TW202301408A - 等離子體處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種等離子體處理裝置，包含：真空反應腔，真空反應腔內具有下電極組件，真空反應腔腔體開設有排氣口以將真空反應腔內部的氣體排出；等離子體約束裝置，其環繞設置於下電極組件的外側；氣流均衡組件，其設置於等離子體約束裝置和排氣口之間，氣流均衡組件內包含多個交錯排列的隔板，交錯排列的隔板之間形成一非直線的氣路通道，用於延長真空反應腔內的氣體經所述等離子體約束裝置到所述排氣口的距離。其優點是：該裝置通過將等離子體約束裝置、氣流均衡組件等相結合，通過氣流均衡組件增加氣體行走路徑，減緩了等離子體約束裝置和排氣口之間的氣體流速，有助於調控晶圓蝕刻效果，進一步避免了晶圓表面造成污染。

Description

等離子體處理裝置

本發明涉及半導體設備的技術領域，具體涉及一種等離子體處理裝置。

在半導體晶圓處理過程中，往往通過等離子氣體來對晶圓或沉積在晶圓上的膜進行蝕刻。在整個晶圓處理過程中，等離子體處理裝置內等離子體環境的均勻性和真空反應腔的潔淨度等因素對晶圓的蝕刻效果影響巨大。在製程過程中，晶圓產生的反應副產物也可能會隨之停留在真空反應腔內。通常業內人士普遍採用在真空反應腔外接一個氣體抽取裝置（如真空泵），通過氣體抽取裝置通過一排氣口將反應副產物及時排出真空反應腔。

在等離子體處理裝置中，由於需要考慮包括處理裝置的整個系統結構合理，真空反應腔的排氣口通常不在真空反應腔的正下方，而是偏向腔體的一側，如對於雙腔系統共用一套排氣系統，通過氣體抽取裝置把製程過程中產生的廢棄產物抽排至真空反應腔外。在這個過程中，由於排氣口偏向腔體的一側，靠近排氣口一側的抽氣效率會更高，反應氣體在晶圓邊緣的不同位置的停留時間不等，導致晶圓蝕刻速率偏邊，容易造成晶圓蝕刻不均勻。特別地，在產生聚合物較多的製程過程中，蝕刻速率偏邊的情況會愈發明顯，靠近排氣口一側的聚合物更快的被抽走，而遠離排氣口的一側聚合物堆積阻擋了反應氣體與晶圓的反應，所以導致靠近排氣口的蝕刻速率會高於遠離排氣口一側的蝕刻速率，無法保證晶圓蝕刻效果。

本發明的目的在於提供一種等離子體處理裝置，通過在等離子體約束裝置和排氣口之間設置氣流均衡組件，以延長真空反應腔內的氣體經等離子體約束裝置到排氣口的距離，增加氣體行走路徑，使反應區域相對於氣體抽取裝置來說處於遠端，削弱了氣體抽取裝置對反應區域的影響，以便調控晶圓蝕刻效果；另一方面，所述氣流均衡組件也進一步防止了氣體抽取裝置或其他來源的微小顆粒污染物返流到反應區域，避免造成晶圓表面的污染。

為了達到上述目的，本發明通過以下技術方案實現： 一種等離子體處理裝置，包含： 真空反應腔，所述真空反應腔內具有下電極組件，所述真空反應腔腔體開設有排氣口以將所述真空反應腔內部的氣體排出； 等離子體約束裝置，其環繞設置於所述下電極組件的外側；以及 氣流均衡組件，其設置於所述等離子體約束裝置和所述排氣口之間，所述氣流均衡組件內包含多個交錯排列的隔板，所述交錯排列的隔板之間形成一非直線的氣路通道，用於延長所述真空反應腔內的氣體經所述等離子體約束裝置到所述排氣口的距離。

可選的，所述氣流均衡組件包含： 內壁，環繞設置於所述下電極組件的外側；以及 外壁，環繞設置於所述內壁的外側，所述外壁與所述內壁連接； 各個所述隔板設置於所述內壁和所述外壁之間，所述隔板為第一隔板或第二隔板，所述第一隔板與所述內壁連接，所述第二隔板與所述外壁連接，所述第一隔板與所述第二隔板交錯排列； 所述內壁和/或所述外壁和/或所述第一隔板和/或所述第二隔板上開設有氣流孔以供氣體流通。

可選的，所述外壁的底部與所述內壁的底部通過底板連接； 或，所述外壁與所述內壁通過多個連接桿連接。

可選的，所述氣流均衡組件還包含： 多個支撐腿，設置於所述氣流均衡組件的底部以支撐所述氣流均衡組件。

可選的，所述氣流均衡組件包括第一區域和第二區域，所述第一區域到排氣口的距離小於所述第二區域到排氣口的距離。

可選的，所述第一區域內的氣體流通速率小於所述第二區域內的氣體流通速率。

可選的，位於所述第一區域的隔板交錯重疊範圍大於位於所述第二區域的隔板交錯重疊範圍，用於使得所述第一區域的隔板之間形成的氣路通道大於所述第二區域的氣路通道。

可選的，位於所述第一區域的隔板的數量大於位於所述第二區域的隔板的數量，所述隔板上開設有氣流孔以便氣體流通。

可選的，位於所述第一區域的隔板的邊緣呈向上傾斜狀態或水平狀態，位於所述第二區域的隔板的邊緣呈水平狀態或向下傾斜狀態。

可選的，所述氣流均衡組件開設有多個氣流孔，所述第一區域的氣流孔的數量小於所述第二區域的氣流孔的數量。

可選的，所述第二區域的圓周範圍大於或等於所述第一區域的圓周範圍。

可選的，所述第一區域的圓周範圍為30°~120°。

可選的，各個所述隔板相互平行排列； 和/或，各個所述隔板部分平行排列。

可選的，所述氣流均衡組件的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼； 和/或，所述氣流均衡組件表面設有耐腐蝕性材料鍍層。

可選的，所述耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

本發明與習知技術相比具有以下優點： 本發明提供的一種等離子體處理裝置，將等離子體約束裝置、排氣口和氣流均衡組件等結構相結合，所述氣流均衡組件設置於所述等離子體約束裝置和所述排氣口之間，所述氣流均衡組件內包含多個交錯排列的隔板，所述交錯排列的隔板之間形成一非直線的氣路通道，以延長所述真空反應腔內的氣體經所述等離子體約束裝置到所述排氣口的距離，對反應區域周向的氣體壓力偏邊問題進行補償，以便調控晶圓蝕刻效果；另一方面，所述氣流均衡組件也進一步防止了氣體抽取裝置或其他來源的微小顆粒污染物返流到反應區域，避免造成晶圓表面的污染。

進一步的，所述氣流均衡組件包括第一區域和第二區域，所述第一區域到排氣口的距離小於所述第二區域到排氣口的距離，所述第一區域內的氣體流通速率小於所述第二區域內的氣體流通速率，減緩了排氣口處氣體流通的速率，緩解了氣體抽取裝置對反應區域以及腔體環境的不對稱效應，平衡晶圓各相位角的蝕刻速率，更進一步有效地解決了晶圓偏邊問題；從氣流均衡組件的第一區域流出的氣體的流通速率趨近於從第二區域流出氣體的流通速率，以使等離子體約束裝置周向的氣體流通速率趨近於穩定，上電極元件和下電極組件之間反應區域周向的氣體流通速率趨於相同，有助於晶圓蝕刻的均勻性，不會產生晶圓蝕刻偏邊的現象，保證晶圓的蝕刻效果，以得到最優的製程對稱性效果。

為利於瞭解本發明的特徵、內容與優點及其所能達成的功效，將本發明配合附圖，並以實施方式的表達形式詳細說明如下，而其中所使用的附圖，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後的真實比例與精準配置，故不應就所附的附圖式的比例與配置關係解讀、局限本發明於實際實施上的權利範圍。

需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

如圖1所示，為本發明的一種等離子體處理裝置，可選的其為電容耦合等離子體處理裝置，該等離子體處理裝置包含：一真空反應腔100，其由反應腔腔體101和腔體端蓋102包圍而成，所述反應腔腔體101上設置一晶圓傳輸口103，該晶圓傳輸口103用於實現晶圓W在真空反應腔100內外之間傳輸。所述真空反應腔100內包含一下電極組件110，其設置於所述真空反應腔100內底部，所述下電極組件110設置有承載面，傳入所述真空反應腔100內的待處理的晶圓W放置在所述承載面上。所述真空反應腔100內還包含與所述下電極組件110相對設置的上電極元件120，至少一射頻電源（圖中未示出）通過匹配網路施加到所述下電極組件110，以將製程氣體解離為等離子體，使所述上電極元件120和所述下電極組件110之間為等離子體環境，該等離子體環境中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理的晶圓W的表面發生多種物理和/或化學反應，使得待處理的晶圓W的形貌發生改變，從而完成對待處理的晶圓W的處理。

進一步的，所述真空反應腔100腔體上開設有排氣口104。在本實施例中，所述排氣口104設置於真空反應腔100的底部即反應腔腔體101的底部，一氣體抽取裝置130通過所述排氣口104將真空反應腔100內部的氣體即反應廢棄產物排至腔外。可選的，所述氣體抽取裝置130可以為分子泵或乾泵（乾式真空泵），當然，所述氣體抽取裝置130的結構不僅限於此，其還可以為其他任意可實現相同氣體抽取功能的裝置。

如圖1所示，該等離子體處理裝置還包含等離子體約束裝置140，所述等離子體約束裝置140環繞設置於所述下電極組件110的外側。所述等離子體約束裝置140將等離子體約束在上電極元件120和下電極組件110之間的反應區域，以避免等離子體洩露到非反應區域，造成非反應區域的部件損傷。可選的，所述等離子體約束裝置140上開設有多個圓周槽孔以使氣體流通。

進一步的，如圖1所示，所述等離子體處理裝置還包含氣流均衡組件150，所述氣流均衡組件150設置於所述等離子體約束裝置140的下方。具體的，所述氣流均衡組件150內包含多個交錯排列的隔板，所述交錯排列的隔板之間形成一非直線的氣路通道，用於延長所述真空反應腔100內的氣體經所述等離子體約束裝置140到所述排氣口104的距離。所述上電極元件120和所述下電極組件110之間的反應區域內的氣體經所述等離子體約束裝置140的圓周槽孔流入真空反應腔100的底部，所述氣流均衡組件150處於所述等離子體約束裝置140和所述排氣口104之間，起到一定的氣流阻擋作用，所述氣流均衡組件150使反應區域相對於氣體抽取裝置130來說處於遠端，削弱了氣體抽取裝置130對反應區域內氣體壓力的影響。另一方面，所述氣流均衡組件150設置於所述等離子體約束裝置140和所述排氣口104之間，增加了排氣口104和晶圓W之間的遮擋，避免了在製程過程中氣體抽取裝置130或製程過程中排出的一些微小顆粒從排氣口104返流回晶圓W片上，造成晶圓W的污染。進一步的，製程過程中產生的聚合物等顆粒容易依附在所述氣流均衡組件150上，所述氣流均衡組件150拆卸方便，易於清洗，有助於維護真空反應腔100內的環境。

在本實施例中，所述氣流均衡組件150可分為第一區域A和第二區域B，所述第一區域A到排氣口104的距離小於所述第二區域B到排氣口104的距離，即第一區域A靠近排氣口104，第二區域B遠離排氣口104。第一區域A和第二區域B內均包含多個交錯排列的隔板，以使反應區域的氣體的行走路徑發生改變。氣體不會直接從等離子體約束裝置140處流向排氣口104，而是經氣流均衡組件150的第一區域A和第二區域B流向排氣口104，延長了排氣路徑，即使第一區域A和第二區域B的氣體流速一致，氣流均衡組件150也會對反應區域內的氣體壓力進行補償，進一步解決反應區域氣體壓力偏邊的問題，保證晶圓W的蝕刻效果。

具體地，所述氣流均衡組件150包含內壁151和外壁152。所述內壁151環繞設置於所述下電極組件110的外側，所述外壁152環繞設置於所述內壁151的外側，所述外壁152與所述內壁151連接，所述氣流均衡組件150上開設有多個氣流孔以供氣體流通。各個隔板設置於所述內壁151和所述外壁152之間，所述隔板為第一隔板154或第二隔板155，所述第一隔板154與所述內壁151連接，所述第二隔板155與所述外壁152連接，可選的，第一隔板154和第二隔板155與所述內壁151和外壁152的連接可以互換。

可選的，所述外壁152的底部與所述內壁151的底部通過底板153連接。根據實際應用需求，可在所述底板153上開設氣流孔，以便氣體從氣流均衡組件150的底部流向位於真空反應腔100底部的排氣口104。需要說明的是，所述氣流均衡組件150的氣流孔開設位置不僅限於底板153上，根據排氣口104的位置、製程需求或真空反應腔100內部的安裝分佈需求，還可以在所述氣流均衡組件150的所述內壁151和/或所述外壁152和/或所述第一隔板154和/或所述第二隔板155上開設氣流孔以供氣體流通。進一步需要說明的是，所述內壁151和所述外壁152不僅限於通過底板153連接，其還可以為其他任意可以將內壁151和外壁152連接的方式，例如採用多個連接桿將內壁151和外壁152連接以便氣體流通。

在本實施例中，所述第一隔板154與所述第二隔板155交錯排列，以形成非直線的氣路通道，增加氣體行走路徑。當然，所述第一隔板154與所述第二隔板155之間的排列方式不僅限於“由上至下為第一隔板154、第二隔板155、第一隔板154、第二隔板155…”的排列方式，其還可以為其他任意可以實現調節氣體行走路徑的排列方式，例如“由上至下為第一隔板154、第二隔板155、第二隔板155、第一隔板154…（第二隔板155長度不一）”的排列方式。

進一步的，所述第一區域A內的氣體流通速度小於所述第二區域B內的氣體流通速度，即氣流均衡組件150近排氣口104的一側的氣流速度小於遠離排氣口104的一側的氣流速度，以達到氣流均衡的作用。可選的，所述第二區域B的圓周範圍大於或等於所述第一區域A的圓周範圍，例如所述第一區域A的圓周範圍為30°~120°。

可選的，所述第一區域A和所述第二區域B內的第一隔板154和第二隔板155相互平行排列，位於所述第一區域A中第一隔板154和第二隔板155的交錯重疊範圍大於位於所述第二區域B中第一隔板154和第二隔板155的交錯重疊範圍，以使所述第一區域A的各個隔板之間形成的氣路通道比所述第二區域B的氣路通道長，以均衡等離子體約束裝置140的周向氣體的流通速率，進一步保證反應區域內氣流的均衡性，保證晶圓W的蝕刻效果，避免出現偏邊現象，進而保證晶圓W的蝕刻效果。

在另一實施例中，所述第一區域A的氣流孔的數量小於所述第二區域B的氣流孔的數量，以減小氣體的通過口徑，降低第一區域A的氣體流速，均衡反應區域內的氣體壓力，使各相位角的蝕刻速率趨於一致，保證晶圓W的蝕刻效果。

根據排氣口104的位置、製程需求或真空反應腔100內部的安裝分佈需求，可以在所述氣流均衡組件150的內壁151和/或外壁152和/或第一隔板154和/或第二隔板155和/或底板153上開設氣流孔以供氣體流通。當所述第一隔板154或第二隔板155上開設有氣流孔時，第一區域A內各隔板的氣流孔的數量小於第二區域B內各隔板的氣流孔的數量。可選的，第一區域A內各隔板氣流孔的開設位置可交錯排列，以增加第一區域A內氣體的行走路徑，平衡補償反應區域周向的氣體流速。當所述底板153上開設有氣流孔時，可根據排氣口104的位置調節底板153上氣流孔的開設位置和個數，以實現所述氣流均衡組件150的均衡氣體流速的效果。

可選的，位於所述第一區域A的隔板的邊緣呈向上傾斜狀態或水平狀態，位於所述第二區域B的隔板的邊緣呈水平狀態或向下傾斜狀態，以使所述第一區域A內的氣流阻擋效果優於所述第二區域B，有助於實現晶圓W周向的氣流均衡，維護平衡的氣體環境。如圖2所示，為某一實施例中氣流均衡組件150的內部隔板排列示意圖（以第一隔板154為例）。其第一區域A的隔板邊緣呈向上傾斜狀態，第二區域B的隔板邊緣呈向下傾斜狀態，氣體從氣流均衡組件150上方流入，第一區域A內邊緣呈向上趨勢的隔板進一步減緩了氣體的流速，而第二區域B內邊緣呈向下趨勢的隔板進一步促進了氣體的流通，使第一區域A內的氣體流速小於第二區域B內的氣體流速。

由上述可知，反應區域的氣體經氣流均衡組件150的第一區域A和第二區域B流向排氣口104。因氣流均衡組件150的第二區域B在遠離排氣口104的一側，且所述第一區域A內的氣體流通速率小於所述第二區域B內的氣體流通速率，所述第一區域A內的氣體行走路徑延長，有助於減小靠近排氣口104一側的氣體流速，緩解了氣體抽取裝置130對反應區域以及腔體環境的不對稱效應，有效地解決了晶圓W的偏邊問題。從氣流均衡組件150的第一區域A流出的氣體的流通速率趨近於從第二區域B流出氣體的流通速率，使等離子體約束裝置140的周向的氣體流通速率趨近於穩定，上電極元件120和下電極組件110之間反應區域周向的氣體流通速率趨於相同，有助於晶圓W蝕刻的均勻性，不會產生晶圓W蝕刻偏邊的現象，保證晶圓W的蝕刻效果，以得到最優的製程對稱性效果。

當然，所述氣流均衡組件150的形狀與結構不僅限於上述結構，其還可以為其他可阻隔氣體流動的結構，其具體結構可根據真空反應腔100內部其他部件的安置需求或其他因素做出改變。例如，所述氣流均衡組件150還包含開設有氣流孔的頂板，從等離子體約束裝置140留下的氣流經頂板流入內壁151和外壁152之間，所述頂板位於第一區域A部分的氣流孔數量小於位於第二區域B部分的氣流孔數量，以減緩第一區域A內的氣體流通速率，有助於均衡晶圓W周向的氣體流通速率，有助於晶圓W蝕刻的均勻性。

進一步的，所述氣流均衡組件150包含多個支撐腿156，設置於所述底板153的底部以支撐所述底板153。所述支撐腿156的設置位置可根據腔體內部其他部件的安放位置進行調節，增加了真空反應腔100的內部佈置的靈活性，以充分利用真空反應腔100內的內部空間。真空反應腔100內部的部件繁雜多樣，所述支撐腿156架起內壁151和外壁152的組合部分，使其下方區域可根據製程需求設置排列其他零部件，以使製程條件更加完備。

當然，所述氣流均衡組件150也可不設置所述支撐腿156，即所述反應區域的氣體經等離子體約束裝置140流向氣流均衡組件150，氣體從氣流均衡組件150的底部經真空反應腔100內各部件的縫隙流向排氣口104，進而排出真空反應腔100。

可選的，所述氣流均衡組件150的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼，避免了製程過程中產生的顆粒污染的問題。進一步的，所述氣流均衡組件150的表面設有耐腐蝕性材料鍍層，以防止輸送的氣體或等離子體對所述氣流均衡組件150的腐蝕，提高氣流均衡組件150的使用壽命，減少了物料資源的浪費。可選的，所述耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

實施例二

基於實施例一的等離子體處理裝置的結構特性，本實施例主要針對所述氣流均衡組件的結構做出了一些改變。

如圖3所示，為本實施例的等離子體處理裝置的氣流均衡組件250的內部分結構示意圖。與實施例一相比，本實施例中的氣流均衡組件250中，位於所述第一區域A的隔板數量大於位於所述第二區域B的隔板數量，各個所述隔板部分平行排列，部分以漸變的趨勢以實現隔板數量的轉換。

進一步的，所述第一區域A中各隔板開設有氣流孔255以便氣體流通，各個氣流孔255的開口位置可交錯排列，以使第一區域A內的氣體流通速率小於第二區域B的氣體流通速率，減緩排氣口處氣體流通的速率，使晶圓W周圍各方向的抽氣速率均勻，有助於提高晶圓W蝕刻速率的均勻性，保證晶圓W的蝕刻效果，以得到最優的製程對稱性效果。

如圖3所示，在本實施例中，所述第一區域A的隔板數量為所述第二區域B隔板數量的兩倍（圖3以第一隔板254為例）。在第一區域A處的第一隔板254的氣流孔255交替設置，可進一步增加氣體流通路徑，降低氣體流速，以使第一區域A內的氣體流速小於第二區域B內的氣體流速，保證反應區域內的氣體壓力均衡，有助於提高晶圓W蝕刻速率的均勻性。

另外，本實施例的其他結構及各元件作用方式，如上電極元件、下電極組件等，都與實施例一中的元件相同，在此不再加以贅述。

綜上所述，本發明提供了一種等離子體處理裝置，該裝置將等離子體約束裝置140、排氣口104和氣流均衡組件150等結構相結合，所述氣流均衡組件150設置於所述等離子體約束裝置140和所述排氣口104之間，所述氣流均衡組件150內包含多個交錯排列的隔板，所述交錯排列的隔板之間形成一非直線的氣路通道，以延長所述真空反應腔100內的氣體經所述等離子體約束裝置140到所述排氣口104的距離，另一方面，所述氣流均衡組件150也進一步防止了氣體抽取裝置130或其他來源的微小顆粒污染物返流到反應區域，避免造成晶圓W表面的污染。

進一步的，所述氣流均衡組件150包括第一區域A和第二區域B，所述第一區域A到排氣口104的距離小於所述第二區域B到排氣口104的距離，所述第一區域A內的氣體流通速率小於所述第二區域B內的氣體流通速率，減緩了排氣口104處氣體流通的速率，緩解了氣體抽取裝置130對反應區域以及腔體環境的不對稱效應，有效地解決了晶圓W偏邊問題；從氣流均衡組件150的第一區域A流出的氣體的流通速率趨近於從第二區域B流出氣體的流通速率，以使等離子體約束裝置140周向的氣體流通速率趨近於穩定，上電極元件120和下電極組件110之間反應區域周向的氣體流通速率趨於相同，有助於晶圓W蝕刻的均勻性，不會產生晶圓W蝕刻偏邊的現象，保證晶圓W的蝕刻效果，以得到最優的製程對稱性效果。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

100:真空反應腔 101:反應腔腔體 102:腔體端蓋 103:晶圓傳輸口 104:排氣口 110:下電極組件 120:上電極元件 130:氣體抽取裝置 140:等離子體約束裝置 150,250:氣流均衡組件 151:內壁 152:外壁 153:底板 154,254:第一隔板 155:第二隔板 156:支撐腿 255:氣流孔 A:第一區域 B:第二區域 W:晶圓

圖1為本發明的一種等離子體處理裝置； 圖2為本發明的一種氣流均衡組件局部示意圖；以及 圖3為本發明的另一種氣流均衡組件局部示意圖。

100:真空反應腔

101:反應腔腔體

102:腔體端蓋

103:晶圓傳輸口

104:排氣口

110:下電極組件

120:上電極元件

130:氣體抽取裝置

140:等離子體約束裝置

150:氣流均衡組件

151:內壁

152:外壁

153:底板

154:第一隔板

155:第二隔板

156:支撐腿

A:第一區域

B:第二區域

W:晶圓

Claims (15)

1. 一種等離子體處理裝置，其中，包含： 一真空反應腔，該真空反應腔內具有一下電極組件，該真空反應腔腔體開設有一排氣口以將該真空反應腔內部的氣體排出； 一等離子體約束裝置，其環繞設置於該下電極組件的外側；以及 一氣流均衡組件，其設置於該等離子體約束裝置和該排氣口之間，該氣流均衡組件內包含多個交錯排列的隔板，交錯排列的該隔板之間形成非直線的一氣路通道，用於延長該真空反應腔內的氣體經該等離子體約束裝置到該排氣口的距離。
2. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中，該氣流均衡組件包含： 一內壁，環繞設置於該下電極組件的外側；以及 一外壁，環繞設置於該內壁的外側，該外壁與該內壁連接； 各個該隔板設置於該內壁和該外壁之間，該隔板為一第一隔板或一第二隔板，該第一隔板與該內壁連接，該第二隔板與該外壁連接，該第一隔板與該第二隔板交錯排列； 該內壁和/或該外壁和/或該第一隔板和/或該第二隔板上開設有氣流孔以供氣體流通。
3. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中， 該外壁的底部與該內壁的底部通過一底板連接； 或，該外壁與該內壁通過多個連接桿連接。
4. 如請求項2所述的等離子體處理裝置，其中，該氣流均衡組件還包含： 多個支撐腿，設置於該氣流均衡組件的底部以支撐該氣流均衡組件。
5. 如請求項1或2所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流均衡組件包括一第一區域和一第二區域，該第一區域到該排氣口的距離小於該第二區域到該排氣口的距離。
6. 如請求項5所述的等離子體處理裝置，其中， 該第一區域內的氣體流通速率小於該第二區域內的氣體流通速率。
7. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中， 位於該第一區域的該隔板交錯重疊範圍大於位於該第二區域的該隔板交錯重疊範圍，用於使得該第一區域的該隔板之間形成的該氣路通道大於該第二區域的該氣路通道。
8. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中， 位於該第一區域的該隔板的數量大於位於該第二區域的該隔板的數量，該隔板上開設有氣流孔以便氣體流通。
9. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中， 位於該第一區域的該隔板的邊緣呈向上傾斜狀態或水平狀態，位於該第二區域的該隔板的邊緣呈水平狀態或向下傾斜狀態。
10. 如請求項6所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流均衡組件開設有多個氣流孔，該第一區域的氣流孔的數量小於該第二區域的氣流孔的數量。
11. 如請求項5所述的等離子體處理裝置，其中， 該第二區域的圓周範圍大於或等於該第一區域的圓周範圍。
12. 如請求項5所述的等離子體處理裝置，其中， 該第一區域的圓周範圍為30°~120°。
13. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 各個該隔板相互平行排列； 和/或，各個該隔板部分平行排列。
14. 如請求項1所述的等離子體處理裝置，其中， 該氣流均衡組件的材料包括鋁合金或工程塑料或不銹鋼； 和/或，該氣流均衡組件表面設有一耐腐蝕性材料鍍層。
15. 如請求項14所述的等離子體處理裝置，其中， 該耐腐蝕性材料鍍層為特氟龍鍍層或氧化釔膜層或陽極氧化層。

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