TW202322419A - 垂直式發光二極體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種垂直式發光二極體的製造方法，步驟包括：提供形成有磊晶層的生長基板；於磊晶層上接合依序堆疊的第一、第二、第一金屬層的金屬組合基板，其一第一金屬層接合於磊晶層，另一第一金屬層遠離磊晶層；剝離生長基板以獲得磊晶結構；於磊晶結構上形成接觸金屬層；最後，蝕刻並去除第二金屬層與遠離磊晶層的第一金屬層，藉此保留接合磊晶層的第一金屬層。通過上述製造方法製得的垂直式發光二極體具有較為輕薄的厚度、較強的機械強度、顯著的光強度以及較佳的散熱效果。

Description

垂直式發光二極體及其製造方法
本發明涉及一種發光二極體的製造方法，特別是一種垂直式發光二極體的製造方法。
隨著顯示面板薄型化的需求日益升高，仰賴背光層、液晶層與偏振片的液晶顯示器（LCD）已無法滿足這樣的需求。雖然自體發光的有機發光二極體（OLED）能被製成較為輕薄且可彎折的顯示面板，然而OLED屬於有機物並且因電子頻繁地遷移於其中的發光層，導致OLED的使用壽命短於LCD。因此，面板廠商正致力於研發具備LCD與OLED優點卻無缺點的微型發光二極體（Micro LED）。而在Micro LED的製程中，需要經過切割製程以獲得多顆磊晶晶粒；接著，還需要利用靜電轉移、微轉印（Micro Transfer）、流體組裝或磁性轉移等技術，將紅光、藍光與綠光發光二極體自中間基板拾取並且釋放至目的基板，此過程稱為巨量轉移（Mass Transfer）。
以垂直式發光二極體為例，傳統的結構主要包括：矽基板、接合在矽基板上的磊晶層、以及形成在磊晶層上的電極單元，其中，矽基板的厚度可能高達100µm，這將不利於實現顯示面板的輕薄化。然而若捨去矽基板，直接將銅基板接合於磊晶層，那麼銅基板與磊晶層之間將會因為熱膨脹係數不匹配而發生熱應力。熱應力可能會使磊晶層因高收縮應力（壓力）產生凸出物，或使磊晶層因伸張式應力（張力）而發生破裂與脫落。為避免發生前述缺陷，現有的製程可以採用電鍍製程以將銅金屬沉積於累積層上。舉例來說，在台灣專利公告號I562404公開一種形成發光二極體結構的方法，其中記載「傳導晶種層(亦即，Ni層524)允許厚的銅電鍍或無電沈積以形成銅層525。該無電沈積或電鍍銅層528之厚度可高於或等於約150微米。該厚度經選擇以使得該LED結構在用於層轉移製程的基板移除期間不遭受顯著的彎曲或破裂…」。然而通過這樣的製程，電鍍在磊晶層上的銅金屬的厚度大於150µm，這不僅不利於顯示面板的輕薄化，也大幅度降低發光二極體的發光效果。
本發明的目的在於提供一種垂直式發光二極體，其僅具有單一金屬層，該金屬層具有低厚度、高熱導率與低熱容量，從而有效地散熱並維持良好的發光效果。
為滿足上述目的，本發明提供一種垂直式發光二極體的製造方法，步驟包括：提供一生長基板，該生長基板上形成有一磊晶層；於磊晶層上接合一金屬組合基板，該金屬組合基板包括二第一金屬層與堆疊於該些第一金屬層之間的第二金屬層，一第一金屬層接合於磊晶層，另一第一金屬層遠離磊晶層；去除該生長基板，以獲得至少一磊晶結構；於至少一磊晶結構上形成一接觸金屬層；以及，蝕刻並去除金屬組合基板中的第二金屬層與遠離磊晶層的第一金屬層，藉此保留接合磊晶層的第一金屬層。
在一些實施例中，於至少一磊晶結構上形成接觸金屬層的步驟前，對磊晶層進行蝕刻製程以定義出多個該磊晶結構，並且根據磊晶結構之間的間隔，切斷該些第一金屬層與第二金屬層。
在一些實施例中，在接合金屬組合基板的步驟前，該些第一金屬層的熱膨脹係數皆選用大於第二金屬層的熱膨脹係數的材料，並且該些第一金屬層的厚度皆小於第二金屬層的厚度。
在一些實施例中，接合於磊晶層的第一金屬層、第二金屬層、以及遠離磊晶層的第一金屬層是按照1：2.5～3.5：1的厚度比例形成。
在一些實施例中，該些第一金屬層是選用銅來形成，第二金屬層是選用銦瓦合金來形成。
在一些實施例中，在蝕刻並去除金屬組合基板的步驟前，還提供一保護層，保護層包覆金屬組合基板中接合於磊晶層的第一金屬層。
在一些實施例中，於至少一磊晶結構上形成接觸金屬層的步驟後，在至少一磊晶結構上形成一鈍化層，鈍化層暴露接觸金屬層。
在一些實施例中，在蝕刻並去除金屬組合基板的第二金屬層與遠離磊晶層的第一金屬層的步驟中，選用氨水（NH 4OH）及雙氧水（H 2O 2）的混合溶液作為蝕刻液。
本發明還提供一種垂直式發光二極體，其通過前述製造方法而得，垂直式發光二極體包括：第一金屬層；磊晶結構，設置於第一金屬層上；以及，接觸金屬層，設置於磊晶結構上。
在一些實施例中，第一金屬層的材質為銅金屬層，且第一金屬層的厚度介於10至20µm。
本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語， 故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。
於下文中關於“一個實施例”或“一實施例”之描述係指關於至少一實施例內所相關連之一特定元件、結構或特徵。因此，於下文中多處所出現之“一個實施例”或 “一實施例”之多個描述並非針對同一實施例。再者，於一或多個實施例中之特定構件、結構與特徵可依照一適當方式而結合。
除非特別說明，一些條件句或字詞，例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也許(might)」，或「可(may)」，通常是試圖表達本案實施例具有，但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件，或步驟。在其他實施例中，這些特徵、元件，或步驟可能是不需要的。
本發明提供一種垂直式發光二極體（Vertical Light Emitting Diode）的製造方法，前述垂直式發光二極體的一側是單一金屬層，相對的另一側是接觸金屬層500。請參照第一圖，第一圖繪示根據本發明中一實施例的製造方法流程圖。首先說明步驟S100，提供一生長基板200。生長基板已預先經過磊晶生長製程，因此生長基板的上方形成有磊晶層300（如第二圖所示）。前述磊晶生長可採用化學氣相沉積法（CVD）、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、氣相磊晶法（VPE）、液相磊晶法（LPE）或分子束磊晶法（MBE）而得。作為發光層的磊晶層300具體可為依序堆疊的緩衝層、第一半導體層、主動層、第二半導體層。緩衝層生長於生長基板上，使得緩衝層上方的第一半導體層具有較少的缺陷密度。主動層為提高電子電洞對復合效率的多重量子井（MQW）。第一半導體層與第二半導體層可分別為n型半導體層與p型半導體層，其具有大於主動層的能隙以將載子集中多重量子井中。後續的製程將以紅光二極體為範例進行說明，因此生長基板可以採用砷化鎵（GaAs）或磷化鎵（GaP）基板，而磊晶層300可以採用砷化鋁鎵（AlGaAs）、磷砷化鎵（GaAsP）、磷化鋁銦鎵（AlGaInP）、或磷化鎵等三五族化合物半導體，以提高晶格匹配率、降低晶格錯位的發生。然而本發明不應以此為限制，本發明的製造方法可適用於藍光或綠光二極體的製程。因此生長基板可以採用藍寶石（Sapphire，即Al 2O 3）、碳化矽（SiC）或氮化鎵（GaN）基板，磊晶層300可以採用氮化鎵、氮化銦鎵（InGaN）、或氮化鋁鎵（AlGaN）等三五族化合物半導體。此外，本發明的製造方法還可適用於紅外光二極體或垂直共振腔面射雷射（VCSEL）等光電元件的製程，因此磊晶層300可包含上下兩層的布拉格反射鏡（DBR）與發光活性層。
接下來說明步驟S110，接合一金屬組合基板400至磊晶層300上（如第三圖所示）。金屬組合基板400是利用MOCVD、雷射切割、真空加熱及研磨拋光的製程所形成，並且依序堆疊有第一金屬層410、第二金屬層420與另一第一金屬層430。第一金屬層410接合於磊晶層300，另一第一金屬層430遠離磊晶層300，第二金屬層420堆疊於第一金屬層410與另一第一金屬層430之間，並且第一金屬層410與第一金屬層430的熱膨脹係數皆大於第二金屬層420的熱膨脹係數。本實施例中的研磨拋光可採用半導體製程的化學機械研磨（CMP）或銅金屬拋光方法，無論使用何種研磨拋光方法，皆可將第一金屬層410的表面拋光為0.5~0.01μm的表面粗糙度，從而可作為接觸磊晶層300的接合面。本實施例中的雷射切割採用UV-雷射（266nm）規格，真空加熱溫度範圍設置為150～250度，壓力可控制在100～250托（Torr）的範圍，加熱時間為10～30分鐘，從而消除金屬組合基板400的應力。為了有效地控制金屬組合基板400的熱膨脹係數，在一些實施例中，第一金屬層410與第一金屬層430是選用相同的金屬材料並形成為具有相同的厚度；而第二金屬層420則選用另一金屬材料並形成為具有大於第一金屬層410的厚度。第一金屬層410, 430與第二金屬層420的形成方式例如可透過沉積或化學機械研磨（CMP，Chemical Mechanical Polishing）等方式。為了將金屬組合基板400的熱膨脹係數調整至與磊晶層300的熱膨脹係數相當，在一些實施例中，第一金屬層410、第二金屬層420、第一金屬層430是按照1：2.5～3.5：1的厚度比例進行沉積。第一金屬層410與第一金屬層430的厚度可為10～20µm；相應地，第二金屬層420的厚度為20～60µm。在一些實施例中，第一金屬層410與第一金屬層430之材質是選用銅，第二金屬層420之材質是選用銦瓦合金（Invar），藉此形成銅-銦瓦合金-銅（CIC）的磁性基板。前述磁性基板可應用於垂直式發光二極體，並且具有低熱膨脹係數（6.1 x 10 -6K）與高熱導係數（180W/mK）等的技術優勢。
接下來說明步驟S120，利用剝離法（Lift-Off）、雷射切割、化學機械研磨或濕式蝕刻等半導體製程除去生長基板，以保留金屬組合基板400與磊晶層300（如第四圖所示）。接著，翻轉疊層結構，使磊晶層300與金屬組合基板400的相對位置上下對調：即磊晶層300在上，金屬組合基板400在下（如第四圖所示）。剝離法可為雷射剝離（Laser Lift-Off, LLO）或光阻剝離（Photoresist Lift-Off, PLO），但不應以此為限。採用雷射剝離製程者，其具體可包含以下步驟：在生長基板的上方形成有磊晶層300前，預先塗佈透光的犧牲層（圖未示），犧牲層應包含苯環丁烯（Benzocyclobutene）等可被雷射解離的有機材料；接著，在本步驟中利用雷射光照射犧牲層以使犧牲層分解，藉此，磊晶層300自生長基板剝離。在選用濕式蝕刻移除生長基板時，應避免磊晶層300被一併蝕刻。為此，需要根據生長基板的半導體材料，採用對其具有高選擇性蝕刻比的化學溶液，例如：氨水（NH 4OH）及雙氧水（H 2O 2）的混合溶液，其有助於蝕刻以除去砷化鎵基板。
在步驟S120結束後，可以理解為獲得了單一個磊晶結構（即磊晶層300）。然而，應注意的是，在實務製程上往往會需要形成有多顆發光二極體，此時則需對磊晶層300進行蝕刻以獲得多個磊晶結構310（如第五圖所示）。各個磊晶結構310均為平台的態樣。每個磊晶結構310之間具有間隔。前述製程又被稱為平台蝕刻（MESA Etching），其具體來說包括以下多個步驟：(1)對磊晶層300實施微影製程以定義出待蝕刻區域（如第五圖中，各個磊晶結構310的左右兩側）。微影製程主要包含光阻塗布、曝光與顯影製程；依高解析度的需求，可選擇性地安排烘烤和冷卻製程。(2) 對待蝕刻區域進行濕式蝕刻，例如使用溴與甲醇的混合液進行蝕刻。
接下來說明步驟S130，通過微影製程與蝕刻製程在磊晶結構上形成一接觸金屬層以作為垂直式發光二極體的電極單元。承前所述，當磊晶結構310的數量為多個時，則在各個磊晶結構310上分別對應形成有一接觸金屬層500（如第六圖所示）。較佳的，接觸金屬層500可以採用金屬網格、奈米碳管、石墨烯或導電高分子製成。接觸金屬層500也可為氧化銦錫材質製成的透明導電膜層，即ITO（Indium Tin Oxide），藉此提升磊晶層的發光面積。另一方面，本發明的製程順序不應以前述說明為限。在一些實施例中，當磊晶結構310的數量為多個時，步驟S130亦可被安排在MESA蝕刻製程之前。具體來說，當生長基板被從磊晶層300剝離後，翻轉疊層結構，使磊晶層300與金屬組合基板400的相對位置上下對調：即磊晶層300在上，金屬組合基板400在下。接著，在磊晶層300上形成接觸金屬層500，進行微影製程以對接觸金屬層500定義至少一個待蝕刻區域，並利用乾式蝕刻或濕式蝕刻以除去前述待蝕刻區域。隨後接續步驟S130，對磊晶層300進行MESA蝕刻製程以定義出多個磊晶結構310。由於本發明提供垂直式發光二極體的製造方法，因此每一個待蝕刻區域分別對應一個磊晶結構310。
在一些實施例中，當磊晶結構310的數量為兩個以上時（如第五圖與第六圖所示），則在接續步驟S130後安排切割製程。具體來說，根據各個磊晶結構310之間的間隔，切斷其中的第一金屬層410、第二金屬層420以及第一金屬層430（如第七圖所示）。切割製程可採用雷射切割或化學蝕刻。為避免切割過程中，因各個磊晶結構310與其下方的金屬組合基板400發生晃動，進而導致切割位置發生偏離，因此在切割製程前可預先將金屬組合基板400黏著紫外線可解黏膠帶上（UV Tape）。UV Tape還可以避免磊晶結構310在切割過程中發生脫落或飛散。待切割製程結束後，僅須利用紫外線照射UV Tape以降低UV Tape的黏著力，便可輕易且清潔地剝除UV Tape。
在一些實施例中，在形成接觸金屬層500後，還可形成鈍化層700（如第六圖所示）。鈍化層700主要覆蓋接觸金屬層500的一部分與接觸金屬層500以外的區域。換句話說，鈍化層700係暴露該接觸金屬層500，使得接觸金屬層500的上表面是裸露的。鈍化層700的材料可以是氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、適用的類似材料、或上述之任意組合。鈍化層700可以藉由化學氣相沉積、電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）、原子層沉積（ALD）、或適用的類似製程形成。
接下來說明步驟S140，蝕刻並去除金屬組合基板400的第二金屬層420與第一金屬層430，藉此保留第一金屬層410（如第八至十圖的變化所示）以獲得垂直式發光二極體。具體來說，先採用對銅具有高選擇性的蝕刻溶液，例如含有檸檬酸及過硫酸銨的混合溶液，藉此除去第一金屬層430（如第九圖所示）。接著，採用對Invar具有高選擇性的蝕刻溶液，例如含有過氧化氫與HNO3的混合溶液，藉此除去第二金屬層420（如第十圖所示）。在一些實施例中，可提供保護層600，藉此接觸金屬層500、磊晶結構310以及第一金屬層410可預先被保護層600所包覆，以避免該接觸金屬層500、磊晶結構310以及第一金屬層410在第一金屬層430與第二金屬層420的蝕刻過程中遭到一併除去（如第八至十圖所示的虛線區域）。保護層600可為液態蠟或抗酸鹼的膠質。形成的保護層600應至少滲透到磊晶層300和與第一金屬層410的側壁。即使一併包覆第二金屬層420及/或第一金屬層430的側壁，步驟S410仍能順利完成，理由如下：蝕刻第一金屬層430時使用的對銅具有高選擇性的蝕刻溶液不會蝕刻第二金屬層420的Invar，因此僅須避免第一金屬層410的側壁被蝕刻；另一方面，蝕刻第二金屬層420時使用的對Invar具有高選擇性的蝕刻溶液，雖然不會蝕刻第一金屬層410的銅，但可能會蝕刻磊晶結構310，因此滲透到磊晶層300的側壁的保護層600便能起到保護作用。
通過上述製造方法所製成的垂直式發光二極體（如第十一圖所示），主要包括接觸金屬層500、磊晶結構310以及第一金屬層410。接觸金屬層500設置在磊晶結構310的上表面，第一金屬層410設置在磊晶結構310的下表面。在一些實施例中，第一金屬層410可以是厚度L介於10至20µm的銅材質。磊晶結構310包含N型半導體層311、發光層313以及P型半導體層315。N型半導體層可為第一磷化鋁鎵銦（AlGaInP）層，例如n-AlGaInP。發光層為多重量子井層。P型半導體層可為第二磷化鋁鎵銦層，例如p-AlGaInP。在一些實施例中，垂直式發光二極體更包括包覆磊晶結構310與部分第一金屬層500的鈍化層700。
對比本發明的製造方法，一種傳統的垂直式發光二極體的製造方法包括以下步驟：提供一上表面成長有磊晶層的藍寶石基板，其中，磊晶層堆疊有N型半導體層、發光層以及P型半導體層，N型半導體層接觸藍寶石基板；接著，將一矽基板接合在前述P型半導體層上；倒置前述結構後，進行雷射剝離製程，其中，當雷射光束照射在N型半導體與藍寶石基板的接面後，N型半導體與藍寶石基板分離；最後，對矽基板上的磊晶層進行MESA蝕刻、形成電極單元以及晶粒切割以形成垂直式發光二極體。從上述可知，傳統的垂直式發光二極體包括以下結構：矽基板、接合在矽基板上的磊晶層以及形成在磊晶層上的電極單元。實務上矽基板的厚度約達100µm。
對比前述傳統的垂直式發光二極體，經由本發明的製造方法所製得的垂直式發光二極體具有輕薄的厚度與較高的熱傳導係數。請參閱第十二圖，第十二圖為傳統的與本發明的垂直式發光二極體的物理性質示意圖。縱軸表示發光二極體的光源自穿透基板而出的光強度，單位是毫坎德拉（mcd）；橫軸表示通過磊晶層300的電流，單位是毫安培（mA）；虛線表示傳統的垂直式發光二極體中的矽基板，其厚度約為100µm、波長Wd約為620nm；實線表示本發明的垂直式發光二極體中以銅作為材質時的第一金屬層410為例，其厚度約為20µm、波長Wd約為620nm。從圖中可以看出，當約為350mA電流分別通過傳統的與本發明結構中的磊晶層300時，從矽基板與從第一金屬層410穿透而出的光強度約分別為15000mcd與18450mcd。對比矽基板，輕薄的第一金屬層410多出23%光強度。當約為1000mA電流分別通過傳統的與本發明結構中的磊晶層300時，從矽基板與從第一金屬層410穿透而出的光強度約分別為27500mcd與34000mcd。另一方面，本範例中採用銅作為材質的第一金屬層410具有380(W/m-K)的熱傳導係數，優於熱傳導係數為190(W/m-K)的矽基板。接下來請一併參照第十三圖與第十四圖，第十三圖為本發明的垂直式發光二極體的物理性質示意圖，第十四圖為傳統的垂直式發光二極體的物理性質示意圖。應注意的，這兩張圖中的箭號分別表示第一金屬層410與矽基板的物理性質，箭號右側的數據則表示經封裝製程的垂直式發光二極體的其他封裝材料的物理性質。經由這兩張圖的箭號，第一金屬層410具有0.053 (K/W)的熱阻與不小於0.0001(Ws/K)的熱容量，優於熱阻為0.526 (K/W)與小於0.0001(Ws/K)的矽基板。
綜合上述，通過本發明的製造方法所獲得的垂直式發光二極體具有以下優勢：較為輕薄的厚度，有助於實現顯示面板的薄型化；較強的機械強度，提升晶粒切割與轉移等製程中的良率；顯著的光強度以及較佳的散熱效果，避免溫度過高引發的元件形變，並有效維持良好的發光效果。值得一提，本發明提供的製造方法可適用於VSCEL、紅外發光二極體（IR LED）等製程。對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，可以在不經由過度實驗的情況下，將本發明提供的製造方法進行轉用。因此，任何經過簡單變更或轉用的實施方式均適用於本發明的專利保護範圍。
S100~S140:步驟； 200:生長基板； 300:磊晶層； 310:磊晶結構； 311:N型半導體層； 313:發光層； 315:P型半導體層； 400:金屬組合基板； 410:第一金屬層； 420:第二金屬層； 430:第一金屬層； 500:接觸金屬層； 600:保護層； 700:鈍化層； L:厚度； W:寬度。
第一圖為本發明中一實施例的製造方法的流程圖； 第二至六、八至十圖為對應第一圖的製造方法的結構圖； 第七圖為本發明中另一實施例的製造方法的結構； 第十一圖為本發明的垂直式發光二極體的結構圖； 第十二圖為傳統的與本發明的垂直式發光二極體的物理性質示意圖； 第十三圖為本發明的垂直式發光二極體的物理性質示意圖； 第十四圖為傳統的垂直式發光二極體的物理性質示意圖。
S100~S140:步驟

Claims (10)

  1. 一種垂直式發光二極體的製造方法，步驟包括： 提供一生長基板，該生長基板上形成有一磊晶層； 於該磊晶層上接合一金屬組合基板，該金屬組合基板包括二第一金屬層與堆疊於該些第一金屬層之間的第二金屬層，其中，一該第一金屬層接合於該磊晶層，另一該第一金屬層遠離該磊晶層； 去除該生長基板，以獲得至少一磊晶結構； 於該至少一磊晶結構上形成一接觸金屬層； 以及 蝕刻並去除該金屬組合基板的該第二金屬層與遠離該磊晶層的該第一金屬層，藉此保留接合該磊晶層的該第一金屬層。
  2. 如請求項1所述的垂直式發光二極體的製造方法，於該至少一磊晶結構上形成該接觸金屬層的步驟前，步驟更包括：對該磊晶層進行蝕刻製程以定義出多個該磊晶結構；根據該些磊晶結構之間的間隔，切斷該些第一金屬層與該第二金屬層。
  3. 如請求項1所述的垂直式發光二極體的製造方法，在接合該金屬組合基板的步驟前，該些第一金屬層的熱膨脹係數皆選用大於該第二金屬層的熱膨脹係數的材料，並且該些第一金屬層的厚度皆小於該第二金屬層的厚度。
  4. 如請求項3所述的垂直式發光二極體的製造方法，接合於該磊晶層的該第一金屬層、該第二金屬層、遠離該磊晶層的該第一金屬層是按照1： 2.5～3.5：1的厚度比例形成。
  5. 如請求項3所述的垂直式發光二極體的製造方法，該些第一金屬層是選用銅來形成，該第二金屬層是選用銦瓦合金來形成。
  6. 如請求項1所述的垂直式發光二極體的製造方法，在蝕刻並去除該金屬組合基板的部分的步驟前，步驟更包括：提供一保護層，該保護層包覆該金屬組合基板中接合於該磊晶層的該第一金屬層。
  7. 如請求項1所述的垂直式發光二極體的製造方法，於該至少一磊晶結構上形成該接觸金屬層的步驟後，在該至少一磊晶結構上形成一鈍化層，該鈍化層係暴露該接觸金屬層。
  8. 如請求項1所述的垂直式發光二極體的製造方法，在該蝕刻並去除該金屬組合基板的該第二金屬層與遠離該磊晶層的該第一金屬層的步驟中，選用氨水（NH 4OH）及雙氧水（H 2O 2）的混合溶液作為蝕刻液。
  9. 一種垂直式發光二極體，其通過請求項1至8任一項的製造方法製造而成，該垂直式發光二極體包括： 該第一金屬層； 該磊晶結構，設置於該第一金屬層上；以及 該接觸金屬層，設置於該磊晶結構上。
  10. 如請求項9所述的垂直式發光二極體，其中該第一金屬層之材質為銅，且該第一金屬層之厚度介於10至20µm。
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