TW202249122A - 熱處理設備及熱處理方法 - Google Patents

熱處理設備及熱處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202249122A
TW202249122A TW111118155A TW111118155A TW202249122A TW 202249122 A TW202249122 A TW 202249122A TW 111118155 A TW111118155 A TW 111118155A TW 111118155 A TW111118155 A TW 111118155A TW 202249122 A TW202249122 A TW 202249122A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat treatment
temperature
blowers
flow paths
cooling medium
Prior art date
Application number
TW111118155A
Other languages
English (en)
Inventor
小原一輝
山口達也
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202249122A publication Critical patent/TW202249122A/zh

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D21/00—Arrangements of monitoring devices; Arrangements of safety devices
    • F27D21/0014—Devices for monitoring temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
    • F27D2009/0002—Cooling of furnaces
    • F27D2009/0005—Cooling of furnaces the cooling medium being a gas
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00—Arrangements of controlling devices
    • F27D2019/0028—Regulation
    • F27D2019/0056—Regulation involving cooling
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D21/00—Arrangements of monitoring devices; Arrangements of safety devices
    • F27D2021/0007—Monitoring the pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一種熱處理設備包含：圓柱形處理容器；配置成加熱處理容器的加熱器；及配置成冷卻處理容器的冷卻器，其中冷卻器包含：在處理容器之縱向上間隔設置的排放孔，該等排放孔配置成朝處理容器排出冷卻介質；配置成將冷卻介質分成與排放孔連通之複數個流動路徑的分支部；及針對該等流動路徑之對應者而設置的吹送機，該等吹送機配置成將冷卻介質傳送至與流動路徑之對應者連通的排放孔。

Description

熱處理設備及熱處理方法
本文的揭示內容總體上關於熱處理設備及熱處理方法。 [相關申請案的交互參照] 本申請案係基於2021年5月24日提出申請的日本專利申請案第2021-086683號並主張其優先權，該申請案之內容係藉由參照而整體併入本文。
已知一種具有沿著處理容器之縱向之複數排放孔的熱處理設備，該等排放孔用於將冷卻介質朝處理容器吹送(見例如日本公開專利公報第2020-088207號)。在日本公開專利公報第2020-088207號中，冷卻介質的流率係藉由以閘門機構開啟和關閉排放孔加以控制。
依據一實施例，熱處理設備包含：圓柱形處理容器；配置成加熱處理容器的加熱器；及配置成冷卻處理容器的冷卻器，其中冷卻器包含：在處理容器之縱向上間隔設置的排放孔，該等排放孔配置成朝處理容器排出冷卻介質；配置成將冷卻介質分成與排放孔連通之複數個流動路徑的分支部；及針對該等流動路徑之對應者而設置的吹送機，該等吹送機配置成將冷卻介質傳送至與流動路徑之對應者連通的排放孔。
在下文中，將參照隨附圖式敘述本揭示內容的非限制性例示實施例。在所有隨附圖式中，相同或對應的構件或部件係由相同或對應的參照編號表示，且省略重複的敘述內容。 [第一實施例] (熱處理設備)
參照圖1至3，將說明依據第一實施例的熱處理設備1之實例。
依據第一實施例的熱處理設備1包括處理容器10、加熱器30、冷卻器50、溫度偵測器70、控制器90等。
處理容器10為包含舟件(未顯示)的圓柱形容器。舟件固持在高度方向上隔開的複數個基板。舉例而言，基板為半導體晶圓。處理容器10可具有單管結構或雙管結構。處理容器10係由例如石英之耐火材料形成。處理容器10的內部係藉由排氣裝置(未顯示)減壓。排氣裝置包括壓力調節閥、真空泵等。諸多氣體藉由氣體供給裝置(未顯示)導入處理容器10中。氣體供給裝置包括開/關閥、流率控制器等。舉例而言，諸多氣體包括沉積氣體、例如蝕刻氣體之處理氣體、例如惰性氣體之吹掃氣體等。
加熱器30係設置在處理容器10的周圍，以加熱處理容器10中的基板。加熱器30包括絕緣構件31、熱產生器32等。
絕緣構件31具有圓柱形狀。絕緣構件31與處理容器10的外壁一起形成空間A。絕緣構件31係以二氧化矽和氧化鋁做為主要成分而形成。絕緣構件31的形狀及材料並未受限。
熱產生器32呈線之形式，且以螺旋狀或彎曲狀的形式設置在絕緣構件31的內側壁上。熱產生器32根據從電源(未顯示)供應之電力(以下亦稱為「加熱器電力」)的大小來產生熱量。熱產生器32較佳地在處理容器10的高度方向上分成複數個區域。因此，可針對各區域獨立地控制溫度。
加熱器30較佳地具有由例如不鏽鋼之金屬製成的外殼，該外殼覆蓋絕緣構件31的外周。因此，可將絕緣構件31加強，且可維持絕緣構件31的形狀。加熱器30較佳地具有覆蓋外殼之外周的水冷套。因此，可減少對絕緣構件31之外部的熱影響。
冷卻器50藉由向空間A供給冷卻介質來冷卻處理容器10。舉例而言，冷卻介質可為空氣。冷卻器50包含介質流動路徑51、開/關閥52、空氣流量計53、熱交換器54、分支部55、吹送機56a至56f、排放孔57a至57f等。
介質流動路徑51的一端與最上方排放孔57f上方的空間A連通。介質流動路徑51的另一端在分支部55分岔為六個流動路徑51a至51f，且與排放孔57a至57f連通。介質流動路徑51從一端側起依序設置有開/關閥52、空氣流量計53、熱交換器54、分支部55、及吹送機56a至56f。
開/關閥52開啟及關閉介質流動路徑51。當開/關閥52打開時，在空間A中回收熱量的冷卻介質流入介質流動路徑51中。當開/關閥52關閉時，在空間A中回收熱量的冷卻介質進入介質流動路徑51的流動被中斷。
空氣流量計53偵測流過介質流動路徑51的冷卻介質之空氣流率。空氣流量計53將偵測值發送到控制器90。
熱交換器54使流過介質流動路徑51的冷卻介質冷卻。
分支部55使介質流動路徑51分岔成六個流動路徑51a至51f。分支部55包括雙分支腔室55a及三分支腔室55b和55c。
雙分支腔室55a使介質流動路徑51分岔成兩個流動路徑。如圖2所示，較佳地在雙分支腔室55a的內部沿著冷卻介質流動的方向設置分隔板55a1。因此，可防止冷卻介質倒流。
三分支腔室55b設置在雙分支腔室55a之後。三分支腔室55b導致已藉由雙分支腔室55a分岔之流動路徑其中一者分岔成三個流動路徑51a至51c。三分支腔室55c設置在雙分支腔室55a之後。三分支腔室55c導致已藉由雙分支腔室55a分岔之另一流動路徑分岔成三個流動路徑51d至51f。較佳地將分隔板(未顯示)沿著冷卻介質流動的方向設置在三分支腔室55b及55c的每一者內部。因此，可防止冷卻介質倒流。
在圖1的實例中，敘述介質流動路徑51被一個雙分支腔室55a和設置在雙分支腔室55a之後的兩個三分支腔室55b及55c分岔為六個流動路徑51a至51f的情形。然而，配置不限於此。舉例而言，如圖3A所示，介質流動路徑51可藉由一個三分支腔室55d和設置在三分支腔室55d之後的三個雙分支腔室55e至55g分岔成六個流動路徑51a至51f。舉例而言，如圖3B所示，一個六分支腔室55h可使介質流動路徑51分支成六個流動路徑51a至51f。以此方式，分支部55可配置成藉由設置成多個階段之複數個分支腔室使介質流動路徑51分岔為六個流動路徑51a至51f，且可配置成藉由一個分支腔室使介質流動路徑51分岔成六個流動路徑51a至51f。舉例而言，如圖3C所示，介質流動路徑51可藉由一個分支箱55i分岔成六個流動路徑51a至51f。
吹送機56a至56f係對應於流動路徑51a至51f之每一者而設置。吹送機56a至56f將冷卻介質送至對應的流動路徑51a至51f之排放孔57a至57f。吹送機56a至56f獨立地受控制器90控制。吹送機56a至56f的轉速依據所供給之電壓而變化。舉例而言，隨著供給之電壓增加，吹送機56a至56f的轉速增加，進而增加向排放孔57a至57f傳送的冷卻介質之空氣流率。
排放孔57a至57f在處理容器10的縱向上間隔設置，並在實質上水平的方向上朝處理容器10排放冷卻介質。排放孔57a至57f分別形成在流動路徑51a至51f的另一端，以穿透絕緣構件31。排放孔57a至57f係對應於熱產生器32的經劃分之六個區域中每一者而設置。
在冷卻器50中，在空間A中回收熱量的冷卻介質流入介質流動路徑51中，且由插設在介質流動路徑51中的熱交換器54加以冷卻。經冷卻的冷卻介質在分支部55被分成六個流動路徑51a至51f、由流動路徑51a至51f之各者中的吹送機56a至56f傳送至排放孔57a至57f之各者、並從排放孔57a至57f之各者排放至空間A中。排放至空間A中的冷卻介質將處理容器10加以冷卻。
溫度偵測器70偵測處理容器10中的溫度。舉例而言，溫度偵測器70為熱電偶。溫度偵測器70包括六個溫度感測器71a至71f。溫度感測器71a至71f係對應於熱產生器32的經劃分之六個區域之各者而設置。溫度偵測器70可設置在處理容器10外側的空間A中，並偵測空間A的溫度。
舉例而言，控制器90可為電腦。控制器90控制熱處理設備1之各部分的操作。操作熱處理設備1之各部分的電腦程式儲存在儲存媒體中。舉例而言，儲存媒體可為軟碟、光碟、硬碟、快閃記憶體、DVD等。
舉例而言，依據熱處理設備1中執行之熱處理的條件，控制器90基於溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30、同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，並調節處理容器10中的溫度。 (熱處理方法)
參照圖4，將敘述根據第一實施例的熱處理方法之實例。舉例而言，依據第一實施例之熱處理方法係藉由利用控制器90控制熱處理設備1之各部分的操作來執行。在下文中，分別將熱處理設備1中在高度方向上之對應於排放孔57a、57b、57c、57d、57e、及57f的各區域稱為底部區域(BTM)、第一中心區域(CTR-1)、第二中心區域(CTR-2)、第三中心區域(CTR-3)、第四中心區域(CTR-4)、及頂部區域(TOP)。
如圖4所示，舉例而言，熱處理方法包括依序執行低溫程序、溫度上升恢復程序、及受控制冷卻程序。
低溫程序包括在處理容器10中保持低溫T1時處理容納在處理容器10中的基板。舉例而言，低溫程序包括傾斜控制，其中控制器90將例如頂部區域(TOP)之一區域的控制溫度設定成低於其他區域(BTM、及CTR-1至CTR-4)的控制溫度。在低溫程序中，控制器90基於溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30、同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，並將處理容器10中的溫度調節到低溫T1。舉例而言，低溫T1可為30℃至100℃。
溫度上升恢復程序包括使處理容器10中的溫度從低溫T1變化至高溫T2，並使處理容器10中的溫度穩定在高溫T2。舉例而言，在溫度上升恢復程序中，控制器90基於溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30、同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，並使處理容器10中的溫度從低溫T1變化至高溫T2且使溫度穩定。舉例而言，高溫T2可為600℃至1000℃。
受控制冷卻程序包括使處理容器10中的溫度從高溫T2變化至低於高溫T2的預定溫度T3，並使處理容器10中的溫度穩定在預定溫度T3。舉例而言，在受控制冷卻程序中，控制器90基於溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30、同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，並使處理容器10中的溫度從高溫T2變化至預定溫度T3且使溫度穩定。舉例而言，預定溫度T3可為100℃至600℃。
如上所述，根據依第一實施例的熱處理設備1，控制器90在基於由溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30，同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓。因此，由於可針對各區域調節冷卻介質的排出量，所以可減少處理容器10之高度方向上的溫度變異(平面間溫度變異)。
舉例而言，在低溫程序中，可執行其中將例如頂部區域之一區域的控制溫度設定成低於其他區域之控制溫度的傾斜控制。在此情形中，控制器90進行控制，使得對應於頂部區域之熱產生器32的加熱器電力小於其他熱產生器32的加熱器電力。然而，在低溫程序中，對應於頂部區域之熱產生器32的加熱器電力可能變為0%，且空間A之頂部區域的溫度可能不被控制在控制溫度。為了處理此情形，當在熱處理設備1中執行低溫程序時，控制器90進行控制，使得供給至對應於頂部區域而設置之吹送機56f的電壓大於供給至對應於其他區域而設置之吹送機56a至56e的電壓。因此，向空間A之上部排出的冷卻介質之空氣流率大於向空間A之中間部及下部排出的冷卻介質之空氣流率。因此，可有效率地相對於空間A之中間部及下部使空間A之上部冷卻，且可防止對應於頂部區域之熱產生器32的加熱器電力變為0%。結果，使低溫下的溫度可控制性獲得改善。
舉例而言，在受控制冷卻程序中，冷卻期間可能存在平面間溫度變異。為了處理此情形，當在熱處理設備1中執行受控制冷卻程序時，控制器90基於溫度偵測器70偵測到的溫度控制加熱器30，同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，使得各區域的偵測溫度相同。因此，可減少冷卻期間的平面間溫度變異。
舉例而言，在溫度上升恢復程序中，因為在複數個熱處理設備1之間可能有部件上的個別差異、組裝誤差、設施使用環境上之差異等，所以例如頂部區域之一區域的過衝特性可能在複數個熱處理設備1之間有所不同。為了處理此情形，當在熱處理設備1中進行溫度上升恢復程序時，控制部90根據由溫度偵測器70偵測出的溫度控制加熱器30，同時獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，使得頂部區域的偵測溫度在多個熱處理設備1之間相同。因此，當溫度升高時，可減小多個頂部區域之間的過衝特性之機器差異。 [第二實施例]
參照圖5，將說明依據第二實施例的熱處理設備1A之實例。
依據第二實施例的熱處理設備1A與熱處理設備1不同於：止回閥58a至58f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。其他配置可與熱處理設備1者相同。在下文中，將主要說明與熱處理設備1的不同點。
止回閥58a至58f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。止回閥58a至58f防止冷卻介質從對應之流動路徑51a至51f的排放孔57a至57f逆流到吹送機56a至56f。舉例而言，止回閥58a至58f為藉由控制開啟角度來調節流動路徑51a至51f之傳導性的開啟角度調節閥。
控制器90根據吹送機56a至56f的操作獨立地控制止回閥58a至58f。舉例而言，當六個吹送機56a至56f其中一或更多者停止、且其餘者運作時，控制器90進行控制以打開對應於運作中之吹送機的止回閥、並關閉對應於停止之吹送機的止回閥。
如上所述，依據第二實施例之熱處理設備1A具有與依據第一實施例之熱處理設備1實質上相同的配置。因此，可獲得與依據第一實施例之熱處理設備1實質上相同的功效。
在依據第二實施例的熱處理設備1A中，控制器90根據吹送機56a至56f的操作獨立地控制止回閥58a至58f。舉例而言，控制器90進行控制以打開與吹送機56a至56f中的運作中吹送機相對應之止回閥，且關閉對應於停止之吹送機的止回閥。因此，可防止從對應於運作中吹送機的排放孔排出之冷卻介質倒流至對應於停止之吹送機的流動路徑中。 [第三實施例]
參照圖6，將說明依據第三實施例的熱處理設備1B之實例。
依據第三實施例的熱處理設備1B與熱處理設備1不同於：冷卻介質的逆流係基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的壓力感測器59a至59f及溫度感測器60a至60f其中至少一者的偵測值來加以監測。其他配置可與熱處理設備1者相同。在下文中，將主要說明與熱處理設備1的不同點。
壓力感測器59a至59f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。壓力感測器59a至59f偵測壓力資料(特性值的實例)，並將偵測值發送至控制器90，該壓力資料包含配置於對應之流動路徑51a至51f中之吹送機56a～56f的吸入側處之壓力、與吹送機56a～56f之排出側處的壓力之間的大小關係。舉例而言，壓力資料可為吹送機56a～56f的吸入側處與排出側處的壓力之間的差異壓力(吹送機56a至56f之前與之後的差異壓力)。壓力資料可為吹送機56a至56f的吸入側處及排出側處的壓力。
溫度感測器60a至60f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。溫度感測器60a至60f偵測流過對應之流動路徑51a至51f的冷卻介質之溫度(特性值的實例)，並將偵測值發送到控制器90。
控制器90基於壓力感測器59a至59f及溫度感測器60a至60f其中至少一者的偵測值監測冷卻介質的逆流。舉例而言，當吹送機56a至56f之一或更多者的排出側處之壓力小於吸入側處之壓力時，控制器90便判定冷卻介質的逆流正在發生。舉例而言，對於流動路徑51a至51f之一或更多者而言，當操作吹送機56a至56f之後的溫度高於操作吹送機56a至56f之前的溫度時，控制器90判定冷卻介質的逆流正在發生。當判定冷卻介質的逆流正在發生時，控制器90通知使用者熱處理設備1異常。
如上所述，依據第三實施例的熱處理設備1B具有與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的配置。因此，可獲得與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的功效。
在依據第三實施例的熱處理設備1B中，控制器90基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的壓力感測器59a至59f及溫度感測器60a至60f其中至少一者的偵測值來監測冷卻介質的逆流。因此，使用者可輕易地監測冷卻介質的逆流。 [第四實施例]
參照圖7，將說明依據第四實施例的熱處理設備1C之實例。
根據第四實施例的熱處理設備1C與熱處理設備1不同於：冷卻介質的逆流係基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的流量計61a至61f及溫度感測器62a至62f其中至少一者的偵測值加以監測。其他配置可與熱處理設備1者相同。在下文中，將主要說明與熱處理設備1的不同點。
流量計61a至61f包括第一流量計61a 1至61f 1及第二流量計61a 2至61f 2。
第一流量計61a 1至61f 1係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。第一流量計61a 1至61f 1偵測從吹送機56a至56f經由對應之流動路徑51a至51f傳送至排放孔57a至57f之冷卻介質的流率(特性值的實例)，並將偵測值發送到控制器90。在下文中，從吹送機56a至56f傳送至排放孔57a至57f的流亦稱為順流。
第二流量計61a 2至61f 2係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。第二流量計61a 2至61f 2偵測從排放孔57a至57f經由對應的流動路徑51a至51f傳送到吹送機56a至56f之冷卻介質的流率(特性值的實例)，並將偵測值發送到控制器90。在下文中，從排放孔57a至57f到吹送機56a至56f的流亦稱為逆流。
控制器90基於流量計61a至61f及溫度感測器62a至62f其中至少一者的偵測值來監測冷卻介質。舉例而言，針對流動路徑51a至51f的一或更多者，當第二流量計61a 2至61f 2的偵測值大於第一流量計61a 1至61f 1的偵測值時，控制器90判定冷卻介質的逆流正在發生。舉例而言，針對流動路徑51a至51f之一或更多者，當操作吹送機56a至56f之後的溫度高於操作吹送機56a至56f之前的溫度時，控制器90判定冷卻介質的逆流正在發生。當判定冷卻介質的逆流正在發生時，控制器90通知使用者熱處理設備1異常。
如上所述，依據第四實施例的熱處理設備1C具有與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的配置。因此，可獲得與依據第一實施例之熱處理設備1實質上相同的功效。
在依據第四實施例的熱處理設備1C中，控制器90基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的流量計61a至61f及溫度感測器62a至62f其中至少一者的偵測值來監測冷卻介質的逆流。因此，使用者可輕易地監測冷卻介質的逆流。
在上述實施例中，說明其中流量計61a至61f藉由第一流量計61a 1至61f 1偵測順流、及藉由第二流量計61a 2至61f 2偵測逆流的情形。然而，配置不限於此。舉例而言，順流及逆流係利用例如超音波流量計之一流量計加以偵測。 [第五實施例]
參照圖8，將說明依據第五實施例的熱處理設備1D之實例。
依據第五實施例的熱處理設備1D與熱處理設備1不同於：空間A的內壓力(加熱器內壓力)係基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的壓力感測器63a至63f及溫度感測器64a至64f其中至少一者之偵測值加以調節。其他配置可與熱處理設備1者相同。在下文中，將主要說明與熱處理設備1的不同點。
相對於熱處理設備1，依據第五實施例的熱處理設備1D更包括壓力感測器63a至63f、溫度感測器64a至64f、吸入側狹縫65a至65f、及排出側狹縫66a至66f。
壓力感測器63a至63f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。壓力感測器63a至63f偵測壓力資料(特性值的實例)，並將偵測值發送至控制器90，該壓力資料包含設置在對應之流動路徑51a至51f中之吹送機56a至56f的吸入側處之壓力與吹送機56a至56f的排出側處之壓力之間的大小關係。舉例而言，壓力資料可為吹送機56a至56f的吸入側處與排出側處的壓力之間的差異壓力(吹送機56a至56f之前和之後的差異壓力)。壓力資料可為吹送機56a至56f的吸入側及排出側處的壓力。
溫度感測器64a至64f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。溫度感測器64a至64f偵測流過對應之流動路徑51a至51f的冷卻介質之溫度(特性值的實例)，並將偵測值發送到控制器90。
吸入側狹縫65a至65f係設置在對應之流動路徑51a至51f中所設置的吹送機56a至56f之吸入側上。吸入側狹縫65a至65f係配置成可打開及可關閉。當吸入側狹縫65a至65f打開時，空氣從外部流入對應的流動路徑51a至51f中。因此，可將加熱器內壓力朝正壓調節。
排出側狹縫66a至66f係設置在對應之流動路徑51a至51f中所設置的吹送機56a至56f之排出側上。排出側狹縫66a至66f係配置成可打開及可關閉。當排出側狹縫66a至66f打開時，冷卻介質從對應之流動路徑51a至51f流出到外部。因此，可將加熱器內壓力朝負壓調節。
控制器90基於壓力感測器63a至63f及溫度感測器64a至64f其中至少一者的偵測值，藉由控制吸入側狹縫65a至65f及排出側狹縫66a至66f的打開和關閉來調節加熱器內壓力。舉例而言，當加熱器內壓力高於大氣壓力時，控制器90藉由打開排出側狹縫66a至66f將加熱器內壓力朝負壓調節，使得加熱器內壓力受控制為大氣壓力或稍低於大氣壓力的壓力。因此，可防止空間A中具有高溫的冷卻介質洩漏到外部。
如上所述，依據第五實施例的熱處理設備1D具有與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的配置。因此，可獲得與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的功效。
在依據第五實施例的熱處理設備1D中，控制器90基於對應至流動路徑51a到51f之各者而設置的壓力感測器63a至63f及溫度感測器64a到64f其中至少一者之偵測值來調節空間A的內壓力(加熱器內壓力)。因此，可防止空間A中具有高溫的冷卻介質洩漏到外部。 [第六實施例]
參照圖9至11，將說明依據第六實施方式的熱處理設備1E之實例。
依據第六實施例的熱處理設備1E與熱處理設備1不同於：吹送機56a至56f的轉速係基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的流量計67a至67f及溫度感測器68a至68f其中至少一者的偵測值加以控制。其他配置可與熱處理設備1者相同。在下文中，將主要說明與熱處理設備1的不同點。
流量計67a至67f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。流量計67a至67f偵測流過對應之流動路徑51a至51f的冷卻介質之流率(特性值的實例)，並將偵測值發送到控制器90。
溫度感測器68a至68f係對應於流動路徑51a至51f之各者而設置。溫度感測器68a至68f偵測流過對應之流動路徑51a至51f的冷卻介質之溫度(特性值的實例)，並將偵測值發送至控制器90。
控制器90基於流量計67a至67f及溫度感測器68a至68f其中至少一者的偵測值來控制吹送機56a至56f的轉速。
舉例而言，如圖10所示，控制器90包括控制器91及控制器92。控制器91將加熱器電力u1輸出至處理器(加熱器30)、且將吹送機空氣流率u2輸出至控制器92，使得爐內溫度y1等於目標溫度r。舉例而言，爐內溫度y1為由溫度偵測器70所偵測的值。舉例而言，目標溫度r為由配方等所決定的溫度。控制器92將吹送機電力u3輸出到吹送機56a至56f，使得測量的空氣流率y2等於吹送機空氣流率u2。舉例而言，測量的空氣流率y2為由流量計67a至67f偵測的值。吹送機56a至56f藉由在對應至吹送機電力u3之轉速下旋轉，而將冷卻介質送至處理器(空間A)。控制器91及92可與控制器90分離設置。
如圖11所示，舉例而言，控制器90亦可包括控制器93、控制器94、及觀測器95。控制器93將加熱器電力u1輸出到處理器(加熱器30)，並將熱移除量u2輸出到控制器94，使得爐內溫度y1等於目標溫度r。舉例而言，爐內溫度y1為由溫度偵測器70偵測的值。舉例而言，目標溫度r為由配方等所決定的溫度。控制器94將吹送機電力u3輸出到吹送機56a至56f，使得估計熱移除量y4與熱移除量u2相等。觀測器95基於爐內溫度y1、測量的空氣流率y2、及測量的空氣溫度y3，使用以下方程式計算估計熱移除量y4。舉例而言，測量的空氣流率y2為由流量計67a至67f偵測的值。舉例而言，測量的空氣溫度y3為由溫度感測器68a至68f偵測的值。吹送機56a至56f藉由在對應於吹送機電力u3之轉速下旋轉，將冷卻介質送至處理器(空間A)。控制器93及94以及觀測器95可與控制器90分離設置。
y4=ρ*y2*C*(y1-y3) (ρ：空氣之密度，C：空氣之比熱)。
如上所述，依據第六實施例的熱處理設備1E具有與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的配置。因此，可獲得與依據第一實施例的熱處理設備1實質上相同的功效。
在依據第六實施例的熱處理設備1E中，控制器90基於對應至流動路徑51a至51f之各者而設置的流量計67a至67f及溫度感測器68a至68f其中至少一者的偵測值來控制吹送機56a至56f的轉速。因此，可減少平面間溫度變異。 [實例] (受控制冷卻程序)
首先，將說明其中在熱處理設備1經歷受控制冷卻處理時評估溫度可控制性的實例。
在實例1中，在獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓時，加熱器30基於由溫度偵測器70偵測之溫度而受控制，且處理容器10中的溫度從400°C降至200°C。在其中處理容器10中之溫度降低的時段期間，測量各區域之溫度上的時程變化。實例1中供給至吹送機56a至56f之各者的電壓如以下表1中所示。
[表1]
時間 電壓[V]
BTM (56a) CTR-1 (56b) CTR-2 (56c) CTR-3 (56d) CTR-4 (56e) TOP (56f)
0分鐘 (開始) 4 4 4 4 4 4
5分鐘 2 2 2 2 3 4
10分鐘 1.5 1.5 1.5 1.5 2 4.5
20分鐘 1.2 1.2 1.2 1 1.5 4.5
30分鐘 1 1 1.2 1 1.5 4.5
如表1所示，在實例1中，在程序的開始時，將供給至吹送機56a至56f之各者的電壓設定為4V。隨後，在程序之開始後5分鐘，供給至吹送機56a至56d的電壓從4V變化到2V，且供給至吹送機56e的電壓從4V變化到3V。然後，在程序之開始後10分鐘，供給至吹送機56a至56d的電壓從2V變化到1.5V，供給至吹送機56e的電壓從3V變化到2V，且供給至吹送機56f的電壓從4V變化到4.5V。然後，在程序之開始後20分鐘，供給至吹送機56a至56c的電壓從1.5V變化到1.2V，供給至吹送機56d的電壓從1.5V變化到1V，且供給至吹送機56e的電壓從2V變化到1.5V。然後，在程序之開始後30分鐘，供給至吹送機56a和56b的電壓從1.2V變化到1V。
在比較例1中，在將供給至吹送機56a至56f之各者的電壓控制為恆定時，加熱器係基於由溫度偵測器70偵測的溫度而受控制，且處理容器10中的溫度從400°C降至200°C。在其中處理容器10中之溫度降低的時段期間，測量各區域之溫度上的時程變化。比較例1中供給至吹送機56a至56f之各者的電壓如以下表2所示。
[表2]
時間 電壓[V]
BTM (56a) CTR-1 (56b) CTR-2 (56c) CTR-3 (56d) CTR-4 (56e) TOP (56f)
0分鐘 (開始) 4 4 4 4 4 4
如表2所示，在比較例1中，在處理之開始時，將供給至吹送機56a至56f之各者的電壓設定為4V，且將電壓固定在4V而不改變供給至吹送機56a至56f之各者的電壓。
圖12及13為顯示受控制冷卻程序中各區域的溫度特性之測量結果的圖表。圖12顯示實例1的結果，且圖13顯示比較例1的結果。在圖12及13中，橫軸表示時間[分鐘]，第一縱軸(左側的縱軸)表示各區域的溫度[°C]，且第二縱軸(右側的縱軸)表示平面間溫度變異[°C]。在圖12及13中，實線表示各區域的溫度，且虛線表示平面間溫度變異。平面間溫度變異為在所有區域的溫度中，藉由從最大溫度減去最小溫度而獲得的值。
如圖12所示，在實例1中，可看出溫度降低速率在所有區域(BTM、CTR-1至CTR-4、及TOP)中為實質上相同。此外，在實例1中，在所有區域中之溫度變為200°C或更低時，平面間溫度變異為4.3°C。
反之，如圖13所示，在比較例1中，可見到溫度降低速率在各區域之間不同，且與底部區域相比，頂部區域具有較低的溫度降低速率。此外，在比較例1中，在所有區域的溫度變為200°C或更低時，平面間溫度變異為45.5°C。
從上述的實例1及比較例1的結果，顯示在受控制冷卻程序中，藉由獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓，可相比於其中供給至吹送機56a至56f之各者的電壓被控制為恆定的情形減小平面間溫度變異。 (低溫程序)
接著，將說明其中評估熱處理設備1經歷低溫程序時之溫度可控制性的實例。
在此實例中，執行傾斜控制，其中在所有條件(條件1至5)下將頂部區域(TOP)的控制溫度設定為低於其他區域(BTM、及CTR-1至CTR-4)的控制溫度。條件1至5中的各區域之控制溫度如以下表3所示。
[表3]
  控制溫度[°C]
BTM CTR-1 CTR-2 CTR-3 CTR-4 TOP
條件1至5 55 55 55 55 55 52
如表3所示，在所有條件(條件1至5)下，將底部區域、第一中心區域、第二中心區域、第三中心區域、及第四中心區域中的控制溫度設定為55°C，且將頂部區域中的控制溫度設定為52°C。
在條件1至4中，在獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓時，加熱器30基於由溫度偵測器70偵測的溫度而受到控制，且將處理容器10中的溫度調節到低溫。在條件5中，在將供給至吹送機56a至56f之各者的電壓控制為恆定時，加熱器係基於由溫度偵測器70偵測的溫度而受到控制，且將處理容器10中的溫度調節到低溫。條件1至5中供給至吹送機56a至56f之各者的電壓如以下表4所示。
[表4]
  電壓[V]
BTM (56a) CTR-1 (56b) CTR-2 (56c) CTR-3 (56d) CTR-4 (56e) TOP (56f)
條件1 1 1 1 1 1 4
條件2 1 1 1 1 0.7 4.5
條件3 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 4.5
條件4 0 0 0 0 0 4.5
條件5 4 4 4 4 4 4
如表4所示，在條件1中，將供給至吹送機56a至56e的電壓設定為1V，且將供給至吹送機56f的電壓設定為4V。在條件2中，將供給至吹送機56a至56d的電壓設定為1V，將供給至吹送機56e的電壓設定為0.7V，且將供給至吹送機56f的電壓設定為4.5V。在條件3中，將供給至吹送機56a至56e的電壓設定為0.7V，且將供給至吹送機56f的電壓設定為4.5V。在條件4中，將供給至吹送機56a至56e的電壓設定為0V，且將供給至吹送機56f的電壓設定為4.5V。在條件5中，將供給至吹送機56a至56f的電壓設定為4V。
圖14為顯示低溫程序中在各區域中達到的溫度之測量結果的圖表。圖14顯示針對條件1至5之各者的各區域之溫度[℃]。在圖14中，圓形、三角形、正方形、菱形、及倒三角形分別表示條件1、條件2、條件3、條件4、及條件5的結果。
如圖14所示，在條件1和條件2中，控制溫度設定為55℃之區域(BTM、及CTR-1至CTR-4)中的溫度與控制溫度幾乎相同，且控制溫度設定為52°C之區域(TOP)中的溫度均為53.2°C。
在條件3中，控制溫度設定為55°C之區域(BTM、及CTR-1至CTR-4)中的溫度與控制溫度幾乎相同，且控制溫度設定為52°C之區域(TOP)中的溫度為52.8°C。
在條件4中，控制溫度設定為55°C之區域(BTM、及CTR-1至CTR-3)中的溫度高於55°C，且控制溫度設定為55°C之區域(CTR-4)及控制溫度設定為52°C之區域(TOP)中的溫度與控制溫度幾乎相同。
在條件5中，控制溫度設定為55°C之區域(BTM、及CTR-1至CTR-4)中的溫度與控制溫度幾乎相同，且控制溫度設定為52°C之區域(TOP)中的溫度為53.8°C。
從條件1至3及5的結果，可說在低溫下執行傾斜控制時的溫度可控制性係藉由獨立地控制供給至吹送機56a至56f之各者的電壓、及增加供給至對應於具有相對低控制溫度之區域(TOP)而設置的吹送機56f之電壓，而獲得改善。
從條件1至3的結果，可說在低溫下執行傾斜控制時的溫度可控制性係藉由在其中控制溫度相對低之區域(TOP)與其中控制溫度相對高之區域(BTM、CTR-1至4)之間，在供給至吹送機56a至56f的電壓上造成大幅差異，而進一步獲得改善 。
從條件3和4的結果，可說當將供給至對應於具有相對高控制溫度之區域(BTM、CTR-1到CTR-4)而設置的吹送機56a至56e的電壓設定為0V時，溫度可控制性變差。
本文揭示的實施例應視為在所有方面皆為例示性、且非限制性。在不背離所附請求項及其精神的情況下，上述實施例可以諸多形式加以省略、替換或修改。
依據本揭示內容，可減少平面間溫度變異。
1:熱處理設備 1A:熱處理設備 1B:熱處理設備 1C:熱處理設備 1D:熱處理設備 1E:熱處理設備 10:處理容器 30:加熱器 31:絕緣構件 32:熱產生器 50:冷卻器 51:介質流動路徑 51a~51f:流動路徑 52:開/關閥 53:空氣流量計 54:熱交換器 55:分支部 55a:雙分支腔室 55a1:分隔板 55b:三分支腔室 55c:三分支腔室 55d:三分支腔室 55e~55g:雙分支腔室 55h:六分支腔室 55i:分支箱 56a~56f:吹送機 57a~57f:排放孔 58a~58f:止回閥 59a~59f:壓力感測器 60a~60f:溫度感測器 61a~61f:流量計 61a 1~61f 1:第一流量計 61a 2~61f 2:第二流量計 62a~62f:溫度感測器 63a~63f:壓力感測器 64a~64f:溫度感測器 65a~65f:吸入側狹縫 66a~66f:排出側狹縫 67a~67f:流量計 68a~68f:溫度感測器 70:溫度偵測器 71a~71f:溫度感測器 90:控制器 91:控制器 92:控制器 93:控制器 94:控制器 95:觀測器 A:空間
圖1為顯示依據第一實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖2為顯示圖1的熱處理設備之分支部中所包含的分隔板之實例的圖； 圖3A至3C為顯示圖1的熱處理設備之分支部之變化例的圖； 圖4為顯示依據第一實施例的熱處理設備之操作之實例的圖； 圖5為顯示依據第二實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖6為顯示依據第三實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖7為顯示依據第四實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖8為顯示依據第五實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖9為顯示依據第六實施例的熱處理設備之實例的圖； 圖10為用於說明空氣流率控制之實例的控制方塊圖； 圖11為用於說明另一空氣流率控制之實例的控制方塊圖； 圖12為顯示受控制冷卻程序中各區域之溫度特性之測量結果的圖； 圖13為顯示受控制冷卻程序中各區域之溫度特性之測量結果的圖； 圖14為顯示低溫程序中各區域中所達到之溫度之測量結果的圖。
1:熱處理設備
10:處理容器
30:加熱器
31:絕緣構件
32:熱產生器
50:冷卻器
51:介質流動路徑
51a~51f:流動路徑
52:開/關閥
53:空氣流量計
54:熱交換器
55:分支部
55a:雙分支腔室
55b:三分支腔室
55c:三分支腔室
56a~56f:吹送機
57a~57f:排放孔
70:溫度偵測器
71a~71f:溫度感測器
90:控制器
A:空間

Claims (10)

  1. 一種熱處理設備，包含： 一圓柱形之處理容器； 一加熱器，配置成加熱該處理容器；及 一冷卻器，配置成冷卻該處理容器， 其中該冷卻器包含： 複數個排放孔，該等排放孔係於該處理容器之縱向上間隔設置，該複數個排放孔係配置成朝向該處理容器排出一冷卻介質； 一分支部，配置成將該冷卻介質分成與該複數個排放孔連通的複數個流動路徑；及 複數個吹送機，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個吹送機係配置成將該冷卻介質傳送至與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔。
  2. 如請求項1之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個止回閥，該複數個止回閥係配置成防止該冷卻介質從與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔至該複數個吹送機之對應者的逆流。
  3. 如請求項1或2之熱處理設備，更包含一控制器，該控制器係配置成獨立地控制該複數個吹送機之各者。
  4. 如請求項3之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個感測器，該複數個感測器係配置成偵測該複數個流動路徑之對應者的一特性值，其中該控制器基於該複數個感測器的偵測值監測該冷卻介質的逆流。
  5. 如請求項3或4之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個感測器，該複數個感測器係配置成偵測該複數個流動路徑之對應者的一特性值，其中該控制器基於該複數個感測器的偵測值控制該複數個吹送機的轉速。
  6. 如請求項4或5之熱處理設備，其中該特性值包含從該複數個吹送機傳送至該複數個排放孔的該冷卻介質之溫度。
  7. 如請求項4至6其中任一項之熱處理設備，其中該特性值包含該複數個吹送機之前與之後的一差異壓力。
  8. 如請求項4至7其中任一項之熱處理設備，其中該特性值包含從該複數個吹送機傳送到該複數個排放孔的該冷卻介質之流率。
  9. 如請求項1至8其中任一項之熱處理設備，其中該分支部包含設置成多個階段的複數個分支腔室。
  10. 一種熱處理設備中的熱處理方法，該熱處理設備包含： 一加熱器，配置成加熱圓柱形之一處理容器；及 一冷卻器，配置成冷卻該處理容器， 其中該冷卻器包含： 複數個排放孔，該等排放孔係於該處理容器之縱向上間隔設置，該複數個排放孔係配置成朝向該處理容器排出一冷卻介質； 一分支部，配置成將該冷卻介質分成與該複數個排放孔連通的複數個流動路徑；及 複數個吹送機，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個吹送機係配置成將該冷卻介質傳送至與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔， 其中當在該處理容器中執行一熱處理時，該複數個吹送機之對應者係依據該熱處理之條件而獨立地受控制。
TW111118155A 2021-05-24 2022-05-16 熱處理設備及熱處理方法 TW202249122A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021086683A JP2022179884A (ja) 2021-05-24 2021-05-24 熱処理装置及び熱処理方法
JP2021-086683 2021-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202249122A true TW202249122A (zh) 2022-12-16

Family

ID=84103530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111118155A TW202249122A (zh) 2021-05-24 2022-05-16 熱處理設備及熱處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220373260A1 (zh)
JP (1) JP2022179884A (zh)
KR (1) KR20220158621A (zh)
CN (1) CN115394681A (zh)
TW (1) TW202249122A (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3910151B2 (ja) * 2003-04-01 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
US7727780B2 (en) * 2007-01-26 2010-06-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP5376819B2 (ja) * 2008-03-24 2013-12-25 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置
JP5751549B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 株式会社日立国際電気 熱処理装置及び半導体の製造方法
JP5662845B2 (ja) * 2011-03-01 2015-02-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置およびその制御方法
JP6804309B2 (ja) * 2017-01-12 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び温度制御方法
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7101599B2 (ja) * 2018-11-27 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7236975B2 (ja) * 2019-10-08 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 制御装置、処理装置及び制御方法
CN111023841B (zh) * 2019-12-26 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 炉体冷却装置及半导体加工设备
JP2022152426A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022179884A (ja) 2022-12-06
US20220373260A1 (en) 2022-11-24
CN115394681A (zh) 2022-11-25
KR20220158621A (ko) 2022-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6789314B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US9255736B2 (en) Vertical-type heat treatment apparatus
US8501599B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6752851B2 (ja) クーリングユニット、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
JP6752291B2 (ja) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体並びに半導体装置の製造方法
US20090095422A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method
US20110223693A1 (en) Heat treatment apparatus and method of processing substrate
US11114319B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
US11367633B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
US10998205B2 (en) Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US11043402B2 (en) Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus
JP2014187282A (ja) 成膜装置および成膜方法
TW202249122A (zh) 熱處理設備及熱處理方法
TWI783234B (zh) 加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法
JP6736755B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN112466775A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
KR101576057B1 (ko) 고압가스 기반의 반도체기판 열처리를 위한 온도제어장치
CN112086378A (zh) 加热部、温度控制系统、处理装置及半导体器件的制造方法
TWI777677B (zh) 基板處理裝置、溫度控制程式、半導體裝置之製造方法及溫度控制方法
US20230416919A1 (en) Substrate processing apparatus and temperature regulation method
US20230317475A1 (en) Processing apparatus and temperature control method
KR20060117397A (ko) 냉각수 조절 장치 및 그에 따른 냉각수 수량조절 방법