CN117981036A - 控制提取离子束均匀性的装置 - Google Patents

Abstract

公开一种能够提取具有改进的均匀性的带状离子束的离子源。离子源的壁中的一个在其面向腔室的内部表面上具有突起。突起产生用作自由电子和离子的接收器的损失区域。这引起突起附近的等离子体密度降低，且可通过修改突起附近的束电流来改进从离子源提取的带状离子束的均匀性。可修改突起的形状以实现所要均匀性。突起还可与圆柱形离子源一起利用。在某些实施例中，突起由多个机械可调节突起元件产生。

Description

控制提取离子束均匀性的装置

本申请案要求2021年9月13日申请的美国专利申请案第17/473,101号的优先权，所述美国专利申请案的公开内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开描述用于控制从离子源(诸如间接加热阴极(indirectly heatedcathode；IHC)离子源)提取的带状离子束的均匀性的系统。

背景技术

使用多个工艺来制造半导体装置，所述工艺中的一些将离子植入到工件中。各种离子源可用于产生离子。一个此类机构是间接加热阴极(IHC)离子源。IHC离子源包括安置于阴极后方的灯丝。阴极可维持在比灯丝更正的电压下。当电流通过灯丝时，灯丝发射朝向带更多正电的阴极加速的热离子电子。这些热离子电子用来加热阴极，继而使得阴极将电子发射到离子源的腔室中。阴极安置于腔室的一个末端处。反射极通常安置与腔室的与阴极相对的末端上。

在某些实施例中，IHC离子源配置成提取带状离子束，其中带状离子束的宽度远大于带状离子束的高度。不幸的是，在许多系统中，所提取的带状离子束的束电流沿着其宽度并不均匀。此不均匀性可引起植入到工件中的离子的浓度不均匀。在其它实施例中，可利用束线中的额外组件(诸如四极透镜)来尝试补偿此不均匀性。这些补救措施可能增加束线系统的额外复杂度和成本。

因此，如果存在能够控制从离子源提取的带状离子束的均匀性的系统，那将是有益的。

发明内容

公开一种能够提取具有改进的均匀性的带状离子束的离子源。离子源的壁中的一个在其面向腔室的内部表面上具有突起。突起产生用作自由电子和离子的接收器的损失区域。这引起突起附近的等离子体密度降低，且可通过修改突起附近的束电流来改进从离子源提取的带状离子束的均匀性。可修改突起的形状以实现所要均匀性。突起还可与圆柱形离子源一起利用。在某些实施例中，突起由多个机械可调节突起元件产生。

根据一个实施例，公开一种离子源。所述离子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及连接第一末端与第二末端的多个壁，其中多个壁中的一个是具有宽度大于其高度的提取孔的提取板；以及等离子体产生器，用以在腔室内产生等离子体；其中不同于提取板的多个壁中的一个是具有朝向腔室的内部延伸的突起的突出壁。在一些实施例中，突起在至少一个位置处延伸到腔室中至少3毫米。在某些实施例中，其中突起包括从第一末端到第二末端的恒定曲率半径。在一些实施例中，突起包括三角形形状。在一些实施例中，突起包括梯形形状。在一些实施例中，突出壁与提取板相对。在某些实施例中，突出壁邻近于提取板。在一些实施例中，等离子体产生器包括安置于第一末端处的间接加热阴极。

根据另一实施例，公开一种离子源。所述离子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及连接第一末端与第二末端的圆柱形外壳，其中宽度大于其高度的提取孔安置于圆柱形外壳上；以及等离子体产生器，用以在腔室内产生等离子体；其中突起从圆柱形外壳朝向腔室的内部延伸。在一些实施例中，突起安置于与提取孔相对的圆柱形外壳上，以便从提取孔偏移180°。在一些实施例中，突起从提取孔偏移90°。在某些实施例中，等离子体产生器包括安置于第一末端处的间接加热阴极。在一些实施例中，突起的最大厚度在宽度方向上出现在提取孔的中心处。

根据另一实施例，公开一种离子源。所述离子源包括：腔室，包括第一末端、第二末端以及连接第一末端与第二末端的多个壁，其中多个壁中的一个是具有宽度大于其高度的提取孔的提取板；等离子体产生器，用以在腔室内产生等离子体；以及多个机械可调节突起元件，电连接到多个壁，延伸到腔室的内部中。在一些实施例中，离子源包括致动器，所述致动器用以控制多个机械可调节突起元件在腔室内的位置。在某些实施例中，多个机械可调节突起元件中的每一个独立地受控制。在一些实施例中，多个机械可调节突起元件延伸穿过与提取板相对的壁。在某些实施例中，多个机械可调节突起元件延伸穿过邻近于提取板的壁。在一些实施例中，等离子体产生器包括安置于第一末端处的间接加热阴极。

附图说明

为了更好地理解本公开，参考随附附图，其中相同元件用相同标号参考，且其中：

图1A-1B是示出根据两个实施例的IHC离子源的框图。

图2A-2B分别是图1A-1B的IHC离子源的横截面视图。

图3是使用图1的IHC离子源的离子植入系统的块。

图4A-4E是根据其它实施例的IHC离子源的框图。

图5A-5B是根据两个实施例的圆柱形IHC离子源的横截面视图。

图6是示出突起对等离子体密度的影响的图。

图7是具有机械可调节突起元件的IHC离子源的框图。

具体实施方式

图1A-1B示出根据两个实施例的可用于提取具有改进的均匀性的带状离子束的IHC离子源10。图2A-2B分别示出图1A-1B的IHC离子源10的横截面视图。在这些实施例中，IHC离子源10包含腔室100，所述腔室包括两个相对末端和连接到这些末端的壁101。这些壁101包含侧壁、提取板103以及与提取板103相对的底壁。提取板103包含借以提取离子的提取孔140。提取孔140可在宽度方向(也称为X方向)上比在高度方向(也称为Y方向)上大得多。Z方向沿着提取板103的厚度界定，且界定为带状离子束的行进方向。举例来说，提取孔140可在宽度方向上大于2英寸且在高度方向上小于0.5。

腔室100的壁101可由诸如钨或另一耐火金属的导电材料构成，且可彼此电连通。阴极110在腔室100中安置于腔室100的第一末端104处。灯丝160安置于阴极110后方。灯丝160与灯丝电源165连通。灯丝电源165配置成使电流通过灯丝160，使得灯丝160发射热离子电子。阴极偏置电源115相对于阴极110而使灯丝160负偏置，因此这些热离子电子从灯丝160朝向阴极110加速且当其撞击阴极110的后表面时加热阴极110。阴极偏置电源115可使灯丝160偏置，使得所述灯丝具有比阴极110的电压更负的例如在200伏到1500伏之间的电压。随后阴极110将热离子电子从其前表面发射到腔室100中。

因此，灯丝电源165向灯丝160供应电流。阴极偏置电源115使灯丝160偏置以使得所述灯丝比阴极110更负，使得电子从灯丝160被吸向阴极110。阴极110与电弧电压电源111连通。电弧电压电源111向阴极供应相对于腔室100的电压。这一电弧电压加速在阴极处发射的热离子电子进入腔室100以使中性气体电离。通过这一电弧电压电源111汲取的电流是由等离子体驱动的电流量的测量值。在某些实施例中，壁101为其它电源提供接地参考。

在此实施例中，反射极120在腔室100中安置于腔室100的与阴极110相对的第二末端105上。阴极110的中心和反射极120的中心可在腔室100的中心轴线109上形成两个点。

反射极120可与反射极电源123电连通。顾名思义，反射极120用以将从阴极110发射的电子排斥回腔室100的中心。举例来说，在某些实施例中，反射极120可在相对于腔室100的负电压下偏置以排斥电子。举例来说，在某些实施例中，反射极120在相对于腔室100的0伏与-150伏之间偏置。在某些实施例中，反射极120可相对于腔室100浮置。换句话说，当浮置时，反射极120未电连接到反射极电源123或腔室100。在这一实施例中，反射极120的电压往往会偏移到接近于阴极110的电压的电压。替代地，反射极120可电连接到壁101。

在某些实施例中，在腔室100中产生磁场190。这一磁场意图沿着一个方向限制电子。磁场190通常平行于壁101从第一末端104延伸到第二末端105。举例来说，可将电子限制在平行于从阴极110到反射极120的方向(亦即，x方向)的列中。因此，电子在x方向上移动时并不会受到电磁力。然而，电子在其它方向上的移动可能会受到电磁力。

一或多个气体容器108可经由气体入口106与腔室100连通。每一气体容器108可包含质量流量控制器(mass flow controller；MFC)以便调控来自每一气体容器的气流。

提取电源170可用于相对于束线中的其余组件偏置IHC离子源10的壁101。举例来说，台板260(参见图2)可处于第一电压，例如接地，同时将正电压施加到IHC离子源10以使得IHC离子源10比台板260更正地偏置。因此，由提取电源170供应的称为提取电压的电压确定从IHC离子源10提取的离子的能量。另外，由提取电源170供应的电流是总提取束电流的度量。

在某些实施例中，在阴极偏置电源115与提取电源170之间存在反馈回路。具体来说，可能需要将所提取束电流维持在恒定值。因此，可监测从提取电源170供应的电流且可调节阴极偏置电源115的输出以维持恒定提取电流。这一反馈回路可由控制器180执行或可以另一方式执行。

控制器180可与电源中的一或多个连通，使得可监测和/或修改由这些电源供应的电压或电流。此外，控制器180可与每一气体容器108的MFC连通以便调控进入腔室100中的每一气体的流动。控制器180可包含处理单元，例如微控制器、个人计算机、专用控制器或另一合适的处理单元。控制器180还可包含非暂时性存储元件，例如半导体存储器、磁存储器或另一合适的存储器。这一非暂时性存储元件可含有指令和允许控制器180执行本文中所描述的功能的其它数据。举例来说，控制器180可与阴极偏置电源115连通以允许IHC离子源10相对于灯丝160改变施加到阴极的电压。控制器180还可与反射极电源123连通以偏置反射极。另外，控制器180可能够监测由阴极偏置电源115供应的电压、电流和/或功率。

图3示出使用图1A的IHC离子源10的离子植入系统。一或多个电极200安置在IHC离子源10的提取孔外部和附近。

质量分析器210位于电极200下游。质量分析器210使用磁场以引导所提取离子束1的路径。磁场根据离子质量和电荷影响离子的飞行路径。具有分辨孔221的质量分辨装置220安置于质量分析器210的输出端或远端处。通过磁场的适当选择，仅将具有所选择的质量和电荷的带状离子束1中的那些离子引导穿过分辨孔221。其它离子将撞击质量分辨装置220或质量分析器210的壁且将不会在系统中进一步行进。

准直器230可安置于质量分辨装置220的下游。准直器230接受来自带状离子束1的穿过分辨孔221的离子且产生由多个平行或几乎平行的细束形成的带状离子束。质量分析器210的输出端或远端和准直器230的输入端或近端可相隔固定距离。质量分辨装置220安置于这两个组件之间的空间中。

加速/减速台240可位于准直器230的下游。加速/减速台240可称为能量纯度模块。能量纯度模块是配置成独立控制离子束的偏转、减速以及聚焦的束线透镜组件。举例来说，能量纯度模块可为竖直静电能量过滤器(vertical electrostatic energy filter；VEEF)或静电过滤器(electrostatic filter；EF)。台板260位于加速/减速台240的下游。工件在加工期间安置于台板260上。

返回到图1A-1B和图2A-2B，腔室100包含具有突起150的至少一个壁101，其中突起150从面向腔室100的内部表面朝内延伸。具有突起150的壁可称为突出壁151。换句话说，突起150引起突出壁151的厚度变化。在某些实施例中，突出壁151是与提取板103相对的底壁，如图1A和2A中所示出。在其它实施例中，突出壁151邻近于提取板103，如图1B和2B中所示出。

当突出壁151如图1A和2A中所示出时，突起150在Z方向上延伸。当突出壁151如图1B和2B中所示出时，突起150在Y或-Y方向上延伸。

在两个实施例中，这一突起150增加腔室100内的损失区域。具体来说，突起150是导电的，电连接到壁101，且用作自由电子和离子的接收器。这一损失区域用以降低突起150附近的等离子体密度。

在一些实施例中，突起150的最大延伸位于提取孔的中心。如本文中所使用，术语“提取孔的中心”是指提取孔在X或宽度方向上的中心。此外，虽然图1A-1B示出出现在提取孔140的中心处的突起150的最大厚度，但其它实施例也是可能的。举例来说，突起的最大厚度可能出现在第一末端104和/或第二末端105附近，如图4D中所示出。如果离子源在末端附近产生较高等离子体密度，那么这可能是有益的。

突起150可具有任何合适的形状。举例来说，在图2A-2B中，突起150的横截面是从内部壁朝内延伸的矩形。矩形的尺寸界定为厚度和高度，所述厚度是朝向腔室的中心的尺寸，所述高度垂直于厚度。突起150可具有在0.060英寸与0.250英寸之间的高度。突起150可称为鳍。当然，其它形状也是可能的。举例来说，突起150的横截面可以是圆形的且具有曲率半径，使得腔室100中不存在边缘。

另外，背离腔室100的突出壁151的外部表面可不变且可保持平坦。更具体来说，突起150延伸到腔室100中。此外，突起150的厚度可随宽度方向(即，X方向)上位置的变化而变化。举例来说，突起150的厚度可在提取孔140的中心处最厚，且随着远离中心朝向第一末端104和第二末端105移动而减小。

在某些实施例中，突起150的最薄部分与突起150的最厚部分之间的最大差异可在腔室100的高度的5％与25％之间。举例来说，突起150可在至少一个位置处延伸到腔室100中至少1毫米。在某些实施例中，突起150可在至少一个位置处延伸到腔室100中至少3毫米。当然，在其它实施例中可使用其它尺寸。

在某些实施例中，突起150可具有沿着X方向的平滑曲率半径，类似于图1A-1B中所示出。然而，其它曲率也是可能的。举例来说，在第一末端104与提取孔140的中心之间可存在第一曲率半径，且在第二末端105与提取孔140的中心之间可存在第二曲率半径。此外，虽然图1A-1B示出延伸到第一末端104和第二末端105的突起150，但在其它实施例中，突起150在宽度方向上可更小，使得突起150在远离第一末端104的位置处开始且在第二末端105之前的位置处结束，诸如图4A中所示出。

图1A-1B示出根据两个实施例的突出壁151。在这些实施例中，突起150在第一末端104处开始且延伸到第二末端105。此外，突起150始终具有恒定曲率半径。

然而，突起150可具有其它形状。举例来说，如图4B所示出，突起150可呈现为三角形形状，其中突起150的厚度从第一末端104到提取孔140的中心线性地增加且从第二末端105到提取孔140的中心线性地增加。在另一实施例中，突起150在第一末端104之后的位置处开始且在第二末端105之前的位置处结束。

替代地，如图4C中所示出，突起150可以是梯形的，其中突起150的厚度从第一末端104和第二末端105到位于提取孔140的中心附近的平坦区域线性地增加。在另一实施例中，突起150在第一末端104之后的位置处开始且在第二末端105之前的位置处结束。

另外，所有先前附图示出突起150关于提取孔140的中心对称。然而，其它实施例也是可能的。举例来说，离子源内的等离子体密度可布成使得第一末端104附近的密度大于第二末端105附近的密度。在这种情况下，突起150的最大(或最小)厚度可出现在更接近第一末端104而不是第二末端105的位置处，如图4E中所示出。

此外，虽然图4A-4E示出突出壁151与提取板103相对，但在其它实施例中，突出壁151可邻近于提取板103，如图2A中所示出。换句话说，图4A-4E中所示出的突出壁151的配置还可在突出壁151邻近于提取板103的情况下实现。

另外，在图4A-4C中，假定在提取孔140的中心附近发现最大等离子体密度。然而，如果最大等离子体密度安置于第一末端104和第二末端105附近，那么图4A-4C中所示出的形状可颠倒，使得在提取孔140的中心处发现最小厚度且在末端附近发现最大厚度，如图4D中所示出。

在另一实施例中，图5A-5B中所示出，腔室500可以是圆柱形的。突起150可安置成与提取孔140相对，或偏移180°，如图5A中所示出。在其它实施例中，突起可安置成从提取孔140偏移90°，如图5B中所示出。当然，突起150可安置于沿着腔室500的内部表面的任何位置处。另外，突起150的形状可为上文所描述且图1A-1B和图4A-4E中所示出的形状中的任一个。

在不受特定理论限制的情况下，相信IHC离子源10内的等离子体趋向于围绕中心轴线109旋转。如图1A中所示出，这一中心轴线109穿过阴极110的中心和反射极120的中心。此旋转可由E x B漂移引起。应注意，产生平行于中心轴线109的磁场190。此外，等离子体的电势在其中心处最大且随着朝向壁101移动而减小。因此，存在垂直于磁场190的电场。此组合在垂直于磁场190和电场两者的方向上产生电磁力。正是这种电磁力可引起旋转。

通过在腔室中并入突出壁151，旋转等离子体接触突起150，所述突起中和自由电子和离子，从而降低等离子体密度。这在图6中示出。应注意，等离子体在此图中在逆时针方向上旋转。还应注意，等离子体密度在突起150的左侧极大地减小。此现象可类似于木工车床，其在将车刀工具应用于待加工材料的位置处去除材料。

换句话说，尽管相信等离子体密度在提取孔140的中心附近可能更大，但通过增加此区域中的损失区域，可降低此区域中的等离子体密度。此外，如果已知随宽度而变化的提取电流，那么可适当地成形突起150以适当地减小跨越宽度的等离子体截面面积，使得所提取束电流沿着宽度方向几乎恒定。

可使用图7中所示出的实施例实现适当地成形突起150的能力。在此实施例中，通过使用多个机械可调节突起元件152a到152e来产生突起。虽然图7示出五个机械可调节突起元件，但元件的数目不受本公开限制。在一个实施例中，可独立地控制机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e中的每一个，从而允许突起为各种不同形状。在其它实施例中，可共同控制机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e的群组。作为实例，可共同控制机械可调节突起元件152a和机械可调节突起元件152e，且可共同控制机械可调节突起元件152b和机械可调节突起元件152d。这种配置将产生关于提取孔140的中心对称的突起。

机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可由与壁相同的导电材料制成，诸如钨或另一合适的材料。机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可电连接到腔室100的壁101。此外，机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可以是矩形棱镜，使得突起元件的俯视图如图7中所示出且侧视图如图2A或2B中所示出。矩形突起元件的尺寸可界定为厚度，其是朝向腔室的中心的尺寸；高度，其垂直于厚度；以及宽度，其为在X方向上的尺寸。这些机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可具有在0.060英寸与0.250英寸之间的高度。机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可具有至少在腔室的高度的5％与25％之间的厚度，使得其可延伸到腔室中。每一机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e的宽度可相同，或其可不同。举例来说，在某些实施例中，机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e跨越腔室的整个宽度延伸，使得N个元件中的每一个具有约W/N的宽度，其中W是腔室100的宽度。在其它实施例中，机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e还可占据腔室100的宽度的中间50％。在此实例中，N个元件中的每一个具有约W/2N的宽度，其中W是腔室100的宽度。

当然，其它形状也是可能的。举例来说，如图2A-2B中所示出，机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e的横截面可以是圆形的且具有曲率半径，使得腔室100中不存在边缘。

此外，虽然图7示出机械可调节突起元件具有暴露于腔室的内部的平坦表面，但其它实施例是可能的。举例来说，对于图7中所示出的机械可调节突起元件，内部表面在Y方向上可以是圆形的。这些机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可由诸如耐火金属的钨或另一合适的材料构成。

此外，虽然图7示出安置于与提取板103相对的壁上的机械可调节突起元件，但其它实施例是可能的。举例来说，机械可调节突起元件可安置于邻近提取板103的壁上，类似于图1B中所示出的配置。

另外，机械可调节突起元件可与圆柱形腔室一起使用，诸如图5A-5B中所示出的那些。

在某些实施例中，机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e可耦合到一或多个致动器153。在其它实施例中，可手动地移动机械可调节突起元件152a到机械可调节突起元件152e。

在一些实施例中，可存在校准程序以确定机械可调节突起元件中的每一个的适当位置。举例来说，诸如法拉第杯阵列的束轮廓器可沿着束线安置于提取孔140外部。举例来说，法拉第杯阵列可靠近台板260安置。束轮廓器可与控制器180连通，所述控制器控制致动器153以改进所提取离子束的均匀性。

上文将离子源描述为IHC离子源。然而，其它离子源也可与此提取板103一起使用。举例来说，磁化DC等离子体源、管状阴极源、伯纳斯(Bernas)离子源以及电感耦合等离子体(inductively coupled plasma；ICP)离子源也可使用具有突起150的提取板103。因此，提取板可与具有各种不同等离子体产生器的离子源一起使用。

本发明的系统和方法具有许多优点。如上文所提及，在提取带状离子束的某些离子源中，带状离子束在其宽度上并不均匀。采用各种技术来尝试校正此不均匀性。本发明系统提供一种选择性地降低腔室中某些区域内的等离子体密度的机构。以这种方式，即使离子源在腔室的某些部分(诸如阴极中心或附近)中产生更密集的等离子体，突起或机械可调节突起元件可能够对此进行补偿，从而允许提取更均匀的离子束。此外，此系统解决离子源处的不均匀性，减少传统上用于束线系统中以补偿此问题的组件的复杂度和数目。

本公开不应限于本文所描述的具体实施例的范围。实际上，除了本文中所描述的那些修改之外，本公开的其它各种实施例和修改对于本领域的技术人员将从前述描述和随附附图中变得显而易见。因此，此类其它实施例和修改意图落在本公开的范围内。此外，尽管已出于特定目的在特定环境下在特定实施方案的上下文中描述了本公开，但本领域的普通技术人员将认识到其有用性不限于此，并且出于任何数目的目的，本公开可以有利地在任何数目的环境中实施。因此，应考虑到如本文所描述的本公开的整个广度和精神来解释下文阐述的权利要求。

Claims (20)

1.一种离子源，包括：

腔室，包括第一末端、第二末端以及连接所述第一末端与所述第二末端的多个壁，其中所述多个壁中的一者是提取板，所述提取板具有宽度大于其高度的提取孔；以及

等离子体产生器，用以在所述腔室内产生等离子体；

其中不同于所述提取板的所述多个壁中的一者是突出壁，所述突出壁具有朝向所述腔室的内部延伸的突起。

2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突起在至少一个位置处延伸到所述腔室中至少3毫米。

3.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突起包括从所述第一末端到所述第二末端的恒定曲率半径。

4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突起包括三角形形状。

5.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突起包括梯形形状。

6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突出壁与所述提取板相对。

7.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突出壁邻近于所述提取板。

8.根据权利要求1所述的离子源，其中所述等离子体产生器包括安置于所述第一末端处的间接加热阴极。

9.根据权利要求1所述的离子源，其中所述突起的最大厚度在宽度方向上出现在所述提取孔的中心处。

10.一种离子源，包括：

腔室，包括第一末端、第二末端以及连接所述第一末端与所述第二末端的圆柱形外壳，其中宽度大于其高度的提取孔安置于所述圆柱形外壳上；以及

等离子体产生器，用以在所述腔室内产生等离子体；

其中突起从所述圆柱形外壳朝向所述腔室的内部延伸。

11.根据权利要求10所述的离子源，其中所述突起安置于与所述提取孔相对的所述圆柱形外壳上，以便从所述提取孔偏移180°。

12.根据权利要求10所述的离子源，其中所述突起从所述提取孔偏移90°。

13.根据权利要求10所述的离子源，其中所述等离子体产生器包括安置于所述第一末端处的间接加热阴极。

14.根据权利要求10所述的离子源，其中所述突起的最大厚度在宽度方向上出现在所述提取孔的中心处。

15.一种离子源，包括：

腔室，包括第一末端、第二末端以及连接所述第一末端与所述第二末端的多个壁，其中所述多个壁中的一者是提取板，所述提取板具有宽度大于其高度的提取孔；

等离子体产生器，用以在所述腔室内产生等离子体；以及

多个机械可调节突起元件，电连接到所述多个壁，延伸到所述腔室的内部中。

16.根据权利要求15所述的离子源，还包括：

致动器，用以控制所述多个机械可调节突起元件在所述腔室内的位置。

17.根据权利要求16所述的离子源，其中所述多个机械可调节突起元件中的每一者独立地受控制。

18.根据权利要求15所述的离子源，其中所述多个机械可调节突起元件延伸穿过与所述提取板相对的壁。

19.根据权利要求15所述的离子源，其中所述多个机械可调节突起元件延伸穿过邻近于所述提取板的壁。

20.根据权利要求15所述的离子源，其中所述等离子体产生器包括安置于所述第一末端处的间接加热阴极。