TW202330431A - 用於製造紋理化玻璃製品之蝕刻劑 - Google Patents

用於製造紋理化玻璃製品之蝕刻劑 Download PDF

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陳玲
陳旺輝
江蔚 馮
羅伯特蘭德爾 漢考克二世
宇輝 金
艾澤 李
萌 尚
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Abstract

一種蝕刻劑包括：大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物；大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇。此矽化合物包括矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合。

Description

用於製造紋理化玻璃製品之蝕刻劑
本案主張2022年10月17日提出的中國申請案序列號202211271275.X的優先權權益，及主張2022年4月7日提出的美國臨時申請案序列號63/328,465與2021年12月15日提出的美國臨時申請案序列號63/289,782的優先權權益，其各自的內容在此被依賴且藉由參照其全文的方式被併入。
本說明書大體上關於蝕刻劑，及更具體地關於用於製造紋理化玻璃製品之蝕刻劑，紋理化玻璃製品具有在其上方的表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性。
鋁矽酸鹽玻璃製品可展現優越的離子可交換性及落下效能。包括消費者電子產業的各種產業期望具有相同或類似強度與破裂韌性性質的反射材料。然而，習知的紋理化蝕刻劑不會產生在特定鋁矽酸鹽玻璃製品上的必要以實現所期望外觀的表面特徵的覆蓋性及微均勻性。
因此，存在著對於產生具有在鋁矽酸鹽玻璃製品上的表面特徵之足夠的覆蓋性及微均勻性的鋁矽酸鹽玻璃製品的替代蝕刻劑的需求。
根據第一態樣A1，一種蝕刻劑可包含：大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合；大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇。
第二態樣A2包括根據第一態樣A1的蝕刻劑，其中多元醇包含新戊四醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、二伸乙甘醇、二丙烯甘醇、三羥甲丙烷、甘油、或前述物的組合。
第三態樣A3包括根據第一態樣A1或第二態樣A2的蝕刻劑，其中二氟化銨及矽化合物的總和對於氫氯酸、水、及多元醇的總和之重量比從0.3至0.9。
第四態樣A4包括根據第一至第三態樣A1-A3任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
第五態樣A5包括根據第四態樣A4的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.75 wt%及小於或等於6 wt%的矽化合物。
第六態樣A6包括根據第一至第五態樣A1-A5任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的多元醇。
第七態樣A7包括根據第六態樣A6的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於1.5 wt%及小於或等於10 wt%的多元醇。
第八態樣A8包括根據第一至第七態樣A1-A7任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%的二氟化銨。
第九態樣A9包括根據第八態樣A8的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的二氟化銨。
第十態樣A10包括根據第一至第九態樣A1-A9任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%的氫氟酸。
第十一態樣A11包括根據第十態樣A10的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氫氟酸。
第十二態樣A12包括根據第一至第十一態樣A1-A11任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%的水。
第十三態樣A13包括根據第一態樣A1的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含：大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的二氟化銨；大於或等於0.5 wt%及小於或等於4 wt%的矽凝膠；大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%的氫氯酸；大於或等於35 wt%及小於或等於55 wt%的水；及大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的甘油。
第十四態樣A14包括根據第一至第十三態樣A1-A13任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑進一步包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨。
第十五態樣A15包括根據第一至第十四態樣A1-A14任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑進一步包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%的鉀鹽的鈉鹽的至少一者。
根據第十四十六態樣A16，一種形成紋理化玻璃製品的方法可包含：將鋁矽酸鹽玻璃製品浸沒在蝕刻劑中，蝕刻劑包含：大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合；大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇；及將蝕刻劑中的鋁矽酸鹽玻璃製品循環在上浸沒深度與下浸沒深度之間持續一循環時間，下浸沒深度比上浸沒深度更深。
第十七態樣A17包括根據第十六態樣A16的方法，其中以大於或等於5 cm/秒及小於或等於30 cm/秒的速度執行循環。
第十八態樣A18包括根據第十六態樣A16或第十七態樣A17的方法，其中蝕刻劑的溫度大於10 °C及小於或等於30 °C。
第十九態樣A19包括根據第十六至第十八態樣A16-A18任一者的方法，其中循環時間大於或等於60秒及小於或等於600秒。
第二十態樣A20包括根據第十六至第十九態樣A16-A19任一者的方法，其中多元醇包含新戊四醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、二伸乙甘醇、二丙烯甘醇、三羥甲丙烷、甘油、或前述物的組合。
第二十一態樣A21包括根據第十六至第二十態樣A16-A20任一者的方法，其中二氟化銨及矽化合物的總和對於氫氯酸、水、及多元醇的總和之重量比從0.3至0.6。
第二十二態樣A22包括根據第十六至第二十一態樣A16-A21任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
第二十三態樣A23包括根據第十六至第二十二態樣A16-A22任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於1 wt%及小於或等於17 wt%的多元醇。
第二十四態樣A24包括根據第十六至第二十三態樣A16-A23任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%的二氟化銨。
第二十五態樣A25包括根據第十六至第二十四態樣A16-A24任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%的氫氯酸。
第二十六態樣A26包括根據第十六至第二十五態樣A16-A25任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%的水。
第二十七態樣A27包括根據第十六至第二十六態樣A16-A26任一者的方法，其中蝕刻劑進一步包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨。
第二十八態樣A28包括根據第十六至第二十七態樣A16-A27任一者的方法，其中蝕刻劑進一步包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%的鉀鹽的鈉鹽的至少一者。
第二十九態樣A29包括根據第十六至第二十八態樣A16-A28任一者的方法，其中鋁矽酸鹽玻璃製品包含大於或等於14 mol%的Al 2O 3。
第三十態樣A30包括根據第十六至第二十九態樣A16-A29任一者的方法，其中鋁矽酸鹽玻璃製品包含：大於或等於50 mol%及小於或等於70 mol%的SiO 2；大於或等於10 mol%及小於或等於22 mol%的Al 2O 3；大於或等於0.5 mol%及小於或等於5 mol%的P 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於10 mol%的B 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的MgO；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的ZnO；大於或等於3 mol%及小於或等於12 mol%的Li 2O；大於或等於4 mol%及小於或等於15 mol%的Na 2O；大於或等於0 mol%及小於或等於2 mol%的K 2O；及大於或等於0 mol%及小於或等於1 mol%的TiO 2。
第三十一態樣A31包括根據第十六至第三十態樣A16-A30任一者的方法，其中紋理化玻璃製品包含從第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，複數個多面狀表面特徵的每一者包含在第一表面上的基底、從第一表面延伸的複數個刻面、在基底處的表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm、及表面特徵高度大於或等於10 µm及小於或等於40 µm，其中每個多面狀表面特徵的複數個刻面朝向彼此會合。
第三十二態樣A32包括根據第十六至第三十態樣A16-A30任一者的方法，其中紋理化玻璃製品包含從第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，複數個多面狀表面特徵的每一者包含在第一表面上的基底、從第一表面延伸的複數個刻面、在基底處的表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm、及表面特徵高度大於或等於8 µm及小於或等於40 µm，其中每個多面狀表面特徵的複數個刻面朝向彼此會合。
第三十三態樣A33包括根據第三十一態樣A31或第三十二態樣A32的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含三角錐、四角錐、或前述物的組合。
第三十四態樣A34包括根據第三十一至第三十三態樣A31-A33任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於13°及小於或等於20°的刻面角度。
第三十五態樣A35包括根據第三十一至第三十四態樣A31-A34任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於2 µm及小於或等於7 µm的表面粗糙度。
第三十六態樣A36包括根據第三十一至第三十四態樣A31-A34任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於1 µm及小於或等於7 µm的表面粗糙度。
第三十七態樣A37包括根據第三十一至第三十六態樣A31-A36任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於80%及小於或等於95%的穿透性。
第三十八態樣A38包括根據第三十一至第三十七態樣A31-A37任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於95%及小於或等於100%的穿透霧度。
第三十九態樣A39包括根據第三十一至第三十八態樣A31-A38任一者的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含大於或等於80%及小於或等於100%的穿透霧度。
第四十態樣A40包括根據第三十一至第三十九態樣A31-A39任一者的方法，其中紋理化玻璃製品具有複數個多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性。
根據第四十一態樣A41，一種蝕刻劑可包含：大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合；大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的黏度添加劑。
第四十二態樣A42包括根據第四十一態樣A41的蝕刻劑，其中黏度添加劑包含糖、葡萄糖酸金屬、聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))、或前述物的組合。
第四十三態樣A43包括根據第四十一態樣A41或第四十二態樣A42的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
第四十四態樣A44包括根據第四十三態樣A43的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%的矽化合物。
第四十五態樣A45包括根據第四十一至第四十四態樣A41-A44任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的黏度添加劑。
第四十六態樣A46包括根據第四十五態樣A45的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%的黏度添加劑。
第四十七態樣A47包括根據第四十一至第四十六態樣A41-A46任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%的氟化銨。
第四十八態樣A48包括根據第四十七態樣A47的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨。
第四十九態樣A49包括根據第四十一至第四十八態樣A41-A48任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%的硫酸。
第五十態樣A50包括根據第四十九態樣A49的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於20 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸。
第五十一態樣A51包括根據第四十一至第五十態樣A41-A50任一者的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於60 wt%的水。
第五十二態樣A52包括根據第四十一態樣A41的蝕刻劑，其中蝕刻劑包含：大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於2 wt%的六氟矽酸銨；大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸；大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.1 wt%及小於或等於4 wt%的葡萄糖酸鈉與聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))中的至少一者。
根據第五十三態樣A53，一種形成紋理化玻璃製品的方法可包含：將鋁矽酸鹽玻璃製品浸沒在蝕刻劑中，蝕刻劑包含：大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合；大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的黏度添加劑；及將蝕刻劑中的鋁矽酸鹽玻璃製品循環在上浸沒深度與下浸沒深度之間持續一循環時間，下浸沒深度比上浸沒深度更深。
第五十四態樣A54包括根據第五十三態樣A53的方法，其中以大於或等於3 cm/秒及小於或等於30 cm/秒的速度執行循環。
第五十五態樣A55包括根據第五十三態樣A53或第五十四態樣A54的方法，其中蝕刻劑的溫度大於10 °C及小於或等於30 °C。
第五十六態樣A56包括根據第五十三至第五十五態樣A53-A55任一者的方法，其中循環時間大於或等於30秒及小於或等於600秒。
第五十七態樣A57包括根據第五十三至第五十六態樣A53-A56任一者的方法，其中黏度添加劑包含糖、葡萄糖酸金屬、聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))、或前述物的組合。
第五十八態樣A58包括根據第五十三至第五十七態樣A53-A57任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
第五十九態樣A59包括根據第五十三至第五十八態樣A53-A58任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的黏度添加劑。
第六十態樣A60包括根據第五十三至第五十九態樣A53-A59任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%的氟化銨。
第六十一態樣A61包括根據第五十三至第六十態樣A53-A60任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%的硫酸。
第六十二態樣A62包括根據第五十三至第六十一態樣A53-A61任一者的方法，其中蝕刻劑包含大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%的水。
第六十三態樣A63包括根據第五十三至第六十二態樣A53-A62任一者的方法，其中鋁矽酸鹽玻璃製品包含大於或等於14 mol%的Al 2O 3。
第六十四態樣A64包括根據第五十三至第六十三態樣A53-A63任一者的方法，其中鋁矽酸鹽玻璃製品包含：大於或等於50 mol%及小於或等於70 mol%的SiO 2；大於或等於10 mol%及小於或等於22 mol%的Al 2O 3；大於或等於0.5 mol%及小於或等於5 mol%的P 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於10 mol%的B 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的MgO；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的ZnO；大於或等於3 mol%及小於或等於12 mol%的Li 2O；大於或等於4 mol%及小於或等於15 mol%的Na 2O；大於或等於0 mol%及小於或等於2 mol%的K 2O；及大於或等於0 mol%及小於或等於1 mol%的TiO 2。
第六十五態樣A65包括根據第五十三至第六十四態樣A53-A64任一者的方法，其中紋理化玻璃製品包含從第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，複數個多面狀表面特徵的每一者包含在第一表面上的基底、從第一表面延伸的複數個刻面、在基底處的表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm，其中每個多面狀表面特徵的複數個刻面朝向彼此會合。
第六十六態樣A66包括根據第六十五態樣A65的方法，其中複數個多面狀表面特徵包含三角錐、四角錐、或前述物的組合。
第六十七態樣A67包括根據第六十三至第六十六態樣A63-A66任一者的方法，其中紋理化玻璃製品具有複數個多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性。
本文所述的蝕刻劑的額外特徵與優點將在之後的實施方式中說明及部分地從說明書或藉由實行本文所述的實施例，包括之後的實施方式、申請專利範圍、及隨附圖式所認知的，對於本領域的通常知識者會是顯而易見的。
將理解到前面的概略說明及後面的詳細說明兩者說明各種實施例且意於提供用於理解所請求的申請標的之本質與特性的概觀或架構。隨附圖式被包括以提供進一步理解各種實施例且被併入與構成本說明書的一部分。圖式繪示本文所述的各種實施例，及與說明書一同作為解釋所請求的申請標的之原理與操作。
現在將詳細地參照用於形成其上具有多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性的紋理化玻璃製品的蝕刻劑的各種實施例。根據實施例，一種蝕刻劑包含：大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物；大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸；大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇。矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合。
根據其他實施例，一種蝕刻劑包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物；大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸；大於或等於25 wt%及小於或等於75 wt%的水；及大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的黏度添加劑。矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合。
各種實施例的蝕刻劑與形成紋理化玻璃製品的方法將在此明確地參照隨附圖式來說明。
範圍在此可被表示為從「約」一特定數值，及/或至「約」另一特定數值。當此種範圍被表示時，另一實施例包括從此一特定數值及/或至此另一特定數值。類似地，當數值藉由使用前綴語「約」被表示為約略值時，將理解到此特定數值形成另一實施例。將進一步理解到範圍的每一者的端點在關於其他端點及獨立於其他端點兩者上是重要的。
在此使用的指向用語-例如，上、下、右、左、前、後、頂、底-是僅參照所描繪的圖示所得的，且不意於暗示絕對定向。
除非另外明確地敘明，絕不意於本文所述的任何方法被解釋為需要其步驟以特定順序來執行，或要求特定定向的任何設備。因此，當方法請求項並未確實地描述其步驟所依循的順序，或任何設備請求項並未確實地描述對於個別部件的順序或定向，或並未另外在申請專利範圍或說明書中明確敘明步驟受限於特定順序，或設備的部件的特定順序或定向並未被敘明，則絕不意指在任何態樣中推斷順序或定向。此狀態適用於對於解釋的任何可能的非敘明基礎，包括：關於步驟的佈置、操作流程、部件的順序、或部件的定向的邏輯事項；由文法結構或標點所衍生的直白意義，及本說明書中所述的實施例的數目或類型。
在此使用時，除非上下文清楚地另外指明，單數形式「一(a)」、「一(an)」與「該」包括複數的指示物。因此，除非上下文清楚地另外指明，例如，參照「一」部件包括具有兩個或更多個此部件的態樣。
在本文所述的鋁矽酸鹽玻璃製品的實施例中，除非另外指明，則組成成分(例如，SiO 2、Al 2O 3、及類似物)的濃度被指明為在氧化物基礎上的莫耳百分率(mol%)。
如本文所述，光學顯微鏡影像是使用Nikon Eclipse L200N光學顯微鏡，以10x物鏡及來自目鏡的10x倍數用於總放大率為100x而獲得的。
如本文所述，「表面特徵尺寸」是使用在200x放大率的光學顯微鏡來測量的。影像是以兩個不同的500 µm x 1000 µm掃描區域來獲得的。在每個影像中，測量跨越10個最大的表面特徵的基底的橫截面的最大距離。「表面特徵尺寸」指稱跨越來自兩個掃描區域的20個表面特徵的基底的截面之平均最大距離。例如，對於具有三角形基底的表面特徵，跨越基底的截面的最大距離是三角形基底的高度。對於具有矩形基底的表面特徵，跨越基底的截面的最大距離是跨越基底的對角線測量。
如本文所述，「表面特徵高度」指稱在表面特徵的基底與表面特徵的最上處頂點之間的平均多面狀表面特徵距離。
如本文所述，「刻面角度」指稱在正交於鋁矽酸鹽玻璃製品的第一表面之表面及此刻面之間的平均多面狀表面角度。刻面角度是藉由表面特徵的反正切(高度/半長度)來量測。如本文所使用，「三角錐刻面角度」指稱呈現在鋁矽酸鹽玻璃製品上的三角錐的平均刻面角度。如本文所使用，「四角錐刻面角度」指稱呈現在鋁矽酸鹽玻璃製品上的四角錐的平均刻面角度。
如本文所述，「表面粗糙度」指稱藉由如藉由Mitutoyo SJ-310表面粗糙度計且按照ISO1997所測量的被記錄在評估長度內之偏離中線的輪廓高度的絕對值的算術平均而量化的紋理化玻璃製品的表面紋理。除非另外明確敘明，本文所記述的數值被記述為微米或µm。
如本文所述，「穿透性」指稱在給定的波長範圍內穿透的入射光的平均比率。如本文所述，除非另外指明，「穿透性」是按照ASTM D1003用BYK Hazeguard以波長範圍為380 nm至720 nm於厚度為0.8 mm來測量的。
如本文所述，「穿透霧度」指稱在離法線大於2.5° 的角度散射的穿透光對於在全穿透上的所有穿透光的比率。如本文所述，除非另外指明，穿透霧度是按照ASTM D1003用CIE-C標準光源以波長範圍為380 nm至720 nm於厚度為0.8 mm來測量的。
當在此用於敘述紋理化玻璃製品的複數個多面狀表面特徵時，「足夠的覆蓋性」指稱多面狀表面特徵覆蓋紋理化玻璃製品的大於或等於90%的主表面。
當在此用於敘述紋理化玻璃製品的複數個多面狀表面特徵時，「微均勻性」指稱個別的特徵尺寸不變動超過20%。
當用於敘述紋理化玻璃製品上的表面特徵的結構時，「多面狀」指稱具有平坦多邊形面與直線邊緣的三維形狀。
當用於敘述紋理化玻璃製品上的表面特徵的結構時，「樹枝狀」指稱分支結構。
蝕刻劑已經被用以在玻璃製品上實現紋理化表面。包括表面特徵的結構、尺寸、覆蓋性、及微均勻性的紋理化表面的性質會影響紋理化玻璃製品的外觀(例如，反射性或「發光效應(glowing effect)」)。由於它們的平坦多邊形面及直線邊緣，多面狀表面特徵相較於樹枝狀表面特徵可實現較佳的「發光效應」。雖然習知的紋理化蝕刻劑可造成多面狀表面特徵，此類蝕刻劑不會造成實現所期望的外觀所必要的多面狀表面特徵的覆蓋性與微均勻性。
本文所揭示的是緩和前述的問題之蝕刻劑及形成紋理化玻璃製品的方法，使得鋁矽酸鹽玻璃可被處理以在其上具有多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性。明確地，為了實現表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性以產生期望的「發光效應」，本文所述的蝕刻劑被製備，使得蝕刻劑優先地產生矽系沉澱物及最小化鋁系沉澱物的數量。矽系沉澱物(例如，氟矽酸金屬(MSiF 6))導致大的、多面狀表面特徵，其相較於樹枝狀表面特徵反射更多的光。鋁系沉澱物(例如，鋁氟化金屬(MAlF 5))導致小的、樹枝狀表面特徵。因此，在實施例中，蝕刻劑包含二氟化銨、矽化合物、多元醇、氫氯酸、及水。在其他實施例中，蝕刻劑包含氟化銨、矽化合物、黏度添加劑、硫酸、及水。
二氟化銨及/或氟化銨
現在參照第1圖，二氟化銨包括氟化氫(HF)物種及銨(NH 4)離子。蝕刻劑100與鋁矽酸鹽玻璃製品102反應，其致使來自蝕刻劑100的HF物種擴散進入鋁矽酸鹽玻璃製品102及侵蝕Si-O網路。SiF 4從鋁矽酸鹽玻璃製品102被釋放且與HF反應以產生SiF 6 2-離子。來自蝕刻劑100的NH 4離子擴散至蝕刻劑100和鋁矽酸鹽玻璃製品102的界面104且與SiF 6 2-離子反應以產生氟矽酸銨((NH 4) 2SiF 6)沉澱物。因為這些沉澱物具有在蝕刻劑100中的低溶解性，它們接著沉積在鋁矽酸鹽玻璃製品102的表面上以形成晶種106(例如，鹽殼)。
隨著蝕刻劑100持續與鋁矽酸鹽玻璃製品102反應，晶種106成長。因為晶種106不溶解在蝕刻劑中，晶種106作為原位遮罩。晶種106密封鋁矽酸鹽玻璃製品102的表面的多個部分。玻璃圍繞著晶種106被蝕刻掉以產生多面狀表面特徵108。多面狀表面特徵108的形狀可藉由晶種106的形狀來決定，晶種106的形狀可藉由變動蝕刻劑100的組成及/或變動蝕刻劑接觸鋁矽酸鹽玻璃製品102的時間長度而被改變。
因此，存在於蝕刻劑100中的二氟化銨作為結晶促進物，促進形成晶種106。蝕刻劑100中的二氟化銨的數量應足夠高(例如，大於或等於20 wt%)以確保形成晶種106。二氟化銨的數量可被限制(小於或等於45 wt%)以降低或避免一旦到達溶解度時會沉澱出的未溶解鹽。未溶解鹽會不同於蝕刻劑地蝕刻且會致使缺少微均勻性。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%的二氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於25 wt%及小於或等於41 wt%的二氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100中的二氟化銨的數量可大於或等於20 wt%、大於或等於23 wt%、大於或等於25 wt%、或甚至大於或等於27 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的二氟化銨的數量可小於或等於45 wt%、小於或等於43 wt%、小於或等於40 wt%、小於或等於37 wt%、或甚至小於或等於35 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的二氟化銨的數量可大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於27 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於27 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於27 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於27 wt%及小於或等於37 wt%、或甚至大於或等於27 wt%及小於或等於35 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，除了二氟化銨之外或作為替代二氟化銨，蝕刻劑100可包含氟化銨。類似於二氟化銨，氟化銨是氟化氫(HF)物種與銨(NH 4)離子的來源且作為結晶促進物，促進形成晶種。氟化銨的數量應足夠高(例如，大於或等於3 wt%)以確保形成晶種106。氟化銨的數量可被限制(小於或等於30 wt%)以降低或避免一旦到達溶解度時會沉澱出的未溶解鹽。未溶解鹽會不同於蝕刻劑地蝕刻且會致使缺少微均勻性。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%的氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨。在實施例中，蝕刻劑100中的氟化銨的數量可大於或等於2 wt%、大於或等於7 wt%、大於或等於10 wt%、大於或等於13 wt%、或甚至大於或等於15 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的氟化銨的數量可小於或等於30 wt%、小於或等於27 wt%、小於或等於25 wt%、小於或等於23 wt%、小於或等於20 wt%、小於或等於17 wt%、小於或等於15 wt%、小於或等於13 wt%、或甚至小於或等於10 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的氟化銨的數量可大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於及小於或等於13 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於20 wt%、或甚至大於或等於15 wt%及小於或等於17 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在蝕刻劑100包含二氟化銨的實施例中，蝕刻劑100中的氟化銨的數量可大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於10 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在蝕刻劑100不包含二氟化銨的實施例中，蝕刻劑100中的氟化銨的數量可大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於3 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於23 wt%、或甚至大於或等於15 wt%及小於或等於20 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
矽化合物
蝕刻劑100中的矽化合物可用以增加Si離子(例如，矽石與矽凝膠)的濃度或SiF 6離子(例如，六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、或六氟矽酸鎂)的濃度，從而加速在鋁矽酸鹽玻璃製品102上的氟矽酸銨的沉澱。在實施例中，矽化合物可包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的組合。
蝕刻劑100中的矽化合物的數量應足夠高(例如，大於或等於0.25 wt%)以確保Si或SiF 6離子的濃度被增加。矽化合物的數量可被限制(例如，小於或等於10 wt%)，以便不將蝕刻劑100的黏度增加至無法實現完成的多面狀表面特徵之足夠的覆蓋性與微均勻性的程度。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.75 wt%及小於或等於6 wt%的矽化合物。在實施例中，蝕刻劑100中的矽化合物的數量可大於或等於0.25 wt%、大於或等於0.5 wt%、大於或等於0.75 wt%、或甚至大於或等於1 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的矽化合物的數量可小於或等於10 wt%、小於或等於8 wt%、小於或等於6 wt%、或甚至小於或等於4 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的矽化合物的數量可大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於6 wt%、或甚至大於或等於1 wt%及小於或等於4 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
多元醇或黏度添加劑
多元醇可被使用在蝕刻劑100中以增加蝕刻劑的黏度以助於調節蝕刻劑的流動。多元醇也可被使用在蝕刻劑100中以減少氟矽酸銨的可溶性，從而增加氟矽酸銨的沉澱。在實施例中，多元醇可包含新戊四醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、二伸乙甘醇、二丙烯甘醇、三羥甲丙烷、甘油、或前述物的組合。
蝕刻劑100中的多元醇的數量應足夠高(例如，大於或等於0.5 wt%)以確保增加的蝕刻劑黏度。多元醇的數量可被限制(例如，小於或等於20 wt%)，以便不將蝕刻劑100的黏度增加至無法實現完成的多面狀表面特徵之足夠的覆蓋性與微均勻性的程度。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的多元醇。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等1.5 wt%及小於或等於10 wt%的多元醇。在實施例中，蝕刻劑100中的多元醇的數量可大於或等於0.5 wt%、大於或等於1 wt%、大於或等於1.5 wt%、或甚至大於或等於2 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的多元醇的數量可小於或等於20 wt%、小於或等於15 wt%、小於或等於10 wt%、或甚至小於或等於5 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的多元醇的數量可大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於5 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於5 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於5 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於10 wt%、或甚至大於或等於2 wt%及小於或等於5 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
作為多元醇的替代物，在實施例中，黏度添加劑可被使用以增加蝕刻劑的黏度以助於調節蝕刻劑的流動。在實施例中，黏度添加劑可包含糖、葡萄糖酸金屬、聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))、或前述物的組合。在實施例中，葡萄糖酸金屬可包含葡萄糖酸鈉、葡萄糖酸鋰、葡萄糖酸鉀、葡萄糖酸鈣、葡萄糖酸、或前述物的組合。在 實施例中，糖可包含葡萄糖、蔗糖、果糖、或前述物的組合。在 實施例中，黏度添加劑可包含葡萄糖酸鈉與PDADMAC的至少一者。黏度添加劑的數量應足夠高(例如，大於或等於0.1 wt%)以確保增加的蝕刻劑黏度。黏度添加劑的數量可被限制(例如，小於或等於10)，以便不將蝕刻劑100的黏度增加至無法實現完成的多面狀表面特徵之足夠的覆蓋性與微均勻性的程度。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的黏度添加劑。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的黏度添加劑。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%的黏度添加劑。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於0.1 wt%及小於或等於4 wt%的黏度添加劑。在實施例中，蝕刻劑100中的黏度添加劑的數量可大於或等於0.1 wt%、大於或等於0.25 wt%、大於或等於0.5 wt%、大於或等於0.75 wt%、或甚至大於或等於1 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的黏度添加劑的數量可小於或等於10 wt%、小於或等於8 wt%、小於或等於6 wt%、小於或等於4 wt%、或甚至小於或等於2 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的黏度添加劑的數量可大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.1 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.1 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.1 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於0.1 wt%及小於或等於2 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於2 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於4 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於2 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於8 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於6 wt%、大於或等於0.75 wt%及小於或等於4 wt%、或甚至大於或等於0.75 wt%及小於或等於2 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
氫氯酸或硫酸
存在於蝕刻劑100中的氫氯酸可作用以分解鋁矽酸鹽玻璃製品102的玻璃網路的成分及形成多面狀表面特徵108。蝕刻劑100中的氫氯酸的數量應足夠高(例如，大於或等於5 wt%)以確保玻璃的蝕刻及紋理化玻璃製品的形成。氫氯酸的數量可被限制(例如，小於或等於30 wt%)以確保產生多面狀表面特徵。當添加過量的氫氯酸時，多面狀表面特徵會被侵蝕至較小尺寸，損失其反射外觀。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%的氫氯酸。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氫氯酸。在實施例中，蝕刻劑100中的氫氯酸的數量可大於或等於5 wt%、大於或等於7 wt%、大於或等於10 wt%、大於或等於13 wt%、或甚至大於或等於15 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的氫氯酸的數量可小於或等於30 wt%、小於或等於27 wt%、小於或等於25 wt%、小於或等於23 wt%、或甚至小於或等於20 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的氫氯酸的數量可大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於7 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於10 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%、大於或等於13 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於30 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於27 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於25 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於23 wt%、或甚至大於或等於15 wt%及小於或等於20 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
作為氫氯酸的替代物，在實施例中，硫酸可存在於蝕刻劑100中以分解鋁矽酸鹽玻璃製品102的玻璃網路的成分及形成多面狀表面特徵108。蝕刻劑100中的硫酸的數量應足夠高(例如，大於或等於15 wt%)以確保玻璃的蝕刻及紋理化玻璃製品的形成。硫酸的數量可被限制(例如，小於或等於45 wt%)以確保產生多面狀表面特徵。當添加過量的硫酸時，多面狀表面特徵會被侵蝕至較小尺寸，損失其反射外觀。
在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%的硫酸。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於20 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸。在實施例中，蝕刻劑100中的硫酸的數量可大於或等於15 wt%、大於或等於17 wt%、大於或等於20 wt%、大於或等於23 wt%、或甚至大於或等於25 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的硫酸的數量可小於或等於45 wt%、小於或等於43 wt%、小於或等於40 wt%、小於或等於37 wt%、或甚至小於或等於35 wt%。在實施例中，蝕刻劑中的硫酸的數量可大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於15 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於17 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於17 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於17 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於17 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於20 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於37 wt%、大於或等於23 wt%及小於或等於35 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於45 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於43 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於37 wt%、或甚至大於或等於25 wt%及小於或等於35 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
水
存在於蝕刻劑100中的水作為溶劑。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水。在實施例中，蝕刻劑100可包含大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%的水。在實施例中，蝕刻劑100中的水的數量可大於或等於25 wt%、大於或等於30 wt%、大於或等於35 wt%、或甚至大於或等於40 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的水的數量可小於或等於60 wt%、小於或等於55 wt%、或甚至小於或等於50 wt%。在實施例中，蝕刻劑100中的水的數量可大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於55 wt%、大於或等於25 wt%及小於或等於50 wt%、大於或等於30 wt%及小於或等於60 wt%、大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%、大於或等於30 wt%及小於或等於50 wt%、大於或等於35 wt%及小於或等於60 wt%、大於或等於35 wt%及小於或等於55 wt%、大於或等於35 wt%及小於或等於50 wt%、大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%、大於或等於40 wt%及小於或等於55 wt%、或甚至大於或等於40 wt%及小於或等於50 wt%或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，由於二氟化銨與矽化合物的存在與數量，本文揭示的蝕刻劑100可具有相對高黏度且為漿料。蝕刻劑100的相對高黏度可助於調節蝕刻劑的流動，導致完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性。在實施例中，二氟化銨與矽化合物的總和對於氫氯酸、水、與多元醇的總合之重量比可從0.3至0.9或甚至從0.3至0.6。
鈉鹽或鉀鹽
在實施例中，本文揭示的蝕刻劑100可進一步包含鈉鹽與鉀鹽的至少一者，與二氟化銨及/或氟化銨一起作為結晶促進物，促進晶種的形成。在實施例中，鈉鹽與鉀鹽的至少一者可包含氯化鈉、硫酸鈉、硫代硫酸鈉、硝酸鈉、氟化鈉、氫氟化鈉、碳酸鈉、磷酸三鈉、磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉、葡萄糖酸鈉、檸檬酸鈉、醋酸鈉、十二基硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、氯化鉀、硫酸鉀、亞硫酸鉀、硝酸鉀、氟化鉀、二氫氟化鉀、碳酸鉀、磷酸鉀、磷酸氫二鉀、磷酸二氫鉀、葡萄糖酸鉀、檸檬酸鉀、醋酸鉀、或前述物的組合。當存在時，鈉鹽與鉀鹽的至少一者應以確保晶種的形成之數量(例如，大於或等於0.25 wt%)存在於蝕刻劑中。鈉鹽與鉀鹽的至少一者的數量可被限制(例如，小於或等於20 wt%)以降低或避免一旦達到溶解度時會沉澱出的未溶解鹽。未溶解鹽會不同於蝕刻劑地蝕刻且會致使缺少微均勻性。在實施例中，蝕刻劑可包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%的鈉鹽與鉀鹽的至少一者。在實施例中，鈉鹽與鉀鹽的至少一者的數量可大於或等於0.25 wt%、大於或等於0.5 wt%、大於或等於1 wt%、大於或等於1.5 wt%、或甚至大於或等於2 wt%。在實施例中，鈉鹽與鉀鹽的至少一者的數量可小於或等於20 wt%、小於或等於17 wt%、小於或等於15 wt%、小於或等於13 wt%、小於或等於10 wt%、或甚至小於或等於7 wt%。在實施例中，鈉鹽與鉀鹽的至少一者的數量可大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.25 wt%及小於或等於7 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於0.5 wt%及小於或等於7 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於1 wt%及小於或等於7 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於10 wt%、大於或等於1.5 wt%及小於或等於7 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於20 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於17 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於15 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於13 wt%、大於或等於2 wt%及小於或等於10 wt%、或甚至大於或等於2 wt%及小於或等於7 wt%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，蝕刻劑可包含大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的二氟化銨；大於或等於0.5 wt%及小於或等於4 wt%的矽凝膠；大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%的氫氯酸；大於或等於35 wt%及小於或等於25 wt%的水；及大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的甘油。
在實施例中，蝕刻劑可包含大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨；大於或等於0.25 wt%及小於或等於2 wt%的六氟矽酸銨；大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸；大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%的水；及大於或等於0.1 wt%及小於或等於4 wt%的葡萄糖酸鈉與聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))的至少一者。
形成紋理化玻璃製品的方法
現在參照第2與3圖，形成紋理化玻璃製品的方法200開始於方塊202，使鋁矽酸鹽玻璃製品102與積層320層疊。鋁矽酸鹽玻璃製品102可為平板的形式。在實施例中，積層320可為帶有黏著層的聚乙稀膜。在實施例中，使鋁矽酸鹽玻璃製品102層疊可被執行在滾輪層疊機器中。
在實施例中，鋁矽酸鹽玻璃製品102可包含大於或等於14 mol%的Al 2O 3。在實施例中，鋁矽酸鹽玻璃製品102可包含大於或等於50 mol%及小於或等於70 mol%的SiO 2；大於或等於10 mol%及小於或等於22 mol%的Al 2O 3；大於或等於0.5 mol%及小於或等於5 mol%的P 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於10 mol%的B 2O 5；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的MgO；大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的ZnO；大於或等於3 mol%及小於或等於12 mol%的Li 2O；大於或等於4 mol%及小於或等於15 mol%的Na 2O；大於或等於0 mol%及小於或等於2 mol%的K 2O；及大於或等於0 mol%及小於或等於1 mol%的TiO 2。
回頭參照第2圖，在實施例中，方法200可任選地持續於方塊204，以預清洗(例如，在水性溶液之後接著沖洗(例如，以去離子水))及乾燥(例如，在爐中)鋁矽酸鹽玻璃製品102。
回頭參照第2圖及現在參照第4圖，方法200持續於方塊206，使鋁矽酸鹽玻璃製品102浸沒在蝕刻劑100中。蝕刻劑100可為本文所揭示的蝕刻劑。在實施例中，蝕刻劑100可藉由混合以手搖磨粉器之粉末形式的成分及預混合和攪拌液體/溶劑形式的成分成均質態來製備。粉末與液體的混合物可被執行傾倒與攪拌。在鋁矽酸鹽玻璃製品102的浸沒之前，完成的蝕刻劑100可被陳化持續大於或等於2小時。
在實施例中，蝕刻劑100的溫度可大於或等於10 °C及小於或等於30 °C。在實施例中，蝕刻劑100的溫度可大於或等於10 °C、大於或等於12 °C、大於或等於14 °C、或甚至大於或等於16 °C。蝕刻劑100的溫度可小於或等於30 °C、小於或等於28 °C、小於或等於26 °C、或甚至小於或等於24 °C。在實施例中，蝕刻劑100的溫度可大於或等於10 °C及小於或等於30 °C、大於或等於10 °C及小於或等於28 °C、大於或等於10 °C及小於或等於26 °C、大於或等於10 °C及小於或等於24 °C、大於或等於12 °C及小於或等於30 °C、大於或等於12 °C及小於或等於28 °C、大於或等於12 °C及小於或等於26 °C、大於或等於12 °C及小於或等於24 °C、大於或等於14 °C及小於或等於30 °C、大於或等於14 °C及小於或等於28 °C、大於或等於14 °C及小於或等於26 °C、大於或等於14 °C及小於或等於24 °C、大於或等於16 °C及小於或等於30 °C、大於或等於16 °C及小於或等於28 °C、大於或等於16 °C及小於或等於26 °C、或甚至大於或等於16 °C及小於或等於24 °C、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，如第4圖所示，鋁矽酸鹽玻璃製品102可被固定至臂322以促使將鋁矽酸鹽玻璃製品102浸沒在蝕刻劑100中。例如，在實施例中，黏著劑或吸盤324可被安置在積層320與臂322之間以將鋁矽酸鹽玻璃製品102固定至臂322。臂322可被下降進入含有蝕刻劑100的槽326，從而將鋁矽酸鹽玻璃製品102浸沒在蝕刻劑100中。
回頭參照第2與4圖及現在參照第5圖，此方法持續於方塊208，使蝕刻劑100中的鋁矽酸鹽玻璃製品102循環在上浸沒深度D1(如第4圖所示)與下浸沒深度D2(如第5圖所示)之間持續一循環時間。在實施例中，藉由以重複的向上與向下移動來移動臂322而循環鋁矽酸鹽玻璃製品102。相對於蝕刻劑100的表面328，下浸沒深度D2比上浸沒深度D1更深。
在實施例中，此循環可被執行在速度大於或等於5 cm/秒及小於或等於30 cm/秒。在實施例中，此循環可被執行在速度大於或等於5 cm/秒或甚至大於或等於10 cm/秒。在實施例中，循環速度可小於或等於30 cm/秒、小於或等於25 cm/秒、或甚至小於或等於20 cm/秒。在實施例中，此循環可被執行在速度大於或等於5 cm/秒及小於或等於30 cm/秒、大於或等於5 cm/秒及小於或等於25 cm/秒、大於或等於5 cm/秒及小於或等於20 cm/秒、大於或等於10 cm/秒及小於或等於30 cm/秒、大於或等於10 cm/秒及小於或等於25 cm/秒、或甚至大於或等於10 cm/秒及小於或等於20 cm/秒、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，此循環可被執行在速度大於或等於3 cm/秒及小於或等於30 cm/秒。在實施例中，循環速度可大於或等於3 cm/秒、大於或等於5 cm/秒、或甚至大於或等於10 cm/秒。在實施例中，循環速度可小於或等於30 cm/秒、小於或等於25 cm/秒、或甚至小於或等於20 cm/秒。在實施例中，此循環可被執行在速度大於或等於3 cm/秒及小於或等於30 cm/秒、大於或等於3 cm/秒及小於或等於25 cm/秒、大於或等於3 cm/秒及小於或等於20 cm/秒、大於或等於5 cm/秒及小於或等於30 cm/秒、大於或等於5 cm/秒及小於或等於25 cm/秒、大於或等於5 cm/秒及小於或等於20 cm/秒、大於或等於10 cm/秒及小於或等於30 cm/秒、大於或等於10 cm/秒及小於或等於25 cm/秒、或甚至大於或等於10 cm/秒及小於或等於20 cm/秒、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
循環助於實現多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性。在實施例中，循環時間可大於或等於60秒及小於或等於600秒。在實施例中，循環時間可大於或等於60秒、大於或等於120秒、大於或等於180秒、或甚至大於或等於240秒。在實施例中，循環時間可小於或等於600秒、小於或等於480秒、或甚至小於或等於360秒。在實施例中，循環時間可大於或等於60秒及小於或等於600秒、大於或等於60秒及小於或等於480秒、大於或等於60秒及小於或等於360秒、大於或等於120秒及小於或等於600秒、大於或等於120秒及小於或等於480秒、大於或等於120秒及小於或等於360秒、大於或等於180秒及小於或等於600秒、大於或等於180秒及小於或等於480秒、或甚至大於或等於180秒及小於或等於360秒、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，循環時間可大於或等於30秒及小於或等於600秒。在實施例中，循環時間可大於或等於30秒、大於或等於60秒、大於或等於120秒、大於或等於180秒、或甚至大於或等於240秒。在實施例中，循環時間可小於或等於600秒、小於或等於480秒、或甚至小於或等於360秒。在實施例中，循環時間可大於或等於30秒及小於或等於600秒、大於或等於30秒及小於或等於480秒、大於或等於30秒及小於或等於360秒、大於或等於60秒及小於或等於600秒、大於或等於60秒及小於或等於480秒、大於或等於60秒及小於或等於360秒、大於或等於120秒及小於或等於600秒、大於或等於120秒及小於或等於480秒、大於或等於120秒及小於或等於360秒、大於或等於180秒及小於或等於600秒、大於或等於180秒及小於或等於480秒、或甚至大於或等於180秒及小於或等於360秒、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
回頭參照第2圖與參照第6圖，方法200持續於方塊210，以由蝕刻劑100移除鋁矽酸鹽玻璃製品102、清洗鋁矽酸鹽玻璃製品102以從表面移除蝕刻劑100與晶種106、及乾燥此製品以形成具有多面狀表面特徵108的紋理化玻璃製品340。鋁矽酸鹽玻璃製品102可從臂322被移除。在實施例中，蝕刻劑可以去離子(DI)水從鋁矽酸鹽玻璃製品102被沖洗掉。在實施例中，黏附於鋁矽酸鹽玻璃製品102的晶種106可藉由例如擦洗海綿被移除或刮除。在實施例中，積層320可被移除。在實施例中，鋁矽酸鹽玻璃製品102可在周圍條件或在爐中被乾燥。
如第6圖所示，完成的紋理化玻璃製品340包含從第一表面342延伸的複數個多面狀表面特徵108。複數個多面狀表面特徵108的每一者包含在第一表面342上的基底344、從第一表面342延伸的複數個刻面346、及至少一頂點348。
在實施例中，每個多面將表面特徵108的刻面346從第一表面342延伸及朝向彼此會合以形成多面狀表面特徵108的多面狀形貌(例如，具有3次對稱或4次對稱的錐體)。例如，如第7與8圖所示，在實施例中，多面狀表面特徵108可包含三角錐108a、四角錐108b、或前述物的組合。
在實施例中，在基底344處的表面特徵尺寸可大於或等於50 µm及小於或等於300 µm。在實施例中，在基底344處的表面特徵尺寸可大於或等於50 µm、大於或等於75 µm、或甚至大於或等於100 µm。在實施例中，在基底344處的表面特徵尺寸可小於或等於300 µm、小於或等於250 µm、小於或等於200 µm、或甚至小於或等於150 µm。在實施例中，在基底344處的表面特徵尺寸可大於或等於50 µm及小於或等於300 µm、大於或等於50 µm及小於或等於250 µm、大於或等於50 µm及小於或等於200 µm、大於或等於50 µm及小於或等於150 µm、大於或等於75 µm及小於或等於300 µm、大於或等於75 µm及小於或等於250 µm、大於或等於75 µm及小於或等於200 µm、大於或等於75 µm及小於或等於150 µm、大於或等於100 µm及小於或等於300 µm、大於或等於100 µm及小於或等於250 µm、大於或等於100 µm及小於或等於200 µm、或甚至大於或等於100 µm及小於或等於150 µm、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，表面特徵高度可大於或等於10 µm及小於或等於40 µm。在實施例中，表面特徵高度可大於或等於8 µm及小於或等於40 µm。在實施例中，表面特徵高度可大於或等於8 µm、大於或等於10 µm、大於或等於12 µm、或甚至大於或等於15 µm。在實施例中，表面特徵高度可小於或等於40 µm、小於或等於35 µm、小於或等於30 µm、小於或等於25 µm、或甚至小於或等於20 µm。在實施例中，表面特徵高度可大於或等於8 µm及小於或等於40 µm、大於或等於8 µm及小於或等於35 µm、大於或等於8 µm及小於或等於30 µm、大於或等於8 µm及小於或等於25 µm、大於或等於8 µm及小於或等於20 µm、大於或等於10 µm及小於或等於40 µm、大於或等於10 µm及小於或等於35 µm、大於或等於10 µm及小於或等於30 µm、大於或等於10 µm及小於或等於25 µm、大於或等於10 µm及小於或等於20 µm、大於或等於12 µm及小於或等於40 µm、大於或等於12 µm及小於或等於35 µm、大於或等於12 µm及小於或等於30 µm、大於或等於12 µm及小於或等於25 µm、大於或等於12 µm及小於或等於20 µm、大於或等於15 µm及小於或等於40 µm、大於或等於15 µm及小於或等於35 µm、大於或等於15 µm及小於或等於30 µm、大於或等於15 µm及小於或等於25 µm、或甚至大於或等於15 µm及小於或等於20 µm、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含刻面角度大於或等於13°及小於或等於20°。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含刻面角度大於或等於13°或甚至大於或等於15°。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含刻面角度小於或等於20°或甚至小於或等於18°。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含刻面角度大於或等於13°及小於或等於20°、大於或等於13°及小於或等於18°、大於或等於15°及小於或等於20°、或甚至大於或等於15°及小於或等於18°、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於2 µm及小於或等於7 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於2 µm或甚至大於或等於4 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度小於或等於7 µm或甚至小於或等於6 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於2 µm及小於或等於7 µm、大於或等於2 µm及小於或等於6 µm、大於或等於4 µm及小於或等於7 µm、或甚至大於或等於4 µm及小於或等於6 µm、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於1 µm及小於或等於7 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於1 µm或甚至大於或等於3 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度小於或等於7 µm或甚至小於或等於6 µm。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含表面粗糙度大於或等於1 µm及小於或等於7 µm、大於或等於1 µm及小於或等於6 µm、大於或等於3 µm及小於或等於7 µm、或甚至大於或等於3 µm及小於或等於6 µm、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透性大於或等於80%及小於或等於95%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透性大於或等於80%或甚至大於或等於85%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透性小於或等於95%或甚至小於或等於90%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透性大於或等於80%及小於或等於95%、大於或等於80%及小於或等於90%、大於或等於85%及小於或等於95%、或甚至大於或等於85%及小於或等於90%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度大於或等於95%及小於或等於100%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度大於或等於95%、大於或等於97%、或甚至大於或等於99%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度小於或等於100%。在實施例中，多面狀表面特徵108包含穿透霧度大於或等於95%及小於或等於100%、大於或等於97%及小於或等於100%、或甚至大於或等於99%及小於或等於100%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度大於或等於80%及小於或等於100%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度大於或等於80%、大於或等於85%、或甚至大於或等於90%。在實施例中，多面狀表面特徵108可包含穿透霧度小於或等於100%。在實施例中，多面狀表面特徵108包含穿透霧度大於或等於80%及小於或等於100%、大於或等於85%及小於或等於100%、或甚至大於或等於90%及小於或等於100%、或由任意的這些端點所形成的任意與所有的子範圍。
每個多面狀表面特徵108的結構與尺寸及其足夠的覆蓋性與微均勻性有助於實現增強的發光。
本文所述的紋理化玻璃製品可使用於各種應用，包括例如諸如智慧型手機、平板電腦、個人電腦、輕薄型筆電、電視、及相機的消費者或商業電子裝置中的背覆蓋應用。併入本文所揭示的任意的紋理化玻璃製品的範例製品被顯示在第9-11圖中。明確地，第9-11圖顯示消費者電子裝置400，包括外殼402，具有前面404、後面406、及側面408；至少部分地或完全地在此外殼之內的電子部件(未示出)且至少包括控制器、記憶體、及在外殼的前面處或鄰近於外殼的前面之顯示器410；及在外殼的前面處或外殼的前面上方的覆蓋基板412，使得覆蓋基板412在顯示器上方。在實施例中，外殼402的一部分(諸如後面406)可包括本文所揭示的任意的紋理化玻璃製品。 實例
為了使各種實施例被更易於理解，參照之後的實例，其說明本文所述的蝕刻劑的各種實施例。
如之後所說明而處理的玻璃製品A、B、C、及D的組成(以mol%表示)被顯示在表1中。注意到關於「玻璃製品A」、「玻璃製品B」、「玻璃製品C」、及「玻璃製品D」指稱具有表1中所示的個別組成的玻璃製品。關於玻璃製品A-D分別地不指稱相同的玻璃製品A-D，其被各種蝕刻劑處理多次。
表1
玻璃製品 A B C D
SiO 2 58.65 64.40 63.57 63.65
Al 2O 3 17.85 15.90 15.06 16.19
P 2O 5 1.47 1.25 2.50 2.67
B 2O 3 4.22 - 2.40 0.38
MgO 1.19 - - 0.33
ZnO - 1.20 1.18 -
Li 2O 7.70 6.30 5.96 8.07
Na 2O 8.72 11.00 9.26 8.11
K 2O 0.07 - - 0.52
TiO 2 0.10 - - -
表2顯示實例蝕刻劑A-I與比較性蝕刻劑X(以wt%表示)的組成。
表2
蝕刻劑 實例蝕刻劑 A 實例蝕刻劑 B 實例蝕刻劑 C 實例蝕刻劑 D 實例蝕刻劑 E
NH 4HF 2 32.86 29.75 32.94 27.47 27.32
NH 4F - - - - -
(NH) 2SiF 6 - - - - -
NaF - - - 11.07 -
KHF 2 - - - - 2.70
SiO 2 凝膠 0.84 0.61 2.67 0.99 0.84
NaC 6H 11O 7 - - - - -
PDADMAC - - - - -
HCl 17.24 18.80 16.16 13.75 15.04
H 2SO 4 - - - - -
H 2O 47.07 41.37 45.98 41.19 35.05
C 3H 8O 3 1.99 9.47 2.25 5.53 19.06
表2接續
蝕刻劑 實例蝕刻劑 F 實例蝕刻劑 G 實例蝕刻劑 H 實例蝕刻劑 I 比較性蝕刻劑 X
NH 4HF 2 20.47 - - - -
NH 4F 6.24 17.64 17.94 17.59 17.99
(NH) 2SiF 6 - 0.59 0.6 0.59 0.60
NaF 5.94 - - - -
KHF 2 - - - - -
SiO 2 凝膠 1.02 - - - -
NaC 6H 11O 7 - 1.97 - 1.96 -
PDADMAC - - 0.3 0.29 -
HCl 15.15 - - - -
H 2SO 4 - 31.71 32.25 31.62 32.34
H 2O 45.24 48.09 48.91 47.95 49.06
C 3H 8O 3 5.94 - - - -
表3顯示如之後的實例1-7所述而形成的實例製品A-G的性質。
表3
實例製品 A 實例製品 B 實例製品 C 實例製品 D
表面特徵尺寸 (µm) 140 115 89 105
表面特徵高度 (µm) 30 13 - -
三角錐刻面角度 (°) 18.5 15.0 - -
四角錐刻面角度 (°) 19.0 15.0 - -
表面粗糙度 (µm) 6.0 4.0 4.6 4.5
穿透性 (%) 91.5 90.2 89.5 90.0
穿透霧度 (%) 100.0 99.5 99.5 99.7
表3接續
                實例製品 E 實例製品 F 實例製品 G
表面特徵尺寸 (µm) 90 65 96
表面特徵高度 (µm) 15 9 17
三角錐刻面角度 (°) - - -
四角錐刻面角度 (°) - - -
表面粗糙度 (µm) 2.7 1.4 3.3
穿透性 (%) 91.5 90.6 91.0
穿透霧度 (%) 86.6 93.5 98.5
實例1-實例紋理化製品A(實例蝕刻劑A與玻璃製品A)
為了獲得實例蝕刻劑A，包括97.5 wt%的NH 4HF 2與2.5 wt%的SiO 2凝膠的616 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括26.0 wt%的HCl、71.0 wt%的H 2O、及3.0 wt%的C 3H 8O 3的1212 g之預混合的溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑被冷卻至12 °C。
玻璃製品A被切割成50 x 50 mm尺寸及在一側上積層。積層的玻璃製品A在3%的Parker水性溶液中經受10分鐘超音波處理，接著以流動的去離子水適當地沖洗。之後，玻璃製品A在爐中於60 °C被乾燥，接著被放置在周圍條件中直到玻璃製品A被冷卻至24 °C。
玻璃製品A被浸沒與循環在實例蝕刻劑A中持續240秒的期間及循環速度為20 cm/秒。實例蝕刻劑A的溫度為12 °C。
蝕刻的玻璃製品A被流動的去離子水所沖洗。在蝕刻的玻璃製品上的沉澱物藉由刮除被移除及積層被剝落。玻璃製品被放置在60 °C的爐中直到乾燥。
現在參照第12圖，以實例蝕刻劑A處理玻璃製品A造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品A。如第12圖所示，實例紋理化製品A包括三角錐與四角錐。
如上方的表3所示，實例紋理化製品A具有表面特徵尺寸為140 µm、表面特徵高度為30 µm、三角錐刻面角度為18.5°、四角錐刻面角度為19.0°、表面粗糙度為6.0 µm、穿透性為91.5%、及穿透霧度為100.0%。
實例2-實例紋理化製品B(實例蝕刻劑B與玻璃製品B)
為了獲得實例蝕刻劑B，包括98.0 wt%的NH 4HF 2與2.5 wt%的SiO 2凝膠的153 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括27.0 wt%的HCl、59.4 wt%的H 2O、及13.6 wt%的C 3H 8O 3的351 g之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑被冷卻至16 °C。
在蝕刻之前，玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品B被浸沒與循環在實例蝕刻劑B中持續120秒的期間及循環速度為10 cm/秒。實例蝕刻劑B的溫度為16 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第13圖，以實例蝕刻劑B處理玻璃製品B造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品B。如第13圖所示，實例紋理化製品B包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品B具有表面特徵尺寸為115 µm、表面特徵高度為13 µm、三角錐刻面角度為15.0°、四角錐刻面角度為15.0°、表面粗糙度為4.0 µm、穿透性為90.2%、及穿透霧度為99.5%。
實例3-實例紋理化製品C(實例蝕刻劑C與玻璃製品C)
為了獲得實例蝕刻劑C，包括92.5 wt%的NH 4HF 2與7.5 wt%的SiO 2凝膠的616 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括25.1 wt%的HCl、71.4 wt%的H 2O、及3.5 wt%的C 3H 8O 3的1114 g之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑被冷卻至14 °C。
在蝕刻之前，玻璃製品C經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品C被浸沒與循環在實例蝕刻劑C中持續300秒的期間及循環速度為15 cm/秒。蝕刻劑C的溫度為14 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品C經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第14圖，以實例蝕刻劑C處理玻璃製品C造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品C。如第14圖所示，實例紋理化製品C包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品C具有表面特徵尺寸為89 µm、表面粗糙度為4.6 µm、穿透性為89.5%、及穿透霧度為99.5%。
實例4-實例紋理化製品D(實例蝕刻劑C與玻璃製品D)
實例蝕刻劑C如實例3中所述被製備。
在蝕刻之前，玻璃製品D經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品D被浸沒與循環在實例蝕刻劑C中持續300秒的期間及循環速度為15 cm/秒。蝕刻劑C的溫度為14 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品D經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第15圖，以實例蝕刻劑C處理玻璃製品D造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品D。如第15圖所示，實例紋理化製品D包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品D具有表面特徵尺寸為105 µm、表面粗糙度為4.5 µm、穿透性為90%、及穿透霧度為99.7%。
實例5-實例紋理化製品E(實例蝕刻劑D與玻璃製品B)
為了獲得實例蝕刻劑D，包括69.5 wt%的NH 4HF 2、28 wt%的NaF、與2.5 wt%的SiO 2凝膠的195 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括22.7 wt%的HCl、68.1 wt%的H 2O、及9.2 wt%的C 3H 8O 3的306 g之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑維持在24 °C。
在蝕刻之前，玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品B被浸沒與循環在實例蝕刻劑D中持續120秒的期間及循環速度為10 cm/秒。蝕刻劑D的溫度為24 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第16圖，以實例蝕刻劑D處理玻璃製品B造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品E。如第16圖所示，實例紋理化製品E包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品E具有表面特徵尺寸為90 µm、表面特徵高度為15 µm、表面粗糙度為2.7 µm、穿透性為91.5%、及穿透霧度為86.6%。
實例6-實例紋理化製品F(實例蝕刻劑E與玻璃製品B)
為了獲得實例蝕刻劑E，包括88.5 wt%的NH 4HF 2、8.7 wt%的KHF 2、與2.7 wt%的SiO 2凝膠的183 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括21.7 wt%的HCl、50.7 wt%的H 2O、及27.6 wt%的C 3H 8O 3的410 g之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑被加熱至28 °C。
在蝕刻之前，玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品B被浸沒與循環在實例蝕刻劑E中持續120秒的期間及循環速度為20 cm/秒。蝕刻劑E的溫度為28 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第17圖，以實例蝕刻劑E處理玻璃製品B造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品F。如第17圖所示，實例紋理化製品F包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品F具有表面特徵尺寸為65 µm、表面特徵高度9 µm、表面粗糙度為1.4 µm、穿透性為90.6%、及穿透霧度為93.5%。
實例7-實例紋理化製品G(實例蝕刻劑F與玻璃製品A)
為了獲得實例蝕刻劑F，包括60.8 wt%的NH 4HF 2、18.5 wt%的NH 4F、17.6 wt%的NaF、與1.2 wt%的SiO 2凝膠的164.5 g之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括22.8 wt%的HCl、68.2 wt%的H 2O、及9.0 wt%的C 3H 8O 3的323 g之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻劑被冷卻至16 °C。
在蝕刻之前，玻璃製品A經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
玻璃製品A被浸沒與循環在實例蝕刻劑F中持續200秒的期間及循環速度為10 cm/秒。蝕刻劑F的溫度為16 °C。
在蝕刻之後，玻璃製品B經受與實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第18圖，以實例蝕刻劑F處理玻璃製品A造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品G。如第18圖所示，實例紋理化製品G包括三角錐與四角錐。
如上方表3中所示，實例紋理化製品G具有表面特徵尺寸為96 µm、表面特徵高度17 µm、表面粗糙度為3.3 µm、穿透性為91.0%、及穿透霧度為98.5%。
比較性實例1-比較性紋理化製品X(比較性蝕刻劑X與玻璃製品A)
為了獲得比較性蝕刻劑X，包括89.7 g的NH 4F與3 g的(NH) 2SiF 6之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括167.08 g(96.5 wt%)的H 2SO 4與238.7 g的H 2O之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻溶液被陳化2小時。
玻璃製品A被切割成50 x 50 mm尺寸及在3-4 %的Parker水性溶液中經受4分鐘的超音波處理，接著藉由在極純水中的最後浸泡持續額外的6分鐘。之後，玻璃製品A在爐中於120 °C被乾燥，接著被放置在周圍條件中直到玻璃製品A被冷卻至24 °C。
在蝕刻之前，比較性蝕刻劑X已經被安放持續300秒。玻璃製品A被浸沒與循環在比較性蝕刻劑X中持續30秒的期間及循環速度為4 cm/秒。玻璃製品A接著被保持穩定(即，不循環)在比較性蝕刻劑X中持續30秒。比較性蝕刻劑X的溫度為12 °C。
蝕刻的玻璃製品A被流動的去離子水所沖洗。蝕刻的玻璃製品上的沉澱物藉由刮除被移除及積層被剝落。玻璃製品被放置在60 °C的爐中直到乾燥。
現在參照第19圖，以比較性蝕刻劑X處理玻璃製品A造成缺少完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的比較性紋理化製品X。比較性紋理化製品X包括三角錐與四角錐且具有表面特徵尺寸為75 µm。
實例8-實例紋理化製品H(實例蝕刻劑G與玻璃製品A)
為了獲得實例蝕刻劑G，包括89.7 g的NH 4F、3 g的(NH) 2SiF 6、與10 g的NaC 6H 11O 7之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括167.08 g(96.5 wt%)的H 2SO 4與238.7 g的H 2O之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻溶液被陳化2小時。
在蝕刻之前，玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
在蝕刻之前，實例蝕刻劑G已經被安放持續300秒。玻璃製品A被浸沒與循環在實例蝕刻劑G中持續30秒的期間及循環速度為4 cm/秒。玻璃製品A接著被保持穩定(即，不循環)在實例蝕刻劑G中持續30秒。實例蝕刻劑G的溫度為12 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第20圖，以實例蝕刻劑G處理玻璃製品A造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品H。實例紋理化製品H包括三角錐與四角錐且具有表面特徵尺寸為100 µm。
實例9-實例紋理化製品I(實例蝕刻劑H與玻璃製品A)
為了獲得實例蝕刻劑H，包括89.7 g的NH 4F、3 g的(NH) 2SiF 6、與1.5 g的PDADMAC之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括167.08 g(96.5 wt%)的H 2SO 4與238.7 g的H 2O之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻溶液被陳化2小時。
在蝕刻之前，玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
在蝕刻之前，實例蝕刻劑H已經被安放持續300秒。玻璃製品A被浸沒與循環在實例蝕刻劑H中持續30秒的期間及循環速度為4 cm/秒。玻璃製品A接著被保持穩定(即，不循環)在實例蝕刻劑H中持續30秒。實例蝕刻劑H的溫度為12 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第21圖，以實例蝕刻劑H處理玻璃製品A造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品I。實例紋理化製品I包括三角錐與四角錐且具有表面特徵尺寸為50 µm。
實例10-實例紋理化製品J(實例蝕刻劑I與玻璃製品A)
為了獲得實例蝕刻劑I，包括89.7 g的NH 4F、3 g的(NH) 2SiF 6、10 g的NaC 6H 11O 7、與1.5 g的PDADMAC之混合的粉末藉由手搖磨粉器來獲得。包括167.08 g(96.5 wt%)的H 2SO 4與238.7 g的H 2O之預混合溶劑被適當地獲得與攪拌。粉末與溶劑的混合物被執行在24 °C。蝕刻溶液被陳化2小時。
在蝕刻之前，玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
在蝕刻之前，實例蝕刻劑I已經被安放持續300秒。玻璃製品A被浸沒與循環在實例蝕刻劑I中持續30秒的期間及循環速度為4 cm/秒。玻璃製品A接著被保持穩定(即，不循環)在實例蝕刻劑I中持續30秒。實例蝕刻劑I的溫度為12 °C。
在蝕刻之後，蝕刻的玻璃製品A經受與比較性實例1中的玻璃製品A相同的處理。
現在參照第22圖，以實例蝕刻劑I處理玻璃製品A造成具有完成的多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性與微均勻性的實例紋理化製品J。實例紋理化製品J包括三角錐與四角錐且具有表面特徵尺寸為90 µm。
在不背離所請求標的之精神與範疇下，可對本文所述的實施例進行各種修改與變化，對於本領域的通常知識者是明顯的。因此，意於本說明書涵蓋本文所述的各種實施例的修改與變動，只要此修改與變動落入隨附申請專利範圍及其等效物的範疇內。
100:蝕刻劑 102:鋁矽酸鹽玻璃製品 104:界面 106:晶種 108:多面狀表面特徵 108a:三角錐 108b:四角錐 200:方法 202,204,206,208,210:方塊 320:積層 322:臂 324:吸盤 326:槽 328:表面 340:紋理化玻璃製品 342:第一表面 344:基底 346:刻面 348:頂點 400:消費者電子裝置 402:外殼 404:前面 406:後面 408:側面 410:顯示器 412:覆蓋基板 D1:上浸沒深度 D2:下浸沒深度
第1圖圖解地描繪根據本文所示或所述的一或多個實施例之與鋁矽酸鹽玻璃製品反應的蝕刻劑；
第2圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之形成紋理化玻璃製品的方法的流程圖；
第3圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之形成紋理化玻璃製品的方法的一步驟；
第4圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之形成紋理化玻璃製品的方法的另一步驟；
第5圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之形成紋理化玻璃製品的方法的另一步驟；
第6圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之紋理化玻璃製品的平面視圖；
第7圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之多面狀表面特徵的平面視圖；
第8圖圖解地描繪根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一多面狀表面特徵的平面視圖；
第9圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之併入任意的紋理化玻璃製品之範例電子裝置的平面視圖；
第10圖是第9圖的範例電子裝置的透視圖；
第11圖是第9圖的範例電子裝置的透視圖；
第12圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第13圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第14圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第15圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第16圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第17圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第18圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的100x的放大率的光學顯微鏡影像；
第19圖是比較性紋理化玻璃製品的50x的放大率的光學顯微鏡影像；
第20圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的50x的放大率的光學顯微鏡影像；
第21圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的50x的放大率的光學顯微鏡影像；及
第22圖是根據本文所示與所述的一或多個實施例之另一紋理化玻璃製品的50x的放大率的光學顯微鏡影像。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:蝕刻劑
102:鋁矽酸鹽玻璃製品
104:界面
106:晶種
108:多面狀表面特徵

Claims (67)

  1. 一種蝕刻劑，包含： 大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨； 大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，該矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的一組合； 大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸； 大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及 大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇。
  2. 如請求項1所述之蝕刻劑，其中該多元醇包含新戊四醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、二伸乙甘醇、二丙烯甘醇、三羥甲丙烷、甘油、或前述物的一組合。
  3. 如請求項1所述之蝕刻劑，其中該二氟化銨及該矽化合物的一總和對於該氫氯酸、該水、及該多元醇的一總和之一重量比從0.3至0.9。
  4. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%的該矽化合物。
  5. 如請求項4所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.75 wt%及小於或等於6 wt%的該矽化合物。
  6. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的多元醇。
  7. 如請求項6所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於1.5 wt%及小於或等於10 wt%的多元醇。
  8. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%的二氟化銨。
  9. 如請求項8所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的二氟化銨。
  10. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%的氫氯酸。
  11. 如請求項10所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氫氯酸。
  12. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%的水。
  13. 如請求項1所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含： 大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的二氟化銨； 大於或等於0.5 wt%及小於或等於4 wt%的矽凝膠； 大於或等於13 wt%及小於或等於23 wt%的氫氯酸； 大於或等於35 wt%及小於或等於55 wt%的水；及 大於或等於1 wt%及小於或等於15 wt%的甘油。
  14. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑進一步包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨。
  15. 如請求項1-3任一項所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑進一步包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%的一鉀鹽的一鈉鹽的至少一者。
  16. 一種形成一紋理化玻璃製品的方法，該方法包含以下步驟： 將一鋁矽酸鹽玻璃製品浸沒在一蝕刻劑中，該蝕刻劑包含： 大於或等於20 wt%及小於或等於45 wt%的二氟化銨； 大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的矽化合物，該矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的一組合； 大於或等於5 wt%及小於或等於30 wt%的氫氯酸； 大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及 大於或等於0.5 wt%及小於或等於20 wt%的多元醇；及 將該蝕刻劑中的該鋁矽酸鹽玻璃製品循環在一上浸沒深度與一下浸沒深度之間持續一循環時間，該下浸沒深度比該上浸沒深度更深。
  17. 如請求項16所述之方法，其中以大於或等於5 cm/秒及小於或等於30 cm/秒的一速度執行該循環。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該蝕刻劑的一溫度大於10 °C及小於或等於30 °C。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該循環時間大於或等於60秒及小於或等於600秒。
  20. 如請求項16所述之方法，其中該多元醇包含新戊四醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、二伸乙甘醇、二丙烯甘醇、三羥甲丙烷、甘油、或前述物的一組合。
  21. 如請求項16所述之方法，其中該二氟化銨及該矽化合物的一總和對於該氫氯酸、該水、及該多元醇的一總和之一重量比從0.3至0.6。
  22. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於8 wt%的該矽化合物。
  23. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於1 wt%及小於或等於17 wt%的多元醇。
  24. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於23 wt%及小於或等於43 wt%的二氟化銨。
  25. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於27 wt%的氫氯酸。
  26. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於55 wt%的水。
  27. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑進一步包含大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨。
  28. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該蝕刻劑進一步包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於20 wt%的一鉀鹽的一鈉鹽的至少一者。
  29. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該鋁矽酸鹽玻璃製品包含大於或等於14 mol%的Al 2O 3。
  30. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該鋁矽酸鹽玻璃製品包含： 大於或等於50 mol%及小於或等於70 mol%的SiO 2； 大於或等於10 mol%及小於或等於22 mol%的Al 2O 3； 大於或等於0.5 mol%及小於或等於5 mol%的P 2O 5； 大於或等於0 mol%及小於或等於10 mol%的B 2O 5； 大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的MgO； 大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的ZnO； 大於或等於3 mol%及小於或等於12 mol%的Li 2O； 大於或等於4 mol%及小於或等於15 mol%的Na 2O； 大於或等於0 mol%及小於或等於2 mol%的K 2O；及 大於或等於0 mol%及小於或等於1 mol%的TiO 2。
  31. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該紋理化玻璃製品包含從一第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，該複數個多面狀表面特徵的每一者包含在該第一表面上的一基底、從該第一表面延伸的複數個刻面、在該基底處的一表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm、及一表面特徵高度大於或等於10 µm及小於或等於40 µm，其中每個多面狀表面特徵的該複數個刻面朝向彼此會合。
  32. 如請求項16-21任一項所述之方法，其中該紋理化玻璃製品包含從一第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，該複數個多面狀表面特徵的每一者包含在該第一表面上的一基底、從該第一表面延伸的複數個刻面、在該基底處的一表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm、及一表面特徵高度大於或等於8 µm及小於或等於40 µm，其中每個多面狀表面特徵的該複數個刻面朝向彼此會合。
  33. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含三角錐、四角錐、或前述物的一組合。
  34. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於13°及小於或等於20°的一刻面角度。
  35. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於2 µm及小於或等於7 µm的一表面粗糙度。
  36. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於1 µm及小於或等於7 µm的一表面粗糙度。
  37. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於80%及小於或等於95%的一穿透性。
  38. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於95%及小於或等於100%的一穿透霧度。
  39. 如請求項32所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含大於或等於80%及小於或等於100%的一穿透霧度。
  40. 如請求項32所述之方法，其中該紋理化玻璃製品具有該複數個多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性。
  41. 一種蝕刻劑，包含： 大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨； 大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的一矽化合物，該矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的一組合； 大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸； 大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及 大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的一黏度添加劑。
  42. 如請求項41所述之蝕刻劑，其中該黏度添加劑包含糖、葡萄糖酸金屬、聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))、或前述物的一組合。
  43. 如請求項41或42所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
  44. 如請求項43所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%的矽化合物。
  45. 如請求項41或42所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的該黏度添加劑。
  46. 如請求項45所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.5 wt%及小於或等於6 wt%的該黏度添加劑。
  47. 如請求項41或42所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%的氟化銨。
  48. 如請求項47所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於7 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨。
  49. 如請求項41或42所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%的硫酸。
  50. 如請求項49所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於20 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸。
  51. 如請求項41或42所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含大於或等於30 wt%及小於或等於60 wt%的水。
  52. 如請求項41所述之蝕刻劑，其中該蝕刻劑包含： 大於或等於10 wt%及小於或等於25 wt%的氟化銨； 大於或等於0.25 wt%及小於或等於2 wt%的六氟矽酸銨； 大於或等於25 wt%及小於或等於40 wt%的硫酸； 大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%的水；及 大於或等於0.1 wt%及小於或等於4 wt%的葡萄糖酸鈉與聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))中的至少一者。
  53. 一種形成一紋理化玻璃製品的方法，該方法包含以下步驟： 將一鋁矽酸鹽玻璃製品浸沒在一蝕刻劑中，該蝕刻劑包含： 大於或等於3 wt%及小於或等於30 wt%的氟化銨； 大於或等於0.25 wt%及小於或等於10 wt%的一矽化合物，該矽化合物包含矽石、矽凝膠、六氟矽酸銨、六氟矽酸鉀、六氟矽酸鈉、六氟矽酸鎂、或前述物的一組合； 大於或等於15 wt%及小於或等於45 wt%的硫酸； 大於或等於25 wt%及小於或等於60 wt%的水；及 大於或等於0.1 wt%及小於或等於10 wt%的一黏度添加劑；及 將該蝕刻劑中的該鋁矽酸鹽玻璃製品循環在一上浸沒深度與一下浸沒深度之間持續一循環時間，該下浸沒深度比該上浸沒深度更深。
  54. 如請求項53所述之方法，其中以大於或等於3 cm/秒及小於或等於30 cm/秒的一速度執行該循環。
  55. 如請求項53所述之方法，其中該蝕刻劑的一溫度大於10 °C及小於或等於30 °C。
  56. 如請求項53所述之方法，其中該循環時間大於或等於30秒及小於或等於600秒。
  57. 如請求項53所述之方法，其中該黏度添加劑包含糖、葡萄糖酸金屬、聚二烯丙基二甲基氯化銨(polydiallydimethylammonium chloride (PDADMAC))、或前述物的一組合。
  58. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的矽化合物。
  59. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於0.25 wt%及小於或等於8 wt%的該黏度添加劑。
  60. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於5 wt%及小於或等於27 wt%的氟化銨。
  61. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於17 wt%及小於或等於43 wt%的硫酸。
  62. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該蝕刻劑包含大於或等於40 wt%及小於或等於60 wt%的水。
  63. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該鋁矽酸鹽玻璃製品包含大於或等於14 mol%的Al 2O 3。
  64. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該鋁矽酸鹽玻璃製品包含： 大於或等於50 mol%及小於或等於70 mol%的SiO 2； 大於或等於10 mol%及小於或等於22 mol%的Al 2O 3； 大於或等於0.5 mol%及小於或等於5 mol%的P 2O 5； 大於或等於0 mol%及小於或等於10 mol%的B 2O 5； 大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的MgO； 大於或等於0 mol%及小於或等於3 mol%的ZnO； 大於或等於3 mol%及小於或等於12 mol%的Li 2O； 大於或等於4 mol%及小於或等於15 mol%的Na 2O； 大於或等於0 mol%及小於或等於2 mol%的K 2O；及 大於或等於0 mol%及小於或等於1 mol%的TiO 2。
  65. 如請求項53-57任一項所述之方法，其中該紋理化玻璃製品包含從一第一表面延伸的複數個多面狀表面特徵，該複數個多面狀表面特徵的每一者包含在該第一表面上的一基底、從該第一表面延伸的複數個刻面、在該基底處的一表面特徵尺寸大於或等於50 µm及小於或等於300 µm，其中每個多面狀表面特徵的該複數個刻面朝向彼此會合。
  66. 如請求項65所述之方法，其中該複數個多面狀表面特徵包含三角錐、四角錐、或前述物的一組合。
  67. 如請求項65所述之方法，其中該紋理化玻璃製品具有該複數個多面狀表面特徵的足夠的覆蓋性及微均勻性。
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