TW202247595A - 具有輸入功率保護之放大器 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種具有輸入功率保護之放大器。在一些實施例中，一放大器電路可包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器。該放大器電路可進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路。該放大器電路可進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路。該保護電路可進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。

Description

具有輸入功率保護之放大器

本發明係關於放大器之功率保護。

在電子器件應用中，利用一放大器以放大一信號(諸如一射頻(RF)信號)。可在(例如)一接收器電路中進一步處理此一經放大信號。

根據一些實施方案，本發明係關於一種放大器電路，其包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器。該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路及經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路。該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。

在一些實施例中，該輸入節點可經組態以耦合至一天線。該放大器可係經組態以支援一接收操作之一低雜訊放大器。

在一些實施例中，該放大器可包含一第一電晶體及一第二電晶體之一疊接配置，其中該第一電晶體具有耦合至該輸入節點之一輸入，且該第二電晶體耦合至該第一電晶體且具有耦合至該輸出節點之一輸出。該等第一及第二電晶體之各者可係具有一閘極、一汲極及一源極之一場效電晶體。該第一電晶體可經實施為一共同源極裝置，且該第二電晶體可經實施為一共同閘極裝置，使得該第一電晶體之該閘極耦合至該輸入節點，該第一電晶體之該汲極耦合至該第二電晶體之該源極，且該第二電晶體之該汲極耦合至該輸出節點。該第一電晶體之該源極可耦合至接地，且該第二電晶體之該閘極可耦合至具有一閘極電位之一節點。

在一些實施例中，該保護電路可包含經組態以實施該保護模式之啟用及停用之一開關總成。該開關總成可包含經組態以容許來自該輸入節點之該射頻信號至接地之可切換分路之一分路開關。該分路開關可經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。

在一些實施例中，該開關總成可包含經組態以提供該等第一及第二電晶體之一可切換耦合之一電晶體間開關。該電晶體間開關可經組態以在該保護電路停用該保護模式時閉合以容許來自該第一電晶體之一經部分放大信號經提供為用於該第二電晶體之一輸入，且在該保護電路啟用該保護模式時斷開以將該第二電晶體與該第一電晶體斷開連接。

在一些實施例中，該偏壓電路可經組態以透過一偏壓電阻將該偏壓信號提供至該第一電晶體之該輸入。該偏壓電路包含一電流鏡，使得該偏壓信號代表該電流鏡之一輸出。

在一些實施例中，該開關總成可包含實施於該電流鏡中之一或多個開關。該電流鏡之該一或多個開關可經組態以在該保護電路停用該保護模式時啟用該電流鏡之操作且在該保護電路啟用該保護模式時停用該電流鏡之操作。

在一些實施例中，該開關總成可包含經實施於接地與介於該電流鏡與該偏壓電阻之間之一節點之間的一偏壓分路開關。該偏壓分路開關可經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。

在一些實施例中，該開關總成可包含經實施以與該偏壓電阻電並聯之一旁通開關。該旁通開關可經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。

在一些實施例中，該保護電路可包含耦合至該輸入節點以容許該射頻信號之取樣之一偵測器。該偵測器可經組態以基於該經取樣射頻信號之該峰值產生該經偵測電壓。在一些實施例中，該偵測器可包含經組態以在一個方向上限制與該經取樣射頻信號相關聯之一電流之一二極體及經組態以產生該經偵測電壓之一電阻-電容電路。該電阻-電容電路可包含該二極體之一輸出與接地之間的一電阻及一電容之一並聯配置。

在一些實施例中，該偵測器可包含一比較器，該比較器經組態以在該經偵測電壓大於該第一臨限值時產生用於啟用該保護模式之一啟用輸出且在該經偵測電壓小於該第二臨限值時產生用於停用該保護模式之一停用輸出。在一些實施例中，該比較器可包含一施密特(Schmitt)觸發器。

在一些實施例中，該保護電路可進一步包含一控制邏輯電路，該控制邏輯電路經組態以基於該比較器之該啟用輸出產生用於啟用該保護模式之一第一組控制信號且基於該比較器之該停用輸出產生用於停用該保護模式之一第二組控制信號。該第一組控制信號及該第二組控制信號之各者可包含開關控制信號。

在一些實施例中，該放大器電路可進一步包含耦合至該輸入節點且經組態以在該輸入節點處之一電壓大於一放電臨限值時提供至接地之一放電路徑之一靜電放電電路。該靜電放電電路可包含各經組態為具有一經減小大小以滿足更低靜電放電保護要求以藉此提供一經減小靜電電容之多堆疊裝置之複數個二極體。

在一些實施方案中，本發明係關於一種晶粒，其包含一半導體基板及經實施於該半導體基板上之一放大器電路。該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器。該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路。該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路。該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。

在一些實施例中，該半導體基板可經組態以支援CMOS程序。

根據數個實施方案，本發明係關於一種封裝模組，其包含經組態以接納複數個組件之一封裝基板及經實施於該封裝基板上之一放大器電路。該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器。該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路。該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路。該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於小於該第一臨限值。

在一些實施例中，該放大器電路之實質上全部可經實施於安裝於該封裝基板上之一半導體晶粒上。在一些實施例中，該放大器電路可經組態以支援一接收操作。在一些實施例中，該封裝模組可係一接收模組。在一些實施例中，該接收模組可係一分集接收模組。

在一些教示中，本發明係關於一種無線裝置，其包含一天線、一收發器及經實施於該天線與該收發器之間的一放大器電路。該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器。該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路。該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路。該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。

在一些實施例中，該放大器電路之該輸入節點可耦合至該天線，且該放大器電路之該輸出節點可耦合至該收發器。在一些實施例中，該無線裝置可係經組態以在一或多個蜂巢式頻帶中操作之一蜂巢式電話。

為了概述本發明，已在本文中描述本發明之特定態樣、優點及新穎特徵。應理解，不需要根據本發明之任何特定實施例達成全部此等優點。因此，可以達成或最佳化如本文中教示之一個優點或優點群組而不必達成如可在本文中教示或建議之其他優點之一方式體現或實行本發明。

本文中提供之標頭(若有)僅係為了方便且不一定影響本發明之範疇或意義。

圖1描繪具有一放大器102及一輸入功率保護電路104之一放大器電路100。在本文中描述與此一放大器電路相關聯之各種特徵。雖然在基於放大器之一輸入保護放大器電路之背景內容中在本文中描述各種實例，但應理解，本發明之一或多個特徵亦可實施於相對於一放大器之其他應用中、非放大器應用中等。

圖2在基於一放大器102之一輸入提供電路保護之背景內容中展示可係圖1之放大器電路100之一更特定實例之一放大器電路100。因此，此一放大器電路經展示以包含耦合至一輸入信號路徑之一輸入功率保護電路104。此一輸入信號路徑經展示以容許一射頻(RF)信號(RF_in)提供為放大器102之一輸入以藉此產生一經放大RF信號(RF_out)。

圖2展示在一些實施例中，輸入功率保護電路104可包含一偵測器組件106及一控制組件108。為了描述之目的，應理解，一組件可包含經實施以提供一功能性之一或多個裝置、一或多個電路或其等之任何組合。因此且如本文中描述，偵測器組件106可經組態以偵測與輸入RF信號(RF_in)相關聯之一狀況且產生代表該狀況之一輸出。控制組件108可經組態以基於偵測器組件106之輸出產生一或多個控制信號，且此(等)控制信號可用於組態放大器102之操作以便防止或降低可起因於與輸入信號相關聯之狀況之損害之可能性。在本文中更詳細描述此等偵測及控制功能性之更特定實例。

應注意，在一例示性無線應用(諸如一蜂巢式電話)中，一接收器電路通常包含經組態以放大透過一天線接收且透過一前端天線開關/濾波器網路路由之一弱信號之一低雜訊放大器(LNA)。此一LNA通常經組態以提供高增益、低雜訊指數(NF)及其他效能特徵(諸如一高輸入三階截距(IIP3) (例如，在自600 MHz至5000 MHz之頻率內))。

為了達成此等高效能特性，此一LNA可利用(例如)一CMOS RFIC (互補金屬氧化物半導體射頻積體電路)程序製造，該CMOS RFIC程序利用窄通道(例如，＜ 90 nm)、薄閘極氧化物(例如，＜1.8 nm) NMOS (N型MOS)裝置用於一共同源極輸入級。由於閘極氧化物相對薄，故此等裝置可歸因於時間相依介電崩潰(TDDB)而失效，若裝置在接近或超出一指定最大壽命閘極電壓(例如，~1.5 V)下操作，則可發生TDDB。

亦應注意，一蜂巢式電話接收器可在緊密接近一或多個其他蜂巢式手機時經受(若干)高功率RF信號(例如，高達23 dBm)。在此一狀況下，高達+/- 3.6 V之峰值電壓可存在於上文提及之LNA之NMOS閘極上，從而使對應裝置之壽命嚴重降級。

在許多無線設計中，源自一電狀況(諸如前述高功率電壓狀況)之損害或永久效能降級係不可接受的。因此，一些無線設計包含在一LNA之一輸入處提供限制或箝位功能性之一保護電路。圖3展示具有實施為耦合至一LNA 12之一輸入路徑之一靜電放電(ESD)保護電路14之一習知保護電路之一例示性放大器電路10。

在圖3之實例中，ESD保護電路14經展示為包含將LNA 12之輸入路徑與接地耦合之二極體之一反並聯組合。二極體之此一組合可用於將輸入RF位準限制或箝位至某一安全位準。為了提供此保護功能性，通常需要單堆疊、大周邊二極體。然而，此等二極體通常使用大寄生電容載入輸入路徑，此使輸入阻抗匹配降級以導致增益及雜訊指數效能之降級。隨著操作頻率增加，此過量二極體寄生電容亦可變得甚至更不可管理。

在一些實施例中，圖2之放大器電路100可經組態使得保護電路104提供抵抗呈現至放大器102之輸入之高電功率之保護而無需圖3之基於二極體之ESD保護電路14。例如，圖4A展示在一些實施例中，一放大器電路100可經實施以包含經組態以使用一偵測器106偵測沿著至一放大器102之一輸入路徑之一高電功率狀況之一保護電路104。保護電路104經展示為進一步包含經組態以控制放大器電路100之一或多個部分之操作之一控制組件106。在本文中更詳細描述此等偵測器及控制組件之實例。

在圖4A之實例中，放大器102經組態為具有一第一電晶體Q1及一第二電晶體Q2之一疊接配置之一疊接放大器。例如，第一電晶體Q1可實施為其中一輸入信號(RF_in)經提供至Q1之一閘極且一經放大信號係透過Q1之一汲極輸出之一共同源極(CS)級，其中Q1之一源極耦合至接地。第二電晶體Q2可實施為其中來自Q1之經放大信號經提供至Q2之一源極且一經進一步放大信號係透過Q2之一汲極輸出之一共同閘極(CG)級，其中Q2之一閘極具備一閘極電壓VG。

在圖4A之實例中，放大器電路100可進一步包含經組態以將(例如)一偏壓信號提供至Q1之閘極之一偏壓電路110。因此，此一偏壓電路可耦合至路由輸入信號RF_in之輸入路徑。在圖4A之實例中，放大器102經展示為具備至第二電晶體Q2之汲極之一供應電壓VDD。

在一些實施例中且如圖4A中描繪，保護電路104可經組態使得控制組件108控制輸入路徑之操作、偏壓電路之操作及/或疊接放大器102之操作。在本文中更詳細描述與此等保護操作相關之實例。

應注意，在利用場效電晶體(FET)之一疊接放大器之背景內容中描述圖4A之實例及圖5至圖8之更特定實例。將理解，在一些實施例中，亦可針對非疊接組態之放大器實施本發明之一或多個特徵。亦將理解，在一些實施例中，亦可利用其他類型之電晶體(包含雙極接面電晶體(BJT))實施本發明之一或多個特徵。

例如，圖4B展示放大器電路100，其具有與圖4A之放大器電路100類似之一架構，但其中一疊接放大器102包含第一及第二BJT Q1、Q2。更特定言之，第一電晶體Q1可實施為其中一輸入信號(RF_in)經提供至Q1之一基極且一經放大信號係透過Q1之一集極輸出之一共同射極級，其中Q1之一射極耦合至接地。第二電晶體Q2可實施為其中來自Q1之經放大信號經提供至Q2之一射極且一經進一步放大信號係透過Q2之一集極輸出之一共同基極級，其中Q2之一基極具備一基極電壓VB。

在圖4B之實例中，放大器電路100可進一步包含經組態以將(例如)一偏壓信號提供至Q1之基極之一偏壓電路110。因此，此一偏壓電路可耦合至路由輸入信號RF_in之輸入路徑。在圖4B之實例中，放大器102經展示為具備至第二電晶體Q2之集極之一供應電壓VCC。

圖5展示可係圖4A之放大器電路之一更特定實例之一放大器電路100。類似於圖4A之實例，在圖5之實例中，一放大器102經展示為包含第一及第二電晶體Q1、Q2之一疊接配置。一輸入信號(RF_in)經展示為透過一DC阻隔電容C2提供至Q1之一閘極，且一經放大信號經展示為透過Q2之一汲極及一DC阻隔電容C3提供為一輸出(RF_out)。

在圖5之實例中，一開關SW3經展示為設置於Q1與Q2之間。更特定言之，Q1之一汲極經展示為透過開關SW3耦合至Q2之一源極。在本文中更詳細描述與此一開關之操作相關之實例。

在圖5之實例中，一偏壓電路通常指示為110，且經展示為包含其中一參考電流IREF可透過IREF側上之一電晶體M1及一供應(例如，VDD)側上之一電晶體M2之一鏡配置複製之一電流鏡。來自供應之鏡像電流可透過用於放大器102之操作之一偏壓電阻R2提供至放大器102之Q1之閘極。

在一些實施例中，且如圖5中展示，可為偏壓電路110提供數個開關。例如，一開關SW1經展示為設置於參考電流源與對應電晶體M1之間；且類似地，一開關SW2經展示為設置於電晶體M2與偏壓電阻R2之間。具有一開關SW4之一可切換旁通路徑經展示為經提供以便與偏壓電阻R2電並聯。具有一開關SW5之一可切換分路路徑經展示為設置於接地與介於M2與R2之間之一節點之間。在本文中更詳細描述與偏壓電路110相關聯之此等開關之操作相關之實例。

參考圖5之實例，具有一開關SW6之一可切換分路路徑可設置於輸入路徑與接地之間。在本文中更詳細描述與此一開關之操作相關之實例。

圖5展示在一些實施例中，一保護電路104可包含耦合至輸入路徑之一RF峰值偵測器112。如本文中描述，此一RF峰值偵測器可取樣並量測代表輸入路徑處之一RF信號之一峰值之一經偵測電壓VDET。例如，一二極體D1可限制如展示之電流自經取樣RF信號至一正向方向之流動，且一電容器C1可由電流充電以達到一峰值電壓。一電阻器R1可經實施以容許經充電電容器放電。

在一些實施例中，來自RF峰值偵測器112之經偵測電壓VDEF可經提供至一比較器114。比較器114可基於輸入信號VDET之值輸出一信號VDET_BUF (例如，高或低)。例如，若VDET之值大於一第一臨限值，則輸出信號VDET_BUF可經設定為高，且基於此一高信號，可啟用一控制動作以保護放大器電路100。若VDET之值小於一第二臨限值，則輸出信號VDET_BUF可經設定為低，且基於此一低信號，可停用前述控制動作以容許放大器電路100返回至正常操作。

在一些實施例中，由比較器114利用之第一臨限值及第二臨限值可係不同的。在一些實施例中，輸出信號VDET_BUF之低至高及高至低轉變之此等不同臨限值可藉由實施為前述比較器114之一施密特觸發器提供。此一施密特觸發器可包含一滯後性質以提供此等不同臨限值。在本文中更詳細描述基於此滯後性質啟用及停用放大器電路100之保護之實例。

在圖5之實例中，RF峰值偵測器112及施密特觸發器114可被視為圖4A之偵測器組件106之一實例。在圖5中，一開關控制邏輯電路108可被視為圖4A之控制組件108之一實例。在一些實施例中，此一開關控制邏輯電路可在來自施密特觸發器114之VDET_BUF高之情況下提供用於開關SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6之一第一組開關控制信號，且在來自施密特觸發器114之VDET_BUF低之情況下提供用於相同開關之一第二組開關控制信號。在本文中更詳細描述此切換控制功能性之實例。

在圖5之實例中，一基於二極體之ESD保護電路109經展示為耦合至放大器102之輸入路徑。應理解，具有如本文中描述之一或多個特徵之一放大器電路可或可不包含此一基於二極體之ESD保護電路。在一些實施例中，由於保護電路104可提供抵抗高輸入功率之保護，故基於二極體之ESD保護電路109可經適當地組態使得其不需要處置高輸入功率。例如，ESD保護電路109之二極體可經組態為較小多堆疊裝置以滿足較低功率人體模型(HBM)/電荷裝置模型(CDM)保護要求，藉此導致放大器電路100之經減小寄生電容。

圖6A展示圖5之放大器電路100，其中保護電路104經組態以用於一正常操作模式，且圖6B展示相同放大器電路100，其中保護電路104經組態以在偵測放大器102之輸入處之一高功率狀況之後用於一保護模式。

參考圖6A之正常操作模式，一RF信號經展示為經提供至Q1作為一輸入；Q1經展示為將一經部分放大信號提供至Q2；且Q2經展示為提供一經放大信號作為放大器102之一輸出。在圖6A中，將由輸入信號(RF_in)採取以變為輸出信號(RF_out)之一路徑描繪為122。為了支援此一放大操作，偏壓電路110經展示為將一偏壓信號提供至Q1，如藉由箭頭120描繪。

更特定言之，應注意，在圖6A之正常操作模式中，可閉合偏壓電路110之開關SW1及SW2之各者以容許涉及電晶體M1及M2之電流鏡之操作。可斷開開關SW4及SW5之各者以容許所得偏壓信號透過偏壓電阻R2經遞送至Q1。相對於圖6A之信號路徑122，可斷開分路開關SW6以容許輸入信號經遞送至Q1，且可閉合開關SW3以容許經部分放大信號自Q1經遞送至Q2。

參考圖6B之保護模式，存在於輸入路徑處之一RF信號可包含(例如)自一附近裝置傳輸之一高功率信號。因此，此一RF信號經展示為透過分路路徑經分路至接地，如藉由箭頭126指示。此外，可停用偏壓電路110之操作，使得一偏壓信號不被遞送至Q1。

更特定言之，應注意，在圖6B之保護模式中，可斷開偏壓電路110之開關SW1及SW2之各者以停用涉及電晶體M1及M2之電流鏡之操作。可閉合開關SW4及SW5之各者以容許透過開關SW5將任何電流分路至接地。例如，箭頭124描繪可容許來自Q1之一電流透過旁通開關SW4經分路至接地之一分路路徑。相對於輸入信號路徑，可閉合分路開關SW6以容許RF信號(具有高功率)透過分路開關S6經分路至接地。由於沿著至Q1之輸入路徑不存在線上開關，故Q1可經受RF信號之至少一些；且Q1處之與此RF信號相關聯之電流之至少一些可透過前述旁通開關SW4及旁通開關SW5經進一步分路至接地。由於開關SW3現在斷開，故Q2可與Q1實質上隔離(且藉此RF信號存在於Q1處)。Q2之斷開狀態亦停用與供應電壓(VDD)相關聯之放大器電流。

參考圖6A及圖6B，前述正常操作模式及保護模式可藉由提供適當開關控制信號之開關控制邏輯電路108控制。例如，一給定開關控制信號可係用於斷開對應開關之一低信號或一低位元0，或用於閉合對應開關之一高信號或一高位元1。表1列舉對應於圖6A及圖6B之各自模式之開關狀態之組合。 表1

模式	SW1	SW2	SW3	SW4	SW5	SW6
正常	閉合	閉合	閉合	斷開	斷開	斷開
保護	斷開	斷開	斷開	閉合	閉合	閉合

如本文中描述，一比較器(諸如圖5之施密特觸發器)可經組態使得當經偵測峰值電壓VDEF超過一第一臨限電壓Vlh時(例如，當VDET ＞ Vlh時)針對放大器電路100觸發保護模式，且當VDET下降至低於一第二臨限電壓Vhl時(例如，當VDET ＜ Vhl時)，放大器電路100回復回至正常操作模式。在一些實施例中，第一臨限電壓Vlh可大於第二臨限電壓Vhl以便(例如)防止其中放大器電路100對正常操作模式與保護模式之間的轉變太敏感之一顫動效應。

更特定言之，假定第一及第二臨限值近似相同，使得Vlh ≈ Vhl。在此一組態中，一旦經偵測峰值電壓VDET超過Vlh (≈ Vhl)，放大器電路100便可自正常模式轉變至保護模式。在此一轉變之後，可存在VDET中關於Vlh及Vhl之共同值之波動。在此一情境中，放大器電路100可經歷正常模式與保護模式之間的快速轉變或顫動。

然而，若第一臨限電壓Vlh (用於觸發保護模式)大於第二臨限電壓Vhl (用於回復回至正常模式)，則可消除或減少前述顫動效應。

圖7A及圖7B展示Vlh及Vhl之此一差異可如何容許保護模式經觸發且啟用而無需經受快速模式改變之一實例。參考圖7A，假定一經偵測峰值電壓VDET依據時間而增加。當VDET小於第一臨限值V1h時，VDET_BUF之值經展示為保持低，使得放大器電路(圖5中之100)之保護組態經停用以便使放大器電路處於一正常操作模式中(例如，圖6A)。當VDET超過第一臨限電壓V1h時，VDET_BUF之值經展示為改變至高，使得放大器電路之保護組態經啟用以便使放大器電路處於一保護模式中(例如，圖6B)。

參考圖7A，進一步假定VDET達到一最大值，且接著依據時間而減小。當VDET下降至低於Vlh但保持高於Vh1時，放大器電路之保護組態保持啟用。當VDET下降至低於Vhl時，VDET_BUF之值經展示為變低，使得放大器電路之保護組態經停用。

圖7B描繪臨限電壓Vlh、Vhl及VDET_BUT狀態之一圖表，從而證實由圖5之施密特觸發器提供之滯後性質。更特定言之，VDET_BUF經展示為在Vlh臨限值處自低轉變至高，且在低於Vlh之Vh1臨限值處自高轉變至低，藉此導致Vhl與Vlh之間的一區。此一區可經適當地組態以防止或減少模式之間的快速切換。

圖8A展示與圖5之放大器電路之共同源極電晶體(Q1)相關聯之各種信號跡線。此等跡線係一輸入信號(圖5中之RF_in，且在圖8A中指示為「RF輸入電壓」)、經偵測峰值電壓(Vdet)、施密特觸發器之輸出(Vdet_buf)、Q1之汲極-源極電壓(Vds_CS)、Q1之閘極-汲極電壓(Vgd_CS)及Q1之閘極-源極電壓(Vgs_CS)之電壓跡線。圖8B展示與圖5之放大器電路之共同閘極電晶體(Q2)相關聯之各種信號跡線。此等跡線係一輸入信號(圖5中之RF_in，且在圖8B中指示為「RF輸入電壓」)、經偵測峰值電壓(Vdet)、施密特觸發器之輸出(Vdet_buf)、Q2之汲極-源極電壓(Vds_CG)、Q2之閘極-汲極電壓(Vgd_CG)及Q2之閘極-源極電壓(Vgs_CG)之電壓跡線。應注意，跡線「RF輸入電壓」、「Vdet」及「Vdet_buf」在圖8A及圖8B中為相同跡線。圖8C展示圖8A及圖8B之「Vdet」及「Vdet_buf」跡線之部分之一放大視圖。

參考圖8A至圖8C且更特定言之，參考跡線之其中RF輸入電壓開始增加其振幅之開始部分，吾人可見，經偵測峰值電壓(Vdet)保持在近似零處，直至Vdet超過D1之正向接通電壓。Vdet接著經展示為與RF輸入電壓之增加成比例地增加，直至其超過第一臨限值(圖8C中之Vlh)，藉此導致施密特觸發器產生一高輸出(Vdet_buf =高)且啟用保護模式。

RF輸入電壓經展示為在至保護模式之前述轉變之後迅速地減小，且即使經偵測峰值電壓Vdet減小至低於第一臨限值(Vlh)之一位準，保護模式仍保持啟用。Vdet經展示為遵循RF輸入電壓之減小趨勢，但以一更緩慢速率，且最終達到低於第二臨限值(Vhl)之一位準，藉此導致施密特觸發器產生一低輸出(Vdet_buf =低)且停用保護模式。

RF輸入電壓經展示為在至正常操作模式之前述轉變之後迅速地增加，且基於經偵測峰值電壓Vdet迅速地增加至超出第一臨限值(Vlh)而迅速地啟用保護模式。

前述迅速增加之RF輸入電壓經展示為達到一峰值(圖8A及圖8B中之150)，迅速地減小至一位準、緩慢地增加至另一峰值位準(圖8A及圖8B中之152)且接著緩慢地減小。對應Vdet經展示為遵循RF輸入電壓之前述趨勢，包含對應於RF輸入電壓自峰值150之迅速減小之較緩慢速率之減小。Vdet經展示為達到一位準(圖8C中之154)，該位準接近但仍高於第二臨限值Vhl，使得保護模式保持啟用。

基於RF輸入電壓及經偵測峰值電壓(Vdet)之前述例示性跡線，吾人可見，在一些實施例中，具有如本文中描述之一或多個特徵之一保護電路可經組態使得自正常操作模式至保護模式之一轉變可迅速地達成(例如，類似於RF輸入電壓之增加之速率)，且使得自保護模式至正常操作模式之一轉變可以一較緩慢速率達成以降低保護模式太快速地停用之可能性。如本文中描述，保護模式之此一延遲停用可藉由施密特觸發器之滯後性質、藉由經偵測峰值電壓(Vdet)之回應之較緩慢速率或其等之某一組合達成。

參考圖8A且如本文中參考圖6B描述，吾人可見，共同源極電晶體(Q1)在保護啟用週期期間經受RF輸入電壓。然而，且如圖8B中展示且在本文中參考圖6B描述，吾人可見，共同閘極電晶體(Q2)在保護啟用週期期間與RF輸入電壓實質上隔離，使得與Q2相關聯之各種電壓具有零或非常低振幅。

在本文中參考圖1、圖2及圖4至圖8描述之各種實例中，假定具有如本文中描述之一或多個特徵之一保護電路經實施於一對應放大器之輸入側上。然而，應理解，本發明之一或多個特徵亦可實施於一放大器之輸入側及輸出側之任一者或兩者之各者上。

在一些實施例中，一放大器之輸入側可係用於自一天線接收一信號之一天線側。在此一例示性組態中，放大器可係(例如)一LNA。

圖9展示在一些實施例中，具有如本文中描述之一或多個特徵之一保護電路之實質上全部可實施於包含對應放大器之一晶粒上。因此，在圖9中，一晶粒200經展示為包含如本文中描述之具有一放大器及一保護電路之一放大器電路100。此一放大器電路可實施於一半導體基板202上，且用於晶粒200之操作之各種連接可由(例如)接觸墊204支撐。

在一些實施例中，圖9之晶粒200可經組態以支援FET裝置或基於FET之裝置之形成及操作。例如，電晶體Q1、Q2、M1、M2、各種開關、二極體D1及與施密特觸發器相關聯之電晶體可實施為MOSFET裝置或基於MOSFET之裝置。在一些實施例中，此等MOSFET裝置可係NMOS裝置。

如本文中描述，可操作各種開關以容許放大器電路在一正常操作模式或一保護模式中。如本文中亦描述，具有一滯後性質之一比較器(諸如一施密特觸發器)之使用提供其中保護模式保持啟用以防止一顫動效應之一「死區」。在一些實施例中，前述開關之一些或全部可經組態以支援此一死區。例如，在正常操作模式期間斷開且在保護模式期間閉合之開關SW4、SW5及SW6可經適當地定大小使得經偵測峰值電壓VDET駐留在施密特觸發器之死區中，藉此防止保護模式過早地被停用。

在一些實施例中，放大器電路之其他非電晶體元件亦可實施為晶粒200之部分。例如，可利用各自晶粒上技術實施各種電阻、電感及電容。

應注意，在放大器電路係一接收放大器電路(例如，具有一LNA)之背景內容中，如本文中描述之一保護電路可經組態以支援各種頻率範圍(包含在MB/HB/UHB頻率下操作之LNA)。如本文中描述，此一保護電路在保護模式期間停用LNA電流，且此一特徵防止晶粒金屬化過熱及可能熔化。

亦應注意，如本文中描述之一保護電路消耗極少電流或未消耗電流，且需要相對小量之額外晶粒區域。例如，可利用(例如) CMOS技術在約630 µm ²之一區域中實施峰值偵測器及施密特觸發器(例如，圖5中之112、114)。

在一些實施例中，如本文中描述之一放大器電路可經組態以支援較高頻率應用(例如，＞ 5 GHz，毫米波)。例如，一LNA可利用具有更小閘極長度及更薄閘極氧化物之CMOS程序。此一組態可導致(例如)時間相依介電崩潰(TDDB)閘極電壓，藉此潛在地減少LNA裝置之最大壽命。在一些實施例中，如本文中描述之一保護電路可適應此等更低箝位位準而無需犧牲LNA之效能。

在一些實施方案中，本文中描述之一或多個特徵可包含於一模組中。圖10描繪具有經組態以接納複數個組件之一封裝基板302之一例示性模組300。在一些實施例中，此等組件可包含具有如本文中描述之一或多個特徵之一晶粒200。例如，晶粒200可包含一放大器電路100，該放大器電路100包含如本文中描述之一保護電路。複數個連接墊304可促進至基板302上之連接墊310之電連接(諸如線接合308)以促進各種電力及信號至晶粒200及自晶粒200之傳遞。

在一些實施例中，其他組件可安裝於或形成於封裝基板302上。例如，可實施一或多個表面安裝裝置(SMD) (314)。在一些實施例中，封裝基板302可包含一層壓基板。

在一些實施例中，模組300亦可包含用於(例如)提供保護且促進模組300之更容易處置之一或多個封裝結構。此一封裝結構可包含形成於封裝基板302上方且經定尺寸以實質上囊封其上之各種電路及組件之一包覆模製件。

將理解，雖然在基於線接合之電連接之背景內容中描述模組300，但本發明之一或多個特徵亦可以其他封裝組態(包含覆晶組態)實施。

在一些實施方案中，具有本文中描述之一或多個特徵之一架構、裝置及/或電路可包含於一RF裝置(諸如一無線裝置)中。此一架構、裝置及/或電路可直接實施於無線裝置中、以如本文中描述之一或多個模組化形式實施或以其等之某一組合實施。在一些實施例中，此一無線裝置可包含(例如)一蜂巢式電話、一智慧型電話、具有或不具有電話功能性之一手持式無線裝置、一無線平板電腦、一無線路由器、一無線存取點、一無線基地台等。雖然在無線裝置之背景內容中描述，但將理解，本發明之一或多個特徵亦可實施於其他RF系統(諸如基地台)中。

圖11描繪具有本文中描述之一或多個有利特徵之一例示性無線裝置500。在一些實施例中，具有如本文中描述之一或多個特徵之一模組可實施為(例如)緊密接近一分集天線530之一分集接收模組300或經組態以自任何天線接收一信號之一模組。此一模組可經組態以提供如本文中描述之一或多個可期望特徵。

在圖11之實例中，一功率放大器(PA)模組512中之PA可自可經組態且經操作以產生待放大且傳輸之RF信號之一收發器510接收其等各自RF信號且處理經接收信號。收發器510經展示為與經組態以提供適用於一使用者之資料及/或語音信號與適用於收發器510之RF信號之間的轉換之一基頻帶子系統508互動。收發器510亦經展示為連接至經組態以管理用於無線裝置500之操作之功率之一功率管理組件506。此功率管理亦可控制基頻帶子系統508及無線裝置500之其他組件之操作。

基頻帶子系統508經展示為連接至一使用者介面502以促進經提供給使用者及自使用者接收之語音及/或資料之各種輸入及輸出。基頻帶子系統508亦可連接至一記憶體504，該記憶體504經組態以儲存資料及/或指令以促進無線裝置之操作及/或為使用者提供資訊之儲存。

在圖11之實例中，DRx模組300可實施於一或多個分集天線(例如，分集天線530)與ASM 514之間。此一組態可容許透過分集天線530接收之一RF天線經處理而具有極少或不具有來自分集天線530之RF信號之損耗及/或具有極少或不具有雜訊至來自分集天線530之RF信號之添加。來自DRx模組300之此經處理信號可接著透過一或多個信號路徑路由至ASM。

在圖11之實例中，一主天線520可經組態以(例如)促進來自PA模組512之RF信號之傳輸。在一些實施例中，接收操作亦可透過主天線達成。

數個其他無線裝置組態可利用本文中描述之一或多個特徵。例如，一無線裝置不需要係一多頻帶裝置。在另一實例中，一無線裝置可包含額外天線(諸如分集天線)及額外連接能力特徵(諸如Wi-Fi、藍芽及GPS)。

如本文中描述，在一些實施例中，具有一保護電路之一放大器電路可經組態以用於接收操作。如本文中亦描述，在其中一強信號經接收且經呈現至放大器電路之情境中，此一保護電路可防止對放大器電路之損害。

圖12展示其中圖11之無線裝置500可獲益於保護電路(例如，實施為接收器模組300之部分)之一實例。在圖12中，具有此一保護電路之一無線裝置500經展示為接收一傳入信號610 (例如，來自一小區塔)。在一傳輸操作中之另一無線裝置600 (其可或可不包含一保護電路)緊密接近無線裝置500，藉此傳輸一相對強大信號620。此一強大信號可藉由無線裝置500之天線拾取且經呈現至其放大器電路。如本文中描述，與裝置500之放大器電路相關聯之一保護電路可經操作以保護放大器電路。

除非背景內容明確另外要求，否則貫穿描述及發明申請專利範圍，詞「包括(comprise/comprising)」及類似者應理解為一包含性意義而非一排他性或窮舉性意義；即「包含，但不限於」之意義。如本文中大體上使用之字詞「耦合」係指可直接連接或藉由一或多個中間元件連接之兩個或更多個元件。另外，字詞「本文中」、「上文」、「下文」及具有類似意思之字詞在用於此申請案中時應指代本申請案整體且非本申請案之任何特定部分。在背景內容允許之情況下，使用單數或複數之上文實施方式中之字詞亦可分別包含複數或單數。字詞「或」指涉兩個或兩個以上品項之一清單，該字詞涵蓋字詞之以下解譯之全部：清單中之品項之任何者、清單中之品項之全部及清單中之品項之任何組合。

本發明之實施例之上文詳細描述不旨在為窮舉性或將本發明限於上文揭示之精確形式。雖然上文為了闡釋性目的描述本發明之特定實施例及實例，但各種等效修改在本發明之範疇內係可行的，如熟習相關技術者將認知。例如，雖然程序或方塊係以一給定順序呈現，但替代實施例可以一不同順序執行具有步驟之常式或採用具有方塊之系統，且可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改一些程序或方塊。可以各種不同方式實施此等程序或方塊之各者。又，雖然程序或方塊有時經展示為串行執行，但此等程序或方塊可代替性地並行執行，或可在不同時間執行。

本文中提供之本發明之教示可應用至其他系統，而不一定為上文描述之系統。可組合上文描述之各項實施例之元件及動作以提供進一步實施例。

雖然已描述本發明之一些實施例，但此等實施例已僅藉由實例呈現且不旨在限制本發明之範疇。實際上，可以多種其他形式體現本文中描述之新穎方法及系統；此外，可做出本文中描述之方法及系統之形式之各種省略、取代及改變而不脫離本發明之精神。隨附發明申請專利範圍及其等等效物旨在涵蓋如將落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。

10:放大器電路 12:低雜訊放大器(LNA) 14:靜電放電(ESD)保護電路 100:放大器電路 102:放大器 104:輸入功率保護電路 106:偵測器組件 108:控制組件/開關控制邏輯電路 109:基於二極體之靜電放電(ESD)保護電路 110:偏壓電路 112:射頻(RF)峰值偵測器 114:施密特觸發器 120:箭頭 122:路徑 124:箭頭 126:箭頭 150:峰值 152:峰值位準 154:位準 200:晶粒 202:半導體基板 204:接觸墊 300:模組/分集接收模組/DRx模組/接收器模組 302:封裝基板 304:連接墊 308:線接合 310:連接墊 314:表面安裝裝置(SMD) 500:無線裝置 502:使用者介面 504:記憶體 506:功率管理組件 508:基頻帶子系統 510:收發器 512:功率放大器(PA)模組 514:ASM 520:主天線 530:分集天線 600:無線裝置 610:傳入信號 620:相對強大信號 C1:電容器 C2:DC阻隔電容 C3:DC阻隔電容 D1:二極體 IREF:參考電流 M1:電晶體 M2:電晶體 Q1:第一電晶體/第一雙極接面電晶體(BJT)/共同源極電晶體 Q2:第二電晶體/第二雙極接面電晶體(BJT)/共同閘極電晶體 R1:電阻器 R2:偏壓電阻 RF_in:射頻(RF)信號 RF_out:經放大射頻(RF)信號 SW1:開關 SW2:開關 SW3:開關 SW4:開關 SW5:開關 SW6:開關 VB:基極電壓 VCC:供應電壓 VDD:供應電壓 VDET:經偵測電壓 VDET_BUF:信號 VG:閘極電壓

圖1描繪具有一放大器及一輸入功率保護電路之一放大器電路。

圖2展示可係圖1之放大器電路之一更特定實例之一放大器電路。

圖3展示具有實施為耦合至一放大器之一輸入路徑之一靜電放電(ESD)保護電路之一習知保護電路之一例示性放大器電路。

圖4A展示在一些實施例中，一放大器電路可經實施以包含經組態以使用一偵測器偵測沿著至一放大器之一輸入路徑之一高電功率狀況的一保護電路。

圖4B展示放大器電路，其具有與圖4A之放大器電路類似之一架構，但其中一疊接放大器包含第一及第二雙極接面電晶體。

圖5展示可係圖4A之放大器電路之一更特定實例之一放大器電路。

圖6A展示圖5之放大器電路，其中保護電路經組態以用於一正常操作模式。

圖6B展示圖5之放大器電路，其中保護電路經組態以在偵測放大器之輸入處之一高功率狀況之後用於一保護模式。

圖7A及圖7B展示可經實施以減少或消除非所要效應(諸如一顫動效應)之一正常操作模式與一保護模式之間的轉變之一實例。

圖8A展示與圖5之放大器電路之共同源極電晶體(Q1)相關聯之各種信號跡線。

圖8B展示與圖5之放大器電路之共同閘極電晶體(Q2)相關聯之各種信號跡線。

圖8C展示圖8A及圖8B之選定跡線之部分之一放大視圖。

圖9展示在一些實施例中，具有如本文中描述之一或多個特徵之一保護電路之實質上全部可實施於包含對應放大器之一晶粒上。

圖10展示在一些實施方案中，本文中描述之一或多個特徵可包含於一模組中。

圖11描繪具有本文中描述之一或多個有利特徵之一例示性無線裝置。

圖12展示在接收操作中之一無線裝置及在傳輸操作中之另一無線裝置。

100:放大器電路

102:放大器

104:輸入功率保護電路

106:偵測器組件

108:控制組件/開關控制邏輯電路

109:基於二極體之靜電放電(ESD)保護電路

110:偏壓電路

112:射頻(RF)峰值偵測器

114:施密特觸發器

C1:電容器

C2:DC阻隔電容

C3:DC阻隔電容

D1:二極體

IREF:參考電流

M1:電晶體

M2:電晶體

Q1:第一電晶體/第一雙極接面電晶體(BJT)/共同源極電晶體

Q2:第二電晶體/第二雙極接面電晶體(BJT)/共同閘極電晶體

R1:電阻器

R2:偏壓電阻

RF_in:射頻(RF)信號

RF_out:經放大射頻(RF)信號

SW1:開關

SW2:開關

SW3:開關

SW4:開關

SW5:開關

SW6:開關

VDD:供應電壓

VDET:經偵測電壓

VDET_BUF:信號

VG:閘極電壓

Claims (34)

1. 一種放大器電路，其包括： 一輸入節點及一輸出節點； 一放大器，其經實施於該輸入節點與該輸出節點之間； 一偏壓電路，其經組態以將一偏壓信號提供至該放大器；及 一保護電路，其經組態以產生代表存在於該輸入節點處之一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓，該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。
2. 如請求項1之放大器電路，其中該輸入節點經組態以耦合至一天線。
3. 如請求項2之放大器電路，其中該放大器係經組態以支援一接收操作之一低雜訊放大器。
4. 如請求項1之放大器電路，其中該放大器包含一第一電晶體及一第二電晶體之一疊接配置，該第一電晶體具有耦合至該輸入節點之一輸入，該第二電晶體耦合至該第一電晶體且具有耦合至該輸出節點之一輸出。
5. 如請求項4之放大器電路，其中該等第一及第二電晶體之各者係具有一閘極、一汲極及一源極之一場效電晶體。
6. 如請求項5之放大器電路，其中該第一電晶體經實施為一共同源極裝置，且該第二電晶體經實施為一共同閘極裝置，使得該第一電晶體之該閘極耦合至該輸入節點，該第一電晶體之該汲極耦合至該第二電晶體之該源極，且該第二電晶體之該汲極耦合至該輸出節點。
7. 如請求項6之放大器電路，其中該第一電晶體之該源極耦合至接地，且該第二電晶體之該閘極耦合至具有一閘極電位之一節點。
8. 如請求項4之放大器電路，其中該保護電路包含經組態以實施該保護模式之該啟用及停用之一開關總成。
9. 如請求項8之放大器電路，其中該開關總成包含經組態以容許來自該輸入節點之該射頻信號至接地之可切換分路之一分路開關。
10. 如請求項9之放大器電路，其中該分路開關經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。
11. 如請求項8之放大器電路，其中該開關總成包含經組態以提供該等第一及第二電晶體之一可切換耦合之一電晶體間開關。
12. 如請求項11之放大器電路，其中該電晶體間開關經組態以在該保護電路停用該保護模式時閉合以容許來自該第一電晶體之一經部分放大信號經提供為用於該第二電晶體之一輸入，且在該保護電路啟用該保護模式時斷開以將該第二電晶體與該第一電晶體斷開連接。
13. 如請求項8之放大器電路，其中該偏壓電路經組態以透過一偏壓電阻將該偏壓信號提供至該第一電晶體之該輸入，該偏壓電路包含一電流鏡，使得該偏壓信號代表該電流鏡之一輸出。
14. 如請求項13之放大器電路，其中該開關總成包含實施於該電流鏡中之一或多個開關，該電流鏡之該一或多個開關經組態以在該保護電路停用該保護模式時啟用該電流鏡之操作且在該保護電路啟用該保護模式時停用該電流鏡之操作。
15. 如請求項13之放大器電路，其中該開關總成包含經實施於接地與介於該電流鏡與該偏壓電阻之間之一節點之間的一偏壓分路開關，該偏壓分路開關經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。
16. 如請求項13之放大器電路，其中該開關總成包含經實施以與該偏壓電阻電並聯之一旁通開關，該旁通開關經組態以在該保護電路停用該保護模式時斷開且在該保護電路啟用該保護模式時閉合。
17. 如請求項1之放大器電路，其中該保護電路包含耦合至該輸入節點以容許該射頻信號之取樣之一偵測器，該偵測器經組態以基於該經取樣射頻信號之該峰值產生該經偵測電壓。
18. 如請求項17之放大器電路，其中該偵測器包含經組態以在一個方向上限制與該經取樣射頻信號相關聯之一電流之一二極體及經組態以產生該經偵測電壓之一電阻-電容電路，該電阻-電容電路包含該二極體之一輸出與接地之間的一電阻及一電容之一並聯配置。
19. 如請求項17之放大器電路，其中該偵測器包含一比較器，該比較器經組態以在該經偵測電壓大於該第一臨限值時產生用於啟用該保護模式之一啟用輸出且在該經偵測電壓小於該第二臨限值時產生用於停用該保護模式之一停用輸出。
20. 如請求項19之放大器電路，其中該比較器包含一施密特觸發器。
21. 如請求項19之放大器電路，其中該保護電路進一步包含一控制邏輯電路，該控制邏輯電路經組態以基於該比較器之該啟用輸出產生用於啟用該保護模式之一第一組控制信號且基於該比較器之該停用輸出產生用於停用該保護模式之一第二組控制信號。
22. 如請求項21之放大器電路，其中該第一組控制信號及該第二組控制信號之各者包含開關控制信號。
23. 如請求項1之放大器電路，其進一步包含耦合至該輸入節點且經組態以在該輸入節點處之一電壓大於一放電臨限值時提供至接地之一放電路徑之一靜電放電電路。
24. 如請求項23之放大器電路，其中該靜電放電電路包含複數個二極體，各二極體經組態為具有一經減小大小以滿足更低靜電放電保護要求以藉此提供一經減小靜電電容之多堆疊裝置。
25. 一種晶粒，其包括： 一半導體基板；及 一放大器電路，其經實施於該半導體基板上，該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器，該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路，該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路，該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。
26. 如請求項25之晶粒，其中該半導體基板經組態以支援CMOS程序。
27. 一種封裝模組，其包括： 一封裝基板，其經組態以接納複數個組件；及 一放大器電路，其經實施於該封裝基板上，該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器，該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路，該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路，該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。
28. 如請求項27之封裝模組，其中該放大器電路之實質上全部經實施於安裝於該封裝基板上之一半導體晶粒上。
29. 如請求項27之封裝模組，其中該放大器電路經組態以支援一接收操作。
30. 如請求項29之封裝模組，其中該封裝模組係一接收模組。
31. 如請求項29之封裝模組，其中該接收模組係一分集接收模組。
32. 一種無線裝置，其包括： 一天線； 一收發器；及 一放大器電路，其經實施於該天線與該收發器之間，該放大器電路包含一輸入節點及一輸出節點以及經實施於該輸入節點與該輸出節點之間的一放大器，該放大器電路進一步包含經組態以將一偏壓信號提供至該放大器之一偏壓電路，該放大器電路進一步包含經組態以產生代表存在於該輸入節點處的一射頻信號之一峰值之一經偵測電壓的一保護電路，該保護電路進一步經組態以在該經偵測電壓大於一第一臨限值時啟用一保護模式且在該經偵測電壓小於一第二臨限值時停用該保護模式，該第二臨限值小於該第一臨限值。
33. 如請求項32之無線裝置，其中該放大器電路之該輸入節點耦合至該天線，且該放大器電路之該輸出節點耦合至該收發器。
34. 如請求項33之無線裝置，其中該無線裝置係經組態以在一或多個蜂巢式頻帶中操作之一蜂巢式電話。

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