TW202314664A - 半導體裝置 - Google Patents
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Abstract
目的是提供可順利地顯示影像而無信號延遲或失真的顯示裝置。該顯示裝置包括第一閘極驅動器和第二閘極驅動器。第一閘極驅動器和第二閘極驅動器分別包括複數個正反電路和複數個傳送信號產生電路。正反電路和傳送信號產生電路兩者皆為以半時脈週期延遲,將輸入之信號輸出至第一輸入端的電路。另外,傳送信號產生電路的輸出端直接連接至在下一級之正反電路的第一輸入端。因此,可減少從傳送信號產生電路輸入至正反電路的信號之延遲和失真。
Description
本發明的實施例是關於由主動陣列模式所驅動的顯示裝置,以及包括該顯示裝置的電子裝置。
由主動陣列模式所驅動的顯示裝置包括:例如作用如畫素中的開關之電晶體的元件、電連接至該畫素並在該開關導通時將影像信號輸出至該畫素的驅動電路(源極驅動器)、以及控制開關之切換的驅動電路(閘極驅動器)。
此外,該電晶體不僅可作用如畫素中的開關,亦可形成閘極驅動器。因此,開發出一種顯示裝置,其包括使用電晶體所形成之畫素中的開關和閘極驅動器,且該等電晶體是使用設置於絕緣基板上的非單晶半導體所形成。
上述閘極驅動器被設置為靠近顯示裝置的畫素部份。但被設置為靠近畫素部份一側的閘極驅動器會導致顯示部份比其他側更靠近某一側。所以,開發出一種具有閘極驅動器的顯示裝置,且該等閘極驅動器是藉由分割位於畫素
部份之左右兩側的閘極驅動器所形成(舉例來說,見專利文件1)。
第10圖解說專利文件1所揭示之顯示裝置的結構。在第10圖所解說之顯示裝置中,將第一閘極驅動器1002A和第二閘極驅動器1002B設置為互相面對,且其間夾有畫素部份1001。第一閘極驅動器1002A的輸出端電連接至奇數閘極線。第一閘極驅動器1002B的輸出端電連接至偶數閘極線。也就是說,第一閘極驅動器1002A控制源極驅動器和位於畫素部份1001中之奇數線上的畫素之間的電連接,而第二閘極驅動器1002B控制源極驅動器和位於畫素部份1001中之偶數線上的畫素之間的電連接。
此外,第一閘極驅動器1002A和第二閘極驅動器1002B分別包括複數個移位暫存器。第一移位暫存器(SRC1)的輸出端是經由第一閘極線10031電連接至第二移位暫存器(SRC2)的輸入端之一。第二移位暫存器(SRC2)的輸出端是經由第二閘極線10032電連接至第三移位暫存器(SRC3)的輸入端之一。以類似方式,第k移位暫存器(SRCk)的輸出端是經由第k閘極線1003k電連接至第(k+1)移位暫存器(SRCk+1)的輸入端之一。也就是說,用於設置在某一條線上之源極驅動器和畫素之間的電連接之信號,是被用來作為移位暫存器的起始脈衝信號,且該移位暫存器的輸出端是連接至設置於下一條線之畫素。
[專利文件1]日本專利第4163416號
延伸於畫素部份的閘極線具有各種寄生電容和寄生電阻。特別是,由該閘極線所持有之寄生電容和寄生電阻的影響會隨著畫素部份的品質提高而變大。如上所述,在第10圖所解說之顯示裝置中,移位暫存器的起始脈衝信號是經由閘極線所輸入。因此,可以說在第10圖所解說之顯示裝置中,信號將很可能因解析度和尺寸增加而成為延遲或失真信號。
鑒於上述問題,本發明的實施例之目的是提供能夠順利地顯示影像的顯示裝置。
此外,本發明的實施例之目的是提供使用單極電晶體來形成其閘極驅動器的顯示裝置。
此外,本發明的實施例之目的是提供包括電路面積縮減之閘極驅動器的顯示裝置。
本發明的實施例為顯示裝置。該顯示裝置包括:複數個閘極線,被設置為互相平行或大致平行;第一閘極驅動器,電連接至奇數列中的各閘極線;以及第二閘極驅動器,電連接至偶數列中的各閘極線。第一閘極驅動器包括第k正反電路和第k傳送信號產生電路(k是等於或大於3的奇數)。在第k正反電路中,輸出端電連接至第k閘極線,第一輸入端電連接至第(k-2)傳送信號產生電路的輸出端,第二輸入端電連接至時脈信號線,而第三輸入端電連接至用於第k正反電路的停止脈衝信號線。在第k傳送信
號產生電路中,輸出端電連接至第(k+2)正反電路的第一輸入端,第一輸入端電連接至第k正反電路的輸出端,第二輸入端電連接至反向時脈信號線,而第三輸入端電連接至用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號線。第二閘極驅動器包括第(k+1)正反電路和第(k+1)傳送信號產生電路。在第(k+1)正反電路中,輸出端電連接至第(k+1)閘極線,第一輸入端電連接至第(k-1)傳送信號產生電路的輸出端,第二輸入端電連接至該反向時脈信號線,而第三輸入端電連接至用於第(k+1)正反電路的停止脈衝信號線。在第(k+1)傳送信號產生電路中,輸出端電連接至第(k+3)正反電路的第一輸入端,第一輸入端電連接至第(k+1)正反電路的輸出端,第二輸入端電連接至該時脈信號線,而第三輸入端電連接至用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號線。
此外,第k正反電路的結構與第k傳送信號產生電路的結構相同之顯示裝置亦為本發明之實施例。
應注意,上述停止脈衝信號線是將停止脈衝信號輸入至各電路的線路。
具體來說,可將第k傳送信號產生電路的輸出信號用來作為用於第k正反電路的停止脈衝信號。
或是,可將第(k+1)正反電路的輸出信號用來作為用於第k正反電路的停止脈衝信號。
同樣地,可將第(k+2)正反電路的輸出信號用來作為用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號。
或是,可將第(k+1)傳送信號產生電路的輸出信號用來作為用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號。
另外,包括具有上述結構之顯示裝置的電子裝置亦為本發明的實施例。
設置於本發明實施例之顯示裝置的第一閘極驅動器和第二閘極驅動器包括傳送信號產生電路,該傳送信號產生電路以半時脈週期延遲將輸入之信號輸出。因此,可以提供可順利地顯示影像而無信號延遲或失真的顯示裝置。
100:顯示裝置
101:畫素部份
102:源極驅動器
103A:第一閘極驅動器
103B:第二閘極驅動器
1041:源極線
104m:源極線
1051:閘極線
1052:閘極線
1053:閘極線
105n:閘極線
106A:軟性印刷電路
106B:軟性印刷電路
10711:畫素
107nm:畫素
401:電晶體
402:電晶體
403:電晶體
404:電晶體
405:電晶體
406:電晶體
407:電晶體
408:電晶體
600:反向器電路
600A:反向器電路
600B:反向器電路
601:電晶體
602:電晶體
603:電晶體
604:電晶體
605:電晶體
606:電晶體
607:電晶體
608:電晶體
701A:電晶體
701B:電晶體
702A:電晶體
702B:電晶體
703B:電晶體
704B:電晶體
800:控制電路
800A:控制電路
800B:控制電路
801:電晶體
802:電晶體
803:電晶體
804:電晶體
805:電晶體
806:電晶體
807:電晶體
808:電晶體
809:電晶體
901A:電容元件
901A:電晶體
901B:電晶體
902A:電晶體
902B:電晶體
903B:電晶體
904B:電晶體
1001:畫素部份
1002A:第一閘極驅動器
1002B:第二閘極驅動器
10031:閘極線
10032:閘極線
1003k:閘極線
5000:外殼
5001:顯示部份
5002:第二顯示部份
5003:喇叭
5004:LED燈
5005:操作鍵
5006:連接端
5007:感測器
5008:麥克風
5009:開關
5010:紅外線埠
5011:記憶媒體讀取部份
5015:快門按鈕
5016:影像接收部分
5017:充電器
5018:支撐基座
5019:外部連接埠
5020:指向裝置
5021:讀寫器
5022:外殼
5023:顯示部份
5024:遙控器
5025:喇叭
5026:顯示部份
5027:浴缸
5028:顯示部份
5029:車體
5030:天花板
5031:顯示部份
5032:鉸鏈部份
5033:光源
5034:投影透鏡
附圖中:
第1圖解說實施例1所述之顯示裝置;
第2圖解說實施例1所述之閘極驅動器的結構;
第3圖解說實施例1所述之閘極驅動器的時序圖;
第4圖解說實施例2所述之電路結構的具體範例;
第5圖解說實施例2所述之電路的時序圖;
第6圖解說實施例3所述之電路結構的具體範例;
第7A圖和第7B圖分別解說實施例3所述之反向器電路的具體範例;
第8圖解說實施例4所述之電路結構的具體範例;
第9A圖和第9B圖分別解說實施例4所述之控制電路的具體範例;
第10圖解說專利文件1所示之閘極驅動器的結構;
第11A圖至第11F圖分別解說實施例6所述之電子
裝置的具體範例;
第12A圖至第12D圖分別解說實施例6所述之電子裝置的具體範例;
第13A圖至第13D圖分別解說實施例6所述之電子裝置的具體範例;
第14A圖解說習知電路結構,而第14B圖解說本說明書範例1所述之電路結構;以及
第15圖解說範例1所述之習知閘極驅動器的正反電路之輸出信號,和本說明書所揭示之閘極驅動器的正反電路之輸出信號。
下文中將參照附圖來詳述本發明的實施例及範例。應注意,本發明不限於以下說明,且熟習該項技藝者將可輕易了解,可在不脫離本發明之精神及範疇下進行各種變更及修改。因此,本發明不應被解釋為受限於以下實施例及範例之說明。
實施例1說明為本發明實施例之顯示裝置的範例。具體來說,參照第1圖、第2圖及第3圖來說明包括第一閘極驅動器和第二閘極驅動器的主動陣列顯示裝置。
第1圖解說主動陣列顯示裝置100。顯示裝置100包括畫素部份101、源極驅動器102、第一閘極驅動器103A、第二閘極驅動器103B、被設置為互相平行或大致平行的m條(m為正整數)源極線1041~104m、以及被設置為互相平行或大致平行的n條(n為正整數)閘極線1051~105n。應注意,畫素部份101是設置於顯示裝置100的中央部份。源極驅動器102被設置為靠近畫素部份101的一側。第一閘極驅動器103A和第二閘極驅動器103B被設置為靠近畫素部份101的其他側,且被設置為互相面對而畫素部份101位於其間。此外,源極驅動器102是經由m條源極線1041~104m電連接至畫素部份101。第一閘極驅動器103A是經由n條閘極線1051~105n中的奇數源極線電連接至畫素部份101。第二閘極驅動器103B是經由n條閘極線1051~105n中的偶數源極線電連接至畫素部份101。
另外,經由軟性印刷電路106A和106B,從外部將信號(時脈信號、起始脈衝信號等)輸入至源極驅動器102、第一閘極驅動器103A、以及第二閘極驅動器103B。
此外,畫素部份101包括n×m個畫素10711~107nm。應注意,畫素10711~107nm是被配置為n列和m行。另外,m條源極線1041~104m的每一者是電連接至配置於同一列的n個畫素。換言之,配置於i列和j行(i和j為正整數)(1in且1jm)的畫素105ij是電連接至源極線104j和閘極線105i。
也就是說,源極驅動器102是經由m條源極線1041~104m電連接至畫素部份101所包括的各個畫素。第一閘極驅動器103A是經由n條閘極線1051~105n中的奇數閘極線,電連接至畫素部份101中配置於奇數列的各個畫素。第二閘極驅動器103B是經由n條閘極線1051~105n中的偶數閘極線,電連接至畫素部份101中配置於偶數列的各個畫素。
顯示裝置100中,源極驅動器102是將影像信號輸出至畫素部份101所包括之畫素10711~107nm的電路。第一閘極驅動器103A和第二閘極驅動器103B是控制源極驅動器102和畫素10711~107nm之間的電連接之電路。
顯示裝置100藉由輸入至n×m個畫素10711~107nm的影像信號,在畫素部份101顯示影像。以下說明顯示裝置100的具體操作。
首先,第一閘極驅動器103A選擇配置於第一列的m個畫素(源極驅動器102和配置於第一列的m個畫素電連接);然後,經由源極線1041~104m,將影像信號輸入至配置於第一列的m個畫素10711~1071m。接著,第二閘極驅動器103B選擇配置於第二列的m個畫素;然後,經由源極線1041~104m,將影像信號輸入至配置於第二列的m個畫素10721~1072m。之後,第一閘極驅動器103A和第二閘極驅動器103B以類似方式交替地選擇各列中的m
個畫素。顯示裝置100藉由後續執行上述操作來顯示影像。
第2圖是解說主動陣列顯示裝置100所包括的第一閘極驅動器103A和第二閘極驅動器103B之詳細結構範例的方塊圖。
第一閘極驅動器103A和第二閘極驅動器103B分別包括具有至少三個輸入端和一個輸出端的複數個正反電路和複數個傳送信號產生電路。
在第一閘極驅動器103A所包括的第一正反電路(F1)中,輸出端電連接至第一閘極線1051,第一輸入端電連接至第一起始脈衝信號(SP1)線,第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線,而第三輸入端電連接至用於第一正反電路的停止脈衝信號(STP(F1))線。
此外,在第一閘極驅動器103A所包括的第一傳送信號產生電路(T1)中,輸出端電連接至第三正反電路(F3)的第一輸入端,第一輸入端電連接至第一正反電路(F1)的輸出端,第二輸入端電連接至反向時脈信號(CKB)線,而第三輸入端電連接至用於第一傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(T1))線。
在第二閘極驅動器103B所包括的第二正反電路(F2)中,輸出端電連接至第二閘極線1052,第一輸入端電連接至第二起始脈衝信號(SP2)線,第二輸入端電連接至反向
時脈信號(CKB)線,而第三輸入端電連接至用於第二正反電路的停止脈衝信號(STP(F2))線。
此外,在第二閘極驅動器103B所包括的第二傳送信號產生電路(T2)中,輸出端電連接至第四正反電路(未顯示)的第一輸入端,第一輸入端電連接至第二正反電路(F2)的輸出端,第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線,而第三輸入端電連接至用於第二傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(T2))線。
在第一閘極驅動器103A所包括的第k(k是等於或大於三的奇數)正反電路(Fk)中,輸出端電連接至第k閘極線105k,第一輸入端電連接至第(k-2)傳送信號產生電路(Tk-2)的輸出端,第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線,而第三輸入端電連接至用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))線。
此外,在第一閘極驅動器103A所包括的第k傳送信號產生電路(Tk)中,輸出端電連接至第(k+2)正反電路(Fk+2),第一輸入端電連接至第k正反電路(Fk)的輸出端,第二輸入端電連接至反向時脈信號(CKB)線,而第三輸入端電連接至用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))線。
在第二閘極驅動器103B所包括的第(k+1)正反電路(Fk+1)中,輸出端電連接至第(k+1)閘極線105k+1,第一輸入端電連接至第(k-1)傳送信號產生電路(Tk-1)的輸出端,第二輸入端電連接至反向時脈信號(CKB)線,而第三輸入
端電連接至用於第(k+1)正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk+1))線。
此外,在第二閘極驅動器103B所包括的第(k+1)傳送信號產生電路(Tk+1)中,輸出端電連接至第(k+3)正反電路(Fk+3),第一輸入端電連接至第(k+1)正反電路(Fk+1)的輸出端,第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線,而第三輸入端電連接至用於第(k+1)傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk+1))線。
上述第一閘極驅動器103A所包括的複數個正反電路和複數個傳送信號產生電路,以及上述第二閘極驅動器103B所包括的複數個正反電路和複數個傳送信號產生電路在電連接關係上具有相似及相異處。以下說明具體差異。
首先,以下說明第一閘極驅動器所包括的正反電路和傳送信號產生電路,以及第二閘極驅動器所包括的正反電路和傳送信號產生電路之間的電連接關係之差異。
在第一閘極驅動器103A中,正反電路的第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線,而傳送信號產生電路的第二輸入端電連接至反向時脈信號(CKB)線。另一方面,在第二閘極驅動器103B中,正反電路的第二輸入端電連接至反向時脈信號(CKB)線,而傳送信號產生電路的第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線。
接著,以下說明該正反電路和該傳送信號產生電路的電連接關係之差異。
因第一正反電路(F1)的輸出端連接至第一閘極線1051,故正反電路的輸出端電連接至設置於同一列的閘極線。另一方面,因第一傳送信號產生電路(T1)的輸出端電連接至第三正反電路(F3)的第一輸入端,故傳送信號產生電路的輸出端電連接至設置於下一級的正反電路之第一輸入端。應注意,在前幾級不具有傳送信號電路的第一正反電路(F1)和第二正反電路(F2)的第一輸入端,是分別電連接至第一起始脈衝信號(SP1)線和第二起始脈衝信號(SP2)線。
另外,所有正反電路和所有傳送信號產生電路的第三輸入端之每一者是電連接至對應的停止脈衝信號(STP)線。
第3圖為時序圖。應注意,第3圖中解說時脈信號(CK)、反向時脈信號(CKB)、第一起始脈衝信號(SP1)、第二起始脈衝信號(SP2)、第一正反電路的輸出信號(F1OUT)至第四正反電路的輸出信號(F4OUT)、以及第一傳送信號產生電路的輸出信號(T1OUT)至第四傳送信號產生電路的輸出信號(T4OUT)。應注意,時脈信號(CK)是以固定頻率振盪於高(下文中稱之為H)位準和低(下文中稱之為L)位準之間的信號。反向時脈信號(CKB)是位準自時脈信號之位準反向的信號。
在週期T1,第一起始脈衝信號(SP1)到達H位準,並
將H位準信號輸入至第一正反電路(F1)的第一輸入端。
在週期T2,第二起始脈衝信號(SP2)到達H位準,並將H位準信號輸入至第二正反電路(F2)的第一輸入端。另外,從第一正反電路(F1)輸出H位準信號。應注意,經由第一閘極線1051,將從第一正反電路(F1)輸出之H位準信號輸入至畫素部份101中配置於第一列的畫素10711~1071m之每一者。據此,配置於第一列的畫素10711~1071m之每一者和源極驅動器102電連接,以便從源極驅動器102將影像信號輸入至配置於第一列的畫素10711~1071m之每一者。此外,將從第一正反電路(F1)輸出之H位準信號輸入至第一傳送信號產生電路(T1)的第一輸入端。
在週期T3,從第二正反電路(F2)輸出H位準信號。如同當第一正反電路(F1)的輸出信號處於H位準時,經由第一閘極線1052,將從第二正反電路(F2)輸出的H位準信號輸入至畫素部份101中配置於第二列的畫素10721~1072m之每一者。據此,配置於第二列的畫素10721~1072m之每一者和源極驅動器102電聯接,以便從源極驅動器102將影像信號輸入至配置於第二列的畫素10721~1072m之每一者。另外,從第一傳送信號產生電路(T1)輸出H位準信號,並將其輸入至第三正反電路(F3)的第一輸入端。
自週期T4重複上述操作。也就是說,從第三正反電路(F3)起的下幾個正反電路依序輸出H位準信號,使得影像信號被輸出至每一列中的複數個經配置之畫素。
本實施例中所述之顯示裝置是包括第一閘極驅動器和第二閘極驅動器的主動陣列顯示裝置。此外,第一閘極驅動器和第二閘極驅動器分別包括複數個正反電路和複數個傳送信號產生電路。該正反電路和該傳送信號產生電路皆為以半時脈週期延遲將輸入之信號輸出至第一輸入端的電路。另外,傳送信號產生電路的輸出端是直接連接至在下一級之正反電路的第一輸入端。因此,可減少從傳送信號產生電路輸入至正反電路的信號之延遲和失真。
應注意,在本實施例中是說明包括一個源極驅動器和兩個閘極驅動器的顯示裝置之範例。但本發明的實施例不限於此結構。舉例來說,以下結構亦為本發明的實施例之一:顯示裝置僅包括兩個閘極驅動器且影像信號是從外部所輸入的結構、顯示裝置包括兩個源極驅動器和兩個閘極驅動器且影像信號是從該兩個源極驅動器所輸入的結構、以及各畫素是經由兩條閘極線電連接至閘極驅動器的結構。
在實施例2中,參照第4圖和第5圖來說明可應用於實施例1所述之正反電路和傳送信號產生電路的電路之具體範例。具體來說,解說使用電晶體來形成正反電路和傳送信號產生電路的範例。應注意,由於電晶體的源極端和汲極端會依該電晶體的結構、操作狀態等而改變,故難以定義何者為源極端或汲極端。因此,下文中將源極端和汲
極端其中一者稱為第一端,並將另一者稱為第二端以供判別。
第4圖是解說可被應用於實施例1所述之第一閘極驅動器103A所包括的第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)之電路的範例圖式。應注意,實施例2所述之第k正反電路(Fk)包括第一電晶體401至第四電晶體404,而第k傳送信號產生電路(Tk)包括第五電晶體405至第八電晶體408。另外,在實施例2中,將第k傳送信號產生電路的輸出信號(TkOUT)用來作為用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))。將第(k+2)正反電路的輸出信號(Fk+2OUT)用來作為用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))。
在第一電晶體401中,閘極端和第一端是電連接至第(k-2)傳送信號產生電路(未顯示)的輸出端。
第二電晶體402的閘極端電連接至第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出端,第二電晶體402的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第二電晶體402的第二端電連接至第一電晶體401的第二端。
第三電晶體403的閘極端電連接至第一電晶體401的第二端和第二電晶體402的第二端,第三電晶體403的第一端電連接至時脈信號(CK)線,而第三電晶體403的第二端電連接至第k傳送信號產生電路(Tk)的第一輸入端。
第四電晶體404的閘極端電連接至第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出端,第四電晶體404的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第四電晶體404的第二端電連接至第k傳送信號產生電路(Tk)的第一輸入端和第三電晶體403的第二端。
第五電晶體405的閘極端和第一端電連接至第k正反電路(Fk)的輸出端。
第六電晶體406的閘極端電連接至第(k+2)正反電路(未顯示)的輸出端,第六電晶體406的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第六電晶體406的第二端電連接至第五電晶體405的第二端。
第七電晶體407的閘極端電連接至第五電晶體405的第二端和第六電晶體406的第二端,第七電晶體407的第一端電連接至反向時脈信號(CKB)線,第七電晶體407的第二端電連接至第k正反電路(Fk)的第三輸入端和第(k+2)正反電路(未顯示)的第一輸入端。
第八電晶體408的閘極端電連接至第(k+2)正反電路(未顯示)的輸出端,第八電晶體408的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第八電晶體408的第二端電連接至第k正反電路(Fk)的第三輸入端、第(k+2)正反電路(未顯示)的第一輸入端、以及第七電晶體407的第二端。
如第4圖所解說的,可將相同的電路結構應用於第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)。應注意,在設計電路時,最好考慮以下所述之要點。
第k正反電路(Fk)是用以驅動第k閘極線的電路。第k傳送信號產生電路(Tk)是用以驅動第(k+2)正反電路的電路。如上所述,第k閘極線具有各種寄生電容和寄生電阻。因此,第k正反電路(Fk)的負載會重於第k傳送信號產生電路(Tk)的負載。也就是說,在設計上述電路時,第一電晶體401的電流驅動能力最好高於第五電晶體405的電流驅動能力。舉例來說,第一電晶體401的通道寬度可大於第五電晶體405的通道寬度。由於相同的原因,最好是第二電晶體402的電流驅動能力高於第六電晶體406的電流驅動能力,第三電晶體403的電流驅動能力高於第七電晶體407的電流驅動能力,而第四電晶體404的電流驅動能力高於第八電晶體408的電流驅動能力。舉例來說,可藉由使通道寬度對通道長度的比率(通道寬度/通道長度(W/L))變大來提高電流驅動能力。
此外,在第k正反電路(Fk)所包括的第一電晶體401至第四電晶體404中,直接促成第k閘極線之驅動的第三電晶體403最好具有最高的電流驅動能力。同樣地,在第k傳送信號產生電路(Tk)所包括的第五電晶體405至第八電晶體408中,直接促成第(k+2)正反電路之驅動的第七電晶體407最好具有最高的電流驅動能力。
另外,可將第4圖所解說之電路結構應用於第一閘極驅動器103A所包括的第一正反電路(F1)和第一傳送信號產生電路(T1)。應注意,在第一正反電路(F1)中,與第4圖所解說之結構的差異是,第一電晶體401的閘極端和第
一端是電連接至第一起始脈衝信號(SP1)線。
此外,可將第4圖所解說之電路結構應用於第二閘極驅動器103B所包括的第(k+1)正反電路(Fk+1)和第(k+1)傳送信號產生電路(Tk+1)。應注意,在第(k+1)正反電路(Fk+1)和第(k+1)傳送信號產生電路(Tk+1)中,與第4圖所解說之結構的差異是,第三電晶體403的第一端是電連接至反向時脈信號(CKB)線,且第七電晶體407的第一端是電連接至時脈信號(CK)線。
此外,可將第4圖所解說之電路結構應用於第二閘極驅動器103B所包括的第二正反電路(F2)和第二傳送信號產生電路(T2)。應注意,在第二正反電路(F2)和第二傳送信號產生電路(T2)中,與第4圖中之結構的差異如下:第一電晶體401的閘極端和第一端是電連接至第二起始脈衝信號(SP2)線,電晶體403的第一端電連接至反向時脈信號(CKB)線,且第七電晶體407的第一端電連接至時脈信號(CK)線。
應注意,在實施例2中,將第(k+2)正反電路的輸出信號(Fk+2OUT)用來作為用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝(STP(Tk))。因此,對於被配置為n列的複數個畫素,必須將第(n+1)正反電路設置為第一閘極驅動器103A中的仿真電路(dummy circuit),且必須將第(n+2)正反電路設置為第二閘極驅動器103B中的仿真電路。應注意,可使用僅供應用於傳送信號產生電路的停止脈衝信號而不驅動閘極線的正反電路來作為該仿真電路。或是,藉由提供
不與該仿真電路一起促成顯示的線路(仿真閘極線),可使用供應用於傳送信號產生電路的停止脈衝信號且驅動該線路的正反電路來作為該仿真電路。
第5圖是第4圖所解說之第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)的輸入信號和輸出信號之時序圖。以下說明第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)的操作。
在週期t1,第(k-2)傳送信號產生電路的輸出信號(Tk-2OUT)到達H位準。所以,連接成二極體的(diode-connected)第一電晶體401被導通,而第三電晶體403的閘極端之電位提高至H位準。因此,將在週期t1處於L位準的時脈信號(CK)輸出作為第k正反電路的輸出信號(FkOUT)。
在週期t2,第(k-2)傳送信號產生電路的輸出信號(Tk-2OUT)到達L位準,而時脈信號(CK)到達H位準。所以,連接成二極體的第一電晶體401被關閉;據此,處於浮動狀態之第三電晶體403的閘極端之電位會由被輸入至第三電晶體403的第一端之H位準信號所拉高(自舉操作)並進而提升。此外,第三電晶體403保持ON,並將H位準信號輸出作為第k正反電路(Fk)的輸出信號(FkOUT)。此H位準信號被輸入至第五電晶體405的閘極端和第一端。所以,連接成二極體的第五電晶體405被導通;據
此,第七電晶體407的閘極端之電位提高至H位準。因此,將在週期t2處於L位準的反向時脈信號(CKB)輸出作為第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號(TkOUT)。
在週期t3,時脈信號到達L位準,而反向時脈信號(CKB)到達H位準。所以,連接成二極體的第五電晶體405被關閉;據此,處於浮動狀態之第七電晶體407的閘極端之電位會由被輸入至第七電晶體407的第一端之H位準信號所拉高(自舉操作)並進而提升。此外,第七電晶體407保持ON,並將H位準信號輸出至第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號(TkOUT)。此H位準信號被輸入至第二電晶體402和第四電晶體404的閘極端。所以,第二電晶體402被導通,而第三電晶體403的閘極端之電位到達L位準。因此,第三電晶體403被關閉。另外,由於第四電晶體404被導通,故將L位準信號輸出作為第k正反電路(Fk)的輸出信號(FkOUT)。
在週期t4,第(k+2)正反電路的輸出信號(Fk+2OUT)到達H位準。所以,第六電晶體406被導通,而第七電晶體407的閘極端之電位到達L位準。因此,第七電晶體407被關閉。此外,由於第八電晶體408亦被導通,故將L位準信號輸出作為第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號(TkOUT)。
應注意,以下電路的電路操作是與上述第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)的電路操作相同:第一正反電路和第一傳送信號產生電路,第(k+1)正反電路和
第(k+1)傳送信號產生電路,以及第二正反電路和第二傳送信號產生電路。
實施例2中,分別將第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號和第(k+2)正反電路(Fk+2)的輸出信號用來作為用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))和用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))。但實施例2的結構不限於此。
舉例來說,可分別將第(k+1)正反電路(Fk+1)的輸出信號和第(k+1)傳送信號產生電路(Tk+1)的輸出信號用來作為用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))和用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))。在此情況中,當與上述結構中的做比較時,用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))和用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))為延遲或失真信號。但由於該週期中的第k正反電路(Fk)之輸出信號和第k傳送信號產生電路(Tk)之輸出信號進入L位準,故延遲或失真信號不會帶來嚴重的問題。
在實施例3中,參照第6圖以及第7A圖和第7B圖來說明可被應用於實施例1所述之正反電路和傳送信號產生電路的電路之具體範例,其與實施例2中的具體範例不
同。
第6圖解說可被應用於實施例1所述之第一閘極驅動器103A所包括的第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)之電路的範例。實施例3中,第k正反電路(Fk)包括第一電晶體601至第五電晶體605和反向器電路600,而第k傳送信號產生電路(Tk)包括第六電晶體606至第八電晶體608。應注意,換言之,第6圖所解說之電路是如下所製成:將反向器電路600和第五電晶體605加至第4圖所解說之第k正反電路(Fk),並從第4圖所解說之第k傳送信號產生電路(Tk)移除第八電晶體408。
第一電晶體601、第二電晶體602、以及第三電晶體603之間的電連接關係是與第4圖所解說之電路中的相同。因此,實施例2中的說明適用於此。
反向器電路600的輸入端電連接至第一電晶體601的第二端、第二電晶體602的第二端、以及第三電晶體603的閘極端。
第四電晶體604的閘極端電連接至反向器電路600的輸出端,第四電晶體604的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第四電晶體604的第二端電連接至第三電晶體603的第二端和第k傳送信號產生電路(Tk)的第一輸入端。
第五電晶體605的閘極端電連接至反向器電路600的
輸出端,第五電晶體605的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第五電晶體605的第二端電連接至第一電晶體601的第二端、第二電晶體602的第二端、第三電晶體603的閘極端、以及反向器電路600的輸入端。
第6圖所解說之第k傳送信號產生電路(Tk)是自第4圖所解說之第k傳送信號產生電路(Tk)將第八電晶體408移除的電路。其他電晶體之間的電連接關係是與第4圖所解說之電路中的相同。因此,實施例2中的說明適用於此。
應注意,必須如以下所述來設計第6圖所解說之電路。
必須設計第6圖所解說之電路,使得當H位準信號被輸入至第k正反電路(Fk)(連接成二極體的第一電晶體601)時,H位準信號會確實被輸入至反向器電路600的輸入端。更具體來說,第一電晶體601的電流驅動能力必須高於第五電晶體605的電流驅動能力。舉例來說,第一電晶體601的通道寬度必須大於第五電晶體605的通道寬度。
此外,在第5圖所解說之週期t4,第k傳送信號產生電路的輸出信號(TkOUT)到達L位準。更具體來說,第八電晶體608的電流驅動能力必須高於第七電晶體607的電流驅動能力。所以,在以下操作之前,可於週期t4將第k傳送信號產生電路的輸出信號(TkOUT)降低至與反向時脈信號(CKB)位準相等的L位準:將H位準信號輸入至第七電晶體607的閘極端,第七電晶體607被導通,將接地電
位(VSS)輸入至第八電晶體608的閘極端,然後,第八電晶體608被關閉。
此外,在設計第6圖所解說之電路時,最好將實施例2中的說明列入考慮。
也就是說,最好是第一電晶體601的電流驅動能力高於第六電晶體606的電流驅動能力,第二電晶體602的電流驅動能力高於第七電晶體607的電流驅動能力,而第三電晶體603的電流驅動能力高於第八電晶體608的電流驅動能力。
此外,在第k正反電路(Fk)所包括的第一電晶體601至第五電晶體605中,最好是第三電晶體603具有最高的電流驅動能力。另外,在第k傳送信號產生電路(Tk)所包括的第六電晶體606至第八電晶體608中,最好是第八電晶體608具有最高的電流驅動能力。
應注意,雖然第6圖僅解說第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk),但亦可將第6圖中的電路應用於第(k+1)正反電路、第(k+1)傳送信號產生電路等。應注意,如實施例2所述,部份端子的電連接關係不同。實施例2的說明適用於該連接關係的具體差異。
第7A圖和第7B圖是解說可被應用於第6圖所解說之反向器電路600的電路之具體範例的圖式。應注意,在第7A圖和第7B圖中,標為「IN」的線路為輸入線路,而標為「OUT」的線路為輸出線路。
第7A圖所解說之反向器電路600A包括連接成二極
體的電晶體701A和電晶體702A。
電晶體701A的閘極端和第一端電連接至電源供應(VDD)線,而電晶體701A的第二端電連接至反向器電路600A的輸出端。
電晶體702A的閘極端電連接至反向器電路600A的輸入端,電晶體702A的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體702A的第二端電連接至反向器電路600A的輸出端和電晶體701A的第二端。
由於第7A圖所解說之反向器電路600A是使用該兩個電晶體701A和702B所形成,故可將電路面積的增加最小化。
應注意,在將第7A圖所解說之反向器電路600A應用於第6圖中之反向器電路600的情況中,必須設計該電路,使得在電晶體702A為ON時,輸出信號處於L位準。更具體來說,電晶體702A的電流驅動能力必須高於電晶體701A的電流驅動能力。舉例來說,電晶體702A的通道長度必須小於電晶體701A的通道長度,或是電晶體702A的通道寬度必須大於電晶體701A的通道寬度。
第7B圖所解說之反向器電路600B包括連接成二極體的電晶體701B、電晶體702B、電晶體703B、以及電晶體704B。
電晶體701B的閘極端和第一端電連接至電源供應(VDD)線。
電晶體702B的閘極端電連接至反向器電路600B的
輸入端,電晶體702B的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體702B的第二端電連接至電晶體701B的第二端。
電晶體703B的閘極端電連接至電晶體701B的第二端和電晶體702B的第二端,電晶體703B的第一端電連接至電源供應電位(VDD)線,而電晶體703B的第二端電連接至反向器電路600B的輸出端。
電晶體704B的閘極端電連接至反向器電路600B的輸入端,電晶體704B的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體704B的第二端電連接至反向器電路600B的輸出端和電晶體703B的第二端。
在第7B圖所解說之反向器電路600B中,連接成二極體的電晶體701B不直接連接至反向器電路600B的輸出端。因此,可防止輸出信號自電源供應電位(VDD)降低或自接地電位(VSS)提高。
應注意,在將第7B圖所解說之反向器電路600B應用於第6圖所解說之反向器電路600的情況中,必須設計該電路,使得在電晶體702B為ON時,電晶體703B被關閉。更具體來說,電晶體702B的電流驅動能力必須高於電晶體701B的電流驅動能力。舉例來說,電晶體702B的通道長度必須小於電晶體701B的通道長度,或是電晶體702B的通道寬度必須大於電晶體701B的通道寬度。
第6圖所解說之第k正反電路(Fk)包括反向器電路600和第五電晶體605,且第五電晶體605的閘極端電連接至反向器電路600的輸出端,第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第二端電連接至反向器電路600的輸入端。所以,一旦第五電晶體605被導通,電連接至反向器電路600的第五電晶體605會恆為ON。當第五電晶體605為ON時,第三電晶體603的閘極端之電位維持在接地電位(VSS)。因此,即使在雜訊進入第三電晶體603的閘極端時,第三電晶體603仍不會被導通。也就是說,顯示裝置的影像或圖片無不良,且可實現顯示裝置的高性能。
由於第6圖所解說之第k傳送信號產生電路(Tk)是使用三個電晶體606~608所形成,故可減少電路面積。
實施例3中說明使用五個電晶體601~605和反向器電路600所形成的正反電路,以及使用三個電晶體606~608所形成的傳送信號產生電路之範例。但實施例不限於此一結構。舉例來說,第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)兩者皆可具有和第6圖所解說之第k正反電路(Fk)或第k傳送信號產生電路(Tk)相同的結構。此外,可藉由組合實施例2中的電路(第4圖)和實施例3中的電路(第6圖)來形成正反電路和傳送信號產生電路。
此外,在實施例3中,將第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號和第(k+2)正反電路(Fk+2)的輸出信號分別應用
至用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))和用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))。但實施例3中的結構不限於此一結構。
實施例4中是參照第8圖及第9A圖和第9B圖來說明可被應用於實施例1所述之正反電路和傳送信號產生電路的電路之具體範例,其與實施例2和實施例3中的具體範例不同。
第8圖解說可被應用於實施例1所述之第一閘極驅動器103A所包括之第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)的電路之範例。實施例4中,第k正反電路(Fk)包括第一電晶體801至第五電晶體805和控制電路800,而第k傳送信號產生電路(Tk)包括第六電晶體806至第九電晶體809。應注意,換言之,第8圖所解說之電路是如下所製成:將控制電路800和第五電晶體805加至第4圖所解說之電路,且第六電晶體806(對應於第4圖中的第五電晶體405)的第一端是電連接至電源供應電位(VDD)線,而非電晶體806的閘極端。
第一電晶體801、第二電晶體802、以及第三電晶體803之間的電連接關係與第4圖和第6圖所解說之電路中的相同。因此,實施例2中的說明適用於此。
控制電路800的第一輸入端電連接至第一電晶體801的第二端、第二電晶體802的第二端、以及第三電晶體803的閘極端,而控制電路800的第二輸入端電連接至時脈信號(CK)線。
第四電晶體804的閘極端電連接至控制電路800的輸出端,第四電晶體804的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而第四電晶體804的第二端電連接至第三電晶體803的第二端和第k傳送信號產生電路(Tk)的第一輸入端。
第五電晶體805的閘極端電連接至控制電路800的輸出端,第五電晶體805的第一端電連接至接地電位(VSS)線,第五電晶體805的第二端電連接至第一電晶體801的第二端、第二電晶體802的第二端、第三電晶體803的閘極端、以及控制電路800的第一輸入端。
第六電晶體806的閘極端電連接至第k正反電路(Fk)的輸出端,而第六電晶體806的第一端電連接至電源供應電位(VDD)線。
第七電晶體807、第八電晶體808、以及第九電晶體809之間的電連接關係是與第6圖所解說之第六電晶體606、第七電晶體607、以及第八電晶體608的相同。因此,實施例2中的說明適用於此。
應注意,必須如以下所述來設計第8圖所解說之電路。
必須設計第8圖所解說之電路,使得當H位準信號被輸入至第k正反電路(Fk)(連接成二極體的第一電晶體801)
時,H位準信號會確實被輸入至控制電路800的輸入端。更具體來說,第一電晶體801的電流驅動能力必須高於第五電晶體805的電流驅動能力。舉例來說,第一電晶體801的通道寬度必須大於第五電晶體805的通道寬度。
此外,在設計第8圖所解說之電路時,最好將實施例2中的說明列入考慮。
也就是說,最好是第一電晶體801的電流驅動能力高於第六電晶體806的電流驅動能力,第二電晶體802的電流驅動能力高於第七電晶體807的電流驅動能力,第三電晶體803的電流驅動能力高於第八電晶體808的電流驅動能力,而第四電晶體804的電流驅動能力高於第九電晶體809的電流驅動能力。
此外,在第k正反電路(Fk)所包括的第一電晶體801至第五電晶體805中,最好是第三電晶體803具有最高的電流驅動能力。另外,在第k傳送信號產生電路(Tk)所包括的第六電晶體806至第九電晶體809中,最好是第八電晶體808具有最高的電流驅動能力。
雖然第8圖僅解說第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk),但可將第8圖中的電路應用於第(k+1)正反電路(Fk+1)、第(k+1)傳送信號產生電路(Tk+1)等。應注意,如實施例2所述,部份端子的電連接關係不同。實施例2之說明適用於該連接關係的具體差異。
第9A圖和第9B圖是解說可被應用於第8圖所解說之控制電路800的電路之具體範例的圖式。第9A圖和第
9B圖中,標為「IN」的線路是第一輸入線路,標為「CK」的線路是電連接至時脈信號(CK)線的第二輸入線路,而標為「OUT」的線路是輸出線路。
第9A圖所解說之控制電路800A包括電容元件901A和電晶體902A。
電容元件901A的其中一端電連接至時脈信號(CK)線,而另一端電連接至控制電路800A的輸出端。
電晶體902A的閘極端電連接至控制電路800A的第一輸入端,電晶體902A的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體902A的第二端電連接至控制電路800A的輸出端和電容元件901A的另一端。
在第5圖中的週期t3之後,將L位準信號輸入至控制電路800A的第一輸入端,而電晶體902A被關閉。據此,控制電路800A的輸出信號變成處於浮動狀態。因此,將調諧至時脈信號(CK)的信號輸出作為控制電路800A的輸出信號。
應注意,在將第9A圖所解說之控制電路800A應用於第8圖中之控制電路800的情況中,必須設計控制電路800A,使得在發生由週期t2過渡至週期t3時,其輸出端在電容元件901A的其中一端之電位到達L位準後進入浮動狀態。
第9B圖所解說之控制電路800B包括連接成二極體的電晶體901B、電晶體902B、電晶體903B、以及電晶體904B。
電晶體901B的閘極端和第一端是電連接至時脈信號(CK)線。
電晶體902B的閘極端電連接至控制電路800B的第一輸入端,電晶體902B的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體902B的第二端電連接至電晶體901B的第二端。
電晶體903B的閘極端電連接至電晶體901B的第二端和電晶體902B的第二端,電晶體903B的第一端電連接至時脈信號(CK)線,而電晶體903B的第二端電連接至控制電路800B的輸出端。
電晶體904B的閘極端電連接至控制電路800B的輸入端,電晶體904B的第一端電連接至接地電位(VSS)線,而電晶體904B的第二端電連接至控制電路800B的輸出端和電晶體903B的第二端。
應注意,在將第9B圖所解說之控制電路800B應用於第8圖所解說之控制電路800的情況中,必須設計該電路使得在電晶體902B為ON時,電晶體903B被關閉。更具體來說,電晶體902B的電流驅動能力必須高於電晶體901B的電流驅動能力。舉例來說,電晶體902B的通道長度必須小於電晶體901B的通道長度,或是電晶體902B的通道寬度必須大於電晶體901B的通道寬度。
第9A圖和第9B圖所解說之控制電路800A和800B
輸出時脈信號(CK)或調諧至時脈信號(CK)的信號。因此,即使當雜訊進入第三電晶體803的閘極端時,若第四電晶體804和第五電晶體805被導通,則可將該雜訊消除。此外,第四電晶體804和第五電晶體805並非恆為ON,藉此可抑制第四電晶體804和第五電晶體805的劣化。也就是說,顯示裝置的影像無不良,所以可提高顯示裝置的性能和可靠度。
實施例4中說明使用五個電晶體801~805和控制電路800所形成的正反電路,以及使用四個電晶體806~809所形成的傳送信號產生電路之範例。但實施例不限於此一結構。舉例來說,第k正反電路(Fk)和第k傳送信號產生電路(Tk)兩者皆可具有和第8圖所解說之第k正反電路(Fk)或第k傳送信號產生電路(Tk)相同的結構。此外,可藉由組合實施例2(第4圖)或實施例3(第6圖)中的電路和實施例4(第8圖)中的電路來形成該正反電路和該傳送信號產生電路。
此外,在實施例4中,將第k傳送信號產生電路(Tk)的輸出信號和第(k+2)正反電路(Fk+2)的輸出信號分別應用至用於第k正反電路的停止脈衝信號(STP(Fk))和用於第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號(STP(Tk))。但實施例4中之結構不限於此一結構。
實施例5中說明實施例2~4所述之正反電路和傳送信號產生電路所包括之電晶體的具體範例。
可將使用各種材料和結構所形成之電晶體用來作為該電晶體。也就是說,並未限制所使用之電晶體的類型。舉例來說,可使用包括非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT),而該非單晶半導體膜典型上是由非晶矽、多晶矽、微晶質(亦被稱為微晶、奈米晶、或半非晶)矽等所製成之膜。
使用薄膜電晶體來製造顯示裝置具有各種好處。由於可以低於形成使用單晶矽之電晶體的溫度來形成薄膜電晶體,故可實現降低顯示裝置的製造成本,或是提高製造裝置的尺寸。此外,由於可以低溫製造薄膜電晶體,故可在具有低耐熱性之基板上形成薄膜電晶體。因此,可使用具有低耐熱性之透光基板來形成該電晶體。另外,由於薄膜電晶體的厚度很薄,部份形成該電晶體的膜可透光。據此,可提高孔徑比。
另外,可使用MOS電晶體、接面電晶體、雙極電晶體等來作為該電晶體。應注意,藉由使用MOS電晶體來作為該電晶體,可減少電晶體的大小。或是,使用雙極電晶體來作為該電晶體會允許大量的電流流通。因此,高速操作為可能。應注意,可將MOS電晶體和雙極電晶體形成在一基板上。所以,可實現降低功率消耗、縮減尺寸、高速操作等。
應注意,藉由使用催化劑(例如:鎳)來形成多晶矽,可進一步改善結晶度,並可形成具有極佳電子特性的薄膜電晶體。據此,可在相同基板上形成閘極驅動器電路、源極驅動器電路、以及信號處理電路(例如:信號產生電路、灰階校正電路、或DA轉換器電路)。
此外,藉由使用催化劑(例如:鎳)來形成微晶質矽,可進一步改善結晶度,並可形成具有極佳電子特性的電晶體。此時,結晶度可僅由執行熱處理來加以改善,而不需執行雷射光照射。因此,可在相同基板上形成閘極驅動器電路和部份源極驅動器電路(例如:類比開關)。應注意,在不執行用於結晶之雷射照射的情況中,可抑制矽的結晶度不均。所以,可顯示具有改善之影像品質的影像。
應注意,可不使用催化劑(例如:鎳)來形成多晶矽或微晶質矽。
此外,最好改善整個矽的結晶度,但實施例5不限於此。可僅改善部份矽的結晶度。可藉由選擇性之雷射照射等來達成選擇性提高結晶度。舉例來說,可以雷射光照射閘極驅動器、源極驅動器等之區域。因此,可僅在電路需以高速操作的區域改善矽的結晶度。由於不需以高速驅動畫素部份,故即使當結晶度未改善,仍可驅動畫素電路而無嚴重問題;所以,改善結晶度的區域縮減,且製造過程變短。因此,產量提升,使得顯示裝置的製造成本可被降低。
另外,該電晶體不限於使用矽所形成的電晶體。可採
用使用例如矽鍺和砷化鎵之化合物半導體,或是例如氧化鋅及包括銦和鎵的氧化鋅之氧化物半導體所形成的電晶體來作為該電晶體。此外,可採用包括由此一化合物半導體或氧化物半導體所形成之薄膜的薄膜電晶體。由於可以低溫製造薄膜電晶體,故舉例來說,可以室溫形成電晶體。據此,可直接將該電晶體形成在具有低耐熱性的基板上,例如塑膠基板或膜基板。應注意,此一化合物半導體或氧化物半導體不僅可被用於電晶體的通道部份,亦可被用於其他用途。舉例來說,可將此一化合物半導體或氧化物半導體用於線路、電阻、畫素電極、透光電極等。由於此一元件可和該電晶體同時被沉積或形成,故可降低顯示裝置的製造成本。
此外,可使用包括有機半導體或奈米碳管的電晶體來作為該電晶體。據此,可將電晶體形成於可被彎折的基板上。使用此一基板的顯示裝置可抗震。
另外,該電晶體的製造方法不限。可採用光微影法、噴墨法、印刷法等作為製造方法。應注意,由於在以噴墨法和印刷法製造期間不使用遮罩(光罩),故可輕易改變電晶體的佈局。此外,由於可不使用光阻來形成該電晶體,故會降低材料成本,並可減少步驟數量。另外,由於可在所需之處形成膜,故不會浪費材料。因此,可降低成本。
或是,可使用具有兩個或以上之閘極端的多閘極電晶體來作為該電晶體。藉由該多閘極結構,因通道區串聯而獲得複數個電晶體串聯之結構。因此,藉由該多閘極結
構,電晶體的關閉電流降低,並可提高電晶體的耐受電壓(可改善可靠度)。
亦可使用具有將閘極端形成在通道區上方或下方之結構的電晶體來作為該電晶體。藉由在通道區上方和下方提供閘極端,而獲得並聯複數個電晶體之結構。也就是說,通道區增加。所以,可增加電流量。此外,藉由採用在通道區上方和下方形成閘極端的結構,容易形成空乏層;所以,可改善S值。
另外,可使用具有以下結構的電晶體來作為該電晶體:在通道區上方形成閘極端的結構、在通道區下方形成閘極端的結構、正向交錯(forward staggered)結構、反向交錯(inverted staggered)結構、將通道區分為複數個區域的結構、通道區為並聯或串聯的結構等。
又或是,可使用具有源極端或汲極端與通道區(或其一部份)重疊之結構的電晶體來作為該電晶體。當使用源極端或汲極端與通道區(或其一部份)重疊之結構時,可防止電荷累積於部份通道區,其原可能導致操作不穩定。
此外,可將設有LDD區的結構應用於該電晶體。藉由提供LDD區,電晶體的關閉電流降低,並可提高電晶體的耐受電壓(可改善可靠度)。另外,藉由提供LDD區,當電晶體操作於飽和區時,即使在汲極-源極電壓改變時,汲極-源極電流也不會改變太多,因而可獲得斜率平緩之電壓-電流特性。
應注意,可使用各種基板來形成該電晶體。也就是
說,基板的種類不限於某一類型。舉例來說,可使用半導體基板(例如:單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、包括不鏽鋼箔的基板、鎢基板、包括鎢箔的基板、柔性基板、附著膜(attachment film)、包括纖維材料的紙張、基底材料膜等來作為該基板。可提出鋇硼矽酸玻璃基板、鋁硼矽酸玻璃基板、鹼石灰玻璃基板等來作為玻璃基板的範例。對於柔性基板,舉例來說,可使用例如典型為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、及聚醚碸(PES)之塑膠的柔性合成樹脂或壓克力。附著膜的範例為使用聚丙烯、聚酯、乙烯、聚氟乙烯、聚氯乙烯等所形成之附著膜。基底膜的範例為使用聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、無機汽相沉積膜、紙張等所形成的基底膜。特別是,當使用半導體基板、單晶基板、SOI基板等來形成電晶體時,可形成具有少量特性、尺寸、形狀等之偏差、高電流供應能力、以及小尺寸的電晶體。藉由使用此種電晶體來形成電路,可降低該電路的功率消耗,或是可將該電路高度積體化。
或是,可使用一基板來形成該電晶體,然後可將該電晶體轉移及設置在另一基板上。除了上述可將該電晶體形成於其上的基板之外,電晶體所轉移至之基板的範例為紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木質基板、布質基板(包括天然纖維(例如:絲、棉、或麻)、合成纖維(例如:尼龍、聚胺甲酸酯、或聚酯)、再生纖維(例如:醋酸鹽、銅
銨、嫘縈、或再生聚酯)等)、皮質基板、橡膠基板等。藉由使用此種基板,可形成具有極佳特性的電晶體,或是具有低功率消耗的電晶體和具有高耐用性、高耐熱性、重量輕、或厚度薄的裝置。
在實施例6中,參照第11A圖至第11F圖、第12A圖至第12D圖、以及第13A圖至第13D圖來說明包括實施例1所述之顯示裝置的電子裝置之範例。
第11A圖至第11F圖和第12A圖至第12D圖解說包括實施例1所述之顯示裝置的電子裝置。這些電子裝置可包括外殼5000、顯示部份5001、喇叭5003、LED燈5004、操作鍵5005(包括電源開關或操作開關)、連接端5006、感測器5007(具有量測力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動頻率、距離、可見光、液體、磁性、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、溼度、梯度、振盪、氣味、或紅外線之功能的感測器)、麥克風5008等。在這些電子裝置中,實施例1所述之顯示裝置是包含於顯示部份5001中。
第11A圖解說一行動電腦,除了上述物件之外,其可包括開關5009、紅外線埠5010等。第11B圖解說設置有記憶媒體的可攜式影像再生裝置(例如:DVD再生裝置),除了上述物件之外,其可包括第二顯示部份5002、記憶
媒體讀取部份5011等。第11C圖解說一投影機,除了上述物件之外,其可包括光源5033、投影透鏡5034等。第11D圖解說一可攜式遊戲機,除了上述物件之外,其可包括記憶媒體讀取部份5011等。第11E圖解說一電視接收機,除了上述物件之外,其可包括選台器、影像處理部份等。第11F圖解說一可攜式電視接收機,除了上述物件之外,其可包括能夠傳送及接收信號的充電器5017等。第12A圖解說一顯示器,除了上述物件之外,其可包括支撐基座5018等。第12B圖解說一相機,除了上述物件之外,其可包括外部連接埠5019、快門按鈕5015、影像接收部分5016等。第12C圖解說一電腦,除了上述物件之外,其可包括指向裝置5020、外部連接埠5019、讀寫器5021等。第12D圖解說一行動電話,除了上述物件之外,其可包括天線、用於行動電話和行動終端之單波段(1seg數位TV廣播)部份接收服務的調諧器等。
第11A圖至第11F圖和第12A圖至第12D圖所解說之電子裝置可具有各種功能,例如,在顯示部份上顯示許多資訊(例如:靜態影像、動態影像、以及文字影像)的功能;觸控面板功能;顯示日曆、日期、時間等的功能;控制藉由多個軟體(程式)之處理的功能;無線通訊功能;藉由無線通訊功能與各種電腦網路連線的功能;藉由無線通訊功能傳送及接收許多資料的功能;以及讀取儲存於記憶媒體中的程式或資料,並將該程式或資料顯示於顯示部份的功能。此外,包括複數個顯示部份的電子裝置可具有:
主要將影像資訊顯示於一顯示部份同時將文字資訊顯示於另一顯示部份的功能、藉由在複數個顯示部份上顯示考量到視差的影像來顯示立體影像的功能等。此外,包括影像接收部分的電子裝置可具有拍攝靜態影像的功能、拍攝動態影像的功能、自動或手動修正所拍攝之影像的功能、將所拍攝之影像儲存於記憶媒體(外部記憶媒體或相機內含之記憶媒體)的功能、在顯示部份上顯示所拍攝之影像的功能等。應注意,可提供給第11A圖至第11F圖和第12A圖至第12D圖所解說之電子裝置的功能不限於此,且該等電子裝置可具有各種功能。
參照第13A圖和第13B圖來說明建築物內含之電子裝置的範例。
第13A圖解說建築物內含之電子裝置的範例。該電子裝置包括外殼5022、顯示部份5023、喇叭5025等。該電子裝置可由遙控器5024加以操作。該電子裝置是以壁掛式併入該建築物中,且可不需大量空間來加以設置。
第13B圖解說建築物內含之電子裝置的範例。該電子裝置包括顯示部份5026且被設置於浴缸5027附近,使得浴缸中的人可觀看顯示部份5026。
應注意,雖然在實施例6中提出牆壁和浴缸來作為建築物之範例,但實施例6不限於此。可將該顯示面板設置於各種建築物中。
接著,參照第13C圖和第13D圖來說明動態物件內含之電子裝置的範例。
第13C圖解說汽車內含之電子裝置的範例。該電子裝置包括內含於車體5029中的顯示部份5028。該電子裝置可應要求顯示與該汽車之操作有關的資訊,或是從內部或車外所輸入的資訊。應注意,該電子裝置可具有導航功能。
第13D圖解說設置於客機中之電子裝置的範例。更具體來說,第13D圖解說設置於客機之座位上方的天花板5030上之電子裝置的應用。該電子裝置是以鉸鏈部份5032安裝於天花板5030,且乘客可藉由將鉸鏈部份5032拉長來觀看顯示部份5031。該電子裝置具有由乘客之操作來顯示資訊的功能。
應注意,雖然在實施例6中將汽車車體和飛機機體敘述為動態物件的範例,但實施例6不限於此。可將該等電子裝置提供給各種對象,例如兩輪交通工具、四輪交通工具(包括汽車、巴士等)、列車(包括單軌、鐵路等)、以及船艦。
本實施例所述之電子裝置的特徵是具有用以顯示某種資訊的顯示部份,以及具有內含於該顯示部份中的實施例1所述之顯示裝置。
範例1中,藉由與習知範例做比較,而以電路模擬來驗證包括傳送信號產生電路的閘極驅動器中之失真或延遲信號的抑制效果。
第14A圖和第14B圖分別解說習知閘極驅動器和本說明書中之閘極驅動器的電路模擬模型。第14A圖解說將各正反電路的輸出信號用來作為下一個正反電路的起始脈衝信號之習知閘極驅動器的結構。第14B圖解說將傳送信號產生電路設置於正反電路之間的本說明書中之閘極驅動器的結構。
範例1中,在將第4圖所解說之電路用來作為正反電路和傳送信號產生電路的情況中之正反電路的輸出信號是由電路模擬所計算出。應注意,所使用的計算軟體為PSpice。此外,假設正反電路和傳送信號產生電路所包括的電晶體之臨限電壓為8V,且其場效移動率為0.5cm2/Vs。另外,假設在各閘極線形成有100pF的寄生電容。此外,假設時脈信號的電壓振幅為30V(H位準的電位為30V,而L位準的電位為0V)、接地電壓為0V、而時脈頻率為41.7kHz(週期為24μs)。
第15圖解說由電路模擬所計算出之正反電路的輸出信號。如第15圖所解說的,確認在本說明書的閘極驅動器中,延遲和失真信號減少。
本申請案是根據於2009年6月25日向日本專利局申請之日本專利申請案序號2009-150617,在此併入其完整內容以供參考。
101:畫素部份
103A:第一閘極驅動器
103B:第二閘極驅動器
1051:閘極線
1052:閘極線
1053:閘極線
105k:第k閘極線
105k+1:第(k+1)閘極線
F1:第一正反電路
T1:第一傳送信號產生電路
F3:第三正反電路
F2:第二正反電路
T2:週期
Tk-2:傳送信號產生電路
Fk:正反電路
Tk:第k傳送信號產生電路
Fk+2:第(k+2)正反電路
Tk-1:第(k-1)傳送信號產生電路
Fk+1:第(k+1)正反電路
Tk+1:第(k+1)傳送信號產生電路
Fk+3:第(k+3)正反電路
SP1:第一起始脈衝信號
CK:時脈信號
STP(F1):第一正反電路的停止脈衝信號
CKB:反向時脈信號
STP(T1):第一傳送信號產生電路的停止脈衝信號
STP(Fk):第k正反電路的停止脈衝信號
STP(Tk):第k傳送信號產生電路的停止脈衝信號
SP2:第二起始脈衝信號
STP(F2):第二正反電路的停止脈衝信號
STP(T2):第二傳送信號產生電路的停止脈衝信號
STP(Fk+1):第(k+1)正反電路的停止脈衝信號
STP(Tk+1):第(k+1)傳送信號產生電路的停止脈衝信號
Claims (8)
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,直接連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,直接連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至 該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第四電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第九電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,直接連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,直接連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第一電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第二電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,直接連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,直接連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號 的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至 該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第六電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第七電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,直接連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,直接連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第四電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第九電晶體的通道寬度對通道長度的比率;該第一電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第二電晶體的通道寬度對通道長度的比率;該第六電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第七電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,電性連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第四電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第九電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至 該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,電性連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至 該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第一電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第二電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,電性連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第六電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第七電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
- 一種半導體裝置,包含:第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體、第七電晶體、第八電晶體、以及第九電晶體;其中,該第一電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至輸出第一輸出信號的第一佈線;該第一電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第一時脈信號的第二佈線;該第二電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一佈線;該第二電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至 第三佈線;該第三電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第三電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至第四佈線;該第三電晶體的閘極,電性連接至該第四佈線;該第四電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第四電晶體的閘極,電性連接至輸出第二輸出信號的第五佈線;該第五電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第二電晶體的閘極;該第五電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第五電晶體的閘極,電性連接至該第一電晶體的閘極;該第六電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第六電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至提供有第二時脈信號的第六佈線;該第七電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第五佈線;該第七電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第七電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第八電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第八電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第一佈線;該第八電晶體的閘極,電性連接至該第一佈線;該第九電晶體的源極與汲極之其中一者,電性連接至該第六電晶體的閘極;該第九電晶體的源極與汲極之另外一者,電性連接至該第三佈線;該第九電晶體的閘極,電性連接至該第七佈線;該第四電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第九電晶體的通道寬度對通道長度的比率;該第一電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第二電晶體的通道寬度對通道長度的比率;該第六電晶體的通道寬度對通道長度的比率,大於該第七電晶體的通道寬度對通道長度的比率。
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