TW202126143A - 具有天線功能之罩蓋 - Google Patents

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Abstract

在具有天線功能之罩蓋中，維持運用金屬蒸鍍層的金屬風設計，並且將天線之性能降低加以抑制。背蓋(1)具備：罩蓋構件(5)、圖樣層(7)、及超穎表面(31)。圖樣層(7)在疊層方向上配置於罩蓋構件(5)，並包含金屬蒸鍍層(15)。超穎表面(31)在疊層方向上與圖樣層(7)排列配置，將天線信號加以放大。

Description

具有天線功能之罩蓋
本發明係關於罩蓋，尤其關於具有天線功能之罩蓋。
智慧型手機、行動電話、平板電腦終端機等電子設備，具備無線通信(例如WiFi、GPS、Bluetooth(註冊商標)、3G、LTE等)的發送接收用天線(例如參照專利文獻1)。 在目前逐漸實用化的5G系統中，5G天線(驅動頻率：28GHz)追求波束成形(波束轉向)性能。5G天線中有一種是補丁陣列天線，其係將補丁天線配置排列多個(1×4、2×4或8×8等)。補丁天線之電極材料係Cu、Ag、Sn、Al、Au、Pt等金屬或其合金、包含樹脂的金屬印墨(Ag膏劑)等。補丁天線的一個邊之尺寸例如係λ/2=5mm(28GHz之情形)左右。 又，近年來，在上述電子設備中，不僅是影像表示裝置的表示面，對於從背面防止衝擊等來保護該表示面的背蓋之研究亦有所發展(例如參照專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-79399號公報 專利文獻2：日本特開2019-26508號公報
[發明所欲解決之問題]
配置在影像表示裝置背面側的背蓋之情形，就機械強度以外的要求特性而言，追求美感上優異。因此，用於智慧型手機等的背蓋，例如具有：玻璃層、基板、及疊層在兩者之間的圖樣層。圖樣層例如具有：設計層、金屬蒸鍍層、及設計層。設計層由設計印墨、薄膜、樹脂等所構成。金屬蒸鍍層由ZnS、Ag等所構成，實現金屬風設計。 另一方面，天線結構例如具有：微帶線，設於與罩蓋的玻璃層相反側；天線元件，設在罩蓋的玻璃層側；且在兩者間進行非接觸供電。並且，前述金屬蒸鍍層因為設於微帶線與天線元件的疊層方向間，所以不會使得信號衰減。又，來自天線結構的信號亦受到玻璃層衰減。 本案發明人發現此問題在5G天線中尤其顯著。具體而言，在4G天線中信號的衰減量係數%，相對於此，在5G天線中信號衰減量預測為數十%。
本發明之目的在於，在具有天線功能之罩蓋中，維持運用金屬蒸鍍層的金屬風設計，並且將天線之性能降低加以抑制。 本發明之其它目的在於，在具有天線功能之罩蓋中，將玻璃等罩蓋構件所致的天線發射特性降低加以抑制，藉以提昇天線性能。 [解決問題之方式]
以下說明多數之態樣作為解決問題之方式。此等態樣可因應於必要而任意組合。 本發明的一觀點之具有天線功能之罩蓋，係裝在設有電磁波傳輸線的基板來使用，其具備：罩蓋層；圖樣層；及作為天線元件的超穎表面。 圖樣層在疊層方向上配置於罩蓋層，並包含金屬蒸鍍層。 超穎表面在疊層方向上與圖樣層排列配置，將天線信號加以放大。 在此罩蓋中，藉由圖樣層的金屬蒸鍍層來實現金屬風設計。又，因為罩蓋採用超穎表面，所以磁導率μ呈負值。所以，能降低天線之中的信號衰減量。其結果，能將天線之性能降低加以抑制。
罩蓋亦可更包含：供電部，包含電磁波傳輸線，用以將高週波電力輸入至天線元件。 超穎表面亦可係如下形狀：構成使供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。 在此罩蓋中，能降低天線之中的信號衰減量。其結果，能將天線之性能降低加以抑制。
超穎表面亦可夾隔著圖樣層而在疊層方向上與電磁波傳輸線相向。
超穎表面亦可配置在圖樣層與電磁波傳輸線之疊層方向間，在疊層方向上與電磁波傳輸線相向。
罩蓋亦可更具備：陣列天線，配置在超穎表面與電磁波傳輸線的疊層方向間。
金屬蒸鍍層的厚度亦可係0.1μm以下。 在此罩蓋中，因為充分薄化金屬蒸鍍層，所以能降低天線結構之中的信號衰減量。其結果，能將5G天線之性能降低加以抑制。
金屬蒸鍍層亦可係由ZnS、Al、Ag、Au、及Pt其中任一者所構成。 在此罩蓋中，能實現優異的金屬風設計。
超穎表面亦可係碎形形狀。 在此罩蓋中，天線性能提昇。
陣列天線亦可係能夠對應多重頻段。 超穎表面亦可具有：圖案結構，設在疊層方向上與陣列天線相向的位置。
在此罩蓋中，在能夠對應多重頻段的天線結構中，藉由超穎表面而能將陣列天線之等效電路與超穎表面及罩蓋構件的等效電路之阻抗加以匹配，其結果，能夠減少罩蓋之影響所致的信號衰減及發射圖案之失真現象。另，信號衰減及發射圖案的失真現象之原因可認為是天線輸入阻抗的不匹配或源自於罩蓋本身的物理性損失。
超穎表面的圖案結構亦可具有低頻波用圖案、及高頻波用圖案。
超穎表面的圖案結構亦可具有多重偏振波用的圖案。 [發明之效果]
在本發明之具有天線功能之罩蓋中，能維持運用金屬蒸鍍層的金屬風設計，並且將天線之性能降低加以抑制。
（實施發明之較佳形態）
1.第1實施形態 (1)基本構成 使用圖1，說明背蓋1(具有天線功能之罩蓋的一例)。圖1係第1實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 背蓋1用於行動電話、智慧型手機、平板電腦等電子設備。 背蓋1係構成裝設在電子設備的表示部背面側的框體，或其背面。背蓋1與形成有槽孔陣列天線35a(後述)的基板3(後述)組合來使用。背蓋1主要具有罩蓋構件5與圖樣層7。另，圖1的上側為電子設備的外側，圖1的下側為電子設備的內側(表示部側)。
(2)基板 基板3(基板的一例)係形成為平板狀的主機板PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)。
(3)罩蓋構件 罩蓋構件5(罩蓋層的一例)配置在基板3的疊層方向上側。罩蓋構件5例如係罩蓋玻璃。罩蓋構件5亦可係樹脂、硬式塗層。 罩蓋構件5的厚度例如係0.65mm。罩蓋構件5的底面設有黏接層11。黏接層11的厚度例如係100μm。
(4)圖樣層 圖樣層7(圖樣層的一例)係全體呈一體的薄膜構成，配置在基板3與罩蓋構件5之間。 圖樣層7具有作為基材的PET薄膜13。PET薄膜13的厚度例如係100μm。
圖樣層7配置在PET薄膜13的上側，具有金屬蒸鍍層15、第1設計層17、及黏接層19。此等者依方才的順序自下往上疊層。金屬蒸鍍層15例如由ZnS、Al、Ag、Au、Ni、Pt所構成。第1設計層17由設計印墨、薄膜、樹脂等所構成。金屬蒸鍍層15的厚度係例如0.1μm，第1設計層17的厚度例如係1μm，黏接層19的厚度例如係3~4μm。
金屬蒸鍍層15的厚度宜係0.1μm(100nm)以下。藉此，能維持天線結構9的性能，並且實現背蓋1的金屬風設計。金屬蒸鍍層15的厚度宜係50nm以上或90nm以上。藉此，能實現背蓋1的金屬風設計。
圖樣層7配置在PET薄膜13的下側，具有第2設計層21、底色層23、及襯底層25。此等者依方才順序自上到下疊層。第2設計層21由設計印墨、薄膜、樹脂等所構成。第2設計層21的厚度例如係1μm，底色層23的厚度例如係1μm，襯底層25的厚度例如係1μm。 另，圖樣層的構成、各層的厚度、各層的材料並不特別限定。例如，可省略多數之層的一部分，亦可追加不同的層。
(5)天線結構 天線結構9係5G天線。5G天線所使用的頻率段係下述兩者。 1)sub6：6GHz以下(尤其日本正在研討3.48~4.2GHz，4.4~4.9GHz) 2)mmWave：25~80GHz(尤其日本正在研討43.5GHz以下)
天線結構9採用非接觸供電(aperture coupled feed，孔徑耦合饋電)結構(後述)。
接地電極35及槽孔陣列天線(無電極區域)35a形成在基板3的頂面。
槽孔陣列天線35a形成在俯視中與超穎表面31相同的位置。
天線結構9具有供電線路37(電磁波傳輸線的一例)。 供電線路37形成在基板3的底面。供電線路37形成在俯視中與槽孔陣列天線35a對應的位置。 供電線路37例如係微帶線路，將射頻信號RF供給至天線元件即超穎表面31。供電線路37穿透接地電極35的槽孔陣列天線35a而與超穎表面31以電容耦合連接。另，供電線路37連接於周邊電路(未圖示)。
天線結構9更具有作為5G射頻透鏡而進行天線信號放大的超穎表面31(超穎表面的一例)。超穎表面係指「人工構築的短於入射電波波長之周期結構」。在超穎表面中，由於周期結構的共振現象決定電磁場特性，所以只要藉由合適設計周期結構，即能獲得自然界無法得到的特異電磁場特性。 天線結構9具有低損失薄膜33。低損失薄膜33設於圖樣層7的黏接層19上。超穎表面31作為導電性構件而形成在低損失薄膜33上，因此與接地電極35分開相向配置。 超穎表面31與接地電極35之間配置有前述的圖樣層7。另，在圖樣層7中，金屬蒸鍍層15亦可在與超穎表面31相同的平面位置中，形成有多數之狹縫15a(多數之孔洞的一例)。 只要如此形成有狹縫15a，即能提昇天線性能。
超穎表面31例如以對可見光透明的導電膜製成。具體而言使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、透明導電性墨水(例如銀奈米線墨水)。
以下使用圖2來說明超穎表面31的導電性構件31a之配置。圖2係顯示超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 在圖2中，超穎表面31由形成在低損失薄膜33表面的多數之導電性構件31a所構成。多數之導電性構件31a配置成二維正方格子狀(亦即，矩陣狀)。導電性構件31a係十字形狀。
就變形例而言，超穎表面亦可由在導電性構件中配置成具有周期性的二維正方格子狀(亦即，矩陣狀)的孔洞構成。 導電性構件或孔洞的形狀並不特別限定，亦可係四邊形狀、V字形狀。 如上所述，導電性構件的形狀在圖2之例以外，只要能形成周期性配置即可，亦可係各種形狀。 另，超穎表面只要係如下形狀即可：構成為使將高週波電力輸入至天線元件的供電部(包含供電線路37)與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。
(6)實施形態的效果 1在此背蓋中，藉由圖樣層7的金屬蒸鍍層15來實現金屬風設計。再者，因為採用超穎表面31作為5G天線來設置在槽孔陣列天線35a上，所以磁導率μ呈負值。再者，超穎表面構成為使將高週波電力輸入至天線元件的供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。所以，能降低天線結構9之中的信號衰減量。其結果，能將5G天線之性能降低加以抑制。 在此背蓋1中，因為金屬蒸鍍層15的厚度係0.1μm以下，充分薄，所以能降低天線結構9之中的信號衰減量。其結果，能將5G天線之性能降低加以抑制。
在此背蓋1中，在金屬蒸鍍層15中，供電線路37及超穎表面31的疊層方向間形成有多數之狹縫15a，所以能降低天線結構9之中的信號衰減量。其結果，能將5G天線之性能降低加以抑制。
超穎表面31如上所述地藉由金屬圖案層來構成，穿透的電磁波之相位因應於自該金屬圖案層上的代表點起算之距離而不同。金屬圖案層將含有金屬而構成的多數種類之單位結構，以固定規則而規則性排列，或隨機性排列成二維的結構。單位結構的大小比起電磁波的波長而言充分小。因此，單位結構的集合作為電磁性連續介質而發揮功能。藉由金屬圖案層的結構來控制磁導率及介電系數，藉而得以獨立控制折射率(相位速度)及阻抗。其結果，能縮短波源與超穎表面的距離，進而能實現阻抗匹配。 再者，在本實施形態中，背蓋1的上側部分設有罩蓋構件5，但藉由超穎表面31將玻璃等罩蓋構件5所致的天線發射特性降低加以抑制，藉以提昇天線性能。
2.第2實施形態 在第1實施形態中，超穎表面夾隔著圖樣層而在疊層方向上與電磁波傳輸線相向。然而，超穎表面亦可配置在圖樣層與電磁波傳輸線的疊層方向間，在疊層方向上與電磁波傳輸線相向。此種情形，天線結構整個配置在圖樣層的單側。 將此種實施例說明作為第2實施形態。
(1)基本構成 使用圖3來說明第2實施形態之背蓋1A(具有天線功能之罩蓋的一例)。圖3係第2實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 背蓋1A係構成裝設在電子設備的表示部背面側的框體，或其背面。背蓋1A主要具有罩蓋構件5A與圖樣層7A。係與形成有陣列天線35A的基板3A組合來使用。另，圖1的上側為電子設備的外側，圖1的下側為電子設備的內側(表示部側)。
(2)基板 基板3A(基板的一例)係形成為平板狀的主機板PCB。
(3)罩蓋構件 罩蓋構件5A(罩蓋層的一例)配置在基板3A的疊層方向上側。罩蓋構件5A例如係罩蓋玻璃。罩蓋構件5A亦可係樹脂、硬式塗層。 罩蓋構件5A的厚度例如係0.65mm。
(4)圖樣層 圖樣層7A(圖樣層的一例)係整個為一體的薄膜構成，配置在基板3A與罩蓋構件5A之間。 圖樣層7A具有作為基材的PET薄膜13A。PET薄膜13A的厚度例如係0.1μm。
圖樣層7A配置在PET薄膜13A的上側，具有金屬蒸鍍層15A、第1設計層17A、及黏接層19A。此等者依方才順序自下往上疊層。金屬蒸鍍層15A例如由ZnS、Al、Ag、Au、Ni、Pt所構成。第1設計層17A由設計印墨、薄膜、樹脂等所構成。金屬蒸鍍層15A的厚度例如係0.1μm，第1設計層17A的厚度例如係1μm，黏接層19A的厚度例如係3~4μm。
金屬蒸鍍層15A的厚度宜係0.1μm(100nm)以下。藉此，能維持天線結構9A的性能，並且實現背蓋1的金屬風設計。金屬蒸鍍層15A的厚度宜係50nm以上或90nm以上。藉此，能實現背蓋1的金屬風設計。
圖樣層7A配置在PET薄膜13的下側，具有第2設計層21A、底色層23A、襯底層25A、及黏接層27A。此等者依方才順序自上往下疊層。第2設計層21A由設計印墨、薄膜、樹脂等所構成。第2設計層21A的厚度例如係1μm，底色層23A的厚度例如係1μm，襯底層25A的厚度例如係1μm。黏接層27A的厚度例如係100μm。 另，圖樣層的構成、各層的厚度、各層的材料並不特別限定。例如，可省略多數之層的一部分，亦可追加不同的層。
(5)天線結構 使用圖3~圖5來說明天線結構9A。圖4係陣列天線與超穎表面之俯視圖。圖5係陣列天線之俯視圖。 天線結構9A係5G天線。 天線結構9A具有陣列天線35A。陣列天線35A形成在基板3A的頂面。如圖4所示，陣列天線35A具有多數之補丁天線35A1。
天線結構9A具有供電線路37A(電磁波傳輸線的一例)。供電線路37A形成在基板3A的底面。供電線路37A形成在俯視中與陣列天線35A對應的位置。 供電線路37A例如係微帶線路，將射頻信號RF供給至陣列天線35A。另，供電線路37A連接在周邊電路(未圖示)。又，供電線路37A與陣列天線35A以接頭等連接。
背蓋1A具有低損失薄膜33A。低損失薄膜33A配置在圖樣層7A與基板3A之間。低損失薄膜33A與基板3A之間配置有黏接層29A。 背蓋1A具有超穎表面31A(超穎表面的一例)。超穎表面31A如圖5所示，形成在俯視中與陣列天線35A對應的位置。
超穎表面31A在低損失薄膜33A上形成作為導電性構件。超穎表面31A在本實施形態中由銅所構成。 超穎表面31A係如下形狀：構成為使將高週波電力輸入至天線元件的供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。
在本實施形態的基本結構中，因為在天線結構9A的上側配置有背蓋1A的圖樣層7A，所以有發生衰減而天線發射特性因此降低之虞。 又，在本實施形態的基本結構中，因為在天線結構9A的上側配置有罩蓋構件5A，而亦有可能由此發生衰減。 所以，在本實施形態中，將超穎表面31A配置在陣列天線35A的上側，將罩蓋構件5A所致的天線發射特性降低加以抑制。 再者，超穎表面31A構成使將高週波電力輸入至天線元件的供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。因此，提昇天線性能。藉此，獲得高指向性且高增益的天線。
如上所述，在本實施形態中，背蓋1A藉由具有超穎表面31A來實現單獨製品即帶有設計的背蓋，其係與形成有陣列天線35A的基板3A組合來使用。
3.第3實施形態 使用圖6來說明第3實施形態作為第2實施形態的變形例。 圖6係第3實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 因為基本上的結構係與第2實施形態相同，故以天線結構為中心來說明。
在本實施形態中，藉由罩蓋構件5B、圖樣層7B、低損失薄膜33B及超穎表面31B還有陣列天線35B來實現單獨製品即帶有設計的背蓋，其與形成有供電線路37B及陣列天線35B的基板3組合來使用。 天線結構9B係5G天線。 天線結構9B具有低損失薄膜33B。低損失薄膜33B配置在圖樣層7B與基板3B之間。低損失薄膜33B與基板3B之間配置有黏接層29B。 天線結構9B具有陣列天線35B。陣列天線35B形成在低損失薄膜33B的底面。陣列天線35B具有多數之補丁天線35B1。
天線結構9B具有供電線路37B(電磁波傳輸線的一例)。供電線路37B形成在基板3B的底面。 供電線路37B例如係微帶線路，將射頻信號RF供給至陣列天線35B。另，供電線路37B連接於周邊電路(未圖示)。又，供電線路37B與陣列天線35B以非接觸供電來連接。所以，與第2實施形態不同，無須接頭等。
天線結構9B具有超穎表面31B(超穎表面的一例)。超穎表面31B在低損失薄膜33B的頂面形成作為導電性構件。超穎表面31B形成在俯視中與陣列天線35B對應的位置。 超穎表面31B在本實施形態中由銅所構成。
在本實施形態中，藉由罩蓋構件5B、圖樣層7B、低損失薄膜33B及超穎表面31B還有陣列天線35B來實現單獨製品即帶有設計的背蓋，其與形成有供電線路37B及陣列天線35B的基板3組合來使用。
4.第4實施形態 使用圖7說明用於超穎表面的圖案形狀之變形例作為第4實施形態。圖7係顯示第4實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 超穎表面31C由形成在低損失薄膜33表面的多數之導電性構件31c所構成。導電性構件31c係四邊形(具體而言為正方形)框狀。
5.第5實施形態 使用圖8說明用於超穎表面的圖案形狀之變形例來作為第5實施形態。圖8係顯示第5實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 超穎表面31D由形成在低損失薄膜33表面的多數之導電性構件31c所構成。導電性構件31d係雙重的四邊形(具體而言為正方形)框狀。內外的四邊形在相反側位置具有切斷部。
6.第6實施形態 使用圖9說明用於超穎表面的圖案形狀之變形例作為第6實施形態。圖9係顯示第6實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 超穎表面31E由形成在低損失薄膜33表面的多數之導電性構件31e所構成。導電性構件31e係外側四邊形(具體而言為正方形)框狀及內側四邊形(具體而言為正方形的)的塗滿形狀。
7.第7實施形態 使用圖10說明用於超穎表面的圖案形狀之變形例作為第7實施形態。圖10係顯示第4實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 超穎表面31F由形成在低損失薄膜33表面的多數之導電性構件31f所構成。導電性構件31f具有四邊形(具體而言為正方形)框狀及從其各邊往內側延伸的突起部。
8.第8實施形態 在第1~第7實施形態中，超穎表面的多數之導電性構件係比較單純的形狀，但導電性構件的形狀並不特別限定。 為了薄化背蓋的厚度，宜為了容易構成將阻抗加以匹配的等效電路而增加超穎表面的導電性構件之數量、使圖案形狀複雜。 使用圖11~圖13說明此種實施例作為第8實施形態。圖11係顯示第8實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性立體圖。圖12係顯示超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。圖13係天線結構的等效電路圖。
在此實施形態中，超穎表面31G的導電性構件31g係碎形形狀。碎形係指圖樣的部分與全體呈自我相似(遞迴)。 具體而言，超穎表面31G的導電性構件31g係由自我相似的多數之四邊形所構成的形狀。另，導電性構件31g的最小單位係四邊形的導電性構件，該導電性構件在正中央具有並未形成導電性構件的四邊形部分。
如上所述地將導電性構件31g定為碎形形狀，藉以提昇天線性能。其理由係在於，只要係碎形形狀，則如圖13所示，等效電路的變形變多，而可廣泛使用等效電路的各組件之常數的動態範圍。
使用圖14說明變形例。圖14係顯示變形例之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 在此變形例中，超穎表面31H的導電性構件31h係碎形形狀。具體而言，導電性構件31h係由自我相似的無數之三角形所構成的圖樣。 另，導電性構件31h的最小單位係三角形的導電性構件，該導電性構件的相同朝向的三者之間存在有並未形成導電性構件的顛倒的三角形部分。 碎形的形狀不限定於上述例。
另，亦可在第1實施形態的背蓋之層構成(圖1)中，將超穎表面的圖案形狀呈碎形。此種情形，能使磁導率μ呈負值，再者，能夠呈可進行阻抗匹配的等效電路。以上能降低天線結構之中的信號衰減量。其結果，能將5G天線之性能降低加以抑制。 又，在第2實施形態的背蓋之層構成(圖3)中，亦可使超穎表面的圖案形狀為碎形。此種情形，能提高將罩蓋構件5A所致的天線發射特性降低加以抑制的效果。 再者，亦可在第3實施形態的背蓋之層構成(圖6)中，使超穎表面的圖案形狀呈碎形。此種情形，將罩蓋構件5B所致的天線發射特性降低加以抑制。
9.第9實施形態 使用圖15~圖19說明第9實施形態的背蓋1I之天線結構9I。圖15係第9實施形態的具有天線功能之罩蓋的示意性剖視圖。圖16係陣列天線之俯視圖。圖17係高頻波用補丁與低頻波用補丁的俯視圖。圖18係低頻波用補丁的俯視圖。圖19係阻抗調整用補丁的立體圖。另，背蓋1I的罩蓋構件5I(後述)與第2實施形態的罩蓋構件5A同樣具有超穎表面31I(後述)，與形成有陣列天線35I(後述)的基板3I(後述)組合來使用。 其中，黏接層可係空氣層亦可係其它層(例如，樹脂層)。 天線結構9I係對應多重頻段(具體而言為雙頻)，且係單一偏振波用的5G天線。
在圖15中，示意性顯示陣列天線35I、超穎表面31I、及罩蓋構件5I。陣列天線35I在基板3I的頂面形成多數個。基板3I的第2面形成有接地電極34I。圖1下側顯示有各陣列天線35I的等效電路(共振LC電路)。又，圖15左側顯示有超穎表面31I及背蓋1I的等效電路。 圖15左側的等效電路並列配置有各超穎表面31I所形成的兩個2CMeta ，此等者之間連接有CCover 。藉由合適調整超穎表面31I的形狀還有數量，能夠變更兩個2CMeta 之值，藉此而得以將陣列天線35I的等效電路與超穎表面31I及罩蓋構件5I的等效電路之阻抗加以匹配。
天線結構9I具有前述的陣列天線35I。各陣列天線35I從下往上依序中間夾有樹脂層等而具有低頻波用補丁36、高頻波用補丁38、及阻抗調整用補丁39。 低頻波用補丁36如圖18所示，在俯視中係正方形。低頻波用補丁36係發射低頻波(例如，28GHz)信號的補丁。 高頻波用補丁38係發射高頻波(例如，38GHz)信號的補丁。高頻波用補丁38如圖17所示，在俯視中係正方形，設在俯視中與低頻波用補丁36重疊的位置。另，高頻波用補丁38面積小於低頻波用補丁36。
阻抗調整用補丁39設在俯視中與低頻波用補丁36及高頻波用補丁38重疊的位置。阻抗調整用補丁39如圖19所示，具有第1補丁41及第2~第5補丁42~45。 第1補丁41在俯視中係正方形，形成在基板3I的頂面。第1補丁41大致上係與高頻波用補丁38對應的位置及面積。第2~第5補丁42~45形成在基板3I的頂面，分別接近地配置在第1補丁41的四邊，在俯視中係長方形。第2~第5補丁42~45大致上係與低頻波用補丁36的四邊部分對應的位置及面積。 另，天線結構可採用非接觸供電，亦可將供電線路與陣列天線加以連接。 低頻波補丁與高頻波補丁的形狀、數量、還有彼此的位置關係並不特別限定。例如，兩者亦可排列設在相同的面。
使用圖20~圖23說明超穎表面的構成。圖20係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。圖21係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性俯視圖。圖22係超穎表面的第1圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。圖23係超穎表面的第2圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 如圖20所示，超穎表面31I(超穎表面的一例)形成在背蓋1I的低損失薄膜33I中，與陣列天線35I在俯視中相對應的位置。超穎表面31I係導電性構件，在本實施形態中由銅所構成。另，低損失薄膜33I例如由環烯烴聚合物(COP)樹脂所構成。
超穎表面31I係如下形狀：構成使將高週波電力輸入至天線元件的供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。以下，具體說明超穎表面31I的圖案。 如圖20~圖22所示，超穎表面31I具有低頻波用的第1圖案51。第1圖案51以濃灰色來顯示，在俯視中，與第2補丁42對應的第1主要圖案51A、及在其兩端分離設置的成對之第1次要圖案51B。再者，第1圖案51具有在俯視中與第4補丁44對應的第2主要圖案51C及在其兩端分離設置的成對之第2次要圖案51D。
第1主要圖案51A及第2主要圖案51C係矩形框狀(中間挖空的形狀)，配置成在俯視中分別將第2補丁42及第4補丁44空出縫隙而包圍。成對之第1次要圖案51B及成對之第2次要圖案51D亦係矩形框狀。
如圖20~圖21及圖23所示，超穎表面31I具有高頻波用的第2圖案52。第2圖案52以薄灰色來顯示，具有在俯視中與第2補丁42對應的第3主要圖案52A、及在其兩端分離設置的成對之第3次要圖案52B。再者，第2圖案52具有在俯視中與第4補丁44對應的第4主要圖案52C、及在其兩端分離設置的成對之第4次要圖案52D。
第3主要圖案52A及第4主要圖案52C係矩形的填滿形狀(中間亦塗滿的形狀)，配置成分別與第2補丁42及第4補丁44重疊。成對之第3次要圖案52B及成對之第4次要圖案52D亦係填滿形狀，配置成與第2補丁42及第4補丁44的端部有一部分重疊。 第3主要圖案52A與成對之第3次要圖案52B配置成在俯視中與第1圖案51的第1主要圖案51A內側空出縫隙。 第4主要圖案52C與成對之第4次要圖案52D配置成在俯視中與第1圖案51的第2主要圖案51C內側空出縫隙。
圖22及圖23所示的虛線箭頭係供電方向，如此來實現垂直的單一偏振波的天線。
依據以上配置，藉由第1圖案51來形成圖22所示的等效電路。又，藉由第2圖案52來形成圖23所示的等效電路。 使用此種等效電路來進行阻抗匹配。例如，藉由將史密斯圖之中的阻抗位置帶到中心(完全匹配的位置)來進行阻抗匹配。具體而言，在有罩蓋且無超穎表面的參考例中相應的頻率下將史密斯圖的阻抗之位置靠近圓的中心。
使用圖24~圖26說明本實施形態的效果。圖24係將低頻波的電場分布以無罩蓋、有罩蓋(無超穎表面)、有罩蓋(有超穎表面)來比較的模擬圖。 圖25係將高頻波的電場分布以無罩蓋、有罩蓋(無超穎表面)，有罩蓋(有超穎表面)來比較的模擬圖。圖26係顯示本實施形態之中的回傳損失(反射損失)之模擬圖。
低頻波(例如28GHz)之情形，如圖24所示，左圖係無罩蓋的電場分布，獲得良好的結果。再者，正中央的圖係有罩蓋(無超穎表面)的電場分布，獲得不佳的結果。並且，右圖係有罩蓋(有超穎表面)的電場分布，比起正中央的有罩蓋(無超穎表面)獲得良好的結果。另，在圖中，發生例如2000V/m以上的電場的區域以虛線圍繞。 高頻波(例如38GHz)之情形，如圖25所示，左圖係無罩蓋的電場分布，獲得良好的結果。再者，正中央的圖係有罩蓋(無超穎表面)的電場分布，獲得不佳的結果。並且，右圖係有罩蓋(有超穎表面)的電場分布，比起正中央的有罩蓋(無超穎表面)獲得良好的結果。另，在圖中，發生例如2000V/m以上的電場的領域以虛線圍繞。
再者，在本實施形態中，如圖26所示，在低頻波及高頻波雙方，獲得S11回傳損失呈-7dB以下的良好結果。此點係意指適恰地實現阻抗匹配。又，雖未圖示，但在本實施形態中，在28GHz增益呈11.3dBi，在38GHz增益呈8.94dBi，例如比起無超穎表面者而言，提昇約2dBi。又，雖未圖示，但在本實施形態中發射圖案的失真亦變少。
在本實施形態的基本結構中，因為在天線結構9I的上側配置有背蓋1I的圖樣層，所以發生衰減，因此有天線發射特性降低之虞。 又，在本實施形態的基本結構中，因為在天線結構9I的上側配置有罩蓋構件5I，所以有可能亦因此而發生衰減。 所以，在本實施形態中，將超穎表面31I配置在陣列天線35I的上側，將罩蓋構件5I所致的天線發射特性降低加以抑制。 再者，超穎表面31I構成使將高週波電力輸入至天線元件的供電部與天線元件之阻抗加以匹配的等效電路。因此，提昇天線性能。藉此，獲得高指向性且高增益的天線。
如上所述，在本實施形態中，背蓋1I藉由具有超穎表面31I，而實現單獨製品即帶有設計的背蓋，其係與形成有陣列天線35I的基板3I組合來使用。
(1)第9實施形態的第1變形例 在第9實施形態中，超穎表面的第1圖案與第2圖案係形成在相同的面，但此等者亦可形成在不同的面。 使用圖27說明此種實施例來作為第9實施形態的第1變形例。圖27係顯示第1變形例的超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。 低損失薄膜54設在低損失薄膜33I的底面。 低損失薄膜54例如係樹脂製。低損失薄膜54的頂面形成有超穎表面31I的第1圖案51，低損失薄膜54的底面形成有超穎表面31I的第2圖案52。
在上述結構中，可將第1圖案51與第2圖案52在疊層方向上重疊配置。所以，超穎表面的設計自由度提高，其結果，天線性能提昇。 再者，只要使低損失薄膜54的數量為多數，能更加提高超穎表面的設計自由度，其結果，天線性能提昇。 另，在圖27的構成中，亦可省略低損失薄膜33I。此種情形設置塗覆層用以保護第1圖案51。
(2)第9實施形態的第2變形例 超穎表面的形狀可依據陣列天線之形狀還有必要的特性而為各種形狀還有配置。以下，在第2~第5變形例中，說明超穎表面的圖案之變形。 使用圖28說明第9實施形態的第2變形例。圖28係顯示第2變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31J就與四個陣列天線對應的圖案而言，具有排列在圖上下方向的三個矩形框狀圖案、配置在正中央的矩形框狀圖案之圖左右的一個矩形填滿圖案(圖上下方向較長的主要圖案，及配置在該圖上下兩側的圖上下方向較短的成對之次要圖案)。 另，超穎表面31J之配置在圖上下方向中間的矩形框狀圖案，與設在其兩側的成對之矩形填滿圖案，係與陣列天線對應設置。
(3)第9實施形態的第3變形例 使用圖29說明第9實施形態的第3變形例。圖29係顯示第3變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31K就與與一個陣列天線對應的圖案而言，具有第1矩形框狀圖案與配置在其外側的第2矩形框狀圖案。
(4)第9實施形態的第4變形例 使用圖30說明第9實施形態的第4變形例。圖30係顯示第4變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31L就與一個陣列天線對應的圖案而言，具有往圖上下方向延伸的成對之矩形填滿狀圖案。各矩形填滿狀圖案在彼此相向側具有往圖左右方向延伸的狹縫。
(5)第9實施形態的第5變形例 使用圖31說明第9實施形態的第5變形例。圖31係顯示第5變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31M就與一個陣列天線對應的圖案而言，具有往圖上下方向延伸的成對之矩形填滿狀圖案。各矩形填滿狀圖案在圖上下方向兩端具有往彼此靠近的方向延伸的突起。再者，各矩形填滿狀圖案具有圖上側開口的U字或C字形的狹縫。
10.第10實施形態 在第9實施形態中，陣列天線係單一偏振波用，但亦可將本發明應用在多重偏振波用的陣列天線。此種情形，超穎表面31N的圖案結構具有多重偏振波用的圖案。 使用圖32~圖35說明此種實施例來作為第10實施形態。圖32係顯示第10實施形態的超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。圖33係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性俯視圖。圖34係超穎表面的包含第1圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。圖35係超穎表面的第2圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 天線結構9N係對應多重頻段(具體而言為雙頻)，且係多重偏振波用的5G天線。另，在以下說明中，關於與第9實施形態相同的構成則省略說明。
陣列天線35N係與第9實施形態相同的形狀，但傾斜45度來配置。藉由如此將天線圖案傾斜45度來實現45度偏振波，比起發送接收的進行波係固定在垂直、水平的天線圖案更加提高發送接收機率(以下同)。 如圖32~圖34所示，超穎表面31N具有第1圖案61。第1圖案61以濃灰色來顯示，具有在俯視中與第2補丁42對應的第1主要圖案61A、與第3補丁43對應的第2主要圖案61B、與第4補丁44對應的第3主要圖案61C、及與第5補丁45對應的第4主要圖案61D。再者，第1圖案61具有形成在上述主要圖案彼此端間位置的第1~第4次要圖案61E~61H。 第1~第4主要圖案61A~61D係框形狀。第1~第4次要圖案61E~61H係框形狀。
如圖32~圖33及圖35所示，超穎表面31N具有第2圖案62。第2圖案62以薄灰色來顯示，具有在俯視中與第2補丁42對應的第5主要圖案62A、與第3補丁43對應的第6主要圖案62B、與第4補丁44對應的第7主要圖案62C、及與第4補丁44對應的第8主要圖案62D。再者，第2圖案62具有設於第5主要圖案62A兩端的成對之第5次要圖案62E、設於第6主要圖案62B兩端的成對之第6次要圖案62F、設於第7主要圖案62C兩端的成對之第7次要圖案62G、及設於第8主要圖案62B兩端的成對之第8次要圖案62H。
成對之第5次要圖案62E與第2補丁42對應，在俯視中與第5主要圖案62A共同配置在第1主要圖案61A內。 成對之第7次要圖案62G與第4補丁44對應，在俯視中與第7主要圖案62C共同配置在第3主要圖案61C內。
成對之第6次要圖案62F在俯視中配置在第3補丁43外側，分別配置在第1圖案61的第1次要圖案61E及第2次要圖案61F內。 成對之第8次要圖案62H在俯視中配置在第5補丁45外側，分別配置在第1圖案61的第3次要圖案61G及第4次要圖案61H內。
第5~第8主要圖案62A~62D係填滿形狀，分別配置成與第2~第5補丁42~45重疊。成對之第5~第8次要圖案62E~62H係填滿形狀。 圖33~圖35所示的虛線箭頭係供電方向，如此來實現雙重偏振波(垂直偏振波與水平偏振波)的天線。
依據以上配置，藉由第1圖案61形成圖34所示的等效電路。又，藉由第2圖案62形成圖35所示的等效電路。 使用此種等效電路來進行阻抗匹配。例如，藉由將史密斯圖之中的阻抗位置帶到中心(完全匹配的位置)來進行阻抗匹配。具體而言，在有罩蓋且無超穎表面的參考例中相應的頻率使史密斯圖的阻抗位置靠近圓的中心。
(1)第10實施形態的第1變形例 在第10實施形態中，超穎表面的第1圖案與第2圖案形成在相同的面，但此等者亦可形成在不同的面。 使用圖36說明第10實施形態的第1變形例。圖36係顯示第1變形例的超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。 低損失薄膜64設在低損失薄膜33N的底面。 低損失薄膜64例如係樹脂製。低損失薄膜64的頂面形成有超穎表面31N的第1圖案61，低損失薄膜64的底面形成有超穎表面31N的第2圖案62。
在上述結構中，第1圖案61與第2圖案62可在疊層方向上重疊。所以，超穎表面的設計自由度提高，其結果，天線性能提昇。 再者，只要使低損失薄膜64的數量為多數，超穎表面的設計自由度更加提高，其結果，天線性能提昇。
(2)第10實施形態的第2變形例 超穎表面的形狀可依據陣列天線之形狀還有必要的特性而為各種形狀還有配置。以下，在第2~第5變形例中，說明超穎表面的圖案之變形。 使用圖37說明第10實施形態的第2變形例。圖37係顯示第2變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31O與第9實施形態的第2變形例同樣，就與一個陣列天線對應的圖案而言，具有三個矩形框狀圖案、及配置在正中央的矩形形狀圖案兩側的矩形填滿圖案。 其中，超穎表面31O係將第9實施形態的第2變形例的各圖案之配置傾斜45度。
再者，如圖37所示，超穎表面31O具有黑色的第1層與灰色的第2層。第1層與第2層係對應的圖案彼此排列在疊層方向上，但方向錯開90度。 超穎表面31O的第1層與第2層分別形成在基材薄膜的各面。就變形例而言，亦可將形成有超穎表面的第1層之薄膜與形成有第2層之薄膜加以疊層。
(3)第10實施形態的第3變形例 使用圖38說明第10實施形態的第3變形例。圖38係顯示第3變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31P與第9實施形態的第3變形例同樣，就與一個陣列天線對應的圖案而言，具有第1矩形框狀圖案及配置在其外側的第2矩形框狀圖案。 其中，超穎表面31P係將第9實施形態的第2變形例之各圖案的配置傾斜45度。
(4)第10實施形態的第4變形例 使用圖39說明第10實施形態的第4變形例。圖39係顯示第4變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31Q與第9實施形態的第4變形例同樣，就與一個陣列天線對應的圖案而言，具有往圖上下方向延伸的成對之矩形填滿狀圖案。各矩形填滿狀圖案在彼此相向側具有往圖左右方向延伸的狹縫。 其中，超穎表面31Q係將第9實施形態的第4變形例之各圖案哦配置傾斜45度。
再者，如圖39所示，超穎表面31Q具有黑色的第1層與灰色的第2層。第1層與第2層係對應的圖案彼此排列在疊層方向上，但方向錯開90度。
(5)第10實施形態的第5變形例 使用圖40說明第10實施形態的第5變形例。圖40係顯示第5變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 超穎表面31R與第9實施形態同樣，就與一個陣列天線對應的圖案，具有往圖上下方向延伸的成對之矩形填滿狀圖案。各矩形填滿狀圖案，在圖上下方向兩端具有往彼此靠近方向延伸的突起。再者，各矩形填滿狀圖案具有圖上側開放的U字或C字形的狹縫。 其中，超穎表面31R係將第9實施形態的第5變形例之各圖案的配置傾斜45度。
再者，如圖40所示，超穎表面31R具有黑色的第1層與灰色的第2層。第1層與第2層係對應的圖案彼此排列在疊層方向上，但方向錯開90度。
另，將超穎表面的圖案的角定為直角形狀時，有時會產生寄生分量而發生例如有多餘的電流流通的故障。所以，為了降低寄生分量而調整超穎表面的圖案(形狀、寬度、還有間隔等)。
12.其它實施形態 以上已說明本發明的多數之實施形態，但本發明並非限定於上述實施形態，可在不脫離發明主旨精神的範圍進行各種變更。尤其，本說明書記載的多數之實施形態及變形例可因應於必要而任意組合。 在第1實施形態中，設有超穎表面的低損失薄膜亦可固定在罩蓋層。 在第1實施形態中，在金屬蒸鍍層中，與天線結構對應的位置亦可未形成有狹縫。 本實施形態之罩蓋，不僅使用在智慧型手機等電子設備，亦使用在天線基地台的天線還有中繼器的框體。此種情形，罩蓋並非配置在框體後(背蓋)而係在前側的面。
在第1~第10實施形態全部之中，超穎表面的圖案形狀可變更成如下形狀：能夠使磁導率μ呈負值，而且能夠構成得以阻抗匹配的等效電路。藉由變更成此種形狀，提昇天線性能。
就第9實施形態及第10實施形態的變形例而言，天線可對應至三個以上的頻率段，此種情形，超穎表面亦設計成具有對應至各頻率帶的圖案。又，超穎表面的各圖案，在矩形以外亦可係圓還有其它形狀。 [產業利用性]
本發明可廣泛應用在具有天線功能之罩蓋。
1,1A,1B,1I:背蓋 3,3A,3B:基板 5,5A,5B,5I:罩蓋構件 7,7A,7B:圖樣層 9,9A,9B,9I,9N:天線結構 11,11A:黏接層 13,13A,13B:PET薄膜 15,15A,15B:金屬蒸鍍層 15a:狹縫 17,17A:第1設計層 19,19A:黏接層 21,21A:第2設計層 23,23A:底色層 25,25A:襯底層 31,31A,31B,31C,31D,31E,31F,31G,31H,31I,31J,31K,31L,31M,31N,31O,31P,31Q,31R:超穎表面 31a,31c,31d,31e,31f,31g,31h:導電性構件 31b:孔洞 33,33A,33B,33I,33N,64:低損失薄膜 34I,35,35A,35B,35I,35N:接地電極 35a:開口部 35A1,35B1:補丁天線 36:低頻波用補丁 37,37A,37B:供電線路 38:高頻波用補丁 39:阻抗調整用補丁 41:第1補丁 42:第2補丁 43:第3補丁 44:第4補丁 45:第5補丁 51:第1圖案 51A,61A:第1主要圖案 51B,61E:第1次要圖案 51C,61B:第2主要圖案 51D,61F:第2次要圖案 52,62:第2圖案 52A,61C:第3主要圖案 52B,61G:第3次要圖案 52C,61D:第4主要圖案 52D,61H:第4次要圖案 61:第1圖案61 62A:第5主要圖案 62B:第6主要圖案 62C:第7主要圖案 62D:第8主要圖案 62E:第5次要圖案 62F:第6次要圖案 62G:第7次要圖案 62H:第8次要圖案
圖1係第1實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 圖2係顯示超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖3係第2實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 圖4係陣列天線與超穎表面之俯視圖。 圖5係陣列天線之俯視圖。 圖6係第3實施形態之背蓋的示意性剖視圖。 圖7係顯示第4實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖8係顯示第5實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖9係顯示第6實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖10係顯示第7實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖11係顯示第8實施形態之超穎表面的圖案形狀之示意性立體圖。 圖12係顯示超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖13係天線結構的等效電路圖。 圖14係顯示變形例之超穎表面的圖案形狀之示意性俯視圖。 圖15係第9實施形態的具有天線功能之罩蓋的示意性剖視圖。 圖16係陣列天線之俯視圖。 圖17係高頻波用補丁與低頻波用補丁之俯視圖。 圖18係低頻波用補丁之俯視圖。 圖19係阻抗調整用補丁之立體圖。 圖20係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。 圖21係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性俯視圖。 圖22係超穎表面的第1圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 圖23係超穎表面的第2圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 圖24係將低頻波的電場分布以無罩蓋、有罩蓋(無超穎表面)、有罩蓋(有超穎表面)來比較的模擬圖。 圖25係將高頻波的電場分布以無罩蓋、有罩蓋(無超穎表面)、有罩蓋(有超穎表面)來比較的模擬圖。 圖26係顯示本實施形態之中的回傳損失之模擬圖。 圖27係顯示第1變形例的超穎表面與陣列天線之對應關係之示意性剖視圖。 圖28係顯示第2變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖29係顯示第3變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖30係顯示第4變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖31係顯示第5變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖32係顯示第10實施形態的超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。 圖33係顯示超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性俯視圖。 圖34係超穎表面的第1圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 圖35係超穎表面的第2圖案之包含等效電路的示意性俯視圖。 圖36係顯示第1變形例的超穎表面與陣列天線之對應關係的示意性剖視圖。 圖37係顯示第2變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖38係顯示第3變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖39係顯示第4變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。 圖40係顯示第5變形例之超穎表面的圖案之示意性俯視圖。
1:背蓋
3:基板
5:罩蓋構件
7:圖樣層
9:天線結構
11:黏接層
13:PET薄膜
15:金屬蒸鍍層
15a:狹縫
17:第1設計層
19:黏接層
21:第2設計層
23:底色層
25:襯底層
31:超穎表面
33:低損失薄膜
35:接地電極
35a:開口部
37:供電線路

Claims (11)

  1. 一種具有天線功能之罩蓋，安裝在設有電磁波傳輸線的基板來使用，其包含： 罩蓋層； 圖樣層，在疊層方向上配置於該罩蓋層，並包含金屬蒸鍍層；及 超穎表面，作為天線元件而在疊層方向上與該圖樣層排列配置，將天線信號加以放大。
  2. 如請求項1之具有天線功能之罩蓋，其中，更包含： 供電部，包括該電磁波傳輸線，用以將高週波電力輸入至該天線元件； 且該超穎表面係呈如下形狀：構成令該供電部與該天線元件之阻抗相匹配的等效電路。
  3. 如請求項1或2之具有天線功能之罩蓋，其中， 該超穎表面在疊層方向上與該電磁波傳輸線夾隔著該圖樣層而相向。
  4. 如請求項1或2之具有天線功能之罩蓋，其中，該超穎表面配置在該圖樣層與該電磁波傳輸線之疊層方向間，在疊層方向上與該電磁波傳輸線相向。
  5. 如請求項4之具有天線功能之罩蓋，其中，更包含： 陣列天線，配置在該超穎表面與該電磁波傳輸線的疊層方向間。
  6. 如請求項1~5其中任一項之具有天線功能之罩蓋，其中， 該金屬蒸鍍層之厚度係0.1μm以下。
  7. 如請求項1~6其中任一項之具有天線功能之罩蓋， 該金屬蒸鍍層係由Al、Ag、Au、及Pt其中任一者所構成。
  8. 如請求項1~7其中任一項之具有天線功能之罩蓋，其中，該超穎表面係碎形形狀。
  9. 如請求項5之具有天線功能之罩蓋，其中， 該陣列天線能夠對應多重頻段， 該超穎表面具有設在疊層方向上與該陣列天線相向的位置之圖案結構。
  10. 如請求項9之具有天線功能之罩蓋，其中， 該超穎表面的該圖案結構具有低頻波用圖案與高頻波用圖案。
  11. 如請求項9或10之具有天線功能之罩蓋，其中， 該超穎表面的該圖案結構具有多重偏振波用的圖案。
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