TW202220311A - 具可變化高度之接觸的電連接器組件 - Google Patents

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Abstract

一種電連接器組件（100）包含一載板（154），具有一上表面（160）及一下表面（162），以及具有多個穿過其中的接觸開口（164）。電連接器組件包含接觸（200），容置在形成一接觸陣列之相應的接觸開口中。每一接觸具有一導電性高分子柱（202），在一上配接介面（204）與一下配接介面（206）之間延伸。接觸陣列中的接觸具有可變化之高度，以改變接觸的上配接介面或下配接介面中的至少一個的相對位置。

Description

具可變化高度之接觸的電連接器組件
本文的主題總體上涉及電連接器組件。
朝著更小、更輕及更高性能的電子元件以及更高密度電路的前進趨勢，在印刷電路板及電子封裝的設計中，已經引領表面黏著技術的發展。表面黏著封裝允許一電子封裝（像是一積體電路或一電腦處理器），以一可分離連接到電路板表面上的接墊，而非藉由焊接在穿過電路板的電鍍孔中的接觸或針腳。表面黏著技術可以增加一電路板上的元件密度，從而節省電路板上的空間。
表面黏著技術的一種形式包含插座連接器。一插座連接器可包含保持一接觸陣列的一基板。一些已知的插座連接器在基板的一側具有樑接觸，而在另一側具有導電焊料單元，像是一球柵陣列（ball grid array，BGA）。樑接觸與電子封裝上的接觸接合，且焊料單元固定到一主機電路板（像是一主機板）上的導電接墊，以將電子封裝與主機電路板電性結合。樑接觸在組裝過程中被壓縮，以與電子封裝配接。其他已知的插座連接器包含可壓縮的一導電性高分子柱陣列，以在主機電路板與電子封裝之間提供一中介板（interposer）。然而，基於接觸的材料特性，已知的插座連接器在一工作範圍內具有壓縮限制。組裝時，用機械硬體將組件夾在一起，用於通過插座連接器進行電連接，以及用於將一散熱器與電子封裝熱連接。然而，組件的各零件上的壓力分布在各零件上並不均勻。由機械力及熱應力兩者引起的壓力分布不均，導致零件從一平的、平面的狀態變成扭曲。隨著接觸的密度增加及其高度和間距減少，接觸偏轉的工作範圍也減少。零件扭曲可能超出接觸的工作範圍，導致接觸力減小及接觸電阻增加，並可能導致完全失去接觸。
仍然需要一種電連接器組件，具有與上電路板及下電路板的改進接觸介面。
根據本發明，提供一種電連接器組件。電連接器組件包含一載板，具有一上表面及一下表面。下表面配置為面向一主機電路板。上表面配置為面向一電子元件的一元件電路板。載板包含多個穿過其中的接觸開口。電連接器組件包含接觸，容置在形成一接觸陣列之相應的接觸開口中。每一接觸具有一導電性高分子柱，在一上配接介面與一下配接介面之間延伸。導電性高分子柱在上配接介面與下配接介面之間可壓縮。接觸陣列中的接觸具有可變化之高度，以改變接觸的上配接介面或下配接介面中的至少一個的相對位置。
圖1是根據一電氣系統102的一示例性具體實施例的一電連接器組件100的一分解圖。圖2是根據一示例性具體實施例的電氣系統102的電連接器組件100的一側視圖。電氣系統102包含一主機電路板104及一電子元件108的一元件電路板106（以虛線示出）。電連接器組件100用於將元件電路板106與主機電路板104電連接。在各種具體實施例中，電子元件108是一電子封裝，像是一ASIC。例如，電子元件108可以包含安裝到元件電路板106的一晶片110。
主機電路板104包含一上表面112及一下表面114。電連接器組件100安裝到主機電路板104的上表面112。在一示例性具體實施例中，在下表面114處提供一背板116以加固主機電路板104。電連接器組件100可以通過主機電路板104，像是使用固定件118，耦合到背板116。
在一示例性具體實施例中，一散熱板120（圖1）熱耦合到電氣元件108，以散逸來自電氣元件108的熱量。例如，散熱板120用於散逸來自晶片110的熱量。在各種具體實施例中，散熱板120可以是一散熱器或一冷卻板。在替代具體實施例中，可以使用其他類型的散熱板。在各種具體實施例中，板120可以耦合到電連接器組件100及/或主機電路板104及/或背板116。
在一示例性具體實施例中，電連接器組件100包含保持多個接觸200的一中介板150。在一示例性具體實施例中，該等接觸200是導電性高分子接觸。該等接觸200可以是金屬化粒子互連。該等接觸200配置為電連接到主機電路板104，並且配置為電連接到元件電路板106，以在其間傳輸數據訊號。在各種具體實施例中，中介板150可以保持其他類型的接觸，像是接地接觸及/或電源接觸。該等接觸保持在一接觸陣列中。在一示例性具體實施例中，該等接觸的陣列配置為在一可分離介面處耦合到元件電路板106，並且配置為在一可分離介面處耦合到主機電路板104。例如，該等接觸200可以形成與元件電路板106介接的一平面網格陣列（Land Grid Array，LGA）介面，並且可以形成與主機電路板104介接的一LGA介面。
在各種具體實施例中，電連接器組件100包含一支撐框152，保持中介板150並且配置為保持電氣元件108。支撐框152可以是形成容置電氣元件108的一插座之一插座框。中介板150包含保持該等接觸200的一載板154。載板154耦合到支撐框152。例如，支撐框152可以包含容置電氣元件108的一插座開口156。載板154保持在插座開口156中，用於與電氣元件108（像是元件電路板106）介接。支撐框152用於以相對於中介板150及該等接觸200，來定位元件電路板106。，支撐框152可以利用固定件118來固定到主機電路板104及/或背板116。散熱板120可以耦合到支撐框152。可選地，支撐框152可以相對於電氣元件108定位散熱板120，像是限制散熱板120對電氣元件108的壓縮。在替代具體實施例中，無需支撐框152即可提供中介板150。
圖3是根據一示例性具體實施例的電氣系統102的一分解圖。電連接器組件100可以耦合到主機電路板104的上表面112。電氣元件108配置為耦合到電連接器組件100的頂部。在一示例性具體實施例中，電連接器組件100包含容置電氣元件108的一可壓縮介面。電連接器組件100通過元件電路板106電連接到晶片110。在一示例性具體實施例中，散熱板120耦合到晶片110的頂部，以散逸來自晶片110的熱量。背板116可用於將散熱板120及/或電氣元件108及/或電連接器組件100固定到主機電路板104。
在製造及使用過程中，主機電路板104、元件電路板106及電連接器組件100容易發生翹曲。例如，用於將元件固定在一起的機械壓縮可能會引起翹曲。額外地或替代地，在使用期間，電子系統102的元件可能產生熱。熱膨脹及收縮可能會引起元件的額外翹曲。翹曲導致主機電路板104在與電連接器組件100的介面處的非平面性，及/或元件電路板106在與電連接器組件100的介面處的非平面性。
在一示例性具體實施例中，電連接器組件100的該等接觸200設計成適應一定量的翹曲。例如，可以改變該等接觸200的高度以適應翹曲。跨介面的翹曲可能不均勻。例如，靠近電連接器組件100中央的區域或在電連接器組件100側面的區域，可能比其他區域經歷更大的翹曲。主機電路板104及/或元件電路板106的翹曲輪廓，基於接觸佈局通常可為已知。
在一示例性具體實施例中，電連接器組件100可以設計成適應預期的翹曲輪廓。例如，該等接觸200在某些區域可以加長，或在某些區域可以縮短，以適應主機電路板104及/或元件電路板106的預期翹曲輪廓。在一示例性具體實施例中，可以藉由調整用於形成該等接觸200的成型模具，來控制該等接觸200的高度，以在電連接器組件100內的預定區域或位置處，根據需要實現更長或較短的該等接觸200。
圖4是根據一示例性具體實施例，顯示出元件電路板106的一翹曲輪廓。圖5是根據一示例性具體實施例，顯示出中介板150的一接觸輪廓，其與元件電路板的翹曲互補。輪廓在圖4和圖5中被擴大顯示，以說明翹曲以及對可變化高度接觸輪廓的需求。在所繪示的具體實施例中，靠近元件電路板106中央的元件電路板106的翹曲輪廓是凹面的。接觸輪廓在中央附近升高且在外側附近縮短，以配合翹曲輪廓的形狀。
圖6是根據一示例性具體實施例的電連接器組件100的一部分的一局部剖面圖。圖7是根據一示例性具體實施例的電連接器組件100的一部分的一俯視立體圖。圖8是根據一示例性具體實施例的電連接器組件100的一部分的一俯視立體圖。圖6到圖8繪示出中介板150，示出接觸200的一陣列。
中介板150包含保持該等接觸200的載板154。載板154可以是支撐該等接觸200的一板或膜。載板154是由一介電材料製成以電絕緣接觸200。例如，載板154可以是一聚亞醯胺膜。載板154包含一上表面160及一下表面162。下表面162配置為面向主機電路板104（如圖3所示）。上表面160配置為面向電氣元件108（如圖3所示）。載板154包含在上表面160與下表面162之間延伸的多個接觸開口。接觸開口容置該等接觸200。
在一示例性具體實施例中，每一接觸200包含一導電性高分子柱202，在接觸200頂部的一上配接介面204與接觸200底部的一下配接介面206之間延伸。上配接介面204及下配接介面206，形成可分離的配接介面。上配接介面204及下配接介面206，可以形成上及下LGA。在各種具體實施例中，導電性高分子柱202是一金屬化粒子互連。例如，導電性高分子柱202是一導電性高分子複合結構。導電性高分子柱202由一高分子材料製成，該高分子材料具有嵌入高分子基材中的導電粒子，像是銀粒子。導電性高分子可以通過導電性高分子柱202在內部導電。導電性高分子柱202可以被鍍覆或塗覆，以沿著外表面導電。導電性高分子柱202可以包含在上配接介面204及下配接介面206處的導電帽。
在一示例性具體實施例中，該等接觸200的高度可以相對於其他接觸200變化。例如，上配接介面204可以不共面及/或下配接介面206可以不共面。該等接觸200的高度變化以控制或調整上配接介面204及/或下配接介面206的垂直位置。上配接介面204的垂直位置可以相對於載板154的上表面160變化，例如用於配合元件電路板106的預期翹曲輪廓。下配接介面206的垂直位置可以相對於載板154的下表面162變化，例如用於配合主機電路板104的預期翹曲輪廓。
基於該等導電性高分子柱202的高度，將該等接觸200布置在接觸陣列中，以控制上配接介面204及/或下配接介面206中的至少一個的垂直位置，以對應於元件電路板106或主機電路板104的翹曲輪廓。該等接觸200的接觸陣列形成具有一非共面幾何形狀的一波狀接觸場。例如，該等接觸200的接觸陣列具有一非共面高度輪廓，其具有與元件電路板106或主機電路板104的非共面翹曲輪廓的一相反形狀。可選地，該等接觸200可以布置在具有不同高度的不同陣列中（例如，組、行、列等）。不同接觸陣列中的該等接觸200，可具有不同的、非重疊的高度範圍。
在一示例性具體實施例中，每一接觸200的導電性高分子柱202包含在載板154的上表面160上方的一上部210，以及在載板154的下表面162下方的一下部212。上部210在上表面160與上配接介面204之間延伸。下部212在下表面162與下配接介面206之間延伸。上部210在上表面160與上配接介面204之間具有一上部高度214。下部212在下表面162與下配接介面206之間具有一下部高度216。上部高度214可以是可變化的。下部高度216可以是可變化的。在各種具體實施例中，上部高度214可以與相同導電性高分子柱202的對應下部高度216相同。在替代具體實施例中，上部高度214可以不同於相同導電性高分子柱202的下部高度216。在所繪示的具體實施例中，靠近陣列中央的該等接觸200較高，而靠近外緣的該等接觸200較矮。該等接觸200從中間到外緣，具有逐漸變化的高度（例如，每一相鄰的接觸200具有一不同高度）。或者，該等接觸200的高度可以是分組階梯狀而非逐漸變化。在替代具體實施例中，可以提供其他接觸陣列輪廓，像是在中間附近較矮而在外緣處較高。
在一示例性具體實施例中，導電性高分子柱202為截頭圓錐形。例如，上部210為截頭圓錐形，且下部212為截頭圓錐形。例如，一上部壁220在上表面160與上配接介面204之間是錐形，而一下部壁222在下表面162與下配接介面206之間是錐形。導電性高分子柱202成型，使得上配接介面204不共面，及/或使得下配接介面206不共面。上部210在上表面160處具有一第一上直徑，以及在上配接介面204處具有小於第一上直徑的一第二上直徑。下部212在下表面162處具有一第一下直徑，以及在下配接介面206處具有小於第一下直徑的一第二下直徑。可選地，所有的導電性高分子柱202具有相等的第一上直徑及相等的第二上直徑。對於不同高度的接觸200，上部壁220的錐角可以變化。或者，對於所有接觸200，上部壁220的錐角可以相同，但是第一上直徑及/或第二上直徑可以不同。可選地，所有的導電性高分子柱202具有相等的第一下直徑及相等的第二下直徑。對於不同高度的接觸200，下部壁222錐角可以變化。或者，對於所有接觸200，下部壁222的錐角可以相同，但是第一下直徑及/或第二下直徑可以不同。
100:電連接器組件 102:電氣系統 104:主機電路板 106:元件電路板 108:電氣元件 110:晶片 112、160:上表面 114、162:下表面 116:背板 118:固定件 120:散熱板 150:中介板 152:支撐框 154:載板 156:插座開口 200:接觸 202:導電性高分子柱 204:上配接介面 206:下配接介面 210:上部 212:下部 214:上部高度 216:下部高度 220:上部壁 222:下部壁
圖1是根據一電氣系統的一示例性具體實施例的一電連接器組件的一分解圖。
圖2是根據一示例性具體實施例的電氣系統的電連接器組件的一側視圖。
圖3是根據一示例性具體實施例的電氣系統的一分解圖。
圖4是根據一示例性具體實施例，示出電氣系統的一元件電路板的一翹曲輪廓。
圖5是根據一示例性具體實施例，示出電連接器組件的一中介板的一接觸輪廓，其與元件電路板的翹曲互補。
圖6是根據一示例性具體實施例的電連接器組件的一部分的一局部剖面圖。
圖7是根據一示例性具體實施例的電連接器組件的一部分的一俯視立體圖。
圖8是根據一示例性具體實施例的電連接器組件的一部分的一俯視立體圖。
100:電連接器組件
150:中介板
154:載板
160:上表面
162:下表面
200:接觸
202:導電性高分子柱
204:上配接介面
206:下配接介面
210:上部
212:下部
214:上部高度
216:下部高度
220:上部壁
222:下部壁

Claims (11)

  1. 一種電連接器組件（100），包括： 一載板（154），具有一上表面（160）及一下表面（162），該下表面配置為面向一主機電路板（104），該上表面配置為面向一電氣元件（108）的一元件電路板（106），該載板包含多個穿過其中的接觸開口（164）； 接觸（200），容置在形成一接觸陣列之相應的接觸開口中，每一接觸具有一導電性高分子柱（202），在一上配接介面（204）與一下配接介面（206）之間延伸，該等導電性高分子柱在該上配接介面與該下配接介面之間可壓縮，該接觸陣列中的該等接觸具有可變化之高度，以改變該等接觸的該等上配接介面或該等下配接介面中的至少一個的相對位置。
  2. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中該等導電性高分子柱（202）成型，使得該等導電性高分子柱的該等上配接介面（204）不共面。
  3. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中該等導電性高分子柱（202）成型，使得該等導電性高分子柱的該等上配接介面（204）不共面，以及使得該等導電性高分子柱的該等下配接介面（206）不共面。
  4. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中每一接觸（200）包含在該載板（154）的該上表面（160）與該上配接介面（204）之間的一上部（210），以及包含在該載板的該下表面與該下配接介面（206）之間的一下部（212），該上部（210）在該上表面處具有一第一上直徑，以及在該上配接介面處具有小於該第一上直徑的一第二上直徑，在該上表面與該上配接介面之間具有一錐形上部壁（220），該下部在該下表面處具有一第一下直徑，以及在該下配接介面處具有小於該第一下直徑的一第二下直徑，在該下表面與該下配接介面之間具有一錐形下部壁。
  5. 如請求項4所述的電連接器組件（100），其中該等接觸（200）的接觸陣列包含具有不同高度的一第一接觸及一第二接觸，該第一接觸的該上部壁（220）的一錐角不同於該第二接觸的該上部壁的一錐角。
  6. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中基於該等導電性高分子柱（202）的高度將該等接觸（200）布置在該接觸陣列中，以控制該等上配接介面（204）或該等下配接介面（206）中的至少一個的垂直位置，以對應於該主機電路板（104）或該元件電路板（106）中的至少一個的一翹曲輪廓。
  7. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中該等接觸（200）的接觸陣列形成具有一非共面幾何形狀的一波狀接觸場。
  8. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中該等接觸（200）的接觸陣列具有一非共面高度輪廓，具有與該主機電路板（104）或該元件電路板（106）中的至少一個的該非共面翹曲輪廓的一相反形狀。
  9. 如請求項1所述的電連接器組件，其中該等接觸（200）布置在一第一接觸陣列及一第二接觸陣列中，該第一接觸陣列中的該等接觸具有一第一高度，該第二接觸陣列中的該等接觸具有一第二高度，該第二高度不同於該第一高度。
  10. 如請求項9所述的電連接器組件（100），其中該等接觸（200）還布置在一第三接觸陣列中，該第三接觸陣列中的該等接觸具有一第三高度，該第三高度不同於該第一高度且不同於該第二高度。
  11. 如請求項1所述的電連接器組件（100），其中該等接觸（200）布置在一第一接觸陣列及一第二接觸陣列中，該第一接觸陣列中所有的該等接觸具有在一第一高度範圍中的高度，該第二接觸陣列中所有的該等接觸具有在一第二高度範圍中的高度，該第二高度範圍不與該第一高度範圍重疊。
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