸氣，使得電池氣體可在缺乏金屬蒸氣之情況下流動至感測器中。SF-CIHT電池在本文中亦被稱為SF-CIHT產生器或產生器可包括諸如用於來自電池之氣體流動之一管之一通道，其中該管包括來自電池之一入口及用於經凝結金屬蒸氣之流動之一出口及不可凝結氣體至至少一個氣體感測器之一出口。該管可經冷卻。可藉由傳導達成冷卻，其中該管散熱至一經冷卻電池組件，諸如錐體貯槽及其金屬內含物、電極、匯流條及電極電磁泵之磁體(諸如8c)之至少一者。可藉由諸如水冷卻之方法及諸如一熱管道之被動構件主動地冷卻該管。包括金屬蒸氣之電池氣體可進入該管，其中金屬蒸氣歸因於管之較低溫而凝結。經凝結金屬可藉由重力流動及泵抽之至少一者之方法流動至錐體貯槽，使得待感測之氣體在缺乏金屬蒸氣之情況下流動至感測器中。 在一實施例中，產生器包括一黑體輻射器，其可充當包括一反應單元腔室5b31之一容器。在一實施例中，PV轉換器26a在包括含有黑體輻射器5b4之一電池腔室5b3之一金屬殼體之內部上包括PV電池15。PV冷卻板可在電池腔室之外部上。腔室5b3及5b31之至少一者能夠維持低於大氣壓、大氣壓及高於大氣壓之至少一者之一壓力。PV轉換器可進一步包括至少一組電饋通以將電力自電池腔室之內表面內部之PV電池遞送至電池腔室外部。饋通可為氣密及真空之至少一者。 在一實施例中，可藉由諸如藉由量測氧化產物之一參數之方法或歸因於氧化產物間接感測氧。在一例示性實施例中，產生器可包括一熔體傳導性感測器。錐體貯槽中之Ag-Cu合金熔體歸因於合金熔體之頂部上之CuO之傳導性減小可充當對增加一更高H 2流動速率之一指示。在另一例示性實施例中，產生器包括基於氧之濃度或存在可逆地吸收氧之一標尺及材料。氧感測器可包括具有H 2可還原金屬氧化物之可氧化金屬，其中藉由一重量改變判定氧之存在。在一實施例中，藉由將一高度可滲透氣體(諸如反應單元腔室5b31中之氫氣)供應至電池腔室5b3來控制氣體之壓力。可使用電池腔室5b3中之一對應氣體感測器量測氣體壓力。電池腔室氣體壓力可用於控制氫流動至電池腔室5b3中，其隨後流動或滲透至反應單元腔室5b31中。在一實施例中，諸如氫之氣體自電池腔室5b3流動或滲透通過電池26之至少一個壁(諸如錐體5b2或頂蓋5b4之壁)而至反應單元腔室5b31。在一實施例中，反應腔室5b31中之H 2維持在將反應腔室5b31中之氧消耗至一所要壓力之一壓力。在一例示性實施例中，氫壓維持在足以消耗形成於反應單元腔室5b31中之氧之一濃度。在圖15至圖34中展示之一實施例中，下腔室5b5與電池腔室5b3連續，其中貯槽5c之基底處之板直徑提供腔室之間的一間隙。兩個腔室皆可填充有相同氣體，諸如亦可滲透至反應單元腔室5b31中之氫。在一實施例中，一不可滲透氣體經直接供應至反應腔室5b31使得金屬蒸氣未污染(fowl)供應出口。在一實施例中，水供應噴射器5z1包括一足夠小直徑噴嘴，使得水蒸氣流動速率足以防止金屬蒸氣流動至噴射器中(諸如至噴射器5z1之噴嘴及H 2O蒸氣噴射管中)。 在圖15至圖19中展示之一實施例中，錐體5b2可包括可在不同溫度下操作之複數種材料。舉例而言，底部區段可包括一耐熱金屬，諸如一高溫不銹鋼，諸如可具有氧化物塗層之Hastelloy，且頂部可包括陽極氧化鋁。陽極氧化鋁可經塗佈於諸如不銹鋼之另一材料上。可藉由控制反應單元腔室5b31中之溫度及氣氛(諸如氧及水之至少一者之分壓)而維持材料之氧化物塗層。在一實施例中，電池26之壁(諸如錐體5b2之壁)可包括藍寶石。藍寶石可包括片段或面板。各面板可背靠諸如銀薄片之一反射器以將來自電池之入射光反射回至電池中且朝向PV轉換器。反射器可藉由一間隙而與藍寶石分離，該間隙可維持在諸如真空之減壓下以將反射器維持在低於藍寶石面板之一溫度下。可藉由使間隙與抽空電池連續而達成低壓條件。電池可進一步包括至PV轉換器26a之一藍寶石窗。 在一實施例中，電池26之壁可包括一錐體5b2及一頂蓋5b4，其等形成可包括一圓頂之一反應單元腔室5b31。圓頂可抵抗被諸如Ag或Ag-Cu合金熔體之燃料熔體潤濕。圓頂可維持在一高溫下以防止被熔體潤濕。溫度可維持在約100℃至1800℃之範圍中。圓頂可為透明的。透明圓頂可包括藍寶石、石英、MgF 2及鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃(諸如大猩猩玻璃)之至少一者。圓頂可倒轉，使得敞開½球體經定向朝向PV轉換器26a。倒轉圓頂之底部可經分段以形成至圓形錐體貯槽5b之一圓形連接。倒轉圓頂可包括穿透部分、斷流器或匯流條9及10之至少一者之饋通、電極8及諸如水噴射器5z1之氣體噴射器。倒轉圓頂可包括頂部邊緣處之一金屬環及一外金屬鏡塗層(諸如一耐火金屬塗層，諸如一W或Mo鏡像)之至少一者。可藉由氣相沈積(諸如藉由有機金屬化學氣相沈積(MOCVD))施加鏡像。用於沈積之一例示性化學品係六羰鉬或六羰鎢。替代性地，倒轉圓頂可包括一匹配外圓周、可具有一分離間隙之鏡像圓頂反射器。反射器部分圓頂可藉由一間隙而與藍寶石圓頂分離，該間隙可維持在諸如真空之減壓下以將反射器維持在低於藍寶石圓頂之一溫度下。可藉由使間隙與抽空電池連續而達成低壓條件。電池可進一步包括一窗5b4，諸如至PV轉換器26a之一藍寶石窗。倒轉圓頂可包括錐體5b2且錐體5b2之敞開頂部可由可包括藍寶石之一窗5b4覆蓋。窗可具有用於將光透射至PV轉換器之一所要形狀。形狀可匹配至PV轉換器之幾何結構，諸如平面或圓頂狀。錐體貯槽5b、窗5b4、匯流條9及10或電極8之至少一者可連結至包括具有墊圈(諸如石墨墊圈，諸如Graphoil墊圈)之一倒轉圓頂之錐體5b2。在其他實施例中，倒轉圓頂可包括其他幾何結構或形狀。倒轉圓頂之例示性替代形狀包括蓋之小部分，諸如在對應球體、拋物線、梯形或立方體之表面之90%至10%範圍中之蓋之一部分。 在一實施例中，圓頂可充當錐體5b2及窗5b4。圓頂可包括具有一敞開部分之一球體之一圓形區段。圓頂可不倒轉，其中敞開部分與錐體貯槽5b連接。在其他實施例中，未倒轉圓頂可包括其他幾何結構或形狀。未倒轉圓頂之例示性替代形狀包括錐體貯槽之蓋之小部分，諸如在對應球體、拋物線、梯形、立方體或錐體貯槽之其他殼體之表面之90%至10%範圍中之蓋之部分。圓頂最接近於錐體貯槽5b之下部可經鏡像或包括圓周反射器以包括錐體5b2，且頂部可透明以包括至PV轉換器26a之窗5b4。 錐體5b2可包括一單一圓頂或分段測地結構(圖26至圖34)，且窗5b4可分開或為圓頂之一部分。錐體5b2及窗5b4之至少一者可維持在高於防止諸如Ag或Ag-Cu熔體之燃料熔體黏著之溫度之一溫度下。溫度可維持在約200℃至2000℃、300℃至1500℃及400℃至1100℃之至少一個範圍中。諸如可在起動期間藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器維持溫度。錐體5b2 (諸如一藍寶石圓頂)與窗5b4之組合可包括主要透過窗5b4發射之一高溫黑體光源，窗5b4可足夠小以在起動模式中藉由一感應耦合加熱器方便地加熱。可藉由緊固件(諸如可包括諸如Mo之一耐火金屬之夾鉗或托架)將錐體片段保持在適當位置中。可藉由一框架支撐托架。亦可使用夾鉗或托架將諸如銀面板之背襯反射器面板緊固至框架。替代性地，面板可經螺栓連接、旋合或焊接至框架。可使用一接頭材料(諸如適應膨脹及收縮且耐熱之接頭材料)連結或加襯裡於片段及任何饋通(諸如用於電極之饋通)。一例示性接頭材料包括諸如Graphoil之石墨。諸如匯流條(諸如至電極及電磁泵之匯流條)之零件可在接觸點(諸如電池腔室5b3或下真空腔室5b5之饋通處之接觸點)處藉由電絕緣構件(諸如絕緣塗層，諸如接觸點處之富鋁紅柱石或氮化硼)而絕緣。 在一實施例中，電極8包括可包括不同材料之複數個零件。電極可包括在高溫下操作之一電漿接觸層。合適電漿接觸層材料係一耐火金屬，諸如W、Ta或Mo。電漿接觸層可經安裝於可包括匯流條9及10之另一基座層上。基座層可凹入，使得僅一部分(諸如電漿接觸層之端部處之部分)接觸基座層以提供電連接能力。凹槽可在電漿接觸層與基座層之間產生一間隙以允許電漿接觸層在高於座層之一溫度下操作。可藉由焊道、托架、夾鉗或諸如可凹入之螺釘或螺栓(諸如埋頭螺釘或內六角螺栓，諸如帽頭螺栓)之緊固件製成接觸區域處之附接。旋合在一起之任何零件可經塗佈有諸如石墨之一潤滑劑以防止銀粘著至螺紋。電極可包括葉片(圖20至圖34)，其等可藉由諸如葉片之匯流條端部處之緊固件之構件附接至匯流條9及10。葉片可經定向以形成V以將經噴射金屬接受至V之最寬部分中。在一實施例中，電極僅包括諸如W或Mo之一耐火金屬。電極可在電橫截面上按比例調整以補償相對於銅約低3.5倍之傳導性，其中例示性匯流條包括銅。耐火金屬電極可藉由一焊道或藉由諸如螺栓或螺釘之一緊固件附接至匯流條。電極發射率、表面積、傳導散熱以及被動及主動冷卻之至少一者可經選擇以將電極維持在一所要操作溫度內，諸如在使諸如Ag或Ag-Cu合金之熔體金屬汽化且低於電極之耐火金屬之熔點之一範圍中。損耗可主要由黑體輻射造成。電極可維持在約1000℃至3400℃之溫度範圍中。 為允許電極間隙8g之一調整，電極及匯流條總成可包括至電極連接器之一活節接頭匯流條。活節臂可沿著匯流條偏移，使得電極(諸如鎢葉片電極)之端部上之任何緊固件經交錯以允許電極之緊密間隔而無任何凸出緊固件緊密接觸。為達成進一步緊密靠近，電極可朝向端部連接件彎曲且在點火區域中筆直。為支援高溫操作，饋通(諸如至點火系統10a (圖15)之匯流條之饋通及至EM泵之匯流條之饋通之至少一者)可包括電絕緣陶瓷饋通，諸如此項技術中已知的電絕緣陶瓷饋通。可藉由諸如氣體或水冷卻之方法冷卻陶瓷饋通。饋通可包括一微操縱系統以控制諸如葉片電極之經附接電極之間隔及傾角之至少一者。饋通可包括風箱饋通以允許匯流條之移動以藉由微操縱系統(諸如熟習此項技術者已知的微操縱系統)實現電極之定位。在另一實施例中，電極間隙8g之調整機構包括連接至匯流條9及10之螺紋螺栓，其中可藉由移動匯流條而實現電極8之一移動。可藉由抵靠匯流條9及10推動以使用所施加壓力使其等偏轉之螺紋螺栓調整電極間隙8g，且匯流條在螺栓被鬆開時經歷彈力復原。在另一實施例中，螺紋螺栓可牽拉動於匯流條上。 在一實施例中，產生器可包括調整電極間隙8g之一自動控制系統，諸如本發明之自動控制系統或熟習此項技術者已知的另一自動控制系統。自動間隙控制系統可包括一電腦、至少一個感測器及一機械機構(諸如一伺服機構及馬達)及一螺線管、一電磁定位器及一壓電定位器或微操縱器之至少一者(其可藉由電腦使用來自諸如一位置感測器或一電流感測器之至少一個感測器之輸入加以控制)。包括間隙之電極分離可影響電流密度及反應限制，其中兩者皆可隨著一更小間隙而增大。分數氫反應速率可藉由增大電流密度而增大。在一實施例中，熔融金屬噴射速率可經控制以局部化金屬以增大電流密度。電極寬度可經增大以增大限制，其中電極長度可經減小以維持一高電流密度。經縮短長度亦可增大操作溫度，該操作溫度經最佳化以增大分數氫反應速率。在一實施例中，噴射經控制以導致點火電流脈衝以藉由集膚效應增大電流密度。在一實施例中，反應限制可增大分數氫反應速率。在一實施例中，電極振動以提高分數氫反應速率。振動可由歸因於電極及匯流條之至少一者中之電流之勞侖茲力導致。電極間隔、電極尺寸(諸如寬度、長度、厚度)、幾何結構、質量、操作溫度、彈簧張力及材料及電壓、電流以及EM泵抽速率之至少一者可經調整以將振動頻率改變為期望值。替代性地，產生器可包括使電極振動之一振動器。例示性振動器係本發明之振動器，諸如一電磁振動器或壓電振動器。振動速率可在約1 Hz至100 MHz、100 Hz至10 MHz及100 Hz至1 MHz之至少一個範圍中。電極電流、質量、彈性常數、長度及阻尼夾具之至少一者可經選擇以達成一所要振動頻率及振幅之至少一者。振動可進一步用於透過電極泵抽熔體。 在圖15至圖19中展示之一實施例中，電極8可藉由安裝於分開或一單一真空凸緣中之饋通10a電連接至電源2。錐體5b2之壁可包括用於使電極8通過之一單一孔隙。孔隙可包括包圍匯流條9及10以及電極之至少一者之一蓋板以密封錐體5b2或圓頂以防止諸如Ag或Ag-Cu熔體之熔體之損耗。在一實施例中，一藍寶石蓋板覆蓋使電極通過錐體或圓頂(諸如藍寶石圓頂)之一穿透部分或孔隙。電池26可容置於一腔室5b3中。腔室可能夠維持小於、等於或大於大氣壓之一壓力。電池壁可包括錐體5b2或圓頂。匯流條及電極可通過穿過電池腔室壁及圓頂壁之一圓形導管。具有電極饋通之一凸緣可密封腔室，且具有匯流條斷流器之一藍寶石蓋板或若干藍寶石蓋板可密封圓頂。 在圖15至圖19中展示之一實施例中，錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面之至少一者可由諸如具有對水之一低反應性之一金屬之一材料組成。具有低水反應性之例示性金屬包括Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn之群組之金屬。在一實施例中，錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面之至少一者可由諸如具有高於諸如Ag (M.P.=962℃)或Ag-Cu合金(M.P.=779℃)之燃料熔體之熔點之一熔點之一金屬之一材料組成且可進一步具有一低發射率。例示性錐體及錐體表面材料包括拋光金屬表面，諸如包括鋼、鋼型PH-15-7 MO、Ni、Fe、Mo、Ta、鍍鋅金屬(諸如鋼或鐵)及鍍Pt或Au之金屬或包層金屬(諸如Ni或Ti)之拋光金屬表面。諸如錐體貯槽5b及錐體5b2之電池組件可包括內壁及外壁之至少一者上之一高熔點、高發射率材料以將高功率輻射回至電池中，其中可藉由使用電池組件(諸如錐體5b2)之圓周輻射屏蔽將熱功率優先輻射至電池中。 在圖15至圖19中展示之一實施例中，錐體5b2包括在內表面上具有一低發射率之一高熔點金屬以將黑體輻射反射至PV轉換器26a。在例示性實施例中，錐體5b2包括Mo或W，其在約等於燃料熔體之熔點之一溫度(諸如在Ag或Ag-Cu合金燃料熔體之情況中為約1000℃至1100℃)下操作。可藉由防止反射表面之氧化而維持高反射率。可在反應單元腔室5b31中維持一部分氫氣氛以將任何金屬氧化物還原為金屬或與所產生之任何氧反應以形成H 2O。替代性地，電池26可包括與電池氣氛接觸之一相對電極及維持內錐體表面(其充當具有一所施加電壓之陰極以防止反射陰極表面之氧化)上之一負電位之一電源供應器。錐體金屬(諸如本發明之錐體金屬)可經選擇以具有與水之一低反應性。可藉由真空泵13a及氫供應器5u及5w之至少一者將電池氧維持在一低分壓下，其中H 2消耗氧。 在1300 K下具有1之發射率之黑體輻射功率係162 kW/m 2。為在起動期間按此功率之一分率將錐體加熱至諸如1000℃之一溫度，可使發射率維持為低。外錐體表面可包括具有一低發射率之一材料。在例示性實施例中，外錐體表面包括經拋光Mo或電解Ni，其中在1000℃下之發射率分別為0.18及0.16。經拋光W在室溫下具有0.04之發射率。經拋光銀(M.P.=962℃)在1093℃下具有0.03之發射率，其中較低溫熔融Ag-Cu合金(M.P. 28% Cu=779℃)可用作燃料金屬。可在起動期間使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱表面。可在起動期間使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱窗。在包括一封閉反應單元腔室5b31 (其包括在圖15至圖18中展示之絕緣錐體5b2之一足夠厚內壁以沿著壁傳導熱)之一實施例中，一單一感應耦合加熱器線圈5f及感應耦合加熱器5m在起動期間可足以將整個反應單元腔室5b31加熱至一所要溫度，諸如防止燃料熔體固化且黏著至腔室表面之溫度。一例示性壁厚度約為¼英寸。在電池中產生之黑體輻射可經引導至PV轉換器之窗，其中可藉由將窗之溫度(諸如頂蓋5b4之溫度)維持在高於燃料熔體之熔點而防止點火產物之金屬黏著。 在其中電漿歸因於燃料(諸如包括Ag或Ag-Cu合金之燃料)之汽化而視情況變厚之一實施例中，蒸氣包含於電池26中。在圖15至圖19中展示之電池組件之至少一者(諸如泵管5k6、泵匯流條5k2、熱轉移塊5k7、錐體貯槽5b、貯槽5c及錐體5b2)可由一耐火材料(諸如Mo、Ta及W之至少一者)組成。在一實施例中，至少一個電池組件包括一坩堝材料，諸如SiC、石墨、MgO或熟習此項技術者已知的其他陶瓷類型材料。 在一實施例中，可使用具有耐火金屬作為一產物之一鋁熱反應焊接諸如由耐火金屬組成之錐體之一電池組件。舉例而言，可使用包括WO+Al鋁熱劑之鋁熱反應物焊接鎢。在包括MgO錐體之一實施例中，氧化鋁或鋁酸鈣可充當MgO之黏合劑。 可藉由輻射屏蔽包圍諸如錐體5b2之一電池組件。錐體5b2及屏蔽之至少一者可包括一倒轉金屬圓頂(敞開端向上朝向PV轉換器26a)。可藉由金屬自旋製造圓頂。在一實施例中，電池26之錐體5b2包括諸如熱屏蔽之複數個輻射屏蔽。屏蔽可包括一耐火金屬，諸如本發明之耐火金屬，諸如Mo、Ta或W。屏蔽可包括諸如一高溫真空爐之設計，諸如此項技術中已知的高溫真空爐。熱屏蔽可包括可經滾軋且緊固之薄片或箔。薄片或箔可在端部處與一凸起端部彎頭或一榫槽重疊。屏蔽可為錐形且同心以將電漿功率引導至PV轉換器26a。錐體可包括至PV轉換器26a之一大發射孔隙或方位角。錐體5b2可包括在錐體5b2之基底處提供一外密封之外熱屏蔽。替代性地，錐體5b2可包括一密封容器，諸如包括內熱屏蔽之反應單元腔室5b31。錐體5b2 (諸如包括熱屏蔽之錐體)可經密封至錐體貯槽5b以含有電池氣體或蒸氣(諸如水蒸氣、氫及燃料金屬蒸氣之至少一者)。密封可包括一濕封，諸如熔融燃料金屬之濕封。在一實施例中，錐體5b2之壁之基底及內熱屏蔽或外熱屏蔽之一者之基底之至少一者浸沒在諸如熔融Ag或Ag-Cu合金之燃料金屬之一熔融貯槽中以形成一濕封。在另一實施例中，濕封可包括一溝，諸如在含有熔融燃料金屬之錐體貯槽5b周邊之溝，且錐體5b2之壁之基底及至少一個熱屏蔽之基底之至少一者浸沒在熔融金屬中。替代性地，濕封可包括錐體5b2之壁之基底及至少一個熱屏蔽之基底之至少一者及錐體貯槽5b之循環熔融金屬，其中前者浸沒在後者中。熱屏蔽可包括設定在錐體貯槽5b之底部上之浸沉支腳以在維持濕封時允許熔體在屏蔽下方流動。在基底處密封之錐體5b2之壁及熱屏蔽之至少一者可具有朝向PV轉換器26a之充分垂直高度，使得金屬蒸氣並不超過藉由如在圖16中展示之電池組件形成之反應單元腔室5b31之高度。反應單元腔室5b31可在真空下操作。電漿之溫度可判定反應單元腔室5b31中之蒸氣抵抗重力之高度。控制藉由SF-CIHT產生器產生之功率可控制電漿之溫度。在一實施例中，來自分數氫程序之功率經控制以控制反應單元腔室5b31中之金屬蒸氣之高度。可藉由本發明之控制方法控制電池功率。例示性方法包括藉由控制泵電流及水蒸氣壓力而控制諸如頻率、電流及電壓、泵速率之點火參數。 在一實施例中，金屬蒸氣可在操作期間變得帶電。帶電可減小或抑制分數氫反應速率直至粒子放電。可藉由電池26之壁上之自發放電而使粒子放電。產生器可包括促進帶電粒子放電之一構件。產生器可包括使金屬蒸氣粒子上之靜電荷放電之一構件。產生器可包括一組電極。電極之一者可包括電池26之一傳導壁。一個電極可浸沒在可包括電漿之金屬蒸氣氣體中。可藉由使用一電壓源在電極88與89 (圖14)之間施加諸如一電場之一場而使電荷放電。產生器可包括電極及一電場源之至少一者以使帶電金屬蒸氣放電以傳播且維持分數氫反應。產生器可包括一靜電沈澱器(ESP) (圖14)，諸如本發明之靜電沈澱器。在一實施例中，ESP系統可經安裝以使金屬蒸氣粒子放電以維持一恆定分數氫反應速率。 在一實施例中，電漿直接照射PV轉換器26a。在一實施例中，金屬蒸氣經限制於反應單元腔室5b31以避免金屬蒸氣沈積於PV轉換器窗上。可藉由靜電沈澱限制金屬蒸氣，其中電極可包括一耐火金屬。在另一實施例中，可使用一射頻場限制金屬蒸氣。在壓力下之高蒸氣密度之情況下，銀蒸氣之RF限制可係有效的。在一實施例中，反應單元腔室可包括諸如氦之氣體以導致銀沈降至單元之底部。在一實施例中，電池可包括諸如一耐火金屬網之擋板以避免歸因於渦流之氣體混合。反應單元腔室氣體可包括一成核劑以導致形成將歸因於重力而沈降至單元之底部之較大金屬蒸氣粒子。金屬蒸氣壓力可維持在一高壓下以導致銀成核為在重力下沈降至單元之底部之較大粒子。 在一實施例中，產生器經操作以在電池26中(諸如在反應腔室5b31中)產生至少一部分金屬蒸氣氣氛。可藉由電極處之汽化形成包括諸如銀或銀銅合金蒸氣之金屬蒸氣之電池氣氛。可藉由點火功率及分數氫反應功率之至少一者供應汽化功率。可藉由本發明之方法控制分數氫反應速率及對應功率以達成一合適或所要分數氫功率貢獻以達成合適或所要金屬蒸氣壓力。可藉由使用諸如本發明之方法(諸如控制泵抽速率及加熱或移除熱之速率)控制熔融金屬噴射速率及熔融金屬溫度之至少一者而控制金屬蒸氣壓力。在一實施例中，泵抽速率及隨後金屬汽化可控制自電極移除熱之速率以將電極維持在一所要溫度下。金屬蒸氣壓力可在約0.01托至100 atm、0.1托至20 atm及1托至10 atm之至少一個範圍中。金屬蒸氣可增強分數氫反應速率。電漿可在進一步包括水蒸氣及氫之至少一者之金屬蒸氣氣氛中形成。電漿可支援H及觸媒形成之至少一者。溫度可較高，使得熱解可支援H及觸媒形成之至少一者。觸媒可包括新生水(HOH)。金屬蒸氣可充當一傳導基質。傳導基質可充當一高電流之一替代以移除藉由觸媒之電離形成之電子。電離電子之移除可防止可抑制分數氫反應速率之空間電荷堆積。施加至電極之點火電流及脈衝頻率可在本發明之範圍內。在一實施例中，電流可具有在約100 A至15,000 A之範圍中之一脈衝及恆定電流分量之至少一者。在其中分數氫反應產生黑體輻射之一例示性操作模式中，電流係恆定的且在約100 A至20 kA、1 kA至10 kA及1 kA至5 kA之至少一個範圍中。黑體條件可取決於金屬蒸氣氣氛。氣氛對分數氫反應之高能發射可為光學上厚。 噴射器噴嘴5q可在諸如葉片電極(圖20至圖25)之電極8之端部處，其中葉片電極可在相對端部處緊固至匯流條9及10。噴嘴泵管可為端帽式，且噴嘴5q可在管側壁中以在其等之端部處將丸粒噴射至電極之側中。替代性地，可自如在圖8及圖9中展示之電極之頂部上噴射丸粒。在泵管及噴嘴5q更遠離錐體貯槽之熔融金屬之情況中，熱可自錐體貯槽5b中之熔融金屬轉移至噴嘴5q之端部以在啟動期間加熱噴嘴5q。泵管之噴嘴端部可包括一熱轉移套筒或塊(諸如包括諸如Mo或W之一耐火金屬之套筒或塊)以導致熱轉移。替代性地，一噴嘴起動加熱器可包括用以形成一高電流連接之一連接器(諸如噴嘴5q與一個電極8之間的一螺線管驅動連接器)以充當一電阻加熱器。連接器可包括一高熔點材料，諸如Mo或W。 在另一實施例中，窗可與電極相距一充分垂直距離，使得點火產物歸因於重力並不到達該窗。亦可藉由電極EM泵防止粒子入射至窗。EM泵可進一步減少在錐體壁之上區段上及錐體壁上噴出之點火產物之量之至少一者。在一實施例中，諸如在圖10及圖11中展示之一實施例中，丸粒經垂直噴射且包括磁體8c之EM泵向下泵抽點火產物。噴嘴5q可經定位及定向以導致丸粒具有其噴射軌跡之一橫向分量以及垂直分量。導致丸粒軌跡沿著具有相對於垂直之一角度之一軸之噴嘴位置及偏移可經選擇以減少或防止向下泵抽之點火產物與經噴射丸粒碰撞。 可藉由電極上之一電磁泵防止點火產物到達PV轉換器。電極EM泵可迫使點火產物向下。在圖15及圖18中展示之一實施例中，可透過諸如鎢或熱絕緣銅匯流條之匯流條9及10冷卻磁體。可藉由諸如匯流條電池穿透側上之一單一磁體提供電極EM泵磁場，其中可透過匯流條提供冷卻。可藉由流動通過匯流條之一冷卻劑(諸如可處於大氣壓或高壓下之水)冷卻匯流條、電極8及電極EM泵磁體(諸如8c及8c1)之至少一者。諸如一水冷卻系統之匯流條冷卻系統可包括穿過各匯流條之一中心鑽孔通道之一入口管道，其中在中心管道與通道之間的環帶中具有一回流。替代性地，冷卻系統可包括一個匯流條中之一入口中心鑚孔冷卻劑通道及另一匯流條中之一返回中心鑚孔冷卻劑通道。匯流條之間的冷卻劑管線連接可包括一電絕緣體。匯流條9及10在電極緊固端部處之端部可包括一中空區段以充當匯流條之主區段之一熱障。磁體可包括絕緣件，諸如本發明之一高溫絕緣件，諸如AETB、Zicar、ZAL-45或SiC-碳氣凝膠(AFSiC)。絕緣件可在諸如9及10之匯流條與諸如8c及8c1之磁體之間且覆蓋磁體，同時允許貫穿匯流條冷卻系統(諸如具有磁體之冷卻劑迴路)之充分熱接觸。磁體可能夠在諸如CoSm (350℃)或AlNiCo (525℃)之一高溫下操作。 亦可透過自諸如8c及8c1之磁體周邊地延伸至電池外部之冷卻迴路(諸如在本發明中給出之EM泵冷卻系統之冷卻迴路)供應磁體冷卻。替代性地，電極EM泵磁體可在電池26外部以防止其等過熱。外部電極電磁泵磁體可定位於電池外部，其中在磁體與電池壁之間具有一間隙以將磁體之溫度維持在低於其等之居里(Curie)點。磁體可包括提供跨電極軸之通量之個別隔離磁體。磁體可包括一單一磁體或包括至少一個磁體之一磁性電路(圖20至圖25)，其中各磁體可圓周地延伸至錐體或錐體貯槽且自電極之一個端部之區域延伸至另一端部。磁性電路可包括具有一高滲透性之至少一個磁體及軛材料(包括電路之剩餘部分)。磁體可包括一單一磁體或磁性電路，其在磁體或電路中之一間隙處提供沿著電極軸之通量。電極可包括具有單一磁體或一磁性電路之葉片電極，磁性電路自一個端部至另一端部跨越半個迴路或半圓且提供沿著電極軸且跨電極處之間隙之通量。磁性電路可呈C之形狀。電極之間的磁體或磁性電路區段可經設計以避免使電極短路。可使用電絕緣體或藉由避免電極之間的電接觸而避免短路。在一例示性實施例中，磁體包括各具有一C狀磁性電路中之約10 cm 2至30 cm 2橫截面之CoSm或釹磁體，C狀磁性電路具有包括高純度鐵之鈷之至少一者之一軛，其中間隙約為6 cm至10 cm。可藉由本發明之方法冷卻磁體。磁體可放置在電池壁外部之一位置處電池之腔室外殼之底板上。磁體可藉由本發明之方法散熱至腔室底板及冷卻之至少一者。舉例而言，磁體包括具有一循環冷卻劑之至少一個冷卻線圈，循環冷卻劑將熱轉移至排熱且冷卻(若干)磁體及磁性電路之至少一者之一冷凍器(諸如31或31a)。 在一實施例中，(若干)磁體可容置於與電池腔室分開之一腔室中。可在一電極磁體腔室中冷卻電極電磁(EM)泵之磁體。電極電磁(EM)泵總成可包括在圖19中展示之EM泵5ka之總成。電極電磁(EM)泵冷卻系統總成可包括EM泵(圖19)之冷卻系統5k1之一者。電極EM可包括一電磁泵冷卻劑管線饋通總成5kb、EM泵冷卻劑管線5k11、EM泵冷板5k12、磁體5k4、磁軛及視情況熱障5k5 (其可包括具有選用輻射屏蔽之一氣體或真空間隙)、泵管5k6、匯流條5k2及可藉由來自PV轉換器之電流供應之匯流條電流源連接件5k3。磁體可產生平行於匯流條之一場。在匯流條端部處之磁體可包括使匯流條及電極之至少一者通過之一凹口。電極EM泵可包括具有產生主要平行於匯流條之一場之一幾何結構之一單一磁體。單一磁體可定位成接近於點火位點，諸如靠近電極之端部。至少一個EM泵磁體可包括可在起動中啟動之一電磁體。一旦電池壁係熱的使得點火產物流動至錐體貯槽，便可終止磁場。在另一實施例中，可藉由移除或回縮諸如一(若干)永久磁體之(若干)磁體而終止磁場。可藉由諸如一機械系統或電磁系統之一移動構件回縮磁體。例示性磁體回縮系統包括一伺服馬達及導軌上之一螺釘驅動台或導軌上之一螺線管驅動台。熟習此項技術者已知其他移動構件。替代性地，可藉由在磁體與電極之間插入諸如一mu金屬屏蔽之一磁屏蔽而移除磁場。可使用諸如一機械系統或電磁系統(諸如磁體回縮系統之機械系統或電磁系統)之一移動構件施加屏蔽。在一實施例中，一旦電池處於溫度下，磁場方向或點火電流之極性可經切換以反轉勞侖茲力及泵抽方向以向上而非向下泵抽經噴射金屬以增大通過電極之流動速率及因此功率輸出。可使用一開關(諸如IGBT或本發明或此項技術中已知的另一開關)反轉DC點火電流之極性。反轉一電磁體之電流或藉由機械地反轉永久磁體之定向可反轉磁場極性。諸如錐體5b2之電池26組件可包括一陶瓷，諸如MgO、ZrB 2、BN或本發明之其他陶瓷，其係熱絕緣使得內壁溫度快速升高。 在一實施例中，電池高度可足以使點火產物無法抵抗重力到達PV轉換器或被諸如一藍寶石窗之一窗阻擋。窗可維持足夠熱以防止點火產物黏著。在另一實施例中，可不終止導致點火產物上之一向下勞侖茲力之來自諸如永久磁體或電磁體之一磁體之磁場。在另一實施例中，電池可包括一擋板8d以延遲或阻止點火粒子入射至PV窗。擋板可不透明且能夠第二次發射黑體輻射。擋板可包括可包含諸如W或Mo之一耐火材料之一柵格或板。替代性地，擋板可對黑體光透明。例示性透明擋板包括藍寶石、石英及鹼金屬及鹼土金屬晶體(諸如LiF及MgF 2)之至少一者。 在圖15至圖34中的係包括一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之實施例，其等展示一電容器庫點火系統2。在一實施例中，電池26包括一錐體5b2 (其包括一反應容器壁)、一錐體貯槽5b及貯槽5c (其形成一反應單元腔室5b31之底板且充當用於燃料熔體之一貯槽)及一頂蓋5b4 (其包括反應單元腔室5b31之頂部)。在一實施例中，電池包含於一電池腔室5b3中。可藉由泵13a透過真空連接件13b抽空電池腔室5b3及反應單元腔室5b31。可使用反應單元真空泵管線及凸緣13c以及電池腔室真空泵管線及凸緣13d之至少一者或兩者選擇性地抽空腔室，其中選擇性地打開及關閉電池腔室真空泵管線閥13e及反應單元真空泵管線閥13f之至少一者。 在一實施例中，錐體5b2包括具有電極8周圍之一或多個熱屏蔽之一拋物面反射器碟。應理解，熱屏蔽亦可包括其他形式之熱絕緣件5e，諸如陶瓷絕緣材料(諸如MgO)、耐火磚、Al 2O 3、氧化鋯(諸如Zicar)、氧化鋁增強熱障(AETB) (諸如AETB 12絕緣件)、ZAL-45及SiC-碳氣凝膠(AFSiC)。一例示性AETB 12絕緣件厚度約為0.5 cm至5 cm。絕緣件可經囊封於諸如可包括反射器(諸如錐體5b2之反射器)之一內耐火金屬壁及可包括相同或一不同金屬(諸如不銹鋼)之一外絕緣壁之兩個層之間。包括錐體5b2、絕緣體及外絕緣囊封壁之反射器總成可經冷卻。外絕緣囊封壁可包括一冷卻系統，諸如將熱轉移至諸如31或31a之一冷凍器之冷卻系統。 在一實施例中，冷凍器可包括一輻射器31且可進一步包括至少一個風扇31j及至少一個冷卻劑泵31k以冷卻輻射器且使冷卻劑循環。輻射器可經空氣冷卻。一例示性輻射器包括一汽車或卡車輻射器。冷凍器可進一步包括一冷卻劑貯槽或罐31l。罐31l可充當一流緩衝器。冷卻系統可包括一旁通閥31n以使流自罐返回至輻射器。在一實施例中，冷卻系統包括一旁通迴路(其用以在輻射器入口管線壓力歸因於冷卻管線中之泵抽減少或中止而較低時在罐與輻射器之間再循環冷卻劑)及在輻射器與罐之間的一輻射器超壓或溢流管線之至少一者。冷卻系統可進一步包括旁通迴路中之至少一個止回閥(31n及31s)。冷卻系統可進一步包括諸如一止回閥之一輻射器溢流閥31o及自輻射器至溢流罐31l之一溢流管線31p (圖14至圖25)。輻射器可充當罐。諸如輻射器31及風扇31j之冷凍器可具有進出罐31l之流。冷卻系統可包括自輻射器至罐31l之一罐入口管線31q以遞送冷卻之冷卻劑。冷卻劑可自罐31l泵抽至一共同罐出口歧管31r，罐出口歧管31r可將冷卻之冷卻劑供應至待冷卻之各組件。輻射器31可充當罐，其中輻射器出口31r提供冷卻之冷卻劑。替代性地，待冷卻之各組件(諸如感應耦合加熱器、電極、電池26及PV轉換器26a)可具有與藉由諸如輻射器及風扇之冷凍器冷卻之罐分開之一冷卻劑流動迴路。各迴路可包括複數個泵31k (圖23至圖25)之一分開泵或複數個閥31m之一泵及一閥。各迴路可自調節迴路中之流之一分開泵31k接收流。替代性地，(圖26至圖34)各迴路可自提供流至複數個迴路之一泵31k接收流，其中各迴路包括一閥31m，諸如調節迴路中之流之一螺線管閥。通過各迴路之流可藉由其之控制器(諸如一熱感測器，諸如一熱電偶、一流量計、一可控制閥、泵控制器及一電腦之至少一者)獨立地控制。 在另一實施例中，可組合複數個經冷卻電池組件之冷卻劑迴路。諸如熱轉移塊或一熱管道之一熱交換器或熱導體可自錐體5b2之外壁或外絕緣囊封壁冷卻。在一實施例中，石墨係可用作沿著徑向路徑之一高溫絕緣體及沿著平行於錐體壁之軸向路徑之一熱導體之一方向熱導體。亦應理解，諸如錐體5b2之反射器可包括除一拋物面碟以外的其他幾何及結構形式以將來自分數氫反應之光(諸如黑體輻射)反射至PV轉換器26a。例示性其他形式係三稜柱、球形碟、雙曲線碟及拋物線溝。拋物面反射器碟及熱屏蔽之至少一者可包括諸如Mo、Ta或W之一耐火金屬。在一例示性實施例中，錐體貯槽5b可包括諸如Mo、Ta或W之一高溫材料，貯槽5c及EM泵管5k6可包括一高溫不銹鋼，且EM泵匯流條5k2可包括鎳或不銹鋼。在其中泵管包括一磁性或鐵磁材料(諸如鎳)之一實施例中，泵管可在高於居里溫度之一溫度下操作，使得來自磁體之磁通量及EM泵之軛直接滲透通過該管。諸如具有一或多個熱屏蔽或絕緣件5e之錐體5b2之拋物面反射器碟可經密封至錐體貯槽。包括錐體5b2及錐體貯槽5b之電池可容置於可經密封之一真空腔室5b3中。拋物面反射器碟及熱屏蔽或絕緣件之至少一者可經密封至錐體貯槽5b。密封可包括一濕封、一焊道、螺紋及包括緊固件之密封之至少一者。拋物面反射器碟及熱屏蔽或絕緣件之至少一者可包括用於電極之穿透部分。穿透部分可經密封。密封可包括一高溫電絕緣體，諸如一陶瓷。 在一實施例(諸如一熱光伏打實施例)中，分數氫反應加熱燃料熔體以導致其變得汽化。蒸氣導致電池氣體對藉由分數氫反應產生之輻射變得光學上厚。經吸收輻射產生強烈、高溫黑體發射。包括具有一或多個熱屏蔽或絕緣件之一拋物面反射器碟之錐體5b2可將黑體發射反射至PV轉換器26a。藉由電漿加熱之具有一或多個熱屏蔽或絕緣件之拋物面反射器碟之至少一者可在低於電漿之一溫度且高於錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體(諸如熔融Ag或Ag-Cu)貯槽5c及EM泵之至少一個組件之一溫度下操作。電漿之黑體溫度之一例示性範圍為約1000℃至8000℃。具有一或多個熱屏蔽或絕緣件之該拋物面反射器碟可在低於其等之熔點(諸如在Mo之情況中低於約2623℃及在W之情況中低於約3422℃)下操作。電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5、熔體(諸如熔融Ag或Ag-Cu)貯槽5c及EM泵(諸如5k4))可經冷卻。電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵)可在低於其等材料之失效溫度(諸如在高溫不銹鋼電池組件之情況中低於約1100℃)下操作。在一實施例中，電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵)可在低於燃料熔體之沸點之一溫度下操作。汽化燃料熔體之蒸氣可歸因於其溫度低於沸點而凝結在錐體貯槽5b中。銀燃料熔體之一例示性溫度範圍為約962℃至2162℃。在一實施例中，產生器可包括自錐體貯槽處之凝結蒸氣至經噴射金屬及點火電漿之至少一者之熱之逆流再循環器。產生器可包括一噴射系統預熱器或後熱器，其中在金屬蒸氣凝結中釋放之熱可加熱熔融金屬以增大其溫度。預熱器可包括可將熱轉移至噴嘴5q之一熱交換器。預熱器可包括熱屏蔽。可使藉由凝結釋放之熱入射於頂蓋5b4上且轉移至PV轉換器26a。在一實施例中，PV轉換器26a之窗5b4 (諸如一石英、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃或藍寶石窗)可在高於點火產物之熔點且低於包括窗之材料之失效溫度之一溫度範圍下(諸如在Ag-Cu (28重量%)作為點火產物且藍寶石作為窗材料之情況中在約800℃至2000℃之範圍中)操作。在一實施例中，產生器包括諸如一熱電偶之至少一個感測器以感測系統之一組件(諸如溫度)。所感測參數可經輸入至一電腦以將參數控制在一所要範圍內。在參數超過一所要範圍(諸如經歷一過高溫度)之情況中，產生器可包括一安全關閉機構，諸如此項技術中已知的安全關斷機構。關斷機構可包括一電腦及將功率提供至產生器之至少一個組件之一開關(其可經斷開以導致關斷)。在圖15及圖22中展示一例示性熱電偶及其饋通5k8 (諸如一陶瓷饋通)。 在一實施例中，電池組件之至少一者(諸如錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面)可由諸如具有對水之一低反應性、一高熔點及一高發射率之至少一者之一金屬之一材料組成。在發射率為高之情況中，電池組件可由來自分數氫反應之熱功率變得高溫且將黑體輻射二次輻射至PV轉換器26a以被轉換為電。合適材料係耐火金屬，諸如本發明之耐火金屬，諸如Mo、Ta及W及石墨。諸如一金屬之材料之表面可經氧化及粗糙化之至少一者以增大發射率。電池組件可包括至PV轉換器26a之一大發射孔隙或方位角。 在一實施例中，包括錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵之電池26包括由取代透明窗之一不透明頂蓋5b4封閉之一容器。可藉由焊道或使用墊圈在連接或接頭處密封電池組件，其中藉由緊固件固持接頭。一例示性墊圈材料係諸如Graphoil之石墨。反應單元腔室經密封以限制燃料氣體(諸如水蒸氣及氫之至少一者)及燃料熔體之金屬蒸氣(諸如Ag或Ag-Cu合金蒸氣)之至少一者。頂蓋5b4可包括能夠在十分高溫度下(諸如在約1000℃至4000℃之範圍中)操作之一材料，其可充當一黑體。在一實施例中，頂蓋5b4不對輻射透明，使得其加熱以變為一高溫黑體輻射器。頂蓋可包括諸如Mo、Ta或W之一耐火金屬。替代性地，頂蓋可包括石墨或一陶瓷(諸如SiC、MgO)、氧化鋁、Hf-Ta-C或此項技術中已知的可充當一黑體之其他高溫材料。頂蓋吸收來自電漿之黑體輻射及來自錐體及電池之其他組件之二次黑體輻射以加熱至其高操作溫度。頂蓋可具有一高發射率，諸如接近1之發射率。在一實施例中，發射率可經調整以導致匹配PV轉換器之能力之黑體功率。在例示性實施例中，可藉由本發明之方法增大或減小發射率。在一金屬頂蓋5b4之一例示性情況中，表面可經氧化及粗糙化之至少一者以增大發射率。頂蓋之發射率可與波長呈非線性(諸如與波長成反比)，使得自其外表面之短波長發射係有利的。在一熱光伏打實施例中，頂蓋5b4包括提供入射至PV轉換器26a之光之一黑體輻射器。頂蓋黑體輻射器5b4與PV轉換器26a之間的間隙中之透鏡及鏡之至少一者可經選擇以使短波長光通過至PV轉換器，同時使紅外線光返回至輻射器5b4。在一例示性實施例中，一W頂蓋5b4之操作溫度係W白熾燈泡之操作溫度，諸如高達3700 K。根據史特凡波茲曼方程式(Stefan Boltzmann equation)，在1之發射率之情況下，黑體輻射器功率高達10.6 MW/m 2。在一實施例中，使黑體輻射入射至包括聚光器光伏打電池15 (諸如本發明之回應於對應輻射之聚光器光伏打電池，諸如回應於可見光及近紅外線光之聚光器光伏打電池)之PV轉換器26a。電池可包括多接面電池，諸如包括III/V半導體(諸如本發明之半導體)之雙接面或三接面電池。SF-CIHT產生器可進一步包括一黑體溫度感測器及一黑體溫度控制器。頂蓋5b4之黑體溫度可經維持及調整以最佳化黑體光至電之轉換。可使用一感測器(諸如一光譜儀、一光學高溫計、PV轉換器26a及使用發射率判定黑體溫度之一功率計)感測頂蓋5b4之黑體溫度。一控制器(諸如包括一電腦之控制器)及分數氫反應參數感測器及控制器可藉由本發明之方法控制來自分數氫反應之功率。在控制溫度及黑體溫度之穩定性之例示性實施例中，藉由控制水蒸氣壓力、燃料噴射速率、點火頻率及點火電流之至少一者來控制分數氫反應速率。對於來自加熱頂蓋5b4之反應單元腔室5b31之一給定分數氫反應功率，可藉由選擇及控制包括一黑體輻射器之頂蓋5b4之內表面及外表面之至少一者之發射率之至少一者來達成頂蓋5b4之一所要操作黑體溫度。在一實施例中，來自頂蓋5b4之輻射功率為約匹配至PV轉換器26a之一光譜及功率。在一實施例中，外表面之發射率經選擇(諸如在約0.1至1之範圍中之發射率)，以便頂蓋5b4將一功率輻射至PV轉換器，該功率並不超過PV轉換器在一所要黑體溫度下之最大可接受入射功率。黑體溫度可經選擇以更好地匹配PV電池之光伏打轉換回應性，使得可最大化轉換效率。可藉由修改頂蓋5b4外表面來改變發射率。可藉由施加具有增大或減小發射率之一塗層而增大或減小發射率。在一例示性實施例中，SiC塗層可經施加至頂蓋5b4以增大其發射率。亦可藉由氧化及粗糙化表面之至少一者增大發射率，且可藉由減小氧化表面及拋光一粗糙表面之至少一者減小發射率。產生器可包括氧化氣體(諸如氧及H 2O之至少一者)之一來源及還原氣體(諸如氫)之一來源以及控制電池腔室中之氣氛組合物及壓力之一構件。產生器可包括氣體感測器(諸如一壓力計、一泵、氣體供應器及氣體供應控制器)以控制氣體、組合物及壓力以控制頂蓋5b4之發射率。 可藉由諸如一氣隙或真空間隙之一間隙分離頂蓋5b4與PV轉換器26a以防止歸因於至PV轉換器之熱傳導而使PV轉換器過熱。頂蓋5b4可包括數個合適形狀，諸如一平板或一圓頂。可針對結構完整性及將光透射至PV區域之最佳化之至少一者選擇形狀。為增強電池電輸出及效率，黑體發射器5b4及接收PV轉換器26a之面積可經最大化以限制不發射光之錐體5b2之面積。在一實施例中，其他電池組件可包括諸如一耐火金屬(諸如W)之一材料以充當至PV轉換器(其經配置在組件周邊以接收黑體輻射)之一黑體輻射器。諸如頂蓋5b4及錐體5b2之電池26組件之至少一者可包括最佳化PV電池15之堆疊之一幾何結構以接受來自組件之光。在一例示性實施例中，電池組件可包括刻面表面，諸如多邊形，諸如具有PV電池15之一匹配幾何結構之三角形、五邊形、六邊形、正方形及矩形之至少一者。電池可經配置成具有匹配幾何結構之陣列。 在一實施例中，黑體輻射器包括一球形圓頂5b4 (亦包括錐體5b2)，其可經連接至錐體貯槽5b。在一實施例中，藉由沈積於內電池26壁(諸如包括錐體之壁)上之金屬蒸氣判定壁之發射率。在此情況中，錐體可包括針對除一所要發射率以外的參數(諸如製造簡易性、成本、耐久性及高溫操作之至少一者)選擇之一材料。至少一個電池組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b及頂蓋或圓頂5b4之至少一者)可包括以下材料之至少一者：石墨(昇華點=3642℃)、一耐火金屬(諸如鎢(M.P.=3422°C)或鉭(M.P.=3020°C))、一陶瓷、一超高溫陶瓷及一陶瓷基質複合物(諸如早期過渡金屬之硼化物、碳化物、氮化物及氧化物之至少一者，諸如硼化鉿(HfB 2)、二硼化鋯(ZrB 2)、氮化鉿(HfN)、氮化鋯(ZrN)、碳化鈦(TiC)、氮化鈦(TiN)、二氧化釷(ThO 2)、硼化鈮(NbB 2)及碳化鉭(TaC)及其等之相關聯複合物)。具有一導出高熔點之例示性陶瓷係氧化鎂(MgO) (M.P.=2852℃)、氧化鋯(ZrO) (M.P.=2715℃)、氮化硼(BN) (M.P.=2973℃)、二氧化鋯(ZrO 2) (M.P.=2715℃)、硼化鉿(HfB 2) (M.P.=3380℃)、碳化鉿(HfC) (M.P.=3900℃)、氮化鉿(HfN) (M.P.=3385℃)、二硼化鋯(ZrB 2) (M.P.=3246℃)、碳化鋯(ZrC) (M.P.=3400℃)、氮化鋯(ZrN) (M.P.=2950℃)、硼化鈦(TiB 2) (M.P.=3225℃)、碳化鈦(TiC) (M.P.=3100℃)、氮化鈦(TiN) (M.P.=2950℃)、碳化矽(SiC) (M.P.=2820℃)、硼化鉭(TaB 2) (M.P.=3040℃)、碳化鉭(TaC) (M.P.=3800℃)、氮化鉭(TaN) (M.P.=2700℃)、碳化鈮(NbC) (M.P.=3490℃)、氮化鈮(NbN) (M.P.=2573℃)、碳化釩(VC) (M.P.=2810℃)及氮化釩(VN) (M.P.=2050℃)及一渦輪機葉片材料(諸如來自一超合金、包括鉻、鈷及錸之鎳基超合金之群組之一或多者，包括陶瓷基質複合物、U-500、Rene 77、Rene N5、Rene N6、PWA 1484、CMSX-4、CMSX-10、英高鎳、IN-738、GTD-111、EPM-102及PWA 1497之一渦輪機葉片材料)。諸如MgO及ZrO之陶瓷抵抗與H 2反應。諸如錐體5b2之一例示性電池組件包括MgO、ZrO、ZrB 2或BN。諸如石墨之電池組件材料可經塗佈有另一高溫或耐火材料，諸如一耐火金屬(諸如鎢)或一陶瓷(諸如ZrB 2)或本發明或此項技術中已知的另一材料。另一石墨表面塗層包括可藉由錐體之電漿處理形成於表面上之類鑽碳。處理方法可包括此項技術中已知的用於將類鑽碳沈積於基板上之方法。在一實施例中，可藉由預塗佈或在操作期間將銀蒸氣沈積於表面上以保護錐體表面免受腐蝕。在一實施例中，反應單元腔室5b31可包括碳與電池氣體(諸如H 2O、H 2及O 2之至少一者)之反應產物以抑制碳之進一步反應。在一實施例中，諸如錐體貯槽5b、貯槽5c及泵管5k6之至少一個組件可包括高溫鋼，諸如Haynes 230。在一實施例中，藉由分數氫反應維持之諸如氬-H 2(3%至5%)之稀有氣體-H 2電漿可將石墨形式之碳轉換為類鑽形式或鑽石之至少一者。 諸如錐體5b2或圓頂5b4之電池組件可經鑄造、碾磨、熱壓、燒結、電漿燒結、浸潤及火花電漿燒結、藉由粉末層雷射熔融進行3D印刷且藉由此項技術中已知的其他方法形成。諸如W錐體之一耐火金屬錐體可經形成為一線包繞或編織。錐體5b2可包括凸緣以與錐體貯槽5b及頂蓋5b4配合，其中凸緣永久地接合至錐體且可在錐體之製造期間併入。替代性地，可藉由使用諸如夾鉗、托架或彈簧之一對應機構壓縮而將錐體緊固至鄰接電池組件(諸如頂蓋5b4及錐體貯槽5b)。頂蓋5b4及錐體貯槽5b可經夾持至錐體5b2。接頭各可使用諸如Graphoil墊圈之一墊圈密封。配合組件可具有溝槽或具有刻面以閂鎖在一起以形成能夠裝納金屬蒸氣之一密封。錐體之內表面可為光滑的且可在操作期間覆蓋有諸如銀之燃料熔體。錐體可在操作之前預塗佈有燃料熔體之金屬以降低起動期間的發射率。在一實施例中，錐體貯槽、貯槽、EM泵管、EM泵匯流條及熱轉移塊之至少一者可包括Mo。在其中燃料熔體係銀之另一實施例中，熱轉移塊可包括具有高於燃料熔體之金屬之熔點之一熔點之一材料，諸如鐵、氮化鋁、鈦或碳化矽。在該等塊係磁性之情況中，其等可在高於其等之居里溫度下操作。在一實施例中，可藉由沖壓或壓模按壓諸如金屬之組件材料來製造諸如下腔室及配合件之至少一個組件。 在一實施例中，反應單元腔室5b31之氣氛可包括一稀有氣體氣氛(諸如在密度上具有一充分差異之氦氣氛)以導致諸如Ag或Ag-Cu金屬蒸氣之金屬蒸氣沈降至錐體5b2及錐體貯槽5b之底部。在一實施例中，可藉由控制電池氣體及壓力來控制密度差異以導致電漿更接近地聚焦至一拋物面錐體5b2之焦點。聚焦可導致頂蓋5b4之更直接照明以隨後照明熱光伏打轉換器26a。在其他實施例中，熱光伏打轉換器由一光伏打、光電、熱離子及熱電轉換器之至少一者取代以接收來自包括一黑體輻射器之頂蓋5b4之發射或熱流。在熱離子及熱電實施例之情況中，熱離子或熱電轉換器可與熱頂蓋5b4直接接觸。熱頂蓋5b4亦可將熱轉移至可充當熱-電轉換器之一熱引擎(諸如郎肯、布雷頓或史特林熱引擎)或加熱器。在一實施例中，除諸如水或空氣之標準介質以外的介質可用作熱引擎之工作介質。在例示性實施例中，烴可取代一渦輪發電機之一郎肯循環中之水，且超臨界二氧化碳可用作一渦輪發電機之布雷頓循環之工作介質。替代性地，熱蓋5b4可充當一熱源或一加熱器或一光源。至熱引擎或加熱器之熱流可為直接或間接的，其中SF-CIHT產生器可進一步包括一熱交換器或熱轉移構件，諸如本發明之熱轉移構件。 可使用泵13a分別透過泵管線13c及13d抽空電池腔室5b3及包括藉由錐體5b2及頂蓋5b4形成之腔室之反應單元腔室之至少一者。對應泵管線閥13f及13e可用於選擇經泵抽容器。電池可進一步包括用於氧、氫、水蒸氣、金屬蒸氣及總壓力之至少一者之能夠承受高溫之一感測器或若干感測器。可藉由本發明之方法將水壓及氫壓控制至一所要壓力，諸如本發明之壓力，諸如在0.1托至1托之範圍中之水蒸氣壓力。在一例示性實施例中，藉由一閥及一氣體供應器維持所要氣體壓力，其中憑藉使用氣體之經量測壓力之回饋控制閥開口以供應一流以維持所要氣體壓力。可藉由以下各者供應H 2O及H 2：氫罐及管線5u，其可包括一電解系統以提供H 2；H 2O/蒸汽罐及管線5v；氫歧管及進料管線5w；H 2O/蒸汽歧管及進料管線5x；H 2/蒸汽歧管5y；直接H 2O/H 2噴射器5z1；及直接H 2O/H 2噴射器閥5z2。在電池中產生之氧可與供應氫反應以形成水以作為抽出或吸收氧之一替代品。分數氫氣體可擴散穿過電池之壁及接頭或流動出一選擇氣體閥。 經密封反應單元腔室5b31中之金屬蒸氣可塗佈電池壁以抑制壁材料之汽化及遷移。在一實施例中，諸如一內電池表面之一表面最初可經塗佈有諸如本發明之塗層、金屬或具有低於表面材料之蒸氣壓力之另一金屬之材料。舉例而言，Mo錐體可在內部塗佈有W以降低內部Mo蒸氣壓力。塗層可進一步保護表面以免表面材料之氧化及汽化之至少一者。諸如氣體之組合物可經添加至反應單元腔室5b31氣氛以穩定或再生電池中之至少一個表面。舉例而言，在錐體5b2及頂蓋5b4之至少一者包括鎢之情況中，一鹵素源氣體(諸如碘氣體或溴氣體)或烴溴化合物(諸如HBr、CH 3Br及CH 2Br 2之至少一者)及視情況痕量氧可經添加至反應單元腔室5b31氣氛以導致W重新沈積於W錐體5b2及W頂蓋5b4表面之至少一者上。電池腔室中之氣氛可包括鹵素型白熾燈泡之氣體。PV轉換器26a之PV電池15上之窗塗層可包括以下材料：鹵素燈、鎢鹵素燈、石英鹵素燈或石英碘燈(諸如石英、熔融石英或諸如鋁矽酸鹽玻璃之玻璃)。可類似地再生錐體5b2及頂蓋5b4之外表面。錐體貯槽5b可在低於頂蓋5b4及錐體5b2之至少一者之一溫度下操作以導致燃料熔體之金屬蒸氣凝結在錐體貯槽5b中以供應燃料(諸如包括經噴射熔融燃料金屬及H 2O及H 2之至少一者之燃料)之再生。反應單元腔室5b31及容置電池26之電池腔室5b3之至少一者可在真空下操作以防止諸如錐體5b2及頂蓋5b4之電池組件之氧化。替代性地，反應單元腔室5b31及電池腔室5b3之至少一者可填充有一惰性氣體以防止錐體5b2及頂蓋5b4之氧化及蒸發之至少一者。在一實施例中，來自燃料熔體之金屬蒸氣塗佈反應單元腔室5b31之內表面且保護其等以免被H 2O燃料氧化。如在本發明中給出，添加H 2氣體或施加一負電壓至諸如錐體5b2及頂蓋5b4之電池組件可減少或避免其等之氧化。頂蓋5b4可包括一白熾燈泡之材料，諸如鎢或鎢錸合金。惰性氣體可為如熟習此項技術者已知的用於一白熾燈泡中之氣體。惰性氣體可包括諸如氬、氪或氙之稀有氣體以及氮及氫之至少一者。惰性氣體可處於諸如用於一白熾燈泡中之一壓力之減壓下。惰性氣體壓力可在約0.01 atm至0.95 atm之範圍中。在其中藉由蒸發及沈積將頂蓋5b4之金屬(諸如Mo或W)轉移至另一電池組件(諸如錐體5b2之外壁、容置電池之電池腔室及PV轉換器26a之一組件)之一實施例中，可藉由將塗層曝露於氧且收集金屬氧化物來移除及再循環諸如一金屬塗層之金屬。氧曝露可在一高溫下。可藉由將面板表面曝露於氧且清除金屬氧化物來清潔PV面板15上之一金屬塗層。在一實施例中，黑體輻射器5b4可經再生或翻新。可藉由沈積黑體輻射器材料達成翻新。舉例而言，可藉由沈積(諸如藉由化學沈積(諸如使用六羰鎢、冷噴霧)或氣相沈積及本發明之其他方法)翻新鎢圓頂5b4。在一實施例中，可藉由電鍍(諸如來自熟習此項技術者已知之一熔融鹽電解質)施加諸如一耐火金屬(諸如W、Mo、Ta或Nb)之一塗層。 獨立於大小及密度之所有粒子經歷相同重力加速度。在一實施例中，反應單元腔室5b31在真空或缺乏除燃料以外的電池氣體(諸如水蒸氣)之情況下操作，使得金屬蒸氣粒子可藉由重力效應而被限制於反應單元腔室5b31之一所要區域。該區域可包括電極區域。在另一實施例中，反應單元腔室5b31在存在一熱轉移氣體之一部分真空下操作以導致金屬蒸氣形成在重力下落下之粒子以導致金屬蒸氣之限制。限制可為至電極區域。熱轉移氣體可包括包含一高熱轉移劑之氫或諸如稀有氣體(諸如氦)之一惰性氣體。熱轉移氣體之壓力可經調整以達成所要限制。所要限制條件可包括藉由氣體及重力之霧化效應之一平衡。 在另一實施例中，反應單元腔室5b31在一惰性氣氛下操作。惰性氣體可具有低於固體燃料熔體之金屬蒸氣(諸如來自熔融Ag或Ag-Cu之蒸氣)之一密度。例示性較低密度惰性氣體係氫及諸如氦或氬之至少一者之稀有氣體之至少一者。金屬蒸氣可歸因於更漂浮惰性氣體之存在而被限制於拋物面反射器碟5b2之電極區域。可利用金屬蒸氣與惰性氣體之密度差異控制限制程度，諸如金屬蒸氣之體積排量。惰性氣體基於其密度之選擇及惰性氣體之壓力之至少一者可經控制以控制金屬蒸氣之限制。SF-CIHT產生器可包括一惰性氣體來源(諸如一罐)及一壓力計、一壓力調節器、一流量調節器、至少一個閥、一泵及一電腦之至少一者以讀取壓力且控制壓力。惰性氣體壓力可在約1托至10 atm之範圍中。在一實施例中，歸因於反應單元腔室5b31之氣氛之溫度梯度之任何氣氛對流可經形成以有利於金屬蒸氣之一所要限制。錐體貯槽5b可冷於金屬蒸氣及與金屬蒸氣接觸之其他接近電池組件(諸如拋物面反射器碟5b2)。氣體對流可歸因於其較低操作溫度而朝向錐體貯槽5b。金屬蒸氣可凝結在錐體貯槽5b中以增強朝向錐體貯槽5b之蒸氣流動方向且增大金屬蒸氣限制。錐體貯槽5b可經冷卻。包括感應耦合加熱器5f之天線之冷卻劑線圈可用於冷卻錐體貯槽5b，或其可藉由一分開冷卻線圈或熱交換器冷卻。在透過貯槽5c移除熱之情況中，可藉由控制沿著貯槽5c及其橫截面區域之熱梯度來控制對應熱功率。在圖15至圖17中展示感應耦合加熱器饋通總成5mc之一示意圖。感應耦合加熱器包括引線5p，其亦充當透過感應耦合加熱器冷卻劑系統入口5ma及感應耦合加熱器冷卻劑系統出口5mb連接至一冷凍器31之冷卻劑管線。在一實施例中，感應耦合加熱器線圈引線穿透至產生器之一密封區段(諸如電池26或下腔室5b5之至少一者)中。經加熱之電池組件之一壁之引線5p穿透部分(諸如感應耦合加熱器饋通總成5mc之凸緣之穿透部分及下真空腔室5b5之穿透部分之至少一者)可電絕緣，使得引線5p並不電短路。 在一實施例中，可藉由使用如在本發明中針對金屬粉末給出之至少一個鼓風機之強制氣流控制金屬蒸氣之限制。在另一實施例中，可藉由使用一電流源使一電流流動通過蒸氣且藉由施加磁通量以導致朝向錐體貯槽5b之一勞侖茲力而限制金屬蒸氣，如在本發明中給出。在另一實施例中，可使用如在本發明中給出之一靜電沈澱器限制金屬蒸氣。 在一實施例中，在起動之後，加熱器可脫離，且冷卻可經接合以將諸如錐體貯槽5b、EM泵、電極8、錐體5b2、窗5b4及PV轉換器26a之電池組件維持在其等之操作溫度(諸如在本發明中給出之操作溫度)。 在實施例中，SF-CIHT電池或產生器亦被稱為在圖1至圖94中展示之SunCell ®，其包括六個基本低維護系統，一些該等系統不具有移動零件且能夠操作較長持續時間：(i)一起動感應耦合加熱器(其包括電源供應器5m、引線5p及天線線圈5f及5o而用以首先熔融銀或銀銅合金以包括熔融金屬或熔體)及視情況一電極電磁泵(其包括磁體8c而用以最初引導點火電漿流)；(ii)一燃料噴射器，諸如包括以下各者之燃料噴射器：氫供應器，諸如透過黑體輻射器之氫滲透供應器，其中可藉由電解自水衍生氫；及一噴射系統，其包括噴射熔融銀或熔融銀銅合金及氧來源(諸如LiVO 3之氧化物或本發明之另外氧化物)之一電磁泵5k及替代性地噴射水蒸氣及氫氣之至少一者之一氣體噴射器5z1；(iii)一點火系統，其產生跨一對電極8(熔融金屬、氫及氧化物或熔融金屬及H 2O及氫氣之至少一者噴射至電極8中以形成發射亮光之電漿)流動之低電壓高電流；(iv)一黑體輻射器，其藉由電漿加熱至白熾溫度；(v)一光-電轉換器26a，其包括所謂的聚光器光伏打電池15以自黑體輻射器接收光且按諸如超過一千Suns之高光強度操作；及(vi)一燃料回收及一熱管理系統31，其導致熔融金屬在點火之後返回至噴射系統。在另一實施例中，來自點火電漿之光可直接照射PV轉換器26a以轉換為電。 在一實施例中，PV轉換器26a之黑體輻射器可包括錐體5b2及頂蓋5b4。兩者皆可包括一高溫材料，諸如碳、一耐火金屬(諸如W、Re)或一陶瓷(諸如過渡元素(諸如鉿、鋯、鉭及鈦)之硼化物、碳化物及氮化物)、Ta 4HfC 5(M.P.=4000°C)、TaB 2、HfC、BN、HfB 2、HfN、ZrC、TaC、ZrB 2、TiC、TaN、NbC、ThO 2、氧化物(諸如MgO)、MoSi 2、W-Re-Hf-C合金及本發明之其他材料。黑體輻射器可包括將光高效地轉移至PV且最佳化PV電池包裝之一幾何結構，其中光功率自反應單元腔室5b31流動。黑體輻射器可包括一平面頂蓋或一半球形圓頂頂蓋5b4 (如在圖1至圖34中展示)且錐體5b2可為錐形。在此情況中，錐體5b2亦藉由一氣體或真空間隙與PV轉換器26a分離，其中PV電池位置自外錐體表面以及外頂蓋表面接收黑體光。替代性地，黑體輻射器可為球形。產生器可進一步包括一周邊腔室，其能夠經密封至大氣且進一步能夠維持小於、等於及大於大氣壓之一壓力之至少一者。產生器可包括一球形壓力或真空容器，其在包括電池腔室5b3之圓頂周邊。電池腔室可由熟習此項技術者已知之提供結構強度、密封及熱轉移之合適材料組成。在一例示性實施例中，電池腔室包括不銹鋼及銅之至少一者。PV電池可覆蓋電池腔室內部，且諸如熱交換器87之PV冷卻系統可覆蓋電池腔室之外表面。在一熱光伏打實施例中，PV轉換器26a可包括用於至PV轉換器26a之可見光波長之一選擇性濾波器，諸如光子晶體。圓頂5b4可藉由一接頭5b1連結至錐體貯槽5b。接頭可至少部分熱絕緣圓頂與錐體貯槽5b。接頭可包括一熱絕緣墊圈，諸如包括本發明之一絕緣體(諸如SiC)之墊圈。 在一實施例中，黑體輻射器包括一球形圓頂5b4 (亦包括錐體5b2)，其可經連接至錐體貯槽5b。可藉由壓縮連結該等連接，其中密封件可包括一墊圈，諸如碳墊圈，諸如Graphoil墊圈。在一實施例中，石墨錐體或球體之內表面經塗佈有能夠承受高溫之碳化物，諸如Ta 4HfC 5(M.P.=4000°C)、碳化鎢、碳化鈮、碳化鉭、碳化鋯、碳化鈦或碳化鉿。對應金屬可與石墨表面之碳反應以形成一對應金屬碳化物表面。圓頂5b4可藉由一氣體或真空間隙與PV轉換器26a分離。在減小入射於PV電池上之光強度之一實施例中，PV電池可經定位成更遠離於黑體輻射器。舉例而言，周邊球形腔室之半徑可經增大以減小自內球形黑體輻射器發射之光強度，其中PV電池經安裝於周邊球形腔室之內表面上。PV轉換器可包括由複數個PV電池組成之一密集接收器陣列(DRA)。DRA可包括一嵌鑲地板形狀。個別PV電池可包括三角形、五邊形、六邊形及其他多邊形之至少一者。形成一圓頂或球形形狀之電池可經組織成一測地圖案(圖26至圖34)。在諸如3500 K之一高溫下操作之一次級黑體輻射器之一例示性實施例中，輻射發射率為約8.5 MW/m 2乘以發射率，其大於PV電池可接受之最大值。在此情況中，可藉由施加碳化鎢塗層將具有約1之一發射率之一碳圓頂5b4之發射率減小至約0.35。在另一實施例中，PV電池(諸如包括一外測地圓頂之PV電池)可為傾斜及包括一反射塗層之至少一者以將藉由PV電池吸收之光減少至PV電池之強度能力內之一位準。至少一個PV電路元件(諸如PV電池電極、互連件及匯流條之群組之至少一者)可包括具有一高發射率之一材料，諸如一拋光導體，諸如拋光鋁、銀、金或銅。PV電路元件可將來自黑體輻射器5b4之輻射反射回至黑體輻射器5b4，使得PV電路元件並不顯著促成遮蔽PV電力轉換損耗。 在一實施例中，圓頂5b4可包括可分離之複數個區段，諸如可分離頂半球及底半球。兩個半球可在一凸緣處連結。可藉由此項技術中已知的技術製造W圓頂，諸如燒結W粉末、火花電漿燒結、鑄造及藉由粉末層雷射熔融進行3D印刷。下腔室5b5可在半球凸緣處連結。電池腔室可藉由能夠承受真空、大氣壓及高於真空之壓力之至少一者之一凸緣附接至下腔室。下腔室可經密封而與電池腔室及反應單元腔室之至少一者阻隔。氣體可滲透在電池腔室與反應單元腔室之間。氣體交換可平衡兩個腔室中之壓力。諸如氫及一稀有氣體(諸如氬)之至少一者之氣體可經添加至電池腔室以使氣體藉由滲透或流動供應至反應單元腔室。可針對諸如氬-H 2之所要氣體選擇滲透及流動。諸如銀金屬蒸氣之金屬蒸氣不可滲透或流動可受限制，使得其選擇性地僅保留於反應單元腔室中。可藉由將錐體貯槽維持在凝結金屬蒸氣且將其之蒸氣壓力維持在一所要位準之一溫度下而控制金屬蒸氣壓力。可使用低於操作壓力(諸如大氣壓)之一氣體壓力(諸如氬-H 2氣體壓力)開始產生器，使得超壓並不隨著電池加熱及氣體膨脹而產生。可使用一控制器(諸如一電腦、壓力感測器、閥、流量計及本發明之一真空泵)控制氣體壓力。 在一實施例中，藉由充當傳導基質之銀蒸氣維持分數氫反應。來自貯槽之銀之連續噴射(其中至少一部分變為蒸氣)及直接沸騰之至少一者可提供銀蒸氣。電極可提供高電流至反應以移除電子且起始分數氫反應。來自分數氫反應之熱可協助將諸如銀金屬蒸氣之金屬蒸氣提供至反應單元腔室。在一實施例中，通過電極之電流可至少部分經轉向至與電漿接觸之替代或補充電極。電流轉向可在銀蒸氣之壓力變得足夠高以使銀蒸氣至少部分充當傳導基質之後發生。與電漿接觸之替代或補充電極可包括一或多個中心電極及反應單元腔室之周邊周圍之相對電極。電池壁可充當一電極。 在一實施例中，藉由電池之一可移動組件上之壓縮來量測銀蒸氣壓力。在一實施例中，藉由壓縮將匯流條固持在電池壁穿透部分處之適當位置中，其中使用一應變計記錄歸因於銀壓力之位移。電池可包括一應變計以量測歸因於內部壓力之匯流條上之向外壓縮力以作為量測銀蒸氣壓力之一方法。在一實施例中，與反應單元腔室接觸之電池之一可移動或可變形組件可經機械聯結至一應變計以量測反應單元腔室壓力。在一實施例中，自一電池組件之溫度(諸如反應單元腔室5b31溫度及圓頂5b4溫度之至少一者)量測銀蒸氣壓力，其中可自黑體輻射光譜判定電池組件溫度且可已知組件溫度與銀蒸氣壓力之間的關係。在另一實施例中，可藉由與銀蒸氣接觸之兩個電極量測銀蒸氣壓力，該兩個電極能夠量測銀蒸氣之傳導性且自傳導性與壓力之所判定關係判定銀蒸氣壓力。用於壓力感測電極之電連接件可沿著匯流條穿過導管。 在一實施例中，PV轉換器之至少一部分(諸如測地PV轉換器之至少一個半球)經圍封於能夠承受小於、等於或大於大氣壓之一壓力之至少一者之一外腔室中。在一實施例中，下腔室5b5可在一可分離凸緣處連結至測地PV轉換器及圓頂之至少一者。底半球可包括底部處之一頸部。貯槽5c可附接至頸部。附接件可包括螺紋。頸部可連接至具有一所要大小及形狀之一貯槽以容納所要體積之熔體、在起動期間促進加熱及在操作期間促進加熱器轉移之所要速率之至少一者。匯流條9及10及電極8之至少一者可穿透諸如錐體貯槽5b或貯槽5c (圖29至圖34)之頸部。在一實施例中，匯流條及電極可平行，且頸部寬度可經最小化，使得自放置於頸部之壁外部之至少一個磁體至點火點之距離經最小化。最小化距離可最佳化點火點處之磁場強度以最佳化電極EM泵之效能。 頸部穿透部分可包括電饋通。饋通10a可包括緊密穿透諸如貯槽壁之壁之電極上之一絕緣層。該層可包括鎢電極上之氧化鎢層。饋通可包括諸如一陶瓷(諸如電極上之富鋁紅柱石或SiC)之一高溫絕緣材料之一塗層。在一實施例中，諸如匯流條或電極之點火組件可經電鍍有諸如可經氧化以形成一絕緣層之一金屬之一材料。金屬可包括可藉由陽極氧化進行氧化之鋁。在一例示性實施例中，將鋁電鍍至匯流條及電極之至少一者上且使其陽極氧化以製成鋁層非傳導氧化鋁。可製成貯槽壁中之穿孔以形成用於穿透組件(諸如非傳導區段之位置處之匯流條及電極之一者)之一緊密配合。 在一實施例中，匯流條可包括電極端部處之一彎管以使所附接電極升高而更接近於圓頂或錐體。在一實施例中，電極包括凸輪以使點火點在反應單元腔室5b31中升高。凸輪電極可藉由諸如螺紋、螺釘或焊道之一緊固件附接至匯流條。匯流條與所附接凸輪電極之旋轉可導致電極間隙8g改變。頸部可進一步包括用於一電極電磁泵之一磁體之至少一個穿透部分。在一實施例中，諸如電極電磁泵之電磁泵之磁體包括電磁體，其等進一步包括一鐵磁芯，諸如鐵或鈷芯。磁場可與電極同軸。 匯流條及電極可相對於彼此傾斜以容納磁體8c (圖32至圖34)。可藉由至電極2之電源及一替代電源供應器之至少一者提供用於電磁體8c之電流。在前者情況中，至電磁體之電流可平行於點火電流。鐵磁芯可緊密接近電極且可經進一步冷卻。在另一實施例中，匯流條9及10及所附接電極8可具有相對於彼此之任何所要定向。定向可促進電極磁體8c經放置成接近於點火點以最佳化交叉磁場及電流之位置處之磁場強度且藉此最大化EM泵之勞侖茲力。在圖35至圖38中展示之一例示性實施例中，匯流條及電極之至少一者可相對於彼此定向成約180°。電極端部可形成間隙8g，或電極可側對側重疊以形成間隙8g。用於匯流條及電極之至少一者之饋通可在頸部之相對壁上。饋通可包括本發明之一耐火絕緣體，諸如包括槽(電極穿透通過該槽)之陶瓷板。磁體可經放置成橫向於電極間軸。相對於一對匯流條-電極組之另一者插入或抽出各匯流條-電極組可調整電極間間隙8g。用於電極EM泵之磁場源可包括永久磁體、電磁體及磁軛之至少一者。電極可定位於錐體貯槽5b之頂部處圓頂5b4之週邊位準處，使得經發射之光進入圓頂，如在圖39至圖45中展示。各電極8可包括自匯流條9或10之一延伸部分以將點火點定位於圓頂之入口位準處。一例示性延伸部分可包括一L狀電極，諸如在圖39至圖45中展示。在一實施例中，可藉由可使冷卻劑在磁體8c與一冷凍器(諸如輻射器31)之間循環之電極電磁泵冷卻管線8c2 (圖45)冷卻磁體。在一實施例中，可藉由諸如PV轉換器熱交換器87之一散熱器冷卻磁體。PV熱交換器之一冷板可接觸各磁體以使其冷卻。各磁體8c可包括自一較大主體之一延伸部分，諸如自定位於下腔室5b5中之下部之磁體主體延伸之一馬蹄形狀。或，磁體可經定位於圓頂與電池腔室5b3之殼體之間。圓頂可包括凹痕以容納磁體。在另一實施例中，可藉由至少一個擋板8d (諸如耐火擋板，諸如W擋板)將經噴出之點火產物至少部分包含於點火位點附近之一反應單元腔室區域。在一實施例中，電極電磁泵自噴嘴噴射向上泵抽諸如銀之熔融金屬以增大流動速率且防止背壓或經噴射流之回流。未形成電漿之向上材料流可撞擊反應單元腔室之頂部或一下擋板8d以導致熔體返回至貯槽5c。在一實施例中，點火電路可包括至少一個有抗電路元件(諸如電容器及電感器之至少一者)以包括一有抗電路。電極之間的熔體可充當一電阻負載。電抗可經選擇以維持一所要點火頻率，諸如在約1 Hz至10,000 Hz之範圍中之點火頻率。點火電路可包括一LRC電路。電源2可包括電容器及電感器之至少一者。點火電路可包括一變壓器。變壓器可輸出高電流。產生器可包括自PV轉換器接收DC功率且輸出AC之一換流器。產生器可包括DC至DC電壓及電流調節器以改變來自PV轉換器之可輸入至換流器之電壓及電流。至變壓器之AC輸入可來自換流器。換流器可在所要頻率(諸如在約1 Hz至10,000 Hz之範圍中之頻率)下操作。在一實施例中，PV轉換器26a輸出DC功率，其可直接饋送至換流器或可在輸入至換流器之前進行調節。經反相之功率(諸如60 Hz AC)可直接供電給電極或可經輸入至一變壓器以增大電流。在一實施例中，電源2提供連續DC或AC電流至電極。電極及電磁泵可支援諸如包括氧來源之熔融Ag之經噴射熔體之連續點火。 諸如L狀電極之電極可具有任何合適形狀(諸如條或棒)或可經附接至條或棒饋通。在一實施例中，一棒匯流條或電極穿透諸如貯槽或錐體貯槽之電池組件。穿透部分可電絕緣。絕緣部分可包括一陶瓷軸環，諸如MgO、富鋁紅柱石、氧化鋯、碳化矽或氧化鋁軸環。軸環可壓配合至電池組件中。可藉由以下步驟達成壓配合：加熱且膨脹組件；插入具有覆蓋軸環之匯流條或電極；及允許組件冷卻以導致一緊密配合。可藉由諸如金屬O形環(諸如一耐火金屬O形環)之至少一個O形環將軸環密封至匯流條或電極及電池組件之至少一者。穿透部分可包括一導管，其中O形環密封在導管之內壁與軸環之外表面之間。一O形環亦可密封匯流條或電極軸環套節。匯流條可包括一棒，其中可附接諸如鎢電極之一電極。電極可包括一棒區段及一平面區段。棒區段可鄰接棒匯流條。棒匯流條之終端部分可經切除以形成用於對應電極之一基座。棒電極可使終端部分切除以形成一平面。匯流條及電極可經定向於電池之相對側上(諸如錐體貯槽之相對側上)。各電極之平面部分可在與匯流條之連接件相對之端部處。各電極之平面區段之至少一部分可在一並排定向上重疊。電極可在操作期間以諸如在約1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一頻率振動。該頻率可為藉由反應壓力及電極系統之質量及彈簧常數維持之一固有頻率，或振動可在外部以該頻率驅動。機械振動頻率可導致經噴射熔融金屬及分數氫反應物以該頻率點火。 可藉由本發明之方法達成負載追隨。在一實施例中，包括至PV轉換器26a之一黑體輻射器之頂蓋或圓頂5b4可在向下調整來自反應單元腔室5b31之電力時十分快速地輻射出其之儲存能量。在一實施例中，輻射器表現為具有一類似光中止時間之一白熾燈絲，其中中斷自反應單元腔室5b31至輻射器5b4之功率流。在另一實施例中，可藉由在對應於約一恆定操作溫度之約一恆定功率流下操作輻射器而達成電負載追隨，其中至負載之非所要功率經消散或傾卸至諸如一電阻器(諸如SiC電阻器或本發明之其他加熱元件)之一電阻元件中。 在一實施例中，產生器可包括一智慧型控制系統，其智能地啟動及撤銷啟動複數個負載之負載以控制峰值聚合負載。產生器可包括複數個產生器，其等可經聯合以用於可靠性及提供峰值功率之至少一者。可藉由遙測術(諸如藉由使用具有WiFi之一蜂巢式電話或個人電腦)達成智慧型計量及控制之至少一者。 在一實施例中，可藉由此項技術中已知的方法(諸如氣相沈積或化學沈積)施加碳化物塗層。在一例示性實施例中，羰基分解充當金屬及金屬碳化物塗佈碳錐體或圓頂之至少一者之方法。當用作藉由化學沈積形成鎢或碳化鎢之一方法時，W(CO) 6在170°C分解為W。 在一實施例中，隨機引導來自圓頂或頂蓋5b4之黑體光。該光可經反射、吸收及在輻射器圓頂5b4與PV電池15之間來回再輻射之至少一者。PV電池可最佳地傾斜以達成所要PV吸收及光至電轉換。PV蓋玻璃之反射率可依據位置而變化。可使用具有空間可變反射率之一PV窗達成反射率之變化。可使用一塗層達成可變性。一例示性塗層係MgF 2-ZnS抗反射塗層。PV電池可經幾何配置以達成所要PV電池吸收及反射，此涉及圓頂與PV電池之至少兩者之間、複數個PV電池之間及複數個PV電池與圓頂之間的功率流相互作用。在一實施例中，PC電池可經配置成具有依據表面角度而變化之一可變半徑之一表面，諸如一起皺表面，諸如起皺測地圓頂。在一實施例中，頂蓋或圓頂5b4可具有相對於彼此成角度之元件以定向發射、吸收及反射輻射至PV電池或自PV電池定向發射、吸收及反射輻射之至少一者。在一實施例中，圓頂或頂蓋可包括黑體輻射器表面上之元件發射器板以匹配PV定向以達成至PV電池之一所要功率轉移。黑體輻射器、反射器或吸收器表面之至少一者可具有發射率、反射率、吸收係數及表面積之至少一者，其經選擇以達成至涉及輻射器及PV電池之PV轉換器之所要功率流。功率流可涉及PV電池與圓頂之間的輻射反彈。在一實施例中，黑體輻射器圓頂或頂蓋5b4之內表面對外表面之發射率及表面積之至少一者經選擇以達成至PV電池之一所要功率流對返回至反應單元腔室5b31中之功率流。在一實施例中，分數氫程序發射之光具有短於圓頂或頂蓋之黑體輻射之波長。圓頂或頂蓋之內表面可吸收及熱化高能光。圓頂或頂蓋5b4之內表面可包括相較於外表面之一相對低發射率及表面積之至少一者，使得黑體輻射主要自外表面流動至PV電池而非自內表面流動至反應單元腔室5b31中。 在一實施例中，產生器可在其中金屬蒸氣之蒸氣壓力為低且藉由諸如UV及EUV光之點火電漿光至少部分直接照射頂蓋5b4之條件下操作。可藉由具有合適幾何結構及發射率之一錐體將頂蓋之一次電極發射及二次發射之至少一部分反射至頂蓋。頂蓋5b4之內表面可具有一高發射率；然而，錐體可包括一低發射率以優先地將頂蓋5b4加熱至高於錐體之一溫度。在錐體-頂蓋溫度差之情況下，錐體可包括具有低於頂蓋材料之一熔點之一材料。在一實施例中，來自分數氫反應之光直接照射頂蓋以選擇性地加熱頂蓋以充當至PV轉換器26a之一黑體輻射器。來自黑體輻射器5b4之內部發射可自諸如錐體5b2之電池組件反射至頂蓋5b4。諸如錐體之電池組件可呈一幾何形式以促進反射至蓋黑體輻射器5b4。 在一實施例中，諸如UV及EUV之至少一者之高能光可在反應單元腔室5b31中解離H 2O及H 2之至少一者以增大分數氫反應之速率。解離可為熱解效應之一替代品。在一實施例中，溫度維持低以避免諸如銀之熔融金屬之汽化。在一實施例中，電極經冷卻以降低銀汽化量。在此情況中，錐體貯槽中之金屬蒸氣凝結可經降低以減少熱損耗及熱冷卻負載。在一實施例中，在藉由減小電極電阻來減小點火功率時可將電極維持在一較低溫度下。可藉由焊接、合金化、形成一混合物、熔融及將匯流條金屬緊密緊固至電極金屬之至少一者來降低電極電阻。在一例示性實施例中，附接包括Mo-Cu或W-Cu合金、混合物或焊道之至少一者。在一實施例中，UV解離可充當產生氣相或電漿相分數氫反應之一方法。在此情況中，可最小化諸如銀之熔融金屬之汽化。可藉由冷卻電極抑制汽化。減小電極電阻亦可降低電極溫度。較低電阻可降低點火功率且用於降低電極電阻加熱。熔融匯流條及電極連接處之金屬可降低電極電阻。在一實施例中，可降低點火電路之電阻。可藉由使用自電源2至匯流條9及10之電纜連接件(諸如編織電纜，諸如李茲(Litz)電纜)降低用於諸如在脈衝期間發生之快速電暫態之電阻。在一實施例中，電極總成包括與一內匯流條接觸之外電極。匯流條可經冷卻。電極與匯流條之接觸可冷卻電極之至少一部分。電極沿著其整個長度之匯流條接觸可冷卻整個電極。各電極可包括與其匯流條(其可經冷卻)同心之一管。外電極管可包括一耐火金屬，諸如W、Ta或Mo。匯流條可包括一高導體，諸如銅。外電極管可包括一所要形狀，諸如圓形管狀、方形管狀、矩形管狀及三角形管狀之一者。內匯流條可具有相同形狀。匯流條可包括具有用於冷卻劑回流之一同心外通道之一中心線入口冷卻劑管。冷卻劑可包括水。可使用諸如一輻射器之一冷凍器冷卻水。 在一實施例中，諸如W管之同心管可包括一半圓以最小化用於熔融金屬固化及黏著之表面積。在一實施例中，匯流條及至電極之電連接件(諸如同心管)可僅冷卻至匯流條附接端部。電極可為固體以改良一較高操作溫度下之傳導性。操作溫度可大於諸如銀熔體之熔體之熔點。在一實施例中，匯流條經冷卻至恰在W管電極之前。在一例示性實施例中，電極包括匯流條之端部上之一尖端，其包括具有大於一同心管之一橫截面以便降低歸因於較高操作溫度之電阻之一W棒電極。在一實施例中，經冷卻匯流條覆蓋有一屏蔽以防止金屬熔體黏著。屏蔽可包括不黏著金屬之一材料，諸如石墨。屏蔽可在其與經冷卻匯流條之間具有一間隙且可維持在高於金屬熔體之熔點之一溫度下以防止熔融金屬黏著。在一實施例中，電極可穿透錐體貯槽5b，使得僅電極曝露至熔融金屬以避免熔體黏著至電極所附接之經冷卻匯流條。 在另一實施例中，產生器經操作以維持反應單元腔室5b31中之一高金屬蒸氣壓力。高金屬蒸氣壓力可產生一光學上厚之電漿以將來自分數氫反應之UV及EUV發射轉換為黑體輻射及充當諸如用於分數氫反應之一傳導基質之一反應物以增大其反應速率之至少一者。分數氫反應可在藉由水之熱解支援之反應單元腔室中傳播。金屬蒸氣及黑體溫度之至少一者可較高(諸如在1000 K至10,000 K之範圍中)以支援水之熱解以增大分數氫反應速率。分數氫反應可以氣相及電漿相之至少一者發生。金屬可藉由電磁泵噴射至電極中且藉由點火電流及來自分數氫反應之熱之至少一者汽化。反應條件、電流及電極間隔可經調整以達成所要金屬蒸氣壓力。在一實施例中，電極經機械攪拌(諸如振動)以使金屬蒸氣霧化。機械攪拌可包括本發明之一構件，諸如用於使諸如銀之金屬霧化之壓電、氣動或電磁振動器。電極電磁泵亦可經定向以將形成於點火中之超熱金屬蒸氣自電極間隙泵抽至反應單元腔室中以增大金屬蒸氣壓力。在一實施例中，噴射系統進一步包括噴嘴之一操縱器以調整其相對於電極之位置。操縱器可包括一伺服馬達、機械(諸如一螺釘機構)、電磁、氣動及熟習此項技術者已知的其他操縱器之至少一者。螺釘機構可比較相對於彼此成180°之兩個螺紋螺栓，其等旋合至貯槽之圓形週邊中且在相對側上接觸噴嘴，其中一個螺栓相對於另一螺栓之相反旋轉藉由使噴嘴偏轉而移動噴嘴。 產生器在高於金屬蒸氣之金屬來源之沸點之一溫度下之操作可導致大於大氣壓之一反應單元腔室壓力。在高於對應金屬沸點之操作溫度下，可藉由控制反應單元腔室中之金屬蒸氣壓力而避免自電池密封件(諸如頂蓋及錐體接頭處之密封件)之金屬蒸氣洩漏及一電池組件(諸如錐體)之結構失效之至少一者。可藉由控制由電磁(EM)泵供應至腔室之金屬蒸氣量及藉由控制諸如電池貯槽之一電池組件之溫度之至少一者控制金屬蒸氣壓力。EM泵可經控制以在達成所要金屬蒸氣壓力時停止泵抽。在一實施例中，金屬蒸氣之凝結經減小或最小化以避免過量熱轉移至除PV轉換器26a之黑體輻射器以外的一電池組件(諸如頂蓋5b4)。主動冷卻可經施加以控制電池組件之溫度。可藉由水冷卻達成冷卻。在一實例中，可使用感應耦合加熱器線圈達成水冷卻。替代性地，電池腔室之壓力可匹配至反應單元腔室之壓力，使得不存在跨腔室之一壓力梯度。可藉由自藉由一閥、調節器、控制器及壓力感測器控制之一氣體供應器添加諸如稀有氣體之氣體至電池腔室而等化或平衡腔室壓力。在一實施例中，電池組件接頭、諸如錐體5b2之至少一個電池組件及一閥之至少一者可在電池腔室5b3與反應單元腔室5b31之間滲透或洩漏氣體。腔室氣體(但非金屬蒸氣)可移動及平衡兩個腔室之壓力。可使用諸如稀有氣體之一氣體將兩個腔室加壓至一高壓。壓力可高於金屬蒸氣之最高操作分壓。最高金屬蒸氣分壓可對應於最高操作溫度。在操作期間，金屬蒸氣壓力可增大反應單元壓力，使得氣體選擇性地自反應單元腔室5b31流動至電池腔室5b3直至壓力平衡且反之亦然。在一實施例中，兩個腔室之間的氣體壓力自動平衡。可藉由氣體在腔室之間的選擇性遷移率達成平衡。在一實施例中，避免壓力偏離，使得避免大壓力差。 電池腔室中之壓力可維持大於反應單元腔室中之壓力。外電池腔室中之較大壓力可用於將諸如頂蓋、錐體及錐體貯槽之電池組件機械地固持在一起。 在一實施例中，金屬蒸氣維持在一穩態壓力下，其中最小化蒸氣凝結。可在一所要金屬蒸氣壓力下停止電磁泵。EM泵可經間歇啟動以泵抽以維持所要穩態壓力。金屬蒸氣壓力可維持在0.01托至200 atm、0.1托至100 atm及1托至50 atm之至少一個範圍中。 在達成一高分數氫功率之一實施例中，電極電磁泵抽行動經控制以控制諸如波形、峰值電流、峰值電壓、恆定電流及恆定電壓之點火電流參數。在一實施例中，波形可為最佳化所要功率輸出及效率之任何所要波形。波形可為恆定電流、恆定電壓、恆定功率、鋸齒、方形波、正弦、梯形、三角形、具有截止點之斜升、斜升-斜降及此項技術中已知的其他波形。在其中波形具有約零電壓或電流之一部分之情況中，工作循環可在約1%至99%之範圍中。頻率可為任何所要頻率，諸如在約0.001 Hz至1 MHz、0.01 Hz至100 kHz及0.1 Hz至10 kHz之至少一個範圍中。波形之峰值電流可在約10 A至1 MA、100 A至100 kA及1 kA to 20 kA之至少一個範圍中。可藉由電阻與電流之乘積給出電壓。在一例示性實施例中，波形係具有1 Hz與2 Hz之間的一頻率、2 kA與3 kA之間的一峰值電流及藉由電極處之經噴射熔融金屬之電流與電阻之乘積給出之一電壓之一鋸齒，其中在熔融金屬作為電漿點火及噴出之後的斷路條件期間之電壓可更高，諸如在約2V至15 V之範圍中。一替代例示性波形可包括一鋸齒與高頻率電流脈衝(諸如1 Hz至2 Hz鋸齒與0.1 kHz至2 kHz脈衝)之間的一變更，其中鋸齒對脈衝工作循環為約20%至60%。在一實施例中，間歇地將電力施加至點火系統，其中斷開週期允許電極冷卻。工作循環之斷開週期可經調整至任何所要者以最佳化產生器之反應及效能。在一實施例中，電源2可包括一電容器庫。在一實施例中，電容器電流自較低電流斜升至一較高電流以為一連續電流及點火模式供電。電流斜坡可在一脈衝電流模式內維持一恆定電流以消除脈衝模式之無功電壓尖峰。在一實施例中，諸如電容器庫之電源2可經冷卻。冷卻系統可包括本發明之冷卻系統，諸如一輻射器。 在一實施例中，電源2包括具有不同數目個串聯及並聯電容器之一電容器庫以提供最佳電極電壓及電流。PV轉換器可將電容器庫充電至所要最佳電壓且維持最佳電流。可藉由增大跨電極之電阻來增大點火電壓。可藉由在一更高溫度下(諸如在約1000 K至3700 K之溫度範圍中)操作電極而增大電極電阻。可藉由控制點火程序及電極冷卻來控制電極溫度以維持一所要溫度。電壓可在約1 V至500 V、1 V至100 V、1 V至50 V及1 V至20 V之至少一個範圍中。電流可在約10 A至100 kA、100 A至10 kA及100 A至5 kA之至少一個範圍中。在一例示性實施例中，電壓在150 A與250 A之間的一恆定電流下為約16 V。在一實施例中，歸因於分數氫反應之功率在正電極處歸因於一更高分數氫反應速率而更高。更高速率可係歸因於藉由正電極自反應電漿更有效地移除電子。在一實施例中，分數氫反應取決於在更高施加電極電壓下有利之電子移除。亦可藉由使與反應電漿接觸之電池組件接地而增強電子移除。產生器可包括額外接地或正偏壓電極。電容器可包含於一電容器外殼90 (圖57)中。 在一實施例中，一升高電極溫度經維持以使諸如熔融銀之經噴射熔融金屬汽化。電極溫度可在高於經噴射熔融金屬之汽化溫度且低於電極之熔點之一溫度範圍中。電極溫度可比熔體之汽化溫度高約10°C至1000°C、10°C至700°C及10°C至500°C之至少一個範圍。電極溫度可比電極之熔點溫度低約10°C至1000°C、10°C至700°C及10°C至500°C之至少一個範圍。可藉由本發明之電極冷卻系統維持電極溫度，諸如電極可散熱至其之匯流條水冷卻系統。可藉由諸如水之一冷卻劑中心冷卻電極。諸如銀之熔體之汽化可增大電極電壓降。電壓可升高，諸如在約1 V至100 V、1 V至50 V及1 V至25 V之至少一個範圍中。電流可經脈衝或連續。電流可在約50 A至100 kA、100 A至10 kA及300 A至5 kA之至少一個範圍中。汽化熔體可提供一傳導路徑以自分數氫催化反應移除電子以增大反應速率。在一例示性實施例中，銀蒸氣壓力歸因於鎢電極在約2162°C至3422°C之溫度範圍中汽化而升高，諸如在約0.5 atm至100 atm之範圍中，電壓可約為10 V至16 V，且電流可在約200 A至500 A處連續。一些電流脈衝可經疊加於連續電流上。 如在圖63中展示，電極總成可包括用於入口冷卻劑流之一內插管91a (其中冷卻劑可包括水)、一電極冷卻劑入口91b、一電極冷卻劑出口91c、匯流條9及10、至電源2之匯流條連接器9a、壓力腔室之電極饋通10a、至匯流條連接器91a之一雙螺紋電極、各可螺合至貯槽5c中之一組螺紋電極8及將各電極擰緊於貯槽壁外部上之一鎖定O形環8a及鎖定螺帽8a1。 在一實施例中，點火系統包括跨電極8之一電源2及通過點火電漿之一電源2。點火系統可包括具有獨立電壓及電流(諸如本發明中給出之電壓及電流範圍)之複數個電源2。電源2可以串聯及並聯之至少一者提供電力至電極及電漿。一單一電源2可使用對應於導致經噴射熔體之崩潰之一電壓之一電壓斜坡斜升通過經噴射熔體之電流以形成電漿。電源2接著可輸出一增大電壓以導致電流流動通過經噴射熔體及電漿兩者。電流可流動通過諸如在電極之間及在與電漿接觸之至少一個額外電極之間之多個路徑。至少一個額外電極可在反應腔室中處於與電極8相距諸如在0.001 m至1 m之範圍中之一所要距離處。距離可係使得電壓在約0.1 V至1000 kV之範圍中且對應電流在約100 A至10,000 A之範圍中。 在一實施例中，藉由至少一個電源施加之電壓相對於藉由電流乘以諸如熔融銀之經噴射熔體之典型電阻給出之電壓較高。在一實施例中，熔體之電阻在約100微歐姆至600微歐姆之一範圍中。在一實施例中，高電壓中斷藉由EM泵噴射熔體以增大電阻。阻抗可增大。可藉由來自點火電漿之壓力中斷噴射。高電壓可增大分數氫反應速率。可藉由產生HOH觸媒及原子H之至少一者之一較高濃度而增大分數氫反應速率。一例示性電壓為約16 V，且例示性對應電流為約1 kA。 在一實施例中，諸如接地電極及諸如貯槽5c、錐體貯槽5b及圓頂5b4之一電池組件之至少一個電池組件可電接地。 在一實施例中，SunCell可包括液體電極。電極可包括液體金屬。液體金屬可包括燃料之熔融金屬。噴射系統可包括至少兩個貯槽5c及實質上可彼此電隔離之至少兩個電磁泵。複數個噴射系統之各者之噴嘴5q可經定向以導致複數個熔融金屬流交叉。各流可具有至一電源2之一終端之一連接件以提供電壓及電流至交叉流。電流可自一個噴嘴5q流動通過其熔融金屬流而至其他流及噴嘴5q且返回至電源2之對應終端。電池包括一熔融金屬返回系統以促進經噴射熔融金屬返回至複數個貯槽。在一實施例中，熔融金屬返回系統最小化通過熔融金屬之點火電流及噴射電流之至少一者之短路。反應單元腔室5b31可包括一底板，其引導經噴射熔融金屬回流至分開貯槽5c中，使得銀在分開貯槽5c中實質上隔離以透過連接貯槽之銀最小化電短缺。透過銀在貯槽之間之回流之電傳導之電阻可實質上高於透過交叉銀之電傳導之電阻，使得大部分電流流動通過交叉流。電池可包括一貯槽電隔離器或分離器，其可包括一電絕緣器，諸如具有低傳導性之一陶瓷或一耐火材料，諸如石墨。 分數氫反應可導致產生一高電子濃度，此可減慢進一步分數氫產生且藉此抑制分數氫反應速率。點火電極8處之一電流可移除電子。在一實施例中，諸如一固體耐火金屬電極之一固體電極易於在其係正電極或陽極時熔融，此係歸因於偏好在陽極處移除電子以導致一高分數氫反應速率及局部加熱。在一實施例中，電極包括液體電極及固體電極之一混合體。陽極可包括一液體金屬電極且陰極可包括一固體電極(諸如W電極)且反之亦然。液體金屬陽極可包括至少一個EM泵及噴嘴，其中液體金屬經噴射以與陰極接觸以完成噴射電路。 熔融金屬泵抽可經調整以達成點火電流脈衝。調整可包括一時變泵壓力及速率之至少一者。脈衝可維持疊加於一連續電流上。在電漿發射係可見光及UV區域中之黑體發射及電漿發射係UV及EUV發射之至少一個情況中，可維持電流脈衝。在一實施例中，電極EM泵自電極間隙泵抽過量熔融金屬以間歇地產生一斷路。可在一點火事件之後達成斷路以使用來自點火之各電流脈衝間歇地產生一斷路。在改良電力平衡之一實施例中，電極電磁泵之磁體8c及對應於泵抽點火產物之電流形成一交叉電流及磁場，其中電流經歷沿著電極間軸之一勞侖茲力。電流上之勞侖茲力產生跨電極之一電壓。電壓可導致電流流動通過點火電路以對諸如電容器之電源2再充電。點火系統可包括一磁流體動力(MHD)產生器，其包括電極電磁泵磁體、移動點火產物及點火電極8。MHD電力可對諸如電容器庫之電源2再充電。 在一實施例中，在分數氫反應在缺乏電力輸入之情況下傳播時終止點火功率。分數氫反應可在藉由水之熱解支援之反應單元腔室中傳播。獨立於點火功率之反應可在合適反應條件下自傳播。反應條件可包括一高溫及合適反應物濃度之至少一者。分數氫反應條件及電流之至少一者可經控制以達成電極之至少一部分上之一高溫以達成熱解。反應溫度及電極之一部分之溫度之至少一者可為高，諸如在約1000°C至20,000°C、1000°C至15,000°C及1000°C至10,000°C之至少一個範圍中。合適反應濃度可包括在約0.1托至10,000托、0.2托至1000托、0.5托至100托及0.5托至10托之至少一個範圍中之一水蒸氣壓力。合適反應濃度可包括在約0.1托至10,000托、0.2托至1000托、0.5托至100托及0.5托至10托之至少一個範圍中之一氫壓。合適反應濃度可包括在約1托至100,000托、10托至10,000托及1托至760托之至少一個範圍中之一金屬蒸氣壓力。反應單元腔室可維持在維持最佳化分數氫反應速率之一金屬蒸氣壓力之一溫度。 在一實施例中，固體燃料傳播分數氫反應。可在固體燃料之反應物之一反應中形成HOH觸媒及H。來自反應之熱可足以藉由熱解產生H。例示性固體燃料包括Ag+CuO+Al+冰、Cu+CuO+Al+冰、氧化鎢+Al+冰、氫氧化鎢+Al+冰、氫氧化鎢+Al、水合氧化鎢+Al+冰及水合氧化鎢+Al。 在一實施例中，HOH觸媒來源及H來源包括經噴射至電極中之水。匯流條及電極之至少一者可包括一水噴射器。水噴射可透過可延伸至電極之水冷卻匯流條。噴射器可包括一插管。可使用一細插管(其限制流動以控制遞送至熔融金屬流之水蒸氣量)將水自EM泵直接噴射至熔融金屬流中。插管可經水冷卻。可藉由使插管散熱至一水冷卻電池組件而達成水冷卻。插管可藉由散熱至水冷卻匯流條而水冷卻。替代性地，匯流條及電極之至少一者可包括自水冷卻系統之一小插管延伸部分以噴射水。在一實施例中，防止銀固化於插管之端部上。插管可與點火電漿相距一距離且在跨電漿區域之高壓下噴射。在一實施例中，電極電磁泵可自插管區域清除過量熔融金屬以防止金屬固化於插管上。插管可經插入至點火電漿及諸如熔融銀之熔融金屬之至少一者中。插管可進入泵管。插管可穿透泵管。插管可透過一合適路徑(諸如透過貯槽)經由泵管入口進入泵管。插管可在蒸汽壓力下以防止銀進入。替代性地，插管可包括一電磁泵。在一實施例中，蒸汽噴射可泵抽諸如熔融銀或AgCu合金之熔融金屬。可使用諸如稀有氣體(諸如氬)之一載體氣體遞送蒸汽。載體氣體可流動通過一蒸汽來源，諸如一起泡器或蒸汽產生器。可藉由本發明之一再循環器再循環載體氣體。可使用水噴射速率及熔融金屬之氣動泵抽速率之至少一者之一控制器控制經噴射氣體之壓力及流動速率。可藉由本發明之一構件(諸如藉由本發明之起泡器溫度控制器)控制氣流中之水蒸氣之分壓。 在一實施例中，噴射器包括用於將水噴射至熔融金屬中之一混合器。混合器可經容置於泵管及泵管之一腔室之至少一者中。混合器可包括泵管中之一渦流來源。當施加水時，熔體可經混合、攪動及攪拌之至少一者以增大水併入至熔體中之效率、速率及程度之至少一者。可使用一蒸汽-水分離器(諸如一旋風或離心分離器、一機械聚結分離器及一擋板或葉輪類型分離器之至少一者)移除蒸汽中之水滴。在一實施例中，水蒸氣噴射器包括由一可逆水合晶體組成之一閉管，諸如可滲透水之三羥鋁石或三水鋁石管。在一實施例中，藉由使氫在包括氧來源之一復合劑(諸如CuO復合劑)上方流動而噴射水。來自氫燃燒之水蒸氣可流動至諸如在泵管之出口或噴嘴部分處之熔融金屬中。可藉由與氧之反應再生諸如CuO之復合劑。可自空氣供應氧。 在一實施例中，可將一化合物添加至諸如熔融Ag或AgCu合金之熔融金屬以降低其熔點及黏度之至少一者。化合物可包括諸如硼砂之一助熔劑。在一實施例中，可將諸如本發明之固體燃料之一固體燃料添加至熔融金屬。在一實施例中，諸如熔融銀、銅或AgCu合金之熔融金屬包括一組合物以結合或分散諸如可經水合之助熔劑(諸如硼砂)之熔體中之水，硼砂可經水合至各種程度，諸如硼砂脫水物、五水合物及十水合物。熔體可包括一助熔劑以自泵管內部移除氧化物。移除可在電磁泵匯流條5k2之區域處維持熔融金屬與泵管5k6之間的一良好電接觸。 在一實施例中，可將包括氧來源之一化合物添加至諸如熔融銀、銅或AgCu合金之熔融金屬。在一實施例中，金屬熔體包括並不黏著至諸如錐體貯槽及錐體或圓頂之電池組件之一金屬。金屬可包括諸如Ag-Cu之一合金，諸如AgCu (28重量%)或Ag-Cu-Ni合金。化合物可在貯槽5c及電磁泵之操作溫度下熔融，使得其溶解熔融金屬及與熔融金屬混合之至少一者。化合物可在低於其熔點之一溫度下溶解及混合於熔融金屬中之至少一者。包括氧來源之例示性化合物包括氧化物，諸如金屬氧化物或13族、14族、15族、16族或17族氧化物。金屬氧化物之例示性金屬係具有低水反應性之金屬之至少一者，諸如以下之群組之金屬：Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn。對應氧化物可熱力學上有利地與氫反應以形成HOH觸媒。例示性金屬氧化物及其等之對應熔點係十水四硼酸鈉(M.P.=743°C，無水物)、CuO (M.P.=1326°C)、NiO (M.P.=1955°C)、PbO (M.P.=888°C)、Sb 2O 3(M.P.=656°C)、Bi 2O 3(M.P.=817°C)、Co 2O 3(M.P.=1900°C)、CdO (M.P.=900-1000°C)、GeO 2(M.P.=1115°C)、Fe 2O 3(M.P.=1539-1565°C)、MoO 3(M.P.=795°C)、TeO 2(M.P.=732°C)、SnO 2(M.P.=1630°C)、WO 3(M.P.=1473°C)、WO 2(M.P.=1700°C)、ZnO (M.P.=1975°C)、TiO 2(M.P.=1843°C)、Al 2O 3(M.P.=2072°C)、鹼土金屬氧化物、稀土金屬氧化物、過渡金屬氧化物、內過渡金屬氧化物、鹼金屬氧化物(諸如Li 2O (M.P.=1438°C)、Na 2O (M.P.=1132°C))、K 2O (M.P.=740°C)、Rb 2O (M.P.=＞500°C)、Cs 2O (M.P.=490°C)、氧化硼(諸如B 2O 3(M.P.=450°C))、V 2O 5(M.P.=690°C)、VO (M.P.=1789°C)、Nb 2O 5(M.P.=1512°C)、NbO 2(M.P.=1915°C)、SiO 2(M.P.=1713°C)、Ga 2O 3(M.P.=1900°C)、In 2O 5(M.P.=1910°C)、Li 2WO 4(M.P.=740°C)、Li 2B 4O 7(M.P.=917°C)、Na 2MoO 4(M.P.=687°C)、LiVO 3(M.P.=605°C)、Li 2VO 3、Mn 2O 5(M.P.=1567°C)及Ag 2WO 4(M.P.=620°C)。進一步例示性氧化物包括氧化物之混合物，諸如包括諸如Li 2O及Na 2O之一鹼金屬氧化物及Al 2O 3、B 2O 3及VO 2之至少兩者之一混合物。混合物可導致一更所要物理性質，諸如一更低熔點或更高沸點。可使氧化物乾燥。在諸如Bi 2O 3或Li 2WO 4之氧來源之一例示性實施例中，氧來源之氫還原反應係熱力學上有利的，且還原產物與水反應以形成氧來源可在諸如赤熱條件之操作條件下發生。在一例示性實施例中，在赤熱下，鉍與水反應以形成三氧化二鉍(III)氧化物(2Bi(s)+3H 2O(g)→Bi 2O 3(s)+3H 2(g))。在一實施例中，氧化物汽化為氣相或電漿。反應單元腔室5b31中之氧化物之莫耳可限制其蒸氣壓力。在一實施例中，形成HOH觸媒之氧來源可包括多個氧化物。複數個氧化物之各者可在特定溫度範圍內揮發以充當一HOH觸媒來源。舉例而言，LiVO 3可在高於其熔點且低於諸如第二氧化物之一第二氧來源之熔點時充當主要氧來源。第二氧化物可在諸如高於其熔點之一較高溫度下充當氧來源。例示性第二氧化物係Al 2O 3、ZrO、MgO、鹼土金屬氧化物及稀土金屬氧化物。氧化物在諸如3000 K之操作溫度下本質上皆可為氣態。可藉由添加至反應單元腔室5b31之莫耳調整壓力。氧化物及銀蒸氣壓力之比可經調整以最佳化分數氫反應條件及速率。 在一實施例中，氧來源可包括一無機化合物，諸如CO、CO 2、N 2O、NO、NO 2、N 2O 3、N 2O 4、N 2O 5、SO、SO 2、SO 3、PO、PO 2、P 2O 3、P 2O 5。諸如CO 2之氧來源在室溫下可為一氣體。諸如一氣體之氧來源可在外壓力容器腔室5b31a中。氧來源可包括一氣體。氣體可自外壓力容器腔室5b31a擴散或滲透至反應單元腔室5b31。可藉由控制外壓力容器腔室5b31a中之氧來源氣體壓力來控制反應單元腔室5b31內部之氧來源氣體濃度。可藉由一供應管線將氧來源氣體添加至反應單元腔室以作為反應單元腔室內部之一氣體。供應管線可進入一更冷區域中，諸如進入一貯槽之底部處之EM泵中。可藉由諸如凍結CO 2、碳酸鹽或碳酸之一固體或液體之分解或汽化來供應氧來源氣體。可使用一壓力計(諸如本發明之壓力計)量測外壓力容器腔室5b31a及反應單元腔室5b31之至少一者中之壓力。可使用一控制器及一氣體來源控制氣體壓力。 氧來源可包括包含氧陰離子之一化合物。化合物可包括一金屬。化合物可選自以下一者：氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫、硫酸鹽、硫酸氫、磷酸鹽、磷酸氫、磷酸二氫、硝酸鹽、亞硝酸鹽、高錳酸鹽、氯酸鹽、高氯酸鹽、亞氯酸鹽、高亞氯酸鹽、次氯酸鹽、溴酸鹽、高溴酸鹽、亞溴酸鹽、高亞溴酸鹽、碘酸鹽、高碘酸鹽、亞碘酸鹽、鉻酸鹽、重鉻酸鹽、碲酸鹽、硒酸鹽、砷酸鹽、矽酸鹽、硼酸鹽、氧化鈷、氧化碲及其他氧陰離子，諸如鹵素、P、B、Si、N、As、S、Te、Sb、C、S、P、Mn、Cr、Co及Te，其中金屬可包括以下一或多者：鹼金屬、鹼土金屬、過渡、內過渡或稀土金屬、Al、Ga、In、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Se及Te。氧來源可包括MNO 3、MClO 4、MO x、M xO及M xO y之至少一者，其中M係金屬，諸如過渡金屬、內過渡金屬、稀土金屬、Sn、Ga、In、鉛、鍺、鹼金屬或鹼土金屬且x及y係整數。氧來源可包括以下之至少一者：SO 2、SO 3、S 2O 5Cl 2、F 5SOF、M 2S 2O 8、SO xX y(諸如SOCl 2、SOF 2、SO 2F 2或SOBr 2)、X xX’ yO z(其中X及X’係鹵素，諸如ClO 2F、ClO 2F 2、ClOF 3、ClO 3F及ClO 2F 3)、氧化碲(諸如TeO x，諸如TeO 2或TeO 3)、Te(OH) 6、SeO x(諸如SeO 2或SeO 3)氧化硒(諸如SeO 2、SeO 3)、SeOBr 2、SeOCl 2、SeOF 2或SeO 2F 2、P 2O 5、PO xX y(其中X係鹵素，諸如POBr 3、POI 3、POCl 3或POF 3)、氧化砷(諸如As 2O 3或As 2O 5)、氧化銻(諸如Sb 2O 3、Sb 2O 4或Sb 2O 5)或SbOCl、Sb 2(SO4) 3、氧化鉍、另一鉍化合物(諸如BiAsO 4、Bi(OH) 3、Bi 2O 3、BiOBr、BiOCl、BiOI、Bi 2O 4)、金屬氧化物或氫氧化物(諸如Y 2O 3、GeO、FeO、Fe 2O 3或NbO、NiO、Ni 2O 3、SnO、SnO 2、Ag 2O、AgO、Ga 2O、As 2O 3、SeO 2、TeO 2、In(OH) 3、Sn(OH) 2、In(OH) 3、Ga(OH) 3或Bi(OH) 3)、CO 2、高錳酸鹽(諸如KMnO 4及NaMnO 4)、P 2O 5、硝酸鹽(諸如LiNO 3、NaNO 3及KNO 3)、過渡金屬氧化物或氫氧化物(具有至少一個O及OH之Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn)、氫氧化合物(諸如FeOOH)、第二或第三過渡系氧化物或氫氧化物(諸如Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Os)、貴金屬氧化物(諸如PdO或PtO)、金屬及氧陰離子(諸如Na 2TeO 4或Na 2TeO 3)、CoO、含有來自氧及不同鹵素原子之群組之至少兩個原子之一化合物(諸如F 2O、Cl 2O、ClO 2、Cl 2O 6、Cl 2O 7、ClOF 3、ClO 2F、ClO 2F 3、ClO 3F、I 2O 5)、可在還原之後形成一金屬之一化合物。氧來源可包括包含氧之一氣體，諸如至少一個O 2、N 2O及NO 2。 在一實施例中，熔體包括至少一種添加劑。添加劑可包括氧來源及氫來源之一者。氧來源及氫來源之至少一者可包括以下之群組之一或多者： H 2、NH 3、MNH 2、M 2NH、MOH、MAlH 4、M 3AlH 6及MBH 4、MH、MNO 3、MNO、MNO 2、M 2NH、MNH 2、NH 3、MBH 4、MAlH 4、M 3AlH 6、MHS、M 2CO 3、MHCO 3、M 2SO 4、MHSO 4、M 3PO 4、M 2HPO 4、MH 2PO 4、M 2MoO 4、M 2MoO 3、MNbO 3、M 2B 4O 7、MBO 2、M 2WO 4、M 2CrO 4、M 2Cr 2O 7、M 2TiO 3、MZrO 3、MAlO 2、M 2Al 2O 2、MCoO 2、MGaO 2、M 2GeO 3、MMnO 4、M 2MnO 4、M 4SiO 4、M 2SiO 3、MTaO 3、MVO 3、MIO 3、MFeO 2、MIO 4、MOCl、MClO 2、MClO 3、MClO 4、MClO 4、MScO 3、MScOn、MTiOn、MVOn、MCrOn、MCr 2On、MMn 2On、MFeOn、M xCoOn (x係整數或分數)、MNiOn、MNi 2On、MCuOn、MznOn，其中n=1、2、3或4且M係金屬，諸如鹼金屬、Mg 3(BO 3) 2及M 2S 2O 8； 一混合金屬氧化物或諸如鋰離子電池組層夾化合物之一層夾氧化物，諸如以下之群組之至少一者：LiCoO 2、LiFePO 4、LiNi xMn yCo zO 2、LiMn 2O 4、LiFeO 2、Li 2MnO 3、Li 2MnO 4、LiNiO 2、LiFeO 2、LiTaO 3、LiVO 3、Li 2VO 3、Li 2NbO 3、Li 2SeO 3、Li 2SeO 4、Li 2TeO 3、Li 2TeO 4、Li 2WO 4、Li 2CrO 4、Li 2Cr 2O 7、Li 2HfO 3、Li 2MoO 3或Li 2MoO 4、Li 2TiO 3、Li 2ZrO 3及LiAlO 2； 一助熔劑，諸如四硼酸鈉(M.P.=743°C；無水物)、K 2SO 4(M.P.=1069°C)、Na 2CO 3(M.P.=851°C)、K 2CO 3(M.P.=891°C)、KOH (M.P.=360°C)、MgO (M.P.=2852°C)、CaO (M.P.=2613°C)、SrO (M.P.=2531°C)、BaO (M.P.=1923°C)、CaCO 3(M.P.=1339°C)； 可包括一氣體之一分子氧化劑諸如CO 2、SO 2、SO 3、S 2O 5Cl 2、F 5SOF、SO xX y(諸如SOCl 2、SOF 2、SO 2F 2、SOBr 2)、PO 2、P 2O 3、P 2O 5、PO xX y(諸如POBr 3、POI 3、POCl 3或POF 3)、I 2O 5、Re 2O 7、I 2O 4、I 2O 5、I 2O 9、SO 2、CO 2、N 2O、NO、NO 2、N 2O 3、N 2O 4、N 2O 5、Cl 2O、ClO 2、Cl 2O 3、Cl 2O 6、Cl 2O 7、NH 4X (其中X係硝酸鹽或熟習此項技術者已知的其他合適陰離子，諸如包括以下之群組之一者：NO 3-、NO 2-、SO 42-、HSO 4-、CoO 2-、IO 3-、IO 4-、TiO 3-、CrO 4-、FeO 2-、PO 43-、HPO 42-、H 2PO 4-、VO 3-、ClO 4-)及Cr 2O 72； 氧陰離子，諸如以下之群組之一者：NO 3-、NO 2-、SO 42-、HSO 4-、CoO 2-、IO 3-、IO 4-、TiO 3-、CrO 4-、FeO 2-、PO 43-、HPO 42-、H 2PO 4-、VO 3-、ClO 4-及Cr 2O 72-； 強酸、氧化劑、分子氧化劑之氧陰離子，諸如以下之群組之一者：V 2O 3、I 2O 5、MnO 2、Re 2O 7、CrO 3、RuO 2、AgO、PdO、PdO 2、PtO、PtO 2及NH 4X，其中X係硝酸鹽或熟習此項技術者已知的其他合適陰離子； 氫氧化物，諸如以下之群組之一者：Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、V、Zr、Ti、Mn、Zn、Cr、Sn、In、Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl及W、MOH、MOH、M’(OH) 2(其中M係鹼金屬且M’係鹼土金屬)、過渡金屬氫氧化物、Co(OH) 2、Zn(OH) 2、Ni(OH) 2、其他過渡金屬氫氧化物、稀土金屬氫氧化物、Al(OH) 3、Cd(OH) 2、Sn(OH) 2、Pb(OH)、In(OH) 3、Ga(OH) 3、Bi(OH) 3、包括 、 、 、 、 、 及 之化合物、錯離子氫氧化物(諸如Li 2Zn(OH) 4、Na 2Zn(OH) 4、Li 2Sn(OH) 4、Na 2Sn(OH) 4、Li 2Pb(OH) 4、Na 2Pb(OH) 4、LiSb(OH) 4、NaSb(OH) 4、LiAl(OH) 4、NaAl(OH) 4、LiCr(OH) 4、NaCr(OH) 4、Li 2Sn(OH) 6及Na 2Sn(OH) 6)； 酸，諸如H 2SO 3、H 2SO 4、H 3PO 3、H 3PO 4、HClO 4、HNO 3、HNO、HNO 2、H 2CO 3、H 2MoO 4、HNbO 3、H 2B 4O 7、HBO 2、H 2WO 4、H 2CrO 4、H 2Cr 2O 7、H 2TiO 3、HZrO 3、MAlO 2、HMn 2O 4、HIO 3、HIO 4、HClO 4或諸如無水酸之酸來源(諸如SO 2、SO 3、CO 2、NO 2、N 2O 3、N 2O 5、Cl 2O 7、PO 2、P 2O 3及P 2O 5)； 固體酸，諸如MHSO 4、MHCO 3、M 2HPO 4及MH 2PO 4之群組之一者，其中M係諸如鹼金屬之金屬； 氫氧化合物，諸如以下之群組之一者：WO 2(OH)、WO 2(OH) 2、VO(OH)、VO(OH) 2、VO(OH) 3、V 2O 2(OH) 2、V 2O 2(OH) 4、V 2O 2(OH) 6、V 2O 3(OH) 2、V 2O 3(OH) 4、V 2O 4(OH) 2、FeO(OH)、( α-MnO(OH)錳榍石及 γ-MnO(OH)水錳礦)、MnO(OH)、MnO(OH) 2、Mn 2O 3(OH)、Mn 2O 2(OH) 3、Mn 2O(OH) 5、MnO 3(OH)、MnO 2(OH) 3、MnO(OH) 5、Mn 2O 2(OH) 2、Mn 2O 6(OH) 2、Mn 2O 4(OH) 6、NiO(OH)、TiO(OH)、TiO(OH) 2、Ti 2O 3(OH)、Ti 2O 3(OH) 2、Ti 2O 2(OH) 3、Ti 2O 2(OH) 4及NiO(OH)、羥鉻礦(CrO(OH))、水鋁石(AlO(OH))、ScO(OH)、YO(OH)、VO(OH)、針鐵礦( α-Fe 3+O(OH))、錳榍石(Mn 3+O(OH))、圭羥鉻礦(CrO(OH))、黑鐵釩礦((V,Fe)O(OH))、CoO(OH)、NiO(OH)、Ni 1/2Co 1/2O(OH)及Ni 1/3Co 1/3Mn 1/3O(OH)、RhO(OH)、InO(OH)、鎵礦(GaO(OH))、)水錳礦(Mn 3+O(OH))、釔鎢華-(Y) YW 2O 6(OH) 3、釔鎢華-(Ce) ((Ce、Nd、Y)W 2O 6(OH) 3)、未命名(釔鎢華-(Ce)之Nd類似物) ((Nd、Ce、La)W 2O 6(OH) 3)、銅碲礦(Cu 2[(OH) 2[TeO 4])、碲鉛銅石(Pb 2+Cu (TeO 6)(OH) 2)、副碲鉛銅礦(Pb 2+Cu TeO 6(OH) 2)及M xO yH z(其中x、y及z係整數且M係諸如過渡、內過渡或稀土金屬(諸如金屬氫氧化合物)之一金屬)； 氧化物，諸如以下之群組之一者：氧陰離子化合物；鋁酸鹽；鎢酸鹽；鋯酸鹽；鈦酸鹽；硫酸鹽；磷酸鹽；碳酸鹽；硝酸鹽；鉻酸鹽及錳酸鹽；氧化物；亞硝酸鹽；硼酸鹽；氧化硼(諸如B 2O 3)；金屬氧化物；非金屬氧化物；以下各者之氧化物：鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬、內過渡金屬及稀土金屬及Al、Ga、In、Sn、Pb、S、Te、Se、N、P、As、Sb、Bi、C、Si、Ge及B以及形成氧化物或氧陰離子之其他元素；包括來自以下之群組之至少一個陽離子之氧化物：鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬、內過渡金屬及稀土金屬及Al、Ga、In、Sn及Pb陽離子、金屬氧化物陰離子及陽離子(諸如鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬、內過渡金屬及稀土金屬陽離子)及其他金屬及類金屬之陽離子(諸如Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、As、Sb、Bi、Se及Te之陽離子) (諸如MM’ 2xO 3x+1或MM’ 2xO 4(M=鹼土金屬，M’=諸如Fe或Ni或Mn之過渡金屬，x=整數)及M 2M’ 2xO 3x+1或M 2M’ 2xO 4(M=鹼金屬，M’=諸如Fe或Ni或Mn之過渡金屬，x=整數))；M 2O及MO (其中M係金屬，諸如鹼金屬(諸如Li 2O、Na 2O及K 2O)及鹼土金屬(諸如MgO、CaO、SrO及BaO))；MCoO 2(其中M係金屬，諸如鹼金屬(諸如Na 2O及K 2O)及鹼土金屬(諸如MgO、CaO、SrO及BaO))；MCoO 2(其中M係諸如鹼金屬之金屬)；CoO 2；MnO 2；Mn 2O 3；Mn 3O 4；PbO 2；Ag 2O 2；AgO；RuO 2；包括銀及氧之化合物；過渡金屬之氧化物(諸如NiO及CoO、V、Zr、Ti、Mn、Zn、Cr、Sn、In、Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl及W過渡金屬及Sn之氧化物(諸如SnO))；鹼金屬之氧化物(諸如Li 2O、Na 2O及K 2O)及鹼土金屬之氧化物(諸如MgO、CaO、SrO及BaO)； MoO 2；TiO 2；ZrO 2；SiO 2；Al 2O 3；NiO；Ni 2O 3；FeO；Fe 2O 3；TaO 2；Ta 2O 5；VO；VO 2；V 2O 3；V 2O 5；B 2O 3；NbO；NbO 2；Nb 2O 5；SeO 2；SeO 3；TeO 2；TeO 3；WO 2；WO 3；Cr 3O 4；Cr 2O 3；CrO 2；CrO 3；MnO；Mn 2O 7；HfO 2；Co 2O 3；CoO；Co 3O 4；PdO；PtO 2；BaZrO 3；Ce 2O 3；LiCoO 2；Sb 2O 3；BaWO 4；BaCrO 4；BaSi 2O 5；Ba(BO 2) 2；Ba(PO 3) 2；BaSiO 3；BaMoO 4；Ba(NbO 3) 2；BaTiO 3；BaTi 2O 5；BaWO 4；CoMoO 4；Co 2SiO 4；CoSO 4；CoTiO 3；CoWO 4；Co 2TiO 4；Nb 2O 5；Li 2MoO 4；LiNbO 3；LiSiO 4；Li 3PO 4；Li 2SO 4；LiTaO 3；Li 2B 4O 7；Li 2TiO 3；Li 2WO 4；LiVO 3；Li 2VO 3；Li 2ZrO 3；LiFeO 2；LiMnO 4；LiMn 2O 4；LiGaO 2；Li 2GeO 3；LiGaO 2； 水合物，諸如本發明之水合物，諸如硼砂或六水四硼酸鈉； 過氧化物，諸如H 2O 2、M 2O 2(其中M係鹼金屬，諸如Li 2O 2、Na 2O 2、K 2O 2)或其他離子過氧化物，諸如鹼土金屬過氧化物(諸如Ca、Sr或Ba過氧化物)、其他陽電性金屬之過氧化物(諸如鑭系元素之過氧化物)及共價金屬過氧化物(諸如Zn、Cd及Hg之過氧化物)； 超氧化物，諸如MO 2(其中M係鹼金屬，諸如NaO 2、KO 2、RbO 2及CsO 2)及鹼土金屬超氧化物； 包括氧物質(諸如O 2、O 3、 、 、O、O +、H 2O、H 3O +、OH、OH +、OH -、HOOH、OOH -、O -、O 2-、 及 之至少一者)及H物質(諸如H 2、H、H +、H 2O、H 3O +、OH、OH +、OH -、HOOH及OOH -之至少一者)之至少一者之一化合物； 能夠經受水合反應之酸酐或氧化物，其包括一元素、金屬、合金或混合物，諸如來自以下之群組之一者：Mo、Ti、Zr、Si、Al、Ni、Fe、Ta、V、B、Nb、Se、Te、W、Cr、Mn、Hf、Co及Mg、Li 2MoO 3、Li 2MoO 4、Li 2TiO 3、Li 2ZrO 3、Li 2SiO 3、LiAlO 2、LiNiO 2、LiFeO 2、LiTaO 3、LiVO 3、Li 2VO 3、Li 2B 4O 7、Li 2NbO 3、Li 2SeO 3、Li 2SeO 4、Li 2TeO 3、Li 2TeO 4、Li 2WO 4、Li 2CrO 4、Li 2Cr 2O 7、Li 2MnO 4、Li 2HfO 3、LiCoO 2及MO (其中M係諸如鹼土金屬之金屬，諸如MgO之Mg)、As 2O 3、As 2O 5、Sb 2O 3、Sb 2O 4、Sb 2O 5、Bi 2O 3、SO 2、SO 3、CO 2、NO 2、N 2O 3、N 2O 5、Cl 2O 7、PO 2、P 2O 3及P 2O 5； 氫化物，諸如來自以下之群組之一者：R-Ni、La 2Co 1Ni 9H 6、La 2Co 1Ni 9H 6、ZrCr 2H 3.8、LaNi 3.55Mn 0.4Al 0.3Co 0.75、ZrMn 0.5Cr 0.2V 0.1Ni 1.2及能夠儲存氫之其他合金，諸如選自以下之一者：MmNi 5(Mm=密鈰合金) (諸如MmNi 3.5Co 0.7Al 0.8)、AB 5(LaCePrNdNiCoMnAl)或AB 2(VTiZrNiCrCoMnAlSn)類型(其中「AB x」符號係指A類型元素(LaCePrNd或TiZr)與B類型元素(VNiCrCoMnAlSn)之比率)、AB 5類型：MmNi 3.2Co 1.0Mn 0.6Al 0.11Mo 0.09(Mm=密鈰合金：25重量%La、50重量%Ce、7重量%Pr、18重量%Nd)、La 1-yR yNi 5-xM x、AB 2類型：Ti 0.51Zr 0.49V 0.70Ni 1.18Cr 0.12合金、基於鎂之合金、Mg 1.9Al 0.1Ni 0.8Co 0.1Mn 0.1合金、Mg 0.72Sc 0.28(Pd 0.012+Rh 0.012)及Mg 80Ti 20、Mg 80V 20、La 0.8Nd 0.2Ni 2.4Co 2.5Si 0.1、LaNi 5-xM x(M=Mn、Al)、(M=Al、Si、Cu)、(M=Sn)、(M=Al、Mn、Cu)及LaNi 4Co、MmNi 3.55Mn 0.44Al 0.3Co 0.75、LaNi 3.55Mn 0.44Al 0.3Co 0.75、MgCu 2、MgZn 2、MgNi 2、AB化合物、TiFe、TiCo及TiNi、ABn化合物(n=5、2或1)、AB 3-4化合物、AB x(A=La、Ce、Mn、Mg；B=Ni、Mn、Co、Al)、ZrFe 2、Zr 0.5Cs 0.5Fe 2、Zr 0.8Sc 0.2Fe 2、YNi 5、LaNi 5、LaNi 4.5Co 0.5、(Ce、La、Nd、Pr)Ni 5、密鈰合金-鎳合金、Ti 0.98Zr 0.02V 0.43Fe 0.09Cr 0.05Mn 1.5、La 2Co 1Ni 9、FeNi、TiMn 2、TiFeH 2、M-N-H系統之物質(諸如LiNH 2、Li 2NH或Li 3N)及進一步包括硼(諸如硼氫化物)或鋁(諸如鋁氫化物)之鹼金屬氫化物、鹼土金屬氫化物(諸如MgH 2)、金屬合金氫化物(諸如BaReH 9、LaNi 5H 6、FeTiH 1.7及MgNiH 4)、金屬硼氫化物(諸如Be(BH 4) 2、Mg(BH 4) 2、Ca(BH 4) 2、Zn(BH 4) 2、Sc(BH 4) 3、Ti(BH 4) 3、Mn(BH 4) 2、Zr(BH 4) 4、NaBH 4、LiBH 4、KBH 4及Al(BH 4) 3)、AlH 3、NaAlH 4、Na 3AlH 6、LiAlH 4、Li 3AlH 6、LiH、LaNi 5H 6、La 2Co 1Ni 9H 6及TiFeH 2、NH 3BH 3、包括鹼金屬(Na、K、Rb、Cs)、鹼土金屬(Mg、Ca、Ba、Sr)、來自IIIA族之元素(諸如B、Al、Ga、Sb)、來自IVA族之元素(諸如C、Si、Ge、Sn)及來自VA族之元素(諸如N、P、As)之氫化物金屬或半金屬、過渡金屬合金及金屬間化合物ABn (其中A表示能夠形成穩定氫化物之一或多種元素且B係形成不穩定氫化物之元素)、表2中給出之金屬間化合物、金屬間化合物(其中位點A及/或位點B之部分經另一元素取代(諸如M表示LaNi 5)，金屬間合金可由LaNi 5-xA x表示，舉例而言，其中A係Al、Cu、Fe、Mn及/或Co且La可經密鈰合金取代、含有30%至70%之鈰、釹及來自相同系之十分少量元素之稀土金屬之混合物(其餘為鑭))、合金(諸如Li 3Mg、K 3Mg、Na 3Mg，其形成諸如MMgH 3(M=鹼金屬)之混合氫化物)、聚胺基硼烷、胺硼烷錯合物(諸如胺硼烷、氫化硼氨合物、肼-硼烷錯合物、二硼烷二氨合物、硼氮炔及八氫三硼酸銨或四氫硼酸銨)、咪唑離子液體(諸如烷基(芳基)-3-甲基咪唑N-雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺酯鹽)、硼酸磷及天然焦物質。進一步例示性化合物係氨硼烷、鹼氨硼烷(諸如鋰氨硼烷)及硼烷烷基胺錯合物(諸如硼烷二甲胺錯合物、硼烷三甲胺錯合物)及胺基硼烷及硼烷胺(諸如胺基二硼烷、n-二甲基胺基二硼烷、參(二甲基胺基)硼烷、二正丁基硼胺、二甲基胺基硼烷、三甲基胺基硼烷、氨-三甲基硼烷及三乙基胺基硼烷)。進一步合適氫儲存材料係具有經吸收氫之有機液體，諸如咔唑及衍生物，諸如9-(2-乙基己基)咔唑、9-乙基咔唑、9-苯基咔唑、9-甲基咔唑及4,4’-雙(N-咔唑基)-l,l’-聯苯)； 表2.形成氫化物之元素及組合
A B n AB n
Mg、Zr Ni、Fe、Co 1/2 Mg 2Ni、Mg 2Co、Zr 2Fe
Ti、Zr Ni、Fe 1 TiNi、TiFe、ZrNi
La、Zr、Ti、Y、Ln V、Cr、Mn、Fe、Ni 2 LaNi 2、YNi 2、YMn 2、ZrCr 2、ZrMn 2、ZrV 2、TiMn 2
La、Ln、Y、Mg Ni、Co 3 LnCo 3、YNi 3、LaMg 2Ni 9
La、稀土金屬 Ni、Cu、Co、Pt 5 LaNi 5、LaCo 5、LaCu 5、LaPt 5
一可滲透氫之薄膜，諸如Ni(H 2)、V(H 2)、Ti(H 2)、Fe(H 2)或Nb(H 2)； 包括氧及氫(諸如本發明之氧及氫)之至少一者之一化合物，其中其他金屬可取代本發明之金屬，M亦可為另一陽離子，諸如鹼土金屬、過渡金屬、內過渡金屬或稀土金屬陽離子或13族至16族陽離子(諸如Al、Ga、In、Sn、Pb、Bi及Te)，且金屬可為諸如銀及銅之至少一者之熔融金屬之一者， 及氫及氧之至少一者之其他此等來源，諸如熟習此項技術者已知的來源。在一實施例中，藉由分數氫反應釋放之能量及跨電極施加之電壓之至少一者足以破壞氧來源之氧鍵結以釋放氧。電壓可在約0.1 V至8 V、0.5 V至4 V及0.5 V至2 V之至少一個範圍中。在一實施例中，氧來源比諸如水及包括較少氧之氧來源之氫還原產物更穩定。氫還原產物可與水反應以形成氧來源。經還原之氧來源可與水及氧之至少一者反應以維持此等氧化劑在反應單元腔室5b31中之一低濃度。經還原之氧來源可維持圓頂5b4。在包括W圓頂及高度穩定氧化物(諸如Na 2O)之一例示性實施例中，經還原之氧來源係與H 2O及O 2兩者反應以自反應單元腔室清除此等氣體之Na金屬蒸氣。Na亦可將圓頂上之W氧化物還原為W以維持其不受腐蝕。 例示性氧來源(諸如具有一合適熔點及沸點且能夠溶解或混合至諸如熔融銀之熔體中之氧來源)係選自以下之群組之至少一者：NaReO 4、NaOH、NaBrO 3、B 2O 3、PtO 2、MnO 2、Na 5P 3O 10、NaVO 3、Sb 2O 3、Na 2MoO 4、V 2O 5、Na 2WO 4、Li 2MoO 4、Li 2CO 3、TeO 2、Li 2WO 4、Na 2B 4O 7、Na 2CrO 4、Bi 2O 3、LiBO 2、Li 2SO 4、Na 2CO 3、Na 2SO 4、K 2CO 3、K 2MoO 4、K 2WO 4、Li 2B 4O 7、KBO 2、NaBO 2、Na 4P 2O 7、CoMoO 4、SrMoO 4、Bi 4Ge 3012、K 2SO 4、Mn 2O 3、GeO 2、Na 2SiO 3、Na 2O、Li 3PO 4、SrNb 2O 6、Cu 2O、LiSiO 4、LiNbO 3、CuO、Co 2SiO 4、BaCrO 4、BaSi 2O 5、NaNbO 3、Li 2O、BaMoO 4、BaNbO 3、WO 3、BaWO 4、SrCO 3、CoTiO 3、CoWO 4、LiVO 3、Li 2VO 3、Li 2ZrO 3、LiMn 2O 4、LiGaO 2、Mn 3O 4、Ba(BO 2) 2*H 2O、Na 3VO 4、LiMnO 4、K 2B 4O 7*4H 2O及NaO 2。 在一實施例中，諸如過氧化物(諸如Na 2O 2)之氧來源、諸如氫化物或氫氣(諸如氬/H 2(3%至5%))之氫來源及諸如熔融銀之一傳導基質可充當一固體燃料以形成分數氫。反應可在諸如鹼土金屬氧化物容器(諸如MgO容器)之一惰性容器中進行。 添加劑可進一步包括藉由氧來源之氫還原形成之化合物或元素。經還原之氧來源可藉由與反應單元腔室5b31中之過量氧及水之至少一者反應而形成諸如氧化物之氧來源。氧來源及經還原之氧來源之至少一者可包括包含熔融金屬(諸如銀)、氧來源(諸如硼砂)及經還原之氧來源(其最大化分數氫反應速率)之至少兩者之經噴射熔體之一重量百分比。氧來源及經還原之氧來源之至少一者之重量百分比可在約0.01重量%至50重量%、0.1重量%至40重量%、0.1重量%至30重量%、0.1重量%至20重量%、0.1重量%至10重量%、1重量%至10重量%及1重量%至5重量%之至少一個重量百分比範圍中。反應單元腔室氣體可包括氣體之一混合物。混合物可包括一稀有氣體，諸如氬及氫。反應單元腔室5b31可維持在包括氫之分壓之氣氛下。氫壓可在約0.01托至10,000托、0.1托至1000托、1托至100托及1托至10托之至少一個範圍中。諸如氬壓力之稀有氣體可在約0.1托至100,000托、1托至10,00托及10托至1000托之至少一個範圍中。氧來源可經歷與氫之反應以形成H 2O。H 2O可充當HOH觸媒以形成分數氫。氧來源可在熱力學上不利於氫還原。HOH可在點火期間(諸如在電漿中)形成。經還原產物可與形成於點火期間之水反應。水反應可使反應單元腔室5b31中之水維持在低位準。低水位可在約小於40托、小於30托、小於20托、小於10托、小於5托及小於1托之至少一個範圍中。反應單元腔室中之低水蒸氣壓力可保護諸如圓頂5b4 (諸如W或石墨圓頂)之至少一個電池組件以免經歷腐蝕。作為氧來源之氧化鎢可參與鎢循環以維持鎢圓頂5b4抵抗腐蝕。氧及鎢儲備量之平衡可保持幾乎恆定。藉由來自氧化鎢之氧與鎢金屬反應之任何氧化鎢腐蝕產物可由來自經還原以提供氧反應物之氧化鎢之鎢金屬取代。 添加劑可包括一化合物以增強諸如氧來源之另一添加劑之溶解度。化合物可包括一分散劑。化合物可包括一助熔劑。產生器可進一步包括一攪拌器以混合諸如銀之熔融金屬與諸如氧來源之添加劑。攪拌器可包括機械攪拌器、氣動攪拌器、磁性攪拌器、電磁攪拌器(諸如使用勞侖茲力、壓電之攪拌器)及此項技術中已知的其他攪拌器之至少一者。攪拌器可包括一音波振動器，諸如一超音波振動器。攪拌器可包括一電磁泵。攪拌器可包括電極電磁泵及噴射電磁泵5k之至少一者。攪動可發生在固持熔體之一電池組件(諸如錐體貯槽、貯槽及EM泵之至少一者)中。熔體組合物可經調整以增大添加劑之溶解度。熔體可包括銀、銀銅合金及銅之至少一者，其中熔體組合物可經調整以增大添加劑之溶解度。增大溶解度之化合物可包括一氣體。氣體與諸如氧來源之添加劑可具有一可逆反應。可逆反應可增強氧來源之溶解度。在一例示性實施例中，氣體包括CO 2。一例示性可逆反應係CO 2與諸如鹼金屬氧化物(諸如Li 2O)之氧化物反應以形成碳酸鹽。在另一實施例中，反應包括氧來源之還原產物(諸如金屬氧化物(諸如鹼金屬氧化物(諸如Li 2O或Na 2O)、過渡金屬氧化物(諸如CuO)及氧化鉍)之金屬及水)之反應。 在一例示性實施例中，丸粒包括在約0.1莫耳%至5莫耳%、1莫耳%至3莫耳%及1.5莫耳%至2.5莫耳%之至少一個濃度範圍中之銀及LiVO 3及M 2O (M=Li或Na)之至少一者。反應單元腔室5b31氣體包括一惰性氣體，諸如氬，其中氫氣維持在約1%至10%、2%至5%及3%至5%之至少一個範圍中。可藉由在監測諸如電池腔室中之氫分壓及總壓力之至少一者時將氫供應至電池腔室5b3而取代消耗之氫，其中可歸因於氬氣儲備量之惰性性質及恆定性而自總壓力推斷氫壓。氫回添速率可在約0.00001莫耳/秒至0.01莫耳/秒、0.00005莫耳/秒至0.001莫耳/秒及0.0001莫耳/秒至0.001莫耳/秒之至少一個範圍中。電池圓頂5b4可包括W或碳。圓頂5b4可包括布或織物，諸如包括包含細鎢絲之鎢之布或織物，其中織物密度可滲透氣體但防止銀蒸氣自反應單元腔室內部滲透至電池腔室。錐體貯槽5b、貯槽5c及EM泵組件(諸如泵管5k6)之至少一者可包括鈮、鉬、鉭、鎢、錸、鈦、釩、鉻、鋯、鉿、釕、銠、鋨及銥之至少一者。可藉由以下之群組之至少一個連結或製造技術連結組件：燒結粉末焊接、雷射焊接、電子束焊接、放電機械加工、鑄造、使用螺紋接頭、使用包括耐火材料之接頭套管、針對Mo使用諸如錸、鈦及鋯(TZM)之合金劑及電鍍連結。在包括一耐火金屬之一實施例中，可自一實心件機械加工或藉由諸如粉末燒結鑄造之方法鑄造EM泵匯流條5k2處之泵管5k6之區段。區段可包括一入口管及出口管以用於鄰接泵管之對應入口及噴嘴部分。連結可藉由本發明之方法。鄰接之管道區段可經電子束焊接為筆直區段且接著彎曲以形成泵迴路。來自貯槽之泵管入口部分及噴嘴部分可毗鄰貯槽之底部且分別穿過底部。可藉由電子束焊接在貯槽底部之各穿透部分處焊接該管。 在一實施例中，使用諸如耐火金屬或材料O形環之O形環將螺紋耐火金屬電池組件塊密封在一起(圖47至圖55)。螺紋連接件可在一平坦且刀緣對處連結，其中刀緣壓縮O形環。例示性耐火金屬或材料係本發明之金屬或材料，諸如W、Ta、Nb、Mo及WC。在一實施例中，諸如EM泵之零件(諸如泵管噴嘴5q、貯槽5c之泵管5k6入口及出口之至少一者)及貯槽5c、錐體貯槽5b及圓頂5b4之電池零件可藉由螺紋、O形環、VCR型管接頭、擴口壓縮管接頭及接頭套管管接頭或接頭套管型管接頭之至少一者連接至連續零件。管接頭及O形環之至少一者可包括諸如W之一耐火材料。O形環、VCR型管接頭之壓縮環、接頭套管管接頭或接頭套管型管接頭之至少一者可包括諸如Ta或石墨之一更軟耐火材料。電池零件及管接頭之至少一者可包括Ta、W、Mo、W-La 2O 3合金、Mo、TZM及鈮(Nb)之至少一者。可自固體W或W-鑭氧化物合金機械加工諸如圓頂5b4之零件。可藉由選擇性雷射熔融(SLM)形成諸如圓頂5b4 (諸如W圓頂)之零件。 在一實施例中，諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、貯槽5c及圓頂5b4之至少一者之一電池組件包括諸如碳之一高溫基板材料，諸如塗佈有一耐火材料之石墨。耐火材料可包括一耐火金屬及碳化物(諸如耐火金屬碳化物)之至少一者。塗層可包括用於減小石墨之蒸氣壓力、防止碳昇華及減少石墨表面之磨損之至少一個功能之塗層。塗層可包括複數個塗層。塗層可實現諸如W之一所要外塗層之結合。複數個塗層可包括一第一石墨接合層、一過渡層及一外層。第一層可包括碳化物，諸如WC、TaC及HfC之至少一者。過渡層可包括一耐火金屬，諸如Ta及Hf之至少一者。外層可包括諸如一耐火金屬之一耐火材料，諸如W。在一例示性實施例中，具有類似於Hf或Ta之熱膨脹係數之一熱膨脹係數之石墨可經塗佈有Ta或Hf，且此層可經塗佈有W。在一實施例中，諸如錸(Re)或鎢(W)表面之頂表面塗層可經圖案化或紋理化以增大發射率。可藉由氣相沈積達成圖案化或紋理化。替代性地，表面可經拋光以減小發射率。 在一實施例中，諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、貯槽5c及圓頂5b4之至少一者之一電池組件包括諸如碳之一高溫基板材料，諸如包覆有一耐火材料之石墨。耐火材料可包括一耐火金屬及碳化物(諸如一耐火金屬碳化物)之至少一者。包覆層可包括用於減小石墨之蒸氣壓力、防止碳昇華及減少石墨表面之磨損之至少一個功能之包覆層。包覆層可包括複數個包覆層。諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、貯槽5c及圓頂5b4之至少一者之電池主體組件可包括任何所要形狀。包括一或若干電池組件之電池主體之形狀可經閉合以形成一封閉反應單元腔室5b31且可具有執行周圍PV轉換器26a之照射之功能之一外表面。電池主體可包括一圓柱體或刻面圓柱體。主體可由諸如加襯裡於至少一個表面上之石墨之一結構材料組成。主體可包括一內主體表面及外主體表面襯墊或蓋之至少一者，諸如一耐火襯墊或蓋，諸如包括鎢之襯墊或蓋。在一實施例中，可藉由諸如螺栓、鉚釘或螺釘之緊固件透過中間層連接內及外包覆層、襯墊或表面蓋。該或該等電池主體組件可包括一密封反應單元腔室5b31。密封可含有燃料熔體(諸如包括熔融銀之燃料熔體)之蒸氣。密封件可包括焊道、螺紋、VCR型管接頭、擴口壓縮型管接頭及一接頭套管型密封件之至少一者。在一實施例中，外主體表面襯墊或蓋可經密封以在3500 K下含有約43托之石墨昇華蒸氣壓力。電池操作溫度可低於避免導致電池故障之一金屬蒸氣壓力之一溫度。在一例示性實施例中，電池主體包括具有一內W襯墊之一厚石墨圓柱體及一外W蓋圓柱體，其中石墨、內W及外W圓柱體之至少一者經密封至藉由諸如螺紋之構件連接至EM泵之組件。操作溫度可約為3000 K或更低以將壓力維持在處於或低於10 atm之Ag蒸氣壓力。在另一實施例中，Ag可凝結在一冷卻表面上以將金屬蒸氣壓力維持在低於電池故障限制，其中電池可在高於缺乏藉由冷卻凝結之一溫度下操作。一例示性更高溫度係3500 K。 在一實施例中，可使用諸如可經水冷卻之微通道冷板之冷板冷卻電池。可使用冷板冷卻諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、貯槽5c、PV轉換器26a、電極8、匯流條9及10及EM泵之至少一個電池組件。可藉由感應耦合加熱器之冷卻線圈5o水冷卻電池及至少一個電池組件之至少一者。 在一例示性實施例中(圖47至圖70)，電池包括(i)一圓頂5b4，諸如鎢圓頂5b4，其包括一球體(其中一螺紋頸部在頂部處連接至球體)且包括底部處之一刀緣；圓頂5b4頸部可包括相對於彼此定向成180°以附接匹配螺入電極之兩個螺紋穿透部分；可使用一O形環(諸如Ta O形環)及螺合於電極上之一鎖定螺帽8a1而抵靠圓頂軸環之外部密封各電極；對應匯流條可在反應單元腔室5b31外部之端部上螺合至電極上；各電極可包括一圓柱體及一板放電端部，電極螺紋可具有相反旋向性，使得電極皆可同時旋轉以旋入；(ii)一圓頂隔板5b81，其可包括用於圓頂頸部之一螺紋穿透部分，該螺紋穿透部分具有匹配螺紋以與板形成一密封；替代性地，圓頂隔板可經機械加工或鑄造為圓頂頸部及圓頂及圓頂頸部之至少一者之零件；一熱絕緣體5b82 (諸如包括耐火磚之一圓盤)可插入至圓頂隔板5b81中，諸如在圖67中展示；(iii)一鎢正圓柱形貯槽5c，其具有包括至螺紋圓頂頸部之配合螺紋之敞開頂部、一O形環5b7 (諸如Ta O形環)及用於O形環之一底座，使得頸部刀緣在螺紋經擰緊時使用O形環密封；貯槽5c進一步包括一基底板5b8 (諸如可經製造為圓柱形貯槽5c之部分之鎢基底板，如在圖47至圖55中展示)且基底板進一步包括用於鎢電磁泵管5k6之入口及出口之穿透部分；替代性地，包括EM泵穿透部分之基底板可進一步包括一接頭之一凹入螺紋母部分、用於O形環之一底座及一O形環(諸如Ta或石墨O形環)；正圓柱形貯槽5c可進一步包括底部處之一刀緣及包括接頭之公部分之外底部區段上之配對螺紋；且公部分及母部分可旋合在一起且抵靠基底板5b8上之O形環密封在圓柱體上之刀緣處；(iv)鎢接頭套管型或VCR型管接頭5k9 (圖49至圖53)，其可包括至少一個O形環5k10以將泵管穿透部分密封於貯槽基底板5b8處；(v)一鎢泵管5k6且包括一鎢噴嘴5q，其中管及噴嘴可包括單件或可包括可藉由諸如VCR管接頭5k9 (諸如貯槽基底板之穿透部分處之管接頭)之一管接頭連結之兩個件；(vi)鎢電磁泵匯流條5k2，其可經永久或動態地機械按壓至泵管壁上，泵管壁可包括凹痕以促進泵管壁之相對側處之各匯流條之間的良好電接觸；及(vii)鎢熱轉移塊5k7。電磁泵可安裝於可包括一絕緣體(諸如由碳化矽組成之絕緣體)之塊或EM泵基座5kc (圖66)上。 在一實施例中，EM泵管可包括至少三個件、一入口、一出口、一匯流條及一噴嘴區段5k61。另外，一分開噴嘴可螺合至泵管之噴嘴區段上。噴嘴可包括至少兩個平坦外表面以促進使用一扳手或類似工具擰緊。入口、出口及噴嘴區段之至少一者可藉由一螺紋接頭連接至貯槽5c之基底板。螺紋基底板與螺紋管區段之間的套節可進一步包括一O形環，諸如可將區段進一步密封至基底板之Ta O形環。在一例示性實施例中，管區段可包括一凸起軸環，其隨著螺紋經擰緊而將O形環壓縮至基底板外部。匯流條區段可藉由螺紋連接至入口及出口管區段之至少一者。至少一個接頭之螺紋可超過連結所需之螺紋或過度螺合，使得匯流條區段可過度地旋合至入口或出口區段之一者中，使得匯流條區段之相對端部可分別配裝至包括出口或入口區段之相對件之開始螺紋。接著，匯流條區段可經旋合至相對件中，使得入口及出口區段兩者旋合至匯流條區段中。在另一實施例中，藉由擴口壓縮式管接頭連結匯流條、入口及出口之至少一者與噴嘴區段。可使用諸如石墨之一螺紋密封劑密封接頭。可使用諸如一電子束焊道之一焊道密封至少一個接頭。除擴口壓縮、螺合、VCR型管接頭、焊接、O形環、刀端及接頭套管型以外，亦可使用此項技術中已知的其他接頭來連結EM泵管區段及貯槽之至少兩個件。 在一實施例中，圓頂、錐體貯槽或貯槽可包括密封電極穿透部分。可使用本發明之一構件(諸如一耐火O形環)將電極穿透部分密封至一絕緣饋通。替代性地，密封可包括諸如匯流條上之陽極氧化表面之一非傳導表面，諸如陽極氧化鋁、陽極氧化鈦或陽極氧化鋯，其中密封可包括一壓縮密封。密封可藉由差分熱膨脹。可藉由冷卻密封使密封維持低於失效溫度。可藉由諸如水冷卻匯流條之經冷卻匯流條至少部分移除密封處之熱。可藉由以下步驟形成密封：將諸如包括電極穿透部分之貯槽或錐體貯槽之電池組件加熱至高溫；插入具有諸如陽極氧化塗層之一絕緣塗層之冷匯流條或電極；及接著允許組件冷卻以形成密封。替代性地，匯流條及電極之至少一者可經冷卻以導致零件在插入至穿透部分中之前收縮。可允許零件升溫以形成收縮或壓縮密封。可使用液氮或其他致冷劑進行冷卻。絕緣表面可包括一塗層，諸如本發明之塗層，諸如氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ、碳化矽之至少一者。密封可維持在高溫電池操作條件下，因為與經冷卻匯流條或電極接觸之穿透部分保持在低於組件在插入匯流條或電極之前最初加熱之溫度之一溫度。包括密封之零件(諸如貯槽及匯流條)可具有凸緣、溝槽、O形環、配對件及其他幾何結構之緊固件以改良熟習此項技術者已知的熱壓縮密封之強度。產生器之其他饋通(諸如電磁泵匯流條之饋通)可包括熱壓縮密封，其中穿透零件之表面可包括電絕緣材料。絕緣表面可包括陽極氧化金屬，諸如鋁、鈦及鋯之至少一者。絕緣表面可包括一塗層，諸如本發明之塗層，諸如氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ、碳化矽之至少一者。在一實施例中，外殼壁及穿透部分之至少一者可藉由諸如陽極氧化之方法電絕緣以對感應耦合加熱器天線線圈引線提供熱壓縮密封。絕緣層至少可為諸如RF頻率之感應耦合加熱器頻率之集膚深度。 在一實施例中，電極匯流條可包括一水冷卻外殼內部之一帶電導體。內帶電導體可包括本發明之匯流條插管，其在一中空管之中心，其中水在插管中流動以冷卻附接於端部處之電極且沿著插管外部流動回外殼內部。帶電插管可電連接至在連接至電極之匯流條之端部處之一板。端板可與外殼電絕緣。在另一實施例中，端板與電池壁電連接，其中通過電池壁之寄生電流低於通過電極之電流。內帶電導體可透過與電極連接端部相對之端部處之一電絕緣穿透部分進入匯流條。由於溫度在穿透端部處較低，穿透部分可為一接頭套管型，其可包括一聚合物絕緣體(諸如鐵氟龍)或此項技術中已知的其他合適電絕緣體。 在一實施例中(圖47至圖55)，電極8可包括棒，諸如在穿透部分處與電池壁(諸如具有匹配螺紋之貯槽5c或錐體貯槽電池壁5b)螺合之鎢棒。各螺紋鎢棒電極可旋合至一匹配螺紋W電池壁中。各電極可包括用於水冷卻之一中心通道。與點火間隙8g相對之電極端部可經緊固至水冷卻匯流條9及10，匯流條9及10可進一步連接匯流條電流連接器9a。緊固可包括諸如銀焊料之焊料。可藉由螺紋上之一蓋(諸如一絕緣包繞或帶，諸如鐵氟龍、 全氟化橡膠(Kalrez)或氟化橡膠(Viton)帶)在螺紋穿透部分處使電極與電池壁電絕緣。蓋可進一步提供將電池密封至諸如在約1 atm至50 atm之範圍中之一壓力之壓力及提供來自電極及電池壁之差分膨脹之應力消除之至少一個功能。在一實施例中，穿透電池壁之匯流條或電極包括具有匹配至電池壁之熱膨脹之一熱膨脹之一材料以防止歸因於在操作期間之差分熱膨脹之過度壁應力。在一實施例中，電極螺紋及電極之至少一者可藉由諸如氧化釔之一塗層與電池電隔離。 在另一實施例中(圖47至圖55)，電極8穿透電池壁(諸如貯槽5c或錐體貯槽5b壁)且緊固在穿透部分處。緊固可包括一焊道或一螺紋接頭。在一例示性實施例中，電極可包括棒，諸如在穿透部分處與電池壁(諸如具有匹配螺紋之貯槽或錐體貯槽電池壁)螺合之鎢棒或軸件。各螺紋鎢棒電極可旋合至一匹配螺紋W電池壁中。螺紋壁與螺紋電極之間的套節可進一步包括一O形環8a，諸如可進一步密封電極及壁之Ta O形環。在一例示性實施例中，電極可包括一凸起軸環，其隨著螺紋擰緊而將O形環8a壓縮至壁外部。替代性地，各電極可包括螺合於軸件上且可抵靠O形環及壁擰緊之一鎖定螺帽8a1。在一實施例中，螺帽8a1可包括一化合物螺紋緊固件。緊固可提供電極與電池壁之間的一電連接，其中相對於在噴射諸如銀之熔融金屬時在電極之間流動之電流最小化流動通過電池壁之電流之電阻。流動通過電池壁之寄生電流可低於通過電極之電流。可藉由降低電極電流之電阻且增大寄生電流之電阻而相對於寄生壁電流增大電極電流。可藉由以下至少一者減小電極電流之電阻：增大電極橫截面(諸如藉由增大棒電極之直徑)、減小電極長度、減小電極間間隙8g、增大熔體之傳導性及冷卻電極，其中溫度可維持在高於諸如銀熔體之經噴射熔體之熔點。可藉由以下至少一者增大寄生壁電流之電阻：增大壁圓周路徑、使用電阻更大之壁材料、使壁氧化(諸如在電接觸點處)、減小壁之厚度及增大壁之溫度。在一實施例中，螺紋可藉由曝露於氧來源而至少部分氧化或可經陽極氧化以減少電極與壁之間的電接觸以降低寄生電流。在一實施例中，電極與壁之間的電接觸點可經塗佈有諸如 (0＜n＜1)之鎢青銅，其中n可小於約0.3，使得青銅係一半導體而非一導體。可藉由使WO 3塗層與鹼金屬反應或藉由在赤熱下使鎢酸鈉塗層進行氫還原而形成青銅。替代性地，可藉由此項技術中已知的方法使用氮化硼或氮化鎢、硼化物、矽化物或碳化物塗佈W表面。螺紋及電極周圍之接近區域之至少一者可經塗佈，其中接近區域可為熔體可將電極短接至壁之區域。接近區域可經冷卻，使得塗層並不快速熱降級。在一實施例中，諸如Ta O形環之電極O形環、鎖定螺帽及鎖定螺帽處之螺紋可經塗佈以降低電極軸件與電極穿透之壁(諸如圓頂軸環壁)之間的傳導性。 各電極可包括用於水冷卻之一中心通道。與點火間隙8g相對之電極端部可經緊固至經水冷卻匯流條9及10。緊固可包括螺紋或諸如銀焊料之焊料。對應匯流條可經螺合至反應單元腔室5b31外部之端部上之電極上。冷卻可降低相對於壁電阻之電極電阻以降低寄生壁電流。 在一實施例中，諸如鎢電極之耐火材料電極包括一冷卻通道或插管。冷卻通道可為中心線。冷卻通道可經電鍍或塗佈有不與水反應之一材料(諸如銀、鎳或銅)或本發明之一塗層。通道可經包覆有諸如金屬、石墨之一材料或不與水反應之一塗層。 在一實施例中，平行板電極經連接至相對匯流條。電極可包括螺合至諸如貯槽5c壁之電池壁中之匹配螺紋中之一圓柱形螺紋區段。可使用可包括諸如Ta O形環之一O形環之電池壁外部上之一螺帽擰緊螺紋。諸如W電極之電極各可經製造為包括一圓柱形螺紋部分及一板區段之一單件，其中該板可自圓柱形區段之中心偏移以允許兩個相對電極平行重疊。該等電極可藉由在相同方向上同時旋轉而旋入，其中相對電極及壁具有反旋螺紋。替代性地，各電極可包括一圓柱形件及一板。可獨立旋入各圓柱形件，且可藉由諸如焊道、鉚釘或螺釘之緊固件連結板及圓柱形區段。 在防止電容器在產生器(包括一儲存電源2或點火源(諸如一電容器庫或電池組)且進一步包括具有一寄生電流之電極)未操作時放電之一實施例中，產生器可包括一開關以在藉由EM泵起始將熔體遞送至電極間隙8g之情況下使電極帶電。電流可為恆定或脈衝。恆定電流可自一較低位準斜升至一較高位準。在一實施例中，電壓可升高以起始崩潰且接著減小。 在一實施例中，產生器進一步包括能夠承受低於大氣壓之壓力、大氣壓及高於大氣壓之壓力之一電池腔室，其容置圓頂5b4及對應反應單元腔室5b31。電池腔室5b3外殼及下腔室5b5外殼可連續。替代性地，下腔室5b5可分開以使其自身之壓力控制系統可在不同於電池腔室之一壓力(諸如大氣壓或真空)下操作。電池腔室5b3及下腔室5b5之分離器可包括貯槽5c之頂部處之一板5b81或底部處之一板5b8。可藉由板5b81或5b8與貯槽5c之間的螺紋將板5b8緊固至貯槽。螺紋圓頂及頸部及具有一基底板之貯槽之至少一者可由鍛鎢機械加工為單件。可藉由在操作期間在高溫下施加形成一燒結焊道之鎢粉末而將沖壓鎢電磁泵匯流條5k2燒結焊接至泵管壁凹痕。針對電池組件使用諸如鎢之一耐火材料可避免在圓頂與貯槽之間或錐體貯槽與貯槽之間具有諸如一熱絕緣體(諸如SiC)之一熱障之必要性。 在一實施例中，反應單元腔室5b31可包括一銀鍋爐。在一實施例中，允許諸如銀之熔融金屬之蒸氣壓力在操作溫度下約達到平衡，使得金屬蒸發之程序約中止且銀汽化及憑藉排熱之凝結之功率損耗約被消除。在3000 K及3500 K之操作溫度下之例示性銀蒸氣壓力分別為10 atm及46 atm。在電池操作溫度下維持平衡銀蒸氣壓力包括在電池電力產生操作期間使用回流液體銀維持電池壓力之一穩定方法。在一實施例中，由於圓頂5b4可在高壓及高溫下破裂，故電池腔室5b3中之壓力匹配至反應單元腔室5b31中之壓力，使得跨圓頂5b4本質上不存在凈壓力差。在一實施例中，可在反應單元腔室5b31中維持諸如在約1毫托至100托之範圍中之一輕微過量壓力以防止鎢圓頂5b4之潛變(諸如抵抗重力之潛變)。在一實施例中，可藉由添加一穩定化添加劑至黑體輻射器5b4之金屬來抑制潛變。在一實施例中，鎢經摻雜有一添加劑(諸如少量K、Re、CeO 2、HfC、Y 2O 3、HfO 2、La 2O 3、ZrO 2、Al 2O 3、SiO 2,及K 2O之至少一者)以減少潛變。添加劑可為任何所要量，諸如在1 ppm至10重量%之一範圍中。 在操作為一銀鍋爐之反應單元腔室5b31之一實施例中，諸如圓頂5b4及貯槽5c之電池組件包括諸如鎢之一耐火材料。在一起動模式中，可使用諸如感應耦合加熱器5m及5o之一加熱器將貯槽5c加熱至足夠溫度以導致諸如銀金屬蒸氣壓力之金屬蒸氣壓力以加熱圓頂5b4。在EM泵及電極經啟動以導致泵抽及點火時，溫度可高於銀之熔點。在一實施例中，諸如氧化物(諸如LiVO 3)之氧來源可經塗佈於圓頂5b4壁上以隨著金屬蒸氣在起動期間升溫之期間回流而併入至熔體中。 在一實施例中，藉由充當傳導基質之銀蒸氣維持分數氫反應。來自貯槽之銀之連續噴射(其中至少一部分變為蒸氣)及直接沸騰之至少一者可提供銀蒸氣。電極可提供高電流至反應以移除電子且起始分數氫反應。來自分數氫反應之熱可協助將諸如銀金屬蒸氣之金屬蒸氣提供至反應單元腔室。在一實施例中，通過電極之電流可至少部分經轉向至與電漿接觸之替代或補充電極。電流轉向可在銀蒸氣之壓力變得足夠高以使銀蒸氣至少部分充當傳導基質之後發生。與電漿接觸之替代或補充電極可包括一或多個中心電極及反應單元腔室之周邊周圍之相對電極。電池壁可充當一電極。 在一實施例中，PV轉換器26a包含於具有一外腔室5b3a1 (圖56)之一外壓力容器5b3a中。外壓力容器可具有含有PV轉換器及內電池組件(其包括光源以照明PV轉換器)之任何所要幾何形狀。外腔室可包括具有至少一個圓頂狀端帽之一圓柱體。外壓力容器可包括一圓頂或球形幾何結構或能夠含有PV轉換器及圓頂5b4且能夠維持小於、等於或大於真空之至少一者之一壓力之其他合適幾何結構。在一實施例中，包括PV電池、冷板及冷卻系統之PV轉換器26a經定位於外壓力容器內部，其中電及冷卻劑管線透過密封穿透部分及饋通(諸如本發明之穿透部分及饋通之一者)穿透容器。在一實施例中，外壓力容器可包括可包含至少一個圓頂之一圓柱體。在一實施例中，產生器可包括一圓柱形腔室，其可具有一圓頂帽以容置黑體輻射器5b4及PV轉換器26a。產生器可包括容置PV轉換器之一頂腔室及容置電磁泵之一底腔室。腔室可在相同或不同壓力下操作。 在一實施例中，外壓力容器包括PV轉換器支撐件，諸如形成含有圍封反應單元腔室5b3之圓頂5b4之電池腔室5b3之PV圓頂。外壓力容器可包括一圓頂或球形幾何結構或能夠含有圓頂5b4且能夠維持小於、等於或大於真空之至少一者之一壓力之其他合適幾何結構。在一實施例中，PV電池15在諸如一球形圓頂壁之外壓力容器壁之內部上，且冷板及冷卻系統在壁之外部上。電連接件可透過密封穿透部分及饋通(諸如本發明之穿透部分及饋通之一者)穿透容器。熱轉移可跨可熱傳導之壁發生。一合適壁材料包括一金屬，諸如銅、不銹鋼或鋁。PV電池之內部上之PV窗可包括透明區段，其等可藉由諸如矽黏著劑之一黏著劑連結以形成一氣密透明窗。該窗可保護PV電池以隔絕將自圓頂5b4汽化之金屬再沈積回至圓頂之氣體。氣體可包括鹵素循環之氣體。可藉由ConFlat或其他此凸緣密封件將諸如一圓頂狀容器之壓力容器PV容器密封至一上腔室與下腔室或其他腔室之間的一隔板5b81或5b8。上腔室可含有黑體輻射器5b4及PV電池15，且下腔室可含有EM泵。下腔室可進一步包括下腔室冷板或冷卻管線5b6a (圖57及圖58)。 如在圖56至圖67中展示，產生器可包括一透明容器或透明壁容器5b4a，其包括容置黑體輻射器5b4之一腔室。透明容器可含有痕量氧及鹵素(諸如烴溴化合物之至少一者，諸如HBr、CH 3Br及CH 2Br 2及碘之至少一者)之至少一者之一來源，其執行將自黑體輻射器5b4之表面汽化之鎢運輸回至輻射器5b4及再沈積鎢之功能。運輸系統及條件(諸如壁溫度及鹵素及鎢-鹵素錯合物或鹵化物或鹵氧化物蒸氣壓力)可約相同於熟習此項技術者已知的鎢-鹵素燈泡之運輸系統及條件。透明容器之壁溫度可高於約250°C。鹵素循環可在200°C至250°C範圍中起始。透明容器可包括可包圍圓頂5b4之一燈泡或一圓頂。包圍黑體輻射器5b4之透明燈泡或圓頂5b4a (諸如包括石英或熔融矽石英玻璃之燈泡或圓頂)可在約400°C至1000°C之溫度範圍中操作。可藉由熟習此項技術者已知的鹵素循環再沈積自圓頂5b4汽化之鎢。透明容器之壁可包括鎢鹵素燈泡之壁材料，諸如熔融矽、石英及高熔點玻璃(諸如矽酸鹽玻璃)之至少一者。透明容器可包括包含一惰性氣體、氫氣及一鹵素氣體來源(諸如烴溴化合物或碘)之至少一者之一氣氛。壁可維持在適合於使鎢鹵素錯合物汽化之一溫度。自圓頂5b4蒸發之鎢可形成鎢-鹵素錯合物，其在熱透明壁上汽化，擴散至圓頂5b4且分解以於圓頂5b4上再沈積W。 透明容器5b4a可能夠承受超過大氣壓之壓力。透明容器可在操作期間經加壓至約等於反應單元腔室之壓力之一壓力，諸如在約1 atm至50 atm之壓力範圍中之壓力。透明容器可維持大於支援鹵素循環所需之溫度之一溫度。透明容器可包括至一基底板之一密封以能夠維持透明容器內部之高壓。可藉由氣體系統(諸如本發明之罐、閥、泵、壓力感測器及控制器)使用諸如一惰性氣體(諸如氙)之一氣體使透明容器加壓。可藉由使用一泵及閥(諸如氣體螺線管閥31ma (圖58))之一系統加固泵抽以控制泵抽或加壓哪一腔室。氫亦可經添加至透明容器氣體。可透過一選擇性薄膜或閥供應用於等化壓力之氣體。選擇性薄膜或閥可阻擋鹵素來源氣體之運輸。氫氣可擴散通過反應單元腔室壁以將氫供應至分數氫反應。PV轉換器26a可在透明容器周邊。 3422°C之鎢熔點在所有金屬中係最高的且僅次於元素中之碳(3550°C)。耐火陶瓷及合金具有更高熔點，尤其Ta 4HfC 5TaX 4HfCX 5具有4215°C之熔點，碳化鉿具有3900°C之熔點且碳化鉭具有3800°C之熔點。在實施例中，諸如黑體輻射器5b4及貯槽5c之電池組件可包括一耐火材料，諸如W、C及一耐火陶瓷或合金之至少一者。在其中黑體輻射器包括石墨之一實施例中，電池腔室5b3含有一高壓氣體，諸如抑制石墨昇華之一高壓惰性氣氛。在一實施例中，透明圓頂5b4a面向黑體輻射器5b4之內壁包括具有朝向碳之防黏性質之一材料、塗層或表面。表面可包括實質上並不衰減藉由PV轉換器26a轉換為電之光之一薄層。在其中黑體輻射器包括石墨之一實施例中，可藉由分別維持PV壓力容器或透明容器中之一高壓來抑制石墨昇華至PV電池或透明容器壁。 在一實施例中，黑體輻射器可包括碳。可藉由靜電沈澱(ESP)自電池腔室5b3移除自一石墨黑體輻射器(諸如一球形石墨黑體輻射器)昇華之碳。ESP系統可包括一陽極、一陰極、一電源供應器及一控制器。粒子可藉由一個電極充電且由另一相對電極收集。經收集煙灰可自收集電極脫落且導致下落至一收集倉中。可藉由一機械系統達成脫落。在一實施例中，可使用一施加電壓源使透明容器之內壁帶負電且使圓頂帶正電。自石墨圓頂5b4昇華之帶負電碳粒子可在壁與圓頂5b4之間的場影響下遷移回至圓頂。在一實施例中，可藉由主動運輸(諸如藉由使氣體通過電池腔室5b3及接著一碳粒子過濾器)移除碳。 在一實施例中，黑體輻射器包括將不與氫反應之一塗層。電池可包括用於反應單元腔室及貯槽之一襯墊以減少電漿氫與諸如碳壁之電池壁之反應。反應單元腔室氣體可包括氫與碳反應之烴產物。烴可抑制氫與包括碳之電池壁反應。 在一實施例中，圓頂5b4可包括石墨，且貯槽可包括諸如鎢之一耐火材料。石墨可包括各向同性石墨。貯槽可包括用於頂部區段處之電極之穿透部分。石墨圓頂可螺合至貯槽上。在一實施例中，諸如一球形圓頂之石墨黑體輻射器可包括一襯墊以防止反應單元腔室5b31內部之熔融金屬侵蝕石墨。襯墊可包括形成至石墨圓頂內部之一網或薄片。襯墊可防止流動熔融金屬之剪力侵蝕反應單元腔室之內表面。 在一實施例中，外壓力容器可含有PV轉換器26a及與黑體輻射器同心之透明容器或透明壁容器5b4a，其中黑體輻射器包含於透明壁容器之內部。外壓力容器、透明壁腔室及反應單元腔室5b31之至少兩者之壓力可約等化。在一實施例中，包括PV電池之一密集接收器陣列之PV轉換器包括包含透明容器之一窗。透明容器可包括密集接收器陣列之一襯墊。PV轉換器及透明容器之至少一者可包括複數個區段，諸如在具有通向貯槽5c之一開口之一球體之赤道處連結之兩個半球形圓頂。密封件可包括一凸緣及一墊圈之至少一者，諸如一O形環。在一實施例中，黑體輻射器5b4可包括複數個區段，諸如在具有通向貯槽5c之一開口之一球體之赤道處連結之兩個半球形圓頂。密封件可包括一凸緣及一墊圈之至少一者，諸如一O形環。產生器之組裝順序可為(i)將貯槽5c組裝至隔板5b8；(ii)將電磁泵組裝至貯槽5c中；(iii)將透明容器及PV轉換器之底半球組裝至圓頂隔板5b81上；(iv)將黑體輻射器5b4螺合至貯槽5c中；(v)將透明容器及PV轉換器之頂半球組裝至透明容器及PV轉換器之底半球上；(vi)將電極螺合至黑體輻射器之頸部中，其中可藉由使用一精度機器達成後者以達成適當電極對準。另外或替代性地，可使用X射線成像觀察電極位置以進行調整。在另一實施例中，透明容器可經模製於黑體輻射器球體上方以消除透明半球及半球之間的相關聯接頭。在此情況中，黑體輻射器可經螺合至貯槽中。可藉由使用貯槽之螺紋電極開口達成施加扭矩以擰緊之機械連接。 替代性地，諸如PV圓頂之PV轉換器支撐結構可包括包含與透明壁容器同心之一電池腔室5b3之外壓力容器，透明壁容器與黑體輻射器同心。電池腔室5b3、透明壁腔室及反應單元腔室5b31之至少兩者之壓力可約等化。可藉由添加諸如一惰性氣體及氫之至少一者之一氣體等化壓力。可藉由感測器、控制器、閥、泵、氣體來源及用於氣體再循環之罐(諸如本發明之罐)維持氣體壓力。可透過一選擇性薄膜或閥供應用於等化壓力之氣體。選擇性薄膜或閥可阻擋鹵素來源氣體之運輸。氫氣可擴散通過運輸腔室壁及反應單元腔室壁之至少一者。 透明容器之透明壁之外表面可包括至少一個熱光伏打濾波器，諸如一紅外線濾波器。濾波器可優先反射具有未藉由PV轉換器轉換為電之波長之光。PV轉換器之電池可經鏡像於背側上以將通過電池之光反射回至黑體輻射器。針對未藉由PV電池轉換為電之紅外線光，鏡可具選擇性。紅外線鏡可包括一金屬。電池背部可經金屬化。金屬可包括諸如金之一紅外線反射器。金屬可藉由接觸點附接至PV電池之半導體基板。接觸點可分佈於電池背部上方。該等點可包括一接合材料，諸如Ti-Au合金或Cr-Au合金。PV電池可包括至少一個接面。在3500 K下操作之代表性電池包括作為一單接面電池之GaAs上GaAs基板或InP或GaAs上InAlGaAs基板及作為一雙接面電池之InP或GaAs上InAlGaAs基板。在3000 K下操作之代表性電池包括作為一單接面電池之GaAs上GaAs基板或InP或GaAs上InAlGaAs基板及作為一雙接面電池之InP或GaAs上InAlGaAs基板。 在一實施例中，透明容器之壁包括PV電池之窗，使得消除透明容器。PV轉換器之窗可較厚以提供最靠近於黑體輻射器5b4之表面與藉由諸如一水冷卻系統之冷卻系統(諸如冷板及熱交換器87)冷卻之PV電池15之間的熱絕緣。在一代表性實施例中，最靠近於黑體輻射器之PV窗之內表面維持在高於支援鹵素循環之溫度之一溫度(諸如高於250°C)，且介接PV電池之外表面可維持在可期望且適合於操作PV電池之一溫度(諸如在25°C至150°C之範圍中)。窗可包括未藉由PV電池15轉換為電之光之至少一個反射器，諸如一紅外線反射器。在一實施例中，反射器可嵌入窗中或塗佈窗之背部。PV窗可包括複數個層，其中一濾波器或紅外線反射器可經塗佈於層之間的至少一個表面上。對應電池腔室與反應單元腔室之壓力可約平衡。 在一實施例中，包括支援鹵素循環之一氣氛之一腔室與諸如EM泵之至少一個鹵素循環反應組件接觸。可與鹵素來源反應之電池組件可經塗佈有一抗化學腐蝕塗層，諸如本發明之塗層，諸如富鋁紅柱石。 在一實施例中，黑體輻射器5b4之測地PV轉換器26a可包括一光學分佈系統23，諸如本發明之光學分佈系統(圖46)。光學分佈系統23可將光分裂至不同波長區域中。可藉由鏡及濾波器(諸如本發明之鏡及濾波器)之至少一者達成分裂。分裂光可入射至對分裂光及入射光具選擇性之對應PV電池15。光學分佈系統23可配置成自包圍球形黑體輻射器5b4之測地球體向外突出之行。 在一實施例中，產生器可包括一上電池腔室及下電池腔室。一下腔室壁或隔板5b81或5b8可分開上腔室與下腔室。該壁可包括自貯槽或錐體貯槽延伸至PV轉換器之一板，諸如鎢板或SiC板。該板可藉由一螺紋接頭附接至貯槽。電池腔室可包括PV轉換器處之一密封件以將PV窗密封至諸如5b81之隔板。密封件可包括一O形環密封件。在密封件處於窗之一低溫部分處之情況中，O形環可包括一聚合物，諸如鐵氟龍或氟化橡膠O形環或石墨。在密封件處於窗之一高溫部分處之情況中，密封件可包括一可壓縮金屬O形環，其中連結零件可包括一刀緣及一座板。窗可充當一壓力容器。窗壓力容器及透明容器之至少一者可包括包含複數個透明窗元件之一分段窗或容器。窗元件可在諸如一金屬或石墨框架之一框架中連結在一起。框架可包括一測地框架或其他合適幾何結構。遮蔽PV電池之框架結構組件可包括一高發射率以將黑體輻射反射回至黑體輻射器。組件可經鍍銀及拋光之至少一者。窗元件可包括三角形或其他合適幾何元件，諸如方形或矩形元件。透明窗元件可包括藍寶石、石英、熔融矽、玻璃、MgF 2及此項技術中已知的其他窗材料。窗材料可支援面向黑體輻射器之表面上之鹵素循環。分段窗或容器可經冷卻。冷卻可在朝向PV電池之背側上。一合適冷卻系統係包括窗或容器壁與PV電池之間的一水流之冷卻系統。可藉由此項技術中已知的一密封件(諸如ConFlat或此項技術中已知的其他凸緣密封件)將分段窗或容器密封至框架處之隔板(諸如5b81)。上電池腔室、下腔室及反應單元腔室之至少兩者中之壓力可約平衡。 產生器可包括用於電池腔室及反應單元腔室壓力之至少一者之一精確氣體壓力感測及控制系統。本發明之系統可包括氣罐及管線，諸如稀有氣體及氫罐及管線(諸如5u及5v)之至少一者。氣體系統可進一步包括壓力感測器、歧管(諸如5y)、入口管線(諸如5g及5h)、饋通(諸如5g1及5h1)、噴射器(諸如5z1)、噴射器閥(諸如5z2)、真空泵(諸如13a)、真空泵管線(諸如13b)、控制閥(諸如13e及13f)以及管線及饋通(諸如13d及13c)。諸如氬或氙之一稀有氣體可經添加至電池腔室5b3以匹配反應單元腔室5b31中之壓力。在一實施例中，藉由對一可移動電池組件(如在本發明中給出)之壓縮來量測反應單元腔室及電池腔室壓力之至少一者。在一實施例中，自一電池組件之溫度(諸如反應單元腔室5b31溫度及圓頂5b4溫度之至少一者)量測銀蒸氣壓力，其中可已知自黑體輻射光譜及組件溫度與銀蒸氣壓力之間的關係判定電池組件溫度。在另一實施例中，藉由氣體傳導性量測壓力(諸如反應單元腔室之壓力)。傳導性可由諸如銀蒸氣壓力之金屬蒸氣壓力主導，使得可藉由傳導性量測銀蒸氣壓力。可跨與反應單元腔室內部之氣體接觸之電極量測傳導性。匯流條9及10中之導管可提供一通路以將電極連接至反應單元腔室外部之傳導性量測儀器。可使用一光電池量測圓頂之溫度。光電池可包括PV轉換器26a之至少一個電池。可使用圓頂之黑體光譜發射量測圓頂之溫度。可使用一光學高溫計量測溫度，該光學高溫計可使用一光纖收集及運輸光至感測器。可藉由複數個二極體量測溫度，該複數個二極體可具有對黑體曲線之樣本部分具選擇性之濾波器以判定溫度。 除一稀有氣體以外，外壓力容器腔室、電池腔室5b3及透明容器腔室之至少一者中之氣體亦可包括氫。藉由罐、管線、閥及噴射器供應至至少一個腔室之氫可在電池操作溫度下擴散通過可滲透氫之一電池組件以取代形成分數氫所消耗之氫。氫可滲透圓頂5b4。分數氫氣體產物可擴散出諸如5b3及5b31之腔室至周圍氣氛或至一收集系統。替代性地，分數氫氣體產物可選擇性地經泵抽出至少一個腔室。在另一實施例中，分數氫氣體可經收集於可週期性地替換或再生之收氣器中。圍封黑體輻射器之腔室之氣體可進一步包括一鹵素來源，諸如I 2或Br 2或與昇華鎢形成一錯合物之烴溴化合物。錯合物可在熱鎢圓頂表面上分解以將鎢再沈積於圓頂5b4上。諸如W之某圓頂耐火金屬可經添加至諸如銀之熔融金屬以經汽化及沈積於內圓頂表面上以取代蒸發或昇華金屬。 在一實施例中，電池進一步包括至反應單元腔室之氫供應器。供應器可透過EM泵管、貯槽及黑體輻射器之至少一者穿透電池。供應器可包括一耐火材料，諸如W及Ta之至少一者。供應器可包括一可滲透氫之薄膜，諸如包括一耐火材料之薄膜。氫供應器可穿透溫度低於黑體輻射器之溫度之一電池區域。供應器可在EM泵管或貯槽處穿透電池。供應器可包括一可滲透氫之薄膜，該薄膜在EM泵管或貯槽中之熔融銀之操作溫度下係穩定的。可滲透氫之薄膜可包括Ta、Pt、Ir、Pd、Nb、Ni、Ti或具有熟習此項技術者已知的合適熔點之其他合適可滲透氫之金屬。 在一實施例中，至少一個外腔室或在反應單元腔室5b31外部之腔室經加壓至約在反應單元腔室及黑體輻射器之操作溫度下反應單元腔室之內部壓力之一外部壓力。外部壓力可匹配內部壓力至約±0.01%至±500%之一範圍內。在一例示性實施例中，在黑體輻射器外部之一個容器及反應單元腔室之至少一個腔室之外部壓力為約10 atm以匹配在約3000 K之一操作溫度下反應單元腔室之10 atm銀蒸氣壓力。在諸如10 atm之一高壓下預加壓之例示性腔室係含有PV轉換器之外壓力容器及透明壓力容器。黑體輻射器能夠在黑體輻射器溫度增大至操作溫度時支援外部壓力差減小。 在圖68至圖94中展示之一實施例中，SunCell包括一外壓力容器5b3a，其具有含有PV轉換器26a、黑體輻射器5b4、貯槽5c及EM泵之一腔室5b3a1。可藉由冷卻劑管線、冷板或熱交換器5b6a水冷卻外壓力容器5b3a之壁。SunCell組件(諸如外壓力容器5b3a之壁)可包括一熱或輻射屏蔽以協助冷卻。屏蔽可具有一低發射率以反射熱。外壓力容器5b3a可包括外部上之熱交換器散熱片。散熱片可包括一高熱導體，諸如銅或鋁。產生器可進一步包括提供自散熱片之強制對流熱轉移之一構件。該構件可包括一風扇或鼓風機，其可定位於外殼中壓力容器下方。風扇或鼓風機可迫使空氣向上流過散熱片。外壓力容器可包括一區段，諸如含有且安裝諸如PV轉換器26a、黑體輻射器5b4、貯槽5c及EM泵總成5ka之電池組件之一圓柱形區段。安裝且支撐電池組件之連接件包括適應組件與基座及支撐件之間的不同熱膨脹率或量之構件，使得避免膨脹損害。基座及支撐件可包括膨脹接頭及可膨脹連接器或緊固件之至少一者，諸如墊片及襯套。連接器及緊固件可包括可壓縮碳，諸如Graphoil或Perma-Foil (Toyo Tanso)。在一實施例中，電、氣體、感測器、控制及冷卻管線可穿透外壓力容器5b3a之底部。外壓力容器可包括一圓柱形及圓頂狀外殼及一基底板5b3b(外殼密封至基底板)。外殼可包括經塗佈之碳纖維或不銹鋼或鋼。塗層可包括鎳鍍層。外殼可移除以容易地接達至內部SunCell組件。基底板5b3b可包括電、氣體、感測器、控制及冷卻管線之至少一者之饋通。饋通在管線可電短接至外殼之情況中可為耐壓且電隔離的。在一實施例中，PV轉換器冷卻系統包括一歧管，歧管具有至諸如密集接收器陣列之三角形元件之元件之冷板之分支。基底板饋通可包括：(i)點火匯流條連接器10a2，其等連接至電源2 (諸如包括外殼90中之一電容器庫之電源，其可進一步包括藉由PV轉換器26a輸出供電之DC-DC轉換器)，且10a2進一步連接至用於點火匯流條9及10之饋通10a，饋通10a在點火匯流條饋通總成10a1處穿透基底板(例示性點火電壓及電流為約50 V DC及50 A至100 A)；(ii)EM泵匯流條連接器5k33，其等連接至EM電源供應器5k13且進一步連接至EM泵饋通5k31(其等在EM泵匯流條饋通凸緣5k33處穿透基底板)；電源供應器5k13可包括藉由PV轉換器26a輸出供電之DC-DC轉換器(例示性EM泵電壓及電流為約0.5 V DC至1 V DC及100 A至500 A)；(iii)感應耦合加熱器天線饋通總成5mc，其中藉由感應耦合加熱器電源供應器5m供電給天線，該感應耦合加熱器電源供應器5m可包括藉由PV轉換器26a輸出供電之DC-DC轉換器、一變壓器、至少一個IGBT及一射頻傳輸器(例示性感應耦合加熱器頻率、電壓及電流為約15 kHz、250 V AC或DC等效物及100 A至300 A)；(iv)用於氫氣管線5ua及氬氣管線5ua1之穿透部分5h1及5h3，氫氣管線5ua及氬氣管線5ua1分別連接至氫罐5u及氬罐5u1；(v)用於連接至熱交換器冷卻劑管線5k11之EM泵冷卻劑管線31d及31e之穿透部分，其中EM泵熱交換器5k1之冷卻劑管線5k11及EM泵冷板5k12各可包括跨越兩個熱交換器5k1之單件；(vi)用於PV冷卻劑管線31b及31c之穿透部分；及(vii)用於自PV轉換器26a至電力調節器110之功率流之穿透部分。諸如31e之入口冷卻劑管線連接至輻射器入口管線31t且諸如31d之出口冷卻劑管線連接至水泵出口31u。除輻射器31以外，亦可藉由空氣風扇31j1冷卻產生器。 在一實施例中，PV轉換器26a包括緊固在一起以配裝在黑體輻射器5b4周圍之一下半球件26a1及一上半球件26a2。PV電池各可包括PV電池上之一窗。PV轉換器可擱置於一PV轉換器支撐板5b81上。支撐板可懸浮以避免與黑體輻射器或貯槽接觸且可經穿孔以允許整個外壓力容器之間的氣體交換。諸如下半球26a1之半球可包括諸如底部之一區域部分周圍之鏡以將光反射至PV轉換器之PV電池。鏡可適應自黑體輻射器接收光之一理想測地圓頂與由PV元件形成之圓頂之間的任何失配。非理想性可係歸因於將PV元件配裝在黑體輻射器周圍之空間限制，此係歸因於包括測地圓頂之PV元件之幾何結構。 一例示性PV轉換器可包括由一陣列模組化三角形元件組成之一測地圓頂，該等陣列模組化三角形元件各包括複數個聚光器PC電池及背襯冷板。該等元件可按扣在一起。例示性陣列可包括一五角十二面體。例示性陣列可包括六個五角形及16個三角形。在一實施例中，PV轉換器26a之基底可包括其中未配裝測地PV轉換器陣列之三角形PV元件之位置中之反射器。反射器可將入射光反射至PV轉換器之另一部分及反射回至黑體輻射器之至少一者。在一實施例中，將來自下半球5b41之基底之電力至少部分回收為光及熱之至少一者。在一實施例中，PV轉換器26a包括包圍下半球5b41之基底之PV電池之一軸環。在一實施例中，藉由諸如一熱管道之一熱交換器將電力收集為熱。熱可用於冷卻。可將熱供應至熟習此項技術者已知的一吸收冷凍器以達成冷卻。在一實施例中，可藉由允許諸如水(諸如池過濾之水)之冷卻劑經歷一相變而減小諸如一冷凍器及一輻射器之至少一者之冷卻系統之佔據面積。相變可包括液體至氣體。相變可發生在自PV電池移除熱之冷板內。液體至氣體之相變可發生在微通道冷板之微通道中。冷卻劑系統可包括一真空泵以減小冷卻系統中之至少一個位置中之壓力。可藉由維持冷卻劑系統中之一減壓來協助相變。可在冷卻系統之冷凝器區段中維持減壓。PV轉換器、冷板及PV電池之至少一者可浸沒於經歷諸如沸騰之一相變之一冷卻劑中以增大熱移除。冷卻劑可包括此項技術中已知的冷卻劑，諸如一惰性冷卻劑，諸如3M Fluorinert。 PV電池可經安裝至冷板。可藉由冷卻劑導管或冷卻劑管道將熱自冷板移除至一冷卻歧管。歧管可包括在包圍PV轉換器之周邊之複數個環形管道(其等可沿著PV轉換器之垂直或z軸隔開)且包括脫離其之冷卻劑導管或冷卻劑管道。 外壓力容器可進一步包括一帽，諸如密封至諸如安裝電池組件之圓柱形區段之區段之一圓頂。密封件可包括一凸緣、至少一個墊圈及諸如夾鉗及螺栓之緊固件之至少一者。圓柱形區段可包括用於穿過電池壁之管線及電纜(諸如冷卻劑管線及電感測器及控制電纜)之穿透部分或饋通，諸如電磁泵及感應耦合加熱器冷卻劑管線饋通總成5kb1及電磁泵及壓力容器壁冷卻劑管線饋通總成5kb2。壓力容器腔室5b3a1內部之連接件可包括可撓性連接件，諸如導線及可撓性管路或管道。黑體輻射器可包括密封在一起以構成一反應單元腔室5b31之複數個件。複數個件可包括一下半球5b41及一上半球5b42。其他形狀在本發明之範疇內。兩個半球可在一密封件5b71處緊固在一起。密封件可包括一凸緣、至少一個墊圈5b71及諸如夾鉗及螺栓之緊固件之至少一者。密封件可包括一石墨墊圈(諸如Perma-Foil (Toyo Tanso))及耐火螺栓(諸如石墨或W螺栓及螺帽)，其中諸如W螺栓及螺帽之金屬螺栓及螺帽可進一步包括一石墨或Perma-Foil墊圈或墊片以補償碳與螺栓及螺帽金屬(諸如W)之間的不同熱膨脹係數。黑體輻射器之下半球5b41及貯槽5c可經連結。連結可包括一密封凸緣、螺紋接頭、焊接接頭、膠合接頭或另一接頭，諸如本發明或熟習此項技術者已知的接頭。在一實施例中，下半球5b41及貯槽5c可包括一單件。貯槽可包括藉由一接頭(諸如本發明或熟習此項技術者已知的接頭)附接之一底板。替代性地，底板及貯槽主體可包括單件，其可進一步包括具有下半球之單件。貯槽底板可連接至一貯槽支撐板5b8(其提供至外壓力容器5b3a壁之一連接以支撐貯槽5c)。EM泵管5k6及噴嘴5q可穿透且使用諸如機械管接頭(諸如接頭套管型及VCR型管接頭5k9及接頭套管型接頭O形環5k10之至少一者)之接頭連接至貯槽5c底板。在一實施例中，頂半球5b42、底半球5b42、貯槽5c、貯槽5c之底板及EM泵管5k6、噴嘴5q及連接器5k9之至少一者包括W、Mo及碳之至少一者。可藉由鑄造形成碳管組件(諸如具有一彎頭之碳管組件，諸如一碳立管或噴射器管及噴嘴)。在一實施例中，頂半球5b42、底半球5b41、貯槽5c及貯槽5c之底板包括碳。在一實施例中，諸如貯槽及黑體輻射器之碳電池零件可包括一襯墊5b4b。襯墊可防止諸如碳表面之下伏表面侵蝕。襯墊可包括一耐火材料薄片或網之至少一者。襯墊可包括W箔或網或WC薄片。箔可經退火。在一實施例中，一石墨電池組件之襯墊(諸如黑體輻射器、貯槽及VCR型管接頭之內部)可包括一塗層，諸如熱解石墨、碳化矽或本發明或此項技術中已知的防止碳侵蝕之另一塗層。可藉由施加且維持塗層上之一高氣體壓力而使塗層穩定在高溫下。 在包括電池組件塗層之實施例中，可選擇塗層及基板(諸如碳)之至少一者，使得熱膨脹係數匹配。 在一實施例中，一液體電極取代一固體電極8。電極可包括一液體電極及一固體電極。液體電極可包括電磁泵噴射器之熔融金屬流。點火系統可包括一電磁泵，其將熔融金屬噴射至固體電極上以完成電路。點火電路之完成可導致歸因於來自電源2之電流而點火。固體電極可與熔融電極電隔離。可藉由固體電極在其之穿透部分處(諸如在貯槽5c側壁處)之一電絕緣塗層提供電隔離。固體電極可包括負電極，且液體電極可包括正電極。液體正電極可消除正電極歸因於來自正電極處之高動力學之高熱而熔融之可能性。固體電極可包括鍛W。電極可包括一傳導陶瓷，諸如WC、HfC、ZrC及TaC之至少一者。傳導陶瓷電極可包括一塗層或蓋，諸如一套筒或軸環。 在一實施例中，一液體電極取代一固體電極8。電極可包括一液體電極及一固體電極。液體電極可包括電磁泵噴射器之熔融金屬流。點火系統可包括一電磁泵，其將熔融金屬噴射至固體電極上以完成電路。固體電極可包括一耐火材料，諸如本發明之耐火材料，諸如W或碳。固體電極可包括一棒。固體電極可與至電池中之穿透部分(諸如穿過貯槽5c之頂部之穿透部分)電隔離。電隔離可包括諸如一絕緣蓋或塗層之一絕緣體，諸如本發明之絕緣體。絕緣體可包括SiC。電極可包括螺合至碳化矽軸環(其螺合至電池壁中以包括電池穿透部分)中之一W或碳棒。螺紋接頭可進一步包括諸如碳墊圈之墊圈以進一步密封接頭。可藉由至少一個螺紋螺帽將墊圈緊密固持在包括棒電極及軸環之電極總成上之軸件上。在一實施例中，固體電極可在一較低溫位置處穿透電池，諸如穿過反應單元腔室5b31之底部。穿透部分可包括一電池軸環以將電極穿透部分移動至一更冷區域。電池軸環可為反應單元腔室5b31之壁之一延伸部分。電極可自穿透部分延伸至反應單元腔室之一所要區域以在該區域中導致點火。電極可包括一電絕緣套筒或軸環以電隔離電極(在期望點火之端部處除外)。 在一實施例中，SunCell包括至少兩個EM泵噴射器，其等產生交叉之至少兩個熔融金屬流以至少包括雙液體電極。EM泵之對應貯槽可垂直且具有自垂直偏離之噴嘴，使得經噴出熔融金屬流交叉。各EM泵噴射器可連接至具有相反極性之一電源，使得電流在交叉點處流動通過金屬流。電源2之正終端可連接至一個EM泵噴射器且負終端可連接至另一EM泵噴射器。點火電連接件可包括點火電磁泵匯流條5k2a。電源2可將電壓及電流供應至點火程序，同時避免與EM泵電源供應器之實質電干擾。電源2可包括一浮動電壓電源供應器及一切換電源供應器之至少一者。電連接件可在EM泵之一導電組件(諸如EM泵管5k6、熱轉移塊5k7及EM泵匯流條5k2之至少一者)處。各熱轉移塊5k7可藉由諸如一金屬粉末(諸如W或Mo粉末)之傳導膏熱耦合至泵管5k6。點火功率可連接至各組熱轉移塊5k7，使得在電源2與各組熱轉移塊5k7之間建立相反極性之一良好電連接。熱轉移塊可沿著熱轉移塊分佈來自點火功率之熱。 在一實施例中，噴射管5k61可經彎曲以將噴嘴5q放置在貯槽5c之頂部中心周圍。在一實施例中，噴射管5k61可自垂直傾斜以使噴嘴5q在貯槽5c之頂部處居中。角度在貯槽5k9之底部處之連接器處可固定。連接器可建立該角度。連接器可包括一接頭套管5k9，其具有至貯槽基底之一鎖定螺帽且進一步包括至一螺紋端噴射管5k61之一傾斜母連接器。母連接器可包括具有一母連接器或一傾斜螺帽之一彎曲軸環，使得母螺紋之角度傾斜。替代性地，貯槽基底可經傾斜以建立噴射器管之角度。 貯槽支撐板5b8可包括一電絕緣體，諸如SiC。替代性地，支撐板可為能夠在局部溫度下操作之一金屬，諸如鈦，其中藉由一絕緣體在板與安裝夾具之間且亦在貯槽與板之間提供電隔離。絕緣體可包括絕緣體墊片或襯套，諸如SiC或陶瓷墊片或襯套。雙貯槽之支撐板可為單件或分開支撐板。貯槽支撐板可包括一縱向分裂板，其具有諸如SiC之絕緣體軸環或襯套以電隔離貯槽。貯槽支撐板可包括具有用於SiC墊圈之槽之一縱向分裂兩件式基底板(貯槽坐落於基底板上)。 交叉點可為任何所要交叉點，諸如在自貯槽至反應單元腔室5b31之頂部處之一區域之一區域範圍中。交叉點可約在反應單元腔室之中心中。可藉由泵壓力及噴嘴自垂直之相對彎曲或傾斜之至少一者控制交叉點。貯槽可分開且電隔離。諸如熔融銀之熔融金屬可自反應單元腔室流動回至各貯槽以待再循環。可藉由一金屬流斷續器或分裂器中斷原本將橋接兩個貯槽且提供一傳導路徑之銀連續性而防止返回之銀跨兩個貯槽電短路。分裂器可包括由導致銀形成珠狀以中斷貯槽之間的電連接之一材料組成之一不規則表面。分裂器可包括短接區域處之各貯槽壁之一回切(cut back)，使得銀滴落於回切或滴落邊緣上方，使得連續性被破壞。分裂器可包括覆蓋兩個貯槽之交叉之一圓頂或半球，其中圓頂或半球之基底包括用於各貯槽之切背。在一實施例中，兩個貯槽5c及其等底部或基底板及黑體輻射器之下半球5b41可包括單件。黑體輻射器之下半球5b41可包括底部中之一凸起圓頂或橫向脊，貯槽經設定至其中。在一實施例中，各貯槽之頂部可包括充當一唇緣(返回之銀在唇緣上方流動)之一環板或墊片。唇緣可導致流動至各貯槽中之金屬流之一中斷以破壞原本可流動通過返回之銀之貯槽之間的任何電流路徑。各貯槽之頂部可包括一機械加工圓周溝槽，墊片坐落至該溝槽中以形成唇緣或滴落邊緣5ca，如在圖74中展示。諸如分裂器(諸如一圓頂或半球分裂器)、貯槽5c、黑體輻射器之下半球5b41、黑體輻射器之下半球5b41之凸起或圓頂狀底部及各貯槽上之唇緣之至少一個電池組件可包括碳。在一實施例中，產生器包括一感測器及點火控制器以減小點火電壓及電流之至少一者以防止透過諸如下半球5b41之一電池組件之一短路導致對組件之損害。電短路感測器可包括一電流或電壓感測器，其將一信號饋送至控制點火電流及電壓之至少一者之點火控制器。 在一實施例中，SunCell包括一貯槽銀位準等化系統，其包括銀位準感測器、EM泵電流控制器及諸如一可程式化邏輯控制器(PLC)或一電腦100之一控制器(其自位準感測器接收輸入且驅動電流控制器以維持貯槽5c中之約相等金屬位準)。在一實施例中，SunCell包括一熔融金屬等化器以維持各貯槽5c中之約相等位準(諸如銀位準)。等化器可包括各貯槽上之一貯槽位準感測器及一EM泵速率控制器及用以啟動各EM泵以維持約相等位準之一控制器。感測器可包括基於至少一個物理參數(諸如放射性、不透明性、電阻或電容、熱發射、溫度梯度，諸如超音波頻率、位準相依聲波共振頻率之聲音、阻抗或速度、光學諸如紅外線發射)之感測器或此項技術中已知的適合於藉由指示貯槽熔融金屬位準之一參數歸因於位準改變或跨位準介面之改變之一改變而偵測該參數之其他感測器。位準感測器可指示EM泵之啟動位準且藉此指示熔融金屬流。可藉由監測點火電流及電壓之至少一者來監測點火狀態。 感測器可包括諸如一放射性核素之一放射性源5s1，諸如鎇(諸如發射一60 keV伽瑪射線之 241Am)、 133Ba、 14C、 109Cd、 137Cs、 57Co、 60Co、 152Eu、 55Fe、 54Mn、 22Na、 210Pb、 210Po、 90Sr、 204Tl或 65Zn之至少一者。放射性核素輻射可經準直。源5s1可包括諸如一制動輻射X射線源之一X射線或伽瑪射線產生器，諸如http://www.source1xray.com/index-1.html之源。感測器可進一步包括在貯槽相對於放射性源之相對側上之至少一個輻射偵測器5s2。感測器可進一步包括一位置掃描器或諸如一機械構件之構件以在維持源與偵測器之間的對準的同時沿著垂直貯槽軸移動輻射源及輻射偵測器之至少一者。可跨熔融金屬位準進行移動。準直輻射穿越位準時之穿透輻射計數之改變可識別位準。替代性地，掃描器可循環地改變源與偵測器之相對定向以在金屬位準上方及下方掃描以便偵測之。在另一實施例中，感測器可包括沿著各貯槽之垂直軸配置之複數個源5s1。感測器可包括在貯槽相對於對應源之相對側上之複數個輻射偵測器5s2。在一實施例中，輻射偵測器可與輻射源成對，使得輻射沿著自源通過貯槽至偵測器之一軸向路徑行進。可藉由貯槽金屬(當存在時)衰減輻射源，使得輻射偵測器在位準升高至高於輻射路徑時將記錄一較低信號且在位準下降至低於路徑時將記錄一較高信號。源可包括一寬射束或具有一寬輻射角度範圍之射束，其橫跨貯槽至一空間延伸偵測器或延伸偵測器陣列(諸如一X射線敏感之線性二極體陣列)以在輻射路徑中提供貯槽之金屬含量之縱向或深度分佈之一量測。一例示性X射線敏感之線性二極體陣列(LDA)係X掃描成像公司XI8800 LDA。藉由金屬位準之計數衰減可指示位準。一例示性源可包括來自一放射性或X射線管源之一擴散射束，且偵測器可包括一延伸閃爍或蓋氏(Geiger)計數器偵測器。偵測器可包括一蓋氏計數器、一CMOS偵測器、一閃爍器偵測器及一閃爍器(諸如具有一光電二極體偵測器之碘化鈉或碘化銫)之至少一者。偵測器可包括諸如MOSFET偵測器之一電離偵測器，諸如一煙霧偵測器中之偵測器。電離腔室電極可包括輻射傳入側上之至少一個薄箔或線網及一相對電極(如對於一煙霧偵測器電路係典型的)。 在一實施例中，包括諸如X射線之一穿透輻射源、一偵測器及一控制器之感測器進一步包括用以將在偵測器處自源接收之信號之強度處理為一貯槽熔融金屬位準讀數之一演算法。感測器可包括一單一廣角發射器及單一廣角偵測器。X射線或伽瑪射線可以相對於貯槽橫向平面之一角度穿透貯槽內部以增大通過含有熔融金屬之區域飛行至偵測器之路徑長度。該角度可取樣熔融金屬之一較大深度以增大判定貯槽中之熔融金屬深度之鑑別。可針對已知貯槽熔融金屬位準校準偵測器信號強度。隨著位準升高，偵測器強度信號減小，其中可自校準判定位準。例示性源係諸如鎇241之一放射性同位素及諸如一制動輻射器件之一X射線源。例示性偵測器係一蓋氏計數器及一閃爍器及光電二極體。X射線源可包括諸如Mini-X之一AmeTek源且偵測器可包括一NaI或YSO晶體偵測器。諸如X射線源之輻射源及偵測器之至少一者可經掃描以獲得X射線衰減之一縱向分佈且藉此獲得金屬位準。掃描器可包括一機械掃描器，諸如一凸輪驅動掃描器。可藉由可藉由一電動馬達驅動之一旋轉軸件使凸輪轉向。掃描器可包括一機械、氣動、液壓、壓電、電磁、伺服馬達驅動或熟習此項技術者已知的其他此掃描器或構件以將X射線源及偵測器之至少一者可逆地平移或重新定向至金屬位準之深度分佈。諸如鎇之放射性同位素可圍封於一耐火材料(諸如W、Mo、Ta、Nb、氧化鋁、ZrO、MgO或另一耐火材料，諸如本發明之耐火材料)中以允許其放置成緊密接近於溫度較高之貯槽。X射線源及發射器及偵測器之至少一者可經安裝於可具有受控壓力及溫度之至少一者之一外殼中。外殼可經安裝至外壓力容器5b3a。外殼可經移除以允許容易地移除外壓力容器5b3a。外殼可經水平移除以允許外壓力容器5b3a之垂直移除。外殼可具有一內窗以在維持跨窗之一壓力梯度的同時使X射線通過。窗可包括碳纖維。外殼之外端可對大氣敞開或閉合。 感測器可包括沿著貯槽之垂直軸隔開之一系列電接觸件及用以量測電接觸件之間的導電性及電容之至少一者之一導電計及電容計之至少一者，其中可跨貯槽內部之熔融金屬位準量測導電性及電容改變之至少一者。電接觸件各可包括一導電環。導電計可包括一歐姆計。 感測器可包括一系列溫度量測器件(諸如沿著貯槽之垂直軸隔開之熱阻器或熱電偶)以量測溫度量測器件之間的溫度，其中可跨貯槽內部之熔融金屬位準量測溫度改變。 感測器可包括一紅外線攝影機。紅外線溫度訊符可跨銀位準而改變。 感測器可包括一位準相依聲波共振頻率感測器。貯槽可包括一腔。一般言之，諸如樂器(諸如部分填充之水瓶)之腔各具有一共振頻率，諸如取決於水填充位準之一基本音符。在一實施例中，貯槽腔具有取決於熔融金屬填充位準之一共振聲頻。該頻率可隨著熔融金屬位準改變及貯槽腔之氣體填充部分對金屬填充部分之體積改變而移位。可使用取決於填充位準之一頻率在貯槽中支援至少一個共振聲波。可使用一給定操作條件(諸如貯槽及電池溫度)下之填充位準及對應頻率校準感測器。 共振聲波感測器可包括用於激發諸如一固定聲波之一聲波之一構件及用於偵測位準相依聲波之頻率之一聲頻分析器。用於激發貯槽腔中之聲音之構件可包括一機械、氣動、液壓、壓電、電磁、伺服馬達驅動源構件以使貯槽壁可逆地變形。用於激發及接收貯槽腔中之聲音之至少一者之構件可包括一驅動隔膜。隔膜可導致聲音傳播至貯槽中。隔膜可包括一電池組件，諸如一EM泵、上半球及下半球之至少一者。聲波激發源與聲波激發組件之間的接觸可係透過一探針，諸如對與組件之接觸點之溫度穩定之一耐火材料探針。用於激發貯槽腔中之聲音之構件可包括一發訊器，諸如一聲納發訊器。頻率分析器可為一麥克風，其可在聲音穿過包圍組件之氣體時接收貯槽之共振頻率回應。用於接收且分析聲音之構件可包括一麥克風、一傳感器、一壓力傳感器、可藉由聲音變形且可具有一殘餘電荷之一電容器板且可包括此項技術中已知的其他聲音分析器。在一實施例中，導致貯槽之聲波激發及接收共振聲頻之構件之至少一者可包括一麥克風。麥克風可包括一頻率分析器以判定填充位準。激發源及接收器之至少一者可定位於外壓力容器5b3a外部。 在一實施例中，聲波感測器包括聲頻之一壓電傳感器。感測器可透過諸如一中空導管或一實心導管之一聲音導引接收聲音。可使用一貯槽發訊器激發聲音。壓電傳感器可包括一汽車爆震感測器。爆震感測器可匹配至具有處於所要位準之銀之貯槽之聲波共振特性。可使用一加速度計判定共振特性。聲音導管導體可直接附接至貯槽及傳感器。聲音導體可包括諸如鎢或碳之一耐火材料。傳感器可定位於熱區域外部(諸如外壓力容器5b3a外部)。在一例示性實施例中，一爆震感測器經螺合至外容器5b3a之基底板5b3b(其連接至與相對端部上之貯槽接觸之聲音導體)中之一孔中。導管可沿著垂直軸行進以避免干涉線圈5f之運動。一凹口濾波器可選擇性地使適合於感測貯槽中之銀位準之頻率通過。控制器可調整EM泵電流以將銀位準改變為如自頻率(其依據位準而變化)判定之所要位準。 感測器可包括回應於貯槽銀位準之一阻抗計。阻抗計可包括回應於電感(其依據金屬位準而變化)之一線圈。線圈可包括感應耦合加熱器線圈。線圈可包括一高溫或耐火金屬線，諸如塗佈有高溫絕緣件之W或Mo。一線圈之線節距可係使得非絕緣線並不電短路。熔融銀可包括諸如鐵磁或順磁金屬或化合物之一添加劑(諸如此項技術中已知的添加劑)以增大電感回應。可藉由在一交流波形驅動線圈上量測之電流與電壓之間的相移量測電感。頻率可為射頻，諸如在約5 kHz至1 MHz之範圍中。 在一實施例中，感測器包括一壓力感測器，其中壓力隨著位準增大而增大。壓力增大可係歸因於頭壓力歸因於貯槽5c中之熔融金屬柱之額外重量而增大。 在一實施例中，感測器包括一重量感測器以偵測至少一個貯槽之重量改變或貯槽之間的重心改變，其中重量隨著貯槽熔融金屬位準增大而增大。貯槽之間的差分重量分佈使經量測重心移位。重量感測器可定位於對應貯槽之支撐件上。 通過EM泵之熔融金屬流動速率之一自發增大可歸因於熔融金屬位準在對應貯槽中升高時之一增大頭壓力而發生。頭壓力可促成泵壓力且引起流動速率之一對應貢獻。在一實施例中，貯槽高度足以引起極端值(包括最低及最高所要熔融金屬位準)之間的一充分頭壓力差以針對至少一個EM泵提供一控制信號以維持約相等熔融金屬位準。EM泵感測器可包括一流量感測器，諸如一勞侖茲力感測器或此項技術中已知的其他EM泵流量感測器。流動速率可歸因於頭壓力之改變(其歸因於一位準改變)而改變。至少一個流動速率參數(諸如個別EM泵流動速率、組合流動速率、個別差分流動速率、組合差分流動速率、相對流動速率、個別流動速率之改變速率、組合流動速率之改變速率、相對流動速率之改變速率及其他流動速率量測)可用於感測至少一個貯槽中之熔融金屬位準。可比較經感測流動速率參數與至少一個EM泵電流以判定至少一個EM泵電流之控制調整以維持約相等貯槽熔融金屬位準。 在一實施例中，產生器包括一電路控制系統，其感測各貯槽中之熔融銀位準且調整EM泵電流以維持貯槽中之約匹配位準。控制系統可約連續維持各EM泵上之最小噴射壓力，使得相對熔融銀流交叉以導致點火。在一實施例中，噴射系統包括相同平面中之兩個金屬流，其中該等流以非匹配EM泵速度撞擊，使得速度可經可變地控制以維持匹配貯槽銀位準。在一實施例中，產生器可包括一個貯槽上之一位準感測器而非包括兩個位準感測器(各貯槽具有一個感測器)。諸如銀之熔融金屬之總量在一封閉反應單元腔室5b31中係恆定的。因此，藉由一個貯槽中之位準量測，可判定其他貯槽中之位準。產生器可包括用於一個貯槽之EM泵之一電路控制系統而非包括兩個電路控制系統(各貯槽之EM泵具有一個電路控制系統)。不具有一位準感測器之貯槽之EM泵之電流可係固定的。替代性地，不具有一位準感測器之貯槽之EM泵可包括回應於使用位準感測器在貯槽中感測之位準之一電路控制系統。 在一實施例中，下半球5b41可包括鏡像高度分級通道以將溢流自一個貯槽5c引導至其他貯槽且進一步促進諸如銀之熔融金屬返回至貯槽。在另一實施例中，藉由連接兩個貯槽之一導管等化位準，導管之各端部處具有一滴落邊緣以防止兩個貯槽之間的一短路。一過度填充貯槽中之銀透過導管流動回至其他貯槽以更等化位準。 在一實施例中，藉由主動機構及被動機構之至少一者使貯槽5c之間的位準保持本質上相同。主動機構可包括回應於藉由感測器量測之位準而調整EM泵速率。被動結構可包括歸因於熔融金屬位準在對應貯槽中升高時之一增大頭壓力而自發增大通過EM泵之熔融金屬速率。頭壓力可促成一固定或可變EM泵壓力以維持約相等貯槽位準。在一實施例中，貯槽高度足以引起極端值(包括最低及最高所要熔融金屬位準)之間的一充分頭壓力差以在操作期間使貯槽位準維持約相同。可歸因於差分流動速率(其歸因於對應於貯槽之間的一熔融金屬位準差之一差分頭壓力)而達成該維持。 可藉由一獨立電源供應器供電給各EM泵。替代性地，可藉由一共同電源供應器透過並聯電連接件供電給複數個EM泵(諸如兩個EM泵)。可藉由各並聯電路之一電流調節器控制各泵之電流。各並聯電路可包括隔離二極體以導致各電路電隔離。電隔離可防止EM泵噴射器之間的點火功率之短路。在一實施例中，EM泵冷卻劑管線5k11可為兩個EM泵總成5ka所共有。在一實施例中，至少一個EM泵噴射器之噴嘴5q可浸沒在熔融銀中。浸沒可至少部分防止噴嘴藉由電漿而降級。 噴嘴5q可在熔融金屬位準下方以防止藉由電漿損害噴嘴。替代性地，泵管之噴嘴區段5k61可升高，且噴嘴可包括一側孔以導致朝向相對匹配噴嘴之側向噴射，使得該等流交叉。噴嘴可經傾斜以導致雙流之交叉點在一所要位置處。噴嘴可包括一球形管端部，在球體上之一角位置處具有一孔以將熔融金屬引導至反應單元腔室5b31中之所要位置。諸如一耐火噴嘴管區段(諸如包括W或Mo之噴嘴管區段)之噴嘴管區段可垂直。其可包括至泵管之另一區段之一螺紋連接。其可包括至一接頭套管或VCR管接頭(諸如貯槽穿透部分處之管接頭5k9)之一螺紋連接。諸如一耐火噴嘴(諸如W或Mo噴嘴)之噴嘴5q可具有一傾斜出口。噴嘴可藉由一螺紋接頭連結泵管之噴嘴區段5k61。可藉由一緊固件(諸如一固定螺釘或鎖定螺帽)或藉由一焊道將旋入噴嘴固持在導致熔融金屬流交叉之所要位置處。焊道可包括一雷射焊道。 在一實施例中，包括兩個貯槽及充當雙液體電極之兩個EM泵之黑體輻射器之下半球5b41被分為藉由一電絕緣密封件連接之至少兩個區段。密封件可包括凸緣、墊圈及緊固件。墊圈可包括一電絕緣體。密封件可使兩個液體電極電隔離。在一實施例中，可藉由垂直而非水平定向上半球5b42及下半球5b41之凸緣及墊圈使得黑體輻射器5b4包括在垂直凸緣處連結之左半部分及右半部分而達成兩個貯槽之間的電絕緣邊界。各半部分可包括黑體輻射器5b4之一垂直區段半部分及一個貯槽5c。 在一實施例中，黑體輻射器之下半球5b41包括具有緊固或連接至其之兩個貯槽5c之一分開件。連接件各可包括一螺紋套節或接頭。各貯槽5c可包括頂部處之外表面上與下半球5b41之螺紋配合之螺紋。螺紋可經塗佈有一膏或塗層以使各貯槽與下半球至少部分電隔離以使兩個貯槽彼此進一步電隔離。塗層可包括本發明之塗層，諸如ZrO。在一實施例中，電絕緣表面塗層可包括本發明之一塗層或高溫材料，諸如ZrO、SiC及管能化石墨之至少一者。絕緣表面塗層可包括一陶瓷，諸如鋯基陶瓷。一例示性氧化鋯塗層包括氧化釔穩定氧化鋯，諸如3重量%氧化釔。另一可能鋯陶瓷塗層係二硼化鋯(ZrB 2)。可藉由熱噴塗或此項技術中已知的其他技術施加表面塗層。塗層可包括一浸滲石墨塗層。塗層可為多層。一例示性多層塗層包括氧化鋯及氧化鋁之交替層。管能化石墨可包括封端石墨。封端石墨可包括經H、F及O封端之石墨之至少一者。在一實施例中，至少一個貯槽可電隔離且至少一個另一貯槽可與黑體輻射器之下半球5b41電接觸，使得下半球可包括電極。下半球可包括負電極。在一實施例中，各貯槽5c與黑體輻射器之下半球5b41之間的連接件遠離於反應單元腔室5b31，使得連接件之電絕緣塗層維持在低於諸如SiC或ZrO之塗層之熔融或降級溫度之一溫度下。 可藉由一間隔件達成貯槽之間的電隔離，該間隔件包括諸如碳化矽間隔件之一電絕緣體。下半球5b41可包括至間隔件之一延伸連接件，其自下貯槽之主體充分延伸使得連接件處之溫度適當低於間隔件之溫度。間隔件可藉由螺紋在延伸連接件處連接且可連接至貯槽5c。至貯槽5c之連接件可包括螺紋。間隔件可包括碳化矽圓柱體，其藉由螺紋連接至下貯槽5b41之一延伸部分且在SiC圓柱體之相對端部處藉由螺紋連接至貯槽5c。套節可藉由螺紋直接密封且可進一步包括諸如在間隔件與下半球之間的連接件處及在間隔件與貯槽之間的連接件處之一密封劑及一墊圈之至少一者。墊圈可包括石墨，諸如Perma-Foil (Toyo Tanso)或Graphoil。SiC間隔件可包括反應鍵結之SiC。包括螺紋之間隔件最初可包括Si，其經碳化以形成螺紋SiC間隔件。間隔件可接合至下半球及對應貯槽之上部。接合可包括一化學鍵結。接合可包括SiC。SiC間隔件可熔融至碳組件，諸如對應下半球及貯槽。熔融可發生在高溫下。替代性地，接合可包括一黏著劑。間隔件可包括滴落邊緣以防止熔融金屬之回流使貯槽電短路。滴落邊緣可經機械加工或鑄造為諸如SiC間隔件之間隔件。替代性地，間隔件可包括一凹槽以用於插入諸如一環形圓盤滴落邊緣之一滴落邊緣。間隔件可包括本發明之其他耐火電絕緣材料，諸如氧化鋯、氧化釔穩定氧化鋯及MgO。在一實施例中，點火系統包括一安全斷流開關以感測雙貯槽噴射器之間的一電短路且終止點火功率以防止對諸如噴嘴5q之噴射器之損害。感測器可包括通過下半球5b41之貯槽電路之間的電流之一電流感測器。 在圖86至圖94中展示之一實施例中，電池接頭數目減少以避免故障風險。在一實施例中，消除以下至少一者：(i)下半球5b41與上半球5b42之間的接頭；(ii)下半球與非導電間隔件之間的接頭；及(iii)非導電間隔件與貯槽之間的接頭。可藉由形成一單件而非連結件來達成接頭消除。舉例而言，下半球及上半球可經形成以包括一單一圓頂5b4。可藉由形成一單件消除(i)下半球與非導電間隔件及(ii)非導電間隔件與貯槽之間的至少一個接頭。下半球及上半球可包括一單件或兩件，其中可藉由形成一單件消除(i)下半球與非導電間隔件及(ii)非導電間隔件與貯槽之間的至少一個接頭。可藉由以下之至少一個方法形成單件：鑄造、模製、燒結、沖壓、3D印刷、放電機械加工、雷射消融機械加工、使用化學蝕刻之雷射消融(諸如在包括氧之一氣氛中之碳氧燃燒之雷射點火)、氣動或液體機械加工(諸如水刀機械加工)、化學或熱蝕刻、工具機械加工及此項技術中已知的其他方法。 在一實施例中，諸如黑體輻射器5b4 (諸如圓頂黑體輻射器)及至少一個貯槽5c之一電池組件之至少一個區段係非導電的。一貯槽5c及黑體輻射器(包括一圓頂5b4或下半球5b41及上半球5b42)之至少一者之一圓周區段可為非導電的或包括一非導體。黑體輻射器之非導電區段可包括橫向於一雙液體噴射器實施例之兩個噴嘴之間的管線之一平面。可藉由將組件之一區段之材料轉換為非導電而形成非導體。非導體可包括SiC或諸如B 4C之碳化硼。可藉由使碳電池組件分別與矽來源或硼來源反應而形成電池組件之SiC或B 4C區段。舉例而言，碳貯槽可與液體矽或矽聚合物(諸如聚(甲基矽烷))之至少一者反應以形成碳化矽區段。聚合物可形成在組件之一所要區段處。電池組件可經加熱。一電流可通過組件以導致反應以形成非導電區段。可藉由熟習此項技術者已知的其他方法形成非導電區段。貯槽5c之外部表面可包括凸起圓周帶以在碳轉換為碳化矽或碳化硼期間將熔融矽或硼固持在所要區段中。可藉由反應鍵結形成碳化矽。在https://www.google.com/patents/US3914371中給出由硼及碳形成碳化硼之一例示性方法，該案以引用的方式併入本文中。可藉由燃燒合成形成碳化矽或碳化硼區段，如在https://www3.nd.edu/~amoukasi/ combustion_synthesis_of_silicon_carbide.pdf及Jesse C. Margiotta之Study Of Silicon Carbide Formation By Liquid Silicon Infiltration By Porous Carbon Structures中給出，該等案以引用的方式併入本文中。 如在圖86至圖94中展示，圓頂54b及貯槽5c可包括一單件。貯槽可包括靠近圓頂之頂部附近之一非導電區段。貯槽可連接至一基底板。貯槽可坐落至一母軸環中。軸環之外表面及貯槽恰遠離於軸環頂部之端部之至少一者可經螺紋化。擰緊於螺紋上之一螺帽可連結貯槽與基底板。螺紋可具有間距，使得螺帽之旋轉將貯槽及基底板牽引在一起。螺紋在具有配合螺帽螺紋之相對件上可具有相反間距。貯槽可包括基底板5b8端部處之一滑動螺帽5k14，其中滑動螺帽經擰緊於外螺紋基底板軸環5k15上以形成一緊密接頭。外螺紋基底板軸環可進一步漸縮以接納貯槽。滑動螺帽5k14緊固件可進一步包括一墊圈5k14a或一O形環(諸如Graphoil或Perma-Foil (Toyo Tanso)墊圈或陶瓷繩O形環)以將貯槽密封至基底板。軸環可包括接納貯槽之一內錐形以隨著滑動螺帽之擰緊壓縮墊圈。貯槽可包括由軸環接納之一外錐形以隨著滑動螺帽之擰緊壓縮墊圈。軸環可包括一外錐形以隨著滑動螺帽之擰緊將張力施加至O形環。基底板可包括碳。基底板可包括至EM泵管之緊固件，諸如具有墊圈(諸如Graphoil或Perma-Foil (Toyo Tanso)墊圈)之接頭套管。替代性地，基底板可包括金屬，諸如不銹鋼或一耐火金屬。EM泵管可藉由焊道緊固至一金屬基底板。基底板金屬可經選擇以匹配貯槽及接頭零件之熱膨脹。滑動螺帽及墊圈可適應基底板及貯槽組件之一膨脹差。在一實施例中，貯槽可包括藉由一套節連結在圓頂5b4處之一絕緣體，諸如一陶瓷，諸如SiC或氧化鋁。套節可包括一滑動螺帽套節，諸如相同於貯槽與基底板之間的套節之類型之滑動螺帽套節。滑動螺帽可包括一耐火材料之至少一者，諸如碳、SiC、W、Ta或另一耐火金屬。可藉由諸如鑽石工具碾磨之方法碾磨陶瓷貯槽以形成適合於達成滑動螺帽密封之一精度表面。 介接墊圈或O形環之連結表面可經粗糙化或溝槽化以形成能夠承受高壓之密封。可使用一密封劑進一步密封墊圈或O形環。諸如矽粉末或液體矽之矽可經添加至包括碳之一墊圈或O形環，其中形成SiC之反應可在高溫下發生以形成化學鍵作為一密封劑。除產生一墊圈或O形環密封件之滑動螺帽以外，連結零件亦可包括配合螺紋以防止零件歸因於高反應單元腔室壓力而分離。套節可進一步包括黑體輻射器5b4與貯槽5c之底部或基底板之間的一結構支撐件以防止套節在內部壓力下分離。結構支撐件可包括將零件固持在一起之至少一個夾鉗。替代性地，結構支撐件可包括具有將黑體輻射器及貯槽之底部或基底板拴在一起之端部螺帽之端部螺紋棒，其中黑體輻射器及貯槽之底部或基底板包括用於棒之結構錨。棒及螺帽可包括碳。 在一實施例中，套節可包括至少一個端部凸緣及一O形環或墊圈密封件。套節可包括一滑動螺帽或一夾鉗。可在形成凸緣之前將滑動螺帽放置於連結件上。替代性地，滑動螺帽可包括金屬，諸如由包圍貯槽及一軸環之至少一者之至少兩個件焊接在一起之不銹鋼或一耐火金屬。 基底板及EM泵零件可經組裝以構成基底板EM泵噴射器總成5kk (圖89)。在雙熔融金屬噴射器實施例之情況中，產生器包括兩個電隔離基底板EM泵噴射器總成。可藉由兩個總成之實體分離達成電隔離。替代性地，兩個總成藉由總成之間的電絕緣而電隔離。雙液體噴射器實施例之噴嘴可對準。貯槽可顛倒放置或放置在一倒轉位置中，且可透過至少一個貯槽之敞開端將充當熔融金屬之金屬添加至反應單元腔室。接著，基底板EM泵噴射器總成可連接至貯槽。可使用滑動螺帽軸環連接器達成連接。噴嘴可延伸而浸沒於液體金屬中以防止電弧及加熱損害。 在一實施例中，較不導電或絕緣之一貯槽(諸如SiC或B 4C貯槽)可取代碳貯槽。絕緣貯槽可包括以下之至少一者：(i)頂部處之螺紋，其等連接至下半球5b41或一單件式黑體輻射器5b4及(ii)一貯槽底部，其中貯槽及貯槽底部係單件。SiC貯槽可藉由包括矽之一墊圈及一密封劑之至少一者連結至一碳下半球，其中聚矽氧可與碳反應以形成SiC。亦可使用此項技術中已知的其他密封劑。貯槽底部可包括用於諸如接頭套管緊固件之EM泵管緊固件之螺紋穿透部分。貯槽底部可為一分開件，諸如可包括金屬之一基底板。金屬基底板可包括至穿透部分處之EM泵管之焊接接頭。基底板可包括一螺紋軸環，其連接至貯槽之配合緊固件(諸如一滑動螺帽)。軸環可漸縮以接納貯槽。軸環錐形可在內部。貯槽端部可漸縮。貯槽錐形可在外部以被接納於軸環內部。緊固件可包括一墊圈，諸如Graphoil或Perma-Foil (Toyo Tanso)墊圈。滑動螺帽之擰緊可施加壓縮至墊圈。 在一實施例中，黑體輻射器5b4可包括諸如一圓頂之單件或可包括上半球5b42及下半球5b41。圓頂5b4或下半球5b41可包括基底處之至少一個螺紋軸環。螺紋可配合至一貯槽5c。軸環及貯槽之套節可包括旋合至軸環之內螺紋中之貯槽上之外螺紋或反之亦然。套節可進一步包括一墊圈。替代性地，套節可包括旋合至軸環上之外螺紋上之貯槽上之一滑動螺帽。軸環可包括端部處之一內錐形以接納貯槽。套節可包括一墊圈，諸如Graphoil或Perma-Foil (Toyo Tanso)墊圈、陶瓷繩或熟習此項技術者已知的其他高溫墊圈材料。墊圈可在貯槽與軸環之間的套節處。貯槽可包括一非導體，諸如SiC、B 4C或氧化鋁。貯槽可經鑄造或機械加工。圓頂或下半球可包括碳。滑動螺帽可包括一耐火材料，諸如碳、SiC、W、Ta或其他耐火金屬或材料(諸如本發明之耐火金屬或材料)。貯槽可進一步附接至在EM泵端部處之一基底板總成。套節可包括與黑體輻射器端部處相同之類型。基底板總成可包括(i)套節軸環，其可為內螺紋或外螺紋以與匹配螺紋貯槽配合；(ii)套節軸環，其在端部處可呈內錐形以接納貯槽且為外螺紋以與滑動螺帽配合；(iii)貯槽底部；及(iv)EM泵管組件，其中可藉由焊道連結穿透部分。基底板總成及滑動螺帽可包括不銹鋼。在一實施例中，滑動螺帽可在一凸緣或溝槽處附接至貯槽。溝槽可經鑄造或機械加工為一圓柱形貯槽壁。貯槽及軸環皆可包括至少一個端部上之一凸緣，其中套節包括連結件之配合凸緣之間的一O形環或墊圈及在凸緣上方且在擰緊時將其等牽引在一起之一夾鉗。在感應耦合加熱器低效地加熱諸如陶瓷貯槽(諸如SiC貯槽)之貯槽之情況中，貯槽可包括能夠高效地吸收感應耦合加熱器輻射之一耐火蓋或套筒。一例示性RF吸收套筒包括碳。 在一實施例中，各貯槽可包括諸如一感應耦合加熱器之一加熱器以至少針對起動將諸如銀之貯槽金屬維持在一熔融狀態中。產生器可進一步包括包圍黑體輻射器之一加熱器以至少在起動期間防止諸如銀之熔融金屬黏著。在其中黑體輻射器5b4加熱器係不必要之一實施例中，諸如5b41及5b42之黑體輻射器可包括諸如銀之熔融金屬不黏著之一材料。非黏著可在藉由來自貯槽5c加熱器之熱轉移達成之一溫度下發生。黑體輻射器可包括碳且可在EM泵啟動之前經加熱至處於或高於諸如銀之熔融金屬係非黏著之溫度之一溫度。在一實施例中，在起動期間藉由貯槽加熱器加熱黑體輻射器。黑體輻射器5b4壁可足夠厚以允許自貯槽至黑體輻射器之熱轉移以允許黑體輻射器達成高於熔融金屬黏著至黑體輻射器之溫度及大於熔融金屬之熔點之溫度之至少一者之一溫度。在一實施例中，接近一經加熱電池組件(諸如包圍貯槽5c之線圈)之感應耦合加熱器(ICH)天線與電池組件良好熱絕緣，其中來自ICH之RF輻射穿透絕緣件。熱絕緣件可將自電池組件至ICH天線之冷卻劑之熱流減小至一所要流動速率。 系統進一步包括諸如一電池組(諸如鋰離子電池組)之一起動電源/能量源。替代性地，可透過自一外部電源至產生器之一連接針對起動提供諸如電網電力之外部電力。連接件可包括電力輸出匯流條。 在一實施例中，在起動期間可藉由諸如至少一個熱燈之一外部輻射加熱器加熱黑體輻射器。熱燈可在PV轉換器26a外部且可透過PV轉換器中之移除面板提供輻射。替代性地，可在起動期間加熱黑體輻射器，且可在電池連續操作且產生足夠電力以將反應單元腔室5b31維持在足以維持分數氫反應之一溫度下之後移除加熱器。感應耦合加熱器天線5f可包括可移動區段。感應耦合加熱器可包括用於各貯槽之至少一個線圈5f，其等可伸縮(圖75至圖94)。線圈可包括高效地施加電力至貯槽之一形狀或幾何結構。一例示性形狀係用於一圓柱形貯槽之搖架或可調整抓斗。搖架可在加熱期間施加RF功率至對應貯槽且可在此後縮回。產生器可包括諸如一機械(諸如齒條與小齒輪、螺釘、線性齒輪及此項技術中已知的其他者)、氣動、液壓及電磁系統之至少一者之一致動器5f1以應用及縮回加熱器線圈。電磁致動器可包括一揚聲器機構。氣動及液壓可包括活塞。加熱器天線可包括一可撓性區段以允許伸縮。一例示性可撓性天線係線編織鐵氟龍管路，諸如編織銅。在一實施例中，外壓力容器5b3a可包括凹入腔室以容置縮回天線。 在一實施例中，諸如一感應耦合加熱器之加熱器包括一單一可伸縮線圈5f (圖84至圖85)。線圈可在貯槽5c之至少一者之周邊。加熱器可包括圍繞兩個貯槽5c之一單一多匝線圈。加熱器可包括一低頻加熱器，諸如15 kHz加熱器。加熱器之頻率可在約1 kHz至100 kHz、1 kHz至25 kHz及1 kHz至20 kHz之至少一個範圍中。單一線圈可沿著貯槽之垂直軸伸縮。可藉由一致動器(諸如本發明之致動器，諸如一氣動、液壓、電磁、機械或伺服馬達驅動致動器、齒輪馬達驅動致動器)使線圈5f沿著垂直軸移動。可使用熟習此項技術者已知的機械器件(諸如螺釘、齒條與小齒輪及活塞)移動線圈。線圈可在允許所要運動同時不使致動器因重量而過載之一或多個側或端部位置或其他方便位置處安裝至致動器。天線可透過一可撓性天線區段連接至電源供應器以允許運動。在一實施例中，感應耦合加熱器包括具有與加熱器之其餘部分分開之傳輸器組件之一分裂單元。分開傳輸器組件可包括一電容器/RF傳輸器。電容器/RF傳輸器可安裝於致動器上。電容器/RF傳輸器可藉由外壓力容器腔室5b3a1中之可撓性電線及冷卻管線連接至加熱器之其餘部分。此等管線可穿透外壓力容器5b3a之壁。電容器/RF傳輸器可安裝於連接至RF天線之致動器上，其中天線亦安裝於致動器上。電容器可安裝於可經冷卻之一殼體盒中。盒可包括一熱反射塗層。殼體盒可充當安裝夾具。盒可包括安裝托架以導引軌道及其他驅動機構。感應耦合加熱器可包括使用一長加熱器(諸如6米至12米長之加熱器)之一並聯共振模型加熱器。諸如冷卻板之一熱交換器可安裝於電容器/RF傳輸器上，其中藉由天線冷卻管線提供冷卻。可藉由由一控制器控制之一電動伺服馬達或齒輪馬達驅動致動器，該控制器可回應於溫度分佈輸入以達成產生器組件(諸如貯槽5c、EM泵、下半球5b41及上半球5b42)之一所要溫度分佈。 在一實施例中，致動器可包括一驅動機構，諸如安裝於一凹入腔室中之一伺服馬達，諸如在外壓力容器之基底5b3b中之馬達。伺服馬達或齒輪馬達可驅動諸如螺釘、活塞或齒條與小齒輪之一機械移動器件。可藉由移動器件移動用於感應耦合加熱器之線圈5f及電容器之至少一者，其中可藉由移動移動組件所附接之一導引基座達成運動。在一實施例中，致動器可至少部分定位於外壓力容器5b3a外部。致動器可至少部分定位於外壓力容器之基底5b3b外部。提升機構可包括一氣動、液壓、電磁、機械或伺服馬達驅動機構之至少一者。可使用熟習此項技術者已知的機械器件(諸如螺釘、齒條與小齒輪及活塞)移動線圈。致動器可包括具有可密封於風箱中之活塞穿透部分之至少一個提升活塞，其中垂直移動活塞之機構可在壓力容器5b3a外部，諸如在外壓力容器之基底5b3b外部。此類型之一例示性致動器包括MBE/MOCVD系統(諸如包括例示性快門葉片風箱之Veeco系統)之致動器。在一實施例中，致動器可包括一磁性耦合機構，其中一外部磁場可導致外壓力容器5b3a內部之一機械移動。磁性耦合機構可包括一外部馬達、一外部永久或電磁體、一內部永久或電磁體及一機械移動器件。外部馬達可導致外部磁體之旋轉。旋轉外部磁體可耦合至內部磁體以導致其旋轉。內部磁體可連接至諸如一齒條與小齒輪或螺釘之機械移動器件，其中旋轉導致器件移動線圈5f及電容器之至少一者。致動器可包括旋轉磁場之一電子外部源及一內部磁性耦合器。在一實施例中，可電子地達成耦合至一內部磁體之外部旋轉磁場。可藉由一定子產生旋轉外場，且耦合可至一內部轉子(諸如一電動馬達之轉子)。定子可為一電子整流類型。 在諸如在圖86至圖94中展示之一實施例中，諸如一伺服馬達或齒輪馬達之馬達93可使用軸承94a、活塞或齒條與小齒輪驅動諸如一滾珠螺釘94之一機械移動器件。馬達93與諸如一滾珠螺釘機構94之機械移動器件之間的驅動連接可包括一齒輪箱92。諸如齒輪馬達之馬達及諸如齒條與小齒輪或滾珠及螺釘94之機械移動器件及導引軌道92a可在外壓力容器5b3a內部或外部(諸如在外壓力容器之基底板5b3b外部)且可進一步包括可能夠承受高溫及高壓之至少一者之一線性軸承95及軸承軸件。線性軸承95可包括諸如Glyon之一滑移材料。軸承軸件可穿透外壓力容器腔室5b3a1 (諸如通過外壓力容器之基底板5b3b)且附接至加熱器線圈5f及加熱器線圈電容器盒之至少一者以在藉由機械移動器件在向上或向下方向上垂直驅動軸件時導致其等之垂直移動。線性軸承可安裝於一凹入腔室中，諸如外壓力容器之基底5b3b中。軸承軸件可透過一孔穿透外壓力容器之基底板5b3b。可藉由移動器件移動用於感應耦合加熱器之線圈5f及電容器90之至少一者，其中可藉由移動移動組件所附接之一導引基座達成運動。 在一實施例中，諸如下半球5b41、上半球5b42、貯槽5c及連接器之電池組件可能夠在黑體輻射器之操作溫度(諸如3000 K)下加壓至對應於10 atm之一銀蒸氣壓力之壓力。黑體輻射器可覆蓋有碳纖維之一網瓶以維持高壓。外壓力容器腔室5b3a1可未經加壓以平衡反應單元腔室5b31中之壓力。外壓力容器可能夠承受大氣壓或小於大氣壓。外壓力容器腔室5b3a1可維持在真空下以避免熱轉移至腔室壁。致動器可包括外容器5b3a之基底板5b3b處之一密封軸承以用於穿透藉由由諸如一電腦之一控制器控制之一外部馬達(諸如一伺服或步進器馬達)驅動之一轉向或驅動軸件。驅動系統可包括一步進器馬達、正時皮帶、擰緊滑輪、驅動滑輪或用於增大扭矩之齒輪箱、編碼器及控制器之至少一者。驅動軸件可使一齒輪(諸如蝸輪、斜齒輪、齒條與小齒輪、滾珠螺釘及螺帽、旋轉盤或其他機械構件)轉向以移動加熱器線圈5f。用於驅動軸件穿透部分之軸承可能夠抵抗真空、大氣壓及高壓之至少一者而密封。軸承可能夠在高溫下操作。在一實施例中，可藉由一軸環或管及凸緣管接頭使軸承自基底板5b3b偏移以將軸承定位於一較低操作溫度環境中。 產生器可包括一加熱器系統。加熱器系統可包括一可移動加熱器、一致動器、諸如熱電偶之溫度感測器及一控制器以接收諸如電池組件之溫度(諸如上半球、下半球、貯槽及EM泵組件之溫度)之感測器輸入。熱電偶可包括提供存取電池內部中之溫度(諸如EM泵管內部之溫度及貯槽內部之溫度之至少一者)之一熱電偶套管中之熱電偶。熱電偶可透過EM泵管之壁穿透至EM泵管及貯槽之至少一者中。熱電偶可量測EM泵管及貯槽之連接器溫度，諸如可在EM泵管內部量測之接頭套管溫度。可藉由諸如一接合方法之方法或諸如熱膏之熱導體使用具有對接頭套管表面之良好熱接觸之一外部熱電偶量測接頭套管溫度。控制器可驅動致動器以移動加熱器線圈及控制加熱器功率以將電池組件之溫度控制在所要範圍中之至少一者。範圍各可高於熔融金屬之熔點且低於電池組件之熔點或故障點。熱電偶可能夠承受高溫操作，諸如由硒化鉛、鉭及此項技術中已知的其他材料組成之熱電偶。熱電偶可電隔離或偏壓以防止諸如感應耦合加熱器之外部電源之干擾。可使用一電絕緣、能夠承受高溫之護套(諸如一陶瓷護套)達成電隔離。熱電偶可由紅外線溫度感測器取代。光學感測器可包括光纖溫度感測器。 量測下半球溫度及上半球溫度之至少一者之熱電偶可伸縮。反應可在經量測溫度達到其操作之一上限時發生。收縮器可包括一機械、氣動、液壓、壓電、電磁、伺服馬達驅動或熟習此項技術者已知的其他此伸縮器。伸縮可在經冷卻之PV轉換器內或更遠離於PV轉換器。可藉由一光學感測器(諸如一高溫計或光譜儀)之至少一者及藉由PV轉換器回應量測高於熱電偶之操作溫度之下半球及上半球之至少一者之溫度。 在電池起動之後可降低線圈。基底板5b3b可具有用於安裝於致動器上之線圈5f及對應電容器庫之至少一者之凹入外殼。線圈可包括一水冷卻射頻(RF)天線。線圈可進一步充當一熱交換器以提供冷卻水冷卻。線圈可用於在電磁泵之操作溫度歸因於來自反應單元腔室5b31中之分數氫反應之熱而變得過高時水冷卻電磁泵，其中沿著貯槽5c將熱傳導至EM泵。諸如EM泵及貯槽之電池組件可經絕緣以憑藉降低或終止加熱功率而維持組件之所要溫度，其中天線亦可提供冷卻至非絕緣組件。一例示性所要溫度係高於藉由EM泵噴射之熔融金屬之熔點。 在一實施例中，感應耦合加熱器可延伸至EM泵區域以加熱EM泵管以在需要時(諸如在起動期間)維持熔融金屬。磁體可包括一電磁輻射屏蔽以自感應耦合加熱器反射大部分之加熱功率。屏蔽可包括一高導電蓋，諸如包括鋁或銅之蓋。可使用一RF反射器屏蔽EM泵磁體以允許線圈5f處於磁體位準處。可藉由使用一凹口線圈設計至少部分達成避免加熱EM泵磁體，其中凹口處在磁體位置。感應耦合加熱器功率可隨著EM泵功率減小而增大且反之亦然以維持一穩定溫度以避免導致EM泵及貯槽連接器螺紋故障之快速改變。 EM磁體5k4可包括用於內部冷卻之一導管。內部冷卻系統可包括兩個同心水管線。水管線可包括一內部插管，其將水遞送至磁體之EM泵管端部及一外返回水管線。水管線可包括一彎頭或彎管以允許外壓力容器5b3a之一垂直出口穿過基底5b3b。各磁體之兩個同心內部水管線可在磁體之中心縱向軸上。水管線可按壓至磁體中之一通道中。內部冷卻系統可進一步包括熱轉移膏以增大冷卻管線與磁體之間的熱接觸。內部水冷卻管線可減小磁體冷卻系統之大小以允許加熱器線圈5f在EM泵之區域中垂直移動。磁體可包括一非線性幾何結構以跨泵管提供軸向磁場，同時進一步提供一緊湊設計。設計可允許線圈5f在磁體上方通過。磁體可包括一L形狀，其中L經定向使得可在一所要方向上引導冷卻管線以提供一緊湊設計。可朝向外壓力容器之基底5b3b向下或水平(諸如朝向兩個貯槽之間的中心)引導水管線。考量後一情況之一順時針圓形路徑，其遵循兩個貯槽之四個EM泵磁體之軸。磁極可定向為S-N-S-N//S-N-S-N，其中//指定兩組EM泵磁體，且一個EM泵相對於另一EM泵之電流定向可反轉。其他緊湊磁體冷卻設計在本發明之範疇內，諸如配裝有磁體之冷卻劑夾套及線圈。 EM泵可包括EM泵磁體5k4處之一RF屏蔽以防止磁體被感應耦合加熱器線圈5f加熱。屏蔽隨後可在RF線圈5f在感應耦合加熱器之RF關閉之冷卻模式中接觸其時充當一熱轉移板。在另一實施例中，冷卻劑管線可透過一冷卻劑迴路中之磁體穿透各磁體之側。可使用有利於自磁體移除熱同時允許加熱器線圈在垂直移動時避開磁體之其他冷卻劑幾何結構。 在一實施例中，加熱器藉由加熱貯槽5c及貯槽中含有之熔融金屬而間接加熱泵管5k6。熱經轉移至泵管(諸如具有穿過諸如銀之熔融金屬、貯槽壁及熱轉移塊5k7之至少一者之一施加磁場之區段)。EM泵可進一步包括一溫度感測器，諸如一熱電偶或熱阻器。溫度讀數可經輸入至一控制系統(諸如一可程式化邏輯控制器及一加熱器功率控制器)，其讀取泵管溫度且控制加熱器以將溫度維持在一所要範圍中，諸如高於金屬之熔點且低於泵管之熔點(諸如在熔融金屬之熔點之100°C內，諸如在熔融銀之情況中，在1000°C至1050°C之範圍中)。 可使諸如下半球5b41、上半球5b42、貯槽5c、熱轉移塊5k7及EM泵管5k6之至少一者之電池組件絕緣。可在起動之後移除絕緣件。可再用絕緣件。絕緣件可包括粒子、珠、顆粒及小片之至少一者，諸如包括MgO、CaO、二氧化矽、氧化鋁、矽酸鹽(諸如雲母)及矽酸鋁(諸如沸石)之至少一者之絕緣件。絕緣件可包括砂。絕緣件可經乾燥以移除水。絕緣件可經固持在可對來自感應耦合加熱器之輻射透明之一容器5e1 (圖93及圖94)中。容器可經組態以允許加熱器線圈5f沿著垂直軸移動。在一例示性實施例中，包括砂之絕緣件包含於一纖維玻璃或陶瓷容器5e1中，其中加熱器線圈可沿著線圈5f內部之容器垂直移動。微粒絕緣容器5e1可包括一入口5e2及一出口5e3。絕緣件可經排出或添加回以改變絕緣件。可藉由重力自容器排出絕緣件。移除可係使得自貯槽之頂部至EM泵管之底部依序移除絕緣件。可自最接近於電力產生分數氫反應至最遠離於電力產生分數氫反應依序移除絕緣件。經移除絕緣件可儲存於一絕緣貯槽中。可藉由使絕緣件返回至容器而使絕緣件再循環。可藉由機械及氣動構件之至少一者使絕緣體返回。可藉由一螺旋鑚或傳送帶機械地移動絕緣件。可使用一鼓風機或吸取泵氣動地移動絕緣件。可藉由熟習此項技術者已知的其他構件移動絕緣件。在一實施例中，諸如砂之微粒絕緣件可由諸如銅丸粒之一熱轉移介質取代，其可在產生器起動之後自一儲存容器添加以自貯槽及EM泵之至少一者移除熱。熱可轉移至感應耦合加熱器之水冷卻天線。 反應可自維持在有利反應條件下，諸如一升高電池溫度及電漿溫度之至少一者。反應條件可支援以一足夠速率熱解以維持溫度及分數氫反應速率。在其中分數氫反應變得自維持之一實施例中，至少一個起動電源可終止，諸如加熱器功率、點火功率及熔融金屬泵抽功率之至少一者。在一實施例中，可在電池溫度足夠高以維持熔融金屬之一充分高蒸氣壓力使得無需金屬泵抽來維持所要分數氫反應速率時終止電磁泵。高溫可高於熔融金屬之沸點。在一例示性實施例中，包括黑體輻射器5b4之反應單元腔室之壁之溫度在約2900 K至3600 K之範圍中且熔融銀蒸氣壓力在約5 atm至50 atm之範圍中，其中反應單元腔室5b31充當使熔融銀回流以消除EM泵功率之一鍋爐。在一實施例中，熔融金屬蒸氣壓力足夠高，使得金屬蒸氣充當一傳導基質以消除對於電弧電漿之需求及藉此對於點火電流之需求。在一實施例中，分數氫反應提供熱以將諸如貯槽5c、下半球5b41及上半球5b42之電池組件維持在一所要高溫下，使得可移除加熱器功率。所要溫度可高於熔融金屬之熔點。在一實施例中，可使用至少一個可移除電源(諸如可移除加熱器、點火及EM泵電源之至少一者)達成電池起動。電池在起動時可在連續操作中操作。在一實施例中，可使用諸如電池組及電容器(諸如超級電容器器件)之至少一者之一能量儲存器件達成起動。可藉由產生器之電力輸出或藉由一獨立電源對器件充電。在一實施例中，可在工廠中使用獨立起動電源供應器起動產生器且在缺乏諸如加熱器、點火及泵抽電源供應器之至少一者之起動電源供應器之情況下在連續操作中運送產生器。 在一實施例中，SunCell包括碳貯槽中之熔融鋁(M.P.=660°C，B.P.=2470°C)或熔融銀(M.P.=962°C，B.P.=2162°C)，藉由雙EM泵將熔融鋁或熔融銀噴射至包括碳下半球5b41及碳上半球5b42之一反應單元腔室5b31中，雙EM泵包括不銹鋼(諸如Hayes 230)、Ti、Nb、W、V及Zr緊固件(諸如接頭套管5k9)之至少一者及不銹鋼(Haynes 230或SS 316)、Ti、Nb、W、V及Zr EM泵管之至少一者、碳或鐵熱轉移塊5k7、噴嘴泵管之不銹鋼、Ti、Nb、W、V及Zr初始區段之至少一者(具有泵管之一點焊W端部噴嘴區段5k61及一W噴嘴)。各EM泵管可進一步包括用於連接至電源2之一終端之一點火源匯流條，該點火源匯流條包括與EM泵管相同之金屬。在一實施例中，點火系統可進一步包括包含一開關之一電路，該開關在閉合時使點火源EM泵管匯流條短路以在起動期間加熱泵管。在電池操作期間處於斷開位置中之開關導致電流流動通過交叉熔融金屬流。碳熱轉移塊可包括熱轉移碳粉末以加襯裡於EM泵管之凹痕。貯槽可製成更長以減小諸如緊固件5k9及EM泵管5k6之EM泵組件處之溫度。具有添加氫來源(諸如氬-H 2(3%))之HOH觸媒之氧來源可包括LiVO 3、Al 2O 3及NaAlO 2之至少一者。HOH可在點火電漿中形成。在一實施例中，與熔融鋁接觸之電池組件可包括諸如SiC之一陶瓷或碳。貯槽及EM泵管及噴嘴可包括碳。組件可包括一金屬，諸如塗佈有諸如一陶瓷之一保護塗層之一不銹鋼。例示性陶瓷塗層係本發明之塗層，諸如石墨、鋁矽酸鹽耐火材料、AlN、Al 2O 3、Si 3N 4及矽鋁氮氧化物。在一實施例中，與熔融鋁接觸之電池組件可包括至少一個抗腐蝕材料，諸如Nb-30Ti-20W合金、Ti、Nb、W、V、Zr及一陶瓷(諸如石墨、鋁矽酸鹽耐火材料、AlN、Al 2O 3、Si 3N 4及矽鋁氮氧化物)。 在一實施例中，分裂器包括一EM泵，其可定位於兩個貯槽之連結區域處。EM泵可包括電磁體及永久磁體之至少一者。EM泵匯流條上之電流及電磁體電極之至少一者之極性可週期性地反轉以將返回之銀引導至一個貯槽及接著另一貯槽以避免貯槽之間的一電短路。在一實施例中，點火電路包括一電二極體以迫使電流在一個方向上通過雙EM泵噴射器液體電極。 在一實施例中，連接至噴嘴5q、噴嘴區段5k61之電磁泵管區段可包括諸如鎢之一耐火材料。噴嘴區段可延伸，諸如伸縮式。伸縮式區段可憑藉藉由EM泵施加之內部熔融金屬之壓力而延伸。伸縮式噴嘴可具有一軌路以防止其在延伸時旋轉。軌路可包括一摺痕。藉由熔融金屬之管延伸部用於允許在熔融金屬流動通過此管區段之前加熱噴嘴區段。預加熱可避免噴嘴區段之固化及阻塞。在一實施例中，藉由來自由感應耦合加熱器加熱之組件(諸如貯槽及包含於其中之金屬(諸如銀))之傳導、對流、輻射及金屬蒸氣之至少一者加熱噴嘴區段5k61。噴嘴區段之厚度可足以將來自加熱組件之充足熱轉移提供至噴嘴區段以在EM泵經啟動之前將噴嘴區段之溫度升高至高於諸如銀之金屬之熔點以防止噴嘴區段之固化及阻塞。在一實施例中，各貯槽5c可包括一獨立感應耦合加熱器線圈5f及射頻(RF)電源供應器。替代性地，感應耦合加熱器線圈5f可包括用於各貯槽5c之一區段且可藉由一單一射頻電源供應器5m供電。 在一實施例中，由碳組成之電池組件經塗佈有一塗層，諸如能夠在電池組件之操作溫度下維持約零蒸氣壓力之一碳塗層。黑體輻射器之一例示性操作溫度係3000 K。在一實施例中，施加至諸如一碳電池組件(諸如黑體輻射器5b4或貯槽5c)之外部表面之表面之用以抑制昇華之塗層包括熱解石墨、Pyrograph塗層(Toyo Tanso)、石墨化塗層(Poco/Entegris)、碳化矽、TaC或本發明或此項技術中已知的抑制昇華之另一塗層。可藉由施加且維持塗層上之一高氣體壓力而使塗層在高溫下穩定。在一實施例中，EM泵管5k6、電流匯流條5k2、熱轉移塊5k7、噴嘴5q及管接頭5k9可包括Mo及W之至少一者。在一實施例中，接頭套管型及VCR型管接頭5k9可包括碳，其中貯槽可包括碳。碳管接頭可包括諸如一耐火金屬網或箔(諸如W網或箔)之一襯墊。在一實施例中，電極穿透饋通10a處之壓力容器壁及黑體輻射器5b4之下半球5b41及貯槽5c之至少一者。可使用一電極O形環鎖定螺帽8a1將電極8鎖定在適當位置中。電極匯流條9及10可透過匯流條電流收集器9a連接至電源。電極穿透部分可經塗佈有諸如ZrO之一電絕緣體。由於C具有低傳導性，故可使用諸如石墨膏之一密封劑將電極直接密封在穿透部分(諸如貯槽壁處之穿透部分)處。替代性地，可使用VCR或接頭套管饋通將電極密封在穿透部分處。具有不同熱膨脹係數之零件(諸如EM泵管與貯槽5c之基底及電極與貯槽壁之間的VCR型或接頭套管型管接頭之至少一者)之機械連結可包括諸如碳墊圈或墊片(諸如Perma-Foil或Graphoil墊圈或墊片)之一可壓縮密封件。 在一例示性實施例中，反應單元腔室功率係400 kW，具有6英寸直徑之碳黑體輻射器之操作溫度係3000 K，EM泵之泵抽速率為約10 cc/s，熔融銀之感應耦合加熱器功率為約3 kW，點火功率為約3 kW，EM泵功率為約500 W，反應單元氣體包括Ag蒸氣及氬/H 2(3%)，外腔室氣體包括氬/H 2(3%)，且反應單元及外腔室壓力各為約10 atm。 外壓力容器可經加壓以平衡反應單元腔室5b31之壓力，其中後一壓力歸因於諸如銀之基質金屬之汽化而隨著溫度增大。壓力容器可首先經加壓，或壓力可隨著反應單元腔室溫度增大而增大。氫可經添加至壓力容器以滲透至反應單元腔室中。在其中黑體輻射係各向同性碳之一實施例中，圓頂可至少部分滲透諸如氫及一惰性氣體(諸如氬)之至少一者之氣體以平衡壓力且供應氫至反應。在一實施例中，可藉由控制流動至反應單元腔室5b31中之分數氫反應之氫而控制電力。可藉由去除或抽空氫而停止分數氫反應。可藉由使諸如氬氣之一惰性氣體流動達成去除。SunCell可包括一高壓水電解槽，諸如包括使水處於高壓下以提供高壓氫之一質子交換薄膜(PEM)電解槽。PEM可充當陽極及陰極隔室之分離器及鹽橋之至少一者以允許在陰極處產生氫且在陽極處產生氧作為單獨氣體。氫可在高壓下產生且可直接或藉由滲透(諸如滲透通過黑體輻射器)供應至反應單元腔室5b31。SunCell可包括自陰極隔室至氫氣遞送點至電池之一氫氣管線。SunCell可包括自陽極隔室至氧氣遞送點至一儲存容器或一排氣孔之一氧氣管線。 可藉由量測至少一個電池組件歸因於內部壓力之延伸或移位而量測反應腔室5b31之壓力。歸因於內部壓力之延伸或移位可在一給定反應腔室5b31溫度下藉由依據在該給定反應腔室溫度下由一非凝結氣體引起之內部壓力量測此等參數之至少一者而校準。 在一實施例中，諸如黑體輻射器之一表面、貯槽及VCR型管接頭之一石墨電池組件之塗層可包括熱解石墨、碳化矽或本發明或此項技術中已知的抵抗與氫之反應之另一塗層。可藉由施加且維持塗層上之一高氣體壓力而使塗層在高溫下穩定。 在一實施例中，移除諸如氬之反應單元腔室氣體中之過量水。水分壓可維持在維持一最佳分數氫反應速率及避免或減少諸如圓頂5b4 (諸如鎢圓頂)之至少一個電池組件之腐蝕之至少一者之一位準。可使用一吸氣劑移除水。在一實施例中，產生器包括：一冷凝器，其移除諸如銀蒸氣之熔融金屬蒸氣及水蒸氣之至少一者；一吸水劑，諸如包括一吸濕材料或乾燥劑(諸如沸石或鹼土金屬氧化物)之一乾燥腔室；一泵，其使至少一個反應單元腔室氣體循環；及管線及閥，其等控制氣體流動。氣體可自反應單元腔室5b31流動通過冷凝器以移除可作為一液體滴落或泵抽回至反應單元腔室中之金屬蒸氣，接著通過乾燥腔室以移除水蒸氣且返回至反應單元腔室。氣體可透過一埠(諸如錐體貯槽處之埠)返回至反應單元腔室。通過乾燥腔室之氣體再循環流動速率可經控制以將反應腔室氣體維持在一所要H 2O分壓下。一例示性反應單元腔室水壓在約0.1托至5托之範圍中。乾燥劑可經再生。可藉由化學再生(諸如藉由一金屬吸氣劑之氫還原，諸如藉由將CuO還原為Cu及將Al 2O 3電解為Al)及加熱之至少一者達成再生。加熱可導致水作為蒸氣離開。離開之水蒸氣可經排放至外部大氣或返回至水泡器。在加熱情況中，諸如水合沸石或鹼土氫氧化物之乾燥劑可經加熱至無水形式。產生器可包括複數個乾燥腔室、加熱器及閥及氣體管線。至少一個乾燥腔室可經連接以在至少一個其他乾燥腔室經歷再生時使反應單元腔室氣體乾燥且再循環。產生器可包括一控制系統，其將閥切換至與反應單元腔室及腔室外部之適當氣體連接以控制再循環及再生。 產生器可進一步包括管線及閥及一水源(諸如一水泡器)以及將水噴射至熔融金屬中之一埠。起泡器可包括一加熱器及用以控制水壓之一控制器。噴射埠可在貯槽及泵管(諸如泵管之出口部分)之至少一者中。在一實施例中，噴射器可在電極間隙8g處或附近。可自乾燥腔室流動之氣體可至少部分經轉向至起泡器，其中氣體透過起泡器中之水而起泡。氣體可取決於起泡器溫度及氣體流動速率而獲得水蒸氣之一所要分壓。一控制器可控制氣泵及閥以控制氣體流動速率。替代性地，產生器可包括本發明之獨立蒸汽噴射器。 在一實施例中，一負(減小)電位經施加至諸如錐體或圓頂、貯槽、錐體貯槽及泵管之至少一者之電池組件(其等可經歷來自組件材料與H 2O及氧之至少一者之反應之氧化)。產生器可包括一電壓源、至少兩個電引線及一相對電極以施加負電壓至電池組件。在一實施例中，正相對電極可與電漿接觸。在一實施例中，產生器包括諸如一DC電源之一外部電源以施加一電壓至至少一個電池組件以防止十分高溫之電池組件被蒸汽及氧之至少一者氧化。可使用一氫氣氛清除氧。電池可包括一斷電器，其包括一熱及電絕緣體，諸如圓頂與銀貯槽之間的SiC。貯槽中之金屬熔體(諸如銀)可充當陽極，且諸如圓頂5b4之電池組件可充當負偏壓之陰極。替代性地，陽極可包括匯流條、電極及反應單元腔室5b31內部與其中之電漿接觸之一獨立電極之至少一者。在一實施例中，至產生器之其他電源(諸如電磁泵電源供應器及至電極之電源)可電浮動，使得負電壓可經施加至電池組件。電池組件可包括一表面塗層以保護其免受溫度、磨損及與水及氧之至少一者反應影響。表面塗層可包括本發明之塗層，諸如碳化物，諸如碳化鉿或碳化鉭。在一實施例中，藉由高能碾磨及熱壓形成包括諸如SiC、HfC、TaC及WC之至少一者之一耐火陶瓷之組件。可藉由鑄造、粉末燒結及碾磨之至少一者形成組件。 在一實施例中，水冷卻匯流條可包括電磁泵之(若干)磁體。電磁泵之磁體可併入至水冷卻匯流條中，使得匯流條冷卻系統亦可冷卻(若干)磁體。磁體各可包括緊密接近電極之一鐵磁軛且可進一步包括磁體與軛之間的一間隙以減少磁體之加熱。亦可冷卻軛。軛可具有高於磁體之一居里溫度，使得其可在一較高溫度下操作以減小冷卻負載。電磁泵可包括包含一磁體及視情況一間隙及軛之一個磁性電路。 在水噴射之一替代實施例中，自來源噴射氫及氧混合物(諸如來自水電解之混合物)及氫氣與氧氣兩者之至少一者，其中氣體反應以在熔體中形成水。在一實施例中，熔體包括氫及氧復合劑觸媒(諸如銅)以催化氣體至水之反應。氫之自燃溫度係536°C。在一實施例中，兩種氣體噴射至諸如熔融銀之熔體中將導致H 2O噴射至熔體中。H 2及O 2之一化學計量混合物之一來源係H 2O之電解。在一實施例中，氣體管線可包括一阻火器以防止點火向上傳播回至氣體管線。在一實施例中，透過同心管(管中管)遞送H 2及O 2氣體之至少一者，其中一個管攜載一種氣體，且另一管攜載另一氣體。管中管可穿透泵管5k6以將氣體噴射至流動金屬熔體中以形成H 2O。替代性地，噴射可發生在貯槽5c及錐體貯槽5b之至少一者中。在一實施例中，透過可滲透對應氣體之一薄膜遞送H 2及O 2氣體之至少一者。在一例示性實施例中，氫可滲透通過Pd或Pd-Ag薄膜。氧可滲透通過氧化物導體。可藉由一電壓及一電流之至少一者控制H 2及O 2之至少一者之供應。可伴隨通過氧化物電極(諸如用於一固體氧化物燃料電池中之氧化物電極)之一電流供應氧。過量H 2可經添加至氣體混合物以防止電池腐蝕且與H 2O至分數氫及氧之分數氫反應之氧產物反應。可藉由一流量控制系統(諸如包括H 2O電解槽、氣體分離器、氣體供應罐、壓力計、閥、流量計、電腦100及一控制器之流量控制系統)控制諸如氫氣流及氧氣流以及氫氧混合物氣流之氣流。為防止O 2腐蝕，O 2管線可包括諸如氧化鋁之一非腐蝕材料。氣體可在流動至熔體中之前在一遞送管中預混合且自動點火。可使用一管中管設計噴射水蒸氣及最佳氫。水蒸氣可為乾燥的。可藉由一蒸汽產生器形成乾燥水蒸氣，該蒸汽產生器包括一蒸汽-水滴分離器，諸如一可滲透水蒸氣之薄膜，諸如阻擋流動蒸汽中之水滴之一玻璃料或薄膜。薄膜可包括可滲透蒸汽之鐵氟龍。玻璃料可包括一粉末狀陶瓷，諸如粉末狀氧化鋁。薄膜可包括具有穿孔之一薄片，諸如具有穿孔之一金屬屏或一金屬板(諸如由鎳組成之金屬屏或金屬板)。穿孔可經鑽孔，諸如水刀或雷射鑽孔。玻璃料可包括金屬網、金屬發泡體、金屬屏或燒結金屬之一插塞。金屬可包括Ni。諸如水蒸氣噴嘴之氣體噴嘴可具有一小開口以防止熔融銀進入。噴嘴可包括抵抗銀黏著之一材料，諸如Mo、C、W、石墨烯及其他Ag非黏著材料之至少一者。可使用此項技術中已知的CO 2封存化合物清除來自碳與氧之反應之CO 2。 在一實施例中，接觸經噴射水蒸氣之電池組件(諸如錐體貯槽、貯槽、泵管之內表面、泵管之外表面、水噴射管、氫噴射管、玻璃料及噴嘴之至少一者)包括或經塗佈有一抗腐蝕塗層，諸如不利於與水反應之塗層(諸如Ni)。抗腐蝕塗層可藉由電鍍(諸如無電電鍍，諸如無電Ni電鍍)、氣相沈積、包覆、此項技術中已知的其他方法之至少一者且作為一襯墊施加。 在圖15至圖34中展示之一實施例中，可藉由使用對應噴射器5z1噴射至泵管5k6中(諸如在噴嘴5q端部處)及噴射至反應單元腔室5b31中之至少一者而將水及氫之至少一者供應至分數氫反應。產生器可包括一蒸汽管線5g，其可透過一蒸汽入口管線饋通5g1或一共同氫及蒸汽入口管線饋通5h2穿透下腔室5b5及電池腔室5b3以及反應單元腔室5b31之至少一者。產生器可包括一氫管線5h，其可透過一氫入口管線饋通5h1或一共同氫及蒸汽入口管線饋通5h2穿透下腔室5b5及電池腔室5b3以及反應單元腔室5b31之至少一者。氫及蒸汽之各者可包括分開管線或其等可組合為一氫蒸汽歧管5y，氫蒸汽歧管5y可透過一共同氫及蒸汽入口管線饋通5h2穿透下電池腔室5b5及電池腔室5b3以及反應單元腔室5b31之至少一者。可藉由諸如流量或壓力閥5z2 (諸如螺線管閥)之閥控制噴射。 產生器可包括一風扇及一泵之至少一者以使反應腔室氣體再循環。電池氣體可包括H 2O、氫、氧及諸如氬之一惰性氣體之至少兩者之一混合物。可透過水使經再循環之電池氣體起泡以再供應水。水泡器可包括用於控制其溫度之一構件，諸如一加熱器、一冷凍器及一溫度控制器之至少一者。可回應於分數氫反應速率動態地調整起泡速率及溫度之至少一者以最佳化反應速率。可在水蒸氣壓力低於所要壓力時增大流動速率且在其高於所要壓力時減小或停止流動速率。可應用不同起泡器溫度及流動速率以更改水分壓及補足速率。溫度可更改建立一平衡蒸氣壓力之動力學以及蒸氣壓力。在另一實施例中，可藉由透過一冷凝器及一乾燥劑之至少一者使反應單元氣體(諸如H 2O、氫、氧及諸如氬之一惰性氣體之一混合物)循環而移除過量水。可使用一真空泵或一風扇達成氣體循環。可藉由諸如加熱及泵抽之方法再生乾燥劑。藉由ZeoTech製成一例示性商業系統(http://zeo-tech.de/index.php/en/)。可使用可藉由諸如氫還原之方法再生之一吸氣劑(諸如形成氧化物之一金屬，諸如銅)移除氧。可藉由添加氫移除氧。來源可為水電解。氫可流動通過一中空電解陰極而至反應單元腔室中。其他例示性氧清除劑包括亞硫酸鈉(Na 2SO 3)、肼(N 2H 4)、1,3-二胺脲(卡肼)、二乙基羥胺(DEHA)、氮基三乙酸(NTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)及氫醌。亦可藉由與所供應之過量氫反應來移除氧。可藉由本發明之方法移除過量水產物。 產生器可包括一控制器以藉由控制分數氫反應參數來控制功率輸出。除水蒸氣壓力之最佳化以外，亦對應地最佳化對應等分試樣或丸粒之對應熔融金屬噴射速率及質量、噴射電流、電極設計(諸如產生一近點接觸之電極設計，諸如圓形或倒轉背對背V形狀)及觸發速率或頻率以最大化功率。例示性最佳參數為約80 mg之熔融Ag丸粒、具有1 V電極電壓降之2 V電路電壓、8 kA至10 kA之峰值電流脈衝、吸收於Ag丸粒中之1%水、1托周圍水及759托氬或其他稀有氣體及諸如低於500°C之低電極及匯流條溫度以最小化電阻且最大化電流脈衝。在一實施例中，點火系統及噴射系統之至少一者(諸如電源、匯流條、電極、電磁泵及噴嘴)可經設計以產生電路之一固有頻率以及噴射及點火力學以達成所要點火速率。在一例示性實施例中，改變電路阻抗改變點火系統之固有頻率。可藉由此項技術中已知的方法(諸如藉由調整電阻、電容及電感之至少一者)調整電路阻抗。在一例示性實施例中，可藉由調整金屬噴射速率、對噴射流之阻力及自電極清除點火金屬之速率之至少一者來調整機械頻率。可藉由調整電極之大小、形狀及間隙來調整速率。所要點火速率可在約10 Hz至10,000 Hz、100 Hz至5000 Hz及500 Hz至1000 Hz之至少一個範圍中。 在一實施例中，複數個產生器可經聯合以提供一所要功率輸出。複數個產生器可以串聯及並聯之至少一者互連以達成所要功率輸出。經聯合產生器之系統可包括一控制器以控制產生器之間的串聯連接及並聯連接之至少一者以控制複數個經聯合產生器之疊加輸出電之功率、電壓及電流之至少一者。複數個產生器各可包括一功率控制器以控制功率輸出。功率控制器可控制分數氫反應參數以控制產生器功率輸出。各產生器可包括PV轉換器26a之PV電池或PV電池群組之至少一者之間的開關且進一步包括一控制器以控制PV電池或PV電池群組之間的串聯連接及並聯連接之至少一者。控制器可切換互連以達成來自PV轉換器之一所要電壓、電流及電力輸出。經聯合複數個產生器之中心控制器可控制經聯合產生器之間的串聯互連及並聯互連、至少一個產生器之分數氫反應參數及複數個經聯合產生器之至少一個產生器之至少一個PV轉換器之PV電池或PV電池群組之間的連接之至少一者。中心控制器可直接或透過個別產生器控制器來控制產生器及PV連接及分數氫反應參數之至少一者。功率輸出可包括DC或AC功率。各產生器可包括一DC-AC換流器，諸如一換流器。替代性地，可透過產生器之間的連接組合複數個產生器之DC功率且使用一DC-AC轉換器(諸如能夠轉換疊加DC功率之一換流器)將DC功率轉換為AC功率。PV轉換器及經聯合產生器系統之至少一者之例示性輸出電壓為約380V DC或780V DC。約380 V之輸出可經轉換為雙相AC。約760 V之輸出可經轉換為三相AC。AC功率可經轉換為另一所要電壓，諸如約120 V、240 V或480 V。可使用一變壓器變換AC電壓。在一實施例中，可使用一IGBT將DC電壓改變為另一DC電壓。在一實施例中，換流器之至少一個IGBT亦可用作感應耦合加熱器5m之IGBT。 在一實施例中，可藉由與經冷卻匯流條之一延伸部分(其可接觸電極之背部)接觸而冷卻電極。在一實施例中，電極冷卻系統可包括延伸至電極端部之一中心管中管水插管，其中諸如水及乙二醇之至少一者之冷卻劑流動至內插管中且回流通過外圓周管。插管可包括沿著其至電極端部之長度之孔以允許一些水旁通行進至端部。電極冷卻系統可經容置於背對背電極板(諸如w板)中之一溝槽中。在一實施例中，電極可包括諸如一液體冷卻系統之一冷卻系統，諸如包括諸如水或一熔融材料(諸如金屬或鹽)之一冷卻劑之液體冷卻系統。在另一實施例中，電極可包括複數個固體材料，其中固體材料可回應於一功率負載突波而可逆地熔融。功率負載突波可係歸因於來自分數氫程序之一能量均勻。電極之外表面可包括具有複數個材料之最高熔點之一材料，且內部可包括具有一較低熔點之一材料，使得來自一功率突波之熱經轉移至內部以導致內部材料熔融。內部材料熔融之熱吸收突波之一些熱以防止外表面熔融。接著，隨著內部材料冷卻及固化，可在長於突波之時間標度之一時間標度上消散熱。 在一實施例中，在藉由諸如熱解及電漿分解之方法使水分解於電池中之後可將來自局部噴射(諸如在電極處)之反應單元腔室水之過量水作為氧氣及視情況作為氫氣移除。氫可自電漿回收且再循環，其中透過一選擇性薄膜抽出氧。氫可與來自大氣之氧反應以使氫再循環。在反應單元腔室中之氣氛含有大量氧之情況中，電池26組件可包括諸如一陶瓷(諸如MgO或ZrO 2)之一抗氧化材料。在一實施例中，產生器包括一冷凝器或冷阱。可藉由一冷凝器移除過量水，該冷凝器首先將銀蒸氣作為液體銀(其可自冷凝器流動回至反應單元腔室中)移除。可在冷凝器或冷阱之一第二冷級凝結水。可透過諸如一水閥或泵之一選擇性閥移除凝結之水以防止大氣氣體回流至電池中。泵可包括一氣體泵及一液體泵之至少一者。液體泵可抵抗大氣壓泵抽液體水。在一實施例中，反應單元腔室5b31包括諸如稀有氣體(諸如氬)之一氣體。腔室壓力可小於、等於或大於大氣壓。腔室氣體可自腔室5b31再循環通過冷凝器且返回至腔室，其中金屬蒸氣及過量水蒸氣可凝結在冷凝器中。金屬蒸氣可流動至錐體貯槽5b。凝結之水可自電池流動或泵抽至諸如5v之水源或產生器外部。 在一實施例中，過量氫經供應至電池腔室5b3及反應單元腔室5b31之至少一者以藉由氫燃燒為水而清除反應單元腔室中之氧。在一實施例中，產生器包括一選擇性氧排氣孔以自反應單元腔室釋放產物氧。在此實施例中，可減少泵抽。 在一實施例中，HOH觸媒來源及H來源包括噴射至電極中之水。一高電流經施加以導致點火至一發射亮光之電漿中。一水源可包括結合水。噴射至電極中之一固體燃料可包括水及諸如一熔融金屬(諸如銀、銅及銀銅合金之至少一者)之一高度傳導基質。固體燃料可包括包含結合水之一化合物。可供應至點火之結合水化合物可包括水合物，諸如具有740°C之一分解溫度之BaI 22H 2O。可包括結合水之化合物可與諸如銀之熔融金屬混溶。混溶化合物可包括助熔劑，諸如水合Na 2CO 3、KCl、碳、硼砂(諸如Na 2B4O 7·10H 2O)、氧化鈣及PbS之至少一者。結合水化合物可對失水穩定直至熔融金屬之熔點。舉例而言，結合水可穩定直至超過1000°C，且在點火事件中失水。包括結合水之化合物可包括氧。在釋放氧之情況中，熔融金屬可包括銀，因為銀在其熔點下未形成一穩定氧化物。包括結合水之化合物可包括氫氧化物，諸如以下之至少一者：鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬、內過渡金屬、稀土金屬、13族、14族、15族及16族氫氧化物及礦物質(諸如滑石)、由水合矽酸鎂組成之一礦物質(具有化學式H 2Mg 3(SiO 3) 4或Mg 3Si 4O 10(OH) 2)及白雲母或雲母、鋁與鉀之一頁矽酸鹽礦物質(具有化學式KAl 2(AlSi 3O 10)(F,OH) 2或(KF) 2(Al 2O3) 3(SiO 2)6(H 2O))。在一實施例中，脫水化合物充當一乾燥劑以維持一低反應單元腔室壓力。舉例而言，氫氧化鋇在加熱至800°C時分解為氧化鋇及H 2O且所得BaO之沸點係2000°C，使得其針對高於2300 K之一電漿溫度而實質上保持汽化。在一實施例中，水源包括氧化物及亦可充當H來源之氫。氫來源可包括氫氣。氧化物可能夠藉由氫還原以形成H 2O。氧化物可包括Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn之至少一者。H 2O化合物來源、H 2O化合物來源之濃度、反應單元腔室中之水蒸氣壓力、操作溫度及EM泵抽速率之至少一者可經控制以控制供應至點火之水量。H 2O化合物來源之濃度可在約0.001莫耳%至50莫耳%、0.01莫耳%至20莫耳%及0.1莫耳%至10莫耳%之至少一個範圍中。在一實施例中，水溶解至諸如包括銀、銅及銀銅合金之至少一者之燃料熔體中。憑藉與熔體接觸之水之分壓(諸如反應單元腔室之水蒸氣分壓)增大水之溶解度。反應單元腔室中之水壓可與電池腔室中之水蒸氣壓力平衡。可藉由本發明之方法(諸如用於諸如氬之其他氣體之方法)達成平衡。反應單元腔室水蒸氣壓力可在約0.01托至100 atm、0.1托至10 atm及0.5托至1 atm之至少一個範圍中。EM泵抽速率可在約0.01 ml/s至10,000 ml/s、0.1 ml/s至1000 ml/s及0.1 ml/s至100 ml/s之至少一個範圍中。 SF-CIHT電池電力產生系統包含一光伏打電力轉換器，其經組態以擷取藉由燃料點火反應產生之電漿光子且將其等轉換為可用能量。在一些實施例中，可期望高轉換效率。反應器可在多個方向(例如，至少兩個方向)上排出電漿，且反應半徑可為近似若干毫米至若干米之規模，例如，半徑為自約1 mm至約25 cm。另外，藉由燃料點火產生之電漿光譜可類似於藉由太陽產生之電漿光譜及/或可包含額外短波長輻射。圖95展示在滴落至一水貯槽中之前包括自銀熔體之氣體處理吸收之H 2及H 2O之一80 mg銀丸粒之點火之5 nm至450 nm區域中之一例示性絕對光譜，展示527 kW之一平均光功率，基本上全在紫外線及極紫外線光譜區域中。使用一泰勒-溫菲爾德模型ND-24-75點焊機憑藉一低電壓、高電流達成點火。跨丸粒之電壓降小於1 V且電流為約25 kA。高強度UV發射具有約1 ms之一持續時間。控制光譜在UV區域中係平坦的。在一實施例中，電漿基本上100%電離，此可藉由量測H巴耳末 譜線之斯塔克變寬(Stark broadening)來證實。固體燃料之輻射(諸如線及黑體發射之至少一者)可具有在約2 suns至200,000 suns、10 suns至100,000 suns、100 suns至75,000 suns之至少一個範圍中之一強度。 UV及EUV光譜可經轉換為黑體輻射。可藉由導致電池氣氛對於UV及EUV光子之至少一者之傳播變得光學上厚而達成轉換。可藉由導致諸如燃料金屬之金屬在電池中汽化而增大光學厚度。光學上厚之電漿可包括一黑體。歸因於分數氫反應之超高功率密度容量及藉由分數氫反應發射之光子高能，黑體溫度可為高。在圖96中展示泵抽至具有約1托之一周圍H 2O蒸氣壓力之大氣氬中之W電極中之熔融銀之點火光譜(歸因於藍寶石光譜儀窗而在180 nm處具有一截止點之100 nm至500 nm區域)。電源2包括兩個串聯電容器之兩組(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)，其等並聯連接以提供約5 V至6 V及300 A之恆定電流且在約1 kHz至2 kHz之頻率下具有至5 kA之重疊電流脈衝。至W電極(1 cm × 4 cm)之平均輸入功率為約75 W。當氣氛在銀藉由分數氫反應功率而汽化之情況下對UV輻射變得光學上厚時，初始UV線發射躍遷至5000 K黑體輻射。具有0.15之一汽化銀發射率之一5000 K黑體輻射器之功率密度係5.3 MW/m 2。所觀察電漿之面積為約1 m 2。黑體輻射可加熱電池26之一組件，諸如可在本發明之一熱光伏打實施例中充當至PV轉換器26a之一黑體輻射器之頂蓋5b4。 包括氧來源之一熔體之一例示性測試包括使用藉由絕對光譜判定之光學功率在氬/5莫耳% H 2氣氛中對80 mg之銀/1重量%硼砂無水物丸粒點火。觀察到使用一焊接機(Acme 75 KVA點焊機)在250 kW功率之約1 V電壓降下施加約12 kA之一高電流達約1 ms之持續時間。包括氧來源之一熔體之另一例示性測試包括使用藉由絕對光譜判定之光學功率在氬/5莫耳% H 2氣氛中對80 mg之銀/2莫耳% Na 2O無水物丸粒點火。觀察到使用一焊接機(Acme 75 KVA點焊機)在370 kW功率之約1 V電壓降下施加約12 kA之一高電流達約1 ms之持續時間。包括氧來源之一熔體之另一例示性測試包括使用藉由絕對光譜判定之光學功率在氬/5莫耳% H 2氣氛中對80 mg之銀/2莫耳% Li 2O無水物丸粒點火。觀察到使用一焊接機(Acme 75 KVA點焊接機)在500 kW功率之約1 V電壓降下施加約12 kA之一高電流達約1 ms之持續時間。 基於使用Edgertronics高速攝影機記錄之電漿大小，分數氫反應及功率取決於反應體積。體積可需為最佳化反應功率及能量之一最小值(諸如約0.5公升至10公升)以用於對約30 mg至100 mg之一丸粒(諸如銀丸粒)及H及HOH觸媒來源點火(諸如水合作用)。自丸粒點火，在十分高銀壓力下，分數氫反應速率為高。在一實施例中，分數氫反應在高電漿壓力之情況下可具有高動力學。基於高速光譜及Edgertronics資料，當電漿體積最低且Ag蒸氣壓力最高時，分數氫反應速率在起始時最高。1 mm直徑之Ag丸粒在熔融時點火(T=1235 K)。80 mg (7.4 X 10 -4莫耳)丸粒之初始體積係5.2 X 10 -7公升。對應最大壓力為約1.4 X 10 5atm。在一例示性實施例中，觀察到反應以約聲速(343 m/s)膨脹以達約0.5 ms之反應持續時間。最終半徑為約17 cm。不具有任何背壓之最終體積為約20公升。最終Ag分壓為約3.7E-3 atm。由於反應在較高壓力下可具有較高動力學，故可藉由施加電極壓力且允許電漿垂直於電極間軸膨脹而使反應速率增大電極限制。 在存在97%氬/3%氫氣氛之情況下，量測藉由將1莫耳%或0.5莫耳%之氧化鉍添加至以2.5 ml/s噴射至SunCell之點火電極中之熔融銀所引起之分數氫反應釋放之功率。使在對應於氧化物添加而增加分數氫反應功率貢獻之前及之後的暫時反應電池水冷卻劑溫度斜率之相對改變乘以充當一內部標準之恆定初始輸入功率。對於重複運行，藉由對應於7540 W、8300 W、8400 W、9700 W、8660 W、8020 W及10,450 W之總輸入功率之暫時冷卻劑溫度回應97、119、15、538、181、54及27之斜率之比率之乘積來判定具有在氧來源添加之後的分數氫功率貢獻之總電池輸出功率。熱爆發功率分別為731,000 W、987,700 W、126,000 W、5,220,000 W、1,567,000 W、433,100 W及 282,150 W。 在存在97%氬/3%氫氣氛之情況下，量測藉由將1莫耳%氧化鉍(Bi 2O 3)、1莫耳%釩酸鋰(LiVO 3)或0.5莫耳%釩酸鋰添加至以2.5 ml/s噴射至SunCell之點火電極中之熔融銀所引起之分數氫反應釋放之功率。使在對應於氧化物添加而增加分數氫反應功率貢獻之前及之後的暫時反應電池水冷卻劑溫度斜率之相對改變乘以充當一內部標準之恆定初始輸入功率。對於重複運行，藉由對應於6420 W、9000 W及8790 W之總輸入功率之暫時冷卻劑溫度回應497,200及26之斜率之比率之乘積來判定具有在氧來源添加之後的分數氫功率貢獻之總電池輸出功率。熱爆發功率分別為3.2 MW、1.8 MW及230,000 W。 在一例示性實施例中，點火電流對應於自約0 V至1 V (在該電壓下對電漿點火)之一電壓增大而在0.5內自約0 A斜升至2000 A。接著，作為一步驟將電壓增大至約16 V且保持約0.25 s，其中約1 kA流動通過熔體且1.5 kA透過除電極8以外的另一接地迴路連續流動通過電漿塊體。在將約25 kW之一功率輸入至包括處於9公升/秒之一流動速率之Ag (0.5莫耳% LiVO 3)及氬-H 2(3%)之SunCell之情況下，功率輸出超過1 MW。點火序列以約1.3 Hz重複。 在一例示性實施例中，點火電流為約500 A恆定電流且電壓為約20 V。在將約15 kW之一功率輸入至包括處於9公升/秒之一流動速率之Ag (0.5莫耳% LiVO 3)及氬-H 2(3%)之SunCell之情況下，功率輸出超過1 MW。 在一實施例中，轉換器包括經聯合以包括組合循環之複數個轉換器。組合循環轉換器可選自以下之群組：一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎、一郎肯循環引擎及一熱引擎及一加熱器。在一實施例中，SF-CIHT電池主要產生紫外線及極紫外線光。轉換器可包括包含一光電子轉換器接著一光電轉換器之一組合循環，其中光電轉換器對紫外線光透明且可主要回應於極紫外線光。轉換器可進一步包括額外組合循環轉換器元件，諸如一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎及一郎肯循環引擎之至少一者。 在一實施例中，SunCell可充當一黑體光校準源，其中溫度可超過習知黑體光源之溫度。黑體溫度可在1000 K至15,000 K之至少一個範圍中。在一實施例中，SunCell可達到十分高溫度，諸如在2000 K至15,000 K之範圍中。SunCell可充當用於諸如熱處理、固化、退火、焊接、熔融及燒結之材料處理之一高溫源。待加熱之材料可放置於電漿中，或可藉由使用諸如一熱導管、熱管道、輻射路徑及熱交換器之一對應熱轉移構件進行諸如輻射、傳導及對流之方法將熱間接引導至材料。在一實施例中，由分數氫反應形成之EUV發射(諸如在低電壓下形成之EUV發射)包括偵測氫之存在之一方法。 在圖97中展示光伏打轉換器之測地密集接收器陣列之一三角形元件之一示意圖。PV轉換器26a可包括由三角形元件200組成之一密集接收器陣列，三角形元件200各由能夠將來自黑體輻射器5b4之光轉換為電之複數個聚光器光伏打電池15組成。PV電池15可包括GaAs N晶圓上之GaAs P/N電池、InP上InAlGaAs及GaAs上InAlGaAs之至少一者。電池各可包括至少一個接面。三角形元件200可包括一蓋主體203，諸如包括沖壓科伐合金(Kovar)薄片、一熱埠及一冷埠(諸如包括壓配合管202之熱埠及冷埠)及附接凸緣203 (諸如包括沖壓科伐合金薄片以用於連接連續三角形元件200之附接凸緣)之蓋主體。 在一實施例中，SunCell包括形成分數氫作為一反應產物之一反應混合物。反應可形成能量電漿。反應混合物可進一步包括碳來源，諸如石墨及烴之至少一者。能量電漿可轟擊自碳來源沈積於一基板上之固體碳或碳。在一實施例中，轟擊將石墨碳轉換為碳之鑽石形式。在Mills公開案R. L. Mills、J. Sankar、A. Voigt、J. He、B. Dhandapani之「Synthesis of HDLC Films from Solid Carbon」，J. Materials Science，J. Mater. Sci. 39 (2004) 3309–3318及R. L. Mills、J. Sankar、A. Voigt、J. He、B. Dhandapani之「Spectroscopic Characterization of the Atomic Hydrogen Energies and Densities and Carbon Species During Helium-Hydrogen-Methane Plasma CVD Synthesis of Diamond Films」，Chemistry of Materials，第15卷，(2003)，第1313–1321頁(其等以引用的方式併入本文中)中描述之例示性實施例中，SunCell包括能量電漿源以導致自碳之非鑽石形式形成鑽石。可藉由1333 cm -1拉曼峰值之存在量測鑽石之產生。 可藉由電離普通氫而純化及隔離分子分數氫氣體。可藉由電場及磁場之至少一者分離及移除電離氫。替代性地，可藉由與形成一可凝結反應產物之一反應物反應而移除普通氫，其中可藉由電漿條件有利地進行反應。一例示性反應物係氮，其形成在一低溫阱中移除之可凝結氨以產生純化分子分數氫氣體。替代性地，可使用分子篩純化及隔離分子分數氫氣體，該等分子篩基於分子分數氫氣體之較高擴散而使普通氫與分子分數氫氣體分離。一例示性分液分子篩係Na 8(Al 6Si 6O 24)Cl 2。
2:電源/電源供應器 5a:製粒機 5b:第一容器/加熱區段/錐體貯槽 5b1:接頭 5b2:錐體 5b3:單元腔室 5b3a:外壓力容器 5b3a1:外腔室/壓力容器腔室 5b3b:基底板/基底 5b4:頂蓋/黑體輻射器/窗 5b4a:透明壁容器/圓頂 5b4b:襯墊 5b5:下腔室 5b6:真空連接線 5b6a:冷卻管線/熱交換器 5b7:O形環 5b8:基底板/貯槽支撐板/圓頂隔板/板 5b31:反應單元腔室 5b31a:外壓力容器腔室 5b41:下半球 5b42:上半球 5b71:密封件/墊圈 5b81:圓頂隔板/板/PV轉換器支撐板 5b82:熱絕緣體 5c:第二容器/貯槽 5ca:唇緣/滴落邊緣 5d:坩堝 5e:絕緣體 5e1:容器 5e2:入口 5e3:出口 5f:天線線圈/感應耦合加熱器線圈 5f1:致動器 5g:入口管線 5g1:饋通/蒸汽入口管線饋通 5h:入口管線 5h1:饋通/穿透部分 5h2:饋通/共同氫及蒸汽入口管線饋通 5h3:穿透部分 5k:電磁(EM)泵 5k1:電磁(EM)泵熱交換器/水冷卻熱轉移板/冷卻系統 5k2:匯流條/鎢電磁泵匯流條 5k2a:點火電磁泵匯流條 5k3:匯流條電流源連接件/引線 5k4:磁體/磁性電路 5k5:磁體/磁性電路/熱障/軛 5k6:泵管 5k7:熱轉移塊 5k8:饋通 5k9:配件/接頭套管/連接器 5k10:O形環 5k11:電磁(EM)泵冷卻劑管線 5k12:電磁(EM)泵冷板 5k13:電源供應器 5k14:滑動螺帽 5k14a:墊圈 5k15:外螺紋基底板軸環 5k31:饋通 5k33:電磁(EM)泵匯流條連接器/電磁(EM)泵匯流條饋通凸緣 5k61:噴嘴區段/噴射管 5ka:電磁(EM)泵總成 5kb:電磁泵冷卻劑管線饋通總成 5kb1:感應耦合加熱器冷卻劑管線饋通總成 5kb2:壓力容器壁冷卻劑管線饋通總成 5kc:電磁(EM)泵基座 5kk:基座板電磁(EM)泵噴射器總成 5m:電源供應器/感應耦合加熱器電源供應器 5ma:感應耦合加熱器冷卻劑系統入口 5mb:感應耦合加熱器冷卻劑系統出口 5mc:感應耦合加熱器饋通總成 5o:天線線圈/感應耦合加熱器線圈/感應耦合加熱器 5p:引線 5q:噴嘴 5s:噴嘴冷卻器 5s1:放射性源 5s2:輻射偵測器 5t:丸粒 5u:管線/來源/貯槽/罐/氫供應器 5ua:氫氣管線 5ua1:氬氣管線 5v:蒸汽管線/罐 5w:歧管/輸入管線/進料管線/氫供應器 5x:歧管/進料管線 5y:管線/連接管道/歧管 5z:管道起泡器 5z1:噴射器 5z2:流量控制器/泵/閥/噴射器閥 8:電極 8a:鎖定O形環 8a1:鎖定螺帽 8c:磁體/磁場源 8c1:磁體 8c2:電極電磁泵冷卻管線 8d:擋板 8g:間隙/通道 8g1:第二電極通道 8h:絕緣件/裂縫 8i:第一電極區段/絕緣區段 8j:第二電極區段/傳導區段 8k:噴射地點/區域/側 8l:第二電池區域 9:匯流條 9a:匯流條連接器/匯流條電流收集器 10:匯流條 10a:點火系統/饋通 10a1:點火匯流條饋通總成 10a2:點火匯流條連接器 13a:真空泵 13b:吸氣劑(圖14)/真空連接件/泵管線 13c:泵管線/反應單元腔室真空泵管線及凸緣 13d:電池腔室真空泵管線及凸緣 13e:電池腔室真空泵管線閥 13f:反應單元真空泵管線閥 15:聚光器光伏打電池/光伏打(PV)面板 23:半透明鏡/光學分佈系統 26:電池 26a:光伏打(PV)轉換器/光-電轉換器 26a1:下半球 26a2:上半球 31:光伏打轉換器冷卻系統/輻射器 31a:冷凍器 31b:入口/冷卻劑管線 31c:出口/冷卻劑管線 31d:冷卻劑入口管線 31e:冷卻劑出口管線 31f:入口/冷卻劑管線/入口管線 31g:出口/冷卻劑管線/出口管線 31h:被動冷卻系統/電極 31i:被動冷卻系統/光伏打(PV)轉換系統 31j:風扇 31j1:空氣風扇 31k:冷卻劑泵 31l:罐 31m:閥 31ma:氣體螺線管閥 31n:旁通閥/止回閥 31o:輻射器溢流閥 31p:溢流管線 31q:罐入口管線 31r:罐出口歧管 31s:止回閥 31t:輻射器入口管線 31u:水泵出口 87:熱交換器 88:線電極 89:相對電極 90:電容器外殼 91a:內插管 91b:電極冷卻劑入口 91c:電極冷卻劑出口 92:齒輪箱 92a:導引軌道 93:馬達 94:滾珠螺釘 94a:軸承 95:線性軸承 100:電腦 110:電力調節器 200:三角形元件 202:壓配合管 203:蓋主體/附接凸緣
併入本說明書中且構成本說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之若干實施例且連同該描述用於說明本發明之原理。在圖式中： 圖1係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有固定電極及直接由一製粒機進料之一電磁噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一電磁泵及噴嘴之噴射系統、固定電極點火系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2係根據本發明之一實施例之展示在圖1中展示之製粒機之橫截面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖3係根據本發明之一實施例之展示在圖1及圖2中展示之電極及電極之兩個橫截面視圖之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖4係根據本發明之一實施例之展示在圖1中展示之製粒機(具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體)之橫截面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖5係根據本發明之一實施例之展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射至電極底部中之一噴嘴之橫截面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖6係根據本發明之一實施例之展示具有來自底部之丸粒噴射之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖7係根據本發明之一實施例之展示一電磁泵之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖8係根據本發明之一實施例之展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射至電極頂部中之一噴嘴之橫截面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖9係根據本發明之一實施例之展示具有來自頂部之丸粒噴射之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖10係根據本發明之一實施例之展示在錐體貯槽及一直接噴射器中皆具有一管道起泡器以將諸如H 2及蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、一個電磁泵及將丸粒噴射至電極底部中之一噴嘴之橫截面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖11係根據本發明之一實施例之展示具有來自底部之丸粒噴射及氣體噴射(諸如H 2及蒸汽噴射)之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖12係根據本發明之一實施例之在圖10中展示之SF-CIHT電池電力產生器之兩個全視圖之一示意圖。 圖13係根據本發明之一實施例之展示一電極冷卻系統之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖14係根據本發明之一實施例之展示具有被動式光伏打轉換器冷卻系統、主動及被動式電極冷卻系統及收氣器系統之電池之兩個視圖之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖15係根據本發明之一實施例之展示一電容器庫點火系統之一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之一示意圖。 圖16係根據本發明之一實施例之在圖15中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖17係根據本發明之一實施例之在圖16中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一內部視圖之一示意圖。 圖18係根據本發明之一實施例之在圖17中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之額外細節之一內部視圖之一示意圖。 圖19係根據本發明之一實施例之具有及不具有磁體之在圖18中展示之SF-CIHT電池電力產生器之電磁泵之磁軛總成之一示意圖。 圖20係根據本發明之一實施例之展示藉由緊固件固持之葉片電極及包括一磁性電路之一電極電磁泵之一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之一示意圖。 圖21係根據本發明之一實施例之在圖20中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一內部視圖之一示意圖。 圖22係根據本發明之一實施例之在圖20中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一橫截面視圖之一示意圖。 圖23係根據本發明之一實施例之展示一感應耦合加熱器、一電容器庫點火系統、一電磁泵噴射系統、一真空泵及水泵以及一輻射器冷卻系統之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖24係根據本發明之一實施例之在圖23中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖25係根據本發明之一實施例之展示包括水泵、一水罐及一輻射器之冷卻系統之細節之在圖23中展示之SF-CIHT電池電力產生器之另一外部視圖之一示意圖。 圖26係根據本發明之一實施例之展示一感應耦合加熱器、一電容器庫點火系統、一電磁泵噴射系統、一真空泵及水泵、一輻射器冷卻系統及一圓頂輻射器以及一測地圓頂光伏打轉換器之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖27係根據本發明之一實施例之在圖36中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖28係根據本發明之一實施例之展示包括具有螺線管閥之一水泵、一水罐及一輻射器之冷卻系統之細節之在圖36中展示之SF-CIHT電池電力產生器之另一視圖之一示意圖。 圖29係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽處之電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖30係根據本發明之一實施例之在圖29中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖31係根據本發明之一實施例之在圖29中展示之SF-CIHT電池電力產生器之另一內部視圖之一示意圖。 圖32係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括一電磁體之一電極電磁泵處之傾斜電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖33係根據本發明之一實施例之在圖32中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖34係根據本發明之一實施例之在圖32中展示之SF-CIHT電池電力產生器之另一內部視圖之一示意圖。 圖35係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之電磁體之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖36係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之電磁體之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖37係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之電磁體之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖38係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之電磁體之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖39係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖40係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖41係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖42係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖43係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖44係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖45係根據本發明之一實施例之展示錐體貯槽及包括橫向於電極間軸之冷卻磁體及磁軛之一電極電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器(其中點火點在圓頂之入口處)之一示意圖。 圖46係根據本發明之一實施例之展示一光學分佈及光伏打轉換器系統之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖47係根據本發明之一實施例之展示貯槽及包括螺紋接頭及接頭套管型連接器之電磁泵處之相對電極穿透之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖48係展示根據本發明之一實施例連接之螺紋接頭及接頭套管型連接器之在圖47中展示之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖49係根據本發明之一實施例之展示貯槽及包括螺紋接頭及接頭套管型連接器之電磁泵組件之細節之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖50係根據本發明之一實施例之展示貯槽及包括螺紋接頭、鎖定螺帽、接頭套管型連接器及圓頂隔板之電磁泵組件之細節之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖51係根據本發明之一實施例之展示圖50之連接部分之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖52係根據本發明之一實施例之展示圖51之橫截面之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖53係根據本發明之一實施例之展示貯槽及包括螺紋接頭、接頭套管型連接器及圓頂隔板之電磁泵組件之細節之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖54係根據本發明之一實施例之展示平行板旋入電極(各具有用於擰緊之一鎖定螺帽)之細節之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖55係根據本發明之一實施例之展示平行板旋入電極(各具有用於擰緊之一鎖定螺帽)之細節之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖56係根據本發明之一實施例之展示一上壓力腔室內部之PV轉換器、透明圓頂及黑體輻射器之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖57係根據本發明之一實施例之展示下腔室中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖58係根據本發明之一實施例之展示一分解視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖59係根據本發明之一實施例之展示電磁泵及貯槽總成之一分解視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖60係根據本發明之一實施例之展示電磁泵及貯槽總成之一分解橫截面視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖61係根據本發明之一實施例之展示容置於上腔室及下腔室中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖62係根據本發明之一實施例之展示容置於上腔室及下腔室中之組件之一橫截面視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖63係根據本發明之一實施例之展示點火組件之一分解視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖64係根據本發明之一實施例之展示點火組件之一組裝視圖及橫截面視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖65係根據本發明之一實施例之展示電磁泵之磁體系統之分解及組裝視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖66係根據本發明之一實施例之展示上腔室之組件之一分解視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖67係根據本發明之一實施例之展示上腔室與下腔室之間的隔板之組件之一分解視圖之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖68係根據本發明之一實施例之具有容置於一單一外壓力容器中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示壓力容器及主電池總成之橫截面。 圖69係根據本發明之一實施例之具有容置於一單一外壓力容器中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示壓力容器及主電池總成之分解視圖。 圖70係根據本發明之一實施例之具有容置於一單一外壓力容器中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示貯槽及黑體輻射器總成之分解視圖。 圖71係根據本發明之一實施例之展示橫截面視圖之包括雙EM泵噴射器作為液體電極而具有容置於一單一外壓力容器中之組件之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖72係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示貯槽及黑體輻射器總成。 圖73係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示貯槽及黑體輻射器總成之一透明視圖。 圖74係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示黑體輻射器之下半球及雙噴嘴。 圖75係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示具有外壓力容器之產生器且展示外壓力容器之基底之穿透。 圖76係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示移除外壓力容器頂部之產生器且展示外壓力容器之基底之穿透。 圖77係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意冠狀xz截面圖。 圖78係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意yz橫截面圖。 圖79係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示產生器支撐組件。 圖80係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示產生器支撐組件。 圖81係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示產生器支撐組件。 圖82係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示產生器支撐組件。 圖83係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示產生器支撐組件。 圖84係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示在上方或貯槽加熱位置中之垂直可伸縮天線。 圖85係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示在下方或冷卻加熱位置中之垂直可伸縮天線。 圖86係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示使加熱器線圈之垂直位置變化之致動器。 圖87係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示使加熱器線圈之垂直位置變化之致動器之驅動機構。 圖88係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一橫截面示意圖，其展示使加熱器線圈之垂直位置變化之致動器。 圖89係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示電磁泵總成。 圖90係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示滑動螺帽貯槽連接器。 圖91係根據本發明之一實施例之展示包括雙EM泵噴射器作為液體電極且包括滑動螺帽貯槽連接器之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一外部及橫截面視圖之一示意圖。 圖92係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一俯視橫截面示意圖。 圖93係展示根據本發明之一實施例之微粒絕緣圍阻容器之一橫截面示意圖。 圖94係根據本發明之一實施例之包括雙EM泵噴射器作為液體電極之一熱光伏打SF-CIHT電池電力產生器之一橫截面示意圖，其展示微粒絕緣圍阻容器。 圖95係根據本發明之一實施例之在滴落至一水貯槽中之前包括自銀熔體之氣體處理吸收之H 2及H 2O之一80 mg銀丸粒之點火之5 nm至450 nm區域中之絕對光譜，展示527 kW之一平均光功率，基本上全在紫外線及極紫外線光譜區域中。 圖96係根據本發明之一實施例之泵抽至具有約1托之一周圍H 2O蒸氣壓力之大氣氬中之W電極中之一熔融銀之點火光譜(歸因於藍寶石光譜儀窗而在180 nm處具有一截止點之100 nm至500 nm區域)，其展示在氣氛對於具有銀汽化之UV輻射在光學上變厚時躍遷至5000 K黑體輻射之UV線發射。 圖97係根據本發明之一實施例之光伏打轉換器之測地密集接收器陣列之三角形元件之一示意圖。
2:電源/電源供應器
5a:製粒機
5b:第一容器/加熱區段/錐體貯槽
5c:第二容器/貯槽
5d:坩堝
5e:絕緣件
5f:天線線圈/感應耦合加熱器線圈
5k:電磁(EM)泵
5m:電源供應器/感應耦合加熱器電源供應器
5o:天線線圈/感應耦合加熱器線圈/感應耦合加熱器
5p:引線
5q:噴嘴
5s:噴嘴冷卻器
5t:丸粒
5u:管線/來源/貯槽/罐/氫供應器
5v:蒸汽管線/罐
5w:歧管/輸入管線/進料管線/氫供應器
5x:歧管/進料管線
8:電極
8c:磁體/磁性電路/磁場源
8d:擋板
9:匯流條
10:匯流條
26:電池
31:光伏打轉換器冷卻系統/輻射器
31a:冷凍器
31d:冷卻劑入口管線
31e:冷卻劑出口管線

Claims (24)

  1. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源，其中該電源自電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統。
  2. 如請求項1之電力系統，其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能。
  3. 如請求項1之電力系統，其中該等電極包括一耐火金屬。
  4. 如請求項3之電力系統，其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器。
  5. 如請求項1之電力系統，其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體。
  6. 如請求項1之電力系統，其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器。
  7. 如請求項2之電力系統，其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之該噴射而閉合以導致該高電流流動以達成點火。
  8. 如請求項7之電力系統，其中該熔融金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中。
  9. 如請求項8之電力系統，其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率。
  10. 如請求項1之電力系統，其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者。
  11. 如請求項1之電力系統，其中該等額外反應物包括H 2O蒸汽及氫氣之至少一者。
  12. 如請求項1之電力系統，其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值。
  13. 如請求項12之電力系統，其中該額外反應物噴射系統將該H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中。
  14. 如請求項1之電力系統，其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者，且進一步包括一冷卻系統，以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度，以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中。
  15. 如請求項14之電力系統，其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體。
  16. 如請求項1之電力系統，其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室。
  17. 如請求項16之電力系統，其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下。
  18. 如請求項17之電力系統，其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬。
  19. 如請求項1之電力系統，其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括以下之群組之至少一者：一熱光伏打轉換器、一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林(Sterling)引擎、一布雷頓循環(Brayton cycle)引擎、一郎肯循環(Rankine cycle)引擎及一熱引擎以及一加熱器。
  20. 如請求項19之電力系統，其中藉由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)、銻砷磷化銦(InPAsSb)、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge。
  21. 如請求項19之電力系統，其中由該電池發射之該光主要係紫外線光，且該等光伏打電池係包括自一III族氮化物、GaN、AlN、GaAlN及InGaN選擇之至少一種化合物之聚光器電池。
  22. 如請求項1之電力系統，其進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
  23. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)包括新生H 2O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H 2O來源或H 2O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器； 其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之該噴射而閉合以導致該高電流流動以達成點火； 其中該熔融金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該等額外反應物包括H 2O蒸汽及氫氣之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室； 其中包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之群組之至少一者； 其中藉由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
  24. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)至少一個H 2O來源或H 2O； b) H 2氣體；及 c)一熔融金屬； 至少一個熔融金屬噴射系統，其包括一熔融金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)至少一個H 2O來源或H 2O，及 b) H 2； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔融金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者轉電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔融金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔融金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短叢發高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔融金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔融金屬貯槽包括一感應耦合加熱器以至少首先加熱形成該熔融金屬之一金屬； 其中該熔融金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔融金屬之噴射而閉合以導致該高電流流動以達成點火； 其中該熔融金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔融金屬點火系統閉合該電路以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔融金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H 2O及H 2壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將H 2O及H 2壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將H 2O蒸氣壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度以導致該熔融金屬之金屬蒸氣凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一高溫黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室； 其中包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之至少一者； 其中由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
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