TW202319164A - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種加工方法，其在對被加工物實施從被加工物去除不需要區域之加工來獲得任意的需要區域的情況下，不會使裂隙擴展至需要區域側，而可獲得所期望的加工結果。 [解決手段]一種包含需要區域與不需要區域之被加工物之加工方法，包含以下步驟：防護壁形成步驟，在規定需要區域與不需要區域之交界的區域，照射對被加工物具有穿透性之波長的雷射光線，來形成複數個由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成的屏護通孔，而形成防護壁；及不需要區域去除步驟，在實施該防護壁形成步驟之後，將不需要區域去除。

Description

加工方法
本發明是有關於一種包含需要區域與不需要區域之被加工物之加工方法。
正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃的IC、LSI等複數個器件之晶圓，是藉由切割裝置、雷射加工裝置而被分割成一個個的器件晶片，且經分割之器件晶片可利用在行動電話、個人電腦等的電氣機器上。
雷射加工裝置大致是由工作夾台、拍攝單元、雷射光線照射單元與加工進給機構所構成，且可以高精度地加工晶圓，前述工作夾台保持晶圓，前述拍攝單元對已保持在該工作夾台之晶圓進行拍攝並檢測應加工區域，前述雷射光線照射單元對已保持在該工作夾台之晶圓照射雷射光線，前述加工進給機構將該工作夾台與該雷射光線照射單元相對地加工進給(參照例如專利文獻1)。
雷射光線照射單元具有以下類型之構成：照射對晶圓具有吸收性之波長的雷射光線來施行燒蝕加工的類型(參照例如專利文獻2)、照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線來施行在內部形成改質層之內部加工的類型(參照例如專利文獻3)、以對晶圓具有穿透性之波長並且將聚光器的數值孔徑(NA)除以晶圓的折射率(N)之值在0.05~0.2的範圍來照射雷射光線，而在內部形成由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成之屏護通孔的類型(參照例如專利文獻4)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-085347號公報 專利文獻2：日本特開2004-188475號公報 專利文獻3：日本特許第3408805號公報 專利文獻4：日本特開2014-221483號公報
發明欲解決之課題
順道一提，例如在被加工物為正面形成有被分割預定線所區劃的複數個器件之晶圓，且在該分割預定線上形成有稱為TEG(測試元件群，Test Elementary Group)之用於進行器件的評價或管理之金屬層的情況下，必須在對該分割預定線照射雷射光線來進行加工時，加強雷射光線的功率來照射。其結果，會有以下問題：起因於照射該雷射光線的裂隙擴展到從該分割預定線超出之形成有器件的需要區域，而對器件造成損傷。
上述之問題並不一定受限於在分割預定線上配設有TEG之情況，即便在分割預定線上未形成有TEG的情況下，仍然可能在以下情況下產生上述的裂隙的問題：起因於構成晶圓之素材的結晶構造，在分割預定線上照射雷射光線時，裂隙容易擴展到從分割預定線超出之區域之情況，又，在藉由旋轉自如地被保持之切削刀片沿著分割預定線來切削而分割成一個個的器件晶片之情況。此外，如此之問題並不受限於正面形成有被分割預定線所區劃的複數個器件之晶圓的沿著分割預定線來實施雷射加工之情況，即使是在從板狀的被加工物去除不需要區域並對任意的形狀之需要區域進行分割的情況下，也可能會產生裂隙從不需要區域側擴展至需要區域側因而無法得到所期望的加工結果之問題。
據此，本發明之目的在於提供一種加工方法，其在對被加工物實施從被加工物去除不需要區域之加工來獲得任意的需要區域的情況下，不會使裂隙擴展至需要區域側，而可獲得所期望的加工結果。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種加工方法，是包含需要區域與不需要區域之被加工物之加工方法，並具備有以下步驟： 防護壁形成步驟，對規定該需要區域與該不需要區域之交界的區域，照射對該被加工物具有穿透性之波長的雷射光線，來形成複數個由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成的屏護通孔，而形成防護壁；及 不需要區域去除步驟，在實施該防護壁形成步驟之後，將該不需要區域去除。
較佳的是，在該防護壁形成步驟中所形成的該屏護通孔是形成為相鄰的屏護通孔的改質筒彼此接觸。較佳的是，該防護壁形成步驟包含以下步驟： 第一防護壁形成步驟，空出至少1個屏護通孔的分量的間隔，在分割預定線連續形成屏護通孔；及 第二防護壁形成步驟，對分割預定線之已空出該間隔的區域連續形成屏護通孔。 較佳的是，在該第一防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔與在該第二防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔，是在被加工物的厚度方向上交互地設置高低差而形成。較佳的是，該防護壁形成步驟是在厚度方向上積層屏護通孔。
較佳的是，該防護壁形成步驟包含以下步驟： 第三防護壁形成步驟，在厚度方向上積層屏護通孔時，在該第一防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔的上部形成屏護通孔；及 第四防護壁形成步驟，在該第二防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔的上部形成屏護通孔。 較佳的是，在該防護壁形成步驟中，在厚度方向上積層屏護通孔時，以不接觸到下部的屏護通孔的方式積層上部的屏護通孔。
較佳的是，該被加工物是正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃的複數個器件之晶圓，該需要區域是形成有器件之區域，該不需要區域是形成有分割預定線之區域，在該防護壁形成步驟中，是在規定該分割預定線的寬度之分割預定線的兩側形成該防護壁，在不需要區域去除步驟中，是實施分割預定線去除加工，前述分割預定線去除加工是將被夾在該一對防護壁之間的不需要區域即分割預定線去除。較佳的是，分割預定線去除加工是以下之任一種：照射雷射光線之雷射加工、或藉由切削刀片實施之切削加工。較佳的是，在該防護壁形成步驟中所照射之雷射光線的波長為532nm，每1脈衝的功率為2.0~4.0．10 -5J，且光斑的間隔為10~15μm。
再者，本發明中的需要區域是指：在從被加工物藉由雷射加工、切削加工等而被分割後可直接在其他的步驟中使用之區域；不需要區域是指：在施行該加工後不會直接被使用之區域，可為例如廢棄之區域、供回收使用之區域。 發明效果
根據本發明，即使照射功率強的雷射光線、或藉由切削刀片來將不需要區域破壞並去除，仍然可藉由防護壁來防止裂隙擴展到形成有需要區域之區域的情形，而可解決對所分割之需要區域造成損傷之問題。
用以實施發明之形態
以下，一邊參照附加圖式一邊說明適合於實施本發明實施形態之加工方法的雷射加工裝置，並於之後說明本實施形態之加工方法。
在圖1顯示有雷射加工裝置1的整體立體圖。雷射加工裝置1具備有：保持單元3，配設於基台2上，且保持後述之晶圓10(參照圖2)；移動機構4，使該保持單元3在X軸方向以及Y軸方向上移動；拍攝單元6，對已保持在保持單元3之晶圓10進行拍攝；及雷射光線照射單元7，對已保持在保持單元3之晶圓10照射雷射光線來施行所期望的加工。又，具備有由垂直壁部5a以及水平壁部5b所構成之框體5，前述垂直壁部5a豎立設置於移動機構4的側邊，前述水平壁部5b從該垂直壁部5a的上端部朝水平方向延伸。拍攝單元6以及雷射光線照射單元7是容置在水平壁部5b的內部並被保持。
如圖1所示，保持單元3包含在X軸方向上移動自如地搭載在基台2之矩形狀的X軸方向可動板31、在Y軸方向上移動自如地搭載在X軸方向可動板31之矩形狀的Y軸方向可動板32、固定在Y軸方向可動板32的上表面之圓筒狀的支柱33、與固定在支柱33的上端之矩形狀的罩板34。在罩板34上配設有工作夾台35，前述工作夾台35通過已形成在罩板34上之長孔而朝上方延伸。工作夾台35是將以X座標以及Y座標所特定出之XY平面作為保持面來保持晶圓10之組件，且構成為可藉由已容置於支柱33內之省略圖示的旋轉驅動組件來旋轉。於工作夾台35的上表面配設有吸附夾頭36，前述吸附夾頭36由具有通氣性的多孔質材料所形成且構成該保持面。吸附夾頭36是藉由通過支柱33之流路而連接到未圖示之吸引組件，且在吸附夾頭36的周圍以等間隔方式配置有可在將後述之晶圓10保持在工作夾台35時使用的4個夾具37。可藉由使該吸引組件作動，而藉由吸附夾頭36來吸引保持晶圓10。
移動機構4具備有：X軸移動機構4a，在X軸方向上移動上述之工作夾台35；及Y軸移動機構4b，在Y軸方向上移動工作夾台35。X軸移動機構4a將馬達42a的旋轉運動透過滾珠螺桿42b來轉換成直線運動並傳達至X軸方向可動板31，而使X軸方向可動板31沿著在基台2上沿著X軸方向配設之一對引導軌道2A、2A在X軸方向上移動。Y軸移動機構4b將馬達44a的旋轉運動透過滾珠螺桿44b來轉換成直線運動並傳達至Y軸方向可動板32，而使Y軸方向可動板32沿著在X軸方向可動板31上沿著Y軸方向而配設之一對引導軌道31a、31a在Y軸方向上移動。
上述之雷射加工裝置1可藉由省略圖示之控制器來控制。該控制器是由電腦所構成，並具備有依照控制程式進行運算處理之中央運算處理裝置(CPU)、保存控制程式等之唯讀記憶體(ROM)、用於暫時保存檢測出的檢測值、運算結果等之可讀寫的隨機存取記憶體(RAM)、輸入介面、以及輸出介面(省略了有關細節的圖示)。以下構件可連接到該控制器而被控制：拍攝單元6、雷射光線照射單元7、構成移動機構4之X軸移動機構4a、Y軸移動機構4b等。
可藉由依據本發明而構成之加工方法來加工之被加工物，可為例如圖2所示之晶圓10。晶圓10可為如圖3(d)所示具有正面10a及背面10b之例如呈100μm左右的厚度，且複數個器件12被交叉之複數條分割預定線14區劃且形成於正面10a之SiC晶圓。晶圓10在藉由上述之雷射加工裝置1進行加工時，是透過黏著膠帶T被具有可容置晶圓10之開口部Fa的環狀框架F所支撐，且作為晶圓單元13來投入雷射加工裝置。
於圖2顯示有將晶圓10的一部分放大之立體圖，如從該放大的立體可理解地，在形成於本實施形態之晶圓10的正面10a之分割預定線14上，配設有用於進行器件12的評價或管理之金屬層即TEG16。
在本實施形態的加工方法中，是如以下所說明地藉由對晶圓10施行加工，而在晶圓10中去除不需要區域即分割預定線14，並將需要區域即形成有器件12之區域分割成一個個的晶片。
在本實施形態的加工方法中，首先是實施防護壁形成步驟，前述防護壁形成步驟是對規定需要區域即形成有器件12之區域、與不需要區域即分割預定線14之交界的區域，照射對該晶圓10具有穿透性之波長的雷射光線，來形成由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成的複數個屏護通孔，而形成防護壁。針對實施本實施形態的防護壁形成步驟之程序，更具體地說明。
在實施防護壁形成步驟時，在準備了上述之晶圓10後，將晶圓10載置並吸引保持於圖1所示之雷射加工裝置1的工作夾台35，並藉由夾具37來夾持並固定框架F。接著，作動上述之移動機構4，將晶圓10定位到拍攝單元6的正下方來拍攝，並檢測該晶圓10的器件12、分割預定線14之位置資訊。此外，依據該位置資訊，作動該移動機構4等，使晶圓10的朝第一方向伸長之預定的分割預定線14對齊於X軸方向。
接著，如圖3(a)所示，將晶圓10定位在雷射光線照射單元7的聚光器71的正下方，並依據藉由拍攝單元6所檢測出之位置資訊，一邊作動該X軸移動機構4a來將晶圓10朝X軸方向加工進給，一邊將雷射光線LB1照射在規定器件12與分割預定線14之交界的區域，而如從將分割預定線14的一部分放大而顯示之圖3(c)所可理解地，形成2條防護壁100。在本實施形態中，如從圖3(c)所可理解地，規定器件12與分割預定線14之交界的區域是指規定不需要區域即分割預定線14的寬度之分割預定線14的兩側之區域。
在照射上述之雷射光線LB1時，構成本實施形態之雷射光線照射單元7的聚光器71之聚光透鏡的數值孔徑(NA)是設定成例如，除以晶圓10的折射率(N)之值會在0.05~0.2之範圍，並將雷射光線LB1的波長設為對晶圓10具有穿透性之532nm，將平均輸出設為0.2~0.4W，將重複頻率設為10kHz，將每1脈衝的能量設為2.0~4.0．10 -5J，並將光斑的間隔設定為10~15μm。藉由依據如此的雷射加工條件來將聚光點定位在晶圓10的內部並照射雷射光線LB1，如圖3(d)所示，可形成屏護通孔102、104。如圖3(e)所示，該屏護通孔102、104是由細孔130、與圍繞細孔130之改質筒140所構成。例如，細孔130的直徑為約1μm，改質筒140的直徑為約10μm。藉由使該屏護通孔102、104相鄰而連續地形成，而沿著分割預定線14形成上述之防護壁100。在形成防護壁100時所照射之雷射光線LB1的每1脈衝的能量，是設定為不致成為沿著分割預定線14分割晶圓10時的分割起點的程度之值。
在形成圖3之(c)、(d)所示之防護壁100之時，是例如首先實施第一防護壁形成步驟，前述第一防護壁形成步驟是沿著規定上述之器件12與分割預定線14之交界的區域，空出至少1個屏護通孔的分量的間隔(約10~13μm)而連續形成屏護通孔102。接著，實施第二防護壁形成步驟，前述第二防護壁形成步驟是對已空出該間隔之區域連續形成屏護通孔104。亦即，沿著X軸方向交互地形成屏護通孔102與屏護通孔104來形成防護壁100。如此，在形成防護壁100時，藉由在時間上隔著間隔來實施第一防護壁形成步驟與第二防護壁形成步驟，可避免在以連續相鄰的方式照射雷射光線LB1的情況下所產生之熱積聚的影響，且可以避免在形成該屏護通孔102、104的情況下所產生之往需要區域(形成有器件12之區域)的裂隙的擴展。 再者，在上述之實施形態中，隔著時間上的間隔來形成第一防護壁形成步驟與第二防護壁形成步驟之作法，是如上述地為了避免熱積聚的影響，原因在於：在縮短屏護通孔102的間隔而僅實施第一防護壁形成步驟的情況下，形成屏護通孔102時產生之熱的散發會不充分，因而無法避免裂隙往需要區域(形成有器件12之區域)的擴展。較佳的是，在第一防護壁形成步驟與第二防護壁形成步驟中的雷射加工條件是相同的，但亦可採用不同的雷射加工條件。
如上述，只要在第一方向上沿著預定的分割預定線14形成2條由屏護通孔102、104所構成之防護壁100後，即可將晶圓10朝Y軸方向分度進給，並將在Y軸方向上相鄰之未加工的朝第一方向伸長之分割預定線14定位到聚光器71的正下方。然後，和上述同樣地，將雷射光線LB1的聚光點定位在晶圓10之規定出分割預定線14的寬度的區域的內部來進行照射，並依序執行上述之第一防護壁形成步驟與第二防護壁形成步驟。藉此，形成屏護通孔102、104而形成2條防護壁100。同樣地將晶圓10朝X軸方向以及Y軸方向加工進給，並且沿著朝第一方向伸長之全部的分割預定線14都形成2條防護壁100。接著，使晶圓10朝箭頭R1所示之方向旋轉90度，使朝和已經形成有防護壁100之分割預定線14正交之第二方向伸長之分割預定線14對齊於X軸方向。並且，對於剩餘的規定器件12與分割預定線14之交界的區域的內部，也和上述之作法同樣地定位雷射光線LB1的聚光點並進行照射，而如圖3(b)所示，藉由和已形成於晶圓10的正面10a之全部的分割預定線14對應來形成防護壁100，而完成本實施形態的防護壁形成步驟。
在實施上述之防護壁形成步驟後，實施將不需要區域即分割預定線14去除之不需要區域去除步驟。更具體而言，是將和全部的分割預定線14對應而形成有上述防護壁100之晶圓10搬送到圖4(a)所示之雷射加工裝置20(僅顯示一部分)。雷射加工裝置20具備有省略圖示之保持單元、對已保持在該保持單元之晶圓10照射雷射光線LB2之雷射光線照射單元21、使該保持單元與雷射光線照射單元21在X軸方向上相對地加工進給之X軸進給組件、使該保持單元與雷射光線照射單元21在和X軸方向正交之Y軸方向上相對地加工進給之Y軸進給組件、與使該保持單元旋轉之旋轉驅動組件(皆省略圖示)。
搬送至雷射加工裝置20，且已保持在該保持單元之晶圓10可使用配設在雷射加工裝置20之校準組件(省略圖示)來實施校準步驟，檢測已形成於正面10a之分割預定線14的位置，並且藉由該旋轉驅動組件來旋轉晶圓10，使第一方向之分割預定線14對齊於X軸方向。所檢測出之分割預定線14的位置之資訊會記憶於未圖示之控制器。
依據藉由上述之校準步驟所檢測出之分割預定線14的位置資訊，將雷射光線照射單元21的聚光器22定位在朝第一方向伸長之預定的分割預定線14的加工開始位置，並將雷射光線LB2的聚光點定位在晶圓10的正面10a來照射，並且將晶圓10和該保持單元一起朝X軸方向加工進給，而沿著在晶圓10的第一方向上伸長之預定的分割預定線14實施燒蝕加工。藉此，形成沿著分割預定線14分割晶圓10之去除溝200。該去除溝200是如圖4(a)的右方將晶圓10的一部分放大而顯示地，形成為將被已形成在規定出分割預定線14的寬度的兩側之防護壁100夾在之間的不需要區域去除，且從雷射光線照射單元21所射出之雷射光線LB2是對構成晶圓10之例如SiC具有吸收性之波長(例如355nm)的雷射光線。
如上述，若已沿著在第一方向上伸長之預定的分割預定線14形成去除溝200後，即可將晶圓10朝Y軸方向分度進給相當於分割預定線14之間隔，而將在Y軸方向上相鄰之未加工的分割預定線14定位到聚光器22的正下方。然後，與上述提到的同樣地，將雷射光線LB2的聚光點定位在晶圓10的分割預定線14的正面來照射，且將晶圓10朝X軸方向加工進給來形成去除溝200。同樣地將晶圓10朝X軸方向以及Y軸方向加工進給，而沿著在第一方向上伸長之分割預定線14形成該去除溝200。接著，使晶圓10朝以箭頭R2表示之方向旋轉90度，使朝和已經形成有去除溝200之第一方向的分割預定線14正交之未形成有去除溝200之第二方向伸長之分割預定線14對齊於X軸方向。然後，對其餘的各分割預定線14，也和上述之作法同樣地定位雷射光線LB2的聚光點並進行照射，而如圖4(b)所示，實施沿著已形成於晶圓10之全部的分割預定線14形成去除溝200之分割預定線去除加工。藉由以上，可從晶圓10分割器件12，而完成不需要區域去除步驟。
再者，在本發明中所實施之不需要區域去除步驟，並不限定於由上述之雷射光線LB2的照射所進行之雷射加工。例如，亦可將於全部的分割預定線14形成有防護壁100之晶圓10搬送到圖5所示之切削裝置50(僅顯示有一部分)，並藉由該切削裝置50來執行。
切削裝置50具備吸引保持晶圓10之工作夾台(省略圖示)、與對已吸引保持在該工作夾台之晶圓10進行切削之切削單元52。該工作夾台是旋轉自如地構成，且具備有將工作夾台朝圖中以箭頭X表示之方向加工進給之移動機構(省略圖示)。又，切削單元52具備旋轉自如地被圖中朝以箭頭Y表示之Y軸方向配設之主軸殼體53保持之主軸54、與保持在主軸54的前端之環狀的切削刀片56，且具備有使切削刀片56在Y軸方向上分度進給之Y軸移動機構(省略圖示)。主軸54可藉由省略圖示之主軸馬達而被旋轉驅動。
在實施不需要區域去除步驟時，首先是將晶圓10的正面10a朝向上方來載置在切削裝置50的工作夾台並進行吸引保持，且使晶圓10的在第一方向上伸長之分割預定線14對齊於X軸方向，並且實施和切削刀片56的對位。接著，在已對齊於X軸方向之分割預定線14中，將已高速旋轉之切削刀片56定位在被已形成在規定出分割預定線14的寬度的兩側之防護壁100夾在之間的不需要區域，並從正面10a側切入，並且將工作夾台朝X軸方向加工進給來形成分割晶圓10之去除溝220。此外，將切削單元52的切削刀片56分度進給到在Y軸方向上相鄰於形成有去除溝220之分割預定線14，且未形成有去除溝220之相鄰的分割預定線14上，並與上述同樣地實施形成去除溝220之切削加工。藉由重複這些作法，而沿著朝X軸方向沿著之全部的分割預定線14形成去除溝220。接著，將工作夾台朝以箭頭R3表示之方向旋轉90度，使朝和先前形成有去除溝220之第一方向正交之第二方向對齊於X軸方向，並對新對齊於X軸方向之全部的分割預定線14實施上述之切削加工，而沿著形成於晶圓10之全部的分割預定線14形成該去除溝220。如此進行來實施切削步驟，且實施將晶圓10沿著分割預定線14分割成按每個器件12的器件晶片之分割預定線去除加工，而完成不需要區域去除步驟，並和圖4(b)所示之晶圓10同樣地分割需要區域即器件12。
如上述，在本實施形態中，由於在實施將不需要區域即分割預定線14去除之不需要區域去除步驟時，對規定形成有器件12之需要區域與形成有分割預定線14之不需要區域之交界的區域，照射對晶圓10具有穿透性之波長的雷射光線來形成由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成之屏護通孔102、104而形成有防護壁100，所以即使照射功率較強的雷射光線，或是藉由切削刀片來將分割預定線14破壞而去除，仍然可藉由防護壁100防止裂隙擴展至需要區域即形成有器件12的區域之情形，而解決對可被分割成一個個的器件12造成損傷之問題。
本發明並不限定於上述之實施形態。在上述的防護壁形成步驟中形成屏護通孔時，亦可形成為：在晶圓10的厚度方向上照射雷射光線LB1時將聚光點的位置在上下方向上錯開，藉此使屏護通孔積層。例如，在對500μm的厚度之晶圓10實施之該防護壁形成步驟中，如從圖6所示之晶圓10的剖面圖可理解地，執行空出至少1個屏護通孔的分量的間隔在晶圓10的已對齊於X軸方向之分割預定線14連續形成屏護通孔111之第一防護壁形成步驟，並執行對分割預定線14之已空出該間隔的區域連續形成屏護通孔112之第二防護壁形成步驟。接著，亦可設成：執行在該已形成之屏護通孔111的上部形成屏護通孔113之第三防護壁形成步驟，且執行在該第二防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔112的上部形成屏護通孔114之第四防護壁形成步驟。在圖6所示之實施形態中，除了上述之第一~四的防護壁形成步驟以外，還實施以進一步在屏護通孔113、114積層的方式形成屏護通孔115、116之第五、第六防護壁形成步驟，來形成防護壁110。並且，將照射形成屏護通孔111~116之雷射光線LB1時的聚光點的位置定位成在上下方向上錯開，而在厚度方向上積層屏護通孔，藉此，即使是對有較厚厚度的被加工物，也可有效地形成防止裂隙的擴展之防護壁110。
在圖6所示之實施形態中，在執行該第一防護壁形成步驟之後，在執行第二防護壁形成步驟時，在第一防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔111與在第二防護壁形成步驟中已形成之屏護通孔112，是在晶圓10的厚度方向上交互地設置高低差而形成。藉此，在對有較厚厚度的被加工物實施去除不需要區域之加工時，可更有效地避免因熱積聚所造成之影響，且可藉由防護壁110防止裂隙擴展至需要區域。在本實施形態中，在第三~第六防護壁形成步驟中形成屏護通孔113~116時，也是在厚度方向上交互地設置高低差來形成。再者，在上述之第一~第六防護壁形成步驟中，在厚度方向上積層屏護通孔時，是將上部的屏護通孔以不接觸到下部的屏護通孔的方式來積層。藉此，可以抑制讓上部的屏護通孔形成為接觸於下部的屏護通孔時產生的裂隙。又，在該防護壁形成步驟中所形成之屏護通孔中，若以相鄰的屏護通孔的改質筒彼此接觸的方式來形成，可以在實施不需要區域去除步驟時有效地防止裂隙從不需要區域擴展至需要區域之情形。
又，在上述之實施形態中，雖然說明了被加工物是複數個器件12被交叉之複數條分割預定線14區劃且形成在正面10a之晶圓10的情況，但本發明並非限定於此。例如，被加工物亦可為圖7的左側所示之藉由中央的大致矩形狀所區劃出之需要區域62、與圍繞該需要區域62之外周側的不需要區域64所形成之SiC的圓形的板狀構件60。以本發明的加工方法加工該板狀構件60時，是將該板狀構件60透過黏著膠帶而藉由省略圖示之環狀的框架來保持，並搬送至上述之雷射加工裝置1。接著，實施防護壁形成步驟，前述防護壁形成步驟是對規定該需要區域62與不需要區域64之交界的區域的內部，定位對板狀構件60具有穿透性之波長例如532nm的雷射光線的聚光點來進行照射，而形成由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成的屏護通孔，並沿著該需要區域62的外周形成防護壁120。再者，針對該防護壁形成步驟，由於是藉由和上述之防護壁形成步驟的防護壁100、110同樣的條件來實施之步驟，所以省略詳細的說明。
若如上述地形成防護壁120後，即實施不需要區域去除步驟，前述不需要區域去除步驟是沿著該防護壁120，將圍繞需要區域62之不需要區域64去除。該不需要區域去除步驟是藉由例如以上述之雷射加工裝置20所進行之雷射加工來執行之步驟，且如於圖7的右側將一部分放大而顯示地，沿著防護壁120的外側照射對板狀構件60具有吸收性之波長的上述的雷射光線LB2，而形成將板狀構件60分割之第一去除溝131，並從上述之第一去除溝131形成朝板狀構件60的外周緣放射狀地延伸之複數個第二去除溝132。如此進行，可以藉由形成第一去除溝131、第二去除溝132，而將板狀構件60的不需要區域64去除而僅得到需要區域62。此時，不會產生裂隙從不需要區域64對需要區域擴展而損傷該需要區域62之問題。
1,20:雷射加工裝置 2:基台 2A,31a:引導軌道 3:保持單元 4:移動機構 4a:X軸移動機構 4b:Y軸移動機構 5:框體 5a:垂直壁部 5b:水平壁部 6:拍攝單元 7,21:雷射光線照射單元 10:晶圓 10a:正面 10b:背面 12:器件 13:晶圓單元 14:分割預定線 16:TEG 31:X軸方向可動板 32:Y軸方向可動板 33:支柱 34:罩板 35:工作夾台 36:吸附夾頭 37:夾具 42a,44a:馬達 42b,44b:滾珠螺桿 50:切削裝置 52:切削單元 53:主軸殼體 54:主軸 56:切削刀片 60:板狀構件 62:需要區域 64:不需要區域 71,22:聚光器 100,110,120:防護壁 102,104,111~116:屏護通孔 130:細孔 131:第一去除溝 132:第二去除溝 140:改質筒 200,220:去除溝 F:環狀框架 Fa:開口部 LB1,LB2:雷射光線 R1~R3:箭頭 T:黏著膠帶 X,Y:方向
圖1是適合於實施本發明之加工方法的雷射加工裝置的整體立體圖。 圖2是本實施形態之被加工物即晶圓的立體圖。 圖3之(a)是顯示防護壁形成步驟的立體圖，(b)是防護壁形成步驟完成後之晶圓單元的立體圖，(c)是將已實施防護壁形成步驟之晶圓的一部分放大而顯示的平面圖，(d)是將第一以及第二防護壁形成步驟完成後之晶圓的一部分放大而顯示的剖面圖，(e)是改質筒的示意的立體圖。 圖4之(a)是藉由雷射加工來實施不需要區域去除步驟之形態的立體圖，(b)是完成不需要區域去除步驟後之晶圓單元的立體圖。 圖5是顯示藉由切削加工來實施不需要區域去除步驟之態樣的立體圖。 圖6是顯示防護壁形成步驟之其他的實施形態的局部放大剖面圖。 圖7是顯示被加工物之其他的實施形態的平面圖。
7:雷射光線照射單元
10:晶圓
10a:正面
10b:背面
12:器件
13:晶圓單元
14:分割預定線
16:TEG
71:聚光器
100:防護壁
102,104:屏護通孔
130:細孔
140:改質筒
F:環狀框架
LB1:雷射光線
R1:箭頭
T:黏著膠帶
X,Y:方向

Claims (10)

  1. 一種加工方法，是包含需要區域與不需要區域之被加工物之加工方法，並具備有以下步驟： 防護壁形成步驟，對規定該需要區域與該不需要區域之交界的區域，照射對該被加工物具有穿透性之波長的雷射光線，來形成複數個由細孔與圍繞該細孔之改質筒所構成的屏護通孔，而形成防護壁；及 不需要區域去除步驟，在實施該防護壁形成步驟之後，將該不需要區域去除。
  2. 如請求項1之加工方法，其中在該防護壁形成步驟中所形成的前述屏護通孔是形成為相鄰的該屏護通孔的該改質筒彼此接觸。
  3. 如請求項1之加工方法，其中該防護壁形成步驟包含以下步驟： 第一防護壁形成步驟，空出至少1個該屏護通孔的分量的間隔，在該分割預定線連續形成該屏護通孔；及 第二防護壁形成步驟，對該分割預定線之已空出該間隔的區域連續形成該屏護通孔。
  4. 如請求項3之加工方法，其中在該第一防護壁形成步驟中已形成之該屏護通孔、與在該第二防護壁形成步驟中已形成之該屏護通孔，是在該被加工物的厚度方向上交互地設置高低差而形成。
  5. 如請求項1之加工方法，其中該防護壁形成步驟是在厚度方向上積層該屏護通孔。
  6. 如請求項5之加工方法，其中該防護壁形成步驟包含以下步驟： 第三防護壁形成步驟，在厚度方向上積層該屏護通孔時，在該第一防護壁形成步驟中已形成之該屏護通孔的上部形成屏護通孔；及 第四防護壁形成步驟，在該第二防護壁形成步驟中已形成之該屏護通孔的上部形成屏護通孔。
  7. 如請求項5或6之加工方法，其中在該防護壁形成步驟中，在厚度方向上積層該屏護通孔時，以不接觸到下部的該屏護通孔的方式積層上部的該屏護通孔。
  8. 如請求項1之加工方法，其中該被加工物是正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃的複數個器件之晶圓， 該需要區域是形成有該器件之區域，該不需要區域是形成有該分割預定線之區域， 在該防護壁形成步驟中，是在規定該分割預定線的寬度之該分割預定線的兩側形成該防護壁， 在不需要區域去除步驟中，是實施分割預定線去除加工，前述分割預定線去除加工是將被夾在該一對防護壁之間的不需要區域即該分割預定線去除。
  9. 如請求項8之加工方法，其中該分割預定線去除加工是照射雷射光線之雷射加工、或藉由切削刀片所實施之切削加工。
  10. 如請求項1之加工方法，其中在該防護壁形成步驟中所照射之雷射光線的波長為532nm，每1脈衝的能量為2.0~4.0．10 -5J，且光斑的間隔為10~15μm。
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