TW202312209A - 離子源 - Google Patents

Abstract

揭露一種能夠提取具有改進的均勻性的帶狀離子束的離子源。離子源的壁中的一個在其面向腔室的內部表面上具有突起。突起產生用作自由電子和離子的接收器的損失區域。這引起突起附近的電漿密度降低，且可通過修改突起附近的束電流來改進從離子源提取的帶狀離子束的均勻性。可修改突起的形狀以實現所要均勻性。突起還可與圓柱形離子源一起利用。在某些實施例中，突起由多個機械可調節突起元件產生。

Description

離子源

本揭露描述用於控制從離子源（諸如間接加熱陰極（indirectly heated cathode；IHC）離子源）提取的帶狀離子束的均勻性的系統。

本申請案要求2021年9月13日申請的美國專利申請案第17/473,101號的優先權，所述美國專利申請案的揭露內容以全文引用的方式併入本文中。

使用多個工藝來製造半導體裝置，所述工藝中的一些將離子植入到工件中。各種離子源可用於產生離子。一個此類機構是間接加熱陰極（IHC）離子源。IHC離子源包括安置於陰極後方的燈絲。陰極可維持在比燈絲更正的電壓下。當電流通過燈絲時，燈絲發射朝向帶更多正電的陰極加速的熱離子電子。這些熱離子電子用來加熱陰極，繼而使得陰極將電子發射到離子源的腔室中。陰極安置於腔室的一個末端處。反射極通常安置與腔室的與陰極相對的末端上。

在某些實施例中，IHC離子源配置成提取帶狀離子束，其中帶狀離子束的寬度遠大於帶狀離子束的高度。不幸的是，在許多系統中，所提取的帶狀離子束的束電流沿著其寬度並不均勻。此不均勻性可引起植入到工件中的離子的濃度不均勻。在其它實施例中，可利用束線中的額外組件（諸如四極透鏡）來嘗試補償此不均勻性。這些補救措施可能增加束線系統的額外複雜度和成本。

因此，如果存在能夠控制從離子源提取的帶狀離子束的均勻性的系統，那將是有益的。

揭露一種能夠提取具有改進的均勻性的帶狀離子束的離子源。離子源的壁中的一個在其面向腔室的內部表面上具有突起。突起產生用作自由電子和離子的接收器的損失區域。這引起突起附近的電漿密度降低，且可通過修改突起附近的束電流來改進從離子源提取的帶狀離子束的均勻性。可修改突起的形狀以實現所要均勻性。突起還可與圓柱形離子源一起利用。在某些實施例中，突起由多個機械可調節突起元件產生。

根據一個實施例，揭露一種離子源。所述離子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及連接第一末端與第二末端的多個壁，其中多個壁中的一個是具有寬度大於其高度的提取孔的提取板；以及電漿產生器，用以在腔室內產生電漿；其中不同於提取板的多個壁中的一個是具有朝向腔室的內部延伸的突起的突出壁。在一些實施例中，突起在至少一個位置處延伸到腔室中至少3毫米。在某些實施例中，其中突起包括從第一末端到第二末端的恆定曲率半徑。在一些實施例中，突起包括三角形形狀。在一些實施例中，突起包括梯形形狀。在一些實施例中，突出壁與提取板相對。在某些實施例中，突出壁鄰近於提取板。在一些實施例中，電漿產生器包括安置於第一末端處的間接加熱陰極。

根據另一實施例，揭露一種離子源。所述離子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及連接第一末端與第二末端的圓柱形外殼，其中寬度大於其高度的提取孔安置於圓柱形外殼上；以及電漿產生器，用以在腔室內產生電漿；其中突起從圓柱形外殼朝向腔室的內部延伸。在一些實施例中，突起安置於與提取孔相對的圓柱形外殼上，以便從提取孔偏移180°。在一些實施例中，突起從提取孔偏移90°。在某些實施例中，電漿產生器包括安置於第一末端處的間接加熱陰極。在一些實施例中，突起的最大厚度在寬度方向上出現在提取孔的中心處。

根據另一實施例，揭露一種離子源。所述離子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及連接第一末端與第二末端的多個壁，其中多個壁中的一個是具有寬度大於其高度的提取孔的提取板；電漿產生器，用以在腔室內產生電漿；以及多個機械可調節突起元件，電連接到多個壁，延伸到腔室的內部中。在一些實施例中，離子源包括致動器，所述致動器用以控制多個機械可調節突起元件在腔室內的位置。在某些實施例中，多個機械可調節突起元件中的每一個獨立地受控制。在一些實施例中，多個機械可調節突起元件延伸穿過與提取板相對的壁。在某些實施例中，多個機械可調節突起元件延伸穿過鄰近於提取板的壁。在一些實施例中，電漿產生器包括安置於第一末端處的間接加熱陰極。

圖1A到圖1B繪示根據兩個實施例的可用於提取具有改進的均勻性的帶狀離子束的IHC離子源10。圖2A到圖2B分別繪示圖1A到圖1B的IHC離子源10的橫截面視圖。在這些實施例中，IHC離子源10包含腔室100，所述腔室包括兩個相對末端和連接到這些末端的壁101。這些壁101包含側壁、提取板103以及與提取板103相對的底壁。提取板103包含藉以提取離子的提取孔140。提取孔140可在寬度方向（也稱為X方向）上比在高度方向（也稱為Y方向）上大得多。Z方向沿著提取板103的厚度界定，且界定為帶狀離子束的行進方向。舉例來說，提取孔140可在寬度方向上大於2英寸且在高度方向上小於0.5。

腔室100的壁101可由諸如鎢或另一耐火金屬的導電材料構成，且可彼此電連通。陰極110在腔室100中安置於腔室100的第一末端104處。燈絲160安置於陰極110後方。燈絲160與燈絲電源165連通。燈絲電源165配置成使電流通過燈絲160，使得燈絲160發射熱離子電子。陰極偏置電源115相對於陰極110而使燈絲160負偏置，因此這些熱離子電子從燈絲160朝向陰極110加速且當其撞擊陰極110的後表面時加熱陰極110。陰極偏置電源115可使燈絲160偏置，使得所述燈絲具有比陰極110的電壓更負的例如在200伏到1500伏之間的電壓。隨後陰極110將熱離子電子從其前表面發射到腔室100中。

因此，燈絲電源165向燈絲160供應電流。陰極偏置電源115使燈絲160偏置以使得所述燈絲比陰極110更負，使得電子從燈絲160被吸向陰極110。陰極110與電弧電壓電源111連通。電弧電壓電源111向陰極供應相對於腔室100的電壓。這一電弧電壓加速在陰極處發射的熱離子電子進入腔室100以使中性氣體電離。通過這一電弧電壓電源111汲取的電流是由電漿驅動的電流量的測量值。在某些實施例中，壁101為其它電源提供接地參考。

在此實施例中，反射極120在腔室100中安置於腔室100的與陰極110相對的第二末端105上。陰極110的中心和反射極120的中心可在腔室100的中心軸線109上形成兩個點。

反射極120可與反射極電源123電連通。顧名思義，反射極120用以將從陰極110發射的電子排斥回腔室100的中心。舉例來說，在某些實施例中，反射極120可在相對於腔室100的負電壓下偏置以排斥電子。舉例來說，在某些實施例中，反射極120在相對於腔室100的0伏與-150伏之間偏置。在某些實施例中，反射極120可相對於腔室100浮置。換句話說，當浮置時，反射極120未電連接到反射極電源123或腔室100。在這一實施例中，反射極120的電壓往往會偏移到接近於陰極110的電壓的電壓。替代地，反射極120可電連接到壁101。

在某些實施例中，在腔室100中產生磁場190。這一磁場意圖沿著一個方向限制電子。磁場190通常平行於壁101從第一末端104延伸到第二末端105。舉例來說，可將電子限制在平行於從陰極110到反射極120的方向（亦即，x方向）的列中。因此，電子在x方向上移動時並不會受到電磁力。然而，電子在其它方向上的移動可能會受到電磁力。

一或多個氣體容器108可經由氣體入口106與腔室100連通。每一氣體容器108可包含質量流量控制器（mass flow controller；MFC）以便調控來自每一氣體容器的氣流。

提取電源170可用於相對於束線中的其餘組件偏置IHC離子源10的壁101。舉例來說，台板260（參見圖2）可處於第一電壓，例如接地，同時將正電壓施加到IHC離子源10以使得IHC離子源10比台板260更正地偏置。因此，由提取電源170供應的稱為提取電壓的電壓確定從IHC離子源10提取的離子的能量。另外，由提取電源170供應的電流是總提取束電流的度量。

在某些實施例中，在陰極偏置電源115與提取電源170之間存在反饋回路。具體來說，可能需要將所提取束電流維持在恆定值。因此，可監測從提取電源170供應的電流且可調節陰極偏置電源115的輸出以維持恆定提取電流。這一反饋回路可由控制器180執行或可以另一方式執行。

控制器180可與電源中的一或多個連通，使得可監測和/或修改由這些電源供應的電壓或電流。此外，控制器180可與每一氣體容器108的MFC連通以便調控進入腔室100中的每一氣體的流動。控制器180可包含處理單元，例如微控制器、個人計算機、專用控制器或另一合適的處理單元。控制器180還可包含非暫時性儲存元件，例如半導體記憶體、磁記憶體或另一合適的記憶體。這一非暫時性儲存元件可含有指令和允許控制器180執行本文中所描述的功能的其它數據。舉例來說，控制器180可與陰極偏置電源115連通以允許IHC離子源10相對於燈絲160改變施加到陰極的電壓。控制器180還可與反射極電源123連通以偏置反射極。另外，控制器180可能夠監測由陰極偏置電源115供應的電壓、電流和/或功率。

圖3繪示使用圖1A的IHC離子源10的離子植入系統。一或多個電極200安置在IHC離子源10的提取孔外部和附近。

質量分析器210位於電極200下游。質量分析器210使用磁場以引導所提取離子束1的路徑。磁場根據離子質量和電荷影響離子的飛行路徑。具有解析孔221的質量解析裝置220安置於質量分析器210的輸出端或遠端處。通過磁場的適當選擇，僅將具有所選擇的質量和電荷的帶狀離子束1中的那些離子引導穿過解析孔221。其它離子將撞擊質量解析裝置220或質量分析器210的壁且將不會在系統中進一步行進。

準直器230可安置於質量解析裝置220的下游。準直器230接受來自帶狀離子束1的穿過解析孔221的離子且產生由多個平行或幾乎平行的細束形成的帶狀離子束。質量分析器210的輸出端或遠端和準直器230的輸入端或近端可相隔固定距離。質量解析裝置220安置於這兩個組件之間的空間中。

加速/減速台240可位於準直器230的下游。加速/減速台240可稱為能量純度模塊。能量純度模塊是配置成獨立控制離子束的偏轉、減速以及聚焦的束線透鏡組件。舉例來說，能量純度模塊可為垂直靜電能量過濾器（vertical electrostatic energy filter；VEEF）或靜電過濾器（electrostatic filter；EF）。台板260位於加速/減速台240的下游。工件在加工期間安置於台板260上。

返回到圖1A到圖1B和圖2A到2B，腔室100包含具有突起150的至少一個壁101，其中突起150從面向腔室100的內部表面朝內延伸。具有突起150的壁可稱為突出壁151。換句話說，突起150引起突出壁151的厚度變化。在某些實施例中，突出壁151是與提取板103相對的底壁，如圖1A和2A中所繪示。在其它實施例中，突出壁151鄰近於提取板103，如圖1B和圖2B中所繪示。

當突出壁151如圖1A和圖2A中所繪示時，突起150在Z方向上延伸。當突出壁151如圖1B和圖2B中所繪示時，突起150在Y或-Y方向上延伸。

在兩個實施例中，這一突起150增加腔室100內的損失區域。具體來說，突起150是導電的，電連接到壁101，且用作自由電子和離子的接收器。這一損失區域用以降低突起150附近的電漿密度。

在一些實施例中，突起150的最大延伸位於提取孔的中心。如本文中所使用，術語「提取孔的中心」是指提取孔在X或寬度方向上的中心。此外，雖然圖1A到圖1B繪示出現在提取孔140的中心處的突起150的最大厚度，但其它實施例也是可能的。舉例來說，突起的最大厚度可能出現在第一末端104和/或第二末端105附近，如圖4D中所繪示。如果離子源在末端附近產生較高電漿密度，那麼這可能是有益的。

突起150可具有任何合適的形狀。舉例來說，在圖2A到圖2B中，突起150的橫截面是從內部壁朝內延伸的矩形。矩形的尺寸界定為厚度和高度，所述厚度是朝向腔室的中心的尺寸，所述高度垂直於厚度。突起150可具有在0.060英寸與0.250英寸之間的高度。突起150可稱為鰭。當然，其它形狀也是可能的。舉例來說，突起150的橫截面可以是圓形的且具有曲率半徑，使得腔室100中不存在邊緣。

另外，背離腔室100的突出壁151的外部表面可不變且可保持平坦。更具體來說，突起150延伸到腔室100中。此外，突起150的厚度可隨寬度方向（即，X方向）上位置的變化而變化。舉例來說，突起150的厚度可在提取孔140的中心處最厚，且隨著遠離中心朝向第一末端104和第二末端105移動而減小。

在某些實施例中，突起150的最薄部分與突起150的最厚部分之間的最大差异可在腔室100的高度的5%與25%之間。舉例來說，突起150可在至少一個位置處延伸到腔室100中至少1毫米。在某些實施例中，突起150可在至少一個位置處延伸到腔室100中至少3毫米。當然，在其它實施例中可使用其它尺寸。

在某些實施例中，突起150可具有沿著X方向的平滑曲率半徑，類似於圖1A到圖1B中所繪示。然而，其它曲率也是可能的。舉例來說，在第一末端104與提取孔140的中心之間可存在第一曲率半徑，且在第二末端105與提取孔140的中心之間可存在第二曲率半徑。此外，雖然圖1A到圖1B繪示延伸到第一末端104和第二末端105的突起150，但在其它實施例中，突起150在寬度方向上可更小，使得突起150在遠離第一末端104的位置處開始且在第二末端105之前的位置處結束，諸如圖4A中所繪示。

圖1A到圖1B繪示根據兩個實施例的突出壁151。在這些實施例中，突起150在第一末端104處開始且延伸到第二末端105。此外，突起150始終具有恆定曲率半徑。

然而，突起150可具有其它形狀。舉例來說，如圖4B所繪示，突起150可呈現為三角形形狀，其中突起150的厚度從第一末端104到提取孔140的中心線性地增加且從第二末端105到提取孔140的中心線性地增加。在另一實施例中，突起150在第一末端104之後的位置處開始且在第二末端105之前的位置處結束。

替代地，如圖4C中所繪示，突起150可以是梯形的，其中突起150的厚度從第一末端104和第二末端105到位於提取孔140的中心附近的平坦區域線性地增加。在另一實施例中，突起150在第一末端104之後的位置處開始且在第二末端105之前的位置處結束。

另外，所有先前圖式繪示突起150關於提取孔140的中心對稱。然而，其它實施例也是可能的。舉例來說，離子源內的電漿密度可布成使得第一末端104附近的密度大於第二末端105附近的密度。在這種情況下，突起150的最大（或最小）厚度可出現在更接近第一末端104而不是第二末端105的位置處，如圖4E中所繪示。

此外，雖然圖4A到圖4E繪示突出壁151與提取板103相對，但在其它實施例中，突出壁151可鄰近於提取板103，如圖2A中所繪示。換句話說，圖4A到圖4E中所繪示的突出壁151的配置還可在突出壁151鄰近於提取板103的情況下實現。

另外，在圖4A到圖4C中，假定在提取孔140的中心附近發現最大電漿密度。然而，如果最大電漿密度安置於第一末端104和第二末端105附近，那麼圖4A到圖4C中所繪示的形狀可顛倒，使得在提取孔140的中心處發現最小厚度且在末端附近發現最大厚度，如圖4D中所繪示。

在另一實施例中，圖5A到圖5B中所繪示，腔室500可以是圓柱形的。突起150可安置成與提取孔140相對，或偏移180°，如圖5A中所繪示。在其它實施例中，突起可安置成從提取孔140偏移90°，如圖5B中所繪示。當然，突起150可安置於沿著腔室500的內部表面的任何位置處。另外，突起150的形狀可為上文所描述且圖1A到圖1B和圖4A到圖4E中所繪示的形狀中的任一個。

在不受特定理論限制的情況下，相信IHC離子源10內的電漿趨向於圍繞中心軸線109旋轉。如圖1A中所繪示，這一中心軸線109穿過陰極110的中心和反射極120的中心。此旋轉可由E x B漂移引起。應注意，產生平行於中心軸線109的磁場190。此外，電漿的電勢在其中心處最大且隨著朝向壁101移動而減小。因此，存在垂直於磁場190的電場。此組合在垂直於磁場190和電場兩者的方向上產生電磁力。正是這種電磁力可引起旋轉。

通過在腔室中併入突出壁151，旋轉電漿接觸突起150，所述突起中和自由電子和離子，從而降低電漿密度。這在圖6中繪示。應注意，電漿在此圖中在逆時針方向上旋轉。還應注意，電漿密度在突起150的左側極大地減小。此現象可類似於木工車床，其在將車刀工具應用於待加工材料的位置處去除材料。

換句話說，儘管相信電漿密度在提取孔140的中心附近可能更大，但通過增加此區域中的損失區域，可降低此區域中的電漿密度。此外，如果已知隨寬度而變化的提取電流，那麼可適當地成形突起150以適當地減小跨越寬度的電漿截面面積，使得所提取束電流沿著寬度方向幾乎恆定。

可使用圖7中所繪示的實施例實現適當地成形突起150的能力。在此實施例中，通過使用多個機械可調節突起元件152a到152e來產生突起。雖然圖7繪示五個機械可調節突起元件，但元件的數目不受本揭露限制。在一個實施例中，可獨立地控制機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e中的每一個，從而允許突起為各種不同形狀。在其它實施例中，可共同控制機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e的群組。作為實例，可共同控制機械可調節突起元件152a和機械可調節突起元件152e，且可共同控制機械可調節突起元件152b和機械可調節突起元件152d。這種配置將產生關於提取孔140的中心對稱的突起。

機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可由與壁相同的導電材料製成，諸如鎢或另一合適的材料。機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可電連接到腔室100的壁101。此外，機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可以是矩形棱鏡，使得突起元件的俯視圖如圖7中所繪示且側視圖如圖2A或圖2B中所繪示。矩形突起元件的尺寸可界定為厚度，其是朝向腔室的中心的尺寸；高度，其垂直於厚度；以及寬度，其為在X方向上的尺寸。這些機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可具有在0.060英寸與0.250英寸之間的高度。機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可具有至少在腔室的高度的5%與25%之間的厚度，使得其可延伸到腔室中。每一機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e的寬度可相同，或其可不同。舉例來說，在某些實施例中，機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e跨越腔室的整個寬度延伸，使得N個元件中的每一個具有約W/N的寬度，其中W是腔室100的寬度。在其它實施例中，機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e還可占據腔室100的寬度的中間50%。在此實例中，N個元件中的每一個具有約W/2N的寬度，其中W是腔室100的寬度。

當然，其它形狀也是可能的。舉例來說，如圖2A到圖2B中所繪示，機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e的橫截面可以是圓形的且具有曲率半徑，使得腔室100中不存在邊緣。

此外，雖然圖7繪示機械可調節突起元件具有暴露於腔室的內部的平坦表面，但其它實施例是可能的。舉例來說，對於圖7中所繪示的機械可調節突起元件，內部表面在Y方向上可以是圓形的。這些機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可由諸如耐火金屬的鎢或另一合適的材料構成。

此外，雖然圖7繪示安置於與提取板103相對的壁上的機械可調節突起元件，但其它實施例是可能的。舉例來說，機械可調節突起元件可安置於鄰近提取板103的壁上，類似於圖1B中所繪示的配置。

另外，機械可調節突起元件可與圓柱形腔室一起使用，諸如圖5A到圖5B中所繪示的那些。

在某些實施例中，機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e可耦合到一或多個致動器153。在其它實施例中，可手動地移動機械可調節突起元件152a到機械可調節突起元件152e。

在一些實施例中，可存在校準程序以確定機械可調節突起元件中的每一個的適當位置。舉例來說，諸如法拉第杯陣列的束輪廓器可沿著束線安置於提取孔140外部。舉例來說，法拉第杯陣列可靠近台板260安置。束輪廓器可與控制器180連通，所述控制器控制致動器153以改進所提取離子束的均勻性。

上文將離子源描述為IHC離子源。然而，其它離子源也可與此提取板103一起使用。舉例來說，磁化DC電漿源、管狀陰極源、伯納斯（Bernas）離子源以及電感耦合電漿（inductively coupled plasma；ICP）離子源也可使用具有突起150的提取板103。因此，提取板可與具有各種不同電漿產生器的離子源一起使用。

本發明的系統和方法具有許多優點。如上文所提及，在提取帶狀離子束的某些離子源中，帶狀離子束在其寬度上並不均勻。採用各種技術來嘗試校正此不均勻性。本發明系統提供一種選擇性地降低腔室中某些區域內的電漿密度的機構。以這種方式，即使離子源在腔室的某些部分（諸如陰極中心或附近）中產生更密集的電漿，突起或機械可調節突起元件可能夠對此進行補償，從而允許提取更均勻的離子束。此外，此系統解決離子源處的不均勻性，減少傳統上用於束線系統中以補償此問題的組件的複雜度和數目。

本揭露不應限於本文所描述的具體實施例的範圍。實際上，除了本文中所描述的那些修改之外，本揭露的其它各種實施例和修改對於本領域的技術人員將從前述描述和隨附圖式中變得顯而易見。因此，此類其它實施例和修改意圖落在本揭露的範圍內。此外，儘管已出於特定目的在特定環境下在特定實施方案的上下文中描述了本揭露，但本領域的普通技術人員將認識到其有用性不限於此，並且出於任何數目的目的，本揭露可以有利地在任何數目的環境中實施。因此，應考慮到如本文所描述的本揭露的整個廣度和精神來解釋下文闡述的申請專利範圍。

1:離子束 10:IHC離子源 100、500:腔室 101:壁 103:提取板 104:第一末端 105:第二末端 106:氣體入口 108:氣體容器 109:中心軸線 110:陰極 111:電弧電壓電源 115:陰極偏置電源 120:反射極 123:反射極電源 140:提取孔 150:突起 151:突出壁 152a、152b、152c、152d、152e:機械可調節突起元件 153:致動器 160:燈絲 165:燈絲電源 170:提取電源 180:控制器 190:磁場 200:電極 210:質量分析器 220:質量解析裝置 221:解析孔 230:準直器 240:加速/減速台 260:台板

為了更好地理解本揭露，參考隨附圖式，其中相同元件用相同標號參考，且其中： 圖1A到圖1B是繪示根據兩個實施例的IHC離子源的框圖。 圖2A到圖2B分別是圖1A到圖1B的IHC離子源的橫截面視圖。 圖3是使用圖1的IHC離子源的離子植入系統的塊。 圖4A到圖4E是根據其它實施例的IHC離子源的框圖。 圖5A到5B是根據兩個實施例的圓柱形IHC離子源的橫截面視圖。 圖6是繪示突起對電漿密度的影響的圖。 圖7是具有機械可調節突起元件的IHC離子源的框圖。

10:IHC離子源

100:腔室

101:壁

104:第一末端

105:第二末端

106:氣體入口

108:氣體容器

109:中心軸線

110:陰極

111:電弧電壓電源

115:陰極偏置電源

120:反射極

123:反射極電源

140:提取孔

150:突起

151:突出壁

160:燈絲

165:燈絲電源

170:提取電源

180:控制器

190:磁場

Claims (20)

1. 一種離子源，包括： 腔室，包括第一末端、第二末端以及連接所述第一末端與所述第二末端的多個壁，其中所述多個壁中的一者是提取板，所述提取板具有寬度大於其高度的提取孔；以及 電漿產生器，用以在所述腔室內產生電漿； 其中不同於所述提取板的所述多個壁中的一者是突出壁，所述突出壁具有朝向所述腔室的內部延伸的突起。
2. 如請求項1所述的離子源，其中所述突起在至少一個位置處延伸到所述腔室中至少3毫米。
3. 如請求項1所述的離子源，其中所述突起包括從所述第一末端到所述第二末端的恆定曲率半徑。
4. 如請求項1所述的離子源，其中所述突起包括三角形形狀。
5. 如請求項1所述的離子源，其中所述突起包括梯形形狀。
6. 如請求項1所述的離子源，其中所述突出壁與所述提取板相對。
7. 如請求項1所述的離子源，其中所述突出壁鄰近於所述提取板。
8. 如請求項1所述的離子源，其中所述電漿產生器包括安置於所述第一末端處的間接加熱陰極。
9. 如請求項1所述的離子源，其中所述突起的最大厚度在寬度方向上出現在所述提取孔的中心處。
10. 一種離子源，包括： 腔室，包括第一末端、第二末端以及連接所述第一末端與所述第二末端的圓柱形外殼，其中具有寬度大於其高度的提取孔安置於所述圓柱形外殼上；以及 電漿產生器，用以在所述腔室內產生電漿； 其中突起從所述圓柱形外殼朝向所述腔室的內部延伸。
11. 如請求項10所述的離子源，其中所述突起安置於與所述提取孔相對的所述圓柱形外殼上，以便從所述提取孔偏移180°。
12. 如請求項10所述的離子源，其中所述突起從所述提取孔偏移90°。
13. 如請求項10所述的離子源，其中所述電漿產生器包括安置於所述第一末端處的間接加熱陰極。
14. 如請求項10所述的離子源，其中所述突起的最大厚度在寬度方向上出現在所述提取孔的中心處。
15. 一種離子源，包括： 腔室，包括第一末端、第二末端以及連接所述第一末端與所述第二末端的多個壁，其中所述多個壁中的一者是提取板，所述提取板具有寬度大於其高度的提取孔； 電漿產生器，用以在所述腔室內產生電漿；以及 多個機械可調節突起元件，電連接到所述多個壁，延伸到所述腔室的內部中。
16. 如請求項15所述的離子源，更包括： 致動器，用以控制所述多個機械可調節突起元件在所述腔室內的位置。
17. 如請求項16所述的離子源，其中所述多個機械可調節突起元件中的每一者獨立地受控制。
18. 如請求項15所述的離子源，其中所述多個機械可調節突起元件延伸穿過與所述提取板相對的壁。
19. 如請求項15所述的離子源，其中所述多個機械可調節突起元件延伸穿過鄰近於所述提取板的壁。
20. 如請求項15所述的離子源，其中所述電漿產生器包括安置於所述第一末端處的間接加熱陰極。

Images