TW202138060A - 晶片上定位顯微鏡 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種分析基板，其包含：定位層，其被提供有樣本，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸；及感測器層，其包含感測器像素陣列，該定位層相對於該感測器層在晶片上，該感測器像素陣列中之一或多者用以接收來自該螢光染料之螢光傳播。

Description

晶片上定位顯微鏡

本發明大體上關於晶片上定位顯微鏡。 相關申請案的交叉參考

本申請案主張於2019年12月18日提交且標題為「ON-CHIP LOCALIZATION MICROSCOPY」的美國臨時專利申請案第62/950,065號的優先權，其全部內容以全文引用的方式併入本文中。

可使用多種分析過程中之一或多者來分析不同材料的樣本。舉例而言，諸如高通量DNA定序之類的定序可為基因體分析及其他遺傳研究的基礎。舉例而言，合成式定序（SBS）技術使用改質去氧核糖核苷三磷酸（dNTP），其包括終止劑及具有發射光譜的螢光染料。在此類型及其他類型的定序中，藉由照明樣本並藉由偵測回應於該照明而產生的發射光（例如，螢光）來判定遺傳材料之樣本的特性。樣本分析過程的效率通常根據由過程提供的通量（諸如由過程每時間單位進行的分析結果的輸出）進行評估。在現有方法中，輸出可受分析系統可處置的相對較低的最大樣本材料密度限制。

在本發明的第一態樣中，分析基板包含：定位層，其被提供有樣本，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸；及感測器層，其包含感測器像素陣列，定位層相對於感測器層在晶片上，感測器像素陣列中之一或多者用以接收來自螢光染料之螢光傳播。

實施方案可包括以下特徵中之任一者或全部。分析基板為流量槽之部分。定位層包含奈米井。定位層包含零模波導(zero-mode waveguide)。定位層包含表面鈍化層。感測器層包含互補金屬氧化物半導體晶片。感測器像素陣列包含光電二極體陣列。感測器層包含電荷耦合裝置。分析基板進一步包含在定位層與感測器層之間的間隔物層，該間隔物層具有基於來自螢光染料之螢光傳播的一厚度。該間隔物層包含平面波導。間隔物層的厚度對應於由感測器像素陣列的預定比例所接收的來自螢光染料之螢光傳播。間隔物層的厚度是基於來自螢光染料之螢光傳播的預定半高全寬(full width at half maximum)進行選擇。感測器層提供定位層之單一視場。分析基板進一步包含在定位層與感測器層之間的濾光層，濾光層包括至少一個彩色濾光器。分析基板在定位層與感測器層之間不具有濾光器，且其中分析基板在定位層與感測器層之間不具有波導。

在本發明的第二態樣中，成像系統包含：分析基板，其包含：定位層，其將具備樣本，該樣本包括具備螢光染料之核苷酸；及感測器層，定位層相對於感測器層在晶片上；及成像電路系統，其用以對樣本進行成像，成像電路系統包含：感測器像素陣列，其位於該感測器層處，感測器像素陣列中之一或多者用以接收來自螢光染料之螢光傳播；及擬合電路系統，其用以使用感測器層之信號來識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，並且藉由將函數擬合至像素強度分佈來判定像素強度分佈之幾何中心(centroid)。

實施方案可包括以下特徵中之任一者或全部。分析基板為流量槽之部分。定位層包含奈米井。定位層包含零模波導。定位層包含表面鈍化層。感測器層包含互補金屬氧化物半導體晶片。感測器像素陣列包含光電二極體陣列。感測器層包含電荷耦合裝置。分析基板進一步包含在定位層與感測器層之間的間隔物層，該間隔物層具有基於來自螢光染料之螢光傳播的一厚度。該間隔物層包含平面波導。間隔物層的厚度對應於由感測器像素陣列的預定比例接收的來自螢光染料之螢光傳播。間隔物層的厚度係基於來自螢光染料之螢光傳播的預定半高全寬進行選擇。成像電路系統進一步包含限制電路系統，該限制電路系統限制擬合電路系統僅在由井分佈圖案指示的至少一個區中將函數擬合至像素強度分佈。成像電路系統進一步包含排斥電路系統(rejection circuitry)，該排斥電路系統用以排斥在由該井分佈圖案指示的該區之外的至少一個局部區域。感測器層提供定位層之單一視場。成像系統進一步包含在定位層與感測器層之間的濾光層，濾光層包括至少一個彩色濾光器。分析基板在定位層與感測器層之間不具有濾光器，且其中分析基板在定位層與感測器層之間不具有波導。成像系統進一步包含：照明光源；照明光源定時電路系統，其用以使用照明光源產生離散光脈衝；及影像感測器定時電路系統，其用以基於照明光之離散光脈衝而對感測器像素陣列進行時間閘控。

在本發明的第三態樣中，一種方法包含：在分析基板處對樣本執行晶片上成像；及將單分子定位顯微鏡（SMLM）應用於晶片上成像之至少一個影像。

實施方案可包括以下特徵中之任一者或全部。執行晶片上成像包含：將樣本施加至分析基板之定位層，樣本包含具備螢光染料之核苷酸；使用在分析基板之感測器層處之至少一個感測器像素接收來自螢光染料之螢光傳播，感測器層包含感測器像素陣列；且執行SMLM包含：基於來自螢光染料之螢光傳播來分析樣本。分析樣本包含使用感測器層之信號來識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，並且藉由將函數擬合至像素強度分佈來判定像素強度分佈之幾何中心。該方法進一步包含將擬合限制於由定位層之井分佈圖案指示的至少一個區。該方法進一步包含排斥在由井分佈圖案指示的該區之外的至少一個局部區域。該方法進一步包含在接收螢光傳播之前在定位層處引入光控開關緩衝劑(photoswitching buffer)，其中螢光傳播由光控開關染料產生。樣本之元素包含黏性元素，其中螢光傳播由螢光染料產生，螢光染料藉由黏性元素至少暫時地附著至樣本。使用至少一個感測器像素接收來自螢光染料之螢光傳播包含基於螢光染料合併至樣本中而使螢光染料成像。螢光染料藉由磷酸鹽尾附著至核苷酸，且其中磷酸鹽尾在將核苷酸合併至樣本期間裂解。核苷酸上之阻斷劑阻止進一步合併。執行SMLM包含藉由合成執行定序。樣本包含單分子。樣本包含分子團簇。晶片上成像包含定位層之單一視場。晶片上成像及SMLM作為樣本之定序之一部分執行。該方法進一步包含對螢光傳播執行濾色。該方法進一步包含將螢光傳播塑形成在感測器層處具有預定半高全寬。塑形螢光傳播包括在定位層與感測器層之間提供間隔物層。該方法進一步包含藉由化學發光觸發螢光傳播。觸發螢光傳播包含催化發光化合物。發光化合物包含D-螢光素或螢光素衍生物，其中催化劑包含螢光素酶，該方法進一步包含引入一或多個輔因子(cofactors)。該方法進一步包含操作照明光源以觸發螢光傳播。操作照明光源包含使用照明光源產生離散光脈衝。該方法進一步包含基於照明光源之離散光脈衝對感測器層進行時間閘控。

在本發明的第四態樣中，方法包含：設定用於欲定序之樣本之螢光標籤之活化率或去活化率中之至少一者；在螢光標籤之活性螢光團組與非活性螢光團組之間隨機切換；使用晶片上成像使樣本成像；在至少一個影像中對點散佈函數之至少一個幾何中心執行定位；及判定是調整活化率或是調整去活化率。

實施方案可包括以下特徵中之任一者或全部。判定是基於定位的數目是否已減少。該方法進一步包含基於判定至少調整活化率。調整活化率包含改變照明波長。調整活化率包含增加樣本處之化學物質之濃度。該方法進一步包含藉由化學發光以觸發來自活性螢光團組之螢光傳播。該方法進一步包含催化發光化合物，以觸發來自活性螢光團組之螢光傳播。發光化合物包含D-螢光素或螢光素衍生物，其中催化劑包含螢光素酶，該方法進一步包含引入一或多個輔因子。該方法進一步包含操作照明光源以觸發螢光傳播。操作照明光源包含使用照明光源產生離散光脈衝。該方法進一步包含基於照明光源之離散光脈衝對感測器層進行時間閘控。

在本發明的第五態樣中，方法包含：在分析基板處將發光化合物與樣本材料之核苷酸共軛接合(conjugating)；在分析基板處引入一或多個輔因子；在分析基板處引入催化劑；在分析基板處對樣本材料執行晶片上成像；及將單分子定位顯微鏡（SMLM）應用於晶片上成像之至少一個影像。

實施方案可包括以下特徵中之任一者或全部。發光化合物包含D螢光素或螢光素衍生物，且催化劑包含螢光素酶。輔因子包括氧或三磷酸腺苷中之至少一者。執行晶片上成像包含：將樣本材料施加至分析基板之定位層，樣本包含具備螢光染料之核苷酸；在分析基板之感測器層處使用至少一個感測器像素接收來自發光化合物之螢光傳播，感測器層包含感測器像素陣列；且執行SMLM包含：基於來自螢光染料之螢光傳播來分析樣本材料。分析樣本包含使用感測器層之信號以識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，以及藉由將函數擬合至像素強度分佈來判定像素強度分佈之幾何中心。

應瞭解，上述概念及下文較詳細論述之額外概念的所有組合（假設此類概念不相互矛盾）被認為是本文中所揭示的發明標的物之一部分且用於實現如本文中所提供之益處及優勢。特定而言，出現在本發明之結尾處的所主張的標的物的所有組合被認為係本文中所揭示的發明標的物之一部分。

本發明描述促進樣本分析改良的系統、技術、製品及/或材料組合物。在一些實施方案中，可提供基於定位之超解析度成像來分析樣本材料。在一些實施方案中，樣本材料之密度（例如，分子密度，或關於核酸材料之團簇密度）可得到改良。在一些實施方案中，定位顯微鏡應用於晶片上成像中。舉例而言，此可允許每感測器像素將多個團簇進行成像（例如，在定序過程中）。在一些實施方案中，在影像感測器與樣本之間提供間隔物。例如，可將間隔物調諧至一厚度，以使得螢光傳播在所要數目個像素上方發生。在一些實施方案中，在影像感測器與樣本之間未提供任何間隔物或濾光器。舉例而言，螢光傳播可藉由化學發光觸發。作為另一實例，照明光可為脈衝式，且感測器像素可基於照明光脈衝進行時間閘控。

樣本分析可包括但不限於遺傳定序（例如，判定遺傳材料的結構）、基因分型（例如，判定個體遺傳組成的差異）、基因表現（例如，使用基因資訊合成基因產物）、蛋白質體學（例如，蛋白質的大規模研究）或其組合。

本文中所描述的一些實例係關於遺傳材料的定序。可對樣本執行定序，以判定哪些建構組元（被稱作核苷酸）組成樣本中之特定遺傳材料。為了增加讀出信號，定序可在首先將遺傳材料純化且然後複製多次以便形成待定序之元素（例如，去氧核糖核酸（DNA）元素）的多個複本之後進行。成像可作為遺傳材料定序過程之一部分執行。此可涉及螢光成像，其中遺傳材料的樣本經受光（例如，雷射光束），以藉由遺傳材料上之一或多個標記觸發螢光回應。遺傳材料之某些核苷酸可具有施加至其的螢光標籤，從而其可藉由將光照射至樣本上並自樣本中尋找特性回應來判定核苷酸的存在。螢光回應可在定序過程中偵測到，並用於建構樣本中核苷酸的記錄。

本文中之實例係關於SBS。SBS技術可涉及藉由對模板股(template strand)反覆添加核苷酸來對初生核酸鏈進行酶延伸（enzymatic extension）。在一些實施方案中，在每次遞送中存在聚合酶的情況下，可向目標核苷酸提供單核苷酸。在一些實施方案中，在遞送中存在聚合酶的情況下，可向目標核酸提供多於一種類型之核苷酸單體。SBS可利用具有終止劑部分之核苷酸單體或缺乏任何終止劑部分之核苷酸單體。SBS技術可利用具有標籤部分之核苷酸單體或缺乏標籤部分之核苷酸單體。

本文中所描述之實例係關於流量槽。流量槽可被認為是在分析過程的至少一個階段中用於製備及容納或攜帶一或多個樣本的基板。流量槽由與樣本材料（例如，遺傳材料）、照明及將暴露於其中之化學反應相容的材料製成。基板可具有一或多個可在其中沈積樣本材料的通道。物質（例如，液體）可流過存在樣本遺傳材料的通道，以觸發一或多種化學反應及/或移除不需要的材料。流量槽可藉由促進可使流量槽通道中之樣本經受照明光以及可偵測來自該樣本之任何螢光回應來實現成像。該系統的一些實施方案可經設計為與至少一個流量槽一起使用，但在一或多個階段期間，諸如在運輸期間或當交付給客戶時，可不包括流量槽。舉例而言，可將流量槽安裝至客戶場所處之實施方案中，以便執行分析。流量槽可具有一或多個表面，該一或多個表面被配置以用於容納樣本，諸如但不限於核酸材料之樣本。在一些實施方案中，表面塗覆有一或多個聚合物。舉例而言，聚合物可包含聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基)丙烯醯胺-共丙烯醯胺)，有時稱作PAZAM。

本文中之實例係關於全功能核苷酸（ffN）。ffN可為市售可取得的，包括但不限於由因美納有限公司（Illumina, Inc.）提供的全功能核苷酸，以及為可逆阻斷核苷酸（rbNTP）之實例。在一些實施方案中，四個rbNTP中之三者包含經由連接體附著的螢光標籤。連接體可包括一或多個裂解基團，或無任何裂解基團。舉例而言，將一或多個rbNTP附著至螢光團之連接體可包含疊氮化物(azide)及/或烷氧基，例如在相同的碳上，使得連接體可藉由先前引用的膦試劑在每一合併循環之後裂解，因此釋放螢光部分，以便進一步序列伸長。ffN可耦合至可逆終止劑，以抑制聚合酶添加另一核苷酸。在一些實施方案中，可逆終止劑可藉由暴露至光或熱而裂解。在一些實施方案中，可逆終止劑可藉由吸收來自光之熱而裂解。在一些實施方案中，可逆終止劑可藉由光引起的光化學反應而裂解。在一些實施方案中，可逆終止劑可藉由與化學劑之反應而裂解。在一些實施方案中，可逆終止劑包括疊氮甲基（CH₂ N₃ ）及/或化學劑包括三（羥丙基）膦（THP）。

本文中之實例係指分子團簇(cluster of molecules)。團簇可為一股核酸材料的放大之實例。術語團簇可以是指附著至固相上形成特徵或部位的核酸族群。核酸一般為單一物種，因此形成同質(homogenous)團簇。然而，在一些實施方案中，核酸可為異質的，使得具有不同序列的單個分子存在於部位或特徵處。核酸可共價附著，例如，經由其3'或5'端，但在一些狀況下，其他附著手段為可能的。團簇中之核酸可為單股的或雙股的。在一些實施方案中，團簇藉由稱為橋式放大的固相放大方法製成。例如，團簇可包括多核苷酸序列之多個固定化(immobilized)複本。個別團簇之邊界可限制在相對局部區，其中在團簇形成之前，初始多核苷酸分子經固定化。

本文中之實例係指包括一或多個單分子之樣本。單分子樣本為核酸材料之未經放大股之實例。單分子樣本中之核酸可為單股的或雙股的。

本文中之實例係指奈米壓印。在奈米壓印微影中，預製作的奈米級模板可機械地置換流體樹脂以模製所要奈米結構。然後可在適當位置中用奈米級模板固化樹脂。在移除奈米級模板之後，可產生附著至所要基板之模製固體樹脂。在一些實施方案中，奈米壓印過程可用壓印樹脂（例如，如下文例示的樹脂）完全或部分地覆蓋基板或晶圓來開始。可使用奈米級模板在模製過程中在壓印樹脂中形成一或多個奈米結構。可使壓印樹脂倚靠基板或晶圓固化，且可應用樹脂移除過程以自晶圓或基板移除殘留物。舉例而言，樹脂移除可形成毗鄰於奈米結構之腔室通道。如此形成之基板或晶圓可具有施加至其之另一基板或墊圈，以便形成具有所描述之奈米結構的流量槽以及藉由封閉腔室通道而形成的流量槽腔室。在一些實施方案中，施加壓印樹脂的過程可經組態以產生很少或沒有樹脂殘留物，且在此類實施方案中，可省略樹脂移除過程。在一些應用中，取決於最終用途，亦可藉助化學處理或生物分子的附著來使固化的樹脂官能化。在奈米壓印微影中，經壓印光阻劑可為犧牲材料，且類似地用作將經圖案化抗蝕劑轉印至基板中之中間工具，或可使用多種抗蝕劑，使得經壓印抗蝕劑用作後續塗覆步驟之輸入。在圖案化之後將保留之抗蝕劑之實例為藉由將單體轉換成膠體溶液作為顆粒及/或聚合物之凝膠的前驅物的過程形成的材料，有時稱作溶膠-凝膠基板料。

本文中之實例係關於波導。術語波導可意指將電磁輻射之傳播限制在一或多個特定位置之結構或材料（例如，基板），或促進電磁輻射在一或多個方向上傳播之結構或材料。舉例而言，波導可導引光至第一位置或在第一方向上，同時阻止光傳播至第二位置或在第二方向上。平面波導為具有平面幾何形狀之波導，其導引波（例如，主要在一個平面或一個維度中之光）。在一些實施方案中，平面幾何形狀可涉及在兩個維度（例如，平面波導之各別x維度及y維度）中具有大量大小之平面波導。在第三維度中，另一方面（例如，平面波導之z維度），平面波導可具有實質上小於前兩個維度之大小。舉例而言，平面波導可以傳遞電磁輻射之材料之層或薄膜的形式實施。

零模波導為波導之另一實例。零模波導可經組態以將電磁輻射導引至具有相對於光波長較小之尺寸的體積中。當零模波導至少實質上阻止進入零模波導之光傳播穿過零模波導之核心時，可認為尺寸較小。舉例而言，零模波導可衰減超過約70%，超過約80%，超過約90%或超過約99%之入射輻射。在一些實施方案中，小尺寸可小於光之波長，包括但不限於具有約波長之一半之長度，或約波長之二十分之一的長度，或約波長之二百分之一的長度，或更少。

本文中之實例係指基板。基板可以是指提供至少實質上剛性結構之任何材料，或是指保持其形狀而非呈現其經置放接觸之容器的形狀的結構。該材料可具有另一材料可附著之表面，包括例如光滑支撐件（例如，金屬、玻璃、塑膠、矽及陶瓷表面），以及帶紋理的及/或多孔之材料。可能的基板包括但不限於玻璃及經改質或官能化玻璃、塑膠（包括丙烯酸、聚苯乙烯以及苯乙烯與其他材料的共聚物、聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯、聚氨甲酸酯、Teflon™，等）、多醣、耐綸或硝化纖維、樹脂、二氧化矽或二氧化矽基板料，包括矽及經改質矽、碳、金屬、無機玻璃、塑膠、光纖束及各種其他聚合物。通常，基板允許進行光學偵測且本身不會發出明顯的螢光。

本文中之實例係指單分子定位顯微鏡（SMLM）。如本文中所使用，術語「定位」係指SMLM。SMLM為一種成像技術，其中在顯微結構（例如，核酸材料）上之一組點與單分子螢光標籤相關聯。由於一或多種形式控制的影響，所述點可在各別單分子螢光（例如，「開」）狀態與非螢光（例如，「關」）狀態之間切換。在一些實施方案中，可設定控制，以使得在高圖框率成像(high frame-rate imaging)過程中，不同的分子集為活性的，且因此在不同時間點可見。此外，在任何給定時間，活性族群可足夠低，使得可觀察到螢光標籤之個別或幾乎個別的點散佈函數。此可藉由擬合及提取點散佈函數之幾何中心，允許高準確度地規定顯微結構點。舉例而言，準確度可小於約150 nm，諸如小於約120 nm（例如，小於約100 nm）。在SMLM中，可藉由高圖框率成像構建顯微結構之影像或其他表示形式，其中各別螢光標籤之開/關切換循環允許在不同時間點（亦即，在單獨圖框中）對不同分子集進行定位。藉由連續的定位循環，可構建點式影像。與之前的片上成像方法相比，SMLM允許較高樣本密度（例如，團簇密度)。之前的一些方法已成功地在影像感測器中每像素成像一個團簇。在一些實施方案中，應用於晶片上成像之SMLM可允許每像素成像多個團簇。例如，每像素可成像超過約10個團簇，諸如每像素超過約50個團簇（例如，每像素超過約100個團簇）。隨機光學重建顯微鏡（STORM）為SMLM之實例。STORM為基於單分子螢光信號之隨機切換的超解析度光學顯微鏡技術類型。STORM涉及對可光控開關螢光團進行順序活化及時間解析定位，以創建高解析度影像。特定而言，STORM利用可在螢光與暗狀態之間切換之螢光探針，且顯微鏡系統可激發螢光團之可光學溶解部分。

以下實例進一步說明SMLM。SMLM中之術語「單分子」反映螢光標籤應用於顯微結構中之個別單分子。用於核材料分析之一些技術（例如，下文參考圖12A至圖12C所描述之方法）與未放大之多核苷酸序列（換言之，與單分子而非團簇）相關聯。用於核材料分析之其他技術（例如，下文參考圖10A至圖10B、圖11A至圖11B及/或圖13A至圖13C所描述之方法）與經放大之多核苷酸序列（換言之，與團簇）相關聯。如此，SMLM可與單分子、分子團簇或兩者一起使用。換言之，SMLM涉及藉由擬合及提取活化螢光標籤之點散佈函數之幾何中心來使單個特徵成像，無論前述單個特徵為單分子（例如，個別非放大分子）或團簇（例如，同一物種之數個分子族群）。基板將以相對高密度用單分子標記。如上文所論述，所述密度可以是每像素超過約一個團簇（每像素超過約100個團簇）。單分子在足夠控制下打開/關閉，以設定個別圖框中活性分子之近似數（例如，比例）。可使用多個不同光控開關技術中之任一者，包括但不限於化學光控開關及/或經由核苷酸合併進行光控開關。藉由點散佈函數擬合，對個別分子之位置進行定位。SMLM可自多個定位構建影像，諸如在基板之所捕獲各種圖框中完成之定位。

本文中之實例係指晶片上成像。晶片上成像可涉及成像基板相對於影像感測器位於晶片上之組態。舉例而言，上述情形可減少，且在一些情況下甚至消除樣本與影像感測器之間的發光光學器件的使用，此類發射光學元件包括但不限於物鏡、透鏡及濾光器。晶片上成像可涉及樣本基板與影像感測器之間的相對接近度。舉例而言，感測器距基板可小於約50 μm，諸如距基板小於約30 μm（例如，距基板小於約20 μm）。晶片上成像可與多種類型之感測器技術中之任一者一起使用。在一些實施方案中，金屬氧化物半導體（MOS）裝置與晶片上成像一起使用。舉例而言，可使用互補MOS（CMOS）裝置（例如，CMOS晶片）。在一些實施方案中，電荷耦合裝置（CCD）與晶片上成像一起使用。

圖1示出分析基板100之實例。分析基板100可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用，或用作其一部分。在一些實施方案中，分析基板100可用於分析一或多個核酸材料樣本。例如，分析基板100可為欲用於定序之流量槽或為其一部分。

分析基板100包括定位層102。此處使用術語「定位」來說明樣本之一或多個態樣將相對於定位層102進行定位（例如，判定其確切或近似位置）。定位層102可位於分析基板100之一或多個位置處。僅出於說明目的，目前顯示的位置是位於分析基板100之「頂部」處。定位層102可包括一或多個基板，其連同下文所描述之感測器層108及間隔物層110一起包括在分析基板100中。換言之，定位層102之一或多個基板為分析基板100之一部分。舉例而言，定位層102可包括經組態用於接收及容納一或多個核酸材料樣本的基板。一或多個分子可提供在定位層102處作為樣本。此處，單分子104及分子團簇106在定位層102處予以示意說明。舉例而言，單分子104為未經放大樣本。如此，樣本可包含單分子。作為另一實例，團簇106為經放大樣本。如此，樣本可包含分子團簇。可使用上述方法之組合。

分析基板100包括感測器層108。感測器層108包括多個感測器像素，有時稱為感測器像素陣列。感測器像素中之每一者對一或多種形式之光（包括但不限於可見光）敏感。感測器層108可基於由感測器像素中之至少一者進行之偵測而產生一或多個對應輸出信號。舉例而言，信號可表示定位層102處之樣本之影像。在一些實施方案中，感測器層108包括光敏元件以及產生與所偵測到之光對應的信號之讀出電子器件。在一些實施方案中，讀出電子元件可能往往使感測器層108相對較厚，及/或可導致螢光之不必要散射及吸收。感測器層108可根據背側照明來進行配置，其中讀出電子元件從感測器層108之面向定位層102之側移除；相反，讀出電子元件可在別處實施（例如，在光敏感元件之與定位層102相對之側上）。

分析基板100此處包括間隔物層110。在一些實施方案中，間隔物層110位於定位層102與感測器層108之間。舉例而言，間隔物層110之一或多個面可鄰接定位層102。舉例而言，間隔物層110之一或多個面可鄰接感測器層108。在一些實施方案中，間隔物層110為定位層102之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層110及定位層102由至少實質上彼此相同之材料製成。在一些實施方案中，間隔物層110為感測器層108之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層110及感測器層108由至少實質上彼此相同之材料製成。間隔物層110可包括傳導電磁輻射（例如，傳導可見光）之一或多個材料。在一些實施方案中，間隔物層110包含平面波導。舉例而言，平面波導可幫助防止來自激發光之負面影響，並充當激發濾光器。間隔物層110具有厚度（此處，在定位層102與感測器層108之間的方向），該厚度經設定以允許螢光在所要數目或比例之像素上方傳播。舉例而言，像素之數目/比例可藉由在以下兩者之間取得平衡來定義：a）定位幾何中心之能力，與b）減少或最小化點散佈函數在感測器層108上佔用的空間，以在同時成像多個樣本（例如，大量奈米井）的過程中增加或最大化成像通量。換言之，可基於來自樣本之螢光傳播選擇間隔物層110之厚度，如本文中在其他實例中所描述。

本文中所描述之分析基板100及/或其他實施方案可使用一或多個類型之濾光器。在一些實施方案中，激發濾光器用於阻斷激發光到達感測器層108。激發濾光器可位於樣本與感測器層108之間（例如，在定位層102與間隔物層110之間，或在間隔物層110與感測器層108之間）。激發濾光器可由一或多個能夠選擇波長帶之材料（例如，光學玻璃）所製成。舉例而言，間隔物層110可用作激發濾光器。在一些實施方案中，發射濾光器用於從染料中選擇螢光的相關波長帶，並阻斷一或多個其他波長帶。發射濾光器可由一或多個能夠選擇波長帶之材料（例如，光學玻璃）所製成。舉例而言，間隔物層110可用作發射濾光器。

本文中所描述之分析基板100及/或其他實施方案可使用一或多個類型之繞射光學元件。舉例而言，可使用繞射光學元件（而非間隔物或除間隔物之外）來將螢光之發射輪廓塑形至感測器像素上。在一些實施方案中，繞射光學元件可實現定位層102與感測器層108之間的間隔減小。在一些實施方案中，繞射光學元件可包括菲涅耳透鏡。在一些實施方案中，繞射光學元件可包括在光學基板之體積內或表面上提供之繞射光柵。繞射光柵可包括與有效折射率及/或有效光學吸收率之變化相關聯的一或多種形式之週期結構。在一些實施方案中，可藉由自基板移除或省略材料來形成光柵。舉例而言，基板可在其中具備一組狹縫及/或凹槽以形成光柵。在一些實施方案中，可藉由向基板添加材料來形成光柵。舉例而言，基板可具備一組脊部、帶或其他突出的縱向結構以形成光柵。可使用此等方法的組合。在一些實施方案中，可在定位層102、間隔物層110或感測器層108中之一或多者處設置繞射光學組件。

分析基板100可用於一或多個成像類型。在一些實施方案中，分析基板100支援近場成像。舉例而言，當感測器層108實施為電子組件之晶片時，可提供近場成像，此係因為樣本（例如，單分子104及/或團簇106）放置接近於感測器層108（例如，實際上與間隔物層110接觸，除了間隔物層110以外）。此可允許感測器層108以高解析度在定位層102處使樣本成像，此將在本文中別處予以例示。上述實例說明定位層102、視情況間隔物層層110及感測器層108可提供樣本之近場成像。

感測器層108可使用相對於定位層102之一或多個視場。在一些實施方案中，感測器層108可覆蓋與具有樣本之定位層102之區至少實質上相同之區。此可允許感測器層108同時捕獲定位層102之至少實質上整個樣本區之影像。在此類實例中，定位層102及感測器層108可相對於彼此至少實質上固定（例如，不可移動）。舉例而言，間隔物層110及感測器層108可提供定位層102之單一視場。

本實例說明分析基板（例如，分析基板100）可包括定位層（例如，定位層102），該定位層具備樣本（例如，單分子104及/或團簇106），該樣本包含具備螢光染料之核苷酸。分析基板可包括包含感測器像素陣列之感測器層（例如，感測器層108）、定位層相對於感測器層在晶片上，感測器像素中之一或多者用以接收螢光染料之螢光傳播。視情況，分析基板可包括定位層與感測器層之間的間隔物層（例如，間隔物層110），間隔物層具有一厚度，該厚度是基於來自螢光染料的螢光傳播。視情況，分析基板可包括一或多個濾光器（例如，激發及/或發射濾光器）及/或一或多個繞射光學元件（例如，繞射光柵及/或菲涅耳透鏡）。

圖2A示出分析基板200之實例剖面圖。分析基板200可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用，或用作其一部分。在一些實施方案中，分析基板200可用於分析一或多個核酸材料樣本。舉例而言，分析基板200可與SMLM一起使用。在一些實施方案中，分析基板200可為欲用於定序之流量槽或為其一部分。

分析基板200包括定位層202。此處使用術語「定位」來說明樣本之一或多個態樣將相對於定位層202進行定位（例如，判定其確切或近似位置）。定位層202可位於分析基板200之一或多個位置處。僅出於說明目的，目前顯示的位置是位於分析基板200之「頂部」。定位層202可包括一或多個基板。舉例而言，定位層202可包括被配置以用於接收及容納一或多個核酸材料樣本的基板。

定位層202可包括與樣本位置及/或電磁輻射之限制有關的一或多個特徵。此類電磁輻射可包括但不限於指向樣本之激發光、背景螢光及/或來自樣本之發射光。可在定位層202處提供一或多個圖案。圖案可為有組織的（例如，週期性的）或無組織的（例如，隨機的）。在一些實施方案中，圖案是由形成在定位層202之至少一個表面中之空腔204所形成。空腔可被認為是井。此處，空腔204形成在定位層202之背離分析基板200之其餘部分之表面中。在一些實施方案中，空腔204包含奈米井。舉例而言，可藉由在定位層202處進行奈米壓印過程來形成奈米結構之圖案。在一些實施方案中，空腔204包含零模波導。因此，定位層202可包括至少一個零模波導。形成在定位層202中之空腔204可與折射率相關聯。舉例而言，在介質（例如，掃描混合物）中行進並到達空腔204之電磁輻射可經歷折射，此取決於介質及空腔204之折射率。在一些實施方案中，掃描混合物可至少部分地基於空腔204之折射率進行選擇。舉例而言，若掃描混合物具有與空腔204之折射率至少相似之折射率，則激發光之背景散射可減少。

定位層202處之樣本可用螢光染料標記以由激發光活化。在一些實施方案中，螢光分子之稀疏活化可發生，以使得消除或減少單個螢光分子之螢光的重疊。舉例而言，稀疏活化可實現各別螢光分子之有用定位。

分析基板200包括感測器層206。感測器層206包括多個感測器像素208A至208E，有時稱為感測器像素陣列。在一些實施方案中，感測器層206包括二維感測器像素陣列（例如，具有感測器像素列及行之矩形區），其中感測器像素208A至208E為當前剖面視圖中可見者。感測器像素208A至208E中之每一者對一或多個形式之光（包括但不限於可見光）敏感。感測器層206可基於由感測器像素中之至少一者進行之偵測而產生一或多個對應輸出信號。例如，信號可表示定位層202處之樣本之影像。

分析基板200可在定位層202處具有多個特徵，用於感測器像素208A至208E中之每一個。在一些實施方案中，多個空腔204可與感測器像素208A至208E中之每一者相關聯。舉例而言，此處之分析基板200具有用於感測器像素208A至208E之空腔204中之四者。換言之，感測器層206可使空腔204中之多者（換言之，空腔中之每一者之一或多個樣本）成像，儘管空腔204為小於感測器像素208A至208E之規模（亦即，更密集配置）。其有時被稱為超解析度。

分析基板200包括間隔物層210。在一些實施方案中，間隔物層210位於定位層202與感測器層206之間。舉例而言，間隔物層210之一或多個面可鄰接定位層202。舉例而言，間隔物層210之一或多個面可鄰接感測器層206。在一些實施方案中，間隔物層210為定位層202之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層210為感測器層206之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。間隔物層210可包括一或多個傳導電磁輻射（例如，對可見光）之材料。在一些實施方案中，間隔物層210包含平面波導。間隔物層210具有基於來自樣本之螢光傳播的厚度（此處，在自定位層202且朝向感測器層206之方向上，或反之亦然）。

間隔物層210藉由感測器層206促進定位層202之超解析度。在一些實施方案中，間隔物層210具有厚度（例如，介於定位層202與感測器層206之間），以促進螢光朝向感測器層206之某一傳播，且因此允許對應螢光恰當定位在定位層202處。舉例而言，厚度可為螢光提供特定點散佈函數，以使得可定位螢光染料。在一些實施方案中，間隔物層210允許使用分析基板200，而無需經設計為干擾定位層202與感測器層206之間的電磁輻射的一或多個結構。舉例而言，先前已使用光管及/或遮光簾來防止感測器像素之間的串擾，但在分析基板200中，一定量之串擾有助於判定定位。

感測器像素208A至208E可包括一或多個類型之電路系統，或為其一部分，電路系統有助於偵測入射的電磁輻射。在一些實施方案中，感測器像素208A至208E中之一或多者包括光電二極體。舉例而言，光電二極體可包括兩種半導體材料之間的接面（例如，p-n接面）。在一些實施方案中，感測器像素208A至208E中之一或多者為MOS裝置之晶片的一部分。舉例而言，感測器像素208A至208E中之一或多者可為用於偵測電磁輻射之CMOS裝置。舉例而言，感測器層206可包含CMOS晶片。在一些實施方案中，感測器像素208A至208E中之一或多者包括CCD。舉例而言，感測器像素208A至208E中之一或多者包括MOS電容器。

在成像過程中可捕獲多於一個的波長帶的光。在一些實施方案中，多色成像可與SMLM一起用於晶片上。圖2B示出分析基板200之實例剖面圖，其中為簡潔起見，僅示出感測器像素208E，且未示出感測器像素208A至208D（參見圖2A）。分析基板200包括在定位層202與感測器層206之間的濾光器層212。濾光層212可包括一或多個彩色濾光器。此處，作為一實例，示出彩色濾光器212A至212C。可使用更多或更少之彩色濾光器。彩色濾光器212A至212C與本實例中之感測器像素208E相關聯，且可配置在陣列中（例如，呈線性或二維配置）。彩色濾光器212A至212C中之每一者可與光之各別色彩或色帶相關聯。在一些實施方案中，可在施加於分析基板200處之樣本之溶液（例如，掃描混合物）中使用多個染料。染料可發射各別波長帶中之螢光，且染料可基於其螢光之一般顏色進行命名。舉例而言，藍色染料可發出在約450 nm至約525 nm之間的螢光，綠色染料可發出在約525 nm至約570 nm之間的螢光，黃色染料可發出在約570 nm至約625 nm之間的螢光，且紅色染料可發出在約625 nm至約750 nm之間螢光。可使用其他染料顏色。此處，彩色濾光器212A至212C中之每一者可經組態以傳輸彩色染料中之對應者相關聯之波長帶之至少一部分，且吸收或反射（換言之，不傳輸）其他波長帶中之光。彩色濾光器212A至212C可由在定位層202與感測器像素208E之尺度下具有合適波長選擇性之任何基質或材料製成。如此，彩色濾光器212A至212C可允許感測器像素208E偵測成像的分子之其他態樣，諸如存在（或不存在）用不同螢光染料標記之分子點。濾光器層212可為間隔物層210之一部分（例如，與其整合）。在一些實施方案中，濾光器層212可位於定位層202與間隔物層210之間。在一些實施方案中，濾光器層212可位於間隔物層210與感測器層206之間。

圖3示出在圖2A至圖2B中之分析基板200的像素強度分佈300之實例的情況下的曲線圖。像素強度分佈300可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用或可從中獲得。像素強度分佈300是針對沿著水平軸之多個感測器像素中之各別者（例如，針對圖2A中之感測器像素208A至208E中之每一者）予以指示。像素強度分佈300根據沿著垂直軸之感測器輸出（例如，根據電壓、電流或由各別感測器像素輸出之其他信號）予以指示。此處，像素強度分佈300包括像素強度302A至302E，每一像素前強度對應於由個別像素產生之輸出。舉例而言，像素強度302A至302E中之每一者可由圖2A中之感測器像素208A至208E中之對應者產生。

在一些實施方案中，像素強度302A至302E對應於來自螢光染料之螢光傳播，該傳播由感測器像素中之對應者接收。舉例而言，當來自空腔204A（圖2A）中之螢光染料之螢光傳播到達感測器像素208A至208E時，可產生像素強度302A至302E。在此實例中，像素強度302C大於像素強度302B；像素強度302B大於像素強度302D；像素強度302D大於像素強度302A；且像素強度302A大於像素強度302E。換言之，來自空腔204A中之螢光染料的電磁輻射（其可近似於點式光源）並非僅僅由像素中之單一者偵測到；相反，橫跨感測器像素中之多個者以像素強度分佈300的形式偵測到偵測像素強度分佈300。此有時被稱為與螢光染料相關聯的點散佈函數。換言之，螢光事件之電磁輻射根據點散佈函數分佈在有限空間區域（例如，兩個或多於兩個感測器像素）上方。

一或多個統計測量可表徵像素強度分佈。在一些實施方案中，可應用半高全寬（FWHM）測量。此處，像素強度302C表示像素強度分佈300之最大值。像素強度分佈300之FWHM為包括一些數字之測量。該數字可為整數或小數。該數字可大於一個感測器像素，對應於以下情況：感測器像素中之多於一者在像素強度分佈上接收至少一半的最大強度。該數字可小於一個感測器像素，對應於以下情況：感測器像素中之少於一者在像素強度分佈上接收至少一半的最大強度。然而，在後一實例中，照明可分佈在多個感測器像素上方，且對於定位有用。在一些實施方案中，可組態分析基板（例如，圖2A至圖2B中之分析基板200）以使得點散佈函數提供約0.5或約1或約1.5或約2或約10之FWHM。換言之，可基於來自螢光染料之螢光傳播的預定FWHM來選擇間隔物層210之厚度。

圖4示出圖2A至圖2B之分析基板200中之螢光傳播400之實例。此處，螢光402在定位層202之空腔204A處經示意性指示為星形符號。傳播400此處經示意性說明為具有圓形形狀。螢光染料分子可被視為自由旋轉之偶極發射器。舉例而言，在三維情況下，傳播400可為至少實質上球形對稱性。

傳播400入射於感測器像素208A至208E中之一些或全部上。在感測器像素208A至208E中相對接近螢光402之彼等感測器像素中，螢光將顯著地有助於感測器像素信號（例如，藉由超過近感測器像素處之信號臨限值）。在感測器像素208A至208E中相對遠離於螢光402之彼等感測器像素處，螢光將並非顯著地有助於感測器像素信號（例如，藉由未超過遠感測器像素處之信號臨限值）。此處，傳播400由感測器像素208B、208C及208D接收，但未由感測器像素208A或208E接收。舉例而言，當傳播400到達感測器像素208A或208E時，傳播400之強度或亮度可過度減少而無法由各別感測器像素208A或208E登記。因此，由於間隔物層210之厚度，螢光傳播400由一定比例之感測器像素208A至208E（在此實例中為五分之三的感測器像素）登記。傳播400之圓形的一部分為虛線以指示電磁輻射未傳播穿過感測器層206。

圖5示出感測器像素陣列506處之像素強度分佈500、502及504之實例。像素感測器陣列506可為分析基板（例如，圖1中之分析基板100及/或圖2A至圖2B中之分析基板200）之一部分，且此處以平面圖示出使得感測器像素（未示出）配置在其中之平面位於附圖之平面中。像素強度分佈500、502或504及/或陣列506可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用，或作為其一部分。

像素強度分佈500、502及504中之每一者為感測器像素偵測對應螢光（諸如來自螢光染料）之結果。此螢光事件可為隨機的，換言之，在隨機時間發生。兩個或多於兩個像素強度分佈之間可存在或可不存在至少部分重疊。此處，像素強度分佈504與像素強度分佈500且亦與像素強度分佈502部分地重疊，但像素強度分佈500與502不彼此重疊。如先前所述，由於與分析基板相關聯的點散佈函數，像素強度分佈500、502及504中之每一者在二維影像空間中具有有限大小。像素強度分佈500、502及504此處示意性說明為虛線圓形；實際上，其中每一者可更類似於模糊及/或不清楚的光斑點，如由陣列506之感測器像素表示。如此，像素強度分佈500、502及504可不具有易於識別的外部周邊。

判定或估計對應於各別像素強度分佈500、502及504的螢光染料之定位可為有用的。對於此類估計，可將一或多個函數擬合至像素強度分佈500、502及504中之至少一者的影像資料。在一些實施方案中，可使用高斯函數進行擬合：

， 其中x 表示空間參數（例如，陣列506上之位置），a 、 b 及c 為擬合中欲調整的參數。將上述函數擬合至像素強度分佈500、502及504中之任一者可被視為搜尋彼特定像素強度分佈之幾何中心。此處，幾何中心500A示出為已針對像素強度分佈500進行判定（例如，藉由函數擬合）；幾何中心502A示出為已針對像素強度分佈502進行判定（例如，藉由函數擬合）；且幾何中心504A示出為已針對像素強度分佈504進行判定（例如，藉由函數擬合）。對幾何中心之判定或估計可視為引起各別像素強度分佈之對應螢光染料之位置。如此，分析基板可為視為藉由近場成像（例如，使用晶片上樣本置放）提供基於定位之超解析度。基於定位之超解析度可允許以高於每像素一個樣本/奈米井之樣本密度（例如，奈米井密度）成像。換言之，上述實例說明分析樣本可包括使用感測器層之信號識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈（例如，像素強度分佈500、502或504）。分析可包括藉由將函數與像素強度分佈擬合來判定像素強度分佈之幾何中心（例如，幾何中心500A、502A或504A）。在一些實施方案中，可替代地或另外使用艾瑞（Airy）函數。在一些實施方案中，可既不使用高斯函數，亦不使用艾瑞函數。

圖6示出可用於分析樣本之成像電路系統600之實例。成像電路系統600可使用參考圖22所描述之實例來實施。成像電路系統600可與本文中別處所描述之一或多個其他實例（包括但不限於圖21之系統）一起使用。

成像電路系統600可使用至少一個處理器實施以執行儲存在至少一個非暫時性儲存媒體中之指令。在一些實施方案中，成像電路系統600及/或至少一個處理器可為處理組件之一部分，包括但不限於圖形處理單元（GPU）。在一些實施方案中，成像電路系統600及/或至少一個處理器可為特殊應用積體電路（ASIC）之一部分。在一些實施方案中，成像電路系統600可包括可程式化邏輯區塊及可程式化互連（例如，呈現場可程式化閘陣列（FPGA）之形式）。執行可致使處理器根據電路系統之一或多個不同片段（有時被稱為模組、單元或整個系統之其他組件）操作。此類組件可明顯地彼此分離，或一些或全部組件可整合至彼此中。

成像電路系統600可被配置以用於使用至少一個分析基板來執行樣本分析。成像電路系統600包括圖框捕獲電路系統602，其使用分析基板之感測器像素來捕獲影像資訊之一或多個圖框。舉例而言，每一圖框可包括分析基板之整個感測器層中之感測器像素中之每一者之輸出（或其不存在）。舉例而言，一或多個圖框可包括像素強度分佈500、502及504（圖5）。如此，若圖框按次序連續呈現，則其將藉由各別螢光染料分子示出樣本之螢光的逐漸出現。圖框捕獲電路系統602可包括感測器像素陣列，包括但不限於圖2A中之感測器像素208A至208E。圖框捕獲電路系統602可致使圖框保存在成像電路系統600之儲存區604中（例如，在記憶體或磁碟機中）。

成像電路系統600可以循環（或迴路）方式操作以進行成像。在一些實施方案中，可執行循環操作，包括連續成像、定位、活性螢光團改變、成像、定位、活性螢光團改變等。下文參考圖14提供一實例。

成像電路系統600可包括擬合電路系統606，該擬合電路系統可將一或多個函數擬合至圖框之影像資料。擬合電路系統606可自儲存區604獲得一或多個圖框，且可分析影像資料，以將函數擬合至所識別像素強度分佈。在一些實施方案中，擬合電路系統606將高斯函數擬合至影像資料。擬合電路系統606可為影像分析電路系統608提供擬合結果，該影像分析電路系統可根據其函數擬合特性對圖框進行分析，並產生一或多個結果作為輸出。在一些實施方案中，影像分析電路系統608之輸出為螢光染料之一或多個定位，可將所述定位提供至儲存區610。

若給定圖框之像素強度分佈橫跨像素陣列彼此足夠遠離，則應用擬合函數（諸如高斯函數）可為相對簡單。舉例而言，當樣本橫跨陣列分佈相對稀疏時，發生上述情況，此抵消在超解析度成像中密集樣本分佈的益處。因此，成像電路系統600可包括一或多個組件，以解決像素強度分佈之實際重疊或潛在重疊。在一些實施方案中，擬合電路系統606可將單獨高斯函數擬合至像素強度之所識別的峰值，例如，藉由首先繪製像素強度分佈之資料；若有必要，糾正非零基線；將擬合函數應用於第一峰值；將擬合函數應用於另一（或後續）峰值；將擬合峰值加總在一起；用對每一參數之初始猜測繪製擬合函數；應用非線性擬合（例如，藉由數學軟體）；及提取峰值並分析其各別幾何中心。

在一些實施方案中，成像電路系統600包括限制電路系統612以將擬合函數限制於已知樣本欲定位之感測器像素陣列之一或多個區。在一些實施方案中，就這一點而言，可採用定位表面處之結構圖案。舉例而言，若空腔204 （圖2A）之大小及其間的間隔為已知，則可限制擬合函數以僅考慮與此類空腔相對應之位置中之影像資料。此處，儲存區614可含有限制電路系統612可使用之一或多個井（或空腔）分佈圖案。舉例而言，限制電路系統612使用儲存區614之圖案指示擬合電路系統606如何執行將函數擬合至影像資料。如此，擬合電路系統606至影像分析電路系統608之輸出可取決於限制電路系統612之功能性。

在一些實施方案中，成像電路系統600包括排斥電路系統616以排斥落在已知樣本定位之基板結構（例如，圖2A中之空腔204）之區之外的一或多個定位。在一些實施方案中，就這一點而言，可採用定位表面處之結構圖案。舉例而言，若空腔204（圖2A）之大小及其間的間隔為已知的，則可排斥在此類區域之外的螢光染料的定位，以便僅考慮與樣本實際定位之空腔相對應的位置中之影像資料。此處，儲存區614可含有排斥電路系統616可使用之一或多個井（或空腔）分佈圖案。舉例而言，排斥電路系統616使用儲存區614之圖案來排斥基於其落在井之圖案之外而由擬合電路系統606判定之定位（例如，所識別幾何中心）。成像電路系統600可包括限制電路系統612，該限制電路系統限制擬合電路系統606僅對於在由井分佈圖案指示的至少一個區中的函數擬合至像素強度分佈。如此，擬合電路系統606至影像分析電路系統608之輸出可取決於排斥電路系統616之功能性。

上述實例說明成像系統（例如，在圖21中）可包括分析基板（例如，圖1中之分析基板100及/或圖2A至圖2B中之分析基板200）及成像電路系統（例如，成像電路系統600）。分析基板可包括定位層（例如，定位層202），將向該定位層提供樣本，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸；及感測器層（例如，感測器層206），其包含感測器像素陣列，感測器像素中之一或多者用以接收來自螢光染料之螢光傳播。成像電路系統可使樣本成像。成像電路可包括擬合電路（例如，擬合電路系統606），以使用感測器層之信號來識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，並且藉由將函數擬合至像素強度分佈來判定像素強度分佈之幾何中心。

圖7A至圖7B示出分析基板700及702之實例，所述分析基板各自分別具有間隔物層704及706。分析基板700及/或702可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。

分析基板700及702中之每一者分別包括定位層708或710。此處使用術語「定位」來說明樣本之一或多個態樣將相對於各別定位層708或710進行定位（例如，判定其確切或近似位置）。定位層708可位於分析基板700之一或多個位置處，且定位層710可位於分析基板702之一或多個位置處。僅出於說明目的，目前顯示的位置是位於各別分析基板700及702之「頂部」處。定位層708及710中之每一者可包括一或多個基板。舉例而言，定位層708及/或710可包括經組態用於接收及容納一或多個核酸材料樣本的基板。

分析基板700包括感測器層712，且分析基板702包括感測器層714。感測器層712包括多個感測器像素716A至716M，且感測器層714包括多個感測器像素718A至718M，所述層中之每一者有時被稱為感測器像素陣列。在一些實施方案中，感測器層712及/或714包括二維感測器像素陣列（例如，具有感測器像素列及行之矩形區），其中感測器像素716A至716M及/或718A至718M於附圖的剖面圖視圖中可見者。感測器像素716A至716M及718A至718M中之每一者對一或多個形式之光（包括但不限於可見光）敏感。感測器層712及714可基於由感測器像素中之至少一者進行之偵測而產生一或多個對應輸出信號。舉例而言，信號可表示定位層708處之樣本之影像，或定位層710處之樣本之影像。

在一些實施方案中，間隔物層704位於定位層708與感測器層712之間。舉例而言，間隔物層704之一或多個面可鄰接定位層708。舉例而言，間隔物層704之一或多個面可鄰接感測器層712。在一些實施方案中，間隔物層704為定位層708之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層704為感測器層712之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層704並非定位層708或感測器層712之一部分（亦即，不與其成整體，且不與其整合）。間隔物層704可包括傳導電磁輻射（例如，傳導可見光）之一或多個材料。在一些實施方案中，間隔物層704包含平面波導。間隔物層704在定位層708與感測器層712之間界定之厚度720，該厚度基於來自定位層708處之樣本之螢光傳播。

在一些實施方案中，間隔物層706位於定位層710與感測器層714之間。舉例而言，間隔物層706之一或多個面可鄰接定位層710。舉例而言，間隔物層706之一或多個面可鄰接感測器層714。在一些實施方案中，間隔物層706為定位層710之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層706為感測器層714之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。間隔物層706可包括傳導電磁輻射（例如，傳導可見光）之一或多個材料。在一些實施方案中，間隔物層706包含平面波導。間隔物層706在定位層710與感測器層714之間界定之厚度722，該厚度基於來自定位層710處之樣本之螢光傳播。

在分析基板700中，一或多個樣本可位於定位層708處。樣本可用一或多個螢光標籤加標籤或以其他方式標記。此處，螢光分子724經示意性說明位於定位層708處。舉例而言，螢光分子724可置放在奈米井或零模波導中。螢光分子724之螢光可由感測器像素716A至716M中之單獨一者或多者接收。特定而言，間隔物層704之厚度720判定樣本與感測器層712彼此之相對位置。此處，舉例而言，螢光分子724產生由感測器像素716E至716I偵測到之螢光傳播。在此實例中，僅由感測器像素716A至716M之一子組「偵測到」螢光表示螢光將僅在感測器像素716A至716M之子組（例如，藉由超過信號臨限值）處而非在其他感測器像素處顯著地有助於偵測信號。相比之下，來自螢光分子724之螢光傳播未由感測器像素716A至716D偵測到，且亦未由感測器像素716J至716M偵測到。類似地，感測器像素716A至716M之子組「未偵測到」螢光表示螢光將不會顯著地有助於感測器像素716A至716M之彼子組處之偵測信號（例如，由於過度繞射而無法滿足信號臨限值）。換言之，感測器像素716E至716I可為感測器像素716A至716M之預定比例，且厚度720可經選擇以使得分析基板700具有與感測器像素716E至716I進行之偵測相對應的螢光傳播。上述情形提供分析基板700被調諧以用於基於定位之超解析度成像，其中間隔物層704具有基於螢光傳播之厚度720，而該螢光傳播應該是從螢光分子724所偵測到的。

在分析基板702中，一或多個樣本可位於定位層710處。樣本可用一或多個螢光標籤加標籤或以其他方式標記。此處，螢光分子726經示意性說明位於定位層710處。舉例而言，螢光分子726可置放在奈米井或零模波導中。螢光分子726之螢光可由感測器像素718A至718M中之一些或全部接收。特定而言，間隔物層706之厚度722判定樣本與感測器層714彼此之相對位置。此處，舉例而言，螢光分子726產生由感測器像素718B至718L偵測到之螢光傳播。相比之下，感測器像素718A或718M未偵測到螢光分子726之螢光傳播。換言之，感測器像素718B至718L可為感測器像素718A至718M之預定比例，且厚度722可經選擇以使得分析基板702具有與感測器像素718B至718L進行之偵測相對應的螢光傳播。上述情形提供分析基板702被調諧以用於基於定位之超解析度成像，其中間隔物層706具有基於螢光傳播之厚度722，而該螢光傳播應該是從螢光分子726所偵測到的。

圖8A至圖8B示出分析基板800及802之實例剖面圖，所述分析基板各自分別具有表面鈍化層804及806。為清楚起見，僅示出分析基板800及802之一部分。分析基板800及/或802可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。

在分析基板800中，表面鈍化層804可用作定位層。此處使用術語「定位」來說明樣本之一或多個態樣將相對於表面鈍化層804進行定位（例如，判定其確切或近似位置）。表面鈍化層804可位於分析基板800之一或多個位置處。僅出於說明目的，目前顯示的位置是位於分析基板800之「頂部」處。表面鈍化層804可包括一或多個材料。舉例而言，表面鈍化層804可包括聚乙二醇。在一些實施方案中，表面鈍化層804可幫助解決影像資料中之雜訊。舉例而言，表面鈍化層804可減少分析基板800中之螢光分子或其他粒子之非特定吸收率。

分析基板800包括感測器層808。感測器層808可包括多個感測器像素（未示出），諸如感測器像素陣列。在一些實施方案中，感測器層808包括二維感測器像素陣列（例如，具有感測器像素列及行之矩形區）。感測器層808中之感測器像素中之每一者對一或多個形式之光（包括但不限於可見光）敏感。感測器層808可基於由感測器像素中之至少一者進行之偵測而產生一或多個對應輸出信號。舉例而言，信號可表示表面鈍化層804處之樣本之影像。

分析基板800包括間隔物層810。在一些實施方案中，間隔物層810位於表面鈍化層804與感測器層808之間。舉例而言，間隔物層810之一或多個面可鄰接表面鈍化層804。舉例而言，間隔物層810之一或多個面可鄰接感測器層808。在一些實施方案中，間隔物層810為表面鈍化層804之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層810為感測器層808之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。間隔物層810可包括傳導電磁輻射（例如，傳導可見光）之一或多個材料。在一些實施方案中，間隔物層810包含平面波導。間隔物層810具有基於來自樣本之螢光傳播的厚度（此處，在自表面鈍化層804且朝向感測器層808之方向上，或反之亦然）。

在分析基板802中，表面鈍化層806可形成在基板812處。共同地，表面鈍化層806及基板812可被認為係定位層。此處使用術語「定位」來說明樣本之一或多個態樣將相對於定位層進行定位（例如，判定其確切或近似位置）。基板812可位於分析基板800之一或多個位置處。僅出於說明目的示出本位置。表面鈍化層806可包括一或多個材料。舉例而言，表面鈍化層806可包括聚乙二醇。在一些實施方案中，表面鈍化層806可幫助解決影像資料中之雜訊。舉例而言，表面鈍化層806可減少分析基板802中之螢光分子或其他粒子之非特定吸收率。基板812可包括一或多個材料。在一些實施方案中，基板812包括聚合物。舉例而言，基板812可包括PAZAM。

分析基板802包括感測器層814。感測器層814可包括多個感測器像素（未示出），諸如感測器像素陣列。在一些實施方案中，感測器層814包括二維感測器像素陣列（例如，具有感測器像素列及行之矩形區）。感測器層814中之感測器像素中之每一者對一或多個形式之光（包括但不限於可見光）敏感。感測器層814可基於由感測器像素中之至少一者進行之偵測而產生一或多個對應輸出信號。舉例而言，信號可表示定位層處之樣本之影像。

分析基板802包括間隔物層816。在一些實施方案中，間隔物層816位於基板812與感測器層814之間。舉例而言，間隔物層816之一或多個面可鄰接基板812。舉例而言，間隔物層816之一或多個面可鄰接感測器層814。在一些實施方案中，間隔物層816為基板812之一部分（例如，與其成整體或與其整合）。在一些實施方案中，間隔物層816為感測器層814之一部分（例如，與其成整體，或與其整合）。間隔物層816可包括傳導電磁輻射（例如，傳導可見光）之一或多個材料。在一些實施方案中，間隔物層816包含平面波導。間隔物層816具有基於來自樣本之螢光傳播的厚度（此處，在自基板812且朝向感測器層814之方向上，或反之亦然）。

分析基板802可包括與樣本位置及/或電磁輻射之限制有關的一或多個特徵。此類電磁輻射可包括但不限於指向樣本之激發光、背景螢光及/或來自樣本之發射光。特徵可單獨由表面鈍化層806或共同地由至少表面鈍化層806及基板812形成。可在定位層處提供一或多個圖案。圖案可為有組織的（例如，週期性的）或無組織的（例如，隨機的）。在一些實施方案中，圖案係由一或多個空腔818形成，該一或多個空腔由表面鈍化層806之至少一個表面形成。空腔可被認為係井。此處，空腔818形成在分析基板802之背離間隔物層816之表面中。在一些實施方案中，空腔818包含奈米井。舉例而言，可藉由執行奈米壓印過程來形成一或多個奈米結構。在一些實施方案中，空腔818包含零模波導。

圖9A至圖9B示出涉及光控開關的SBS基定序化學成分之實例。大體而言，SBS可包括包含以下之一或多個循環：合併經阻斷螢光核苷酸、使螢光染料成像，及裂解以允許下一循環。此實例示出欲定序之核酸材料900。核酸材料900可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。為簡單起見，附圖僅示出以下實例中所論述之核酸材料900之元素或部分。如此，其他元素或部分（未示出）可包括在核酸材料900中。

模板股此處經示意性示出包括模板核苷酸902A至902C。舉例而言，可已在樣本準備階段中藉由使核酸材料變性（包括但不適於藉由將熱及/或化學劑應用於樣本）來獲得模板股。SBS過程將基於模板股中之核苷酸，以受控方式連續添加核苷酸。此處，已檢查核苷酸904A與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸902A的互補性。舉例而言，核苷酸胞嘧啶係對核苷酸鳥嘌呤的補充；核苷酸腺嘌呤係對核苷酸胸嘧啶的補充；等等。核苷酸904A及一或多個尚未添加之核苷酸此處被稱為引體股。核苷酸904A可已共價附著至引體股之另一組件（未示出），包括但不限於引體。已檢查核苷酸904B與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸902B的互補性，並共價附著至核苷酸904A。

在核酸材料900為樣本中許多此類材料中之一者的實施方案中，在合併階段期間可發生大量的合併。螢光染料可進行光去活化，以減少螢光的重疊傳播的發生。定序試劑（其可為ffN）之核苷酸可與光控開關染料而非與標準SBS染料共軛接合。此處，核苷酸904A最初可已用光控開關染料906A標記，且核苷酸904B目前用光控開關染料906B標記。在SBS過程期間，光控開關染料906A至906B將藉由用激發光束照明進行光去活化。與之前合併的基體（核苷酸904A）鍵結的光控開關染料906A可已自在成像過程中裂解之後合併循環中之彼基體移除。如此，光控開關染料906A在合併核苷酸904B之後不再鍵結至核苷酸904A，且上述情形此處藉由使用虛線表示光控開關染料906A來示意性指示。此外，SBS此處是在存在光控開關緩衝劑908的情況下執行。舉例而言，光控開關緩衝劑908可引入在用於SBS之掃描混合物中。光控開關緩衝劑908可包括一或多個光控開關劑，包括但不限於三（2-羥乙基）膦（TCEP）或β-硫醇乙胺（MEA）。光控開關緩衝劑908可控制或以其他方式影響光控開關染料906A到906B在活性狀態和非活性狀態之間轉變的趨勢。舉例而言，由於存在光控開關緩衝劑908，因此光控開關染料906A至906B將「閃爍」；換言之，其螢光的發射將展現出活性（例如，螢光）狀態的閃爍行為，後續接著非活性（例如，黑暗）狀態。螢光染料之活化率可至少部分地藉由選擇活化光源（例如，雷射）的波長來控制。在一些實施方案中，相對較短的波長可用於控制活化率。舉例而言，使用紅色染料（例如，激子㗁

(Oxazine)750），活化雷射之波長可為約400 nm至410 nm，諸如約403 nm至407 nm（例如，405 nm）。

核酸材料900包括耦合至核苷酸904B之阻斷物910。在一些實施方案中，阻斷物910可防止與模板核苷酸902C互補之核苷酸的合併。在一些實施方案中，阻斷物910可包括「3'阻斷物」及/或「羥基阻斷物」。舉例而言，阻斷物910可包括U.S.9,150,896（其揭示內容以引用的方式併入本文中）中所描述之一或多個阻斷基團。

在自核苷酸904B移除阻斷物910時，可發生另一核苷酸的合併。圖9B示意性說明已藉由鍵結至核苷酸904B將核苷酸904C合併至引體股中。此處，核苷酸904C用光控開關染料906C標記。阻斷物912耦合至核苷酸904C。為簡單起見，模板股未經明確示出在合併核苷酸904C之後當前突出於引體。在一些實施方案中，模板股可包括進一步模板化核苷酸（未示出），以便在合併核苷酸904C之後突出於引體股。舉例而言，圖9A至圖9B中對本實例之說明並未描繪將單基模板突出至鈍端中之聚合。

在涉及光控開關緩衝劑908的一些實施方案中，可判定光控開關緩衝劑908是否影響定序度量（例如，對其有害）。在涉及光控開關染料906A至906C的一些實施方案中，可確保光控開關染料906A至906C展現出與SBS相關的一或多個其他特性。此類特性可包括但不限於激發及/或發射波長、穩定性及/或阻斷或去阻斷性能。

核苷酸可與一或多個螢光染料相關聯。舉例而言，此可有助於減少或在一些情況下甚至消除信號問題及/或降低感測器層（例如，圖2A至圖2B中之感測器層206）之靈敏度要求。光控開關染料906A至906C中之一或多者可表示與對應核苷酸相關聯的多個螢光探針。

上述實例說明，在接收螢光傳播之前，一種方法（例如，執行定序或其他分析）可包括在定位層（例如，本文中所描述之一或多個分析基板）處引入光控開關緩衝劑（例如，光控開關緩衝劑908）。特定而言，螢光傳播可藉由光控開關染料（例如，光控開關染料906A、906B及/或906C）產生。

圖10A至圖10B示出SBS基定序化學成分之實例。該實例涉及核酸材料1000，其可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。模板股此處經示意性示出為包括模板核苷酸1002A至1002C。舉例而言，可以在樣本準備階段中藉由使核酸材料變性（包括但不適於藉由將熱及/或化學劑應用於樣本）來獲得模板股。SBS過程將基於模板股中之核苷酸，以受控方式連續添加核苷酸。此處，已檢查核苷酸1004A與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸1002A的互補性。已檢查核苷酸1004B與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸1002B的互補性，並共價附著至核苷酸1004A。為簡單起見，附圖僅示出以下實例中所論述之核酸材料1000之元素或部分。如此，其他元素或部分（未示出）可包括在核酸材料1000中。

核苷酸1004A至1004B此處最初未用螢光染料加標籤或以其他方式標記。確切而言，核苷酸1004A與黏性元素1006A相關聯，且核苷酸1004B與黏性元素1006B相關聯。黏性元素1006A至1006B中之每一者皆可被視為捕獲部分。黏性元素1006A至1006B中之任一者或兩者之功能性可涉及和核苷酸1004A至1004B中之對應者共軛接合之第一元素與和螢光染料共軛接合之第二元素之間的至少暫時附著。在一些實施方案中，第一元素與第二元素之間的黏附可為暫時且動態的。為說明之簡單起見，黏性元素1006A至1006B中之每一者經示出為與核苷酸1004A至1004B中之各別者共軛接合。在一些實施方案中，黏性元素1006A至1006B在引入定序試劑時且在將各別核苷酸1004A至1004B併入至模板股中時存在於核苷酸1004A至1004B處。黏性元素1006A至1006B促進螢光染料暫時地且隨機地將鍵結至核苷酸1004A至1004B。此處，螢光染料1008A經示出為藉由黏性元素1006A結合至核苷酸1004A，且螢光染料1008B至1008C經示出為懸浮在毗鄰核酸材料1000之溶液中（例如，懸浮在定序試劑中）。黏性元素1006A至1006B可利用核苷酸1004A至1004B與螢光染料1008A至1008C之間的任何合適的鍵結技術。舉例而言，黏性元素1006A至1006B可促進核苷酸1004A或1004B與螢光染料1008A至1008C中之對應者之間的直接共價鍵。作為另一實例，黏性元素1006A至1006B可促進螢光染料1008A至1008C中之一者相對於核苷酸1004A至1004B中之對應者的染色或插入。作為另一實例，黏性元素1006A至1006B可經由將螢光染料1008A至1008C之配位基結合劑結合至共價附著至核苷酸1004A至1004B中之對應者的配位體來促進間接標記。作為另一實例，黏性元素1006A至1006B可經由將螢光染料1008A至1008C的核酸結合劑結合至核苷酸1004A至1004B中之對應者來促進間接標記。作為另一實例，黏性元素1006A至1006B可經由鏈親和素(streptavidin)-生物素(biotin)交互作用，促進將螢光染料1008A至1008C中之各別者與核苷酸1004A至1004B中之對應者的結合。舉例而言，鏈親和素可結合至核苷酸，且生物素可結合至螢光染料，或反之亦然。作為另一實例，黏性元素1006A至1006B可促進螢光染料1008A至1008C中之各別者經由抗體-抗原交互作用結合至核苷酸1004A至1004B中之對應者。舉例而言，抗體可結合至螢光染料，且抗原可結合至核苷酸，或反之亦然。在一些實施方案中，抗體片段可用於捕獲部分。舉例而言，可使用單域抗體、單一單體可變抗體域或奈米體。螢光染料1008A至1008C中之一或多者可表示與對應核苷酸相關聯的多個螢光探針。

螢光染料1008A可在成像之後且在下一合併之前自引體股裂解且移除。在一些實施方案中，黏性元素1006A亦可在成像之後且在下一合併之前進行裂解及移除。上述情形藉由使用虛線表示螢光染料1008A及黏性元素1006A進行示意性說明。

在合併核苷酸1004B之後，由於核苷酸1004B處缺少螢光材料，核酸材料1000及其他分子可構成暗團簇。核酸材料1000包括耦合至核苷酸1004B之阻斷物1010。在一些實施方案中，阻斷物1010防止合併與模板核苷酸1002C互補之核苷酸。在自核苷酸1004B移除阻斷物1010時，可發生另一核苷酸的合併。

圖10B示意性說明螢光染料1008B已藉由黏性元素1006B結合至核苷酸1004B，且螢光染料1008C懸浮在毗鄰於核酸材料1000之溶液中（例如，在定序試劑中）。鍵結可包括螢光染料1008B與核苷酸1004B彼此的暫時及隨機組合。附帶螢光可用於定位過程，其中樣本材料（例如，多個單分子及/或團簇）之影像在循環內逐漸構建。如此，本實例中之方法可不涉及任何光控開關緩衝劑，或在成像之前進行任何光去活化。

在一些實施方案中，經由溶液中螢光染料1008A至1008C之濃度及/或藉由調節分子設計期間之結合親和力，可控制或影響閃爍速率（例如，螢光開/關）。舉例而言，此方法對於單分子成像而言有利地穩健，此係因為每一分子可發生多個閃爍事件。

上述實例說明在（例如，執行定序或其他分析）方法中，樣本（例如，核酸材料1000）可包括黏性元素（例如，黏性元素1006B），且螢光傳播由藉由黏性元素附著至樣本的螢光染料（例如，螢光染料1008B）產生。

圖11A至圖11B示出涉及合併之即時觀察的定序化學成分之實例。該實例涉及核酸材料1100，其可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。模板股此處經示意性示出為包括模板核苷酸1102A至1102B。舉例而言，可已在樣本準備階段中藉由使核酸材料變性（包括但不適於藉由將熱及/或化學劑應用於樣本）來獲得模板股。SBS過程將基於模板股中之核苷酸，以受控方式連續添加核苷酸。為簡單起見，附圖僅示出以下實例中所論述之核酸材料1100之元素或部分。如此，其他元素或部分（未示出）可包括在核酸材料1100中。

此處，已檢查核苷酸1104A與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸1102A的互補性。核苷酸1104A及一或多個尚未添加之核苷酸此處被稱為引體股。核苷酸1104A可已共價附著至引體股之另一組件（未示出），包括但不限於引體。螢光染料1106A被顯示為結合至核苷酸1104A。核苷酸1104B經示出懸浮在毗鄰於核酸材料1100之溶液中（例如，在定序試劑中）。核苷酸1104B具有結合至其之螢光染料1106B及阻斷劑1108。核苷酸1104C經示出懸浮在毗鄰於核酸材料1100之溶液中（例如，在定序試劑中）。核苷酸1104C具有結合至其之螢光染料1106C及阻斷劑1110。舉例而言，阻斷劑1108和1110中之每一者可為可逆終止劑。螢光染料1106A至1106C中之一或多者可表示與對應核苷酸相關聯的多個螢光探針。

在一些實施方案中，螢光活化藉由核苷酸合併發生。換言之，成像及合併可至少實質上同時地發生。圖11A中之核苷酸1104B-1104C及其相關元素可相對快速地擴散在溶液中；因此，其攝影範圍內外觀可為離焦背景模糊。上述情形藉由使用虛線表示核苷酸1104B至1104C及其相關元素來示意性指示。然而，在核苷酸1104B合併至引體股中時，核苷酸1104B可變得局部化且停留在一個適當位置中，致使核苷酸1104B以作為由相機或其他影像感測器（例如，感測器像素陣列）捕獲之螢光燈出現。舉例而言，可經由調諧聚合酶或染料濃度來實現閃爍開/關速率的調諧。光去活化可經由染料漂白或藉由在合併及成像之後去阻斷而發生。在映像後，可執行去阻斷。為簡單起見，模板股未明確示出為當前突出於圖11B中之引體股。在一些實施方案中，模板股可包括進一步模板化核苷酸（未示出），以便在合併之後突出於引體股。例如，圖11A至圖11B中對本實例之說明並未描繪將單基模板突出至鈍端中之聚合。

上述實例說明在（例如，執行定序或其他分析）方法中，使用至少一個感測器像素自螢光染料接收螢光傳播可包括當螢光染料被合併至樣本中時使螢光染料（例如，螢光染料1106B）進行成像。

圖12A至圖12C示出涉及合併之即時觀察的定序化學成分之另一實例。該實例涉及核酸材料1200，其可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。模板股此處經示意性示出為包括模板核苷酸1202A至1202B。舉例而言，可已在樣本準備階段中藉由使核酸材料變性（包括但不適於藉由將熱及/或化學劑應用於樣本）來獲得模板股。過程將基於模板股中之核苷酸連續添加核苷酸。為簡單起見，附圖僅示出以下實例中所論述之核酸材料1200之元素或部分。如此，其他元素或部分（未示出）可包括在核酸材料1200中。

此處，已檢查核苷酸1204A與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸1202A的互補性。核苷酸1204A及一或多個尚未添加之核苷酸此處被稱為引體股。核苷酸1204A可已共價附著至引體股之另一組件（未示出），包括但不限於引體。無任何螢光染料當前經示出鍵結至核苷酸1204A；確切而言，與核苷酸1204A預合併之螢光染料可在合併發生時已裂解。核苷酸1204B至1204C經示出懸浮在毗鄰於核酸材料1200之溶液中（例如，在定序試劑中）。核苷酸1204B具有藉由可為核苷酸1204B之一部分的磷酸鹽尾1208結合至其之螢光染料1206。核苷酸1204C具有藉由可為核苷酸1204C之一部分的磷酸鹽尾1212結合至其之螢光染料1210。磷酸鹽尾1208及1212中之每一者可包括為各別核苷酸1204B至1204C之一部分的磷酸鹽基團中之一些或全部。螢光染料1206及1210中之一或多者可表示與對應核苷酸相關聯的多個螢光探針。

核苷酸1204B至1204C經去阻斷。在一個實施方案中，此意味著最近將核苷酸合併至引體股中，諸如核苷酸1204A之合併，並未阻止將下一連續之核苷酸合併至引體股中，諸如與模板核苷酸1202B互補之核苷酸。

圖12A中之核苷酸1204B至1204C及其相關元素可在溶液中相對快速地擴散；因此，其攝影範圍內外觀可為離焦背景模糊。上述情形藉由使用虛線表示核苷酸1204B至1204C及其相關元素來示意性指示。舉例而言，在核苷酸1204B合併至核酸材料1200中時，核苷酸1204B可變得局部化為與模板核苷酸1202B互補且停留在一個適當位置中，致使核苷酸1204B以作為由相機或其他影像感測器（例如，感測器像素陣列）捕獲之螢光燈出現。成像及合併可至少實質上同時地發生。圖12B示出核苷酸1204B已藉由共價附著至核苷酸1204A來合併至引體股中。合併可觸發裂解。在一些實施方案中，合併裂解磷酸鹽尾1208，因此切斷螢光染料1206與核苷酸1204B之間的鍵。如此，核苷酸之合併可充當螢光染料之隨機活化。圖12C示意性示出核苷酸1204B不再具有結合至其之螢光染料。為簡單起見，模板股未明確地示出在合併核苷酸1204B之後當前突出於引體股。在一些實施方案中，模板股可包括進一步模板化核苷酸（未示出），以便在合併核苷酸1204B之後突出於引體股。舉例而言，圖12A至圖12C中對本實例之說明並未描繪單基模板突出至鈍端中之聚合。

上述實例說明在（例如，執行定序或其他分析）方法中，其中螢光染料藉由磷酸鹽尾（例如，磷酸鹽尾1208）附著至核苷酸，磷酸鹽尾可在將核苷酸合併至樣本中時裂解。

圖13A至圖13C示出定序化學成分之另一實例。該實例涉及核酸材料1300，其可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。模板股此處經示意性示出為包括模板核苷酸1302A至1302B。舉例而言，可已在樣本準備階段中藉由使核酸材料變性（包括但不適於藉由將熱及/或化學劑應用於樣本）來獲得模板股。過程將基於模板股中之核苷酸連續添加核苷酸。為簡單起見，附圖僅示出以下實例中所論述之核酸材料1300之元素或部分。如此，其他元素或部分（未示出）可包括在核酸材料1300中。

此處，已檢查核苷酸1304A與模板股的互補性，特別地與模板核苷酸1302A的互補性。核苷酸1304A及一或多個尚未添加之核苷酸此處被稱為引體股。核苷酸1304A可已共價附著至引體股之另一組件（未示出），包括但不限於引體。無任何螢光染料當前經示出鍵結至核苷酸1304A；確切而言，與核苷酸1304A預合併之螢光染料可在合併發生時已裂解。核苷酸1304B至1304C經示出懸浮在毗鄰於核酸材料1300之溶液中（例如，在定序試劑中）。核苷酸1304B具有藉由可為核苷酸1304B之一部分的磷酸鹽尾1308結合至其之螢光染料1306。核苷酸1304C具有藉由可為核苷酸1304C之一部分的磷酸鹽尾1312結合至其之螢光染料1310。磷酸鹽尾1308及1312中之每一者可包括為各別核苷酸1304B至1304C之一部分的磷酸鹽基團中之一些或全部。核苷酸1304B具有結合至其之阻斷劑1314。核苷酸1304C具有結合至其之阻斷劑1316。螢光染料1306及1310中之一或多者可表示與對應核苷酸相關聯的多個螢光探針。

舉例而言，在核苷酸1304B合併至核酸材料1300中時，核苷酸1304B可變得局部化為與模板核苷酸1302B互補且停留在一個適當位置中，致使核苷酸1304B以作為由相機或其他影像感測器（例如，感測器像素陣列）捕獲之螢光燈出現。圖13B示出核苷酸1304B已經合併。合併可觸發裂解。在一些實施方案中，合併裂解磷酸鹽尾1308，因此切斷螢光染料1306與核苷酸1304B之間的鍵。如此，核苷酸之合併可充當螢光染料之隨機活化。圖13C示意性示出核苷酸1304B不再具有結合至其之螢光染料。為簡單起見，模板股未明確地示出在合併核苷酸1304B之後當前突出於引體股。在一些實施方案中，模板股可包括進一步模板化核苷酸（未示出），以便在合併核苷酸1304B之後突出於引體股。舉例而言，圖13A至圖13C中對本實例的說明並未描繪單基模板突出至鈍端中之聚合。

上述實例說明在（例如，執行定序或其他分析）方法中，核苷酸上之阻斷劑（例如，阻斷劑1314）可防止進一步合併。

圖14示出方法1400之實例。除非另有指示，否則方法1400可包括更多或更少操作，及/或可以不同次序執行兩個或多於兩個操作。方法1400可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。

在1402處，方法1400包括將樣本擬合在欲由成像設備捕獲之一個圖框內。舉例而言，可在晶片上提供基板上之樣本，以使得每一圖框囊括整個基板。作為另一實例，在給定時間，可將小於整個樣本擬合在圖框內。

在1404處，方法1400包括使樣本之一個圖框成像。舉例而言，此涉及晶片上超解析度成像。

在1406處，方法1400包括基於所捕獲圖框對點散佈函數之一或多個幾何中心進行定位。例如，可如參考圖5所描述對幾何中心進行定位。

在1408處，方法1400包括活性螢光團組的隨機切換。在一些實施方案中，可使用化學光切換及/或經由核苷酸合併進行光控開關。

在1410處，可判定方法1400之成像已完成或應繼續。若成像應繼續另一循環（或迴路），則方法1400可返回至1402，其中相同或不同的區域可擬合在圖框內。當在後續循環中執行1404處之成像時，由於1408處之隨機切換活性螢光團組，與前一圖框相比，一或多個其他螢光團為活性的。

可主動控制螢光標籤之活化及/或去活化率。舉例而言，此可控制在成像之給定圖框中可能為活性之分子的數目。圖15示出方法1500之實例。除非另有指示，否則方法1500可包括更多或更少操作，及/或可以不同次序執行兩個或多於兩個操作。方法1500可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。

在1502處，方法1500包括設定螢光標籤之活化率及/或去活化率。可藉由變更一或多個參數來設定速率。變更參數可涉及化學物質的存在或濃度及/或關於成像之物理環境（例如，照明光之波長）。

在1504處，方法1500包括將活性螢光團組隨機切換為非活性螢光團組，且/或反之亦然。舉例而言，可應用光控開關技術（例如，如在圖9A至圖9B中所示出）。作為另一實例，可應用核苷酸合併技術（例如，如在圖11A至圖11B、圖12A至圖12C或圖13A至圖13C中所示出）。

在1506處，方法1500包括使樣本之一個圖框成像。舉例而言，此涉及晶片上超解析度成像。

在1508處，方法1500包括基於一或多個所捕獲圖框定位點散佈函數之一或多個幾何中心。例如，可如參考圖5所描述對幾何中心進行定位。

在1510處，方法1500包括判定一或多個所捕獲圖框的定位的數目。在一些實施方案中，潛在可定位點的數目隨著時間而減少。舉例而言，染料的漂白可導致欲識別之定位更少。作為另一實例，將核苷酸合併至引體股中可導致較少定位經識別。

在1512處，方法1500包括判定是否調整在1502處設定之螢光標籤之活化率及/或去活化率。舉例而言，增加螢光標籤之開速率(on-rate)可以補償在1510時偵測到的定位的減少。

若1512處之決定為調整速率（換言之，「是」），則方法1500可繼續進行至1502，且設定螢光標籤之活化率及/或去活化率。舉例而言，具有特定波長或波長帶（例如，約400 nm至410 nm，諸如約405 nm）之光的照明可增加螢光團在光化學控制狀況下的活化率。作為另一實例，在含有某種化學物質（包括但不限於聚合酶、核苷酸或輔因子）濃度相對較高的合併緩衝劑中流動可增加活化率。

若1512處之決定為不調整速率（換言之，「否」），則方法1500可繼續進行至1504，進一步隨機開關而無需積極地調整在1502處設定之螢光標籤之活化率及/或去活化率。

圖16示出方法1600之實例。除非另有指示，否則方法1600可包括更多或更少操作，及/或可以不同次序執行兩個或多於兩個操作。方法1600可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。

在1602處，方法1600包括執行晶片上成像。例如，圖2A至圖2B中之分析基板200可用於晶片上成像。

在1604處，方法1600包括將SMLM應用於晶片上成像之至少一個影像。舉例而言，圖6中之成像電路系統600可用於幾何中心識別，如在圖5中所說明。

方法1600可包括基於來自螢光染料之螢光傳播來分析樣本（例如，藉由識別幾何中心500A、502A或504A中之一或多者）。

本文中之一些實例使用照明光源照明樣本材料處之螢光染料，且因此觸發螢光傳播，所述螢光可藉由晶片上成像來捕獲。另一方面，在一些實施方案中，照明光源可不需要觸發螢光傳播。圖17示出方法1700之實例。除非另有指示，否則方法1700可包括更多或更少操作，及/或可以不同次序執行兩個或多於兩個操作。方法1700可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。方法1700可涉及藉由化學發光觸發螢光傳播。圖18示出催化發光化合物之實例。

在1702處，方法1700包括將發光化合物與ffN共軛接合。在圖18中，ffN 1800可與發光化合物1802共軛接合。舉例而言，ffN 1800可包括核苷酸（例如，腺嘌呤(adenine)），且發光化合物1802可包括消耗基板（例如，D-螢光素或螢光素衍生物）。螢光素(luciferin)及螢光素衍生物為致化學發光分子之實例，所述致化學發光分子可在存在含氧試劑分子的情況下發射對與螢光素交互作用有回應的光子（見下文）。螢光素可包括腔腸素(colenterazine)（亦被稱為海腎螢光素(Renilla luciferin)）、腔腸素衍生物、螢火蟲螢光素、Latia螢光素、細菌(bacterial)螢光素、渦鞭藻(dinoflagellate)螢光素或介形蟲(vargulin)。

在1704處，可捕獲一或多個輔因子。在一些實施方案中，輔因子促進發光化合物1802之氧化。舉例而言，輔因子1804可包括氧（例如，氧分子）、能量源（例如，三磷酸腺苷（ATP））或鎂（例如，Mg⁺⁺ 離子）。

在1706處，可引入催化劑。在一些實施方案中，催化劑在無需使用照明光源的情況下觸發發光化合物之化學發光。舉例而言，催化劑1806可包括氧化酵素，包括但不限於螢光素酶(luciferase)。術語螢光素酶可係指催化促進化學發光之一類氧化酵素中之任一者。螢光素酶可包括以下各項中之一或多者：來自美國物種（Photinus pyralis）或其他螢火蟲物種之螢火蟲螢光素酶、細菌螢光素單氧化酶、腔腸素螢光素2單氧化酶、渦鞭藻螢光素酶，二氧四蝶啶（lumazine）蛋白質（諸如在費氏弧菌、哈氏弧菌及哈維氏弧菌中），自細長長腹水蚤（Metridia longa）衍生之長腹水蚤（Metridia）螢光素酶，或海螢（Vargula）螢光素酶。催化劑可觸發至少部分導致發射生物發光的化學反應。

在1708處，可執行晶片上成像。

在1710處，可將SMLS應用於影像。

在一些實施方案中，發光化合物1802（例如，D-螢光素）可與能量源（例如，ATP）進行化學交互作用，以形成中間化合物（例如，D-螢光素化腺苷）及一或多個離子（例如，焦磷酸鹽（PPi））。中間化合物可與輔因子發生化學反應（例如，氧化），以形成發光產物1808（例如，氧化螢光素）及核苷酸（例如，單磷酸腺苷（AMP））。發光產品初始假設為激發狀態；當發光產品鬆弛（亦即，經歷鬆弛）時，發射電磁能量（光子）（例如，作為可見光譜中之輻射）。作為另一實例，二氧化碳（CO₂ ）可產生（例如，藉由D-螢光素腺苷）。

上述實例說明使用化學發光來形成螢光。在一些實施方案中，此可允許執行樣本分析，而無需使樣本經受照明光照射（此可影響成像）。例如，使用化學發光可允許樣本基板（例如，定位層）與感測器層（例如，具有感測器像素之晶片）之間的距離可調諧，而無需嚴格限制過濾材料（例如，允許無過濾器實施方案）。

可使用獨立於照明光形成螢光的其他方法。圖19示出系統1900之實例。系統1900可與本文中別處所描述之一或多個其他實例一起使用。系統1900包括分析基板，該分析基板包含具有空腔1904之定位層1902。分析基板包含感測器層1906，該感測器層包括多個感測器像素1908A至1908C。可使用任何數目個感測器像素。系統1900在定位層1902與感測器層1906之間不包括間隔物。舉例而言，定位層1902與感測器層1906之間不存在濾光器。作為另一實例，定位層1902與感測器層1906之間不存在波導。

系統1900包括照明光（IL）源1910。在一些實施方案中，照明光源1910經定向朝向定位層1902。舉例而言，照明光源1910可包括一或多個雷射。

系統1900包括定時電路系統1912。定時電路系統1912可使用參考圖22所描述之一或多個實例實施。定時電路系統1912包括照明光定時電路系統1914及影像感測器定時電路系統1916。照明光定時電路系統1914可使用照明光源1910產生離散光脈衝。圖20示出脈衝曲線圖2000之實例。舉例而言，照明光2002可包括離散光脈衝2004。影像感測器定時電路系統1916可基於照明光之離散光脈衝對感測器像素（例如，感測器像素1908A至1908C）陣列進行時間閘控。感測器循環2006包括基於離散光脈衝2004之影像捕獲階段2008。在一些實施方案中，雷射脈衝可激發螢光團（其可具有數奈秒規模的螢光使用壽命）。舉例而言，螢光2010可包括在其期間發射生物發光之鬆弛時間2012。因此，光子之發射可在螢光團之鬆弛時間2012期間在雷射脈衝結束之後立刻（例如，數奈秒）發生。此可無需使用物理濾光器提供對激發螢光的時間過濾。舉例而言，信號可在離散光脈衝2004及影像捕獲階段2008的多個循環期間累積。

圖21為可用於生物及/或化學分析之實例系統2100（諸如本文中所描述的彼等系統）的示意圖。本文中所描述之系統及/或技術，包括但不限於成像電路系統600（圖6）、方法1400（圖14）及/或方法1500（圖15），在一些實施方案中可為系統2100之一部分。系統2100可操作以獲得與至少一種生物及/或化學物質有關的任何資訊或資料。在一些實施方案中，載體2102供應欲分析之材料。舉例而言，載體2102可包括卡匣或任何其他固持材料之組件。在一些實施方案中，系統2100具有容器2104以至少在分析期間接納載體2102。容器2104可在系統2100之外殼2106中形成開口。舉例而言，系統2100之一些或所有組件可在外殼2106內。

系統2100可包括用於對載體2102之材料進行生物及/或化學分析的光學系統2108。光學系統2108可執行一或多個光學操作，包括但不限於材料之照明及/或成像。舉例而言，光學系統2108可包括本文中別處所描述之任何或所有系統。作為另一實例，光學系統2108可執行本文中別處所描述之任何或所有操作。

系統2100可包括熱系統2110，用於提供與生物及/或化學分析有關的熱處理。在一些實施中，熱系統2110熱調節欲分析之材料之至少一部分及/或載體2102。

系統2100可包括用於管理與生物及/或化學分析有關之一或多個流體的流體系統2112。在一些實施方案中，流體可提供用於載體2102或其材料。舉例而言，流體可添加至載體2102之材料及/或自其移除。

系統2100包括使用者介面2114，該使用者介面促進與生物及/或化學分析有關的輸入及/或輸出。使用者介面可用於規定關於系統2100之操作的一或多個參數及/或輸出生物及/或化學分析之結果，僅舉幾個實例。舉例而言，使用者介面2114可包括一或多個顯示螢幕（例如，觸控螢幕）、鍵盤及/或指向裝置（例如，滑鼠或觸控板）。

系統2100可包括系統控制器2116，該系統控制器可控制系統2100之一或多個態樣，用於執行生物及/或化學分析。系統控制器2116可控制容器2104、光學系統2108、熱系統2110、流體系統2112及/或使用者介面2114。系統控制器2116可包括至少一個處理器及具有用於處理器之可執行指令的至少一個儲存媒體（例如，記憶體）。

圖22說明計算裝置2200之實例架構，該計算裝置可用於實施本發明之態樣，包括本文中所描述之系統、設備及/或技術中之任一者，或可用於各種可能實施方案中的任何其他系統、設備及/或技術。

圖22中所說明之計算裝置可用於執行本文中所描述之作業系統、應用程式及/或軟體模組（包括軟體引擎）。

計算裝置2200在一些實施方案中包括至少一個處理裝置2202（例如，處理器），諸如中央處理單元（CPU）。各種處理裝置可自各種製造商（例如，英特爾公司或先進微型裝置公司）獲得。在此實例中，計算裝置2200還包括系統記憶體2204及系統匯流排2206，該系統匯流排將各種系統組件（包括系統記憶體2204）耦合至處理裝置2202。系統匯流排2206為可使用的任何數目個類型的匯流排結構中之一者，包括但不限於記憶體匯流排或記憶體控制器；周邊匯流排；以及使用各種匯流排架構中之任一者的區域匯流排。

可使用計算裝置2200實施的計算裝置的實例包括桌上型電腦、膝上型電腦、平板電腦、行動計算裝置（諸如智慧型電話、觸控板行動數位裝置或其他行動裝置）或經組態以處理數位指令的其他裝置。

系統記憶體2204包括唯讀記憶體2208及隨機存取記憶體2210。含有用於在計算裝置2200內傳送資訊（諸如在啟動期間）之基本常式的基本輸入/輸出系統2212可儲存在唯讀記憶體2208中。

計算裝置2200亦包括用於儲存數位資料的輔助儲存裝置2214（在一些實施方案中，諸如硬碟機）。輔助儲存裝置2214藉由輔助儲存介面2216連接至系統匯流排2206。輔助儲存裝置2214及其相關聯電腦可讀媒體提供用於計算裝置2200的電腦可讀指令（包括應用程式及程式模組）、資料結構及其他資料的非揮發性且非暫時性儲存。

儘管本文中所描述之實例環境使用硬碟機作為輔助儲存裝置，但其他類型的電腦可讀儲存媒體用於其他實施方案中。此等其他類型之電腦可讀儲存媒體之實例包括磁盒、快閃記憶體卡、數位視訊磁碟、伯努利盒、緊湊光碟唯讀記憶體、數位多功能磁碟唯讀記憶體、隨機存取記憶體或唯讀記憶體。一些實施方案包括非暫時性媒體。舉例而言，電腦程式產品可明顯地體現在非暫時性儲存媒體中。另外，此類電腦可讀儲存媒體可包括局部儲存或基於雲端之儲存。

多個程式模組可儲存在輔助儲存裝置2214及/或系統記憶體2204中，包括作業系統2218、一或多個應用程式2220、其他程式模組2222（諸如本文中所描述之軟體引擎）及程式資料2224。計算裝置2200可利用任何合適的作業系統，諸如Microsoft Windows™、Google Chrome™ OS、Apple OS、Unix，或Linux及變體以及任何其他適合於計算裝置之作業系統。其他實例可包括Microsoft、Google或Apple作業系統，或平板計算裝置中使用的任何其他合適的作業系統。

在一些實施方案中，使用者藉由一或多個輸入裝置2226向計算裝置2200提供輸入。輸入裝置2226之實例包括鍵盤2228、滑鼠2230、麥克風2232（例如，用於語音及/或其他音訊輸入）、觸控感測器2234（諸如觸控板或觸敏顯示器）以及示意動作感測器2235（例如，用於示意動作輸入）。在一些實施方案中，輸入裝置2226提供基於存在、接近及/或運動的偵測。在一些實施方案中，使用者可走進其家庭，且此可觸發至處理裝置的輸入。舉例而言，輸入裝置2226可促進使用者的自動化體驗。其他實施方案包括其他輸入裝置2226。輸入裝置可藉由與系統匯流排2206耦合之輸入/輸出介面2236連接至處理裝置2202。此等輸入裝置2226可藉由任何數目個輸入/輸出介面（諸如平行埠、串列埠、遊戲埠或通用串列匯流排）進行連接。輸入裝置2226與輸入/輸出介面2236之間的無線通信亦為可能的，且在一些可能實施方案中包括紅外線、BLUETOOTH®無線技術、802.11a/b/g/n、蜂巢、超寬頻（UWB）、ZigBee或其他射頻通信系統，僅舉幾個實例。

在此實例實施方案中，顯示裝置2238（諸如監視器、液晶顯示裝置、投影機或觸敏顯示裝置）亦經由介面（諸如視訊配接器2240）連接至系統匯流排2206。除了顯示裝置2238外，計算裝置2200亦可包括各種其他周邊裝置（未示出），諸如揚聲器或印表機。

計算裝置2200可藉由網路介面2242連接至一或多個網路。網路介面2242可提供有線及/或無線通信。在一些實施方案中，網路介面2242可包括一或多個天線，用於傳輸及/或接收無線信號。當在區域網路環境或廣域網路環境（諸如網際網路）中使用時，網路介面2242可包括乙太網路介面。其他可能實施方案使用其他通信裝置。舉例而言，計算裝置2200之一些實施方案包括用於跨網路通信的數據機。

計算裝置2200可包括至少某一形式的電腦可讀媒體。電腦可讀媒體包括可由計算裝置2200存取的任何可用媒體。藉由實例，電腦可讀媒體包括電腦可讀儲存媒體及電腦可讀通信媒體。

電腦可讀儲存媒體包括實施在經組態以儲存資訊（諸如電腦可讀指令、數據結構、程式模組或其他資料）的任何裝置中之揮發性與非揮發性、可抽換與不可抽換的媒體。電腦可讀儲存媒體包括但不限於隨機存取記憶體、唯讀記憶體、電可抹除可程式化唯讀記憶體、快閃記憶體或其他記憶體技術、緊湊光碟唯讀記憶體、數位多功能磁碟或其他光碟儲存、磁盒、磁帶、磁碟儲存或其他磁性儲存裝置，或可用於儲存所要資訊且可由計算裝置2200存取的任何其他媒體。

電腦可讀通信媒體典型地在經調變資料信號（諸如載波或其他傳輸機制）中體現電腦可讀指令、資料結構、程式模組或其他資料，且包括任何資訊遞送媒體。術語「經調變資料信號」係指使其特性中之一或多者以便於在信號中編碼資訊方式設定或改變的信號。藉由實例，電腦可讀通信媒體包括有線媒體（諸如有線網路或直接有線連接）以及無線媒體（諸如聲學、射頻、紅外線及其他無線媒體）。上述中之任一者的組合亦包括在電腦可讀媒體的範圍內。

圖22中所說明的計算裝置亦為可程式化電子器件的實例，其可包括一或多個此類計算裝置，且當包括多個計算裝置時，此類計算裝置可與合適的資料通信網路耦合在一起，以便共同執行本文中所揭示的各種功能、方法或操作。

在貫穿本說明書中使用的術語「實質上」及「約」用於描述及解釋諸如由於處理的變化而引起的小波動。舉例而言，所述術語可係指小於或等於±5%，諸如小於或等於±2%，諸如小於或等於±1%，諸如小於或等於±0.5%，諸如小於或等於±0.2%，諸如小於或等於±0.1%，諸如小於或等於±0.05%。此外，當在本文中使用時，不定冠詞諸如「一」或「一」意指「至少一個」。

應瞭解，上述概念及下面較詳細論述之額外概念的所有組合（假設此類概念不相互矛盾）被認為係本文中所揭示發明標的物之一部分。特定而言，出現在本發明之結尾處的所主張的標的物的所有組合被認為係本文中所揭示的發明標的物之一部分。

已描述多個實施方案。然而，應理解，可在不脫離本發明的精神及範圍的情況下，做出各種改變。

另外，圖中所描繪之邏輯流程不需要所示出的特定順序，或順序次序以達到理想結果。另外，可自所描述之流程中提供其他過程，或可消除過程，且可向所描述之系統添加其他組件，或可自所描述之系統移除其他組件。因此，其他實施方案在以下申請專利範圍的範圍內。

儘管已如本文中所描述地說明所描述之實施方案的某些特徵，但所屬技術領域中具有通常知識者現在將想到許多修改、替換、改變及等效物。因此，應理解，所附申請專利範圍旨在覆蓋在實施方案範圍內的所有此類修改及改變。應理解，其僅以實例而非限制的方式提出，且可進行形式及細節上的各種改變。除相互排斥的組合之外，本文中所描述之設備及/或方法的任何部分可以任何組合進行組合。本文中所描述之實施方案可包括所描述的不同實施方案的功能、組件及/或特徵的各種組合及/或子組合。

100:分析基板 102:定位層 104:單分子 106:分子團簇 108:感測器層 110:間隔物層 200:分析基板 202:定位層 204:空腔 204A:空腔 206:感測器層 208A:感測器像素 208B:感測器像素 208C:感測器像素 208D:感測器像素 208E:感測器像素 210:間隔物層 212:濾光層 212A:彩色濾光器 212B:彩色濾光器 212C:彩色濾光器 300:像素強度分佈 302A:像素強度 302B:像素強度 302C:像素強度 302D:像素強度 302E:像素強度 400:傳播 402:螢光 500:像素強度分佈 500A:幾何中心 502:像素強度分佈 502A:幾何中心 504:像素強度分佈 504A:幾何中心 506:感測器像素陣列 600:成像電路系統 602:圖框捕獲電路系統 604:儲存區 606:擬合電路系統 608:影像分析電路系統 610:儲存區 612:限制電路系統 614:儲存區 616:排斥電路系統 700:分析基板 702:分析基板 704:間隔物層 706:間隔物層 708:定位層 710:定位層 712:感測器層 714:感測器層 716A:感測器像素 716B:感測器像素 716C:感測器像素 716D:感測器像素 716E:感測器像素 716F:感測器像素 716G:感測器像素 716H:感測器像素 716I:感測器像素 716J:感測器像素 716K:感測器像素 716L:感測器像素 716M:感測器像素 718A:感測器像素 718B:感測器像素 718C:感測器像素 718D:感測器像素 718E:感測器像素 718F:感測器像素 718G:感測器像素 718H:感測器像素 718I:感測器像素 718J:感測器像素 718K:感測器像素 718L:感測器像素 718M:感測器像素 720:厚度 722:厚度 724:螢光分子 726:螢光分子 800:分析基板 802:分析基板 804:表面鈍化層 806:表面鈍化層 808:感測器層 810:間隔物層 812:基板 814:感測器層 816:間隔物層 818:空腔 900:核酸材料 902A:模板核苷酸 902B:模板核苷酸 902C:模板核苷酸 904A:核苷酸 904B:核苷酸 904C:核苷酸 906A:光控開關染料 906B:光控開關染料 906C:光控開關染料 908:光控開關緩衝劑 910:阻斷物 912:阻斷物 1000:核酸材料 1002A:模板核苷酸 1002B:模板核苷酸 1002C:模板核苷酸 1004A:核苷酸 1004B:核苷酸 1004C:核苷酸 1006A:黏性元素 1006B:黏性元素 1006C:黏性元素 1008A:螢光染料 1008B:螢光染料 1008C:螢光染料 1010:阻斷物 1100:核酸材料 1102A:模板核苷酸 1102B:模板核苷酸 1104A:核苷酸 1104B:核苷酸 1104C:核苷酸 1106A:螢光染料 1106B:螢光染料 1106C:螢光染料 1108:阻斷劑 1110:阻斷劑 1200:核酸材料 1202A:模板核苷酸 1202B:模板核苷酸 1204A:核苷酸 1204B:核苷酸 1204C:核苷酸 1206:螢光染料 1208:螢光染料/磷酸鹽尾 1210:螢光染料 1212:磷酸鹽尾 1300:核酸材料 1302A:模板核苷酸 1302B:模板核苷酸 1304A:核苷酸 1304B:核苷酸 1304C:核苷酸 1306:螢光染料 1308:磷酸鹽尾 1310:螢光染料 1312:磷酸鹽尾 1314:阻斷劑 1316:阻斷劑 1400:方法 1402:操作 1404:操作 1406:操作 1408:操作 1410:操作 1500:方法 1502:操作 1504:操作 1506:操作 1508:操作 1510:操作 1512:操作 1600:方法 1602:操作 1604:操作 1700:方法 1702:操作 1704:操作 1706:操作 1708:操作 1710:操作 1800:全功能核苷酸（ffN） 1802:發光化合物 1804:輔因子 1806:催化劑 1808:發光產物 1900:系統 1902:定位層 1904:空腔 1906:感測器層 1908A:感測器像素 1908B:感測器像素 1908C:感測器像素 1910:照明光（IL）源 1912:定時電路系統 1914:照明光定時電路系統 1916:影像感測器定時電路系統 2000:脈衝曲線圖 2002:照明光 2004:離散光脈衝 2006:感測器循環 2008:影像捕獲階段 2010:螢光 2012:鬆弛時間 2100:系統 2102:載體 2104:容器 2106:外殼 2108:光學系統 2110:熱系統 2112:流體系統 2114:使用者介面 2116:系統控制器 2200:計算裝置 2202:處理裝置 2204:系統記憶體 2206:系統匯流排 2208:唯讀記憶體 2210:隨機存取記憶體 2212:基本常式的基本輸入/輸出系統 2214:輔助儲存裝置 2216:輔助儲存介面 2218:作業系統 2220:應用程式 2222:程式模組 2224:程式資料 2226:輸入裝置 2228:鍵盤 2230:滑鼠 2232:麥克風 2234:觸控感測器 2235:示意動作感測器 2236:輸入/輸出介面 2238:顯示裝置 2240:視訊配接器 2242:網路介面

[圖1]示出分析基板之實例。

[圖2A至圖2B]示出分析基板的實例剖面圖。

[圖3]示出在圖2A至圖2B中分析基板的像素強度分佈之實例的情況下的曲線圖。

[圖4]示出圖2A至圖2B之分析基板中之螢光傳播之實例。

[圖5]示出像素感測器陣列處的像素強度分佈之實例。

[圖6]示出可用於分析樣本之成像電路系統之實例。

[圖7A至圖7B]示出各自具有間隔物層之分析基板之實例。

[圖8A至圖8B]示出各自具有表面鈍化層之分析基板的實例剖面圖。

[圖9A至圖9B]示出涉及光控開關的SBS基定序化學成分之實例。

[圖10A至圖10B]示出SBS基定序化學成分之實例。

[圖11A至圖11B]示出涉及合併之即時觀察的定序化學成分之實例。

[圖12A至圖12C]示出涉及合併之即時觀察的定序化學成分之另一實例。

[圖13A至圖13C]示出定序化學成分之另一實例。

[圖14]示出方法之實例。

[圖15]示出方法之實例。

[圖16]示出方法之實例。

[圖17]示出方法之實例。

[圖18]示出催化發光化合物之實例。

[圖19]示出系統之實例。

[圖20]示出脈衝曲線圖之實例。

[圖21]為可用於生物及/或化學分析之實例系統的示意圖。

[圖22]示出可用於實施此處所描述之技術的電腦裝置之實例。

202:定位層

204A:空腔

206:感測器層

208A:感測器像素

208B:感測器像素

208C:感測器像素

208D:感測器像素

208E:感測器像素

210:間隔物層

400:傳播

402:螢光

Claims (73)

1. 一種分析基板，其包含： 定位層，其被提供有樣本，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸；及 感測器層，其包含感測器像素陣列，該定位層相對於該感測器層在晶片上，該感測器像素陣列中之一或多者用以接收來自該螢光染料之螢光傳播。
2. 如請求項1之分析基板，其中該分析基板為流量槽的部分。
3. 如請求項1或2之分析基板，其中該定位層包含奈米井。
4. 如請求項1或2之分析基板，其中該定位層包含零模波導。
5. 如請求項1至4中任一項之分析基板，其中該定位層包含表面鈍化層。
6. 如請求項1至5中任一項之分析基板，其中該感測器層包含互補金屬氧化物半導體晶片。
7. 如請求項1至5中任一項之分析基板，其中該感測器像素陣列包含光電二極體陣列。
8. 如請求項1至5中任一項之分析基板，其中該感測器層包含電荷耦合裝置。
9. 如請求項1至8中任一項之分析基板，其進一步包含在該定位層與該感測器層之間的間隔物層，該間隔物層具有基於來自該螢光染料之該螢光傳播的厚度。
10. 如請求項9之分析基板，其中該間隔物層包含一面波導。
11. 如請求項9或10之分析基板，其中該間隔物層的該厚度對應於由該感測器像素陣列的預定比例所接收的來自該螢光染料之該螢光傳播。
12. 如請求項9至11中任一項之分析基板，其中該間隔物層的該厚度是基於來自該螢光染料之該螢光傳播的預定半高全寬進行選擇。
13. 如請求項1至12中任一項之分析基板，其中該感測器層提供該定位層之單一視場。
14. 如請求項1至13中任一項之分析基板，其進一步包含在該定位層與該感測器層之間的濾光層，該濾光層包括至少一個彩色濾光器。
15. 如請求項1至14中任一項之分析基板，其中該分析基板在該定位層與該感測器層之間不具有濾光器，且其中該分析基板在該定位層與該感測器層之間不具有波導。
16. 一種成像系統，其包含： 分析基板，其包含： 定位層，其被提供有樣本，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸；及感測器層，該定位層相對於該感測器層在晶片上；及 成像電路系統，其用以使該樣本成像，該成像電路系統包含： 感測器像素陣列，其位於該感測器層處，該感測器像素陣列中之一或多個者用以接收來自該螢光染料之螢光傳播；及 擬合電路系統，其使用該感測器層之信號用以識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，並且藉由將函數擬合至該像素強度分佈來判定該像素強度分佈之幾何中心。
17. 如請求項16之成像系統，其中該分析基板為流量槽之部分。
18. 如請求項16或17之成像系統，其中該定位層包含奈米井。
19. 如請求項16或17之成像系統，其中該定位層包含零模波導。
20. 如請求項16至19中任一項之成像系統，其中該定位層包含表面鈍化層。
21. 如請求項16至20中任一項之成像系統，其中該感測器層包含互補金屬氧化物半導體晶片。
22. 如請求項16至21中任一項之成像系統，其中該感測器像素陣列包含光電二極體陣列。
23. 如請求項16至22中任一項之成像系統，其中該感測器層包含電荷耦合裝置。
24. 如請求項16至23中任一項之成像系統，其中該分析基板進一步包含在該定位層與該感測器層之間的間隔物層，該間隔物層具有基於來自該螢光染料之該螢光傳播的厚度。
25. 如請求項24之成像系統，其中該間隔物層包含平面波導。
26. 如請求項24或25之成像系統，其中該間隔物層的該厚度對應於由該感測器像素陣列的預定比例所接收的來自該螢光染料之該螢光傳播。
27. 如請求項24至26中任一項之成像系統，其中該間隔物層的該厚度是基於來自該螢光染料之該螢光傳播的預定半高全寬進行選擇。
28. 如請求項16至27中任一項之成像系統，其中該成像電路系統進一步包含限制電路系統，該限制電路系統限制該擬合電路系統僅對於在由井分佈圖案指示的至少一個區中的該函數擬合至該像素強度分佈。
29. 如請求項28之成像系統，其中該成像電路系統進一步包含排斥電路系統，該排斥電路系統用以排斥在由該井分佈圖案指示的該區之外的至少一個局部區域。
30. 如請求項16至29中任一項之成像系統，其中該感測器層提供該定位層之單一視場。
31. 如請求項16至30中任一項之成像系統，其進一步包含在該定位層與該感測器層之間的濾光層，該濾光層包括至少一個彩色濾光器。
32. 如請求項16至31中任一項之成像系統，其中該分析基板在該定位層與該感測器層之間不具有濾光器，且其中該分析基板在該定位層與該感測器層之間不具有波導。
33. 如請求項16至32中任一項之成像系統，其進一步包含： 照明光源； 照明光定時電路系統，其用以使用該照明光源產生離散光脈衝；及 影像感測器定時電路系統，其用以基於該照明光之所述離散光脈衝對該感測器像素陣列進行時間閘控。
34. 一種方法，其包含： 在分析基板處對樣本執行晶片上成像；及 將單分子定位顯微鏡（SMLM）應用於該晶片上成像之至少一個影像。
35. 如請求項34之方法，其中： 執行該晶片上成像包含： 將該樣本施加至該分析基板之定位層，該樣本包含具備螢光染料之核苷酸； 使用該分析基板之感測器層處之至少一個感測像素以接收來自該螢光染料之螢光傳播，該感測器層包含感測器像素陣列；且 執行該SMLM包含： 基於來自該螢光染料之該螢光傳播分析該樣本。
36. 如請求項35之方法，其中分析該樣本包含使用該感測器層之信號來識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，及藉由將函數擬合至該像素強度分佈來判定該像素強度分佈之幾何中心。
37. 如請求項36之方法，其進一步包含將該擬合限制於由該定位層之井分佈圖案所指示的至少一個區。
38. 如請求項37之方法，其進一步包含排斥在由該井分佈圖案所指示的該區之外的至少一個局部區域。
39. 如請求項35至38中任一項之方法，其進一步包含在接收該螢光傳播之前在該定位層處引入光控開關緩衝劑，其中該螢光傳播由光控開關染料產生。
40. 如請求項35至38中任一項之方法，其中該樣本之元素包含黏性元素，且其中該螢光傳播由螢光染料產生，該螢光染料藉由該黏性元素至少暫時地附著至該樣本。
41. 如請求項35至38中任一項之方法，其中使用該至少一個感測器像素接收來自該螢光染料之該螢光傳播包含基於該螢光染料合併至該樣本中而使螢光染料成像。
42. 如請求項35至38中任一項之方法，其中螢光染料藉由磷酸鹽尾而附著至核苷酸，且其中該磷酸鹽尾在將該核苷酸合併至該樣本期間裂解。
43. 如請求項42之方法，其中該核苷酸上之阻斷劑阻止進一步合併。
44. 如請求項39至43中任一項之方法，其中執行該SMLM包含藉由合成執行定序。
45. 如請求項34至44中任一項之方法，其中該樣本包含單分子。
46. 如請求項34至44中任一項之方法，其中該樣本包含分子團簇。
47. 如請求項35至46中任一項之方法，其中該晶片上成像包含該定位層之一單一視場。
48. 如請求項34至47中任一項之方法，其中該晶片上成像及該SMLM作為該樣本之定序之一部分執行。
49. 如請求項35至48中任一項之方法，其進一步包含對該螢光傳播執行濾色。
50. 如請求項35至49中任一項之方法，其進一步包含將該螢光傳播塑形成在該感測器層處具有一預定半高全寬。
51. 如請求項50之方法，其中塑形該螢光傳播包括在該定位層與該感測器層之間提供間隔物層。
52. 如請求項35至51中任一項之方法，其進一步包含藉由化學發光觸發該螢光傳播。
53. 如請求項52之方法，其中觸發該螢光傳播包含催化發光化合物。
54. 如請求項53之方法，其中該發光化合物包含D-螢光素或螢光素衍生物，其中催化劑包含螢光素酶，該方法進一步包含引入一或多個輔因子。
55. 如請求項35至51中任一項之方法，其進一步包含操作照明光源以觸發該螢光傳播。
56. 如請求項55之方法，其中操作該照明光源包含使用該照明光源產生離散光脈衝。
57. 如請求項56之方法，其進一步包含基於該照明光源之所述離散光脈衝對該感測器層進行時間閘控。
58. 一種方法，其包含： 設定用於欲定序之樣本之螢光標籤的活化率或去活化率中的至少一者； 在所述螢光標籤之活性螢光團組與非活性螢光團組之間隨機切換； 使用晶片上成像使該樣本成像； 在至少一個影像中對點散佈函數之至少一個幾何中心執行定位；及 判定是調整該活化率或是調整該去活化率。
59. 如請求項58之方法，其中該判定是基於定位的數目是否已減少。
60. 如請求項58至59中任一項之方法，其進一步包含基於該判定而至少調整該活化率。
61. 如請求項60之方法，其中調整該活化率包含改變照明波長。
62. 如請求項60之方法，其中調整該活化率包含增加該樣本處之化學物質的濃度。
63. 如請求項58至62中任一項之方法，其進一步包含藉由化學發光以觸發來自所述活性螢光團組之螢光傳播。
64. 如請求項63之方法，其進一步包含催化發光化合物，以觸發來自所述活性螢光團組之該螢光傳播。
65. 如請求項64之方法，其中該發光化合物包含D-螢光素或螢光素衍生物，其中催化劑包含螢光素酶，該方法進一步包含引入一或多個輔因子。
66. 如請求項58至62中任一項之方法，其進一步包含操作照明光源以觸發螢光傳播。
67. 如請求項66之方法，其中操作該照明光源包含使用該照明光源產生離散光脈衝。
68. 如請求項67之方法，其進一步包含基於該照明光源之所述離散光脈衝對感測器層進行時間閘控。
69. 一種方法，其包含： 在分析基板處將發光化合物與樣本材料之核苷酸共軛接合； 在該分析基板處引入一或多個輔因子； 在該分析基板處引入催化劑； 在該分析基板處對該樣本材料執行晶片上成像；及 將單分子定位顯微鏡（SMLM）應用於該晶片上成像之至少一個影像。
70. 如請求項69之方法，其中該發光化合物包含D螢光素或螢光素衍生物，且該催化劑包含螢光素酶。
71. 如請求項69至70中任一項之方法，其中該輔因子包括氧或三磷酸腺苷中之至少一者。
72. 如請求項69至71中任一項之方法，其中： 執行該晶片上成像包含： 將該樣本材料施加至該分析基板之一定位層，該樣本包含具備一螢光染料之一核苷酸； 使用該分析基板之一感測器層處之至少一個感測像素接收來自該發光化合物之一螢光傳播，該感測器層包含一感測器像素陣列；且 執行該SMLM包含： 基於來自該螢光染料之該螢光傳播分析該樣本材料。
73. 如請求項72之方法，其中分析該樣本包含使用該感測器層之信號來識別由於點散佈函數所致的像素強度分佈，並且藉由將函數擬合至該像素強度分佈來判定該像素強度分佈之幾何中心。

Images