TW202340829A - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本揭露公開一種電子裝置，其具有複數個子像素且包含一基板、一閘極線以及一間隙子。所述閘極線設置於所述基板上且沿著一第一方向延伸。所述間隙子設置於所述閘極線上且與所述閘極線重疊，其中所述間隙子沿著所述第一方向上具有一第一寬度W1。所述複數個子像素中的一個沿著所述第一方向上具有一子像素間距P，所述第一寬度W1與所述子像素間距P滿足下列關係式： P ≤ W1。

Description

電子裝置

本揭露涉及一種電子裝置，特別是涉及一種高解析度的電子裝置。

隨著科技進步，搭載有顯示器的電子裝置，已成為現代人生活中不可或缺的物品。然而，這些電子裝置仍未在各個方面皆符合期待，隨著解析度提高、像素面積減小，如何提升電子裝置的解析度並且改善製程良率仍為目前業界致力研究的課題之一，例如，上、下面板對組偏移，或者，當應用於液晶顯示器時，間隙子所導致的配向膜刮傷、配向膜暈、間隙子周遭配向不佳等現象。

依據本揭露之一實施例是提供一種電子裝置，其具有複數個子像素且包含一基板、一閘極線以及一間隙子。所述閘極線設置於所述基板上且沿著一第一方向延伸。所述間隙子設置於所述閘極線上且與所述閘極線重疊，其中所述間隙子沿著所述第一方向上具有一第一寬度W1。所述複數個子像素中的一個沿著所述第一方向上具有一子像素間距P，所述第一寬度W1與所述子像素間距P滿足下列關係式：P ≤ W1。

依據本揭露之另一實施例是提供一種電子裝置，其包含一基板、一資料線、一對側基板、一間隙子以及一第一圖案。所述資料線設置於所述基板上且具有一延伸方向。所述對側基板與所述基板對應設置。所述間隙子設置於所述基板與所述對側基板之間。所述第一圖案設置於所述資料線與所述間隙子之間且沿著所述延伸方向延伸，其中所述第一圖案與所述資料線重疊。

以下將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定組件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包含」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

本揭露中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

本揭露中所敘述之一結構(或層別、組件、基材)位於另一結構(或層別、組件、基材)之上/上方，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構(或中介層別、中介組件、中介基材、中介間隔)，一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面。而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本揭露中，當某結構設置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。

術語「等於」、「相等」或「相同」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。

再者，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一數值等於第二數值，其隱含著第一數值與第二數值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於或「大致」垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於或「大致」平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。

此外，用語「給定範圍為第一數值至第二數值」、「給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內」表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。

此外，本揭露所揭示的電子裝置可包含顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置、觸控電子裝置(touch display)、曲面電子裝置(curved display)或非矩形電子裝置(free shape display)，但不以此為限。電子裝置可例如包含液晶(liquid crystal)、發光二極體(light emitting diode)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合適的顯示介質、或前述之組合，但不以此為限。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子裝置所包含的電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體(light emitting diode，LED)或光電二極體(photodiode)。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統…等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。

應理解的是，根據本揭露實施例，可使用光學顯微鏡(optical microscope，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其他合適的方式量測各元件的深度、厚度、寬度或高度、或元件之間的間距或距離。根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包含欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的深度、厚度、寬度或高度、或元件之間的間距或距離。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背揭露精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

本揭露中，為便於說明，以下圖式皆配合XYZ直角坐標系進行描述。本揭露中，對於元件之間的「間距」或「距離」，或元件的「寬度」或「長度」等描述，是該元件在XY平面、YZ平面或XZ平面上的投影沿著方向X、Y或Z來定義。同樣的「平行」或「不平行」係指元件的延伸線在XY平面、YZ平面或XZ平面上的投影為「平行」或「不平行」。本揭露中元件之間的「夾角」是指兩元件之邊緣之間的夾角。

本揭露中，二元件「重疊」，是指二元件於一方向至少有部分重疊。

請參照第1圖、第2A圖及第2B圖，第1圖是依據本揭露一實施例的電子裝置10的俯視示意圖，第2A圖是第1圖中電子裝置10沿割面線A-A'的局部剖視示意圖，第2B圖是第1圖中電子裝置10沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。本實施例的電子裝置10應用為一顯示裝置，但不以此為限。電子裝置10亦可包含其他的功能例如觸控、偵測等，但不限於此。在一些實施例中，電子裝置10可包含虛擬實境電子裝置。

電子裝置10具有複數個子像素11，複數個子像素11沿著第一方向(例如是方向X)和第二方向(例如是方向Y)排列而構成子像素矩陣，在此例示標示出第一子像素11a、第二子像素11b及第三子像素11c。子像素11的形狀可根據產品需求而調整，在此是以一平面電子裝置為例，本揭露的其他實施例可以是非平面電子裝置，例如是曲面電子裝置。

電子裝置10可包含一基板100以及一對側基板200，對側基板200與基板100對應設置。在一些實施例中，電子裝置10還可包含一顯示介質層300，設置於基板100以及對側基板200之間，顯示介質層300例如是液晶層，但不限於此。在一些實施例中，電子裝置10還可包含一封膠層(圖未示)，設置於基板100以及對側基板200之間，可用來黏合基板100以及對側基板200並將顯示介質層300封裝於基板100以及對側基板200之間。

基板100例如是作為陣列基板或驅動基板的基板，前述驅動基板是指上面形成有薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT）及/或銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)電極的基板，在此以基板100形成有TFT為例示。在本實施例中，基板100的上表面M3由下往上可依序形成有圖案化的遮光層112、絕緣層110、圖案化的半導體層122、絕緣層120(例如為閘極介電層(gate dielectric layer))、圖案化的第一金屬層ML1(示於第1圖)、絕緣層130、圖案化的第二金屬層ML2、絕緣層140、絕緣層150。絕緣層110覆蓋遮光層112，絕緣層120位於半導體層122與第一金屬層ML1之間，絕緣層140覆蓋第二金屬層ML2。其中，第一金屬層ML1可形成多條閘極線124，沿著方向X延伸，第二金屬層ML2可形成多條資料線142與複數個汲極144，資料線142可沿著方向Y延伸並與閘極線124交錯。在一些實施例中，閘極線124的延伸方向與資料線142的延伸方向可以不垂直。半導體層122與其對應的閘極線124的一部分、資料線142的一部分(作為源極)及汲極144構成薄膜電晶體，以作為驅動元件12。像素電極160及共用電極180設置於絕緣層150的上方，絕緣層170設置於像素電極160及共用電極180之間用以電性分隔像素電極160及共用電極180，絕緣層150具有複數個孔洞(via)151，孔洞151用以暴露出汲極144的至少一部分，像素電極160透過孔洞151與汲極144電性連接，絕緣層120及絕緣層130形成有孔洞HH(參見第1圖，第1圖中以虛線繪示孔洞HH的位置)，孔洞HH的延伸方向可大致與閘極線124的延伸方向平行，皆是平行於第一方向，通過孔洞HH，資料線142當作源極的部分可與對應的半導體層122電性連接，汲極144也可透過孔洞HH與對應的半導體層122電性連接。換句話說，驅動元件12設置於基板100上，絕緣層150設置於驅動元件12上，絕緣層150具有孔洞151，像素電極160設置於絕緣層150上，像素電極160透過孔洞151與驅動元件12電性連接。

對側基板200的內表面M6由上往下可依序形成有遮光層210、彩色濾光層220、絕緣層230，遮光層210例如是黑色矩陣層(black matrix)，其包括多個開口211。彩色濾光層220可包含綠色光阻層221、藍色光阻層222及/或紅色光阻層223，彩色濾光層220的至少一部分與遮光層210的開口211重疊，以調整通過各開口211的光線顏色。在本實施例中，第一子像素11a、第二子像素11b、第三子像素11c可分別對應彩色濾光層220的綠色光阻層221、藍色光阻層222及紅色光阻層223，但不以此為限。絕緣層230的材料可包含但不限透明有機材料，例如包括光阻材料。在一些實施例中，可將對側基板200上的至少部分層別及/或元件設置在基板100上，但不限於此。另外，電子裝置10的一側還可設置有一背光源元件(圖未示)，例如設置在基板100下方。背光源元件可包含發光二極體(light emitting diode, LED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微型發光二極體(micro LED)、量子點(quantum dot, QD)、量子點發光二極體(QLED、QD-LED)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他適合的材料，或上述材料的組合，但不限於此。

基板100與對側基板200可例如為可撓或不可撓基板。基板100與對側基板200可為透明基板，其材料可分別例如包括玻璃、石英或藍寶石、聚亞醯胺材料(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)或聚對苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate, PET)或其他適合的材料，或上述材料的組合，但不限於此。絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140及絕緣層170的材料可例如包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層)，絕緣層150的材料可例如包括有機材料(例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂)，但本揭露不限於此。半導體層122的材料例如包括非晶矽(amorphous silicon)、低溫多晶矽(LTPS)、金屬氧化物(例如氧化銦鎵鋅(IGZO))、其他合適的材料或上述材料的組合。

為了簡化圖示，第1圖中省略了設置在基板100及對側基板200的部分元件，例如基板100上的絕緣層110、絕緣層120、絕緣層130、絕緣層140、絕緣層150、遮光層112、像素電極160、共用電極180、絕緣層170等元件，以及對側基板200上的彩色濾光層220、絕緣層230等元件。第1圖中另省略了顯示介質層300。

前述「子像素」可指兩相鄰資料線142與兩相鄰閘極線124圍出來的區域中的法線方向(即方向Z)上的所有膜層(至少可包含像素電極160、部分的共用電極180及對應的驅動元件12)。

電子裝置10更包含間隙子310。如第1圖所示，閘極線124設置於基板100上且沿著第一方向(例如沿方向X)延伸，間隙子310設置於閘極線124上且與閘極線124重疊，其中間隙子310沿著第一方向上具有一第一寬度W1，複數個子像素11中的一個沿著第一方向上具有一子像素間距P，第一寬度W1與子像素間距P滿足下列關係式： (式(1))。藉此，有利於降低間隙子310所需要的遮光範圍。在一些實施例中，第一寬度W1與子像素間距P可滿足下列關係式： (式(2))。前述「間隙子310與閘極線124重疊」可指於一俯視視角(例如平行於方向Z)，間隙子310與閘極線124的至少一部分重疊。前述「子像素間距P」，以沿著方向X為例，可指兩相鄰資料線142的相同邊緣(左側邊緣或右側邊緣)之間的距離或是兩相鄰資料線142的中心線(圖未示)到中心線的距離，第1圖中的子像素間距P分別是以兩相鄰資料線142的右側邊緣之間的距離以及兩相鄰資料線142的左側邊緣之間的距離為例示。

詳細來說，間隙子310在此例示包含主間隙子311及次間隙子312，主間隙子311設置於閘極線124(第1圖中較下方的閘極線124)上且與閘極線124(第1圖中較下方的閘極線124)至少部分重疊，主間隙子311沿著第一方向上具有寬度W11，其滿足下列關係式： 。次間隙子312設置於閘極線124上(第1圖中較上方的閘極線124)且與閘極線124(第1圖中較上方的閘極線124)至少部分重疊，次間隙子312沿著第一方向上具有寬度W12，其滿足下列關係式： 。前述間隙子310的「第一寬度W1」可為主間隙子311的寬度W11或者次間隙子312的寬度W12。換句話說，只要主間隙子311的寬度W11及次間隙子312的寬度W12至少一者可滿足式(1)或者式(2)的關係式即可。第2A圖及第2B圖中，主間隙子311及次間隙子312沿著方向Z可具有漸變的寬度，且主間隙子311的頂表面M1及次間隙子312的頂表面M2可為平坦表面，但不限於此。在一些實施例中，主間隙子311的頂表面M1及次間隙子312的頂表面M2可為非平坦表面，例如是往上突起的弧形表面。主間隙子311的寬度W11可為主間隙子311沿著第一方向的最大寬度，次間隙子312的寬度W12可為次間隙子312沿著第一方向上的最大寬度。換言之，主間隙子311的寬度W11可為主間隙子311於XY平面上的投影沿著第一方向上的最大寬度，次間隙子312的寬度W12可為次間隙子312於XY平面上的投影沿著第一方向上的最大寬度。本揭露實施例中的「主間隙子311」的相對兩端(例如沿著方向Z的相對兩端)可分別接觸基板100以及對側基板200上的膜層。本揭露實施例中的「次間隙子312」的相對兩端(例如沿著方向Z的相對兩端)，其中一端可設置在基板100以及對側基板200的其中一個上，且次間隙子312的另一端在電子裝置10未被按壓時不與基板100以及對側基板200的其中另一個接觸。在一些實施例中，間隙子310的材料可包括光阻材料，但本揭露並不以此為限。

如第2A圖及第2B圖所示，主間隙子311與次間隙子312設置於基板100上且位於基板100與對側基板200之間，主間隙子311具有一第一高度H1，次間隙子312具有一第二高度H2，第一高度H1大於第二高度H2。電子裝置10可更包含第一圖案410及第二圖案420，第一圖案410設置於對側基板200與主間隙子311之間，第二圖案420設置於對側基板200與次間隙子312之間，第一圖案410具有第一厚度T1，第二圖案420具有第二厚度T2，第一厚度T1與第二厚度T2可相等。前述第一高度H1可為主間隙子311的頂表面M1與基板100的上表面M3沿著法線方向的最大距離。前述第二高度H2可為次間隙子312的頂表面M2與基板100的上表面M3沿著法線方向的最大距離。前述第一厚度T1可為第一圖案410於法線方向的突起長度或突起高度，例如是第一圖案410相對於絕緣層230的內表面M4於法線方向的最大突起高度。前述第二厚度T2可為第二圖案420於法線方向的突起長度或突起高度，例如是第二圖案420相對於絕緣層230的內表面M4於法線方向的最大突起高度。

第一圖案410與主間隙子311彼此相抵可於基板100與對側基板200之間形成面板間隙(cell gap)，面板間隙可用來容置電子裝置10的其他元件，例如顯示介質層300。藉由設置第一圖案410及第二圖案420，可以在維持相同面板間隙的情況下降低第一高度H1及第二高度H2。當電子裝置10應用於液晶顯示裝置時，在基板100及對側基板200形成所欲的膜層後，會於基板100及對側基板200的內側塗布配向膜(圖未示)，配向膜的材料可包含但不限於聚醯亞胺(Polyimide，PI)，藉由降低第一高度H1及第二高度H2，可降低基板100、對側基板200因對組時間隙子偏移刮傷配向膜的機率，並可減緩配向膜暈、配向不佳的範圍(例如液晶排列不佳)。再者，藉由第一厚度T1與第二厚度T2相等，有利於簡化第一圖案410及第二圖案420的製程。

第一圖案410及第二圖案420可使用透明或不透明的材料，例如，第一圖案410及第二圖案420的材料可各自獨立使用與遮光層210、絕緣層230或間隙子310相同的材料或者顏料。在另一些實施例中，第一圖案410及第二圖案420的材料可以與間隙子310的材料相同或相似。在另一些實施例中，第一圖案410及第二圖案420的材料可以包括導電材料（例如金屬或銦錫氧化物）或絕緣材料，但本揭露並不以此為限。

主間隙子311與第一圖案410之間具有一第一距離S1，次間隙子312與第二圖案420之間具有一第二距離S2，第一距離S1小於第二距離S2。在此實施例中，主間隙子311與第一圖案410彼此相抵，第一距離S1為0，次間隙子312與第二圖案420未彼此相抵，第二距離S2大於0。

在一些實施例中，主間隙子311的第一高度H1可等於次間隙子312的第二高度H2，此時，電子裝置10可僅包含第一圖案410而未包含第二圖案420，第一圖案410設置於對側基板200與主間隙子311之間，且第一圖案410與主間隙子311彼此相抵。藉此，有利於簡化主間隙子311及次間隙子312的製程，例如相較於高度不同的主間隙子311及次間隙子312，可減少一道光罩程序，或是可不需使用複雜的半灰階光罩來製作不同高度的主間隙子311及次間隙子312，以節省製程成本。

如第2A圖及第2B圖所示，彩色濾光層220設置於第一圖案410與對側基板200之間。在本實施例中，第一圖案410及第二圖案420皆對應藍色光阻層222設置，但不限於此，第一圖案410及第二圖案420可各自獨立對應綠色光阻層221、藍色光阻層222或紅色光阻層223設置。當第一圖案410及第二圖案420對應於藍色光阻層222或紅色光阻層223設置時，有利於降低主間隙子311、次間隙子312漏光對顯示畫面的影響程度。在另一些實施例中，彩色濾光層220也可設置於基板100與間隙子310之間，但本揭露不以此為限。

如第1圖所示，主間隙子311具有一長軸方向(例如是方向X)平行於第一方向，且主間隙子311與閘極線124(第1圖中較下方的閘極線124)重疊。具體來說，主間隙子311於俯視視角具有一矩形形狀，其中長軸方向是對應矩形形狀的長邊方向且平行於閘極線124的延伸方向。如第2B圖所示，主間隙子311的至少一部分設置於孔洞151中。如第2A圖所示，次間隙子312的至少一部分設置於孔洞151中。於本揭露的實施例中，「矩形」的四角可為非直角，例如具有圓角或是弧形的形狀。

請參照第3A圖，其是依據本揭露一實施例的主間隙子311與第一圖案410的俯視放大示意圖。主間隙子311沿著垂直第一方向的第二方向上具有第二寬度W2(亦即主間隙子311的短軸方向的長度)，第一圖案410沿著第二方向相對於主間隙子311具有一突出距離PD，第二寬度W2與突出距離PD可滿足下列關係式： (式(3))。藉此，有利於提升主間隙子311與第一圖案410的對頂穩定度，而有利於維持基板100及對側基板200之間的面板間隙的穩定性。此外，長軸定義爲縱向地(lengthwise)延伸穿過物體的中心的直線。對於狹長或橢圓形的物體，長軸最接近於其縱向的最大尺寸。對於不具有明確長軸的物體，長軸可代表可圍繞所述物體的最小矩形的長邊。

詳細來說，第一圖案410沿著第二方向相對於主間隙子311具有一第一突出距離PD1，其滿足下列關係式： 。第一圖案410沿第二方向相對於主間隙子311具有一第二突出距離PD2，其滿足下列關係式： 。第一突出距離PD1與第二突出距離PD2可相等或不相等。「突出距離PD」可為第一突出距離PD1或者第二突出距離PD2。換句話說，只要第一突出距離PD1及第二突出距離PD2至少一者可滿足式(3)的關係式即可。在本實施例中，於第二方向，第一圖案410的雙側皆相對於主間隙子311突出，但不限於此。在一些實施例中，第一圖案410可僅單側相對於主間隙子311突出。

第一圖案410具有一第一面積A1，第一圖案410與主間隙子311具有一重疊面積AA，第一面積A1與重疊面積AA滿足下列關係式：AA ＞ 0.05×A1。更進一步，第一面積A1與重疊面積AA可滿足下列關係式：AA ＞ 0.3×A1。藉此，有利於提升主間隙子311與第一圖案410的對頂穩定度，進而有利於維持基板100及對側基板200之間的面板間隙的穩定性。在本實施例中，第一圖案410及主間隙子311皆配置為矩形，藉此，重疊面積AA較小，亦即對頂面積較小，在偏移時較不會影響到畫素開口率。但不限於此。在一些實施例中，第一圖案410及主間隙子311可依實際需求各自獨立配置為其他形狀，例如正方形、菱形、橢圓形等。

請參照第3B圖，其是依據本揭露另一實施例的主間隙子311與第一圖案410'的俯視示意圖。第3A圖與第3B圖的不同之處，在於第一圖案410'配置為橢圓形，藉此，重疊面積AA較大，亦即對頂面積較大，可提升基板100及對側基板200之間的面板間隙的穩定性。關於主間隙子311與第一圖案410'的其他細節可參照第3A圖的說明，在此不予贅述。

請參照第4圖及第6圖，第4圖是依據本揭露另一實施例的電子裝置10a的俯視示意圖，第6圖是第4圖中電子裝置10a沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。與第1圖相似，第4圖中省略了設置在基板100及對側基板200的部分元件，與第1圖不同之處在於第4圖繪示出沿著第一方向延伸形成的第一圖案410a及第二圖案420a。電子裝置10a與電子裝置10不同之處，主要在於第一圖案410a及第二圖案420a的配置方式。第一圖案410a包含第一擋部411a及第二擋部412a，第二圖案420a包含第三擋部421a及第四擋部422a。第一擋部411a、第二擋部412a、第三擋部421a、第四擋部422a可由絕緣層230的內表面M4平行於法線方向(例如方向Z)往外一體延伸形成，但不以此為限。在其他實施例中，第一圖案410a及第二圖案420a也可包括其他材料層，形成在絕緣層230的內表面M4。第一擋部411a及第二擋部412a之間形成第一嵌設空間CS1，第三擋部421a及第四擋部422a之間形成第二嵌設空間CS2，第一嵌設空間CS1及第二嵌設空間CS2於俯視視角具有一矩形形狀或呈現狹長條狀。此外，第一擋部411a、第二擋部412a、第三擋部421a、第四擋部422a於俯視視角具有一矩形形狀或長條形狀，且所述矩形形狀或長條形狀的一長軸方向平行於第一方向(例如是方向X)。此外，第一圖案410a及第二圖案420a與主間隙子311、次間隙子312不重疊，第一圖案410a及第二圖案420a與孔洞151部分重疊。如第6圖所示，次間隙子312對應於孔洞151設置，亦即至少部分位於孔洞151中，第三擋部421a與次間隙子312沿著法線方向(例如方向Z)具有一第三重疊厚度TT3，第四擋部422a與次間隙子312沿著法線方向(例如方向Z)具有一第四重疊厚度TT4，第三重疊厚度TT3等於第四重疊厚度TT4。類似地，第一擋部411a與主間隙子311沿著法線方向(例如方向Z)具有一第一重疊厚度(圖未示)，第二擋部412a與主間隙子311沿著法線方向(例如方向Z)具有一第二重疊厚度(圖未示)，第一重疊厚度等於第二重疊厚度。藉此，主間隙子311嵌設於第一擋部411a及第二擋部412a之間的第一嵌設空間CS1中，次間隙子312嵌設於第三擋部421a及第四擋部422a之間的第二嵌設空間CS2中，有利於限制主間隙子311及次間隙子312沿著第二方向的位移程度。本實施例中，次間隙子312的第二高度H2小於主間隙子的311的第一高度H1(參考第2B圖)，次間隙子312與絕緣層230的內表面M4未彼此相抵，而主間隙子311與絕緣層230的內表面M4彼此相抵(圖未繪示)。第一圖案410a及第二圖案420a的材料可包含透明材料或不透明材料。於本揭露中，透明材料可例如包括氧化物、氮化物、銦錫氧化物、有機材料或無機材料或上述之組合，不透明材料例如可包含光阻材料、樹脂、金屬等，但本揭露並不以此為限。

請參照第5圖，其是依據本揭露再一實施例的電子裝置10b的俯視示意圖。由於第5圖中電子裝置10b及第4圖中電子裝置10a沿割面線A-A'的局部剖視示意圖相同，故請一併參考第6圖。電子裝置10b與電子裝置10a不同之處，主要在於第一圖案410b及第二圖案420b的配置方式。第一圖案410b包含第一擋部411a、第二擋部412a及第一連接部413a，第一連接部413a連接於第一擋部411a及第二擋部412a之間，第二圖案420a包含第三擋部421a、第四擋部422a及第二連接部423a，第二連接部423a連接於第三擋部421a及第四擋部422a之間。第一擋部411a、第二擋部412a、第一連接部413a可由絕緣層230的內表面M4平行於法線方向往外一體延伸形成，而於第一擋部411a、第二擋部412a及第一連接部413a之間形成第一嵌設空間CS1，第三擋部421a、第四擋部422a及第二連接部423a可由絕緣層230的內表面M4沿著法線方向往外一體延伸形成，而於第三擋部421a、第四擋部422a及第二連接部423a之間形成第二嵌設空間CS2，第一嵌設空間CS1及第二嵌設空間CS2於俯視視角具有一矩形形狀、橢圓形狀或是其他合適的形狀，但本揭露並不以此為限。主間隙子311嵌設於第一嵌設空間CS1中，次間隙子312嵌設於第二嵌設空間CS2中，藉此，有利於限制主間隙子311及次間隙子312沿著第一方向及第二方向的位移程度。本實施例中，次間隙子312的第二高度H2小於主間隙子的311的第一高度H1(參考第2B圖)，次間隙子312與絕緣層230的內表面M4未彼此相抵，而主間隙子311與絕緣層230的內表面M4彼此相抵(圖未繪示)。第一圖案410b及第二圖案420b的材料可包含透明材料或不透明材料。關於電子裝置10b的其他細節可參照電子裝置10a。

請參照第7圖及第9圖，第7圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置10c的俯視示意圖。第9圖是第7圖中電子裝置10c沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。電子裝置10c與電子裝置10a不同之處，在於第一圖案410c及第二圖案420c的配置方式。第7圖中，第一擋部411c、第二擋部412c、第三擋部421c、第四擋部422c於第二方向具有較大的長度，且第一擋部411c與第四擋部422c一體連接，而於第一擋部411c及第二擋部412c之間形成第一嵌設空間CS1、於第三擋部421c及第四擋部422c之間形成第二嵌設空間CS2，第一嵌設空間CS1及第二嵌設空間CS2於俯視視角具有一矩形形狀或狹長條狀。此外，第一擋部411c、第二擋部412c、第三擋部421c、第四擋部422c於俯視視角具有一矩形形狀或長條形狀，且所述矩形形狀或長條形狀的一長軸方向平行於第一方向。此外，第一圖案410c及第二圖案420c與主間隙子311、次間隙子312不重疊，第一圖案410c及第二圖案420c與孔洞151可至少部分重疊，但本揭露並不以此為限。主間隙子311嵌設於第一嵌設空間CS1中，次間隙子312嵌設於第二嵌設空間CS2中，藉此，有利於限制主間隙子311及次間隙子312沿著第二方向的位移程度。第一圖案410c及第二圖案420c的材料可包含透明材料。關於電子裝置10c的其他細節可參照電子裝置10a。

請參照第8圖，其是依據本揭露又一實施例的電子裝置10d的俯視示意圖。由於第8圖中電子裝置10d及第7圖中電子裝置10c沿割面線A-A'的局部剖視示意圖相同，故請一併參考第9圖。電子裝置10d與電子裝置10c不同之處，主要在於第一圖案410d及第二圖案420d的配置方式。第一圖案410d包含第一擋部421c、第二擋部412c及第一連接部413c，第一連接部413c連接於第一擋部411c及第二擋部412c之間，第二圖案420c包含第三擋部421c、第四擋部422c及第二連接部423c，第二連接部423c連接於第三擋部421c及第四擋部422c之間。第一擋部411c、第二擋部412c、第一連接部413c可由絕緣層230的內表面M4平行於法線方向往外一體延伸形成，而於第一擋部411c、第二擋部412c及第一連接部413c之間形成第一嵌設空間CS1，第三擋部421c、第四擋部422c及第二連接部423c可由絕緣層230的內表面M4沿著法線方向往外一體延伸形成，而於第三擋部421c、第四擋部422c及第二連接部423c之間形成第二嵌設空間CS2，第一嵌設空間CS1及第二嵌設空間CS2於俯視視角具有一矩形形狀、橢圓形狀或是其他合適的形狀，但本揭露並不以此為限。主間隙子311嵌設於第一嵌設空間CS1中，次間隙子312嵌設於第二嵌設空間CS2中，藉此，有利於限制主間隙子311及次間隙子312沿著第一方向及第二方向的位移程度。第一圖案410d及第二圖案420d的材料可包含透明材料。關於電子裝置10d的其他細節可參照電子裝置10c。

請參照第10圖，其是依據本揭露又一實施例的電子裝置10e的局部剖視示意圖，第10圖的視角與第6圖相同。電子裝置10e與電子裝置10a不同之處說明如下。間隙子310包含主間隙子(圖未示)及次間隙子312，主間隙子(圖未示)及次間隙子312設置於對側基板200的內表面M6，具體來說，主間隙子(圖未示)及次間隙子312設置於絕緣層230的內表面M4。電子裝置10e更包含絕緣層190，絕緣層190設置於絕緣層150上，具體來說，絕緣層190可設置於共用電極180上，在另一些實施例中，絕緣層190可以設置於共用電極180下，例如是設置於汲極144及共用電極180之間，第二圖案420e的第三擋部421e及第四擋部422e由絕緣層190的頂表面M5平行於法線方向往外一體延伸形成，而於第三擋部421e及第四擋部422e之間形成第二嵌設空間CS2。類似地，第一圖案(圖未示)的第一擋部及第二擋部由絕緣層190的頂表面M5平行於法線方向往外一體延伸形成，而於第一擋部及第二擋部之間形成第一嵌設空間(圖未示)。主間隙子嵌設於第一嵌設空間中，次間隙子312嵌設於第二嵌設空間CS2中，藉此，有利於限制主間隙子及次間隙子312沿著第二方向的位移程度。本實施例中，次間隙子312的第二高度H2小於主間隙子的第一高度(圖未示)，次間隙子312與絕緣層190的頂表面M5未彼此相抵，而主間隙子與絕緣層190的頂表面M5彼此相抵(圖未繪示)，另外，當間隙子310設置於對側基板200上時，第一高度可為主間隙子的頂表面(圖未示)與對側基板200的內表面M6沿著法線方向的最大距離。第二高度H2可為次間隙子312的頂表面M2與對側基板200的內表面M6沿著法線方向的最大距離。在一些實施例中，第5圖的電子裝置10b可更包含絕緣層190(參考第10圖)，絕緣層190設置於絕緣層150上，例如，絕緣層190可設置於共用電極180上，間隙子310可改為設置於絕緣層230的內表面M4，且第一圖案410b及第二圖案420b可改為由絕緣層190的頂表面M5平行於法線方向往外一體延伸形成，可實現限制主間隙子311及次間隙子312沿著第一方向及第二方向的位移程度的功效。在一些實施例中，第7圖的電子裝置10c可更包含絕緣層190(參考第10圖)，絕緣層190設置於絕緣層150上，例如，絕緣層190可設置於共用電極180上，間隙子310可改為設置於絕緣層230的內表面M4，且第7圖的第一圖案410c及第二圖案420c可改為由絕緣層190的頂表面M5平行於法線方向往外一體延伸形成，可實現限制主間隙子311及次間隙子312沿著第二方向的位移程度的功效。在一些實施例中，第8圖的電子裝置10d可更包含絕緣層190(參考第10圖)，絕緣層190設置於絕緣層150上，例如，絕緣層190可設置於共用電極180上，間隙子310可改為設置於絕緣層230的內表面M4，且第一圖案410d及第二圖案420d也可改為由絕緣層190的頂表面M5平行於法線方向往外一體延伸形成，亦可實現限制主間隙子311及次間隙子312沿著第一方向及第二方向的位移程度的功效。

藉由電子裝置10a、10b、10c、10d、10e的配置，當應用於液晶顯示裝置，可降低間隙子310刮傷配向膜的機率，並可降低基板100及對側基板200對組偏移所造成的開口率的損失，其中電子裝置10b、10d的配置，可進ㄧ步控制第一方向與第二方向的對組精度。由電子裝置10a、10b、10c、10d、10e可知，第一圖案410a、410b、410c、410d及第二圖案420a、420b、420c、420d、420e可形成於既有的層別(例如絕緣層230、絕緣層190)上。藉此，有利於簡化第一圖案410a、410b、410c、410d及第二圖案420a、420b、420c、420d、420e的製程。

請參照第11圖及第12圖，第11圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置10f的俯視示意圖，第12圖是第11圖中電子裝置10f沿割面線A-A'及割面線B-B'的局部剖視示意圖。如第11圖、第12圖所示，資料線142設置於基板100上且具有一延伸方向(例如平行方向Y)，間隙子310設置於基板100與對側基板200之間，第一圖案410f設置於資料線142與間隙子310之間且沿著所述延伸方向延伸，其中第一圖案410f與資料線142重疊。在本實施例中，間隙子310設置於對側基板200的內表面M6，具體來說，間隙子310設置於絕緣層230的內表面M4，間隙子310包含主間隙子311及次間隙子312，主間隙子311具有一第一高度H1，次間隙子312具有一第二高度H2，第一高度H1大於第二高度H2，各資料線142上皆對應設置有第一圖案410f，其中主間隙子311與第一圖案410f彼此相抵，而次間隙子312與第一圖案410f未彼此相抵。然而，本揭露不以為限，在一些實施例中，主間隙子311的第一高度H1可等於次間隙子312的第二高度H2，而對應主間隙子311的資料線142上對應設置有第一圖案410f，而使主間隙子311與第一圖案410f彼此相抵，對應次間隙子312的資料線142上則未設置第一圖案410f，而使次間隙子312不與第一圖案410f彼此相抵，亦即，次間隙子312與共用電極180之間可具有間隔距離。藉由第一高度H1等於第二高度H2，有利於簡化間隙子310的製程。在本實施例中，第一圖案410f於俯視視角具有一矩形形狀或條狀形狀，與資料線142沿著相同方向延伸，但不以此為限。第一圖案410f與開口211錯開而不重疊。當應用於液晶顯示裝置時，藉由設置第一圖案410f，有利於降低間隙子310偏移時刮傷開口211的配向膜的機率，而可減少對應間隙子310的遮光範圍，進而有利於維持開口率。第一圖案410f沿著第一方向具有一寬度W3，在一些實施例中，寬度W3可小於10 µm，第一圖案410f上未形成配向膜，而可避免間隙子310刮傷配向膜，但不以此為限。第一圖案410f的材料可包含低反射的導電材料，例如鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或其氧化物，或者，第一圖案410f的材料可包含透明導電材料(例如ITO)，當第一圖案410f的材料為包含導電材料時，第一圖案410f與共用電極180電性連接可改善共用電極180的電性。在一些實施例中，第一圖案410f的材料也可包含非導電材料，例如矽氮化物(SiNx)、矽氧化物(SiOx)或光阻材料，可減少對畫素電場影響。此外，當第一圖案410f的材料為包含透明材料，有利於降低因製程變異所造成的開口率損失，當第一圖案410f的材料為包含非透明材料，有利於遮蔽金屬(例如資料線142)反光。在本實施例中，資料線142沿著第一方向具有一寬度W4，寬度W3大於寬度W4，藉此，配合第一圖案410f的材料包含非透明材料，有利於遮蔽資料線142的金屬反射，也有利於提供較佳遮蔽混色效果。在一些實施例中，寬度W3可小於寬度W4，有利於減少對顯示區域的液晶排列影響。前述寬度W3可為第一圖案410f左側邊緣及右側邊緣沿著第一方向之間的距離，前述寬度W4可為資料線142左側邊緣及右側邊緣沿著第一方向之間的距離。

請參照第13圖及第14圖，第13圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置10g的俯視示意圖。第14圖是第13圖中電子裝置10g沿割面線A-A'及割面線B-B'的局部剖視示意圖。電子裝置10g與電子裝置10f不同之處，主要在於電子裝置10g的第一圖案410g的配置方式。與電子裝置10f相似，資料線142設置於基板100上且具有一延伸方向(例如平行方向Y)，間隙子310設置於基板100與對側基板200之間，第一圖案410g設置於資料線142與間隙子310之間且沿著所述延伸方向延伸，第一圖案410g與資料線142重疊。電子裝置10g可更包含閘極線124設置於基板100上，其中閘極線124與資料線142交錯，且閘極線124與第一圖案410g重疊。在本實施例中，資料線142具有一延伸方向(例如平行方向Y)，閘極線124具有一延伸方向(例如平行方向X)垂直於資料線142的延伸方向，第一圖案410g沿著資料線142的延伸方向及閘極線124的延伸方向延伸，且第一圖案410g同時與資料線142及閘極線124重疊。在本實施例中，第一圖案410g與開口211錯開而不重疊。在本實施例中，間隙子310設置於絕緣層230的內表面M4，間隙子310包含主間隙子311及次間隙子312，主間隙子311具有第一高度H1，次間隙子312具有第二高度H2，第一高度H1大於第二高度H2，其中主間隙子311與第一圖案410g彼此相抵，而次間隙子312與第一圖案410g未彼此相抵。然而，本揭露不以為限，在一些實施例中，主間隙子311的第一高度H1可等於次間隙子312的第二高度H2，第一圖案410g設置於資料線142與主間隙子311之間，且第一圖案410g不設置於資料線142與次間隙子312之間，而使主間隙子311與第一圖案410g彼此相抵、次間隙子312不與第一圖案410g彼此相抵，亦即，次間隙子312與共用電極180之間可具有間隔距離。藉由第一高度H1等於第二高度H2，有利於簡化間隙子310的製程。

請參照第15圖、第16圖及第17圖，第15圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置10i的俯視示意圖，第16圖是第15圖中電子裝置10i沿割面線A-A'的局部剖視示意圖，第17圖是第15圖中電子裝置10i沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。為了簡化圖面，與第1圖相較，第15圖更省略了對側基板200上的遮光層210。電子裝置10i包含第一圖案410i及第二圖案420i，如第15圖所示，第一圖案410i具有一長軸方向平行於第二方向(例如是方向Y)，且第一圖案410i與閘極線124(第15圖中較下方的閘極線124)重疊。具體來說，第一圖案410i於俯視視角具有一矩形形狀，其中長軸方向是對應矩形形狀的長邊方向且垂直於閘極線124的延伸方向。第二圖案420i具有一長軸方向平行於第二方向，且第二圖案420i與閘極線124(第15圖中較上方的閘極線124)重疊。具體來說，第二圖案420i於俯視視角具有一矩形形狀，其中長軸方向是對應矩形形狀的長邊方向且垂直於閘極線124的延伸方向。在本實施例中，間隙子310包含主間隙子311及次間隙子312，主間隙子311具有一長軸方向平行於第一方向(例如是方向X)，且主間隙子311與閘極線124(第15圖中較下方的閘極線124)重疊。次間隙子312具有一長軸方向平行於第一方向，且次間隙子312與閘極線124(第15圖中較上方的閘極線124)重疊。具體來說，主間隙子311及次間隙子312於俯視視角具有長條形狀，且所述長條形狀的一長軸方向平行於第一方向。此外，主間隙子311及次間隙子312於第二方向(例如是方向Y)的長度可具有變化，例如，主間隙子311對應第一圖案410i處可具有較長的長度，次間隙子312對應第二圖案420i處可具有較長的長度，但本揭露不以此為限。主間隙子311及次間隙子312可與複數個孔洞151重疊，在此，主間隙子311及次間隙子312例示為填入至少一孔洞151中，可減少漏光而可提高顯示對比。如第16圖、第17圖所示，主間隙子311及次間隙子312設置於共用電極180的頂表面M7，主間隙子311具有第一高度H1，次間隙子312具有第二高度H2，第一高度H1大於第二高度H2，第一圖案410i與主間隙子311重疊，第二圖案420i與次間隙子312重疊，第一圖案410i與主間隙子311彼此相抵，第二圖案420i與次間隙子312未彼此相抵。

請參照第18圖、第19圖及第20圖，第18圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置10j的俯視示意圖，第19圖是第18圖中電子裝置10j沿割面線A-A'的局部剖視示意圖，第20圖是第18圖中電子裝置10j沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。電子裝置10j包含絕緣層190。絕緣層190設置於絕緣層150上，其中間隙子310與絕緣層190重疊。換句話說，至少部分的絕緣層190可設置於間隙子310及絕緣層150之間。在此，絕緣層190的延伸方向與閘極線124的延伸方向平行，皆平行於第一方向(例如是方向X)，絕緣層190於俯視視角具有一矩形形狀或長條形狀，且所述矩形形狀或長條形狀的一長軸方向平行於第一方向，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，絕緣層190於第二方向(例如是方向Y)的長度可具有變化，例如，對應間隙子310處或第一圖案410j或第二圖案420j處可具有較長的長度，例如，絕緣層190可與第15圖中主間隙子311及次間隙子312的形狀相似。絕緣層190與複數個孔洞151重疊，換句話說，至少部分的絕緣層190可設置於孔洞151中。在此，絕緣層190例示為填滿孔洞151，可減少漏光而可提高顯示對比。電子裝置10j可更包含第一圖案410j，間隙子310設置於第一圖案410j與絕緣層190之間，且電子裝置10j可更包含第二圖案420j，間隙子310設置於第二圖案420j與絕緣層190之間。第一圖案410j沿著第一方向上具有一寬度W51，寬度W51與子像素間距P可滿足下列關係式：P ≤ W51 ＜ 3×P，第一圖案420j沿著第一方向上具有一寬度W52，寬度W52與子像素間距P可滿足下列關係式：P ≤ W52 ＜ 3×P。詳細來說，本實施例中，間隙子310設置於絕緣層190的頂表面M5，間隙子310包含主間隙子311及次間隙子312，主間隙子311的第一寬度W11與子像素間距P可滿足下列關係式：P ≤ W11 ＜ 3×P，次間隙子312的第一寬度W12與子像素間距P可滿足下列關係式：P ≤ W12 ＜ 3×P。主間隙子311具有一第一高度H1，次間隙子312具有一第二高度H2，第一高度H1大於第二高度H2。主間隙子311設置於第一圖案410j與絕緣層190之間，次間隙子312設置於第二圖案420j與絕緣層190之間。第一圖案410j具有第一厚度T1，第二圖案420具有第二厚度T2，第一厚度T1等於第二厚度T2。第一圖案410j與主間隙子311彼此相抵，第二圖案420j與次間隙子312未彼此相抵。在此第一厚度T1可為第一圖案410j於法線方向的突起長度或突起高度，例如是第一圖案410j相對於絕緣層230的內表面M4於法線方向的最大突起高度。前述第二厚度T2可為第二圖案420j於法線方向的突起長度或突起高度，例如是第二圖案420j相對於絕緣層230的內表面M4於法線方向的最大突起高度。但本揭露不以此為限，在一些實施例中，第一高度H1可等於第二高度H2，且第一厚度T1可大於第二厚度T2，而使第一圖案410j與主間隙子311彼此相抵，第二圖案420j與次間隙子312未彼此相抵。

本揭露中，間隙子可為島狀或一個層別中厚度或高度較高的部分。間隙子的材料可包含有機材料(例如光阻材料)或金屬材料。

本揭露中，開口率的計算方式如下：開口率 = (開口211的面積/子像素11的面積) 。

根據本揭露，藉由設置第一圖案與主間隙子彼此相抵，有利於降低主間隙子的高度，或者，藉由第一圖案、第二圖案形成嵌設空間供主間隙子、次間隙子嵌設，有利於限制主間隙子及次間隙子於第一方向及/或第二方向的位移程度，進而有利於降低基板、對側基板對組時因對組偏移而需要增加遮光範圍的問題，當電子裝置應用於液晶顯示裝置時，並可降低刮傷配向膜的機率、減緩配向膜暈、降低配向不佳的範圍，而有利於維持開口率及高解析顯示裝置的應用。 以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。

10,10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10i,10j:電子裝置 11:子像素 11a:第一子像素 11b:第二子像素 11c:第三子像素 12:驅動元件 100:基板 110:絕緣層 112:遮光層 120:絕緣層 122:半導體層 124:閘極線 130:絕緣層 140:絕緣層 142:資料線 144:汲極 150:絕緣層 151:孔洞 160:像素電極 170:絕緣層 180:共用電極 190:絕緣層 200:對側基板 210:遮光層 211:開口 220:彩色濾光層 221:綠色光阻層 222:藍色光阻層 223:紅色光阻層 230:絕緣層 300:顯示介質層 310:間隙子 311:主間隙子 312:次間隙子 410,410',410a,410b,410c,410d,410f,410g,410i,410j:第一圖案 411a,411c:第一擋部 412a,412c:第二擋部 413a,413c:第一連接部 420,420a,420b,420c,420d,420e,420i,420j:第二圖案 421a,421c,421e:第三擋部 422a,422c,422e:第四擋部 423a,423c:第二連接部 A,A',B,B',X,Y,Z:方向 A1:第一面積 AA:重疊面積 CS1:第一嵌設空間 CS2:第二嵌設空間 H1:第一高度 H2:第二高度 HH:孔洞 M1,M2,M5,M7:頂表面 M3:上表面 M4,M6:內表面 ML1:第一金屬層 ML2:第二金屬層 P:子像素間距 PD:突出距離 PD1:第一突出距離 PD2:第二突出距離 S1:第一距離 S2:第二距離 T1:第一厚度 T2:第二厚度 TT3:第三重疊厚度 TT4:第四重疊厚度 W1:第一寬度 W2:第二寬度 W11,W12,W3,W4,W51,W52:寬度

第1圖是依據本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第2A圖是第1圖中電子裝置沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。 第2B圖是第1圖中電子裝置沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。 第3A圖是依據本揭露一實施例的主間隙子與第一圖案的俯視放大示意圖。 第3B圖是依據本揭露另一實施例的主間隙子與第一圖案的俯視放大示意圖。 第4圖是依據本揭露另一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第5圖是依據本揭露再一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第6圖是第4圖中電子裝置沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。 第7圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第8圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第9圖是第7圖中電子裝置沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。 第10圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的局部剖視示意圖。 第11圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第12圖是第11圖中電子裝置沿割面線A-A'及割面線B-B'的局部剖視示意圖。 第13圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第14圖是第13圖中電子裝置沿割面線A-A'及割面線B-B'的局部剖視示意圖。 第15圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第16圖是第15圖中電子裝置沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。 第17圖是第15圖中電子裝置沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。 第18圖是依據本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 第19圖是第18圖中電子裝置沿割面線A-A'的局部剖視示意圖。 第20圖是第18圖中電子裝置沿割面線B-B'的局部剖視示意圖。

10:電子裝置

11:子像素

11a:第一子像素

11b:第二子像素

11c:第三子像素

12:驅動元件

100:基板

122:半導體層

124:閘極線

142:資料線

144:汲極

151:孔洞

200:對側基板

210:遮光層

211:開口

310:間隙子

311:主間隙子

312:次間隙子

410:第一圖案

420:第二圖案

A,A',B,B',X,Y,Z:方向

HH:孔洞

ML1:第一金屬層

ML2:第二金屬層

P:子像素間距

W1:第一寬度

W11,W12:寬度

Claims (14)

1. 一種電子裝置，具有複數個子像素，該電子裝置包含： 一基板； 一閘極線，設置於該基板上且沿著一第一方向延伸；以及 一間隙子，設置於該閘極線上且與該閘極線重疊，其中該間隙子沿著該第一方向上具有一第一寬度W1； 其中，該複數個子像素中的一個沿著該第一方向上具有一子像素間距P，該第一寬度W1與該子像素間距P滿足下列關係式： 。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一寬度W1與該子像素間距P滿足下列關係式： 。
3. 如請求項1所述的電子裝置，更包含： 一對側基板，與該基板對應設置，其中該間隙子包含一主間隙子以及一次間隙子，該主間隙子與該次間隙子設置於該基板上且位於該基板與該對側基板之間，該主間隙子具有一第一高度，該次間隙子具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度； 一第一圖案，設置於該對側基板與該主間隙子之間；以及 一第二圖案，設置於該對側基板與該次間隙子之間； 其中該第一圖案具有一第一厚度，該第二圖案具有一第二厚度，該第一厚度與該第二厚度相等。
4. 如請求項3所述的電子裝置，更包含： 一彩色濾光層，設置於該第一圖案與該對側基板之間。
5. 如請求項3所述的電子裝置，其中該主間隙子與該第一圖案之間具有一第一距離，該次間隙子與該第二圖案之間具有一第二距離，該第一距離小於該第二距離。
6. 如請求項3所述的電子裝置，其中該主間隙子具有一長軸方向平行於該第一方向，且該主間隙子與該閘極線重疊。
7. 如請求項6所述的電子裝置，其中該主間隙子沿著垂直該第一方向的一第二方向上具有一第二寬度W2，該第一圖案沿著該第二方向相對於該主間隙子具有一突出距離PD，該第二寬度W2與該突出距離PD滿足下列關係式： 。
8. 如請求項3所述的電子裝置，其中該第一圖案具有一第一面積A1，該第一圖案與該主間隙子具有一重疊面積AA，該第一面積A1與該重疊面積AA滿足下列關係式： 。
9. 如請求項1所述的電子裝置，其中該電子裝置包含一虛擬實境電子裝置。
10. 如請求項1所述的電子裝置，更包含： 一驅動元件，設置於該基板上； 一第一絕緣層，設置於該驅動元件上，其中該第一絕緣層具有一孔洞；以及 一像素電極，設置於該第一絕緣層上； 其中該像素電極透過該孔洞與該驅動元件電性連接。
11. 如請求項10所述的電子裝置，更包含： 一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層上，且至少部分的該第二絕緣層設置於該孔洞中，其中該至少部分的該第二絕緣層設置於該間隙子與該第一絕緣層之間。
12. 如請求項11所述的電子裝置，更包含： 一第一圖案，其中該間隙子設置於該第一圖案與該第二絕緣層之間。
13. 一種電子裝置，包含： 一基板； 一資料線，設置於該基板上且具有一延伸方向； 一對側基板，與該基板對應設置； 一間隙子，設置於該基板與該對側基板之間；以及 一第一圖案，設置於該資料線與該間隙子之間且沿著該延伸方向延伸，其中該第一圖案與該資料線重疊。
14. 如請求項13所述的電子裝置，更包含： 一閘極線，設置於該基板上，其中該閘極線與該資料線交錯，且該第一圖案與該閘極線重疊。

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