TW202147404A - 用於多通道發射器陣列的多層金屬化 - Google Patents

Abstract

一種用於製造發射器陣列的方法，其可包括為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層，其中所述第一金屬化層包括位於所述第一組發射器和第二通道的第二組發射器之間的第一通道間部分。該方法可以包括在所述第一金屬化層的所述第一通道間部分上沉積介電層。該方法可以包括為所述第二組發射器提供第二金屬化層，其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分，並且其中所述第二金屬化層的所述第二通道間部分至少部分地與所述第一金屬化層的所述第一通道間部分重疊。

Description

用於多通道發射器陣列的多層金屬化

本公開總體上涉及一種發射器陣列，更具體地說，涉及一種包括用於定址發射器的不同通道的多個金屬層的發射器陣列。 相關申請

本申請案主張2020年4月30日申請之美國臨時專利申請案第63/018,038的優先權，該申請標題為“為飛行時間照明器增加單個垂直腔面發射式雷射通道的跡線寬度的雙金屬製程(DUAL-METAL PROCESS TO INCREASE TRACE WIDTH OF INDIVIDUAL VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER CHANNELS FOR TIME OF FLIGHT ILLUMINATORS)”，其內容以全文引用之方式併入本文中。

發射器可以包括垂直腔面發射式雷射(VCSEL)，例如頂部發射型VCSEL、底部發射型VCSEL、共陽極VCSEL、共陰極VCSEL…等等，以及線掃描式雷射…等等。VCSEL是一種雷射，其中光束在垂直於VCSEL表面的方向上(例如，從VCSEL的表面垂直地)發射。多個發射器可以配置在具有共基板的發射器陣列中。

根據一些實施方式，一種方法可以包括為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層，其中所述第一金屬化層包括位於所述第一組發射器和第二通道的第二組發射器之間的第一通道間部分，在所述第一金屬化層的所述第一通道間部分上沉積介電層；以及為第二組發射器提供第二金屬化層，其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分，並且其中所述第二金屬化層的所述第二通道間部分至少部分地與所述第一金屬化層的所述第一通道間部分重疊。

根據一些實施方式，一種方法可以包括:為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層，其中所述第一金屬化層包括位於所述第一組發射器與第二通道的第二組發射器之間的第一通道間部分；在所述第一金屬化層的所述第一通道間部分上沉積介電層；和為所述第二組發射器提供第二金屬化層，其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分。在所述方法中，提供所述第一金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成所述第一金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成所述第一金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成所述第一金屬化層；或者其中提供所述第二金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成所述第二金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成所述第二金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成所述第二金屬化層。在所述方法中，沉積所述介電層包括使用化學氣相沉積或原子層沉積中的至少一者來沉積所述介電層。所述的方法，進一步包括：在所述介電層中蝕刻用於所述第一金屬化層的焊盤。所述的方法，進一步包括：在提供所述第一金屬化層之前，在基板層上沉積主動層以形成所述第一組發射器和所述第二組發射器。所述的方法，進一步包括，在提供所述第一金屬化層之前且在沉積所述主動層之後：針對所述第一通道的所述第一組發射器的每個發射器，將第一組觸點定位在所述主動層的最上層上；針對所述第二通道的所述第二組發射器的每個發射器，將第二組觸點定位在所述主動層的最上層上；並且在所述主動層中為所述第一組發射器的每個發射器和所述第二組發射器的每個發射器蝕刻溝槽。所述的方法，進一步包括，在所述主動層中蝕刻溝槽之後，氧化所述第一組發射器和所述第二組發射器。所述的方法，其中所述介電層是第二介電層；並且其中該方法還包括，在所述主動層中蝕刻溝槽之後：在所述主動層上沉積第一介電層；以及在所述第一介電層中蝕刻用於所述第一組觸點的通孔。在所述的方法中，提供所述第一金屬化層包括：在蝕刻用於所述第一組觸點的通孔之後，在所述第一組觸點和所述第一介電層上提供所述第一金屬化層；以及沉積所述第二介電層包括：在提供所述第一金屬化層之後，在所述第一金屬化層和所述第一介電層上沉積所述第二介電層。所述的方法，進一步包括：在沉積所述第二介電層之後，在所述第二介電層和所述第一介電層中蝕刻用於所述第二組觸點的通孔；以及其中提供所述第二金屬化層包括：在蝕刻用於所述第二組觸點的通孔之後，在所述第二組觸點和所述第二介電層上提供所述第二金屬化層。所述的方法，進一步包括：針對第三通道的第三組發射器的每個發射器，在所述主動層上定位第三組觸點，其中所述第二金屬化層包括位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間的第三通道間部分；在所述第二金屬化層和所述第二介電層上沉積第三介電層；以及在所述第三組觸點和所述第三介電層上提供第三金屬化層，其中所述第三金屬化層包括位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間的第四通道間部分。

根據一些實施方式，一種光學晶片可以包括第一通道，該第一通道包括第一組發射器、用於所述第一通道的所述第一組發射器中的每一個的第一組觸點、第一介電層、在所述第一組觸點和所述第一介電層上的第一金屬化層，其中所述第一金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第一通道間部分，所述光學晶片還包括第二通道，該第二通道包括第二組發射器、用於所述第二通道的所述第二組發射器中的每一個的第二組觸點、所述第一金屬化層和所述第一介電層上的第二介電層、以及所述第二組觸點和所述第二介電層上的第二金屬化層，其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分，並且其中所述第二金屬化層的所述第二通道間部分至少部分重疊所述第一金屬化層的所述第一通道間部分。

根據一些實施方式，一種光學晶片可以包括：第一通道，其包含第一組發射器；第一組觸點，其用於第一通道的第一組發射器的每一個；第一介電層；第一金屬化層，其在所述第一組觸點和所述第一介電層上，其中第一金屬化層包括第一通道間部分，所述第一通道間部分位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間；第二通道，其包括第二組發射器；第二組觸點，其用於第二通道的第二組發射器的每一個；第二介電層，其在所述第一金屬化層和所述第一介電層上；以及第二金屬化層，其在所述第二組觸點和所述第二介電層上，其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分，並且其中所述第二金屬化層的所述第二通道間部分至少部分地與所述第一金屬化層的所述第一通道間部分重疊。所述的光學晶片，其中所述第一金屬化層包括金、鋁、銅或鎳金中的至少一者；或者其中所述第二金屬化層包括金、鋁、銅或鎳金中的至少一者。在所述的光學晶片中，所述第一組觸點包括p歐姆金屬、n歐姆金屬、鈦、金或鉑中的至少一者；或者其中所述第二組觸點包括p歐姆金屬、n歐姆金屬、鈦、金或鉑中的至少一者。在所述的光學晶片中，所述第一介電層包括氮化矽(Si3N4)層、二氧化矽(SiO2)層或氧化鋁(Al2O3)層中的至少一者；或者其中所述第二介電層包括氮化矽(Si3N4)層、二氧化矽(SiO2)層或氧化鋁(Al2O3)層中的至少一者。在所述的光學晶片中，所述第一組發射器和所述第二組發射器是頂部發射型垂直腔面發射式雷射。在所述的光學晶片中，所述第一組發射器和所述第二組發射器是底部發射型垂直腔面發射式雷射；其中所述第一金屬化層至少部分地與所述第二組發射器的發射區域重疊；並且其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一組發射器的發射區域重疊。在所述的光學晶片中，所述第一組發射器位於第一列中；其中所述第二組發射器位於第二列中；並且其中所述第一列平行於所述第二列。所述的光學晶片進一步包括：第三通道，其包含第二組發射器；第三組觸點，其用於所述第三通道的所述第三組發射器的每一個；以及第三金屬化層，其在所述第三組觸點和所述第一介電層上，其中所述第三金屬化層包括第二通道間部分，所述第二通道間部分位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間，其中所述第二介電層在所述第三金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括第四通道間部分，所述第四通道間部分位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間，並且其中所述第二金屬化層的所述第四通道間部分至少部分地與所述第三金屬化層的所述第三通道間部分重疊。

根據一些實施方式，飛行時間系統可以包括發射器陣列以將光束發射到視場中，其中所述發射器陣列包括:第一通道，其包含第一組發射器；第二通道，其包含第二組發射器；提供驅動電路和所述第一組發射器之間的電接觸的第一金屬化層；所述第一金屬化層上的介電層以及所述介電層上的第二金屬化層，以在所述驅動電路和所述第二組發射器之間提供電接觸，其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一金屬化層重疊；所述飛行時間系統還包括所述驅動電路和接收從視場反射的光的接收器。

根據一些實施方式，飛行時間系統可以包括發射器陣列，以發射光束到視場中，其中所述發射器陣列包括：第一通道，其包含第一組發射器；第二通道，其包含第二組發射器；第一金屬化層，在驅動電路和所述第一組發射器之間提供電接觸；介電層，其在第一金屬化層上；以及在介電層上的第二金屬化層，其在所述驅動電路和所述第二組發射器之間提供電接觸，其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一金屬化層重疊；驅動電路；以及接收器，用於接收從視場反射的光。在所述的飛行時間系統中，所述第一組發射器和所述第二組發射器包括頂部發射型垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、底部發射型垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、共陽極垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、共陰極垂直腔面發射式雷射(VCSEL)或線掃描式雷射中的至少一者。在所述的飛行時間系統中，所述發射器陣列進一步包括：多個金屬化層，在所述驅動電路和多個通道的一個或多個發射器之間提供電接觸，以及位於所述多個金屬化層的相鄰金屬化層的重疊部分之間的一個或多個介電層。在所述的飛行時間系統中，所述第一金屬化層包括第一焊盤，其中所述第二金屬化層包括第二焊盤，並且其中所述驅動電路電連接到所述第一焊盤和所述第二焊盤。在所述的飛行時間系統中，所述驅動電路被配置以產生一個或多個驅動信號，來驅動所述發射器陣列將光束發射到視場中；接收器被配置以基於從視場反射的光而產生電信號；並且所述飛行時間系統被配置以基於所述驅動信號和所述電信號來確定到視場中的一個或多個物體的距離。

以下範例性實施方式的詳細描述參考了附圖。不同附圖中相同的附圖標記可以標識相同或相似的元件。

飛行時間(TOF)系統，例如二維(3D)感測系統、光檢測和測距(LIDAR)系統等，將光脈衝發射到視場中，檢測反射光脈衝，並藉由測量發射光脈衝和反射光脈衝之間的延遲及/或差異來確定到視場中物體的距離。TOF系統可以包括具有發射器列的發射器陣列(例如，VCSEL陣列及/或相似物)，其中每列對應於一個通道，並且每列中有多個發射器。發射器的每個通道可以具有設置在發射器陣列頂部的金屬化層，以在發射器和用於連接到驅動電路的焊盤之間提供電連接。

通道內(例如，在對應於該通道的列內)的發射器間隔可以確定飛行時間系統的感測器在水平方向上的角度分辨率，並且不同列之間的間隔可以確定垂直分辨率。減小發射器列之間的間距提高了飛行時間系統的垂直分辨率。然而，必須在每個金屬化層之間保持一間隙，並且製造約束限制了間隙的減小。此外，減小發射器列之間的間距需要減小金屬化層的寬度，這增加了金屬化層的電阻並降低了飛行時間系統的效率。

本文描述的一些實施方式提供了一種方法，該方法包括為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層，在所述第一金屬化層上沉積介電層，以及在所述介電層上為第二組發射器提供第二金屬化層，其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一金屬化層重疊。所述介電層將所述第一金屬化層和所述第二金屬化層彼此絕緣，從而允許所述第一金屬化層和所述第二金屬化層重疊。藉由允許所述第一金屬化層和所述第二金屬化層重疊，可以減小發射器列之間的間距，以提高分辨率，並且可以增加所述第一金屬化層和所述第二金屬化層的寬度，以提高飛行時間系統的效率。

圖1A和圖1B分別描繪範例性發射器100的俯視圖和範例性發射器100沿線X-X的截面圖150。如圖1A所示，發射器100可以包括以發射器結構建構的一組發射器層。在一些實施方式中，發射器100可以對應於本文描述的一個或多個垂直發射裝置。

如圖1A所示，在該範例性中，發射器100可以包括圓形的植入保護層102。在一些實施方式中，植入保護層102可以具有另一種形狀，例如橢圓形、多邊形等。植入保護層102是基於包括在發射器100中的植入材料部分(未示出)之間的空間而被定義。

如圖1A中的中灰色和深灰色區域所示，發射器100包括歐姆金屬層104(例如，p歐姆金屬層或n歐姆金屬層)，其被建構成部分環形(例如，具有內半徑和外半徑)。中灰色區域示出了歐姆金屬層104被發射器100的保護層(例如，介電層、鈍化層等)覆蓋的區域，深灰色區域示出了歐姆金屬層104被通孔106曝露的區域，如下所述。如圖所示，歐姆金屬層104與植入保護層102重疊。例如，在p-上/頂部發射發射器100的情況下，可以使用這種配置。在底部發射發射器100的情況下，可以根據需要調整配置。

圖1A中未示出，發射器100包括保護層，在該保護層中形成(例如蝕刻)通孔106。深灰色區域示出了歐姆金屬層104被通孔106曝露的區域(例如，深灰色區域的形狀可以是通孔106的形狀的結果)，而中灰色區域示出了歐姆金屬層104被一些保護層覆蓋的區域。保護層可以覆蓋除通孔之外的所有發射器。如圖所示，通孔106形成為部分環形(例如，類似於歐姆金屬層104)，並且形成在歐姆金屬層104上，使得保護層上的金屬化接觸歐姆金屬層104。在一些實施方式中，通孔106及/或歐姆金屬層104可以形成為另一種形狀，例如全環形或開口環形(split ring-shape)。

如進一步所示，發射器100包括在發射器100的位於歐姆金屬層104的部分環形的內半徑內的一部分中的光學開孔108。發射器100藉由光學開孔108發射激光束。如進一步所示，發射器100還包括電流限制開孔110(例如，由發射器100的氧化層形成的氧化物開孔(未示出))。流電限制開孔110形成在光學開孔108下方。

如圖1A進一步所示，發射器100包括一組溝槽(trench)112(例如，氧化溝槽)，其圍繞植入保護層102的圓周間隔開(例如，相等地、不相等的)。溝槽112可以相對於光學開孔108定位得多近是取決於應用，並且通常受到植入保護層102、歐姆金屬層104、通孔106和製造公差的限制。

圖1A所示的層數和配置是作為範例性而提供。實際上，發射器100可以包括比圖1A中所示的更多層、更少層、不同層或不同配置的層。例如，雖然發射器100包括一組六個溝槽112，但是在實踐中，其他配置也是可能的，例如包括五個溝槽112、七個溝槽112的緊湊型發射器。在一些實施方式中，溝槽112可以環繞發射器100以形成檯面(mesa)結構d_t 。作為另一個範例，雖然發射器100是圓形發射器設計，但是在實踐中，可以使用其他設計，例如矩形發射器、六邊形發射器、橢圓形發射器等。附加地或替代地，發射器100的一組層(例如，一層或多層)可以分別執行被描述為由發射器100的另一組層所執行的一個或多個功能。

值得注意的是，雖然發射器100的設計被描述為包括VCSEL，但是其他實施方式也是可能的。例如，發射器100的設計可以應用於另一種類型的光學設備的情形，例如發光二極體(LED)，或者另一種類型的垂直發射型(例如，頂部發射型或底部發射型)光學設備。另外，發射器100的設計可以應用於任何波長、功率位準、發射輪廓或相似物的發射器。換句話說，發射器100並不特定為具有給定性能特徵的發射器。

如圖lB所示，範例性截面圖可以代表穿過一對溝槽112或在一對溝槽112之間的發射器100的截面(例如，如圖1A中標記為“X-X”的線所示)。如圖所示，發射器100可以包括背面陰極層128、基板層126、底部反射鏡124、主動區122、氧化層120、頂部反射鏡118、植入隔離材料116、保護層114(例如介電鈍化/反射鏡層)和歐姆金屬層104。如圖所示，發射器100可以具有例如大約10微米(µm)的總高度。

背面陰極層128可以包括與基板層126電接觸的層。例如，背側陰極層128可以包括退火的金屬化層，例如金-鍺-鎳(AuGeNi)層、在鈀-鍺-金層(PdGeAu)及/或等同物。

基板層126可以包括在其上生長磊晶層的基底基板層。例如，基板層126可以包括半導體層，例如砷化鎵(GaAs)層、磷化銦(InP)層及/或等同物。

底部反射鏡124可以包括發射器100的底部反射層。例如，底部反射鏡124可以包括分布式布拉格反射器(DBR)。

主動區122可以包括限制電子並限定發射器100的發射波長的層。例如，主動區122可以是量子井。

氧化層120可以包括提供發射器100的光學和電學限制的氧化物層。在一些實施方式中，氧化層120可以作為磊晶層的濕式氧化的結果而形成。例如，氧化層120可以是作為砷化鋁(AlAs)或砷化鋁鎵(AlGaAs)層氧化的結果而形成的氧化鋁(Al₂ O₃ )層。溝槽112可以包括開口，該開口允許氧(例如，乾氧、濕氧)進入形成氧化層120的磊晶層。

電流限制開孔110可以包括由氧化層120限定的光學活性開孔。電流限制開孔110的尺寸可以在例如從大約4µm到大約20µm的範圍內。在一些實施方式中，電流限制開孔110的尺寸可以取決於圍繞發射器100的溝槽112之間的距離。例如，溝槽112可以被蝕刻以曝露形成氧化層120的磊晶層。此處，在保護層114形成(例如沉積)之前，磊晶層的氧化可以朝著發射器100的中心發生特定距離(例如，在圖lB中標識為d₀ )，從而形成氧化層120和電流限制開孔110。在一些實施方式中，電流限制開孔110可以包括氧化物開孔。附加地或替代地，電流限制開孔110可以包括與另一種類型的電流限制技術相關聯的開孔，例如蝕刻檯面、沒有離子植入的區域、光學微影限定的腔內檯面和再生長等。

頂部反射鏡118可以包括發射器100的頂部反射層。例如，頂部反射鏡118可以包括DBR。

植入隔離材料116可以包括提供電絕緣的材料。例如，植入隔離材料116可以包括離子植入材料，例如氫/質子植入材料或類似的植入元素，以降低電導率。在一些實施方式中，植入隔離材料116可以限定植入保護層102。

保護層114可以包括充當保護性鈍化層並且可以用作附加DBR的層。例如，保護層114可以包括沉積(例如，藉由化學氣相沉積、原子層沉積或其他技術)在發射器100的一個或多個其他層上的一個或多個子層(例如，介電鈍化層和/或反射鏡層、二氧化矽(SiO₂ )層、氮化矽(Si₃ N₄ )層、氧化鋁(Al₂ O₃ )層或其他層)。

如圖所示，保護層114可以包括一個或多個通孔106，一個或多個通孔106提供到歐姆金屬層104的電通路。例如，通孔106可以形成為保護層114的蝕刻部分或保護層114的剝離部分。光學開孔108可以包括電流限制開孔110上的保護層114的一部分，光可以藉由光學開孔發射。

歐姆金屬層104可以包括形成電流可以流過的、進行電接觸的層。例如，歐姆金屬層104可以包括電流可以流過的鈦(Ti)和金(Au)層、鈦和鉑(Pt)層和/或金(Au)層等(例如，藉由通孔106接觸歐姆金屬層104的金屬化層(未示出))。歐姆屬金層104可以是p-歐姆、n-歐姆或本領域已知的其他形式。歐姆金屬層104的特定類型的選擇可以取決於發射器的結構，並且為本領域技術人員所知。歐姆金屬層104可以提供金屬和半導體之間的歐姆接觸和/或可以提供非整流電接合面(electrical junction)和/或可以提供低電阻接觸。在一些實施方式中，發射器100可以使用一系列步驟來製造。例如，底部反射鏡124、主動區122、氧化層120和頂部反射鏡118可以磊晶成長在基板層126上，之後歐姆金屬層104可以沉積在頂部反射鏡118上。接下來，蝕刻溝槽112可被蝕刻而曝露氧化層120以用於氧化。可以藉由離子植入產生植入隔離材料116，之後則可以沉積保護層140。可以在保護層114中蝕刻通孔106(例如，曝露歐姆金屬層104以用於接觸)。可以進行電鍍、種晶(seeding)和蝕刻，之後可以將基板層126薄化及/或研磨至目標厚度。最後，背面陰極層128可以沉積在基板層126的底側上。

圖1B示的層的數量、佈置、厚度、順序、對稱性…等等為範例性的。實際上，發射器100可以包括額外的層、更少的層、不同的層、不同構造的層或與圖1B中所示的不同佈置的層。附加地或替代地，發射器100的一組層(例如，一層或多層)可以執行被描述為由發射器100的另一組層執行的一個或多個功能，並且任何層可以包括多於一層。

圖2是傳統發射器202陣列的俯視圖。如圖2所示，陣列包括多個通道204，其中每個通道包括一列發射器202。例如，圖2中的每個灰色陰影可以代表通道的金屬化層(例如，跡線)。如圖2右側的插圖所示，每個發射器202可以藉由x間距206和y間距208與其他發射器202分開，其中x間距206是同一列中發射器202之間的距離，y間距208是相鄰列中發射器202之間的距離。

如上所述，減小列對列的間距(例如，y間距208)可以增加飛行時間系統的感測器的垂直分辨率。然而，y間距208的減小可能受到形成在發射器202的列上的金屬化層的寬度(例如，通道的寬度)和/或兩個相鄰金屬化層之間的間隔的限制。在常規製造中，使用金屬化製程同時形成通道204的金屬化層，如本文進一步描述的，該金屬化製程具有限制相鄰通道204之間的間距(例如，y間距208)減小的製造公差和/或規則。

圖3是本文描述的圖2的傳統發射器202陣列的截面圖。如圖3所示，發射器202陣列可以包括基板層302、主動層304、發射器的第一通道306、發射器的第二通道308、第一觸點310、第二觸點312、介電層314和金屬化層3160發射器的第一通道306和發射器的第二通道308對應於圖2的發射器202的傳統陣列的兩個相鄰通道204。此外，圖3的截面圖可以描繪圖2的發射器202的傳統陣列的每對相鄰通道204的截面位置關係。

如圖3所示，金屬化層316可以包括用於發射器的第一通道306的第一邊線和用於發射器的第二通道308的第二跡線。當在一個製造步驟中沉積第一邊線和第二跡線時，必須在第一邊線和第二跡線之間保持間隙318以避免短路。間隙318的寬度和/或第一邊線和第二跡線的厚度可以由製造公差和/或規則來確定。例如，製造公差和/或規則可以要求兩個相鄰跡線(例如，第一邊線和第二跡線)相隔一定距離(例如，3-10微米)。因此，減小間隙318的寬度(例如，以增加垂直分辨率)需要減小第一邊線和第二跡線的寬度。然而，第一邊線和第二跡線中的每一個都承載大電流(例如，每個發射器峰值電流40-400毫安培)，並且減小第一邊線和第二跡線的寬度由於細長遠線的附加電感和電阻而導致大的電壓損失。

圖4是本文描述的發射器402陣列的範例性實施方式400的俯視圖。在一些實施方式中，發射器402陣列可以被稱為光學晶片。如圖4所示，陣列包括多個通道404，其中每個通道包括一列發射器402。例如，圖4中的每個陰影可以代表通道的金屬化層(例如，跡線)。如圖右側的插圖所示，每個發射器40可以藉由x間距406和y間距408與其他發射器402分開，其中x間距406是同一列中發射器402的中心之間的距離，y間距408是相鄰列中發射器402的中心之間的距離。

如圖4所示，發射器402可以包括多組發射器402，其中每組發射器402位於一列中(例如，形成通道404)，並且其中這些列彼此平行。在一些實施方式中，取決於陣列和/或包括該陣列的飛行時間系統的架構，每個“列”可以包含多於一個列的發射器。附加地或替代地，來自兩個通道404的發射器可以在x方向(例如，水平方向)上交錯。

在一些實施方式中，發射器402可以包括VCSEL(例如，頂部發射VCSEL、底部發射VCSEL、共陽極VCSEL、共陰極VCSEL…等)、線掃描雷射等。例如，發射器402中的一個或多個可以類似於在此關於圖1A和1B示出和描述的發射器100。

在一些實施方式中，與從左向右延伸的通道404(例如，從陣列頂部向下的第二通道、從陣列頂部向下的第四通道等)的金屬化層相比，可以在不同的製程步驟中提供(例如，沉積)從陣列右側延伸到陣列左側的通道404的金屬化層(例如，陣列頂部處的通道、從陣列頂部向下的第二通道等)。附加地或替代地，介電層可以將每個通道與一個或多個相鄰通道分開。以這種方式，並且如本文參照圖6進一步描述的陣列可以包括相鄰的通道404，通道404包括在x方向和/或y方向上彼此重疊並且在垂直於x方向和y方向的z方向上彼此交錯的金屬化層。

如上所述，提供圖4為範例性的。其他範例可以不同於關於圖4所描述的。

圖5是本文描述的發射器陣列(例如，光學晶片)的製造製程的範例性實施方式500的圖。例如，範例性實施方式400的發射器陣列可以使用範例性實施方式500的製造製程來製造。如圖5所示，該陣列包括第一組通道504a的第一組發射器502a和第二組通道504b的第二組發射器502b。同樣如圖5所示，第一組通道504a可以從陣列的左側延伸到陣列的右側，第二組通道504b可以從陣列的右側延伸到陣列的左側。

在一些實施方式中，如圖5所示，製造製程可以包括第一步驟506和第二步驟508。第一步驟506可以包括為第一組通道504a提供金屬化層(例如，光遮罩、跡線…等)。第二步驟508可以包括為第二組通道504b提供另一金屬化層。

藉由使用不同的製程步驟向相鄰通道提供金屬化層，要求兩個相鄰金屬化層相隔一定距離的製造規則可不再適用。例如，相鄰通道的金屬化層(例如，跡線)可以在空間上彼此重疊。因此，對於相同的y間距，每個金屬化層可以比在單個製程步驟中沉積的金屬化層更寬(例如，不改變x間距)。此外，增加每個金屬化層的寬度降低了每個金屬化層的電阻和/或電感。在一些實施方式中，可以調整金屬化層之間的介電層的厚度，以抵消更寬金屬化層的增加的寄生電感。

在具有頂部發射架構(例如，包括頂部發射VCSEL等)的一些實施方式中，金屬化層(例如，跡線)的寬度可以由發射區域(例如，發射器藉由其發射光)的一個或多個開口來限制。在具有底部發射架構(例如，包括底部發射VCSEL等)的一些實施方式中，其中發射器發射光穿過基板，金屬化層的寬度可以不以這種方式限制，並且可以與相鄰通道的發射區域重疊。

如上所述，圖5作為範例性提供。其他範例性可以不同於關於圖5所描述的。

圖6是本文描述的發射器陣列(例如，光學晶片)的範例性實施方式600的截面圖。如圖6所示，發射器陣列可以包括基板層602、主動層604、發射器的第一通道606、發射器的第二通道608、第一觸點610(例如，第一組觸點)、第二觸點612(例如，第二組觸點)、第一介電層614、第一金屬化層616、第二介電層618和第二金屬化層620。在一些實施方式中，發射器的第一通道606和發射器的第二通道608對應於圖4的發射器402陣列的兩個相鄰通道404。附加地或替代地，發射器的第一通道606和發射器的第二通道608可以分別對應於圖5的第一組通道504a和第二組通道504b。此外，圖6的截面圖可以描繪圖4的發射器402陣列的每對相鄰通道404和/或圖5的陣列的每對相鄰通道504a和504b的截面位置關係。

在一些實施方式中，發射器的第一通道606和/或發射器的第二通道608可以包括一個或多個發射器，其類似於在此參考圖1A和1B示出和描述的發射器100。例如，圖6的基板層602可以類似於在此關於圖1A和1B示出和描述的基底層126。此外，或者可替換地，圖6的主動層604可以類似於和/或可以包括電流限制開孔110、植入隔離材料116、頂部反射鏡118、氧化層120、主動區122、底部反射鏡124等中的一個或多個，如這裡參考圖1A和1B所示和所述的。

在一些實施方式中，第一觸點610和/或第二觸點612可以類似於在此參考圖1A和1B示出和描述的歐姆金屬層104。附加地或替代地，第一介電層614和/或第二介電層618可以類似於在此參考圖1A和1B示出和描述的保護層114。

如圖6所示，主動層604可以沉積在基板層602上，第一觸點610和第二觸點612可以位於主動層604的最上層。在一些實施方式中，第一觸點610可以包括用於發射器的第一通道606中的每個發射器的第一組觸點，第二觸點612可以包括用於發射器的第二通道608中的每個發射器的第二組觸點。

如圖6所示，第一介電層614可以位於主動層604的最上層。在一些實施方式中，第一介電層614可以被蝕刻以曝露第一觸點       610和/或第二觸點612。

如圖6所示，第一金屬化層616可以位於第一觸點610和第一介電層614上。第一金屬化層616和第一觸點610可以提供驅動電路和發射器的第一通道606之間的電接觸。

在一些實施方式中，如圖6所示，第一金屬化層616可以包括位於發射器的第一通道606和發射器的第二通道608之間的通道間部分622。例如，圖6中示出的第一金屬化層616在發射器的第一通道606右側的一部分可以是第一金屬化層616的通道間部分622。

如圖6所示，第二介電層618可以位於第一金屬化層616和第一介電層614上。在一些實施方式中，可以蝕刻第二介電層618以曝露第二觸點612。

如圖6所示，第二金屬化層620可以位於第二觸點612和第二介電層618上。第二金屬化層620和第二觸點612可以提供驅動電路和發射器的第二通道608之間的電接觸。

在一些實施方式中，如圖6所示，第二金屬化層620還可以包括位於發射器的第一通道606和發射器的第二通道608之間的通道間部分624。例如，圖6中所示的第一金屬化層616在發射器的第二通道608左側的一部分可以是第二金屬化層620的通道間部分624。

如圖6所示，第一金屬化層616的通道間部分622和第二金屬化層620的通道間部分624可以至少部分重疊。同樣如圖6所示，第二介電層618可以位於第一金屬化層616和第二金屬化層620的重疊部分之間，並且可以將第一金屬化層616和第二金屬化層620彼此絕緣。在一些實施方式中，第一金屬化層616和第二金屬化層620可以不重疊，但是可以比典型的製造公差和/或規則所允許的更靠近彼此(例如，為了避免短路，如本文關於圖3所述)。藉由允許第一金屬化層616和第二金屬化層620重疊和/或靠近彼此，第二介電層618可以允許減小發射器列之間的間隔以提高分辨率，並且允許增加第一金屬化層616和第二金屬化層620的寬度和/或厚度以提高飛行時間系統的效率(例如，藉由降低第一金屬化層616和/或第二金屬化層620的阻抗)。

在一些實施方式中，第一金屬化層616和/或第二金屬化層620可以使用電鍍金屬、使用電子束(e-beam)物理氣相沉積、使用金屬濺鍍沉積…等等來形成。附加地或替代地，第一金屬化層616和/或第二金屬化層620可以包括金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳金(NiAu)等。

如上所述，圖6作為範例性提供。其他範例性可以不同於關於圖6所描述的。

圖7是包括本文描述的發射器陣列704的飛行時間系統702的範例性實施方式700的圖。如圖7所示，飛行時間系統702可以包括發射器陣列704(例如，光學晶片)、驅動電路706和接收器708。

在一些實施方式中，發射器陣列704可以類似於在此參照圖4-6示出和描述的發射器陣列。在一些實施方式中，發射器陣列704可以包括具有金屬化層的多個通道，其中相鄰通道的金屬化層至少部分重疊，並且介電層位於金屬化層的重疊部分之間。附加地或替代地，發射器陣列704可以包括多個金屬化層和位於多個金屬化層的相鄰金屬化層的重疊部分之間的一個或多個介電層。在一些實施方式中，金屬化層(例如，包括焊盤)可以在陣列的通道中的發射器和驅動電路706之間提供電接觸。

在一些實施方式中，驅動電路706可以產生一個或多個電信號(例如，驅動信號)來驅動發射器陣列704發射一個或多個光脈衝。例如，如圖7所示，驅動電路706可以電連接到發射器陣列704中的每個通道(例如，經由焊盤)，並且可以單獨驅動每個通道、分別獨驅動通道組、同時驅動通道…等等(例如，基於飛行時間系統702的應用)。

在一些實施方式中，接收器708可以包括一個或多個光電探測器、光電感測器、光電二極體、光電晶體(phototransistor)…等等。附加地或替代地，接收器708可以被配置成基於光學信號生成電信號。

在一些實施方式中，在飛行時間系統702的操作期間，驅動電路706可以產生驅動信號以驅動發射器陣列704將光發射到視場中，並且接收器708可以接收從視場反射的光(例如，反射的光束)，並且基於接收的光產生電信號。附加地或替代地，飛行時間系統702可以藉由測量由發射器陣列704發射的光和由接收器708接收的從視場反射的光之間的延遲及/或差異來確定到視場中的物體的距離。

如上所述，提供圖7為範例性的。其他範例可以不同於關於圖7所描述的。

圖8是與製造發射器陣列相關聯的範例性製程800的流程圖。如圖8所示，製程800可以包括為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層，其中第一金屬化層包括位於第一組發射器和第二通道的第二組發射器之間的第一通道間部分(方塊810)。

如圖8進一步所示，製程800可以包括在第一金屬化層的第一通道間部分上沉積介電層(方塊820)。

如圖8進一步所示，製程800可以包括為第二組發射器提供第二金屬化層，其中第二金屬化層包括位於第一組發射器和第二組發射器之間的第二通道間部分(方塊830)。在一些實施方式中，第二金屬化層的第二通道間部分至少部分地與第一金屬化層的第一通道間部分重疊。

製程800可以包括額外的實施方式，例如下面描述的及/或結合本文別處描述的一個或多個其他製程的任何單個實施方式或實施方式的任何組合。

在第一實施方式中，提供第一金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成第一金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成第一金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成第一金屬化層；或者提供第二金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成第二金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成第二金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成第二金屬化層。

在第二實施方式中，單獨或與第一實施方式結合，沉積介電層包括使用化學氣相沉積或原子層沉積中的至少一者來沉積介電層。

在第三實施方式中，單獨或與第一和第二實施方式中的一個或多個結合，製程800包括在介電層中蝕刻用於第一金屬化層的接合焊盤。

在第四實施方式中，單獨或與第一至第二實施方式中的一個或多個結合，製程800包括，在提供第一金屬化層之前，在基板層上沉積主動層以形成第一組發射器和第二組發射器。

在第五實施方式中，單獨或與第一至第四實施方式中的一個或多個結合，製程800包括，在提供第一金屬化層之前且沉手只主動層之後，將第一組觸點定位在第一通道的第一組發射器的每個發射器的主動層的最上層上，將第二組觸點定位在第二通道的第二組發射器的每個發射器的主動層的最上層上，並且針對第一組發射器的每個發射器和第二組發射器的每個發射器，在主動層中蝕刻溝槽。

在第六實施方式中，單獨或與第一至第五實施方式中的一個或多個結合，製程800包括，在主動層中蝕刻溝槽之後，氧化第一組發射器和第二組發射器。

在第七實施方式中，單獨或與第一至第六實施方式中的一個或多個結合，該介電層是第二介電層，並且製程800包括，在主動層中蝕刻溝槽之後，在主動層上沉積第一介電層，並且在第一介電層中蝕刻用於第一組觸點的通孔。

在第八實施方式中，單獨或與第一至第七實施方式中的一個或多個結合，提供第一金屬化層包括，在蝕刻用於第一組觸點的通孔之後，在第一組觸點和第一介電層上提供第一金屬化層，並且沉積第二介電層包括，在提供第一金屬化層之後，在第一金屬化層和第一介電層上沉積第二介電層。

在第九實施方式中，單獨或與第一至第八實施方式中的一個或多個結合，製程800包括，在沉積第二介電層之後，在第二介電層和第一介電層中蝕刻用於第二組觸點的通孔；並且提供第二金屬化層包括，在蝕刻用於第二組觸點的通孔之後，在第二組觸點和第二介電層上提供第二金屬化層。

在第十實施方式中，單獨或與第一至第九實施方式中的一個或多個結合，製程800包括在主動層上針對第二通道的第二組發射器的每個發射器定位第二組觸點，其中第二金屬化層包括位於第二組發射器和第二組發射器之間的第二通道間部分，在第二金屬化層和第二介電層上沉積第二介電層，並且在第二組觸點和第二介電層上提供第二金屬化層，其中第二金屬化層包括位於第二組發射器和第二組發射器之間的第四通道間部分。第二金屬化層的第四通道間部分可以至少部分地與第二金屬化層的第二通道間部分重疊。

雖然圖8示出了製程800的範例性方塊，但是在一些實施方式中，製程800可以包括與圖8中所示的那些方塊相比的額外方塊、更少的方塊、不同的方塊或者不同佈置的方塊。附加地或替代地，製程800的兩個或更多個方塊可以並行執行。

前這公開內容提供了說明和描述，但不旨在全面性的或將實施方式限制到所公開的精確形式。可以根據上述公開內容進行修改和變化，或者可以從實施方式的實踐中獲得修改和變化。此外，本文描述的任何實施方式可以被組合，除非前這公開明確地提供了一個或多個實施方式可以不被組合的理由。

即使特徵的特定組合在申請專利範圍中被引用及/或在說明書中被公開，這些組合並不旨在限制各種實施方式的公開。事實上，這些特徵中的許多可以以申請專利範圍中沒有具體敘述和/或說明書中沒有公開的方式進行組合。儘管下面列出的每個申請專利範圍附屬項可能直接依賴於僅一個申請專利範圍，但是各種實施方式的公開包括每個申請專利範圍附屬項與申請專利範圍集合中的每個其他申請專利範圍的組合。

除非明確說明，否則本文使用的任何元素、動作或指令都不應被解釋為關鍵或必要的。此外，如本文所用，冠詞“一”和“一個”旨在包括一個或多個項目，並且可以與“一個或多個”互換使用此外，如本文所用，冠詞“該”旨在包括與冠詞“該”相關聯的一個或多個項目，並且可以與“該一個或多個”互換使用。此外，如本文所使用的，術語“集合”旨在包括一個或多個項目(例如，相關項目、不相關項目、相關和不相關項目的組合等)，並且可以與“一個或多個”互換使用。當只打算使用一個項目時，使用短語“僅一個”或類似的語言。此外，如這裡所使用的，術語“有”、“具有”、“帶有”等用來表示開放式術語。此外，用語“基於”旨在表示“至少部分基於”，除非另有明確說明。此外，如本文所用，術語“或”在一連串使用時目的為包括在內，並且可以與“及/或”互換使用，除非另有明確說明(例如，如果與“任一”或“僅其中之一”結合使用)。此外，為了便於描述，這裡可以使用空間上相對的術語，例如“下面”、“下”、“上面”、“上”…等，來描述一個元件或特徵與圖中所示的另一個元件或特徵的關係。除了附圖中描述的方位之外，空間相關術語旨在包括使用或操作中的設備、裝置和/或元件的不同方位。該設備可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方向)，並且這裡使用的空間相對描述符號同樣可以相應地解釋。

100:發射器 102:植入保護層 104:歐姆金屬層 106:通孔 108:光學開孔 110:電流限制開孔 112:溝槽 114:保護層 116:植入隔離材料 118:頂部反射鏡 120:氧化層 122:主動區 124:底部反射鏡 126:基底層 128:背面陰極層 150:截面圖 202:發射器 204:通道 206:x間距 208:y間距 302:基板層 304:主動層 306:第一通道 308:第二通道 310:第一觸點 312:第二觸點 314:介電層 316:金屬化層 318:間隙 400:實施方式 402:發射器 404:通道 406:x間距 408:y間距 500:實施方式 502a:第一組發射器 502b:第二組發射器 504a:第一組通道 504b:第二組通道 506:第一步驟 508:第二步驟 600:實施方式 602:基板層 604:主動層 606:第一通道 608:第二通道 610:第一觸點 612:第二觸點 614:第一介電層 616:第一金屬化層 618:第二介電層 620:第二金屬化層 622:通道間部分 624:通道間部分 700:實施方式 702:飛行時間系統 704:發射器陣列 706:驅動電路 708:接收器 800:製程 810-830:方塊

[圖1A]和[圖1B]分別是本文描述的範例性發射器的俯視圖和範例性發射器的範例性截面圖。

[圖2]是本文描述的傳統發射器陣列的俯視圖。

[圖3]是本文描述的圖2的傳統發射器陣列的截面圖。

[圖4]是本文描述的發射器陣列的範例性實施方式的俯視圖。

[圖5]是本文描述的發射器陣列的製造製程的範例性實施方式的示意圖。

[圖6]是本文描述的發射器陣列的範例性實施方式的橫截面圖。

[圖7]是包括本文所記載的發射器陣列的飛行時間系統的範例性實施方式的示圖。

[圖8]是與製造發射器陣列相關的範例性製程的流程圖。

600:實施方式

602:基板層

604:主動層

606:第一通道

608:第二通道

610:第一觸點

612:第二觸點

614:第一介電層

616:第一金屬化層

618:第二介電層

620:第二金屬化層

622:通道間部分

624:通道間部分

Claims (24)

1. 一種方法，包括： 為第一通道的第一組發射器提供第一金屬化層， 其中所述第一金屬化層包括位於所述第一組發射器與第二通道的第二組發射器之間的第一通道間部分； 在所述第一金屬化層的所述第一通道間部分上沉積介電層；和 為所述第二組發射器提供第二金屬化層， 其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分。
2. 根據請求項1所述的方法，其中提供所述第一金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成所述第一金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成所述第一金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成所述第一金屬化層；或者 其中提供所述第二金屬化層包括以下至少一者：用電鍍金屬形成所述第二金屬化層、使用電子束物理氣相沉積形成所述第二金屬化層、或使用金屬濺鍍沉積形成所述第二金屬化層。
3. 根據請求項1所述的方法，其中沉積所述介電層包括使用化學氣相沉積或原子層沉積中的至少一者來沉積所述介電層。
4. 根據請求項1所述的方法，進一步包括： 在所述介電層中蝕刻用於所述第一金屬化層的焊盤。
5. 根據請求項1所述的方法，進一步包括： 在提供所述第一金屬化層之前，在基板層上沉積主動層以形成所述第一組發射器和所述第二組發射器。
6. 根據請求項5所述的方法，進一步包括，在提供所述第一金屬化層之前且在沉積所述主動層之後： 針對所述第一通道的所述第一組發射器的每個發射器，將第一組觸點定位在所述主動層的最上層上； 針對所述第二通道的所述第二組發射器的每個發射器，將第二組觸點定位在所述主動層的最上層上；並且 在所述主動層中為所述第一組發射器的每個發射器和所述第二組發射器的每個發射器蝕刻溝槽。
7. 根據請求項6所述的方法，進一步包括，在所述主動層中蝕刻溝槽之後，氧化所述第一組發射器和所述第二組發射器。
8. 根據請求項6所述的方法，其中所述介電層是第二介電層；並且 其中該方法還包括，在所述主動層中蝕刻溝槽之後： 在所述主動層上沉積第一介電層；以及 在所述第一介電層中蝕刻用於所述第一組觸點的通孔。
9. 根據請求項8所述的方法，其中： 提供所述第一金屬化層包括：在蝕刻用於所述第一組觸點的通孔之後，在所述第一組觸點和所述第一介電層上提供所述第一金屬化層；以及 沉積所述第二介電層包括：在提供所述第一金屬化層之後，在所述第一金屬化層和所述第一介電層上沉積所述第二介電層。
10. 根據請求項9所述的方法，進一步包括： 在沉積所述第二介電層之後，在所述第二介電層和所述第一介電層中蝕刻用於所述第二組觸點的通孔；以及 其中提供所述第二金屬化層包括：在蝕刻用於所述第二組觸點的通孔之後，在所述第二組觸點和所述第二介電層上提供所述第二金屬化層。
11. 根據請求項10所述的方法，進一步包括： 針對第三通道的第三組發射器的每個發射器，在所述主動層上定位第三組觸點， 其中所述第二金屬化層包括位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間的第三通道間部分； 在所述第二金屬化層和所述第二介電層上沉積第三介電層；以及 在所述第三組觸點和所述第三介電層上提供第三金屬化層， 其中所述第三金屬化層包括位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間的第四通道間部分。
12. 一種光學晶片，包括： 第一通道，其包含第一組發射器； 第一組觸點，其用於第一通道的第一組發射器的每一個； 第一介電層； 第一金屬化層，其在所述第一組觸點和所述第一介電層上， 其中第一金屬化層包括第一通道間部分，所述第一通道間部分位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間； 第二通道，其包括第二組發射器； 第二組觸點，其用於第二通道的第二組發射器的每一個； 第二介電層，其在所述第一金屬化層和所述第一介電層上；以及 第二金屬化層，其在所述第二組觸點和所述第二介電層上， 其中所述第二金屬化層包括位於所述第一組發射器和所述第二組發射器之間的第二通道間部分，並且 其中所述第二金屬化層的所述第二通道間部分至少部分地與所述第一金屬化層的所述第一通道間部分重疊。
13. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一金屬化層包括金、鋁、銅或鎳金中的至少一者；或者 其中所述第二金屬化層包括金、鋁、銅或鎳金中的至少一者。
14. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一組觸點包括p歐姆金屬、n歐姆金屬、鈦、金或鉑中的至少一者；或者 其中所述第二組觸點包括p歐姆金屬、n歐姆金屬、鈦、金或鉑中的至少一者。
15. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一介電層包括氮化矽(Si₃ N₄ )層、二氧化矽(SiO₂ )層或氧化鋁(Al₂ O₃ )層中的至少一者；或者 其中所述第二介電層包括氮化矽(Si₃ N₄ )層、二氧化矽(SiO₂ )層或氧化鋁(Al₂ O₃ )層中的至少一者。
16. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一組發射器和所述第二組發射器是頂部發射型垂直腔面發射式雷射。
17. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一組發射器和所述第二組發射器是底部發射型垂直腔面發射式雷射； 其中所述第一金屬化層至少部分地與所述第二組發射器的發射區域重疊；並且其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一組發射器的發射區域重疊。
18. 根據請求項12所述的光學晶片，其中所述第一組發射器位於第一列中； 其中所述第二組發射器位於第二列中；並且 其中所述第一列平行於所述第二列。
19. 根據請求項12所述的光學晶片，其進一步包括： 第三通道，其包含第二組發射器； 第三組觸點，其用於所述第三通道的所述第三組發射器的每一個；以及 第三金屬化層，其在所述第三組觸點和所述第一介電層上， 其中所述第三金屬化層包括第二通道間部分，所述第二通道間部分位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間， 其中所述第二介電層在所述第三金屬化層上， 其中所述第二金屬化層包括第四通道間部分，所述第四通道間部分位於所述第二組發射器和所述第三組發射器之間，並且 其中所述第二金屬化層的所述第四通道間部分至少部分地與所述第三金屬化層的所述第三通道間部分重疊。
20. 一種飛行時間系統，包括： 發射器陣列，以發射光束到視場中， 其中所述發射器陣列包括： 第一通道，其包含第一組發射器； 第二通道，其包含第二組發射器； 第一金屬化層，在驅動電路和所述第一組發射器之間提供電接觸； 介電層，其在第一金屬化層上；以及 在介電層上的第二金屬化層，其在所述驅動電路和所述第二組發射器之間提供電接觸， 其中所述第二金屬化層至少部分地與所述第一金屬化層重疊； 驅動電路；以及 接收器，用於接收從視場反射的光。
21. 根據請求項20所述的飛行時間系統，其中所述第一組發射器和所述第二組發射器包括頂部發射型垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、底部發射型垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、共陽極垂直腔面發射式雷射(VCSEL)、共陰極垂直腔面發射式雷射(VCSEL)或線掃描式雷射中的至少一者。
22. 根據請求項20所述的飛行時間系統，其中所述發射器陣列進一步包括： 多個金屬化層，在所述驅動電路和多個通道的一個或多個發射器之間提供電接觸，以及 位於所述多個金屬化層的相鄰金屬化層的重疊部分之間的一個或多個介電層。
23. 根據權利要求20所述的飛行時間系統，其中所述第一金屬化層包括第一焊盤， 其中所述第二金屬化層包括第二焊盤，並且 其中所述驅動電路電連接到所述第一焊盤和所述第二焊盤。
24. 根據權利要求20所述的飛行時間系統，其中： 所述驅動電路被配置以產生一個或多個驅動信號，來驅動所述發射器陣列將光束發射到視場中； 接收器被配置以基於從視場反射的光而產生電信號；並且 所述飛行時間系統被配置以基於所述驅動信號和所述電信號來確定到視場中的一個或多個物體的距離。

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