TW202245108A - 基板處理系統及環狀組件的高度推測方法 - Google Patents

基板處理系統及環狀組件的高度推測方法 Download PDF

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新藤健弘
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Abstract

本發明之課題為正確地推測載置台所載置之環狀組件的高度。 一種基板處理系統，具備：基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理；基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入；距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離；以及控制裝置；該基板搬送機構係將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台；該距離感測器係測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離與從該基板保持部到該環狀組件之距離；該控制裝置係依據到該基準面之距離及到該環狀組件之距離的測定結果，來推測該環狀組件的高度。

Description

基板處理系統及環狀組件的高度推測方法
本揭示係關於一種基板處理系統及環狀組件的高度推測方法。
專利文獻1中揭示一種半導體製造機器內之消耗零件的磨耗檢測相關之技術。專利文獻1所揭示之腔室為一種處理基板之腔室，係包含有基準零件、消耗零件、移送臂、感測器及控制器。基準零件在腔室的作動中不會發生磨耗，消耗零件則是在腔室的作動中會發生磨耗。移送臂係用以將基板朝腔室內移送。感測器係構成為當移送臂在消耗零件上移動時，會測定從感測器到消耗零件表面的第1距離，而當移送臂在基準零件上移動時，則是會測定從感測器到基準零件表面的第2距離。控制器係構成為會依據第1距離及第2距離來決定消耗零件的磨耗量。專利文獻1中，基準零件為用以保持基板之夾具。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2017-50535號公報
本揭示相關之技術為正確地推測載置台所載置之環狀組件的高度。 本揭示一樣態為一種基板處理系統，具備：基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理；基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入；距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離；以及控制裝置；該基板搬送機構係將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台；該距離感測器係測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離與從該基板保持部到該環狀組件之距離；該控制裝置係依據到該基準面之距離及到該環狀組件之距離的測定結果，來推測該環狀組件的高度。 依據本揭示，便可正確地推測載置台所載置之環狀組件的高度。
在例如半導體元件等的製造過程中，係使用電漿且藉由基板處理裝置來對半導體晶圓(以下稱作｢晶圓｣。)等基板施予蝕刻處理等特定處理。使用該電漿之處理(即電漿處理)係在將基板載置於經減壓後之處理容器內的載置台之狀態下來進行。 上述載置台除了基板以外，係載置有稱作聚焦環或覆蓋環之環狀組件。聚焦環為一種鄰接於載置台上的基板般所配置之環狀組件，覆蓋環則為一種覆蓋聚焦環的外側面般所配置之環狀組件。該等聚焦環或覆蓋環會因曝露在電漿而被蝕刻、消耗。若聚焦環或覆蓋環發生消耗，會有無法獲得適當的電漿處理結果之情況。具體而言，例如若聚焦環發生消耗，則電漿的鞘層形狀便會改變，其結果，便會有無法獲得適當的電漿處理結果之情況。 因此，過去係使用感測器來測定或推測載置台所載置之聚焦環等環狀組件的高度，並由該測定結果或推測結果來推測環狀組件的高度(換言之，環狀組件的消耗度)。例如，依據從針對處理容器來搬送基板之基板搬送裝置的搬送臂所設置之感測器到聚焦環表面的測定距離，與從上述感測器到載置台表面的測定距離，來決定聚焦環的消耗量(參照專利文獻1)。 然而，若以從感測器到載置台表面(具體來說，載置有基板之基板載置面)的距離為基準來推測聚焦環等環狀組件的高度，便會有無法正確地推測聚焦環的高度之情況。例如，載置台表面會有故意設置有凹凸的情況，此情況下，會依感測器是測定到載置台表面形成上述凹凸之凹凸面的哪個部分之距離，而導致環狀組件的高度推測結果不同。但當上述凹凸很小時等，會難以選擇要藉由感測器來測定到載置台表面之上述凹凸面的哪個部分之距離。 因此，本揭示相關之技術為正確地推測載置台所載置之環狀組件的高度。 以下，便針對本實施型態相關之基板處理系統及環狀組件的高度推測方法，參照圖式來加以說明。此外，本說明書及圖式中，針對實質地具有相同的功能構成之要素係賦予相同的符號而省略重複說明。 ＜晶圓處理系統＞ 圖1係顯示作為本實施型態相關的基板處理系統之晶圓處理系統1的概略構成之俯視圖。 圖1的晶圓處理系統1係在減壓下使用電漿來對作為基板之晶圓W進行例如蝕刻處理等特定處理。 該晶圓處理系統1係具有一體地連接有載置器站台10與處理站台11之構成，該載置器站台10係被搬出入有可收納複數晶圓W之載置器C，該處理站台11係具備會在減壓下對晶圓W施予上述特定處理之複數個各種處理裝置。載置器站台10與處理站台11係透過2個加載互鎖裝置12、13而相連結。 加載互鎖裝置12、13係具有會將室內切換為大氣壓狀態與真空狀態般所構成之加載互鎖室12a、13a。加載互鎖裝置12、13係設置為會連結後述大氣壓搬送裝置20與真空搬送裝置30。 載置器站台10係具有大氣壓搬送裝置20與載置器載置台21。此外，載置器站台10亦可另設置有會調節晶圓W的方位之對位器(圖中未顯示)。 大氣壓搬送裝置20係具有使得室內成為大氣壓下之大氣搬送室22。大氣搬送室22係透過閘閥G1、G2而與加載互鎖裝置12、13的加載互鎖室12a、13a相連接。大氣搬送室22內係設置有搬送機構23。搬送機構23會在大氣壓下且在加載互鎖室12a、13a間搬送晶圓W。 搬送機構23係具有搬送臂23a，搬送臂23a係由例如前端設置有會保持晶圓W的晶圓保持部之多關節臂所構成。然後，搬送機構23係構成為會藉由搬送臂23a來一邊保持一邊搬送晶圓W。 載置器載置台21係在大氣壓搬送裝置20中而設置於加載互鎖裝置12、13之相反側的側面。載置器載置台21所載置之載置器C內的晶圓W係藉由大氣壓搬送裝置20之搬送機構23的搬送臂23a而相對於大氣搬送室22被搬出入。 處理站台11係具有真空搬送裝置30與處理裝置40~43。 真空搬送裝置30係具有室內被保持為減壓狀態(真空狀態)之真空搬送室31。真空搬送室31係透過閘閥G3、G4而與加載互鎖裝置12、13的加載互鎖室12a、13a相連接。又，真空搬送室31係透過閘閥G5~G8而分別與後述真空處理室44~47相連接。真空搬送室31內係設置有會搬送晶圓W而作為基板搬送機構之晶圓搬送機構32。晶圓搬送機構32係透過後述搬出入口100a來將晶圓W相對於處理裝置40~43做搬出入。晶圓搬送機構32係具有搬送臂32a。有關晶圓搬送機構32之構成的細節將詳述於後。 處理裝置40~43會在減壓下對晶圓W進行例如成膜處理、擴散處理、蝕刻處理等特定處理。此外，本實施型態中，處理裝置40~43會進行使用電漿之蝕刻處理。又，處理裝置40~43係具有會分別在減壓下的室內對晶圓W進行上述蝕刻處理之真空處理室44~47。 進一步地，晶圓處理系統1係具備控制裝置50。控制裝置50係具有控制部51及作為通知部之顯示部52。 控制部51係具有記憶部(圖中未顯示)，該記憶部係包含有具備例如CPU或記憶體等之電腦來記憶各種資訊。上述記憶部係儲存有會控制晶圓處理系統1中的晶圓處理之程式，或用以推測處理裝置40~43內之後述聚焦環的高度之程式。此外，上述程式亦可為被記錄在能夠讓電腦讀取的記憶媒體，且由該記憶媒體被安裝在控制裝置50之程式。又，上述記憶媒體可為暫時性的記憶媒體，亦可為非暫時性的記憶媒體。程式的一部分或全部可藉由專用硬體(電路基板)來實現。 顯示部52會顯示各種資訊，係由液晶顯示器或有機顯示器等顯示元件所構成。 ＜處理裝置40＞ 接著，針對處理裝置40，使用圖2及圖3來加以說明。圖2係顯示處理裝置40的概略構成之縱剖面圖。圖3為後述靜電夾具的部分剖面放大圖。 如圖2所示，處理裝置40係包含有處理容器100、氣體供應部120、RF(Radio Frequency：高頻)電功率供應部130及排氣系統140。進一步地，處理裝置40係包含有載置台101及噴淋頭102。 處理容器100係一種構成為可將內部減壓的容器，而構成真空處理室44。處理容器100的側壁係形成有晶圓W的搬出入口100a，搬出入口100a係設置有作為開閉機構之閘閥G5，以開閉該搬出入口100a。 載置台101係配置於處理容器100內之電漿處理空間100s的下部區域。 載置台101係構成為會在電漿處理空間100s中支撐晶圓W。載置台101係包含有下部電極103、靜電夾具104、絕緣體105及升降銷106。 下部電極103係由例如鋁等導電性材料所形成。 靜電夾具104係設置於下部電極103上，而藉由靜電力來吸附保持晶圓W。靜電夾具104係於中央具有會將晶圓W載置於上面之載置部104a。靜電夾具104中，載置部104a的上面係形成為會較其外周部分的上面要來得高。圍繞靜電夾具104的載置部104a之外周部的上面係載置有作為環狀組件之聚焦環107。 聚焦環107為俯視觀看下呈環狀(具體地，俯視觀看下呈圓環狀)之組件，係配置為會圍繞靜電夾具104的載置部104a所載置之晶圓W，是為了提高例如電漿處理(本例中為電漿蝕刻處理)的均勻性而加以設置。聚焦環107係由會對應於應實行的電漿處理來適當地選擇之材料所形成，例如由矽或碳化矽、石英所形成。 載置部104a係設置有用以藉由靜電吸附來保持晶圓W之電極108。靜電夾具104係具有將電極108挾置在絕緣材料所構成的絕緣材間之構成。 電極108會被施加來自直流電源(圖中未顯示)的直流電壓。藉由以此所產生的靜電力來將晶圓W吸附保持在靜電夾具104之載置部104a的上面。 又，靜電夾具104中之電極108的下方係埋設有會調節靜電夾具104的溫度而作為溫度調節部之加熱器109。加熱器109係藉由調節靜電夾具104的溫度，來調節靜電夾具104所保持之晶圓W的溫度。 靜電夾具104之載置部104a的上面亦可如圖3所示般地設置有複數凸部104b。藉此，便可防止當中止朝電極108的電壓施加時，晶圓W因殘留吸附力而持續被吸附在靜電夾具104。複數凸部104b係設置為例如等間隔。凸部104b係形成為例如直徑300μm~500μm且高度5μm~30μm的圓柱狀。 如圖2所示，絕緣體105會支撐下部電極103。絕緣體105為例如具有與下部電極103之外徑相同的外徑之圓筒狀組件，係由陶瓷等所形成，會支撐下部電極103的周緣側。 升降銷106為會自靜電夾具104之載置部104a的上面出沒般地升降之柱狀組件，係由例如陶瓷所形成。升降銷106係沿著靜電夾具104的周向而相距間隔地設置為3根以上。 升降銷106係連接於會讓該升降銷106升降之升降機構110。升降機構110係具有例如會支撐複數升降銷106之支撐組件111，以及會產生用以讓支撐組件111升降的驅動力以讓複數升降銷106升降之驅動部112。驅動部112係具有會產生上述驅動力之馬達等驅動源。 升降銷106係被穿插在從靜電夾具104的載置部延伸至下方而到達下部電極103的底面之貫穿孔113。 噴淋頭102係具有作為上部電極之功能，且亦具有會將來自氣體供應部120的處理氣體供應至電漿處理空間100s而作為噴淋頭之功能。噴淋頭102係配置於載置台101的上方，而構成處理容器100之頂部的一部分。又，噴淋頭102係具有面向處理容器100內來加以配置之電極板114，以及設置於電極板114的上方之支撐體115。此外，噴淋頭102係透過絕緣性遮蔽組件116而被支撐在處理容器100的上部。 電極板114係形成有複數噴出孔114a。噴出孔114a會將處理氣體等噴出至電漿處理空間100s。 支撐體115會裝卸自如地支撐電極板114。支撐體115的內部係形成有氣體擴散室115a。從該氣體擴散室115a係形成有連通於噴出孔114a之複數氣體流通孔115b。 氣體供應部120係包含有1個以上的氣體供應源121及1個以上的流量控制器122。氣體供應部120係構成為例如會將1種以上的處理氣體或1種以上的清潔用氣體，從分別對應之氣體供應源121而透過分別對應之流量控制器122來供應至氣體擴散室115a。 處理裝置40中，來自從一個以上的氣體供應源121所選擇之氣體供應源121的處理氣體會透過流量控制器122而被供應至氣體擴散室115a。然後，被供應至氣體擴散室115a之處理氣體會透過氣體流通孔115b、噴出孔114a而被噴淋狀地分散供應至電漿處理空間100s內， RF電功率供應部130係包含有例如2個RF生成部131a、131b及2個匹配電路132a、132b。RF生成部131a及RF生成部131b係分別透過匹配電路132a、132b而連接於下部電極103，來將RF電功率供應至下部電極。 RF生成部131a會生成並供應電漿生成用的RF電功率。匹配電路132a係具有用以讓RF生成部131a的輸出阻抗與負載(下部電極103)側的輸入阻抗加以匹配之電路。 RF生成部131b會生成並供應用以將離子吸引至晶圓W之RF電功率(高頻偏壓電功率)。匹配電路132b係具有用以讓RF生成部131b的輸出阻抗與負載(下部電極103)側的輸入阻抗加以匹配之電路。 排氣系統140會將電漿處理空間100s內排氣，係具有真空幫浦。排氣系統140係連接於處理容器100的底部所設置之排氣口100c。 由於處理裝置41~43的構成與處理裝置40的構成相同，故省略其說明。 ＜晶圓處理＞ 接著，針對使用上述方式構成的晶圓處理系統1所進行之晶圓處理來加以說明。此外，以下的處理係在控制部51的控制下進行。 首先，藉由搬送機構23的搬送臂23a來將晶圓W從載置器C取出，且使閘閥G1成為打開狀態。之後，藉由搬送臂23a來將晶圓W搬入至加載互鎖裝置12。 接著，使閘閥G1成為關閉狀態來讓加載互鎖裝置12內密閉且減壓。 當加載互鎖裝置12內的壓力成為特定壓力以下後，使閘閥G3成為打開狀態，且藉由晶圓搬送機構32的搬送臂32a來從加載互鎖裝置12內的支撐部(圖中未顯示)收取晶圓W而自加載互鎖裝置12取出。 接著，當閘閥G3成為關閉狀態後，使得相對於會進行所欲處理的處理裝置之閘閥(此處為相對於處理裝置40之閘閥G5。)成為打開狀態。接著，藉由搬送臂32a來將晶圓W搬入至經減壓後之處理裝置40的處理容器100內。之後，進行升降銷106的升降等來將晶圓W載置於靜電夾具104上。 接著，使閘閥G5成為關閉狀態來讓處理裝置40的處理容器100密閉，且藉由排氣系統140來將處理容器100的內部減壓至特定真空度。又，對靜電夾具104的電極108施加直流電壓，藉此以靜電力來將晶圓W吸附保持在靜電夾具104。 接著，從氣體供應部120透過噴淋頭102來將處理氣體供應至電漿處理空間100s。又，從RF電功率供應部130來將電漿生成用的高頻電功率供應至下部電極103，藉以讓處理氣體激發來生成電漿。此時，從RF電功率供應部130亦將離子吸引用的高頻電功率供應至下部電極103。然後，藉由所生成之電漿的作用來對晶圓W施予電漿蝕刻處理。 在結束電漿蝕刻處理之際，會停止來自RF電功率供應部130之高頻電功率的供應與來自氣體供應部120之處理氣體的供應。接著，停止對電極108之直流電壓的施加，以停止靜電夾具104所致之晶圓W的吸附保持。 之後，使處理容器100的閘閥G5成為打開狀態，且以和朝處理裝置40的處理容器100之晶圓W的搬入相反的步驟順序來進行從處理裝置40的處理容器100之晶圓W的搬出，便結束一連串的晶圓處理。 此外，在將下一處理對象的晶圓W搬入至處理裝置40的處理容器100內前，會先將清潔用氣體供應至該處理容器100來進行清潔。 ＜晶圓搬送機構＞ 接著，針對晶圓搬送機構32的一範例，使用圖4及圖5來加以說明。圖4係概略顯示晶圓搬送機構32的構成之側視圖。圖5係顯示後述叉具的概略構成之仰視圖。 晶圓搬送機構32如圖4所示，係具有搬送臂32a與基台32b，而構成為可藉由搬送臂32a來一邊保持一邊搬送晶圓W。此外，晶圓搬送機構32所設置之搬送臂的數量可為複數個。 搬送臂32a係由例如多關節臂所構成。基台32b會以軸來可旋轉地支撐搬送臂32a的基端側。 搬送臂32a係具有第1關節臂201、第2關節臂202、以及會保持晶圓W而作為基板保持部之保持臂203。 第1關節臂201係其基端側會繞鉛直軸而旋轉自如地連接於基台32b。 第2關節臂202係繞鉛直軸而旋轉自如地連接於第1關節臂201的前端側。 保持臂203係繞鉛直軸而旋轉自如地連接於第2關節臂202的前端側。 基台32b係設置有會驅動搬送臂32a的升降、旋轉及伸縮之驅動部(圖中未顯示)。該驅動部係具有會產生讓搬送臂32a升降的驅動力、讓搬送臂32a水平地旋轉的驅動力、以及讓搬送臂32a在水平方向上伸縮的驅動力之馬達等驅動源。 保持臂203係於基端側具有收納部203a，且於前端側具有叉具203b。 收納部203a的內部係形成為空洞。 叉具203b例如圖5所示，係具有橫寬小於晶圓W的直徑之雙叉形狀。藉由搬送臂32a的升降，則叉具203b便會升降，且藉由搬送臂32a的旋轉或伸縮，則叉具203b便會移動於水平方向。 晶圓搬送機構32中，搬送臂32a係位在成為真空氛圍之真空搬送室31內等，基台32b係設置於成為大氣氛圍之真空搬送室31下方的空間。 又，基台32b、第1關節臂201及第2關節臂202的內部皆是與保持臂203之基端側的收納部203a同樣為空洞。然後，保持臂203之收納部203a內部的空間係通過第1關節臂201及第2關節臂202的內部而與成為大氣氛圍之基台32b內部的空間相連通。 上述般所構成之晶圓搬送機構32係藉由控制裝置50來被加以控制。 進一步地，晶圓搬送機構32如圖4所示，係設置有測距單元300。測距單元300係具有距離感測器(亦稱作感測頭。)301與單元控制器302。 距離感測器301會測定叉具203b(具體而言為該距離感測器301)到對象點的距離。距離感測器301係設置於叉具203b，具體而言，例如圖5所示，叉具203b分開成雙叉部分的一前端係設置有1個距離感測器301a，另一前端則是設置有1個距離感測器301b。 單元控制器302會在控制部51的控制下來進行距離感測器301所為之測定相關的控制。 又，使用距離感測器301之距離的測定方式係採用可在真空氛圍內以非接觸來測定之方式，例如依據光之方式。此情況下，例如，距離感測器301會將測距用光照射在對象物來接收反射光，單元控制器302會依據距離感測器301的感光結果來測定叉具203b(具體來說，距離感測器301)到對象點的距離。 使用距離感測器301之距離測定方式的更具體例舉例有白色共焦方式。當採用白色共焦方式之情況，例如係使從單元控制器302所具有之LED等光源(圖中未顯示)所供應的白色光，而讓該白色光所包含的每個波長會聚焦在不同高度之方式來從距離感測器301照射在對象物。然後，只有聚焦在對象物上之波長的光會作為反射光，而透過距離感測器301來被輸入至單元控制器302。單元控制器302會依據所輸入之光的波長，來計算出從叉具203b(具體來說，距離感測器301)到對象點的距離。此外，距離感測器301係配設為上述白色光的光軸會與鉛直方向呈略平行。 白色共焦方式僅為一例，只要是能夠以所欲精度(例如高度方向的解析度為15μm以下，水平方向的解析度為0.1mm左右)來進行測距之方式即可。 距離感測器301與單元控制器302係透過光纖303而相連接，上述測距用的光(白色光)或反射光係透過光纖303而被傳達。光纖303係介設有光開關304。 單元控制器302與光開關304係設置於真空搬送室31外部之成為大氣氛圍的空間。 光纖303係配設為會貫穿保持臂203的收納部203a及基台32b的側壁。光纖303中貫穿上述收納部203a的側壁之部分係形成有饋通部303a，俾不會損及真空搬送室31內或處理裝置40~43之處理容器100內的真空氛圍。 此外，光纖303及距離感測器301係配設為不會妨礙到保持臂203所致之晶圓W的保持。具體而言，光纖303係沿著保持臂203的下面來加以配設，距離感測器301係以當晶圓W被傳遞至保持臂203的叉具203b時，距離感測器301的上部不會抵接到該晶圓W之方式而配設於叉具203b的下面。 ＜控制部51＞ (高度的推測例1) 接著，針對在推測靜電夾具104所載置之聚焦環107的高度時之控制部51的處理來加以說明。圖6係用於聚焦環107的高度推測而作為治具基板的治具晶圓一範例之俯視圖。圖7係顯示在推測聚焦環107的高度之際，叉具203b及距離感測器301相對於載置台101的位置之圖式。 晶圓處理系統1中，靜電夾具104所載置之聚焦環107會因使用電漿之前述晶圓處理而消耗。為了判定該聚焦環107的消耗程度，晶圓處理系統1中，控制部51會依據距離感測器301所為的測定結果來推測靜電夾具104所載置之聚焦環107的高度。 又，晶圓處理系統1中，在聚焦環107的高度推測之際，係使用圖6所例示般之治具晶圓Wj。治具晶圓Wj係與實際上被電漿處理之晶圓W在俯視觀看下的形狀及材料為相同。治具晶圓Wj係具有會成為聚焦環107的高度基準之基準面Ws，且以該基準面Ws會成為上側之方式來被載置於靜電夾具104。以下，便將治具晶圓Wj中，是以被載置於靜電夾具104之狀態而成為上側之面稱作上面。 治具晶圓Wj的上面在一範例中，其整體係形成為平坦地，且其整體會成為基準面Ws。 此外，治具晶圓Wj的厚度可與實際的晶圓W相同，亦可不同。又，治具晶圓Wj在不使用時會被收納在例如載置器C。 在聚焦環107的高度推測之際，控制部51會控制晶圓處理系統1的各部(即輸出控制訊號)，以藉由晶圓搬送機構32來將治具晶圓Wj載置於載置有聚焦環107之載置台101的靜電夾具104。 又，控制部51會控制晶圓處理系統1的各部，而如圖7所示般地使叉具203b位在載置有治具晶圓Wj及聚焦環107之載置台101的上方。 進一步地，控制部51會控制晶圓搬送機構32及單元控制器302(即輸出控制訊號)，以藉由距離感測器301來測定從位在載置台101上方的叉具203b到治具晶圓Wj的基準面Ws之距離，與從叉具203b(具體來說，距離感測器301)到聚焦環107之距離。具體而言，例如控制部51會控制晶圓搬送機構32及單元控制器302，來從距離感測器301將測距用光照射在治具晶圓Wj之基準面Ws中的特定基準位置，並使距離感測器301會感光到該反射光。接著，控制部51會控制單元控制器302，而依據感光結果來計算出從叉具203b到治具晶圓Wj之基準面Ws中的特定基準位置之距離Lsp。同樣地，控制部51會控制晶圓搬送機構32及單元控制器302，來從距離感測器301將測距用光照射在聚焦環107，並使距離感測器301會感光到該反射光。接著，控制部51會控制單元控制器302，而依據感光結果來計算出從叉具203b到聚焦環107之距離Lf。 此外，以下，有將｢從叉具203b到○○的距離｣省略為｢到○○的距離｣之情況。 然後，控制部51會依據到基準面Ws的距離與到聚焦環107的距離來計算出(即推測)聚焦環107的高度。例如，控制部51會依據使用上述距離Lsp與上述距離Lf之下式(1)來計算出聚焦環107的高度(具體來說，自基準面Ws起的高度)H。 式(1)：H=Lsp-Lf (高度的推測例2) 圖8係用以說明聚焦環107之高度推測的其他型態之圖式。 控制部51在距離感測器301進行到聚焦環107的距離測定之際，可如圖8所示般地控制晶圓搬送機構32來讓叉具203b移動，以使該距離感測器301a移動於特定方向。上述特定方向係指俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向，且會與叉具203b相對於處理容器100的插拔方向(圖8的上下方向)呈交叉之方向。 控制部51具體而言，當距離感測器301a在進行到聚焦環107的距離測定之際，可控制晶圓搬送機構32來使叉具203b以該叉具203b的基端為中心而旋轉，藉此讓距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向。又，控制部51亦可進行控制來使搬送臂32a以該搬送臂32a的基端為中心而旋轉，藉此讓距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向。 在如上述般地使距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向的期間，控制部51會控制單元控制器302，以使距離感測器301a連續地測定到聚焦環107之距離Lf。然後，控制部51會依據例如到治具晶圓Wj之基準面Ws的基準點之距離Lsp及到聚焦環107之距離Lf的連續性測定結果，來推測聚焦環107在上述橫切方向上的高度分布(即profile)。具體而言，控制部51會針對到聚焦環107之距離Lf的各測定點，而依據上述式(1)來計算出聚焦環107的高度H，並由各計算結果與上述各測定點的位置資訊，來製作聚焦環107在上述橫切方向上的高度分布。此外，上述各測定點的位置資訊可由搬送臂32a之各構成組件在上述距離Lf的測定時之角度及尺寸來計算出。 (高度的推測例3) 此外，如上述例2般地使叉具203b移動於上述橫切方向的情況，會有該叉具203b在移動中發生震動的情況。圖9係顯示叉具203b在移動中發生震動之情況下，聚焦環107的高度推測結果一範例之圖式。 當叉具203b發生震動的情況，若如上述例2般地推測聚焦環的高度分布D，則該分布D便如圖9所示般地，會有叉具203b的震動成分D2重疊於聚焦環107之高度的實際分布D1之情況。 為了去除上述般叉具203b之震動成分D2的影響，亦可如以下般。 亦即，如圖8所示，在叉具203b移動來使一距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向的期間，上述一距離感測器301a會連續地測定到聚焦環107之距離。又，與此並行地，另一距離感測器301b則是會連續地測定到治具晶圓Wj的基準面Ws之距離。然後，控制部51會依據距離感測器301a及距離感測器301b所為之測定中的各時間點中，到聚焦環107之距離Lft的測定結果與到基準面Ws之距離Lst的測定結果，來推測聚焦環在上述橫切方向上的高度分布D。具體而言，控制部51會針對距離感測器301a及距離感測器301b所為之測定中的各時間點，而依據上述距離Lft與上述距離Lst的差值(亦即，依據以下的式(2))來計算出聚焦環107的高度Ht。 式(2)：Lst-Lft=Ht 控制部51會針對距離感測器301a及距離感測器301b所為之測定中的各時間點，而由上述高度Ht的計算結果與距離感測器301a所為之測定點的位置資訊，來製作聚焦環107在上述橫切方向上的高度分布。 如此般所獲得的分布便會成為已去除叉具203b之震動成分D2的影響之分布。 (高度之推測例3的其他效果) 又，圖10及圖11係用以說明如上述例3般地藉由製作聚焦環107的高度分布之其他效果的圖式。 如圖10所示，會有叉具203b相對於載置台101並非平行而是傾斜的情況。此情況下，聚焦環107在上述橫切方向上自基準面Ws起的高度分布D若使用前述式(1)來加以推測，則如圖11所示般地，聚焦環107之高度的實際分布D1便會依叉具203b相對於載置台101之傾斜θ的量而有所不同。 相對於此，與上述例3同樣地，可藉由製作聚焦環107在上述橫切方向上自基準面Ws起的高度分布，來去除叉具203b相對於載置台101之傾斜θ的影響。 ＜推測方法＞ 接著，針對使用晶圓處理系統1之聚焦環107的高度推測方法一範例來加以說明。此外，聚焦環107的高度推測係在例如每經過特定期間或每處理特定片數來進行。 (步驟S1：治具晶圓Wj的搬入) 首先，在控制部51的控制下，藉由晶圓搬送機構32來將治具晶圓Wj載置於載置有聚焦環107之載置台101。 具體而言，係藉由搬送機構23的搬送臂23a來將治具晶圓Wj從載置器C取出，且使閘閥G1成為打開狀態。之後，藉由搬送臂23a來將治具晶圓Wj搬入至加載互鎖裝置12，且傳遞至加載互鎖裝置12內的支撐部(圖中未顯示)。 接著，將搬送臂23a從加載互鎖裝置12拔出，又，使閘閥G1成為關閉狀態來將加載互鎖裝置12內密閉並減壓。 當加載互鎖裝置12內的壓力成為特定壓力以下後，使閘閥G3成為打開狀態，且藉由晶圓搬送機構32的搬送臂32a來從加載互鎖裝置12內的支撐部(圖中未顯示)收取治具晶圓Wj，而從加載互鎖裝置12取出。 接著，當閘閥G3成為關閉狀態後，使得相對於聚焦環107之高度測定對象的處理裝置之閘閥(此處為相對於處理裝置40之閘閥G5。)成為打開狀態。接著，將保持有治具晶圓Wj之搬送臂32a的叉具203b插入至經減壓後之處理裝置40的處理容器100內。之後，進行升降銷106的升降，以及叉具203b從處理容器100內之拔出，且在處理容器100內透過升降銷106來將治具晶圓Wj載置於載置台101的靜電夾具104上。 (步驟S2：基準點的測定) 接著，在控制部51的控制下，藉由距離感測器301來測定從位在載置台101上方的叉具203b到治具晶圓Wj之基準面Ws中的基準點之距離Lsp。 具體而言，將叉具203b再插入至處理裝置40的處理容器100內，且使其移動至載置台101的上方。然後，分別藉由距離感測器301a及距離感測器301b來測定到治具晶圓Wj之基準面Ws中的基準點之距離Lsp。此外，叉具203b在理想狀態(沒有叉具203b相對於載置台101的傾斜，或叉具203b的下垂等之狀態)情況下之到基準面Ws中的基準點之距離Lsp(即上述距離Lsp的設計值)會預先被記憶在記憶部(圖中未顯示)。 (步驟S3：到基準面Ws之距離及到聚焦環107之距離的測定) 接著，在控制部51的控制下，藉由距離感測器301來測定從位在載置台101上方的叉具203b到聚焦環107之距離，與從上述叉具203b到基準面Ws之距離。 具體而言，例如移動叉具203b來使一距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107的該一距離感測器301a側之方向。在此移動的期間，上述一距離感測器301a會連續地測定到聚焦環107之距離，另一距離感測器301b則是會連續地測定到治具晶圓Wj的基準面Ws之距離。 進一步地，移動叉具203b來使例如上述另一距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107的該另一距離感測器301a側之方向。在此移動的期間，上述另一距離感測器301b會連續地測定到聚焦環107之距離，上述距離感測器301a則是會連續地測定到治具晶圓Wj的基準面Ws之距離。 (步驟S4：聚焦環107的高度推測) 然後，控制部51會依據步驟S3的測定結果來推測聚焦環107的高度。 具體而言，例如控制部51關於聚焦環107的距離感測器301a側，會針對步驟S3所為之測定中的各時間點，而依據上述距離Lft與上述距離Lst的差值(即上述式(2))，來計算出聚焦環107的高度Ht。控制部51會針對步驟S3所為之測定中的各時間點，而由上述高度Ht的計算結果與距離感測器301a所為之測定點的位置資訊，來製作距離感測器301a在橫切方向上之聚焦環107的高度分布。 又，控制部51針對聚焦環107的距離感測器301b側亦是與距離感測器301a側同樣地會製作距離感測器301b在橫切方向上之聚焦環107的高度分布。 此外，亦可依據步驟S2中藉由距離感測器301a及距離感測器301b所分別測定之到治具晶圓Wj之基準面Ws中的基準點之距離Lsp與該距離Lsp的設計值，來補正步驟S4中所製作之聚焦環107的高度分布。藉此，則當叉具203b因為依時變化等而因自重下垂的情況，便可由聚焦環107之高度分布的推測結果來去除該下垂的影響。 (步驟S5) 與步驟S4並行地或在步驟S4後，在控制部51的控制下將治具晶圓Wj搬出。 具體而言，係進行朝處理裝置40的處理容器100內之叉具203b的拔出及再插入以及升降銷106的升降，來讓叉具203b收取治具晶圓Wj。然後，以和朝處理裝置40的處理容器100之晶圓W的搬入相反之步驟順序來將治具晶圓Wj從處理裝置40的處理容器100搬出。 ＜本實施型態的效果＞ 如以上所述，本實施型態中，在聚焦環107的高度推測之際，係將具有聚焦環107之高度的基準面Ws之治具晶圓Wj載置於載置台101，具體而言，是載置於載置台101所具有之靜電夾具104之載置部104a的上面。然後，依據晶圓搬送機構32的叉具203b所設置之距離感測器301所為到上述基準面Ws之距離及到聚焦環107之距離的測定結果，來推測聚焦環107的高度。因此，即便是如圖3所示般地將複數凸部104b設置於載置台101的靜電夾具104之載置部104a的上面，仍可正確地推測聚焦環107的高度。 此外，在聚焦環107的高度上非常重要的是以靜電夾具104之載置部104a的上面所載置之晶圓W的上面來作為基準之高度。這是因為該高度會對電漿的鞘層形狀造成影響而影響到電漿處理結果的緣故。然而，靜電夾具104之載置部104a的上面若重複實施電漿處理，便會有消耗的情況，故會有以靜電夾具104之載置部104a的上面來作為基準所推測之聚焦環107的高度並未對應於以靜電夾具104之載置部104a的上面所載置之晶圓W的上面來作為基準之高度的情況。相對於此，本實施型態中，則是以靜電夾具104之載置部104a的上面所載置之治具晶圓Wj的上面來作為聚焦環107之高度的基準面Ws。然後，由於治具晶圓Wj在電漿處理中是位在處理容器100外，故不會消耗。於是，如本實施型態般所推測之聚焦環107的高度即便是靜電夾具104之載置部104a的上面已消耗之情況，仍會對應於以該載置部104a的上面所載置之晶圓W的上面來作為基準之高度。於是，依據本實施型態，便可正確地掌握是否為不會對電漿的鞘層形狀造成影響之範圍之聚焦環107的消耗程度。 又，依據本實施型態，便可在不將處理容器100內開放於大氣之情況下來推測聚焦環107的高度。 進一步地，本實施型態中，係使叉具203b移動來讓距離感測器301a移動於俯視觀看下會橫切聚焦環107之方向，以推測聚焦環107在上述橫切方向上的高度分布。若依據聚焦環107在上述橫切方向上之高度分布的推測結果來進行聚焦環107的壽命判斷，則相較於依據針對聚焦環107的一點之高度推測結果來進行聚焦環107的壽命判斷之情況，會具有以下的效果。亦即，當聚焦環107的消耗量在該聚焦環107的徑向上具有差異之情況，可更正確地判斷聚焦環107的壽命。 又，本實施型態中，係針對聚焦環107中稱作為一距離感測器301a側與另一距離感測器301b側之聚焦環107的2個部分來取得上述橫切方向上的高度分布。若依據針對該等2個部分之高度分布來進行聚焦環107的壽命判斷，會具有以下的效果。亦即，當聚焦環107的消耗量在該聚焦環107的周向上具有差異之情況，可更正確地判斷聚焦環107的壽命。 ＜治具晶圓的其他範例＞ 圖12及圖13分別為概略顯示治具晶圓的其他範例之俯視圖及剖面圖。 如圖12及圖13所示，治具晶圓Wj’係具有自基準面Ws而在高度方向上遠離預先設定的距離之複數補正用面Wr，複數補正用面Wr在高度方向上自基準面Ws起之距離係相異。 圖式之範例中，係分別針對距離感測器301a及距離感測器301b設置有補正用面Wr1~Wr3來作為補正用面Wr。 補正用面Wr1~Wr3係預先以良好的精度設定有自基準面Ws起之距離。圖式之範例中，治具晶圓Wj係形成有從基準面Ws凹陷之溝槽，該溝槽的底面係構成補正用面Wr1~Wr3。此外，亦可與本例不同，而是於治具晶圓Wj形成從基準面Ws突出之凸部，且以該凸部的頂面來構成補正用面Wr1~Wr3。 補正用面Wr1、Wr2、Wr3自基準面Ws起的距離分別為例如100μm、50μm、25μm。 當載置治具晶圓Wj’來加以使用的情況，在藉由距離感測器301來測定到基準面Ws的距離或到聚焦環107的距離之際，亦會測定到複數補正用面Wr的距離。例如，係藉由距離感測器301來測定到補正用面Wr1的距離與到補正用面Wr2的距離。 然後，控制部51會依據所測定之到複數補正用面Wr之距離的測定結果，來補正距離感測器301所為的測定結果。具體而言，控制部51會取得例如所測定之藉由距離感測器301而被測定之到補正用面Wr1的距離與到補正用面Wr2的距離之差值。然後，控制部51會補正距離感測器301所為的測定結果，以使該差值接近該差值的設計值。藉此，便可藉由距離感測器301來更正確地測定到基準面Ws的距離或到聚焦環107的距離，從而可更正確地推測聚焦環107的高度。上述差值的設計值係預先被記憶在記憶部(圖中未顯示)。 此外，使用治具晶圓Wj’來如前述例3般地推測聚焦環107的高度之情況，係將補正用面Wr設置於治具晶圓Wj’中的以下區域。亦即，將補正用面Wr設置於讓叉具203b移動時，不會因距離感測器301a、301b而妨礙到基準面Ws之距離的連續性測定之治具晶圓Wj’上的區域。 ＜晶圓搬送機構32的其他範例＞ 圖14係顯示晶圓搬送機構32的其他範例之圖式。 載置台101係如前述般地設置有加熱器109。當電漿處理時必須以加熱器109來加熱靜電夾具104的情況，為了抑制產能降低，較佳宜在聚焦環107的高度推測處理中亦持續加熱器109所致之加熱。此外，若持續加熱器109所致之加熱，則使叉具203b位在載置台101的上方時，便會有距離感測器301的溫度上升之情況。然後，距離感測器301所為的測定結果會有依溫度而異之情況，此情況下，依據距離感測器301所為的測定結果所推測之聚焦環107的高度便會受到溫度的影響。 為了避免上述情況，如圖14所示，可設置有會測定距離感測器301的溫度之溫度感測器401，且以溫度感測器401來測定距離感測器301在測定時之該距離感測器301的溫度。然後，控制部51可依據距離感測器301在測定時之該距離感測器301的溫度測定結果來補正該距離感測器301所為的測定結果。 溫度感測器401例如圖14所示，係設置於距離感測器301的附近。例如，溫度感測器401係設置於叉具203b的下面處鄰接於距離感測器301之位置。當設置有2個距離感測器301a、距離感測器301b來作為距離感測器301的情況，例如，係分別相對於距離感測器301a、距離感測器301b而設置有溫度感測器401。 溫度感測器401的測溫結果係透過閘道板(gateway board)402來被傳送至控制部51。閘道板402係被收納在保持臂203的收納部203a。閘道板402與溫度感測器401係透過配線403而相連接，閘道板402與控制部51係透過通訊線404而相連接。 此外，配線403係配設為會貫穿保持臂203之收納部203a的底壁。配線403中貫穿上述收納部203a的底壁之部分係形成有饋通部403a，俾不會損及真空搬送室31內或處理裝置40~43之處理容器100內的真空氛圍。 當使用溫度感測器401的情況，例如以距離感測器301來測定到聚焦環107或基準面Ws的距離之際，亦會以溫度感測器401來測定在各測定時間點之距離感測器301的溫度。具體而言，例如前述例2、例3般地，一邊使叉具203b移動一邊以距離感測器301a來連續地測距之際，亦會以溫度感測器401來測定在各測距時間點之距離感測器301的溫度。此外，以下，將｢一邊使叉具203b移動一邊以距離感測器301a來連續地測距｣稱作｢距離感測器301a所為的掃描測距｣。 又，當使用溫度感測器401的情況，係間隔著時間而以距離感測器301至少2次測定到治具晶圓Wj或治具晶圓Wj’中的特定部分之距離，並且亦會以溫度感測器401來測定在各測定時間點之距離感測器301的溫度。具體而言，係在例如距離感測器301a所為的掃描測距之前與之後，會以距離感測器301a來測定到治具晶圓Wj’中的補正用面Wr1之距離，並且亦會以溫度感測器401來取得各測定時之距離感測器301a的溫度。 控制部51會依據距離感測器301所為到治具晶圓Wj或治具晶圓Wj’中的特定部分之距離的上述至少2次測定結果，與在各測定時間點之距離感測器301的溫度測定結果，來取得距離感測器301所為的測定結果與該距離感測器301的溫度之關聯性。具體而言，例如控制部51如圖15所示，會由在距離感測器301a所為的掃描測距前藉由該距離感測器301a所測定到補正用面Wr1的距離Lt1及該測定時的溫度T1，與在距離感測器301a所為的掃描測距後藉由該距離感測器301a所測定到補正用面Wr1的距離Lt2及該測定時的溫度T2，來取得上述關聯性(即補正式)R。 然後，控制部51係會依據所取得之上述關聯性與在各測定時間點之距離感測器301的溫度，來補正在各測定時間點距離感測器301所為到聚焦環107或基準面Ws之距離的測定結果。具體而言，係依據例如所取得之圖5的關聯性R與掃描測距中在各測定時間點之距離感測器301a的溫度，來補正掃描測距中在各測定時間點之距離感測器301a所為的測定結果。 若依據該所補正之距離感測器301a所為的測定結果來計算、推測聚焦環107的高度，便可去除距離感測器301之測定中溫度變化的影響。 此外，當設置溫度感測器401且使用治具晶圓Wj’的情況，由於治具晶圓Wj’之溝槽深度的熱膨脹相較於距離感測器301之測定結果的溫度變化為非常地小，故對距離感測器301之測定結果造成的影響很少，便可忽略。此外，由於可從加熱器109的設定溫度來推測治具晶圓Wj’的溫度，故亦可由該推測結果來補正距離感測器301a所為治具晶圓Wj’之溝槽深度(即到補正用面Wr1~Wr3的距離)的測定結果。若依據該所補正之距離感測器301a所為的測定結果來計算、推測聚焦環107的高度，便可去除治具晶圓Wj’之熱膨脹的影響。 ＜環狀組件的其他範例＞ 圖16係顯示環狀組件的其他範例之圖式。 載置台101除了作為環狀組件之聚焦環107以外，如圖16所示，會有覆蓋聚焦環107的外側面般來加以配置而載置有覆蓋環500的情況。本揭示之技術亦可應用於載置台101所載置之覆蓋環500的高度推測。 本說明書所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，以各種型態來做省略、置換或變更。
1:晶圓處理系統 32:晶圓搬送機構 40~43:處理裝置 101:載置台 104:靜電夾具 107:聚焦環 203b:叉具 301、301a、301b:距離感測器 500:覆蓋環 H:聚焦環的高度 Lf:到聚焦環的距離 Lft:到聚焦環的距離 Lsp:到基準面的距離 Lst:到基準面的距離 W:晶圓 Wj:治具晶圓 Wj’:治具晶圓 Ws:基準面
圖1係顯示作為本實施型態相關的基板處理系統之晶圓處理系統的概略構成之俯視圖。 圖2係顯示處理裝置的概略構成之縱剖面圖。 圖3為靜電夾具的部分剖面放大圖。 圖4係概略顯示晶圓搬送機構的構成之側視圖。 圖5係顯示叉具的概略構成之仰視圖。 圖6係用於聚焦環的高度推測而作為治具基板的治具晶圓一範例之俯視圖。 圖7係顯示在推測聚焦環的高度之際，叉具及距離感測器相對於載置台的位置之圖式。 圖8係用以說明推測聚焦環之高度的其他型態之圖式。 圖9係顯示當叉具在移動中發生震動之情況下，聚焦環的高度推測結果一範例之圖式。 圖10係用以說明如例3般地藉由製作聚焦環的高度分布之其他效果的圖式。 圖11係用以說明如例3般地藉由製作聚焦環的高度分布之其他效果之圖式。 圖12係概略顯示治具晶圓的其他範例之俯視圖。 圖13係概略顯示治具晶圓的其他範例之剖面圖。 圖14係顯示晶圓搬送機構的其他範例之圖式。 圖15係顯示距離感測器所為的測定結果與該距離感測器的溫度之關聯性一範例之圖式。 圖16係顯示環狀組件的其他範例之圖式。
101:載置台
104:靜電夾具
107:聚焦環
203b:叉具
301:距離感測器
H:聚焦環的高度
Lf:到聚焦環的距離
Lsp:到基準面的距離
Wj:治具晶圓
Ws:基準面

Claims (8)

  1. 一種基板處理系統，具備： 基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理； 基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入； 距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離；以及 控制裝置； 該基板搬送機構係將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台； 該距離感測器係測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離與從該基板保持部到該環狀組件之距離； 該控制裝置係依據到該基準面之距離及到該環狀組件之距離的測定結果，來推測該環狀組件的高度。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中當該基板保持部在該載置台上方移動以使該距離感測器移動於俯視觀看下會橫切該環狀組件之方向的期間，該距離感測器會連續地測定從該基板保持部到該環狀組件之距離； 該控制裝置係依據到該基準面之距離的測定結果及到該環狀組件之距離的連續性測定結果，來推測該橫切方向上之該環狀組件的高度分布。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理系統，其係於該基板保持部設置有至少2個該距離感測器； 當該基板保持部在該載置台上方移動以使一該距離感測器移動於俯視觀看下會橫切該環狀組件之方向的期間，前述一該距離感測器會連續地測定從該基板保持部到該環狀組件之距離，並且，另一該距離感測器會連續地測定從該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離； 該控制裝置會依據前述一該距離感測器及前述另一該距離感測器所為之測定中的各時間點中，到該基準面之距離的測定結果與到該環狀組件之距離的測定結果，來推測該橫切方向上之該環狀組件的高度分布。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理系統，其中該治具基板係具有從該基準面而遠離相異特定距離的複數補正用面，複數補正用面在高度方向上自該基準面起的距離係相異； 該距離感測器係測定從該基板保持部到該治具基板的各該複數補正用面之距離； 該控制裝置會依據到各該複數補正用面之距離的測定結果，來補正該距離感測器所為的測定結果。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理系統，其另具有會測定該距離感測器的溫度之溫度感測器； 該控制裝置係依據該距離感測器在測定時之該距離感測器的溫度測定結果，來補正該距離感測器所為的測定結果。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中該距離感測器係至少2次測定從該基板保持部到該治具基板中的特定部分之距離； 該溫度感測器係測定該距離感測器在測定到該特定部分的距離之各時間點中之該距離感測器的溫度； 該控制裝置係依據到該特定部分的距離之至少2次的測定結果與所測定之該各時間點中之該距離感測器的溫度，來取得該距離感測器所為的測定結果與該距離感測器的溫度之關聯性； 並依據該測定時之該距離感測器的溫度與該關聯性來補正該距離感測器所為的測定結果。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理系統，其中該環狀組件為鄰接於該載置台上的基板般所配置之聚焦環，或覆蓋該聚焦環的外側面般所配置之覆蓋環的至少任一者。
  8. 一種環狀組件的高度推測方法，係在基板處理系統中推測環狀組件的高度之方法； 該基板處理系統具備： 基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理； 基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入；以及 距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離； 包含以下工序： 藉由該基板搬送機構來將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台之工序； 以該距離感測器來測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離與從該基板保持部到該環狀組件之距離之工序；以及 依據到該基準面之距離及到該環狀組件之距離的測定結果來推測該環狀組件的高度之工序。
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