TW202326383A - 半導體裝置 - Google Patents

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山崎舜平
木村肇
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明的一個實施方式提供一種具有攝像功能的顯示裝置。在第一基板上製造發光二極體，然後拾取上述發光二極體並將其安裝於第二基板。另外，還拾取受光元件並將其安裝於安裝有發光二極體的第二基板，以圍繞受光元件的方式配置多個發光二極體，由此實現在發光區域之間的縫隙具有受光區域的顯示裝置。

Description

半導體裝置
本發明的一個實施方式係關於一種半導體裝置及電子裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本說明書等所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置、輸入輸出裝置、這些裝置的驅動方法或這些裝置的製造方法。
在本說明書等中，半導體裝置是指利用半導體特性的裝置並是指包括半導體元件(電晶體、二極體、光電二極體等)的電路及包括該電路的裝置等。另外，半導體裝置是指能夠利用半導體特性而發揮作用的所有裝置。例如，作為半導體裝置的例子，有積體電路、具備積體電路的晶片、封裝中容納有晶片的電子構件。此外，記憶體裝置、顯示裝置、發光裝置、照明設備以及電子裝置等本身是半導體裝置，並且有時包括半導體裝置。
近年來，為了顯示高解析度的影像，顯示裝置被要求高清晰化。作為智慧手機、平板終端或筆記本型PC(個人電腦)等資訊終端設備的顯示，除了高清晰化之外還被要求低功耗化。此外，顯示裝置除了顯示影像的功能之外還被要求各種功能，諸如觸控面板的功能、拍攝指紋以進行個人識別的功能等。
作為顯示裝置，例如已開發了包括發光元件的發光裝置。利用電致發光(Electroluminescence，以下稱為EL)現象的發光元件(也記載為“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流定電壓電源等而驅動的特徵等，並已將其應用於顯示裝置。例如，專利文獻1公開了被用作觸控面板並使用有機EL元件的顯示裝置。
此外，專利文獻2公開了包括Micro LED (Light Emitting Diode)的顯示面板的例子。
[專利文獻1] WO2020/148604 [專利文獻2] WO2019/220265
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有攝像功能的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高清晰攝像裝置或顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種開口率高的顯示裝置或攝像裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠進行高靈敏度攝像的攝像裝置或顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能獲取指紋等生物資訊的顯示裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種被用作觸控面板的顯示裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種安裝在車輛等中的具有攝像功能的顯示裝置。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置、攝像裝置或電子裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有新穎的結構的顯示裝置、攝像裝置或電子裝置等。本發明的一個實施方式的目的之一是減輕先行技術的問題中的至少一個。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。注意，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載衍生上述以外的目的。
在第一基板上製造發光二極體(以下稱為LED)，然後拾取上述發光二極體並將其安裝於第二基板。另外，還拾取受光元件並將其安裝於安裝有發光二極體的第二基板，以圍繞受光元件的方式配置多個發光二極體，由此實現在發光區域之間的縫隙具有受光區域的顯示裝置。
在製造發光二極體時，使用半導體基板或藍寶石基板。將半導體基板(單晶矽基板、碳化矽基板)或藍寶石基板用作初始成長基板，在基板上使用已知的方法製造發光二極體。
此外，為了進行全彩顯示需要得到紅色、藍色及綠色的發光顏色，為此分別準備基板以。此時，在第一基板製造多個紅色的發光二極體，在第二基板製造多個藍色的發光二極體，在第三基板製造多個綠色的發光二極體。此時，逐一拾取發光二極體並分別進行安裝。或者，將某種程度的集合作為一組，例如將三種發光二極體作為一組，用暫時固定膠帶固定，然後進行安裝。
另外，也可以藉由使用藍色的發光二極體並使用顏色轉換層使來自三個藍色的發光二極體中的兩個藍色的發光二極體的發光成為紅色或綠色，由此實現全彩顯示。在使用上述方法時，可以將三個藍色的發光二極體作為一組拾取並安裝。
本說明書所公開的結構是一種半導體裝置，在基板上包括：多個第一端子電極及多個第二端子電極；第一端子電極上的發光二極體；第二端子電極上的包括光電轉換層的受光元件，其中發光二極體包括第一電極及第二電極，第一電極重疊於第一端子電極上，第一端子電極與發光二極體的驅動電路電連接，第二端子電極與受光元件的驅動電路電連接。
在上述結構中，在安裝發光二極體或受光元件時，使設於基板的端子電極和二極體晶片的電極對準並進行接合或壓合等，在連接層電連接。也可以利用作為引線材料使用Cu或Au的引線接合。注意，作為連接層可以使用焊料、金屬奈米粒子(Cu、Ag、Ni、Sn、Zn等)或異方性導電膜。異方性導電膜(ACF)是將導電性粒子分散於熱固性的環氧樹脂中的樹脂材料。
在上述結構中，作為基板使用玻璃基板、石英基板、塑膠基板或半導體基板。
另外，作為受光元件，可以使用在光電轉換層包括對單晶半導體基板添加n型或p型的摻雜物的區域的光電二極體、在光電轉換層包括非晶半導體膜(典型為非晶矽膜)的光電二極體、在光電轉換層包括微晶半導體膜的光電二極體、在光電轉換層包括多晶半導體膜(典型為多晶矽膜)的光電二極體或在光電轉換層包含有機化合物的有機光電二極體。
另外，也可以採用預先在半導體基板形成光電二極體並在該半導體基板安裝發光二極體的結構，該結構是一種半導體裝置，包括：與半導體基板的第一區域重疊的第一發光二極體，與半導體基板的第二區域重疊的第二發光二極體，與半導體基板的第三區域重疊的第三發光二極體，其中半導體基板包括與第一區域、第二區域和第三區域中的一個或多個相鄰的第四區域，半導體基板的第四區域包括光電轉換層並被用作受光元件。
在上述結構中，在第一區域上包括第一電極及第二電極，第一發光二極體是其一個端子與第一電極或第二電極連接的發光二極體晶片。
上述的半導體裝置在多個發光元件之間包括受光元件，換言之，半導體裝置在多個發光區域之間的縫隙具有受光區域。因此，由於可以在顯示區域進行顯示和受光的兩者，所以可以用於各種應用產品。例如，可以舉出可攜式資訊終端、可穿戴終端、車載產品等，明確而言，包括可以藉由紅外線感測器(IR感測器)進行識別的顯示螢幕的可攜式資訊終端、LiDAR(Light Detection and Ranging，雷射雷達)等車載產品。注意，LiDAR包括垂直腔表面發射雷射器及可以接收近紅外線的CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)影像感測器。
可以提供一種在多個發光元件之間包括受光元件的新穎的顯示裝置。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載衍生上述以外的效果。
下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容可以被變換為各種形式。此外，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
此外，在本說明書等中，當記載為“X與Y連接”時，表示在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等規定的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也在圖式或文中公開了。X和Y都是物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X和Y電連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器、二極體、顯示器件、發光器件、負載等)。此外，開關的開啟狀態及關閉狀態被控制。換言之，開關具有其成為導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)而控制是否使電流流過的功能。
作為X與Y在功能上連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接有一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(數位類比轉換電路、類比數位轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，就可以說X與Y在功能上是連接著的。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，包括如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)；以及X與Y直接連接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)。
此外，例如，可以表現為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表現為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的表示方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。注意，這種顯示方法是一個例子，不侷限於上述顯示方法。在此，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
另外，即使在電路圖上獨立的組件彼此電連接，也有時一個組件兼有多個組件的功能。例如，在佈線的一部分用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個組件的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個組件的功能的情況。
在本說明書等中，“電容器”例如包括具有高於0F的靜電電容值的電路元件、具有高於0F的靜電電容值的佈線的區域、寄生電容、電晶體的閘極電容等。因此，在本說明書等中，“電容器”除包括具有一對電極及在該電極之間的介電體的電路元件外還包括產生在佈線和佈線之間的寄生電容、產生在電晶體的源極和汲極中的一個與閘極之間閘極電容等。“電容器”、“寄生電容”、“閘極電容”等也可以稱為“電容”等，與此相反，“電容”也可以稱為“電容器”、“寄生電容”、“閘極電容”等。此外，“電容”的“一對電極”也可以稱為“一對導電體”、“一對導電區域”、“一對區域”等。靜電電容值例如可以為0.05fF以上且10pF以下。此外，例如，還可以為1pF以上且10μF以下。
在本說明書等中，電晶體包括閘極、源極以及汲極這三個端子。閘極用作控制電晶體的導通狀態的控制端子。用作源極或汲極的兩個端子是電晶體的輸入輸出端子。根據電晶體的導電型(n通道型、p通道型)及對電晶體的三個端子施加的電位的高低，兩個輸入輸出端子中的一方用作源極而另一方用作汲極。因此，在本說明書等中，源極和汲極可以相互調換。在本說明書等中，在說明電晶體的連接關係時，使用“源極和汲極中的一個”(第一電極或第一端子)、“源極和汲極中的另一個”(第二電極或第二端子)的表述。此外，根據電晶體的結構，有時除了上述三個端子以外還包括背閘極。在此情況下，在本說明書等中，有時將電晶體的閘極和背閘極中的一個稱為第一閘極，將電晶體的閘極和背閘極的另一個稱為第二閘極。並且，在相同電晶體中，有時可以將“閘極”與“背閘極”相互調換。此外，在電晶體包括三個以上的閘極時，在本說明書等中，有時將各閘極稱為第一閘極、第二閘極、第三閘極等。
此外，在本說明書等中，“節點”也可以根據電路結構或裝置結構等稱為端子、佈線、電極、導電層、導電體或雜質區域等。此外，端子、佈線等也可以稱為“節點”。
此外，在本說明書等中，“第一”、“第二”、“第三”等序數詞是為了避免組件的混淆而附加上的。因此，該序數詞不限制組件的個數。此外，該序數詞不限制組件的順序。例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”組件有可能在其他實施方式或申請專利範圍的範圍等中被稱為“第二”組件。此外，例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”所指的組件有可能在其他實施方式或申請專利範圍的範圍等中被省略。
另外，在本說明書等中，為了方便起見，有時使用“上”、“下”、“上方”或“下方”等表示配置的詞句以參照圖式說明組件的位置關係。此外，組件的位置關係根據描述各結構的方向適當地改變。因此，不侷限於說明書等中所說明的詞句，根據情況可以適當地換詞句。例如，如果是“位於導電體的頂面的絕緣體”的表述，藉由將所示的圖式的方向旋轉180度，則可以換稱為“位於導電體的下面的絕緣體”。
此外，“上”及“下”這樣的術語不限定於組件的位置關係為“正上”或“正下”且直接接觸的情況。例如，如果是“絕緣層A上的電極B”的表述，則不一定必須在絕緣層A上直接接觸地形成有電極B，也可以包括在絕緣層A與電極B之間包括其他組件的情況。
另外，在本說明書等中，“重疊”等詞語不限定組件的疊層順序等的狀態。例如，“與絕緣層A重疊的電極B”不侷限於“在絕緣層A上形成有電極B”的狀態，還包括“在絕緣層A下形成有電極B”的狀態或“在絕緣層A的右側(或左側)形成有電極B”的狀態等。
在本說明書等中，“相鄰”及“接近”等詞語不限定組件直接接觸的狀態。例如，如果是“與絕緣層A相鄰的電極B”的表述，則不一定必須是絕緣層A與電極B直接接觸而形成的情況，也可以包括在絕緣層A與電極B之間包括其他組件的情況。
此外，在本說明書等中，根據狀況，可以互相調換“膜”和“層”等詞句。例如，有時可以將“導電層”調換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”調換為“絕緣層”。此外，根據情況或狀態，可以使用其他詞句代替“膜”和“層”等詞句。例如，有時可以將“導電層”或“導電膜”調換為“導電體”。此外，有時可以將“導電體”調換為“導電層”或“導電膜”。此外，例如有時可以將“絕緣層”或“絕緣膜”調換為“絕緣體”。此外，有時可以將“絕緣體”調換為“絕緣層”或“絕緣膜”。
注意，在本說明書等中，“電極”、“佈線”、“端子”等的詞句不在功能上限定其組件。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”還包括多個“電極”或“佈線”被形成為一體的情況等。此外，例如，有時將“端子”用作“佈線”或“電極”的一部分，反之亦然。再者，“端子”的詞句包括多個“電極”、“佈線”、“端子”等被形成為一體的情況等。因此，例如，“電極”可以為“佈線”或“端子”的一部分，例如，“端子”可以為“佈線”或“電極”的一部分。此外，“電極”、“佈線”、“端子”等的詞句有時置換為“區域”等的詞句。
在本說明書等中，根據情況或狀態，可以互相調換“佈線”、“信號線”及“電源線”等詞句。例如，有時可以將“佈線”調換為“信號線”。此外，例如有時可以將“佈線”調換為“電源線”。反之亦然，有時可以將“信號線”或“電源線”調換為“佈線”。有時可以將“電源線”調換為“信號線”。反之亦然，有時可以將“信號線”調換為“電源線”。此外，根據情況或狀態，可以將施加到佈線的“電位”調換為“信號”。反之亦然，有時可以將“信號”調換為“電位”。
在本說明書中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。“大致平行”是指兩條直線形成的角度為-30°以上且30°以下的狀態。另外，“垂直”是指兩條直線的角度為80°以上且100°以下的狀態。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。“大致垂直”是指兩條直線形成的角度為60°以上且120°以下的狀態。
另外，在本說明書等中，除非特別敘述，計數值或計量值“同一”、“相同”、“相等”或“均勻”等的情況包括±20%的變動作為誤差。
參照圖式說明本說明書所記載的實施方式。注意，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實，就是實施方式可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內容可以在不脫離本發明的精神及其範圍的條件下被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內容中。注意，在實施方式中的發明的結構中，有時在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。在立體圖或俯視圖等中，為了明確起見，有時省略部分組件的圖示。
在根據本說明書的圖式等中，為便於清楚地說明，有時誇大表示大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不侷限於圖式中的尺寸或縱橫比。此外，在圖式中，示意性地示出理想的例子，因此本發明不侷限於圖式所示的形狀或數值等。例如，可以包括因雜訊或定時偏差等所引起的信號、電壓或電流的不均勻等。
此外，有時在根據本說明書的圖式等中附上表示X方向、Y方向以及Z方向的箭頭。在本說明書等中，“X方向”是指沿著X軸的方向，除了明確指出的情況以外，有時不區分正方向和反方向。“Y方向”及“Z方向”也於“X方向”相同。另外，X方向、Y方向以及Z方向是彼此交叉的方向。更明確而言，X方向、Y方向以及Z方向是彼此正交的方向。在本說明書等中，有時將X方向、Y方向和Z方向中的一個稱為“第一方向”。此外，有時將其他另一個稱為“第二方向”。另外，有時將剩下的一個稱為“第三方向”。
在本說明書等中，在多個組件使用同一符號並且需要區分它們時，有時對符號附加“A”、“b”、“_1”、“[n]”、“[m，n]”等用於識別的符號。
實施方式1 在本實施方式中，在玻璃基板201上形成像素電路或驅動電路，並形成多個端子電極。對所形成的多個端子電極安裝發光元件及受光元件來製造顯示裝置。
作為發光元件，使用形成於藍寶石基板的發光二極體。預先將藍寶石基板用作初始成長基板並在基板上使用已知的方法以所希望的尺寸製造多個發光二極體。發光層的材料根據發光二極體的發光顏色而不同，所以準備與發光顏色相同數量的藍寶石基板。
在本實施方式中，準備圖1A1所示的紅色的發光二極體的基板901、圖1A2所示的綠色的發光二極體的基板902以及圖1A3所示的藍色的發光二極體的基板903。在基板上，具有矩形的平面形狀且其至少一邊為小於0.1mm的晶片尺寸的Micro LED或者具有矩形平面形狀且其至少一邊為0.1mm以上的晶片尺寸的Mini LED連續配置在縱向及橫向上。
另外，準備形成於單晶矽晶圓904的受光元件。注意，圖1A4是設有受光元件的基板的立體圖。
首先，在玻璃基板201上將受光元件212安裝於以矩陣狀配置的端子電極上，然後逐個安裝發光二極體。注意，圖1B示出安裝中途的立體圖，示出在安裝有受光元件212的玻璃基板201上將紅色的發光二極體11R、綠色的發光二極體11G、藍色的發光二極體11B各安裝一個的階段。
作為圖1B的子像素，將紅色的發光二極體11R、綠色的發光二極體11G、藍色的發光二極體11B的三個作為一個像素而進行設置，從而實現全彩顯示，另外還設置受光元件212。注意，子像素的配置位置及發光區域的大小不侷限於圖1B的例子，設計者適當地設定即可。
另外，也可以作為子像素只使用發射藍色波長區域(峰波長為400nm以上且500nm以下)的激發光的發光二極體11B而與顏色轉換層(也稱為螢光體層)組合來實現全彩顯示。
或者，也可以作為子像素只使用發射紫外光(峰波長為200nm以上且低於400nm)的發光二極體而與顏色轉換層及彩色層組合來實現全彩顯示。顏色轉換層(或彩色層)為包含螢光色素(顏料或染料)的樹脂層。
作為形成於玻璃基板201上的像素電路或驅動電路，使用薄膜電晶體構成即可，作為薄膜電晶體的半導體層的材料，可以使用非晶半導體膜、多晶半導體膜或氧化物半導體膜。作為多晶半導體膜可以使用多晶矽膜，作為氧化物半導體膜可以使用IGZO膜。另外，也可以在玻璃基板201上組合使用多晶半導體膜的第一薄膜電晶體及使用氧化物半導體膜的第二薄膜電晶體來構成像素電路或驅動電路。
在安裝發光二極體及受光元件後配置保護基板。作為保護基板，較佳為使用使來自發光二極體的光透過的材料及不遮蔽受光元件的接收光的材料，例如使用石英基板、玻璃基板或薄膜。
圖2A示出藉由上述方式製造的顯示面板200的剖面示意圖。
[顯示裝置的結構例子1] [結構例子1-1]
如圖2A所示，顯示面板200在玻璃基板201上設置包括像素電路或驅動電路的功能層203，在其上設置發光二極體及受光元件並設置保護基板202。功能層203包括開關、電晶體、電容器、佈線及端子電極203a，端子電極203a與發光二極體的電極11a電連接。也可以將包含焊料或導電性微粒子的連接層用於端子電極與發光二極體及受光元件的電極間的連接。
既可以用樹脂等填充保護基板202與玻璃基板201之間的縫隙，也可以用乾燥氣體進行填充。既可以配置用來保持保護基板202與玻璃基板201之間的間隔的間隙材料，也可以用密封劑固定保護基板202與玻璃基板201的邊緣部。
顯示面板200具有配置為矩陣狀的多個像素。一個像素包括一個以上的子像素。一個子像素具有一個發光二極體。例如，像素可以採用包括三個子像素的結構(R、G、B的三種顏色或黃色(Y)、青色(C)及洋紅色(M)的三種顏色等)或包括四個子像素的結構(R、G、B、白色(W)的四種顏色或者R、G、B、Y的四種顏色等)。再者，像素具有受光元件212。受光元件212可以設置在所有像素中，也可以設置在一部分像素中。此外，一個像素也可以具有多個受光元件212。
圖2A示出指頭220觸摸保護基板202的表面的樣子。發光二極體11G所發射的光的一部分被保護基板202與指頭220的接觸部反射。然後，反射光的一部分入射到受光元件212，由此可以檢測出指頭220觸摸保護基板202。也就是說，顯示面板200可以被用作觸控面板。
在此，圖2B至圖2D示出可用於顯示面板200的像素的一個例子。
圖2B及圖2C所示的像素各自包括紅色(R)的發光二極體11R、綠色(G)的發光二極體11G、藍色(B)的發光二極體11B及受光元件212。
圖2B示出以2×2的矩陣狀配置三個發光二極體及一個受光元件的例子。圖2C示出三個發光二極體排列成一列且在其下側配置一個橫長形受光元件212的例子。
圖2D所示的像素是包括白色(W)的發光二極體11W的例子。白色(W)的發光二極體11W藉由使用藍色的發光二極體並使黃色螢光體發光來進行白色發光。在此，一列上配置有四種發光二極體，其下一側配置有受光元件212。
注意，像素的結構不侷限於上述例子，也可以採用各種各樣的配置方法。
[結構例子1-2] 下面，說明包括發射可見光的發光二極體、發射紅外光的發光二極體及受光元件的顯示面板200A結構例子。
圖2E所示的顯示面板200A以對圖2A所示的結構追加的方式包括發光二極體11IR。發光二極體11IR發射紅外光IR。此時，作為受光元件212，較佳為使用至少能夠接收發光二極體11IR所發射的紅外光IR的元件。
如圖2E所示，在指頭220觸摸保護基板202時，從發光二極體11IR發射的紅外光IR被指頭220反射，該反射光的一部分入射到受光元件212，由此可以取得指頭220的位置資料。
圖2F至圖2H示出可用於顯示面板200A的像素的一個例子。
圖2F示出一列上排列有三個發光二極體且其下側橫向配置有發光二極體11IR及受光元件212的例子。此外，圖2G示出一列上排列有包括發光二極體11IR的四種發光二極體且其下側配置有受光元件212的例子。
圖2H示出以發光二極體11IR為中心四個方向上配置有三種發光元件及受光元件212的例子。
注意，在圖2F至圖2H所示的像素中，可以調換各發光二極體彼此的位置，也可以調換發光二極體與受光元件的位置。
[結構例子1-3] 下面，說明包括發射藍色光的發光二極體、發射紅外光的發光二極體及接收紅外光的受光元件的顯示面板200B的結構例子。
圖3A所示的顯示面板200B包括與發光二極體11B重疊的顏色轉換層202R。另外，顯示面板200B包括與發光二極體11B重疊的顏色轉換層202G。在安裝時，因為安裝多個相同的發光二極體11B，所以也可以一起安裝。
[結構例子1-4] 下面，說明包括發射紫外光的發光二極體及接收紫外光的受光元件的顯示面板200C的結構例子。
圖3B所示的顯示面板200C可以僅使用發光二極體11UV進行全彩顯示並且可以接收紫外光。發光二極體11UV為發射紫外光UV的發光二極體。
圖3B所示的顯示面板200C包括與發光二極體11UV重疊的顏色轉換層202r。另外，顯示面板200C包括與發光二極體11UV重疊的顏色轉換層202b。顯示面板200C包括與發光二極體11UV重疊的顏色轉換層202g。在安裝時，因為安裝多個相同的發光二極體11UV，所以也可以一起安裝。
[結構例子1-5] 圖3C示出採用Pentile排列的四個像素，相鄰的兩個像素包括發射組合不同的兩個顏色的光的發光二極體。圖3C示出發光二極體的頂面形狀。
圖3C中的左上的像素及右下的像素包括發光二極體11R及發光二極體11G。另外，右上的像素及左下的像素包括發光二極體11G及發光二極體11B。就是說，在圖3C所示的例子中，各像素設置有發光二極體11G。各發光二極體構成子像素，使用兩種組合的像素進行排列，亦即，發光二極體11R與發光二極體11G的組合以及發光二極體11G與發光二極體11B的組合。
發光二極體的頂面形狀沒有特別的限制，可以採用圓形、橢圓形、多角形、角部帶弧形的多角形等。在圖3C中，作為發光二極體的頂面形狀示出大約傾斜45度的正方形(菱形)的例子。注意，各顏色的發光二極體的頂面形狀可以互不相同，也可以一部分或所有顏色中相同。
各顏色的發光二極體的發光區域的尺寸可以彼此不同，也可以一部分或所有顏色中相同。例如，在圖3C中，也可以使設置在各像素中的發光二極體11G的發光區域的面積小於其他元件的發光區域。
圖3D是圖3C所示的像素排列的變形例子。圖3D中的左上的像素及右下的像素包括發光二極體11R及發光二極體11G。另外，右上的像素及左下的像素包括發光二極體11R及發光二極體11B。也就是說，在圖3D所示的例子中，各像素中設有發光二極體11R。各發光二極體構成子像素，使用兩種組合的像素進行排列，亦即，發光二極體11R與發光二極體11G的組合以及發光二極體11R與發光二極體11B的組合。
另外，雖然在圖3C及圖3D中沒有示出受光元件，但是只要在發光二極體之間就沒有特別的限制，例如，在相鄰的兩個子像素之間配置一個即可。
如此，可以將各種排列的像素用於包括本實施方式的顯示面板的顯示裝置。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式2 顯示裝置包括三種發光二極體11R、11G、11B及受光器件。另外，也可以包括發射作為光源的近紅外光的發光二極體11IR。受光器件具有感測從可見光或近紅外光的光源發射並被物件反射的光的功能。在使用近紅外光的光源時，由於實際上沒有視感度，所以即使從顯示部以高亮度發射來自第一、第二及第三發光器件的光，也不會影響顯示的可見性。
圖4A示出顯示面板200中的受光元件212及驅動電路的方塊圖。另外，圖4B示出顯示面板200中的發光二極體及驅動電路的方塊圖。為了分別獨立地驅動受光元件212和發光二極體，分別需要驅動電路，為了便於理解，所以分別在圖4A及圖4B中示出，但實際上由圖2A所示的功能層203或外置驅動IC構成。注意，在圖4A及圖4B中也使用相同的[符號說明]與圖2A的顯示面板200對應的部分。
在圖4A中，顯示面板200包括像素陣列17、受光元件212、第一驅動電路部13、第二驅動電路部14、讀出電路部15、佈線131、佈線132、佈線133及控制電路部16。也可以與受光元件212重疊地包括具有多個微透鏡的微透鏡陣列。另外，以不與發光二極體重疊的方式在列方向及行方向上安裝受光元件212。注意，在圖4A中，端子OUT表示輸出端子。
作為受光元件212，例如可以使用pn型或pin型的光電二極體。也可以將使用結晶矽(單晶矽、多晶矽、微晶矽等)的光電二極體晶片用於受光器件。可以將檢測入射的光並產生電荷的光電轉換元件用於受光器件。受光器件根據入射的光量決定產生的電荷量。
另外，作為受光元件212，也可以使用在光電轉換層包含有機化合物的有機光電二極體。有機光電二極體容易進行薄型化、輕量化及大面積化。另外，由於形狀及設計的彈性較高，所以可以適用於各種顯示裝置。
在圖4B中，顯示面板200包括像素陣列17、三種發光二極體11R、11G、11B、第一驅動電路部231及第二驅動電路部232。注意，在圖4B中，用虛線表示受光元件212的安裝位置，示出一個像素10中的與三個子像素的安裝位置的位置關係，亦即，示出與三種發光二極體11R、11G、11B的安裝位置的位置關係。此外，也可以說顯示面板200在一個像素10中包括三個顯示像素和一個攝像像素。
注意，在本說明書中，雖然為了方便起見將一個“像素”中進行獨立工作的最小單位定義為“子像素”而進行說明，但是也可以將“像素”換成“區域”，將“子像素”換成“像素”。
作為三種發光二極體11R、11G、11B，使用Micro LED等LED。Micro LED具有矩形的平面形狀且其至少一邊為小於0.1mm的晶片尺寸。另外，也可以使用具有矩形的平面形狀且其至少一邊為0.1mm以上的晶片尺寸的Mini LED。
受光元件212具有感測從綠色的發光二極體11G發射並被物件反射的光的功能。受光元件212也可以被用作對近紅外光具有靈敏度的受光器件。此外，還可以在像素10設置發射紅外光的發光二極體。
用來使受光元件212攝像的驅動電路與用來進行顯示的驅動電路分開設置。明確而言，圖5A及圖5B示出用來攝像的驅動電路。另外，圖6A、圖6B、圖6C及圖6D示出用來進行顯示的驅動電路。
＜攝像像素的電路結構例子＞ 圖5A是說明受光元件212的電路結構例子的電路圖。包括受光元件212的驅動電路包括電晶體102、電晶體103、電晶體104、電晶體105及電容器108。注意，也可以不設置電容器108。另外，既可以設置校正電晶體的不均勻的電路，也可以對電晶體的不均勻進行外部校正。
受光元件212的一個電極(陰極)與電晶體102的源極和汲極中的一個電連接。電晶體102的源極和汲極中的另一個與電晶體103的源極和汲極中的一個電連接。電晶體103的源極和汲極中的一個與電容器108的一個電極電連接。電容器108的一個電極與電晶體104的閘極電連接。電晶體104的源極和汲極中的一個與電晶體105的源極和汲極中的一個電連接。
在此，將連接電晶體102的源極和汲極中的另一個、電容器108的一個電極、電晶體104的閘極的佈線記為節點FD。節點FD可以被用作電荷檢測部。
受光元件212的另一個電極(陽極)與佈線121電連接。電晶體102的閘極與佈線127電連接。電晶體103的源極和汲極中的另一個與佈線122電連接。電晶體104的源極和汲極中的另一個與佈線123電連接。電晶體103的閘極與佈線126電連接。電晶體105的閘極與佈線128電連接。電容器108的另一個電極與例如GND佈線等參考電位線電連接。電晶體105的源極和汲極中的另一個與佈線352電連接。
佈線127、佈線126及佈線128被用作控制各電晶體的開啟狀態和關閉狀態的信號線。佈線352被用作輸出線。
佈線121、佈線122及佈線123被用作電源線。在圖5A所示的結構中，受光元件212的陰極一側與電晶體102電連接，使節點FD重設為高電位而進行工作。由此，佈線122處於高電位(高於佈線121的電位)。
注意，圖5A示出受光元件212的陰極與節點FD電連接，但是也可以使受光元件212的陽極一側與電晶體102的源極和汲極中的一個電連接。此時，使節點FD重設為低電位而進行工作，所以佈線122處於低電位(低於佈線121的電位)即可。
電晶體102具有控制節點FD的電位的功能。也將電晶體102稱作“轉移電晶體”。電晶體103具有使節點FD的電位重設的功能。也將電晶體103稱作“重設電晶體”。電晶體104被用作源極隨耦電路，可以將節點FD的電位作為影像資料輸出到佈線352。電晶體105具有選擇輸出影像資料的像素的功能。也將電晶體104稱作“放大電晶體”。也將電晶體105稱作“選擇電晶體”。
另外，如圖5B所示，將受光元件212及電晶體102作為一組，也可以使多個組的受光元件212及電晶體102與節點FD連接。藉由採用圖5B所示的電路結構，可以減少每個受光元件212的佔有面積。音質，可以提高受光元件212的安裝密度。
在圖5B中，將第一組受光元件212及電晶體102示為受光元件212_1、電晶體102_1。電晶體102_1的閘極與佈線127_1電連接。另外，將第二組受光元件212及電晶體102示為受光元件212_2、電晶體102_2。電晶體102_2的閘極與佈線127_2電連接。此外，將第k組(k為1以上的整數)的受光元件212及電晶體102示為受光元件212_k、電晶體102_k。電晶體102_k的閘極與佈線127_k電連接。
＜顯示像素的電路結構例子1＞ 圖6A是示出一個像素10中的子像素的電路結構例子的圖。在本實施方式中，以發射紅色光的像素為例進行說明。子像素包括顯示像素電路431及發光二極體11R。其他子像素為發射藍色光的子像素和發射綠色光的子像素，將三種發光二極體作為一個像素10並配置成m行n列來構成顯示區域。m、n都是1以上的整數。
顯示像素電路431包括電晶體436、電容器433、電晶體251及電晶體434。另外，顯示像素電路431與發光二極體11R電連接。
電晶體436的源極電極和汲極電極中的一個與被供應資料信號(也稱為“視訊信號”)的佈線(下面，稱為信號線DL_n)電連接。並且，電晶體436的閘極電極與被供應閘極信號的佈線(下面，稱為掃描線GL_m)電連接。信號線DL_n及掃描線GL_m分別相當於(圖4B中的)佈線237及佈線236。
電晶體436具有控制將資料信號寫入到節點435的功能。
電容器433的一對電極中的一個電連接於節點435，另一個電連接於節點437。另外，電晶體436的源極電極和汲極電極中的另一個電連接於節點435。
電容器433具有保持寫入到節點435的資料的儲存電容器的功能。
電晶體251的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VL_a，另一個電連接於節點437。並且，電晶體251的閘極電極電連接於節點435。
電晶體434的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線V0，另一個電連接於節點437。並且，電晶體434的閘極電極電連接於掃描線GL_m。
發光二極體11R的陽極和陰極中的一個電連接於電位供應線VL_b，另一個電連接於節點437。
另外，作為電源電位，例如可以使用相對高電位一側的電位或相對低電位一側的電位。將高電位一側的電源電位稱為高電源電位(也稱為“VDD”)，將低電位一側的電源電位稱為低電源電位(也稱為“VSS”)。此外，也可以將接地電位用作高電源電位或低電源電位。例如，在高電源電位為接地電位的情況下，低電源電位為低於接地電位的電位，在低電源電位為接地電位的情況下，高電源電位為高於接地電位的電位。
例如，電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個被施加高電源電位VDD，而另一個被施加低電源電位VSS。
在包括顯示像素電路431的顯示裝置中，由週邊驅動電路所包括的電路依次選擇各行的顯示像素電路431，由此使電晶體436及電晶體434成為開啟狀態來將資料信號寫入到節點435。
由於電晶體436及電晶體434成為關閉狀態，資料被寫入到節點435的顯示像素電路431成為保持狀態。再者，根據寫入到節點435的資料的電位，控制流過在電晶體251的源極電極與汲極電極之間的電流量，並且，發光二極體11R以對應於流過的電流量的亮度發紅色光。藉由逐行依次進行上述步驟，可以顯示紅色影像。再者，藉由以同樣的方式驅動發光二極體11B及發光二極體11G，可以顯示全彩影像。
另外，既可以設置校正電晶體的不均勻的電路，也可以對電晶體的不均勻進行外部校正。
＜顯示像素的電路結構例子2＞ 圖6B示出圖6A所示的顯示像素的電路結構的變形例子。在圖6B所示的電路結構中，電晶體436的閘極電極電連接於被供應第一掃描信號的線(以下稱為掃描線GL1_m)。另外，電晶體434的閘極電極電連接於被供應第二掃描信號的線(以下稱為掃描線GL2_m)。
另外，在圖6B所示的電路結構中，除了圖6A所示的電路結構以外還包括電晶體438。電晶體438的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線V0，另一個電連接於節點435。再者，電晶體438的閘極電極電連接於被供應第三掃描信號的線(以下稱為掃描線GL3_m)。
掃描線GL1_m相當於圖4B中的佈線236。在圖4B中沒有示出分別對應於掃描線GL2_m及掃描線GL3_m的佈線，掃描線GL2_m及掃描線GL3_m與第一驅動電路部231電連接。
例如，在希望使發光二極體11R進行黑色顯示時，使電晶體434和電晶體438都成為開啟狀態。此時，電晶體251的源極電極和閘極電極的電位相等。由此，電晶體251的閘極電壓成為0V，可以遮蔽流過發光二極體11R的電流。
另外，構成顯示像素電路431的電晶體的一部分或全部也可以由包括背閘極的電晶體構成。在圖6B所示的電路結構中，作為電晶體使用包括背閘極的電晶體。例如，示出電晶體434、電晶體436及電晶體438的閘極與背閘極電連接的例子。另外，在圖6B所示的電晶體251中，示出背閘極與節點437電連接的例子。
另外，既可以設置校正電晶體的不均勻的電路，也可以對電晶體的不均勻進行外部校正。
＜顯示像素的電路結構例子3＞ 圖6C示出圖6A所示的顯示像素的電路結構的變形例子。圖6C所示的電路結構具有從圖6A所示的電路結構中去除電晶體434及電位供應線V0的結構。關於其他結構，可以參照圖6A所示的電路結構的說明。因此，為了避免重複說明，省略圖6C所示的電路結構的詳細說明。
此外，如上所述，構成顯示像素電路431的電晶體的一部分或全部也可以由包括背閘極的電晶體構成。例如，如圖6D所示，也可以作為電晶體436使用包括背閘極的電晶體而使背閘極與閘極電連接。另外，如圖6D所示的電晶體251那樣，也可以使背閘極與電晶體的源極和汲極中的一個電連接。
注意，也可以藉由共用發光二極體11R、11G、11B的公共佈線及受光元件212的公共佈線來減少佈線的數量。
另外，可以使用受光元件212獲取指紋、掌紋或虹膜等的攝像資料。就是說，可以對顯示裝置附加生物識別功能。注意，也可以使物件與顯示裝置接觸從而獲取攝像資料。
此外，可以使用受光元件212獲取使用者的表情、眼球運動或瞳孔直徑的變化等的攝像資料。藉由分析該影像資料，可以獲取使用者的身心資訊。可以根據使用者的身心狀態進行工作，例如根據上述資訊改變顯示裝置所輸出的顯示和聲音中的一者或兩者等。這些工作對例如VR(Virtual Reality：虛擬實境)用設備、AR(Augmented Reality：擴增實境)用設備或MR(Mixed Reality:混合實境)用設備有效。
另外，既可以設置校正電晶體的不均勻的電路，也可以對電晶體的不均勻進行外部校正。
實施方式3 在本實施方式中，以下說明發光二極體的結構。有時將逐個提取的發光二極體晶片稱為LED晶片51。
對發光二極體的結構沒有特別的限制，可以採用MIS(Metal Insulator Semiconductor，金屬-絕緣體-半導體)接合，也可以使用具有PN接合或PIN接合的同質接面結構、異質接面結構或雙異質接面結構等。另外，也可以採用超晶格結構、層疊產生量子效果的薄膜的單一量子井結構或多量子井(MQW：Multi Quantum Well)結構。另外，也可以採用使用奈米柱的LED晶片。
圖7A及圖7B示出LED晶片的例子。圖7A示出LED晶片51的剖面圖，圖7B示出LED晶片51的俯視圖。LED晶片51包括半導體層81等。半導體層81包括n型半導體層75、n型半導體層75上的發光層77、發光層77上的p型半導體層79。作為p型半導體層79的材料，可以使用其能帶間隙能量大於發光層77的能帶間隙能量且能夠使載子封閉在發光層77中的材料。另外，在LED晶片51中，n型半導體層75上設置有被用作陰極的電極85，p型半導體層79上設置有被用作接觸電極的電極83，電極83上設置有被用作陽極的電極87。另外，電極83的頂面及側面較佳為被絕緣層89覆蓋。絕緣層89被用作LED晶片51的保護膜。
圖7C示出半導體層81的放大圖的例子。如圖7C所示，n型半導體層75也可以包括基板71一側的n型接觸層75a及發光層77一側的n型包覆層75b。p型半導體層79也可以包括發光層77一側的p型包覆層79a及p型包覆層79a上的p型接觸層79b。
發光層77可以具有多次層疊能障層77a與井層77b的多量子井(MQW)結構。能障層77a較佳為使用其能帶間隙能量大於井層77b的能帶間隙能量的材料。藉由採用上述結構，可以使能量封閉在井層77b中，從而量子效率提高而可以提高LED晶片51的發光效率。
在面朝上(face up)型LED晶片51中，電極83可以使用使光透過的材料，例如可以使用ITO(In 2O 3-SnO 2)、AZO(Al 2O 3-ZnO)、In-Zn氧化物(In 2O 3-ZnO)、GZO(GeO 2-ZnO)、ICO(In 2O 3-CeO 2)等氧化物。在面朝上型的LED晶片51中，光主要發射到電極87一側。在面朝下(face down)型LED晶片51中，電極83可以使用反射光的材料，例如可以使用銀、鋁或銠等金屬。在面朝下型LED晶片51中，光主要發射到基板71一側。
作為基板71，可以使用藍寶石單晶(Al 2O 3)、尖晶石單晶(MgAl 2O 4)、ZnO單晶、LiAlO 2單晶、LiGaO 2單晶、MgO單晶等氧化物單晶、Si單晶、SiC單晶、GaAs單晶、AlN單晶、GaN單晶、ZrB 2等硼化物單晶等。在面朝下型的LED晶片51中，基板71較佳為使用使光透過的材料，例如可以使用透過光的藍寶石單晶等。
另外，也可以在基板71與n型半導體層75間設置緩衝層(未圖示)。緩衝層具有緩和基板71與n型半導體層75的晶格常數的不同的功能。
能夠用於發光二極體晶片的LED晶片51較佳為採用圖7A所示那樣的電極85及電極87設置在同一面一側的水平結構。藉由LED晶片51的電極85及電極87設置在同一面一側，可以容易使端子電極連接，從而可以使端子電極的結構簡化。另外，能夠作為發光二極體晶片使用的LED晶片51較佳為採用面朝下型。藉由使用面朝下型的LED晶片51，從LED晶片51發射的光高效地被發射到顯示裝置的顯示面一側，從而可以實現亮度高的顯示裝置。作為LED晶片51，也可以使用市售的LED晶片。
當得到白色發光時使用顏色轉換層。作為顏色轉換層所包括的螢光體，可以使用其表面印刷有或塗佈有螢光體的有機樹脂層、混合有螢光體的有機樹脂層等。顏色轉換層可以使用被LED晶片51發射的光激發而發射LED晶片51的發光顏色的補色的光的材料。藉由採用上述結構，發光二極體晶片所發射的光與螢光體所發射的光組合，從而可以從顏色轉換層發射白色光。
例如，藉由使用發射藍色光的LED晶片51與發射藍色的補色的黃色光的螢光體，可以實現從顏色轉換層發射白色光的結構。作為能夠發射藍色光的LED晶片51，典型地有由第13族氮化物類化合物半導體構成的二極體，作為一個例子可以舉出包含以式子In xAl yGa 1-x-yN(x為0以上且1以下，y為0以上且1以下，x+y為0以上且1以下)表示的GaN類的二極體。作為由藍色光激發而發射黃色光的螢光體的典型例子，有Y 3Al 5O 12：Ce(YAG：Ce)、 (Ba，Sr，Mg) 2SiO 4：Eu，Mn等。
例如，藉由使用發射藍綠色光的LED晶片51與發射藍綠色的補色的紅色光的螢光體，可以實現從顏色轉換層發射白色光的結構。
顏色轉換層也可以包括多種螢光體，也可以採用該螢光體發射分別不同的顏色的光的結構。例如，可以使用發射藍色光的LED晶片51、發射紅色光的螢光體以及發射綠色光的螢光體實現從顏色轉換層發射白色光的結構。作為由藍色光激發而發射紅色光的螢光體的典型的例子，有(Ca，Sr)S：Eu、Sr 2Si 7Al 3ON 13：Eu等。作為由藍色光激發而發射綠色光的螢光體的典型的例子，有SrGa 2S 4：Eu、Sr 3Si 13Al 3O 2N 21：Eu等。
另外，可以使用發射近紫外光或紫色光的LED晶片51、發射紅色光的螢光體、發射綠色光的螢光體以及發射藍色光的螢光體實現從顏色轉換層發射白色光的結構。作為由近紫外光或紫色光激發而發射紅色光的螢光體的典型的例子，有(Ca，Sr)S：Eu、Sr 2Si 7Al 3ON 13：Eu､La 2O 2S：Eu等。作為由近紫外光或紫色光激發而發射綠色光的螢光體的典型的例子，有SrGa 2S 4：Eu、 Sr 3Si 13Al 3O 2N 21：Eu等。作為由近紫外光或紫色光激發而發射藍色光的螢光體的典型的例子，有Sr 10(PO 4) 6Cl 2：Eu、(Sr，Ba，Ca) 10(PO 4) 6Cl 2：Eu等。
注意，近紫外光在發射光譜的波長為200nm至380nm處具有最大峰值。另外，紫色光在發射光譜的波長為380nm至430nm處具有最大峰值。另外，藍色光在發射光譜的波長為430nm至490nm處具有最大峰值。另外，綠色光在發射光譜的波長為490nm至550nm處具有最大峰值。另外，黃色光在發射光譜的波長為550nm至590nm處具有最大峰值。另外，紅色光在發射光譜的波長為640nm至770nm處具有最大峰值。
在顏色轉換層包括發射黃色光的螢光體且使用發射藍色光的LED晶片51時，較佳為LED晶片51所發射的光在發射光譜的波長為330nm至500nm處具有最大峰值，更佳為在波長為430nm至490nm處具有最大峰值，進一步較佳為在波長為450nm至480nm處具有最大峰值。由此，可以高效地使螢光體激發。另外，藉由LED晶片51所發射的光在發射光譜的430nm至490nm處具有最大峰值，可以混合激發光的藍色光與來自螢光體的黃色光而成為白色光。再者，藉由LED晶片51所發射的光在450nm至480nm處具有最大峰值，可以實現純度高的白色。
以上是LED晶片51的結構例子的說明。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式4 在本實施方式1中示出使用矩形藍寶石基板的例子，而在本實施方式中示出使用單晶矽基板的例子。在使用單晶矽基板時，也可以形成發光二極體的驅動電路(例如解多工器電路或數位類比轉換電路)，還可以形成感測器的驅動電路。
圖8A1示出單晶矽基板71R的立體圖。作為紅色用LED晶片，在單晶矽基板71R上形成包括n型半導體層、發光層及p型半導體層等的半導體層、被用作陰極的電極及被用作陽極的電極。
藉由在單晶矽基板71R上形成多個紅色用LED晶片並沿著LED晶片區劃分離單晶矽基板71R，可以製造多個紅色用LED晶片。
圖8A2示出單晶矽基板71G的立體圖。作為綠色用LED晶片，在單晶矽基板71G上形成包括n型半導體層、發光層及p型半導體層等的半導體層、被用作陰極的電極及被用作陽極的電極。
藉由在單晶矽基板71G上形成多個綠色用LED晶片並沿著LED晶片區劃分離單晶矽基板71G，可以製造多個綠色用LED晶片。
圖8A3示出單晶矽基板71B的立體圖。作為藍色用LED晶片，在單晶矽基板71B上形成包括n型半導體層、發光層及p型半導體層等的半導體層、被用作陰極的電極及被用作陽極的電極。
藉由在單晶矽基板71B上形成多個藍色用LED晶片並沿著LED晶片區劃分離單晶矽基板71B，可以製造多個藍色用LED晶片。
另外，在單晶矽基板71S上形成CMOS影像感測器。可以使用已知的技術製造CMOS影像感測器。使用頂面照射型CMOS影像感測器。另外，形成受光區域82。在受光區域82中，也可以在與受光區域82重疊的區域中設置微透鏡或彩色層。
以不與上述受光區域82重疊的方式分別安裝紅色用LED晶片、綠色用LED晶片及藍色用LED晶片。圖8B以立體圖示出逐個拾取各發光二極體並將其安裝到單晶矽基板71S的狀態。
另外，在單晶矽基板71S上分別安裝紅色用LED晶片、綠色用LED晶片及藍色用LED晶片，所以設置端子電極及電連接於該端子電極的驅動電路。當然也可以在單晶矽基板71S設置CMOS感測器的驅動電路。此外，也可以在半導體基板上另行形成這些驅動電路，將半導體基板彼此貼合來進行電連接。
例如，也可以貼合使用圖9A所示的平面型電晶體形成驅動電路的單晶矽基板。或者，也可以貼合使用鰭型電晶體形成驅動電路的單晶矽基板。
或者，如圖9B所示，也可以採用包括矽薄膜的半導體層545的電晶體。例如，半導體層545可以使用在矽基板211上的絕緣層546上形成的單晶矽(SOI(Silicon on Insulator：絕緣層上覆矽))。
[OS電晶體的結構例子] 此外，也可以貼合在單晶矽基板上設置OS電晶體而形成驅動電路的單晶矽基板。
圖10A示出詳細的OS電晶體。圖10A所示的OS電晶體具有藉由在氧化物半導體層及導電層的疊層上設置絕緣層而設置到達該氧化物半導體層的開口部來形成源極電極705及汲極電極706的自對準型結構。
除了形成在氧化物半導體層的通道形成區域、源極區域703及汲極區域704以外，OS電晶體還可以包括閘極電極701、閘極絕緣膜702。在該開口部中至少設置閘極絕緣膜702及閘極電極701。在該開口部中也可以還設置氧化物半導體層707。
如圖10B所示，OS電晶體也可以採用使用閘極電極701作為遮罩在半導體層中形成源極區域703及汲極區域704的自對準型結構。
或者，如圖10C所示，可以採用具有源極電極705或汲極電極706與閘極電極701重疊的區域的非自對準型的頂閘極型電晶體。
OS電晶體包括背閘極535，但也可以不包括背閘極。如圖10D所示的電晶體的通道寬度方向的剖面圖那樣，背閘極535也可以與相對的電晶體的前閘極電連接。作為一個例子，圖10D示出圖10A所示的B1-B2的剖面，其他結構的電晶體也是同樣的。另外，也可以採用能夠對背閘極535供應與前閘極不同的固定電位的結構。
作為用於OS電晶體的半導體材料，可以使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的金屬氧化物。典型的有含有銦的氧化物半導體等，例如，可以使用後面提到的CAAC-OS或CAC-OS等。CAAC-OS中構成晶體的原子穩定，適用於重視可靠性的電晶體等。CAC-OS呈現高移動率特性，適用於進行高速驅動的電晶體等。
由於OS電晶體的半導體層具有大能隙，所以呈現極低的關態電流特性，僅為幾yA/μm(每通道寬度1μm的電流值)。與Si電晶體不同，OS電晶體不會發生碰撞電離、突崩潰、短通道效應等，因此能夠形成具有高耐壓性和高可靠性的電路。此外，Si電晶體中產生的起因於結晶性不均勻的電特性不均勻不容易產生在OS電晶體中。
作為OS電晶體中的半導體層，例如可以採用包含銦、鋅及M(鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹和鉿等金屬中的一個或多個)的以“In-M-Zn類氧化物”表示的膜。典型的是，In-M-Zn類氧化物可以藉由濺射法形成。或者，也可以藉由ALD(Atomic layer deposition ：原子層沉積)法形成。
當利用濺射法形成In-M-Zn類氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn類氧化物的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足In≥M及Zn≥M。這種濺射靶材的金屬元素的原子數比較佳為In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、 In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、 In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等。注意，所形成的半導體層的原子數比分別有可能在上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內變動。
作為半導體層，可以使用載子密度低的氧化物半導體。例如，作為半導體層可以使用載子密度為1×10 17/cm 3以下，較佳為1×10 15/cm 3以下，更佳為1×10 13/cm 3以下，進一步較佳為1×10 11/cm 3以下，更進一步較佳為小於1×10 10/cm 3，1×10 -9/cm 3以上的氧化物半導體。將這樣的氧化物半導體稱為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。該氧化物半導體的缺陷態密度低，因此可以說是具有穩定的特性的氧化物半導體。
注意，本發明不侷限於上述記載，可以根據所需的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)來使用具有適當的組成的材料。另外，較佳為適當地設定半導體層的載子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等，以得到所需的電晶體的半導體特性。
當構成半導體層的氧化物半導體包含第14族元素之一的矽或碳時，氧空位增加，會使該半導體層變為n型。因此，將半導體層中的矽或碳的濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)設定為2×10 18atoms/cm 3以下，較佳為2×10 17atoms/cm 3以下。
另外，有時當鹼金屬及鹼土金屬與氧化物半導體鍵合時生成載子，而使電晶體的關態電流增大。因此，將半導體層的鹼金屬或鹼土金屬的濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)設定為1×10 18atoms/cm 3以下，較佳為2×10 16atoms/cm 3以下。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體含有氮時生成作為載子的電子，載子密度增加而容易n型化。其結果是，使用含有氮的氧化物半導體的電晶體容易具有常開啟特性。因此，半導體層的氮濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)較佳為5×10 18atoms/cm 3以下。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體包含氫時，氫與鍵合於金屬原子的氧起反應生成水，因此有時在氧化物半導體中形成氧空位。在氧化物半導體中的通道形成區域包含氧空位的情況下，電晶體趨於具有常開啟特性。再者，有時氫進入氧空位中而成的缺陷被用作施體而生成作為載子的電子。此外，有時氫的一部分鍵合到與金屬原子鍵合的氧而生成作為載子的電子。因此，使用包含較多的氫的氧化物半導體的電晶體容易具有常開啟特性。
氫進入氧空位中而成的缺陷會被用作氧化物半導體的施體。然而，定量地評價該缺陷是困難的。於是，在氧化物半導體中，有時不是根據施體濃度而是根據載子濃度進行評價。由此，在本說明書等中，有時作為氧化物半導體的參數，不採用施體濃度而採用假定為不被施加電場的狀態的載子濃度。也就是說，本說明書等所記載的“載子濃度”有時可以稱為“施體濃度”。
由此，較佳為儘可能減少氧化物半導體中的氫。明確而言，在氧化物半導體中，利用二次離子質譜(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)測得的氫濃度低於1×10 20atoms/cm 3，較佳為低於1×10 19atoms/cm 3，更佳為低於5×10 18atoms/cm 3，進一步較佳為低於1×10 18atoms/cm 3。藉由將氫等雜質被充分減少的氧化物半導體用於電晶體的通道形成區域，可以賦予穩定的電特性。
另外，半導體層例如也可以具有非單晶結構。非單晶結構例如包括具有c軸配向的結晶的CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)、多晶結構、微晶結構或非晶結構。在非單晶結構中，非晶結構的缺陷態密度最高，而CAAC-OS的缺陷態密度最低。
非晶結構的氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶結構的氧化物半導體膜例如是完全的非晶結構且不具有結晶部。
此外，半導體層也可以為具有非晶結構的區域、微晶結構的區域、多晶結構的區域、CAAC-OS的區域和單晶結構的區域中的兩種以上的混合膜。混合膜有時例如具有包括上述區域中的兩種以上的區域的單層結構或疊層結構。
下面，對非單晶半導體層的一個實施方式的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指包含在氧化物半導體中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InO X1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為In X2Zn Y2O Z2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaO X3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為Ga X4Zn Y4O Z4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InO X1或In X2Zn Y2O Z2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaO X3為主要成分的區域和以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子數比大於第二區域的In與元素M的原子數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以 InGaO 3(ZnO) m1(m1為自然數)或In (1+x0)Ga (1-x0)O 3(ZnO) m0(-1≤x0≤1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域，一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域，並且，這些區域以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的兩種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。
注意，有時觀察不到以GaO X3為主要成分的區域與以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該金屬元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的Out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域(環狀區域)以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析(EDX-mapping)影像，可確認到：具有以GaO X3為主要成分的區域及以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaO X3等為主要成分的區域及以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域的導電性高於以GaO X3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaO X3等為主要成分的區域的絕緣性高於以In X2Zn Y2O Z2或InO X1為主要成分的區域。換言之，當以GaO X3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaO X3等的絕緣性及起因於In X2Zn Y2O Z2或InO X1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(I on)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於各種半導體裝置的構成材料。
作為可用作用於器件間的電連接的佈線、電極及插頭的導電體，適當地選擇選自鋁、鉻、銅、銀、金、鉑、鉭、鎳、鈦、鉬、鎢、鉿、釩、鈮、錳、鎂、鋯、鈹、銦、釕、銥、鍶和鑭等中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或者組合上述金屬元素的合金等而使用即可。該導電體不侷限於單層，也可以為由不同材料構成的多個層。
藉由在行方向或列方向上並列安裝多個發光二極體，並且以上述發光二極體構成顯示區域的方式沿著區劃分離單晶矽基板71S，可以製造顯示面板。注意，使用單晶矽基板的顯示面板比單晶矽基板的尺寸小，因此侷限於小型顯示面板。另外，藉由縮小相鄰的顯示區域的間隔並在行方向或列方向上並列多個小型顯示面板，也可以實現大型顯示面板。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式5 在本實施方式中，示出作為受光元件212使用在光電轉換層包含有機化合物的有機光電二極體的例子。有機光電二極體容易進行薄型化、輕量化及大面積化。另外，由於形狀及設計的彈性較高，所以可以適用於各種顯示裝置。
圖11示出本發明的一個實施方式的顯示裝置50A的剖面示意圖。顯示裝置50A包括受光區域110、發光區域190及發光區域180。發光區域190包括顏色轉換層797G及藍色的發光二極體11B所包括的發光二極體。發光區域180相當於顏色轉換層797G及藍色的發光二極體11B所包括的發光二極體(發射綠色光)。
作為發光區域190、發光區域180以及周邊的結構，除了顏色轉換層以外可以採用相同的結構。因此，在此詳細說明發光區域190而省略發光區域180的說明。
發光區域190包括端子電極191、導電層774、導電性凸塊791及凸塊793。在圖11所示的顯示裝置50A中，凸塊791及凸塊793的高度不同。注意，在藍色的發光二極體11B所包括的陰極一側的電極與陽極一側的電極的高度相同時，可以實現凸塊791與凸塊793的高度大致一致的結構。
受光區域110包括像素電極111、公共層112、光電轉換層113、公共層114及共用電極115。
像素電極111、端子電極191、公共層112、光電轉換層113、公共層114及共用電極115均既可具有單層結構又可具有疊層結構。
像素電極111、端子電極191及導電層774位於絕緣層214上。像素電極111、端子電極191及導電層774可以使用同一材料及同一製程形成。
公共層112位於像素電極111上。公共層112是各像素中的受光元件212共同使用的層。
光電轉換層113具有隔著公共層112與像素電極111重疊的區域。光電轉換層113包含第一有機化合物。
公共層114位於公共層112上及光電轉換層113上。公共層114是各像素中的受光元件212共同使用的層。
共用電極115包括隔著公共層112、光電轉換層113及公共層114與像素電極111重疊的區域。共用電極115是各像素中的受光元件212共同使用的層。
在本實施方式的顯示裝置中，受光元件212的光電轉換層113使用有機化合物。此外，可以在同一基板上形成發光區域190和受光區域110。由此，可以將受光區域110內置於顯示裝置。
顯示裝置50A在一對基板(具有絕緣性的基板151及具有絕緣性的基板152)之間包括受光區域110、發光區域190、電晶體41及電晶體42等。
作為具有絕緣性的基板151及具有絕緣性的基板152，可以使用玻璃基板、石英基板或塑膠薄膜。作為塑膠薄膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳香族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、ABS樹脂以及纖維素奈米纖維等。
在受光區域110中，位於像素電極111與共用電極115之間的公共層112、光電轉換層113及公共層114各自可以被稱為有機層(包含有機化合物的層)。像素電極111較佳為具有反射近紅外光的功能。共用電極115具有透射可見光及近紅外光的功能。
受光元件212具有檢測光的功能。明確而言，受光元件212是將入射的光22轉換為電信號的光電轉換元件。
基板152的基板151一側的表面設置有遮光層148。遮光層148在與受光區域110重疊的位置及與發光區域190重疊的位置具有開口部。藉由設置遮光層148，可以控制受光區域110檢測光的範圍。
作為遮光層148，可以使用遮擋發光二極體11B所發射的光的材料。遮光層148較佳為吸收可見光及近紅外光。作為遮光層148，例如，可以使用金屬材料或包含顏料(碳黑等)或染料的樹脂材料等形成。遮光層148也可以採用紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片的疊層結構。
另外，在遮光層148的與受光區域110重疊的位置設置的開口部中，較佳為設置遮蔽比光(受光元件212所接收的光)的波長(近紅外光)位於短波長一側的光的濾光片149。作為濾光片149，例如可以使用遮蔽比近紅外光位於短波長一側的光的長通濾光片、至少遮蔽可見光區域的波長的帶通濾光片等。作為遮蔽可見光的濾光片，除了包含色素的樹脂膜等以外，還可以使用非晶矽薄膜等半導體膜。藉由設置濾光片149，可以抑制可見光入射到受光元件212並以低雜訊感測近紅外光。
注意，也可以與受光元件212層疊地設置濾光片149。
此外，濾光片149也可以為透鏡型的形狀。透鏡型的濾光片149為在基板151一側具有凸面的凸透鏡。注意，也可以以使基板152一側為凸面的方式配置。在將遮光層148和透鏡型的濾光片149的兩者形成在基板152的同一面上的情況下，對它們的形成順序沒有限制。
此外，也可以不設置濾光片149。在受光元件212的特性中，在對可見光沒有靈敏度或者近紅外光的靈敏度比可見光的靈敏度足夠高的情況下，可以省略濾光片149。在此情況下，也可以與受光元件212重疊地設置與透鏡型的濾光片149形狀相同的透鏡。該透鏡可以使用使可見光透過的材料形成。
在此，如圖11所示，受光區域110可以檢測出發光二極體11B所發射的光21中的被指頭等物件60所反射的光22。但是，有時發光二極體11B所發射的光的一部分在顯示裝置50A內被反射而以不經物件60的方式入射到受光區域110。
遮光層148可以減少這種雜散光的影響。例如，在沒有設置遮光層148的情況下，有時發光二極體11B所發射的光23a被基板152等反射，由此反射光23b入射到受光區域110。藉由設置遮光層148，可以抑制反射光23b入射到受光元件212。由此，可以減少雜訊來提高受光元件212的光感測精度。
發光區域190具有發射綠色光的功能。明確而言，發光二極體11B是發射綠色光的電場發光器件，發光二極體11B藉由對端子電極191與導電層774之間施加電壓，向基板152一側發射藍色的發光並使其藉由顏色轉換層797G，由此發射綠色的光21。
在發光區域190中，在基板152的基板151一側的與發光二極體11B重疊的位置設置顏色轉換層797G。在發光區域180中，在基板152的基板151一側的與發光二極體11B重疊的位置設置顏色轉換層797R。
在本實施方式中，示出使用藍色的發光二極體11B的例子，但不侷限於此。在使用三種發光二極體11R、11B、11G時，也可以不設置顏色轉換層。另外，也可以代替發光二極體11B使用發射紫外光的發光二極體。在使用發射紫外光的發光二極體時，也可以採用能夠將光轉換為白色光的顏色轉換層與彩色層的疊層。紫外光在藉由顏色轉換層時被作為白色光發射，在藉由透過紅色的彩色層時被作為紅色光發射到顯示面一側。
電連接於受光元件212的電路的至少一部分較佳為使用與電連接於發光二極體11B的電路相同的材料及製程而形成。由此，與分別形成兩個電路的情況相比，可以減小顯示裝置的厚度，並可以簡化製程。
受光元件212較佳為被保護層195覆蓋。此外，使用黏合層142貼合保護層195和基板152。為了使發光透過，黏合層142較佳為使用光透過性高的材料。
在發光二極體11B中，使用黏合層142填充相鄰的發光二極體之間並貼合基板152與基板151。
此外，也可以不設置遮光層148。
另外，基板152也可以使用散射板等光學構件、觸控感測器面板等輸入裝置或上述兩個以上的疊層結構。
像素電極111隔著設置在絕緣層214中的開口電連接到電晶體41的源極或汲極。
端子電極191藉由設置在絕緣層214中的開口電連接到電晶體42的源極或汲極。電晶體42具有控制發光二極體11B的驅動的功能。
電晶體41及電晶體42設置於同一層(圖11中的基板151)上。
[電晶體的結構例子] 以下，說明可用於上述顯示裝置50A的電晶體41、42的剖面結構例子。
[結構例子1] 圖12A是包括電晶體410的剖面圖。
電晶體410是設置在基板401上且在半導體層中使用多晶矽的電晶體。例如，電晶體410對應於電晶體42。另外，電晶體42對應於圖6A的電路中的電晶體251。也就是說，圖12A是電晶體410的源極和汲極中的一個電連接於發光二極體的例子。注意，作為將多晶矽用於半導體層的電晶體之一，可以使用包含低溫多晶矽(LTPS(Low Temperature Poly Silicon))的電晶體(以下也稱為LTPS電晶體)。LTPS電晶體具有高場效移動率以及良好的頻率特性。
電晶體410包括半導體層411、絕緣層412、導電層413等。半導體層411包括通道形成區域411i及低電阻區域411n。半導體層411包含矽。半導體層411較佳為包含多晶矽。絕緣層412的一部分被用作閘極絕緣層。導電層413的一部分被用作閘極電極。
注意，半導體層411也可以包含示出半導體特性的金屬氧化物(也稱為氧化物半導體)。此時，電晶體410可以被稱為OS電晶體。
低電阻區域411n是包含雜質元素的區域。例如，在電晶體410為n通道型電晶體的情況下，將磷或砷等添加到低電阻區域411n即可。另一方面，在電晶體410為p通道型電晶體的情況下，將硼或鋁等添加到低電阻區域411n即可。另外，為了控制電晶體410的臨界電壓，也可以將上述雜質添加到通道形成區域411i。
基板401上設置有絕緣層421。半導體層411設置在絕緣層421上。絕緣層412以覆蓋半導體層411及絕緣層421的方式設置。導電層413設置在絕緣層412上的與半導體層411重疊的位置。
另外，以覆蓋導電層413及絕緣層412的方式設置有絕緣層422。絕緣層422上設置有導電層414a及導電層414b。導電層414a及導電層414b藉由形成在絕緣層422及絕緣層412中的開口部與低電阻區域411n電連接。導電層414a的一部分被用作源極電極和汲極電極中的一個，導電層414b的一部分被用作源極電極和汲極電極中的另一個。另外，以覆蓋導電層414a、導電層414b及絕緣層422的方式設置有絕緣層423。
在絕緣層423上設置被用作像素電極的導電層427。導電層427設置在絕緣層423上，在設置在絕緣層423中的開口中與導電層414b電連接。雖然在此省略，但是藉由在導電層427上形成與LED的電極的電連接，可以在驅動電路上安裝LED。
[結構例子2] 圖12B示出包括一對閘極電極的電晶體410a。圖12B所示的電晶體410a與圖12A的主要不同之處在於：包括導電層415及絕緣層416。
導電層415設置在絕緣層421上。另外，以覆蓋導電層415及絕緣層421的方式設置有絕緣層416。半導體層411以至少通道形成區域411i隔著絕緣層416與導電層415重疊的方式設置。
在圖12B所示的電晶體410a中，導電層413的一部分被用作第一閘極電極，導電層415的一部分被用作第二閘極電極。此時，絕緣層412的一部分被用作第一閘極絕緣層，絕緣層416的一部分被用作第二閘極絕緣層。
在此，在電連接第一閘極電極和第二閘極電極的情況下，在未圖示的區域中，藉由形成在絕緣層412及絕緣層416中的開口部電連接導電層413和導電層415即可。另外，在電連接第二閘極電極與源極或汲極的情況下，在未圖示的區域中，藉由形成在絕緣層422、絕緣層412及絕緣層416中的開口部電連接導電層414a或導電層414b與導電層415即可。
在將LTPS電晶體用於構成像素的所有電晶體的情況下，可以採用圖12A中例示出的電晶體410或圖12B中例示出的電晶體410a。此時，可以將電晶體410a用於構成像素的所有電晶體，也可以將電晶體410用於該所有電晶體，還可以組合電晶體410a和電晶體410而使用。
[結構例子3] 以下，說明包括將矽用於半導體層的電晶體以及將金屬氧化物用於半導體層的電晶體的結構的例子。
圖12C示出包括電晶體410a及電晶體450的剖面示意圖。
電晶體410a可以援用上述結構例子2。注意，這裡示出使用電晶體410a的例子，但是也可以採用包括電晶體410及電晶體450的結構或包括電晶體410、電晶體410a、電晶體450的所有電晶體的結構。
電晶體450是在半導體層中使用金屬氧化物的電晶體。圖12C所示的結構是例如電晶體450對應於圖6A的電路中的電晶體436且電晶體410a對應於電晶體251的例子。就是說，圖12C是電晶體410a的源極和汲極中的一個電連接於與LED的電極電接合的導電層427的例子。
圖12C示出電晶體450包括一對閘極的例子。
電晶體450包括導電層455、絕緣層422、半導體層451、絕緣層452、導電層453等。導電層453的一部分被用作電晶體450的第一閘極，導電層455的一部分被用作電晶體450的第二閘極。此時，絕緣層452的一部分被用作電晶體450的第一閘極絕緣層，絕緣層422的一部分被用作電晶體450的第二閘極絕緣層。
導電層455設置在絕緣層412上。以覆蓋導電層455的方式設置有絕緣層422。半導體層451設置在絕緣層422上。以覆蓋半導體層451及絕緣層422的方式設置有絕緣層452。導電層453設置在絕緣層452上，並具有與半導體層451及導電層455重疊的區域。
另外，以覆蓋絕緣層452及導電層453的方式設置有絕緣層426。絕緣層426上設置有導電層454a及導電層454b。導電層454a及導電層454b藉由形成在絕緣層426及絕緣層452中的開口部與半導體層451電連接。導電層454a的一部分被用作源極電極和汲極電極中的一個，導電層454b的一部分被用作源極電極和汲極電極中的另一個。另外，以覆蓋導電層454a、導電層454b及絕緣層426的方式設置有絕緣層423。
在此，與電晶體410a電連接的導電層414a及導電層414b與導電層454a及導電層454b較佳為加工同一導電膜來形成。在圖12C中示出導電層414a、導電層414b、導電層454a及導電層454b在同一面上(亦即，與絕緣層426的頂面接觸地)形成並含有同一金屬元素的結構。此時，導電層414a及導電層414b藉由形成在絕緣層426、絕緣層452、絕緣層422及絕緣層412中的開口與低電阻區域411n電連接。由此，可以使製程簡化，所以是較佳的。
另外，被用作電晶體410a的第一閘極電極的導電層413和被用作電晶體450的第二閘極電極的導電層455較佳為加工同一導電膜來形成。在圖12C中示出導電層413和導電層455在同一面上(亦即，與絕緣層412的頂面接觸地)形成並含有同一金屬元素的結構。由此，可以使製程簡化，所以是較佳的。
在圖12C中，被用作電晶體450的第一閘極絕緣層的絕緣層452覆蓋半導體層451的端部，但是如圖12D所示的電晶體450a那樣，也可以以其頂面的形狀與導電層453的頂面形狀一致或大致一致的方式加工絕緣層452。
如圖12C及圖12D所示，藉由包括將矽用於半導體層的電晶體以及將金屬氧化物用於半導體層的電晶體的兩者，可以實現功耗低且驅動能力高的半導體裝置。另外，有時將組合LTPS電晶體和OS電晶體的結構稱為LTPO。另外，作為更合適的一個例子，較佳的是，作為被用作控制佈線間的導通和非導通的開關的電晶體等使用OS電晶體且作為用來控制電流的電晶體等使用LTPS電晶體。
在本說明書等中，“頂面形狀大致一致”是指疊層中的每一個層的邊緣的至少一部分重疊。例如，是指上層及下層藉由同一遮罩圖案或其一部分同一遮罩圖案被加工的情況。但是，實際上有邊緣不重疊的情況，有時上層位於下層的內側或者上層位於下層的外側，該情況也可以說“頂面形狀大致一致”。
注意，這裡示出電晶體410a對應於電晶體251並與像素電極電連接的例子，但是不侷限於此。例如，電晶體450或電晶體450a也可以對應於電晶體251。此時，電晶體410a對應於電晶體436、電晶體434或其他電晶體。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式6 在本實施方式中，對可以適用本發明的一個實施方式的半導體裝置的電子裝置進行說明。
可以將本發明的一個實施方式的半導體裝置用於電子裝置的顯示部。由此，可以實現顯示品質高的電子裝置。或者，可以實現極高精密度的電子裝置。或者，可以實現可靠性高的電子裝置。
作為使用根據本發明的一個實施方式的半導體裝置等的電子裝置，可以舉出電視機、顯示器等顯示裝置、照明設備、桌上型或膝上型個人電腦、文字處理機、再現儲存在DVD(Digital Versatile Disc：數位影音光碟)等記錄介質中的靜態影像或動態影像的影像再現裝置、可攜式CD播放機、收音機、磁帶錄音機、頭戴式耳機立體音響、立體音響、座鐘、掛鐘、無線電話子機、無線電收發機、車載電話、行動電話、可攜式資訊終端、平板終端、可攜式遊戲機、彈珠機等固定型遊戲機、計算器、電子筆記本、電子書閱讀器終端、電子翻譯器、聲音輸入器、攝影機、數位靜態照相機、電動刮刀、微波爐等高頻加熱裝置、電鍋、電動洗衣機、電動吸塵器、熱水器、電扇、吹風機、空調設備諸如空調器、加濕器、除濕器等、餐具洗滌機、餐具乾燥機、乾衣機、烘被機、電冰箱、電冷凍箱、電冷凍冷藏箱、DNA保存用冰凍器、手電筒、鏈鋸等工具、煙探測器、透析裝置等醫療設備等。再者，還可以舉出工業設備諸如引導燈、號誌燈、傳送帶、電梯、電扶梯、工業機器人、蓄電系統、用於電力均勻化、智慧電網的蓄電裝置等。另外，藉由使用燃料的發動機或利用來自蓄電體的電力的電動機推進的移動體等也有時包括在電子裝置的範疇內。作為上述移動體，例如可以舉出電動汽車(EV)、兼具內燃機和電動機的混合動力汽車(HV)、插電式混合動力汽車(PHV)、使用履帶代替這些的車輪的履帶式車輛、包括電動輔助自行車的帶有發動機的自行車、摩托車、電動輪椅、高爾夫球車、小型或大型船舶、潛水艇、直升機、飛機、火箭、人造衛星、太空探測器、行星探測器、太空船等。
此外，根據本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括二次電池(電池)，較佳為藉由非接觸電力傳送對該二次電池充電。
作為二次電池，例如，可以舉出鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。
根據本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括天線。藉由由天線接收信號，可以在顯示部上顯示影像及資料等。另外，在電子裝置包括天線及二次電池時，可以將天線用於非接觸電力傳送。
根據本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括感測器(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)。
根據本發明的一個實施方式的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體(程式)的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料的功能；等。
此外，包括多個顯示部的電子裝置可以具有在顯示部的一部分主要顯示影像資訊而在顯示部的其他部分主要顯示文本資訊的功能，或者具有藉由將考慮了視差的影像顯示於多個顯示部上來顯示三維影像的功能等。並且，具有影像接收部的電子裝置可以具有如下功能：拍攝靜態影像；拍攝動態影像；對所拍攝的影像進行自動或手工校正；將所拍攝的影像存儲在記錄介質(外部或內置於電子裝置中)中；將所拍攝的影像顯示在顯示部上；等。另外，本發明的一個實施方式的電子裝置所具有的功能不侷限於此，該電子裝置可以具有各種功能。
根據本發明的一個實施方式的半導體裝置可以顯示高清晰的影像。由此，尤其可以適當地用於攜帶式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。例如，可以適當地用於VR設備或AR設備等xR設備。
圖13A是安裝有取景器8100的照相機8000的外觀圖。
照相機8000包括外殼8001、顯示部8002、操作按鈕8003、快門按鈕8004等。另外，照相機8000安裝有可裝卸的鏡頭8006。在照相機8000中，鏡頭8006和外殼也可以被形成為一體。
照相機8000藉由按下快門按鈕8004或者觸摸用作觸控面板的顯示部8002，可以進行攝像。
外殼8001包括具有電極的嵌入器，除了可以與取景器8100連接以外，還可以與閃光燈裝置等連接。
取景器8100包括外殼8101、顯示部8102以及按鈕8103等。
外殼8101藉由嵌合到照相機8000的嵌入器裝到照相機8000。取景器8100可以將從照相機8000接收的影像等顯示到顯示部8102上。
按鈕8103被用作電源按鈕等。
根據本發明的一個實施方式的半導體裝置可以用於照相機8000的顯示部8002及取景器8100的顯示部8102。此外，也可以在照相機8000中內置有取景器8100。顯示部8002及顯示部8102的顯示區域的尺寸為0.5英寸以上且10英寸以下，亦即，螢幕尺寸為0.5英寸以上且10英寸以下。
圖13B是頭戴顯示器8200的外觀圖。
頭戴顯示器8200包括安裝部8201、透鏡8202、主體8203、顯示部8204以及電纜8205等。此外，在安裝部8201中內置有電池8206。
藉由電纜8205，將電力從電池8206供應到主體8203。主體8203具備無線接收器等，能夠將所接收的影像資訊等顯示到顯示部8204上。此外，主體8203具有照相機，由此可以作為輸入方法利用使用者的眼球或眼瞼的動作的資訊。
此外，也可以對安裝部8201的被使用者接觸的位置設置多個電極，以檢測出根據使用者的眼球的動作而流過電極的電流，由此實現識別使用者的視線的功能。此外，還可以具有根據流過該電極的電流監視使用者的脈搏的功能。安裝部8201可以具有溫度感測器、壓力感測器、加速度感測器等各種感測器，也可以具有將使用者的生物資訊顯示在顯示部8204上的功能或與使用者的頭部的動作同步地使顯示在顯示部8204上的影像變化的功能等。
可以將根據本發明的一個實施方式的半導體裝置用於顯示部8204。顯示部8204的顯示區域的尺寸為0.5英寸以上且3英寸以下，亦即，螢幕尺寸為0.5英寸以上且3英寸以下。
圖13C至圖13E是頭戴顯示器8300的外觀圖。頭戴顯示器8300包括外殼8301、顯示部8302、帶狀固定工具8304以及一對透鏡8305。
使用者可以藉由透鏡8305看到顯示部8302上的顯示。較佳的是，彎曲配置顯示部8302。因為使用者可以感受高真實感。此外，藉由透鏡8305分別看到顯示在顯示部8302的不同區域上的影像，從而可以進行利用視差的三維顯示等。此外，本發明的一個實施方式不侷限於設置有一個顯示部8302的結構，也可以設置兩個顯示部8302以對使用者的一對眼睛分別配置一個顯示部。
可以將根據本發明的一個實施方式的半導體裝置用於顯示部8302。根據本發明的一個實施方式的半導體裝置還可以實現極高的清晰度。例如，如圖13E所示，即使使用透鏡8305對顯示進行放大觀看，像素也不容易被使用者看到。就是說，可以利用顯示部8302使使用者看到現實感更高的影像。
圖13F是護目鏡型頭戴顯示器8400的外觀圖。頭戴顯示器8400包括一對外殼8401、安裝部8402及緩衝構件8403。一對外殼8401內各自設置有顯示部8404及透鏡8405。藉由使一對顯示部8404顯示互不相同的影像，可以進行利用視差的三維顯示。
使用者可以藉由透鏡8405看到顯示部8404上的顯示。透鏡8405具有焦點調整機構，該焦點調整機構可以根據使用者的視力調整透鏡8405的位置。顯示部8404較佳為正方形或橫向長的矩形。由此，可以提高真實感。
安裝部8402較佳為具有塑性及彈性以可以根據使用者的臉尺寸調整並沒有掉下來。另外，安裝部8402的一部分較佳為具有被用作骨傳導耳機的振動機構。由此，只要安裝就可以享受影像及聲音，而不需耳機、揚聲器等音響設備。此外，也可以具有藉由無線通訊將聲音資料輸出到外殼8401內的功能。
安裝部8402及緩衝構件8403是與使用者的臉(額頭、臉頰等)接觸的部分。藉由使緩衝構件8403與使用者的臉密接，可以防止漏光，從而可以進一步提高沉浸感。緩衝構件8403較佳為使用柔軟的材料以在使用者裝上頭戴顯示器8400時與使用者的臉密接。例如，可以使用橡膠、矽酮橡膠、聚氨酯、海綿等材料。另外，當作為緩衝構件8403使用用布或皮革(天然皮革或合成皮革)等覆蓋海綿等的表面的構件時，在使用者的臉和緩衝構件8403之間不容易產生空隙，從而可以適當地防止漏光。另外，在使用這種材料時，不僅讓使用者感覺親膚，而且當在較冷的季節等裝上的情況下不讓使用者感到寒意，所以是較佳的。在緩衝構件8403或安裝部8402等接觸於使用者的皮膚的構件採用可拆卸的結構時，容易進行清洗及交換，所以是較佳的。
圖14A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101中組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7103支撐外殼7101的結構。
可以對顯示部7000應用本發明的一個實施方式的半導體裝置。顯示部8204的顯示區域的尺寸為8英寸以上且100英寸以下，亦即，螢幕尺寸為8英寸以上且100英寸以下。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關及另外提供的遙控器7111進行圖14A所示的電視機7100的操作。此外，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，也可以藉由用指頭等觸摸顯示部7000進行電視機7100的操作。此外，也可以在遙控器7111中具備顯示從該遙控器7111輸出的資訊的顯示部。藉由利用遙控器7111所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部7000上的影像進行操作。
此外，電視機7100具備接收機及數據機等。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通訊。
圖14B示出膝上型個人電腦的一個例子。膝上型個人電腦7200包括外殼7211、鍵盤7212、指向裝置7213、外部連接埠7214等。在外殼7211中組裝有顯示部7000。
可以對顯示部7000應用本發明的一個實施方式的半導體裝置。
圖14C和圖14D示出數位看板的一個例子。
圖14C所示的數位看板7300包括外殼7301、顯示部7000及揚聲器7303等。此外，還可以包括LED燈、操作鍵(包括電源開關或操作開關)、連接端子、各種感測器、麥克風等。
圖14D示出設置於圓柱狀柱子7401上的數位看板7400。數位看板7400包括沿著柱子7401的曲面設置的顯示部7000。
在圖14C和圖14D中，可以對顯示部7000應用包括本發明的一個實施方式的電晶體的半導體裝置。
顯示部7000越大，一次能夠提供的資訊量越多。顯示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高廣告宣傳效果。
藉由將觸控面板用於顯示部7000，不僅可以在顯示部7000上顯示靜態影像或動態影像，使用者還能夠直覺性地進行操作，所以是較佳的。此外，在用於提供路線資訊或交通資訊等資訊的用途時，可以藉由直覺性的操作提高易用性。
如圖14C和圖14D所示，數位看板7300或數位看板7400較佳為可以藉由無線通訊與使用者所攜帶的智慧手機等資訊終端設備7311或資訊終端設備7411聯動。例如，顯示在顯示部7000上的廣告資訊可以顯示在資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕上。此外，藉由操作資訊終端設備7311或資訊終端設備7411，可以切換顯示部7000的顯示。
此外，可以在數位看板7300或數位看板7400上以資訊終端設備7311或資訊終端設備7411的螢幕為操作單元(控制器)執行遊戲。由此，不特定多個使用者可以同時參加遊戲，享受遊戲的樂趣。
圖14E所示的資訊終端7550包括外殼7551、顯示部7552、麥克風7557、揚聲器部7554、相機7553及操作開關7555等。可以將根據本發明的一個實施方式的半導體裝置用於顯示部7552。顯示部7552被用作觸控面板。另外，資訊終端7550在外殼7551的內側具有天線、電池等。資訊終端7550例如可以被用作智慧手機、行動電話、平板資訊終端、平板電腦或電子書閱讀器終端等。
圖14F示出手錶型資訊終端的一個例子。資訊終端7660包括外殼7661、顯示部7662、錶帶7663、帶扣7664、操作開關7665、輸入輸出端子7666等。另外，資訊終端7660在外殼7661的內側具有天線、電池等。資訊終端7660可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
此外，顯示部7662具備觸控感測器，可以用指頭或觸控筆等觸控螢幕幕來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7662的圖示7667，可以啟動應用程式。操作開關7665除了時刻設定之外，還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的設置及取消、省電模式的設置及取消等各種功能。例如，藉由利用組裝在資訊終端7660中的作業系統，也可以設定操作開關7665的功能。
另外，可攜式資訊終端7660可以執行被通訊標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可無線通訊的耳麥通訊，可以進行免提通話。此外，資訊終端7660具備輸入輸出端子7666，可以藉由輸入輸出端子7666與其他資訊終端發送和接收資料。另外，也可以藉由輸入輸出端子7666進行充電。另外，充電操作也可以利用無線供電進行，而不藉由輸出輸入端子7666。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式等所示的結構適當地組合而實施。
10:像素 11a:電極 11B:發光二極體 11G:發光二極體 11IR:發光二極體 11R:發光二極體 11UV:發光二極體 11W:發光二極體 13:驅動電路部 14:驅動電路部 15:電路部 16:控制電路部 17:像素陣列 21:光 22:光 23a:光 23b:反射光 41:電晶體 42:電晶體 50A:顯示裝置 51:LED晶片 60:物件 71:基板 71B:單晶矽基板 71G:單晶矽基板 71R:單晶矽基板 71S:單晶矽基板 75:n型半導體層 75a:n型接觸層 75b:n型包覆層 77:發光層 77a:能障層 77b:井層層 79:p型半導體層 79a:p型包覆層 79b:p型接觸層 81:半導體層 82:受光區域 83:電極 85:電極 87:電極 89:絕緣層 102:電晶體 102_k:電晶體 102_1:電晶體 102_2:電晶體 103:電晶體 104:電晶體 105:電晶體 108:電容器 110:受光區域 111:像素電極 112:公共層 113:光電轉換層 114:公共層 115:共用電極 121:佈線 122:佈線 123:佈線 126:佈線 127:佈線 127_k:佈線 127_1:佈線 127_2:佈線 128:佈線 131:佈線 132:佈線 133:佈線 142:黏合層 148:遮光層 149:濾色片 151:基板 152:基板 180:發光區域 190:發光區域 191:端子電極 193:發光層 195:保護層 200:顯示面板 200A:顯示面板 200B:顯示面板 200C:顯示面板 201:玻璃基板 202:保護基板 202b:顏色轉換層 202g:顏色轉換層 202G:顏色轉換層 202r:顏色轉換層 202R:顏色轉換層 203:功能層 203a:端子電極 211:矽基板 212:受光元件 212_k:受光元件 212_1:受光元件 212_2:受光元件 214:絕緣層 220:指頭 231:驅動電路部 232:驅動電路部 236:佈線 237:佈線 251:電晶體 352:佈線 401:基板 410:電晶體 410a:電晶體 411:半導體層 411i:通道形成區域 411n:低電阻區域 412:絕緣層 413:導電層 414a:導電層 414b:導電層 415:導電層 416:絕緣層 421:絕緣層 422:絕緣層 423:絕緣層 426:絕緣層 427:導電層 431:顯示像素電路 433:電容器 434:電晶體 435:節點 436:電晶體 437:節點 438:電晶體 450:電晶體 450a:電晶體 451:半導體層 452:絕緣層 453:導電層 454a:導電層 454b:導電層 455:導電層 535:背閘極 545:半導體層 546:絕緣層 701:閘極電極 702:閘極絕緣膜 703:源極區域 704:汲極區域 705:源極電極 706:汲極電極 707:氧化物半導體層 774:導電層 791:凸塊 793:凸塊 797G:顏色轉換層 797R:顏色轉換層 901:基板 902:基板 903:基板 904:單晶矽晶圓 7000:顯示部 7100:電視機 7101:外殼 7103:支架 7111:遙控器 7200:膝上型個人電腦 7211:外殼 7212:鍵盤 7213:指向裝置 7214:外部連接埠 7300:數位看板 7301:外殼 7303:揚聲器 7311:資訊終端設備 7400:數位看板 7401:柱子 7411:資訊終端設備 7550:資訊終端 7551:外殼 7552:顯示部 7553:照相機 7554:揚聲器部 7555:操作開關 7557:麥克風 7660:資訊終端 7661:外殼 7662:顯示部 7663:錶帶 7664:帶扣 7665:操作開關 7666:輸入輸出端子 7667:圖示 8000:照相機 8001:外殼 8002:顯示部 8003:操作按鈕 8004:快門按鈕 8006:透鏡 8100:取景器 8101:外殼 8102:顯示部 8103:按鈕 8200:頭戴顯示器 8201:安裝部 8202:透鏡 8203:主體 8204:顯示部 8205:電纜 8206:電池 8300:頭戴顯示器 8301:外殼 8302:顯示部 8304:固定工具 8305:透鏡 8400:頭戴顯示器 8401:外殼 8402:安裝部 8403:緩衝構件 8404:顯示部 8405:透鏡
[圖1A1]、[圖1A2]及[圖1A3]是發光二極體的製造基板的立體圖，[圖1A4]是受光元件的製造基板的立體圖。[圖1B]是示出本發明的一個實施方式的安裝中途的基板的立體圖。 [圖2A]及[圖2E]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。[圖2B]至[圖2D]以及[圖2F]至[圖2H]是示出像素的例子的俯視圖。 [圖3A]及[圖3B]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。[圖3C]及[圖3D]是示出像素的例子的俯視圖。 [圖4A]及[圖4B]是示出本發明的一個實施方式的顯示面板200的方塊圖。 [圖5A]及[圖5B]是說明攝像像素的電路結構例子的圖。 [圖6A]至[圖6D]是說明顯示像素的結構例子的圖。 [圖7A]、[圖7B]、[圖7C]示出發光元件的結構例子。 [圖8A1]、[圖8A2]及[圖8A3]是發光二極體的製造基板的立體圖。[圖8B]是示出本發明的一個實施方式的安裝中途的基板的立體圖。 [圖9A]及[圖9B]是說明Si電晶體的圖。 [圖10A]至[圖10D]是說明OS電晶體的圖。 [圖11]是示出顯示裝置的結構例子的剖面圖。 [圖12A]至[圖12D]是示出電晶體的一個例子的圖。 [圖13A]至[圖13F]是說明電子裝置的一個例子的圖。 [圖14A]至[圖14F]是說明電子裝置的一個例子的圖。
11a:電極
11B:發光二極體
11G:發光二極體
11R:發光二極體
200:顯示面板
201:玻璃基板
202:保護基板
203:功能層
203a:端子電極
212:受光元件
220:指頭

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置，在基板上包括： 多個第一端子電極及多個第二端子電極； 該第一端子電極上的發光二極體；以及 該第二端子電極上的包括光電轉換層的受光元件， 其中，該發光二極體包括第一電極及第二電極， 該第一電極重疊於該第一端子電極上， 該第一端子電極與該發光二極體的驅動電路電連接， 並且，該第二端子電極與該受光元件的驅動電路電連接。
  2. 如請求項1之半導體裝置， 其中該第一電極藉由連接層與該第一端子電極電連接。
  3. 如請求項1之半導體裝置， 其中該基板為玻璃基板、石英基板、塑膠基板或半導體基板。
  4. 如請求項1之半導體裝置， 其中該受光元件為光電二極體晶片。
  5. 如請求項1之半導體裝置，在該基板上包括： 包括氧化物半導體層的電晶體；以及 包含多晶矽的電晶體。
  6. 如請求項1之半導體裝置，還包括： 該發光二極體上的顏色轉換層， 其中來自該發光二極體的發光透過該顏色轉換層。
  7. 一種半導體裝置，包括： 與半導體基板的第一區域重疊的第一發光二極體； 與該半導體基板的第二區域重疊的第二發光二極體；以及 與該半導體基板的第三區域重疊的第三發光二極體， 其中，該半導體基板包括與該第一區域、該第二區域和該第三區域中的一個或多個相鄰的第四區域， 並且，該半導體基板的該第四區域包括光電轉換層並被用作受光元件。
  8. 如請求項7之半導體裝置， 其中在該第一區域上包括第一電極及第二電極， 並且該第一發光二極體是其一個端子與該第一電極或該第二電極連接的發光二極體晶片。
  9. 如請求項7之半導體裝置，其中該第一發光二極體、該第二發光二極體及該第三發光二極體各自的發光顏色不同。
  10. 如請求項7之半導體裝置，還包括： 該第二發光二極體上的顏色轉換層， 其中來自該第二發光二極體的發光透過該顏色轉換層。
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Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004097783A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Visioneered Image Systems, Inc. Led illumination source/display with individual led brightness monitoring capability and calibration method
JP2010114114A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Rohm Co Ltd 反射型フォトインタラプタ
TWI572933B (zh) * 2013-05-20 2017-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 光通訊裝置
TWI685961B (zh) * 2016-06-17 2020-02-21 優顯科技股份有限公司 光電半導體裝置
EP3579266A4 (en) * 2018-02-12 2020-04-15 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. OLED DISPLAY MODULE WITH TOUCH CONTROL FUNCTION, OLED DISPLAY AND TERMINAL DEVICE
CN108493201B (zh) * 2018-03-12 2020-10-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制造方法及显示装置
JPWO2019220265A1 (ja) 2018-05-17 2021-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN113348387A (zh) 2019-01-18 2021-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
JP7320970B2 (ja) * 2019-03-28 2023-08-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210086907A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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