TW202311863A - 度量衡方法及相關的度量衡工具 - Google Patents

度量衡方法及相關的度量衡工具 Download PDF

Info

Publication number
TW202311863A
TW202311863A TW111119024A TW111119024A TW202311863A TW 202311863 A TW202311863 A TW 202311863A TW 111119024 A TW111119024 A TW 111119024A TW 111119024 A TW111119024 A TW 111119024A TW 202311863 A TW202311863 A TW 202311863A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation
measurement
intensity
target
overlay
Prior art date
Application number
TW111119024A
Other languages
English (en)
Inventor
周子理
唐恩 史溫克斯
廉晉
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP21210123.2A external-priority patent/EP4187321A1/en
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202311863A publication Critical patent/TW202311863A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/706831—Recipe selection or optimisation, e.g. select or optimise recipe parameters such as wavelength, polarisation or illumination modes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

本發明揭示一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之方法及相關的度量衡裝置。該方法包含藉由以下操作組態量測輻射以獲得該量測輻射之一經組態量測光譜：對該量測輻射之個別波長頻帶強加一強度加權，使得該等個別波長頻帶具有根據該強度加權之一強度，該強度加權使得針對目標瑕疵之影響至少部分地校正該疊對或聚焦參數的一量測值；及/或對該量測輻射之一量測光譜強加一調變。該經組態量測輻射用於量測該目標。自由該目標之量測產生之散射輻射判定該疊對或聚焦參數之一值。

Description

度量衡方法及相關的度量衡工具
本發明係關於度量衡應用，且特定言之，係關於積體電路製造中之度量衡應用。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如，遮罩)處之圖案(常常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可在基板上形成之特徵的最小大小。當前使用之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有介於4 nm至20 nm之範圍內(例如6.7 nm或13.5 nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用於在基板上形成更小特徵。
低k 1微影可用於處理尺寸小於微影裝置之經典解析度限制的特徵。在此程序中，可將解析度公式表達為CD = k 1×λ/NA，其中λ為所採用輻射之波長，NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小，但在此情況下為半間距)且k 1為經驗解析度因數。一般而言，k 1愈小，則愈難以在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用於微影投影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於NA之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦稱為「光學及程序校正」)的設計佈局之各種最佳化或通常定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。替代地，用於控制微影裝置之穩定性之嚴格控制環路可用於改良在低k1下之圖案之再生。
在製造製程期間，需要檢測所製造結構及/或量測所製造結構之特性。適合之檢測及度量衡裝置為吾人所知，其包括例如光譜散射計及角解析散射計。光譜散射計可將寬頻帶輻射光束引導至基板上且量測散射至特定窄角程中之輻射之光譜(隨波長而變的強度)。角解析散射計可使用單色輻射光束且量測隨角度而變的散射輻射之強度。
在一些度量衡應用中，諸如使用散射計之度量衡應用，度量衡目標中之瑕疵可引起來自彼目標之量測值的波長/偏振相依變化。因而，有時藉由使用多個不同波長及/或偏振(或更一般而言，多個不同照明條件)執行相同量測來實現對此變化之校正及/或減輕。此等多個波長量測典型地依序執行且因此引發相關之產出量損失。將需要使用多個照明條件來改良量測之一或多個態樣。
在本發明之一第一態樣中，提供一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之方法，該方法包含：藉由以下操作組態量測輻射以獲得該量測輻射之一經組態量測光譜： 對該量測輻射之個別波長頻帶強加一強度加權，使得該等個別波長頻帶具有根據該強度加權之一強度，該強度加權使得針對目標瑕疵(例如，包括不對稱及對稱瑕疵)之影響至少部分地校正該疊對或聚焦參數的一量測值；及/或 對該量測輻射之一量測光譜強加一調變； 利用該經組態量測輻射量測該目標且捕捉來自該目標之合成散射輻射；及 自該散射輻射判定該疊對或聚焦參數之一值。
在本發明之一第二態樣中，提供一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之度量衡裝置，其可操作以執行該第一態樣之該方法。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用於涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線(EUV輻射，例如具有在約5 nm至100 nm之範圍內之波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「遮罩」或「圖案化器件」可廣泛地解釋為係指可用於向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板的目標部分中產生之圖案。在此內容背景中亦可使用術語「光閥」。除經典遮罩(透射或反射、二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦稱為照明器) ILL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；遮罩支撐件(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，遮罩) MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統ILL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統ILL可包括用於引導、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器ILL可用於調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間，此亦稱為浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT (亦稱為「雙載物台」)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W上執行製備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除基板支撐件WT以外，微影裝置LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體的系統之一部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS之下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持在遮罩支撐件MT上之圖案化器件(例如遮罩) MA上，且利用存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如，以便在聚焦及對準位置處在輻射光束B之路徑中定位不同的目標部分C。類似地，第一定位器PM及可能之另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，將此等基板對準標記稱為切割道對準標記。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影單元LC (有時亦稱為微影製造單元(lithocell)或(微影)叢集)之部分，該微影單元常常亦包括用以對基板W執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。習知地，此等包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以使經曝光抗蝕劑顯影的顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)的冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W，在不同程序裝置之間移動該等基板且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦統稱為塗佈顯影系統(track)之器件通常處於塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身可受監督控制系統SCS控制，該監督控制系統亦可例如經由微影控制單元LACU控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(未展示)。若偵測到誤差，則可例如對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行調整，尤其在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可稱為度量衡裝置之檢測裝置用以判定基板W之屬性，且特定言之，判定不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯之屬性在不同層間如何變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可為例如微影製造單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或甚至可為單機器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛影(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
典型地，微影裝置LA中之圖案化程序為在處理中之最關鍵步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放的高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於如圖3中示意性地描繪之所謂的「整體」控制環境中。此等系統中之一者係微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT (第二系統)且連接至電腦系統CL (第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以加強總體程序窗且提供嚴格控制環路，以確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在程序窗內。程序窗界定程序參數(例如劑量、焦點、疊對)之範圍，在該範圍內，具體製造程序產生經界定結果(例如功能半導體器件)，通常在該範圍內允許在微影程序或圖案化程序中之程序參數變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行運算微影模擬及計算以判定哪種遮罩佈局及微影裝置設定達成圖案化程序之最大總體程序窗(在圖3中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。典型地，解析度增強技術經配置以匹配微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用於偵測微影裝置當前正在程序窗內何處操作(例如使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測缺陷是否可歸因於例如次佳處理而存在(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以識別例如微影裝置LA之校準狀態中的可能漂移(在圖3中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
在微影程序中，需要頻繁地對所產生結構進行量測，例如用於程序控制及驗證。用以進行此量測之工具通常稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡裝置MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影程序之參數(量測通常稱為以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影程序之參數，在此情況下量測通常稱為以影像或場為基礎之量測。以全文引用之方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關之量測技術。前述散射計可使用來自軟x射線及對近IR波長範圍可見之光來量測光柵。
在第一實施例中，散射計MT為角解析散射計。在此散射計中，重建構方法可應用於經量測信號以重建構或計算光柵之屬性。此重構可例如由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之交互作用且比較模擬結果與量測之彼等引起。調整數學模型之參數，直至經模擬交互作用產生與自真實目標觀測到之繞射圖案類似的繞射圖案為止。
在第二實施例中，散射計MT為光譜散射計MT。在此光譜散射計MT中，由輻射源發射之輻射經引導至目標上，且來自目標之反射或散射輻射經引導至光譜儀偵測器，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜(亦即，隨波長而變之強度之量測)。根據此資料，可例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與經模擬光譜庫比較來重建構產生偵測到之光譜的目標之結構或輪廓。
在第三實施例中，散射計MT為橢圓量測散射計。橢圓量測散射計允許藉由量測針對每一偏振狀態之散射輻射來判定微影程序之參數。此度量衡裝置藉由在度量衡裝置之照明區段中使用例如適當偏振濾波器來發射偏振光(諸如線性、圓形或橢圓)。適合於度量衡裝置之源亦可提供偏振輻射。現有橢圓量測散射計之各種實施例描述於以全文引用之方式併入本文中之美國專利申請案11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110及13/891,410中。
在散射計MT之一個實施例中，散射計MT適用於藉由量測反射光譜及/或偵測組態中之不對稱性(該不對稱性係與疊對之範圍相關)來量測兩個未對準光柵或週期性結構之疊對。可將兩個(通常重疊)光柵結構施加於兩個不同層(未必為連續層)中，且該兩個光柵結構可形成為處於晶圓上大體上相同的位置。散射計可具有如例如在共同擁有之專利申請案EP1,628,164A中所描述之對稱偵測組態，以使得任何不對稱性可清楚地區分。此提供用以量測光柵中之未對準的直接方式。可在以全文引用之方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號或美國專利申請案第US 20160161863號中找到在經由週期性結構之不對稱性量測目標時用於量測含有週期性結構之兩個層之間的疊對誤差之其他實例。
其他所關注參數可為焦點及劑量。可藉由如以全文引用的方式併入本文中之美國專利申請案US2011-0249244中所描述之散射術(或替代地藉由掃描電子顯微法)同時判定焦點及劑量。可使用針對焦點能量矩陣(FEM，亦稱為焦點曝光矩陣)中之每一點的具有臨界尺寸及側壁角量測之獨特組合的單一結構。若臨界尺寸與側壁角之此等獨特組合為可獲得的，則可根據此等量測值唯一地判定焦點及劑量值。
度量衡目標可為藉由微影程序主要在抗蝕劑中形成且亦在例如蝕刻程序之後形成之複合光柵的集合。通常，光柵中之結構之間距及線寬度很大程度上取決於量測光學件(尤其是光學件之NA)以能夠捕捉來自度量衡目標之繞射階。如較早所指示，繞射信號可用於判定兩個層之間的移位(亦稱為『疊對』)或可用於重建構如由微影程序產生的原始光柵之至少部分。此重建構可用於提供微影程序之品質之導引，且可用於控制微影程序之至少部分。目標可具有經組態以模仿在目標中之設計佈局之功能性部分的尺寸之較小子分段。歸因於此子分段，目標將表現得與設計佈局之功能性部分更類似，以使得總體程序參數量測更佳地類似於設計佈局之功能性部分。可在填充不足模式中或在填充過度模式中量測目標。在填充不足模式下，量測光束產生小於總體目標之光點。在填充過度模式中，量測光束產生大於總體目標之光點。在此填充過度模式中，亦有可能同時量測不同目標，藉此同時判定不同處理參數。
使用特定目標之微影參數之總體量測品質至少部分地由用於量測此微影參數的量測配方來判定。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測之一或多個圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為基於繞射的光學量測，則量測之參數中的一或多者可包括輻射之波長、輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角、輻射相對於基板上之圖案的定向等。用以選擇量測配方的準則中之一者可為例如量測參數中之一者對於處理變化的靈敏度。更多實例描述於以全文引用之方式併入本文中之美國專利申請案US2016-0161863及已公開之美國專利申請案US 2016/0370717A1中。
圖4中描繪度量衡裝置，諸如散射計。該度量衡裝置包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。反射或散射輻射傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜6 (亦即隨波長而變的強度之量測)。根據此資料，可由處理單元PU例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸，或藉由與圖3之底部處所展示的經模擬光譜的比較來重建構產生所偵測光譜之結構或輪廓8。一般而言，對於重建構，結構之一般形式係已知的，且根據用來製造結構之程序的知識來假定一些參數，從而僅留下結構之幾個參數待自散射量測資料予以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
經由量測度量衡目標之微影參數的整體量測品質係至少部分地由用於量測此微影參數之量測配方來判定。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測之一或多個圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為基於繞射的光學量測，則量測之參數中的一或多者可包括輻射之波長、輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角、輻射相對於基板上之圖案的定向等。用以選擇量測配方的準則中之一者可為例如量測參數中之一者對於處理變化的靈敏度。更多實例描述於以全文引用之方式併入本文中之美國專利申請案US2016-0161863及已公開之美國專利申請案US 2016/0370717A1中。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。參數可包括例如形成於經圖案化基板中或上之連續層之間的疊對誤差。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在微影程序中形成之顯微結構之量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經引導至基板之表面上之目標上，且量測經散射或經反射光束之屬性。
已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型的角解析散射計。由此類散射計使用之目標相對較大(例如，40 μm乘40 μm)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此裝置來量測基於繞射之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像進行的基於繞射之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等文件特此以全文引用之方式併入。已在公開專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中描述該技術之進一步發展。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用方式併入本文中。
在基於繞射之暗場度量衡器件中，輻射光束經引導至度量衡目標上，且量測散射輻射之一或多個屬性以便判定目標之所關注屬性。散射輻射之屬性可包含例如在單一散射角下之強度(例如，隨波長而變)或在隨散射角而變的一或多個波長下之強度。
圖5(a)呈現度量衡裝置且更特定言之暗場散射計之實施例。圖5(b)中更詳細地說明目標T及用於照明該目標之量測輻射的繞射射線。所說明之度量衡裝置屬於稱為暗場度量衡裝置之類型。度量衡裝置可為單機器件，或併入於例如量測站處之微影裝置LA中抑或併入於微影單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸由點線O表示。在此裝置中，由源11 (例如，氙氣燈)發射之光係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光束分光器15而引導至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時允許存取中間光瞳平面以用於空間頻率濾波。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處稱為(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角程。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與透鏡14之間插入適合形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見指定為『北』之方向之離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S用於提供類似照明，但提供來自標註為『南』之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式為可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係由於所要照明模式外部之任何不必要光將干擾所要量測信號。
如圖5(b)中所展示，目標T在基板W垂直於物鏡16之光軸O的情況下經置放。基板W可由支撐件(未展示)來支撐。與軸線O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I產生一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，故入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及一角度範圍進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之光柵間距及照明角度可經設計或調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸接近地對準。圖5(a)及圖3(b)中所說明之射線展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖中更容易地被區分。
由基板W上之目標T繞射的第一階中之至少一者藉由物鏡16收集，且經引導回穿過光束分光器15。返回至圖5(a)，藉由指明標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑而說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。相反地，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為1(S))為進入透鏡16之繞射射線。
第二光束分光器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束形成第一感測器19 (例如CCD或CMOS感測器)上之目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或歸一化一階光束之強度量測。亦可出於諸如重建構之許多量測目的來使用光瞳平面影像。
在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23捕捉之影像經輸出至處理影像之處理器PU，該處理器之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，在廣泛意義上使用術語『影像』。因而，若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成光柵線之影像。
圖5中所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式僅為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將大體上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，在量測中亦可使用2階光束、3階光束及較高階光束(圖5中未展示)。
為了使量測輻射可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，孔徑板13N或13S可僅用於量測在一個方向(取決於設定而為X或Y)上定向之光柵。為了量測正交光柵，可實施達90°及270°之目標旋轉。圖5(c)及圖5(d)中展示不同孔徑板。上文所提及之先前已公佈申請案中描述此等孔徑板之使用以及裝置的眾多其他變化及應用。
暗場度量衡中之目標之量測可包含例如量測1階繞射之第一強度I +1及-1階繞射之第二強度(I -1)，及計算強度不對稱性(A = I +1- I -1)，其指示目標中之不對稱性。度量衡目標可包含一或多個光柵結構，自該一或多個光柵結構可自此類強度不對稱性量測推斷所關注參數，例如目標經設計使得目標中之不對稱性隨著所關注參數發生變化。舉例而言，在疊對度量衡中，目標可包含由在半導體器件之不同層中經圖案化的至少一對重疊子光柵形成的至少一個複合光柵。目標之不對稱性將因此取決於兩個層之對準且因此取決於疊對。其他目標可由基於在曝光期間所使用之聚焦設定而以不同變化程度曝光的結構形成；對該等結構之量測使得能夠反向推斷出聚焦設定(再次經由強度不對稱性)。
當量測目標時，例如為了量測疊對或聚焦參數(後者係用於曝光所量測目標之聚焦設定)，來自目標之非所要貢獻影響量測信號，該量測信號對所量測疊對/聚焦值具有影響。此等非所要貢獻可歸因於目標瑕疵，諸如除了與所要疊對或聚焦參數及/或對稱目標瑕疵有關的目標不對稱性以外的非所要目標不對稱性。在理想情形中，用於多波長量測之所有波長將在幾何學上完美的基板上為目標產生相同疊對值。非所要貢獻之影響為波長相依所量測不對稱性，且因此為波長相依所量測疊對變化，使得不同顏色針對真實(即，非完美)目標及/或真實(即，非完美)基板產生不同疊對值。此類貢獻或目標瑕疵可包含例如：非所要光柵不對稱性，例如呈底部光柵中之底板傾斜或不等側壁角之形式；厚度變化及感測器像差(堆疊內之層厚度變化及干涉可重佈光瞳內之光，其與感測器像差組合導致波長相依所量測疊對變化)；及殘餘構形及表面粗糙度。
現在應理解，多波長度量衡可改良疊對量測效能。隨著對疊對度量衡之準確度要求繼續變得愈來愈嚴格，解決此問題之一種方式為使用更多波長進行量測。在目前多波長疊對度量衡中，依序偵測不同波長之疊對影像，且因此增加波長之數目將引發產出率損失。
為了解決此問題，提出一種在疊對(或其他所關注參數)度量衡中組合顏色多工及加權之方法。在實施例中，疊對度量衡可基於基於微繞射之疊對(µDBO)原理。在µDBO中，自對應或互補較高繞射階(例如，+1及-1繞射階)之強度差判定疊對。此等繞射階可在影像平面(例如，暗場影像，其中零階在影像平面之前被阻擋)中成像，且強度在繞射階之各影像內之所關注區(ROI)上平均。
目前，µDBO疊對度量衡通常需要具有強加疊對偏置之兩個目標(每個方向)，以實現自校準之疊對量測。然而，在實施例中，本文中所揭示之方法能夠在每個方向上對單一(例如，未偏置)目標進行(例如，自校準)量測。
根據熟知µDBO理論，在波長
Figure 02_image001
下通常稱為強度不對稱性
Figure 02_image003
之±1階之間的強度差可寫為：
Figure 02_image005
其中
Figure 02_image007
為在波長
Figure 02_image009
下之真實疊對之靈敏度，且
Figure 02_image011
為擾亂參數 N之靈敏度，例如非疊對不對稱性，諸如光柵不對稱性等。擾亂項引起疊對誤差且應被校正。
本文中提出使用經組合之複數 n個加權波長執行量測(亦即，同時使用 n個適當加權之波長之量測)。由於此量測，在偵測器上捕捉之影像將為包含 n個加權強度信號之組合的影像，可自其中判定加權強度不對稱性
Figure 02_image013
：
Figure 02_image015
其中
Figure 02_image017
為針對波長
Figure 02_image019
之加權因數。藉由在 n個波長上適當地選擇加權因數，等式(2)中之擾亂項可經最小化(理想地消除)，使得：
Figure 02_image021
且因此，可藉由以下判定實際疊對值
Figure 02_image023
：
Figure 02_image025
為簡單起見，基於等式(4)，可將新加權因數
Figure 02_image027
定義為：
Figure 02_image029
因此：
Figure 02_image031
等式6意謂可自混合強度信號
Figure 02_image033
及該等先前經判定權重
Figure 02_image035
判定真實或經校正疊對值。
圖6為說明可如何例如在初始或校準階段中判定加權
Figure 02_image037
之流程圖。目標陣列TA暴露於晶圓上，該晶圓包含(例如，在基板平面中之每個方向)具有不同集合疊對 OV 1 … OV m 之複數個校準目標。在所展示之實例中，每個方向5個校準目標包含於目標陣列TA中。藉助於特定實例，5個集合疊對偏置 OV 1 … OV 5 可為例如-10nm、-5nm、0nm、5nm、10 nm，但實際集合疊對值並不重要(且無需為根據此實例之+/-對及零目標。原則上，可使用任何集合疊對值，其限制條件為其值存在一定的多樣性。未必需要如所展示將複數個目標一起分組在目標陣列TA中之目標上；然而，最小化除集合疊對之外的目標之間的任何差異為較佳的。
校準目標較佳應與待在生產階段中量測之目標具有良好相似性。換言之，校準目標及生產目標應屬於具有類似類型及量值之瑕疵(例如光柵不對稱性、厚度變化等)的相同類型之設計(例如，類似間距等)。因而，校準目標可代表生產目標。
使用如由量測波長MW圖表示之多個波長來量測此等目標。此處，量測波長MW展示為包含10個相異波長頻帶λ 1至λ 10，但例如取決於所使用之度量衡感測器SEN及/或照明源，波長頻帶之數目及其頻寬可發生變化。在一實施例中，波長頻帶之數目可例如多於2個、多於3個、多於5個、多於8個或多於10個。在此校準中，目標陣列可由此等波長中之各者依序量測。應注意，未對波長進行加權，使得各波長包含相同的強度I。儘管在感測器SEN之量測光點MS內展示完整目標陣列TA，但無需如此，且可個別地量測目標，或一次量測目標陣列TA之任何子集。
一旦量測目標且自所得影像IMλ 1至IMλ n偵測到±1階強度，就可使用所描述之方法針對 n個選定波長(此處為10個波長)計算目標之強度不對稱性。假定總共存在 m個集合疊對值，可將經量測強度不對稱性書寫為：
Figure 02_image039
在等式7中，自集合疊對已知疊對值
Figure 02_image041
且自量測已知不對稱性 A。在最終步驟DET
Figure 02_image043
中，判定加權向量
Figure 02_image045
之值。此可藉由任何適合之回歸方法進行，包括線性回歸、偏最小二乘回歸或任何其他適合之方法，諸如獨立成分分析、機器學習方法或任何其他方法。
經判定加權向量
Figure 02_image045
可接著用於組態量測光譜或照明光譜，以同時使用多個波長量測目標，每一波長具有根據該加權向量之強度。波長頻帶應與校準階段中所使用之波長頻帶相同。因而，包含在單一捕捉或量測內之波長的加權藉由加權波長中之各者的強度來達成。以此方式，可更準確地量測疊對，且在生產或大批量製造(HVM)階段中使用經組態量測光譜自未經偏置目標(例如，每個方向之單一目標)量測疊對。
圖7為說明可如何在此實施例中判定疊對之流程圖。在度量衡感測器SEN之量測光點MS內量測目標T (例如，此處包含X襯墊(子目標)及Y襯墊(子目標))。目標可包含零偏置，且每個方向可僅具有一個襯墊/光柵/子目標，或僅具有一個襯墊/光柵/子目標。與目前通常使用之標準偏置µDBO相比，此類未偏置µDBO目標將佔據大致一半之面積。
量測輻射具有經組態量測光譜CMS，其中各個各別波長頻帶之強度根據在校準階段中判定之加權
Figure 02_image045
而加權(亦即，若特定波長頻帶之各別權重較低，則特定波長頻帶之強度將較低)。可藉由諸如稍後將描述之快速色彩切換器或照明分支中之聲光可調諧濾波器AOTF提供適當成形/加權之光譜。偵測到目標T之±1階(兩個繞射階可同時或依序成像) µDBO影像IM 。影像IM包含所有組合之加權分量波長，如在圖式中概念性地說明。最後，自影像之每個波長之強度判定強度不對稱性
Figure 02_image048
(例如，可自影像判定各波長之強度)。最後，例如使用等式6自強度不對稱性
Figure 02_image048
判定疊對Det OV。 應瞭解，例如若在校準階段中判定正權重及負權重兩者，則量測步驟可包含兩個量測。若如此，則可在正加權波長與負加權波長之間拆分量測；亦即，包含針對該等波長中經指派有正權重的一或多者之第一量測及針對該等波長中經指派有負權重的一或多者之第二量測。此拆分量測之基本概念描述於WO2021/001102中，其以引用之方式併入本文中。在此類實施例中，第一量測可包含使用經指派有正權重
Figure 02_image051
之所有波長之組合來量測第一強度不對稱性
Figure 02_image053
；亦即：
Figure 02_image055
且第二量測可包含使用經指派有負權重
Figure 02_image057
之所有波長之組合來量測第二強度不對稱性
Figure 02_image059
；亦即：
Figure 02_image061
當然，不可能量測負強度，且因此負權重之量值
Figure 02_image063
用於執行此量測。最後，等式(6)現可呈以下形式：
Figure 02_image065
圖8為適合於獲得實施經判定加權之經組態量測光譜的合適之快速色彩切換照明配置之示意圖。照明配置能夠提供顏色頻帶之可調諧中心頻率及頻寬，多重頻帶之同時切換及每個顏色頻帶之可調諧傳輸。照明配置可包含光束擴展(或塗抹)光學元件，諸如(第一) 1D光束擴展器、(第一)光束分散元件(例如，光柵之稜鏡)、數位微鏡器件(DMD)或光柵光閥(GLV)。光束擴展光學元件可操作以使得DMD能夠調變經分散照明輻射之色彩及透射(每個色彩)。調變光束隨後例如使用呈相反組態之第二光束擴展光學元件及第二分散元件來組合。單模式空間濾波器可設置於輸出處以促進每個色彩之透射之波前成形，同時維持單模式輸出及完全透射控制(例如，自0%至100%)。
在實施例中，1D光束擴展器在第一方向上擴展光束且分散元件在第二方向上分散經擴展光束。第一方向可實質上垂直於第二方向。以此方式，DMD (包含微鏡或像素之2D陣列)能夠在2D陣列之一個軸線上選擇色彩且在2D陣列之另一軸線上選擇每個色彩之透射率。雖然此配置在控制方面係切實可行的，但在此實施例之範疇內可能有更複雜的擴展及色散元件配置(除相對於色散元件正交地定向的1D光束擴展器以外)。此等配置係可能的，其限制條件為：已知各DMD像素/微鏡控制哪一波長。
多波長(例如，白光或寬頻帶)輸入光束B in由光束擴展元件BE (例如，1D光束擴展)在第一方向上擴展或空間地塗抹以獲得經擴展光束B ex。1D光束擴展器可例如包含兩個圓柱形透鏡/鏡面。藉由光束分散元件DE (例如，稜鏡或光柵)分散經擴展光束B ex以獲得分散(及擴展)光束B dis。應注意，在此實施例中，分散元件DE之分散方向垂直於(例如，1D)光束擴展元件BE之擴展方向。此藉由展示在配置之各個階段的點線處之照明光束B in、B ex及B dis之橫截面之圖最佳地理解。應注意，分散光束B dis之橫截面之不同區的不同色度表示不同色彩/波長而不表示強度。
在透鏡系統L1、L2之光瞳平面處的DMD用於選擇色彩且控制分散光束B dis之傳輸。在此實例中，第一軸線λ選擇色彩(例如，頻帶及/或頻寬)，而第二軸線T看到相同光譜，但切換此軸線上之像素控制透射(例如，每個色彩或顏色頻帶)。DMD之橫截面在圖中以純粹例示性透射圖案展示，其中陰影像素說明「關閉像素」(亦即，定向為將照明反射至光束捕集器BD)，而非陰影像素說明「開啟像素」(亦即，定向為將照明反射到輸出)。所得成形光束B shp經由第二光束擴展元件BE及第二分散元件DE重組。此處可看出，DMD上之圖案已完全被阻擋(切斷) (分散光束B dis之六個頻帶之)兩個中心波長頻帶、使最左邊兩個波長頻帶之透射不同程度衰減，而最右兩個波長頻帶未衰減。可接著將組合光束投影至單模空間濾波器SF (例如，針孔或單模光纖等)上，以向輸出光束B out提供完全受控光譜。若使用多模輸入/輸出光，則輸出處之空間濾波器SF可包含多模濾波器(例如，虹膜或多模光纖)。
DMD上之傳輸軸線T可用於每個色彩之波前成形，以最佳化每個色彩經由針孔之透射。自0%至100%之完全動態範圍控制可為可能的。所呈現組態為傳輸組態。當然，反射組態亦為可能的，以便使光學元件之吸收最小化。
將描述第二主要實施例，該第二主要實施例包含允許使用寬頻頻帶量測光譜來量測厚堆疊上之疊對之方法。藉由寬頻頻帶量測光譜之適當調變，可創建有限同調時間窗，其針對與堆疊中之特定深度有關的疊對信號進行最佳化，且自窗外部之層濾除雜訊。以此方式，可獲得信雜比之增加。
在µDBO及/或DBO度量衡中，經由頂部光柵與底部光柵(兩個所關注結構)之間的干涉產生疊對信號。當堆疊厚度較大時，由頂部光柵產生之波與由底部光柵產生之波之間的光徑長度差亦較大。若時間同調性長度小於此路徑長度差，則將不存在干涉信號。量測深度D根據以下取決於光t之時間同調性時間：
Figure 02_image067
其中c為光速。
時間同調性之特徵可在於源之同調性函數。圖9(a)說明包含平坦200 nm頻寬源光譜(例如，具有788 nm之中心頻率)的量測光譜(相對於波長λ之強度I)。圖9(b)展示對應時間同調性函數cf。應注意，時間同調性函數展示為相對於深度D以及時間t繪製，或因為兩者藉由根據等式(11)之常數相關，且因此水平軸亦可縮放為深度(D)軸。因而，有可能界定對應於某一深度之較佳量測深度窗。如圖9(c)中所說明，若量測光譜之頻寬為10 nm，則其時間同調性函數改變，如圖9(d)中所展示。
同調性之特徵在於同調性函數之條紋之可見性。可看出，隨著堆疊厚度D增加，使用10 nm窄之源之條紋的可見性變化極小，而200nm寬之源的可見性下降得極快。如圖9(b)中可見，此可見性在D ＞ 2µm之後急劇下降，此意謂若使用如圖9(a)中所說明之量測光譜，則不可能量測厚於2µm之目標上的疊對。
寬光譜未必需要為扁平的，而實情為可經調變。舉例而言，可將類正弦調變應用於量測光譜。然而，此僅為實例且任何光譜調變可影響時間同調性。關於可如何使用此調變之實例展示於圖9(e)及圖9(f)中。圖9(e)展示類正弦經調變量測光譜。此經調變光譜導致在時間同調性函數中產生具有合理可見性之兩側『波包』，如圖9(f)中所說明。在此情況下，側波包以D = 9µm為中心，此意謂對於厚度為約9µm之堆疊，可使用此量測光譜來量測疊對，即使整個光譜延伸超過200 nm。
基於此，可瞭解，輸入光譜可經修整或最佳化，以便最佳化堆疊厚度之同調性函數。舉例而言，藉由使光譜成形，可控制哪些層發生光柵之間的任何干涉。此可潛在地改良疊對穩固性。舉例而言，D之量測深度可藉由改變頻譜之調變頻率來調諧。此使得能夠在任何所關注深度處量測疊對。
舉例而言，可展示時間同調性函數取決於量測光譜之正弦調變之週期。因而，藉由調整此週期，有可能最佳化特定時間窗(或深度窗)之時間同調性函數，該特定時間窗包含在層或其部分之間(例如，在頂部層與底部層之頂部之間)的特定深度D。其他選項包括使用與正弦調變不同的調變函數。
可藉由微調照明光譜之形狀來進一步最佳化時間(深度)窗之形狀。
可例如藉由使用聲光可調諧濾波器AOTF、DMD、GLV或將法布里珀羅(Fabray Perrot)空腔插入諸如圖5中所說明之度量衡裝置之照明分支中來執行光譜的調變。
第二實施例之概念(堆疊厚度之時間同調性函數最佳化)可個別地實施為第一實施例之概念(加權量測光譜)，或兩個概念可以一起實施(例如，具有用以最佳化時間同調性函數之加法調變的加權量測光譜)。
因而，上文所描述之實施例描述使用經組態量測光譜同時利用多個波長執行量測。由於同時獲取多個波長，與順序波長檢測相比，多波長疊對偵測中之高得多的產出量為可能的(例如，在HVM中)。可將同時量測整合於單一偵測器上，且因而不需要每個色彩之偵測器。此方法可引起比目前方法顯著更好的疊對效能(準確度、穩固性)。另外，方法與當前µDBO度量衡感測器設計相容。此外，至少對於第一實施例，未偏置µDBO目標可用於減小µDBO目標大小，藉此節省昂貴的晶粒內面積。
本發明方法、度量衡裝置及度量衡目標之其他實施例揭示於經編號條項之後續清單中： 1. 一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之方法，該方法包含： 藉由以下操作組態量測輻射以獲得該量測輻射之一經組態量測光譜： 對該量測輻射之個別波長頻帶強加一強度加權，使得該等個別波長頻帶具有根據該強度加權之一強度，該強度加權使得針對目標瑕疵之影響至少部分地校正該疊對或聚焦參數的一量測值；及/或 對該量測輻射之一量測光譜強加一調變； 利用該經組態量測輻射量測該目標且捕捉來自該目標之合成散射輻射；及 自該散射輻射判定該疊對或聚焦參數之一值。 2. 如條項1之方法，其中該組態步驟至少包含該強加一強度加權，且該散射輻射包含至少一對互補較高繞射階，且其中該方法進一步包含： 針對該散射輻射內之各組成波長頻帶，自該對互補較高繞射階之間的該等強度之一比較判定一強度不對稱性度量；及 自該等強度不對稱性度量及該強度加權判定該疊對或聚焦參數。 3. 如條項2之方法，其中判定該疊對或聚焦參數之該步驟包含自各強度不對稱性度量與其來自該強度加權之對應權重之乘積的總和判定該疊對或聚焦參數。 4. 如條項1或2中任一項之方法，其中該量測步驟至少包含對該強度加權包含一正權重之該等波長頻帶中之一或多者的一第一量測，及對該強度加權包含一負權重之該等波長頻帶中之一或多者的一第二量測。 5. 如條項4之方法，其中利用根據該一或多個負權重之量值強加的該強度加權來執行該第二量測；且 該判定該疊對或聚焦參數之一值包含自以下之差判定一第一值： 各強度不對稱性度量與其來自該第一量測之該強度加權之對應權重的該乘積的一總和；及 各強度不對稱性度量與其來自該第二量測之該強度加權之對應權重的該乘積的一總和。 6. 如任何前述條項之方法，其包含用以判定該強度加權之一初始校準階段，該初始校準階段包含： 利用在該等波長頻帶中之各者內之量測輻射量測複數個校準目標，該複數個校準目標包含該等校準目標中之至少一些之間的該疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化； 自在該量測步驟期間偵測到之散射輻射判定該等校準目標中之各者及該等波長頻帶中之各者的一校準不對稱性度量； 自該等校準不對稱性度量及該等已知經強加疊對或聚焦值判定該強度加權。 7. 一種判定一強度加權之方法，該方法包含： 利用在數個波長頻帶內之量測輻射量測複數個校準目標，該複數個校準目標包含該等校準目標中之至少一些之間的該疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化； 自在該量測步驟期間偵測到之散射輻射判定該等校準目標中之各者及該等波長頻帶中之各者的一校準不對稱性度量； 自該等校準不對稱性度量及該等已知經強加疊對或聚焦值判定該強度加權。 8. 如條項6或7之方法，其中判定該強度加權，使得將該強度加權應用於該等校準不對稱性度量導致獲得該等已知經強加疊對或聚焦值。 9. 如條項6至8中任一項之方法，其中使用以下中之至少一者來執行判定該強度加權之該步驟：一回歸、一獨立成分分析及一機器學習方法。 10.    如條項6至9中任一項之方法，其中該複數個校準目標各自包含一各別不同經強加疊對或聚焦值。 11.    如任何前述條項之方法，其中該疊對或聚焦參數包含疊對，且該目標包含每個量測方向的一單一週期性結構。 12.    如條項11之方法，其中該目標不具有強加偏置。 13.    如條項11或12之方法，其中該組態步驟至少包含該將一調變強加於該量測輻射之一量測光譜上；其中 該調變經組態以最佳化用於該目標之該量測輻射之一時間同調性函數。 14.    如條項13之方法，其包含組態該調變以便最佳化一時間同調性函數，使得該時間同調性函數包含與包含該目標之至少一分量之一所關注層之深度對應的至少一個可見條紋。 15.    如條項14之方法，其中該組態該調變包含界定一深度窗，使得該散射輻射中之一疊對信號主要與該所關注層有關。 16.    如條項15之方法，其包含藉由調諧該量測光譜之形狀而組態該深度窗之一形狀。 17.    如條項13至16中任一項之方法，其中該組態該調變包含18該調變之一調變頻率。 18.    如條項13至17中任一項之方法，其中該調變係一正弦或類正弦調變。 19.    如任何前述條項之方法，其中使用用於使該量測輻射光譜成形之一照明配置藉由以下操作來執行該組態量測輻射之步驟： 分散該量測輻射； 在使用一空間光調變器分散該量測輻射之後空間地調變該量測輻射；及以下中之至少一者： 在該空間地調變之前在至少一個方向上擴展該量測輻射；及 在該量測輻射分散至該空間光調變器之一各別區上之後引導該量測輻射之一各別波長頻帶。 20.    如條項19之方法，其中該量測輻射在該至少一個方向上擴展，且對該空間調變之控制控制哪些波長頻帶包含在該經組態量測光譜內及該經組態量測光譜之每個波長頻帶之透射。 21.    如條項19或20之方法，其中該擴展該量測輻射包含實質上在一第一方向上擴展該量測輻射；且分散之該方向處於垂直於該第一方向之一第二方向上，使得該空間光調變器之一第一軸線控制包含在該經組態量測光譜內之該等光譜分量且該空間光調變器之一第二軸線控制該經組態量測光譜之每個波長頻帶之透射。 22.    如條項1至18中任一項之方法，其中組態量測輻射之該步驟使用一聲光可調諧濾波器執行。 23.    一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之度量衡裝置，其可操作以執行如任一前述條項之方法。 24.    如條項23之度量衡裝置，其包含： 一照明配置，其用於組態該量測輻射且利用該經組態量測輻射照明該目標； 一感測器配置，其用於捕捉該散射輻射；及 一基板支撐件，其用於支撐包含該目標之一基板。 25.    如條項24之度量衡裝置，其中該照明配置包含： 一光束分散元件，其用於分散該量測輻射； 一空間光調變器，其用於在該量測輻射分散之後空間地調變該量測輻射；及以下中之至少一者： 一光束擴展元件，其用於在至少一個方向上擴展該量測輻射，該光束擴展元件位於該照明配置之一輸入與該空間光調變器之間；及 一透鏡陣列，其中之各透鏡用於在該量測輻射分散至該空間光調變器之一各別區上之後引導該量測輻射之一各別波長頻帶。 26.    如條項25之度量衡裝置，其中該照明配置包含該等光束擴展元件中之該至少一者，且對該空間光調變器之控制控制哪些波長頻帶包含在該經組態量測光譜內及該經組態量測光譜之每個波長頻帶之透射。 27.    如條項25或26之度量衡裝置，其中該光束擴展元件包含用於實質上在一第一方向上擴展該量測輻射之一1維光束擴展元件；且該光束分散元件之分散之該方向處於垂直於該第一方向之一第二方向上，使得該空間光調變器之一第一軸線控制包含在該經組態量測光譜內之該等光譜分量且該空間光調變器之一第二軸線控制該經組態量測光譜之每個波長頻帶之透射。 28.    如條項24之度量衡裝置，其中該照明配置包含一聲光可調諧濾波器。 29.    一種目標陣列，其包含複數個校準目標，該複數個校準目標包含用於如條項1至22中任一項之方法中的該等校準目標中之至少一些之間的疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化。 30.    一種目標陣列，其包含複數個校準目標，該複數個校準目標包含用於如條項23至28中任一項之一度量衡裝置中的該等校準目標中之至少一些之間的疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化。
應瞭解，雖然本說明書描述了就µDBO度量衡而言之概念，但其亦適用於可基於光瞳平面中之角解析光譜之偵測的其他度量衡方法，諸如器件內度量衡IDM。所提出概念亦適用於使用諸如以引用的方式併入本文中的WO2021/001102A1中所描述之最佳化同調性度量衡工具的度量衡。所提出概念亦可用於µDBF (基於微繞射之聚焦)度量衡中。
雖然特定參考「度量衡裝置/工具/系統」或「檢測裝置/工具/系統」，但此等術語可指相同或類似類型之工具、裝置或系統。例如，包含本發明之實施例的檢測或度量衡裝置可用以判定基板上或晶圓上之結構的特性。例如，包含本發明之實施例的檢測裝置或度量衡裝置可用以偵測基板之缺陷或基板上或晶圓上之結構的缺陷。在此實施例中，基板上之結構的所關注之特性可關於結構中之缺陷、結構之具體部分之不存在或基板上或晶圓上之非所需結構之存在。
本文中所描述之目標或目標結構(更一般而言，基板上之結構)可為出於量測之目的而特定設計及形成的度量衡目標。在其他實施例中，可在作為形成於基板上之器件之功能性部分的一或多個結構上量測所關注屬性。許多器件具有規則的類光柵結構。如本文中所使用之術語目標、目標光柵及目標結構不要求已特定針對正執行之量測來提供目標。另外，度量衡目標之節距可接近於散射計之光學系統的解析度極限或可能更小，但可能比目標部分C中之藉由微影製程製得的典型非目標結構(視情況產品結構)之尺寸大得多。實際上，可將目標結構內之疊對光柵之線及/或空間製造為包括在尺寸上與非目標結構類似之較小結構。
儘管可在本文中特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成遮罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置之部分。此等裝置可通常稱為微影工具。此種微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可能已特定參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見a，可在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
2:輻射投影儀 4:光譜儀偵測器 6:光譜 8:輪廓 11:源 12:透鏡 13:孔徑板 13N:孔徑板 13S:孔徑板 14:透鏡 15:光束分光器 16:物鏡 17:第二光束分光器 18:光學系統 19:第一感測器 20:光學系統 21:孔徑光闌 22:光學系統 23:感測器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BE:光束擴展元件 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CMS:經組態量測光譜 CL:電腦系統 DE:顯影器 I:量測輻射射線 IF:位置量測系統 ILL:照明系統 IM:影像 IMλ 1-IMλ n:所得影像 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 L1:透鏡系統 L2:透鏡系統 LA:微影裝置 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 LC:微影單元 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化器件 MS:量測光點 MT:度量衡工具 MW:量測波長 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PU:處理單元 PW:第二定位器 RO:機器人 SC:旋塗器 SC1:第一標度 SC2:第二標度 SC3:第三標度 SCS:監督控制系統 SEN:度量衡感測器 SF:空間濾波器 SO:輻射源 T:目標 TA:目標陣列 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板 WT:基板支撐件 λ 1-λ 10:波長頻帶
現將參考隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： -  圖1描繪微影裝置之示意圖綜述； -  圖2描繪微影單元之示意性綜述； -  圖3描繪表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作之整體微影之示意性表示； -  圖4描繪根據本發明之實施例的可包含暗場及/或亮場顯微鏡的用作度量衡器件之散射量測裝置之示意性綜述； -  圖5包含：(a)用於使用第一對照明孔徑來量測根據本發明之實施例的目標之暗場散射計的示意圖；(b)針對給定照明方向的目標光柵之繞射光譜的細節；(c)在使用散射計以用於基於繞射之疊對(DBO)量測時提供其他照明模式的第二對照明孔徑；及(d)組合第一對孔徑及第二對孔徑之第三對照明孔徑 -  圖6為描述根據本發明之實施例之方法之校準階段的流程圖； -  圖7為描述根據本發明之實施例之製造階段期間之度量衡方法的流程圖； -  圖8為可用於本發明之實施例之適合之快速色彩切換照明配置的示意圖；且 -  圖9包含(a)第一照明光譜及(b)第一照明光譜之對應時間同調性函數；(c)第二照明光譜及(d)第二照明光譜之對應時間同調性函數；(e)第三照明光譜及(f)第三照明光譜之對應時間同調性函數的圖。
IMλ1-IMλn:所得影像
MS:量測光點
MW:量測波長
OV 1 ...OV 5 :疊對
SEN:度量衡感測器
TA:目標陣列
λ1-λ10:波長頻帶

Claims (15)

  1. 一種自一目標量測一疊對或聚焦參數之方法，該方法包含： 藉由以下操作組態量測輻射以獲得該量測輻射之一經組態量測光譜： 對該量測輻射之個別波長頻帶強加一強度加權，使得該等個別波長頻帶具有根據該強度加權之一強度，該強度加權使得針對目標瑕疵之影響至少部分地校正該疊對或聚焦參數的一量測值；及/或 對該量測輻射之一量測光譜強加一調變； 利用該經組態量測輻射量測該目標且捕捉來自該目標之合成散射輻射；及 自該散射輻射判定該疊對或聚焦參數之一值。
  2. 如請求項1之方法，其中該組態步驟至少包含該強加一強度加權，且該散射輻射包含至少一對互補較高繞射階，且其中該方法進一步包含： 針對該散射輻射內之各組成波長頻帶，自該對互補較高繞射階之間的該等強度之一比較判定一強度不對稱性度量；及 自該等強度不對稱性度量及該強度加權判定該疊對或聚焦參數。
  3. 如請求項2之方法，其中判定該疊對或聚焦參數之該步驟包含：自各強度不對稱性度量與其來自該強度加權之對應權重之乘積的總和判定該疊對或聚焦參數。
  4. 如請求項1或2中任一項之方法，其中該量測步驟至少包含：對該強度加權包含一正權重之該等波長頻帶中之一或多者的一第一量測，及對該強度加權包含一負權重之該等波長頻帶中之一或多者的一第二量測。
  5. 如請求項4之方法，其中利用根據該一或多個負權重之量值強加的該強度加權來執行該第二量測；且 該判定該疊對或聚焦參數之一值包含自以下之差判定一第一值： 各強度不對稱性度量與其來自該第一量測之該強度加權之對應權重的該乘積的一總和；及 各強度不對稱性度量與其來自該第二量測之該強度加權之對應權重的該乘積的一總和。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含用以判定該強度加權之一初始校準階段，該初始校準階段包含： 利用在該等波長頻帶中之各者內之量測輻射量測複數個校準目標，該複數個校準目標包含該等校準目標中之至少一些之間的該疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化； 自在該量測步驟期間偵測到之散射輻射判定該等校準目標中之各者及該等波長頻帶中之各者的一校準不對稱性度量； 自該等校準不對稱性度量及該等已知經強加疊對或聚焦值判定該強度加權。
  7. 一種判定一強度加權之方法，該方法包含： 利用在數個波長頻帶內之量測輻射量測複數個校準目標，該複數個校準目標包含該等校準目標中之至少一些之間的該疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化； 自在該量測步驟期間偵測到之散射輻射判定該等校準目標中之各者及該等波長頻帶中之各者的一校準不對稱性度量； 自該等校準不對稱性度量及該等已知經強加疊對或聚焦值判定該強度加權。
  8. 如請求項7之方法，其中判定該強度加權，使得將該強度加權應用於該等校準不對稱性度量導致獲得該等已知經強加疊對或聚焦值。
  9. 如請求項7或8之方法，其中該疊對或聚焦參數包含疊對，且該目標包含每個量測方向的一單一週期性結構。
  10. 如請求項9之方法，其中該目標不具有強加偏置。
  11. 如請求項8之方法，其中使用用於使該量測輻射光譜成形之一照明配置藉由以下操作來執行該組態量測輻射之步驟： 分散該量測輻射； 在使用一空間光調變器分散該量測輻射之後空間地調變該量測輻射；及以下中之至少一者： 在該空間地調變之前在至少一個方向上擴展該量測輻射；及 在該量測輻射分散至該空間光調變器之一各別區上之後引導該量測輻射之一各別波長頻帶。
  12. 一種度量衡裝置，其包含： 一照明配置，其用於組態該量測輻射且利用該經組態量測輻射照明該目標； 一感測器配置，其用於捕捉該散射輻射；及 一基板支撐件，其用於支撐包含該目標之一基板。
  13. 如請求項12之度量衡裝置，其中該照明配置包含： 一光束分散元件，其用於分散該量測輻射； 一空間光調變器，其用於在該量測輻射分散之後空間地調變該量測輻射；及以下中之至少一者： 一光束擴展元件，其用於在至少一個方向上擴展該量測輻射，該光束擴展元件位於該照明配置之一輸入與該空間光調變器之間；及 一透鏡陣列，其中之各透鏡用於在該量測輻射分散至該空間光調變器之一各別區上之後引導該量測輻射之一各別波長頻帶。
  14. 如請求項13之度量衡裝置，其中該照明配置包含該等光束擴展元件中之該至少一者，且對該空間光調變器之控制控制哪些波長頻帶包含在該經組態量測光譜內及該經組態量測光譜之每個波長頻帶之透射。
  15. 一種目標陣列，其包含複數個校準目標，該複數個校準目標包含用於如請求項1至11中任一項之方法中的該等校準目標中之至少一些之間的疊對或聚焦參數之一經強加疊對或聚焦值之一變化。
TW111119024A 2021-05-31 2022-05-23 度量衡方法及相關的度量衡工具 TW202311863A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21176954 2021-05-31
EP21176954.2 2021-05-31
EP21210123.2 2021-11-24
EP21210123.2A EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2021-11-24 Metrology method and associated metrology tool

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202311863A true TW202311863A (zh) 2023-03-16

Family

ID=81580376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111119024A TW202311863A (zh) 2021-05-31 2022-05-23 度量衡方法及相關的度量衡工具

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20240016967A (zh)
IL (1) IL308338A (zh)
TW (1) TW202311863A (zh)
WO (1) WO2022253501A1 (zh)

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7317531B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036734A1 (nl) 2008-04-09 2009-10-12 Asml Netherlands Bv A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US8891061B2 (en) 2008-10-06 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
JP5661194B2 (ja) 2010-11-12 2015-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
JP6077647B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
CN107111250B (zh) 2014-11-26 2019-10-11 Asml荷兰有限公司 度量方法、计算机产品和系统
KR102162234B1 (ko) 2015-06-17 2020-10-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택
EP3853666B1 (en) * 2018-09-19 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. Metrology sensor for position metrology
EP3994523A1 (en) 2019-07-02 2022-05-11 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
JP7414576B2 (ja) * 2020-02-21 2024-01-16 キヤノン株式会社 位置計測装置、重ね合わせ検査装置、位置計測方法、インプリント装置および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240016967A (ko) 2024-02-06
WO2022253501A1 (en) 2022-12-08
IL308338A (en) 2024-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10338401B2 (en) Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
JP6618551B2 (ja) 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置、パターニングデバイス及び製造方法
US10126237B2 (en) Inspection apparatus and device manufacturing method
KR100919663B1 (ko) 검사 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 프로세싱셀 및 디바이스 제조방법
TWI722540B (zh) 度量衡裝置
TWI752812B (zh) 度量衡方法及用於量測一基板上之一週期性結構之裝置
TWI764314B (zh) 組態一度量衡標記之方法、用於判定一疊對量測之方法及相關之基板及電腦程式產品
EP4187321A1 (en) Metrology method and associated metrology tool
TW202311863A (zh) 度量衡方法及相關的度量衡工具
EP4279993A1 (en) Source selection module and associated metrology apparatus
TWI792653B (zh) 暗場數位全像顯微鏡及相關度量衡方法
TWI807898B (zh) 度量衡方法及度量衡裝置
EP4246232A1 (en) Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4357853A1 (en) Apparatus and methods for filtering measurement radiation
TW202409553A (zh) 源選擇模組及其相關度量衡及微影設備
WO2023208487A1 (en) Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023174648A1 (en) Illumination arrangement for a metrology device and associated method
JP2024514054A (ja) メトロロジツール較正方法及び関連するメトロロジツール
WO2023222328A1 (en) Illumination module and associated methods and metrology apparatus
EP3620857A1 (en) Metrology apparatus
TW202409523A (zh) 用於傅立葉轉換光譜測定法之方法與設備
TW202401164A (zh) 用於判定一基板上之一結構之一垂直位置之方法及相關聯設備
CN117242400A (zh) 量测工具校准方法及相关的量测工具
TW202328823A (zh) 用於測量基板上的至少一個目標的方法及相關聯設備和基板