TW202322196A - 具可移除式塗層之物件及相關方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之一些實施例係關於具有可移除式塗層之物件。該等物件可包含基板及該基板上之塗層。可將蝕刻終止層設置於該基板與該塗層之間，以允許在不損壞該基板的情況下移除該塗層。一些實施例係關於自物件移除塗層之方法。該等方法可包含：獲得包含介於基板與該基板上之塗層之間之蝕刻終止層的物件，及自該物件移除至少一部分該塗層。其他實施例進一步提供物件及相關方法。

Description

具可移除式塗層之物件及相關方法
本發明大體上係關於具有可移除式塗層之物件及相關方法。
半導體製造製程利用經塗佈之基板。塗層及基板通常具有類似化學組成以確保塗層黏附至基板。然而，正因為在化學上類似於基板，故無法在不對基板造成損壞之情況下移除塗層。
在第一態樣中，揭示一種用於自物件移除塗層之方法，該方法包括：獲得物件，其中該物件包括基板，其中該基板包括含鎂金屬體，其中該含鎂金屬體包括第一金屬組分；塗層，其中該塗層包括第二金屬組分；及蝕刻終止層，其中該蝕刻終止層包括氟化鎂且位於該含鎂金屬體與塗層之間；以及自該物件移除至少一部分該塗層。
根據第一態樣之第二態樣，其中該基板包括充氣室(plenum)、溝槽、界定孔之結構、界定通道之結構、界定空腔(cavity)之結構或其任何組合中的至少一者。
根據前述態樣中之任一者之第三態樣，其中該基板不為晶圓基板。
根據前述態樣中之任一者之第四態樣，其中該基板不為積體電路。
根據前述態樣中之任一者之第五態樣，其中該塗層為以下中之至少一者：已自先前狀態經化學改質之塗層、具有已自先前狀態經改質之表面的塗層、具有已自先前狀態經改質之厚度的塗層、具有非均勻厚度之塗層、不符合應用規格之塗層、具有製造缺陷之塗層或其任何組合。
根據前述態樣中之任一者之第六態樣，其中該第二金屬組分及該第一金屬組分皆包括鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳、矽、銅、錳或其任何組合中之至少一者。
根據前述態樣中之任一者之第七態樣，其中該第一金屬組分包括鋁；且該第二金屬組分包括鋁。
根據前述態樣中之任一者之第八態樣，其中該蝕刻終止層為位於該基板之表面處及下方的蝕刻終止區域。
根據前述態樣中之任一者之第九態樣，其中該移除包括使該塗層與蝕刻劑接觸。
根據前述態樣中之任一者之第十態樣，其中該蝕刻劑移除至少一部分該蝕刻終止層。
根據前述態樣中之任一者之第十一態樣，其中該方法進一步包括：使該物件暴露於反應性氣相以重新形成至少一部分該蝕刻終止層，其中該反應性氣相包括氟組分。
根據前述態樣中之任一者之第十二態樣，其中該氟組分包括或衍生自以下中之至少一者：CF 4、C 2F 4、C 3F 6、C 4F 8、CHF 3、C 2H 2F 2、C 2F 6、HF、CH 3F、具有C 1-C 10全氟烷基之聚合全氟烷基乙烯、聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)共聚物(PFA)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)/六氟丙烯共聚物(EPA)、聚六氟丙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)、聚三氟乙烯、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、乙烯/氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)或其任何組合。
根據前述態樣中之任一者之第十三態樣，其中該反應性氣相之氟組分與存在於該含鎂金屬體內之鎂反應以重新形成該蝕刻終止層。
根據前述態樣中之任一者之第十四態樣，其中移除之塗層厚度與移除之蝕刻終止層厚度的比率至少為2:1。
根據前述態樣中之任一者之第十五態樣，其中該蝕刻終止層具有均勻厚度。
根據前述態樣中之任一者之第十六態樣，其中該方法進一步包括在該蝕刻終止層上形成置換塗層。
根據前述態樣中之任一者之第十七態樣，其中該置換塗層為熱原子層沈積(ALD)塗層。
根據前述態樣中之任一者之第十八態樣，其中該置換塗層包括氧化鋁、氧化釔、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭或其任何組合中之至少一者。
本文所揭示之第十九態樣係一種用於形成物件之方法，該方法包括：獲得基板，其中該基板包括含鎂金屬體，其中該含鎂金屬體包括第一金屬組分；使該基板暴露於反應性氣相以在該基板之表面處及下方形成蝕刻終止層，其中該反應性氣相包括與該含鎂金屬體之鎂反應以形成氟化鎂的氟組分；以及在該蝕刻終止層上形成塗層，其中該塗層包括第二金屬組分。
本文所揭示之第二十態樣係關於一種物件，其包括：基板，其中該基板包括含鎂金屬體，其中該含鎂金屬體包括第一金屬組分，其中該基板不為晶圓基板，其中該基板不為積體電路；塗層，其中該塗層包括第二金屬組分；及位於該基板與該塗層之間的蝕刻終止層，其中該蝕刻終止層包括在該基板之表面處及下方形成的氟化鎂。
相關申請案之交互參考
本申請案主張根據35 USC 119之於2021年9月30日申請之美國臨時專利申請案第63/250,475號的權利，其揭示內容在此以全文引用之方式併入本文中。
一些實施例係關於具有可移除式塗層之物件及相關方法。物件可包括基板與塗層之間的蝕刻終止層，該塗層可在化學上類似於基板。蝕刻終止層可對用於塗層移除製程中之化學物質及其他物質具有抵抗性，使得可移除塗層而不對基板造成將使物件不適用於商業目的之改變。對基板之此類改變的實例可包括但不限於經改變之表面修整、經更改之視覺外觀、改變化學組成、改變表面形態等。蝕刻終止層可在基板與塗層之間提供足夠的黏著性。蝕刻終止層可為具有基板之高縱橫比形貌體(feature)之完整表面覆蓋率的高度保形層。蝕刻終止層可在高溫下展現熱穩定性。
圖 1為根據本發明之一些實施例的用於形成包括可移除式塗層之物件之方法的流程圖。如 圖 1中所示，方法100可包含一或多個以下步驟：獲得基板之步驟102、使基板暴露於反應性氣相以形成蝕刻終止層之步驟104及在蝕刻終止層上形成塗層之步驟106。
在步驟102中，在一些實施例中，可獲得基板。在一些實施例中，基板可為包含一或多種金屬組分之金屬體。在一些實施例中，一或多種金屬組分中之各者可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：元素金屬、金屬合金、金屬化合物(例如，金屬氧化物化合物)或其任何組合。在一些實施例中，一或多種金屬組分中之各者可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳或其任何組合。在一些實施例中，一或多種金屬組分中之各者可選自由以下中之至少一者組成之群：鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳、矽、銅、錳、氧化鎂或其任何組合。在一些實施例中，基板可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：鎂組分、鋁組分或其任何組合。
在一些實施例中，基板可為含鎂金屬體。在一些實施例中，含鎂金屬體可包含含鎂金屬(例如，包含任何量鎂，包括痕量鎂之任何金屬或金屬合金)、由其組成或基本上由其組成。在一些實施例中，含鎂金屬可包含諸如第一鋁組分之第一金屬組分、由其組成或基本上由其組成。在一些實施例中，含鎂金屬體可包含含鎂合金。在一些實施例中，含鎂合金可包含諸如第一鋁組分之第一金屬組分、由其組成或基本上由其組成。在一些實施例中，含鎂金屬合金可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成，或可選自由以下中之至少一者組成之群：鐵合金(例如，鋼或不鏽鋼)、鋁合金、釩合金、鎂合金(例如，不鏽鋼鎂，諸如包含鎂及鋰之合金，或包含鎂及鋁之合金等)、鎳合金、鉻合金、鋅合金、鈦合金或其任何組合。
在一些實施例中，鎂組分可包含移動形式的鎂。例如，在一些實施例中，鎂組分可包含呈金屬形式的鎂，如金屬合金、金屬離子、金屬氧化物、元素鎂或其任何組合。在一些實施例中，鎂組分包含含鎂金屬合金、鎂離子、含鎂金屬氧化物、元素鎂或其任何組合中之至少一者。
在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含至少0.01重量%至小於100重量%、或其間之任何範圍或子範圍的鎂。例如，在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含至少0.01重量%、至少0.1重量%、至少1重量%、至少10重量%、至少20重量%、至少30重量%、至少40重量%、至少50重量%、至少60重量%、至少70重量%、至少80重量%、至少90重量%、至少99重量%、不大於99重量%、不大於90重量%、不大於80重量%、不大於70重量%、不大於60重量%、不大於50重量%、不大於40重量%、不大於30重量%、不大於20重量%、不大於10重量%、不大於1重量%、不大於0.1重量%、不大於0.01重量%、大於0重量%至100重量%、大於10重量%至100重量%、大於20重量%至100重量%、大於30重量%至100重量%、大於40重量%至100重量%、大於50重量%至100重量%、大於60重量%至100重量%、大於70重量%至100重量%、大於80重量%至100重量%、大於90重量%至100重量%、大於0重量%至90重量%、大於0重量%至80重量%、大於0重量%至70重量%、大於0重量%至60重量%、大於0重量%至50重量%、大於0重量%至40重量%、大於0重量%至30重量%、大於0重量%至20重量%、大於0重量%至10重量%、大於0重量%至5重量%、大於0重量%至1重量%、大於0.01重量%至1重量%、大於0.1重量%至1重量%、40重量%至99重量%、40重量%至95重量%、40重量%至90重量%、40重量%至80重量%、40重量%至70重量%、40重量%至60重量%、50重量%至99重量%、60重量%至99重量%、70重量%至99重量%、80重量%至99重量%、90重量%至99重量%、95重量%至99重量%及/或其間之任何範圍或子範圍的鎂。
在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含1重量%或更少的氧化鎂(MgO)。在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含0.5重量%或更少的氧化鎂。在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含0.1重量%或更少的氧化鎂。在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含0.05重量%或更少的氧化鎂。
在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含至少0.01重量%至小於100重量%的鋁。例如，在一些實施例中，以基板之總重量計，基板可包含至少0.01重量%、至少0.1重量%、至少1重量%、至少10重量%、至少20重量%、至少30重量%、至少40重量%、至少50重量%、至少60重量%、至少70重量%、至少80重量%、至少90重量%、至少99重量%、不大於99重量%、不大於90重量%、不大於80重量%、不大於70重量%、不大於60重量%、不大於50重量%、不大於40重量%、不大於30重量%、不大於20重量%、不大於10重量%、不大於1重量%、不大於0.1重量%、不大於0.01重量%、大於0重量%至小於100重量%、大於10重量%至小於100重量%、大於20重量%至小於100重量%、大於30重量%至小於100重量%、大於40重量%至小於100重量%、大於50重量%至小於100重量%、大於60重量%至小於100重量%、大於70重量%至小於100重量%、大於80重量%至小於100重量%、大於90重量%至小於100重量%、大於0重量%至90重量%、大於0重量%至80重量%、大於0重量%至70重量%、大於0重量%至60重量%、大於0重量%至50重量%、大於0重量%至40重量%、大於0重量%至30重量%、大於0重量%至20重量%、大於0重量%至10重量%、大於0重量%至5重量%、大於0重量%至1重量%及/或其間之任何範圍或子範圍的鋁。
在一些實施例中，鋁合金可包含鋁、鎂、矽、鐵、銅、鉻、鋅、鈦、錳或其任何組合中之至少一者。在一些實施例中，鋁合金包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：以鋁合金之總重量計，96重量%至98重量%之鋁；以鋁合金之總重量計，0.5重量%至1.2重量%之鎂；以鋁合金之總重量計，0.4重量%至0.8重量%之矽；以鋁合金之總重量計，大於0重量%至0.7重量%之鐵；以鋁合金之總重量計，0.1重量%至0.4重量%之銅；以鋁合金之總重量計，大於0重量%至0.4重量%之鉻；以鋁合金之總重量計，大於0重量%至0.3重量%之鋅；以鋁合金之總重量計，大於0重量%至0.3重量%之鈦；以鋁合金之總重量計，大於0重量%至0.2重量%之錳；或其任何組合。在一些實施例中，鋁合金可進一步包含以下中之至少一者：一或多種金屬、一或多種過渡金屬、一或多種半導體材料或其任何組合。在一些實施例中，一或多種半導體材料可包含化合物，該化合物包含鎵、銻、碲、砷、釙或其任何組合中之至少一者。
在一些實施例中，基板可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：以基板之總重量計，10重量%至99重量%之鎳；以基板之總重量計，40重量%至99重量%之釩；以基板之總重量計，15重量%至99重量%之鉻；以基板之總重量計，40重量%至99重量%之鋁；以基板之總重量計，40重量%至99重量%之鋅；以基板之總重量計，40重量%至99重量%之鈦；以基板之總重量計，大於0重量%至小於100重量%之鐵；以基板之總重量計，2重量%至3重量%之鉬；或其任何組合。在一些實施例中，上述重量百分比係關於包含金屬或呈元素形式之金屬的金屬組分。
在一些實施例中，基板可具有至少一個形貌體。在一些實施例中，至少一個形貌體可包含以下、由其組成或基本上由其組成，或可選自由以下組成之群：充氣室、溝槽、界定孔之結構、界定開口之結構、界定孔隙通道之結構、界定空腔之結構(例如，限定空腔之部分封閉區域)、平坦表面、非平坦表面或其任何組合。在一些實施例中，至少一個形貌體可具有縱橫比。例如，在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指深度與寬度之比率。在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指寬度與深度之比率。在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指長度、寬度或高度中之兩者的比率。在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指深度與直徑之比率。在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指直徑與深度之比率。在一些實施例中，形貌體之縱橫比可指以下中之至少兩者的比率：寬度、深度、高度、直徑及周長。
在一些實施例中，至少一個形貌體可具有2:1至1000:1或其間之任何範圍或子範圍的縱橫比。例如，至少一個形貌體之縱橫比可為至少2:1、至少3:1、至少4:1、至少5:1、至少6:1、至少7:1、至少8:1、至少9:1、至少10:1、至少15:1、至少20:1、至少25:1、至少30:1、至少35:1、至少40:1、至少45 :1、至少50:1、至少55:1、至少60:1、至少65:1、至少70:1、至少75:1、至少80:1、至少85:1、至少90:1、至少95:1、至少100:1、至少200:1、至少300:1、至少400:1、至少500:1、至少600:1、至少700:1、至少800:1、至少900:1、至少1000:1及/或其間之任何範圍或子範圍。
在一些實施例中，基板可不包含晶圓基板。在一些實施例中，基板可不包含矽晶圓。在一些實施例中，基板可不包含積體電路。
在步驟104中，在一些實施例中，基板可暴露於反應性氣相以形成蝕刻終止層。在一些實施例中，暴露可在足以使蝕刻終止層形成之條件下進行。在一些實施例中，暴露可在經組態以對基板暴露反應性氣相之腔室中進行。在一些實施例中，暴露可在處理腔室中進行。在一些實施例中，暴露可在反應容器中進行。在一些實施例中，暴露可藉由使固體或液體前驅物材料汽化以獲得反應性氣相且向處理腔室或反應容器供應反應性氣相來進行。在一些實施例中，暴露可藉由向處理腔室或反應容器供應反應性氣相(例如，在不使固體或液體前驅物材料汽化以獲得反應性氣相的情況下)來進行。在一些實施例中，蝕刻終止層藉由無電漿沈積製程形成。在一些實施例中，蝕刻終止層藉由非電漿沈積製程形成。
在一些實施例中，反應性氣相可包含氟組分。在一些實施例中，反應性氣相可包含分子氟源氣相(molecular fluorine source vapor)，其可衍生自液體或固體。在一些實施例中，氟組分可包含分子氟、由其組成或基本上由其組成。在一些實施例中，氟組分不為離子性、實質上不為離子性、未經處理(例如，藉由添加除熱以外的能量)以形成電漿或其任何組合。在一些實施例中，氟組分可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：氟化有機化合物、全氟化有機化合物或其任何組合。在一些實施例中，例如，氟組分可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：氟化烷、全氟化烷、氟化烯烴、全氟化烯烴或其任何組合，其中任何一或多者可為直鏈的或分支鏈的。在一些實施例中，氟組分可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成或可選自由以下中之至少一者組成之群：CF 4、C 2F 4、C 3F 6、C 4F 8、CHF 3、C 2H 2F 2、C 2F 6、HF、CH 3F或其任何組合。在一些實施例中，反應性氣相不同於電漿、用於產生電漿之製程或其任何組合。
在一些實施例中，反應性氣相可包含衍生自非氣態氟化聚合物(例如，固相或液相氟化聚合物)之氣態氟化聚合物。在一些實施例中，氟化聚合物可為均聚物或共聚物。在一些實施例中，氟化聚合物可包含至少一種氟烯烴單體與視情況存在之至少一種非氟化共聚單體的共聚物。在一些實施例中，氟化聚合物可經氟化(亦即，部分氟化)、全氟化，或可包括非氟鹵素原子，諸如但不限於氯。在一些實施例中，分子氟源在室溫下可為液體或固體，但其在本文所揭示之製程溫度下汽化。氟聚合物之非限制性實例包括但不限於以下中之至少一者：具有C 1-C 10全氟烷基之聚合全氟烷基乙烯；聚四氟乙烯(PTFE)；四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)共聚物(PFA)；四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)；四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)/六氟丙烯共聚物(EPA)；聚六氟丙烯；乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)；聚三氟乙烯；聚偏二氟乙烯(PVDF)；聚氟乙烯(PVF)；聚氯三氟乙烯(PCTFE)；乙烯/氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)；或其任何組合。
在一些實施例中，蝕刻終止層可包含氟化鎂(MgF 2)。在一些實施例中，蝕刻終止層之氟化鎂可為存在於基板內之鎂組分及存在於反應性氣相中之氟組分的反應產物。在一些實施例中，蝕刻終止層之氟化鎂可形成於基板之表面處及基板之表面下方。例如，在一些實施例中，氟組分可與以下中之至少一者反應：存在於基板之表面處的鎂、存在於基板之表面下方的鎂、自基板之主體部分擴散或遷移至表面或接近表面之區域的鎂、或其任何組合。在一些實施例中，蝕刻終止層可不為形成於基板之表面上的實質上離散之層(discrete stratum)，而實際上可為形成於基板之表面處及視情況形成於基板之表面下方的區域。在一些實施例中，蝕刻終止層並非(且因此不同於)經由塗佈製程或沈積製程(例如，化學氣相沈積、原子層沈積、物理氣相沈積等)塗覆至基板表面之層。
在一些實施例中，蝕刻終止區域可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：鎂化合物、氟化物化合物、氟化鎂化合物、氧化物化合物、金屬化合物、金屬氧化物化合物或其任何組合。在一些實施例中，蝕刻終止區域可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：氟化鎂(MgF 2)、金屬氧化物化合物或其任何組合。在一些實施例中，金屬氧化物化合物可為反應產物。例如，在一些實施例中，金屬氧化物化合物可在基板暴露於氧氣時形成。在一些實施例中，蝕刻終止層可包含以下、由其組成或基本上由其組成：包含氧化釔之原子層沈積(ALD)塗層。在一些實施例中，蝕刻終止層可包含以下、由其組成或基本上由其組成：包含氧化鋯之ALD塗層。在一些實施例中，蝕刻終止層可包含以下、由其或基本上由其組成：包含二氧化鈦之ALD塗層。在一些實施例中，蝕刻終止層可包含：包含AlO xN y之ALD塗層，其中x為1至5且N為1至5。
在一些實施例中，暴露可在一或多個製程條件下進行。在一些實施例中，製程條件可包含以下中之至少一者：200℃至500℃之溫度(例如，350℃至500℃、375℃至425℃、375℃至450℃、400℃至425℃、400℃至450℃等)、100托至1500托之壓力(250托至1000托、500托至1000托、250托至1250托、500托至1250托等)、1小時至15小時之持續時間(例如，2小時至13小時、3小時至12小時等)或其任何組合。在一些實施例中，製程條件應足以使氟組分中之氟與存在於基板內之鎂反應以用於氟化鎂(MgF 2)。在一些實施例中，製程條件應為足以使氟組分中之氟與存在於基板內之鎂反應以形成MgF 2的溫度、壓力、持續時間或其任何組合。在一些實施例中，可改變或調節製程條件以獲得預定厚度、預定覆蓋率、預定特性(例如，耐腐蝕性、耐蝕刻性或其任何組合中之至少一者)或其任何組合中之至少一者。
在一些實施例中，表面覆蓋率可指包含氟化鎂之未遮蔽、暴露之表面(例如，暴露於氣體之表面)的百分比。在一些實施例中，暴露之表面亦可指未遮蔽之表面。在一些實施例中，表面覆蓋率可至少為80%至100%或其間的任何範圍或子範圍。例如，在一些實施例中，表面覆蓋率可為至少90%、至少91%、至少92%、至少93%、至少94%、至少95%、至少96%、至少97%、至少98%、至少99%或100%。在一些實施例中，表面覆蓋率可在80%至100%範圍內，及/或在其間的任何範圍或子範圍內。
在一些實施例中，蝕刻終止層為保形層。在一些實施例中，蝕刻終止層為具有實質上均勻之厚度或均勻之厚度的層。在一些實施例中，蝕刻終止層可為耐腐蝕層或可形成耐腐蝕基板表面。在一些實施例中，蝕刻終止層可為耐蝕刻層或可形成耐蝕刻基板表面。在一些實施例中，蝕刻終止層可鈍化基板的表面。在一些實施例中，蝕刻終止層可為保護層。在一些實施例中，蝕刻終止層可賦予至少一種改良表面特性。
在一些實施例中，蝕刻終止區域可具有1 nm至200 nm或其間之任何範圍或子範圍的厚度。例如，在一些實施例中，蝕刻終止區域可具有5 nm至200 nm、10 nm至200 nm、25 nm至200 nm、50 nm至200 nm、100 nm至200 nm、150 nm至200 nm、1 nm至150 nm、25 nm至150 nm、50 nm至150 nm、100 nm至150 nm、25 nm至130 nm、50 nm至130 nm、75 nm至130 nm及/或其間之任何範圍或子範圍的厚度。在一些實施例中，蝕刻終止區域之厚度可藉由掃描電子顯微鏡(SEM)橫截面、X射線光電子光譜(XPS)深度分析或能量分裂性X射線顯微分析(Energy Disruptive X-ray Microanalysis，EDAX)以及其他技術量測。
在步驟106中，塗層可形成於蝕刻終止層、基板或其任何組合中之至少一者上。在一些實施例中，塗層可藉由使物件暴露於一或多種前驅物氣體以在蝕刻終止層、基板或其任何組合之表面上形成塗層來形成。在一些實施例中，塗層可藉由沈積製程形成。在一些實施例中，沈積製程可包含非電漿沈積製程。在一些實施例中，沈積製程可包含無電漿沈積製程。在一些實施例中，沈積製程可包含原子層沈積(ALD)、化學氣相沈積(CVD)、溶液沈積或物理氣相沈積(PVD)中之至少一者。在一些實施例中，沈積製程可包含熱原子層沈積。在一些實施例中，原子層沈積可包含循環原子層沈積製程以形成塗層。在一些實施例中，塗層為原子層沈積(ALD)塗層或熱ALD塗層。在一些實施例中，沈積製程為形成保形塗層之製程。在一些實施例中，保形塗層可包含具有均勻或實質上均勻之厚度的塗層。
在一些實施例中，形成(forming)可包含用於原子層沈積之製程程序(process sequence)。在一些實施例中，製程程序可為其中在循環原子層沈積(ALD)製程中利用一或多個前驅物以形成ALD塗層或熱ALD塗層的一種製程程序。在一些實施例中，暴露可包含使3D物件與至少一個第一前驅物在反應室中接觸、沖洗反應室、使3D物件與至少一個第二前驅物在反應室中接觸及沖洗反應室以完成循環的製程程序。在一些實施例中，形成可包含1至5000個循環。在一些實施例中，形成可包含100至5000個循環。在一些實施例中，形成可包含50至1500個循環。在一些實施例中，形成可包含足夠數目的循環，以達成所要厚度、所要特性或其他特徵。
在一些實施例中，可基於待形成之特定ALD塗層選擇一或多種前驅物氣體。在一些實施例中，包含三甲基鋁及臭氧之一或多種前驅物可為適用於沈積Al 2O 3之前驅物組合物。在一些實施例中，包含三甲基鋁及水之一或多種前驅物可為適用於沈積A1 2O 3之前驅物組合物。在一些實施例中，包含金屬M或Ln之環戊二烯基化合物的一或多種前驅物可為適用於在利用臭氧(O 3)或水蒸氣(H 2O)之循環ALD製程中沈積MO或Ln 2O 3的前驅物組合物。在一些實施例中，包含M或Ln之β-二酮的一或多種前驅物可為適用於在循環ALD製程中沈積MO或Ln 2O 3的前驅物組合物，其中β-二酮金屬前驅物之反應性脈衝與O 3脈衝交替。
例如，在一些實施例中，原子層沈積可包含其中三甲基鋁及臭氧用於循環ALD製程中以形成ALD塗層的製程程序。在一些實施例中，原子層沈積可包含其中三甲基鋁及水用於循環ALD製程以形成ALD塗層的製程程序。在一些實施例中，原子層沈積可包含其中環戊二烯基M化合物及臭氧用於循環ALD製程以形成ALD塗層的製程程序。在一些實施例中，原子層沈積可包含其中環戊二烯基M化合物及水用於循環ALD製程中以形成ALD塗層的製程程序。在一些實施例中，原子層沈積可包含其中M β-二酮化合物及臭氧用於循環ALD製程以形成ALD塗層的製程程序。在一些實施例中，可使用其他金屬氧化物前驅物化合物。
在一些實施例中，包含三甲基鋁及臭氧之一或多種前驅物可為適用於沈積Al 2O 3之前驅物組合物。在一些實施例中，包含三甲基鋁及水之一或多種前驅物可為適用於沈積A1 2O 3之前驅物組合物。在一些實施例中，包含金屬M或Ln之環戊二烯基化合物的一或多種前驅物可為適用於在利用臭氧(O 3)或水蒸氣(H 2O)之循環ALD製程中沈積MO或Ln 2O 3的前驅物組合物。在一些實施例中，包含M或Ln之β-二酮的一或多種前驅物可為適用於在循環ALD製程中沈積MO或Ln 2O 3的前驅物組合物，其中β-二酮金屬前驅物之反應性脈衝與O 3脈衝交替。
在一些實施例中，一或多種前驅物配位體可用於沈積塗層。在一些實施例中，一或多種前驅物配位體可包含以下中之至少一者：氫；C 1-C 10烷基，其可為直鏈或分支鏈、環狀或非環狀、飽和或不飽和的；芳基；雜環；烷氧基；環烷基；矽烷基；矽烷基烷基；矽烷基醯胺；經三甲基矽烷基矽烷基取代之烷基；經三烷基矽烷基取代之炔烴；經三烷基矽烷基醯胺基(trialkylsilylamido)取代之炔烴；二烷基醯胺；乙烯；乙炔；炔烴；經取代之烯烴；經取代之炔烴；二烯；環戊二烯基丙二烯；胺；烷基胺；雙牙胺(bidentate amine)；氨；RNH 2(其中R為有機(organo)諸如烴基取代基)；脒基(amidinate)；胍基(guanidinate)；二氮雜二烯環戊二烯基；肟；羥胺；乙酸酯；β-二酮；β-酮亞胺基(ketoiminate)；腈；硝酸酯；硫酸酯；磷酸酯；鹵素；羥基；經取代之羥基；其任何衍生物；或其任何組合。
在一些實施例中，形成可在20℃至400℃或其間之任何範圍或子範圍的溫度下進行。例如，在一些實施例中，形成可在以下溫度下進行：25℃至400℃、50℃至400℃、75℃至400℃、100℃至400℃、125℃至400℃、150℃至400℃、175℃至400℃、200℃至400℃、225℃至400℃、250℃至400℃、275℃至400℃、300℃至400℃、325℃至400℃、350℃至400℃、375℃至400℃、20℃至375℃、20℃至350℃、20℃至325℃、20℃至300℃、20℃至275℃、20℃至250℃、20℃至225℃、20℃至200℃、20℃至175℃、20℃至150℃、20℃至125℃、20℃至100℃、20℃至75℃、20℃至50℃、125℃至375℃、150℃至350℃、175℃至350℃、175℃至325℃、200℃至350℃、200℃至325℃、225℃至350℃、225℃至325℃、250℃至350℃、250℃至325℃、275℃至350℃、275℃至325℃、300℃至350℃、300℃至325℃及/或其間的任何範圍或子範圍。
在一些實施例中，沈積製程為形成保形塗層之製程。在一些實施例中，保形塗層可包含具有均勻或實質上均勻之厚度的塗層。
在一些實施例中，塗層可具有1 nm至50 μm或其間之任何範圍或子範圍的厚度。例如，在一些實施例中，塗層可具有小於5 μm、小於1 μm或小於250 nm之厚度。在一些實施例中，塗層之厚度可為100 nm至250 nm、1 nm至4 μm、1 nm至3 μm、1 nm至2 μm、1 nm至1 μm、1 nm至900 nm、1 nm至850 nm、1 nm至800 nm、1 nm至750 nm、1 nm至700 nm、1 nm至650 nm、1 nm至600 nm、1 nm至550 nm、1 nm至450 nm、1 nm至400 nm、1 nm至350 nm、1 nm至300 nm、1 nm至250 nm、1 nm至200 nm、1 nm至150 nm、1 nm至100 nm、1 nm至50 nm、50 nm至5 μm、100 nm至5 μm、200 nm至5 μm、300 nm至5 μm、400 nm至5 μm、500 nm至5 μm、600 nm至5 μm、700 nm至5 μm、800 nm至5 μm、900 nm至5 μm、1 μm至5 μm、2 μm至5 μm、3 μm至5 μm、4 μm至5 μm、1 nm至750 nm、1 nm至500 nm、2 nm至500 nm、1 nm至250 nm、20 nm至125 nm、20 nm至250 nm、20 nm至500 nm、50 nm至500 nm、50 nm至400 nm、50 nm至300 nm、50 nm至200 nm、15 nm至200 nm、20 nm至50 nm、10 nm至40 nm、30 nm至50 nm、1 nm至5 μm、1 μm至5 μm、1 μm至4 μm、1 μm至3 μm、1 μm至2 μm、5 nm至5 μm、1 nm至1 μm及/或其間的任何範圍或子範圍。
在一些實施例中，塗層可包含至少一種第二金屬組分。在一些實施例中，至少一種第二金屬組分可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：元素金屬、金屬合金、金屬化合物(例如，金屬氧化物化合物)或其任何組合。在一些實施例中，至少一種第二金屬組分可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成：鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳或其任何組合。在一些實施例中，至少一種第二金屬組分可選自由以下中之至少一者組成之群：鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳、矽、銅、錳、氧化鎂或其任何組合。在一些實施例中，至少一種第二金屬組分可包含至少一種金屬，其與包括於基板之第一金屬組分中之金屬相同。在一些實施例中，例如，第一金屬組分及第二組分包含鋁或其他金屬中之任何一或多者。
在一些實施例中，塗層可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成或可選自由以下中之至少一者組成之群：氧化鋁、氧化釔、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭或其任何組合。在一些實施例中，塗層可包含以下中之一或多者、由其組成或基本上由其組成或可選自由以下中之一或多者組成之群：Al 2O 3；式MO之氧化物，其中M為Ca、Mg或Be；式M'O 2之氧化物，其中M'為化學計量可接受之金屬；式Re 2O 3之氧化物，其中Re為稀土元素，諸如鑭系元素；及式Ta xO y之氧化物，其中x大於0且y大於0。在一些實施例中，鑭系元素可包含La、Sc或Y，由其組成或基本上由其組成。在一些實施例中，塗層可包含以下中之至少一者、由其組成或基本上由其組成或可選自由以下中之至少一者組成之群：氧化鋁、氮氧化鋁(aluminum-oxy nitride)、氧化釔、氧化釔-氧化鋁、氧化矽、氮氧化矽(silicon oxy-nitride)、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮氧化物、稀土金屬氧化物、稀土金屬氮氧化物或其任何組合。在一些實施例中，方法進一步包含氟化塗層以形成包含YOF、YF 3或其任何組合中之至少一者的塗層。
在一些實施例中，物件可為半導體製造工具之組件，諸如但不限於以下中之至少一者：處理腔室、側壁、流量頭(flow head) (例如，蓮蓬頭(showerhead))、遮罩、托盤、支撐件、噴嘴、閥門、管道、用於處理或固持物體之載台、晶圓處理夾具、陶瓷晶圓載具、晶圓固持器、晶座、轉軸、夾盤、環、擋扳、緊固件(例如，(有螺紋的)螺釘、(有螺紋的)螺母、螺栓、夾鉗、鉚釘等)、膜、過濾器、三維網狀結構、管道(例如，氣體管線)、歧管(例如，氣體歧管)或其任何組合。
在一些實施例中，氟化鎂鈍化層可為生物相容的，使得物件可適用作植入式醫療裝置或其任何組件。例如，在其他實施例中，物件可為醫療裝置或醫療裝置之組件，諸如但不限於醫療儀器、醫療植入物或具有醫療用途之物件中的至少一者。醫療裝置及/或其組件之非限制性實例包括以下中之至少一者：假體(例如，膝部、關節、肩部、髖部等)、牙套、助聽器、螺釘、板、導管(catheter)、管(tube)、閥門、罩殼(enclosure)、線、支架、連接器或其任何組合及其類似物。
本發明之一些實施例係關於具有可移除式塗層之物件。在一些實施例中，物件包含根據諸如 圖 1之方法的本發明方法形成的物件。因此應瞭解，物件可包含本文所揭示之形貌體中之任一者，包括上文及本文別處所揭示之彼等形貌體。
圖 2為根據本發明之一些實施例的包括可移除式塗層之物件的示意圖。如 圖 2中所示，物件可包含基板202、蝕刻終止層204及塗層206。在一些實施例中，蝕刻終止層204可在基板202之表面210處。例如，在一些實施例中，蝕刻終止層204可為自基板202之表面210延伸至基板202內一深度的基板202之蝕刻終止區域。在一些此等實施例中，基板202可進一步包含主體區域208，其中主體區域208為基板202之區域，其不為界定蝕刻終止層204之區域。在一些實施例中，蝕刻終止層204可在基板202之表面210上。在一些實施例中，塗層206可在蝕刻終止層204之表面210上。在一些實施例中，塗層206可在基板202之表面上。在一些實施例中，塗層206可在蝕刻終止層204之表面上，其中蝕刻終止層204形成於基板202之表面處。
在一些實施例中，置於或位於基板202與塗層206之間的蝕刻終止層204可允許移除塗層206 (例如，藉由蝕刻，諸如但不限於乾式蝕刻、濕式蝕刻或其任何組合中之至少一者)而不使基板202劣化或化學改質為商業上不適用之狀態或條件。例如，在一些實施例中，基板202及塗層206可在化學上類似，使得在缺乏蝕刻終止層204的情況下移除塗層206導致移除至少一部分基板202。在一些實施例中，蝕刻終止層204可鈍化基板202之表面，使得移除塗層206不會導致基板202之任何明顯移除，或若產生至少一些基板之移除，則移除程度對於商業目的為可接受的。以此方式，蝕刻終止層204可有效地作為允許修整及/或再加工物件的抗化學腐蝕層。
圖 3為根據本發明之一些實施例的用於自物件移除塗層之方法的流程圖。如 圖 3中所示，用於自物件移除塗層的方法300可包含一或多個以下步驟：獲得物件之步驟302，其中物件包含基板、第一塗層及介於基板與第一塗層之間的蝕刻終止層；自物件移除至少一部分第一塗層之步驟304；使物件暴露於反應性氣相以重新形成至少一部分蝕刻終止層之步驟306；及在蝕刻終止層上形成第二塗層之步驟308。在一些實施例中，第一塗層為廢塗層且第二塗層為置換塗層。
在步驟302中，在一些實施例中，可獲得物件。如上文所提及，在一些實施例中，物件可包含基板、第一塗層及介於基板與第一塗層之間的蝕刻終止層。在一些實施例中，所得物件可包含根據本發明之方法形成的物件(例如，根據 圖 1之方法形成的物件)及本發明之物件(例如， 圖 2之示意圖中所描繪之物件)中的任何一或多者。在一些實施例中，所得物件可包含用於再加工之物件。在一些實施例中，用於再加工之物件可為其中第一塗層形成為有因例如製造誤差所致之缺陷的物件。在一些實施例中，所得之物件可包含用於修整之物件。在一些實施例中，用於修整之物件可為其中第一塗層已經由製程(例如，半導體製造製程、微電子製造製程等)中之使用(例如，重複使用)而劣化的物件。在一些實施例中，第一塗層可為將進行再加工、移除、置換、修整中之至少一者的任何塗層(例如，已使用或處理一或多次且被視為處於「使用週期末期(end of life)」條件下的塗層)或其任何組合。在一些實施例中，第一塗層可為廢塗層，其中廢塗層可為具有缺陷及/或已劣化(例如，經由使用)之任何塗層。
例如，在一些實施例中，第一塗層可包含待修整之塗層。在一些實施例中，待修整之塗層可為處於對物件之結構、材料、用途或操作不利之狀態或條件(例如，使物件不適合用於商業目的)下的塗層。因此，可參考先前狀態或條件描述第一塗層。例如，在一些實施例中，第一塗層之先前狀態或先前條件可為根據本發明之方法(例如， 圖 1之步驟106)製備的塗層。在一些此等實施例中，第一塗層為具有至少一種特性、特點、元素、特徵或組成的任何塗層，其不同於先前狀態或先前條件下之塗層。在一些實施例中，第一塗層為已在製程(例如，半導體製造製程等)中使用至少一次之塗層。在一些實施例中，差異可為不同化學組成、不同表面形態、不同厚度或其任何組合中之至少一者。在一些實施例中，第一塗層可包含待再加工之塗層。在一些實施例中，待再加工之塗層可為不良製造之任何塗層。例如，在一些實施例中，第一塗層可為不符合應用規格之塗層。在一些實施例中，第一塗層可為具有缺陷(諸如在塗層形成期間產生之缺陷)的塗層。在一些實施例中，待再加工之塗層為尚未用於任何製程中之塗層。
在一些實施例中，第一塗層可為已自先前狀態經化學改質之塗層。在一些實施例中，第一塗層可為具有自先前狀態經改質之表面的塗層。在一些實施例中，第一塗層可為具有自先前狀態經改質之厚度的塗層。在一些實施例中，第一塗層可為具有非均勻厚度之塗層。在一些實施例中，第一塗層可為不符合應用規格之塗層。在一些實施例中，第一塗層可為具有製造缺陷之塗層。
在步驟304中，在一些實施例中，可自物件移除至少一部分第一塗層。在一些實施例中，移除可包含使第一塗層與蝕刻劑接觸以自物件移除至少一部分第一塗層。在一些實施例中，蝕刻劑可包含優先蝕刻位於蝕刻終止層上方之第一塗層的任何蝕刻劑。在一些實施例中，第一塗層的移除可藉由乾式蝕刻、濕式蝕刻或其任何組合中的至少一者進行。在一些實施例中，蝕刻劑可自物件全部移除第一塗層。在一些實施例中，蝕刻劑可自物件移除至少一部分第一塗層。在一些實施例中，蝕刻終止層在第一塗層蝕刻期間防止基板被蝕刻或至少減少基板被蝕刻之程度。在一些實施例中，蝕刻劑可移除至少一部分蝕刻終止層。在一些實施例中，第一塗層可藉由除蝕刻以外的製程移除。在一些實施例中，例如，第一塗層可藉由單獨或組合應用機械移除製程(例如，噴砂、拋光、研光、離子濺鍍等)或應力誘發之分離(例如，分層)來移除。在一些實施例中，可在不施用任何機械移除製程(例如，噴砂、拋光、研光、離子濺鍍等)或應力誘發之分離(例如，分層)的情況下移除第一塗層。
在一些實施例中，蝕刻劑可對蝕刻終止層、基板或其任何組合中之至少一者上方的第一塗層具有選擇性。在一些實施例中，選擇性可定義為經移除之蝕刻終止層的厚度與經移除之基板的厚度的比率。在一些實施例中，蝕刻劑之選擇性可至少為1.01:1至20:1或其間的任何範圍或子範圍。例如，在一些實施例中，蝕刻劑之選擇性可為2:1至5:1、2:1至10:1、5:1至10:1及/或其間的任何範圍或子範圍。在一些實施例中，蝕刻劑之選擇性可為至少2:1、至少3:1、至少4:1、至少5:1、至少6:1、至少7:1、至少8:1、至少9:1、至少10:1、至少11:1及/或其間的任何範圍或子範圍。
在步驟306中，在一些實施例中，物件可暴露於反應性氣相以重新形成至少一部分蝕刻終止層。在一些實施例中，步驟306為視情況選用的。例如，在一些實施例中，步驟306可在可藉由蝕刻劑移除至少一部分蝕刻終止層的情況下進行。在一些實施例中，步驟306可在至少一部分基板表面可不包含氟化鎂的情況下進行。在一些實施例中，步驟306可在蝕刻終止層或基板表面之至少一部分需要重新形成或修復蝕刻終止層、氟化鎂或其任何組合的情況下進行。在一些實施例中，可根據本發明之方法進行將物件暴露於反應性氣相以重新形成蝕刻終止層的步驟。例如，在一些實施例中，形成步驟可與 圖 1之步驟104相似或相同地進行。
在步驟308中，在一些實施例中，可在基板、蝕刻終止層或其任何組合中之至少一者上重新形成第二塗層。在一些實施例中，第二塗層可為置換塗層。在一些實施例中，第二塗層可產生適用於商業目的之物件。在一些實施例中，在基板、蝕刻終止層或其任何組合中之至少一者上重新形成第二塗層或置換塗層產生了經再加工或經修整之物件。在一些實施例中，可根據本發明之方法進行在基板、蝕刻終止層或其任何組合中之至少一者上重新形成第二塗層的步驟。例如，在一些實施例中，重新形成步驟可與 圖 1之步驟106相似或相同地進行。
圖 4為根據本發明之一些實施例的用於(A)形成包括可移除式塗層之物件、(B)再加工物件及(C)修整物件之製程的示意圖。如 圖 4 之 (A)中所示，顯示了包含金屬合金(例如，鋁合金)之基板402。在一些實施例中，金屬合金為包含至少90%鋁之鋁合金。在一些實施例中，鋁合金可包含95重量%至99重量%的鋁、大於0重量%且小於1重量%的矽、大於0重量%且小於1重量%的銅、大於0重量%且小於1重量%的鉻及大於0重量%至2重量%的鎂，其中重量%係基於基板402之總重量計。在一些實施例中，蝕刻終止層404可形成於基板402的表面處及/或下方。在一些實施例中，塗層406 (例如，包含氧化鋁之原子層沈積(ALD)塗層，或氧化鋁ALD塗層)可形成於基板402之表面、蝕刻終止層404之表面、或基板402之表面及蝕刻終止層404之表面兩者上，以獲得包括可移除式塗層之物件。
如 圖 4之(B)中所示，在一些實施例中，塗層406或形成塗層406之製程可具有缺陷或誤差。在一些實施例中，可再加工塗層406。例如，在一些實施例中，塗層406為具有誤差或缺陷之氧化鋁ALD塗層。在一些實施例中，氧化鋁ALD塗層406可藉由濕式化學移除製程(例如，濕式蝕刻)移除。在一些實施例中，藉由移除具有誤差或缺陷之氧化鋁ALD塗層406，置換氧化鋁ALD塗層(未圖示)可形成於基板402/蝕刻終止層404之表面上。
如 圖 4(C)中所示，在一些實施例中，可使用物件(例如，可達到使用壽命終點，或可具有在化學上改變之組成，等等，如上文所描述)。在一些實施例中，塗層406可經修整。例如，在一些實施例中，塗層406為已用於一或多種製程中之氧化鋁ALD塗層。在一些實施例中，氧化鋁ALD塗層406可藉由濕式化學移除製程(例如，濕式蝕刻)移除。在一些實施例中，藉由移除自先前狀態或條件具有改變之氧化鋁ALD塗層406，置換ALD塗層(未圖示)可形成於基板402/蝕刻終止層404之表面上。
100,300:方法 102,104,106,302,304,306,308:步驟 202,402:基板 204,404:層 206,406:塗層 208:區域 210:表面
參考形成本發明之一部分的圖式，且該等圖式繪示可實踐本文所描述之材料及方法的實施例。
圖 1為根據本發明之一些實施例的用於形成物件之方法的流程圖。
圖 2為根據本發明之一些實施例之物件的示意圖。
圖 3為根據本發明之一些實施例的用於自物件移除塗層之方法的流程圖。
圖 4為根據本發明之一些實施例的用於(A)形成物件、(B)再加工物件及(C)修整物件之方法的示意圖。
100:方法
102,104,106:步驟

Claims (10)

  1. 一種用於自物件移除塗層之方法，該方法包含： 獲得物件， 其中該物件包含： 基板，其包含含鎂金屬體，其中該含鎂金屬體包含第一金屬組分； 塗層，其包含第二金屬組分；及 蝕刻終止層，其中該蝕刻終止層包含氟化鎂且位於該含鎂金屬體與該塗層之間；以及 自該物件移除至少一部分該塗層。
  2. 如請求項1之方法，其中該基板包含充氣室、溝槽、界定孔之結構、界定通道之結構、界定空腔之結構或其任何組合中的至少一者。
  3. 如請求項1之方法，其中該塗層為以下中之至少一者： 已自先前狀態經化學改質之塗層， 具有已自先前狀態經改質之表面的塗層， 具有已自先前狀態經改質之厚度的塗層， 具有非均勻厚度之塗層， 不符合應用規格之塗層， 具有製造缺陷之塗層，或 其任何組合。
  4. 如請求項1之方法，其中該第二金屬組分及該第一金屬組分皆包含鎂、鋁、釩、鐵、鎳、鉻、鋅、鉬、鈦、鋰、銅、錳、矽、銅、錳或其任何組合中之至少一者。
  5. 如請求項1之方法，其中該第一金屬組分包含鋁；且該第二金屬組分包含鋁。
  6. 如請求項1之方法，其中該蝕刻終止層為位於該基板之表面處及下方的蝕刻終止區域。
  7. 如請求項1之方法，其中該移除包含使該塗層與蝕刻劑接觸。
  8. 如請求項1之方法，其中移除之塗層厚度與移除之蝕刻終止層厚度的比率至少為2:1。
  9. 一種用於形成物件之方法，該方法包含： 獲得基板， 其中該基板包含含鎂金屬體， 其中該含鎂金屬體包含第一金屬組分； 使該基板暴露於反應性氣相以在該基板之表面處及下方形成蝕刻終止層， 其中該反應性氣相包含與該含鎂金屬體之鎂反應形成氟化鎂的氟組分；以及 在該蝕刻終止層上形成塗層， 其中該塗層包含第二金屬組分。
  10. 一種物件，其包含： 基板， 其中該基板包含含鎂金屬體， 其中該含鎂金屬體包含第一金屬組分， 其中該基板不為晶圓基板， 其中該基板不為積體電路； 塗層， 其中該塗層包含第二金屬組分；及 位於該基板與該塗層之間的蝕刻終止層， 其中該蝕刻終止層包含形成於該基板之表面處及下方之氟化鎂。
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