TW202246810A - 粉粒體之分散方法及靜電吸附裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種粉粒體之分散方法,其特徵為,藉由在具備第一電極(4)及第二電極(7)的靜電吸附裝置(1)的第一電極(4)與第二電極(7)之間形成電場,前述第一電極(4)具備具有靜電擴散性或導電性之配置部(2),前述第二電極(7)具備與配置部(2)對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部(5),從而使配置於配置部的藉由在載體粒子(10)上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體(12)而成之調配粒子(P)與吸附部(5)接觸而在吸附部的開口部(72)收納具有導電性之粉粒體(12)。
Description
本發明係有關一種粉粒體之分散方法及靜電吸附裝置。
作為在基材上二維排列粉粒體之方法,已知有將基板浸漬於分散有球狀粒子之分散液中,並提拉該基板之後,將分散介質進行乾燥而去除之浸塗法或平流堆積法等(例如,參照下述專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2009-223154號公報
上述方法利用粒子的自堆積現象,並且為在緻密填充配置粒子時或在形成粒子膜時適用的技術,但是如生物晶片、化學晶片等上的觸媒微粒的圖案形成、針對每種材料的限制和課題不同之噴墨描繪代替技術等,亦需要在基材的規定位置上配置粉粒體。
因此,本發明的目的為提供一種能夠在基材的規定位置上配置粉粒體之粉粒體之分散方法及靜電吸附裝置。
本發明的一方面提供一種粉粒體之分散方法,其特徵為,藉由在具備第一電極及第二電極的靜電吸附裝置的第一電極與第二電極之間形成電場,前述第一電極具備具有靜電擴散性或導電性之配置部,前述第二電極具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部,從而使配置於配置部的藉由在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成之調配粒子與吸附部接觸而在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體。
依據上述方法,藉由將在開口部收納有具有導電性之粉粒體之吸附部設為基材或將開口部中的具有導電性之粉粒體轉移到規定的基材上,能夠在基材的規定位置上配置具有導電性之粉粒體(例如,使具有導電性之粉粒體彼此分開而二維配置)。又,上述方法能夠不使用刮板等而將粉粒體填充到開口部中,因此能夠減少對粉粒體的損傷。
又,本發明之方法具有容易使調配粒子飛升到吸附部直至在具有規定的開口圖案之開口部收納具有導電性之粉粒體、及能夠藉由重力或適當的搬運機構將與吸附部接觸之後的調配粒子再供給或再循環到配置部中等優點,可以說是與使用溶劑之方法等相比能夠高效率地在基材的規定位置上配置粉粒體之方法。
載體粒子的粒徑可以為具有導電性之粉粒體的粒徑的10~100倍。在這種情況下,進一步提高在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體之效率。
具有導電性之粉粒體的粒徑可以為2~20μm。
上述粉粒體之分散方法可以進一步具備用於去除附著於上述吸附部之除了收納於開口部之具有導電性之粉粒體以外的粉粒體的步驟。
本發明的另一方面提供一種靜電吸附裝置,其具備:第一電極,具備配置粒子且具有靜電擴散性或導電性之配置部;及第二電極,具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部。
這種靜電吸附裝置藉由使用在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成之調配粒子,能夠用作粉粒體的分散裝置。
[發明效果]
依據本發明,能夠提供一種能夠在基材的規定位置上配置粉粒體之粉粒體之分散方法及靜電吸附裝置。
以下,依據情況參照圖式,並對用於實施本發明的形態進行詳細說明。但是,本發明並不限定於以下實施形態。
再者,在本說明書中階段性地所記載之數值範圍內,某個階段的數值範圍的上限值或下限值可以替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。又,在本說明書中所記載之數值範圍內,其數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例所示之值。又,在本說明書中,為了方便,將複數個粉粒體的聚集亦稱為“粉粒體”。對載體粒子或調配粒子亦相同。
[粉粒體之分散方法]
在本實施形態的粉粒體之分散方法中,藉由在具備第一電極及第二電極的靜電吸附裝置的第一電極與第二電極之間形成電場,前述第一電極具備具有靜電擴散性或導電性之配置部,前述第二電極具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部,從而使配置於配置部的藉由在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成之調配粒子與吸附部接觸而在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體。
圖1係表示本實施形態之粉粒體之分散方法中所使用之靜電吸附裝置的概略結構之圖。
靜電吸附裝置1具備:下部電極(第一電極)4,具有配置部2;上部電極(第二電極)7,配置於比配置部2更靠重力方向的上方側的位置上,並且具有與配置部2對置之吸附部5;電源8,連接下部電極4與上部電極7;及控制部9,與電源8連接。在配置部2上配置有調配粒子。
在靜電吸附裝置1中,下部電極4由電極本體3和配置部2構成,上部電極7由電極本體6和吸附部5構成。下部電極的電極本體與配置部可以形成為一體。
作為構成下部電極4之電極本體3的材質,能夠使用具有靜電擴散性或導電性者。例如,能夠使用表面電阻率為10
13Ω以下的材料,具體而言,可以舉出金屬、玻璃等。作為電極本體3的形狀,並無特別限定,但是例如可以為平板狀、滾筒狀等。
作為配置部2的材質,能夠使用具有靜電擴散性或導電性者。例如,能夠使用表面電阻率為10
13Ω以下的材料,具體而言,可以舉出金屬、玻璃及導電性聚四氟乙烯(PTFE)等導電性樹脂等。作為配置部2的形狀,只要為能夠配置調配粒子者,則並無特別限定,可以為形成於電極本體3的表面上之膜或薄膜,亦可以為能夠收納調配粒子之形狀、例如具有底面及側面且向吸附部方向開口之形狀。圖1所示之配置部能夠收納更多的調配粒子。
作為電極本體與配置部為一體之下部電極,例如能夠使用由金屬、玻璃等表面電阻率為10
13Ω以下的材料構成者。
靜電擴散性配置部的表面電阻率可以為10
13Ω以下,亦可以為10
6Ω以上。導電性配置部的表面電阻率可以為10
6Ω以下,亦可以為10
-3Ω以上。
配置於配置部之調配粒子為在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成者。圖2係表示調配粒子之示意圖。如圖2所示,調配粒子P由載體粒子10和附著於載體粒子的表面上之具有導電性之粉粒體12構成。
作為載體粒子10,只要為具有靜電擴散性或導電性之粒子即可,能夠使用包含表面電阻率為10
13Ω以下的材料之粒子。例如,能夠使用碳粒子、焊錫等金屬粒子、玻璃粒子、具有靜電擴散性之無機粒子。該等能夠單獨使用一種或組合使用兩種以上。
載體粒子10可以為球狀或大致球狀,亦可以在表面上設置有凹部、凸部、或凹部及凸部。
從在抑制調配粒子的凝集的同時容易使調配粒子移動之觀點考慮,載體粒子10的粒徑可以為30~500μm,亦可以為40~400μm,亦可以為50~300μm。
在本實施形態中,可以使用平均粒徑在上述範圍內之載體粒子。再者,在本說明書中,關於粒子或粉粒體的平均粒徑,藉由如下而獲得:針對粒子或粉粒體100個,藉由使用掃描式電子顯微鏡(SEM)進行觀察來測定粒徑,並獲取它們的平均值。再者,在粒子或粉粒體具有突起等不是球形的情況下,粒子或粉粒體的粒徑設為SEM的圖像中之與粒子或粉粒體外接之圓的直徑。
又,關於載體粒子10,可以藉由如下方法來選擇:配置於靜電吸附裝置的配置部上,在後述規定的條件下施加了電場時,從下部電極(第一電極)朝向上部電極(第二電極)移動(飛升),並確認與吸附部接觸。
作為具有導電性之粉粒體12,例如可以舉出金、銀、鎳、銅、焊錫等金屬粒子、碳粒子及由金屬等導電物質被覆玻璃、陶瓷、塑膠等非導電性粒子而成之導電被覆粒子等。作為被覆非導電性粒子之金屬,可以舉出金、銀、鎳、銅、焊錫等,並且可以具有多層結構。又,具有導電性之粉粒體可以在粉粒體的外表面的至少一部分上存在絕緣性被覆(例如,絕緣性微粒等)。又,具有導電性之粉粒體可以為包含導電性材料且作為導電材料而發揮作用者。再者,在具有導電性之粉粒體中還包含絕緣性粉粒體藉由水分的吸附或吸濕等而賦予了導電性者。作為絕緣性粉粒體,例如可以舉出玻璃、陶瓷、塑膠、矽橡膠及丁基橡膠等橡膠等。
具有導電性之粉粒體能夠單獨使用一種或組合使用兩種以上。
具有導電性之粉粒體12可以為球狀或大致球狀,並且可以為具備具有導電性之粉粒體和設置於該粉粒體的外表面的至少一部分上之複數個絕緣性微粒之複合粒子。
具有導電性之粉粒體12的粒徑可以為1~40μm,亦可以為1.5~30μm,亦可以為2~20μm。
在本實施形態中,可以使用平均粒徑在上述範圍內之具有導電性之粉粒體。
從使具有導電性之粉粒體高效率地吸附於吸附部之觀點考慮,構成調配粒子P之載體粒子的粒徑可以為具有導電性之粉粒體的粒徑的5~200倍,亦可以為10~150倍,亦可以為10~100倍。
調配粒子P能夠藉由混合載體粒子和具有導電性之粉粒體來製備。混合方法並無特別限定,但是例如可以使用攪拌機等公知的混合機構,亦可以搖動加入有載體粒子及具有導電性之粉粒體之容器。關於混合,在不損傷載體粒子及粉粒體的範圍內進行為較佳。
關於載體粒子與具有導電性之粉粒體的調配比例,能夠以使具有導電性之粉粒體充分附著於載體粒子的表面上的方式適當設定。再者,若具有導電性之粉粒體的調配量過多,則容易產生具有導電性之粉粒體的凝集,因此將調配比例設定在能夠抑制具有導電性之粉粒體的凝集之範圍內為較佳。
作為構成上部電極7之電極本體6,能夠使用具有靜電擴散性或導電性者。例如,能夠使用表面電阻率為10
13Ω以下的材料,具體而言,可以舉出金屬、玻璃等。作為電極本體6的形狀,並無特別限定,但是例如可以為平板狀、滾筒狀等。
吸附部5設置有向配置部側開口的開口圖案(複數個開口部72)。作為吸附部5的材質,能夠使用絕緣性材料。例如,能夠使用表面電阻率超過10
13Ω的材料。作為吸附部5的形狀,只要為設置有上述開口圖案者,則並無特別限定,可以為形成於電極本體6的表面上之膜或薄膜,亦可以為能夠與電極本體6分離的薄膜。
圖3(a)係示意地表示吸附部的一例之俯視圖,圖3(b)係沿圖3(a)的Ib-Ib線剖切之剖視圖。圖3(a)所示之吸附部5設置有具有規定的圖案(開口圖案)之複數個開口部(凹部)72。規定的圖案(開口圖案)可以為規則的配置。
吸附部5的開口部72形成為開口面積從開口部72的底部72a側朝向吸附部5的表面5a側擴大之錐形狀為較佳。亦即,如圖3(a)及圖3(b)所示,開口部72的底部72a的寬度(圖3(a)及圖3(b)中之寬度a)窄於開口部72的表面5a上之開口的寬度(圖3(a)及圖3(b)中之寬度b)為較佳。然後,關於開口部72的尺寸(寬度a、寬度b、容積、錐角及深度等),只要依據所收納之具有導電性之粉粒體的尺寸來設定即可。
例如,開口的寬度b相對於具有導電性之粉粒體的粒徑能夠設為1.0~1.5倍,能夠設為1.05~1.45倍。又,載體粒子的粒徑相對於開口的寬度b能夠設為2.0~110倍,能夠設為2.5~100倍。
再者,開口部72的形狀可以為除了圖3(a)及圖3(b)所示之形狀以外的形狀。例如,表面5a上之開口的形狀除了如圖3(a)所示的圓形以外,亦可以為橢圓形、三角形、四邊形、多邊形等。底部72a亦可以為除了平面以外的形狀,例如可以為山形、谷形、微細的突起的聚集體等。
圖4係示意地表示在吸附部的開口部收納有具有導電性之粉粒體之狀態之剖視圖。從去除除了收納於開口部之具有導電性之粉粒體以外的粉粒體(剩餘粒子)及容易將所收納之具有導電性之粉粒體轉印到黏著性基材等之觀點考慮,能夠以使收納於開口部72之具有導電性之粉粒體的和吸附部相反側的頂點與吸附部的表面5a的距離X成為具有導電性之粉粒體的粒徑d的-20~80%的方式(較佳為成為-15~60%的方式)設定開口部72的形狀。再者,在X為正的值之情況下,如圖4所示,表示具有導電性之粉粒體從吸附部的表面5a突出之狀態,在X為負的值之情況下,表示具有導電性之粉粒體不從吸附部的表面5a突出、換言之掩埋之狀態。
作為構成吸附部5之材料,例如能夠使用矽、各種陶瓷、玻璃、不鏽鋼等金屬等無機材料以及各種樹脂等有機材料。吸附部的開口部72能夠藉由光微影法、納米壓印法等公知的方法而形成。又,吸附部5可以為單層,亦可以由複數個層構成,如基體層與設置有開口部之開口部層的積層體。在吸附部5為積層體之情況下,例如可以為在PET等基體層上具備開口部層之薄膜,該開口部層係使用光固化性樹脂組成物,並藉由光微影法、納米壓印法等方法而形成的。
關於開口圖案,能夠以可以以所需之配置分散粉粒體的方式適當設定。在圖3(a)所示之吸附部5中,以格子狀串列設置有圓孔的開口部,但是例如如圖5所示,亦能夠以60°交錯設置。又,開口圖案可以排列設置有開口部,亦可以為無規設置者。
在靜電吸附裝置1中,下部電極4和上部電極7設置規定的間隔而配置,其電極之間的距離能夠設為0.5~100mm,可以為1~20mm,亦可以為2~15mm。
在靜電吸附裝置1中,下部電極4可以是能夠移動的,在這種情況下,容易連續地供給調配粒子。例如,能夠在帶體或圓柱狀的輥的表面上設置下部電極。
在靜電吸附裝置1中,上部電極7可以是能夠移動的,在這種情況下,容易連續地供給吸附具有導電性之粉粒體之吸附部。例如,能夠在帶體或圓柱狀的輥的表面上設置上部電極。
電源8只要為能夠在下部電極與上部電極之間形成電場者即可,例如能夠使用公知的高壓電源。高壓電源可以為直流電源,亦可以為交流電源。
控制部9例如能夠具有所施加之電壓的調整、施加時間的設定等作用。
在本實施形態的粉粒體之分散方法中,在第一電極與第二電極之間形成電場,使調配粒子與吸附部接觸而在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體,該調配粒子配置於配置部上且在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成。
其中,亦結合推測對在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體之機構進行說明。圖6係用於說明本實施形態之粉粒體之分散方法的示意圖,圖6(a)示出在下部電極(第一電極)與上部電極(第二電極)之間施加了電場時的調配粒子的運動。在配置部與上部電極呈相反極性地帯電之調配粒子藉由靜電引力而上升。所上升之調配粒子與吸附部接觸。此時,附著於粒徑大的載體粒子10的表面上之粒徑小的具有導電性之粉粒體12亦有時直接進入吸附部的開口部72中,但是在大多數情況下不會如此。與吸附部接觸之調配粒子亦有時因碰撞的反衝或重力而落下,但是在大多數情況下,如圖6(a)所示之調配粒子P1那樣藉由靜電引力而保持附著。該調配粒子P1以覆蓋吸附部的方式僅附著一層量。調配粒子P1與上部電極的電壓呈相反極性地帯電,因此在上部電極與下部電極之間形成之靜電場降低。但是,在施加充分大的電場之狀況下,與上部電極呈相反極性地帯電之調配粒子P2藉由靜電引力從配置部上升,並能夠與附著於上部電極之調配粒子P1碰撞。從所碰撞之調配粒子P2向調配粒子P1賦予電荷,賦予了電荷之調配粒子P2失去電荷而自然落下,並且調配粒子P1所具有之電荷增加。藉由重複這種過程,調配粒子P2在上部電極與下部電極之間往復運動。若調配粒子P1具有充分大的電荷,則載體粒子與具有導電性之粉粒體之間的靜電排斥力變大,因此朝向來自上部電極的靜電吸引力起作用之開口部釋放具有導電性之粉粒體,具有導電性之粉粒體進入開口部中。
在本實施形態中,能夠使調配粒子與吸附部接觸直至在具有規定的開口圖案之開口部72收納具有導電性之粉粒體12。如此,如圖6(b)所示,可以獲得在吸附部5的開口部72收納有具有導電性之粉粒體12之電極、亦即附有導電性粉粒體的電極20。
作為所施加之電場強度,能夠設為0.1~30kV/cm,可以為0.5~30kV/cm,亦可以為1~20kV/cm。
電場的施加可以為連續的,亦可以為間歇的。
作為電場的施加時間,能夠依據收納於具有規定的開口圖案之開口部72之具有導電性之粉粒體的量適當設定。
在本實施形態中,亦能夠藉由在絕緣性吸附部5上吸附具有導電性之粉粒體而產生之電場的減少作用,在吸附部的開口部中吸附有規定量的具有導電性之粉粒體之時刻停止具有導電性之粉粒體的靜電吸附。亦即,下部電極4與附有導電性粉粒體的電極20之間的電場的強度隨著具有導電性之粉粒體附著於吸附部5上而變小,因此除了配置部的調配粒子消失以外,亦能夠藉由充分降低電極之間的電場來停止調配粒子的飛升。利用該現象,例如只要設為藉由使下部電極4能夠移動或向配置部補充調配粒子而能夠供給足夠量的調配粒子,則能夠使具有導電性之粉粒體吸附於吸附部上直至電場充分變弱。
附有導電性粉粒體的電極20可以用作將吸附部5從電極本體6分離而使具有導電性之粉粒體分開而二維配置之基材,並且可以用於將具有導電性之粉粒體轉移到規定的黏著性基材上。
本實施形態的粉粒體之分散方法可以進一步具備用於去除附著於吸附部之除了收納於開口部之具有導電性之粉粒體以外的粉粒體(剩餘粒子)的步驟(以下,亦稱為剩餘粒子去除步驟)。剩餘粒子去除步驟能夠在將收納於開口部之具有導電性之粉粒體轉印到規定的黏著性基材之前進行。在這種情況下,可以回收從吸附部去除之粒子並再循環,回收剩餘粒子中的至少具有導電性之粉粒體並再循環為較佳。
作為去除剩餘粒子之方法,可以舉出送風、刷子、刮板等物理性去除之方法、電離劑等靜電去除之方法。
在上述靜電吸附裝置中,第一電極和第二電極分別在重力方向上配置於下側及上側的位置上,但是在本實施形態的粉粒體之分散方法中,調配粒子的移動方向可以為水平,亦可以相對於重力方向傾斜。在這種情況下,第一電極及第二電極亦能夠設為與上述相同的結構。
依據本實施形態的粉粒體之分散方法,能夠在減少對粉粒體的損傷的同時,在基材的規定位置上配置粉粒體。
[靜電吸附裝置]
本實施形態的靜電吸附裝置具備:第一電極,具備具有靜電擴散性或導電性之配置部;及第二電極,具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部。
本實施形態的靜電吸附裝置能夠具有與上述粉粒體之分散方法中所使用之靜電吸附裝置相同的結構。
又,本發明提供下述[1]至[5]的發明。
[1]一種粉粒體之分散方法,其特徵為,藉由在具備第一電極及第二電極的靜電吸附裝置的第一電極與第二電極之間形成電場,前述第一電極具備具有靜電擴散性或導電性之配置部,前述第二電極具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部,從而使配置於配置部的藉由在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成之調配粒子與吸附部接觸而在吸附部的開口部收納具有導電性之粉粒體。
[2]如上述[1]所述之粉粒體之分散方法,其中,載體粒子的粒徑為具有導電性之粉粒體的粒徑的10~100倍。
[3]如上述[1]或[2]所述之粉粒體之分散方法,其中,具有導電性之粉粒體的粒徑為2~20μm。
[4]如上述[1]至[3]之任一項所述之粉粒體之分散方法,其進一步具備用於去除附著於吸附部之除了收納於開口部之具有導電性之粉粒體以外的粉粒體的步驟。
[5]一種靜電吸附裝置,其具備:第一電極,具備具有靜電擴散性或導電性之配置部;及第二電極,具備與配置部對置且設置有向配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部。
[實施例]
以下,藉由實施例及比較例,對本發明進行更具體的說明,但是本發明並不限於以下的實施例。
[調配粒子的製備]
(製備例1)
在玻璃製的容器中加入作為載體粒子的平均粒徑為150μm之碳粒子(Nippon Carbon Co Ltd.製、產品名稱“NICA beads ICB-15020”)120質量份及作為具有導電性之粉粒體的在塑膠的核心粒子的表面上實施了Ni鍍之平均粒徑3μm的導電被覆粒子1質量份,並搖動容器以使其混合,從而獲得了調配粒子1。再者,藉由掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之調配粒子1,確認到在作為載體粒子之碳粒子的表面上附著有作為具有導電性之粉粒體之導電被覆粒子。
[壓印薄膜的製作]
(製作例1)
在厚度50μm的PET薄膜上塗佈UV固化性樹脂,按壓具有與圖5所示者相同的圖案之壓印模具並照射UV,從而準備了在基體層上以與圖5所示者相同的開口圖案設置有開口部之壓印薄膜。再者,關於開口部的形狀,圖3(b)中之a、b及c分別為4.0μm、4.4μm及4.0μm。又,壓印薄膜中之相鄰之開口的最短距離為6.0μm。
(實施例1)
準備具有與上述實施形態之靜電吸附裝置1相同的結構之裝置,使用黃銅板作為下部電極4,使用由製作例1的壓印薄膜被覆一個主表面而成之黃銅板作為上部電極7,將電極之間的距離設定為8.0mm。
在黃銅板(下部電極)的表面上配置調配粒子1,在電極之間施加6.0kV的電壓,以使調配粒子飛升而與作為吸附部之壓印薄膜接觸。其後,使用刷子進行了剩餘粒子的去除。將如此獲得之在開口部收納有作為具有導電性之粉粒體之導電被覆粒子之吸附部(壓印薄膜)的放大照片示於圖7中。圖7係壓印薄膜的表面的顯微鏡倍率600倍的照片。
在圖7所示之壓印薄膜中,確認到在各開口部收納有導電被覆粒子。
1:靜電吸附裝置
2:配置部
3:電極本體
4:下部電極(第一電極)
5:吸附部
6:電極本體
7:上部電極(第二電極)
8:電源
9:控制部
10:載體粒子
12:具有導電性之粉粒體
20:附有導電性粉粒體的電極
72:開口部
P:調配粒子
圖1係表示本發明的一實施形態之粉粒體之分散方法中所使用之靜電吸附裝置的概略結構之圖。
圖2係表示調配粒子之示意圖。
在圖3中,圖3(a)係示意地表示吸附部的一例之俯視圖,圖3(b)係沿圖3(a)的Ib-Ib線剖切之剖視圖。
圖4係示意地表示在吸附部的開口部收納有具有導電性之粉粒體之狀態之剖視圖。
圖5係示意地表示吸附部的另一個開口圖案的一例之俯視圖。
圖6係用於說明粉粒體之分散方法的示意圖。
圖7係實施例1中所獲得之吸附電極的放大照片。
2:配置部
3:電極本體
4:第一電極
5:吸附部
6:電極本體
7:第二電極
10:載體粒子
12:具有導電性之粉粒體
20:附有導電性粉粒體的電極
72:開口部
P:調配粒子
P1:調配粒子
P2:調配粒子
Claims (5)
- 一種粉粒體之分散方法,其特徵為, 藉由在具備第一電極及第二電極的靜電吸附裝置的前述第一電極與前述第二電極之間形成電場,前述第一電極具備具有靜電擴散性或導電性之配置部,前述第二電極具備與前述配置部對置且設置有向前述配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部, 從而使配置於前述配置部的藉由在載體粒子上附著粒徑小於該載體粒子的具有導電性之粉粒體而成之調配粒子與前述吸附部接觸而在前述吸附部的開口部收納前述具有導電性之粉粒體。
- 如請求項1所述之粉粒體之分散方法,其中 前述載體粒子的粒徑為前述具有導電性之粉粒體的粒徑的10~100倍。
- 如請求項1或請求項2所述之粉粒體之分散方法,其中 前述具有導電性之粉粒體的粒徑為2~20μm。
- 如請求項1至請求項3之任一項所述之粉粒體之分散方法,其進一步具備用於去除附著於前述吸附部之除了收納於前述開口部之前述具有導電性之粉粒體以外的粉粒體的步驟。
- 一種靜電吸附裝置,其具備: 第一電極,具備具有靜電擴散性或導電性之配置部;及 第二電極,具備與前述配置部對置且設置有向前述配置部側開口的開口圖案之具有絕緣性之吸附部。
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