TW202208869A - Inspection device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明係關於一種檢查裝置。 The present invention relates to an inspection device.
近年來,已有開發一種用以檢查具有天線之半導體裝置的各種檢查裝置。例如專利文獻1所記載的檢查裝置,係具備:保持作為被檢查裝置(Device Under Test,以下簡稱DUT)的半導體裝置的保持部;以及檢查DUT的天線部。天線部係進行DUT之OTA(Over-the-Air,空中傳送接收)檢查。天線部係具備絕緣基板。在絕緣基板之下表面側係設置有天線元件。在絕緣基板之上表面側係設置有接地圖案。
In recent years, various inspection apparatuses for inspecting semiconductor devices having antennas have been developed. For example, the inspection apparatus described in
[先前技術文獻] [Prior Art Literature]
[專利文獻] [Patent Literature]
專利文獻1:日本專利公報特開2010-27777號 Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2010-27777
在天線元件、與接地圖案等的導電構件係隔著絕緣基板等的絕緣 構件而相互地相向的情形,天線元件之中與導電構件相向的表面被接合於絕緣構件。因使天線元件之該表面接合於絕緣構件,因此會有天線元件之該表面會被粗糙化的情形。在此情形下,會有使天線增益(antenna gain)降低的疑慮。 Insulation between the antenna element and the conductive member such as the ground pattern via an insulating substrate or the like When the members face each other, the surface of the antenna element facing the conductive member is joined to the insulating member. Since the surface of the antenna element is bonded to the insulating member, the surface of the antenna element may be roughened. In this case, there is a concern of reducing the antenna gain.
本發明的目的之一例係在於抑制天線增益之降低。本發明的另一目的,當可從本說明書的記載而更臻明瞭。 An example of an object of the present invention is to suppress the decrease in antenna gain. Another object of the present invention will become more apparent from the description of the present specification.
本發明之一態樣為一種檢查裝置,係具備: One aspect of the present invention is an inspection device comprising:
導電構件,係具有接地面(ground surface); a conductive member having a ground surface;
絕緣構件,係至少一部分與前述接地面相向;以及 an insulating member, at least a part of which faces the ground plane; and
天線元件,係設置於前述絕緣構件之中與前述接地面相向的表面。 The antenna element is disposed on the surface of the insulating member facing the ground plane.
依據本發明的上述態樣,可以抑制天線增益之降低。 According to the above-described aspects of the present invention, the reduction of the antenna gain can be suppressed.
10,10B:檢查裝置 10,10B: Inspection device
20,20B:保持部 20, 20B: Retention Department
30,30A,30K:天線部 30, 30A, 30K: Antenna part
110:檢查用基板 110: Inspection substrate
120:插座 120: socket
200,200B:固定部 200, 200B: Fixed part
202,202B:加壓部 202, 202B: Pressurization Department
210,210B:孔 210, 210B: Holes
310,310A,310K:導電構件 310, 310A, 310K: Conductive components
312,312A,312K:接地面 312, 312A, 312K: Ground plane
314:凹部 314: Recess
320,320K:絕緣構件 320, 320K: Insulation components
330,330K,510:天線元件 330, 330K, 510: Antenna elements
342:第一帶狀線 342: First Stripline
344:第二帶狀線 344: Second Stripline
352:第一通孔 352: first through hole
354:第二通孔 354: second through hole
360A:間隔件 360A: Spacer
500:半導體裝置 500: Semiconductor Devices
X:第一方向 X: first direction
Y:第二方向 Y: the second direction
Z:第三方向 Z: third direction
圖1係實施型態的檢查裝置之剖視圖。 FIG. 1 is a cross-sectional view of an inspection apparatus according to an embodiment.
圖2係實施型態的天線部之立體圖。 FIG. 2 is a perspective view of the antenna portion of the embodiment.
圖3係半導體裝置之上表面的立體圖。 FIG. 3 is a perspective view of the upper surface of the semiconductor device.
圖4係顯示天線元件與接地面之間的距離、與天線部之輻射效率的關係之一例的曲線圖。 4 is a graph showing an example of the relationship between the distance between the antenna element and the ground plane and the radiation efficiency of the antenna portion.
圖5係比較例的天線部之剖視圖。 FIG. 5 is a cross-sectional view of an antenna portion of a comparative example.
圖6係顯示實施型態的天線部之電波的輻射場型及比較例的天線部之電波的輻射場型的圖。 FIG. 6 is a diagram showing the radiation pattern of the radio waves of the antenna part of the embodiment and the radiation pattern of the radio waves of the antenna part of the comparative example.
圖7係顯示實施型態的天線部的正角(boresight)之增益的頻率特性及比較例的天線部的正角之增益的頻率特性的曲線圖。 FIG. 7 is a graph showing the frequency characteristic of the gain of the positive angle (boresight) of the antenna part of the embodiment and the frequency characteristic of the gain of the positive angle of the antenna part of the comparative example.
圖8係變化例1的天線部之剖視圖。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the antenna portion of
圖9係變化例2的檢查裝置之剖視圖。 FIG. 9 is a cross-sectional view of the inspection apparatus of Modification 2. FIG.
以下,使用圖式來說明本發明之實施型態及變化例。再者,在全部的圖式中,對於同樣的構成要素係附記同樣的符號且適當省略說明。 Hereinafter, embodiments and modifications of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in all drawings, the same code|symbol is attached|subjected to the same component and description is abbreviate|omitted suitably.
在本說明書中,「第一」、「第二」、「第三」等的序數詞,只要沒有特別事先說明,則是為了單純地區別已附有同樣名稱的構成所附記,而非意指構成之特定的特徵(例如,順序或重要度)。 In this specification, the ordinal numbers such as "first", "second", "third", etc., unless otherwise specified in advance, are simply added notes for distinguishing the structures with the same names, and do not mean A particular feature of composition (eg, order or importance).
圖1係實施型態的檢查裝置10之剖視圖。圖2係實施型態的天線部30之立體圖。圖3係半導體裝置500之上表面的立體圖。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an
在圖1至圖3中,顯示第一方向X、第二方向Y或第三方向Z的箭頭方向,係顯示藉由該箭頭所示的方向之正方向。另一方面,顯示第一方向X、第二方向Y或第三方向Z的箭頭之相反方向,係顯示藉由該箭頭所示的方向之負方向。又,顯示第二方向Y的帶有×的白色圓圈,係顯示如下:藉由該帶有×的白色圓圈所示的方向之正方向為從紙面的表面側朝向背側的方向,而藉由該帶有×的白色圓圈所示的方向之負方向為從紙面的背側朝向表面側的方向。即便是在後述的圖5、圖6、圖8及圖9中亦為同樣。 In FIGS. 1 to 3 , the arrow directions showing the first direction X, the second direction Y, or the third direction Z are shown as positive directions of the directions indicated by the arrows. On the other hand, the opposite direction of the arrow showing the first direction X, the second direction Y, or the third direction Z is the negative direction of the direction indicated by the arrow. In addition, the white circle with x indicating the second direction Y is displayed as follows: since the positive direction of the direction indicated by the white circle with x is the direction from the front side of the paper to the back side, and by The negative direction of the direction indicated by the white circle with x is the direction from the back side of the paper to the front side. The same applies to FIGS. 5 , 6 , 8 , and 9 to be described later.
第一方向X係指水平方向亦即與正交於垂直方向之方向成平行的一方向。具體而言,第一方向X係指後述之實質上與正方形的半導體裝置500之一邊成平行的方向。第二方向Y係指與水平方向成平行並且正交於第一方向X的一方向。具體而言,第二方向Y係指與正交於上述一邊的另一邊成平行的方向,該上述一邊係與半導體裝置500之第一方向X成平行者。第三方向Z,為垂直方向,且正交於第一方向X及第二方向Y之雙方。第三方向Z之正方向係成為垂直方向之上方向。第三方向Z之負方向係成為垂直方向之下方向。
The first direction X refers to a horizontal direction, that is, a direction parallel to a direction orthogonal to the vertical direction. Specifically, the first direction X refers to a direction substantially parallel to one side of the
再者,圖1所示的剖面係指沿著垂直於第二方向Y的方向而通過檢查裝置10之第二方向Y上的中心的剖面。
In addition, the cross-section shown in FIG. 1 means the cross-section which passes the center in the 2nd direction Y of the
首先,使用圖3來說明作為檢查裝置10之被檢查裝置(DUT)的半導體裝置500。
First, a
在半導體裝置500之上表面係設置有四個天線元件510。天線元件510之外形為板狀的正方形,惟既可為板狀的圓形,又可為任何的形狀。四個天線元件510係以兩行兩列的正方形格子狀方式排列構成為陣列天線。控制從各個天線元件510所輻射的電波之振幅、相位等的條件,藉此可控制從半導體裝置500所輻射的電波。再者,天線元件510之佈局(layout)係不受本實施型態的佈局所限定。例如,亦可在半導體裝置500之上表面僅設置有一個天線元件510。又,複數個天線元件510亦可排列成長方形格子狀。又,複數個天線元件510亦可沿著一方向排列成一列。或是,複數個天線元件510亦可排列成三角形格子、四角形格子、六角形格子等的多角形格子狀。或是,複數個天線元件510亦可排列成圓環狀或橢圓環狀。
Four
其次,使用圖1及圖2來說明檢查裝置10。
Next, the
檢查裝置10係具備保持部20及天線部30。保持部20係保持半導體裝置500。保持部20係具有檢查用基板110、插座(socket)120及固定部200。天線部30係檢查半導體裝置500。
The
檢查用基板110例如是PCB(Printed Circuit Board;印刷電路板)。插座120係設置於檢查用基板110之上表面上。半導體裝置500係隔著插座120而被搭載於檢查用基板110之上表面上。檢查用基板110與半導體裝置500係經由插座120而相互地電性連接。輸入給檢查用基板110的信號係經由插座120而被輸入至半導體裝置500。又,從半導體裝置500所輸出的信號係經由插座120而從檢查用基板110輸出。
The
固定部200,例如是藉由樹脂等的絕緣材料所形成。固定部200係將半導體裝置500朝向檢查裝置10按壓(固定)。具體而言,固定部200係具有加壓部202,該加壓部202係與半導體裝置500之上表面的邊緣接觸。固定部200係使加壓部202接觸於半導體裝置500之上表面的邊緣,藉此將半導體裝置500固定於插座120上之預定位置,且朝向插座120緊壓半導體裝置500。藉此來使半導體裝置500與插座120之間的接觸變得確實。
The fixing
固定部200係劃設有:露出半導體裝置500之至少一部分,具體而言是露出半導體裝置500之上表面的至少一部分的孔210。從被設置於半導體裝置500之上表面的天線元件510所輻射來的電波,係經由孔210而到達天線部30。又,從天線部30所輻射來的電波,係經由孔210而到達被設置於半導體裝置500之上表面的天線元件510。
The fixing
天線部30係進行半導體裝置500之OTA(Over-the-Air,空中傳送接收)檢查。天線部30係配置於半導體裝置500之上方。天線部30係進行如下至少一
方:往半導體裝置500輻射的電波之傳送、與從半導體裝置500所輻射的電波之接收。具體而言,天線部30係電性連接於未圖示的外部測量器。根據從外部測量器輸入至天線部30的信號,電波從天線部30朝向半導體裝置500輻射。又,根據從半導體裝置500朝向天線部30所輻射來的電波,信號從天線部30朝向外部測量器輸出。
The
其次,使用圖1及圖2來說明天線部30之詳細。
Next, the details of the
天線部30係具備導電構件310、絕緣構件320、天線元件330、第一帶狀線(stripline)342、第二帶狀線344、第一通孔(via)352及第二通孔354。
The
導電構件310例如是由鋁(aluminum)等的金屬所構成的導體板。從垂直方向觀察時,導電構件310實質上是成為正方形。再者,導電構件310的形狀係不被限定於本實施型態的形狀。從垂直方向觀察時,導電構件310例如亦可實質上成為長方形等與正方形不同的四角形。
The
在導電構件310之下表面係設置有朝向導電構件310之下方開口的凹部314。凹部314之底面係成為接地面312。凹部314例如是藉由切削所形成。在此情形下,相較於如後述之圖8所示使用被配置於導電構件310A與絕緣構件320之間的間隔件(spacer)360A來使接地面312A與天線元件330分離的情形,可以減少天線部30的零件數。
The lower surface of the
絕緣構件320例如是樹脂基板。絕緣構件320例如是藉由從絕緣構件320之下表面貫通絕緣構件320的螺絲而固定於導電構件310,使導電構件310之下表面、與絕緣構件320之上表面相互地接觸。藉此,絕緣構件320之至少一部分、具體而言是絕緣構件320之上表面之中藉由導電構件310之凹部314所覆蓋的部分,係與導電構件310之接地面312相向。又,在絕緣構件320之上表面側之中
接觸導電構件310的部分亦可有由銅箔所形成的導電圖案。
The insulating
天線元件330係設置於絕緣構件320之上表面。天線元件330例如是藉由金屬所形成的導電圖案。天線元件330亦可為板金。天線元件330係設置於絕緣構件320之中與導電構件310之接地面312相向的表面側。又,天線元件330與接地面312係隔著空間(存在空氣的區域)而相互地相向。
The
在從天線元件330面向接地面312的方向、亦即第三方向Z之正方向上觀察時,絕緣構件320與接地面312之間的空間之形狀,亦即凹部314之形狀例如是實質上與天線元件330之形狀相似。再者,凹部314之形狀,亦可成為與天線元件330之相似形不同的形狀。
When viewed from the direction in which the
其次,針對天線元件330的詳細之一例加以說明。若將自由空間的波長設為λ0時,天線元件330之一邊的長度L係例如可設為1/3 λ0<L<1/2 λ0。天線元件330之共振頻率f係可以用下述的式1來計算。
Next, a detailed example of the
其中,c係表示真空中的光速,式1中的εeff、△L係由下述的式2及式3所表示。
Here, c represents the speed of light in a vacuum, and ε eff and ΔL in
在式2及式3中,εr為介質的介電常數,h為天線元件330與接地面312之間的距離,W為天線元件330的橫向寬度。所謂橫向寬度係指與由微帶線(microstrip)所供電之軸呈90度的方向之寬度。在上述一例中,由於天線元件330之一邊的縱
向長度與橫向寬度是相同,所以L=W,且εr=1.37,h=0.5mm。在以此條件所計算出來的情形下,共振頻率會成為28.5GHz是在天線元件330之一邊約為4.0mm的時候。
In Equation 2 and Equation 3, ε r is the dielectric constant of the medium, h is the distance between the
又,天線部30之輻射效率η係可以用下述的式4來表示。
In addition, the radiation efficiency η of the
在式4中,Qr係表示藉由空間輻射所得的Q值,Qsw係表示藉由往第一方向X及第二方向Y水平地傳播於天線元件330的表面波所得的Q值,Qc係表示藉由導體所得的Q值,Qd係表示藉由介電體所得的Q值。由於Q值的倒數為損失,所以1/Qr、1/Qsw、1/Qc、1/Qd係分別表示空間輻射損失、表面波損失、導體損失、介電體損失。更且,各個的Qr、Qc、Qd係用以下述的式5至式7所表示。
In Equation 4, Q r represents the Q value obtained by space radiation, Q sw represents the Q value obtained by the surface wave propagating horizontally in the
在式5至式7中,c係表示光速,μ係表示透磁率,a係表示表面粗糙度,σ係表示導體的導電率。有關作為表面波之Q值的Qsw,係指藉由天線元件330之周圍條件所決定的值。
In Equation 5 to Equation 7, c represents the speed of light, μ represents magnetic permeability, a represents surface roughness, and σ represents the electrical conductivity of the conductor. The Q sw which is the Q value of the surface wave refers to a value determined by the surrounding conditions of the
圖4係顯示天線元件330與接地面312之間的距離、與天線部30之輻射效率的關係之一例的曲線圖。在圖4中,曲線圖的橫軸係顯示天線元件330與接地面312之間的距離,曲線圖的縱軸係顯示天線部30之輻射效率。圖4所示的關
係係根據式4所計算出來的。
FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the distance between the
在一例中,天線元件330與接地面312之間的距離,係藉由式4之輻射效率η所決定。如圖4所示,天線部30之輻射效率係隨著天線元件330與接地面312之距離變大而變大,且大約超過0.2mm時起變化會變得緩和且飽和。在上述一例中,天線元件330與接地面312之間的距離係設為0.5mm,此距離會使天線部30之輻射效率為0.97而足夠大,且即便該距離變動,天線部30之輻射效率仍不會大幅變動。再者,天線元件330與接地面312之間的距離,亦可為0.5mm以下。
In one example, the distance between the
在一例中,絕緣構件320與接地面312之間的空間之區域(亦即凹部314之水平方向的尺寸),例如其第一方向X之尺寸或第二方向Y之尺寸係可以設成天線元件330之水平方向的尺寸(例如第一方向X之尺寸或第二方向Y之尺寸)的兩倍以下。在此情形下,可以藉由凹部314之內壁屏蔽表面波,來抑制前述之式4中的表面波損失1/Qsw。但是,當過度減小凹部314之尺寸時,因凹部314之內壁就會過於靠近天線元件330,因此會出現使得天線元件330之上述式1至式7不成立等的影響。為此,作為凹部314之尺寸要選擇上述式1至式7成立,且可抑制表面波損失1/Qsw的適當值。再者,凹部314之水平方向的尺寸,亦可比天線元件330之水平方向的尺寸之兩倍還大。
In one example, the area of the space between the insulating
經由貫通絕緣構件320的第一通孔352,而從被設置於絕緣構件320之下表面側的第一帶狀線342往天線元件330進行供電。第一帶狀線342係沿著第一方向X平行地延伸。第一帶狀線342之一端係連接於第一通孔352。另一方面,可使第一帶狀線342之另一端係連接於未圖示的外部測量器。又,經由貫通絕緣構件320的第二通孔354,而從被設置於絕緣構件320之下表面側的第二帶狀線344往天線元件330進行供電。第二帶狀線344係沿著第二方向Y平行地延伸。
第二帶狀線344之一端係連接於第二通孔354。可使第二帶狀線344之另一端連接於未圖示的外部測量器。天線部30係能夠藉由第一帶狀線342及第二帶狀線344之兩個帶狀線,來進行水平極化波及垂直極化波之傳送及接收的至少一方。再者,被設置於天線部30的帶狀線之數目亦可僅為一個。又,往天線元件330的供電方式亦可為不使用第一通孔352及第二通孔354而是藉由非接觸之電磁耦合所為的供電。
Power is supplied to the
圖5係比較例的天線部30K之剖視圖。比較例的天線部30K係除了以下之點以外,其餘與實施型態的天線部30同樣。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the
在比較例的天線部30K中,絕緣構件320K係設置於導電構件310K之下表面側。天線元件330K係設置於絕緣構件320K之下表面側。
In the
使用圖1、圖2及圖5來說明實施型態的天線部30、與比較例的天線部30K之比較。
A comparison between the
在比較例的天線部30K中,因是使天線元件330K接著於絕緣構件320K之下表面,因此天線元件330K之中與接地面312K相向的表面會被粗糙化。在此情形下,相較於天線元件330K之中與接地面312K相向的表面未被粗糙化的情形,藉由天線元件330K之中與接地面312K相向的表面之集膚效應(skin effect)而產生的導體損失會變大。相對於此,在實施型態的天線部30中,天線元件330之中與接地面312相向的表面係未接著於絕緣構件320的表面。因此,實施型態的天線部30之天線元件330之中與接地面312相向的表面之表面粗糙度,係可設為較比較例的天線部30K之天線元件330K之中與接地面312K相向的表面之表面粗糙度更小。天線部之導體損失係藉由式6的倒數所表現。在式6中將表面粗糙度a作為變數的情形,在沒有表面粗糙度的情形下,換句話說在a=0時,式6的分母係
取最小的值且Q值會成為最大,使得天線部之導體損失1/Qc為相反的最小。從而,實施型態的天線部30之導體損失,係可較比較例的天線部30K之導體損失更減小。因此,在實施型態中係可較比較例更抑制天線增益之降低。
In the
又,在比較例的天線部30K中,可能會藉由天線元件330K與接地面312K之間的絕緣構件320亦即介電體材料而產生介電體損失1/Qd。相對於此,實施型態的天線部30中的天線元件330與接地面312之間為空氣。介電體損失為式7的Qd之倒數的tan δ。因空氣的介電體損失為零,因此式7中的tan δ=0,且天線部之介電體損失亦成為零。藉此,實施型態的天線部30之介電體損失,係可較比較例的天線部30K之介電體損失更減小。因此,在實施型態中係可較比較例更抑制天線增益之降低。
In addition, in the
圖6係顯示實施型態的天線部30之電波的輻射場型及比較例的天線部30K之電波的輻射場型的圖。在圖6中,附有刻度的圓之外側所附記的數字係表示幅射場型之方位(單位:度)。又,從該圓之中心到0度方向所附記的數字係表示增益(單位:dBi)。又,幅射場型之0度方向亦即正角(boresight)方向係成為第三方向Z之負方向。
FIG. 6 is a diagram showing the radiation pattern of the radio waves of the
實施型態的幅射場型之正角的增益,係成為較比較例的幅射場型之正角的增益還高約3dB。結果,意味著:如上述,實施型態的天線部30之導體損失及介電體損失成為較比較例的天線部30K之導體損失及介電體損失更減小。
The gain of the positive angle of the radiation pattern of the embodiment is about 3 dB higher than the gain of the positive angle of the radiation pattern of the comparative example. As a result, it means that, as described above, the conductor loss and dielectric loss of the
圖7係顯示實施型態的天線部30的正角之增益的頻率特性及比較例的天線部30K的正角之增益的頻率特性的曲線圖。在圖7中,曲線圖的縱軸係顯示正角中的增益,曲線圖的橫軸係顯示頻率。
7 is a graph showing the frequency characteristic of the gain of the positive angle of the
實施型態的正角之增益係從26GHz到31GHz,成為較比較例的正
角之增益還高。結果,意味著:實施型態的天線部30之導體損失及介電體損失已成為較比較例的天線部30K之導體損失及介電體損失更減小,藉此實施型態的天線部30之Q值會成為較比較例的天線部30K之Q值還高。藉此,實施型態的天線部30所能夠使用的頻帶係成為較比較例的天線部30K所能夠使用的頻帶更廣闊。
The gain of the positive angle of the implementation is from 26GHz to 31GHz, which is a positive gain compared to the comparative example.
The horn gain is also high. As a result, it means that the conductor loss and dielectric loss of the
圖8係變化例1的天線部30A之剖視圖。本變化例的天線部30A係除了以下之點以外,其餘與實施型態的天線部30同樣。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the
天線部30A的導電構件310A之下表面係成為平坦。絕緣構件320係隔著間隔件360A而連接於導電構件310A之下表面。間隔件360A係在從垂直方向之下方觀察的情形下包圍著導電構件310A之下表面的一部分區域。導電構件310A之下表面之中已藉由間隔件360A所包圍的區域係成為接地面312A。藉此,絕緣構件320之至少一部分係與接地面312A相向。又,天線元件330係設置於絕緣構件320之中與接地面312A相向的表面側。
The lower surface of the
在本變化例中,可以藉由調整間隔件360A之第三方向Z的高度,來調整接地面312A與絕緣構件320之間的第三方向Z的距離。在此情形下,相較於如圖1所示在導電構件310設置凹部314的情形,可輕易地調整接地面312A與絕緣構件320之間的距離。又,在本變化例中,沒有必要在導電構件310A形成圖1所示的凹部314,且間隔件360A,例如可以僅對板金進行衝壓加工來形成。在此情形下,相較於如圖1所示在導電構件310設置凹部314的情形,可抑制天線部30A之製造成本。
In this variation, the distance in the third direction Z between the
圖9係變化例2的檢查裝置10B之剖視圖。本變化例的檢查裝置10B係除了以下之點以外,其餘與實施型態的檢查裝置10同樣。
FIG. 9 is a cross-sectional view of the
保持部20B的固定部200B係具有加壓部202B,該加壓部202B係與
半導體裝置500之上表面的邊緣接觸。又,固定部200B的孔210B之內側面,係從孔210B之底部到開口成為階梯形狀(具有段差的形狀)。在此情形下,相較於如圖1所示孔210之內側面在第三方向Z為平坦的情形,可減低半導體裝置500之電波的幅射場型之變形。
The fixing
以上,雖然已參照圖式來敘述本發明的實施型態及變化例,但是此等為本發明的例示,亦可以採用上述以外的各種構成。 The embodiments and modifications of the present invention have been described above with reference to the drawings, but these are examples of the present invention, and various configurations other than those described above may be employed.
例如,在本實施型態中,天線元件330與接地面312係隔著空氣而相互地相向。然而,在天線元件330與接地面312之間,亦可設置有低損失的介電體材料來取代空氣。即便是在此情形下,如圖5所示,相較於在絕緣構件320K之中導電構件310K所位處之側的表面之相反側的表面設置有天線元件330K的情形,仍可減小藉由天線元件330之中與接地面312相向的表面之集膚效應所致的導體損失及介電體損失。從而,即便是在天線元件330與接地面312之間設置有介電體材料的天線部30,仍可較比較例的天線部30K更抑制天線增益之降低。
For example, in the present embodiment, the
依據本說明書,提供以下的態樣。 According to this specification, the following aspects are provided.
(態樣1) (Aspect 1)
態樣1為一種檢查裝置,其具備:
導電構件,係具有接地面; a conductive member having a ground plane;
絕緣構件,係至少一部分與前述接地面相向;以及 an insulating member, at least a part of which faces the ground plane; and
天線元件,係被設置於前述絕緣構件之中與前述接地面相向的表面。 The antenna element is provided on the surface of the insulating member facing the ground plane.
依據態樣1,不同於在絕緣構件之中導電構件所位處之側的表面之相反側的表面設置有天線元件的情形,天線元件係未接著於絕緣構件之表面。從而,依據態樣1,則相較於在絕緣構件之中導電構件所位處之側的表面之相反側的表面設
置有天線元件的情形,可減小藉由天線元件之中與接地面相向的表面之集膚效應所致的導體損失。因此,依據態樣1,則相較於在絕緣構件之中導電構件所位處之側的表面之相反側的表面設置有天線元件的情形,可抑制天線增益之降低。
According to
(態樣2) (Aspect 2)
態樣2為態樣1所述之檢查裝置,其中,前述天線元件與前述接地面係隔著空氣而相互地相向。
Aspect 2 is the inspection apparatus described in
依據態樣2,則相較於天線元件與接地面係隔著介電體材料而相互地相向的情形相較,可減低天線元件與接地面之間的介電常數及介電體損失。因此,依據態樣2,則相較於天線元件與接地面係隔著介電體材料而相互地相向的情形,可抑制天線增益之降低。 According to Aspect 2, compared to the case where the antenna element and the ground plane face each other through a dielectric material, the dielectric constant and the dielectric loss between the antenna element and the ground plane can be reduced. Therefore, according to the aspect 2, the reduction of the antenna gain can be suppressed compared to the case where the antenna element and the ground plane face each other with a dielectric material interposed therebetween.
(態樣3) (Aspect 3)
態樣3為態樣1或2所述之檢查裝置,其中,前述接地面為被設置於前述導電構件的凹部之底面。
Aspect 3 is the inspection device according to
依據態樣3,則相較於使用配置於導電構件與絕緣構件之間的間隔件來使接地面與天線元件分離的情形,可減少天線部之零件數。 According to Aspect 3, the number of parts of the antenna portion can be reduced compared to the case where the ground plane and the antenna element are separated by using the spacer disposed between the conductive member and the insulating member.
此申請案係主張以2020年8月27日所提出申請的日本特願2020-143160號的優先權,並將該日本申請的全部公開內容引用在本申請中。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-143160 for which it applied on August 27, 2020, and the entire disclosure of the Japanese application is incorporated herein by reference.
10:檢查裝置 10: Check the device
20:保持部 20: Keeping Department
30:天線部 30: Antenna part
110:檢查用基板 110: Inspection substrate
120:插座 120: socket
200:固定部 200: Fixed part
202:加壓部 202: Pressurization Department
210:孔 210: Hole
310:導電構件 310: Conductive components
312:接地面 312: Ground plane
314:凹部 314: Recess
320:絕緣構件 320: Insulation components
330:天線元件 330: Antenna Element
342:第一帶狀線 342: First Stripline
352:第一通孔 352: first through hole
500:半導體裝置 500: Semiconductor Devices
X:第一方向 X: first direction
Y:第二方向 Y: the second direction
Z:第三方向 Z: third direction
Claims (3)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020143160 | 2020-08-27 | ||
JP2020-143160 | 2020-08-27 |
Publications (1)
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Family
ID=80353162
Family Applications (1)
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TW110129791A TW202208869A (en) | 2020-08-27 | 2021-08-12 | Inspection device |
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