TW202237898A - 經調適用於監測邊緣晶圓溫度的反應器系統及其組裝方法以及經調適用於在反應器系統中將邊緣高溫計與晶圓邊緣對準的對準夾具 - Google Patents

經調適用於監測邊緣晶圓溫度的反應器系統及其組裝方法以及經調適用於在反應器系統中將邊緣高溫計與晶圓邊緣對準的對準夾具 Download PDF

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Abstract

一種反應器系統，經設計以在沉積步驟期間提供晶圓溫度的精確監測。反應器系統包括相對於反應室支撐及定位三個或更多個高溫計(例如，紅外(IR)高溫計)的高溫計裝配總成，以量測中心晶圓溫度及邊緣晶圓溫度還有反應室溫度。高溫計裝配總成用邊緣高溫計提供小的點位大小或溫度感測區域，以精確量測邊緣晶圓溫度。當高溫計裝配總成裝配在反應器系統中的燈觸排上或工具設置中時，提供一種夾具總成及用於各工具設置的安裝方法，用於達成IR高溫計感測點位(及邊緣高溫計)相對於晶圓的精確對準。用具合宜對準所組裝的反應器系統之晶圓邊緣溫度感測確保晶圓溫度的精確且可重複量測。

Description

具有燈觸排對準的晶圓遠端邊緣溫度量測系統
本揭露大致上係關於用於在半導體處理或反應器系統中監測晶圓溫度之方法及系統，且，更特定言之，係關於在半導體處理或反應器系統中監測晶圓之遠端邊緣溫度之方法及設備，其具有確保反應器系統之精確組裝的設計，組裝包括用於邊緣溫度監測的系統之燈觸排(lamp bank)的精確、可重複放置。
半導體處理(包括化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD))係用於在基材(諸如矽晶圓)上形成材料薄膜的眾所周知的製程。在CVD製程中，例如將待沉積材料之氣態分子供應至基材，以藉由化學反應在基材上形成彼材料的薄膜。此類經形成薄膜可係多晶、非晶、或磊晶。典型地，CVD製程在升高溫度實施以加速化學反應並產生高品質膜，且此等製程中之一些(諸如磊晶矽沉積)係在極高溫度(例如，大於900 °C)實施。
為達成所欲溫度，晶圓(或基材)使用電阻加熱、感應加熱或輻射加熱來加熱。由於輻射加熱是最有效率的技術，因此其目前是多種類型的沉積製程(包括CVD製程)的偏好方法。輻射加熱大致上涉及將紅外燈定位於含有待沉積材料於其上的基材之反應室或反應器周圍。然而，使用輻射熱的一個問題是，在一些反應器中，由於燈的局部化本質、聚焦效應、和干擾效應，燈可在基材表面上建立非均勻溫度分布(諸如局部化熱點位)。
在典型CVD製程期間，將一或多個基材放置於在反應器內之室內部的基材支撐件(例如，基座)上。基材及基材支撐件兩者均被加熱至所欲溫度。在典型基材處置步驟中，反應物氣體在經加熱基材上方傳遞，造成在基材表面上沉積所欲材料的薄層。若經沉積層具有與下伏矽表面相同的結晶結構，則經沉積層稱為磊晶層(或單晶層，因為其具有僅一個晶體結構)。通過後續製程，此等層可用以形成半導體裝置，諸如積體電路。
為確保在CVD及其他沉積製程期間之高品質層，必須謹慎控制各種製程參數，且各處置步驟期間之基材的溫度係更至關重要中之一者。例如，在CVD期間，基材溫度支配在晶圓上之材料沉積的速率，因為沉積氣體在特定溫度反應並沉積於基材上。若溫度橫跨基材表面變化，則可發生膜之不均沉積，且膜中物理性質可在基材表面上方不均勻。再者，在磊晶沉積中，甚至輕微的溫度非均勻性可導致非預期的結晶滑移。在半導體行業中，因為晶圓通常被分割為在其上具有積體電路的個別晶粒，材料在晶圓上方以均勻厚薄及均勻性質沉積係重要的。若CVD製程或其他沉積步驟產生具非均勻性之沉積層，則形成在不同晶粒上之半導體裝置可具有不一致的操作特性，或可完全失效。
圖1繪示在反應室100內用於CVD及其他沉積製程的慣例配置。如圖所示，晶圓110位於基座120上，其邊緣被基座壁架122支撐且與基座壁架122鄰接接觸。在磊晶生長期間，例如，晶圓110及基座120藉由熱輻射加熱。由於晶圓邊緣與基座壁架122之間的接觸區域係在晶圓110之遠端邊緣處，溫度分布典型不均勻，中心晶圓溫度(T-晶圓中心)與晶圓邊緣溫度(T-晶圓邊緣)不同。若此一溫度梯度足夠大，其將大幅影響所生長磊晶膜的品質，諸如藉由產生滑移缺陷及達成不良的厚度或電阻率均勻性。因此，對在磊晶生長及其他沉積製程期間精確量測及控制晶圓溫度之方法有需求(晶圓溫度包括在晶圓遠端邊緣處者)。
提供本發明內容來以簡化形式介紹一系列概念。此等概念將在以下本揭露的實例實施例之實施方式中以進一步細節描述。本發明內容並非意欲辨識所主張申請標的之關鍵特徵或基本特徵，亦非意欲用以限制所主張申請標的之範疇。
根據各種實施例，本文中揭示用於半導體處理(諸如化學氣相沉積(CVD)和其他沉積步驟)的反應器系統或設備。反應器系統經設計以在沉積步驟期間提供基材(例如，晶圓)溫度的精確監測。更具體言之，反應器系統包括經調適以相對於反應室支撐及定位三個或更多個高溫計(pyrometer)(例如，紅外(IR)高溫計)的高溫計裝配總成，以量測中心晶圓溫度及晶圓邊緣溫度還有反應室溫度。高溫計裝配總成經組態以用邊緣高溫計提供小的點位大小(或溫度感測區域)，以輔助遠端邊緣晶圓溫度量測。
額外地，當高溫計裝配總成裝配在反應器系統中的燈觸排上或各工具設置中時，提供一種夾具總成及相關聯組裝方法，用於達成IR高溫計感測點位(或邊緣高溫計)相對於晶圓的精確對準。本文中所描述的晶圓遠端邊緣溫度感測技術確保晶圓溫度的精確和可重複量測，以及使用所監測溫度的相關聯製程控制。
在一些例示性實施例中，呈現一種用於組裝經調適用於監測邊緣晶圓溫度的一反應器系統之方法。方法可包括放置一燈觸排，燈觸排係可操作以提供熱至反應室的一內室，且在經調適用於相對於反應室支撐燈觸排的一蓋上。方法可繼續將一對準夾具於一區位處裝配在燈觸排的一上表面上，區位預定義成用於可操作以進行邊緣晶圓溫度之監測的一溫度監測總成之一邊緣高溫計。進一步言，方法可包括在對準夾具中放置一邊緣感測器，邊緣感測器係可操作以感測經定位於內室中一基座上的一晶圓之一邊緣。然後，方法可涉及相對於蓋線性地移動燈觸排，且邊緣感測器操作直至晶圓的一邊緣被辨識，且然後將燈觸排牢固至蓋。邊緣感測器可係一光學光纖感測器，且晶圓之邊緣係基於晶圓與基座之一反射率差異被辨識。
在此等或其他實施例中，方法可進一步包括自燈觸排移除夾具，以及將夾具更換成溫度監測總成，且邊緣高溫計經定位於預定義成用於邊緣高溫計的區位處。在此類情況下，燈觸排可包括在預定義成用於邊緣高溫計之區位處的一傳輸通道，以在邊緣高溫計處通過燈觸排從內室接收來自基座上的晶圓的一信號。在此類實施方案中，夾具可包括當夾具在預定義成用於邊緣高溫計的區位處被裝配在燈觸排的上表面上時，用於接收邊緣偵測器的一槽，槽與傳輸通道偏移一預定義距離。
進一步言，燈觸排的上表面可在傳輸通道之對立側上包括一對對準孔，其中夾具包含一主體，主體具有用於與燈觸排之上表面配合的一底面。夾具然後包括一對對準銷，對對準銷經定大小且定位用於插入至燈觸排上的對準孔中，且燈觸排進一步包括一第二傳輸通道，第二傳輸通道具有距傳輸通道偏移預定義距離的一中心，藉此從內室並通過燈觸排傳輸一信號至邊緣感測器。例如，預定義距離可在2毫米至10毫米的範圍中，且一些實施方案使用4毫米至6毫米的範圍，且在一個原型中使用5毫米。在此等或其他實施方案中，放置燈觸排包括在相對於蓋線性地移動燈觸排期間，沿著一軸距蓋的內邊緣等距地定位燈觸排，軸與燈觸排所沿著移動的一軸正交。
在各種其他實施例中，描述經調適用於監測邊緣晶圓溫度的反應器系統。系統包括一反應室，及用於相對於反應室支撐熱燈的一蓋。進一步言，系統包括在蓋上沿一縱軸(例如，方形或矩形蓋的X及/或Y軸)可定位於或可滑動於複數個位置之一燈觸排。顯著地，系統亦包括於一區位處被裝配到燈觸排之一上表面上的一對準夾具，區位用於可操作以進行邊緣晶圓溫度之監測的一溫度監測總成之一邊緣高溫計而預定義。燈觸排包括在預定義成用於邊緣高溫計的區位處的一第一傳輸通道，用於在邊緣高溫計處接收來自反應室內的一信號。系統進一步包括一邊緣感測器，其係可操作以感測經定位於反應室中之一基座上的一晶圓之一邊緣，邊緣感測器被支撐於對準夾具之一槽中。邊緣感測器可係由對準夾具中之槽定向，以通過在燈觸排中的一第二傳輸通道接收一信號至反應室中，第二傳輸通道距第一傳輸通道偏移一預定義距離。
在一些實施例中，系統可經組態，使得在反應器系統的組裝期間，燈觸排在位置中的二或更多者之間係線性地可移動，且邊緣感測器操作直至邊緣感測器辨識晶圓的邊緣。在此類實施例中，邊緣感測器可包括一光學光纖感測器，且晶圓之邊緣係基於晶圓與基座之一反射率差異被辨識。在此等或其他實施方案中，燈觸排的上表面可在第一傳輸通道之對立側上包括一對對準孔。然後，夾具可包括一主體，主體具有用於與燈觸排之上表面配合的一底面，且夾具可進一步包括一對對準銷，對對準銷經定大小且定位用於插入至燈觸排上的對準孔中，藉此在邊緣感測器之操作期間通過燈觸排將來自邊緣感測器的信號傳輸至內室中。
在一些情況下，在當對準夾具自燈觸排移除時，系統亦包括作為溫度監測總成的部分之一裝配支架，裝備支架將邊緣高溫計支撐在燈觸排的上表面上，且邊緣高溫計在預定義成用於邊緣高溫計的區位處，藉此通過燈觸排之第一傳輸通道將來自邊緣高溫計的一信號傳輸至晶圓之邊緣附近的晶圓上的一點位上。在此等實施方案中，藉由邊緣高溫計在晶圓上生成之點位可具有在2毫米至10毫米之範圍中之一外徑，諸如4毫米至6毫米或類似者(以硬體組態的一個實施例在基座上接收的一晶圓之一上表面上產生6毫米的OD點位或感測器區域)。裝配支架可經組態以用大於溫度裝配總成之一中心高溫計之一透鏡之一長度的一長度來定義邊緣高溫計的一透鏡，用以定義點位的一大小，且第一傳輸通道之一出口作用為來自晶圓且在邊緣高溫計處所接收的信號之一信號削減(signal clipping)口，用以進一步定義從其接收信號的晶圓(或其上正在發展的膜)上的點位的大小。然後，在系統的操作期間，中心高溫計以一點位在晶圓之一中心區位處感測晶圓之一溫度，點位具有大於邊緣高溫計之點位的一外徑，藉此在兩個或更多個區位處同時監測晶圓之溫度。
在本說明書的仍有其他實施例中，呈現一種對準夾具，對準夾具經調適用於在一反應器系統中將一邊緣高溫計與一晶圓邊緣對準。此夾具可包括一主體，及延伸通過主體用於接收一光學光纖感測器的一槽。對準夾具可進一步包括一對對準銷，對對準銷在主體之一表面上，且對對準銷係間隔開一距離，距離與一邊緣高溫計之一區位處的一燈觸排之一表面上的對準孔之間的一間距距離匹配。進一步言，夾具可經組態，使得槽之一中心軸距對對準銷之間的一區位係偏移一預定義距離(例如，在2至10毫米的範圍中，在一些情況下4至6毫米係有用的)，區位與燈觸排中之一傳輸通道相關聯，傳輸通道經組態以傳輸一信號至邊緣高溫計。
對準夾具亦可包括可操作用於將光學光纖感測器緊固至主體之一夾持器。額外地，夾具可包括在主體中的一對孔，對孔用於接收在間隔開的區位處的一對緊固件，間隔開的區位匹配燈觸排之表面中的一對螺紋孔之間的一間距，對螺紋孔經提供用於將邊緣高溫計的一裝配支架緊固至燈觸排。
此等實施例之全部皆意欲在本揭露之範疇內。所屬技術領域中具有通常知識者將從已參照隨附圖式之某些實施例的下列詳細描述輕易明白此等及其他實施例，本揭露並未受限於任何所論述的(多個)特定實施例。
雖然在下文揭示某些實施例及實例，所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解本揭露延伸超出本揭露之具體揭示的實施例及/或用途，及其顯而易知的修改與等同物。因此，意欲使本揭露的範疇不應受本文中所描述之特定實施例的限制。
本文中呈現之繪示並非意指任何特定材料、設備、結構、或裝置之實際視圖，而僅係用以描述本揭露之實施例的表示。
如本文中所使用，用語「晶圓(wafer)」及「基材(substrate)」可係可互換地使用，指可用以形成或在其上可形成裝置、電路、或膜之任何(多個)下伏材料。
如本文中所使用，用語「化學氣相沉積(chemical vapor deposition)」(CVD)可指任何製程，其中將基材暴露至一或多個揮發性前驅物，前驅物在基材表面上反應及/或分解，以產生所欲沉積。
如本文中所使用，用語「原子層沉積(atomic layer deposition)」(ALD)可指氣相沉積製程，其中沉積循環(較佳地係複數個接續的沉積循環)係在製程室中實施。典型地，在各循環期間，前驅物係化學吸附至一沉積表面(例如一基材表面或一先前沉積的下伏表面，諸如來自一先前ALD循環的材料)，形成不易與額外前驅物起反應的一單層或次單層(亦即，一自限制反應)。其後，若有必要，可後續將一反應物(例如，另一前驅物或反應氣體)引入至製程室中，以用於在沉積表面上將經化學吸附之前驅物轉化成所欲材料。典型地，此反應物能夠進一步與前驅物起反應。進一步言，亦可在各循環期間利用沖洗步驟以從製程室移除過量前驅物，及/或在轉化經化學吸附之前驅物之後從製程室移除過量反應物及/或反應副產物。進一步言，如本文中所使用，當使用(多個)前驅物組成物、反應性氣體、及沖洗(例如惰性載體)氣體的交替脈衝進行時，如本文中所使用之用語「原子層沉積」亦意指包括由相關用語指定的製程，諸如「化學氣相原子層沉積」、「原子層磊晶」(ALE)、分子束磊晶(MBE)、氣體源MBE、或有機金屬MBE、及化學束磊晶。
如下文以更多細節描述，可將本揭露之各種細節及實施例結合一反應室利用，反應室經組態用於許多沉積製程，包括但不限於ALD、CVD、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、及MBE、物理氣相沉積(PVD)。本揭露之實施例亦可在半導體處理系統中利用，半導體處理系統經組態用於以反應性前驅物處理基材，其亦可包括蝕刻製程，諸如例如反應性離子蝕刻(RIE)、電容耦合電漿蝕刻(CCP)、及電子迴旋共振蝕刻(ECR)。
發明人認識到在用以形成薄膜的沉積製程期間感測並監測晶圓之遠端邊緣的溫度之重要性，且發明人建立一反應器系統，其利用具有較小視場(field of view, FOV)的邊緣高溫計，且具有支援安裝方法之穩健系統設計，以確保邊緣高溫計與各工具設置或系統組裝製程的合宜對準，以在晶圓邊緣處讀取溫度。
關於利用較小視場，在反應器系統中提供邊緣(及中心)高溫計，使得自表面晶圓(或晶圓表面上正在發展之膜)發射的電磁輻射被導向通過反射器或燈觸排開口(或高溫計通過其觀看)，以量測晶圓溫度。高溫計的工作距離可藉由其在高溫計裝配支架中的高度控制。可定義裝配支架中之圓柱形開口或光出口以容納邊緣(及中心)高溫計所欲視場，且反射器或燈觸排中之開口孔或口之尺寸可經定義以充當信號削減口，用以拒絕晶圓上的點位區域或經降低目標區域外部的能量。可定義反射器或燈觸排中之開口孔或口的位置，以確保晶圓遠端邊緣處於邊緣高溫計之視場中。藉由利用具有小感測點位的邊緣高溫計，在感測區域內晶圓之遠端邊緣上的熱梯度將係小於較大感測點位的中心高溫計者。因此，來自邊緣高溫計的溫度讀值將更靠近晶圓上的實際局部邊緣溫度。
關於達成合宜的邊緣高溫計對準以讀取晶圓邊緣溫度，具細化視場的邊緣高溫計係經定位以接收從晶圓遠端邊緣(例如，在145毫米(mm)(或R145 mm)的半徑處)的晶圓表面(或其上正在發展的膜)所發射的電磁輻射，晶圓具150 mm (R150 mm)的半徑以及外徑(OD)係5至7 mm或類似者的點位大小，且其輸出或感測溫度被反應器系統用於溫度控制。為了精確地放置邊緣高溫計(例如，在R145 mm徑向位置處)，發展一種利用對準夾具(或高溫計夾具)連同辨識晶圓邊緣(例如，R150 mm徑向位置)的邊緣感測器(例如，光學光纖感測器)之方法。
使用夾具及經修改以接收夾具並將遠端邊緣高溫計置於所欲區位(例如，將其所接收的流或能量置中於R145 mm或類似者處)的燈觸排，來將光纖感測器穩健地固持在適當位置。燈觸排可具有在擴孔上鑽鑿之一槽，以距所欲邊緣高溫計位置以一逕向偏移(例如，距R145 mm徑向位置偏移5至7 mm，或在R150 mm晶圓或基材的目前實例中在約R150 mm之徑向位置處)接收光纖感測器。夾具使用用於邊緣高溫計建立的燈觸排上的對準孔，此讓系統設計符合人體工學。當光纖感測器通過燈觸排看見或感測到晶圓邊緣(例如，在R150 mm處)時，對準方法提供一保證，只要燈觸排在此裝配位置，將能精確地將邊緣高溫計放置在所欲區位(例如，R145 mm)。
圖2繪示本說明書之反應器系統的部分視圖，其對於解釋小點位IR高溫計(亦即，系統200之邊緣高溫計224)的工作原理是有用的。示出系統200包括使用基座(未示但自圖1將理解)支撐在反應器系統200中的盤狀或圓形晶圓210，且晶圓或基材210具有暴露於反應室216中之上表面211(或沉積將在其上發生的表面)。
反應器系統200包括用於監測晶圓表面211之中心部份及晶圓210之遠端邊緣部份的溫度監測總成220。為此目的，總成220包括接收從一點位發射的電磁輻射(例如，來自紅外波段內的電磁輻射)的中心高溫計222，點位具有與晶圓210之中心/中心軸重合的中心(或經定位使得中心點位與晶圓表面211之中心部份重疊)，且進一步包括邊緣高溫計224，邊緣高溫計接收從具有在晶圓210之邊緣處或接近邊緣之中心的一點位所發射的電磁輻射(例如，具有距邊緣一小距離的中心，諸如具有在R150 mm處的邊緣的晶圓之R145 mm的徑向位置處，且具有5至7 mm的點位直徑)。
中心高溫計222具有鏡筒223，鏡筒的長度經選定，使得所接收電磁輻射係從對其提供自然焦距大小及自然焦面的視場接收，且其在晶圓表面211上提供相對大的點位大小，例如直徑在15至20 mm的範圍中。對比而言，在一些有用的實施例中組態總成220，使得邊緣高溫計的視場使用較長的透鏡或鏡筒225(長於中心高溫計222者(例如，較長75至150百分比者或類似者)調整，且使得通過反應室216的上壁之檢視通道的出口作用為信號削減口226。以此方式，與來自中心高溫計222的15至20 mm的點位大小(點位直徑)相較，藉由在晶圓210的邊緣處提供5至7 mm之點位大小(點位直徑)來降低感測區域。
圖3繪示反應器系統300，其中已在反應室310之上或之中提供本說明書的溫度監測總成330，以精確量測經歷沉積製程之晶圓的中心溫度及遠端邊緣溫度兩者。反應室可採磊晶生長(epitaxial growth, EPI)室形式，具有上部域及下部域，且溫度監測總成330可包括三個溫度量測裝置(例如，高溫計或類似者)，如以石英高溫計350、中心高溫計354、及邊緣高溫計358所示，或除此等之外還可利用更多者。
如圖所示，基座314定位於磊晶生長室310之內室311內，且連接至旋轉軸316。在磊晶生長之前，晶圓(未示出)被放置於基座314上，且然後磊晶膜之層或將生長於晶圓頂部上。氣體供應源(未示出)經由注入凸緣320連接至室310。排氣凸緣324與注入凸緣320對立地定位於系統300中。如箭頭326所示，在以系統300沉積期間，造成經混合前驅物從注入凸緣320流動至內室311中，然後從排氣凸緣324離開。磊晶生長室310進一步包括各種加熱源，其可使用如所示之燈觸排實施，燈觸排包括在其上方提供面向基座314(及在基座314上接收的晶圓之一暴露表面)的反射器334的上部燈觸排332，及提供於基座314之下側上的下部燈觸排333。
如圖所示，系統300包括可考慮包括或被附接至燈觸排332之溫度監測總成330，燈觸排可如本文中所論述經修改以促進邊緣高溫計358與基座314(或其上放置之晶圓之遠端邊緣)及反射器334之對準。如圖所示，在操作期間，電磁輻射自晶圓之上表面(或晶圓之上表面上正在發展的磊晶膜)發射，從內室311傳遞通過室之上壁以及燈觸排332中之開口或檢視通道，且隨後通過反射器334並於高溫計350、354、及358處接收。總成330包括操作以在系統300操作期間提供溫度量測的三個或更多個高溫計，且高溫計用裝配總成340裝配至燈觸排332上。如圖所示，一個(或多個)高溫計350用裝配支架342在對立於基座314之側上裝配至燈觸排332，且石英高溫計350用以量測反應室溫度，並提供回授至系統300之控制器(未示出)用於合宜冷卻控制。
顯著地，總成330中包括兩個(或更多個)高溫計以在兩個或更多個不同區位處量測晶圓溫度，且高溫計裝配至燈觸排332(同樣地，在對立於基座314的側上裝配)，且裝配之定向用以從定位在基座314上的晶圓接收由晶圓之上表面(或其上正在沉積的膜)發射之電磁輻射。中心高溫計354經裝配至燈觸排332，用以從安置於基座314上之晶圓(或其上正在發展的膜)之中心部份接收由晶圓之上表面(或其上正在沉積的膜)發射之電磁輻射(例如，用具有與可旋轉軸316及晶圓之中心軸重合的中心之點位，或點位至少與晶圓之中心重疊)。如圖所示，邊緣高溫計358用裝配支架346裝配至燈觸排，裝配支架經組態以提供細化的視場(與中心高溫計354相較)，用以聚焦在基座314上接收之晶圓的遠端邊緣。邊緣高溫計之輸出或感測的邊緣溫度被用作回授，以達成在室310內經改善之溫度控制(例如，更均勻的橫跨基座314上晶圓之溫度分布)。在圖3之系統300的示意圖中，邊緣高溫計358係位於室之前面(亦即，在相對於橫跨晶圓之膜前驅物的大致方向之上游)，但其位置可變化以實施系統300，且不限於所示之前面位置。
圖4繪示溫度監測總成330之一部份的放大視圖，顯示分別用於邊緣及中心高溫計358及354之裝配支架344及346的進一步細節。在高溫計354、358插入至裝配支架344、346，且支架344、346經貼附於燈觸排332的上表面或外表面(例如，在與室對立之反射器表面上)時，高溫計354、358通過反射器334中的開口觀看(或通過其接收電磁輻射)，以量測定位於基座314上的晶圓490的中心和邊緣溫度。
各高溫計354、358的工作距離部分地由其裝配支架344、346的高度控制。圖5繪示例如邊緣高溫計358之裝配支架346(為便於解釋係插入高溫計358之前)。如圖所示，支架346包括具有由第一內壁562所定義之透鏡收容器或通道的主體560，透鏡收容器或通道經定形狀及定大小，以接收高溫計358的鏡筒，包括具有至少與鏡筒的外徑一樣大的開口直徑(箭頭563所示)。在支架560之基底處提供銷570以用燈觸排332之上表面或外表面上所提供的對準孔與支架560精確配合，用以通過燈觸排332及反射器334對準由晶圓之上表面(或其上正在沉積的膜)所發射、通過開口或孔/傳輸通道在高溫計處所接收。
在支架出口附近，主體560包括具有出口直徑(箭頭565所示)之第二內壁564，出口直徑小於開口直徑，使得高溫計的鏡筒之端與此兩個內壁562及564之間的壁架或肩部配合。選擇由支架主體之第二內壁564所定義之圓柱形開口及支架出口，用以容納或設定用於彼特定高溫計之視場(如參照圖2所論述)。進一步言，選定反射器334中開口孔或傳輸通道的尺寸(亦即外徑)，使得反射器開口孔或傳輸通道充當邊緣高溫計358之信號削減口，以拒絕在目標經降低晶圓區域(或點位)外部的能量或光。
設計中選定或定義反射器334中之開口孔的位置，以確保晶圓遠端邊緣處於邊緣高溫計之視場中。圖6示意性地繪示在高溫計354及358的操作期間的晶圓490，以用較大的點位620(由來自中心高溫計354的能量或光之較大外徑所設定的較大點位區域)量測中心晶圓溫度，並同時用較小點位610(如所示在晶圓490之表面處由來自邊緣高溫計358的能量或光之較小外徑所設定的小點位或感測區域)量測晶圓490的邊緣(在距晶圓490之邊緣約1至5 mm的距離處或之內)溫度。藉由利用經組態(經由溫度監測總成330之組件的設計)以產生並使用小感測點位610的邊緣高溫計358，在具感測區域/點位610之晶圓490之遠端邊緣上的熱梯度在典型沉積製程期間將較少。因此，來自邊緣高溫計358的溫度讀值(其被回授至控制器用於溫度監測及反應器系統的控制)將更靠近晶圓490上之實際局部溫度。
在理解邊緣高溫計的實用性後，現在詳細解釋用以確保與基座上之受監測晶圓合宜對準的邊緣性高溫計安裝可係有用，並解釋用以確保合宜對準的對準或安裝夾具之設計。圖7繪示在對準操作期間圖3的反應器系統之一部份，以用邊緣高溫計確保合宜地監測邊緣及中心晶圓溫度，連同定位於反應器系統中的晶圓490之俯視圖。圖8繪示本說明書的燈觸排332之外表面或頂表面的放大視圖，繪示用於高溫計放置的對準孔810，和對對準孔之間的開口孔/傳輸通道820及830，開口孔/傳輸通道用於從之後接收的邊緣性高溫計和從邊緣感測器(例如光纖感測器)傳遞能量或光。圖9係圖7之燈觸排的俯視圖，顯示已安裝之高溫計對準夾具760。圖10為側截面視圖，顯示無合宜高溫計對準以及用本文中描述之方法的對準操作之後的反應器系統之兩個視圖1001及1002。
期望的是，當已安裝時，具有細化視場之邊緣高溫計將聚焦於晶圓遠端邊緣或接近此邊緣之徑向區位，例如，其聚焦點位或感測區域610之中心在R150 mm晶圓490的R145 mm處(如圖7所示)。邊緣高溫計輸出或感測之溫度將由反應器系統控制器使用於晶圓490之邊緣處的溫度控制。為精確地將邊緣高溫計放置於此徑向位置(例如，R145 mm)，發明人設計了方法及相關聯硬體，且硬體包括使用安裝或對準夾具760來相對於反應室310之燈觸排332定位的光纖感測器750(如圖7及圖9所示)。
使用夾具760穩健地固持光纖感測器。夾具760之設計與經修改燈觸排332之組合發揮功能以將遠端邊緣高溫計在被安裝在燈觸排上時被放置在所欲區位(例如，高溫計之感測器區域或點位在例如在R145 mm處)，燈觸排按下文描述的對準方法在反應器310中裝配於經對準位置。特定言之，如圖8所示，燈觸排332設計成包括一孔或傳輸通道820，來自邊緣高溫計之能量或光通過孔或傳輸通道傳遞，且來自裝配支架346之銷570在將裝配總成340及高溫計組裝至燈觸排332上期間定位在對準孔810內(在燈觸排332之對準完成之後)。
燈觸排332進一步包括鄰近於傳輸通道820延伸通過燈觸排332之槽830，槽可藉由在擴孔上鑽鑿而建立。選擇槽830相對於傳輸孔820的區位，所以定位於槽830中之光纖感測器750可讀取晶圓490之邊緣(晶圓放置於反應室310之基座上)。例如，槽可相對於晶圓490之邊緣放置在用於邊緣高溫計點位610所選擇之徑向偏移處，例如，在2毫米至10毫米之範圍中的偏移，在一些情況下，用於定位於R145 mm處之邊緣高溫計使用5 mm的偏移用於監測R150 mm的晶圓490。偏移距離之量測係從最外側對準孔820之中心到圓形槽830之中心，且兩個中心落於從所接收晶圓490之中心延伸到晶圓邊緣的線上(或從基座之旋轉軸之中心到基座上之周向點)。
夾具760經組態有在其主體762的下表面763上的銷761，且銷761經定位且定大小，以在當夾具之表面763與燈觸排332的上表面或外表面配合時，與燈觸排332上的對準孔810配合。此有助於讓對準系統符合人體工學。在對準製程中使用期間，晶圓490的邊緣(其在一些實施例中可係在R150 mm處)如圖7所示，且燈觸排332在此位置附接至反應器310，對於放置於燈觸排332上的邊緣高溫計(例如，其裝配支架代替夾具760)將位於所欲區位(例如，其感測器區域/點位被置中在R145 mm或另一所欲徑向位置處)有所保証。
進一步參照圖10，應理解發明人的任務是發展穩健的方法(及相關聯硬體)，以確保裝配支架346中的邊緣高溫計358準確地看見晶圓490的遠端邊緣，而非基座314。為此目的，對準總成或硬體包括邊緣感測器750，其可採具有窄光束大小(例如0.2 mm)之光學光纖感測器的形式，以辨識晶圓490與基座314之間的界面。此邊緣或界面辨識藉由處理用以辨識反射率差異的感測器750之輸出來達成，因為晶圓490典型具有高反射率，而基座314具有低反射率，且邊緣/界面可藉由使用邊緣感覺750辨識反射率之大改變來加以辨識。視圖1001顯示與晶圓490之邊緣未合宜定位或未對準的邊緣高溫計358，而視圖1002顯示合宜定位或對準的邊緣高溫計358，諸如使用本文中所描述之對準硬體及方法將達成者。
圖11至圖18繪示在圖3至圖10之反應器系統300中的燈觸排之示意性安裝，用以達成溫度監測總成之對準，以提供合宜的邊緣溫度監測。圖11至圖18中所示之安裝或對準方法利用對準夾具760、經修改燈觸排332、及光學光纖感測器750，以達成邊緣高溫計358之所欲對準。方法或製程以圖11所示的步驟1100開始，在工具/反應器上安裝燈觸排332。具體而言，燈觸排(或上部燈觸排)332定位於工具或反應室蓋1140上，以在注入器凸緣320與排氣凸緣324之間水平延伸於室上方。如圖1104所示，燈觸排332可讓其相對於蓋1140之內表面/邊緣的位置在X和Y方向兩者上移動(例如，如圖所示，在X方向上有5.4 mm的移動且在Y方向上有7.5 mm的移動)。
方法如圖12所示以步驟1200繼續，步驟涉及在「X」方向上相對於蓋1140放置燈觸排332。如放大視圖1208所示，此可涉及確認燈觸排332距蓋(或其内邊緣)1140在預定義距離處(例如，如在40.6 mm所示)等距地放置。燈觸排的X方向區位確保在一些實施例中觸排332的中心燈與中心注入埠口對準。接下來，如圖13所示，方法以步驟1300繼續，步驟涉及相對注入器及排氣凸緣320在「Y」方向上放置蓋1140，諸如在用以提供工具/反應室上的合宜蓋放置的兩個預定義距離處。在一個有用但非限制性實例中，蓋1140係設定在距排氣凸緣324有2 mm的距離，且距注入器凸緣320有1.34 mm的距離。
當蓋1140支撐燈觸排332且蓋1140定位在工具/反應室上之所欲或預定義的X-Y區位時，方法如圖14所示以步驟1400繼續。此步驟包括將對準或安裝夾具在邊緣高溫夾具放置區位1460處或接近區位放置在燈觸排332之上。更具體言之，如圖15之子步驟1500中所示，夾具760(其可被認為是對準夾具或光纖感測器裝配夾具)使用在夾具主體762之底面763上提供的對準銷764來在燈觸排332上穩健地對準。夾具主體762包括用於接收光學光纖感測器(例如，用於在約R150 mm處接收來自基座上的基材(或正在發展的膜)之輻射)的槽或通路1540，及用於在緊固件(未示出)被插入至孔1544中時將感測器保持於槽1540中之可滑動塊1542，用以將塊1542移動至與主體762之其他部份的鄰接接觸中。如箭頭1550所示，步驟1500包括將夾具760移動至與燈觸排332的上表面或外表面鄰接接觸，且銷764被接收至燈觸排332中的對準孔810(亦即，邊緣高溫計對準孔)中，其允許邊緣高溫計在約R145 mm處接收來自基材表面(或其上正在發展的膜)的輻射。
方法如圖16所示以步驟1600繼續，步驟中將螺絲或其他緊固件(未示出)插入至夾具主體762中的孔1680中並擰緊，以便在燈觸排332上剛性牢固或剛性裝配夾具760。接下來，如圖17所示，進行步驟1700，步驟包括將光纖感測器750放置於夾具760中(在通路1540中)，且然後使用在夾具主體762的孔1544中的夾持螺絲或其他緊固件來夾持夾具760中的光纖感測器750。以此方式，光纖750經保持，使得其與燈觸排之上表面或外表面垂直，夾具760裝配在燈觸排之上表面或外表面上。
方法如圖18所示以步驟1800繼續，步驟包括使燈觸排在「Y」方向上移動1805，且光纖感測器750操作直至晶圓490的邊緣被光纖感測器750定出位置。實務上，光纖感測器750可經組態操作，以因為反射率原理在看見晶圓邊緣時(光學光纖感測器750下方點位751處)觸發光。移動1805被停止，且燈觸排332可牢固在此X區位。方法可然後繼續移除夾具760並在燈觸排332上安裝裝配總成330，包括將裝配支架342、344、346及溫度監測總成330的高溫計350、354、358附接至燈觸排332上，藉此將邊緣高溫計358定位於一位置，在位置處邊緣高溫計所接收的信號被對準於(且接收自)基座314上燈觸排332下方放置於反應室311中的晶圓490之邊緣，諸如對準於在基材(或其上正在發展的膜)上R145 mm處讀取的點位610。
已在本文中關於具體實施例描述益處、其他優點、及問題之解決方案。然而，益處、優點、問題之解決方案及可造成任何益處、優點或解決方案發生或變成更加明顯的任何元件均不應詮釋為本揭露之至關重要、必需、或基本的特徵或元件。
在此說明書全篇中對特徵、優點、或類似語言的參照並不暗示用本揭露可實現的所有特徵及優點皆應係本發明的任何單一實施例或在其中。相反地，提及特徵和優點之語言應理解為意指連同一實施例描述的具體特徵、優點、或特性係包括在本文中所揭示之標的之至少一實施例中。因此，本說明書全篇中對特徵及優點之論述及類似語言可(但不必然)參照相同實施例。
再者，本揭露所描述之特徵、優點、及特性可在一或多個實施例中以任何合適方式組合。相關技術領域中具通常知識者將認識到，本申請案之標的可在不具有一特定實施例之具體特徵或優點之一或多者下實踐。在其他例子中，可在某些實施例中認識額外特徵及優點，其等可不存在於本揭露的所有實施例中。進一步言，在某些例子中，眾所周知的結構、材料或操作並未詳細顯示或描述，以避免混淆本揭露之標的之態樣。所有申請專利範圍元件不意欲依據35 U.S.C. 112(f)的條款解釋，除非使用短語「構件，其用於(means for)」明確地述及元件。
本揭露的範疇因此僅藉由隨附之申請專利範圍來限制，其中除非明確地如此陳述，否則以單數形提及元件並非意欲意指「一個且僅有一個(one and only one)」，而是指「一或多個(one or more)」。應理解，除非另外具體地提及，否則「一(a/an)」及/或「(the)」可包括一個或多於一個，且以單數形提及一項目亦可包括複數形的項目。進一步言，用語「複數個」可定義為「至少兩個」。如本文中所使用，當與一項目清單一起使用時，短語「至少一者」意指可使用所列項目之一或多者之不同組合，且可能僅需清單中項目中之一者。項目可係一特定物件、事物、或類別。此外，在申請專利範圍中使用類似於「A、B、及C中之至少一者」之短語時，意欲使短語解讀為意指A可單獨存在於一實施例中，B可單獨存在於一實施例中，C可單獨存在於一實施例中，或元件A、B、及C之任何組合可存在於單一實施例中；例如A和B，A和C，B和C，或A、B及C。在某些情況下，「項目A、項目B、及項目C中之至少一者」可意指例如(但不限於)兩個項目A、一個項目B、及十個項目C；四個項目B及七個項目C；或一些其他合適的組合。
本文中所揭示之所有範圍及比率限制可經組合。除非另外指明，否則用語「第一(first)」、「第二(second)」等在本文中僅用作標籤，且不意欲對此等用語所指之項目施加順序、位置、或階級要求。 此外，提及例如「第二(second)」項目不需要或不排除例如「第一(first)」或較低編號項目、及/或例如「第三(third)」或較高編號項目的存在。
對於附接、固定、連接或類似者之任何提及可包括永久、可移除、暫時、部分、完整、及/或任何其他可行的附接選項。額外地，對無接觸(或類似短語)的任何提及亦可包括降低的接觸或最小接觸。在上文描述中，可使用某些用語，諸如「上(up)」、「下(down)」、「上部(upper)」、「下部(lower)」、「水平(horizontal)」、「垂直(vertical)」、「左(left)」、「右(right)」、及類似者。此等用語用於(在適用情況下)在處理相對關係時提供描述的一些明確性。但是，此等用語並非意欲暗示絕對的關係、位置、及/或定向。例如，就一物件而言，只要將物件翻過來，「上」表面即可變成「下」表面。儘管如此，它仍是相同的物件。
額外地，在此說明書中，其中一個元件「耦接」到另一個元件的例子可包括直接和間接耦接。直接耦接可定義為與一個元件耦接至另一個元件並與其有一些接觸。間接耦接可定義為兩個彼此無直接接觸的元件之間的耦接，但在經耦接元件之間具有一或多個額外的元件。進一步言，如本文中所使用，將一個元件牢固至另一個元件可包括直接牢固及間接牢固。額外地，如本文中所使用，「鄰近(adjacent)」不必然標誌接觸。例如，一個元件可鄰近另一元件而不與彼元件接觸。
雖然本文中提出本揭露之例示性實施例，應瞭解本揭露並未因此受限。例如，雖然連同各種具體組態描述反應器系統，本揭露非必然受限於此等實例。在不偏離本揭露之精神及範疇的情況下，可對本文中提出的系統及方法作出各種修改、變化、及增強。
本揭露之標的包括本文中所揭示之各種系統、組件及組態和其他特徵、功能、動作及/或性質的所有新式及非顯而易見的組合及子組合，還有其等之任何及所有等同物。
100:反應室 110:晶圓 120:基座 122:基座壁架 200:系統 210:晶圓/基材 211:上表面 216:反應室 220:溫度監測總成 222:中心高溫計 223:鏡筒 224:邊緣高溫計 225:透鏡/鏡筒 300:反應器系統 310:反應室 311:內室 314:基座 316:旋轉軸 320:凸緣 324:凸緣 326:箭頭 330:溫度監測總成 332:上部燈觸排 333:下部燈觸排 334:反射器 340:裝配總成 342,344,346:裝配支架 350,354,358:高溫計 490:晶圓 560:主體 562:第一內壁 563:箭頭 564:第二內壁 565:箭頭 570:銷 610:點位/區域 620:點位 750:光纖感測器/邊緣感測器 751:點位 760:夾具 762:主體 763:下表面 764:銷 810:對準孔 820:傳輸孔/傳輸通道 830:槽 1001,1002:視圖 1140:蓋 1208:放大視圖 1300,1400,1700,1800:步驟 1460:區位 1500:子步驟 1540:槽/通路 1542:可滑動塊 1544,1680:孔 1805:移動 X,Y:方向
雖然本說明書以特別指出且明確主張被視為本揭露的實施例之權利的申請專利範圍作為結論，但是當結合伴隨圖式閱讀時，可從本揭露的實施例之某些實例的描述更容易地探知本揭露之實施例的優點。圖式全篇中具有相似元件編號的元件係意欲相同。 圖1係具有習知布置之反應室的一部份之簡化橫截面視圖，具有在沉積製程期間支撐晶圓之基座。 圖2繪示本說明書之反應器系統的部分側視圖，顯示具中心高溫計及邊緣高溫計的溫度監測總成，繪示小點位IR高溫計之工作原理。 圖3繪示反應器系統之一部份的示意性截面視圖，反應器系統具有配備有本說明書之溫度監測總成之反應室。 圖4繪示溫度監測總成之一部份的放大視圖，顯示邊緣及中心高溫計之裝配支架的進一步細節。 圖5繪示圖3及圖4之邊緣高溫計支架的側截面視圖。 圖6係溫度監測期間晶圓的俯視圖，繪示用圖3及圖4之溫度監測總成的中心及遠端邊緣溫度監測。 圖7繪示在對準操作期間圖3的反應器系統的一部份，以確保邊緣及中心晶圓溫度的合宜監測，並連同用於對準目的的安裝於反應器系統中的晶圓之俯視圖。 圖8繪示本說明書的燈觸排之外表面或頂表面的放大視圖，繪示用於高溫計放置的對準孔，和對對準孔之間的開口孔/傳輸通道，開口孔/傳輸通道用於從邊緣感測器及之後接收的邊緣性高溫計傳遞能量或光。 圖9係圖7之燈觸排的俯視圖，顯示已安裝之高溫計對準夾具。 圖10為側截面視圖，顯示無合宜高溫計對準以及用本文中描述之方法的對準操作之後的反應器系統之兩個視圖。 圖11至圖18繪示在圖3至圖10之反應器系統中的燈觸排之示意性安裝，用以達成溫度監測總成之對準，以提供合宜的邊緣溫度監測。
300:反應器系統
310:反應室
311:內室
314:基座
316:旋轉軸
320:凸緣
324:凸緣
326:箭頭
330:溫度監測總成
332:上部燈觸排
333:下部燈觸排
334:反射器
340:裝配總成
342,344,346:裝配支架
350,354,358:高溫計

Claims (20)

  1. 一種組裝經調適用於監測邊緣晶圓溫度之一反應器系統的方法，其包含： 放置一燈觸排在經調適用於相對於一反應室支撐該燈觸排的一蓋上，且該燈觸排係可操作以提供熱至該反應室的一內室； 將一對準夾具於一區位處裝配在該燈觸排的一上表面上，該區位預定義成用於可操作以進行複數個邊緣晶圓溫度之監測的一溫度監測總成之一邊緣高溫計； 在該對準夾具中放置一邊緣感測器，該邊緣感測器係可操作以感測定位於該內室中一基座上的一晶圓之一邊緣； 相對於該蓋線性地移動該燈觸排，且該邊緣感測器運作直至該晶圓的一邊緣被辨識；及 將該燈觸排牢固至該蓋。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該邊緣感測器包含一光學光纖感測器，且其中該晶圓之該邊緣係基於該晶圓與該基座之一反射率差異被辨識。
  3. 如請求項1所述之方法，其進一步包含自該燈觸排移除該夾具，以及將該夾具更換成該溫度監測總成，且該邊緣高溫計經定位於預定義成用於該邊緣高溫計的該區位處。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該燈觸排包含在預定義成用於該邊緣高溫計之該區位處的一傳輸通道，用於通過該內室及該燈觸排將一信號從該基座上的該晶圓傳輸到該邊緣高溫計，且其中該夾具包括當該夾具在預定義成用於該邊緣高溫計的該區位處被裝配在該燈觸排的該上表面上時，用於接收該邊緣偵測器的一槽，該槽與該傳輸通道偏移一預定義距離。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該燈觸排的該上表面包括在該傳輸通道之對立側上的一對對準孔，其中該夾具包含一主體，該主體具有用於與該燈觸排之該上表面配合的一底面，其中該夾具包括一對對準銷，該對對準銷經定大小且定位用於插入至該燈觸排上的該等對準孔中，且其中該燈觸排進一步包括一第二傳輸通道，該第二傳輸通道具有距該傳輸通道偏移該預定義距離的一中心，藉此從該內室並通過該燈觸排接收來自該邊緣感測器的一信號。
  6. 如請求項4所述之方法，其中該預定義距離係在2毫米至10毫米的範圍中。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該放置該燈觸排包含在該相對於該蓋線性地移動該燈觸排期間，沿著一軸距該蓋的內邊緣等距地定位該燈觸排，該軸與該燈觸排所沿著移動的一軸正交。
  8. 一種經調適用於監測邊緣晶圓溫度之一反應器系統，其包含： 一反應室； 一蓋，其用於相對於該反應室支撐複數個熱燈； 一燈觸排，其在該蓋上沿一縱軸可定位於複數個位置； 一對準夾具，其在一區位處裝配在該燈觸排的一上表面上，該區位係預定義成用於一溫度監測總成之一邊緣高溫計，該溫度監測總成係可操作以進行複數個邊緣晶圓溫度之監測，其中該燈觸排包括在預定義成用於該邊緣高溫計的該區位處的一第一傳輸通道，用於在該邊緣高溫計處接收來自該反應室內的一信號；及 一邊緣感測器，其係可操作以感測經定位於該反應室中之一基座上的一晶圓之一邊緣，該邊緣感測器被支撐於該對準夾具之一槽中， 其中該邊緣感測器係由該對準夾具中之該槽定向，以通過在該燈觸排中的一第二傳輸通道接收一信號至該反應室中，該第二傳輸通道距該第一傳輸通道偏移一預定義距離。
  9. 如請求項8所述之反應器系統，其中在該反應器系統的組裝期間，該燈觸排可在該等位置中的二或更多者之間線性地移動，且該邊緣感測器運作直至該邊緣感測器辨識該晶圓的該邊緣。
  10. 如請求項9所述之反應器系統，其中該邊緣感測器包含一光學光纖感測器，且其中該晶圓之該邊緣係基於該晶圓與該基座之一反射率差異被辨識。
  11. 如請求項8所述之反應器系統，其中該燈觸排的該上表面包括在該第一傳輸通道之對立側上的一對對準孔，其中該夾具包含一主體，該主體具有用於與該燈觸排之該上表面配合的一底面，其中該夾具包括一對對準銷，該對對準銷經定大小且定位用於插入至該燈觸排上的該等對準孔中，藉此在該邊緣感測器的操作期間將該信號通過該燈觸排從該內室傳輸至該邊緣感測器。
  12. 如請求項8所述之反應器系統，其中該預定義距離係在2毫米至10毫米的範圍中。
  13. 如請求項8所述之反應器系統，其進一步包含當該對準夾具自該燈觸排移除時，該溫度監測總成包括將該邊緣高溫計支撐在該燈觸排之該上表面上的一裝配支架，且該邊緣高溫計在預定義成用於該邊緣高溫計的該區位處，藉此將一信號通過該燈觸排之該第一傳輸通道從該晶圓之該邊緣附近的該晶圓上一點位傳輸至該邊緣高溫計。
  14. 如請求項13所述之反應器系統，其中該點位具有在2毫米至10毫米範圍中的一外徑。
  15. 如請求項14所述之反應器系統，其中該裝配支架經組態以用大於該溫度裝配總成之一中心高溫計之一透鏡之一長度的一長度來定義該邊緣高溫計的一透鏡，用以定義該點位的一大小，且其中該第一傳輸通道之一出口作用為在該邊緣高溫計處所接收之該信號的一信號削減口，用以進一步定義該點位的該大小。
  16. 如請求項15所述之反應器系統，其中該中心高溫計以一點位在該晶圓之一中心區位處感測該晶圓之一溫度，該點位具有大於該邊緣高溫計之該點位的一外徑，藉此在兩個或更多個區位處同時監測該晶圓之溫度。
  17. 一種對準夾具，其經調適用於在一反應器系統中將一邊緣高溫計與一晶圓邊緣對準，該對準夾具包含： 一主體； 一槽，其延伸通過該主體用於接收一光學光纖感測器；及 一對對準銷，該對對準銷在該主體之一表面上，其中該對對準銷間隔開的一距離與在一邊緣高溫計之一區位處的一燈觸排之一表面上的複數個對準孔之間的一間距距離匹配， 其中該槽之一中心軸距該對對準銷之間的一區位係偏移一預定義距離，該區位與該燈觸排中之一傳輸通道相關聯，該傳輸通道經組態以從該邊緣高溫計傳輸一信號。
  18. 如請求項17所述之對準夾具，其中該預定義距離係在2毫米至10毫米的範圍中。
  19. 如請求項17所述之對準夾具，其進一步包含用於將該光學光纖感測器緊固至該主體之一夾持器。
  20. 如請求項17所述之對準夾具，其進一步包含在該主體中的一對孔，該對孔用於接收在間隔開的區位處的一對緊固件，該等間隔開的區位匹配該燈觸排之該表面中的一對螺紋孔之間的一間距，該對螺紋孔經提供用於將該邊緣高溫計的一裝配支架緊固至該燈觸排。
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