TW202227597A - 液晶介質 - Google Patents

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德商馬克專利公司
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Abstract

本發明係關於視情況包含可聚合化合物之液晶(LC)介質、其用於光學、光電及電子目的、尤其在LC顯示器、特別地在聚合物穩定配向(PSA)型之LC顯示器中之用途,以及關於包含其之LC顯示器、特別地PSA顯示器,特別係關於具有窄邊框之LC顯示器。

Description

液晶介質
本發明係關於液晶(LC)介質及LC介質用於光學、光電及電子目的、尤其在LC顯示器、特別地在IPS、FFS、VA或PS-VA顯示器中之用途。
目前所用之液晶顯示器(LCD)模式中之一者係TN (「扭曲向列型」)模式。然而,TN LCD具有強對比度視角依賴性的缺點。
另外,已知具有較寬視角之所謂的VA (「垂直配向」)顯示器。VA顯示器之LC單元在兩個透明電極之間含有LC介質層,其中LC介質通常具有負介電各向異性。在關斷狀態下,LC層之分子垂直於電極表面(垂直地)配向或具有傾斜之垂直配向。將電壓施加至兩個電極時,發生LC分子平行於電極表面之重新配向。
此外,已知OCB (「光學補償彎曲」)顯示器,其基於雙折射效應且具有具有所謂的「彎曲」配向及通常正介電各向異性之LC層。在施加電壓時,發生垂直於電極表面之LC分子之重新配向。另外,OCB顯示器通常含有一或多個雙折射光學延遲膜,以防止在黑暗狀態下彎曲單元對光的不期望透明性。與TN顯示器相比,OCB顯示器具有更寬視角及更短反應時間。
亦已知所謂的IPS (「面內切換」)顯示器,其在兩個基板之間含有LC層,其中兩個電極僅佈置於兩個基板中之一者上且較佳具有相互嚙合之梳狀結構。在將電壓施加至電極時,由此在該等電極之間產生具有平行於LC層之顯著分量之電場。此使得LC分子在層平面中重新配向。
另外,已報導所謂的FFS (「邊緣場切換」)顯示器(尤其參見S.H. Jung等人,Jpn. J. Appl. Phys.,第43卷,第3期,2004, 1028),其在同一基板上含有兩個電極,一個電極以梳形方式進行結構化且另一電極未經結構化。由此生成強的所謂「邊緣場」,即,靠近電極邊緣之強電場及遍及單元之具有強垂直分量以及強水平分量之電場。FFS顯示器具有低對比度視角依賴性。FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質及通常聚醯亞胺之配向層,該配向層提供LC介質分子之平面配向。
FFS顯示器可作為主動矩陣或被動矩陣顯示器進行操作。在主動矩陣顯示器之情形中,個別像素通常係藉由積體非線性主動元件(例如,電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」)))定址,而在被動矩陣顯示器之情形中,個別像素通常係如自先前技術已知藉由多工方法定址。
另外,已揭示FFS顯示器(尤其參見S.H. Lee等人,Appl. Phys. Lett. 73(20), 1998, 2882-2883及S.H. Lee等人,Liquid Crystals 39(9), 2012, 1141-1148),其具有與FFS顯示器相似之電極設計及層厚,但包含具有負介電各向異性之LC介質層,而非具有正介電各向異性之LC介質。與具有正介電各向異性之LC介質相比,具有負介電各向異性之LC介質顯示具有較小傾斜及更多扭轉定向之更有利指向矢定向,由此該等顯示器具有更高透射。顯示器進一步包含提供於至少一個基板上之較佳聚醯亞胺之配向層,該配向層與LC介質接觸並誘導LC介質之LC分子的平面排列。該等顯示器亦稱為「超亮度FFS (UB-FFS)」模式顯示器。該等顯示器需要具有高可靠性之LC介質。
下文所用之術語「可靠性」意指顯示器在一段時間期間且在不同應力負荷(例如光負荷、溫度、濕度、電壓)下之性能品質,且包含顯示效應,例如殘影(區域及線殘影)、不均勻(mura)、污垢等,該等係熟習LC顯示器領域之技術者已知的。作為對可靠性進行分類之標準參數,通常使用電壓保持率(VHR)值,其係在測試顯示中維持恆定電壓之量度。除其他因素以外,高VHR係LC介質之高可靠性的先決條件。
在最近類型之VA顯示器中,LC分子之均勻配向侷限於LC單元內之複數個相對較小域中。該等域之間可存在向錯,亦稱為傾斜域。與習用VA顯示器相比,具有傾斜域之VA顯示器具有更大之對比度及灰度視角獨立性。另外,此類型之顯示器生產更簡單,此乃因不再需要例如藉由摩擦對電極表面進行額外處理以使分子在接通狀態下均勻配向。相反,傾斜或預傾角之優先方向係由電極之特殊設計控制。
在所謂的MVA (「多域垂直配向」)顯示器中,此通常係藉由具有引起局部預傾斜之突起部的電極來達成。因此,在施加電壓時,LC分子在單元之不同、界定區域中在不同方向上平行於電極表面配向。由此達成「受控」切換,並防止干擾向錯線之形成。儘管此配置改良顯示器之視角,然而,此導致其對光之透明性降低。MVA之進一步發展僅在一個電極側使用突起部,同時相對電極具有狹縫,此改良對光之透明性。狹縫電極在施加電壓時在LC單元中產生不均勻電場,此意味著仍可達成受控切換。為進一步改良對光之透明性,可增加狹縫與突起部之間之間隔,但此轉而導致反應時間延長。在所謂的PVA (「圖案化VA」)顯示器中,突起部變得完全多餘,此乃因兩個電極均藉助相對側上之狹縫結構化,此導致增加之對比度及經改良之對光之透明性,但在技術上困難且使得顯示器對機械影響(「敲擊」等)更敏感。然而,對於許多應用(例如監視器且特別地TV螢幕)而言,需要縮短反應時間並改良顯示器之對比度及亮度(透射率)。
進一步發展係所謂的PS (「聚合物持續」)或PSA (「聚合物持續配向」)類型之顯示器,有時亦使用術語「聚合物穩定」。在該等中,將少量(例如0.3重量%、通常<1重量%)之一或多種可聚合化合物、較佳可聚合單體化合物添加至LC介質,並在將LC介質填充於顯示器中之後,通常藉由UV光聚合、視情況同時向顯示器之電極施加電壓進行原位聚合或交聯。聚合係在LC介質呈現液晶相之溫度下、通常在室溫下實施。已證明,將可聚合液晶原或液晶化合物(亦稱為反應性液晶原或「RM」)添加至LC主體混合物尤其適宜。
除非另有說明,否則術語「PSA」在下文中通常在提及聚合物持續配向類型之顯示器時使用,且術語「PS」係在提及特定顯示模式(如PS-VA、PS-TN及諸如此類)時使用。
此外,除非另有說明,否則術語「RM」在下文中在提及可聚合液晶原或液晶化合物時使用。
同時,PS(A)原理正用於各種習用LC顯示模式中。因此,例如,PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS及PS-TN顯示器係已知的。RM之聚合較佳在PS-VA及PS-OCB顯示器之情形中係在施加電壓情況下且在PS-IPS顯示器之情形中在施加或不施加、較佳地不施加電壓情況下進行。如可在測試單元中所證實,PS(A)方法導致單元之預傾斜。在PS-OCB顯示器之情形中,例如,可穩定彎曲結構,以使得不需要或可降低偏置電壓。在PS-VA顯示器之情形中,預傾斜對反應時間具有積極效應。對於PS-VA顯示器,可使用標準MVA或PVA像素及電極佈局。然而,另外,例如亦可僅利用一個結構化電極側來管理而沒有突出部,此顯著簡化生產且同時導致極好對比度及對光之極好透明性。
PS-VA顯示器闡述於例如EP 1 170 626 A2、US 6,861,107、US 7,169,449、US 2004/0191428 A1、US 2006/0066793 A1及US 2006/0103804 A1中。PS-OCB顯示器闡述於例如T.-J- Chen等人,Jpn. J. Appl. Phys. 45, 2006, 2702-2704及S. H. Kim、L.-C- Chien, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2004, 7643-7647中。PS-IPS顯示器闡述於例如US 6,177,972及Appl. Phys. Lett. 1999, 75(21), 3264中。PS-TN顯示器闡述於例如Optics Express 2004, 12(7), 1221中。
在由誘導上述預傾角之相分離及聚合RM形成之層下方,PSA顯示器通常含有例如聚醯亞胺之配向層,其在聚合物穩定步驟之前提供LC分子之初始配向。
經摩擦聚醯亞胺層已作為配向層使用很長時間。然而,摩擦過程導致許多問題,例如不均勻、污染、靜電放電問題、碎屑等。因此,建議使用藉由光配向製備之聚醯亞胺層代替摩擦聚醯亞胺層,利用配向表面之光誘導定向排序。此可藉助光分解、光二聚化或光異構化借助偏振光來達成。
然而,仍需要包含光反應性基團之適當衍生之聚醯亞胺層。通常,此一聚醯亞胺層之生產、聚醯亞胺之處理以及凸塊或聚合物層之改良的工作量及成本相對較大。
另外,已觀察到,聚醯亞胺配向層與LC介質之某些化合物之不利相互作用通常導致顯示器電阻之降低。因此,適宜及可用LC化合物之數量顯著減少,以犧牲諸如視角依賴性、對比度及反應時間之顯示參數為代價,該等顯示參數旨在藉由使用該等LC化合物改良。因此,期望省略聚醯亞胺配向層。
對於一些顯示模式而言,此係藉由將自配向劑或添加劑添加至LC介質來達成,該自配向劑或添加劑藉由自組裝機制原位誘導期望配向,例如垂直或平面配向。由此可在基板之一或兩者上省略配向層。該等顯示模式亦稱為「自配向(self-aligned或self-aligning)」 (SA)模式。
在SA顯示器中,將少量、通常0.1至2.5%之自配向添加劑添加至LC介質。適宜自配向添加劑係例如具有有機核心基團及連接至其之一或多個極性錨定基團之化合物,該等極性錨定基團能夠與基板表面相互作用,使基板表面上之添加劑配向並亦在LC分子中誘導期望配向。較佳自配向添加劑包含例如液晶原基團及直鏈或具支鏈烷基側鏈,該側鏈經一或多個(例如)選自羥基、羧基、胺基或硫醇基團之極性錨定基團封端。自配向添加劑亦可含有一或多個可聚合基團,其可在類似於PSA製程中所用之RM之條件下聚合。
迄今,已揭示SA-VA顯示器及SA-FFS顯示器。用於誘導垂直配向、尤其用於SA-VA模式顯示器之適宜自配向添加劑揭示於例如US 2013/0182202 A1、US 2014/0138581 A1、US 2015/0166890 A1及US 2015/0252265 A1中。
SA模式亦可與PSA模式組合使用。用於此一組合模式之顯示器中之LC介質因此含有一或多種RM及一或多種自配向添加劑二者。
如上述習用LC顯示器一樣,PSA顯示器可作為主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。在主動矩陣顯示器之情形中,個別像素通常係藉由積體非線性主動元件(例如,電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」)))定址,而在被動矩陣顯示器之情形中,個別像素通常係如自先前技術已知藉由多工方法定址。
PSA顯示器亦可在形成顯示單元之基板中之一者或兩者上包含配向層。配向層通常施加於電極上(在存在該等電極之情形中),以使得其與LC介質接觸並誘導LC分子之初始配向。配向層可包含(例如)聚醯亞胺或由其組成,該聚醯亞胺亦可經摩擦或藉由光配向方法製備。
具體而言,對於監視器且尤其TV應用而言,仍期望最佳化LC顯示器之反應時間以及對比度及亮度(因此以及透射率)。PSA方法在此可提供顯著優勢。具體而言,在PS-VA、PS-IPS及PS-FFS之情形中,可在對其他參數無顯著不利影響下達成反應時間縮短,此與測試單元中之可量測預傾斜有關。
隨著對LCD需求之增加及LCD技術之發展,已設計出具有更輕且更薄之有利特徵之顯示器,包括自美學角度來看LCD之超薄設計趨勢,例如具有減小邊框面積之LCD。對具有窄邊框之輕質及超薄顯示器之需求對產品設計及製造提出新挑戰。
LCD裝置包含兩個具有電極之基板及位於由該等基板圍蔽之空間中之液晶層。影像之顯示係藉由借助施加至電極之電壓改變液晶之配向來達成。
LCD顯示器通常係藉由使用密封劑將具有像素電極、薄膜電晶體(TFT)及其他組件之第一基板黏附結合至含有共同電極之第二基板來生產。藉助毛細管力或真空經由填充開口填充由基板圍蔽之空間;隨後使用密封劑密封填充開口。
近年來,隨著液晶顯示器大小之增加,已提出所謂的「滴入式注入( one drop filling)」製程(ODF製程)作為大量生產液晶顯示器之製程(參見例如JPS63-179323及JPH10-239694),以縮短生產期間之循環時間。此係用於生產液晶顯示器之製程,其中將一滴液晶施加至基板,該基板裝配有電極且圍繞邊緣提供有密封劑。隨後將裝配有電極之第二基板在真空中安裝,密封劑藉由UV輻照部分固化且隨後藉由熱處理完全固化。由UV固化及熱固化組成之兩步製程使得固化持續時間縮短。
然而,此製程具有以下缺點:未固化狀態之密封劑與液晶接觸,且密封劑之成分能夠擴散至液晶中。
在ODF製程之情形中,區分三種製程:用於在兩個基板已接合在一起之後液晶密封劑之固化的熱固化製程、光固化製程及光固化及熱固化製程。熱固化製程之缺點在於液晶膨脹,且由於加熱,其黏度下降,此有利於與密封劑混合。
在光固化製程中,區分兩種類型之密封劑,即陽離子聚合型之彼等及自由基聚合型之彼等,在每一情形中均端視光聚合起始劑之類型而定。在陽離子聚合型密封劑之情形中,存在之問題係在光固化期間生成離子,其能夠擴散至液晶中,此導致液晶之比電阻降低。在自由基聚合型密封劑之情形中,存在之問題係固化收縮率相對較大,此可導致低黏附強度。兩種類型之密封劑(即,陽離子聚合型及自由基聚合型二者)均具有以下共同問題:未利用光輻照之陰影部分保持未固化或僅不完全固化,例如在液晶顯示器之TFT陣列基板之電子組件之金屬觸點後面或在濾色器基板之黑矩陣後面。
因此,光固化及熱固化製程已在實踐中證明尤其適宜。此特徵在於,用於基板間液晶之密封劑藉由利用光輻照經歷初次固化,隨後藉由加熱進行二次固化。在光固化及熱固化製程中,液晶在暴露於光之前或之後或在加熱之前或之後均不會被污染係至關重要的。尤其需要的係用於固化上述陰影區域之措施及用於在熱固化期間防止密封劑之成分擴散之措施。
解決方案之適宜起點係在開始將密封劑與液晶混合之前在低溫下快速固化或在密封劑中使用在液晶中溶解較少或根本不溶之組分。在低溫下快速固化意味著密封劑之壽命由於高反應性而極短,此在實踐中代表主要問題。因此,較佳使用具有長壽命且包含在液晶中具有低溶解度之組分的密封劑。
用於液晶顯示器之密封劑揭示於例如US2007/096056 A1、EP 1780587 A1、US 2003/0147034 A1及EP 2381304 A1中。
在用於液晶顯示器之密封劑固化期間對液晶之上述損壞問題甚為嚴重,具體而言若液晶本身包含可聚合組分,如在上述其中可聚合化合物原位聚合並交聯之PS (「聚合物持續」)或PSA (「聚合物持續配向」)模式之情形中一樣。
用於液晶密封劑之光起始劑特別成問題,此乃因在活化後,其釋放實際反應性自由基,該等自由基起始或加速聚合且作為小分子具有高遷移率且通常易溶於液晶。
該問題已在例如US 2009/0147206中得到解決,其提出聚合光起始劑,該等聚合光起始劑由於其基於聚丙烯酸酯之聚合物結構而意欲在固化期間留在密封劑中。此處之缺點係大的聚合光起始劑具有低遷移率,且由於其係藉由單體前體之聚合製備之事實,特別地,反應性類型之起始劑難以獲得。
很明顯,LC在顯示器之生產期間暴露於各種應力,即熱、UV及密封劑之反應性中間體。理想地,LC介質首先對於密封劑組分係惰性的,因為在所有類型之LC面板中,LC在生產製程期間將與框架密封劑相互作用,此可導致邊緣不均勻。邊框越窄,此邊緣不均勻越明顯。因此,對於窄邊框,仍需要與框架密封劑顯示很少或沒有相互作用且因此邊緣不均勻極少或沒有之LC混合物。
本發明係基於在用於顯示器之視情況包含反應性液晶元(RM)之LC介質中提供新穎適宜材料之目的,該等材料不具有上文所指示之缺點或程度有所降低。具體而言,業內仍需要具有高可靠性之液晶介質。
此外,本發明之目標係提供除熟習此項技術者已知之現有介質以外之替代介質,以拓寬可用材料之範圍,此允許對特定顯示器進行更特定最佳化。
該等目標已根據本發明藉由如本申請案中所闡述之材料及製程達成。
已發現,令人驚訝地,使用下文所闡述之液晶主體能夠達成上述有利效果。具體而言,已認識到,邊緣不均勻可藉由使用如本文所主張並闡述之液晶介質而減小至可接受位準或甚至可完全避免。
根據本發明之介質進一步以與ODF製程之優良相容性為特徵,以使得亦僅觀察到可忽略之小或沒有滴下型不均勻。同樣,本發明顯示器中之殘影處於可接受位準或不存在。
本發明係關於液晶介質,其包含一或多種式I化合物
Figure 02_image009
其中 R 11表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基、或具有最多12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烯基,其中一或多個H原子視情況經氟替代,較佳地具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基, R 12表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基或具有1至11個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷氧基、或具有最多12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烯基,較佳地具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基, 及 一或多種選自由式IIA、IIB、IIC及IID之化合物組成之群之化合物,
Figure 02_image011
其中 R 2A、R 2B、R 2C及R 2D各自彼此獨立地表示H;未經取代、經CN或CF 3單取代或至少經鹵素單取代之具有最多15個C原子之烷基或烯基,另外,其中該等基團中之一或多個CH 2基團可以使O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、
Figure 02_image013
Figure 02_image015
-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-OC-O-或-O-CO-替代, L 1至L 4各自彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2, Y      表示H、F、Cl、CF 3、CHF 2或CH 3,較佳H或CH 3,極佳H, Z 2、Z 2B及Z 2D各自彼此獨立地表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-CF=CF-或-CH=CHCH 2O-, p       表示0、1或2, q       表示0或1,且 v       表示1、2、3、4、5或6, 及 一或多種式IVa化合物,及 一或多種式IVb化合物
Figure 02_image017
其中 R 41及R 42各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基,且
Figure 02_image019
表示
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image023
, Z 4表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-C 4H 8-或-CF=CF-, 及 一或多種式V化合物
Figure 02_image025
其中 R 51、R 52表示具有1至7個C原子之烷基、具有1至7個C原子之烷氧基、或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基,
Figure 02_image027
Figure 02_image029
相同或不同地表示
  
Figure 02_image031
  
Figure 02_image033
Figure 02_image035
Z 51、Z 52各自彼此獨立地表示-CH 2-CH 2-、-CH 2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵,且 n       為1或2。
根據本發明之介質以在具有窄邊框之顯示器中之應用的有利性質為特徵,尤其與用於製造PS-VA模式之聚合物穩定顯示器之反應性液晶原組合。根據本發明之介質使具有窄邊框之顯示器成為可能,該等顯示器顯示減少之邊緣不均勻或無邊緣不均勻,同時顯示出特別適用於TV或監視器之總體有利性質,如例如低旋轉黏度、高澄清溫度、寬向列相位範圍及低臨限電壓。
除非另有說明,否則應用以下定義。
如本文所用,烷基係直鏈或具支鏈或環狀且具有1至15個C原子,較佳為直鏈且除非另有說明,否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子且因此較佳為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基或正庚基。
在本文中,具支鏈烷基較佳為異丙基、第二丁基、異丁基、異戊基、2-甲基己基或2-乙基己基。
如本文所用,環狀烷基意指具有最多12個C原子之直鏈或具支鏈烷基或烯基、較佳具有1至7個C原子之烷基,其中基團CH 2經具有3至5個C原子之碳環替代,極佳地選自由以下組成之群:環丙基、環丁基、環戊基及環戊烯基、環丙基烷基、環丁基烷基、環戊基烷基及環戊烯基烷基、甲基環丙基烷基、甲基環丁基烷基、甲基環戊基烷基及甲基環戊烯基烷基、尤其環丙基甲基、環丁基甲基、環戊基甲基及環戊烯基甲基。
在本文中,烷氧基係直鏈或具支鏈且含有1至15個C原子。其較佳為直鏈且除非另有說明,否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子且因此較佳為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基或正庚氧基。
在本文中,烯基較佳為具有2至15個C原子之烯基,其係直鏈或具支鏈且含有至少一個C-C雙鍵。其較佳係直鏈且具有2至7個C原子。因此,其較佳為乙烯基、丙-1-烯基或丙-2-烯基、丁-1-烯基、丁-2-烯基或丁-3-烯基、戊-1-烯基、戊-2-烯基、戊-3-烯基或戊-4-烯基、己-1-烯基、己-2-烯基、己-3-烯基、己-4-烯基或己-5-烯基、庚-1-烯基、庚-2-烯基、庚-3-烯基、庚-4-烯基、庚-5-烯基或庚-6-烯基。若C-C雙鍵之兩個C原子經取代,則烯基可呈E及/或Z異構物(反式/順式)之形式。一般而言,各別E異構物較佳。在烯基中,丙-2-烯基、丁-2-烯基及丁-3-烯基及戊-3-烯基及戊-4-烯基係尤佳的。
在本文中,炔基意指具有2至15個C原子之炔基,其係直鏈或具支鏈且含有至少一個C-C三鍵。1-丙炔基及2-丙炔基及1-丁炔基、2-丁炔基及3-丁炔基係較佳的。
式I化合物較佳選自式I-1至I-4之化合物之群,
Figure 02_image037
Figure 02_image039
其中 alkyl及alkyl’ 彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基, alkoxy      表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基, alkenyl     表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳2個C原子之烯基,且 alkenyl’      表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤佳具有2至3個C原子之烯基。
在實施例中,本發明之介質包含一或多種選自式I-1至I-4之化合物之式I化合物與一或多種選自式IA-1至IA-18之化合物之群之化合物:
Figure 02_image041
Figure 02_image043
Figure 02_image045
其中alkyl表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或正戊基。
較佳地,介質包含一或多種較佳選自式I-1-1至I-1-6之化合物之式I-1化合物
Figure 02_image047
Figure 02_image049
較佳地,本發明之介質包含一或多種式I-2-1及/或I-2-2之化合物
Figure 02_image051
較佳地,本發明之介質包含尤其選自式I-3-1至I-3-5之化合物之式I-3化合物
Figure 02_image053
較佳地,本發明之介質包含尤其選自式I-4-1及I-4-2之化合物之式I-4化合物
Figure 02_image055
在式IIA、IIB及IID之化合物中,Z 2可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中,Z 2及Z 2B可具有相同或不同含義。在式IID化合物中,Z 2及Z 2D可具有相同或不同含義。
在式IIA、IIB、IIC及IID之化合物中,R 2A、R 2B、R 2C及R 2D各自較佳表示具有1至6個C原子之烷基,尤其CH 3、C 2H 5、n-C 3H 7、n-C 4H 9、n-C 5H 11
在式IIA、IIB及IID之化合物中,L 1、L 2、L 3及L 4較佳表示L 1= L 2= F且L 3= L 4= F,此外L 1= F且L 2= Cl、L 1= Cl且L 2= F、L 3= F且L 4= Cl、L 3= Cl且L 4= F且Y=H。式IIA及IIB中之Z 2及Z 2B較佳各自彼此獨立地表示單鍵,此外表示-C 2H 4-橋。
若在式IIB中,Z 2=-C 2H 4-或-CH 2O-,則Z 2B較佳係單鍵,或若Z 2B= -C 2H 4-或-CH 2O-,則Z 2較佳係單鍵。
在式IID中,Z 2D較佳係單鍵或-CH 2O-。
在式IIA、IIB及IID之化合物中,(O)C vH 2v+1較佳表示OC vH 2v+1。在式IIC之化合物中,(O)C vH 2v+1較佳表示C vH 2v+1
在式IIC之化合物中,L 3及L 4較佳各自表示F。
式IIA、IIB、IIC及IID之較佳化合物於下文指示:
Figure 02_image057
Figure 02_image059
Figure 02_image061
Figure 02_image063
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
Figure 02_image075
Figure 02_image077
Figure 02_image079
其中參數a表示1或2,alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,且alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,且(O)表示氧原子或單鍵。烯基較佳表示CH 2=CH-、CH 2=CHCH 2CH 2-、CH 3-CH=CH-、CH 3-CH 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 3-CH=CH-或CH 3-CH=CH-(CH 2) 2-。
本發明之尤佳混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-10、IIA-16、IIA-18、IIA-40、IIA-41、IIA-42、IIA-43、IIB-2、IIB-10、IIB-16、IIC-1、IID-4及IID-10之化合物。
式IIA及/或IIB之化合物在混合物中作為整體之比例較佳為至少20重量%。
本發明之較佳介質包含至少一種式IIC-1化合物,
Figure 02_image081
其中alkyl及alkyl*具有上文所指示之含義,其量較佳< 5重量%、尤其> 3重量%。
具體而言,介質包含一或多種選自以下子式之式IIA-2化合物:
Figure 02_image083
Figure 02_image085
或者,較佳除式IIA-2-1至IIA-2-5之化合物以外,介質亦包含一或多種式IIA-2a-1至IIA-2a-5之化合物:
Figure 02_image087
Figure 02_image089
具體而言,介質包含一或多種選自以下子式之式IIA-10化合物:
Figure 02_image091
或者,較佳除式IIA-10-1至IIA-10-5之化合物以外,介質包含一或多種式IIA-10a-1至IIA-10a-5之化合物:
Figure 02_image093
Figure 02_image095
具體而言,介質包含一或多種選自以下子式之式IIB-10化合物:
Figure 02_image097
Figure 02_image099
或者,較佳除式IIB-10-1至IIB-10-5之化合物以外,介質包含一或多種式IIB-10a-1至IIB-10a-5之化合物:
Figure 02_image101
本發明之介質視情況包含一或多種式III之化合物
Figure 02_image103
其中 R 11及R 12各自彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中該等基團中之一或多個CH 2基團可各自彼此獨立地以O原子彼此不直接連接之方式經
Figure 02_image105
-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-替代,且其中一或多個H原子可經鹵素替代, A 1在每次出現時彼此獨立地表示 a)      1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基,其中一或兩個非毗鄰CH 2基團可經-O-或-S-替代, b)     1,4-伸苯基,其中一或兩個CH基團可經N替代,或 c)      來自以下之基團:螺[3.3]庚烷-2,6-二基、1,4-二環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基, 其中基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代, n       表示0、1或2,較佳0或1, Z 1在每次出現時彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CH 2-、-CH 2CH 2-、-(CH 2) 4-、-CH=CH-CH 2O-、-C 2F 4-、-CH 2CF 2-、-CF 2CH 2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵,且 L 11及L 12各自彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2,較佳H或F,最佳F,且 W     表示O或S。
式III化合物較佳選自式III-1及/或III-2之化合物
Figure 02_image107
其中出現之基團具有與上文在式III下所給出相同之含義且較佳地 R 11及R 12各自彼此獨立地具有最多15個C原子之烷基、烯基或烷氧基,更佳其中之一或兩者表示烷氧基,且 L 11及L 12各自較佳表示F。
較佳地,式III-1化合物選自式III-1-1至III-1-10、較佳式III-1-6之化合物之群
Figure 02_image109
Figure 02_image111
其中 alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,alkoxy及alkoxy*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,且L 11及L 12各自彼此獨立地表示F或Cl,較佳二者均為F。
較佳地,式III-2化合物選自式III-2-1至III-2-10、較佳式III-2-6之化合物之群,
Figure 02_image113
Figure 02_image115
其中 alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,alkoxy及alkoxy*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,且L 1及L 2各自彼此獨立地表示F或Cl,較佳二者表示F。
視情況,介質包含一或多種式IIIA-1及/或IIIA-2之化合物
Figure 02_image117
其中L 11及L 12具有如在式III下所給出之相同含義,(O)表示O或單鍵, R IIIA表示具有最多7個C原子之烷基或烯基或基團Cy-C mH 2m+1-, m及n相同或不同地為0、1、2、3、4、5或6,較佳1、2或3,極佳1, Cy    表示具有3、4或5個環原子之環脂肪族基團,其視情況經各自具有最多3個C原子之烷基或烯基或經鹵素或CN取代,且較佳表示環丙基、環丁基或環戊基。
式IIIA-1及/或IIIA-2之化合物作為另一選擇或除式III化合物之外、較佳另外含在介質中。
式IIIA-1及IIIA-2之極佳化合物係以下:
Figure 02_image119
其中alkoxy具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,或作為另一選擇-(CH 2) nF,其中n係2、3、4或5,較佳C 2H 4F。
在本發明之較佳實施例中,介質包含一或多種式III-3化合物
Figure 02_image121
其中 R 11、R 12相同或不同地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中該等基團中之一或多個CH 2基團視情況彼此獨立地以O原子彼此不直接連接之方式經-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、
Figure 02_image123
Figure 02_image125
、-O-、-CO-O-或-O-CO-替代,且此外其中一或多個H原子可經鹵素替代。
式III-3化合物較佳選自式III-3-1至III-3-10之化合物:
Figure 02_image127
Figure 02_image129
其中R 12表示具有1至7個C原子之烷基,較佳乙基、正丙基或正丁基,或作為另一選擇環丙基甲基、環丁基甲基或環戊基甲基,或作為另一選擇-(CH 2) nF,其中n為2、3、4或5,較佳C 2H 4F。
在本發明之較佳實施例中,介質包含一或多種式III-4至III-6、較佳式III-5之化合物,
Figure 02_image131
其中參數具有上文所給出之含義,R 11較佳表示直鏈烷基且R 12較佳表示烷氧基,其各自具有1至7個C原子。
在較佳實施例中,介質包含一或多種選自式III-7至III-9、較佳式III-8之化合物之群之式I化合物,
Figure 02_image133
其中參數具有上文所給出之含義,R 11較佳表示直鏈烷基且R 12較佳表示烷氧基,其各自具有1至7個C原子。
式IVa之較佳化合物選自式IVa-1至IVa-4之化合物:
Figure 02_image135
其中 alkyl及 alkyl*         各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
本發明之介質較佳包含至少一種式IVa-2化合物。
式IVb之較佳化合物選自式IVb-1至IVb-3之化合物:
Figure 02_image137
其中 alkyl及alkyl*    各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,且 alkenyl及alkenyl*       各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
在式IVb-1至IVb-3之化合物中,式IVb-1化合物係尤佳的。
式IVb之尤佳化合物係選自以下化合物:
Figure 02_image139
本發明之介質尤佳包含化合物IVb-1-1。
式V化合物較佳選自式V-1至V-16之化合物:
Figure 02_image141
Figure 02_image143
Figure 02_image145
其中R 1及R 2具有上文針對R 2A所指示之含義。
R 1及R 2較佳各自彼此獨立地表示直鏈具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基。
較佳介質包含一或多種式V-1、V-3、V-4、V-6、V-7、V-10、V-11、V-12、V-14、V-15及/或V-16之化合物。極佳地,介質包含一或多種式V-16化合物。
在本發明之較佳實施例中,介質另外包含一或多種式VI-1至VI-9之化合物
Figure 02_image147
Figure 02_image149
其中 R 7各自彼此獨立地具有技術方案5中針對R 2A所指示含義中之一者,且 w及x 各自彼此獨立地表示1至6。
特別佳者係包含至少一種式V-9化合物之混合物。
在本發明之較佳實施例中,介質另外包含一或多種式VII-1至VII-21之化合物,
Figure 02_image151
Figure 02_image153
Figure 02_image155
Figure 02_image157
其中 R表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基,(O)表示-O-或單鍵,且m係0、1、2、3、4、5或6且n係0、1、2、3或4。
R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
特別佳者係式VII-1、VII-2、VII-4、VII-20及VII-21之化合物。在該等化合物中,R較佳表示烷基,此外表示烷氧基,其各自具有1至5個C原子。在式VII-20化合物中,R較佳表示烷基或烯基,具體而言烷基。在式VII-21化合物中,R較佳表示烷基。
式I化合物在介質中之總濃度較佳在10%至40%、較佳12%至35%、極佳15%至30%之範圍內。
式IVa化合物在介質中之總濃度較佳在4%至20%、較佳6%至18%、極佳8%至15%之範圍內。
式IVb化合物在介質中之總濃度較佳在2%至15%、較佳3%至12%、極佳4%至10%之範圍內。
式V化合物在介質中之總濃度較佳在2%至15%、較佳3%至12%、極佳4%至10%之範圍內。
式IIA化合物在介質中之總濃度較佳在15%至50%、較佳20%至45%、極佳25%至40%之範圍內。
式IIB化合物在介質中之總濃度較佳在5%至30%、較佳8%至25%、極佳10%至20%之範圍內。
在本發明之尤佳實施例中,介質包含濃度在6%至9%範圍內之式I-1-1化合物
Figure 02_image159
及 濃度在6%至9%範圍內之式I-1-5化合物
Figure 02_image161
及 濃度在5%至8%範圍內之式I-1-6化合物
Figure 02_image163
及 濃度在10%至13%範圍內之式IVa-2-1化合物
Figure 02_image165
及 濃度在5%至8%範圍內之式IVb-1-1化合物
Figure 02_image167
及 濃度在5%至8%範圍內之式V-16-1化合物
Figure 02_image169
及 濃度在8至11%範圍內之式IIA-2-2化合物
Figure 02_image171
及 濃度在6至9%範圍內之式IIA-2-5化合物
Figure 02_image173
及 濃度在6%至9%範圍內之式IIA-10-2化合物
Figure 02_image175
及 濃度在6至9%範圍內之式IIA-10-4化合物
Figure 02_image177
及 濃度在7至10%範圍內之式IIB-10-1化合物
Figure 02_image179
及 濃度在7至10%範圍內之式IIB-10-4化合物
Figure 02_image181
在上文及下文中,不言而喻,個別混合物組分之百分比總和不超過100%。
本發明之介質較佳包含總濃度在80%至100%、更佳90%至99%、極佳95%至98%範圍內之式I-1-1、I-1-5、I-1-6、V-16-1、IVa-2-1、IVb-1-1、IIA-2-2、IIA-2-5、IIA-10-2、IIA-10-4、IIB-10-1、IIB-10-4之化合物。
本發明之介質較佳由100%之式I-1-1、I-1-5、I-1-6、V-16-1、IVa-2-1、IVb-1-1、IIA-2-2、IIA-2-5、IIA-10-2、IIA-10-4、IIB-10-1、IIB-10-4之化合物組成。
本發明進一步係關於由上述介質(本文中亦稱為主體介質)及另外手性摻雜劑組成之介質。
本發明進一步係關於由上述介質(本文中亦稱為主體介質)及另外可聚合化合物組成之介質。
本發明進一步係關於由上述介質(本文中亦稱為主體介質)及另外手性摻雜劑及可聚合化合物組成之介質。
其他較佳實施例係如下所示: a)      包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物之液晶介質,
Figure 02_image183
Figure 02_image185
其中R及alkyl具有上文針對式III所指示之含義。
b)  本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質,例如,式N-1至N-5之化合物,
Figure 02_image187
Figure 02_image189
其中R 1N及R 2N各自彼此獨立地具有針對R 2A所指示之含義,較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基,且 Z 1及Z 2各自彼此獨立地表示-C 2H 4-、-CH=CH-、-(CH 2) 4-、-(CH 2) 3O-、-O(CH 2) 3-、-CH=CHCH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH=CH-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2-或單鍵。
c)   較佳混合物包含一或多種選自以下之群之化合物:式BC之二氟二苯并色滿化合物、式CR之色滿及式PH-1及PH-2之氟化菲,
Figure 02_image191
Figure 02_image193
其中 R B1、R B2、R CR1、R CR2、R 1、R 2各自彼此獨立地具有R 2A之含義。c為0、1或2。R 1及R 2較佳彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基。
式BC及CR之尤佳化合物係BC-1至BC-7及CR-1至CR-5之化合物,
Figure 02_image195
Figure 02_image197
Figure 02_image199
其中 alkyl及alkyl*       各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,且 alkenyl及 alkenyl*        各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
極佳者係包含一種、兩種或三種式BC-2、BF-1及/或BF-2化合物之混合物。
d)  較佳混合物包含一或多種式In之二氫茚化合物,
Figure 02_image201
其中 R 11、R 12、 R 13各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基, R 12及R 13另外表示鹵素,較佳F,
Figure 02_image203
表示
Figure 02_image205
i       表示0、1或2。
式In之較佳化合物係下文所指示之式In-1至In-16之化合物:
Figure 02_image207
Figure 02_image209
特別佳者係式In-1、In-2、In-3及In-4之化合物。
e)   較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物,
Figure 02_image211
其中 R、R 1及R 2各自彼此獨立地具有上文在式IIA中針對R 2A所指示之含義,且alkyl表示具有1至6個C原子之烷基。參數s表示1或2。
式L-1至L-9之化合物較佳以5重量%至15重量%、尤其5重量%至12重量%且極尤佳8重量%至10重量%之濃度採用。
f)   較佳混合物另外包含一或多種式IIA-Y化合物
Figure 02_image213
其中R 11及R 12具有上文在式IIA中針對R 2A所給出之含義,且L 1及L 2相同或不同地表示F或Cl。
式IIA-Y之較佳化合物選自由以下子式組成之群:
Figure 02_image215
Figure 02_image217
其中Alkyl及Alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,Alkoxy表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,Alkenyl及Alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,且O表示氧原子或單鍵。Alkenyl及Alkenyl*較佳表示CH 2=CH-、CH 2=CHCH 2CH 2-、CH 3-CH=CH-、CH 3-CH 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 3-CH=CH-或CH 3-CH=CH-(CH 2) 2-。
式IIA-Y之尤佳化合物選自由以下子式組成之群:
Figure 02_image219
其中Alkoxy及Alkoxy*具有上文所定義之含義且較佳表示甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁基氧基或正戊基氧基。
本發明之液晶介質(在本文中亦稱為液晶主體混合物)適用於聚合物穩定顯示器。為此,本發明之介質視情況包含一或多種式P之可聚合化合物 P-Sp-A 1-(Z 1-A 2) z-R       P 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義: P      可聚合基團, Sp     間隔基團或單鍵, A 1、A 2較佳具有4至25個環原子之芳香族、雜芳香族、脂環族或雜環基,其亦可含有稠合環且未經取代或經L單取代或多取代, Z 1-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH 2-、-CH 2O-、-SCH 2-、-CH 2S-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CF 2S-、-SCF 2-、-(CH 2) n1-、-CF 2CH 2-、-CH 2CF 2-、-(CF 2) n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH 2-CH 2-CO-O-、-O-CO-CH 2-CH 2-、-CR 0R 00-或單鍵, R 0、R 00H或具有1至12個C原子之烷基, R      H、L或P-Sp-, L      F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基,其中一或多個非毗鄰CH 2-基團視情況以O-及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代-,且其中一或多個H原子各自視情況經P-Sp-、F或Cl替代, z       0、1、2或3, n1     為1、2、3或4。
如本文所用,術語「作用層」及「可切換層」意指電光顯示器、例如LC顯示器中包含一或多種具有結構及光學各向異性之分子(如例如LC分子)之層,該一或多種分子在外部刺激(如電場或磁場)時改變其定向,從而導致層對偏振光或非偏振光之透射率改變。
如本文所用,術語「傾斜」及「傾斜角」將理解為意指LC介質之LC分子相對於LC顯示器(在此較佳為PS或PSA顯示器)中之單元表面的傾斜配向。傾斜角在此表示LC分子之縱向分子軸(LC指向矢(director))與形成LC單元之平面平行外板之表面間的平均角(<90°)。在此處,低傾斜角值(即,偏離90°角較大之角)對應於大傾斜。用於量測傾斜角之適宜方法在實例中給出。除非另有說明,否則上下文所揭示之傾斜角值與此量測方法有關。
如本文所用,術語「反應性液晶原」及「RM」將理解為意指含有液晶原或液晶骨架及一或多個附接至其之官能團之化合物,該等官能團適於聚合且亦稱為「可聚合基團」或「P」。
除非另外陳述,否則如本文所用,術語「可聚合化合物」將理解為意指可聚合單體化合物。
如本文所用,術語「低分子量化合物」將理解為意指單體及/或並非藉由聚合反應製備之化合物,如與「聚合化合物」或「聚合物」相反。
如本文所用,術語「不可聚合化合物」將理解為意指不含適於在通常施加用於RM聚合之條件下聚合之官能團之化合物。
如本文所用,術語「液晶原基團」為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中,且意指由於其吸引及排斥相互作用之各向異性本質上有助於在低分子量或聚合物質中產生液晶(LC)相之基團。含有液晶原基團之化合物(液晶原化合物)本身不必具有LC相。液晶原化合物亦可僅在與其他化合物混合後及/或在聚合後呈現LC相行為。典型液晶原基團係(例如)剛性棒形或碟形單元。與液晶原或LC化合物結合使用之術語及定義之概述係在 Pure Appl. Chem.2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368給出。
如本文所用,術語「光學活性」及「手性」係用於能夠在向列型主體材料中誘導螺旋節距之材料(亦稱為「手性摻雜劑」)之同義詞。
如本文所用,術語「間隔基團」 (在下文中亦稱為「Sp」)已為熟習此項技術者已知且闡述於文獻中,參見(例如) Pure Appl. Chem.2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368。如本文所用,術語「間隔基團」或「間隔基」意指連接可聚合液晶原化合物中之液晶原基團及可聚合基團之撓性基團,例如伸烷基。
在上下文中,
Figure 02_image221
表示反式-1,4-伸環己基環。
在基團
Figure 02_image223
中,兩個環原子之間顯示之單鍵可連接至苯環之任何自由位置。
在上下文中,「有機基團」表示碳基或烴基團。
「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團,其中此不含其他原子(例如,-C≡C-)或視情況含有一或多個其他原子(例如,N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge) (例如,羰基等)。術語「烴基團」表示另外含有一或多個H原子且視情況含有一或多個雜原子(例如N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基團。
「鹵素」表示F、Cl、Br或I,較佳F或Cl。
-CO-、-C(=O)-及-C(O)-表示羰基,即
Figure 02_image225
碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團係(例如)芳基、烯基或炔基。具有3個以上C原子之碳基或烴基可為直鏈、具支鏈及/或環狀且亦可含有螺連接或稠合環。
術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦涵蓋多價基團,例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。
術語「芳基」表示芳香族碳基或自其衍生之基團。術語「雜芳基」表示含有一或多個較佳地選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之雜原子之如上文所定義之「芳基」。
較佳碳基及烴基係具有1至40個、較佳1至20個、極佳1至12個C原子之視情況經取代、直鏈、具支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基及烷氧基羰基氧基、具有5至30個、較佳6至25個C原子之視情況經取代之芳基或芳基氧基、或具有5至30個、較佳6至25個C原子之視情況經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳基氧基、芳基烷基氧基、芳基羰基、芳基氧基羰基、芳基羰基氧基及芳基氧基羰基氧基,其中一或多個C原子亦可經較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之雜原子替代。
其他較佳碳基及烴基係C 1-C 20烷基、C 2-C 20烯基、C 2-C 20炔基、C 3-C 20烯丙基、C 4-C 20烷基二烯基、C 4-C 20多烯基、C 6-C 20環烷基、C 4-C 15環烯基、C 6-C 30芳基、C 6-C 30烷基芳基、C 6-C 30芳基烷基、C 6-C 30烷基芳基氧基、C 6-C 30芳基烷基氧基、C 2-C 30雜芳基、C 2-C 30雜芳基氧基。
特別佳者係C 1-C 12烷基、C 2-C 12烯基、C 2-C 12炔基、C 6-C 25芳基及C 2-C 25雜芳基。
其他較佳碳基及烴基係具有1至20個、較佳1至12個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基,其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-C(R x)=C(R x)-、-C≡-、-N(R x)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代。
R x較佳表示H、F、Cl、CN、具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基鏈,此外其中一或多個非毗鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代且其中一或多個H原子可經F或Cl替代,或表示具有6至30個C原子之視情況經取代之芳基或芳基氧基或具有2至30個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳基氧基。
較佳烷基係(例如)甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十二烷基、三氟甲基、全氟-正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。
較佳烯基係(例如)乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。
較佳炔基係(例如)乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。
較佳烷氧基係(例如)甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷基氧基、正十二烷基氧基等。
較佳胺基係(例如)二甲基胺基、甲基胺基、甲基苯基胺基、苯基胺基等。
芳基及雜芳基可為單環或多環,即,其可含有一個環(例如,苯基)或兩個或更多個環,其亦可經稠合(例如,萘基)或共價鍵結(例如,聯苯),或含有稠合及連接環之組合。雜芳基含有一或多個較佳選自O、N、S及Se之雜原子。
特別佳者係具有6至25個C原子之單環、二環或三環芳基及具有5至25個環原子之單環、二環或三環雜芳基,其視情況含有稠合環且視情況經取代。其他較佳者係5、6或7員芳基及雜芳基,另外,其中一或多個CH基團可以O原子及/或S原子彼此不直接連接之方式經N、S或O替代。
較佳芳基係(例如)苯基、聯苯、聯三苯、[1,1':3',1'']聯三苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、9,10-二氫-菲、芘、二氫芘、1,2-苯并菲、苝、稠四苯、稠五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀等。
較佳雜芳基係(例如) 5員環,例如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑;6員環,例如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪;或縮合基團,例如吲哚、異吲哚、吲嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、喹喔啉、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并哢啉、菲啶、啡啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻吩、苯并噻二唑并噻吩或該等基團之組合。
上下文所提及之芳基及雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或其他芳基或雜芳基取代。
(非芳香族)脂環族及雜環基團涵蓋飽和環(即,排他性地含有單鍵之彼等)以及部分不飽和環(即,亦可含有多重鍵之彼等)。雜環含有一或多個較佳選自Si、O、N、S及Se之雜原子。
(非芳香族)脂環族及雜環基團可為單環(即,僅含有一個環(例如環己烷))或多環(即,含有複數個環(例如十氫化萘或二環辛烷))。特別佳者係飽和基團。此外,較佳者係具有5至25個環原子之單環、二環或三環基團,其視情況含有稠合環且視情況經取代。此外,較佳者係5、6、7或8員碳環基團,另外,其中一或多個C原子可經Si替代及/或一或多個CH基團可經N替代及/或一或多個非毗鄰CH 2基團可經-O-及/或-S-替代。
較佳脂環族及雜環基團係(例如) 5員基團,例如環戊烷、四氫呋喃、四氫噻吩、吡咯啶;6員基團,例如環己烷、矽雜環己烷(silinane)、環己烯、四氫吡喃、四氫硫吡喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻烷、六氫吡啶;7員基團,例如環庚烷;及稠合基團,例如四氫化萘、十氫化萘、二氫茚、二環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-亞甲基二氫茚-2,5-二基。
較佳取代基係例如溶解性促進基團,例如烷基或烷氧基;拉電子基團,例如氟、硝基或腈;或用於增加聚合物之玻璃轉換溫度(Tg)之取代基、尤其巨大基團,例如第三丁基或視情況經取代芳基。
較佳取代基(在下文中亦稱為「L S」)係例如F、Cl、Br、I、-CN、-NO 2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R x) 2、-C(=O)Y 1、-C(=O)R x、-N(R x) 2;直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基,其各自具有1至25個C原子,其中一或多個H原子可視情況經F或Cl替代;具有1至20個Si原子之視情況經取代之矽基或具有6至25個、較佳6至15個C原子之視情況經取代之芳基,
其中R x表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基,其中一或多個非毗鄰CH 2-基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代,且其中一或多個H原子各自視情況經F、Cl、P-或P-Sp-替代,且 Y 1表示鹵素。
「經取代之矽基或芳基」較佳意指經鹵素、-CN、R 0、-OR 0、-CO-R 0、-CO-O-R 0、-O-CO-R 0或-O-CO-O-R 0取代,其中R 0表示具有1至20個C原子之H或烷基。
尤佳取代基L係例如F、Cl、CN、NO 2、CH 3、C 2H 5、OCH 3、OC 2H 5、COCH 3、COC 2H 5、COOCH 3、COOC 2H 5、CF 3、OCF 3、OCHF 2、OC 2F 5,此外苯基。
A 1及A 2極佳表示
Figure 02_image227
,其中L具有上文所指示含義中之一者且r表示0、1、2、3或4,尤其
Figure 02_image229
   表示
Figure 02_image231
Figure 02_image233
Figure 02_image235
Figure 02_image237
Figure 02_image239
Figure 02_image241
可聚合基團P係適於聚合反應(例如,自由基或離子鏈聚合、聚加成或縮聚)或適於聚合物類似物反應(例如,加成或縮合至主聚合物鏈上)之基團。特別佳者係用於鏈聚合之基團(具體而言含有C=C雙鍵或-C≡C-三鍵之彼等)及適於開環聚合之基團(例如,氧雜環丁烷或環氧化物基團)。
較佳基團P選自由以下組成之群: CH 2=CW 1-CO-O-、CH 2=CW 1-CO-、
Figure 02_image243
Figure 02_image245
CH 2=CW 2-(O) k3-、CW 1=CH-CO-(O) k3-、CW 1=CH-CO-NH-、CH 2=CW 1-CO-NH-、CH 3-CH=CH-O-、(CH 2=CH) 2CH-OCO-、(CH 2=CH-CH 2) 2CH-OCO-、(CH 2=CH) 2CH-O-、(CH 2=CH-CH 2) 2N-、(CH 2=CH-CH 2) 2N-CO-、HO-CW 2W 3-、HS-CW 2W 3-、HW 2N-、HO-CW 2W 3-NH-、CH 2=CW 1-CO-NH-、CH 2=CH-(COO) k1-Phe-(O) k2-、CH 2=CH-(CO) k1-Phe-(O) k2-、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W 4W 5W 6Si-,其中W 1表示H、F、Cl、CN、CF 3、苯基或具有1至5個C原子之烷基,尤其H、F、Cl或CH 3,W 2及W 3各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基、尤其H、甲基、乙基或正丙基,W 4、W 5及W 6各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基,W 7及W 8各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基,Phe表示視情況經一或多個如上文所定義不同於P-Sp-之基團L取代之1,4-伸苯基,k 1、k 2及k 3各自彼此獨立地表示0或1,k 3較佳表示1,且k 4表示1至10之整數。
極佳基團P選自由以下組成之群: CH 2=CW 1-CO-O-、CH 2=CW 1-CO-、
Figure 02_image247
Figure 02_image249
CH 2=CW 2-O-、CH 2=CW 2-、CW 1=CH-CO-(O) k3-、CW 1=CH-CO-NH-、CH 2=CW 1-CO-NH-、(CH 2=CH) 2CH-OCO-、(CH 2=CH-CH 2) 2CH-OCO-、(CH 2=CH) 2CH-O-、(CH 2=CH-CH 2) 2N-、(CH 2=CH-CH 2) 2N-CO-、CH 2=CW 1-CO-NH-、CH 2=CH-(COO) k1-Phe-(O) k2-、CH 2=CH-(CO) k1-Phe-(O) k2-、Phe-CH=CH-及W 4W 5W 6Si-,其中W 1表示H、F、Cl、CN、CF 3、苯基或具有1至5個C原子之烷基,尤其H、F、Cl或CH 3,W 2及W 3各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基,尤其H、甲基、乙基或正丙基,W 4、W 5及W 6各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基,W 7及W 8各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基,Phe表示1,4-伸苯基,k 1、k 2及k 3各自彼此獨立地表示0或1、k 3較佳表示1,且k 4表示1至10之整數。
極佳基團P選自由以下組成之群:CH 2=CW 1-CO-O-、尤其CH 2=CH-CO-O-、CH 2=C(CH 3)-CO-O-及CH 2=CF-CO-O-、此外CH 2=CH-O-、(CH 2=CH) 2CH-O-CO-、(CH 2=CH) 2CH-O-、
Figure 02_image251
Figure 02_image253
其他較佳可聚合基團P係選自由以下組成之群:乙烯基氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物,最佳丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。
若間隔基團Sp不同於單鍵,則其較佳具有式Sp"-X",以使得各別基團P-Sp-符合式R-Sp"-X"-,其中 Sp"   表示具有1至20個、較佳1至12個C原子之直鏈或具支鏈伸烷基,其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且此外其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-NH-、-N(R 0)-、-Si(R 0R 00)-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R 00)-CO-O-、-O-CO-N(R 0)-、-N(R 0)-CO-N(R 00)-、-CH=CH-或-C≡C-替代, X"    表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-N(R 0)-、-N(R 0)-CO-、-N(R 0)-CO-N(R 00)-、-OCH 2-、-CH 2O-、-SCH 2-、-CH 2S-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CF 2S-、-SCF 2-、-CF 2CH 2-、-CH 2CF 2-、-CF 2CF 2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR 0-、-CY 2=CY 3-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-或單鍵, R 0及R 00各自彼此獨立地表示H或具有1至20個C原子之烷基,且 Y 2及Y 3各自彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。
X"較佳係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR 0-、-NR 0-CO-、-NR 0-CO-NR 00-或單鍵。
典型間隔基團Sp及-Sp"-X"-係例如-(CH 2) p1-、-(CH 2) p1-O-、-(CH 2) p1-O-CO-、-(CH 2) p1-CO-O-、-(CH 2) p1-O-CO-O-、-(CH 2CH 2O) q1-CH 2CH 2-、-CH 2CH 2-S-CH 2CH 2-、-CH 2CH 2-NH-CH 2CH 2-或-(SiR 0R 00-O) p1-,其中p1係1至12之整數,q1係1至3之整數,且R 0及R 00具有上文所指示之含義。
尤佳基團Sp及-Sp"-X"-係-(CH 2) p1-、-(CH 2) p1-O-、-(CH 2) p1-O-CO-、-(CH 2) p1-CO-O-、-(CH 2) p1-O-CO-O-,其中p1及q1具有上文所指示之含義。
尤佳基團Sp"係在每一情形中均為直鏈之伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。
在本發明之較佳實施例中,式P及其子式之化合物含有經一或多個可聚合基團P取代之間隔基團Sp,以使得基團Sp-P相當於Sp(P) s,其中s為≥2 (具支鏈可聚合基團)。
根據此較佳實施例之式P之較佳化合物係彼等其中s為2者,即,含有基團Sp(P) 2之化合物。根據此較佳實施例之式P之極佳化合物含有選自下式之基團: -X-alkyl-CHPP                                        S1 -X-alkyl-CH((CH 2) aaP)((CH 2) bbP)             S2 -X-N((CH 2) aaP)((CH 2) bbP)                        S3 -X-alkyl-CHP-CH 2-CH 2P                         S4 -X-alkyl-C(CH 2P)(CH 2P)-C aaH 2aa+1S5 -X-alkyl-CHP-CH 2P                                 S6 -X-alkyl-CPP-C aaH 2aa+1S7 -X-alkyl-CHPCHP-C aaH 2aa+1S8 其中P係如式P中所定義, alkyl 表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈伸烷基,其未經取代或經F、Cl或CN單取代或多取代且其中一或多個非毗鄰CH 2基團可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-C(R 0)=C(R 0)-、-C≡C-、-N(R 0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代,其中R 0具有上文所指示之含義, aa及bb    各自彼此獨立地表示0、1、2、3、4、5或6, X      具有針對X"所指示含義中之一者,且較佳係O、CO、SO 2、O-CO-、CO-O或單鍵。
較佳間隔基團Sp(P) 2選自式S1、S2及S3。
極佳間隔基團Sp(P) 2選自以下子式: -CHPP                                              S1a -O-CHPP                                           S1b -CH 2-CHPP                                       S1c -OCH 2-CHPP                                    S1d -CH(CH 2-P)(CH 2-P)                           S2a -OCH(CH 2-P)(CH 2-P)                        S2b -CH 2-CH(CH 2-P)(CH 2-P)                   S2c -OCH 2-CH(CH 2-P)(CH 2-P)                 S2d -CO-NH((CH 2) 2P)((CH 2) 2P)               S3a
在上下文中所闡述之式P及其子式之化合物中,P較佳選自由以下組成之群:乙烯基氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物、最佳丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。
其他較佳者係上下文所闡述之式P及其子式之化合物,其中化合物中所存在之所有可聚合基團P具有相同含義,且極佳表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯,最佳甲基丙烯酸酯。
在上下文所闡述之式P及其子式之化合物,R較佳表示P-Sp-。
其他較佳者係上下文所闡述之式P及其子式之化合物,其中Sp表示單鍵或-(CH 2) p1-、-O-(CH 2) p1-、-O-CO-(CH 2) p1或-CO-O-(CH 2) p1,其中p1係2、3、4、5或6,且若Sp係-O-(CH 2) p1-、-O-CO-(CH 2) p1或-CO-O-(CH 2) p1,則O原子或CO-基團分別連接至苯環。
其他較佳者係上下文所闡述之式P及其子式之化合物,其中至少一個基團Sp係單鍵。
其他較佳者係上下文所闡述之式P及其子式之化合物,其中至少一個基團Sp不為單鍵,且較佳選自-(CH 2) p1-、-O-(CH 2) p1-、-O-CO-(CH 2) p1或-CO-O-(CH 2) p1,其中p1係2、3、4、5或6,且若Sp係-O-(CH 2) p1-、-O-CO-(CH 2) p1或-CO-O-(CH 2) p1,則O原子或CO-基團分別連接至苯環。
式P中之極佳基團-A 1-(Z-A 2) z-選自下式
Figure 02_image255
Figure 02_image257
其中至少一個苯環經至少一個基團L取代且苯環視情況進一步經一或多個基團L或P-Sp-取代。
式P及其子式之較佳化合物選自以下較佳實施例,包括其任何組合: -       化合物中之所有P具有相同含義, -       -A 1-(Z-A 2) z-選自式A1、A2及A5, -       化合物恰好含有兩個可聚合基團(由基團P代表), -       化合物恰好含有三個可聚合基團(由基團P代表), -       P選自由以下組成之群:丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及氧雜環丁烷,極佳丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯, -       P係甲基丙烯酸酯, -       所有基團Sp係單鍵, -       基團Sp中之至少一者係單鍵且基團Sp中之至少一者不為單鍵, -       Sp當不為單鍵時,為-(CH 2) p2-、-(CH 2) p2-O-、-(CH 2) p2-CO-O-、-(CH 2) p2-O-CO-,其中p2係2、3、4、5或6,且O原子或CO-基團分別連接至苯環, -       Sp係單鍵或表示-(CH 2) p2-、-(CH 2) p2-O-、-(CH 2) p2-CO-O-、-(CH 2) p2-O-CO-,其中p2係2、3、4、5或6,且O原子或CO-基團分別連接至苯環, -       R表示P-Sp-, -       R不表示或含有可聚合基團, -       R不表示或含有可聚合基團且表示具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基,其中一或多個非毗鄰CH 2-基團視情況以O-及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代,且其中一或多個H原子各自視情況經F、Cl或L a替代, -       L或L’表示F、Cl或CN, -       L係F。
式P之適宜且較佳化合物係選自下式:
Figure 02_image259
Figure 02_image261
Figure 02_image263
Figure 02_image265
Figure 02_image267
Figure 02_image269
其中個別基團具有下列含義: P 1、P 2及P 3各自彼此獨立地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團, Sp 1、Sp 2及Sp 3各自彼此獨立地表示單鍵或具有上下文針對Sp所指示含義中之一者之間隔基團,且尤佳表示-(CH 2) p1-、-(CH 2) p1-O-、-(CH 2) p1-CO-O-、-(CH 2) p1-O-CO-或-(CH 2) p1-O-CO-O-,其中p1係1至12之整數,另外,其中基團P 1-Sp 1-、P 2-Sp 2-及P 3-Sp 3-中之一或多者可表示R aa,前提條件係所存在基團P 1-Sp 1-、P 2-Sp 2-及P 3-Sp 3-中之至少一者不為R aa, R aa表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基,此外其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經C(R 0)=C(R 00)-、-C≡C-、-N(R 0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代,且此外其中一或多個H原子可經F、Cl、CN或P 1-Sp 1-替代,尤佳表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況單或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且具支鏈基團具有至少三個C原子), R 0、R 00各自彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基, R y及R z各自彼此獨立地表示H、F、CH 3或CF 3, X 1、X 2及X 3各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵, Z 1表示-O-、-CO-、-C(R yR z)-或-CF 2CF 2-, Z 2及Z 3各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CF 2O-、-OCF 2-或-(CH 2) n-,其中n為2、3或4, L      在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基,較佳F, L'及L''        各自彼此獨立地表示H、F或Cl, k       表示0或1, r       表示0、1、2、3或4, s       表示0、1、2或3, t       表示0、1或2, x       表示0或1。
特別佳者係式P2、P13、P17、P22、P23、P24、P30、P31及P32之化合物。
其他較佳者係三反應性化合物P15至P30,尤其P17、P18、P19、P22、P23、P24、P25、P26、P30、P31及P32。
在式P1至P32之化合物中,基團
Figure 02_image271
   較佳為
Figure 02_image273
Figure 02_image275
Figure 02_image277
     
Figure 02_image279
Figure 02_image281
Figure 02_image283
其中L每次出現時相同或不同地具有上文或下文所給出含義中之一者,且較佳係F、Cl、CN、NO 2、CH 3、C 2H 5、C(CH 3) 3、CH(CH 3) 2、CH 2CH(CH 3)C 2H 5、OCH 3、OC 2H 5、COCH 3、COC 2H 5、COOCH 3、COOC 2H 5、CF 3、OCF 3、OCHF 2、OC 2F 5或P-Sp-,極佳F、Cl、CN、CH 3、C 2H 5、OCH 3、COCH 3、OCF 3或P-Sp-,更佳F、Cl、CH 3、OCH 3、COCH 3或OCF 3,尤其F或CH 3
本發明之介質包含一或多種手性摻雜劑。較佳地,該等手性摻雜劑具有在1 μm -1至150 μm -1範圍內、較佳在10 μm -1至100 μm -1範圍內之螺旋扭轉力(HTP)絕對值。在介質包含兩種或以上手性摻雜劑之情形中,該等可具有其HTP值之相反符號。此條件較佳用於一些特定實施例,此乃因其使得在一定程度上補償各別化合物之手性且由此可用於補償所得介質在裝置中之各種溫度依賴性質。然而,通常較佳地本發明介質中存在之大多數、較佳所有手性化合物具有相同的HTP值符號。
較佳地,本發明介質中存在之手性摻雜劑係液晶原化合物且最佳其自身展現液晶相。
在本發明之較佳實施例中,介質包含兩種或更多種所有均具有相同HTP代數符號之手性化合物。
個別化合物之HTP之溫度依賴性可能高或低。介質節距之溫度依賴性可藉由以相應比率混合具有不同HTP溫度依賴性之化合物來補償。
對於光學活性組分,熟習此項技術者可利用大量手性摻雜劑(其中一些係市售獲得),例如,壬酸膽固醇酯、R-811及S-811、R-1011及S-1011、R-2011及S-2011、R-3011及S-3011、R-4011及S-4011或CB15 (皆來自Merck KGaA, Darmstadt)。
尤其適宜之摻雜劑係含有一或多個手性基團及一或多個液晶原基團或一或多個與手性基團形成液晶原基團之芳香族或脂環族基團之化合物。
適宜手性基團係(例如)手性具支鏈烴基團、手性乙二醇、聯萘酚或二氧雜環戊烷,此外選自由以下組成之群之單價或多價手性基團:糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、手性經取代二醇、類固醇衍生物、萜烯衍生物、胺基酸或幾個、較佳1至5個胺基酸之序列。
較佳手性基團係糖衍生物,例如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、阿拉伯糖及右旋糖;糖醇,例如山梨糖醇、甘露醇、艾杜糖醇、半乳糖醇或其去水衍生物,尤其二去水己糖醇,例如二去水山梨糖醇酐(1,4:3,6-二去水-D-山梨糖醇酐,異山梨糖醇酐)、二去水甘露醇(異山梨糖醇)或二去水艾杜糖醇(異艾杜糖醇);糖酸,例如葡萄糖酸、古洛糖酸(gulonic acid)及古洛酮糖酸;手性取代二醇基團,例如單-或寡乙二醇或丙二醇,其中一或多個CH 2基團經烷基或烷氧基取代;胺基酸,例如丙胺酸、纈胺酸、苯基甘胺酸或苯丙胺酸或1至5個該等胺基酸之序列;類固醇衍生物,例如膽固醇基或膽酸基團;萜衍生物,例如薄荷基、新薄荷基、莰烯基、蒎烯基、萜品烯基、異長葉醇基、葑基、甲叉二氯基、桃金娘烯基、諾蔔基、香葉基、芳樟醇基、橙花基、香茅基或二氫香茅基。
本發明之介質較佳包含選自已知手性摻雜劑之群之手性摻雜劑。適宜手性基團及液晶原手性化合物闡述於(例如) DE 34 25 503、DE 35 34 777、DE 35 34 778、DE 35 34 779及DE 35 34 780、DE 43 42 280、EP 01 038 941及DE 195 41 820中。實例亦係下表F中所列示之化合物。
較佳用於本發明之手性化合物係選自由下文所示式組成之群。
特別佳者係選自由下式A-I至A-III及A-Ch之化合物組成之群之手性摻雜劑:
Figure 02_image285
其中 R a11、R a12及R b12彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,此外其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-C(R z)=C(R z)-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-替代,且此外其中一或多個H原子可各自經F、Cl、Br、I或CN替代,較佳烷基,更佳正烷基,前提條件係R a12不同於R b12R a21及R a22彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,此外其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-C(R z)=C(R z)-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-替代,且此外其中一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN替代,較佳二者為烷基、更佳正烷基, R a31、R a32及R b32彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈或具支鏈烷基,此外其中一或多個非毗鄰CH 2可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-C(R z)=C(R z)-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-替代,且此外其中一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN替代,較佳烷基、更佳正烷基,前提條件係R a32不同於R b32; R z表示H、CH 3、F、Cl或CN,較佳H或F, R 8具有上文所給出R a11之含義中之一者,較佳烷基、更佳具有1至15個C原子之正烷基, Z 8表示-C(O)O-、CH 2O、CF 2O或單鍵,較佳-C(O)O-,
A 11 定義為以下A 12,或另一選擇表示
Figure 02_image287
A 12 表示
Figure 02_image289
, 較佳地,
Figure 02_image290
Figure 02_image292
, 其中 L 12在每次出現時彼此獨立地表示鹵素、CN或具有最多12個C原子之烷基、烯基、烷氧基或烯氧基,且其中一或多個H原子視情況經鹵素替代,較佳甲基、乙基、Cl或F,尤佳F,
A 21 表示
Figure 02_image294
A 22 具有針對A 12所給出之含義
A 31 具有針對A 11所給出之含義,或另一選擇表示
Figure 02_image296
A 32 具有針對A 12所給出之含義。
n2     在每次出現時相同或不同地為0、1或2,且 n3     係1、2或3,且 r       係0、1、2、3或4。
特別佳者係選自由下列各式之化合物組成之群之摻雜劑:
Figure 02_image297
Figure 02_image299
其中 m      在每次出現時相同或不同地為1至9之整數,且 n       在每次出現時相同或不同地為2至9之整數。
特別較佳之式A化合物係式A-III化合物。其他較佳摻雜劑係下式A-IV之異山梨糖醇酐、異甘露醇或異艾杜糖醇之衍生物:
Figure 02_image301
A-IV
其中基團
Figure 02_image303
Figure 02_image305
(二去水山梨糖醇),
Figure 02_image307
(二去水甘露醇),或
Figure 02_image309
(二去水艾杜糖醇),
較佳二去水山梨糖醇, 及手性乙二醇,例如二苯基乙二醇(氫化苯偶煙)、尤其下式A-V之液晶原氫化苯偶煙衍生物:
Figure 02_image311
包括( S,S)鏡像異構物,其未顯示, 其中
Figure 02_image313
  
Figure 02_image315
   各自彼此獨立地係1,4-伸苯基,其亦可經L單、二或三取代;或1,4-伸環己基,
L      係H、F、Cl、CN或具有1至7個碳原子之視情況經鹵化之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰基氧基, c       係0或1, X      係CH 2或-C(O)-, Z 0係-COO-、-OCO-、-CH 2CH 2-或單鍵,且 R 0係具有1至12個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰基氧基。
式IV化合物之實例係:
Figure 02_image317
Figure 02_image319
式A-IV化合物闡述於WO 98/00428中。式A-V化合物闡述於GB-A-2,328,207中。
極特別佳之摻雜劑係手性聯萘衍生物(如WO 02/94805中所闡述)、手性聯萘酚縮醛衍生物(如WO 02/34739中所闡述)、手性TADDOL衍生物(如WO 02/06265中所闡述)及具有至少一個氟化橋接基團及末端或中央手性基團之手性摻雜劑(如WO 02/06196及WO 02/06195中所闡述)。
特別佳者係式A-VI之手性化合物:
Figure 02_image321
其中 X 1、X 2、Y 1及Y 2各自彼此獨立地係F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF 5、具有1至25個碳原子之直鏈或具支鏈烷基,其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且另外其中一或多個非毗鄰CH 2基團可各自彼此獨立地以O及/或S原子彼此不直接鍵結之方式經-O-、-S-、-NH-、NR x-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-替代;具有最多20個碳原子之可聚合基團或環烷基或芳基,其可視情況經鹵素、較佳F或經可聚合基團單取代或多取代, x 1及x 2各自彼此獨立地係0、1或2, y 1及y 2各自彼此獨立地係0、1、2、3或4, B 1及B 2各自彼此獨立地係芳香族或部分或完全飽和之脂肪族6員環,其中一或多個CH基團可各自經N原子替代且一或多個非毗鄰CH 2基團可各自經O或S替代, W 1及W 2各自彼此獨立地係-Z 1-A 1-(Z 2-A 2) m-R,且另一選擇兩者中之一者為R 1或A 3,但二者不同時為H,或
Figure 02_image323
Figure 02_image324
  
Figure 02_image326
U 1及U 2各自彼此獨立地係CH 2、O、S、CO或CS, V 1及V 2各自彼此獨立地係(CH 2) n,其中一至四個非毗鄰CH 2基團可各自經O或S替代,且V 1及V 2中之一者係單鍵,且在
Figure 02_image328
Figure 02_image330
之情形中, 二者均為單鍵,
n       為1、2或3 Z 1及Z 2各自彼此獨立地係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR x-、-NR x-CO-、-O-CH 2-、-CH 2-O-、-S-CH 2-、-CH 2-S-、-CF 2-O-、-O-CF 2-、-CF 2-S-、-S-CF 2-、-CH 2-CH 2-、-CF 2-CH 2-、-CH 2-CF 2-、-CF 2-CF 2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-、該等基團中之兩者的組合,其中兩個O及/或S及/或N原子彼此均不直接鍵結,較佳-CH=CH-COO-或-COO-CH=CH-,或單鍵, R x表示具有1至6個C原子之烷基, A 1、A 2及A 3各自彼此獨立地係1,4-伸苯基,其中一或兩個非毗鄰CH基團可各自經N替代;1,4-伸環己基,其中一或兩個非毗鄰CH 2基團可各自經O或S替代;1,3-二氧雜環戊烷-4,5-二基;1,4-伸環己烯基;1,4-二環[2.2.2]伸辛基;六氫吡啶-1,4-二基;萘-2,6-二基;十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基,其中該等基團中之每一者均可經L單取代或多取代,且另外A 1可為單鍵, L      係鹵素原子(較佳F)、CN、NO 2、具有1至7個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰基氧基,其中一或多個H原子可各自經F或Cl替代, m      在每一情形下獨立地係0、1、2或3,且 R及R 1各自彼此獨立地係H;F;Cl;Br;I;CN;SCN;SF 5;分別具有1個或3至25個碳原子之直鏈或具支鏈烷基,其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中一或多個非毗鄰CH 2基團可經-O-、-S-、-NH-、-NR 0-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-替代,其中兩個O及/或S原子彼此不直接鍵結;或可聚合基團。
特別佳者係式A-VI-1之手性聯萘衍生物:
Figure 02_image332
其中環B、R 0及Z 0係如針對式A-IV及A-V所定義,且b係0、1或2, 尤其彼等選自以下式A-VI-1a至A-VI-1c者:
Figure 02_image334
Figure 02_image336
其中環B、R 0及Z 0係如針對式A-IV-1所定義,且 R 0如針對式A-IV所定義或H或具有1至4個碳原子之烷基,且 b       係0、1或2, 且Z 0具體而言係-OC(O)-或單鍵。
一或多種手性摻雜劑在LC介質中之濃度濃度較佳在0.001%至20%、較佳0.05%至5%、更佳0.1%至2%且最佳0.5%至1.5%之範圍內。該等較佳濃度範圍具體而言適用於手性摻雜劑S-4011或R-4011 (二者皆來自Merck KGaA)及具有相同或類似HTP之手性摻雜劑。對於HTP絕對值高於或低於S-4011之手性摻雜劑而言,該等較佳濃度必須分別根據其HTP值相對於S-4011之比率按比例降低或增加。
本發明之LC介質或主體混合物之節距p較佳在5至50 μm、更佳8至30 μm且尤佳10至20 μm之範圍內。
較佳地,本發明之介質包含選自式ST-1至ST-19之化合物之群之穩定劑。
Figure 02_image338
Figure 02_image340
Figure 02_image342
Figure 02_image344
其中 R ST表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,另外其中該等基團中之一或多個CH 2基團可各自彼此獨立地以O原子彼此不直接連接之方式經-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、
Figure 02_image346
-O-、-CO-O-、-O-CO-替代,且另外其中一或多個H原子可經鹵素替代,
Figure 02_image348
表示
Figure 02_image350
  
Figure 02_image352
  
Figure 02_image354
  
Figure 02_image356
  
Figure 02_image358
  
Figure 02_image360
  
Figure 02_image362
  
Figure 02_image364
  
Figure 02_image366
 
  
Figure 02_image368
 
  
Figure 02_image370
 
  
Figure 02_image372
 
  
Figure 02_image374
 
  
Figure 02_image376
 
Z ST各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CH 2-、-CH 2CH 2-、-(CH 2) 4-、-CH=CH-、-CH 2O-、-C 2F 4-、-CH 2CF 2-、-CF 2CH 2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵, L 1及L 2各自彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2, p       表示1或2, q       表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
在式ST之化合物中,特別較佳者係下式之化合物
Figure 02_image378
   ST-1
        
Figure 02_image380
其中n = 1、2、3、4、5、6或7,較佳n = 1或7
   ST-2a
        
Figure 02_image382
其中n = 1、2、3、4、5、6或7,較佳n = 3
   ST-3a
Figure 02_image384
其中n = 1、2、3、4、5、6或7,較佳n = 3
   ST-3b
        
Figure 02_image386
   ST-8-1
        
Figure 02_image388
   ST-9-1
        
Figure 02_image390
   ST-12
        
Figure 02_image392
   ST-16
        
Figure 02_image394
   ST-17
        
Figure 02_image396
   ST-18
在式ST-3a及ST-3b之化合物中,n較佳表示3。在式ST-2a之化合物中,n較佳表示7。
本發明之極佳混合物包含一或多種來自式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12之化合物之群之穩定劑:
Figure 02_image398
   ST-2a-1
        
Figure 02_image400
   ST-3a-1
        
Figure 02_image402
   ST-3b-1
        
Figure 02_image404
   ST-8-1
        
Figure 02_image406
   ST-9-1
        
Figure 02_image408
   ST-12
基於混合物,式ST-1至ST-19之化合物較佳各自以0.005 - 0.5%之量存在於本發明之液晶混合物中。
若本發明之混合物包含兩種或以上式ST-1至ST-18之化合物之群之化合物,則基於混合物,在兩種化合物之情形中濃度相應地增加至0.01 - 1%。
然而,基於本發明之混合物,式ST-1至ST-18之化合物的總比例不應超過2%。
本發明進一步係關於具有主動矩陣定址之光電顯示器,其特徵在於其含有根據技術方案1之液晶介質作為電介質且其中顯示器係VA、SA-VA、IPS、U-IPS、FFS、UB-FFS、SA-FFS、PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS、聚合物穩定之SA-VA或聚合物穩定之SA-FFS顯示器。
本發明之顯示器較佳具有厚度為10 mm或以下、更佳5 mm或以下且極佳3 mm或以下之邊框。
本發明進一步係關於製造由第一及第二基板構成之顯示器之方法,其包含至少以下步驟:i) 將根據技術方案1至7中一或多者之液晶滴入在第一基板上形成之用於液晶之密封材料之堤內部;ii) 將第二基板基板結合至第一基板;及iii) 固化密封材料。
液晶顯示器之密封劑揭示於例如US2007/096056 A1、EP 1780587 A1、US 2003/0147034 A1及EP 2381304 A1、EP 1 559 735 A1及EP 2 586 827 A1中。本發明方法中所用之密封劑較佳係可光化學固化且特別佳可光化學固化及可熱固化二者。
本發明方法中所用之密封劑較佳包含a) 一或多種可固化樹脂,其包含各自經一或多個環氧化物基團(在下文中稱為「環氧化物」)取代之化合物,及/或b) 一或多種化合物,其各自經一或多個丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團(在下文下文中稱為稱為「(甲基)丙烯酸酯」)取代,及/或c) 一或多種化合物,其經環氧化物基團及(甲基)丙烯酸酯基團(在下文中稱為「環氧化物丙烯酸酯」)取代。
在此處個別組分a)、b)及c)可呈單體及寡聚物兩種形式。組分之選擇原則上並不限於某些化合物。可聚合化合物較佳為二、三或多反應性的,即,其含有兩個、三個或以上反應性環氧化物及/或(甲基)丙烯酸酯基團。為密封劑組分對液晶之最低可能污染,較佳者係含有羥基、磺醯基或醚基團之樹脂。
除一或多種式I化合物以外,本發明方法中所用之密封劑較佳包含 i) 自由基可固化樹脂, ii) 環氧樹脂, iii) 環氧固化劑。
自由基可固化樹脂之實例實例係(甲基)丙烯酸酯及不飽和聚酯樹脂,其可各自單獨使用或以一或多種該等物質之混合物使用。單體(甲基)丙烯酸酯較佳每分子含有兩個或以上(甲基)丙烯酸酯基團。
(甲基)丙烯酸酯之實例係含有胺基甲酸酯橋及環氧(甲基)丙烯酸酯之胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯,其除一或多個(甲基)丙烯酸酯基團外攜帶一或多個縮水甘油基。
胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之實例係藉由二異氰酸酯(例如異佛爾酮二異氰酸酯)與能夠加成至異氰酸酯之化合物(例如,丙烯酸或丙烯酸羥乙基酯)之間之反應獲得之化合物。
該等衍生物可含有藉由己內酯或多元醇之鏈伸長且係例如以商標名U 122P、U 3、40P、U 4HA及U 1084A (Shin-Nakamura Chemical)及KRM 7595、KRM 7610及KRM 7619 (Daicel Cytec Co.)市售購得。
環氧(甲基)丙烯酸酯之實例係環氧樹脂(例如雙酚A環氧樹脂或丙二醇二縮水甘油醚)及(甲基)丙烯酸之衍生物且係例如以商標名EA-1020、EA-6320及EA-5520 (Shin-Nakamura Chemical)及EPOXY ESTER 70PA及EPOXY ESTER 3002A (Kyoiesha Chemi-cal)市售購得。適宜(甲基)丙烯酸酯之其他實例係甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸四氫糠基酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸異莰基酯、甲基丙烯酸2-羥乙基酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、(聚)乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯及甘油二甲基丙烯酸酯。
自由基可固化樹脂之群同樣包括環氧化物丙烯酸酯,其每分子含有一或多個(甲基)丙烯酸酯基團及一或多個環氧化物基團且係在鹼之存在下藉由使上述環氧樹脂與(甲基)丙烯酸部分反應來製備;其此外包括藉由二或多官能異氰酸酯與一半當量之含羥基(甲基)丙烯酸酯反應且隨後與一半當量之縮水甘油反應製備之化合物;其此外亦包括藉由經異氰酸酯基取代之甲基丙烯酸酯與縮水甘油反應製備之化合物。
該等材料係例如以商標名UVAC1561 (Daicel Cytec)及4HBAGE (Nippon Kasei)市售購得。
根據本發明,潛在環氧化物固化劑之實例係雙氰胺、經改質多胺、醯肼、4,4'-二胺基二苯基碸、三氟化硼/胺錯合物、乙基咪唑、胍、脲、三聚氰胺及其衍生物。
經改質多胺之實例係多胺之環氧加合物、多胺之醯胺及曼尼赫(Mannich)改質之多胺。
多胺之實例係脂肪族多胺,例如乙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、1,2-二胺基丙烷、聚氧基伸丙基二胺及聚氧基伸丙基三胺;脂環族多胺,例如異佛爾酮-二胺、薄荷烷二胺、雙(4-胺基-3-甲基二環己基)甲烷、二胺基二環己基甲烷、雙(胺基甲基)環己烷、N 胺基-乙基六氫吡嗪及3,9-雙(3-胺基丙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷;芳香族多胺,例如間苯二胺、對-苯二胺、伸甲苯基-2,4-二胺、伸甲苯基-2,6-二胺、均三甲苯基-2,4-二胺、均三甲苯基-2,6-二胺、3,5-二乙基伸甲苯基-2,4-二胺及3,5-二乙基伸甲苯基-2,6-二胺、聯苯二胺、4,4-二胺基二苯基甲烷、2,5-伸萘基二胺及2,6-伸萘基二胺;及咪唑,例如2 甲基咪唑、2 乙基-4-甲基咪唑、2 異丙基咪唑、2 十一烷基咪唑、2 十七烷基咪唑、2 苯基咪唑、2 苯基-4-甲基咪唑及2 胺基-丙基咪唑。
環氧加合物係藉由熟習此項技術者熟悉之環氧化物至多胺之加成來製備。環氧化物較佳為脂肪族化合物、芳香族化合物等。該等化合物可各自各自單獨使用或以與其他環氧化物之混合物使用。
脂環族環氧化物之實例脂係含有至少一個脂環族、環氧環己烷或環氧環戊烷之多元醇之聚縮水甘油醚及其衍生物,尤其以下之飽和衍生物:雙酚A二縮水甘油醚、3,4-環氧基環己烷甲酸3,4-環氧基環己基甲基酯、3,4-環氧基-1-甲基環己烷甲酸3,4-環氧基-1-甲基環己基酯、6-甲基-3,4-環氧基環己烷甲酸6-甲基-3,4-環氧基環己基甲基酯、3,4-環氧基-3-甲基環己烷甲酸3,4-環氧基-3-甲基環己基甲基酯、3,4-環氧基-5-甲基環己烷甲酸3,4-環氧基-5-甲基環己基甲基酯、2 (3,4-環氧基環己基-5,5-螺-3,4-環氧基)環己烷間二噁烷、己二酸雙(3,4-環氧基環己基甲基)酯、羧酸3,4-環氧基-6-甲基環己基酯、亞甲基雙(3,4-環氧基環己烷)、二環戊二烯二環氧化物、伸乙基雙(3,4-環氧基環己烷甲酸酯)、環氧基六氫鄰苯二甲酸二辛基酯及環氧基六氫鄰苯二甲酸二-2-乙基己基酯。
含有該等化合物之市售產品係例如UVR-6100、UVR-6105、UVR-6110、UVR-6128及UVR-6200 (Union Carbide);Celloxide 2021、Celloxide 2021P、Celloxide 2081、Celloxide 2083、Celloxide 2085、Celloxide 2000、Celloxide 3000、Cyclomer A200、Cyclomer M100、Cyclomer M101、Epolead GT-301、Epolead GT-302、Epolead 401、Epolead 403、ETHB及Epolead HD300 (Daicel Chemical Industries, Ltd.)及KRM-2110以及KRM-2199 (ADEKA Corp.)。
芳香族環氧化物之實例係含有至少一個芳香族環之多元酚或其環氧烷加合物之聚縮水甘油醚,例如雙酚A、雙酚F或其環氧烷之縮水甘油醚,以及環氧-酚醛清漆樹脂。
脂肪族環氧化物之實例係脂肪族多元醇或其環氧烷加合物之聚縮水甘油醚、脂肪族長鏈多羧酸之聚縮水甘油酯、縮水甘油基聚(甲基)丙烯酸酯、尤其1,4-丁二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、山梨糖醇四縮水甘油醚、二新戊四醇六縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚及聚丙二醇二縮水甘油醚;聚醚-多元醇之聚縮水甘油醚,其係藉由使一或多個環氧烷加合至脂肪族多元醇(例如丙二醇、三羥甲基丙烷及甘油)製備;及長鏈脂肪族二羧酸之二縮水甘油酯。此外較佳者係較高碳數脂肪族醇之單縮水甘油醚、苯酚、甲酚、丁基苯酚之單縮水甘油醚或藉由使環氧烷加合至該等酚製備之聚醚醇、較高碳數脂肪酸之縮水甘油酯、環氧化大豆油、環氧硬脂酸辛酯、環氧硬脂酸丁酯及環氧化聚丁二烯。
市售芳香族或脂肪族環氧化物之實例係Epikote 801及Epikote 828 (Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.);PY-306、0163及DY-022 (Ciba Specialty Chemicals);KRM-2720、EP-3300、EP-4000、EP-4901、EP-4010、EP-4080、EP-4900、ED-505及ED-506 (ADEKA);Epolite M 1230、Epolite EHDG-L、Epolite 40E、Epolite 100E、Epolite 200E、Epolite 400E、Epolite 70P、Epolite 200P、Epolite 400P、Epolite 1500NP、Epolite 1600、Epolite 80MF、Epolite 100MF、Epolite 4000、Epolite 3002及Epolite FR-1500 (Kyoeisha Chemical);Santoto ST0000、YD-716、YH-300、PG-202、PG-207、YD-172及YDPN638 (Tohto Kasei Co., Ltd.);TEPIC-S (Nissan Chemical Industries, Ltd.);及Epichlon N 665、Epichlon N 740、Epichlon HP-7200及Epichlon HP-4032 (DIC Corp.)。
聚醯胺係以熟習此項技術者熟知之方式藉由多胺與羧酸(例如己二酸、癸二酸、苯二甲酸或間苯二甲酸)反應獲得。
曼尼赫改質之多胺係藉由多胺與醛(例如甲醛及酚,例如苯酚、甲酚、二甲酚、第三丁基苯酚或間苯二酚)反應來製備。
醯肼之實例係乙二酸二醯肼、丙二酸二醯肼、琥珀酸二醯肼、戊二酸二醯肼、己二酸二醯肼、辛二酸二醯肼、壬二酸二醯肼、癸二酸二醯肼及鄰苯二甲酸二醯肼。
脲衍生物之實例係3(3,4-二氯苯基)-1,1-二甲脲、異佛爾酮二異氰酸酯二甲脲及伸甲苯基二異氰酸酯二甲基-脲。
環氧樹脂(iii)之實例係多元酚(例如氫醌、間苯二酚、鄰苯二酚及間苯三酚)之聚縮水甘油醚;縮合芳香族羥基化合物之聚縮水甘油醚,該等縮合芳香族羥基化合物係例如萘酚、聯苯酚、亞甲基雙酚(雙酚F)、亞甲基雙(鄰甲酚)、亞乙基雙酚、亞異丙基雙酚(雙酚A)、4,4'-二羥基二苯甲酮、亞異丙基雙(鄰甲酚)、四溴雙酚A、1,3-雙(4-羥基異丙苯基苯)、1,4-雙(4-羥基異丙苯基苯)、1,1,3-參(4-羥基苯基)丁烷、1,1,2,2-四(4-羥基苯基)乙烷、硫代雙酚、磺基雙酚、氧基雙酚、苯酚清漆型酚醛樹脂、鄰甲酚清漆型酚醛樹脂、乙基苯酚清漆型酚醛樹脂、丁基苯酚清漆型酚醛樹脂、辛基苯酚清漆型酚醛樹脂、間苯二酚清漆型酚醛樹脂及萜烯二酚;此外多元醇之聚縮水甘油醚,多元醇係例如乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、聚乙二醇、硫二乙二醇、甘油、三羥甲基丙烷、新戊四醇、山梨糖醇及雙酚A/環氧乙烷加合物;脂肪族、芳香族或脂環族多元羧酸之縮水甘油酯之均聚物或共聚物,例如馬來酸、富馬酸、伊康酸、琥珀酸、戊二酸、辛二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、焦蜜石酸、四氫苯二甲酸、六氫苯二甲酸及內-亞甲基四氫苯二甲酸或縮水甘油基甲基丙烯酸酯;此外含有縮水甘油基胺基之環氧化物,例如N,N-縮水甘油基苯胺、雙(4-(N-甲基-N-縮水甘油基胺基)苯基)甲烷及二縮水甘油基-鄰-甲苯胺;環氧化環烯烴,例如乙烯基環己烯二環氧化物、二環戊二烯二環氧化物、3,4-環氧基環己烷甲酸3,4-環氧基環己基甲基酯、6-甲基環己烷甲酸3,4-環氧基-6-甲基-環己基甲基酯及己二酸雙(3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)酯;環氧化共軛多烯,例如環氧化聚丁二烯、環氧化丙烯腈-丁二烯共聚物及環氧化苯乙烯-丁二烯共聚物;此外雜環化合物,例如異氰尿酸三縮水甘油基酯。
在較佳實施例中,本發明方法中所用密封劑包含其他組分,例如無機填充劑或用於改良黏合強度及防水性質之矽烷、有機溶劑、顏料、消泡劑、導電添加劑、流平劑等。
本發明方法中所用之密封劑係例如藉由混合及溶解預定量之用於光固化之組分、用於熱固化之組分以及若需要各種添加劑並隨後使用已知混合裝置(例如三輥磨機、砂磨機或球磨機)將混合物均化來製備。
本發明方法中所用之密封劑尤其適用於密封藉由ODF製程生產之液晶顯示器。液晶不受任何限制。
方法尤其適用於密封液晶顯示器,該顯示器含有具有可聚合組分(反應性液晶原)之液晶及/或含有不飽和基團(例如烯基或環己烯-1,4-二基單元)之個別液晶物質。反應性液晶原較佳含有一或多個(甲基)-丙烯酸酯基團。
對於液晶顯示器之生產,將隔離物添加至密封劑及液晶介質以產生精確界定之基板間隔,並由此產生精確界定之顯示器單元間隙、通常28 µm,此取決於應用。首先,將密封劑施加於兩個玻璃基板中之一者上,隨後係與成品液晶顯示器之內部體積精確對應之量的液晶。將兩個基板組合後,顯示器利用1000 mJ至18,000 mJ劑量之UV光輻照,在此期間將兩個基板壓在一起。然後將密封劑在110℃至140℃熱固化1至3 h。
在本發明顯示器之製造期間,液晶介質在分配至基板上之後在密封劑固化之前與密封劑接觸。令人驚訝地,本發明液晶介質之反應性有利地低,使得在密封劑固化之前、期間或之後沒有LC介質之可檢測降解,使得在最終顯示器中沒有觀察到可見之邊緣不均勻。
有利地,本發明之液晶介質較佳具有≤ -20℃至≥ 70℃、特別佳≤ -30℃至≥ 80℃、極特別佳≤ -40℃至≥ 90℃之向列相。
本發明之介質具有65℃或以上、較佳67℃或以上、尤其70℃或以上之澄清溫度。
表述「具有向列相」在此處一方面意指在在相應溫度之低溫下未觀察到層列相沒有結晶,且另一方面在加熱時自向列相仍未發生澄清。低溫研究係在相應溫度下在流量式黏度計中實施並藉由在具有對應於光電用途之層厚度的測試單元中儲存至少100小時來檢查。若在相應測試單元中在-20℃溫度下之儲存穩定性為1000 h或更長時間,則該介質稱為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下,相應時間分別為500 h及250 h。在高溫下,在毛細管中藉由習用方法量測澄清點。
液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍且在20℃下具有至多30 mm 2· s -1之流動黏度ν 20
混合物在-20℃或以下、較佳-30℃或以下、極佳-40℃或以下之溫度下係向列型的。
液晶混合物中雙折射Δn之值通常介於0.07與0.16之間、較佳介於0.08與0.15之間、極佳介於0.09與0.14之間。
在本發明之較佳實施例中,介質具有在0.090至0.110、較佳0.095至0.109、尤其0.098至0.108範圍內之雙折射。
本發明之液晶混合物具有-1.5至-8.0、較佳-2.0至-4.0、尤其-2.5至-3.5之介電各向異性Δε。
在20℃下之旋轉黏度γ 1較佳≤ 150 mPa•s、尤其≤ 130 mPa•s。
本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓值(V 0)。其較佳在1.7 V至3.0 V範圍內、特別佳≤2.7 V且極特別佳≤2.5 V。
對於本發明而言,除非另有明確指示,否則術語「臨限電壓」係指電容式臨限值(V 0),亦稱為Freedericks臨限值。
另外,本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。
一般而言,具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現低於具有較高定址電壓或臨限電壓之彼等之電壓保持率且反之亦然。
對於本發明,術語「介電正性化合物」表示Δε > 1.5之化合物,術語「介電中性化合物」表示彼等具有-1.5≤ Δε≤ 1.5者且術語「介電負性化合物」表示彼等具有Δε < -1.5者。本文中化合物之介電各向異性係藉由以下方式來測定:將10%化合物溶解於液晶主體中,且在每一情形下在至少一個具有20 μm之層厚度以及1 kHz下之垂直及水平表面配向之測試單元中測定所得混合物之電容。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V,但總低於所研究各別液晶混合物之電容臨限值。
本發明所指示之所有溫度值均以℃表示。
本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用,例如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物持續VA)及PS-VA (聚合物穩定VA)。其此外亦適用於具有負Δε之IPS ( in- plane switching, 平面內切換)及FFS (邊緣場切換)應用。
對於熟習此項技術者不言而喻的,本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含其中(例如) H、N、O、Cl及F已經相應同位素替代之化合物。
式P之化合物視情況以基於混合物較佳0.01至5重量%、尤佳0.2至2重量%之濃度添加至本發明混合物。該等混合物亦可視情況包含起始劑,如(例如) U.S. 6,781,665中所闡述。起始劑(例如來自BASF之Irganox-1076)較佳以0至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。該類混合物可用於所謂的聚合物穩定VA模式(PS-VA)或PSA (聚合物持續VA)中,其中意欲在填充顯示面板之後在液晶混合物中進行該等反應性液晶原之聚合。關於此之先決條件係LC主體之液晶化合物在反應性液晶原之聚合條件下(即,通常在暴露於320至360 nm之波長範圍之UV時)不發生反應。含有烯基側鏈之液晶化合物(例如CC-3-V)在RM之聚合條件(UV聚合)下不展現反應,因此,在本文中,此類化合物不視為RM。
本發明化合物可藉由或類似於文獻中闡述之已知方法(例如標準著作,例如Houben-Weyl, Methoden der Organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart)在已知且適於該等反應之反應條件下合成。此處亦可使用本身已知但此處未提及之變體。具體而言,其可如以下反應方案中所述或類似於以下反應方案來製備。製備本發明化合物之其他方法可自實例中獲得。
亦可視情況且有利地將上文未明確提及之其他液晶原化合物用於本發明介質中。該等化合物已為熟習此項技術者所熟知。
以下實例解釋本發明而非對其加以限制。然而,其為熟習此項技術人員顯示關於較佳欲採用之化合物及其各別濃度及其彼此之組合的較佳混合物概念。另外,實例說明可獲得之性質及性質組合。
對於本發明且在下列實例中,液晶化合物之結構係以縮寫之方式指示,其中根據下表A至C轉變為化學式。所有基團C mH 2m+1、C nH 2n+1及C lH 2l+1或C mH 2m-1、C nH 2n-1及C lH 2l-1係直鏈烷基或烯基,在每一情形中分別具有n、m及l個C原子。較佳地,n、m及l彼此獨立地係1、2、3、4、5、6或7。表A顯示用於化合物核心之環元素的代碼,表B列示橋接單元且表C列示分子之左手側及右手側端基之符號之含義。首字母縮略詞係由具有可選連接基團之環元素之代碼、隨後第一連字符及左手側端基之代碼、及第二連字符及右手側端基之代碼組成。表D顯示化合物之說明性結構以及其各別縮寫。 A :環元素
C
Figure 02_image410
     
        
D
Figure 02_image412
DI
Figure 02_image414
     
A
Figure 02_image416
AI
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P
Figure 02_image420
  
     
G
Figure 02_image422
GI
Figure 02_image424
U
Figure 02_image426
UI
Figure 02_image428
     
Y
Figure 02_image430
     
P(F, Cl)Y
Figure 02_image432
P(Cl,F)Y
Figure 02_image434
     
np  
Figure 02_image436
  
     
n3f  
Figure 02_image438
nN3fI  
Figure 02_image440
     
th  
Figure 02_image442
thI  
Figure 02_image444
           
tH2f
Figure 02_image446
tH2fI
Figure 02_image448
           
o2f
Figure 02_image450
o2fI
Figure 02_image452
           
dh  
Figure 02_image454
     
B
Figure 02_image456
     
           
O
Figure 02_image458
S
Figure 02_image459
           
K
Figure 02_image460
KI
Figure 02_image462
           
L
Figure 02_image464
LI
Figure 02_image465
           
F
Figure 02_image466
FI
Figure 02_image467
           
Bh
Figure 02_image468
Bh(S)
Figure 02_image470
     
Bf
Figure 02_image472
Bf(S)
Figure 02_image474
     
Bfi
Figure 02_image476
Bfi(S)
Figure 02_image478
B :橋接單元
E -CH 2-CH 2-      
V -CH=CH-      
T -C C-      
W -CF 2-CF 2-      
B -CF=CF-      
Z -CO-O- ZI -O-CO-
X -CF=CH- XI -CH=CF-
O -CH 2-O- OI -O-CH 2-
Q -CF 2-O- QI -O-CF 2-
C :末端基團
在左側,個別地或組合 在右側,個別地或組合
- n - C nH 2n+1- -n -C nH 2n+1
-nO- C nH 2n+1-O- -On -O-C nH 2n+1
-V- CH 2=CH- -V -CH=CH 2
-nV- C nH 2n+1-CH=CH- -nV -C nH 2n-CH=CH 2
-Vn- CH 2=CH-C nH 2n- -Vn -CH=CH-C nH 2n+1
-nVm- C nH 2n+1-CH=CH-C mH 2m- -nVm -C nH 2n-CH=CH-C mH 2m+1
-N- N≡C- -N -C≡N
-S- S=C=N- -S -N=C=S
-F- F- -F -F
-CL- Cl- -CL -Cl
-M- CFH 2- -M -CFH 2
-D- CF 2H- -D -CF 2H
-T- CF 3- -T -CF 3
-MO- CFH 2O- -OM -OCFH 2
-DO- CF 2HO- -OD -OCF 2H
-TO- CF 3O- -OT -OCF 3
-A- H-C≡C- -A -C≡C-H
-nA- C nH 2n+1-C≡C- -An -C≡C-C nH 2n+1
-NA- N≡C-C≡C- -AN -C≡C-C≡N
-(cn)-
Figure 02_image480
-(cn)
Figure 02_image481
-(cn)m-
Figure 02_image482
-m(cn)
Figure 02_image484
在左側,僅組合 在右側,僅組合
-…n...- -C nH 2n- -…n… -C nH 2n-
-…M…- -CFH- -…M… -CFH-
-…D…- -CF 2- -…D… -CF 2-
-…V…- -CH=CH- -…V… -CH=CH-
-…Z…- -CO-O- -…Z… -CO-O-
-…ZI…- -O-CO- -…ZI… -O-CO-
-…K…- -CO- -…K… -CO-
-…W…- -CF=CF- -…W… -CF=CF-
其中n及m各自為整數,且三個點「…」係此表之其他縮寫之佔位符。
除式I、IIA、IIB、IIC及/或IID、IVa、IVb及V之化合物以外,本發明之混合物視情況包含一或多種以下提及之化合物。
使用下列縮寫: (n、m、k及l彼此獨立地各自為整數、較佳1至9、較佳1至7,k及l可能亦可為0且較佳為0至4,更佳0或2且最佳2,n較佳為1、2、3、4或5,在組合「-nO-」中,其較佳為1、2、3或4、較佳2或4,m較佳為1、2、3、4或5,在組合「-Om」中,其較佳為1、2、3或4、更佳2或4。組合「-lVm」較佳為「2V1」。) D
Figure 02_image486
CC-n-m
  
Figure 02_image487
CC-n-Om
Figure 02_image489
CC-n-V
  
Figure 02_image491
CC-n-Vm
  
Figure 02_image493
CC-n-lV
  
Figure 02_image495
CC-n-lVm
  
Figure 02_image497
CC-V-V
  
Figure 02_image499
CC-V-lV
  
Figure 02_image501
CC-V-Vm
  
Figure 02_image503
CC-Vk-lV
  
Figure 02_image505
CC-nV-lV
Figure 02_image507
CC-nV-Vm
  
Figure 02_image509
CC-n-VV
  
Figure 02_image511
CC-n-VVm
  
Figure 02_image513
CVC-n-V
  
Figure 02_image515
CVC-n-Vm
  
Figure 02_image517
CP-n-m
  
Figure 02_image519
CP-n-Om
  
Figure 02_image520
PP-n-m
  
Figure 02_image521
PP-n-Om
  
Figure 02_image522
CCP-n-m
  
Figure 02_image523
CCP-n-Om
  
Figure 02_image524
CCP-V-m
Figure 02_image525
CCP-nV-m
  
Figure 02_image526
CCP-Vl-m
  
Figure 02_image527
CCP-nVl-m
  
Figure 02_image529
CCOC-n-m
  
Figure 02_image530
CCVC-n-m  
Figure 02_image531
CCVC-n-V  
Figure 02_image532
CCVC-n-lV
Figure 02_image533
CLP-n-m
  
Figure 02_image534
CLP-V-n
  
Figure 02_image535
CPP-n-m
  
Figure 02_image536
CPG-n-m
  
Figure 02_image537
CGP-n-m
  
Figure 02_image538
PGP-n-m
  
Figure 02_image539
PGP-n-lV
Figure 02_image540
PGP-n-lVm
  
Figure 02_image542
CCZPC-n-m
  
Figure 02_image544
CPPC-n-m
  
Figure 02_image546
CGPC-n-m
  
Figure 02_image548
CPGP-n-m
  
Figure 02_image550
CY-V-n
  
Figure 02_image552
CY-V-On
Figure 02_image554
CY-nV-m
  
Figure 02_image556
CY-nV-Om
Figure 02_image558
CY-Vl-m
  
Figure 02_image560
CY-Vl-Om
Figure 02_image562
CY-nVl-m
  
Figure 02_image564
CY-nVl-Om
Figure 02_image566
PY-V-n
  
  
Figure 02_image568
PY-V-On
  
Figure 02_image570
PY-nV-m
  
Figure 02_image572
PY-nV-Om
Figure 02_image574
PY-Vl-m
  
Figure 02_image576
PY-Vl-Om
Figure 02_image578
PY-nVl-m
  
Figure 02_image580
PY-nVl-Om
Figure 02_image582
CCY-V-n
  
Figure 02_image584
CCY-V-On
Figure 02_image586
CCY-nV-m
  
Figure 02_image588
CCY-nV-Om
Figure 02_image590
CCY-Vl-m
  
Figure 02_image592
CCY-Vl-Om
Figure 02_image594
CCY-nVl-m
  
Figure 02_image596
CCY-nVl-Om
Figure 02_image598
CPY-V-n
Figure 02_image600
CPY-V-On
Figure 02_image602
CPY-nV-m
  
Figure 02_image604
CPY-nV-Om
Figure 02_image606
CPY-Vl-m
  
Figure 02_image608
CPY-Vl-Om
Figure 02_image610
CPY-nVl-k
  
Figure 02_image612
CPY-nVl-Om
Figure 02_image614
CY-n-m
  
Figure 02_image616
CY-n-Om
  
Figure 02_image618
CVY-n-m
  
Figure 02_image620
CVY-V-n
  
Figure 02_image622
CZY-n-Om
  
Figure 02_image624
COY-n-m
  
Figure 02_image626
COY-n-Om
  
Figure 02_image628
Y-n-m
  
Figure 02_image630
Y-n-Om
  
Figure 02_image632
Y-nO-Om
  
Figure 02_image634
PY-n-m
  
Figure 02_image636
PY-n-Om
  
Figure 02_image638
CCY-n-m
  
Figure 02_image640
CCY-n-Om
  
Figure 02_image642
CCY-n-mOl
  
Figure 02_image644
CCZY-n-Om
  
Figure 02_image646
CCOY-n-m
  
Figure 02_image648
CCOY-n-Om
  
Figure 02_image650
CPY-n-m
  
Figure 02_image652
CPY-n-Om
  
Figure 02_image654
PYP-n-m
  
Figure 02_image656
PYP-n-V
  
Figure 02_image658
PYP-n-lV
  
Figure 02_image660
PYP-n-Vm
  
Figure 02_image662
PYP-n-lVm
  
Figure 02_image664
CP(F,Cl)-n-Om
  
Figure 02_image666
CLY-n-m
  
Figure 02_image668
CLY-n-Om
Figure 02_image670
CK-n-F
Figure 02_image672
B-n-m
Figure 02_image674
B-n-lV
Figure 02_image676
B-Vn-lV
Figure 02_image678
B-n-Om
Figure 02_image680
B-nO-Om
Figure 02_image682
CB-n-Om
Figure 02_image684
PB-n-Om
Figure 02_image686
B(S)-nO-Om
Figure 02_image688
COB(S)-n-Om
Figure 02_image690
B(S)-(c3)nO-Om
Figure 02_image692
B(S)-(c5)nO-Om
Figure 02_image694
B(S)-(c5)nO-Om(c3)
E表E顯示可添加至本發明LC介質中之手性摻雜劑。
Figure 02_image696
  
R/S-1011   
Figure 02_image698
  
R/S-2011   
Figure 02_image700
  
R/S-4011   
Figure 02_image702
  
  
Figure 02_image704
Figure 02_image706
C 15 CB 15
     
Figure 02_image708
Figure 02_image710
CM 21 R/S-811
     
Figure 02_image712
Figure 02_image714
CM 44 CM 45
     
Figure 02_image716
Figure 02_image718
CM 47 CN
     
Figure 02_image720
Figure 02_image722
R/S-5011 R/S-3011
Figure 02_image724
Figure 02_image726
Figure 02_image728
F表F顯示可用於本發明LC介質中之說明性反應性液晶原化合物(RM)。
Figure 02_image730
Figure 02_image732
Figure 02_image734
Figure 02_image736
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Figure 02_image740
Figure 02_image742
Figure 02_image744
Figure 02_image746
Figure 02_image748
Figure 02_image750
Figure 02_image752
Figure 02_image754
Figure 02_image756
Figure 02_image758
Figure 02_image760
Figure 02_image762
Figure 02_image764
Figure 02_image766
Figure 02_image768
Figure 02_image770
在較佳實施例中,本發明之混合物包含一或多種較佳選自式RM-1至RM-155之可聚合化合物之可聚合化合物,在該等中,化合物RM-1、RM-4、RM-8、RM-17、RM-19、RM-35、RM-37、RM-39、RM-40、RM-41、RM-48、RM-52、RM-54、RM-57、RM-64、RM-74、RM-76、RM-88、RM-102、RM-103、RM-109、RM-117、RM-120、RM-121、RM-122及RM-145至RM-153係特別佳的。
在另一較佳實施例中,本發明混合物包含一或多種選自式RM-145至RM-152、極佳式RM-147至RM-152之化合物。
G表G顯示用於垂直配向之自配向添加劑,其可與式P之可聚合化合物一起用於根據本發明之SA-VA及SA-FFS顯示器之LC介質中:
Figure 02_image772
Figure 02_image774
Figure 02_image776
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Figure 02_image780
Figure 02_image782
Figure 02_image784
Figure 02_image786
Figure 02_image788
Figure 02_image790
Figure 02_image792
Figure 02_image794
在較佳實施例中,本發明之LC介質、SA-VA及SA-FFS顯示器包含一或多種選自式SA-1至SA-48、較佳式SA-14至SA-48、極佳式SA-20至SA-34及SA-44之SA添加劑與一或多種式P之RM之組合。
工作實例 以下實例意欲解釋本發明而非對其加以限制。在實例中,m.p.表示熔點且T (N,I)表示液晶物質之澄清點(以攝氏度表示);此外:C表示結晶固態,S表示層列相(指數表示相類型),N表示向列態,Ch表示膽固醇相,I表示各向同性相,T g表示玻璃轉換溫度。兩個符號之間之數字指示轉化溫度(以攝氏度表示)。
用於測定單一化合物之光學各向異性Δn之主體混合物係市售混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。介電各向異性Δε係使用市售混合物ZLI-2857測定。欲研究化合物之物理數據係自添加所研究化合物後主體混合物介電常數之變化並外推至100%所採用化合物獲得。一般而言,將10%之欲研究化合物溶解於主體混合物中,此端視溶解度而定。
除非另有指示,否則份數或百分比數據表示重量份數或重量百分比。
在上下文中: V o表示在20℃下之臨限電壓,電容性[V] n e表示20℃及589 nm下之非尋常折射率, n o表示20℃及589 nm下之尋常折射率, Δn    表示20℃及589 nm下之光學各向異性, ε 表示在20℃及1 kHz下垂直於指向矢之介質電容率, ε ||表示在20℃及1 kHz下平行於指向矢之介質電容率, Δε     表示在20℃及1 kHz下之介電各向異性 cl.p., T(N,I)      表示澄清點[℃], γ 1表示在20℃下量測之旋轉黏度[mPa•s], K 1表示在20℃下之彈性常數,即「展曲」變形[pN] K 2表示在20℃下之彈性常數,即「扭曲」變形[pN], K 3表示在20℃下之彈性常數,即「彎曲」變形[pN],及 LTS  表示低溫穩定性(向列相),如所規定在測試單元或塊體中測定。
除非另外明確說明,否則本申請案中針對溫度指示之所有值(例如,熔點T(C,N)、自層列(S)相至向列(N)相之轉變T(S,N)及澄清點T(N,I))皆以攝氏度(℃)指示。
除非另外明確指明,否則對於本發明而言,術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V 0),亦稱為弗裡德裡克茲臨限值(Freedericksz threshold)。在該等實例中,按通常習慣,亦可指示對應於10%相對對比度之光學臨限值(V 10)。
用於量測電容性臨限值電壓之顯示器係由兩個間隔為20 µm之平面平行玻璃外板組成,其各自在內部具有電極層且在頂部具有引起液晶分子垂面邊緣配向之未經摩擦聚醯亞胺配向層。
用於量測傾斜角之顯示器或測試單元由兩個間隔為4 µm之平面平行玻璃外板組成,其各自在內部具有電極層且在頂部具有未經摩擦聚醯亞胺配向層,其中該兩個聚醯亞胺層彼此反向平行摩擦且引起液晶分子之垂面邊緣配向。
可聚合化合物係在顯示器或測試單元中藉由用界定強度之UV光輻照預定時間進行聚合,其中同時將電壓施加至顯示器(通常為10 V至30 V交流電,1 kHz)。在該等實例中,除非另外指示,否則使用金屬鹵化物燈及100 mW/cm²之強度進行聚合。強度係使用標準儀錶(具有UV感測器之Hoenle高端UV計)來量測。
傾斜角係使用來自Axometrics之穆勒矩陣偏光計(Mueller Matrix Polarimeter)「AxoScan」測定。在此處,低值(即,自90°角之較大偏離)對應於較大傾斜。
除非另外陳述,否則術語「傾斜角」意指LC指向矢與基板之間之角度,且「LC指向矢」意指在具有均勻定向之LC分子之層中LC分子之光學主軸之較佳定向方向,其在棒狀、單軸正雙折射LC分子之情形中對應於其分子長軸。
除非另有說明,否則VHR係在20℃(VHR 20)下且在100℃(VHR 100)之烘箱中5分鐘後在來自TOYO Corporation, Japan之市售儀器Model LCM-1 (O0004)中測定。除非更精確地說明,否則所使用之電壓具有在1 Hz至60 Hz範圍內之頻率。
VHR量測值之準確度取決於VHR之各別值。準確度隨值之減小而減小。在各種量值範圍中之值之情形中通常觀察到之偏差按其數量級彙編於下表中。
VHR範圍 偏差(相對)
VHR值 Δ GVHR/VHR /%
大約
99.6% 100% +/- 0.1
99.0% 99.6% +/- 0.2
98% 99% +/- 0.3
95% 98% +/- 0.5
90% 95% +/- 1
80% 90% +/- 2
60% 80% +/- 4
40% 60% +/- 8
20% 40% +/- 10
10% 20% +/- 20
對UV輻照之穩定性係在「Suntest CPS+」(來自Heraeus, Germany之市售儀器)使用氙燈NXE1500B進行研究。將經密封測試單元輻照2.0 h,除非明確指示,否則無額外加熱。在300 nm至800 nm之波長範圍中之輻照功率係765 W / m 2V。使用邊緣波長為310 nm之UV「截止」濾光片以模擬所謂的窗玻璃模式。在每一系列之實驗中,針對每一條件研究至少四個測試單元,且各別結果指示為相應個別量測之平均值。
通常由曝光(例如藉由UV輻照或LCD背光)引起之電壓保持率(ΔVHR)下降係根據以下等式(1)確定:
Figure 02_image796
(1). 為研究低溫穩定性(亦稱為「LTS」,即塊體中之LC混合物對個別組分在低溫下之自發結晶或層列相之出現之穩定性,視情況而定),將幾個各自含有約1 g材料之密封瓶在一或多個通常-10℃、-20℃、-30℃及/或-40℃之既定溫度下儲存,並以規定時間間隔目視檢查是否觀察到相變。一旦樣品中之第一者在既定溫度下顯示變化,便記錄時間。將直至未觀察到變化之最後一次檢查為止之時間記錄為相應LTS。
計算電阻率之離子密度係使用來自Toyo Corporation, Japan之市售LC Material Characteristics Measurement System 6254型使用具有3.2 µm單元間隙之AL16301聚醯亞胺(JSR Corp., Japan)之VHR測試單元來量測。量測係在烘箱中在60℃或100℃下儲存5 min後實施。
所謂「HTP」表示LC介質中光學活性或手性物質之螺旋扭轉力(以µm表示)。除非另外指示,否則HTP係在20℃之溫度下在市售向列LC主體混合物MLD-6260 (Merck KGaA)中量測。
澄清點係使用Mettler Thermosystem FP900量測。光學各向異性(Δn)係使用Abbe-Refraktometer H005 (鈉光譜燈(Natrium-spectral lamp) Na10,在589nm, 20℃下)量測。介電各向異性(Δε)係使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃下(具有JALS 2096-R1之ε-平行單元)量測。導通電壓(V 0)係使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃下(具有JALS 2096-R1之ε平行單元)量測。旋轉黏度(γ 1)係使用TOYO LCM-2 (0002)在20℃下(具有JALS-2096-R1之γ1負單元)量測。彈性常數(K 1, 展曲)係使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃下(具有JALS 2096-R1之ε平行單元)量測。K 3:彈性常數(K 3, 彎曲)係使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃下(具有JALS 2096-R1之ε平行單元)量測。
除非另外明確說明,否則本申請案中所有濃度皆以重量百分比指示且與相應整體混合物相關,即包含所有固體或液晶組分而無溶劑。除非另有明確指示,否則所有物理性質係根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status November 1997, Merck KGaA, Germany測定且適用於20℃之溫度。
具有負介電各向異性之以下混合物實例尤其適用於具有至少一個平面配向層之液晶顯示器,例如IPS及FFS顯示器、尤其UB-FFS ( = 超亮FFS)及VA顯示器。
混合物實例 混合物 M1
CC-1-3 7.0%    澄清點/℃:                  71.0
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                  0.1079
CC-3-5 5.0%    Δε (1 kHz, 20℃):           -3.2
CPP-3-2 7.0%    K 1(pN, 20℃):                  12.8
CP-3-O1 11.0%    K 3(pN, 20℃):                   14.0
PP-1-4 8.0%    V 0(20℃)/V:                  2.25
CCY-3-O2 9.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                   125
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
CY-3-O2 10.0%      
CY-3-O4 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M2
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                                        69.5
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                                        0.1041
CC-3-5 6.0%    Δε (1 kHz, 20°C):           -3.2
CPP-3-2 5.0%    K 1(pN, 20℃):                                        12.6
CP-3-O1 10.0%    K 3(pN, 20℃):                                         13.8
PP-1-4 8.0%    V 0(20℃)/V:                                        2.23
CCY-3-O2 9.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                                         118
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
CY-3-O2 10.0%      
CY-3-O4 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M3
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                                        69.5
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                                        0.1018
CC-3-5 6.0%    Δε (1 kHz, 20°C):           -3.2
CPP-3-2 5.0%    K 1(pN, 20℃):                                        12.5
CP-3-O1 13.0%    K 3(pN, 20℃):                                         14.0
PP-1-4 5.0%    V 0(20℃)/V:                                        2.23
CCY-3-O2 9.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                                         120
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
CY-3-O2 10.0%      
CY-3-O4 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M4
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                                        67.5
CC-3-4 7.0%    Δn (589 nm, 20℃):                                        0.1042
CC-3-5 5.0%    Δε (1 kHz, 20°C):           -2.7
CPP-3-2 8.0%    K 1(pN, 20℃):                                        12.3
CP-3-O1 13.0%    K 3(pN, 20℃):                                         13.4
PP-1-4 8.0%    V 0(20℃)/V:                                        2.37
CCY-3-O2 8.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                                         107
CCY-3-O3 8.0%      
CPY-2-O2 9.0%      
CPY-3-O3 9.0%      
CY-3-O2 9.0%      
CY-3-O4 7.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M5
CC-1-3 8.0%    澄清點/℃:                71.5
CC-3-4 9.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.0995
CC-3-5 8.0%    Δε (1 kHz, 20°C):         -3.1
CPP-3-2 5.0%    K 1(pN, 20℃):                13.2
CP-3-O1 10.0%    K 3(pN, 20℃):                 14.1
PP-1-4 5.0%    V 0(20℃)/V:                2.27
CCY-3-O2 9.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 118
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 9.0%      
CY-3-O2 11.0%      
CY-3-O4 7.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M6混合物M6含有化合物CCY-3-O2F:
Figure 02_image798
CC-1-3 7.0%    澄清點/℃:                68.0
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.1070
CC-3-5 5.0%    Δε (1 kHz, 20°C):         -3.0
CPP-3-2 7.0%    V 0(20℃)/V:                2.29
CP-3-O1 11.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 135
PP-1-4 8.0%      
CCY-3-O2 9.0%      
CCY-3-O2F 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
CY-3-O2 10.0%      
CY-3-O4 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M7混合物M7含有化合物CY-3-O1(c3)
Figure 02_image800
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                66.5
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.1038
CC-3-5 6.0%    Δε (1 kHz, 20°C):         -3.1
CPP-3-2 5.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 129
CP-3-O1 10.0%      
PP-1-4 8.0%      
CCY-3-O2 9.0%      
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
CY-3-O2 10.0%      
CY-3-O1(c3) 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M8混合物M8含有化合物COY-(c5)-O2
Figure 02_image802
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                66.0
CC-3-4 6.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.1002
CC-3-5 6.0%    Δε (1 kHz, 20°C):           -3.3
CPP-3-2 5.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 138
CP-3-O1 13.0%      
PP-1-4 5.0%      
CCY-3-O2 9.0%      
CCY-3-O3 9.0%      
CPY-2-O2 10.0%      
CPY-3-O3 10.0%      
COY-(c5)-O2 10.0%      
CY-3-O4 8.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M9混合物M9含有化合物CCY-(c3)2-O2
Figure 02_image804
CC-1-3 9.0%    澄清點/℃:                64.5
CC-3-4 7.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.1022
CC-3-5 5.0%    Δε (1 kHz, 20°C):         -2.5
CPP-3-2 8.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 118
CP-3-O1 13.0%      
PP-1-4 8.0%      
CCY-3-O2 8.0%      
CCY-3-O3 4.0%      
CCY-(c3)2-O2 4.0%      
CPY-2-O2 9.0%      
CPY-3-O3 9.0%      
CY-3-O2 9.0%      
CY-3-O4 7.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M10混合物M10含有化合物B(S)-2O-O1(c5)
Figure 02_image806
CC-1-3 8.0%    澄清點/℃:                68.5
CC-3-4 9.0%    Δn (589 nm, 20℃):                0.0987
CC-3-5 8.0%    Δε (1 kHz, 20°C):           -3.2
CPP-3-2 5.0%    γ 1(20℃)/ mPa•s:                 124
CP-3-O1 10.0%      
PP-1-4 5.0%      
CCY-3-O2 8.0%      
CCY-3-O3 8.0%      
CPY-2-O2 9.0%      
CPY-3-O3 9.0%      
CY-3-O2 11.0%      
CY-3-O4 7.0%      
B(S)-2O-O1(c5) 3.0%      
Σ 100.0%      
可聚合混合物實例 混合物實例 P1混合物實例P1係由99.595%之混合物M-1、0.40%之化合物RM-1
Figure 02_image808
及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
Figure 02_image810
混合物實例 P2混合物實例P2係由99.595%之混合物M-2、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。 混合物實例 P3混合物實例P3係由99.595%之混合物M-3、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。 混合物實例 P4混合物實例P4係由99.595%之混合物M-4、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。 混合物實例 P5混合物實例P5係由99.595%之混合物M-5、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。 混合物實例 P6混合物實例P6係由99.595%之混合物M-1、0.40%之化合物RM-19及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
Figure 02_image812
混合物實例 P7混合物實例P7係由99.595%之混合物M-2、0.40%之化合物RM-19及0.005%之化合物ST-3b-1組成。
Figure 02_image814
混合物實例 P8混合物實例P8係由99.595%之混合物M-3、0.40%之化合物RM-35
Figure 02_image816
及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
Figure 02_image818
混合物實例 P9混合物實例P9係由99.595%之混合物M-1、0.40%之化合物RM-156
Figure 02_image820
及0.005%之化合物ST-3a-1組成。 混合物實例 P10混合物實例P10係由99.595%之混合物M-2、0.40%之化合物RM-157
Figure 02_image822
及0.005%之化合物ST-3b-1組成
Figure 02_image824
Figure 110137122-A0101-11-0001-1
Figure 110137122-A0101-11-0002-2

Claims (15)

  1. 一種液晶介質,其包含a) 一或多種式I化合物,
    Figure 03_image001
    其中 R 11表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基或具有最多12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烯基,其中一或多個H原子視情況經氟替代, R 12表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基或具有1至11個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷氧基或具有最多12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烯基; 及 b) 一或多種選自由式IIA、IIB、IIC及IID之化合物組成之群之化合物,
    Figure 03_image003
    其中 R 2A、R 2B、R 2C及R 2D各自彼此獨立地表示H、未經取代、經CN或CF 3單取代或至少經鹵素單取代之具有最多15個C原子之烷基或烯基,另外,其中該等基團中之一或多個CH 2基團可以使O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、
    Figure 03_image013
    Figure 03_image015
    -C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-OC-O-或-O-CO-替代, L 1至L 4各自彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2, Y      表示H、F、Cl、CF 3、CHF 2或CH 3, Z 2、Z 2B及Z 2D各自彼此獨立地表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-CF=CF-或-CH=CHCH 2O-, p       表示0、1或2, q       表示0或1,且 v       表示1、2、3、4、5或6, 及 c) 一或多種式IVa化合物及一或多種式IVb化合物
    Figure 03_image005
    其中 R 41及R 42各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基,
    Figure 03_image831
    表示
    Figure 03_image833
    Figure 03_image835
    Figure 03_image837
    ,且 Z 4表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-C 4H 8-或-CF=CF-, 及 d) 一或多種式V化合物
    Figure 03_image007
    其中 R 51及R 52相同或不同地表示具有1至7個C原子之烷基、具有1至7個C原子之烷氧基或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基,
    Figure 03_image840
    Figure 03_image842
    相同或不同地表示
      
    Figure 03_image844
      
    Figure 03_image846
    Figure 03_image848
    Z 51、Z 52各自彼此獨立地表示-CH 2-CH 2-、-CH 2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵,且 n       為1或2。
  2. 如請求項1之液晶介質,其中該介質包含一或多種請求項1中所定義之式I化合物,其中該等基團R 11及R 12相同或不同地表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈或環狀烷基。
  3. 如請求項1之液晶介質,其中該介質包含一或多種如請求項1中所定義之式IIA及/或IIB化合物, 及 一或多種式I-1化合物
    Figure 03_image850
    及 一或多種式IVa-2化合物
    Figure 03_image852
    及 一或多種式IVb-1化合物
    Figure 03_image854
    其中 式I-1、IVa-2及IVb-1中之alkyl、alkyl’及alkyl*相同或不同地表示具有1、2、3、4或5個C原子之正烷基。
  4. 如請求項1至3中任一或多項之液晶介質,其中該介質包含濃度在6%至9%範圍內之式I-1-1之化合物,
    Figure 03_image856
    及 濃度在6%至9%範圍內之式I-1-5之化合物,
    Figure 03_image858
    及 濃度在5%至8%範圍內之式I-1-6之化合物,
    Figure 03_image860
    及 濃度在10%至13%範圍內之式IVa-2-1之化合物,
    Figure 03_image862
    及 濃度在5%至8%範圍內之式IVb-1-1之化合物
    Figure 03_image864
    及 濃度在5%至8%範圍內之式V-16-1之化合物,
    Figure 03_image866
    及 濃度在8至11%範圍內之式IIA-2-2之化合物,
    Figure 03_image868
    及 濃度在6至9%範圍內之式IIA-2-5之化合物
    Figure 03_image870
    及 濃度在6%至9%範圍內之式IIA-10-2之化合物
    Figure 03_image872
    及 濃度在6至9%範圍內之式IIA-10-4之化合物,
    Figure 03_image874
    及 濃度在7至10%範圍內之式IIB-10-1之化合物,
    Figure 03_image876
    及 濃度在7至10%範圍內之式IIB-10-4之化合物
    Figure 03_image878
  5. 如請求項4之液晶介質,其中該介質包含80重量%至100重量%之如請求項4中所定義之式I-1-1、I-1-5、I-1-6、V-16-1、IVa-2-1、IVb-1-1、IIA-2-2、IIA-2-5、IIA-10-2、IIA-10-4、IIB-10-1及IIB-10-4之化合物。
  6. 如請求項1至5中任一或多項之液晶介質,其中該介質包含手性摻雜劑。
  7. 如請求項1至6中任一或多項之液晶介質,其中該介質包含一或多種式P之可聚合化合物 P-Sp-A 1-(Z 1-A 2) z-R       P 其中 P      表示可聚合基團, Sp     表示間隔基團或單鍵, A 1、A 2相同或不同地表示較佳具有4至25個環原子之芳香族、雜芳香族、脂環族或雜環基團,其亦可含有稠合環且其未經取代或經L單或多取代, L      表示F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基,其中一或多個非毗鄰CH 2-基團視情況以O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-替代,且其中一或多個H原子各自視情況經P-Sp-、F或Cl替代, Z 1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH 2-、-CH 2O-、-SCH 2-、-CH 2S-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CF 2S-、-SCF 2-、-(CH 2) n1-、-CF 2CH 2-、-CH 2CF 2-、-(CF 2) n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH 2-CH 2-CO-O-、-O-CO-CH 2-CH 2-、-CR 0R 00-或單鍵, R 0、R 00相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基, R      表示H、L或P-Sp-, z       係0、1、2或3, n1     係1、2、3或4。
  8. 如請求項7之液晶介質,其中該式P之可聚合化合物經聚合。
  9. 一種液晶顯示器,其包含如請求項1至8中任一或多項之介質。
  10. 如請求項9之液晶顯示器,其中該顯示器係PSA顯示器。
  11. 如請求項10之液晶顯示器,其中該顯示器係PS-VA、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS、聚合物穩定之SA-VA或聚合物穩定之SA-FFS顯示器。
  12. 如請求項9之液晶顯示器,其中該顯示器係VA、IPS、U-IPS、FFS、UB-FFS、SA-FFS或SA-VA顯示器。
  13. 一種如請求項1至8中任一或多項之液晶介質在光電顯示器中之用途。
  14. 如請求項9至12中任一或多項之液晶顯示器,其中該顯示器具有厚度為10 mm或以下之邊框。
  15. 一種製造液晶顯示器之方法,該顯示器具有厚度為10 mm或以下之邊框且係由第一及第二基板構成,該方法包含至少以下步驟: i) 將請求項1至7中任一或多項之液晶介質滴入在該第一基板上形成之用於液晶之密封材料之堤內部; ii) 將該第二基板基板結合至該第一基板;及 iii) 固化該密封材料。
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