TW202146916A - 光電檢測系統與檢測晶粒方法 - Google Patents

Abstract

一種光電檢測系統，包括檢測載台、探針卡、影像擷取模組以及分析模組。影像擷取模組能透過穿透孔對針尖及其對應的焊墊進行影像擷取而得欲檢測影像資訊。分析模組係分析欲檢測影像資訊以計算出水平偏移量，且分析模組依據水平偏移量以計算出水平容許值，再將水平容許值結合水平位置資訊而決定扎針水平位置資訊。運動模組依據扎針水平位置資訊而調整探針卡與檢測載台之水平相對位置後，再依據垂直位置資訊而控制探針卡與檢測載台之垂直相對位置，以使各針尖能電性接觸其所對應之焊墊。此外，一種檢測晶粒方法亦被提出。

Description

光電檢測系統與檢測晶粒方法

本發明是有關於一種光電檢測系統與檢測晶粒方法，特別是應用於檢測LED的光電檢測系統與檢測晶粒方法。

發光二極體(Light Emitting Diode，LED)具有如省電、壽命長、響應速度快等特點，且隨著LED的製程也不斷精進，可將LED晶粒體積(尺寸)降低，使得晶圓上所能承載的LED晶粒越多，可應用如作為顯示面板的像素(pixel)。

對於切割後之晶圓，由於在晶圓上的LED之相對位置未盡相同，為了有效掌控每一顆LED之光特性，現有技術會對一片晶圓上的每一顆LED逐一進行點測，藉此判斷出晶圓上的每一顆LED的優劣程度。然而，逐一單顆檢測LED之方式時間上過於冗長，若LED的數量越多，則要檢測完一片晶圓之時程就越久，成為生產流程瓶頸，如此對於要大量生產晶圓的工廠來說，除了不利於整體生產週期時間，也影響後續製程管制評估之時間；再者，若要對多顆LED同時進行檢測，由於切割後各LED之相對位置已不如原本尚未切割前之排列，致使要對複數顆切割後之LED同時供電是有機械對位上之技術困難。

因此，如何改良並能提供一種『光電檢測系統與檢測晶粒方法』來避免上述所遭遇到的問題，是業界所待解決之課題。

本發明提供一種光電檢測系統與檢測晶粒方法，對位過程中可同時對針尖及LED晶粒的焊墊進行取像，並尋求媒合各探針之一最佳扎針位置，使得區域內的LED晶粒之電性較為均勻。

本發明之一實施例提供一種光電檢測系統，包括一檢測載台、一探針卡、一影像擷取模組以及一分析模組。檢測載台連接於一運動模組。檢測載台之一側係能承載一載體，載體上設有複數個LED晶粒，每一LED晶粒設有二個焊墊，且載體定義有至少一欲檢測區域，每一焊墊定義有一位置參考點。探針卡連接於運動模組。探針卡包括一探針基板、複數個探針以及一穿透孔，穿透孔貫穿於探針基板，各探針連接於探針基板，而各探針具有一針尖，且穿透孔能暴露出各針尖與欲檢測區域內的複數個焊墊。影像擷取模組連接於運動模組，運動模組可依據一水平位置資訊而控制影像擷取模組、探針卡及檢測載台之一水平相對位置，並使各針尖能對應位於欲檢測區域內的焊墊，且使得影像擷取模組能透過穿透孔對複數個針尖及其對應的焊墊進行影像擷取而得一欲檢測影像資訊，欲檢測影像資訊係包含對應複數個針尖之一針尖資訊及對應欲檢測區域內該複數個焊墊之一欲檢測焊墊資訊。分析模組連接影像擷取模組，分析模組係分析針尖資訊及欲檢測焊墊資訊而計算出各針尖相對其所對應焊墊的位置參考點之一水平偏移量，且分析模組依據各水平偏移量而計算出一水平容許值，再將水平容許值結合水平位置資訊而決定一扎針水平位置資訊。運動模組連接分析模組，運動模組依據扎針水平位置資訊而調整探針卡與檢測載台之水平相對位置後，再依據一垂直位置資訊而控制探針卡與檢測載台之一垂直相對位置，以使各針尖能電性接觸其所對應之焊墊。

在一實施例中，上述載體尚定義至少一待檢測區域。穿透孔暴露出欲檢測區域與待檢測區域內之複數個焊墊。影像擷取模組能透過穿透孔對欲檢測區域與待檢測區域內之複數個焊墊進行影像擷取，使得欲檢測影像資訊更包括對應檢測區域內的複數個焊墊之一待檢測焊墊資訊，且分析模組能分析待檢測焊墊資訊。

在一實施例中，上述光電檢測系統更包括一電性檢測模組，電性檢測模組電性連接複數個探針，且電性檢測模組係受控於分析模組。

在一實施例中，上述光電檢測系統更包括一光學檢測模組，光學檢測模組設置於檢測載台之另一側而能接收並分析複數個LED晶粒所發出之光訊號。

在一實施例中，上述運動模組係能驅動該檢測載台相對該探針卡進行多軸運動，以控制影像擷取模組、探針卡及檢測載台之水平相對位置及垂直相對位置。

本發明之一實施例另提供一種檢測晶粒方法，包括以下步驟：提供設有複數個LED晶粒之載體於檢測載台，每一LED晶粒設有二個焊墊，且該載體定義有至少一欲檢測區域，每一焊墊定義有位置參考點；執行水平位置控制，運動模組依據水平位置資訊而控制影像擷取模組、探針卡及檢測載台之水平相對位置，其中探針卡包括一探針基板、複數個探針以及穿透孔，穿透孔貫穿於探針基板，各探針連接於探針基板，而各該探針具有一針尖，且穿透孔能暴露出各針尖與欲檢測區域內的複數個焊墊，並使各針尖能對應位於欲檢測區域內的焊墊；執行影像擷取，影像擷取模組能透過穿透孔對複數個針尖及其對應的焊墊進行影像擷取而得欲檢測影像資訊，欲檢測影像資訊係包含對應該複數個針尖之針尖資訊及對應欲檢測區域內複數個焊墊之欲檢測焊墊資訊；分析位置資訊，由一分析模組分析針尖資訊及欲檢測焊墊資訊而計算出各針尖相對其所對應焊墊的位置參考點之一水平偏移量，且分析模組依據各水平偏移量而計算出一水平容許值，再將水平容許值結合水平位置資訊而決定一扎針水平位置資訊；以及執行扎針作業，運動模組依據扎針水平位置資訊而調整探針卡與該檢測載台之該水平相對位置後，再依據一垂直位置資訊而控制探針卡與檢測載台之一垂直相對位置，以使各針尖能電性接觸其所對應之焊墊。

在一實施例中，所述分析位置資訊的步驟中，載體尚定義至少一待檢測區域，穿透孔暴露出欲檢測區域與待檢測區域內之複數個焊墊。影像擷取模組能透過穿透孔對欲檢測區域與待檢測區域內之複數個焊墊進行影像擷取，使得欲檢測影像資訊尚包括對應待檢測區域內的複數個焊墊之一待檢測焊墊資訊，且分析模組能分析待檢測焊墊資訊。

在一實施例中，上述檢測晶粒方法中，更包括以下步驟：一電性檢測步驟。電性檢測模組係電性連接複數個探針，且電性檢測模組係受控於分析模組，於所述執行扎針作業的步驟後，電性檢測模組能對複數個LED晶粒進行電性檢測。

在一實施例中，上述檢測晶粒方法中，更包括以下步驟：一光學檢測步驟。光學檢測模組設置於檢測載台之另一側，且光學檢測模組係受控於分析模組，於所述執行扎針作業的步驟後，光學檢測模組能接收並分析複數個LED晶粒所發出之光訊號。

在一實施例中，上述運動模組係能驅動檢測載台相對探針卡進行多軸運動，以控制影像擷取模組、探針卡及檢測載台之水平相對位置及垂直相對位置。

基於上述，在本發明之光電檢測系統與檢測晶粒方法中，可同時對一區域內的多個LED晶粒進行檢測，並於扎針之前，透過探針卡的穿透孔來對針尖及多個LED晶粒的焊墊進行取像，以調整針尖與焊墊之位置。

再者，本發明可透過計算每個針尖與其對應焊墊之水平偏移量，並尋求媒合各探針之一最佳扎針位置，使各針尖相對於焊墊的位置均位於容許範圍之內，使得區域內的LED晶粒之電性較為均勻。

此外，由於本發明可有效且精準控制扎針量測位置，也有助於後續進行光電性量測之檢測效率。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。

為了說明上的便利和明確，圖式中各元件的厚度或尺寸，係以誇張或省略或概略的方式表示，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，且各元件的尺寸並未完全為其實際的尺寸，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均仍應落在本案所揭示之技術內容涵蓋之範圍內。

第1圖為本發明的光電檢測系統一實施例的示意圖。請參閱第1圖。本實施例的光電檢測系統100包括一檢測載台110、一探針卡130、一影像擷取模組140以及一分析模組150。檢測載台110之一側係能承載一載體50，載體50上設有複數個LED晶粒52。探針卡130、檢測載台110與影像擷取模組140三者之間具有一相對位置關係，如第1圖，探針卡130位於檢測載台110與影像擷取模組140之間，分析模組150連接影像擷取模組140。

此外，檢測載台110、探針卡130、影像擷取模組140分別連接於一運動模組120，運動模組120係能驅動檢測載台110相對探針卡130進行多軸運動(multi-axis motion)，以控制影像擷取模組140之水平相對位置及垂直相對位置、探針卡130之水平相對位置及垂直相對位置及檢測載台110之水平相對位置及垂直相對位置，其中所述多軸運動為沿著第一方向DX、第二方向DY、第三方向DZ之任一方向移動、或繞著第一方向DX、第二方向DY、第三方向DZ之任一方向轉動、又或第一方向DX、第二方向DY、第三方向DZ任一方向組合之運動方向。舉例而言，控制探針卡130之水平相對位置及檢測載台110之水平相對位置是使探針卡130沿著第一方向DX相對於檢測載台110移動，控制探針卡130之垂直相對位置及檢測載台110之垂直相對位置是使探針卡130沿著第二方向DY相對於檢測載台110移動，即探針卡130朝檢測載台110的方向移動或遠離檢測載台110的方向移動。於其他實施例中，運動模組120係可驅動探針卡130相對檢測載台110進行多軸運動，或者運動模組120係可驅動探針卡130與檢測載台110同時相互進行多軸運動。

在本實施例中，探針卡130包括一探針基板132、一穿透孔134以及複數個探針136。探針基板132例如為一具厚度的板體，穿透孔134貫穿於探針基板132，即在探針基板132之厚度方向(如第1圖中的第二方向DY)上挖孔形成穿透孔134，穿透孔134的尺寸並未限制，端視所欲檢測的載體50上的LED晶粒52的範圍而可調整。複數個探針136連接於探針基板132，而每個探針136之一端連接探針基板132，探針136之另一端具有一針尖P，針尖P係探針136遠離探針基板132之一端，且穿透孔134能暴露出每個針尖P。又，在其他實施例中，穿透孔134亦可只暴露局部的複數個針尖P。

第2圖為本發明的探針卡與載體一實施例的示意圖。請參閱第1圖與第2圖，其中第2圖顯示為經切割後之載體50(如晶圓)一部分，在載體50上的LED晶粒52之相對位置未盡相同，這些每一個LED晶粒52設有二個焊墊524、526，焊墊524定義有一位置參考點PF1、焊墊526定義有一位置參考點PF2。載體50定義有欲檢測區域G1，所述欲檢測區域G1可依據探針卡130中的探針136數量與範圍而界定，如第2圖所示，欲檢測區域G1範圍內有四顆LED晶粒52作為舉例，然本發明不對此加以限制，在其他實施例中，欲檢測區域G1可為兩個、三個等，欲檢測區域G1內的LED晶粒52可為多個數量。

在本實施例中，運動模組120可依據水平位置資訊而控制影像擷取模組140之水平相對位置、探針卡130之水平相對位置及檢測載台110之水平相對位置，如第2圖所示，使得探針136A之針尖PT1能在水平方向對應位於欲檢測區域G1內的焊墊524，探針136B之針尖PT2能在水平方向對應位於欲檢測區域G1內的焊墊526，且探針卡130中的穿透孔134能暴露出如第2圖之針尖PT1、PT2與欲檢測區域G1內的焊墊524、526，此時載體50上的各個LED晶粒52之相對位置未盡相同，而這些探針136係依預訂之間距而設置於探針基板132上，其相對LED晶粒52之排列態樣而言，各探針136之間的相對位置是固定不變的，故針尖PT1、PT2分別對應到的焊墊524、526的位置也未盡相同，使得針尖PT1、PT2與其對應之焊墊524之位置參考點PF1、PF2會有不同的水平偏移量。

然，本發明不對此加以限制，第3圖為本發明的探針卡與載體另一實施例的示意圖。請參閱第1圖與第3圖，需說明的是，第3圖的載體50、探針卡130中的探針基板132與第2圖的載體50、探針卡130中的探針基板132相似，其中相同的構件以相同的標號表示且具有相同的功能而不再重複說明，以下僅說明差異處：第3圖中的載體50尚定義待檢測區域G2，其中欲檢測區域G1係正要進行檢測LED晶粒52的區域，待檢測區域G2則是下一次要檢測LED晶粒52的區域，欲檢測區域G1與待檢測區域G2可依據探針卡130中的探針136數量與範圍而界定，如第3圖所示，欲檢測區域G1、待檢測區域G2範圍內各有四顆LED晶粒52作為舉例，然本發明不對此加以限制，在其他實施例中，欲檢測區域G1、待檢測區域G2可為二個、三個等，欲檢測區域G1、待檢測區域G2內的LED晶粒52可為多個數量，當然，穿透孔134的尺寸係涵蓋欲檢測區域G1與待檢測區域G2，以利影像擷取模組140進行取像。

第4A圖為本發明的光電檢測系統一實施態樣的示意圖。第4B圖為本發明的分析模組一實施態樣的示意圖。請參閱第1圖、第2圖、第4A圖與第4B圖。水平位置資訊MX與垂直位置資訊MY傳輸至運動模組120，運動模組120依據水平位置資訊MX與垂直位置資訊MY可控制影像擷取模組140之水平相對位置及垂直相對位置、探針卡130及檢測載台110之水平相對位置及垂直相對位置。舉例而言，運動模組120可依據水平位置資訊MX而控制影像擷取模組140之水平相對位置P1、探針卡130之水平相對位置P2及檢測載台110之水平相對位置P3，使每個探針(如探針136A、136B)之針尖(如針尖PT1、PT2)能對應位於欲檢測區域G1內的焊墊(如焊墊524、526)。影像擷取模組140例如可為電荷耦合裝置(CCD)或互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術製造之影像感測器CCD，由於探針卡130中的穿透孔134能暴露出探針(如探針136A、136B)之針尖(如針尖PT1、PT2)與其對應位於欲檢測區域G1內的焊墊(如焊墊524、526)，使得影像擷取模組140能透過穿透孔134對這些針尖(如針尖PT1、PT2)及其對應的焊墊(如焊墊524、526)進行影像擷取而得一欲檢測影像資訊MD，欲檢測影像資訊MD係包含一針尖資訊MD1以及欲檢測焊墊資訊MD2，其中針尖資訊MD1對應複數個針尖(如針尖PT1、PT2)，欲檢測焊墊資訊MD2對應欲檢測區域G1內複數個焊墊(如焊墊524、526)。分析模組150接收來自影像擷取模組140傳輸的針尖資訊MD1及欲檢測焊墊資訊MD2。

在本實施例中，分析模組150可透過硬體(例如積體電路)、軟體(例如處理器執行之程式指令)或其組合來實現。分析模組150係分析針尖資訊MD1及欲檢測焊墊資訊MD2而計算出針尖(如針尖PT1、PT2)相對其所對應焊墊(如焊墊524、526)的位置參考點(如位置參考點PF1、PF2)之一水平偏移量，以第2圖為例，探針136A之針尖PT1相對其所對應焊墊524的位置參考點PF1之水平偏移量，係計算針尖PT1的位置(如X座標)與焊墊524的位置參考點PF1的位置(如X座標)在水平方向(如第1圖的第一方向DX或第二方向DY)上差異。

以第4B圖為例，探針136例如具有N個探針與其對應的焊墊，針尖資訊MD11代表第一支探針，欲檢測焊墊資訊MD21代表第一支探針對應位於欲檢測區域G1內的焊墊；針尖資訊MD12代表第二支探針，欲檢測焊墊資訊MD22代表第二支探針對應位於欲檢測區域G1內的焊墊；同理，針尖資訊MD1N代表第N支探針，欲檢測焊墊資訊MD2N代表第N支探針對應位於欲檢測區域G1內的焊墊。分析模組150分析第一支探針之針尖資訊MD11以及對應焊墊之欲檢測焊墊資訊MD21，計算出第一支探針相對其所對應焊墊的位置參考點之水平偏移量SX1；分析模組150分析第二支探針之針尖資訊MD12以及對應焊墊之欲檢測焊墊資訊MD22，計算出第二支探針相對其所對應焊墊的位置參考點之水平偏移量SX2；同理，分析模組150分析第N支探針之針尖資訊MD1N以及對應焊墊之欲檢測焊墊資訊MD2N，計算出第N支探針相對其所對應焊墊的位置參考點之水平偏移量SXN。

接著，分析模組150依據各水平偏移量SX1、SX2、SXN等，而計算出水平容許值TX，在此所謂水平容許值TX，並非是將每一支探針之針尖全部移動至其所對應焊墊的位置參考點，而是分析模組150依據水平偏移量SX1、SX2、SXN等數值，調整該探針卡130進而整體調整該欲檢測區域G1內的這些探針與其對應之焊墊的水平偏移量，使得這些水平偏移量能在一可容許的範圍內，例如水平偏移量SX1為10單位、水平偏移量SX2為1單位、水平偏移量SXN為3單位，計算出水平容許值TX例如為5單位，讓這些水平偏移量SX1、SX2、SXN均能調降至水平容許值TX以下，例如：經調整後，水平偏移量SX1由10單位變為5單位、水平偏移量SX2由1單位變為負4單位、水平偏移量SXN由3單位變為負2單位。接著，再將水平容許值TX結合水平位置資訊MX而決定一扎針水平位置資訊PX。運動模組120接收分析模組150所輸送之扎針水平位置資訊PX，運動模組120依據扎針水平位置資訊PX而調整探針卡130與檢測載台110之水平相對位置後，再依據垂直位置資訊MY而控制探針卡130與檢測載台110之垂直相對位置，以使各針尖能電性接觸其所對應之焊墊。

在本實施例中，於對位過程中可同時對探針之針尖及LED晶粒的焊墊進行取像，並尋求媒合各探針之一最佳扎針位置，使得區域(如欲檢測區域G1)內的LED晶粒52之電性較為均勻。

在其他實施例中，配合參閱第3圖與第1圖，穿透孔134暴露出欲檢測區域G1與待檢測區域G2內之複數個焊墊524、526，影像擷取模組140能透過穿透孔134對欲檢測區域G1與待檢測區域G2內之複數個焊墊524、526進行影像擷取，使得欲檢測影像資訊MD更包括對應待檢測區域G1內的複數個焊墊524、526之待檢測焊墊資訊，且分析模組150能分析待檢測焊墊資訊，其分析步驟類同上述，在此不重複贅述。

第5圖為本發明的光電檢測系統另一實施例的示意圖。請參閱第5圖。需說明的是，第5圖的光電檢測系統200與第1圖的光電檢測系統100相似，其中相同的構件以相同的標號表示且具有相同的功能而不再重複說明，以下僅說明差異處：第5圖的光電檢測系統200更包括一電性檢測模組260。電性檢測模組260電性連接探針卡130中的複數個探針136，且電性檢測模組260係受控於分析模組150。當各針尖P能電性接觸其所對應之焊墊時，電性檢測模組260可對焊墊進行電性檢測，亦即藉由調整探針卡130之水平位置，進而減小各個水平偏移量(如第4B圖的水平偏移量SX1、SX2、SXN)相互之間的差異量，因此可同時對複數個LED晶粒52進行電性檢測，而有益於檢測工時，並可兼顧各探針136與其所對應焊墊之水平偏移量，避免這些探針136中某一探針136之水平偏移量過大，這些探針136中某一個探針136之水平偏移量很小，導致扎針位置不佳而影響電性檢測之結果。

第6圖為本發明的光電檢測系統又一實施例的示意圖。請參閱第6圖。需說明的是，第6圖的光電檢測系統300與第1圖的光電檢測系統100相似，其中相同的構件以相同的標號表示且具有相同的功能而不再重複說明，以下僅說明差異處：第6圖的光電檢測系統300更包括一光學檢測模組370。光學檢測模組370設置於檢測載台110之另一側，光學檢測模組370能接收並分析複數個LED晶粒52所發出之光訊號。

此外，在一實施例中，光電檢測系統均包括第5圖之電性檢測模組260與第6圖之光學檢測模組370。

第7圖為本發明的檢測晶粒方法的流程圖。請參閱第7圖。本實施例的檢測晶粒方法S100包括以下步驟S110至步驟S150。檢測晶粒方法S100可應用如第1圖、第5圖、第6圖之光電檢測系統100、200、300或類似的光電檢測系統。

首先，進行步驟S110並參酌第1圖與第2圖，提供設有複數個LED晶粒52之一載體50於一檢測載台110。每一LED晶粒52設有二個焊墊524、526，且載體50定義有至少一欲檢測區域G1，每一焊墊524、526定義有一位置參考點PF1、PF2。

接著，進行步驟S120並參酌第1圖與第2圖，執行水平位置控制。一運動模組120依據一水平位置資訊MX而控制一影像擷取模組140、一探針卡130及檢測載台110之一水平相對位置，使每個探針(如探針136A、136B)之針尖(如針尖PT1、PT2)能對應位於欲檢測區域G1內的焊墊(如焊墊524、526)。需說明的是，探針卡130的具體結構與其相關說明可參考前述，在此不重複贅述。

接著，進行步驟S130並參酌第1圖、第2圖與第4A圖，執行影像擷取。影像擷取模組140能透過穿透孔134對複數個針尖(如針尖PT1、PT2)及其對應的焊墊(如焊墊524、526)進行影像擷取而得一欲檢測影像資訊MD，欲檢測影像資訊MD係包含一針尖資訊MD1以及欲檢測焊墊資訊MD2，其中針尖資訊MD1對應複數個針尖(如針尖PT1、PT2)，欲檢測焊墊資訊MD2對應欲檢測區域G1內複數個焊墊(如焊墊524、526)。

接著，進行步驟S130並參酌第1圖、第2圖、第4A圖與第4B圖，分析位置資訊，由一分析模組150分析針尖資訊MD1及欲檢測焊墊資訊MD2而計算出針尖(如針尖PT1、PT2)相對其所對應焊墊(如焊墊524、526)的位置參考點(如位置參考點PF1、PF2)之水平偏移量(如水平偏移量SX1、SX2、SXN)，且分析模組150依據各水平偏移量(如水平偏移量SX1、SX2、SXN)而計算出一水平容許值TX，再將水平容許值TX結合水平位置資訊MX而決定一扎針水平位置資訊PX。

接著，進行步驟S150，並參酌第1圖、第2圖、第4A圖與第4B圖，執行扎針作業。運動模組120依據運動模組120依據扎針水平位置資訊PX而調整探針卡130與檢測載台110之水平相對位置後，再依據垂直位置資訊MY而控制探針卡130與檢測載台110之垂直相對位置，以使各針尖能電性接觸其所對應之焊墊。由於對位過程中可同時對探針之針尖及LED晶粒的焊墊進行取像，並尋求媒合各探針之一最佳扎針位置，使得欲檢測區域G1內的LED晶粒52之電性較為均勻。

在其他實施例中，分析位置資訊的步驟S130，參酌第3圖，載體50尚定義待檢測區域G2，穿透孔134暴露出欲檢測區域G1與待檢測區域G2內之複數個焊墊524、526，影像擷取模組140能透過穿透孔134對欲檢測區域G1與待檢測區域G2之複數個焊墊524、526進行影像擷取，使得欲檢測影像資訊MD尚包括對應待檢測區域G2內的複數個焊墊之一待檢測焊墊資訊，且分析模組150能分析待檢測焊墊資訊。如此一來，本實施例可在先對欲檢測區域G1進行扎針的同時，亦可透過穿透孔134先對下一個要檢測的待檢測區域G2內焊墊進行影像擷取，使得探針卡130對欲檢測區域G1進行扎針之後，無需計算與調整待檢測區域G2內的扎針位置，即可再進行扎針，有助提升扎針的時程。

接著，於所述執行扎針作業的步驟S150之後，更包括電性檢測步驟，電性檢測模組260可對數個LED晶粒52進行電性檢測。

此外，於所述執行扎針作業的步驟S150之後，更包括光學檢測步驟。光學檢測模組370設置於檢測載台110之另一側而能接收並分析複數個LED晶粒52所發出之光訊號。

綜上所述，在本發明之光電檢測系統與檢測晶粒方法中，可同時對一區域內的多個LED晶粒進行檢測，並於扎針之前，透過探針卡的穿透孔來對針尖及多個LED晶粒的焊墊進行取像，以調整針尖與焊墊之位置。

再者，本發明可透過計算每個針尖與其對應焊墊之水平偏移量，並尋求媒合各探針之一最佳扎針位置，使各針尖相對於焊墊的位置均位於容許範圍之內，使得區域內的LED晶粒之電性較為均勻。

此外，由於本發明可有效且精準控制扎針量測位置，也有助於後續進行光電性量測之檢測效率。

進一步，本發明可在先對欲檢測區域進行扎針的同時，亦可透過穿透孔先對下一個要檢測的待檢測區域內焊墊進行影像擷取，使得探針卡對欲檢測區域進行扎針之後，無需計算與調整待檢測區域內的扎針位置，即可再進行扎針，有助提升扎針的時程。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,300:光電檢測系統 110:檢測載台 120:運動模組 130:探針卡 132:探針基板 134:穿透孔 136,136A,136B:探針 140:影像擷取模組 150:分析模組 260:電性檢測模組 370:光電檢測模組 50:載體 52:LED晶粒 524,526:焊墊 DX:第一方向 DY:第二方向 DZ:第三方向 G1:欲檢測區域 G2:待檢測區域 MD:欲檢測影像資訊 MD1,MD11,MD12,MD1N:針尖資訊 MD2,MD21,MD22,MD2N:欲檢測焊墊資訊 MX:水平位置資訊 MY:垂直位置資訊 P1,P2,P3:水平相對位置 P,PT1,PT2:針尖 PF1,PF2:位置參考點 PX:扎針水平位置資訊 SX1,SX2,SXN:水平偏移量 TX:水平容許值 S100:檢測晶粒方法 S110~S150:步驟

第1圖為本發明的光電檢測系統一實施例的示意圖。 第2圖為本發明的探針卡與載體一實施例的示意圖。 第3圖為本發明的探針卡與載體另一實施例的示意圖。 第4A圖為本發明的光電檢測系統一實施態樣的示意圖。 第4B圖為本發明的分析模組一實施態樣的示意圖。 第5圖為本發明的光電檢測系統另一實施例的示意圖。 第6圖為本發明的光電檢測系統又一實施例的示意圖。 第7圖為本發明的檢測晶粒方法的流程圖。

100:光電檢測系統

110:檢測載台

120:運動模組

130:探針卡

132:探針基板

134:穿透孔

136:探針

140:影像擷取模組

150:分析模組

50:載體

52:LED晶粒

DX:第一方向

DY:第二方向

DZ:第三方向

P:針尖

Claims (10)

1. 一種光電檢測系統，包括： 一檢測載台，連接於一運動模組，該檢測載台之一側係能承載一載體，該載體上設有複數個LED晶粒，各該LED晶粒設有二個焊墊，且該載體定義有至少一欲檢測區域，各該焊墊定義有一位置參考點； 一探針卡，連接於該運動模組，該探針卡包括一探針基板、複數個探針以及一穿透孔，該穿透孔貫穿於該探針基板，各該探針連接於該探針基板，而各該探針具有一針尖，且該穿透孔能暴露出各該針尖與該欲檢測區域內的該複數個焊墊； 一影像擷取模組，連接於該運動模組，該運動模組可依據一水平位置資訊而控制該影像擷取模組、該探針卡及該檢測載台之一水平相對位置，並使各該針尖能對應位於該欲檢測區域內的該焊墊，且使得該影像擷取模組能透過該穿透孔對該複數個針尖及其對應的該焊墊進行影像擷取而得一欲檢測影像資訊，該欲檢測影像資訊係包含對應複數個針尖之一針尖資訊及對應該欲檢測區域內該複數個焊墊之一欲檢測焊墊資訊；以及 一分析模組，連接該影像擷取模組，該分析模組係分析該針尖資訊及該欲檢測焊墊資訊而計算出各該針尖相對其所對應該焊墊的該位置參考點之一水平偏移量，且該分析模組依據各該水平偏移量而計算出一水平容許值，再將該水平容許值結合該水平位置資訊而決定一扎針水平位置資訊； 其中，該運動模組連接該分析模組，該運動模組依據該扎針水平位置資訊而調整該探針卡與該檢測載台之該水平相對位置後，再依據一垂直位置資訊而控制該探針卡與該檢測載台之一垂直相對位置，以使各該針尖能電性接觸其所對應之該焊墊。
2. 如請求項1所述的光電檢測系統，其中該載體尚定義至少一待檢測區域，該穿透孔暴露出該欲檢測區域與該待檢測區域內之該複數個焊墊，該影像擷取模組能透過該穿透孔對該欲檢測區域與該待檢測區域內之該複數個焊墊進行影像擷取，使得該欲檢測影像資訊更包括對應該待檢測區域內的該複數個焊墊之一待檢測焊墊資訊，且該分析模組能分析該待檢測焊墊資訊。
3. 如請求項1所述的光電檢測系統，更包括： 一電性檢測模組，電性連接該複數個探針，且該電性檢測模組係受控於該分析模組。
4. 如請求項1所述的光電檢測系統，更包括： 一光學檢測模組，設置於該檢測載台之另一側而能接收並分析該複數個LED晶粒所發出之光訊號。
5. 如請求項1所述的光電檢測系統，其中該運動模組係能驅動該檢測載台相對該探針卡進行多軸運動，以控制該影像擷取模組、該探針卡及該檢測載台之該水平相對位置及該垂直相對位置。
6. 一種檢測晶粒方法，包括以下步驟： 提供設有複數個LED晶粒之一載體於一檢測載台，各該LED晶粒設有二個焊墊，且該載體定義有至少一欲檢測區域，各該焊墊定義有一位置參考點； 執行水平位置控制，一運動模組依據一水平位置資訊而控制一影像擷取模組、一探針卡及該檢測載台之一水平相對位置，其中該探針卡包括一探針基板、複數個探針以及一穿透孔，該穿透孔貫穿於該探針基板，各該探針連接於該探針基板，而各該探針具有一針尖，且該穿透孔能暴露出各該針尖與該欲檢測區域內的該複數個焊墊，並使各該針尖能對應位於該欲檢測區域內的該焊墊； 執行影像擷取，該影像擷取模組能透過該穿透孔對該複數個針尖及其對應的該焊墊進行影像擷取而得一欲檢測影像資訊，該欲檢測影像資訊係包含對應該複數個針尖之一針尖資訊及對應該欲檢測區域內該複數個焊墊之一欲檢測焊墊資訊； 分析位置資訊，由一分析模組分析該針尖資訊及該欲檢測焊墊資訊而計算出各該針尖相對其所對應該焊墊的該位置參考點之一水平偏移量，且該分析模組依據各該水平偏移量而計算出一水平容許值，再將該水平容許值結合該水平位置資訊而決定一扎針水平位置資訊；以及 執行扎針作業，該運動模組依據該扎針水平位置資訊而調整該探針卡與該檢測載台之該水平相對位置後，再依據一垂直位置資訊而控制該探針卡與該檢測載台之一垂直相對位置，以使各該針尖能電性接觸其所對應之該焊墊。
7. 如請求項6所述的檢測晶粒方法，其中所述分析位置資訊的步驟中，該載體尚定義至少一待檢測區域，該穿透孔暴露出該欲檢測區域與該待檢測區域內之該複數個焊墊，該影像擷取模組能透過該穿透孔對該欲檢測區域與該待檢測區域內之該複數個焊墊進行影像擷取，使得該欲檢測影像資訊尚包括對應該待檢測區域內的該複數個焊墊之一待檢測焊墊資訊，且該分析模組能分析該待檢測焊墊資訊。
8. 如請求項6所述的檢測晶粒方法，更包括以下步驟： 一電性檢測步驟，一電性檢測模組係電性連接該複數個探針，且該電性檢測模組係受控於該分析模組，於所述執行扎針作業的步驟後，該電性檢測模組能對該複數個LED晶粒進行電性檢測。
9. 如請求項6所述的檢測晶粒方法，更包括以下步驟： 一光學檢測步驟，一光學檢測模組設置於該檢測載台之另一側，且該光學檢測模組係受控於該分析模組，於所述執行扎針作業的步驟後，該光學檢測模組能接收並分析該複數個LED晶粒所發出之光訊號。
10. 如請求項6所述的檢測晶粒方法，其中該運動模組係能驅動該檢測載台相對該探針卡進行多軸運動，以控制該影像擷取模組、該探針卡及該檢測載台之該水平相對位置及該垂直相對位置。

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