TW202330120A - 清潔方法、基板之處理方法及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠降低靜電吸盤表面之帶電量之技術。 本發明提供一種基板之電漿處理裝置中之清潔方法。清潔方法具有以下步驟：(a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿；(b)於(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓而降低靜電吸盤表面之帶電量。

Description

清潔方法、基板之處理方法及電漿處理裝置
本發明之例示性實施方式係關於一種清潔方法、基板之處理方法及電漿處理裝置。
作為抑制由靜電吸盤表層之殘留電荷所致之吸附之技術，有專利文獻1中所記載之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-56928號公報
[發明所欲解決之問題]
於電漿處理裝置之清潔時靜電吸盤表面帶電。本發明提供一種能夠降低靜電吸盤表面之帶電量之技術。 [解決問題之技術手段]
於本發明之一例示性實施方式中，提供一種清潔方法，其具有以下步驟：(a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿；及(b)於(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓而降低靜電吸盤表面之帶電量。 [發明之效果]
根據本發明之一例示性實施方式，可提供能夠降低靜電吸盤表面之帶電量之技術。
以下，對本發明之各實施方式進行說明。
於一例示性實施方式中，提供一種清潔方法，其具有以下步驟：(a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿；及(b)於(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓以使靜電吸盤表面之帶電量變少。
於一例示性實施方式中，(a)包含供給電漿產生用之電力之步驟，於在(a)中開始供給電漿產生用之電力之後，開始(b)中之對靜電吸盤施加電壓，停止(a)中之供給電漿產生用之電力之前，停止(b)中之對靜電吸盤施加電壓。
於一例示性實施方式中，(a)包含供給電漿產生用之氣體之步驟，於在(a)中開始供給電漿產生用之氣體之後，開始(b)中之對靜電吸盤施加電壓，在(a)中停止供給電漿產生用之氣體之前，停止(b)中之對靜電吸盤施加電壓。
於一例示性實施方式中，進而具有(c)於(a)之產生有電漿之狀態下，測定靜電吸盤表面之帶電狀態之步驟，基於(c)中測定出之靜電吸盤表面之帶電狀態，決定於(b)中施加至靜電吸盤之電壓。
於一例示性實施方式中，基於靜電吸盤表面之帶電狀態與在該靜電吸盤表面之帶電狀態下應施加至靜電吸盤之電壓的關係，根據(c)中之靜電吸盤表面之帶電狀態之測定結果，決定(b)中之施加至靜電吸盤之電壓。
於一例示性實施方式中，在(a)中，於腔室內產生電漿，而清潔腔室內之靜電吸盤之表面。
於一例示性實施方式中，在(a)中，於腔室內產生電漿，而清潔腔室之內部。
於一例示性實施方式中，具有以下步驟：(a1)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，而清潔腔室之內部；(b1)於(a1)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而降低靜電吸盤表面之帶電量；(a2)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，而清潔腔室內之靜電吸盤之表面；及(b2)於上述(a2)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而降低靜電吸盤表面之帶電量。上述(b1)與上述(b2)係施加至靜電吸盤之電壓不同，於一例示性實施方式中，(b1)與(b2)係施加至靜電吸盤之電壓不同。
於一例示性實施方式中，提供一種基板之處理方法，其具有：上述清潔方法；及(c)於上述(a)及上述(b)之前或之後之至少任一者，於靜電吸盤保持基板，而對基板進行電漿處理之步驟。
於一例示性實施方式中，提供一種基板之處理方法，其具有以下步驟：(a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿；(b)於(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓；及(c)於電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤保持基板，而對基板進行電漿處理；(c)係於(a)及(b)之前或之後之至少任一者進行，於(b)中施加至靜電吸盤之電壓之極性為與(c)中施加至靜電吸盤之電壓之極性相同的極性。
於一例示性實施方式中，提供一種電漿處理裝置，其具備：腔室；靜電吸盤，其於腔室內保持基板；第1電源，其對腔室內供給電漿產生用之電力；第2電源，其對靜電吸盤施加電壓；及控制部；控制部執行具有以下步驟之控制：(a)於在腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，藉由第1電源對腔室內供給電漿產生用之電力，於腔室內產生電漿；及(b)於(a)之產生有電漿之狀態下，藉由第2電源對靜電吸盤施加電壓而降低靜電吸盤表面之帶電量。
以下，參照圖式，對本發明之各實施方式詳細地進行說明。再者，於各圖式中對同一或同樣之要素標註相同之符號，並省略重複之說明。只要未特別說明，則基於圖式所示之位置關係說明上下左右等位置關係。圖式之尺寸比率並非表示實際比率者，又，實際比率並不限定為圖示比率。
＜電漿處理裝置1之構成＞ 以下，對電漿處理系統之構成例進行說明。圖1係用以說明電容耦合型之電漿處理裝置之構成例之圖。一例示性實施方式之基板之處理方法(以下稱為「本處理方法」)係使用電漿處理裝置1來執行。
電漿處理系統包含電容耦合型之電漿處理裝置1及控制部2。電容耦合型之電漿處理裝置1包含電漿處理腔室(亦簡稱為「腔室」)10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部構成為將至少一種處理氣體導入至電漿處理腔室10內。氣體導入部包含簇射頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內。簇射頭13配置於基板支持部11之上方。於一實施方式中，簇射頭13構成電漿處理腔室10之頂部(ceiling)之至少一部分。電漿處理腔室10具有由簇射頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支持部11界定之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10具有用以將至少一種處理氣體供給至電漿處理空間10s之至少1個氣體供給口、及用以將氣體自電漿處理空間排出之至少1個氣體排出口。電漿處理腔室10接地。簇射頭13及基板支持部11與電漿處理腔室10電性絕緣。
基板支持部11包含本體部50及環組件51。本體部50具有用以支持基板W之中央區域50a、及用以支持環組件51之環狀區域50b。晶圓係基板W之一例。本體部50之環狀區域50b於俯視時包圍本體部50之中央區域50a。基板W配置於本體部50之中央區域50a上，環組件51以包圍本體部50之中央區域50a上之基板W之方式配置於本體部50之環狀區域50b上。因此，中央區域50a亦被稱為用以支持基板W之基板支持面，環狀區域50b亦被稱為用以支持環組件51之環支持面。
於一實施方式中，本體部50包含基台60及靜電吸盤61。基台60包含導電性構件。基台60之導電性構件可作為下部電極發揮功能。靜電吸盤61配置於基台60之上。靜電吸盤61包含陶瓷構件61a及配置於陶瓷構件61a內之靜電電極61b。陶瓷構件61a具有中央區域50a。於一實施方式中，陶瓷構件61a亦具有環狀區域50b。再者，如環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件般之包圍靜電吸盤61之其他構件亦可具有環狀區域50b。於該情形時，環組件51亦可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤61與環狀絕緣構件之兩者之上。又，RF(radio frequency，射頻)或DC(direct current，直流)電極亦可配置於陶瓷構件61a內，於該情形時，RF或DC作為電極下部電極發揮功能。於下述偏壓RF信號或DC信號連接於RF或DC電極之情形時，RF或DC電極亦被稱為偏壓電極。再者，基台60之導電性構件與RF或DC電極之兩者亦可作為2個下部電極發揮功能。
靜電吸盤61之靜電電極61b經由開關70s而連接於作為第2電源之直流電源70p。若對靜電電極61b施加來自直流電源70p之直流電壓，則於靜電吸盤61與基板W之間產生靜電引力(庫侖力)。基板W藉由該靜電引力而被靜電吸盤61吸引，吸附保持於靜電吸盤61之表面61c。靜電吸盤61之表面61c可為平坦，亦可成為凹凸形狀。靜電吸盤61並不限定於使用庫侖力之庫侖型者，亦可為使用約翰遜-拉貝克力之約翰遜-拉貝克型者。
環組件51包含1個或複數個環狀構件。於一實施方式中，1個或複數個環狀構件包含1個或複數個邊緣環及至少1個蓋環。邊緣環由導電性材料或絕緣材料形成，蓋環由絕緣材料形成。
又，基板支持部11亦可包含構成為將靜電吸盤61、環組件51及基板中至少一者調節為目標溫度之溫度調節模組。溫度調節模組亦可包含如加熱器、傳熱介質、流路60a、或其等之組合。於流路60a中流通如鹽水或氣體般之傳熱流體。於一實施方式中，流路60a形成於基台60內，1個或複數個加熱器配置於靜電吸盤61之陶瓷構件61a內。又，基板支持部11亦可包含構成為對基板W之背面與中央區域50a之間供給傳熱氣體之傳熱氣體供給部。
如圖2所示，於本體部50形成有於上下方向貫通之複數個貫通孔50c。於本體部50，能夠於貫通孔50c內於上下方向移動之頂起銷80設置於各貫通孔50c。頂起銷80支持基板W。頂起銷80係支持基板之升降器之一例。頂起銷80藉由未圖示之驅動裝置而驅動。藉由該頂起銷80，可使基板W於靜電吸盤61上或靜電吸盤61之上方升降。藉由頂起銷80下降可將基板W載置於靜電吸盤61之表面61c，藉由頂起銷80上升可使基板W自靜電吸盤61之表面61c脫離。
圖1所示之簇射頭13構成為將來自氣體供給部20之至少一種處理氣體導入至電漿處理空間10s內。簇射頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b、及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體通過氣體擴散室13b自複數個氣體導入口13c導入至電漿處理空間10s內。又，簇射頭13包含上部電極。再者，氣體導入部除了包含簇射頭13以外，亦可包含安裝於形成在側壁10a之1個或複數個開口部之1個或複數個側氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。
氣體供給部20亦可包含至少1個氣體源21及至少1個流量控制器22。於一實施方式中，氣體供給部20構成為將至少一種處理氣體自分別對應之氣體源21經由分別對應之流量控制器22而供給至簇射頭13。各流量控制器22例如亦可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含將至少一種處理氣體之流量調變或脈衝化之1個或其以上之流量調變元件。
電源30包含經由至少1個阻抗匹配電路而耦合於電漿處理腔室10之作為第1電源之RF電源31。RF電源31構成為將如源RF信號及偏壓RF信號般之至少1個RF信號(RF電力)供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。藉此，自供給至電漿處理空間10s之至少一種處理氣體形成電漿。因此，RF電源31可作為構成為於電漿處理腔室10中自一種或其以上之處理氣體產生電漿之電漿產生部之至少一部分發揮功能。又，藉由將偏壓RF信號供給至至少1個下部電極，而於基板W產生偏壓電位，可將所形成之電漿中之離子成分饋入至基板W。
於一實施方式中，RF電源31包含第1RF產生部31a及第2RF產生部31b。第1RF產生部31a構成為經由至少1個阻抗匹配電路而耦合於至少1個下部電極及/或至少1個上部電極，且產生電漿產生用之源RF信號(源RF電力)。於一實施方式中，源RF信號具有10 MHz～150 MHz之範圍內之頻率。於一實施方式中，第1RF產生部31a亦可構成為產生具有不同頻率之複數個源RF信號。所產生之1個或複數個源RF信號供給至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。
第2RF產生部31b構成為經由至少1個阻抗匹配電路而耦合於至少1個下部電極，且產生偏壓RF信號(偏壓RF電力)。偏壓RF信號之頻率可與源RF信號之頻率相同，亦可不同。於一實施方式中，偏壓RF信號具有較源RF信號之頻率低之頻率。於一實施方式中，偏壓RF信號具有100 kHz～60 MHz之範圍內之頻率。於一實施方式中，第2RF產生部31b亦可構成為產生具有不同頻率之複數個偏壓RF信號。所產生之1個或複數個偏壓RF信號供給至至少1個下部電極。又，於各種實施方式中，亦可將源RF信號及偏壓RF信號中至少一者脈衝化。
又，電源30亦可包含耦合於電漿處理腔室10之DC電源32。DC電源32包含第1DC產生部32a及第2DC產生部32b。於一實施方式中，第1DC產生部32a構成為連接於至少1個下部電極，且產生第1DC信號。所產生之第1偏壓DC信號施加至至少1個下部電極。於一實施方式中，第2DC產生部32b構成為連接於至少1個上部電極，且產生第2DC信號。所產生之第2DC信號施加至至少1個上部電極。
於各種實施方式中，亦可將第1及第2DC信號中至少一者脈衝化。於該情形時，基於DC之電壓脈衝之序列施加至至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。電壓脈衝亦可具有矩形、梯形、三角形或其等之組合之脈衝波形。於一實施方式中，用以自DC信號產生電壓脈衝之序列之波形產生部連接於第1DC產生部32a與至少1個下部電極之間。因此，第1DC產生部32a及波形產生部構成電壓脈衝產生部。於第2DC產生部32b及波形產生部構成電壓脈衝產生部之情形時，電壓脈衝產生部連接於至少1個上部電極。電壓脈衝可具有正極性，亦可具有負極性。又，電壓脈衝之序列亦可於1個週期內包含1個或複數個正極性電壓脈衝及1個或複數個負極性電壓脈衝。再者，可除RF電源31之外設置第1及第2DC產生部32a、32b，亦可代替第2RF產生部31b而設置第1DC產生部32a。
排氣系統40例如可連接於設置在電漿處理腔室10底部之氣體排出口10e。排氣系統40亦可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥，而調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵亦可包含渦輪分子泵、乾式真空泵或其等之組合。
控制部2對使電漿處理裝置1執行本發明中敍述之各種步驟之電腦能夠執行之命令進行處理。控制部2可構成為控制電漿處理裝置1之各要素以執行此處所述之各種步驟。於一實施方式中，控制部2之一部分或全部可包含於電漿處理裝置1。控制部2例如可包含電腦2a。電腦2a可包含例如處理部(CPU：Central Processing Unit，中央處理單元)2a1、記憶部2a2、及通信介面2a3。處理部2a1可構成為藉由自記憶部2a2讀出程式，執行所讀出之程式而進行各種控制動作。該程式可預先儲存於記憶部2a2，於需要時，亦可經由媒體而取得。所取得之程式儲存於記憶部2a2，且藉由處理部2a1自記憶部2a2讀出而執行。媒體可為電腦2a能夠讀取之各種記憶媒體，亦可為連接於通信介面2a3之通信線路。記憶部2a2可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)、或其等之組合。通信介面2a3可經由LAN(Local Area Network，區域網路)等通信線路而與電漿處理裝置1之間進行通信。
＜基板處理系統PS之構成＞ 圖3係概略性地表示一例示性實施方式之基板處理系統PS之圖。一例示性實施方式之基板處理系統PS具備電漿處理裝置1。
基板處理系統PS具有基板處理室PM1～PM6(以下，亦統稱為「基板處理模組PM」)、搬送模組TM、加載互鎖模組LLM1及LLM2(以下，亦統稱為「加載互鎖模組LLM」)、承載器模組LM、及負載埠LP1至LP3(以下，亦統稱為「負載埠LP」)。控制部CT控制基板處理系統PS之各構成，對基板W執行所給之處理。
基板處理模組PM於其內部對基板W執行蝕刻處理、修整處理、成膜處理、退火處理、摻雜處理、微影處理、清潔處理、灰化處理等處理。基板處理模組PM之一部分可為測定模組，亦可使用例如光學方法測定形成於基板W上之膜之膜厚或形成於基板W上之圖案之尺寸等。圖1所示之電漿處理裝置1係基板處理模組PM之一例。
搬送模組TM具有搬送基板W之搬送裝置，於基板處理模組PM間或基板處理模組PM與加載互鎖模組LLM之間搬送基板W。基板處理模組PM及加載互鎖模組LLM與搬送模組TM鄰接地配置。搬送模組TM與基板處理模組PM及加載互鎖模組LLM藉由能夠開閉之閘閥而於空間上隔離或連結。
加載互鎖模組LLM1及LLM2設置於搬送模組TM與承載器模組LM之間。加載互鎖模組LLM可將其內部之壓力替換為大氣壓或真空。加載互鎖模組LLM自處於大氣壓之承載器模組LM向處於真空之搬送模組TM搬送基板W，又，自處於真空之搬送模組TM向處於大氣壓之承載器模組LM搬送。
承載器模組LM具有搬送基板W之搬送裝置，於加載互鎖模組LLM與負載埠LP之間搬送基板W。於負載埠LP內之內部，例如可載置能夠收納25片基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)或空的FOUP。承載器模組LM自負載埠LP內之FOUP取出基板W，搬送至加載互鎖模組LLM。又，承載器模組LM自加載互鎖模組LLM取出基板W，搬送至負載埠LP內之FOUP。
控制部CT控制基板處理系統PS之各構成，對基板W執行所給之處理。控制部CT控制基板處理系統PS之各構成，以儲存設定有製程之順序、製程之條件、搬送條件等之製程配方，並根據該製程配方，對基板W執行所給之處理。控制部CT亦可兼具圖1所示之電漿處理裝置1之控制部2之一部分或全部之功能。
＜本處理方法之一例＞ 圖4係表示利用電漿處理裝置1進行之本處理方法之順序之一例的說明圖。於本處理方法中，於電漿處理裝置1中，進行依次包含基板W之電漿處理P1、第1清潔處理P2及第2清潔處理P3之處理A。以下，亦將第1清潔處理P2稱為無晶圓乾洗(WLDC)，亦將第2清潔處理P3稱為無晶圓處理(WLT)。例如於電漿處理裝置1中，於處理1個批次之複數片基板W時，處理A重複進行複數次。於1個批次之最初之電漿處理P1中處理之基板W並非製品基板，亦可使用虛設基板進行。於一例中，虛設基板可為不具有形成有圖案之抗蝕膜之基板。
＜基板W之電漿處理P1＞ 電漿處理P1例如包含使用電漿對基板W上之膜進行蝕刻之處理。
首先，將基板W藉由未圖示之搬送臂而搬入至電漿處理腔室10內，如圖2中虛線所示，交接至頂起銷80。其次，將基板W藉由頂起銷80而下降，載置於靜電吸盤61之表面61c上。其次，藉由圖1所示之直流電源70p而對靜電吸盤61之靜電電極61b施加直流電壓。然後，藉由產生於靜電吸盤61與基板W之間的靜電引力，而將基板W吸附保持於靜電吸盤61之表面61c。
其次，自簇射頭13對電漿處理空間10s供給處理氣體。此時所供給之處理氣體包含產生為了基板W之蝕刻處理所需要之活性種的氣體。藉由RF電源31而將高頻電力供給至下部電極。亦可將電漿處理空間10s內之氣體自氣體排出口10e排出，而使電漿處理空間10s內減壓為規定之壓力。藉此，於電漿處理空間10s產生電漿，將基板W進行蝕刻處理。
進行規定時間之蝕刻處理，然後停止對電漿處理空間10s供給處理氣體與對下部電極供給高頻電力，結束蝕刻處理。
然後，停止對靜電電極61b施加直流電壓。而且，基板W藉由頂起銷80提昇，自靜電吸盤61之表面61c脫離。基板W藉由未圖示之搬送臂，而自電漿處理腔室10搬出。
＜第1清潔處理P2＞ 第1清潔處理P2包含以下處理：在靜電吸盤61之表面61c無基板W之狀態下，使用電漿將附著或堆積於電漿處理腔室10之內部例如側壁10a或頂壁等之副產物去除。再者，於第1清潔處理P2中，亦可將附著或堆積於靜電吸盤61之副產物去除。
首先，於上述電漿處理P1中將基板W自電漿處理腔室10搬出之後，在基板W未保持於靜電吸盤61之表面61c之狀態下，自簇射頭13對電漿處理空間10s供給處理氣體。該處理氣體包含產生可將電漿處理P1中所產生之副產物去除之活性種之氣體。例如於副產物係CF系之聚合物之情形時，該處理氣體可為O 2氣體。又，該處理氣體並不限定於O 2氣體，可為CO氣體、CO 2氣體、O 3氣體等其他含氧氣體。又，於除了包含CF系之聚合物以外還包含矽或金屬作為副產物之情形時，該處理氣體除了包含含氧氣體以外，還可包含例如含鹵素氣體。含鹵素氣體例如係CF 4氣體、NF 3氣體等氟系氣體。又，含鹵素氣體亦可為Cl 2氣體等氯系氣體、HBr氣體等溴系氣體。
其次，藉由RF電源31而將高頻電力供給至下部電極。亦可自氣體排出口10e將電漿處理空間10s內之氣體排出，而使電漿處理空間10s內減壓為規定之壓力。藉此，於電漿處理空間10s內產生電漿，將電漿處理腔室10之內部之副產物去除。再者，RF電源31所產生之高頻電力之頻率例如可為10 MHz以上100 MHz以下，亦可為40 MHz以上100 MHz以下。又，該高頻電力例如可為50 W以上10,000 W以下，亦可為100 W以上7,000 W以下，亦可為200 W以上2,000 W以下。
於電漿之產生進行規定時間之後，停止高頻電力之供給與處理氣體之供給，結束第1清潔處理P2。
＜第2清潔處理P3＞ 第2清潔處理P3包含以下處理：在靜電吸盤61之表面61c無基板W之狀態下，使用電漿將電漿處理腔室10內之靜電吸盤61之表面61c改質。本實施方式之清潔方法(亦稱為「本清潔方法」)包含於第2清潔處理P3。圖5係表示第2清潔處理P3之一例之流程圖，圖6係表示電漿產生用之處理氣體(Gas)之供給、電漿產生用之高頻電力(RF)之供給及對靜電吸盤61施加電壓(ESC DC)之時序之順序。
當開始第2清潔處理P3時，首先，於基板W未保持於靜電吸盤61之表面61c之狀態下，開始自簇射頭13對電漿處理空間10s供給處理氣體(圖5之步驟S1)。此時所供給之處理氣體包含產生於電漿處理P1或第1清潔處理P2中為了將曝露於電漿之靜電吸盤61之表面61c改質所需要的電漿者。該處理氣體亦可為N 2氣體等惰性氣體。其次，藉由RF電源31而開始對下部電極供給高頻電力(電漿之產生)(圖5之步驟S2)。藉此，於電漿處理空間10s內自例如N 2氣體產生電漿，而將靜電吸盤61之表面61c氮化，將表面61c之氟去除。於第2清潔處理P3中供給之高頻電力亦可較於第1清潔處理P2中供給之高頻電力高。再者，處理氣體之供給之開始時序(步驟S1)與高頻電力之供給之開始時序(步驟S2)可為同時。
於在電漿處理空間10s內產生有電漿之狀態(圖5中之電漿之產生步驟SA)下，對靜電吸盤61之靜電電極61b施加直流電壓，降低靜電吸盤61之表面61c之帶電量(圖5之步驟S3)。例如，如圖7所示，於藉由電漿之產生而於靜電吸盤61之表面61c產生正電荷之情形時，藉由直流電源70p而對靜電吸盤61之靜電電極61b施加例如正直流電壓。藉此，靜電吸盤61之表面61c帶負電，電荷相抵消而使表面61c之帶電量減少。相反，於在靜電吸盤61之表面61c產生負電荷之情形時，對靜電吸盤61之靜電電極61b施加例如負直流電壓。藉此，靜電吸盤61之表面61c帶正電，電荷相抵消而使表面61c之帶電量減少。再者，圖7係靜電吸盤61之表面61c具有凹凸形狀之情形時之例。於一例示性實施方式中，於清潔處理P3中施加至靜電吸盤61之電壓之極性為與於基板W之電漿處理P1中施加至靜電吸盤61之電壓之極性為相同的極性。
然後，供給處理氣體規定時間，供給高頻電力而產生電漿，且持續對靜電吸盤61施加直流電壓(圖5中之電壓施加步驟SB)。
然後，停止對靜電吸盤61施加電壓(圖5之步驟S4)。繼而，停止高頻電力之供給(圖5之步驟S5)，繼而停止處理氣體之供給(圖5之步驟S6)。如此一來，結束第2清潔處理P3。再者，於本例示性實施方式中，電漿之產生步驟SP係進行處理氣體之供給與高頻電力之供給之兩者的步驟(步驟S2至步驟S5)，電壓施加步驟SB成為步驟S4至步驟S5之間。
根據本例示性實施方式，本清潔方法具有：步驟SA，其於在電漿處理裝置1之腔室10內之靜電吸盤61未保持基板W之狀態下，於腔室10內產生電漿；及步驟SB，其於該電漿之產生步驟SA中產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤61施加電壓而減少靜電吸盤61之表面61c之帶電量。藉此，於第2清潔處理P3時可減少殘留於靜電吸盤61之表面61c之電荷之帶電量。其結果，於第2清潔處理P3之後進行之電漿處理P1中，可減少附著於基板W之背面之顆粒。又，可降低使基板W自靜電吸盤61脫離時之頂起銷80之轉矩。關於該點，使用圖8及圖9更詳細地進行說明。
於未應用本清潔方法之情形時，即，於清潔處理P3時未對靜電吸盤61施加電壓之情形時，如圖8A所示，於清潔處理P3後之靜電吸盤61之表面61c殘留有正電荷。
因此，於之後進行之電漿處理P1時，於使基板W吸附於靜電吸盤61之情形時，如圖8B所示，負電荷會自基板W向靜電吸盤61過量地移動，靜電吸盤61之吸附力增大。於此種狀態下，因基板W與靜電吸盤61之熱膨脹係數差，會使藉由基板W之背面與靜電吸盤61之表面之摩擦所產生之顆粒增加。
又，如圖8C所示，由於電漿處理P1後之殘留電荷量增大，故而藉由頂起銷使基板W自靜電吸盤61脫離時之銷轉矩(Pin torque)會增加。
另一方面，於應用有本清潔方法之情形時，即，於在清潔處理P3時對靜電吸盤61施加電壓之情形時，如圖9A所示，可減少殘留於清潔處理P3後之靜電吸盤61之表面61c之正電荷。
因此，於之後進行之電漿處理P1時，於使基板W吸附於靜電吸盤61之情形時，如圖9B所示，負電荷自基板W向靜電吸盤61之移動得到抑制，而使靜電吸盤61之吸附力之增加得到抑制。其結果，可減少藉由基板W之背面與靜電吸盤61之表面之摩擦而產生的顆粒。
又，如圖9C所示，由於電漿處理P1後之殘留電荷之增加得到抑制，故而可抑制藉由頂起銷使基板W自靜電吸盤61脫離時之銷轉矩(Pin torque)之增加。
根據本例示性實施方式，於在電漿之產生步驟SA中開始供給電漿產生用之高頻電力之後(步驟S2之後)，開始對靜電吸盤61施加電壓，於在電漿之產生步驟SA中停止供給電漿產生用之高頻電力之前(步驟S5之前)，停止對靜電吸盤61施加電壓。藉此，僅於產生有電漿之期間對靜電吸盤61施加電壓。其結果，可防止於未產生電漿之狀態下藉由對靜電吸盤61施加電壓而會產生之放電。
根據本例示性實施方式，於在電漿之產生步驟SA中開始供給電漿產生用之處理氣體之後(步驟S1之後)，開始對靜電吸盤61施加電壓，於在電漿之產生步驟SA中停止供給電漿產生用之處理氣體之前(步驟S6之前)，停止對靜電吸盤61施加電壓。藉此，僅於產生有電漿之期間對靜電吸盤61施加電壓。其結果，可防止於未產生電漿之狀態下藉由對靜電吸盤61施加電壓而會產生之放電。
於本例示性實施方式中之本清潔方法之電漿之產生步驟SA中，於腔室10內產生電漿，而清潔腔室10內之靜電吸盤61之表面61c。於該第2清潔處理P3中，作為電漿之狀態，靜電吸盤61之表面61c容易殘留較多之電荷。因此，藉由於第2清潔處理P3中對靜電吸盤61施加電壓，可有效地減少殘留電荷之帶電量。
根據本例示性實施方式，本處理方法具有：步驟SA，其於在電漿處理裝置1之腔室10內之靜電吸盤61未保持基板W之狀態下，於腔室10內產生電漿；於該電漿之產生步驟SA中產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤61施加電壓而減少靜電吸盤61之表面61c之帶電量的步驟；及於電漿處理裝置1之腔室10內之靜電吸盤61保持基板W，而對基板W進行電漿處理的步驟(電漿處理P1)。藉此，於在靜電吸盤61未保持基板W之例如第2清潔處理P3時，可減少殘留於靜電吸盤61之表面61c之電荷之帶電量。然後，於靜電吸盤61保持基板W之電漿處理P1於第2清潔處理P3之例如之後進行，於該電漿處理P1中，可減少附著於基板W之背面顆粒。又，可降低基板W自靜電吸盤61脫離時之頂起銷80之轉矩。又，即便於藉由在第2清潔處理P3之前進行之電漿處理P1而產生之電荷殘留於靜電吸盤61之情形時，於第2清潔處理P3中，可集中減少之前之電漿處理P1之殘留電荷與第2清潔處理P3時產生的殘留電荷。
根據本例示性實施方式，電漿處理裝置1具備腔室10、於腔室10內保持基板W之靜電吸盤61、對腔室10內供給電漿產生用之電力之作為第1電源之RF電源31、對靜電吸盤61施加電壓之作為第2電源之直流電源70p、及控制部2。而且，控制部2執行：步驟SA，其於在腔室10內之靜電吸盤61未保持基板W之狀態下，藉由RF電源31而對腔室10內供給電漿產生用之電力，於腔室10內產生電漿；及於該電漿之產生步驟SA中產生有電漿之狀態下，藉由直流電源70p對靜電吸盤61施加電壓而減少靜電吸盤61之表面61c之帶電量的步驟。藉此，於使用電漿處理裝置1之基板處理中，於在靜電吸盤61未保持基板W之例如第2清潔處理P3時，可減少殘留於靜電吸盤61之表面61c之電荷之帶電量。而且，於靜電吸盤61保持基板W之電漿處理P1於第2清潔處理P3之例如之後進行，於該電漿處理P1中，可減少附著於基板W之背面之顆粒。又，可降低基板W自靜電吸盤61脫離時之頂起銷80之轉矩。
＜實施例＞ 於進行應用有本清潔方法之清潔處理之後之電漿處理P1中，測定使基板W自靜電吸盤61脫離時所需要之頂起銷之轉矩。又，於進行未應用本清潔方法之先前之清潔處理之後的電漿處理P1中，測定使基板W自靜電吸盤61脫離時所需要之頂起銷之轉矩。圖10之曲線圖表示進行應用有本清潔方法之清潔處理之後的電漿處理P1中之頂起銷之轉矩與進行先前之清潔處理之後的電漿處理P1中之頂起銷之轉矩的差量。圖10之曲線圖之橫軸係對靜電吸盤61施加之電壓。根據該測定結果可確認，藉由對靜電吸盤61適當地施加有施加電壓，電漿處理P1時之頂起銷之轉矩減少。
於進行應用有本清潔方法之清潔處理之後之電漿處理P1中，測定靜電吸盤61之表面之殘留電荷。又，於進行未應用本清潔方法之先前之清潔處理之後的電漿處理P1中，測定靜電吸盤61之表面之殘留電荷。圖11之曲線圖表示進行應用有本清潔方法之清潔處理之後的電漿處理P1中之殘留電荷與進行先前之清潔處理之後的電漿處理P1中之殘留電荷的差量。圖11之曲線圖之橫軸係對靜電吸盤61施加之電壓。根據該測定結果可確認，藉由對靜電吸盤61適當地施加有施加電壓，電漿處理P1時之殘留電荷減少。
測定單獨地進行之電漿處理P1之基板(3片基板W1、W2、W3)之背面顆粒之量(情形C1)、進行應用有本清潔方法之第2清潔處理P3之後之電漿處理P1的基板(3片基板W1、W2、W3)之背面顆粒之量(情形C2)、進行未應用本清潔方法之第2清潔處理P3之後的電漿處理P1之基板(3片基板W1、W2、W3)之背面顆粒之量(情形C3)。然後，將其等進行比較。將其結果示於圖12之曲線圖。再者，圖12中之「Pt」係指背面顆粒。根據該測定結果可確認，於進行應用有本清潔方法之第2清潔處理P3之後之電漿處理P1(情形C2)中，基板W之背面顆粒減少。
＜本清潔方法之另一例示性實施方式＞ 於本清潔方法中施加至靜電吸盤61之電壓亦可為利用理論值、經驗規則等預先決定者。又，於本清潔方法中施加至靜電吸盤61之電壓亦可測定靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態，基於該帶電狀態來決定。例如，本清潔方法具有於在電漿之產生步驟SA中產生有電漿之狀態下，測定靜電吸盤61之表面之帶電狀態之步驟，亦可基於該帶電狀態之測定步驟中所測定出之靜電吸盤61之表面61c的帶電狀態，決定施加至靜電吸盤61之電壓。進而，亦可基於靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態與該帶電狀態下應施加至靜電吸盤61之電壓的關係，根據靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態之測定結果，決定施加至靜電吸盤61之電壓。對該一例示性實施方式進行說明。
＜測定裝置100之構成＞ 於一例示性實施方式中，靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態與靜電吸盤61之靜電電極61b的電位V1對應。例如，若靜電吸盤61之表面61c帶正電，則靜電電極61b之電位V1下降成為負。若靜電吸盤61之表面61c帶負電，則靜電電極61b之電位V1上升成為正。因此，如圖13所示，一例示性實施方式之電漿處理裝置1具備測定與靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態對應的靜電電極61b之電位V1之測定裝置100。
測定裝置100例如具有過濾器101、銅圓板102、銅板103、丙烯酸系樹脂板104、探針105及表面電位計106。探針105及表面電位計106構成電位測定系統107。
靜電吸盤61之開關70s為了方便說明，與測定裝置100分開圖示，測定裝置100亦可具有開關70s。開關70s將靜電電極61b之連接於直流電源70p與測定裝置100之具有靜電電容之構件之間切換。開關70s於測定靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態之時點，將靜電電極61b連接於測定裝置100。於銅圓板102與銅板103之間隔著丙烯酸系樹脂板104之構成之構件係具有靜電電容之構件的一例。具有靜電電容之構件並不限定於銅圓板102、銅板103及丙烯酸系樹脂板104之構成，可由絕緣之導體構成。
於電位測定系統107中，使用非接觸地設置於銅圓板102之表面之探針105藉由表面電位計106而測定於銅圓板102與銅板103之間之丙烯酸系樹脂板104產生之電位。電位測定系統107係測定相當於蓄積在具有靜電電容之構件之電荷量之值之測定部的一例。探針105只要可測定銅圓板102與銅板103之間之電位差，則可與銅圓板102接觸，亦可為非接觸。
於開關70s與具有靜電電容之構件之間，設置有去除高頻電力之過濾器101。藉此，防止高頻電力傳播至測定裝置100。若開關70s自與直流電源70p連接之側向與測定裝置100之具有靜電電容之構件連接之側切換，則能夠進行於具有靜電電容之構件產生之電位V1之測定，即，浮動狀態之靜電電極61b之電位V1之測定。
具體而言，銅板103接地，使用非接觸地設置於銅圓板102之表面之探針105藉由表面電位計106而測定出之電位成為浮動狀態之靜電電極61b的電位V1。
藉由表面電位計106而測定出之電位V1之資訊作為表示靜電吸盤61之帶電狀態之資訊輸出至控制部2，控制部2基於該資訊控制直流電源70p，將使靜電吸盤61之表面61c之帶電量減少之電壓施加至靜電吸盤61。
控制部2具有作為如圖14所示之帶電狀態(例如電位V1)與於該帶電狀態下應施加至靜電吸盤61之電壓之關係的相關資料D。相關資料D例如可於對基板W進行處理之前藉由使電漿處理裝置1作動所得之資料而製成，亦可藉由理論值、計算值等而製成。控制部2根據測定裝置100對靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態之測定結果，基於相關資料D，按照測定出之清潔處理中自電漿產生之帶電量來決定施加至靜電吸盤61之電壓。
＜使用測定裝置100之第2清潔處理P3＞ 於第2清潔處理P3中，藉由測定裝置100，而測定靜電電極61b之電位V1。該電位V1與靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態對應。該測定可於第2清潔處理P3中持續地進行，亦可斷續地進行複數次，亦可於特定時刻進行1次。
具體而言，藉由測定裝置100，使用探針105藉由表面電位計106而測定靜電吸盤61之靜電電極61b之電位V1。所測定出之電位V1輸出至控制部2，控制部2根據該電位V1(帶電狀態)，基於相關資料D來決定施加至靜電吸盤61之電壓(電壓之正負、值等)。
控制部2控制直流電源70p，將靜電吸盤61之表面61c之帶電量減少之電壓施加至靜電吸盤61之靜電電極61b。例如，於靜電吸盤61之靜電電極61b之電位V1為正方向之電位變化，即於靜電吸盤61之表面61c帶正電荷之電之情形時，為了對靜電吸盤61之表面61c供給負電荷，而對靜電吸盤61之靜電電極61b施加正電壓。又，若靜電電極61b之正電位變化量越大，則對靜電吸盤61之靜電電極61b施加越高之正電壓。
相反，於靜電吸盤61之靜電電極61b之電位V1為負方向之電位變化，即靜電吸盤61之表面61c帶負電荷之電之情形時，為了對靜電吸盤61之表面61c供給正電荷，而對靜電吸盤61之靜電電極61b施加負電壓。又，靜若電電極61b之負電位變化量越小，則對靜電吸盤61之靜電電極61b施加越低之負電壓。
根據本例示性實施方式，可使靜電吸盤61之表面61c之帶電量準確且確實地減少。
再者，測定靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態之測定裝置並不限定於上述測定裝置100之構成。該測定裝置只要為直接測定靜電吸盤61之表面61c之帶電狀態者，或者測定與帶電狀態對應之值者，則亦可並非測定靜電電極61b之電位V1者。
＜本清潔方法對第1清潔處理P2之應用＞ 本清潔方法亦可應用於第1清潔處理P2。
於該情形時，當開始第1清潔處理P2時，首先，在基板W未保持於靜電吸盤61之表面61c之狀態下，開始自簇射頭13對電漿處理空間10s供給處理氣體。此時供給之處理氣體包含產生為了去除電漿處理P1中產生之副產物所需要之電漿者。其次，藉由RF電源31而開始對下部電極供給高頻電力。藉此，於電漿處理空間10s內產生電漿，去除電漿處理腔室10之內部之副產物。藉此，於電漿處理空間10s內產生電漿，去除電漿處理腔室10之副產物。於產生有該電漿之狀態下，對靜電吸盤61施加電壓，而減少靜電吸盤61之表面61c之帶電量。例如，如圖7所示，藉由電漿之產生而於靜電吸盤61之表面61c產生正電荷之情形時，對靜電吸盤61之靜電電極61b施加例如正直流電壓。藉此，靜電吸盤61之表面61c帶負電，電荷相抵消而使表面61c之帶電量減少。相反，於靜電吸盤61之表面61c產生負電荷之情形時，對靜電吸盤61之靜電電極61b施加例如負直流電壓。藉此，靜電吸盤61之表面61c帶正電，電荷相抵消而使表面61c之帶電量減少。
然後，供給處理氣體規定時間，供給高頻電力而產生電漿，且持續對靜電吸盤61施加直流電壓。
然後，停止對靜電吸盤61施加電壓。繼而，停止供給高頻電力，繼而停止供給處理氣體。如此一來，結束第1清潔處理P2。
根據本例示性實施方式，可減少第1清潔處理P2時殘留於靜電吸盤61之表面61c之電荷之帶電量。
本清潔方法可不應用於第2清潔處理P3，而僅應用於第1清潔處理P2，亦可應用於第1清潔處理P2與第2清潔處理P3之兩者。即，本清潔方法亦可於第1清潔處理P2中，具有以下步驟：(a1)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，清潔腔室之內部；及(b1)於上述(a1)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而減少靜電吸盤表面之帶電量；於第2清潔處理P3中，具有以下步驟：(a2)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，清潔腔室內之靜電吸盤之表面；及(b2)於(a2)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而減少靜電吸盤表面之帶電量。於該情形時，可於第1清潔處理P2及第2清潔處理P3時減少殘留於靜電吸盤61之表面61c之電荷之帶電量。
於將本清潔方法應用於第1清潔處理P2與第2清潔處理P3之兩者之情形時，於第1清潔處理P2與第2清潔處理P3中靜電吸盤61之被施加電壓亦可不同。又，靜電吸盤61之被施加電壓亦可為第2清潔處理P3較第1清潔處理P2高。於該情形時，由於在靜電吸盤61之帶電量相對較多之第2清潔處理P3中施加電壓變高，故而例如可提高能量效率。
本清潔方法及本處理方法可不脫離本發明之範圍及主旨地進行各種變化。例如，於業者之通常之創作能力範圍內，可將某實施方式中之一部分構成要素追加於其他實施方式。又，可將某實施方式中之一部分構成要素與其他實施方式之對應的構成要素置換。
例如，本清潔方法中之電壓對靜電吸盤61之施加可於產生有電漿之期間之一部分或全部進行。又，電壓對靜電吸盤61之施加亦可於未產生電漿之期間進行。
本清潔方法亦可應用於第2清潔處理P3、第1清潔處理P2以外之清潔處理。
本處理方法亦可應用於重複電漿處理P1、第1清潔處理P2、第2清潔處理P3之順序以外之其他順序。
本清潔方法及本處理方法除了使用電容耦合型之電漿處理裝置1以外，還可使用利用感應耦合型電漿或微波電漿等任意電漿源之電漿處理裝置來執行。
1:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通信介面 10:腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 13:簇射頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:RF電源 31a:第1RF產生部 31b:第2RF產生部 32:DC電源 32a:第1DC產生部 32b:第2DC產生部 40:排氣系統 50:本體部 50a:中央區域 50b:環狀區域 50c:貫通孔 51:環組件 60:基台 60a:流路 61:靜電吸盤 61a:陶瓷構件 61b:靜電電極 61c:表面 70p:直流電源 70s:開關 80:頂起銷 100:測定裝置 101:過濾器 102:銅圓板 103:銅板 104:丙烯酸系樹脂板 105:探針 106:表面電位計 107:電位測定系統 A:處理 CT:控制部 LM:承載器模組 LLM1,LLM2:加載互鎖模組 LP1～LP3:負載埠 P1:電漿處理 P2:第1清潔處理 P3:第2清潔處理 PM1～PM6:基板處理室 S1～S6:步驟 SA:步驟 SB:步驟 TM:搬送模組 W:基板
圖1係概略性地表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖2係模式性地表示具有頂起銷之本體部之一例之圖。 圖3係概略性地表示基板處理系統之一例之圖。 圖4係用以說明基板之處理方法之順序之一例的圖。 圖5係表示第2清潔處理之一例之流程圖。 圖6係表示第2清潔處理之處理氣體供給、高頻電力供給、對靜電吸盤之電壓施加之順序之一例的圖。 圖7係用以說明靜電吸盤之表面之帶電狀態之一例的圖。 圖8A係模式性地表示未應用本清潔方法之情形時清潔處理後之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖8B係模式性地表示未應用本清潔方法之情形時後續之電漿處理時之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖8C係模式性地表示未應用本清潔方法之情形時後續之電漿處理後之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖9A係模式性地表示應用有本清潔方法之情形時清潔處理後之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖9B係模式性地表示應用有本清潔方法之情形時後續之電漿處理時之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖9C係模式性地表示應用有本清潔方法之情形時後續之電漿處理後之靜電吸盤表面之帶電狀態之一例的圖。 圖10係表示頂起銷之轉矩差量與施加電壓之關係之曲線圖。 圖11係表示殘留電荷差量與施加電壓之關係之曲線圖。 圖12係表示藉由本清潔方法獲得之顆粒量減少效果之曲線圖。 圖13係概略性地表示具有測定裝置之電漿處理裝置之一例之圖。 圖14係表示帶電狀態(電位V1)與施加電壓之相關資料之一例之圖。
SA:步驟
SB:步驟

Claims (12)

  1. 一種清潔方法，其係對基板進行電漿處理之電漿處理裝置中之清潔方法，且具有以下步驟： (a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿；及 (b)於上述(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓而降低靜電吸盤表面之帶電量。
  2. 如請求項1之清潔方法，其中上述(a)包含供給電漿產生用之電力之步驟， 於上述(a)中開始供給電漿產生用之電力之後，開始上述(b)中之對上述靜電吸盤施加電壓， 於上述(a)中停止供給電漿產生用之電力之前，停止上述(b)中之對上述靜電吸盤施加電壓。
  3. 如請求項1或2之清潔方法，其中於上述(a)之前，具有供給電漿產生用之氣體之步驟， 於上述(a)中開始供給電漿產生用之氣體之後，開始上述(b)中之對上述靜電吸盤施加電壓， 於上述(a)中停止供給電漿產生用之氣體之前，停止上述(b)中之對上述靜電吸盤施加電壓。
  4. 如請求項1至3中任一項之清潔方法，其進而具有(c)於上述(a)之產生有電漿之狀態下，測定靜電吸盤表面之帶電狀態之步驟， 基於上述(c)中測定出之靜電吸盤表面之帶電狀態，決定於上述(b)中施加至上述靜電吸盤之電壓。
  5. 如請求項4之清潔方法，其中基於靜電吸盤表面之帶電狀態與於該靜電吸盤表面之帶電狀態下應施加至靜電吸盤之電壓的關係，根據上述(c)中之靜電吸盤表面之帶電狀態之測定結果，決定上述(b)中之施加至上述靜電吸盤之電壓。
  6. 如請求項1至5中任一項之清潔方法，其中於上述(a)中，於腔室內產生電漿，清潔腔室內之靜電吸盤之表面。
  7. 如請求項1至5中任一項之清潔方法，其中於上述(a)中，於腔室內產生電漿，清潔腔室之內部。
  8. 如請求項1至5中任一項之清潔方法，其具有以下步驟： (a1)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，清潔腔室之內部； (b1)於上述(a1)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而降低靜電吸盤表面之帶電量； (a2)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿，清潔腔室內之靜電吸盤之表面；及 (b2)於上述(a2)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓，而降低靜電吸盤表面之帶電量。
  9. 如請求項8之清潔方法，其中上述(b1)與上述(b2)中施加至靜電吸盤之電壓不同。
  10. 一種基板之處理方法，其具有： 如請求項1至9中任一項之清潔方法；及 (c)於上述(a)及上述(b)之前或之後之至少任一者，於上述靜電吸盤保持基板，而對上述基板進行電漿處理之步驟。
  11. 一種基板之處理方法，其係電漿處理裝置中之基板之處理方法，且具有以下步驟： (a)於在電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，於腔室內產生電漿； (b)於上述(a)之產生有電漿之狀態下，對靜電吸盤施加電壓；及 (c)於電漿處理裝置之腔室內之靜電吸盤保持基板，而對基板進行電漿處理； 且上述(c)係於上述(a)及上述(b)之前或之後之至少任一者進行， 於上述(b)中施加至上述靜電吸盤之電壓之極性為與於上述(c)中施加至上述靜電吸盤之電壓之極性相同的極性。
  12. 一種電漿處理裝置，其具備： 腔室； 靜電吸盤，其於上述腔室內保持基板； 第1電源，其對上述腔室內供給電漿產生用之電力； 第2電源，其對上述靜電吸盤施加電壓；及 控制部； 上述控制部執行具有以下步驟之控制： (a)於在腔室內之靜電吸盤未保持基板之狀態下，藉由上述第1電源對上述腔室內供給電漿產生用之電力，於腔室內產生電漿；及 (b)於上述(a)之產生有電漿之狀態下，藉由上述第2電源對靜電吸盤施加電壓而降低靜電吸盤表面之帶電量。
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