TW202311782A - 成像方法 - Google Patents
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Abstract
本文公開了一種成像方法，所述成像方法包括：將顯像劑附接到物體的部分；在三個維度（3D）上擴展所述物體的所述部分；在進行所述附接和所述擴展之後，基於所述顯像劑與入射在所述物體上的X射線的相互作用而生成所述顯像劑的3D圖像。
Description
本發明是有關於一種成像方法。
輻射檢測器是一種測量輻射性質的裝置。性質的示例可以包括輻射的強度、相位和偏振的空間分佈。輻射可以是已經與物體相互作用的輻射。例如，由輻射檢測器測量的輻射可以是已經穿透物體的輻射。輻射可以是電磁輻射，例如紅外光、可見光、紫外光、X射線或γ射線。輻射也可以是其它類型，例如α射線和β射線。成像系統可以包括一個或多個圖像感測器，每個圖像感測器可以具有一個或多個輻射檢測器。
本文公開了一種成像方法，所述成像方法包括：將顯像劑附接到物體的部分；在三個維度（3D）上擴展所述物體的所述部分；在進行所述附接和所述擴展之後，基於所述顯像劑與入射在所述物體上的X射線的相互作用而生成所述顯像劑的3D圖像。
在一方面，所述擴展是各向同性的。
在一方面，在進行所述附接之前，進行所述擴展。
在一方面，在進行所述附接之後，進行所述擴展。
在一方面，所述顯像劑包括原子序數為23或更高的元素。
在一方面，所述擴展所述物體的所述部分包括：錨定所述物體中的化學連接子；形成與所述化學連接子結合的聚合物網路；以及通過擴展所述聚合物網路來擴展所述部分。
在一方面，所述擴展所述物體的所述部分包括：將可膨脹材料引入所述物體；通過使所述可膨脹材料膨脹來擴展所述部分。
在一方面，所述生成所述顯像劑的所述3D圖像包括：基於所述相互作用捕獲所述顯像劑的多個二維（2D）圖像；以及使用電腦斷層攝影由所述多個2D圖像生成所述顯像劑的所述3D圖像。
在一方面，所述相互作用是由入射到所述物體上的所述X射線導致的所述顯像劑的特徵X射線的發射。
在一方面，所述相互作用是通過所述顯像劑對入射到所述物體上的所述X射線的衰減。
在一方面，所述捕獲所述多個2D圖像包括圍繞所述物體旋轉輻射源和輻射檢測器，使得所述顯像劑被設置在所述輻射源與所述輻射檢測器之間。
輻射檢測器
作為示例，圖1示意性地示出了輻射檢測器100。輻射檢測器100可以包括圖元150（也稱為感測元件150）陣列。該陣列可以是矩形陣列（如圖1所示）、蜂窩陣列、六邊形陣列或任何其它合適的陣列。圖1的示例中的圖元150陣列有4列7行；然而，通常，圖元150陣列可以具有任意數量的行和任意數量的列。
每個圖元150可以被配置為檢測從輻射源(未示出)入射在其上的輻射，並且可以被配置為測量輻射的特性(例如，粒子的能量、波長和頻率)。輻射可以包括粒子，例如光子和亞原子粒子。每個圖元150可以被配置為在一段時間內對入射在其上的能量落在多個能量區間中的輻射粒子的數量進行計數。所有圖元150可以被配置為在同一段時間內對多個能量區間內的入射在其上的輻射粒子的數量進行計數。當入射輻射粒子具有相似能量時，圖元150可以簡單地被配置為在一段時間內對入射在其上的輻射粒子的數量進行計數，而不測量各個輻射粒子的能量。
每個圖元150可以具有其自己的類比數位轉換器（ADC），其被配置為將表示入射輻射粒子的能量的類比信號數位化為數位信號，或者將表示多個入射輻射粒子的總能量的類比信號數位化成數位信號。
由輻射檢測器100的所有圖元150獲得的數位信號表示由圖元150測量的入射輻射的特徵的2D（二維）分佈（例如，入射輻射的粒子的能量、波長和頻率）。該2D分佈可以被認為是輻射檢測器100的視場中的物體（或場景）的2D圖像。結果是，2D圖像不限於肉眼可見的東西。
在電腦斷層攝影中，可以由測量特徵的多個2D分佈生成測量特徵的3D（3維）分佈。該3D分佈可以被認為是輻射檢測器100的視場中的物體（或場景）的3D圖像。結果是，3D圖像不限於肉眼可見的東西。
圖元150可以被配置為平行作業。例如，當一個圖元150測量入射輻射粒子時，另一個圖元150可以正在等待輻射粒子到達。圖元150可以不必是可單獨定址的。
這裡描述的輻射檢測器100可以應用於例如X射線望遠鏡、X射線乳房照相、工業X射線特徵檢測、X射線顯微鏡或微射線照相、X射線鑄造檢查、X射線無損測試、X射線焊縫檢查、X射線數位減影血管造影等。使用該輻射檢測器100代替照相底板、照相膠片、PSP板、X射線圖像增強器、閃爍體或其它半導體X射線檢測器也可能是合適的。
圖2示意性地示出了根據實施例的圖1的輻射檢測器100沿著線2-2的簡化剖視圖。具體地，輻射檢測器100可以包括輻射吸收層110和用於處理或分析入射輻射在輻射吸收層110中產生的電信號的電子器件層120（可以包括一個或多個ASIC或專用積體電路）。輻射檢測器100可以包括或不包括閃爍體（未示出）。輻射吸收層110可以包含半導體材料，例如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。該半導體材料可以對關注的輻射具有高質量衰減係數。
圖3示意性地示出了作為示例的圖1的輻射檢測器100沿著線2-2的詳細剖視圖。具體地，輻射吸收層110可以包括由第一摻雜區111、第二摻雜區113的一個或多個離散區114形成的一個或多個二極體（例如，p-i-n或p-n）。第二摻雜區113可以通過可選的本徵區112與第一摻雜區111分離。離散區114可以通過第一摻雜區111或本徵區112彼此分離。第一摻雜區111和第二摻雜區113可以具有相反類型的摻雜（例如，區域111是p型，區域113是n型，或者，區域111是n型，區域113是p型）。在圖3的示例中，第二摻雜區113的每個離散區114與第一摻雜區111和可選的本徵區112形成二極體。即，在圖3的示例中，輻射吸收層110具有多個二極體（更具體地，7個二極體對應於圖1的陣列中一列的7個圖元150，為了簡單起見，圖3中僅標記了其中的兩個圖元150）。多個二極體可以具有作為共用（公共）電極的電觸點119A。第一摻雜區111還可以具有離散部分。
電子器件層120可以包括適合於處理或解釋由入射在輻射吸收層110上的輻射產生的信號的電子系統121。電子系統121可以包括諸如濾波器網路、放大器、積分器和比較器之類的類比電路，或者諸如微處理器和記憶體之類的數位電路。電子系統121可以包括一個或多個ADC（類比數位轉換器）。電子系統121可以包括由圖元150共用的元件或專用於單個圖元150的元件。例如，電子系統121可以包括專用於每個圖元150的放大器和在所有圖元150之間共用的微處理器。電子系統121可以通過通孔131電連接到圖元150。通孔之間的空間可以使用填充材料130填充，這可以增加電子器件層120與輻射吸收層110的連接的機械穩定性。其它接合技術可以在不使用通孔131的情況下將電子系統121連接到圖元150。
當來自輻射源(未示出)的輻射撞擊包括二極體的輻射吸收層110時，輻射粒子可被吸收並通過多種機制產生一個或多個電荷載流子(例如，電子、電洞)。電荷載流子可以在電場下漂移到二極體之一的電極。該電場可以是外部電場。電觸點119B可以包括離散部分，每個離散部分與離散區114電接觸。術語“電觸點”可以與詞“電極”互換使用。在實施例中，電荷載流子可以在各方向上漂移，使得由單個輻射粒子產生的電荷載流子基本上不被兩個不同的離散區114共用（這裡“基本上不被......共用”意指相比於其餘的電荷載流子，這些電荷載流子中的小於2％，小於0.5％，小於0.1％或小於0.01％的電荷載流子流向一個不同的離散區114）。由入射在這些離散區114之一的覆蓋區周圍的輻射粒子產生的電荷載流子基本上不與這些離散區114中的另一個共用。與離散區114相關聯的圖元150可以是離散區114周圍的區域，其中由入射到其中的輻射粒子產生的基本上全部（大於98％，大於99.5％，大於99.9％，或大於99.99％）的電荷載流子流向離散區114。即，這些電荷載流子中的小於2%、小於1%、小於0.1%或小於0.01%的電荷載流子流過圖元150。
圖4示意性地示出了根據可替換實施例的圖1的輻射檢測器100沿著線2-2的詳細剖視圖。更具體地，輻射吸收層110可以包含諸如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合之類的半導體材料的電阻器，但不包括二極體。該半導體材料可以對關注的輻射具有高質量衰減係數。在實施例中，圖4的電子器件層120在結構和功能方面類似於圖3的電子器件層120。
當輻射撞擊包括電阻器而不包括二極體的輻射吸收層110時，它可以被吸收並通過多種機制產生一個或多個電荷載流子。輻射粒子可以產生10至100,000個電荷載流子。電荷載流子可以在電場下漂移到電觸點119A和119B。該電場可以是外部電場。電觸點119B可以包括離散部分。在實施例中，電荷載流子可以在各方向上漂移，使得由單個輻射粒子產生的電荷載流子基本上不被電觸點119B的兩個不同的離散部分共用（這裡“基本上不被......共用”意指相比於其餘的電荷載流子，這些電荷載流子中的小於2％，小於0.5％，小於0.1％或小於0.01％的電荷載流子流向一個不同的離散部分）。由入射在電觸點119B的這些離散部分之一的覆蓋區周圍的輻射粒子產生的電荷載流子基本上不與電觸點119B的這些離散部分中的另一個共用。與電觸點119B的離散部分相關聯的圖元150可以是離散部分周圍的區域，其中由入射到其中的輻射粒子產生的基本上全部（大於98％，大於99.5％，大於99.9％，或大於99.99％）的電荷載流子流向電觸點119B的離散部分。即，這些電荷載流子中的小於2％、小於0.5％、小於0.1％或小於0.01％的電荷載流子流過與電觸點119B的一個離散部分相關聯的圖元。
擴展顯微鏡處理
圖5A至圖5B示意性地示出了通過擴展顯微鏡處理的物體500的透視圖。為了說明，假定物體500具有如圖所示的立方體形狀。
在實施例中，物體500可以是諸如細胞、內部器官、靜脈等生物樣本。結果是，物體500包括生物分子。
錨定物體中的化學連接子
在實施例中，參照圖5A，擴展顯微鏡處理可以開始於錨定物體500中的化學連接子（圖5A中的三角形）。為了說明，假定8個化學連接子錨定在物體500中，並且這8個化學連接子被錨定在物體500的8個頂點（角）處。為簡單起見，僅示出和標記了8個化學連接子中的3個（即，化學連接子513c1、513c2和513c3）。
在物體500是生物樣本的情況下，化學連接子可以包括與物體500的生物分子結合的化合物。
聚合物網路
接下來，在實施例中，可以在物體500周圍形成聚合物網路（為簡單起見，未在圖5A中示出），使得該聚合物網路與8個化學連接子結合。換句話說，物體500經由8個化學連接子鉤到聚合物網路上。
具體地，在實施例中，聚合物網路可以通過首先將圖5A的物體500浸泡在單體（例如，丙烯酸鈉）溶液中來形成。結果是，單體自組裝成聚合物鏈。當增長的聚合物鏈遇到化學連接子時，在化學連接子與聚合物鏈之間形成共價鍵。在實施例中，聚合物鏈使用交聯劑交聯，從而得到聚合物網路。在實施例中，通過同時向物體500注入丙烯酸鈉和交聯劑兩者而同時形成聚合物鏈和交聯，從而得到聚合物網路。
在實施例中，擴展物體的各部分涉及將可膨脹材料引入到物體中並使得該可膨脹材料膨脹。顯像劑可以是膨脹材料的一部分。
削弱物體中的鍵
接下來，在實施例中，可以削弱將物體500保持在一起的鍵。如果物體500是生物樣本，則可以使用去污劑、酶和/或熱來削弱物體500的生物分子。
擴展
接下來，在實施例中，可以擴展聚合物網路，從而將8個化學連接子在3D上各向同性地（即，在所有三個維度上均勻地）拉開。為簡單起見，作為通過擴展聚合物網路而將8個化學連接子拉開的結果，假定物體500沿虛線514（圖5A）被撕開，則得到如圖5B所示的8個分開的部分。實際上，物體500的這8個部分在3D上(即，在所有三個維度上)各向同性地彼此間隔得更遠。換句話說，物體500的8個部分在3D上被各向同性地擴展（即，在所有三個維度上均勻地擴展）。
在實施例中，可以通過向聚合物網路中添加水來擴展聚合物網路，從而得到圖5B的擴展的聚合物網路520。
將顯像劑附接到各部分
在實施例中，參照圖5B，可以將顯像劑（實心圓圈）附接到物體500的8個部分。為簡單起見，僅示出和標記了3個顯像劑（即，顯像劑515a1、515a2、和515a3)，其他顯像劑被示出但未標記，還有其他顯像劑未被示出和標記。或者，可以在任何化學連接子被錨定到物體之前或在擴展物體的各部分之前將顯像劑附接到這些部分。
顯像劑的X射線成像
第一2D圖像捕獲
接下來，在實施例中，參照圖6A，8個部分和附接的顯像劑連同圖5B的擴展的聚合物網路520可以被置於用於成像的成像設備100+630中。在實施例中，成像設備100+630可以包括輻射檢測器100和輻射源630。
在實施例中，可以按如下進行第一2D圖像捕獲。在實施例中，輻射源630可以生成朝向顯像劑和輻射檢測器100的輻射束632a。
在實施例中，每個顯像劑可以包括使X射線衰減的元素。結果是，顯像劑可以用用於成像的X射線成像。在實施例中，輻射束632a可以是X射線束。因此，使用已經與顯像劑相互作用的輻射束632a的輻射，輻射檢測器100可以捕獲顯像劑的第一2D圖像。
第二2D圖像捕獲
在實施例中，在輻射檢測器100捕獲顯像劑的第一2D圖像之後，輻射檢測器100和輻射源630可以圍繞顯像劑旋轉，從而得到如圖6B所示的成像設備100+630的另一種佈置。
在實施例中，參照圖6B，可以按如下進行第二2D圖像捕獲。在實施例中，當成像設備100+630被佈置為如圖6B所示時，輻射源630可以生成朝向顯像劑和輻射檢測器100的輻射束632b。在實施例中，輻射束632b可以是X射線束。結果是，使用可以用用於成像的X射線成像的顯像劑，使用已經與顯像劑相互作用的輻射束632b的輻射，輻射檢測器100可以捕獲顯像劑的第二2D圖像。
顯像劑的3D圖像
接下來，在實施例中，在輻射檢測器100捕獲第二2D圖像之後，可以由第一和第二2D圖像生成顯像劑的3D圖像。在實施例中，可以使用電腦斷層攝影由第一和第二2D圖像生成顯像劑的3D圖像。在實施例中，由第一和第二2D圖像生成3D圖像可以通過輻射檢測器100來進行。
因為第一和第二2D圖像是使用用於成像的X射線捕獲的（即，由輻射檢測器100捕獲的入射輻射是X射線），所以認為使用用於成像的X射線由第一和第二2D圖像生成3D圖像。
請注意，因為物體500的各部分在3D上（即，在所有三個維度上）各向同性地擴展，所以顯像劑的3D圖像也是物體500被撕開之前物體500的3D圖像。
用於概括的流程圖
圖7示出了概括上面在圖5A至圖6B中描述的X射線成像處理和擴展顯微鏡處理的流程圖700。具體地，在步驟710中，在3D上擴展物體的各部分。例如，在上述實施例中，當擴展聚合物網路用化學連接子（例如，化學連接子513c1、513c2和513c3）在3D上拉開這些部分時，物體500的8個部分在3D上擴展。
在步驟720中，將顯像劑附接到物體的各部分。例如，在上述實施例中，顯像劑（例如，圖5B的顯像劑515a1、515a2和515a3）被附接到物體500的8個部分。
另外，在步驟720中，顯像劑可以用用於成像的X射線成像。例如，在上述實施例中，顯像劑包括吸收X射線的金屬；因此，顯像劑可以用用於成像的X射線成像。
在步驟730中，在進行所述附接和所述擴展之後，基於顯像劑與入射在物體上的X射線的相互作用，使用用於成像的X射線生成顯像劑的3D圖像。例如，在上述實施例中，顯像劑（例如，顯像劑515a1、513a2和513a3）的3D圖像由第一和第二2D圖像生成，該第一和第二2D圖像是由輻射檢測器100使用用於成像的來自輻射源630的X射線捕獲的。
附加實施例
顯像劑中的重金屬
在實施例中，顯像劑中的元素可以具有23或更高的原子序數（例如，重金屬）。例如，銅、金、銀和鉑是可以用於顯像劑的重金屬。
微電腦斷層攝影
在實施例中，輻射檢測器100具有1微米的空間解析度或更高的空間解析度（例如，0.6微米的空間解析度）。
可替換實施例
用於成像的來自顯像劑的特徵X射線
在上述實施例中，來自輻射束632a和632b的X射線分別被用於捕獲顯像劑的第一和第二2D圖像。或者，來自顯像劑的特徵X射線可用於捕獲顯像劑的第一和第二2D圖像。
具體地，在實施例中，當用高能粒子（例如質子、中子或離子）或波長短於X射線波長的輻射（例如，伽馬射線）轟擊顯像劑時，顯像劑可以生成特徵X射線。
另外，在實施例中，輻射束532a和532b可以足夠強以使得顯像劑產生特徵X射線。另外，在實施例中，輻射檢測器100可以被配置為忽略輻射束532a和532b的入射輻射。換句話說，輻射檢測器100使用來自顯像劑的入射特徵X射線並忽略來自輻射束632a和632b的入射輻射來捕獲顯像劑的第一和第二2D圖像。
在實施例中，來自輻射源630的輻射束632a和632b具有與來自顯像劑的特徵X射線不同的波長，使得輻射檢測器100能夠選擇性地接收和處理來自顯像劑的入射特徵X射線並忽略來自輻射源630的輻射束632a和632b的入射輻射。
擴展前附接
在上述實施例中，參照圖5A至圖6B，8個部分在顯像劑被附接到這些部分之前被各向同性地擴展。或者，在所有其他條件相同的情況下，在各部分被各向同性地擴展之前，可以將顯像劑附接到這些部分。例如，當單體正在被引入物體500的同時，顯像劑可以被附接到這些部分。
作為化學連接子的顯像劑
在上述實施例中，化學連接子(例如，化學連接子513c1、513c2和513c3)將各部分連接到聚合物網路。或者，在所有其他條件相同的情況下，顯像劑可以將各部分連接到聚合物網路。
具體地，在實施例中，擴展顯微鏡處理可以為如下。首先，可以將顯像劑附接到圖5A的物體500。接下來，在實施例中，可以產生與顯像劑結合的聚合物網路。或者，可以在正在產生聚合物網路的同時，將顯像劑附接到物體500。
接下來，在實施例中，可以削弱或甚至斷開將物體500保持在一起的鍵。
接下來，在實施例中，可以在3D上擴展聚合物網路，從而在3D上各向同性地擴展顯像劑。接下來，在實施例中，在所述擴展發生後，可以生成使用用於成像的X射線的顯像劑的3D圖像。
儘管本文已經公開了各個方面和實施例，但其他方面和實施例對於本領域技術人員來說將是顯而易見的。本文所公開的各個方面和實施例是出於說明的目的而不是限制性的，真正的範圍和精神由所附申請專利範圍指示。
2-2:線
100:輻射檢測器
110:輻射吸收層
111:第一摻雜區
112:本徵區
113:第二摻雜區
114:離散區
119A、119B:電觸點
120:電子器件層
121:電子系統
130:填充材料
131:通孔
150:圖元
500:物體
513c1、513c2、513c3:化學連接子
514:虛線
515a1、513a2、513a3:顯像劑
520:聚合物網路
630:輻射源
632a、632b:輻射束
700:流程圖
710、720、730:步驟
圖1示意性地示出了根據實施例的輻射檢測器。
圖2示意性地示出了根據實施例的輻射檢測器的簡化剖視圖。
圖3示意性地示出了根據實施例的輻射檢測器的詳細剖視圖。
圖4示意性地示出了根據可替換實施例的輻射檢測器的詳細剖視圖。
圖5A至圖5B示意性地示出了根據實施例的通過擴展顯微鏡處理的物體的透視圖。
圖6A至圖6B示意性地示出了根據實施例的對擴展顯微鏡處理的結果進行操作的成像設備的透視圖。
圖7是概括圖5A至圖6B中描述的處理的流程圖。
700:流程圖
710、720、730:步驟
Claims (11)
- 一種成像方法，包括： 將顯像劑附接到物體的部分； 在三個維度（3D）上擴展所述物體的所述部分；以及 在進行所述附接和所述擴展之後，基於所述顯像劑與入射在所述物體上的X射線的相互作用而生成所述顯像劑的3D圖像。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，所述擴展是各向同性的。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，在進行所述附接之前，進行所述擴展。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，在進行所述附接之後，進行所述擴展。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，所述顯像劑包括原子序數為23或更高的元素。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，所述擴展所述物體的所述部分包括： 錨定所述物體中的化學連接子； 形成與所述化學連接子結合的聚合物網路； 通過擴展所述聚合物網路來擴展所述部分。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，所述擴展所述物體的所述部分包括： 將可膨脹材料引入所述物體； 通過使所述可膨脹材料膨脹來擴展所述部分。
- 如請求項1所述的成像方法，其中，所述生成所述顯像劑的所述3D圖像包括： 基於所述相互作用捕獲所述顯像劑的多個二維（2D）圖像；以及 使用電腦斷層攝影由所述多個2D圖像生成所述顯像劑的所述3D圖像。
- 如請求項8所述的成像方法，其中，所述相互作用是由入射到所述物體上的所述X射線導致的所述顯像劑的特徵X射線的發射。
- 如請求項8所述的成像方法，其中，所述相互作用是通過所述顯像劑對入射到所述物體上的所述X射線的衰減。
- 如請求項8所述的成像方法，其中，所述捕獲所述多個2D圖像包括圍繞所述物體旋轉輻射源和輻射檢測器，使得所述顯像劑被設置在所述輻射源與所述輻射檢測器之間。
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