TW202334758A - 微影性能驗證及相關設備 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種執行一微影性能驗證測試之方法。該方法包含：獲得一或多個曝光佈局，每一曝光佈局係關於一基板上之多個曝光場之曝光；針對該一或多個曝光佈局中之每一者在包含光阻之一基板上執行一虛設曝光，該虛設曝光不使用曝光照明或具有低於該光阻之一曝光臨限值之一曝光能量的曝光照明；監測每一虛設曝光之一或多個曝光參數以獲得曝光參數資料；及自對應於每一虛設曝光之該曝光參數資料評估彼虛設曝光及/或其對應曝光佈局的微影性能。

Description

微影性能驗證及相關設備

本發明係關於處理用於生產例如半導體裝置之基板。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如遮罩)處之圖案(亦經常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為約365 nm(i線)、約248 nm、約193 nm及約13 nm。與使用例如具有約193 nm之波長之輻射的微影設備相比，使用具有在4至20 nm之範圍內(例如6.7 nm或13.5 nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

低k1微影可用以處理尺寸小於微影設備之經典解析度極限之特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD = k1×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長、NA為微影設備中之投影光學器件之數值孔徑、CD為「臨界尺寸」(通常為經印刷之最小特徵大小，但在此狀況下為半節距)且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及性能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用至微影投影設備及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於數值孔徑(NA)之最佳化、自訂照明方案、使用一或多個相移圖案化裝置、設計佈局之最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC)，或一般被定義為解析度增強技術(RET)之其他方法。另外或替代地，用於控制微影設備之穩定性之一或多個嚴格控制迴路可用以改良在低k1下之圖案之再生。

圖案於基板上之準確置放為用於減小電路組件及可藉由微影產生之其他產品之大小的主要挑戰。特定言之，準確地量測基板上已經被放置之特徵的挑戰為能夠足夠準確地對準處於疊加之特徵之順次層而以高良率生產工作裝置的關鍵步驟。一般而言，所謂的疊對應在如今之亞微米半導體裝置中在數十奈米下至最關鍵層中之幾奈米內來達成。

因此，現代微影設備涉及在實際上曝光或以其他方式圖案化處於目標部位之基板之步驟之前的廣泛量測或「映射」操作。已開發且持續開發所謂的進階對準模型以更準確地模型化及校正藉由處理步驟及/或藉由微影設備自身造成的晶圓「柵格」之非線性失真。然而，在曝光期間並非所有的失真皆可校正，且追蹤及消除儘可能多的此等失真原因仍然很重要。

微影性能取決於曝光佈局，尤其諸如：場大小、場佈局、場內佈局(例如，晶粒之數目及其配置)以及對準標記或其他特徵部位。

需要一種用於驗證微影性能之改良方法。

在本發明之一第一態樣中，提供一種執行一微影性能驗證測試之方法，該方法包含：獲得描述多個曝光佈局之曝光佈局資料，每一曝光佈局係與一基板上之多個曝光場之曝光相關； 針對該一或多個曝光佈局中之每一者在包含光阻之一基板上執行一或多個虛設曝光，該虛設曝光不使用曝光照明或具有低於該光阻之一曝光臨限值之一曝光能量的曝光照明； 監測每一虛設曝光之一或多個曝光參數以獲得曝光參數資料；及 藉由自對應於每一虛設曝光之該曝光參數資料評估彼虛設曝光及/或其對應曝光佈局的微影性能，從而識別具有一最佳及/或最差性能的曝光佈局及/或曝光參數。

在本發明之另一態樣中，提供一種電腦程式以及相關聯處理設備及微影設備，該電腦程式包含程式指令，該等程式指令可操作以在運行於一合適設備上時執行該第一態樣之該方法。

圖1示意性地描繪微影設備LA。微影設備LA包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐件(例如，遮罩台) T，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；一或多個基板支撐件(例如，晶圓台) WTa及WTb，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位基板支撐件的第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。

在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。

本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。

微影設備LA可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間-其亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之美國專利第US6,952,253B2號中給出關於浸潤技術之更多資訊。

此實例中之微影設備LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa及WTb以及兩個站--曝光站及量測站--在該兩個站之間可移動基板台。雖然一個基板台上之一個基板在曝光站EXP處曝光，但另一基板可在例如量測站MEA處或在另一部位(圖中未繪示)處被裝載至另一基板台上，或可在量測站MEA處加以處理。具有基板之基板台可位於量測站MEA處使得可進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度，及/或使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。由於產生標記之不準確性且亦由於基板在其整個處理中發生之變形，標記集合可在平移及旋轉後經歷更複雜的變換。因此，若設備LA將以高準確度在正確部位處印刷產品特徵，則除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦可詳細量測橫越基板區域之許多標記的位置。因此，對準標記之量測可為耗時的，且提供兩個基板台會實現設備之產出量之相當大的增加。若在基板台處於量測站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。本發明之一實施例可應用於僅具有一個基板台或具有多於兩個基板台之設備中。

除了具有一或多個基板支撐件以外，微影設備LA亦可包含量測載物台(圖中未繪示)。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如遮罩) MA上，且係由該圖案化裝置而圖案化。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉裝置、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa/WTb，例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器((其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自遮罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa/WTb之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。儘管如所繪示之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化裝置MA上之情形中，圖案化裝置對準標記可位於該等晶粒之間。

該設備進一步包括控制微影設備之各種致動器及感測器(諸如所描述致動器及感測器)之所有移動及量測的微影設備控制單元LACU。控制單元LACU亦包括用以實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置設備內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於基板定位器PW之伺服控制。分開之單元可甚至處置粗略及精細致動器，或不同軸線。另一單元可能專用於位置感測器IF之讀出。設備之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作員通信，且與微影製造過程中涉及之其他設備通信。

如圖2中所展示，微影設備LA可形成微影單元LC (有時亦被稱作微影單元(lithocell)或(微影)叢集)之部分，微影單元LC亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之設備。通常，此等設備包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度，例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑的一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同處理設備之間移動基板W且將基板W遞送至微影設備LA之裝載區LB。微影單元中常常亦被集體地稱作塗佈顯影系統之裝置通常係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影設備LA。

為了正確且一致地曝光由微影設備LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，一或多個檢測工具(圖中未繪示)可包括於微影單元LC中。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。

亦可被稱作度量衡設備或度量衡工具之檢測設備MET用以判定基板W之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板W之一或多個屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯之一或多個屬性如何在層與層之間變化。該檢測設備可經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影單元LC之部分，或可整合至微影設備LA中，或可甚至為單機裝置。該檢測設備可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之一或多個屬性，或半潛影(在曝光後烘烤步驟之後在抗蝕劑層中之影像)上之一或多個屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之一或多個屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之一或多個屬性。

當前，當硬體(包括諸如晶圓之消耗品)及/或軟體改變實施於微影設備(下文被稱作掃描器)上時，執行若干性能/驗證測試以驗證及評估掃描器在改變之後的性能。此可包含評估一或多個特定曝光佈局之性能及識別較佳及/或不良執行之曝光佈局。此等測試通常包含根據該(等)曝光佈局對晶圓執行特定曝光及量測經曝光晶圓。此等曝光花費大量時間及金錢，此係因為晶圓係昂貴的且曝光及量測時間相當多。此情形對可曝光之晶圓之數目有實務限制，此限制了可執行之測試之數目。因為僅存在可實際上執行之有限數目個測試，所以不大可能測試及考量可能出現之所有最佳及/或最壞狀況性能情境。因此，掃描器可能無法正常運行。另外，使用者可在製造期間使用例如與測試曝光佈局不同的曝光佈局。

因此，提議解決以上問題之不同驗證策略。此方法包含根據多個不同曝光佈局對塗佈有光阻之基板執行類似類型之曝光測試，但使用掃描器曝光輻射之能量或強度不足以用於光阻之曝光。此類虛設曝光可在無曝光能量的情況下執行，或在極小曝光能量(例如，遠低於抗蝕劑之曝光敏感度臨限值)的情況下執行。當掃描器經組態為除非經設定為輸出至少一些曝光能量否則不操作時，可使用後一選項。

此虛設曝光測試可包含根據曝光佈局以與正常曝光相同之方式，除在所使用之曝光能量(其可為零、標稱或至少低於抗蝕劑之曝光臨限值)方面之外，遍及整個晶圓(或其部分)執行虛設曝光。所有其他控制態樣(在可能時)應與正常曝光相同(例如，尤其：所有載物台之載物台控制、透鏡控制、曝光持續時間、對準量測等)。

在虛設曝光期間，可監測一或多個曝光參數(例如，掃描器、倍縮光罩、晶圓或與曝光相關之別的物件的參數)，且將所得曝光參數資料輸入至模型中以判定經預測(經模型化)性能參數(例如，以下各者中之一或多者：邊緣置放、對比度、疊對、焦點、缺陷度或指示性能之任何其他參數)且因此評估曝光性能。

以此方式，可執行許多虛設晶圓曝光，以便驗證大量不同曝光佈局(例如其可包括不同標記/特徵置放)，全部使用單個晶圓(或針對每一晶圓類型之單個晶圓或諸如晶圓厚度之晶圓參數)，且無需後續度量衡。此測試之優點在於，其識別出具有最佳及/或最差性能佈局(包括標記/特徵置放)，同時顯著減少了測試時間。亦可在後續測試中經由真實曝光及讀出來測試(檢驗)此類經識別之最佳及/或最差佈局。

因而，因為可多次使用測試晶圓，所以存在測試晶圓上之多個情境及更多測試部位的可能性，且因此可識別出更多問題區域及/或情境。一旦識別出問題區域，亦存在在此等問題區域處及/或對於此等問題區域執行真實曝光的可能性。以此方式，可最佳化掃描器組態。

作為特定實例，驗證測試可用於評估在特定機器上使用諸如厚晶圓之特定晶圓的影響。在此實例中，特定晶圓之成本較高且可用的極少。因為存在此情形，所以若使用目前驗證測試，則僅極有限數目次曝光係可能的，此係因為對於較多曝光存在不足的測試晶圓。所提議方法將允許執行更多(例如，幾乎不限制數目)次虛設曝光，以驗證用於此特定或厚晶圓之曝光佈局。

曝光參數可包括在曝光期間改變之任何參數。此等參數可尤其包括：所有伺服相關參數、所有力、移動及位置資料(例如，位置、速度、力及加速度(平行於基板平面及/或垂直於基板平面)、任何溫度(包括倍縮光罩溫度、晶圓溫度、水溫度(例如，在浸潤應用中)或其他流體溫度)、任何流體流動或壓力。適用時，此等曝光參數可係關於載物台(例如倍縮光罩載物台及晶圓載物台)中之任一者、任何透鏡(例如透鏡參數，諸如透鏡過壓、透鏡冷卻水、透鏡溫度)、晶圓、倍縮光罩、任何浸潤液體、任何其他流體、環境條件(氣壓/溫度等)或掃描器之任何其他組件(例如柵格板，或更具體言之柵格板之移動或加速度)。在掃描器為諸如圖1中所繪示之雙載物台掃描器的情況下，曝光參數可係關於量測側曝光參數及/或曝光側曝光參數。

曝光佈局可描述以下各者中之一或多者：場大小、場佈局、場內佈局(例如晶粒之數目及其在場內之配置)及對準標記或其他特徵部位。

藉助於另一特定實例，已知由量測側上之(例如，晶圓載物台)移動造成的壓力波影響曝光側上之透鏡，此又影響抗蝕劑上之曝光性能。因而，曝光參數可包含與此等壓力波相關之壓力度量。US2005139790A1及US10551746B2描述在控制方法中在微影設備內及/或透鏡元件上方使用壓力波之方法；此等文件以引用方式併入本文中。因而，曝光參數可包含與微影設備內及/或微影設備中之透鏡元件上方之此等壓力波相關的壓力度量。

理想地，所有可用曝光參數可用於評估曝光性能。然而，歸因於大量可用參數及將必然伴有之巨大資料量，可在進行此操作時存在實際限制。因此，方法可包含用以識別重要或關鍵曝光參數之智慧型追蹤步驟。此類關鍵曝光參數可包含自專家知識已知為重要的參數，及/或可包括經由初始步驟判定為重要的參數。舉例而言，此可包含在虛設曝光運行期間監測所有曝光參數信號。曝光參數信號可基於其在測試期間之變化程度來選擇(例如，具有高於臨限值之方差的彼等曝光參數信號或具有最高方差的多個信號)。替代地或另外，可選擇已知或經判定為對經模型化之性能參數有相當大影響的曝光參數信號。此情形自藉由模型化信號及/或經由專家知識而已知的模型可為顯而易見的。

亦可基於如何評估曝光性能(例如，模型化哪一(哪些)性能參數)來選擇關鍵曝光參數。作為簡單實例，當經模型化之性能參數為疊對時，基板平面平行(x/y)曝光參數將較相關，且當經模型化之性能參數為焦點時，基板平面垂直(z)曝光參數將較相關。

一旦已獲得特定測試之曝光參數資料，就可將該曝光參數資料輸入至已經訓練及/或經組態以使曝光參數資料與掃描器之性能相關的模型(例如，機器學習或其他以數學或物理為基礎之模型)中。以此方式，該模型可自該曝光參數資料推斷用於一或多個性能參數之性能參數資料。

所提議方法之特定益處為測試不限於(通常標準)測試佈局。可包括(例如，應用代表性)佈局及特徵位置之大的集區，且可謹慎地模擬性能以便識別最佳及最差性能。

概念可經進一步擴展以對實際產品及特徵佈局執行此類虛設曝光測試。

亦應瞭解，根據目前驗證測試方法，標記(或特徵)位置相依性難以評估，此係因為對於每一性能測試(疊對、成像、焦點)倍縮光罩上可用的標記範圍有限。在使用本文中所揭示之虛設曝光測試方法的情況下，有可能運用(極)緻密標記群體來模擬倍縮光罩(實際倍縮光罩圖案並不重要，此係因為不執行實際曝光)且識別佈局將提供最佳及/或最差性能的標記位置。可遍及緻密(經模擬)標記位置重新取樣所追蹤之曝光參數，且可評估機器之性能。

除了識別較佳或不良佈局選項以外(或作為識別較佳或不良佈局選項之替代方案)，該等方法亦可在以其他方式可接受之佈局中識別出問題區域(例如，問題場或晶粒)，使得可在控制在製造設定中之曝光時考慮問題區域(例如，以輔助判定校正策略以減輕問題區域之影響)。虛設曝光測試亦可識別某些效應(例如，向上掃描-向下掃描效應等)，因此實現此等效應之較佳校正。

此虛設曝光測試比目前驗證測試便宜得多，且亦使得能夠改良對新產品性能之理解。以曝光及讀出為基礎之驗證測試就時間以及材料而言係昂貴的。相比之下，虛設曝光測試僅花費幾分鐘，使得有可能量化巨大範圍之佈局。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。在彼方面，根據所製造產品之類型，經處理「基板」可為半導體晶圓，或其可為其他基板。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成圖案化裝置檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部件。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之輻射，包括紫外線輻射(例如具有365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線輻射(extreme ultra-violet radiation；EUV，例如具有在約5至100 nm之範圍內之波長)。

如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射，二元、相移、混合式等)之外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影可用於其他應用(例如壓印微影)中。

如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整設備(例如微影設備)、製程等使得結果及/或製程具有更合乎需要的特性，諸如設計圖案於基板上之較高投影準確度、較大製程窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。

可以任何方便形式來實施本發明之態樣。舉例而言，一實施例可由一或多個適當電腦程式實施，該一或多個適當電腦程式可在可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上進行。可使用可特定採取可程式化電腦之形式的合適設備來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文所描述之方法之電腦程式。

在方塊圖中，所繪示之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所繪示來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同之方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、分解、分配(例如，在資料中心內或按地區)，或以另外不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦之一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此狀況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如，內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊提供該資訊。

除非另外特定陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算」、「計算」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或類似專用電子處理/運算裝置之特定設備的動作或製程。

讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個分開的專利申請案，此係因為該等發明之相關主題在應用製程中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例解決本文中所提及之所有缺陷，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。類似地，歸因於空間約束，本發明文件之[發明摘要]及[發明內容]章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。

應理解，本說明書及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而正相反，意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。

鑒於本說明書，本發明之各種態樣之修改及替代實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。因此，本說明書及圖式應被理解為僅為繪示性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示且描述之本發明之形式應被視為實施例的實例。元件及材料可替代本文中所繪示及描述之元件及材料，部分及製程可被反轉或被省略，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本說明書之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題係僅出於組織之目的，且不意欲用以限制本說明書之範疇。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為繪示性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

AS:對準感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 DE:顯影器 EXP:曝光站 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IF:位置感測器 IL:照明系統/照明器 LA:微影設備 LACU:微影設備控制單元 LB:裝載區 LC:微影單元 LS:位階感測器 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MEA:量測站 MET:檢測設備 MT:支撐件/支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:基板處置器或機器人 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板 WTa:基板支撐件/基板台 WTb:基板支撐件/基板台

現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中：

圖1描繪微影設備之示意性綜述；及

圖2描繪微影單元之示意性綜述。

AS:對準感測器

B:輻射光束

BD:光束遞送系統

C:目標部分

EXP:曝光站

IF:位置感測器

IL:照明系統/照明器

LA:微影設備

LACU:微影設備控制單元

LS:位階感測器

M1:圖案化裝置對準標記

M2:圖案化裝置對準標記

MA:圖案化裝置

MEA:量測站

MT:支撐件/支撐結構

P1:基板對準標記

P2:基板對準標記

PM:第一定位器

PS:投影系統

PW:第二定位器

SO:輻射源

W:基板

WTa:基板支撐件/基板台

WTb:基板支撐件/基板台

Claims (18)

1. 一種執行一微影性能驗證測試之方法，該方法包含： 獲得描述多個曝光佈局之曝光佈局資料，每一曝光佈局係關於一基板上之多個曝光場之曝光； 針對該一或多個曝光佈局中之每一者在包含光阻之一基板上執行一或多個虛設曝光，該虛設曝光不使用曝光照明或具有低於該光阻之一曝光臨限值之一曝光能量的曝光照明； 監測每一虛設曝光之一或多個曝光參數以獲得曝光參數資料；及 藉由自對應於每一虛設曝光之該曝光參數資料評估彼虛設曝光及/或其對應曝光佈局的微影性能，從而識別具有一最佳及/或最差性能的曝光佈局及/或曝光參數。
2. 如請求項1之方法，其中該曝光佈局資料之每一曝光佈局描述以下曝光佈局參數中之一或多者：場大小、場佈局、場內佈局，及對準標記或其他特徵之數目及部位。
3. 如請求項1或2之方法，其中該一或多個曝光參數包含在曝光期間改變之一或多個參數。
4. 如請求項1或2之方法，其中曝光參數包含以下各者中之一或多者：任何伺服相關參數、任何力參數、任何移動參數、任何位置參數、任何溫度參數、任何流動參數，及該虛設曝光及/或用以執行該虛設曝光之一微影設備的任何壓力參數。
5. 如請求項1或2之方法，其中曝光參數係關於以下各者中之任一或多者：一基板載物台、一倍縮光罩載物台、該基板、任何透鏡、任何流體、一柵格板及用以執行該虛設曝光之一微影設備之一浸潤罩。
6. 如請求項1或2之方法，其中該評估微影性能包含將該曝光參數資料輸入至一模型中，該模型經訓練或經組態以自該曝光參數資料推斷用於一或多個性能參數之性能參數資料。
7. 如請求項6之方法，其中該等性能參數包含以下各者中之一或多者：邊緣置放、對比度、疊對、焦點或缺陷度。
8. 如請求項6之方法，其包含基於以下各者中之一或多者而選擇該一或多個曝光參數： 該曝光參數對該性能參數之影響；及 判定該特定一或多個性能參數。
9. 如請求項1或2之方法，其包含基於以下各者中之一或多者來選擇該一或多個曝光參數： 專家知識； 在該虛設曝光測試期間之該曝光參數的方差。
10. 如請求項1或2之方法，其中該評估微影性能包含自該一或多個曝光佈局識別較佳曝光佈局及/或非較佳曝光佈局。
11. 如請求項1或2之方法，其中該執行一虛設曝光包含運用具有一緻密對準標記群體之一倍縮光罩來模擬該曝光；且該評估步驟包含評估針對該等曝光佈局中之一或多者之對準標記定位。
12. 如請求項1或2之方法，其中該評估微影性能包含識別該一或多個曝光佈局中之至少一者中的一或多個問題區域或曝光效應。
13. 如請求項12之方法，其包含判定一校正策略以減輕該一或多個問題區域或曝光效應之影響。
14. 如請求項1或2之方法，其包含針對同一該基板上之不同曝光佈局重複執行該執行一虛設曝光、監測步驟及評估步驟。
15. 一種電腦程式，其包含可操作以在經執行於一合適設備上時執行如請求項1至14中任一項之方法的程式指令。
16. 一種非暫時性電腦程式載體，其包含如請求項15之電腦程式。
17. 一種處理配置，其包含： 如請求項16之非暫時性電腦程式載體；及 一處理器，其可操作以運行包含於該非暫時性電腦程式載體上之該電腦程式。
18. 一種微影設備，其包含如請求項17之處理配置。