TW202201848A - 天線結構及具有該天線結構之電子設備 - Google Patents
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Abstract
一種電子設備之天線結構，包括殼體、第一饋入點、第一接地點及第二饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一接地點設置於所述第一輻射部，所述第一接地點與所述第一饋入點間隔設置，且藉由一第一電感元件接地，所述天線結構還包括第二輻射部，所述第二饋入點電連接至一第二饋電點，以為所述第二輻射部饋入電流訊號。所述天線結構可涵蓋低頻、中頻、超中頻、高頻、超高頻、5G Sub6 N77/N78/N79等多個頻段，具寬頻效果。本發明還提供一種具有該天線結構之電子設備。
Description
本發明涉及一種天線結構及具有該天線結構之電子設備。
隨著無線通訊技術之進步，行動電話、個人數位助理等電子裝置不斷朝向功能多樣化、輕薄化、以及資料傳輸更快、更有效率等趨勢發展。然而其相對可容納天線之空間亦就越來越小，且隨著無線通訊技術之不斷發展，天線之頻寬需求不斷增加。因此，如何於有限之空間內設計出具有較寬頻寬之天線，是天線設計面臨之一項重要課題。
有鑑於此，有必要提供一種天線結構及具有該天線結構之電子設備，以解決上述問題。
一種電子設備之天線結構，包括殼體、第一饋入點、第一接地點及第二饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一接地點設置於所述第一輻射部，所述第一接地點與所述第一饋入點間隔設置，且藉由一第一電感元件接地，所述天線結構還包括與所述第一輻射部相鄰設置之第二輻射部，所述第二饋入點設置於所述第二輻射部上，且電連接至一第二饋電點，以為所述第二輻射部饋入電流訊號。
一種電子設備，包括上述之天線結構。
上述天線結構及具有該天線結構之電子設備可至少涵蓋低頻、中頻、超中頻、高頻、超高頻、5G Sub6 N77/N78/N79等多個頻段，具寬頻效果。
下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。
需要說明的是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。
除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文中於本發明之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。
下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。
請參閱圖1及圖2，本發明第一較佳實施方式提供一種天線結構100，其可應用於行動電話、平板電腦、個人數位助理（personal digital assistant，PDA）等電子設備200中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。
可理解，所述電子設備200可採用以下一種或多種通訊技術：藍牙（bluetooth，BT）通訊技術、全球定位系統（global positioning system，GPS）通訊技術、無線保真（wireless fidelity，Wi-Fi）通訊技術、全球移動通訊系統（global system for mobile communications，GSM）通訊技術、寬頻碼分多址（wideband code division multiple access，WCDMA）通訊技術、長期演進（long term evolution，LTE）通訊技術、5G通訊技術、SUB-6G通訊技術以及未來其他通訊技術等。
可理解，於本實施例中，所述電子設備200可包括以下一個或多個元件，例如處理器、電路板、顯示幕、記憶體、電源元件、輸入輸出電路、音訊元件（例如麥克風及揚聲器等）、多媒體元件（例如前置攝像頭與/後置攝像頭）、感測器元件（例如接近感測器、距離感測器、環境光感測器、加速度感測器、陀螺儀、磁感測器、壓力感測器及/或溫度感測器等）等，於此不再贅述。
所述天線結構100至少包括殼體11、系統接地面12、第一饋入點13、第一接地點14、第二饋入點15及切換點17。
所述殼體11可為所述電子設備200之外殼。所述殼體11可由金屬或其他導電材料製成。所述系統接地面12可由金屬或其他導電材料製成。所述系統接地面12設置於所述殼體11內，用以為所述天線結構100提供接地。
於本實施例中，所述殼體11至少包括第一部分111、第二部分113以及第三部分115。於本實施例中，所述第一部分111為所述電子設備200之頂端，即所述第一部分111可為所述電子設備200之頂部金屬框，所述天線結構100構成所述電子設備200之上天線。所述第二部分113與所述第三部分115相對設置，兩者分別設置於所述第一部分111之兩端，優選垂直設置。於本實施例中，所述第二部分113或所述第三部分115之長度大於所述第一部分111之長度。即所述第二部分113及第三部分115均為所述電子設備200之側邊金屬框。
所述殼體11上還開設有至少一縫隙。於本實施例中，所述殼體11上開設有兩個縫隙，即第一斷點117及第二斷點118。其中，所述第一斷點117開設於所述第一部分111上，且靠近所述第三部分115設置。所述第二斷點118設置於所述第二部分113上。於本實施例中，所述第一斷點117及所述第二斷點118均貫通且隔斷所述殼體11。
可理解，於本實施例中，所述第一斷點117及第二斷點118共同自所述殼體11上劃分出至少兩個輻射部。於本實施例中，所述第一斷點117及所述第二斷點118共同自所述殼體11劃分出兩個輻射部，即第一輻射部F1及第二輻射部F2。其中，於本實施例中，所述第一斷點117與所述第二斷點118之間之所述殼體11形成所述第一輻射部F1。亦就是說，所述第一輻射部F1設置於所述電子設備200之角落位置，例如左上角位置，即由部分所述第一部分111及部分所述第二部分113構成。所述第二斷點118與所述第二部分113遠離所述第二斷點118及所述第一輻射部F1之間對應之所述殼體11，例如部分所述第二部分113，形成所述第二輻射部F2。顯然，於本實施例中，所述第一輻射部F1與所述第二輻射部F2相鄰設置，且位於所述第二斷點118之兩側。所述第一輻射部F1之電長度大於所述第二輻射部F2之電長度。
可理解，於本實施例中，所述殼體11至少包括邊框（圖未標）。所述邊框可為電子設備200之金屬邊框。所述第一輻射部F1與所述第二輻射部F2設置於所述邊框上。
可理解，於本實施例中，當所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度小於2毫米（mm）時，會對所述天線結構100之效率有影響。因此，所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度通常不小於2mm。而所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度越大，對所述天線結構100之效率越好。因此，於本實施例中，同時考慮到所述電子設備200之整體外觀美感及所述天線結構100之輻射效率，所述第一斷點117與所述第二斷點118之寬度均可設置為2mm。
可理解，於本實施例中，所述第一斷點117與所述第二斷點118均填充有絕緣材料，例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限。
可理解，於本實施例中，所述系統接地面12鄰近所述第一部分111及所述第二斷點118之一端沿平行所述第二部分113且靠近所述第一部分111之方向開設有狹縫119。所述狹縫119呈直條狀，且與所述第二斷點118連通。所述狹縫119對應所述第二輻射部F2設置。例如，所述狹縫119之兩端分別對應所述第二輻射部F2之兩端，所述狹縫119之長度與所述第二輻射部F2之電長度相當。
可理解，於本實施例中，所述第一饋入點13設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第一部分111。所述第一饋入點13可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一第一饋電點131，以饋入電流訊號至所述第一輻射部F1。於本實施例中，所述第一饋入點13至所述第一斷點117之長度大於所述第一饋入點13至所述第二斷點118之長度。
可理解，於本實施例中，所述第一接地點14設置於所述第一輻射部F1上，且位元於所述第二部分113。所述第一接地點14鄰近所述第二斷點118設置，並藉由一第一電感元件141接地。
所述第二饋入點15設置於所述第二輻射部F2上。所述第二饋入點15可藉由彈片、微帶線、條狀線、同軸電纜等方式電連接至一第二饋電點151，以饋入電流訊號至所述第二輻射部F2。
所述切換點17設置於所述第一輻射部F1上，且位於所述第一部分111，並靠近所述第一斷點117設置。於本實施例中，所述切換點17還藉由相應之切換電路170接地。
請一併參閱圖3，於本實施例中，所述切換電路170包括切換單元171及至少一切換元件173。所述切換單元171可為單刀單擲開關、單刀雙擲開關、單刀三擲開關、單刀四擲開關、單刀六擲開關、單刀八擲開關等。所述切換單元171電連接至所述切換點17，以電連接至所述第一輻射部F1。所述切換元件173可為電感、電容、或者電感與電容之組合。所述切換元件173之間相互並聯，且其一端電連接至所述切換單元171，另一端接地。如此，藉由控制所述切換單元171之切換，可使得所述第一輻射部F1切換至不同之切換元件173，以調整所述第一輻射部F1之輻射頻段之頻率（參下詳述）。
可理解，請一併參閱圖4，為所述天線結構100中所述第一輻射部F1之電流路徑圖。其中，當電流自所述第一饋入點13饋入時，所述電流將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第一斷點117之間之部分（以下稱第一輻射段），並流向所述第一斷點117，同時藉由所述切換點17及切換電路170接地（參路徑P1）。當電流自所述第一饋入點13饋入時，所述電流還將流經所述第一輻射部F1中所述第一饋入點13與所述第二斷點118之間之部分（以下稱第二輻射段），並藉由所述第一電感元件141接地（參路徑P2）。
於本實施例中，所述第一輻射部F1中所述第一輻射段為低頻/超中頻（ultra-middle frequency，UMB）/中頻輻射體，用以激發長期演進技術升級版（Long Term Evolution Advanced，LTE-A）低頻、超中頻及中頻模態。所述第一輻射部F1中所述第二輻射段藉由串聯所述第一電感元件141接地，以構成高頻及5G NR N79輻射體，用以激發LTE-A高頻及5G NR N79模態。
另外，所述第一接地點14處之第一電感元件141還可與所述第二饋入點15產生耦合共振，即當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將藉由所述第二斷點118耦合至所述第一電感元件141，並接地（參路徑P3）。從而，所述第一輻射部F1將耦合共振出超高頻（ultra-high frequency，UHB）及5G NR N77、N78模態，使得所述第一輻射部F1之工作頻率範圍涵蓋至1710-5000 MHz。
顯然，於本實施例中，藉由於所述第一輻射部F1之適當位置設置所述第一饋入點13、第一接地點14及第一電感元件141。如此，可利用此天線架構共振出LTE-A低、中、高頻模態、超中頻模態、超高頻模態以及5G NR模態（包括N77/N78/N79模態）。再者，藉由於所述第一輻射部F1中之第一輻射段上設置所述切換電路170，可利用相應之電感、電容或其組合來調整或控制所述第一輻射部F1之低頻及超中頻頻段之頻偏，使得所述第一輻射部F1涵蓋至超中頻頻段（1448-1511 MHz），且低頻頻段涵蓋至700-960MHz，即703-804 MHz、791-862 MHz、824-894 MHz、880-960 MHz（即B28/B20/B5/B8頻段）。
可理解，請一併參閱圖5，為所述天線結構100中所述第二輻射部F2之電流路徑圖。其中，當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第二輻射部F2遠離所述第二斷點118之端部所對應之第二部分113（以下稱第三輻射段，參電流路徑P4）。同時，當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2中所述第二饋入點15與所述第二斷點118之間之部分（以下稱第四輻射段），並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第一電感元件141（參電流路徑P5）。
當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第四輻射段，並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第二輻射段，再流過所述第一饋入點13及所述第一饋電點131（參路徑P6）。當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2中所述第四輻射段，並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第二輻射段及第一輻射段，再流過所述切換點17及切換電路170（參電流路徑P7）。
於本實施例中，所述第二輻射部F2中所述第三輻射段為5G NR N79輻射體，用以激發5G NR N79模態。所述第二輻射部F2中所述第四輻射段與所述第一電感元件141耦合，以共振出超高頻、5G NR N77、N78模態。其中，所述第一電感元件141用以調節或控制所述超高頻、5G NR N77、N78模態之頻偏。另外，所述第二輻射部F2中所述第四輻射段還與所述第一輻射部F1中之第二輻射段耦合，以共振出高頻模態。所述第二輻射部F2中所述第四輻射段還與所述第一輻射部F1之第一輻射段及第二輻射段耦合，進而共振出中頻模態。
可理解，請一併參閱圖6，圖6為所述天線結構100中第一輻射部F1之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S61為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S62為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S63為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。
圖7為所述天線結構100中第一輻射部F1之輻射效率曲線圖。其中曲線S71為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S72為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S73為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。
顯然，由圖6、圖7可知曉，所述第一輻射部F1之中頻（1710-2170 MHz）是由所述第一輻射部F1中第一輻射段之低頻倍頻激發出之模態，其高頻（2300-2690 MHz）是藉由所述第一輻射部F1中第二輻射段激發出之模態。所述超高頻、5G Sub6 NR N77/N78（3300-4200 MHz）是藉由所述第一輻射部F1中第一輻射段之低頻倍頻以及所述第二輻射部F2中第二饋入點15之耦合能量而共同激發出之多模態。所述第一輻射部F1之5G Sub6 NR N79（4400-5000 MHz）是藉由所述第一輻射部F1中第二輻射段之高頻之倍頻激發出之模態。
可理解，藉由所述切換電路170使用不同之電感值或電容值，可有效控制所述天線結構100中第一輻射部F1涵蓋低頻模態及超中頻模態，並使得所述低頻模態涵蓋至B28/B20/B5/B8頻段。所述天線結構100藉由所述第二輻射部F2之耦合能量共振出額外之模態，以增加超高頻、5G Sub6 NR N77/N78之頻寬。於本實施例中，所述天線結構100中所述切換電路170可包括三個切換元件，用以切換三種頻段，即LB700頻段（即B28，703-803 MHz）、LB900頻段（即B8，880-960 MHz）與超中頻頻段（1448-1511 MHz），而其中頻、高頻、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79等頻段均持續維持良好之天線效率，使其涵蓋全球通用4G通訊頻段與5G Sub 6之通訊頻段，即涵蓋至1710-5000MHz頻段。
圖8為所述天線結構100中第二輻射部F2之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S81為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S82為當所述第一輻射部F1工作於LB 900頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S83為當所述第一輻射部F1工作於超中頻頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。
圖9為所述天線結構100中第二輻射部F2之輻射效率曲線圖。其中曲線S91為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S92為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S93為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。
由圖8及圖9可知，所述第二輻射部F2藉由與所述第一輻射部F1之耦合能量共振出額外模態，以增加中頻與高頻之頻寬。當所述第一輻射部F1之切換電路170切換至LB700頻段、LB900頻段與超中頻頻段時，所述第二輻射部F2之中頻、高頻、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79等頻段均持續維持良好之天線效率，使其涵蓋全球通用4G通訊頻段與5G Sub 6之通訊頻段，即涵蓋至1805-5000 MHz頻段。
顯然，於本實施例中，所述天線結構100藉由設置所述第一輻射部F1及第二輻射部F2。兩個輻射部，即所述第一輻射部F1與所述第二輻射部F2可藉由耦合方式產生可調性之寬頻模態，可有效增加中頻、高頻與超高頻之頻寬並具有較佳天線效率，可涵蓋全球常用頻段應用，並可支援5G Sub 6 N77/N78/N79之頻段。即使得所述天線結構100之工作頻率範圍涵蓋低頻（703-960 MHz）、超中頻（1448-1511 MHz）、中頻（1710-2170MHz）、高頻（2300-2690MHz）、超高頻（3400-3800MHz）以及5G Sub6 NR N77/N78/N79（3300-5000MHz）。再者，所述天線結構100無需於天線饋入端，例如第一饋入點13及第二饋入點15之位置設置天線調諧器（tuner），可有效減少產品之生產成本。
請一併參閱圖10，為本發明第二較佳實施例所提供之天線結構100a，其可應用於行動電話、個人數位助理等電子設備200a中，用以發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。
所述天線結構100a至少包括殼體11、系統接地面12、第一饋入點13、第一接地點14、第二饋入點15及切換點17。其中，所述殼體11上開設有所述第一斷點117及第二斷點118。所述系統接地面12上開設有狹縫119。所述第一接地點14藉由第一電感元件141接地。所述切換點17藉由切換電路170接地。所述第一斷點117及所述第二斷點118共同自所述殼體11劃分出相應之第一輻射部F1及第二輻射部F2a。
可理解，於本實施例中，所述天線結構100a與天線結構100之區別在於所述天線結構100a還設置有第二接地點18。於本實施例中，所述第二接地點18設置於所述第二輻射部F2a上。所述第二接地點18與所述第二饋入點15間隔設置，且相對所述第二饋入點15而言，更遠離所述第二斷點118設置。所述第二接地點18之一端可藉由一第二電感元件181接地。所述第一電感元件141及所述第二電感元件181可設置於所述第二饋入點15之兩側。
可理解，於本實施例中，所述第一輻射部F1之工作原理及具體工作頻段與所述天線結構100中之第一輻射部F1之工作原理及具體工作頻段相同，於此不再贅述。而所述天線結構100a中所述第二輻射部F2a之工作原理及具體工作頻段與所述天線結構100中之第二輻射部F2之工作原理及具體工作頻段不同。
具體地，請一併參閱圖11，於本實施例中，當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2a中所述第二饋入點15與所述第二接地點18之間之部分（以下稱第五輻射段），並藉由所述第二電感元件181接地（參電流路徑P8）。當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2a之第五輻射段及所述第二接地點18與所述第二輻射部F2a遠離所述第二斷點118之端部之間之部分（以下稱第六輻射段，參電流路徑P9）。同時，當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2a中所述第二饋入點15與所述第二斷點118之間之部分（即所述第四輻射段），並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第一電感元件141（參電流路徑P10）。
當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第四輻射段，並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第二輻射段，再流過所述第一饋入點13及所述第一饋電點131（參路徑P11）。當電流自所述第二饋入點15饋入時，所述電流將流經所述第二輻射部F2a中之所述第四輻射段，並藉由所述第二斷點118耦合至所述第一輻射部F1之第二輻射段及第一輻射段，再流過所述切換點17及切換電路170（參電流路徑P12）。
於本實施例中，所述第二輻射部F2a中所述第五輻射段為5G NR N79輻射體，用以激發5G NR N79模態。所述第二輻射部F2a中所述第六輻射段為第一中頻輻射體，用以激發第一中頻模態。所述第二輻射部F2a中所述第四輻射段與所述第一電感元件141耦合，以共振出超高頻、5G NR N77、N78模態。其中，所述第一電感元件141用以調節或控制所述超高頻、5G NR N77、N78模態之頻偏。另外，所述第二輻射部F2a中所述第四輻射段還與所述第一輻射部F1中之第二輻射段耦合，以共振出高頻模態。所述第二輻射部F2a中所述第四輻射段與所述第一輻射部F1之第一輻射段及第二輻射段耦合，進而共振出第二中頻模態。
可理解，請一併參閱圖12，圖12為所述天線結構100a中第一輻射部F1之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S121為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S122為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S123為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。
圖13為所述天線結構100a中第一輻射部F1之輻射效率曲線圖。其中曲線S131為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S132為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S133為所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段、中頻頻段、高頻頻段、超高頻、5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。
圖14為所述天線結構100a中第二輻射部F2a之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S141為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S142為當所述第一輻射部F1工作於LB 900頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。曲線S143為當所述第一輻射部F1工作於超中頻頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之S11值。
圖15為所述天線結構100a中第二輻射部F2a之輻射效率曲線圖。其中曲線S151為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S152為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。曲線S153為當所述第一輻射部F1工作於LB 700頻段時，所述第二輻射部F2a工作於中頻頻段、高頻頻段、超高頻及5G Sub6 NR N77/N78/N79頻段時之輻射效率。
顯然，由圖12至圖15可知，於本實施例中，所述天線結構100a藉由設置所述第一輻射部F1及第二輻射部F2a。兩個輻射部，即所述第一輻射部F1與所述第二輻射部F2a可藉由耦合方式，並搭配兩個電感元件，例如第一電感元件141及第二電感元件181，以產生可調性之寬頻模態，可有效增加中頻、高頻與超高頻之頻寬並具有較佳天線效率，可涵蓋全球常用頻段應用，並可支援5G Sub 6 N77/N78/N79之頻段。即使得所述天線結構100a之工作頻率範圍涵蓋低頻（703-960 MHz）、超中頻（1448-1511 MHz）、中頻（1710-2170MHz）、高頻（2300-2690MHz）、超高頻（3400-3800MHz）以及5G Sub6 NR N77/N78/N79（3300-5000MHz）。再者，所述天線結構100a無需於天線饋入端，例如第一饋入點13及第二饋入點15之位置設置天線調諧器（tuner），可有效減少產品之生產成本。
以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。
100、100a:天線結構
11:殼體
12:系統接地面
111:第一部分
113:第二部分
115:第三部分
117:第一斷點
118:第二斷點
119:狹縫
F1:第一輻射部
F2、F2a:第二輻射部
13:第一饋入點
14:第一接地點
141:第一電感元件
15:第二饋入點
17:切換點
170:切換電路
171:切換單元
173:切換元件
18:第二接地點
181:第二電感元件
200、200a:電子設備
131:第一饋電點
151:第二饋電點
圖1為本發明第一較佳實施例之天線結構應用至電子設備之示意圖。
圖2為圖1所示天線結構之電路圖。
圖3為圖2所示天線結構中切換電路之電路圖。
圖4為圖2所示天線結構中第一輻射部工作時之電流走向示意圖。
圖5為圖2所示天線結構中第二輻射部工作時之電流走向示意圖。
圖6為圖2所示天線結構中第一輻射部之S參數（散射參數）曲線圖。
圖7為圖2所示天線結構中第一輻射部之輻射效率曲線圖。
圖8為圖2所示天線結構中第二輻射部之S參數（散射參數）曲線圖。
圖9為圖2所示天線結構中第二輻射部之輻射效率曲線圖。
圖10為本發明第二較佳實施例之天線結構之示意圖。
圖11為圖10所示天線結構中第二輻射部工作時之電流走向示意圖。
圖12為圖10所示天線結構中第一輻射部之S參數（散射參數）曲線圖。
圖13為圖10所示天線結構中第一輻射部之輻射效率曲線圖。
圖14為圖10所示天線結構中第二輻射部之S參數（散射參數）曲線圖。
圖15為圖10所示天線結構中第二輻射部之輻射效率曲線圖。
無
100:天線結構
111:第一部分
113:第二部分
115:第三部分
117:第一斷點
118:第二斷點
119:狹縫
F1:第一輻射部
F2:第二輻射部
12:系統接地面
13:第一饋入點
14:第一接地點
141:第一電感元件
15:第二饋入點
17:切換點
170:切換電路
131:第一饋電點
151:第二饋電點
Claims (10)
- 一種電子設備之天線結構，其改良在於，所述天線結構包括殼體、第一饋入點、第一接地點及第二饋入點，所述殼體至少部分由金屬材料製成，所述殼體上開設有第一斷點及第二斷點，所述第一斷點與所述第二斷點之間之所述殼體形成一第一輻射部，所述第一饋入點設置於所述第一輻射部上，且電連接至一第一饋電點，以為所述第一輻射部饋入電流訊號，所述第一接地點設置於所述第一輻射部，所述第一接地點與所述第一饋入點間隔設置，且藉由一第一電感元件接地，所述天線結構還包括與所述第一輻射部相鄰設置之第二輻射部，所述第二饋入點設置於所述第二輻射部上，且電連接至一第二饋電點，以為所述第二輻射部饋入電流訊號。
- 如請求項1所述之天線結構，其中當電流自所述第二饋入點饋入時，所述電流藉由所述第二斷點耦合至所述第一電感元件，並接地，以激發出超高頻及5G NR N77、N78模態。
- 如請求項1所述之天線結構，其中當電流自所述第二饋入點饋入時，所述電流流經所述第二輻射部中所述第二饋入點與遠離所述第二斷點之端部所對應之部分，以激發5G NR N79模態。
- 如請求項1所述之天線結構，其中所述天線結構還包括第二接地點，所述第二接地點設置於所述第二輻射部上，且比所述第二饋入點更遠離所述第二斷點，所述第二接地點藉由第二電感元件接地。
- 如請求項4所述之天線結構，其中當電流自所述第二饋入點饋入時，所述電流流經所述第二輻射部靠近所述第二斷點之一側，並藉由所述第二斷點耦合至所述第一電感元件，以激發超高頻、5G NR N77、N78模態。
- 如請求項4所述之天線結構，其中當電流自所述第二饋入點饋入時，所述電流流經所述第二輻射部中所述第二饋入點與所述第二接地點之間之部分，且藉由所述第二電感元件接地，以激發5G NR N79模態。
- 如請求項1所述之天線結構，其中所述殼體包括邊框，所述第一輻射部及所述第二輻射部設置於所述邊框上。
- 如請求項1所述之天線結構，其中當電流自所述第一饋入點饋入時，所述電流流經所述第一輻射部中所述第一饋入點與所述第二斷點之間之部分，並藉由所述第一電感元件接地，以激發LTE-A高頻及5G NR N79模態。
- 如請求項1所述之天線結構，其中所述天線結構還包括切換點，所述切換點設置於所述第一輻射部上，且比所述第一饋入點更靠近所述第一斷點，所述切換點與所述第一接地點間隔設置於所述第一饋入點之兩側，所述切換點藉由一切換電路接地。
- 一種電子設備，其改良在於，所述電子設備包括如請求項1至9中任一項所述之天線結構。
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