TW202327519A - 鐳射定位系統校準方法、校準裝置及校準系統 - Google Patents

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TW202327519A
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TW111150719A
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舒迪昀
貢秋平
劉星言
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大陸商中硼(廈門)醫療器械有限公司
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Abstract

本申請提供一種鐳射定位系統校準方法、校準裝置及校準系統,校準方法包括:在第一室和第二室分別設置校準裝置;校準裝置包括校準模體,第一室的校準模體與第一室的預設中心點之間的相對位置和第二室的校準模體與第二室的預設中心點之間的相對位置相同;對第一定位標記在第一室的校準模體上的位置和第二定位標記在第二室的校準模體上的位置進行比對。本申請提供的技術方案,可以避免第一室的第一鐳射定位系統和第二室的第二鐳射定位系統不一致導致對患者的照射位置偏移正確的治療位置的問題,減少或避免患者受到不必要的輻射劑量。

Description

鐳射定位系統校準方法、校準裝置及校準系統
本申請涉及醫療技術領域,具體地,涉及一種鐳射定位系統校準方法、校準裝置及校準系統。
隨著原子科學的發展,例如鈷六十、直線加速器、電子射束等放射線治療已成為癌症治療的主要手段之一。然而傳統光子或電子治療受到放射線本身物理條件的限制,在殺死腫瘤細胞的同時,也會對射束途徑上大量的正常組織造成傷害。
為了減少腫瘤周邊正常組織的輻射傷害,化學治療(chemotherapy)中的標靶治療概念便被應用於放射線治療中;而針對高抗輻射性的腫瘤細胞,目前也積極發展具有高相對生物效應(relative biological effectiveness ,RBE)的輻射源,如質子治療、重粒子治療、中子捕獲治療等。其中,中子捕獲治療便是結合上述兩種概念,如硼中子捕獲治療,借由含硼藥物在腫瘤細胞的特異性集聚,配合精准的中子射束照射,提供比傳統放射線更好的癌症治療選擇。
放射治療系統包通常括多個活動空間,包括影像室、照射室和準備室等。如照射室是用於向患者照射中子束進行治療的房間,照射室設有鐳射發射器以發射雷射光束對患者進行治療定位;準備室是為用於實施向患者照射中子束前所需的準備工作的房間,準備室設有鐳射發射器以發射雷射光束以對患者進行模擬定位。
在照射室和準備室與定位相關的佈局、結構設置基本類似,二者均具有鐳射定位系統、準直器及治療床。
其中鐳射定位系統通常包括多個鐳射發射器,分別固定安裝於準備室/照射室的牆壁和天花板上,也就是說,照射室和準備室的牆壁上均有相對位置完全一樣的鐳射發射器。透過在準備室和照射室針對患者的多次照射設定位標記,確保患者腫瘤靶區與模擬定位機(準備室中)或放射治療機(照射室中)的等中心位置一致。
但是,鐳射定位系統在使用過程中會受到環境、人為或溫差等因素的影響產生偏移,導致準備室和照射室中的鐳射定位系統指示的等中心位置不一致,從而使得放射治療機對患者的照射位置偏離正確的治療位置。在此條件下對病患進行擺位治療,相當於患者在治療中產生了體位移動。病患在此情況下,相較與正確的治療位置,治療效果變差,受到的不必要輻射劑量上升。因此,定期地校準鐳射定位系統的精度十分重要。
有鑑於此,本申請提供一種鐳射定位系統校準方法、校準裝置及校準系統,以解決現有技術中第一室和第二室的鐳射定位系統指示的等中心位置不一致導致放射治療機對患者的照射位置偏離正確的治療位置的問題。
為了實現上述目的,本申請提供一種鐳射定位系統校準方法,所述方法包括:
在第一室和第二室分別設置校準裝置;其中,所述校準裝置包括校準模體,所述第一室的校準模體與所述第一室的預設中心點之間的相對位置和所述第二室的校準模體與所述第二室的預設中心點之間的相對位置相同;
對第一定位標記在所述第一室的校準模體上的位置和第二定位標記在所述第二室的校準模體上的位置進行比對;其中,所述第一定位標記為所述第一室的第一鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體上形成的定位標記,所述第二定位標記為所述第二室的第二鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體上形成的定位標記。
可選地,所述方法還包括:
如所述第一定位標記在所述校準模體上的位置和/或所述第二定位標記在所述標準模體上的位置存在偏差,基於所述偏差對所述第一鐳射定位系統和/或所述第二鐳射定位系統進行調整。
可選地,所述校準裝置還包括支撐架;
所述設置校準裝置包括:安裝所述支撐架,將所述校準模體設置在所述支撐架的預設位置。
可選地,所述支撐架包括安裝架及安裝在所述安裝架上的用於支撐所述校準模體的支撐板;
所述安裝所述支撐架的方法包括:將所述安裝架安裝在所述第二室或所述第一室的預設位置,並調整所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度。
可選地,所述支撐板上設置有第一方向上的第一刻度和與所述第一方向垂直的第二方向上的第二刻度;
所述將所述校準模體設置在所述支撐架的預設位置,包括:根據所述第一刻度和所述第二刻度,將所述校準模體放置在所述支撐板上的預設刻度位置。
可選地,所述第一室和第二室中,均安裝所述支撐架並調整至水準,將位於第一室和第二室中的所述校準模體放置在所述預設刻度位置。
可選地,所述校準模組上設置有參照標記。
本申請另一方面提供一種用於校準鐳射定位系統的校準裝置,所述校準裝置用於安裝在具有第一鐳射定位系統的第一室和/或具有第二鐳射定位系統的第二室;
所述校準裝置包括校準模體,
在所述第一室安裝所述校準裝置時,所述第一鐳射定位系統發射的鐳射在所述校準模體上形成第一定位標記,在所述第二室安裝所述校準裝置時,所述第二鐳射定位系統發射的鐳射在所述校準模體上形成第二定位標記,根據所述第一定位標記在所述校準模體上的位置和所述第二定位標記在所述校準模體上的位置判斷和確定所述第一鐳射定位系統和所述第二鐳射定位系統的一致性。
可選地,所述支撐架用於安裝在所述第一室或所述第二室,所述校準模體用於設置在所述支撐架上。
可選地,所述支撐架包括用於安裝的安裝架和設置在所述安裝架上的支撐板,所述校準模體可選擇地設置在所述支撐板上;
其中,所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度可調節;
所述支撐板上設置有第一方向上的第一刻度和與所述第一方向垂直的第二方向上的第二刻度,根據所述第一刻度和所述第二刻度,所述校準模體設置在所述支撐板上的預設刻度位置。
可選地,所述安裝架上設置有位於所述支撐板下方的調整結構,所述支撐板的下表面上設置有與所述調整結構配合的定位結構,透過調節所述調整結構能夠調節所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度。其中,調整結構可選地設置成調整螺栓,定位結構相應地設置成定位孔。
可選地,所述校準模組上設置有參照標記。
根據本申請的另一方面,還提供一種校準系統,所述校準系統包括設置有第一鐳射定位系統的第一室、設置有第二鐳射定位系統的第二室以及如上所述的校準裝置;
在所述第一室和所述第二室分別設置所述校準裝置,所述第一室的所述校準模體與所述第一室的預設中心點之間的相對位置和所述第二室的校準模體與所述第二室的預設中心點之間的相對位置相同時,對第一定位標記在校準模體上的位置和第二定位標記在校準模體上的第二定位標記進行比對,從而判斷和確定所述第一鐳射定位系統和所述第二鐳射定位系統的一致性;其中,所述第一定位標記為所述第一鐳射定位系統發出的鐳射在所述第一室的校準模體上形成的定位標記,所述第二定位標記為所述第二鐳射定位系統發出的鐳射在所述第二室的校準模體上形成的定位標記。
可選地,所述第一室和所述第二室分別設置有準直器及安裝所述準直器的準直器安裝結構,所述校準裝置的所述支撐架安裝在所述準直器安裝結構上;
所述第一室和第二室各自的預設中心點與準直器位置關係對應,空間維度完全一致。
本申請提供的技術方案中,透過對第一室的第一鐳射定位系統在校準模體上形成的第一定位標記和第二室的第二鐳射定位系統在校準模體上形成的第二定位標記進行比對,可以確定第一鐳射定位系統和第二鐳射定位系統是否存在偏移,從而避免第二室的放射治療機的照射位置偏離正確的治療位置使得患者治療效果不佳,且受到不必要的輻射劑量的問題。
本申請的其它特徵和優點將在隨後的具體實施方式部分予以詳細說明。
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本申請保護的範圍。在不衝突的情況下,本申請中的實施方式及實施方式中的特徵可以相互組合。
在本申請的描述中,需要理解的是,術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“頂”、“底”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係,僅是為了便於描述本申請和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本申請的限制。另外,“內、外”是指相對於各部件本身的輪廓的內、外。
此外,術語“第一”、“第二”僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此,限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特徵。
放射治療系統包括第一室100和第二室200,如圖1所示,第一室100可以是準備室,是向患者照射中子束前進行準備工作的房間,準備工作包括將患者固定於治療台、對患者的腫瘤進行定位並做好三維定位標記等。第二室200是可以是照射室,是用於向患者照射中子束進行治療的房間。準備室100優選地設置於照射室200的一側,兩者之間設置有供患者進出的進出口及打開或關閉該進出口的門。帶電粒子產生室300透過帶電粒子產生部301產生帶電粒子束並經過一系列反應和減速後,形成治療用的中子束,並從照射室200的第二準直器201射出至患者的腫瘤部位。
第一室、第二室包括但不限於準備室或照射室,也可以是實際治療和準備過程中,需要擺位元對準的具有其他功能的空間。
如圖2和圖3所示,準備室100內設置有第一鐳射定位系統,第一鐳射定位系統包括多個第一鐳射發射器102,分別設置在準備室100的頂壁及各側壁上,用於發射雷射光束對患者進行模擬定位。準備室100內還設置有位於一側牆壁上的第一準直器101,該第一準直器101作為定位參照的模擬準直器,與照射室200內的第二準直器201的結構、尺寸和位置完全相同。
照射室200內設置有第二鐳射定位系統,第二鐳射定位系統包括多個第二鐳射發射器202,分別設置在照射室200的頂壁及各側壁上。照射室200內的一側牆壁上還設置有供治療用中子束射出的第二準直器201。
結合患者採用CT影像等成像方式獲得的患部影像,在準備室100內透過第一鐳射定位系統的各個第一鐳射發射器102對腫瘤部位進行定位並在患者的體表做好定位標記後,進入照射室200,在照射室200內,對透過第二鐳射定位系統的各個第二鐳射發射器發射202的鐳射對患者體表預先做好的定位標記進行對準定位,使得中子束能夠對準腫瘤部位進行照射。具體的標記方法和定位方法為業內普通技術人員所熟知的技術,在此不做詳細描述。
優選地,準備室100內的各個第一鐳射發射器102和第一準直器101之間的位置關係需設置為分別與照射室200內的各個第二鐳射發射器202和第二準直器201之間的位置關係一一對應相同。當然,準備室100可能實際尺寸會比照射室200小,應當儘量保證準備室100與照射室200預設的中心點相對於各自的準直器位置關係一一對應相同,也就是說,準備室100與照射室200中,準直器與預設中心點相對關係的絕對空間維度應當完全一致,在垂直、水準和前後三個維度上完全統一,這樣才能使得中子束對準腫瘤部位進行照射。具體的,準備室100內以第一準直器101的中心點M為基準點,照射室200內以第二準直器201的中心點N為基準點。優選地,各個第一鐳射發射器101的座標值需要與各個第二鐳射發射器201的座標值一一對應相同。各個第一鐳射發射器101發射的鐳射平面交匯獲得的交點位於第一準直器101出口軸線上,各個第二鐳射發射器201發射的鐳射平面交匯獲得的交點位於第二準直器201出口軸線上,第一鐳射發射器101鐳射交匯點與中心點M和第二鐳射發射器201鐳射交匯點與中心點N的絕對位置完全一致。
為此,需要對第一鐳射定位系統和第二鐳射定位系統進行校準,以使得兩者的位置關係能夠一一對應相同,以避免在兩者發生偏移的情況下,第二鐳射定位系統所指示的治療位置偏離正確的治療位置,從而導致患者沒有達到預定的治療效果且受到不必要的輻射劑量。
本申請提供一種鐳射定位系統校準方法,方法包括:
如圖1所示,在準備室100和照射室200分別設置校準裝置;其中,校準裝置包括校準模體1,準備室100的校準模體1與準備室200的預設中心點之間的相對位置和照射室200的校準模體1與照射室200的預設中心點之間的相對位置相同;其中,準備室200的預設中心點可以是第一準直器101在牆面上的投影的中心點M,相對應地,照射室200的預設中心點是第二準直器201在牆面上的投影的中心點N。當然,準備室100和照射室200的預設中心點還可以是其它的相互對應的預設點,例如用於定位患者的治療台的某個基準點。
然後,對第一定位標記在準備室100的校準模體1上的位置和第二定位標記在照射室200的校準模體1上的位置進行比對;其中,第一定位標記為準備室100的第一鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體1上形成的定位標記,第二定位標記為照射室200的第二鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體1上形成的定位標記。
其中,第一定位標記和第二定位標記可以是發射的鐳射在校準模體1的表面上的形成的十字線標記或者點,在此不作限制。
其中,在準備室100和照射室200分別設置校準裝置,可以是在準備室100內設置校準裝置後,在校準模體1上形成第一定位標記的位置進行標識,然後再將該校準裝置放置到照射室200內,將在照射室內形成的第二定位標記與第一定位標記的標識進行比較,即準備室100和照射室200內採用的校準裝置是同一校準裝置。也可以是,在準備室100和照射室200采兩套相同的校準裝置,即在準備室100設置第一校準裝置,在照射室200設置第二校準裝置。
鐳射定位系統校準方法還包括:
如果第一定位標記在校準模體1上的位置和第二定位標記在標準模體1上的位置存在偏差,則表示準備室100的第一鐳射定位系統與照射室200的第二鐳射定位系統不一致,可以基於該偏差,根據第一定位標記和第二定位標記在校準模體1上的位置關係來對第一鐳射定位系統和/或第二鐳射定位系統進行調整。具體可以調整鐳射線投射的位置、角度和鐳射線的聚焦度,使得準備室100的第一鐳射定位系統和照射室200的第二鐳射定位系統鐳射平面交點盡可能達到一致。
而如果第一定位標記在校準模體1上的位置和第二定位標記在標準模體1上的位置分別一一對應相同、維度完全一致的情況下,則準備室100的第一鐳射定位系統與照射室200的第二鐳射定位系統是一致的,不需要進行調整。
在一個實施方式中,如圖4和圖5所示,校準裝置還包括支撐架2。設置校準裝置的方法包括:安裝支撐架2,將校準模體1設置在支撐架2的預設位置。優選地,可以將支撐架2安裝在準直器安裝接結構上,準備室100內的第一準直器101和照射室200內的第二準直器201均是透過準直器安裝結構安裝在牆壁上的,可以將支撐架2也安裝在準直器安裝結構上(當然,也可以安裝在其它結構上),支撐架2與準直器安裝結構的連接包括但並不限於螺栓連接、鉸鏈連接、合頁連接等。
進一步的,支撐架2包括安裝架22及安裝在安裝架22上的用於支撐校準模體1的支撐板21;其中,
安裝支撐架2的方法包括:將安裝架22安裝在照射室200或準備室100的預設位置,並調整支撐板21相對安裝架22的角度和/或高度。
具體地,安裝架22上設置有角度和/或高度調整結構,如位於支撐板21下方的調整螺栓23,支撐板21的下表面上設置有與調整螺栓23配合的定位孔,如圖5所示,透過旋轉調整螺栓23可以調節支撐板21相對安裝架2的角度和/或高度,在調整支撐板21的過程中可以採用水平儀檢測支撐板21的水平度,以確保支撐板21水準安裝,以確保設置校準模體時,校準模體處於一個水平面。
本實施方式中,支撐架2的支撐板21上設置有第一方向上的第一刻度和與第一方向垂直的第二方向上的第二刻度。
將校準模體1設置在支撐架2的預設位置的方法包括:根據第一刻度和第二刻度,將校準模體1放置在支撐板21上的預設刻度位置。如圖6所示,虛線所指示的A處為放置校準模體1的位置,根據兩個垂直方向上的座標確定該位置,然後可以將校準模體1快速且準確地放置到該位置。
在照射室200和準備室100內的支撐架2的支撐板21處於相同的高度且處於水準位置,以及校準模體1處於支撐板21上的相同的刻度位置時,可以保證在照射室200和準備室100內的校準模體1相對於預設中心點的相對位置一致,即準備室100內的校準模體相對於預設中心點的座標值和照射室100內的校準模體1相對於預設中心點的座標值一致。
優選地,校準模組1上設置有參照標記,如多個維度的基準線、刻度等,並且,優選地,該參照標記與支撐板上的刻度對齊。如此地設置有利於在不同的空間對準鐳射線時,比對更加準確和方便,提高可視性。
根據本申請的另一方面,還提供一種用於校準鐳射定位系統的校準裝置,校準裝置用於安裝在具有第一鐳射定位系統的準備室100或具有第二鐳射定位系統的照射室200;
校準裝置包括:支撐架2和校準模體1,支撐架2用於安裝在準備室100或照射室200的預設位置,所准模體1用於設置在支撐架2上;
在準備室100安裝校準裝置時,第一鐳射定位系統的各個第一鐳射發射器101發射的鐳射在校準模體1上形成第一定位標記,在校準裝置安裝在所述照射室200時,第二鐳射定位系統的各個第二鐳射發射器201發射的鐳射在校準模體1上形成第二定位標記,根據第一定位標記在校準模體上的位置和第二定位標記在校準模體上的位置確定第一鐳射定位系統和第二鐳射定位系統的一致性。
如果第一定位標記在校準模體1上的位置和第二定位標記在標準模體1上的位置存在偏差,則表示準備室100的第一鐳射定位系統與照射室200的第二鐳射定位系統不一致,可以基於該偏差,根據第一定位標記和第二定位標記在校準模體1上的位置關係來對第一鐳射定位系統或第二鐳射定位系統進行調整。具體可以調整各個鐳射模組投射的位置、角度和鐳射線的聚焦度,使得準備室100的第一鐳射定位系統和照射室200的第二鐳射定位系統達到一致,有利於提高後續的擺位準確性。而如果第一定位標記在校準模體1上的位置和第二定位標記在標準模體1上的位置分別一一對應相同、維度完全一致的情況下,則準備室100的第一鐳射定位系統與照射室200的第二鐳射定位系統是一致的,不需要進行調整。
為方便第一定位標記和第二定位標記在校準模體上的位置比對,可以在校準模體1上設置刻度或者網格,有利於更加快速、精確地對準驗證。
在一個實施方式中,支撐架2包括用於安裝的安裝架22和設置在安裝架22上的支撐板21,校準模體1設置在支撐板21上。
其中,支撐板21相對安裝架22具有角度和/或高度調整結構。
支撐板21上設置有第一方向上的第一刻度和與第一方向垂直的第二方向上的第二刻度,根據第一刻度和第二刻度確定校準模體1在支撐板21上的放置位置。
進一步的,角度和/或高度調整結構為,在安裝架21上設置位於支撐板22下方的調整螺栓23,支撐板21的下表面上設置有與調整螺栓23配合的定位孔,透過旋轉調整螺栓23能夠調節支撐板21相對安裝架22的角度和/或高度。
本申請的另一方面還提供一種校準系統,校準系統包括設置有第一鐳射定位系統的準備室100、設置有第二鐳射定位系統的照射室200以及如上的校準裝置。
在準備室100和照射室200分別設置校準裝置,且準備室100的校準模體1與準備室100的預設中心點之間的相對位置和照射室200的校準模體1與照射室200的預設中心點之間的相對位置相同時,對第一定位標記在準備室100的校準模體1上的位置和第二定位標記在照射室200的校準模體1上的第二定位標記進行比對,從而確定第一鐳射定位系統和第二鐳射定位系統的一致性;其中,第一定位標記為第一鐳射定位系統發出的鐳射在準備室100的校準模體1上形成的定位標記,第二定位標記為第二鐳射定位系統發出的鐳射在照射室200的校準模體1上形成的定位標記。
在一個實施方式中,準備室100和照射室200分別設置有準直器及安裝準直器的準直器安裝結構,校準裝置的支撐架2安裝在準直器安裝結構上。支撐架2安裝在準直器安裝結構上的連接方式以及調整方式參見上述描述。優選地,準備室100內的第一準直器101和照射室200內的第二準直器201可具有一致的快裝結構,能夠快捷、精確地裝載校準裝置,保證兩個空間中,校準裝置相對於各自的準直器空間位置一致。
其中,預設中心點為準直器在牆面上的投影的中心點,即準備室100選用第一準直器101在所在的牆面上的投影的中心點M為預設中心點,照射室200選用第二準直器201在所在的牆面上的投影的中心點N為預設中心點。當然,並不限於上述中心點M和中心點N,也可以選用準備室100和照射室200內的其他相互對應的點作為預設中心點,只要保證準備室100和照射室200具有相同的參照基點即可。
以上所述僅為本申請的較佳實施例而已,並不用以限制本申請,凡在本申請的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換等,均應包含在本申請的保護範圍之內。
100:第一室 101:第一準直器 102:第一鐳射發射器 200:第二室 201:第二準直器 202:第二鐳射發射器 300:帶電粒子產生室 301:帶電粒子產生部 1:校準模體 2:支撐架 21:支撐板 22:安裝架 23:支撐螺栓
構成本申請的一部分的附圖用來提供對本申請的進一步理解,本申請的示意性實施方式及其說明用於解釋本申請,並不構成對本申請的不當限定。在附圖中: 圖1為根據本申請的一個實施方式中在第一室和第二室分別設置校準裝置的結構示意圖; 圖2為一個實施方式中在第一室設置第一準直器和第一鐳射定位系統的結構示意圖; 圖3為一個實施方式中在第二室設置第二準直器和第二鐳射定位系統的結構示意圖; 圖4為根據本申請的一個實施方式中校準裝置的結構示意圖; 圖5為圖4所示的校準裝置從一側看的結構示意圖; 圖6為支撐板上設置有刻度的示意圖。
100:第一室
101:第一準直器
200:第二室
201:第二準直器
300:帶電粒子產生室
301:帶電粒子產生部
1:校準模體
2:支撐架

Claims (10)

  1. 一種鐳射定位系統校準方法,其特徵在於,所述方法包括:在第一室和第二室分別設置校準裝置;其中,所述校準裝置包括校準模體,所述第一室的校準模體與所述第一室的預設中心點之間的相對位置和所述第二室的校準模體與所述第二室的預設中心點之間的相對位置相同;以及對第一定位標記在所述第一室的校準模體上的位置和第二定位標記在所述第二室的校準模體上的位置進行比對;其中,所述第一定位標記為所述第一室的第一鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體上形成的定位標記,所述第二定位標記為所述第二室的第二鐳射定位系統發出的鐳射在校準模體上形成的定位標記。
  2. 如請求項1所述的鐳射定位系統校準方法,其特徵在於,所述方法還包括:如所述第一定位標記在所述校準模體上的位置和/或所述第二定位標記在所述標準模體上的位置存在偏差,對所述第一鐳射定位系統和/或所述第二鐳射定位系統進行調整。
  3. 如請求項1所述的鐳射定位系統校準方法,其特徵在於,所述校準裝置還包括支撐架;所述設置校準裝置包括:安裝所述支撐架,將所述校準模體設置在所述支撐架的預設位置。
  4. 如請求項3所述的鐳射定位系統校準方法,其特徵在於,所述支撐架包括安裝架及安裝在所述安裝架上的用於支撐所述校準模體的支撐板;其中,所述安裝所述支撐架的方法包括:將所述安裝架安裝在所述第二室或所述第一室的預設位置,並調整所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度。
  5. 如請求項4所述的鐳射定位系統校準方法,其特徵在於,所述支撐板上設置有第一方向上的第一刻度和與所述第一方向垂直的第二方向上的第二刻度; 所述將所述校準模體設置在所述支撐架的預設位置,包括:根據所述第一刻度和所述第二刻度,將所述校準模體放置在所述支撐板上的預設刻度位置。
  6. 一種用於校準鐳射定位系統的校準裝置,其特徵在於,所述校準裝置用於安裝在具有第一鐳射定位系統的第一室和/或具有第二鐳射定位系統的第二室;所述校準裝置包括校準模體,在所述第一室安裝所述校準裝置時,所述第一鐳射定位系統發射的鐳射在所述校準模體上形成第一定位標記,在所述第二室安裝所述校準裝置時,所述第二鐳射定位系統發射的鐳射在所述校準模體上形成第二定位標記,根據所述第一定位標記在所述校準模體上的位置和所述第二定位標記在所述校準模體上的位置判斷和確定所述第一鐳射定位系統和所述第二鐳射定位系統的一致性。
  7. 如請求項6所述的校準裝置,其特徵在於,所述校準裝置還包括支撐架,所述支撐架用於安裝在所述第一室或所述第二室,所述校準模體用於設置在所述支撐架上。
  8. 如請求項7所述的校準裝置,其特徵在於,所述支撐架包括安裝架和設置在所述安裝架上的支撐板,所述校準模體可選擇地設置在所述支撐板上;其中,所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度可調節;所述支撐板上設置有第一方向上的第一刻度和與所述第一方向垂直的第二方向上的第二刻度,根據所述第一刻度和所述第二刻度,所述校準模體設置在所述支撐板上的預設刻度位置。
  9. 如請求項8所述的校準裝置,其特徵在於,所述安裝架上設置有位於所述支撐板下方的調整結構,所述支撐板的下表面上設置有與所述調整結構配合的定位結構,透過調節所述調整結構能夠調節所述支撐板相對所述安裝架的角度和/或高度。
  10. 一種校準系統,其特徵在於,所述校準系統包括設置有第一鐳射定位系統的第一室、設置有第二鐳射定位系統的第二室以及如請求項7所述的校準裝置;在所述第一室和所述第二室設置有所述校準裝置,所述第一室的所述校準模體與所述第一室的預設中心點之間的相對位置和所述第二室的校準模體與所述第二室的預設中心點之間的相對位置相同時,對第一定位標記在校準模體上的位置和第二定位標記在校準模體上的第二定位標記進行比對,從而判斷和確定所述第一鐳射定位系統和所述第二鐳射定位系統的一致性;其中,所述第一定位標記為所述第一鐳射定位系統發出的鐳射在所述第一室的校準模體上形成的定位標記,所述第二定位標記為所述第二鐳射定位系統發出的鐳射在所述第二室的校準模體上形成的定位標記。
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