TW202322425A - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種發光二極體，包含陶瓷基板及發光二極體晶片。陶瓷基板包含陶瓷本體、電路層、第一電極墊、第二電極墊、金屬散熱結構、及數個電性連接構件。陶瓷本體具有相對之上表面與下表面、及連接上表面與下表面之側表面。電路層設於陶瓷本體之上表面。第一電極墊與第二電極墊彼此分開地設於陶瓷本體之下表面，且均延伸至陶瓷本體之側表面。電性連接構件自電路層延伸至第一電極墊與第二電極墊。金屬散熱結構自陶瓷本體之上表面經由側表面延伸至下表面，且與電路層、第一電極墊、及第二電極墊分開。發光二極體晶片設於電路層上。

Description

發光二極體及其製造方法

本揭露是有關於一種發光元件製作技術，且特別是有關於一種發光二極體(LED)及其製造方法。

由於發光二極體具有能量轉換效率高、反應時間短、壽命長、體積小、及可靠性高等優點，因而被廣泛地應用在照明燈具、號誌燈、電子產品的光源等。

目前側發光(side view)發光二極體的封裝基座大都為塑料。受限於材料與發光二極體晶片的耐熱狀況，導致發光二極體的操作瓦數小，而使發光二極體在應用上受到限制。

因此，本揭露之一目的就是在提供一種發光二極體及其製造方法，其採用陶瓷材料來作為發光二極體晶片的封裝基板。由於陶瓷材料的高散熱特性，因此可提升發光二極體之散熱效能。

本揭露之另一目的就是在提供一種發光二極體及其製造方法，其金屬散熱結構從陶瓷基板的上表面經由側表面而延伸至下表面，導熱效果佳，因此可大幅提升發光二極體的散熱效果，而可適用於大功率發光二極體晶片。

本揭露之又一目的就是在提供一種發光二極體及其製造方法，其二電極墊從陶瓷基板之下表面延伸至側表面，且連接電路板與電極墊的導電構件可設於陶瓷基板的側表面，因此發光二極體可以下表面或側表面來與電路板接合，藉此發光二極體具有頂發光(top view)與側發光雙向轉換性，具有廣泛的應用性。

根據本揭露之上述目的，提出一種發光二極體，其包含陶瓷基板以及發光二極體晶片。陶瓷基板包含陶瓷本體、電路層、第一電極墊、第二電極墊、金屬散熱結構、以及數個電性連接構件。陶瓷本體具有相對之上表面與下表面、以及連接上表面與下表面之側表面。電路層設於陶瓷本體之上表面。第一電極墊與第二電極墊彼此分開地設於陶瓷本體之下表面，且均延伸至陶瓷本體之側表面。電性連接構件自電路層延伸至第一電極墊與第二電極墊。金屬散熱結構自陶瓷本體之上表面經由側表面延伸至下表面，其中金屬散熱結構與電路層、第一電極墊、及第二電極墊分開。發光二極體晶片設於電路層上，且與電路層電性連接。

依據本揭露之一實施例，上述之金屬散熱結構包含第一金屬散熱墊、第二金屬散熱墊、以及至少一金屬導熱構件。第一金屬散熱墊設於陶瓷本體之上表面。第二金屬散熱墊設於陶瓷本體之下表面。金屬導熱構件自第一金屬散熱墊經由陶瓷本體之側表面延伸至第二金屬散熱墊。

依據本揭露之一實施例，上述之發光二極體更包含齊納(zener)二極體設於電路層上，且與電路層電性連接。

依據本揭露之一實施例，上述之發光二極體更包含光學膜片覆蓋在發光二極體晶片上。

依據本揭露之一實施例，上述之光學膜片為透明膠片、螢光膠片、或螢光陶瓷片。

依據本揭露之一實施例，上述之發光二極體更包含反射層包圍住發光二極體晶片之側表面。

根據本揭露之上述目的，另提出一種發光二極體之製造方法。在此方法中，提供陶瓷基板。此陶瓷基板包含陶瓷本體、電路層、第一電極墊、第二電極墊、金屬散熱結構、以及數個電性連接構件。陶瓷本體具有相對之上表面與下表面、以及連接上表面與下表面之側表面。電路層設於陶瓷本體之上表面。第一電極墊與第二電極墊彼此分開地設於陶瓷本體之下表面，且均延伸至陶瓷本體之側表面。電性連接構件自電路層延伸至第一電極墊與第二電極墊。金屬散熱結構自陶瓷本體之上表面經由側表面延伸至下表面，其中金屬散熱結構與電路層、第一電極墊、及第二電極墊分開。提供發光二極體晶片於電路層上，其中提供發光二極體晶片包含電性連接發光二極體晶片與電路層。

依據本揭露之一實施例，上述提供發光二極體晶片包含以無焊料焊接方式接合發光二極體晶片之二電極與電路層。

依據本揭露之一實施例，上述提供發光二極體晶片更包含設置光學膜片於發光二極體晶片上。

依據本揭露之一實施例，設置光學膜片後，上述方法更包含形成反射層包圍住發光二極體晶片之側表面。

依據本揭露之一實施例，設置光學膜片係於發光二極體晶片與電路層接合前進行。

依據本揭露之一實施例，於發光二極體晶片與電路層接合前，提供發光二極體晶片更包含形成反射層包圍住發光二極體晶片之側表面。

依據本揭露之一實施例，於提供發光二極體晶片後，上述方法更包含形成另一反射層覆蓋光學膜片之側表面、反射層、與電路層。

依據本揭露之一實施例，提供陶瓷基板包含形成金屬散熱結構。形成金屬散熱結構包含形成第一金屬散熱墊於陶瓷本體之上表面、形成第二金屬散熱墊於陶瓷本體之下表面、以及形成至少一金屬導熱構件自第一金屬散熱墊經由陶瓷本體之側表面延伸至第二金屬散熱墊。

根據本揭露之上述目的，更提出一種發光二極體之製造方法。在此方法中，提供陶瓷本體，其中陶瓷本體包含數個區塊，且每個區塊具有相對之上表面與下表面。於每個區塊之上表面形成電路層。於每個區塊之下表面形成第一電極墊與第二電極墊，其中第一電極墊與第二電極墊彼此分開。於每個區塊中形成數個電性連接構件連接電路層與第一電極墊和第二電極墊。形成數個金屬散熱結構對應位於這些區塊。每個金屬散熱結構自對應之區塊之上表面經由區塊之側邊穿過陶瓷本體而延伸至下表面，且金屬散熱結構與對應之區塊之電路層、第一電極墊、及第二電極墊分開。於每個電路層上提供發光二極體晶片，其中這些發光二極體晶片分別與電路層電性連接。進行分割操作，以分開這些區塊。進行分割操作包含在每個區塊之側表面暴露出金屬散熱結構與電性連接構件。

依據本揭露之一實施例，上述提供發光二極體晶片更包含設置數個光學膜片分別位於這些發光二極體晶片上。

依據本揭露之一實施例，設置光學膜片後，上述方法更包含形成反射層覆蓋這些發光二極體晶片之側表面與電路層。

依據本揭露之一實施例，設置光學膜片係於發光二極體晶片分別與電路層接合前進行，且於發光二極體晶片與電路層接合前，提供這些發光二極體晶片更包含形成數個反射層分別包圍住這些發光二極體晶片之側表面。

依據本揭露之一實施例，於提供發光二極體晶片後，上述方法更包含形成另一反射層覆蓋光學膜片之側表面、反射層、與電路層。

依據本揭露之一實施例，形成每個金屬散熱結構包含形成第一金屬散熱墊於區塊之上表面、形成第二金屬散熱墊於區塊之下表面、以及形成至少一金屬導熱構件自第一金屬散熱墊經由區塊之側表面延伸至第二金屬散熱墊。

圖1A至圖7B係繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體的製造流程示意圖。圖7C與圖7D係分別繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體的前視立體示意圖與後視立體示意圖。

此實施方式可同時製作多個發光二極體，然這些發光二極體亦可單獨製作。請參照圖1A與圖1B，其中圖1B為沿著圖1A之A-A’剖面線的剖面放大示意圖。製作發光二極體時，可先提供陶瓷本體100。陶瓷本體100的材料可例如為氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al ₂O ₃)。陶瓷本體100具高散熱特性，可提升發光二極體的散熱效能。陶瓷本體100包含數個區塊110。這些區塊110彼此相鄰，且可以一陣列方式安排。每個區塊110可用以製作一陶瓷基板102。在一些例子中，這些區塊110呈矩形。每個區塊110具有相對之上表面110U與下表面110L。

每個陶瓷基板102可包含陶瓷本體100之區塊110、電路層120、第一電極墊130、第二電極墊140、數個電性連接構件150與152、及金屬散熱結構160。在一些例子中，如圖1A所示，電路層120位於區塊110的上表面110U，且包含二線路圖案層122與124。線路圖案層122與124彼此分開。電路層120之材料可為金屬，例如銀或金。第一電極墊130與第二電極墊140位於區塊110的下表面110L，且彼此分開。第一電極墊130與第二電極墊140之材料為金屬。

電性連接構件150與152穿設於陶瓷本體100中，且彼此分開。電性連接構件150自電路層120之線路圖案層122經由區塊110的側邊110E穿過陶瓷主體100而至第一電極墊130，以連接線路圖案層122與第一電極墊130。電性連接構件152自電路層120之線路圖案層124經由區塊110的側邊110E穿過陶瓷主體100而至第二電極墊140，以連接線路圖案層124與第二電極墊140。

在本實施方式中，每個金屬散熱結構160自所在區塊110之上表面110U經由此區塊110的側邊110E穿過陶瓷本體100而延伸至下表面110L。在一些例子中，金屬散熱結構160包含第一金屬散熱墊162、第二金屬散熱墊164、及一或多個金屬導熱構件166。第一金屬散熱墊162位於所在區塊110的上表面110U，第二金屬散熱墊164位於此區塊110的下表面110L，金屬導熱構件166從第一金屬散熱墊162經由區塊110的側邊110E穿過陶瓷本體100而延伸至第二金屬散熱墊164。

第一金屬散熱墊162與同區塊110之電路層120分開，第二金屬散熱墊164與同區塊110之第一電極墊130及第二電極墊140分開。金屬導熱構件166、電性連接構件150與152彼此分開。因此，金屬散熱結構160與所在區塊110之電路層120、第一電極墊130、及第二電極墊140分開，可達熱電分離的效果。

製作這些陶瓷基板102時，可先在陶瓷本體100中製作電性連接構件150與152及金屬導熱構件166，再製作電路層120及第一電極墊130與第二電極墊140。此外，電性連接構件150與152及金屬導熱構件166可一起製作。電路層120之線路圖案層122與124、以及金屬散熱結構160之第一金屬散熱墊162可一起製作。第一電極墊130、第二電極墊140、與第二金屬散熱墊164可一起製作。

製作電性連接構件150與152及金屬導熱構件166時，可先利用例如雷射在陶瓷本體100的各區塊110的側邊110E鑽出貫穿孔150H、152H、與166H。貫穿孔150H、152H、與166H可例如為圓柱孔，但貫穿孔150H、152H、與166H也可為非圓柱孔。再利用電鍍或化學鍍膜技術於貫穿孔150H、152H、與166H中填入金屬，例如銅，而分別於貫穿孔150H、152H、與166H中形成電性連接構件150與152及金屬導熱構件166。

接著，於每個區塊110的上表面110U上形成電路層120與第一金屬散熱墊162。並且，於每個區塊110的下表面110L形成第一電極墊130與第二電極墊140、及第二金屬散熱墊164。

圖1B的例子係以二金屬導熱構件166為例，但本揭露不限於此。請先參照圖8A，此例子之金屬散熱結構160a包含較大體積之單一金屬導熱構件166a，可提供較佳的熱傳導效率。

請參照圖2A與圖2B，圖2B為沿著圖2A之B-B’剖面線的剖面放大示意圖。接著，可提供數個發光二極體晶片170，並將這些發光二極體晶片170分別設置在各區塊110的電路層120上。每個發光二極體晶片170包含彼此分開之第一電極172與第二電極174。將發光二極體晶片170設置在電路層120上時，可先將發光二極體晶片170翻轉而使第一電極172與第二電極174面朝電路層120。再將第一電極172與第二電極174分別固定在電路層120的線路圖案層122與124上。藉此，發光二極體晶片170可透過第一電極172與第二電極174而和電路層120電性連接。

在一些例子中，第一電極172與第二電極174之材料可為金錫合金(AuSn)。將發光二極體晶片170固定於電路層120上時，可在將第一電極172與第二電極174分別放置在線路圖案層122與124後，讓陶瓷本體100連同發光二極體晶片170一起通過焊爐，以使第一電極172及第二電極174分別與線路圖案層122及124共晶接合。藉此，第一電極172及第二電極174可以無焊料焊接方式接合線路圖案層122及124。

將發光二極體晶片170固定在電路層120上時，可選擇性地將多個齊納二極體180分別設置在各區塊110之電路層120上。齊納二極體180與發光二極體晶片170以反向並聯方式連接。齊納二極體180可防突波與高電流，可在高功率發光二極體產品中保護發光二極體晶片170。

可根據產品需求，選擇性地設置如圖5A所示之光學膜片202。請參照圖3A與圖3B，圖3B為沿著圖3A之B-B’剖面線的剖面放大示意圖。在一些例子中，設置光學膜片200時，可先在每個發光二極體晶片170相對於第一電極172與第二電極174的表面170S上點上接著材料190。接著材料190為透明接著物質。舉例而言，接著材料190可為矽膠，其中矽膠的折射率可為約1.4至約1.6。

請參照圖4A與圖4B，圖4B為沿著圖4A之B-B’剖面線的剖面放大示意圖。接著，提供光學膜片200。光學膜片200的性質可根據產品需求來選擇。在一些例子中，光學膜片200可為透明膠片與螢光膠片等有機光學膠片，或為螢光陶瓷片等無機光學片。透明膠片之材料為有機膠材。透明膠片中亦可摻混有散射劑，例如二氧化鈦(TiO ₂)。螢光膠片為有機膠材與螢光粉的混合。螢光膠片之螢光粉可均勻分布在有機膠材中。螢光膠片亦可有螢光粉濃度差異分布。舉例而言，螢光粉摻混在有機膠材中後，經靜置沉澱，而使得螢光膠片具有分層螢光粉，即下層204具有較高濃度螢光粉而上層206具有較低濃度或幾乎無螢光粉。或者，螢光膠片中的螢光粉呈濃度梯度分布，由上而下濃度漸增。

陶瓷螢光片為陶瓷材料與螢光粉混合後經燒結而成之無機螢光片。在採用陶瓷螢光片的例子中，可直接利用例如雷射來熔接陶磁螢光片與發光二極體晶片170，而無需接著材料190。在一些例子中，可採用無機的接著材料190來接合陶磁螢光片與發光二極體晶片170。由於無機材料較耐熱，因此陶瓷螢光片有利於發光二極體產品於高溫時的可靠度。

在圖4A的例子中，將一整片光學膜片200覆蓋在陶瓷本體100之所有發光二極體晶片170的表面170S上。在光學膜片200為螢光粉具有濃度差異分布之螢光膠片的例子中，高濃度螢光粉的下層204比低濃度螢光粉的上層206接近發光二極體晶片170。光學膜片200壓在接著材料190上時，接著材料190可能溢出發光二極體晶片170的表面170S，而流到發光二極體晶片170的側表面170E。接著，進行烘烤處理，以凝固接著材料190。接著材料190凝固後會收縮，而在發光二極體晶片170的側表面170E與光學膜片200之間形成凹弧斜面190C，如圖4B所示。

請參照圖5A與圖5B，圖5B為沿著圖5A之B-B’剖面線的剖面放大示意圖。光學膜片200固定在發光二極體晶片170上後，可利用例如劃片機(dicing saw)切割光學膜片200，以去除多餘之光學膜片200，而在各區塊110中留下所需的光學膜片202。在各區塊110中，光學膜片202的尺寸涵蓋整個發光二極體晶片170的表面170S。

請參照圖6A與圖6B，圖6B為沿著圖6A之B-B’剖面線的剖面放大示意圖。可根據產品需求，選擇性地形成反射層210覆蓋光學膜片202的側表面202S、發光二極體晶片170的側表面170E及其上的接著材料190的凹弧斜面190C、發光二極體晶片170的第一電極172與第二電極174、電路層120、與齊納二極體180。在一些例子中，反射層210可為白膠。舉例而言，白膠可由矽膠混摻二氧化鈦、二氧化矽(SiO ₂)、或硫酸鋇(BaSO ₄)等具有高反射性的微小顆粒。膠狀之反射層210凝固後，反射層210之上表面210U會略為向下凹陷，如圖6B所示。

由於反射層210覆蓋接著材料190的凹弧斜面190C，因此反射層210與凹弧斜面190C接合處形成凸弧斜面210C。反射層210的凸弧斜面210C可將發光二極體晶片170所發出之側向光反射至光學膜片202，而可提升光取出效率。

請參照圖7A與圖7B，圖7B為沿著圖7A之A-A’剖面線的剖面放大示意圖。接著，可進行分割操作，以將這些區塊110分開，而形成多個發光二極體220。在一些例子中，可沿著每個區塊110的側邊110E切開二列區塊110，以使每個區塊110具有暴露出金屬散熱結構160之金屬導熱構件166以及電性連接構件150與152的側表面110S。因此，金屬導熱構件166自第一金屬散熱墊162經由區塊110的側表面110S而延伸至第二金屬散熱墊164。

請參照圖7C與圖7D，在一些示範例子中，每個發光二極體220的電路層120、第一電極墊130、與第二電極墊140延伸至區塊110的側表面110S。如此，發光二極體220可以區塊110之下表面110L的第一電極墊130和第二電極墊140來與印刷電路板連接，亦可以延伸到區塊110之側表面110S的第一電極墊130、第二電極墊140、和電性連接構件150與152來與印刷電路板連接。因此，發光二極體220具有頂發光與側發光雙向轉換性，應用性多元。

上述實施例係以發光二極體220包含齊納二極體180為例，但本揭露不限於此。請參照圖8B，根據產品需求，此例子之發光二極體220a並未包含齊納二極體。

本揭露於各區塊之電路層上可直接設置晶片級封裝(chip scale package，CSP)的發光二極體結構。請參照圖9，其係繪示依照本發明之另一實施方式的一種晶片級封裝的發光二極體結構的剖面示意圖。此實施方式係直接設置晶片級封裝之發光二極體結構300來取代上述實施方式之圖2B步驟中所設置的發光二極體晶片170。發光二極體結構300包含發光二極體晶片170、光學膜片202、以及接合在發光二極體晶片170之表面170S與光學膜片202之間的接著材料190。發光二極體結構300設置後，即已相當於上述實施方式進行到圖5B的步驟。後續的步驟類似或相同於上述實施方式，於此不再贅述。

在一些例子中，製作發光二極體結構300時，可先提供如上述圖4A所示之一大片的光學膜片200。當光學膜片200為螢光粉具有濃度差異分布之螢光膠片的例子中，將光學膜片200之具較高濃度螢光粉的下層204朝上。接著，根據發光二極體晶片170在光學膜片200上的安排規畫，可在光學膜片200之表面上設置多個接著材料190。再將多個發光二極體晶片170分別放置在接著材料190上，以利用接著材料190將這些發光二極體晶片170接合在光學膜片200上。經烘乾後，可分割光學膜片200，而將這些發光二極體晶片170分開，形成多個發光二極體結構300。隨後，可將這些發光二極體結構300分別設置在各區塊110之電路層120上。因此，設置光學膜片202係於發光二極體晶片170與電路層150接合前進行。

在此實施方式中，相鄰二發光二極體晶片170之間在光學膜片200上的位置不再像圖4B般受限於區塊110的尺寸，因此可縮短相鄰二發光二極體晶片170在光學膜片200上之間的距離。藉此，可更經濟地利用光學膜片200，避免浪費光學膜片200，而可降低製作成本。

本揭露之晶片級封裝的發光二極體結構可有不同型態。請參照圖10A，此實施方式之發光二極體結構300a與上述之發光二極體結構300大致相同，二者之間的差異在於發光二極體結構300a更包含反射層310。

發光二極體結構300a在製作上亦與發光二極體結構300的製作大致相同。發光二極體結構300a與300在製作上的差異在於製作發光二極體結構300a時，於發光二極體晶片170接合在光學膜片200後，先形成反射層310包圍住發光二極體晶片170的側表面170E及其上之接著材料190的凹弧斜面190C，再進行光學膜片200的分割程序。因此，反射層310係在發光二極體晶片170與電路層120接合前形成。反射層310之材料與性質與上述之反射層210類似或相同，於此不再贅述。反射層310之上表面310U略為向下凹陷。

請參照圖10B，完成發光二極體結構300a後，翻轉發光二極體結構300a，再將第一電極172與第二電極174分別固定在電路層120的線路圖案層122與124上。第一電極172及第二電極174與電路層120的接合方式已於上述實施方式中說明，於此不再贅述。在接合過程中，由於反射層310之上表面310U向下凹陷，藉此可避免反射層310對接合的影響，而可提升第一電極172及第二電極174與電路層120之接合的可靠度。

接著，請參照圖10C，可選擇性地形成另一反射層320覆蓋所有光學膜片202的側表面202S、反射層310、發光二極體晶片170的第一電極172與第二電極174、電路層120、與齊納二極體180。反射層320之材料可與反射層310相同或不同。反射層320之材料與性質與上述之反射層210類似或相同，於此不再贅述。凝固後，反射層320之上表面320U略為向下凹陷。隨後，可進行分割操作，以將這些區塊110分開，而形成多個發光二極體220b。

在另一些例子中，可噴上透明膠來保護發光二極體晶片170的第一電極172與第二電極174、電路層120、與齊納二極體180，來取代反射層320。

由上述之實施方式可知，本揭露採用高散熱特性之陶瓷材料來作為發光二極體晶片的封裝基板，因此可提升發光二極體之散熱效能。此外，發光二極體的金屬散熱結構從陶瓷基板的上表面經由側表面而延伸至下表面，導熱效果佳，因此可大幅提升發光二極體的散熱效果，而可適用於大功率發光二極體晶片。而且，發光二極體之二電極墊從陶瓷基板之下表面延伸至側表面，且連接電路板與電極墊的導電構件可設於陶瓷基板的側表面，因此發光二極體可以下表面或側表面來與電路板接合，藉此發光二極體具有頂發光與側發光雙向轉換性，具有廣泛的應用性。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:陶瓷本體 102:陶瓷基板 110:區塊 110E:側邊 110L:下表面 110S:側表面 110U:上表面 120:電路層 122:線路圖案層 124:線路圖案層 130:第一電極墊 140:第二電極墊 150:電性連接構件 150H:貫穿孔 152:電性連接構件 152H:貫穿孔 160:金屬散熱結構 162:第一金屬散熱墊 164:第二金屬散熱墊 166:金屬導熱構件 166a:金屬導熱構件 166H:貫穿孔 170:發光二極體晶片 170E:側表面 170S:表面 172:第一電極 174:第二電極 180:齊納二極體 190:接著材料 190C:凹弧斜面 200:光學膜片 202:光學膜片 202S:側表面 204:下層 206:上層 210:反射層 210C:凸弧斜面 210U:上表面 220:發光二極體 220a:發光二極體 220b:發光二極體 300:發光二極體結構 300a:發光二極體結構 310:反射層 310U:上表面 320:反射層 320U:上表面

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： ［圖1A］至［圖7B］係繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體的製造流程示意圖，其中圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、與圖7A為上視示意圖，圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、與圖7B為剖面示意圖； ［圖7C］至［圖7D］係分別繪示依照本發明之一實施方式的一種發光二極體的前視立體示意圖與後視立體示意圖； ［圖8A］係繪示依照本發明之一實施方式的另一種金屬散熱結構的示意圖； ［圖8B］係繪示依照本發明之一實施方式的另一種發光二極體的剖面示意圖； ［圖9］係繪示依照本發明之另一實施方式的一種晶片級封裝的發光二極體結構的剖面示意圖；以及 ［圖10A］至［圖10C］係繪示依照本發明之又一實施方式的一種發光二極體的部分製造流程示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:陶瓷本體

102:陶瓷基板

110:區塊

110L:下表面

110U:上表面

122:線路圖案層

124:線路圖案層

130:第一電極墊

140:第二電極墊

164:第二金屬散熱墊

170:發光二極體晶片

170E:側表面

170S:表面

172:第一電極

174:第二電極

180:齊納二極體

190:接著材料

190C:凹弧斜面

202:光學膜片

202S:側表面

204:下層

206:上層

210:反射層

210C:凸弧斜面

210U:上表面

Claims (20)

1. 一種發光二極體，包含： 一陶瓷基板，包含： 一陶瓷本體，具有相對之一上表面與一下表面、以及連接該上表面與該下表面之一側表面； 一電路層，設於該陶瓷本體之該上表面； 一第一電極墊與一第二電極墊，彼此分開地設於該陶瓷本體之該下表面，且均延伸至該陶瓷本體之該側表面； 複數個電性連接構件，自該電路層延伸至該第一電極墊與該第二電極墊；以及 一金屬散熱結構，自該陶瓷本體之該上表面經由該側表面延伸至該下表面，其中該金屬散熱結構與該電路層、該第一電極墊、及該第二電極墊分開；以及 一發光二極體晶片，設於該電路層上，且與該電路層電性連接。
2. 如請求項1所述之發光二極體，其中該金屬散熱結構包含： 一第一金屬散熱墊，設於該陶瓷本體之該上表面； 一第二金屬散熱墊，設於該陶瓷本體之該下表面；以及 至少一金屬導熱構件，自該第一金屬散熱墊經由該陶瓷本體之該側表面延伸至該第二金屬散熱墊。
3. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一齊納二極體，設於該電路層上，且與該電路層電性連接。
4. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一光學膜片，覆蓋在該發光二極體晶片上。
5. 如請求項4所述之發光二極體，其中該光學膜片為一透明膠片、一螢光膠片、或一螢光陶瓷片。
6. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一反射層，包圍住該發光二極體晶片之一側表面。
7. 一種發光二極體之製造方法，包含： 提供一陶瓷基板，其中該陶瓷基板包含： 一陶瓷本體，具有相對之一上表面與一下表面、以及連接該上表面與該下表面之一側表面； 一電路層，設於該陶瓷本體之該上表面； 一第一電極墊與一第二電極墊，彼此分開地設於該陶瓷本體之該下表面，且均延伸至該陶瓷本體之該側表面； 複數個電性連接構件，自該電路層延伸至該第一電極墊與該第二電極墊；以及 一金屬散熱結構，自該陶瓷本體之該上表面經由該側表面延伸至該下表面，其中該金屬散熱結構與該電路層、該第一電極墊、及該第二電極墊分開；以及 提供一發光二極體晶片於該電路層上，其中提供該發光二極體晶片包含電性連接該發光二極體晶片與該電路層。
8. 如請求項7所述之方法，其中提供該發光二極體晶片包含以一無焊料焊接方式接合該發光二極體晶片之二電極與該電路層。
9. 如請求項7所述之方法，其中提供該發光二極體晶片更包含設置一光學膜片於該發光二極體晶片上。
10. 如請求項9所述之方法，其中設置該光學膜片後，該方法更包含形成一反射層包圍住該發光二極體晶片之一側表面。
11. 如請求項9所述之方法，其中設置該光學膜片係於該發光二極體晶片與該電路層接合前進行。
12. 如請求項11所述之方法，其中於該發光二極體晶片與該電路層接合前，提供該發光二極體晶片更包含形成一反射層包圍住該發光二極體晶片之一側表面。
13. 如請求項12所述之方法，其中於提供該發光二極體晶片後，該方法更包含形成另一反射層覆蓋該光學膜片之一側表面、該反射層、與該電路層。
14. 如請求項7所述之方法，其中提供該陶瓷基板包含形成該金屬散熱結構，形成該金屬散熱結構包含： 形成一第一金屬散熱墊於該陶瓷本體之該上表面； 形成一第二金屬散熱墊於該陶瓷本體之該下表面；以及 形成至少一金屬導熱構件自該第一金屬散熱墊經由該陶瓷本體之該側表面延伸至該第二金屬散熱墊。
15. 一種發光二極體之製造方法，包含： 提供一陶瓷本體，其中該陶瓷本體包含複數個區塊，且每一該些區塊具有相對之一上表面與一下表面； 於每一該些區塊之該上表面形成一電路層； 於每一該些區塊之該下表面形成一第一電極墊與一第二電極墊，其中該第一電極墊與該第二電極墊彼此分開； 於每一該些區塊中形成複數個電性連接構件連接該電路層與該第一電極墊和該第二電極墊； 形成複數個金屬散熱結構對應位於該些區塊，其中每一該些金屬散熱結構自對應之該區塊之該上表面經由該區塊之一側邊穿過該陶瓷本體而延伸至該下表面，且該金屬散熱結構與對應之該區塊之該電路層、該第一電極墊、及該第二電極墊分開；以及 於每一該些電路層上提供一發光二極體晶片，其中該些發光二極體晶片分別與該些電路層電性連接；以及 進行一分割操作，以分開該些區塊，其中進行該分割操作包含在每一該些區塊之一側表面暴露出該金屬散熱結構與該些電性連接構件。
16. 如請求項15所述之方法，其中提供該些發光二極體晶片更包含設置複數個光學膜片分別位於該些發光二極體晶片上。
17. 如請求項16所述之方法，其中設置該光學膜片後，該方法更包含形成一反射層覆蓋該些發光二極體晶片之複數個側表面與該些電路層。
18. 如請求項16所述之方法，其中設置該些光學膜片係於該些發光二極體晶片分別與該些電路層接合前進行，且於該些發光二極體晶片與該些電路層接合前，提供該些發光二極體晶片更包含形成複數個反射層分別包圍住該些發光二極體晶片之複數個側表面。
19. 如請求項18所述之方法，其中於提供該些發光二極體晶片後，該方法更包含形成另一反射層覆蓋該些光學膜片之複數個側表面、該些反射層、與該些電路層。
20. 如請求項15所述之方法，其中形成每一該些金屬散熱結構包含： 形成一第一金屬散熱墊於該區塊之該上表面； 形成一第二金屬散熱墊於該區塊之該下表面；以及 形成至少一金屬導熱構件自該第一金屬散熱墊經由該區塊之該側表面延伸至該第二金屬散熱墊。

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