TW202201867A - 雷射元件 - Google Patents

Abstract

一種雷射元件，包含一載板、一雷射單元、稜鏡、基座、圍欄、以及透鏡。雷射單元，位於載板之上表面上，且具有一出光面；稜鏡，設置於載板之上表面上，用以改變雷射單元所發出之一光束的一行進方向；基座位於雷射單元以及載板之間，且具有一側面面向稜鏡；圍欄設置於載板之上表面上，圍繞雷射單元及稜鏡；透鏡位於圍欄上並覆蓋圍欄、雷射單元以及稜鏡；雷射單元的出光面突出於基座的側面。

Description

雷射元件

本發明係關於一種雷射元件，尤關於一種具有雷射單元、稜鏡、以及透鏡之雷射元件。

隨著光電產業的蓬勃發展，發光二極體（Light emitting diode，LED）、雷射二極體（Laser diode，LD）等發光單元被廣泛地應用於各領域，例如作為各類電子產品之顯示器的背光源、光學感測器、雷射顯微鏡、掃描器等，或直接應用於照明用途。

然而，發光單元在操作的過程中會產生大量的熱能，若無法有效地將發光單元中的熱能釋除，累積的熱能將使發光單元的溫度升高，其不僅會影響發光單元的穩定性及發光效率，也會降低發光元件的使用壽命。

因此，為了解決發光單元在操作時所面臨溫度上升的問題，參閱第1圖，以雷射二極體為例，雷射二極體普遍的封裝方式為TO（Transistor Outline） CAN封裝，其具有一散熱結構用以散熱。如第1圖所示，雷射封裝10包含一封裝殼11、一散熱塊12、一與散熱塊12接合的雷射二極體13、一用以傳導電能的電極單元14與雷射二極體13電性連接、及一玻璃透鏡15。散熱塊12係用以傳導雷射二極體13所釋出的熱能。習知的雷射封裝10因散熱塊12的導熱路徑較長，使得雷射封裝10的散熱效率不佳，且TO CAN封裝的成本較高，其封裝製程也較為複雜。

除此之外，如將雷射封裝10應用於發光模組時，還需進行光學設計並搭配一透鏡／稜鏡以發出合適的光型，製程上亦需花費時間和成本進行組裝。

本發明提供一種雷射元件，其將雷射單元、稜鏡及透鏡整合在同一封裝體中，進而具有體積極小化之功效。

本發明提供一種雷射元件，包含一載板、一雷射單元、稜鏡、基座、圍欄、以及透鏡。雷射單元，位於載板之上表面上，且具有一出光面；稜鏡，設置於載板之上表面上，用以改變雷射單元所發出之一光束的一行進方向；基座位於雷射單元以及載板之間，且具有面向稜鏡之側面；圍欄設置於載板之上表面上，圍繞雷射單元及稜鏡；透鏡位於圍欄上，覆蓋圍欄、雷射單元以及稜鏡；雷射單元的出光面突出於基座的側面。

為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，請參照下列實施例之描述並配合相關圖示。惟，以下所示之實施例係用於例示本發明之發光模組組件，並非將本發明限定於以下之實施例。又，本說明書記載於實施例中的構成零件之尺寸、材質、形狀、相對配置等在沒有限定之記載下，本發明之範圍並非限定於此，而僅是單純之說明而已。且各圖示所示構件之大小或位置關係等，會由於為了明確說明有加以誇大之情形。並且，於以下之描述中，為了適切省略詳細說明，對於同一或同性質之構件用同一名稱、符號顯示。

第2圖係依據本發明之一實施例所揭露之一雷射元件100的示意圖。第3圖係依據本發明之一實施例所揭露之雷射元件100的上視圖。第4圖係沿著第3圖之線A-A'的剖面圖。

參考第2～4圖，雷射元件100，包含一載板110、一雷射單元120、一稜鏡130、一電子元件180、一圍欄140、以及一透鏡150。載板110包含一上表面111及一下表面112；圍欄140設置於載板110之上表面111的外圍，於上表面111的中心形成一腔室V；雷射單元120、稜鏡130、以及電子元件180，位於載板110之上表面111上，且位於腔室V中被圍欄140圍繞。雷射單元120與稜鏡130相鄰設置，且雷射單元120的出光面120s面對稜鏡130稜鏡130用於改變雷射單元120所發出之光束L的一行進方向，使雷射光束可以由雷射元件100的上方射出；透鏡150位於圍欄140上，覆蓋圍欄140、腔室V、雷射單元120、電子元件180、以及稜鏡130。

如第4圖所示，雷射單元120由出光面120s發出一具有一第一光束大小之光束L。為了使雷射單元120發出的光束L能夠更有效率且無逸散的被使用，稜鏡130設置於光束L之行進方向上以改變光束L的行進方向，使光束L的行進方向由橫向改為向上往透鏡150前進。光束L通過透鏡150之後被準直為一具有一第二光束大小之平行光束L'，且第二光束大小不同於第一光束大小。在一實施例中，第二光束大小小於第一光束大小。光束大小係定義為光束投影在垂直其行進方向的一平面上的面積，此面積內包含大約86%的光束能量。

於本實施例中，雷射單元120由出光面120s所發出之光束L為一橢圓形的發散光束。此發散光束經過稜鏡130反射或折射後被改變行進方向，再經由透鏡150準直為平行光束L'而向外射出。為避免光束L於透鏡150之一入光側150s發生反射，透鏡150之入光側150s可選擇性地塗布一抗反射塗層。抗反射塗層的材料包含氧化矽、氮化矽、金屬氧化物或金屬氮化物。

為了使雷射元件100符合應用所需的光學設計，透鏡150可為一平凸透鏡、一凹凸透鏡或一雙凸透鏡。透鏡150之一出光側150p優選為一凸面，以使雷射單元120發出的不準直光束L經由稜鏡130及/或透鏡150後可準直射出。於本實施例中，通過透鏡150射出之後的準直／平行光束L'投影於透鏡150上方的一個投射面（垂直於光束L’的行進方向）的形狀為一橢圓形。

當外界環境的氧或濕氣滲透入雷射元件100時，其會嚴重縮短雷射單元120的壽命。因此，為雷射元件100提供有效的氣密式封裝尤其重要。於本實施例中，圍欄140與載板110接合，腔室V形成一氣密的空間。雷射單元120設置於腔室V內能夠防止氧或濕氣侵入雷射單元120之半導體結構內，並且能夠防止有機物或無機物等集塵於雷射單元120之出光面120s上。為了確保腔室V氣密之可靠性，可選擇性地使用一黏接部（圖未示）置於透鏡150與圍欄140的連接面上。黏接部的材料可以包含有機材料或金屬材料。有機材料，例如AB膠。金屬材料，例如AuSn。

圍欄140之形狀可為圓形筒狀、多角形或矩形筒狀。圍欄140之材料包含導熱性佳的金屬材料、陶瓷材料或任何具導熱性的材料以協助散熱。金屬材料包含金、銅、鋁、鎢或錫。陶瓷材料包含氧化鋁、氮化鋁或碳化矽。於一實施例，圍欄140與載板110可選擇性地使用一黏接部（圖未示）做接合。黏接部的材料可以包含有機材料或金屬材料。有機材料，例如AB膠。金屬材料，例如AuSn。於另一實施例中，圍欄140的材料包含金屬時，可以藉由蒸鍍或電鍍製程而直接形成於載板110上。

為了增加雷射元件100整體的導熱性，載板110包含導熱性佳的材料以協助散熱，載板110的材料包含絕緣性材料或金屬材料。於本發明之一實施例中，絕緣性材料包含陶瓷，例如氮化鋁、氧化鋁或碳化矽。金屬材料包含金、銅、鋁、鎢、錫或上述材料之合金。

雷射單元120包含邊射型雷射或面射型雷射。雷射單元120根據用途可以選擇任意波長，例如紫外光雷射、藍光雷射光源、綠光雷射光源或紅光雷射光源。

當雷射單元120為藍光雷射時，其發光峰值之波長優選的介於420 nm～494 nm之範圍內，更佳介於440 nm～475 nm之範圍內。作為發出藍光雷射的半導體雷射光源，其材料包含氮化物半導體，例如GaN、InGaN或AlGaN。

當雷射單元120為綠光雷射時，其發光峰值之波長優選的介於495 nm～570 nm之範圍內，更佳介於510 nm～550 nm之範圍內。作為發出綠光雷射的半導體雷射光源，其材料包含氮化物半導體的，例如GaN、InGaN或AlGaN。

當雷射單元120為紅光雷射時，其發光峰值之波長優選的介於605 nm～750 nm之範圍內，更佳介於610 nm～700 nm之範圍內。作為發出紅光雷射的半導體雷射光源，其材料包含InAlGaP、GaInP、GaAs或AlGaAs。

稜鏡130可為一反射面鏡、一凹面鏡或一凸透鏡。稜鏡130除了可以改變光束L的行進方向，更可以改變光束L的形狀和發散角。為了減少光損耗，稜鏡130之反射率較佳為大於80%。並且，為了使稜鏡130具有足夠的反射面積將光束L導向透鏡150，如第4圖所示，稜鏡130的斜面長度P優選的為雷射單元120之總高度H的5倍以上，較佳為6倍以上，更佳為7倍以上。雷射單元120之出光面120s與稜鏡130之斜面130s以一傾斜角度彼此相對。光束L由雷射單元120之出光面120s射出之後，經由稜鏡130反射而射向透鏡150。稜鏡130之斜面130s相對於稜鏡130之下表面130b具有一夾角θ，且夾角θ為銳角，優選的介於40～50度之間，更佳為45度，使光束L可以經由稜鏡轉為向上行進。

第3A圖係稜鏡130與透鏡150之俯視圖與側視圖之對應結構的示意圖。自俯視圖觀之，稜鏡130的斜面130s包含一第一端p1及一第二端p2，第一端p1較第二端p2靠近雷射單元120。透鏡150包含一中心點150c。斜面130s之第一端p1與第二端p2位於透鏡150之中心點150c的兩側。稜鏡130之第一端p1與透鏡150之中心點150c之間的距離小於稜鏡130之第二端p2與透鏡150之中心點150c之間的距離。參考第3～4圖，稜鏡130與雷射單元120的出光面120s之間具有一最短距離m，介於100μm～150μm之間，例如：115~125μm。最短距離m亦為稜鏡130之第一端p1與雷射單元120之出光面120s之間的距離。參考第4圖，透鏡位於電子元件180、稜鏡130、雷射單元120的上方，且不與電子元件180、稜鏡130、雷射單元120直接接觸。在此實施例中，透鏡150的寬度比圍欄140的寬度小。在另一實施例中，透鏡150的寬度大體上與圍欄140的寬度相等。

稜鏡130為反射面鏡或一具有反光塗層之鏡面時，雷射單元120所發出的光束L能夠更有效率且無逸散的被利用。

稜鏡130之材料優選的使用耐熱的材料，例如石英、玻璃、藍寶石（sapphire）或金屬。於本實施例之一變化例，稜鏡130之入光側（斜面130s）具有反光塗層，反光塗層包含介電材料交替堆疊堆形成的多層膜。

第3圖係依據本發明之一實施例所揭露之雷射元件100的上視圖。如第3圖所示，載板110具有彼此相對的第一長邊L1與第二長邊L2、以及彼此相對的第一短邊S1與第二短邊S2。第一短邊S1與第二短邊S2係正交於第一長邊L1與第二長邊L2。

第3B圖係第3圖省略部分結構的示意圖。如第3圖及第3B圖所示，一第一金屬電極200及一第二金屬電極300位於載板110之上表面111且彼此分離，並與雷射單元120以及電子元件180電連接。第一金屬電極200鄰近第一長邊L1，包含彼此寬度不同的第一金屬主體部201、第一金屬承載部202、以及第一金屬延伸部203位於第一金屬主體部201與第一金屬承載部202之間。第一金屬主體部201用以承載雷射單元120，第一金屬承載部202用以承載電子元件180，第一金屬延伸部203用以連接第一金屬主體部201與第一金屬承載部202。第一金屬延伸部203的寬度較第一金屬主體部201與第一金屬承載部202的寬度小，第一金屬主體部201的寬度較第一金屬承載部202的寬度大。第二金屬電極300鄰近第二長邊L2，包含彼此寬度不同的第二金屬承載部302以及第二金屬延伸部303自第二金屬承載部302向外延伸。第二金屬承載部302用以承載電子元件180，第二金屬延伸部303藉由焊線301與雷射單元120電性連接。第二金屬延伸部303的寬度較第二金屬承載部302的寬度小。第一金屬延伸部203與第二金屬延伸部303之間的間距N1較第一金屬承載部202與第二金屬承載部302之間的間距N2大。第一金屬延伸部203與第二金屬延伸部303之間的間距N1較第一金屬主體部201與第二金屬延伸部303之間的間距N3大。

如第3B圖所示，稜鏡130可以黏膠或插接之方式設置於第一金屬電極200及第二金屬電極300之間的一凹部208上。稜鏡130不與第一金屬電極200及第二金屬電極300接觸。詳言之，稜鏡130位於第一金屬延伸部203與第二金屬延伸部303之間，且位於電子元件180與雷射單元120之間。稜鏡130的寬度較雷射單元120寬。自俯視圖觀之，凹部208大致為一矩形。稜鏡130可透過有機材料或金屬材料的黏接部與載板110接合。有機材料與金屬材料可以參考前述相關段落的描述。

如第4圖所示，稜鏡130可設置於一第一基座170上，透過第一基座170與載板110接合。第一基座170的厚度可用以調整稜鏡130與載板110之間的距離。第一基座170的材料包含絕緣性材料或金屬材料。絕緣性材料包含陶瓷，例如氮化鋁、氧化鋁或碳化矽。金屬材料包含金、銅、鋁、鎢、錫或上述材料之合金。雷射單元120可設置於一第二基座190上，透過第二基座190與載板110接合。第二基座190的厚度可用以調整雷射單元120與載板110之間的距離。第二基座170的材料可以與第一基座170的材料相同。利用第一基座170與第二基座190的設置，使雷射單元120的出光面120s面向稜鏡130之斜面130s，且水平高度介於斜面130s之第一端p1與第二端p2之間。稜鏡130之一下表面130b與雷射單元120之一下表面120b之間的垂直距離介於150 μm～200 μm之間。

於發明之另一實施例，稜鏡130包含波長轉換材料。在一實施例中，雷射單元120發射出一藍色雷射光，經過稜鏡130的波長轉換材料轉換後產生白光，再將白光反射至透鏡，使雷射元件100發射出一白色雷射光。本實施例可用於雷射車燈光源模組或是背光模組，其具有較小之體積以及較好的散熱效果。

波長轉換材料可包含一種或一種以上之無機的螢光粉（phosphor）、有機分子螢光色素（organic fluorescent colorant）、半導體材料（semiconductor）、或者上述材料的組合。無機的螢光粉（phosphor）材料具有5 um~100 um的顆粒尺寸且包含但不限於黃綠色螢光粉及紅色螢光粉。能夠與藍色雷射光組合而發出白光的波長轉換材料可以是黃綠色螢光粉。黃綠色螢光粉之成分係例如鋁氧化物（例如釔鋁石榴石（YAG）或是鋱鋁石榴石（TAG））、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬硒化物、或金屬氮化物。。能夠吸收藍色光而發出紅色光的波長轉換材料可以為紅色螢光粉。紅色螢光粉之成分係例如氟化物（K₂ TiF₆ :Mn⁴⁺ 、K₂ SiF₆ :Mn⁴⁺ ）、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬硫化物（CaS）、金屬氮氧化物、或鎢鉬酸鹽族混合物。半導體材料包含奈米晶體（nano crystal）的半導體材料，例如量子點（quantum-dot）發光材料。量子點發光材料可以包含硫化鋅（ZnS）、硒化鋅（ZnSe）、碲化鋅（ZnTe）、氧化鋅（ZnO）、硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）、碲化鎘（CdTe）、氮化鎵（GaN）、磷化鎵（GaP）、硒化鎵（GaSe）、銻化鎵（GaSb）、砷化鎵（GaAs）、氮化鋁（AlN）、磷化鋁（AlP）、砷化鋁（AlAs）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）、碲（Te）、硫化鉛（PbS）、銻化銦（InSb）、碲化鉛（PbTe）、硒化鉛（PbSe）、碲化銻（SbTe） 、硫化鋅鎘硒（ZnCdSeS）、硫化銅銦（CuInS）、銫氯化鉛（CsPbCl₃ ）、銫溴化鉛（CsPbBr₃ ）、或銫碘化鉛（CsPbI₃ ）。。

如第4圖所示，第二基座190包含一面對稜鏡130的第一側面190s。為避免雷射單元120之光束L被第二基座190反射，雷射單元120之出光面120s以一間距D突出於第二基座190之第一側面190s。於一實施例中，間距D係介於0.5μm ～15μm之間，較佳介於2μm～13μm，更佳介於5μm ～10μm。

第5圖係沿著第3圖之線B-B'的剖面圖。第6圖係沿著第3圖之線C-C'的剖面圖。一第一導電連接部204以及一第二導電連接部304貫穿載板110。如第5圖及第6圖所示，第一金屬電極200覆蓋第一導電連接部204，且第二金屬電極300覆蓋第二導電連接部304。一第一外部電極500以及一第二外部電極600位於載板110之下表面112。第一外部電極500藉由第一導電連接部204、第一金屬電極200與雷射單元120構成電連接。第二外部電極600藉由第二導電連接部304、第二金屬電極300、焊線301與雷射單元120構成電連接。

於發明之一變化例，為了增加導電、導熱的面積，如第3B圖所示，複數個第一導電連接部204分別位於第一金屬主體部201及第一金屬承載部202之下，複數個第二導電連接部304分別位於第二金屬承載部302及第二金屬延伸部303之下。

如第6圖所示，雷射單元120與第二基座190可以膠體黏著於第一金屬電極200上。優選地，雷射單元120設置於第一金屬主體部201上。雷射單元120之一電極，例如n電極，藉由第一金屬電極200與第一導電連接部204以電連接至第一外部電極500。雷射單元120之另一電極，例如p電極，藉由焊線301至第二金屬電極300上，再藉由第二金屬電極300與第二導電連接部304以電連接至第一外部電極600。

當雷射單元120設置於第一金屬主體部201上時，為了增加導熱的面積，第一金屬主體部201的面積大於第一金屬承載部204。

第一金屬電極200及第二金屬電極300除了做為與雷射單元120電連接之外，亦可做為導熱之用途。第一金屬電極200及第二金屬電極300之材料包含金、銅、鋁、鐵、或上述材料之合金。

第一外部電極500及第二外部電極600除了用以將雷射元件100與外部電源連接之外，亦可做為導熱之用途。第一外部電極500及第二外部電極600之材料包含金屬，例如金、銅、鋁、鐵、或上述材料之合金。

第一外部電極500及第二外部電極600可與圍欄140包含相同的金屬材料，例如金、銅、鋁、鎢、錫或獲上述材料之合金。

如第3～6圖所示，電子元件180可以為一感光二極體、防靜電二極體、逆向偏壓保護二極體、電容、電晶體、積體電路、或突波抑制電容。於本實施例中，以電子元件180為逆向偏壓保護二極體進行說明。逆向偏壓保護二極體為具有p電極和n電極的半導體元件，其以反向並聯的方式與雷射單元120的p電極和n電極電連接，使雷射單元120不會因為過大的施加電壓而被破壞。

如第5圖所示，電子元件180設置於第一金屬電極200之第一金屬承載部202上及第二金屬電極300之第二金屬承載部302上。電子元件180之一電極，例如p電極，藉由第一金屬電極200與第一導電連接部204以電連接至第一外部電極500。電子元件180之另一電極，例如n電極，藉由第二金屬電極300與第二導電連接部304以電連接至第二外部電極600。

第7圖係依據本發明之另一實施例所揭露之雷射元件100的光路圖。如第7圖所示，稜鏡130為凹面鏡，雷射單元120設置於凹面鏡之一焦點130f或一焦平面130fp上。稜鏡130用以將雷射單元120所發出之光束L_S 準直為平行光束L_P 。於本實施例中，當雷射單元120沿著一第一行進方向發射光束L_S 並直接投射在稜鏡130的凹面上。稜鏡130的凹面將具有第一光束大小之光束L_S 由第一行進方向改變為一第二行進方向，並將光束L_S 準直為一具有一第二光束大小之平行光束L_P 。在此實施例中，雷射元件的透鏡可為一平面透鏡（圖未示）。

第8圖係依據本發明之另一實施例所揭露之雷射元件100的光路圖。如第8圖所示，當稜鏡130為平凸透鏡、凹凸透鏡或雙凸透鏡時，雷射單元120位於平凸透鏡或雙凸透鏡之焦點或焦平面上，以將雷射單元120所發出之光束L_S 準直為平行光束L_P 。凸透鏡之焦點與凸透鏡之鏡心之間的焦距介於50μm～300μm之間，較佳介於100μm～150μm之間。於本實施例中，當雷射單元120沿著第一行進方向發射光束L_S 。具有第一光束大小之光束L_S 穿過平凸透鏡、凹凸透鏡或雙凸透鏡後被準直為具有一第二光束大小之平行光束L_P ，再經由平面的透鏡150射出。在一實施例中，第二光束大小小於第一光束大小。

於本實施例之一變化例中，如第8圖所示，雷射元件100包含一反射鏡位於平行光束L'之行進方向上。平行光束L'經反射鏡160反射後，由第一行進方向改變為第二行進方向，再經由透鏡150射出。

本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。

10:雷射封裝 11:封裝殼 12:散熱塊 13:雷射二極體 14:電極單元 15:玻璃透鏡 100:雷射元件 110:載板 111:上表面 112:下表面 120:雷射單元 120b:下表面 120s:出光面 130:稜鏡 130b:下表面 130f:焦點 130fp:焦平面 130s:斜面 140:圍欄 150:透鏡 150c:中心點 150p:出光側 150s:入光側 160:反射鏡 170:第一基座 190:第二基座 180:電子元件 200:第一金屬電極 201:第一金屬主體部 190s:第一側面 202:第一金屬承載部 203:第一金屬延伸部 204:第一導電連接部 208:凹部 300:第二金屬電極 301:焊線 302:第二金屬承載部 303:第二金屬延伸部 304:第二導電連接部 500:第一外部電極 600:第二外部電極 D、N1、N2、N3:間距 L、LS、LP:光束 L':平行光束 L1:第一長邊 L2:第二長邊 P:長度 p1:第一端 p2:第二端 S1:第一短邊 S2:第二短邊 H:高度 V:腔室 m:距離

第1圖係習知之一雷射封裝10之剖面圖。 第2圖係依據本發明之一實施例所揭露之一雷射元件100的示意圖。 第3圖係依據本發明之一實施例所揭露之雷射元件100的上視圖。 第3A圖係依據本發明之一實施例之稜鏡與透鏡的結構關係圖。 第3B圖係雷射元件100之部分結構的上視圖。 第4圖係沿著第3圖之線A-A'的剖面圖。 第5圖係沿著第3圖之線B-B'的剖面圖。 第6圖係沿著第3圖之線C-C'的剖面圖。 第7圖係依據本發明之一實施例所揭露之雷射元件100的光路圖。 第8圖係依據本發明之一實施例所揭露之雷射元件100的光路圖。

100:雷射元件

110:載板

111:上表面

112:下表面

120b:下表面

120s:出光面

130:稜鏡

130b:下表面

130s:斜面

140:圍欄

150:透鏡

150s:入光側

150p:出光側

170:第一基座

190:第二基座

180:電子元件

200:第一金屬電極

201:第一金屬主體部

190s:第一側面

500:第一外部電極

L:光束

L':平行光束

D:間距

H:高度

P:長度

m:距離

Claims (10)

1. 一種雷射元件，包含： 一載板，包含一上表面； 一雷射單元，位於該載板之該上表面上，具有一出光面； 一稜鏡，設置於該載板之該上表面上，用以改變該雷射單元所發出之一光束的一行進方向； 一基座，位於該雷射單元與該載板之間，且具有一側面面向該稜鏡； 一圍欄設置於該載板之該上表面上，圍繞該雷射單元及該稜鏡；以及 一透鏡位於該圍欄上，覆蓋該圍欄、該雷射單元以及該稜鏡， 其中，該出光面突出於該側面。
2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該稜鏡與該雷射單元之間具有一最短距離介於100μm～150μm之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該稜鏡為一反射面鏡、一凹面鏡或一凸透鏡。
4. 如申請專利範圍第3項所述的雷射元件，其中該雷射單元位於該凹面鏡或該凸透鏡之一焦點或一焦平面上。
5. 如申請專利範圍第5項所述的雷射元件，其中該載板包含氮化鋁、氧化鋁或碳化矽。
6. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，更包含一第一外部電極以及一第二外部電極位於該載板之該下表面。
7. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該圍欄包含金屬材料。
8. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該出光面以一間距突出於該側面，該間距係介於5μm ～10μm。
9. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該稜鏡之一下表面與該雷射單元之一下表面之間具有一階差。
10. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中該稜鏡包含波長轉換材料。

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