TW202135602A - 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

提供一種可使處理室的電漿分佈沿著處理容器的周方向來成為所望的分佈之技術。 本技術的裝置是具備： 具有筒狀部的處理容器； 往處理室供給處理氣體的氣體供給部； 以從處理容器的筒狀部的外側包圍處理容器的方式設成螺旋狀，供給高頻電力而電漿激發處理氣體的電極；及 使電極對於處理容器相對移動於筒狀部的徑方向的移動部。

Description

基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
本案是有關基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式。
近年來，快閃記憶體等的半導體裝置是有高集成化的傾向。隨之，圖案大小會顯著地被微細化。形成該等的圖案時，作為製造工程之一工程，有在基板進行氧化處理或氮化處理等的預定的處理之工程被實施的情況。
例如，在專利文獻1是揭示利用電漿激發後的處理氣體來將被形成於基板上的圖案表面予以改質處理。 專利文獻1：日本特開2014-75579號公報
(發明所欲解決的課題)
就以往的構成而言，因為形成有配置基板的處理室的處理容器的形狀偏差、包圍處理容器以螺旋狀來產生電漿的電極的位置偏差、從電極產生的電磁場的強度偏差、及處理基板的處理條件的不同等，會有處理容器內的電漿分佈不沿著處理容器的周方向來形成所望的分佈的情況。 (用以解決課題的手段)
若根據本案之一形態，則基板處理裝置的特徵係具備： 處理容器，其係具有形成處理室的筒狀部，該處理室在內部配置基板； 氣體供給部，其係往前述處理室供給處理氣體； 電極，其係以從前述處理容器的前述筒狀部的外側包圍前述處理容器的方式設成螺旋狀，供給高頻電力而電漿激發前述處理氣體；及 移動部，其係使前述電極對於前述處理容器相對移動於前述筒狀部的徑方向。 [發明的效果]
若根據本案，則可沿著處理容器的周方向來使處理室的電漿分佈成為所望的分佈。
＜第1實施形態＞
按照圖1～圖7來說明本案的第1實施形態之一例。另外，各圖所示的箭號H是鉛直方向，表示裝置上下方向，箭號W是水平方向，表示裝置寬度方向，箭號D是水平方向，表示裝置進深方向。
(基板處理裝置100) 本第1實施形態的基板處理裝置100是被構成為主要對於被形成於基板的膜進行氧化處理。
基板處理裝置100是如圖1所示般，具備電漿處理晶圓200的處理爐202。在處理爐202是設有構成處理室201的處理容器203。處理容器203是具備：第1容器的圓頂型的上側容器210、及第2容器的碗型的下側容器211。而且，基板處理裝置100是具備包圍下側容器211的上端，且形成有貫通孔的基底板248。
上側容器210是具有延伸於上下方向的圓筒狀的圓筒部(筒狀部)210a，藉由上側容器210蓋在下側容器211上來形成處理室201。上側容器210是例如以氧化鋁(Al2 O3 )或石英(SiO2 )等的非金屬材料所形成，下側容器211是例如以鋁(Al)所形成。晶圓200是基板的一例。
並且，在下側容器211的下部側壁是設有閘閥244。閘閥244是被構成為開啟時，可利用搬送機構(未圖示)，經由搬入出口245，往處理室201搬入晶圓200，或朝處理室201的外部搬出晶圓200。閘閥244是被構成為關閉時，成為保持處理室201的氣密性的切斷閥。
處理室201是如圖2所示般，具有：在周圍設有共振線圈212的電漿產生空間201a、及連通至電漿產生空間201a，處理晶圓200的基板處理空間201b。電漿產生空間201a是產生電漿的空間，意指處理室內，比共振線圈212的下端還上方，且比共振線圈212的上端還下方的空間。另一方面，基板處理空間201b是基板利用電漿來處理的空間，意指比共振線圈212的下端還下方的空間。在本實施形態中，電漿產生空間201a與基板處理空間201b的水平方向的直徑是被構成為大致相同。
[基座217] 作為載置晶圓200的基板載置部的基座217是如圖1所示般，被配置於處理室201的底側中央。
在基座217的內部，作為加熱機構的加熱器217b會被一體地埋入。加熱器217b是被構成為一旦被供給電力，則可將晶圓200表面例如從25℃加熱至750℃程度。
並且，在基座217是設有具備使基座昇降的驅動機構的基座昇降機構268。而且，在基座217是設有貫通孔217a，且在下側容器211的底面是設有晶圓頂起銷266。藉由基座昇降機構268來使基座217下降時，是被構成為晶圓頂起銷266會在與基座217非接觸狀態下，穿過貫通孔217a。
主要藉由基座217及加熱器217b來構成本實施形態的基板載置部。
[氣體供給部230] 氣體供給部230是如圖1所示般，被設在處理室201的上方。具體而言，在處理室201的上方，亦即在上側容器210的上部是設有氣體供給頭236。氣體供給頭236是具備：蓋狀的蓋體233、氣體導入口234、緩衝室237、開口238、遮蔽板240及氣體吹出口239，被構成為可將反應氣體供給至處理室201。
在氣體導入口234是供給作為含氧氣體的氧(O2 )氣體的含氧氣體供給管232a的下游端、供給作為含氫氣體的氫(H2 )氣體的含氫氣體供給管232b的下游端、及供給作為惰性氣體的氬(Ar)氣體的惰性氣體供給管232c會合流連接。
在含氧氣體供給管232a中，從上游側依序設有O2 氣體供給源250a、作為流量控制裝置的質量流控制器(MFC)252a、作為開閉閥的閥253a。在含氫氣體供給管232b中，從上游側依序設有H2 氣體供給源250b、MFC252b、閥253b。在惰性氣體供給管232c中，從上游側依序設有Ar氣體供給源250c、MFC252c、閥253c。
在含氧氣體供給管232a、含氫氣體供給管232b及惰性氣體供給管232c所合流的下游側是設有閥243a，被連接至氣體導入口234的上游端。
主要藉由氣體供給頭236(蓋體233、氣體導入口234、緩衝室237、開口238、遮蔽板240、氣體吹出口239)、含氧氣體供給管232a、含氫氣體供給管232b、惰性氣體供給管232c、MFC252a，252b，252c、閥253a，253b，253c，243a來構成本實施形態的氣體供給部230(氣體供給系)。
[排氣部228] 排氣部228是如圖1所示般，被設為在處理室201的下方，對於搬入出口245，在水平方向對向。具體而言，在下側容器211的側壁是設有從處理室201將反應氣體排氣的氣體排氣口235。氣體排氣口235是連接氣體排氣管231的上游端。在氣體排氣管231中，從上游側依序設有作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller) 242、作為開閉閥的閥243b、作為真空排氣裝置的真空泵246。
主要藉由氣體排氣口235、氣體排氣管231、APC242、閥243b來構成本實施形態的排氣部228。另外，亦可將真空泵246含在排氣部中。
[電漿產生部216] 電漿產生部216是如圖1所示般，主要被設在上側容器210的圓筒部210a的外壁的外側。具體而言，在處理室201的外周部，亦即在上側容器210的側壁的外側，以包圍處理室201的方式，設有螺旋狀的共振線圈212。換言之，從圓筒部210a的徑方向(以下稱為「容器徑方向」)的外側(離開圓筒部210a的中心的側)包圍處理容器203的方式，設有螺旋狀的共振線圈。共振線圈212是電極的一例。
又，共振線圈212是連接RF感測器272、高頻電源273、進行高頻電源273的阻抗或輸出頻率的匹配的匹配器274。
-高頻電源273、RF感測器272、匹配器274- 高頻電源273是供給高頻電力(RF電力)至共振線圈212者。RF感測器272是被設在高頻電源273的輸出側，監測被供給的高頻的行波或反射波的資訊者。藉由RF感測器272所監測的反射波電力是被輸入至匹配器274，匹配器274是根據從RF感測器272輸入的反射波的資訊，控制高頻電源273的阻抗或被輸出的高頻電力的頻率，使反射波成為最小。
高頻電源273是具備：包含用以規定振盪頻率及輸出的高頻振盪電路及前置放大器之電源控制手段(控制電路)、及用以放大成預定的輸出之放大器(輸出電路)。電源控制手段是根據經由操作面板而預先被設定的有關頻率及電力的輸出條件來控制放大器。放大器是經由傳送線路來供給一定的高頻電力至共振線圈212。
-共振線圈212- 共振線圈212是為了形成預定的波長的駐波，而能以一定的波長共振的方式設定捲徑、捲繞間距、捲數。亦即，共振線圈212的電性長度是被設定成相當於從高頻電源273供給的高頻電力的預定頻率的1波長的整數倍(1倍、2倍、…)的長度。換言之，基板處理裝置100是具備將具有共振線圈212的電性長度的整數倍的波長之高頻電力供給至電極的高頻電源273。
具體而言，考慮施加的電力或使產生的磁場強度或適用的裝置的外形等，共振線圈212是例如以能藉由800kHz～50MHz、0.5～5KW的高頻電力來產生0.01～10高斯程度的磁場之方式，設為50～300mm2 的有效剖面積且200～500mm的線圈直徑，在形成電漿產生空間201a(參照圖2)的空間的外周側捲繞2～60次程度。
適宜的實施例是例如將頻率設為13.56MHz或27.12MHz。在本實施形態中，將高頻電力的頻率設定成27.12MHz，將共振線圈212的電性長度設定成1波長的長度(約11米)。共振線圈212的捲繞間距是例如以24.5mm間隔來設為等間隔。又，共振線圈212的捲徑(直徑)是被設定為比晶圓200的直徑更大。在本實施形態中，將晶圓200的直徑設為300mm，共振線圈212的捲徑是被設為比晶圓200的直徑更大，成為500mm。
作為構成共振線圈212的素材，可使用銅管、銅的薄板、鋁管、鋁薄板、在聚合物皮帶蒸鍍銅或鋁的素材等。
共振線圈212的兩端是被電性接地，其中的至少一端是為了在裝置的最初的設置時或處理條件的變更時微調該共振線圈的電性長度，而經由可動分接頭(tap)213來接地。圖1的符號214是表示另一方的固定接地。進一步，為了在裝置的最初的設置時或處理條件的變更時微調共振線圈212的阻抗，而在共振線圈212的被接地的兩端之間，藉由可動分接頭215來構成給電部。
-遮蔽板224- 遮蔽板224是從容器徑方向的外側遮蔽共振線圈212，遮蔽藉由共振線圈212所產生的電場，且為了將構成共振電路所必要的電容成分(C成分)形成於與共振線圈212之間而設置。遮蔽板224是遮蔽部的一例。
具體而言，遮蔽板224是具有： 使用鋁合金等的導電性材料來成形，從容器徑方向的外側遮蔽共振線圈212之圓筒狀的本體部225； 被連接至本體部225的上端，且延伸至容器徑方向的內側之上側凸緣226。 進一步，遮蔽板224是具有：被連接至本體部225的下端，且延伸至容器徑方向的內側之下側凸緣227。
前述的共振線圈212是藉由在下側凸緣227的上端面鉛直立設的複數的支架229所支撐。並且，設有被載於基底板248且形成上側容器210通過的貫通孔之支撐板256，遮蔽板224是藉由此支撐板256來從下方支撐。換言之，支撐板256是從下方支撐遮蔽板224及共振線圈212。支撐板256是支撐部的一例。
遮蔽板224是離開共振線圈212的外周，5～150mm程度而配置。
主要藉由共振線圈212、RF感測器272、匹配器274來構成本實施形態的電漿產生部216。另外，作為電漿產生部，亦可包含高頻電源273。
在此，利用圖2來說明有關本實施形態的裝置的電漿產生原理及被產生的電漿的性質。
藉由共振線圈212所構成的電漿產生電路是以RLC的並列共振電路所構成。然而，在上述電漿產生電路中，使電漿產生時，因為共振線圈212的電壓部與電漿之間的電容耦合的變動、或電漿產生空間201a與電漿之間的感應耦合的變動、電漿的激發狀態等，實際的共振線圈212的共振頻率是稍微變動。
於是，在本實施形態中，為了在電源側補償電漿產生時的共振線圈212的共振的偏差，匹配器274會根據在RF感測器272中檢測出的產生電漿時的來自共振線圈212的反射波電力，以反射波電力會成為最小的方式，使高頻電源273的阻抗或輸出頻率增加或減少。
藉由如此的構成，本實施形態的共振線圈212是如圖2所示般，由於被供給含電漿的該共振線圈的實際的共振頻率的高頻電力(或以匹配於含電漿的該共振線圈的實際的阻抗之方式供給高頻電力)，因此形成相位電壓與逆相位電壓經常被相抵的狀態的駐波。當共振線圈212的電性長度與高頻電力的波長相同時，在線圈的電性中點(電壓為零的節點)產生最高的相位電流。因此，在電性中點的附近，幾乎無與處理室壁或基座217的電容耦合，形成電性電位極低的甜甜圈狀的感應電漿。
[移動部310] 移動部310是被構成為使共振線圈212對於處理容器203移動。首先，說明有關使共振線圈212對於處理容器203移動的目的。
因為共振線圈212的位置偏差、處理容器203的形狀偏差、從共振線圈212產生的電磁場的強度偏差、及處理晶圓200的處理條件的不同等的理由，會有處理室201內的電漿分佈不形成所望的分佈的情況。具體而言，會有處理室201內的電漿分佈不沿著處理容器203的周方向形成一樣的情況。亦即，會有氧化處理等對於被形成於晶圓200的膜不一樣地進行的情況。
在如此的情況，藉由改變共振線圈212的對於處理容器203的位置，共振線圈212與處理容器203的距離(以下有記載為「線圈容器間距離」的情形)會在處理容器203的周方向形成不同。藉由使此線圈容器間距離在處理容器203的周方向不同，使處理容器203內的電漿分佈變化，使電漿分佈會沿著處理容器203的周方向而成為一樣。
使共振線圈212對於處理容器203移動的移動部310是如圖4所示般，被設在基底板248的上面248a，由第一移動部320及第二移動部370所構成。
第一移動部320是使共振線圈212及遮蔽板224移動於容器徑方向的裝置進深方向，第二移動部370是使共振線圈212及遮蔽板224移動於容器徑方向且與裝置進深方向正交的裝置寬度方向。裝置進深方向是一方向的一例，裝置寬度方向是其他的方向的一例。
-第一移動部320- 第一移動部320如圖4所示般，在基底板248中被配置於裝置進深方向的前側(紙面下側)，且裝置寬度方向的一方側(紙面左側)的部分。 此第一移動部320是如圖5所示般，具備： 被間接地安裝於共振線圈212且與共振線圈212成為一體而移動的可動部322； 藉由作動來使可動部322移動而調整可動部322的位置之機構的調整部332；及 步進馬達的驅動部340。 在此，所謂「成為一體而移動」是意指不改變相對關係而移動。
-第一移動部320的可動部322- 可動部322是具備：本體部324、及被支撐於本體部324的支撐部328。
本體部324是具有：延伸於裝置寬度方向的長方體狀的基部324a、及從基部324a往裝置寬度方向的一方側延伸的板狀的延設部324b。基部324a的下端部分是被插入至基底板248的上面248a所形成的引導溝248b。藉此，本體部324是被引導於引導溝248b而移動於裝置進深方向。並且，在基部324a的上面是形成有延伸於裝置寬度方向的引導溝326。
而且，延設部324b是將板厚方向設為裝置進深方向，從裝置進深方向看，為延伸於裝置寬度方向的矩形狀。在此延設部324b是形成有貫通於裝置進深方向的螺母330。
又，支撐部328是具有： 延伸於裝置寬度方向的長方體狀的基部328a；及 從基部328a往上方突出的圓柱狀的圓柱部328b。 除了基部328a的上端部的部分是被插入至本體部324的基部324a的上面所形成的引導溝326。藉此，支撐部328是被引導於引導溝326而移動於裝置寬度方向。
並且，在支撐板256是形成有從外周面256a突出且將上下方向設為板厚方向的突出部258。而且，在此突出部258是形成有貫通於上下方向的貫通孔258a。然後，支撐部328的圓柱部328b是被插入至此貫通孔258a。
-第一移動部320的調整部332- 調整部332是具備：延伸於裝置進深方向的螺旋軸334、及可旋轉地支撐螺旋軸334的一對的支撐板336。
在螺旋軸334的外周面是形成有公螺紋334a，螺旋軸334的公螺紋334a是被鎖進本體部324的螺母330。然後，包含螺旋軸334、螺母330及未圖示的滾珠等來形成已知的滾珠螺桿構造。並且，驅動部340是被設為使螺旋軸334旋轉。
在此構成中，藉由驅動部340使螺旋軸334旋轉於一方向，第一移動部320會使共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203朝裝置進深方向的內側移動。具體而言，藉由驅動部340使螺旋軸334旋轉於一方向，本體部324及支撐部328會移動至裝置進深方向的內側。而且，藉由本體部324及支撐部328移動至裝置進深方向的內側，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256來朝裝置進深方向的內側移動。
相對於此，藉由驅動部340使螺旋軸334旋轉於另一方向，第一移動部320會使共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203朝裝置進深方向的前側移動。具體而言，藉由驅動部340使螺旋軸334旋轉於另一方向，本體部324及支撐部328會移動至裝置進深方向的前側。而且，藉由本體部324及支撐部328移動至裝置進深方向的前側，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256來朝裝置進深方向的前側移動。如此，共振線圈212與遮蔽板224是成為一體而移動。
另外，即使是共振線圈212及遮蔽板224藉由第二移動部370來移動至裝置寬度方向的情況，也藉由支撐部328被引導於引導溝326而移動於裝置寬度方向，可吸收第二移動部370之共振線圈212及遮蔽板224的移動。
-第二移動部370- 第二移動部370是如圖4所示般，在基底板248中被配置於裝置進深方向的內側(紙面上側)且裝置寬度方向的一方側(紙面左側)的部分。
此第二移動部370是如圖6所示般，具備： 被間接地安裝於共振線圈212且與共振線圈212成為一體而移動的可動部372； 藉由作動來使可動部372移動而調整可動部372的位置的機構的調整部382；及 步進馬達的驅動部390。
-第二移動部370的可動部372- 可動部372是具備：本體部374、及被支撐於本體部374的支撐部378。
本體部374是具有：延伸於裝置進深方向的長方體狀的基部374a、及從基部374a往裝置進深方向的內側延伸的板狀的延設部374b。基部374a的下端部分是被插入至基底板248的上面248a所形成的引導溝248c。藉此，本體部374是被引導於引導溝248c而移動於裝置寬度方向。並且，在基部374a的上面是形成有延伸於裝置進深方向的引導溝376。
而且，延設部374b是將板厚方向設為裝置寬度方向，從裝置寬度方向看，為延伸於裝置進深方向的矩形狀。在此延設部374b是形成有貫通於裝置寬度方向的螺母380。
支撐部378是具有：延伸於裝置進深方向的長方體狀的基部378a、及從基部378a往上方突出的圓柱狀的圓柱部378b。除了基部378a的上端部的部分是被插入至本體部374的基部374a的上面所形成的引導溝376。藉此，支撐部378是被引導於引導溝376而移動於裝置進深方向。
並且，在支撐板256是形成有從外周面256a突出且以上下方向作為板厚方向的突出部260。而且，在此突出部260是形成有貫通於上下方向的貫通孔260a。然後，支撐部378的圓柱部378b是被插入至此貫通孔260a。
-第二移動部370的調整部382- 調整部382是具備：延伸於裝置寬度方向的螺旋軸384、及可旋轉地支撐螺旋軸384的一對的支撐板386。
在螺旋軸384的外周面是形成有公螺紋384a，螺旋軸384的公螺紋384a是被鎖進本體部374的螺母380。然後，包含螺旋軸384、螺母380及未圖示的滾珠等來形成已知的滾珠螺桿構造。並且，驅動部390是被設為使螺旋軸384旋轉。
在此構成中，藉由驅動部390使螺旋軸384旋轉於一方向，第二移動部370會使共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203朝裝置寬度方向的一方側移動。具體而言，藉由驅動部390使螺旋軸384旋轉於一方向，本體部374及支撐部378會移動至裝置寬度方向的一方側。而且，藉由本體部374及支撐部378移動至裝置寬度方向的一方側，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256來朝裝置寬度方向的一方側移動。
相對於此，藉由驅動部390使螺旋軸384旋轉於另一方向，第二移動部370會使共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203朝裝置寬度方向的另一方側移動。具體而言，藉由驅動部390使螺旋軸384旋轉於另一方向，本體部374及支撐部378會移動至裝置寬度方向的另一方側。而且，藉由本體部374及支撐部378移動至裝置寬度方向的另一方側，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256而朝裝置寬度方向的另一方側移動。
[控制器221] 控制器221是被構成為如圖1所示般，分別經由訊號線A來控制APC242、閥243b及真空泵246，經由訊號線B來控制基座昇降機構268，經由訊號線C來控制加熱器電力調整機構276，經由訊號線D來控制閘閥244，經由訊號線E來控制RF感測器272、高頻電源273及匹配器274，經由訊號線F來控制MFC252a～252c及閥253a～253c，243a。
如圖3所示般，控制器221是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)221a、RAM(Random Access Memory)221b、記憶裝置221c、I/O埠221d的電腦。RAM221b、記憶裝置221c、I/O埠221d是被構成為可經由內部匯流排221e來與CPU221a交換資料。控制器221是連接例如構成為觸控面板或顯示器等的輸出入裝置222。輸出入裝置222是輸入部、及顯示部的一例。
在此，輸出入裝置222是輸入操作指令、及作為用以使共振線圈212移動的移動資訊的處理條件。並且，在輸出入裝置222顯示對於預先被決定的基準位置的共振線圈212的移動量。另外，有關被輸入至輸出入裝置222的處理條件及被顯示的共振線圈212的移動量是與後述的作用一起說明。
-記憶裝置221c- 記憶裝置221c是例如以快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置221c是可讀出地儲存有控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有後述的基板處理的程序或條件等的程式處方等。記憶裝置221c是記憶部的一例。
製程處方是被組合成可使後述的基板處理工程的各程序實行於CPU221a，取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將此程式處方或控制程式等總簡稱為程式。另外，在本說明書中稱程式時，有只包含程式處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。又，RAM221b是被構成為暫時性地儲存藉由CPU221a所讀出的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
在本實施形態中，記憶裝置221c是記憶有作為用以使共振線圈212移動的移動資訊的複數的處理條件、及對應於各處理條件的共振線圈212的對於處理容器203的位置。在本實施形態中，處理條件是包含被處理的晶圓200的溫度、處理室201的壓力、處理晶圓200的處理氣體的種類、處理晶圓200的處理氣體的流量、及往共振線圈212供給的電力之中至少一個的條件。
另外，有關共振線圈212的對於處理容器203的位置是如其次般導出，使此位置記憶於記憶裝置221c。首先，按每個處理條件，改變複數處共振線圈212的對於處理容器203的位置來確認電漿分佈。然後，導出可按每個處理條件，在處理容器203沿著處理容器203的周方向成為一樣之共振線圈212的對於處理容器203的位置，使此位置記憶於記憶裝置221c。
-I/O埠221d- I/O埠221d是被連接至上述的MFC252a～252c、閥253a～253c、243a、243b、閘閥244、APC閥242、真空泵246、RF感測器272、高頻電源273、匹配器274、基座昇降機構268、加熱器電力調整機構276、驅動部340、390等。
-CPU221a- CPU221a是被構成為讀出來自記憶裝置221c的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置222的操作指令的輸入等，從記憶裝置221c讀出製程處方。CPU221a是控制部的一例。
而且，CPU221a是被構成為按照被讀出的製程處方的內容，經由I/O埠221d及訊號線A來控制APC閥242的開度調整動作、閥243b的開閉動作及真空泵246的起動•停止，經由訊號線B來控制基座昇降機構268的昇降動作，經由訊號線C來控制加熱器電力調整機構276之往加熱器217b的供給電力量調整動作(溫度調整動作)，經由訊號線D來控制閘閥244的開閉動作，經由訊號線E來控制RF感測器272、匹配器274及高頻電源273的動作，經由訊號線F來控制MFC252a～252c之各種氣體的流量調整動作及閥253a～253c、243a的開閉動作等。
控制器221是可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體或記憶卡等的半導體記憶體)223的上述的程式安裝於電腦來構成。記憶裝置221c或外部記憶裝置223是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦可將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中，稱記錄媒體時，有只包含記憶裝置221c單體時、只包含外部記憶裝置223單體時、或包含其雙方時。另外，用以供給程式至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置223，亦可使用網際網路或專線等的通訊手段。
(作用) 其次，利用圖7所示的流程圖說明有關使用基板處理裝置100來製造半導體裝置的方法。
本實施形態的半導體裝置的製造方法是使用前述的基板處理裝置100來實施，例如作為快閃記憶體等的半導體裝置的製造工程之一工程。在以下的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作是藉由CPU221a來控制。
另外，在本實施形態的基板處理工程被處理的晶圓200的表面是例如至少表面以矽的層所構成，預先形成具有寬高比高的凹凸部的溝。在本實施形態中，對於露出於溝的內壁的矽層，進行氧化處理，作為使用電漿的處理。
另外，在基板處理裝置100運轉之前的狀態，共振線圈212是被配置於預先被決定的基準位置。
[基板搬入工程S100] 基板搬入工程S100是將晶圓200搬入至處理室201。具體而言，圖1所示的基座昇降機構268會使基座217下降至晶圓200的搬送位置，使晶圓頂起銷266貫通於基座217的貫通孔217a。
接著，開啟閘閥244，從與處理室201鄰接的真空搬送室，利用晶圓搬送機構(未圖示)來將晶圓200搬入至處理室201。被搬入的晶圓200是以水平姿勢來被支撐於從基座217的表面突出的晶圓頂起銷266上。一旦將晶圓200搬入至處理室201，則使晶圓搬送機構往處理室201外退避，關閉閘閥244而將處理室201密閉。然後，基座昇降機構268使基座217上昇，藉此晶圓200會被支撐於基座217的上面。
[位置調整工程S200] 在位置調整工程S200中，根據藉由作業者來輸入至輸出入裝置222的共振線圈212的移動資訊，第一移動部320會使共振線圈212移動於裝置進深方向，第二移動部370會使共振線圈212移動於裝置寬度方向。
具體而言，首先，藉由作業者來輸入作為共振線圈212的移動資訊的處理條件至輸出入裝置222。在本實施形態中，處理條件是包含被處理的晶圓200的溫度、處理室201的壓力、處理晶圓200的處理氣體的種類、處理晶圓200的處理氣體的流量、及往共振線圈212供給的電力之中至少一個。然後，根據對應於被記憶於記憶裝置221c的處理條件的共振線圈212的對於處理容器203的位置，來運轉驅動部340及驅動部390。
驅動部340是使螺旋軸334旋轉。藉由螺旋軸334旋轉，本體部324及支撐部328會移動於裝置進深方向。而且，藉由本體部324及支撐部328移動於裝置進深方向，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256來移動於裝置進深方向。另外，藉由支撐部328被引導於引導溝326而移動於裝置寬度方向，共振線圈212的裝置寬度方向的位置不會有因為運轉的驅動部340而受限制的情形。
又，驅動部390是使螺旋軸384旋轉。藉由螺旋軸384旋轉，本體部374及支撐部378會移動於裝置寬度方向。而且，藉由本體部374及支撐部378移動於裝置寬度方向，共振線圈212及遮蔽板224會借助支撐板256來移動於裝置寬度方向。另外，藉由支撐部378被引導於引導溝376而移動於裝置進深方向，共振線圈212的裝置進深方向的位置不會有因為運轉的驅動部390而受限制的情形。
如以上說明般，根據對應於各處理條件的共振線圈212的對於處理容器203的位置，移動共振線圈212及遮蔽板224。而且，在處理室201處理晶圓200的期間，驅動部340、390會設為非運轉狀態。換言之，在處理室201處理晶圓200的期間，共振線圈212與處理容器203的相對關係是被維持。
另外，作為其他的實施形態，作業者亦可從輸出入裝置222直接輸入對於基準位置的共振線圈212的移動量(或移動後的共振線圈212的對於處理容器203的位置資訊)作為移動資訊，根據被輸入的移動資訊來使驅動部340及驅動部390動作。
[昇溫•真空排氣工程S300] 在昇溫•真空排氣工程S300中，進行被搬入至處理室201的晶圓200的昇溫。圖1所示的加熱器217b是預先被加熱，在埋入有加熱器217b的基座217上保持晶圓200，藉此來加熱晶圓200。在此，晶圓200的溫度會加熱成為600℃。又，進行晶圓200的昇溫的期間，藉由真空泵246，經由氣體排氣管231來將處理室201真空排氣，將處理室201的壓力設為預定的值。真空泵246是至少至後述的基板搬出工程S700結束為止使運轉。
[反應氣體供給工程S400] 在反應氣體供給工程S400中，開始供給含氧氣體的O2 氣體及含氫氣體的H2 氣體，作為反應氣體。具體而言，開啟圖1所示的閥253a及253b，邊以MFC252a及252b來控制流量，邊開始往處理室201供給O2 氣體及H2 氣體。此時，將O2 氣體的流量例如設為20～2000sccm的範圍內的預定值。又，將H2 氣體的流量例如設為20～1000sccm的範圍內的預定值。
又，調整APC242的開度，控制處理室201的排氣，使處理室201的壓力例如成為1～250Pa的範圍內的預定壓力。如此，一面將處理室201適度地排氣，一面至後述的電漿處理工程S500的結束時為止繼續O2 氣體及H2 氣體的供給。
[電漿處理工程S500] 處理室201的壓力安定之後，在電漿處理工程S500中，對於圖1所示的共振線圈212，從高頻電源273經由RF感測器272，開始高頻電力的供給。在本實施形態中，從高頻電源273供給27.12MHz的高頻電力至共振線圈212。供給至共振線圈212的高頻電力是例如100～5000W的範圍內的預定的電力。
藉此，在被供給O2 氣體及H2 氣體的電漿產生空間201a(參照圖2)形成高頻電場，藉由該電場，在相當於電漿產生空間201a的共振線圈212的電性中點的高度位置激發具有最高的電漿密度的甜甜圈狀的感應電漿。電漿狀的O2 氣體及H2 氣體是解離，產生含氧的氧自由基(氧活性種)或氧離子、含氫的氫自由基(氫活性種)或氫離子等的反應種。
如前述般，在位置調整工程S200中，共振線圈212是被配置於對應於被輸入的處理條件的位置。藉此，可沿著處理容器203的周方向來將處理室201的電漿分佈形成一樣。
而且，在基板處理空間201b(參照圖2)被保持於基座217上的晶圓200是藉由感應電漿而產生的自由基及離子會被供給至晶圓200的表面上的溝內。被供給的自由基及離子是與溝的側壁反應，將表面的矽層改質成矽氧化層。
然後，一旦經過預定的處理時間，例如10～300秒，則停止來自高頻電源273的電力的供給，停止處理室201的電漿放電。並且，關閉閥253a及253b，停止往處理室201供給O2 氣體及H2 氣體。藉由以上，完成電漿處理工程S500。
[真空排氣工程S600] 停止O2 氣體及H2 氣體的供給之後，在真空排氣工程S600中，經由圖1所示的氣體排氣管231來將處理室201內真空排氣。藉此，將處理室201的O2 氣體或H2 氣體、或藉由該等氣體的反應而產生的排氣等往處理室201的外部排氣。然後，調整APC242的開度，將處理室201的壓力調整成與處理室201鄰接的真空搬送室(晶圓200的搬出去處，未圖示)相同的壓力。
[基板搬出工程S700] 處理室201成為預定的壓力之後，在基板搬出工程S700中，使圖1所示的基座217下降至晶圓200的搬送位置，使晶圓200支撐於晶圓頂起銷266上。然後，開啟閘閥244，利用晶圓搬送機構來將晶圓200搬出至處理室201的外部。而且，使驅動部340、390運轉，使共振線圈212移動至基準位置。藉由以上，完成本實施形態的基板處理工程。
(總結) 如以上說明般，基板處理裝置100是在位置調整工程S200，使驅動部340、390運轉，使共振線圈212對於處理容器203移動。藉此，可使處理室201內的電漿分佈(電漿密度分佈)沿著處理容器203的周方向而成為一樣。換言之，藉由使共振線圈212對於處理容器203相對移動，可將處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
又，基板處理裝置100是在位置調整工程S200，移動部310的第一移動部320使共振線圈212對於處理容器203移動於裝置進深方向。而且，移動部310的第二移動部370使共振線圈212對於處理容器203移動於裝置寬度方向。藉此，與共振線圈只可移動於一方向的情況作比較，可擴大共振線圈212的移動範圍。
又，基板處理裝置100中，第一移動部320是具備： 被間接地安裝於共振線圈212且與共振線圈212成為一體而移動的可動部322；及 使可動部322移動而調整可動部322的位置之機構的調整部332。 又，第二移動部370是具備： 被間接地安裝於共振線圈212且與共振線圈212成為一體而移動的可動部372；及 使可動部372移動而調整可動部372的位置之機構的調整部382。 藉由如此具備可動部322、372及調整部332、382，可使共振線圈212往所望的位置精度佳地移動。
又，基板處理裝置100中，第一移動部320是具備使調整部332的螺旋軸334旋轉的驅動部340，第二移動部370是具備使調整部382的螺旋軸384旋轉的驅動部390。藉此，可不手動轉動螺旋軸334、384，使共振線圈212對於處理容器203移動。
又，基板處理裝置100中，基板處理裝置100是具備： 輸入使共振線圈212移動的移動資訊的輸出入裝置222；及 控制驅動部340、390，根據被輸入至輸出入裝置222的移動資訊來使調整部332、382的螺旋軸334、384旋轉的CPU221a。 藉此，例如，只要作業者輸入移動量，便可使共振線圈212對於處理容器203移動。
又，基板處理裝置100中，具備記憶裝置221c，記憶作為移動資訊的處理條件、對應於各處理條件的共振線圈212的對於處理容器203的相對位置，CPU221a是根據被輸入至輸出入裝置222的作為移動資訊的處理條件、及對應於記憶裝置221c所記憶的各處理條件的共振線圈212的對於處理容器203的相對位置，來控制驅動部340、390。在此，產生的電漿分佈、或按每個處理條件求得的電漿分佈是依處理條件而不同。因此，藉由按每個處理條件來使記憶共振線圈212的對於處理容器203的相對位置，可按每個處理條件將處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
又，基板處理裝置100中，被輸入至輸出入裝置222的處理晶圓200的處理條件是包含被處理的晶圓200的溫度、處理室201的壓力、處理晶圓200的處理氣體的種類、處理晶圓200的處理氣體的流量、及往共振線圈212的電力之中至少一個的條件。由於產生的電漿分佈會依如此的處理條件而變化，因此藉由按每個如此的處理條件來記憶共振線圈212的對於處理容器203的位置，可將處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
又，基板處理裝置100中，在處理室201處理晶圓200的期間，驅動部340、390設為非運轉狀態。換言之，在處理室201處理晶圓200的期間，共振線圈212與處理容器203的相對關係是被維持。藉此，可使處理室201的電漿分佈安定。
又，基板處理裝置100中，共振線圈212與遮蔽板224是成為一體而移動。換言之，共振線圈212與遮蔽板224的相對位置是不變化。因此，可抑制藉由共振線圈212所產生的電漿分佈起因於遮蔽板的位置的變化而雜亂。
又，基板處理裝置100中，設有從下方支撐遮蔽板224及共振線圈212的支撐板256，藉由使支撐板256移動，遮蔽板224及共振線圈212會移動。如此，只要使支撐板256移動，便可使遮蔽板224及共振線圈212移動。
又，基板處理裝置100中，在輸出入裝置222顯示共振線圈212的對於基準位置的移動量。因此，作業者可目視確認共振線圈212的對於基準位置的移動量，例如，作業者可根據此移動量來手動微調共振線圈212的位置。
又，半導體裝置的製造方法是在位置調整工程S200，使驅動部340、390運轉，而使共振線圈212對於處理容器203移動。藉此，可使處理室201內的電漿分佈沿著處理容器203的周方向而成為一樣。換言之，藉由使共振線圈212對於處理容器203相對移動，可使處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
＜第2實施形態＞ 按照圖8～圖10說明本案的第2實施形態之一例。另外，有關第2實施形態是主要說明與第1實施形態不同的部分。
第2實施形態的基板處理裝置400的移動部410是如圖8所示般，不被設在基底板248的上面248a，而是被設在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a。
移動部410是如圖9所示般，被設在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a，由第一移動部420及第二移動部470所構成。
第一移動部420是使圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203移動於裝置進深方向，第二移動部470是使圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203移動於裝置寬度方向。
-第一移動部420- 第一移動部420是如圖9所示般，具備：在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置進深方向的前側所配置的作動部430、及在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置進深方向的內側所配置的作動部440。又，如圖8所示般，在處理容器203的蓋體233的上面設有圓盤狀的圓盤部218。
作動部430是如圖9所示般，具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件432、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件434、螺栓(bolt)436及量規(gauge)438。
板構件432與板構件434是在裝置進深方向對向，板構件432的板厚方向及板構件434的板厚方向是設為裝置進深方向。在板構件432是形成有螺母432a。然後，螺栓436是從容器徑方向的內側鎖進至板構件432的螺母432a，螺栓436的前端是撞上板構件434的板面。而且，量規438是被安裝於板構件434，藉由量規438來測定板構件432與板構件434的裝置進深方向的距離。
作動部440是具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件442、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件444、螺栓446及量規448。
板構件442與板構件444是在裝置進深方向對向，板構件442的板厚方向及板構件444的板厚方向是設為裝置進深方向。在板構件442是形成有螺母442a。然後，螺栓446是從容器徑方向的內側鎖進至板構件442的螺母442a，螺栓446的前端是撞上板構件444的板面。而且，量規448是被安裝於板構件444，藉由量規448來測定板構件442與板構件444的裝置進深方向的距離。
在此構成中，藉由鎖緊螺栓436，且鬆開螺栓446，圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置進深方向的前側移動。而且，藉由鬆開螺栓436，且鎖緊螺栓446，圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置進深方向的內側移動。
-第二移動部470- 第二移動部470是如圖9所示般，具備：在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置寬度方向的一方側所配置的作動部480、及在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置寬度方向的另一方側所配置的作動部490。
作動部480是如圖9、圖10所示般，具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件482、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件484、螺栓486及量規488。
板構件482與板構件484是在裝置寬度方向對向，板構件482的板厚方向及板構件484的板厚方向是設為裝置寬度方向。在板構件482是形成有螺母482a。然後，螺栓486是從容器徑方向的內側鎖進至板構件482的螺母482a，螺栓486的前端是撞上板構件484的板面。而且，量規488是被安裝於板構件484，藉由量規488來測定板構件482與板構件484的裝置寬度方向的距離。
作動部490是具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件492、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件494、螺栓496及量規498。
板構件492與板構件494是在裝置寬度方向對向，板構件492的板厚方向及板構件494的板厚方向是設為裝置寬度方向。在板構件492是形成有螺母492a。然後，螺栓496是從容器徑方向的內側鎖進至板構件442的螺母492a，螺栓496的前端是撞上板構件494的板面。而且，量規498是被安裝於板構件494，藉由量規498來測定板構件492與板構件494的裝置寬度方向的距離。
在此構成中，藉由鎖緊螺栓486，且鬆開螺栓496，圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置寬度方向的一方側移動。而且，藉由鬆開螺栓486，且鎖緊螺栓496，圖8所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置寬度方向的另一方側移動。
在第2實施形態中有關作用是取得在第1實施形態藉由設置驅動部340、390而取得的作用以外的作用。
＜第3實施形態＞ 按照圖11～圖13來說明本案的第3實施形態之一例。另外，有關第3實施形態是主要說明與第2實施形態不同的部分。
第3實施形態的基板處理裝置500的移動部510是如圖11、圖12所示般，被設在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a，由第一移動部520及第二移動部570所構成。
第一移動部520是使圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203移動於裝置進深方向，第二移動部570是使圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224對於處理容器203移動於裝置寬度方向。
-第一移動部520- 第一移動部520是如圖12所示般，具備：在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置進深方向的前側所配置的作動部430、及在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置進深方向的內側所配置的作動部540。
作動部430是如圖12所示般，具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件432、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件434、螺栓436及量規438。
作動部540是具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件542、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件544、及藉由壓縮線圈彈簧來彈壓的活塞(piston)(柱塞(plunger))546。
板構件542與板構件544是在裝置進深方向對向，板構件542的板厚方向及板構件544的板厚方向是設為裝置進深方向。而且，活塞546是在將板構件542及板構件544彈壓於彼此遠離的方向的狀態下配置。
在此構成中，藉由鎖緊螺栓436，活塞546會伸長，圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置進深方向的前側移動。而且，藉由鬆開螺栓436，活塞546會退縮，圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置進深方向的內側移動。
-第二移動部570- 第二移動部570是如圖12所示般，具備：作動部480、及在遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的裝置寬度方向的另一方側所配置的作動部590。
作動部590是如圖12、圖13所示般，具備：被安裝於圓盤部218的上面218a的板構件592、被安裝於遮蔽板224的上側凸緣226的上面226a的板構件594、及藉由壓縮線圈彈簧來彈壓的活塞(柱塞)596。
板構件592與板構件594是在裝置寬度方向對向，板構件592的板厚方向及板構件594的板厚方向是設為裝置寬度方向。而且，活塞596是在使板構件592及板構件594彈壓於彼此遠離的方向的狀態下配置。
在此構成中，藉由鎖緊螺栓486，活塞596會伸長，圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置寬度方向的一方前側移動。而且，藉由鬆開螺栓486，活塞596會退縮，圖11所示的共振線圈212及遮蔽板224會朝裝置寬度方向的另一方側移動。
在第3實施形態中有關作用是取得在第1實施形態藉由設置驅動部340、390而取得的作用以外的作用。
另外，詳細說明了有關在上述實施形態中特定的實施形態，但本案是不被限定於如此的實施形態，對於該等業者而言可在本案的範圍內實施其他的各種的實施形態。例如，上述實施形態是藉由使共振線圈212對於處理容器203移動，而使共振線圈212對於處理容器203相對移動，但亦可藉由使處理容器203對於共振線圈212移動，而使共振線圈212對於處理容器203相對移動。
又，除了在上述實施形態所示的處理條件以外，處理條件亦可至少包含處理容器203的圓筒部210a的軸方向(裝置上下方向)的共振線圈212與被處理的晶圓200的相對位置。由於所望的電漿分佈會依如此的處理條件而不同，因此藉由按每個如此的處理條件來記憶共振線圈212的對於處理容器203的位置，可將處理室201的電漿分佈形成所望的分佈。
又，除了在上述實施形態所示的處理條件以外，處理條件亦可至少包含被處理的晶圓200的種類。由於所望的電漿分佈會依如此的處理條件而不同，因此藉由按每個如此的處理條件來記憶共振線圈212的對於處理容器203的位置，可將處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
又，除了在上述實施形態所示的處理條件以外，處理條件亦可至少包含被處理的晶圓200的處理時間。由於所望的電漿分佈會依如此的處理條件而不同，因此藉由按每個如此的處理條件來記憶共振線圈212的對於處理容器203的位置，可將處理室201內的電漿分佈形成所望的分佈。
又，上述實施形態中，在處理室201處理晶圓200的期間，驅動部340、390是被設為非運轉狀態，但亦可在晶圓200的處理中的預定的時機使驅動部運轉，使共振線圈212移動至預先被設定的共振線圈212的對於處理容器203的位置。進行處理之後在電漿分佈產生偏倚時，藉由以能補償此偏倚的方式使共振線圈212在處理中移動，可將處理室201的電漿分佈形成所望的分佈。
又，上述實施形態是在基板搬入工程S100之後，實施位置調整工程S200，但此順序亦可形成相反，且亦可同時實行。
100:基板處理裝置 200:晶圓 203:處理容器 212:共振線圈
[圖1]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。 [圖2]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的遮蔽板、及共振線圈等的立體圖。 [圖3]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的控制器的控制系的控制方塊圖。 [圖4]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的移動部、及遮蔽板等的平面圖。 [圖5]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的移動部的立體圖。 [圖6]是表示本案的第1實施形態的基板處理裝置的移動部的立體圖。 [圖7]是表示本案的第1實施形態的半導體裝置的製造方法的各工程的流程圖。 [圖8]是表示本案的第2實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。 [圖9]是表示本案的第2實施形態的基板處理裝置的移動部的立體圖。 [圖10]是表示本案的第2實施形態的基板處理裝置的移動部的擴大立體圖。 [圖11]是表示本案的第3實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。 [圖12]是表示本案的第3實施形態的基板處理裝置的移動部的立體圖。 [圖13]是表示本案的第4實施形態的基板處理裝置的移動部的擴大立體圖。
100:基板處理裝置
200:晶圓
201:處理室
202:處理爐
203:處理容器
210:上側容器
210a:圓筒部(筒狀部)
211:下側容器
212:共振線圈
213:可動分接頭
214:固定接地
215:可動分接頭
216:電漿產生部
217:基座
217a:貫通孔
217b:加熱器
218:圓盤部
221:控制器
224:控制閘閥
225:本體部
226:上側凸緣
227:下側凸緣
228:排氣部
229:支架
230:氣體供給部
231:氣體排氣管
232a:含氧氣體供給管
232b:含氫氣體供給管
232c:惰性氣體供給管
233:蓋體
234:氣體導入口
235:氣體排氣口
236:氣體供給頭
237:緩衝室
238:開口
239:氣體吹出口
240:遮蔽板
242:APC
243a:閥
243b:閥
244:閘閥
245:搬入出口
246:真空泵
248a:基底板
248:上面
250a:O2氣體供給源
250b:H2氣體供給源
250c:Ar氣體供給源
252a,252b,252c:MFC
253a:閥
253b:閥
253c:閥
256:支撐板
266:晶圓頂起銷
268:基座昇降機構
272:RF感測器
273:高頻電源
274:匹配器
276:加熱器電力調整機構
A,B,C,D,E,F:訊號線

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備： 處理容器，其係具有形成處理室的筒狀部，該處理室在內部配置基板； 氣體供給部，其係往前述處理室供給處理氣體； 電極，其係以從前述處理容器的前述筒狀部的外側包圍前述處理容器的方式設成螺旋狀，供給高頻電力而電漿激發前述處理氣體；及 移動部，其係使前述電極對於前述處理容器相對移動於前述筒狀部的徑方向。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述移動部，係使前述電極對於前述處理容器相對移動於前述徑方向的一方向、及前述徑方向且對於前述一方向正交的其他的方向。
  3. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述移動部，係具備： 可動部，其係直接或間接地安裝於前述電極且與前述電極成為一體而移動；及 調整部，其係使前述可動部移動而調整前述可動部的位置。
  4. 如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述移動部，係具備使前述調整部作動的驅動部。
  5. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，具備： 輸入部，其係輸入用以使前述電極移動的移動資訊；及 控制部，其係控制前述驅動部，根據被輸入至前述輸入部的移動資訊，藉由前述驅動部來使前述調整部作動。
  6. 如請求項5記載的基板處理裝置，其中，具備記憶部，其係記憶作為前述移動資訊的處理條件、及對應於前述處理條件的前述電極的對於前述處理容器的相對位置， 前述控制部，係根據被輸入至前述輸入部的前述處理條件、及對應於被記憶於前述記憶部的前述處理條件的前述電極的對於前述處理容器的相對位置，來控制前述驅動部。
  7. 如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述處理條件，係包含被處理的基板的溫度、前述處理室的壓力、處理基板的前述處理氣體的種類、前述處理氣體的流量、及往前述電極供給的高頻電力之中至少一個。
  8. 如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述處理條件，係至少包含前述處理容器的前述筒狀部的軸方向的前述電極與被處理的基板的相對位置。
  9. 如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述處理條件，係至少包含被處理的基板的種類。
  10. 如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述處理條件，係至少包含被處理的基板的處理時間。
  11. 如請求項5～10的任一項記載的基板處理裝置，其中，在前述處理室處理基板的期間，前述控制部係將前述驅動部設為非運轉狀態。
  12. 如請求項5～10的任一項記載的基板處理裝置，其中，在前述處理室處理基板的期間的預定的時機，前述控制部係使前述驅動部運轉而使前述電極移動至預先被決定的位置。
  13. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備高頻電源，其係將具有前述電極的電性長度的整數倍的波長的高頻電力供給至前述電極。
  14. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備遮蔽部，其係從前述徑方向的外側遮蔽前述電極，遮蔽藉由前述電極所產生的電場， 前述遮蔽部，係與前述電極成為一體而移動。
  15. 如請求項14記載的基板處理裝置，其中，具備支撐部，其係從下方支撐前述遮蔽部及前述電極， 前述移動部，係藉由使前述支撐部移動，使前述遮蔽部及前述電極移動。
  16. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，具備顯示部，其係顯示前述電極的對於預先被決定的基準位置的移動量。
  17. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具備： 將基板搬入至在具有筒狀部的處理容器中所形成的處理室之工程； 使以從前述處理容器的前述筒狀部的外側包圍前述處理容器的方式設成螺旋狀的電極對於前述處理容器相對移動之工程； 將處理氣體供給至前述處理室之工程；及 藉由供給高頻電力至前述電極，將被供給至前述處理室的前述處理氣體予以電漿激發之工程。
  18. 一種程式，其特徵係藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置， 將基板搬入至在具有筒狀部的處理容器中所形成的處理室之程序； 使以從前述處理容器的前述筒狀部的外側包圍前述處理容器的方式設成螺旋狀的電極對於前述處理容器相對移動之程序； 將處理氣體供給至前述處理室之程序；及 藉由供給高頻電力至前述電極，將被供給至前述處理室的前述處理氣體予以電漿激發之程序。
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