TW202338461A - 面發光裝置、及顯示裝置 - Google Patents

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西川麻理衣
佐伯康佑
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日商大日本印刷股份有限公司
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Abstract

本揭示提供面發光裝置，具備：具有支持基板、及配置於前述支持基板的單側的面側的發光二極體元件的發光二極體基板；配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側的面，封裝前述發光二極體元件的密封構件；前述發光二極體元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片；前述封裝構件，接觸於與形成前述透明基材的發光層的面相反側的面、及側面；前述封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。

Description

面發光裝置、及顯示裝置
本揭示係有關於面發光裝置、及使用其的顯示裝置。
近年，在顯示裝置的領域中，要求更高畫質的顯示。使用發光二極體元件的顯示裝置，因為具有能夠提高亮度並提高對比度的優點而受到注目，開發持續進展。例如，作為用於液晶顯示裝置的背光，使用發光二極體元件的背光的開發持續進展。上述背光，也稱為微LED背光(以下說明中有將「發光二極體」稱為「LED」說明的情形。)。
其中，LED背光主要分為直下式及側光式。在智慧手機等攜帶終端等的中小型顯示裝置中，通常多用側光式的LED背光，但從亮度等的觀點來看，檢討使用直下式的LED背光。另一方面，在大畫面液晶電視等大型的顯示裝置中，多數情形使用直下式的LED背光。
直下式的LED背光，具有在基板配置複數LED元件的構造。在這種直下式的LED背光中，藉由將複數LED元件獨立控制，能夠實現一致於顯示影像的明暗調整LED背光各區域的亮度的所謂局部調光。藉此，能夠達到顯示裝置的大幅的對比度提升及低耗電力化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開2013/018902號公報
[發明所欲解決的問題]
直下式的LED背光等的面發光裝置中，從亮度不均的抑制等觀點來看，在LED元件的上方配置擴散板及透過反射板(以下，擴散構件)。為了抑制亮度不均，有將LED元件與擴散構件分離配置的必要。因此，從前，為了在LED元件與擴散構件之間維持預定的間隔，配置插銷及間隙物(例如專利文獻1)。圖12(a)是為了確保支持基板62上的LED元件63與擴散構件66之間的距離d，配置插銷65的從前的LED背光60。圖12(b1)為在支持基板62與擴散構件66之間配置間隙物67的從前的LED背光61，圖12(b2)為間隙物67的概略平面圖。
又，用於上述LED背光的LED元件，為了畫質的高精細化，再來為了薄化顯示裝置自體的要求等，有使用LED元件自體未被封裝材等保護的所謂裸晶片(以下有作為LED裸晶片的情形。)的情形。
因此，作為LED元件，在使用LED裸晶片的情形，若作為配置上述插銷及間隙物的構造，則會有LED元件的光取出效率不怎麼提升的問題。
本揭示為鑑於上述課題完成者，主目的為提供即便使用LED裸晶片的情形，光的取出效率也良好的面發光裝置。 [解決問題的手段]
為了達成上述目的，本發明者等進行銳意檢討的結果，發現上述裸晶片中的光取出效率的降低，是因為用於裸晶片的藍寶石等的透明基材為較高折射率，上述透明基材與周圍空氣的折射率差會變大，其結果，從發光層發出的光，在上述透明基材與周圍的空氣的界面反射的反射率會變大，作為結果光的取出效率會降低的點，進而完成本發明。
亦即，本揭示提供面發光裝置，具備：具有支持基板、及配置於前述支持基板的單側的面側的發光二極體元件的發光二極體基板；配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側的面，封裝前述發光二極體元件的密封構件；前述發光二極體元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片；前述封裝構件，接觸於與形成前述透明基材的發光層的面相反側的面、及側面；前述封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。
又，本揭示提供顯示裝置，具備：顯示面板、及配置於前述顯示面板的背面的上述面發光裝置。 [發明的效果]
本揭示發揮能夠提供在用於顯示裝置等的面發光裝置中，即便使用LED裸晶片的情形，光的取出效率也良好的面發光裝置的效果。
以下，參照圖式等說明本揭示的實施形態。但是，本揭示可以以多種不同態樣實施，並不限定解釋於以下例示的實施態樣的記載內容。又，圖式為了使說明更明確，與實際的態樣相比，雖有就各構件的寬度、厚度、形狀等示意地表示的情形，但其僅為一例，並非限定本揭示的解釋。又，在本說明書與各圖中，關於已出現的圖中與前述相同的要素，會有附加相同的符號，並適宜地省略詳細說明的情形。
本說明書中，表現在某構件之上配置其他構件的態樣時，單純表記成「在...面側」的情形，只要不特別斷言，包含以接觸構件的方式在正上方或者正下方配置其他構件的情形、及在構件的上方或者下方再隔著別的構件配置其他構件的情形兩者。
又，在本說明書中，「片」、「薄膜」、「板」等用語，僅基於稱呼的差異，並非相互區別者。例如，「片」也用於包含能稱為如薄膜及板的構件。 以下，詳細說明關於本揭示的面發光裝置及使用其的顯示裝置。
A.面發光裝置 本揭示的面發光裝置，具備：具有支持基板、及配置於前述支持基板的單側的面側的發光二極體元件的發光二極體基板；配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側的面，封裝前述發光二極體元件的密封構件；前述發光二極體元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片；前述封裝構件，接觸於與形成前述透明基材的發光層的面相反側的面、及側面；前述封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。
圖1為表示本揭示的面發光裝置的一例的概略剖面圖。如圖1例示那樣，面發光裝置1，具備具有支持基板2、及配置於支持基板2的一面側的LED裸晶片3的LED基板4、配置於LED基板4的LED裸晶片3側的面側，封裝LED元件3的封裝構件5、及配置於與封裝構件5的LED基板4側相反的面側的擴散構件6。本揭示的封裝構件5，霧度值為4%以上，厚度d比上述LED元件3的厚度還厚。
上述LED裸晶片3，如圖2例示那樣，包含由藍寶石等形成的透明基材31、形成於透明基材31上的發光層32、對上述發光層通電的電極33、33、及保護發光層33的鈍化層34。
如圖1及圖2所示，封裝構件5，以接觸於與形成前述透明基材31的發光層32的面相反側的面、及側面的方式形成。
如同上述，在從前的面發光裝置中，作為LED元件使用LED裸晶片的情形，上述LED裸晶片的側面及上面與空氣接觸。此時，如圖2所示，從發光層32發出的光L，有根據來自發光層32的發光方向，在由藍寶石等形成的透明基材31的側面被反射，再來也在透明基材31的上面被反射，最終在發光層32的發光面等被吸收的情形。因此，在這種面發光裝置中，有在來自上述LED裸晶片的光的取出效率產生課題的情形。
本揭示中，藉由將封裝構件5，以接觸與形成上述透明基材31的發光層32的面相反側的面(亦即上面)、及上述透明基材31的側面的方式配置，與上述透明基材31接觸空氣的情形比較，縮小了與透明基材31的構成材料的折射率之差。藉此，有縮小從發光層32發出的光L在透明基材31的上面及側面被反射的反射率的可能，重複反射的結果，能夠減少在透明基材31及發光層32等被吸收的光L的量。其結果，本揭示的面發光裝置中，發揮能夠使來自發光層32的光的取出效率提升的效果。 以下，關於本揭示的面發光裝置，說明每個構造。
1.LED基板 本揭示的LED基板為具有支持基板及配置於前述支持基板的一面側的複數LED元件的構件。本揭示中上述LED元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片(以下，有稱為LED裸晶片的情形。)。
(1)LED裸晶片 本揭示使用的LED裸晶片為配置於支持基板的一面側的構件，作為光源發揮機能。這種LED裸晶片，例如能夠舉上述圖2例示者，至少具有透明基材及發光層，通常成為具有用來在上述發光層通電的電極者。成為上述發光層發出的光經由上述透明基材在外部發光的構造。
a)透明基材 用於上述LED裸晶片的透明基材，通常若是由無機材料構成者則沒有特別限定，但能夠進行構成後述發光層的材料的結晶成長者較佳，具體上有藍寶石(Al 2O 3)、碳化矽、矽等。其中，適用藍寶石。
作為本揭示使用的透明基材的折射率的下限，通常為1.4以上、較佳為1.5以上。另一方面，作為透明基材的折射率的上限，通常為2.5以下、較佳為2.0以下。因為以具有上述範圍內的折射率材料構成的透明基材的情形，會產生上述課題。
作為上述透明基材的折射率的測定方法，能夠以阿貝折射計測定。
作為上述透明基材的形狀，通常為長方體形狀或圓柱形狀，但未形成發光層之側的面，設為降低反射率的形狀也可以。
本揭示的與形成透明基材的上述發光層的面相反側的面(有作為上面的情形。)、及上述透明基材的側面，與後述封裝構件接觸。如此藉由與封裝構件接觸配置，如同上述，能夠縮小由發光層產生的光在透明基材的界面反射的反射率，能夠提升從上述發光層發出的光的取出效率。
其中，上述透明基材的上面與上述封裝構件在全面接觸較佳。又，若上述透明基材的側面與上述封裝構件接觸則沒有特別限定，但以上述側面的面積的90%以上接觸較佳，特別是上述側面的面積的99%以上接觸較佳。
上述透明基材與上述封裝構件接觸的面積的比例(亦即上述封裝構件所致的被覆率)的測定，由以下方法進行。 首先，從面發光裝置將被封裝構件被覆的10個LED裸晶片切出。接著，使用切片機將被封裝構件被覆的LED裸晶片切斷。藉由掃描電子顯微鏡 (SEM)觀察切斷後的LED裸晶片的透明基材，決定封裝構件所致的被覆率。將決定的被覆率的平均值作為上述透明基材與上述封裝構件接觸的面積的比例。
b)發光層 用於上述LED裸晶片的發光層，通常若是用於LED裸晶片的材料則沒有特別限定，例如可以是氮化鎵、銦氮化鎵、鋁氮化鎵、鋁鎵砷、鎵砷磷、磷化鎵、硒化鋅、磷化鋁鎵銦等。
如同本揭示作為LED元件的形態設為LED裸晶片的情形，作為發光層，例如能夠使用藍色發光層、紫外光發光層或紅外光發光層。因為藉由與波長變換部材組合使用，能夠作為發出白色光者。
本揭示中為藍色發光層或紫外發光層較佳。藍色發光層，例如藉由與黃色螢光體組合、或者與紅色螢光體及綠色螢光體組合，能夠生成白色光。又，紫色發光層，例如藉由與紅色螢光體組合、或者與綠色螢光體及藍色螢光體組合，能夠生成白色光。
本揭示中，其中，LED裸晶片的發光層為藍色發光層較佳。因為本揭示的面發光裝置中，能夠照射亮度高的白色光。
c)其他 上述LED裸晶片中，除此之後，通常配置電極、保護層(鈍化層)等。
LED裸晶片，通常在後述支持基板的一面側等間隔配置。作為LED裸晶片的配置，以上述透明基材成為與支持基板相反側的方式配置。亦即，支持基板，因應必要以電極、發光層、及透明基材的順序配置。
LED裸晶片的尺寸及配置密度，因應本揭示的面發光裝置的用途及大小適宜選擇。
作為LED裸晶片的具體大小，LED裸晶片為矩形狀的情形，一邊的長度的下限為0.01mm以上較佳，其中，0.05mm以上較佳、特別是0.1mm以上較佳。另一方面，作為一邊的長度的上限，2mm以下較佳，其中，1mm以下較佳、特別是0.5mm以下較佳。此外，LED裸晶片為圓形狀、楕圓形狀、多角形狀等的情形，其最大徑為上述範圍內較佳。
因為藉由縮小LED裸晶片的尺寸，能夠將LED裸晶片以高密度配置(亦即能夠縮小LED裸晶片間的間隔(間距)，能夠縮短LED基板及擴散構件的距離(亦即能夠使封裝構件的厚度變薄)。藉此，能夠達到薄型化及輕量化。
(2)支持基板 用於本揭示的支持基板為支持上述LED裸晶片、封裝構件及擴散構件等的構件。
支持基板是透明也可以、不透明也可以。又，支持基板具有可撓性也可以、具有剛性也可以。支持基板的材質是有機材料也可以、是無機材料也可以、是使有機材料及無機材料兩者複合的複合材料也可以。
支持基板的材質為有機材料的情形，作為支持基板能夠使用樹脂基板。另一方面，支持基板的材質為無機材料的情形，作為支持基板能夠使用陶瓷基板、玻璃基板。又，支持基板的的材質為複合材料的情形，作為支持基板能夠使用玻璃環氧基板。又，作為支持基板，例如也能夠使用金屬核心基板。作為支持基板，也能夠使用藉由印刷形成電路的印刷電路基板。
支持基板的厚度沒有特別限定，因應可撓性或剛性的有無、或本揭示的面發光裝置的用途及大小等適宜選擇。
(3)其他 本揭示的LED基板，若具有上述支持基板及LED裸晶片則沒有特別限定，能夠適宜具有必要的構造。作為這種構造，例如可以是配線部、端子部、絕緣層、反射層、放熱構件等。關於各構造，能夠設為與用於公知的LED基板者同樣。
配線部與LED裸晶片電連接。配線部通常配置成圖案狀。又，配線部能夠經由黏著層配置於支持基材。作為配線部的材料，例如能夠使用金屬材料及導電性高分子材料等。
配線部藉由對應上述LED裸晶片的電極的接合部電連接。作為接合部的材料，例如能夠使用具有金屬或導電性高分子材料等的導電性材料的接合劑或焊料。
在支持基板的配置LED裸晶片的面，且LED裸晶片實裝區域以外的區域，能夠配置反射層。例如，能夠使在上述擴散構件的第2層反射的光，在支持基板的反射層反射，再度入射擴散構件的第1層，能夠提高光的利用效率。
反射層能夠設為與一般用於LED基板的反射層一樣。具體上，作為反射層，有含有金屬粒子、無機粒子或顏料與樹脂的白色樹脂膜、或金屬膜、多孔質膜等。反射層的厚度，若是得到所期望的反射率的厚度則沒有特別限定，適宜設定。 關於LED基板的形成方法，能夠設為與公知的形成方法同樣。
2.封裝構件 本揭示的封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比LED元件還厚。封裝構件具有光透過性，配置於LED基板的發光面側。
(1)封裝構件的特性 (a)霧度值 本揭示的封裝構件的霧度值為4%以上，較佳為8%以上、更佳為10%以上、特佳為12%以上。藉由設於上述範圍，能夠使封裝構件對於LED的發熱等的耐熱性提升。又，若比上述值還小，則無法抑制亮度不均。另一方面，上限值沒有特別限定，但例如為85%以下、較佳為60%以下、更佳為30%以下藉由設在上述範圍內，在封裝構件內的光的損耗變得難以產生。
本說明書內，霧度值為作為封裝構件全體的值，能夠從面發光裝置切出封裝構件，使用霧度計(HM-150，Murakami Color Research Laboratory製)藉由以JIS K7136：2000為準據的方法測定。
作為用以得到上述霧度值的霧度值的調整方法，雖沒有特別限定，但有利用樹脂的結晶化度的大小的方法、及使樹脂中的微粒子的含有量變化的方法等。其中，調整樹脂的結晶化度的方法較佳。因為藉由加大樹脂的結晶化度，提升霧度值的情形，能夠得到降低直進透過光的效果。
(b)厚度 本揭示的封裝構件的厚度，若是比上述LED元件還厚者即可，具體上50μm以上較佳、更佳為80μm以上、特佳為200μm以上。 另一方面，作為封裝構件的厚度，800μm以下較佳、更佳為750μm以下、特佳為700μm以下。
此外，本說明書中的「厚度」，能夠使用能測定μm等級的尺寸的公知的測定方法進行測定。具體上，能夠使用接觸式膜厚測定裝置(Mitutoyo製thickness-gauge547-301)。關於「大小」等的尺寸的測定也一樣。
若比上述厚度還小，則厚度會不充分，從LED元件發出的光無法擴散至發光面全體，無法使亮度的面內均勻性提升。又，若比上述厚度還小，則無法達到薄型化。
(c)折射率 本揭示的封裝構件的折射率，接近上述LED裸晶片的透明基材的折射率較佳。具體上，上述折射率的下限值為1.1以上較佳，其中1.2以上較佳、特別是1.4以上較佳。另一方面，上述折射率的上限值為2.5以下較佳，其中2.5以下較佳、特別是1.8以下較佳。 此外，折射率的測定方法，因為與上述透明基材的項說明者一樣，這裡省略說明。
(d)全光線透過率 本揭示的封裝構件，若能夠發揮作為面發光裝置的機能則沒有特別限定，但70%以上較佳、其中80%以上較佳。此外，封裝構件的全光線透過率，例如能夠藉由以JIS K7361-1：1997為準據的方法測定。
(2)封裝構件的材料 作為包含於本揭示的封裝構件的材料，若是成為上述霧度值的材料則沒有特別限定，但熱塑性樹脂等較佳。藉由使用熱塑性樹脂，例如與使用熱硬化性樹脂的情形相比，能夠將霧度值調高，再來能夠以低溫形成封裝構件。
又，封裝構件含有熱塑性樹脂的情形，能夠使用由含有熱塑性樹脂的封裝材組成物構成的片狀封裝構件(以下有稱為封裝構件片的情形。)。圖3為表示本揭示的封裝構件的形成方法的一例的工程圖。例如，如圖3(a)所示，在與LED基板4單方的表面準備封裝構件片5a，在LED基板4的LED元件3側的面側層積上述封裝構件片5a後，例如使用真空層壓法，使封裝構件片5a壓附至LED基板4，如圖3(b)所示，能夠形成封裝LED元件3的封裝構件5。
藉此，能夠使LED元件(LED裸晶片)3的透明基材的上面及側面與封裝構件5密著。
封裝構件含有熱硬化性樹脂及光硬化性樹脂等的硬化性樹脂的情形，通常使用液狀的封裝材。使用液狀的封裝材的情形，因表面張力等的關係，與中央部比較有端部的厚度變厚、或變薄的現象產生的情形。又，硬化性樹脂的情形，硬化時容易產生體積的收縮等，作為結果，有硬化後的封裝構件的中央部與端部的厚度成為不均勻的情形。這樣若封裝構件的厚度不均勻，則有產生亮度不均的情形。
相對於此，使用片狀的封裝材的情形，能夠避免使用液狀的封裝材的情形產生的表面張力所致的塗膜的厚度分佈的發生、或熱收縮或光收縮所致的厚度的分佈的發生這種封裝構件的表面凹凸的產生。因此，能夠得到平坦性良好的封裝構件，能夠提供更高品質的顯示裝置。
(a)熱塑性樹脂 本揭示中，作為上述熱塑性樹脂，例如能夠用烯烴系樹脂、醋酸乙烯基(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂等。
其中，上述熱塑性樹脂較佳為烯烴系樹脂。因為烯烴系樹脂，特別難以產生使LED基板劣化的成份，由於溶融黏度也低而能夠將上述LED元件良好地封裝。又，烯烴系樹脂之中，也一樣較佳為聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、離子聚合物系樹脂。
其中，本說明書中的聚乙烯系樹脂中，不只是將乙烯聚合得到的通常的聚乙烯，也包含將具有如α-烯烴等的乙烯性的不飽和耦合的化合物聚合得到的樹脂、使具有乙烯性不飽和結合的複數不同化合物共聚合的樹脂、及在該等樹脂接枝不同化學種得到的改性樹脂等。
特別是本揭示的封裝構件，在得到上述霧度值的觀點中，將密度的下限值為0.870g/cm 3以上的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳、特別是將密度0.890g/cm 3以上的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳。另一方面，將密度的上限值作為0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳、將0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳。封裝構件如同後述為多層構件的情形，作為核心層的基底樹脂使用上述密度的聚乙烯系樹脂較佳。
此外，上述核心層，如圖4所示為示出封裝構件5為包含核心層51、及配置於核心層51的至少一表面的膚層52的複數層樹脂層的情形的核心層者。又，基底樹脂是指將包含於層的樹脂成份的總量作為100質量份的情形佔有50質量份以上的樹脂。
作為α-烯烴樹脂，能夠較佳地使用將α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體進行共聚合而成的矽烷共聚物(以下也稱為「矽烷共聚物」。)。藉由使用這種樹脂，能夠得到LED基板與封裝構件的更高密著性。上述矽烷共聚物能夠使用特開2018-50027號公報記載者。
作為上述聚乙烯系樹脂，使用生物質而來的聚乙烯(以下有作為生物質聚乙烯的情形。)也可以。藉由使用生物質聚乙烯，能夠提升封裝構件的環境負載降低性。
生物質而來的乙烯，能夠將生物質而來的乙醇作為原料製造。特別是使用從植物原料得到的生物質而來的發酵乙醇較佳。植物原料沒有特別限定，能夠使用從前公知的植物。例如，能夠舉玉米、甘蔗、甜菜及木薯。
生物質而來的發酵乙醇，是指使包含由植物原料得到的碳源的培養液接觸生產乙醇的微生物或其粉碎物而來的產物，生產後進行精製的乙醇。從培養液的乙醇的精製，能夠適用蒸鎦、膜分離、及抽出等從前公知的方法。例如，有添加苯、環正己烷等使其共沸、或藉由膜分離等除去水分等的方法。
近年，隨著要求循環型社會的構築的聲音高漲，在材料領域中也期望與能源一樣擺脫化石燃料，生物質的利用受到注目。生物質為從二氧化碳與水進行光合成後的有機化合物，藉由利用其，再度成為二氧化碳與水的所謂碳中和的可再生能源。最近，將該等生物質作為原料的生物質塑膠的實用化急速進展，也進行從生物質原料製造各種樹脂的嘗試。
本揭示中，在封裝構件中包含上述生物質聚乙烯20質量%以上、較佳為50質量%以上。因為藉由設於上述範圍，能夠使環境負荷降低性成為有實效者。 關於在封裝構件中是否包含生物質聚乙烯、及其含有量，能夠以ISO 16620-2 Method C(Carbon-14(放射性碳)分析中的AMS法為準的形式進行測定。
(b)熔點 作為用於本揭示的熱塑性樹脂的熔點，若能夠封裝LED元件則沒有特別限定，但例如作為上述熔點的下限值，90℃以上較佳。另一方面，作為上述熔點的上限值，135℃以下較佳，其中120℃以下較佳。若在上述範圍內，能夠抑制LED發光中的因發熱的封裝構件的軟化。
此外，熱塑性樹脂的熔點，例如能夠以塑膠的轉變溫度測定方法(JISK7121：2012)為準據，藉由示差掃描熱量分析(DSC)測定。包含複數熱塑性樹脂的情形中，設為具有最大熔解熱量的熔解峰值的頂點的溫度。封裝構件如同後述為多層構件的情形，作為核心層的基底樹脂的熱塑性樹脂使用具有上述熔點者較佳。
(c)熔體流動速率(MFR) 又，作為本揭示的熱塑性樹脂，適用具有藉由加熱，在配置於LED基板的一面側的LED元件及其他構件的凹凸，能夠追隨並進入間隙的溶融黏度者。
具體上，使用的熱塑性樹脂的熔體流動速率(MFR)為0.5g/10分以上40g/10分以下較佳、2.0g/10分以上40g/10分以下更佳、2.0g/10分以上20g/10分以下再佳。因為MFR在上述範圍，能夠進入LED元件等的間隙，能夠發揮充分的封裝性能，再來能夠成為與LED基板的密著性佳的封裝構件。
此外，本說明書的MFR，為藉由JIS K7210-1：2014測定到的190℃、負重2.16kg(A法)的值。但是，關於聚丙烯樹脂的MFR，設為同樣藉由JIS K7210-1：2014測定到的230℃、負重2.16kg(A法)的MFR的值。
關於封裝構件如同後述為多層構件的情形的MFR，設為維持一體層積全部的層的多層狀態，進行上述測定方法的測定，將得到的測定值作為該多層的封裝構件的MFR。
(d)彈性率 又，作為本揭示的熱塑性樹脂，室溫(25℃)時的拉伸彈性率為5.0×10 7Pa以上1.0×10 9Pa以下較佳。成為能夠發揮與LED基板的充分的密著性，且例如從外部對面發光裝置施加衝擊的情形等中對耐衝擊性佳的封裝構件。封裝構件如同後述為多層構件的情形，作為核心層的基底樹脂的熱塑性樹脂使用具有上述彈性率者較佳。
上述拉伸彈性率為以JISK7161-1：2014 塑膠-拉伸特性的求法-第1部：通則(kikakurui.com)為準據，以以下條件測定者。 ・樣本寬度：10mm ・標線間距離：50mm ・拉伸速度：100mm/min 此外，作為測定裝置，能夠使用TENSILON萬能材料試驗機　RTG-1210(股份公司AND)。
封裝構件，除了上述熱塑性樹脂以外，添加抗氧化劑、光穩定劑等的添加劑也可以。
(3)封裝構件的構造 本揭示的面發光裝置中的封裝構件，例如如圖1所示，封裝構件5是以單一樹脂層構成的單層構件也可以，又如圖4所示，封裝構件5為層積包含核心層51、及配置於核心層51的至少一表面的膚層52的複數層樹脂層(圖4(a)中為2層，圖4(b)中為3層)多層構件也可以。本揭示中，單層、2層、3層的任一者較佳。
本揭示的封裝構件為具有核心層、及配置於核心層的LED基板側的膚層的2層構造的多層構件的情形，作為膚層與核心層的膜厚比，將膚層/核心層設為a的情形，a的值的下限值為0.10以上較佳，其中0.17以上較佳。另一方面，a的值的上限值，為10以下較佳，其中2以下較佳。
又，本揭示的封裝構件為3層構造的多層構件的情形，將一膚層作為第1膚層，將另一膚層作為第2膚層的情形，第1膚層與核心層與第2膚層的膜厚比，將第1膚層/核心層設為b，將第2膚層/核心層設為c的情形，b及c的任一者的下限值也是0.10以上較佳，其中0.13以上較佳。另一方面，上限值，為1.0以下較佳，其中0.5以下較佳。
本揭示的封裝構件為多層構件的情形，核心層與膚層，具有密度範圍、熔點等不同的上述熱塑性樹脂作為基底樹脂較佳。因為以核心層擔保上述霧度值，同時以膚層擔保對LED基板的密著性及製模性容易。
上述多層構件的情形，能夠使用對上述多層構件中位於LED基板側的膚層，通常高價的密著性及進入LED元件等的間隙的製模性良好的材料。上述多層構件中，作為構成配置於LED基板側的膚層的材料，若是密著性高，且製模性高者則沒有特別限定，上述熱塑性樹脂的情形，例如使用上述矽烷共聚物等較佳。又，上述熱塑性樹脂的情形，上述材料含有上述烯烴系樹脂與矽烷偶合劑較佳。此外，在該層中，添加抗氧化劑、光穩定劑等添加劑也可以。
(4)較佳的封裝構件 本揭示的封裝構件為藉由包含核心層、及配置於至少一最表面的膚層的複數層構成的多層構件較佳。核心層將密度0.900g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳。關於膚層，將密度0.875g/cm 3以上0.910g/cm 3以下，比核心層用的基底樹脂還低密度的聚乙烯系樹脂作為基底樹脂較佳。
作為核心層用的基底樹脂，能夠適用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，從長期信賴性的觀點來看，特別能夠將低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)作為核心層用的基底樹脂使用。又，如同上述，使用生物質聚乙烯也可以。
作為上述核心層用的基底樹脂使用的聚乙烯系樹脂的密度的下限值，為0.900g/cm 3以上較佳。另一方面，作為上述密度的上限值為0.930g/cm 3以下、較佳為0.920g/cm 3以下因為藉由將核心層用的基底樹脂的密度設在上述範圍，能夠使本揭示的封裝構件的霧度值成為上述特定的值以上。又，能夠不經由交聯處理，使封裝構件具有必要充分的耐熱性。
關於作為上述核心層用的基底樹脂使用的聚乙烯系樹脂的熔點，熔點90℃以上135℃以下較佳、熔點90℃以上115℃以下更佳。藉由設於上述熔點範圍，能夠使封裝構件的耐熱性與製模特性保持在較佳的範圍內。此外，藉由在核心層用的封裝材組成物添加聚丙烯等的高熔點的樹脂，能夠將封裝構件的熔點提高至165℃左右。此時，聚丙烯，相對於核心層的全樹脂成份含有5質量%以上40質量%以下較佳。
含有在上述核心層的聚丙烯較佳為均聚聚丙烯(均聚PP)樹脂較佳。均聚PP，因為是僅由聚丙烯單體構成的聚合體而結晶化度高，與區塊PP或隨機PP比較，具有更高剛性。藉由將其作為向核心層用的封裝材組成物的添加樹脂使用，能夠提高封裝構件的尺寸穩定性。又，作為向核心層用的封裝材組成物的添加樹脂使用的均聚PP，以JIS K7210-1：2014為準據測定到的230℃、負重2.16kg(A法)的MFR為5g/10分以上125g/10分以下較佳。若上述MFR過小，則分子量變大剛性會變過高，難以擔保封裝材組成物的較佳充分柔軟性。又，上述MFR若過大，則無法充分抑制加熱時的流動性，無法對封裝構件片充分賦予耐熱性及尺寸穩定性。
作為上述核心層用的基底樹脂使用的聚乙烯系樹脂的190℃、負重2.16kg(A法)的MFR的下限值，1.0g/10分以上較佳、1.5g/10分以上更佳。另一方面，作為MFR的上限值，7.5g/10分以下較佳、6.0g/10分以下更佳。藉由將核心層用的基底樹脂的MFR設在上述範圍，能夠將封裝構件的耐熱性與製模特性保持在較佳範圍內。又，能夠充分提高製膜時的加工適性也有助於封裝構件的生產性的提升。
上述基底樹脂相對於上述核心層的全樹脂成份的含有量的下限值為70質量%以上較佳、特別是90質量%以上較佳。另一方面，上述基底樹脂的含有量的上限值為99質量%以下較佳。只要在上述範圍內包含基底樹脂，則包含其他樹脂也可以。
作為上述封裝構件的膚層用的基底樹脂，與核心層用的封裝材組成物一樣，能夠適用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，從製模特性的觀點來看，特別能夠將低茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)作為膚層用的封裝材組成物使用。又，如同上述，使用生物質聚乙烯也可以。
作為上述膚層用的基底樹脂使用的上述聚乙烯系樹脂的密度的下限值，為0.875g/cm 3以上較佳。另一方面，上述聚乙烯系樹脂的密度的上限值較佳為0.910g/cm 3以下、更佳為0.899g/cm 3以下。藉由將膚層用的基底樹脂的密度設在上述範圍，能夠將封裝構件的密著性保持在較佳範圍內。
作為上述膚層用的基底樹脂使用的上述聚乙烯系樹脂的熔點的下限值為50℃以上較佳、55℃以上更佳。另一方面，作為上述熔點的上限值，100℃以下較佳、95℃以下更佳。藉由設於上述範圍，能夠使封裝構件的密著性確實提升。
作為上述膚層用的基底樹脂使用的聚乙烯系樹脂的190℃、負重2.16kg(A法)的MFR的下限值，1.0g/10分以上較佳、1.5g/10分以上更佳。另一方面，作為上述MFR的上限值，7.0g/10分以下較佳、6.0g/10分以下更佳。藉由將膚層用的基底樹脂的MFR設在上述範圍，能夠將封裝構件的密著性保持在較佳範圍內。又，能夠充分提高製膜時的加工適性也有助於封裝構件的生產性的提升。
上述基底樹脂相對於上述膚層用的全樹脂成份的含有量的下限值為60質量%以上較佳、特別是90質量%以上較佳。另一方面，上述基底樹脂的含有量的上限值為99質量%以下較佳。只要在上述範圍內包含基底樹脂，則包含其他樹脂也可以。
以上說明的全部的封裝材組成物中，使以α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體進行共聚合而成的矽烷共聚物，因應必要，在各封裝材組成物中以一定量含有更佳。這種接枝共聚物，因為有助於黏接力的矽醇基的自由度變高，能夠使向其他構件的封裝構件的黏接性提升。
矽烷共聚物，例如舉特開2003-46105號公報記載的矽烷共聚物。藉由將上述矽烷共聚物作為封裝材組成物的成份使用，強度、耐久性等佳，且耐候性、耐熱性、耐水性、耐光性、其他諸特性佳，再來在配置封裝構件時的加熱壓合等的製造條件不會受到影響具有極優的熱熔接性，能夠穩定地以低成本得到封裝構件。
作為矽烷共聚物，即便是隨機共聚物、交互共聚物、區塊共聚物、及接枝共聚物的任一者也能夠較佳使用，但為接枝共聚物更佳、將聚合用聚乙烯作為主鏈並將乙烯性不飽和矽烷化合物作為側鏈進行聚合的接枝共聚物更佳。這種接枝共聚物，因為有助於黏接力的矽醇基的自由度變高，能夠使封裝構件的黏接性提升。
作為構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚物時的乙烯性不飽和矽烷化合物的含有量的下限值，相對於全共聚物質量，例如0.001質量%以上較佳，其中0.01質量%以上較佳、特別是0.05質量%以上較佳。另一方面，作為乙烯性不飽和矽烷化合物的含有量的上限值，15質量%以下較佳，其中10質量%以下特佳、期望為5質量%以下。構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚物的乙烯性不飽和矽烷化合物的含有量多的情形，雖機械強度、及耐熱性等佳，但含有量若變得過度，則拉伸、及熱熔接性等有劣化的傾向。
上述核心層用的封裝材組成物中的上述矽烷共聚物的封裝材組成物的相對於全樹脂成份的含有量的下限值為0質量%以上較佳。另一方面，作為上限值為20質量%以下較佳。上述膚層用的封裝材組成物中的上述矽烷共聚物的封裝材組成物的相對於全樹脂成份的含有量的下限值為5質量%以上較佳。另一方面，作為上限值為40質量%以下較佳。特別是膚層用的封裝材組成物中，含有5質量%以上的矽烷共聚物更佳。此外，上述矽烷共聚物中的矽烷變性量的下限值為0.1質量%以上較佳。另一方面，上述矽烷共聚物中的矽烷變性量的上限值為2.0質量%以下左右較佳。上述封裝材組成物中的較佳的矽烷共聚物的含有量範圍，以上述矽烷改性量在該範圍內為前提，因應該改性量的變動進行適宜微調整較佳。
在全部的封裝構件的層中，添加抗氧化劑、光穩定劑等添加劑也可以。又，能夠適宜添加密著性提升劑。藉由密著性提升劑的添加，能夠作為與其他構件的密著耐久性更高者。作為密著性提升劑，能夠使用公知的矽烷偶合劑，但特別能夠較佳使用具有乙烯基的乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、具有環氧基的矽烷偶合劑、或具有巰基的矽烷耦合 。
(5)封裝構件的形成方法 如同上述，本揭示的封裝構件，能夠使用含有上述熱塑性樹脂及其他成份的封裝材組成物構成的封裝構件片形成。 上述封裝構件片為將封裝材組成物以從前公知的方法成型加工作為片狀者。
封裝構件為多層構件的情形，藉由核心層用、膚層用的各封裝材組成物，以預定的厚度，形成由核心層及配置於核心層的一表面的膚層構成的2層構造的多層薄膜，例如如圖4(a)所示，能夠製造核心層51、及膚層52的2層構造的封裝構件5。或者，形成在核心層的兩表面配置膚層的3層構造的多層薄膜，例如如圖4(b)所示，能夠製造膚層52、核心層51、及膚層52的3層構造的封裝構件5。
3.擴散構件 本揭示的面發光裝置具有擴散構件也可以。作為擴散構件，配置於與封裝構件的LED基板側相反的面側。作為擴散構件，若是使從LED元件出射的光擴散，具有在面方向均勻出射的機能的構件則沒有特別限定，舉以下的第一擴散構件、第二擴散構件、及第三擴散構件。
(1)第一擴散構件 第一擴散構件通常具有至少將擴散劑分散的樹脂層。上述擴散構件，例如是將擴散劑分散的樹脂片也可以、在透明基材上具有將擴散劑分散的樹脂層的層積體也可以，但前者更佳。作為在樹脂層含有的樹脂，若能夠使擴散劑分散則沒有特別限定，熱塑性樹脂較佳。因為能夠使用使擴散劑分散的樹脂片形成擴散構件，因此能夠使平坦性良好。
關於用於上述擴散構件的熱塑性樹脂，若是光透過度高者則沒有特別限定，能夠使用一般在顯示裝置領域中汎用者。
作為上述擴散劑的材質，若能夠使來自LED元件的光擴散則沒有特別限定，例如可以是有機材料、也可以是無機材料。擴散劑的材質為有機材料的情形，例如，能夠是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。另一方面，擴散劑的材質為無機材料的情形，例如，能夠是TiO 2、SiO 2、Al 2O 3、矽等。
擴散劑的折射率，若能夠使來自LED元件的光擴散則沒有特別限定，例如是1.4以上2以下。這種折射率，能夠以阿貝折射計測定。擴散劑的形狀，例如能夠是粒子狀。擴散劑的平均粒徑例如是1μm以上100μm以下。
擴散構件中的擴散劑的比例，若能夠使來自LED元件的光擴散則沒有特別限定，例如是40重量%以上60重量%以下。
(2)第二擴散構件 第二擴散構件為從上述LED基板側依序具有第1層、及第2層的構件，上述第1層為具有光透過性及光擴散性，上述第2層為隨著光對上述第2層的上述第1層側的面的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著光對上述第2層的上述第1層側的面的入射角的絕對值變大而透過率變大的構件。本揭示中，因為具有上述擴散構件，能夠更使亮度的面內均勻性提升，並達到薄型化。又，成本及消耗電力也能夠降低。
以下，參照圖式說明有關第二擴散構件。圖5為表示第二擴散構件的一例的概略剖面圖。如圖5例示那樣，擴散構件11依序具有第1層12及第2層13。第1層12具有光透過性及光擴散性，透過及擴散從第1層12的與第2層13側的面相反的面12A入射的光L1、L2。又，第2層13隨著光對第2層13的第1層12側的面13A的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著光對第2層13的第1層12側的面13A的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。因此，第2層13中，能夠使對第2層13的第1層12側的面13A以低入射角θ1入射的光L1反射，使對第2層13的第1層2側的面13A以高入射角θ2入射的光L2透過。此外，低入射角是指入射角的絕對值小者，高入射角是指入射角的絕對值大者。
圖6為表示具備圖5所示的第二擴散構件的本揭示的面發光裝置的一例的概略剖面圖。如圖6例示那樣，面發光裝置10，具備於支持基板2的一面配置LED元件3的LED基板4、配置於LED基板4的LED元件3側的面側，封裝LED元件3的封裝構件5、及配置於與封裝構件5的LED基板4側相反的面側的擴散構件11。擴散構件11以第1層12側的面11A對向於封裝構件5的方式配置。
如圖5所示，能夠使從擴散構件11的第1層12側的面11A入射的光在第1層12擴散，並且就透過第1層12擴散的光之中，對第2層13的第1層12側的面13A以低入射角θ1入射的光L1，如圖5所示，在第2層13的第1層12側的面13A反射，再入射至第1層12並擴散。接著，關於透過第1層12擴散的光之中，對第2層13的第1層12側的面13A以高入射角θ2入射的光L2、L2′，能夠使其透過第2層13，從擴散構件11的第2層13側的面11B出射。
又，藉由組合第1層及第2層，關於從擴散構件的第1層側的面入射的光，特別是從擴散構件的第1層側的面以低入射角入射的光，因為能夠多次透過第1層並擴散，能夠從擴散構件的第2層側的面以高出射角出射。因此，具有這種擴散構件的面發光裝置(特別是直下式的LED背光)，能夠使從LED元件發出的光在發光面全體擴散，能夠更使亮度的面內均勻性提升。
又，藉由組合第1層及第2層，關於從擴散構件的第1層側的面以低入射角入射的光，因為能夠多次透過第1層，能夠使光從擴散構件的第1層側的面入射後從擴散構件的第2層側的面出射為止的光路長變長。藉此，能夠使從LED元件發出之中從擴散構件的第2層側的面出射的光的一部分，並非LED元件的正上方，而是從LED元件由遠離面內方向的位置出射。
a)第1層 本揭示的第1層為配置於後述第2層的一面側，具有光透過性及光擴散性的構件。作為第1層具有的光透過性，例如第1層的全光線透過率為50%以上較佳，其中70%以上較佳、特別是90%以上較佳。因為第1層的全光線透過率為上述範圍，能夠提高本揭示的面發光裝置的亮度。
此外，第1層的全光線透過率，例如能夠藉由以JIS K7361-1：1997為準據的方法測定。
作為第1層的光擴散性，例如是將光隨機擴散的光擴散性也可以、將光主要向特定的方向擴散的光擴散性也可以。將光主要向特定的方向擴散的光擴散性為將光偏向的性質，亦即使光的進行方向變化的性質。作為第1層的光擴散性，是將光隨機擴散的光擴散性的情形，例如入射第1層的光的擴散角能夠是10˚以上、15˚以上也可以、20˚以上也可以。又，入射第1層的光的擴散角，例如能夠是85˚以下、60˚以下也可以、50˚以下也可以。因為上述擴散角為上述範圍，能夠使本揭示的面發光裝置的亮度的面內均勻性更加提升。
在此說明關於擴散角。圖7為例示透過光強度分佈的圖形，說明擴散角的圖。本說明書中，使光垂直入射構成擴散構件的第1層的一面，將從第1層的另一面出射的光的最大透過光強度Imax的成為2分之1的2個角度的差的半高寬(FWHM)定義成擴散角α。
此外，擴散角能夠使用變角光度計或變角光譜測色器測定。擴散角的測定，例如能夠使用村上色彩技術研究所公司製的變角光度計(測角光度計)GP-200等。
作為第1層，若是具有上述光透過性及光擴散性者則沒有特別限定，例如是透過型繞射格子、微透鏡陣列、含有擴散劑及樹脂的擴散劑含有樹脂膜等。具體上，第1層具有使光主要在特定方向擴散的光擴散性的情形，能夠是透過型繞射格子、微透鏡陣列。另一方面，第1層具有使光隨機擴散的光擴散性的情形，能夠是擴散劑含有樹脂膜。其中，從光擴散性的觀點來看，透過型繞射格子、微透鏡陣列較佳。此外，透過型繞射格子，也稱為透過型的繞射光學元件(DOE；Diffractive Optical Elements)。
第1層為透過型繞射格子的情形，作為透過型繞射格子，若是具有上述光透過性及光擴散性者則沒有特別限定。作為透過型繞射格子的間距等，若得到上述光透過性及光擴散性即可，適宜調整。具體上，LED元件的輸出波長為紅色、綠色、藍色等單色的情形，設為因應各波長的間距，能夠有效地曲折來自LED元件的光。
作為構成透過型繞射格子的材料，若是得到具有上述光透過性及光擴散性的透過型繞射格子的材料即可，一般能夠採用用於透過型繞射格子者。又，作為透過型繞射格子的形成方法，能夠與一般的透過型繞射格子的形成方法一樣。
第1層為微透鏡陣列的情形，作為微透鏡陣列，若是具有上述光透過性及光擴散性者則沒有特別限定。作為微透鏡的形狀、間距、大小等，若得到上述光透過性及光擴散性即可，適宜調整。作為構成微透鏡的材料，若是得到具有上述光透過性及光擴散性的微透鏡的材料即可，一般能夠採用用於微透鏡者。又，作為微透鏡的形成方法，能夠與一般的微透鏡的形成方法一樣。
第1層為擴散劑含有樹脂膜的情形，作為擴散劑含有樹脂膜，若是具有上述光透過性及光擴散性者則沒有特別限定。
第1層為具有能發現光擴散性的構造即可，例如在層全體發現光擴散性者也可以、在面發現光擴散性者也可以。作為在面發現光擴散性者，例如有浮雕型繞射格子及微透鏡陣列。另一方面，作為在層全體發現光擴散性者，例如有體積型繞射格子及擴散劑含有樹脂膜。作為層積第1層及第2層的方法，例如有將第1層及第2層經由黏著層或黏著層貼合的方法、及在第2層的一面直接形成第1層的方法等。作為在第2層的一面直接形成第1層的方法，例如有印刷法、金屬模所致的樹脂成型等。
a)第2層 本揭示的第2層，配置於上述第1層的一面側，為具有隨著光對上述第2層的上述第1層側的面的入射角的絕對值變小而反射率變大的反射率的入射角相依性、及隨著光對上述第2層的上述第1層側的面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大的透過率的入射角相依性的構件。
第2層，具有隨著光對第2層的第1層側的面的入射角的絕對值變小而反射率變大的反射率的入射角相依性。亦即，對第2層的第1層側的面以低入射角入射的光的反射率，比對第2層的第1層側的面以高入射角入射的光的反射率還大。其中，對第2層的第1層側的面以低入射角入射的光的反射率大較佳。
具體上，對第2層的第1層側的面以入射角±60˚以內入射的可見光的正反射率的下限值為50%以上較佳，其中80%以上較佳、特別是90%以上較佳。另一方面，上述可見光的正反射率的上限值為100%未滿較佳。此外，入射角±60˚以內的所有入射角中，可見光的正反射率滿足上述範圍較佳。因為上述正反射率為上述範圍，能夠使本揭示的面發光裝置的亮度的面內均勻性更加提升。
又，對第2層的第1層側的面以入射角±60˚以內入射的可見光的正反射率的平均值的下限值例如為80%以上較佳，其中90%以上較佳。另一方面，上述正反射率的平均值的上限值為99%以下較佳，其中97%以下較佳。此外，上述正反射率的平均值為在各入射角的可見光的正反射率的平均值。因為上述正反射率的平均值為上述範圍，能夠使本揭示的面發光裝置的亮度的面內均勻性更加提升。
又，對第2層的第1層側的面以入射角0˚入射(垂直入射)的可見光的正反射率的下限值例如為80%以上較佳，其中90%以上較佳、特別是95%以上較佳。另一方面，上述正反射率的上限值為100%未滿較佳。因為上述正反射率為上述範圍，能夠使本揭示的面發光裝置的亮度的面內均勻性更加提升。
此外，「可見光」在本說明書中是指波長380nm以上波長780nm以下的光。此外，正反射率能夠使用變角光度計或變角光譜測色器測定。正反射率的測定，能夠使用村上色彩技術研究所公司製的變角光度計(測角光度計)GP-200等。
第2層，具有隨著光對第2層的第1層側的面的入射角的絕對值變大而透過率變大的透過率的入射角相依性。亦即，對第2層的第1層側的面以高入射角入射的光的透過率，比對第2層的第1層側的面以低入射角入射的光的透過率還大。其中，對第2層的第1層側的面以高入射角入射的光的反射率大較佳。具體上，對第2層的第1層側的面以入射角70˚以上90˚未滿入射的光的全光線透過率為30%以上較佳，其中40%以上較佳、特別是50%以上較佳。此外，入射角70˚以上90˚未滿的所有入射角中，全光線透過率滿足上述範圍較佳。此外，入射角的絕對值為70˚以上90˚未滿的情形，全光線透過率滿足上述範圍較佳。因為上述全光線透過率為上述範圍，能夠使本揭示的面發光裝置的亮度的面內均勻性更加提升。
此外，第2層的全光線透過率，例如能夠使用變角光度計或變角光譜測色器，藉由以JIS K7361-1：1997為準據的方法測定。全光線透過率的測定，例如能夠使用日本分光公司製的紫外可見近紅外光譜光度計V-7200等。
作為第2層，若具有上述反射率及透過率的入射角相依性者則沒有特限定，能夠採用具有上述反射率及透過率的入射角相依性的各種構造。作為第2層，例如有介電體多層膜、從上述第1層側依序具有圖案狀的第1反射膜及圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置的反射構造體、或反射型繞射格子等。
以下，說明關於第2層為介電體多層膜、反射構造體、或反射型繞射格子的情形。
i)介電體多層膜 第2層為介電體多層膜的情形，作為介電體多層膜，例如有折射率不同的無機層交互層積的無機化合物的多層膜、或折射率不同的樹脂層交互層積的樹脂的多層膜。
(無機化合物的多層膜) 介電體多層膜為折射率不同的無機層交互層積的無機化合物的多層膜的情形，作為無機化合物的多層膜，若具有上述反射率及透過率的入射角相依性則沒有特別限定。
折射率不同的無機層之中，作為包含於折射率高的高折射率無機層的無機化合物，例如折射率能夠設為1.7以上，1.7以上2.5以下也可以。作為這種無機化合物，例如有將氧化鈦、氧化鋯、五氧化鉭、五氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅、氧化銦作為主成份，少量含有氧化鈦、氧化錫、氧化鈰等者等。
又，折射率不同的無機層之中，作為包含於折射率低的低折射率無機層的無機化合物，例如折射率能夠設為1.6以下，1.2以上1.6以下也可以。作為這種無機化合物，例如有二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。
高折射率無機層及低折射率無機層的層積數，得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，適宜調整。具體上，高折射率無機層及低折射率無機層的總層積數能夠設為4層以上。又，作為上述總層積數的上限沒有特別限定，但因為層積數變多則工程會增加，例如能夠設為24層以下。
無機化合物的多層膜的厚度，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，例如能夠設為0.5μm以上10μm以下。作為無機化合物的多層膜的形成方法，例如有藉由CVD法、濺鍍法、真空蒸鍍法、或濕式塗佈法等，交互層積高折射率無機層與低折射率無機層的方法。
(樹脂的多層膜) 介電體多層膜為交互層積折射率不同的樹脂層的樹脂的多層膜的情形，作為樹脂的多層膜，若具有上述反射率及透過率的入射角相依性則沒有特別限定。
作為構成樹脂層的樹脂，例如能夠是熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂。其中，因為成形性良好，熱塑性樹脂較佳。
樹脂層中，添有各種添加劑、例如、抗氧化劑、抗靜電劑、結晶核劑、無機粒子、有機粒子、減黏劑、熱穩定劑、滑劑、紅外光吸收劑、紫外線吸收劑、用以折射率調整的摻雜劑等也可以。
作為熱塑性樹脂，例如能夠使用烯烴樹脂、脂環族聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、醯胺樹脂、聚酯纖維樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚芳酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚苯硫醚樹脂、氟樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯樹脂、聚縮醛樹脂、聚乙醇酸樹脂、聚乳酸樹脂等。
作為上述聚烯烴樹，能夠是聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基戊烯等。又，作為上述聚醯胺樹脂，能夠是尼龍6、尼龍66等。再來作為上述聚酯纖維樹脂，能夠是聚對苯二甲酸、聚對苯二甲酸、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚丁二酸丁酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸等。又，作為上述氟樹脂，能夠是4氟化乙烯樹脂、3氟化乙烯樹脂、3氟化氯化乙烯樹脂、4氟化乙烯-6氟化丙烯共聚物、氟化亞乙烯樹脂等。
本揭示中，其中，從強度、耐熱性、透明性的觀點來看，為聚酯纖維更佳。
本說明書中，聚酯纖維是指二羧酸成份骨格與二醇成份骨格的重縮合體即均聚聚酯纖維或共聚合聚酯纖維。其中，作為均聚聚酯纖維，例如是聚對苯二甲酸、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚對苯二甲酸、聚乙烯-2,6-萘二甲酸、聚-1,4-環己烷二亞甲基對苯二甲酸酯、聚二苯二甲酸乙二醇酯等。其中，聚對苯二甲酸因為低價，能夠用於非常多的用途而較佳。
又，本說明書中，共聚合聚酯纖維定義成從接下來舉的由具有二羧酸骨格的成份及具有二醇骨格的成份選出的至少3以上的成份組成的重縮合體。具有二羧酸骨格的成份，例如對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二甲酸、1,5-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、4,4-二苯基二甲酸、4,4-二苯磺酸二甲酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、環己烷二甲酸及其等的酯介電體等。作為具有甘醇骨格的成份，例如有乙二醇、1,2-乙炔二醇、1,3-丁烷二醇、1,4-丁烷二醇、1,5-戊二醇、二甘醇、聚亞烷基二醇、2,2-雙(4-β-羥基乙氧基苯基)乙炔、異山梨酯、1,4-環己烷二甲醇、螺乙二醇等。
折射率不同的樹脂層之中，折射率高的高折射率樹脂層與折射率低的低折射率樹脂層的面內平均折射率之差為0.03以上較佳、更佳為0.05以上、再佳為0.1以上。上述面內平均折射率的差若過小，有無法得到充分的反射率的情形。其中，面內平均折射率是與層積薄膜的表面平行的方向的折射率。
又，高折射率樹脂層的面內平均折射率與厚度方向折射率的差為0.03以上較佳，低折射率樹脂層的面內平均折射率與厚度方向折射率的差為0.03以下較佳。此時，即便入射角變大，也難以引起反射峰值的反射率降低。
作為用於高折射率樹脂層的高折射率樹脂與用於低折射率樹脂層的低折射率樹脂的較佳組合，第一：高折射率樹脂及低折射率樹脂的SP值之差的絕對值為1.0以下較佳。SP值之差的絕對值若是上述範圍，則變得難以產生層間剝離。上述SP值為由Fedors法推算者。
此時，高折射率樹脂及低折射率樹脂包含相同的基本骨格更佳。其中，基本骨格是構成樹脂的重複單位。例如，一樹脂為聚對苯二甲酸的情形，乙烯對苯二甲酸酯為基本骨格。又，例如，一樹脂為聚乙烯的情形，乙烯為基本骨格。若高折射率樹脂及低折射率樹脂為包含相同的基本骨格的樹脂，在層間的剝離更難產生。
作為用於高折射率樹脂層的高折射率樹脂與用於低折射率樹脂層的低折射率樹脂的較佳組合，第二：高折射率樹脂及低折射率樹脂的玻璃轉變溫度之差為20℃以下較佳。玻璃轉變溫度之差若過大，則有製造高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的層積薄膜時的厚度均勻性不良的情形。又，形成上述層積薄膜時也有產生過延伸的情形。
又，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸，低折射率樹脂為包含螺乙二醇的聚酯纖維較佳。其中，包含螺乙二醇的聚酯纖維是指將螺乙二醇共聚合的共聚酯、或均聚聚酯、或將其等混合的聚酯纖維。包含螺乙二醇的聚酯纖維，因為與聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸的玻璃轉變溫度之差小，成形時難以變得過延伸，且也難以層間剝離因此較佳。
更佳為高折射率樹脂為聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸，低折射率樹脂為包含螺乙二醇及環己烷二甲酸的聚酯纖維較佳。低折射率樹脂為包含螺乙二醇及環己烷二甲酸的聚酯纖維時，因為與聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸的面內折射率之差變大，容易得到高反射率。又，與聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸的玻璃轉變溫度之差小，因為黏接性也佳，成形時難以變得過延伸，且也難以層間剝離。
又，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸，低折射率樹脂為包含環己烷二甲醇的聚酯纖維較佳。其中，包含環己烷二甲醇的聚酯纖維是指將環己烷二甲醇共聚酯均聚聚酯、或均聚聚酯、或將其等混合的聚酯纖維。包含環己烷二甲醇的聚酯纖維，因為與聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸的玻璃轉變溫度之差小，成形時難以變得過延伸，且也難以層間剝離因此較佳。此時，低折射率樹脂為環己烷二甲醇的共聚合量為15mol%以上60mol%以下的乙烯對苯二甲酸酯重縮合體更佳。
藉此，具有高反射性能，並且特別是加熱或經時所致的光學特性的變化小，在層間的剝離也變得難以產生。環己烷二甲醇的共聚合量在上述範圍內的乙烯對苯二甲酸酯重縮合體，與聚對苯二甲酸非常強力地黏接。又，該環己烷二甲醇基作為幾何異性體為順式體或者反式體，又因為作為配位異性體也是椅型或者舟型，即便與聚對苯二甲酸共延伸也難以配向結晶化，高反射率，熱履歷所致的光學特性的變化也更少，製膜時的破碎也難以產生。
上述樹脂的多層膜中，若存在具有高折射率樹脂層與低折射率樹脂層在厚度方向交互層積的構造的部分即可。亦即，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的厚度方向的配置的序列非隨機的狀態較佳，關於高折射率樹脂層及低折射率樹脂層以外的樹脂層的配置的序列也沒有特別限定。又，上述樹脂的多層膜具有高折射率樹脂層及低折射率樹脂層及其他樹脂層的情形，作為該等配置的順列，將高折射率樹脂層作為A、低折射率樹脂層作為B、其他樹脂層作為C時，以A(BCA) n、A(BCBA) n、A(BABCBA) n等的規則順列層積各層更佳。其中，n為重複的單位數，例如A(BCA) n中n=3的情形，表示在厚度方向以ABCABCABCA的順列層積者。
又，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的層積數，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，適宜調整。具體上，能夠交互分別層積高折射率樹脂層及低折射率樹脂層30層以上，分別層積200層以上也可以。又，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的總層積數例如能夠設為600層以上。層積數若過少，則有無法得到充分的反射率的情形。又，因為層積數為上述範圍，能夠空易得到所期望的反射率。又，作為上述總層積數的上限沒有特別限定，若考慮裝置的大型化及層數變得過多所致的層積精度的降低，則例如能夠設為1500層以下。
再來，上述樹脂的多層膜，至少在單面具有含有厚度3μm以上的聚對苯二甲酸或聚萘二甲酸的表面層較佳，其中在兩面具有上述表面層較佳。又，表面層的厚度為5μm以上更佳。因為具有上述表面層，能夠保護上述樹脂的多層膜的表面。
作為上述樹脂的多層膜的製造方法例如有共壓出法等。具體上，能夠參照特開2008-200861號公報記載的層積薄膜的製造方法。
又，作為上述樹脂的多層膜，能夠使用市售的層積薄膜，具體上有東麗股份公司製的PICASUS(註冊商標)、3M公司製的ESR等。
ii)反射構造體 反射構造體，為從上述第1層側依序具有圖案狀的第1反射膜及圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置者。
反射構造體具有2個態樣。反射構造體的第1態樣，為具有透明基材、配置於透明基材的一面的圖案狀的第1反射膜、及配置於透明基材的另一面的圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置者。又，反射構造體的第2態樣，為具有透明基材、配置於透明基材的一面並具有光透過性的圖案狀的凸部、配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側的的圖案狀的第1反射膜、及配置於透明基材的一面的凸部的開口部的圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置者。以下，分別說明各態樣。
(反射構造體的第1態樣) 本揭示的反射構造體的第1態樣，為具有透明基材、配置於透明基材的一面的圖案狀的第1反射膜、及配置於透明基材的另一面的圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置者。本態樣的反射構造體的情形，在第二擴散構件中，在反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。
圖8(a)、(b)為表示本態樣的反射構造體的一例的概略平面圖及剖面圖，圖8(a)為從反射構造體的第1反射膜側的面看的平面圖，圖8(b)為圖8(a)的A-A線剖面圖。如圖8(a)、(b)所示，反射構造體20，具有透明基材21、配置於透明基材21的一面的圖案狀的第1反射膜22、及配置於透明基材21的另一面的圖案狀的第2反射膜24。第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25，以在平面視上未重疊的方式定位。又，第1反射膜22及第2反射膜24分別配置於透明基材21的兩面，在厚度方向遠離配置。此外，圖8(a)中，第2反射膜的開口部以虛線表示。
在這種反射構造體中，因為層積圖案狀的第1反射膜及第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部以在平面視上不重疊的方式定位，將具有本態樣的反射構造體的擴散構件用於面發光裝置的情形，在LED元件的正上方必存在第1反射膜22及第2反射膜24的至少一者。因此，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以低入射角入射的光L11，在第1反射膜22及第2反射膜24反射。
又，因為第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部以在平面視上不重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以高入射角入射的光L12、L13，從第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25出射。藉此，能夠使從LED元件發出之中從擴散構件的第2層側的面出射的光的一部分，並非LED元件的正上方，而是從LED元件由遠離面內方向的位置出射。因此，能夠提升亮度的面內均勻性。
作為第1反射膜及第2反射膜，能夠使用一般的反射膜，例如能夠使用金屬膜、介電體多層膜等。作為金屬膜的材料，能夠採用使用於一般反射膜的金屬材料，例如有鋁、金、銀、及其等的合金等。又，作為介電體多層膜，能夠採用使用於一般反射膜者，例如有將氧化鋯與氧化矽交互層積的多層膜等的無機化合物的多層膜。包含於第1反射膜及第2反射膜的材料，是相同也可以、相互不同也可以。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部的間距，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，因應使用本態樣的擴散構件的面發光裝置中的LED元件的配光特性、尺寸、間距及形狀、或LED基板與擴散構件的距離等適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部的間距，是相同也可以、相互不同也可以。
第1反射膜的開口部的間距例如比LED元件的尺寸還大也可以。具體上，第1反射膜的開口部的間距能夠設為0.1mm以上20mm以下。
又，第2反射膜的開口部的間距，若能夠抑制亮度不均則沒有特別限定，但其中為上述第1反射膜的開口部的間距以下較佳、比上述第1反射膜的開口部的間距還小較佳。具體上，第2反射膜的開口部的間距能夠設為0.1mm以上2mm以下。如同上述使第2反射膜的開口部的間距微細化，能夠使得第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分的圖案難以辨視，能夠進行無不均的面發光。
此外，第1反射膜的開口部的間距，例如是指如圖8(a)所示那種相鄰的第1反射膜22的開口部23的中心間的距離P1。此外，第2反射膜的開口部的間距，例如是指如圖8(a)所示那種相鄰的第2反射膜24的開口部25的中心間的距離P2。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部的大小，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，因應LED元件的配光特性、尺寸、間距及形狀、或LED基板與擴散構件的距離等適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部的大小，是相同也可以、相互不同也可以。
作為第1反射膜的開口部的大小，具體上，第1反射膜的開口部的形狀為矩形狀的情形，第1反射膜的開口部的長度能夠設為0.1mm以上5mm以下。
又，第2反射膜的開口部的大小，若能夠抑制亮度不均則沒有特別限定，但其中為上述第1反射膜的開口部的大小以下較佳、比上述第1反射膜的開口部的大小還小較佳。具體上，第2反射膜的開口部的形狀為矩形狀的情形，第2反射膜的開口部的長度能夠設為0.05mm以上2mm以下。如同上述使第2反射膜的開口部的大小微細化，能夠使得第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分的圖案難以辨視，能夠進行無不均的面發光。
此外，第1反射膜的開口部的大小，例如在第1反射膜的開口部的形狀為矩形狀的情形，是指如圖8(a)所示的第1反射膜22的開口部23的長度x1。又，第2反射膜的開口部的大小，例如是指如圖8(a)所示的第2反射膜24的開口部25的中心間的長度x2。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部的形狀，例如能夠設為矩形狀、圓形狀等任意的形狀。作為第1反射膜及第2反射膜的厚度，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，適宜調整。具體上，第1反射膜及第2反射膜的厚度能夠設為0.05μm以上100μm以下。
第1反射膜及第2反射膜是形成於透明基材的面者也可以、是片狀的反射膜也可以。作為第1反射膜及第2反射膜的形成方法，若是在透明基材的面能夠以圖案狀形成反射膜的方法則沒有特別限定，例如有濺鍍法、真空蒸鍍法等。又，第1反射膜及第2反射膜為片狀的反射膜的情形，作為開口部的形成方法，例如有藉由沖孔加工等形成複數貫通孔的方法等。此時，作為透明基材及片狀的反射膜的層積方法，例如能夠使用在透明基材經由黏著層或黏著層貼合片狀的反射膜的方法。
本態樣的反射構造體的透明基材為支持上述第1反射膜及第2反射膜等的構件，又用來使第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置的構件。
透明基材具有光透過性。作為透明基材的光透過性，透明基材的全光線透過率例如為80%以上較佳，其中為90%以上較佳。 此外，透明基材的全光線透過率，例如能夠藉由以JIS K7361-1：1997為準據的方法測定。
作為構成透明基材的材料，若是具有上述全光線透過率的材料即可，例如有聚對苯二甲酸、聚碳酸酯、丙烯酸、環烯烴、聚酯纖維、聚苯乙烯、苯乙烯丙烯酸等的樹脂、或石英玻璃、Pyrex(註冊商標)、合成石英等玻璃。
作為透明基材的厚度，例如如圖8(b)所示，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以高入射角入射的光L12，從第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25出射的厚度較佳，因應第1反射膜及第2反射膜的開口部的間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜的厚度等適宜設定。具體上，透明基材的厚度的下限值能夠設為0.05mm以上，其中設為0.1mm以上較佳。另一方面，上述厚度的上限值能夠設為2mm以下，其中為0.1mm以上0.5mm以下較佳。
(反射構造體的第2態樣) 反射構造體的第2態樣，為具有透明基材、配置於透明基材的一面並具有光透過性的圖案狀的凸部、配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側的的圖案狀的第1反射膜、及配置於透明基材的一面的凸部的開口部的圖案狀的第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部在平面視上以未重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜遠離厚度方向配置者。本態樣的反射構造體的情形，在第二擴散構件中，在反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。
圖9(a)、(b)為表示本態樣的反射構造體的第2態樣的一例的概略平面圖及剖面圖，圖9(a)為從反射構造體的第1反射膜側的面看的平面圖，圖9(b)為圖9(a)的A-A線剖面圖。如圖9(a)、(b)所示，反射構造體20，具有透明基材21、配置於透明基材21的一面並具有光透過性的圖案狀的凸部26、配置與凸部26的透明基材21側的面相反的面的圖案狀的第1反射膜22、及配置於透明基材21的一面的凸部26的開口部的圖案狀的第2反射膜24。第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25，以在平面視上未重疊的方式定位。又，第1反射膜22及第2反射膜24以凸部26間隔，在厚度方向遠離配置。
在這種反射構造體中，因為層積圖案狀的第1反射膜及第2反射膜，第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部以在平面視上不重疊的方式定位，使用具有本態樣的反射構造體的擴散構件的面發光裝置(特別是LED背光)，在LED元件的正上方必存在第1反射膜22及第2反射膜24的至少一者。因此，與上述反射構造體的第1態樣一樣，例如如圖9(b)所示，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以低入射角入射的光L11，在第1反射膜22及第2反射膜24反射。
又，因為第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部以在平面視上不重疊的方式定位，第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以高入射角入射的光L12，從凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25出射。藉此，能夠使從LED元件發出之中從擴散構件的第2層側的面出射的光的一部分，並非LED元件的正上方，而是從LED元件由遠離面內方向的位置出射。因此，能夠提升亮度的面內均勻性。又，本態樣中，因為具有凸部，能夠進行第1反射膜及第2反射膜的開口部的自配向，能夠刪減製造成本。
此外，關於第1反射膜及第2反射膜的材料、第1反射膜及第2反射膜的開口部的間距、第1反射膜及第2反射膜的開口部的大小、第1反射膜及第2反射膜的開口部的形狀、第1反射膜及第2反射膜的厚度、還有第1反射膜及第2反射膜的形成方法等，能夠與上述第1態樣一樣。 又，關於透明基材，能夠與上述第1態樣一樣。
本態樣的反射構造體中的凸部為用來使上述第1反射膜及第2反射膜在厚度方向遠離配置的構件。凸部具有光透過性。作為凸部的光透過性，凸部的全光線透過率例如為80%以上較佳，其中為90%以上較佳。此外，凸部的全光線透過率，例如能夠藉由以JIS K7361-1：1997為準據的方法測定。
作為構成凸部的材料，能夠形成圖案狀的凸部，若是具有上述全光線透過率的材料即可，例如有熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等。
作為凸部的高度，例如如圖9(b)所示，能夠使對反射構造體20的第1反射膜22側的面(亦即反射構造體20(第2層)配置第1層(未圖示)之側的面13A)以高入射角入射的光L12，從凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25出射的高度較佳，因應第1反射膜及第2反射膜的開口部的間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜的厚度等適宜設定。具體上，凸部的高度的下限值能夠設為0.05mm以上，其中設為1mm以上較佳。另一方面，上述凸部的高度的上限值能夠設為2mm以下，其中0.5mm以下較佳。
關於凸部的間距、大小及平面視形狀，能夠設為與上述第2反射膜的開口部的間距、大小及形狀一樣。凸部的表面，例如如圖9(b)所示為平滑面也可以、如圖10(a)所示為粗面也可以。凸部的表面為粗面的情形，能夠對凸部賦予光擴散性。
又，作為凸部的表面的形狀，例如如圖9(b)所示為平面也可以、如圖10(b)所示為曲面也可以。凸部的表面為曲面的情形，能夠對凸部賦予光擴散性。
作為凸部的形成方法，若是能夠形成圖案狀的凸部的方法則沒有特別限定，例如有印刷法、金屬模所致的樹脂成形等。
iii)反射型繞射格子 第2層為反射型繞射格子的情形，作為反射型繞射格子，若是具有上述反射率及透過率的入射角相依性者則沒有特別限定。
作為反射型繞射格子的間距等，若得到上述反射率及透過率的入射角相依性即可，適宜調整。具體上，LED元件的輸出波長為紅色、綠色、藍色等單色的情形，設為因應各波長的間距，能夠有效地使LED元件的光反射。
作為構成反射型繞射格子的材料，若是得到具有上述反射率及透過率的入射角相依性的反射型繞射格子的材料即可，一般能夠採用用於反射型繞射格子者。又，作為反射型繞射格子的形成方法，能夠與一般的反射型繞射格子的形成方法一樣。
(3)第三擴散構件 作為第三擴散構件，例如為具有聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯等光透過性樹脂的樹脂板，有在內部存在多數空隙者、或在表面具有凹凸者，一般能夠使用在顯示裝置領域中汎用者。
(4)波長變換構件 本揭示的面發光裝置中，例如在與擴散構件的LED基板側相反的面側配置波長變換構件也可以、在擴散構件的LED基板側配置波長變換構材也可以。
波長變換構件為吸收從LED元件出射的光，含有發出激發光的螢光體的構件。波長變換構件，藉由與LED基板組合，具有生成白色光的機能。
波長變換構件通常至少具有含有螢光體及樹脂的波長變換層。 波長變換構件，例如是波長變換層單體也可以、在透明基材的一面側具有波長變換層的層積體也可以。其中，根據薄型化的點，波長變換層單體較佳。更佳為使用片狀的波長變換構件。
作為上述螢光體，能夠因應來自LED元件的發光色適宜選擇，例如有藍色螢光體、綠色螢光體、紅色螢光體、黃色螢光體等。例如，LED元件為藍色LED元件的情形，作為螢光體，使用綠色螢光體與紅色螢光體也可以、使用黃色螢光體也可以。又，例如，LED元件為紫外光LED元件的情形，作為螢光體，能夠使用紅色螢光體與綠色螢光體與藍色螢光體。
作為螢光體，例如能夠採用用於LED背光的波長變換構件的螢光體。又，將量子點作為螢光體使用也可以。波長變換構件層中的螢光體的含有量，若是能夠生成所期望的白色光的程度則沒有特別限定，能夠與一般的LED背光的波長變換構件中的螢光體的含有量一樣。
又，作為在波長變換構件含有的樹脂，若能夠使螢光體分散則沒有特別限定。作為上述樹脂，能夠與用於一般LED背光的波長變換構件的樹脂一樣，例如能夠是矽氧烷系樹脂及環氧系樹脂等的熱硬化性樹脂。
作為波長變換構件的厚度，用於面發光裝置的情形，若是能夠生成所期望的白色光的厚度則沒有特別限定，例如能夠設為10μm以上1000μm以下 。
(5)其他光學構件 本揭示的面發光裝置，例如在與擴散構件的LED基板側的面相反的面側再配置光學構件也可以。作為光學構件，例如有稜鏡片、反射型偏光片等。
a)稜鏡片 本揭示中的稜鏡片，具有將入射的光集光，使正面方向的亮度集中提升的機能。稜鏡片，例如在透明樹脂基材的一面側配置包含丙烯酸樹脂等的稜鏡圖案。作為稜鏡片，例如能夠使用3M公司製的亮度上升薄膜BEF系列。
b)反射型偏光片 本揭示中的反射型偏光片，具有僅透過第1線偏光成份(例如P偏光)，且不吸收與第1線偏光成份垂直的第2線偏光成份(例如S偏光)而反射的機能。被反射型偏光片反射的第2線偏光成份再度被反射，在偏光被解消的狀態(包含第1線偏光成份與第2線偏光成份兩者的狀態)下，再度入射至反射型偏光片。因此，反射型偏光片透過再度入射的光之中第1線偏光成份，再度反射與第1線偏光成份垂直的第2線偏光成份。
以下，藉由重複同上的過程，從上述第2層出射的光的70%～80%左右作為成為第1線偏光成份的光發光。因此，將本揭示的面發光裝置用於顯示裝置的情形，藉由使反射型偏光片的第1線偏光成份(透過軸成份)的偏光方向與顯示面板的偏光板的透過軸方向一致，來自面發光裝置的出射光在全部的顯示面板能夠利用於影像形成。因此，即便從LED元件投入的光能量相同，與未配置反射型偏光片的情形相比，能夠進行更高亮度的影像形成。
作為反射型偏光片，例如能夠使用3M公司製的亮度上升薄膜DBEF系列。又，作為反射型偏光片，例如也能夠使用Shinwha Intertek公司製的高亮度偏光片WRPS、線格柵偏光元件等。
4.用途 本揭示的面發光裝置的用途沒有特別限定，能夠適用於顯示裝置。又，也能夠使用於照明裝置等。
B.顯示裝置 本揭示提供顯示裝置，具備顯示面板、及配置於前述顯示面板的背面的上述面發光裝置。
圖11為表示本揭示的顯示裝置的一例的示意圖。如圖11例示那樣，顯示裝置100具備顯示面板31、及配置於顯示面板31的背面的本揭示的面發光裝置1。
根據本揭示，因為具有上述面發光裝置，能夠更使亮度的面內均勻性提升，並達到薄型化。因此，能夠得到高品質的顯示裝置。
1.面發光裝置 本揭示的面發光裝置與上述「A.面發光裝置」的項記載者一樣。
2.顯示面板 作為本揭示的顯示面板，沒有特別限定，例如是液晶面板。
此外，本揭示並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，與本揭示的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構造，實現同樣的作用效果者，都可以包含在本揭示的技術範圍中。 [實施例]
以下，示出關於封裝構件的實驗例，之後示出本揭示的實施例及比較例，再詳細說明本揭示。
A.實驗例 (實驗例1) 如圖1所示，製造具備具有支持基板2、及發光二極體元件3的發光二極體基板4、封裝構件A(厚度450μm)5、擴散構件A6、及波長變換構件的面發光裝置1。封裝構件A的霧度值、層構造、密度及波長450nm的透過率示於表1。以下記方法評價的亮度不均的評價結果示於表2。
使用的構件如同以下。 ・發光二極體基板 LED晶片 將B0815ACQ0(Genelite製晶片尺寸0.2mm× 0.4mm)以6mm間距在支持基板(反射率95%)上正方配置。其中，正方配置是指將LED晶片以格子狀配列的配置。 ・擴散構件A(擴散板) 55K3(Entire製) ・波長變換構件(QD) QF-6000(昭和電工Materials製)
此外，封裝構件的厚度及示於表1的光學特性，以ETFE薄膜(厚度100μm)夾入封裝構件片，測定藉由真空層合進行加熱處理後的封裝構件用試料的值。光學特性的測定，剝離ETFE薄膜僅測定封裝構件用試料。真空層合條件如同下記。
(真空層合條件) (a)真空吸引：5.0分 (b)加壓：0kPa～100kPa為止5秒加壓。 (c)壓力保持：(100kPa)：7分 (d)溫度：150℃
(實驗例2) 取代擴散構件A，除了使用下記擴散構件B以外，與實施例1一樣評價亮度不均的產生。結果顯示於表2。 ・擴散構件B 作為第1層具有稜鏡面形成於發光二極體元件側的稜鏡構造，作為第2層具有介電體多層膜的第二擴散構件
(實驗例3、4) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件B(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。此外，膚層與核心層的厚度的比例，作為膚層/核心層的情形設為0.18。上述厚度的比例，從以下所示的封裝構件D到封裝材K為止也同樣。
(實驗例5、6) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件D(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。
(實驗例7、8) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件E(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。 封裝構件E，作為膚層使用日本聚乙烯製KS340T(商品名(生物質聚乙烯含有量：0質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SEB853(商品名(生物質聚乙烯含有量：95質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為74質量%。
(實驗例9、10) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件F(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。 封裝構件F，作為膚層使用日本聚乙烯製KS340T(商品名(生物質聚乙烯含有量：0質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SLL118(商品名(生物質聚乙烯含有量：87質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為68質量%。
(實驗例11、12) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件G(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。 封裝構件G，作為膚層使用Braskem公司製SLL118 (商品名(生物質聚乙烯含有量：87質量%))，作為核心層使用住友化學公司製SumikasenL420(商品名(生物質聚乙烯含有量：0質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為19質量%。
(實驗例13、14) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件H(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。 封裝構件H，作為膚層使用Braskem公司製SLL118 (商品名(生物質聚乙烯含有量：87質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SEB853(商品名(生物質聚乙烯含有量：95質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為93質量%。
(實驗例15、16) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件I(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。此外，將膚層作為LED晶片側使用。 封裝構件I，作為膚層使用日本聚乙烯製KS340T(商品名(生物質聚乙烯含有量：0質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SEB853(商品名(生物質聚乙烯含有量：95質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為84質量%。
(實驗例17、18) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件J(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。此外，將膚層作為LED晶片側使用。 封裝構件J，作為膚層使用Braskem公司製SLL118 (商品名(生物質聚乙烯含有量：87質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SEB853(商品名(生物質聚乙烯含有量：95質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為94質量%。
(實驗例19、20) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件K(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。此外，將膚層作為LED晶片側使用。 封裝構件K，作為膚層使用日本聚乙烯製KS340T(商品名(生物質聚乙烯含有量：0質量%))，作為核心層使用Braskem公司製SLL118(商品名(生物質聚乙烯含有量：87質量%))。作為封裝構件的生物質聚乙烯的含有量為77質量%。
(對比實驗例1、2) 取代封裝構件A，除了在擴散構件與發光二極體基板之間設置插銷以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。結果顯示於表2。此時，發光二極體元件與擴散構件之間的距離為500μm。
(對比實驗例3、4) 取代封裝構件A，除了使用高透明灌封態樣的液狀矽氧組成物的Si硬化物(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。結果顯示於表2。
(對比實驗例5、6) 取代封裝構件A，除了使用表1所示的封裝構件C(厚度450μm)以外，與實施例1、2一樣評價亮度不均的產生。結果顯示於表2。
[表1]
霧度值 [%] 層構造 密度 [g/cm 3] 透過率 [%]
密封構件A 15 單層 0.901 85
密封構件B 15 2種3層 膚層:0.880 核心層:0.919 83
密封構件C 1.9 單層 0.88 90
密封構件D 4.3 2種3層 膚層: 0.880 核心層:0.919 89
密封構件E 15 2種3層 膚層: 0.880 核心層:0.923 82
密封構件F 10 2種3層 膚層: 0.880 核心層:0.916 88
密封構件G 14 2種3層 膚層: 0.916 核心層:0.919 82
密封構件H 13 2種3層 膚層: 0.916 核心層:0.923 82
密封構件I 18 2種2層 膚層: 0.880 核心層:0.923 80
密封構件J 19 2種2層 膚層: 0.916 核心層:0.923 80
密封構件K 8 2種2層 膚層: 0.880 核心層:0.916 90
[亮度不均評價方法] 就得到的面發光裝置，使用2維色彩輝度計CA2000測定LED發光時的亮度，評價亮度不均。亮度不均的指標，根據均勻性的數值如同以下判斷。
[評價基準] 均勻性=正面亮度的最小值/正面亮度的最大值 A：均勻性為0.9以上 B：均勻性為0.8以上0.9未滿 C：均勻性為0.8未滿
[表2]
支持構件 擴散構件 亮度不均評價
實驗例1 密封構件A 擴散構件A A
實驗例2 密封構件A 擴散構件B A
實驗例3 密封構件B 擴散構件A A
實驗例4 密封構件B 擴散構件B A
實驗例5 密封構件D 擴散構件A A
實驗例6 密封構件D 擴散構件B A
實驗例7 密封構件E 擴散構件A A
實驗例8 密封構件E 擴散構件B A
實驗例9 密封構件F 擴散構件A A
實驗例10 密封構件F 擴散構件B A
實驗例11 密封構件G 擴散構件A A
實驗例12 密封構件G 擴散構件B A
實驗例13 密封構件H 擴散構件A A
實驗例14 密封構件H 擴散構件B A
實驗例15 密封構件I 擴散構件A A
實驗例16 密封構件I 擴散構件B A
實驗例17 密封構件J 擴散構件A A
實驗例18 密封構件J 擴散構件B A
實驗例19 密封構件K 擴散構件A A
實驗例20 密封構件K 擴散構件B A
對比實驗例1 插銷 擴散構件A B
對比實驗例2 插銷 擴散構件B B
對比實驗例3 液化Si 擴散構件B B
對比實驗例4 液化Si 擴散構件B B
對比實驗例5 密封構件C 擴散構件A C
對比實驗例6 密封構件C 擴散構件B C
本揭示的面發光裝置(實施例1～20)，能夠抑制亮度不均的產生，另一方面取代封裝構件A設置插銷的對比實驗例1、2、使用液狀Si的硬化物的對比實驗例3、4、及使用霧度值低的封裝構件C的對比實驗例5、6中，無法抑制亮度不均的產生。
B.實施例 (實施例1) 如圖3(a)所示，準備在支持基材上配置LED裸晶片的LED基板。 作為LED裸晶片，使用0815TCQ0 S44D/45A/B/C/D-4C/4D/5A/5B(0815model)(Generites製)作為支持基板，用在樹脂製基板上層積將LED部分作為開口部進行鑽孔加工的反射片(QE59(東麗製)厚度60μm、反射率97%)者，以4mm間距配置上述LED裸晶片，製作LED基板。
在上述LED基板上如圖3(b)所示壓合封裝構件片，如圖3(b)所示製作LED裸晶片藉由封裝構件封裝的LED基板A。作為封裝構件，使用在上述實驗例使用的封裝構件B。
上述LED裸晶片的透明基材為藍寶石，折射率為1.76。又，封裝構件B的折射率為1.48。與LED裸晶片的透明基材的形成發光層的面相反側的面、及側面的封裝構件所致的被覆率為100%。 此外，被覆率的測定方法使用與「A.面發光裝置 1.LED基板 (1)LED裸晶片 a)透明基材」的項說明的方法一樣的方法。
(比較例1) 使用層積與實施例1一樣的LED裸晶片、及反射片的支持基板，形成在上述支持基板上配置上述LED裸晶片的LED基板B。
(評價) 使用藉由上述封裝構件封裝的LED基板A、及上述LED基板B，測定光的取出效率。 測定方法如同以下。 使用2維色彩亮度計CA2000(柯尼卡美能達製)從正面測定30mm決定的區域的平均亮度。從對物透鏡到基板表面的距離設為30cm。
測定的結果，光的取出效率在將LED基板B設為100%的情形，藉由封裝構件封裝的LED基板A為110%。
此外，本揭示中，例如提供以下發明。
[1] 一種面發光裝置，具備：具有支持基板、及配置於前述支持基板的單側的面側的發光二極體元件的發光二極體基板； 配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側的面，封裝前述發光二極體元件的密封構件； 前述發光二極體元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片； 前述封裝構件，接觸於與形成前述透明基材的發光層的面相反側的面、及側面； 前述封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。 [2] 如[1]記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，與前述透明基材的側面的90%以上接觸。 [3] 如[1]或[2]記載的面發光裝置，其中，前述透明基材以藍寶石(Al 2O 3)構成。 [4] 如[1]至[3]任一者記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件的厚度為50μm以上800μm以下。 [5] 如[1]至[4]任一者記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件具有熱塑性樹脂。 [6] 如[1]至[5]任一者記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，作為基底樹脂具有密度0.870g/cm 3以上0.930 g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂。 [7] 如[1]至[6]任一者記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，具有核心層、及配置於前述核心層的至少一面側的膚層。 [8] 如[1]至[7]任一者記載的面發光裝置，具有：配置於與前述封裝構件的前述發光二極體基板相反的面的擴散構件。 [9] 一種顯示裝置，具備：顯示面板； 配置於前述顯示面板的背面的如[1]至[8]任一者記載的面發光裝置。
1,10:面發光裝置 2:支持基板 3:LED元件(LED裸晶片) 4:LED基板 5:封裝構件 6:擴散構件 100:顯示裝置
[圖1]表示本揭示的面發光裝置的概略剖面圖。 [圖2]表示本揭示的LED裸晶片的一例的概略剖面圖。 [圖3]表示本揭示的封裝構件的形成方法的一例的工程圖。 [圖4]例示本揭示的面發光裝置的封裝構件的構造的概略剖面圖。 [圖5]表示第二擴散構件的一例的概略剖面圖。 [圖6]表示具備本揭示的第二擴散構件的面發光裝置的一例的概略剖面圖。 [圖7]例示透過光強度分佈的圖形。 [圖8]表示第二擴散構件的反射構造體的第1態樣的一例的概略平面圖及剖面圖。 [圖9]表示第二擴散構件的反射構造體的第2態樣的一例的概略平面圖及剖面圖。 [圖10]表示第二擴散構件的反射構造體的第2態樣的一例的概略剖面圖。 [圖11]表示本揭示的顯示裝置的一例的示意圖。 [圖12]表示從前的LED背光的概略剖面圖。
1:面發光裝置
2:支持基板
3:LED元件(LED裸晶片)
4:LED基板
5:封裝構件
6:擴散構件

Claims (9)

  1. 一種面發光裝置，具備：具有支持基板、及配置於前述支持基板的單側的面側的發光二極體元件的發光二極體基板； 配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側的面，封裝前述發光二極體元件的密封構件； 前述發光二極體元件，具有由無機材料形成的透明基材、及形成於前述透明基材的單側的面的發光層，為前述透明基材露出於表面的裸晶片； 前述封裝構件，接觸於與形成前述透明基材的發光層的面相反側的面、及側面； 前述封裝構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。
  2. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，與前述透明基材的側面的90%以上接觸。
  3. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述透明基材以藍寶石(Al 2O 3)構成。
  4. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件的厚度為50μm以上800μm以下。
  5. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件具有熱塑性樹脂。
  6. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，作為基底樹脂具有密度0.870g/cm 3以上0.930 g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂。
  7. 如請求項1記載的面發光裝置，其中，前述封裝構件，具有核心層、及配置於前述核心層的至少一面側的膚層。
  8. 如請求項1記載的面發光裝置，具有：配置於與前述封裝構件的前述發光二極體基板相反的面的擴散構件。
  9. 一種顯示裝置，具備：顯示面板； 配置於前述顯示面板的背面的如請求項1至請求項8中任一項記載的面發光裝置。
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