TW202126117A - 氣體分配裝置及等離子體處理裝置 - Google Patents

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王曉雯
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Abstract

本發明公開了一種氣體分配裝置及等離子體處理裝置。其中，氣體分配裝置，包括氣體擋板及安裝基板，氣體擋板包括中心氣體入口、邊緣氣體入口、中心氣體擴散區域及邊緣氣體擴散區域，中心氣體擴散區域與邊緣氣體擴散區域之間的區域設置有環形氣體通道及環形容納通道，環形氣體通道與環形容納通道交錯設置；安裝基板上設置有貫穿安裝基板表面的孔道，孔道與中心氣體擴散區域、邊緣氣體擴散區域及環形氣體通道相連通；氣體自中心氣體入口和/或邊緣氣體入口流入至相應的氣體擴散區域並向環形氣體通道與環形容納通道內擴散，於任一環形容納通道內設置環形密封圈，以限制氣體的擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與通道內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道內。

Description

氣體分配裝置及等離子體處理裝置
本發明涉及等離子體刻蝕技術領域，尤其涉及可自由調節氣體分佈面積的氣體分配裝置及具有該氣體分配裝置的等離子體處理裝置。
在等離子體處理裝置進行刻蝕製程處理的過程中，需要引入不同的刻蝕氣體，且這些氣體需要分佈於待刻蝕晶片的相應所需刻蝕區域內。
習知技術中，設置於等離子體處理裝置內的氣體分配裝置，其內的氣體傳輸路徑及氣體分配區域面積都被固定，自氣體入口引入的氣體會被分配至固定的流道區域，而形成固定的氣體分配面積，而後被釋放至刻蝕區域中的一固定區域。若對晶片進行不同製程處理時，既需要通入不同的氣體，且不同製程中氣體在氣體分配裝置中的分配面積需不同，因此需要更換相應的氣體分配裝置以滿足不同的製程處理，更換過程複雜，且需要較高的更換費用。
因此，極需一種可自由調節氣體分佈面積的氣體分配裝置及等離子體處理裝置，以將刻蝕氣體引入至所需的刻蝕區域內。
有鑑於此，本發明提供了一種氣體分配裝置及等離子體處理裝置，有效解決習知技術存在的問題，使得被引入的氣體被填充至相應刻蝕製程所需要的區域內。
為實現上述目的，本發明提供一種氣體分配裝置，包括氣體擋板及與氣體擋板固定連接的安裝基板， 所述氣體擋板包括中心氣體入口、邊緣氣體入口、與中心氣體入口連通的中心氣體擴散區域及與邊緣氣體入口連通的邊緣氣體擴散區域，所述中心氣體擴散區域與邊緣氣體擴散區域之間的區域設置有複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，所述環形氣體通道與環形容納通道交錯設置； 所述安裝基板上設置有貫穿安裝基板表面的孔道，所述孔道與所述中心氣體擴散區域、邊緣氣體擴散區域及環形氣體通道相連通； 氣體自中心氣體入口和/或邊緣氣體入口流入至相應的氣體擴散區域並向氣體擴散區域周圍的環形氣體通道與環形容納通道內擴散，於任一環形容納通道內設置環形密封圈，以限制氣體的擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與通道內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道內。
較佳的，所述氣體擋板進一步包括中間氣體入口及與中間氣體入口相連通的中間氣體擴散區域，所述中間氣體入口位於中心氣體入口與邊緣氣體入口之間，所述中間氣體擴散區域位於中心氣體擴散區域與邊緣氣體擴散區域之間。
較佳的，所述中心氣體擴散區域與中間氣體擴散區域之間的區域設置有複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，所述中間氣體擴散區域與邊緣氣體擴散區域之間的區域設置有複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，各氣體擴散區域之間的複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道交錯設置。
較佳的，氣體自中心氣體入口、中間氣體入口和邊緣氣體入口中的至少之一者流入至相應的氣體擴散區域並向該氣體擴散區域周圍的環形氣體通道與環形容納通道擴散，於任一環形容納通道內設置環形密封圈，以限制氣體的擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與通道內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道內。
較佳的，所述環形氣體通道與環形容納通道的側面開設有開口，以使氣體於環形氣體通道及未設置有環形密封圈的環形容納通道之間流通。
較佳的，設置於安裝基板上的孔道與各氣體擴散區域及各環形氣體通道相連通，而與所述環形容納通道不連通。
較佳的，所述邊緣氣體擴散區域的外側設置有環形槽，所述環形槽內設置有環形密封圈，以阻止氣體向氣體分配裝置的外部流出。
較佳的，所述氣體分配裝置的下方連接有氣體噴淋頭，氣體於氣體分配裝置內分區後被氣體噴淋頭噴射至一等離子體裝置的等離子體反應區內。
較佳的，各擴散區域之間設置有至少2組環形氣體通道及至少3組環形容納通道。
較佳的，設置於環形容納通道內的環形密封圈的直徑介於30mm至120mm之間。
較佳的，所述氣體擋板與安裝基板通過螺栓固定連接。
本發明還提供一種等離子體處理裝置，包括： 由複數個壁圍成的反應腔； 設置在反應腔內的基座，用於固定基片； 設置在反應腔內的氣體噴淋頭，用於引入氣體至反應腔內，所述氣體噴淋頭與所述基座之間為等離子體反應區域； 設置在氣體噴淋頭上方的氣體分配裝置，用於對傳入的氣體進行分區後釋放至所述氣體噴淋頭，所述氣體分配裝置具有如上述的氣體分配裝置所述的特徵。
相較於習知技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點：本發明提供的氣體分配裝置包括氣體擋板及安裝基板，氣體擋板上設置有複數個氣體入口及與相應氣體入口連通的複數個氣體擴散區域，各氣體擴散區域之間設置交錯排列的複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，安裝基板上設置有與各氣體擴散區域及環形容納通道相連通的孔道，氣體自氣體入口流入至相應的氣體擴散區域並向該氣體擴散區域周圍的環形氣體通道與環形容納通道內擴散，通過於某一環形容納通道內設置環形密封圈而阻止氣體的擴散，如此可將充入的不同氣體通過環形密封圈的阻隔而被限制於相應的區域面積內，並且當進行不同的等離子體刻蝕製程，而需要改變之前製程中的氣體分佈區域面積時，只需改變環形密封圈的設置位置，即可改變氣體分佈區域面積，並且多種氣體經密封圈的阻隔，也不會發生混合的現象。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，所屬技術領域中具有通常知識者在沒有做出進步性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
圖1描述了一種用於等離子體處理的等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置包括由複數個壁圍成的反應腔100。反應腔100包括由金屬材料製成的大致為圓柱形的反應腔側壁100a和頂壁100b。反應腔100的上部設置有氣體噴淋頭110和與氣體噴淋頭110相對位於反應腔100下部的基座120。氣體噴淋頭110與基座120之間形成一等離子體反應區域。氣體噴淋頭110的上方連接有氣體分配裝置130，氣體於氣體分配裝置130內分區後被氣體噴淋頭110噴射至等離子體反應區內。基座120用於承載待處理基片w。
反應腔100內進一步包括環繞於氣體分配裝置130的隔離環140，用於限制等離子體於隔離環140所設有的壁體內以防止等離子體擴散腐蝕反應腔100的各壁面。環繞基座120設置有等離子體約束環150，等離子體約束環150上設有排氣通道，通過合理設置排氣通道的深寬比例，在實現將反應氣體排出的同時，將等離子體約束在等離子體反應區內，避免等離子體洩漏到非反應區域，造成非反應區域的部件損傷。基座120與等離子體約束環150之間設置有絕緣環160，用於提供電場遮罩，避免等離子體洩漏。
圖2描述了用於等離子體處理裝置內進行氣體分配的第一種實施方式的氣體分配裝置130的剖視示意圖。該氣體分配裝置130包括位於上方的氣體擋板170及固定連接於氣體擋板170下方的安裝基板180。氣體擋板170與安裝基板180呈圓盤狀，且在上下方向上通過螺栓s固定連接。
請一併參照圖3所示的第一種實施方式的氣體擋板170側視圖。氣體擋板170上設置有位於中心位置的中心氣體入口171、位於中心氣體入口171外側的邊緣氣體入口172、與中心氣體入口171相連通的中心氣體擴散區域173及與邊緣氣體入口172相連通的邊緣氣體擴散區域174。中心氣體入口171與邊緣氣體入口172位於氣體擋板170的頂部，中心氣體擴散區域173與邊緣氣體擴散區域174位於氣體擋板170的底部。中心氣體擴散區域173與邊緣氣體擴散區域174之間的區域設置有複數個環形氣體通道175及複數個環形容納通道176，複數個環形氣體通道175與複數個環形容納通道176交錯設置。各環形氣體通道175與環形容納通道176的側面開設有開口177。
安裝基板180上設置有貫穿安裝基板180表面的複數個孔道181，這些孔道181環繞分列於安裝基板180的大部分區域。
將氣體擋板170與安裝基板180在上下方向上螺栓s固定連接而形成一氣體分配裝置130。安裝基板180上的孔道181在上下方向上與氣體擋板170上的中心氣體擴散區域173、邊緣氣體擴散區域174及環形氣體通道175相連通，而氣體擋板170上的各環形容納通道176並未與安裝基板180上的孔道181相連通而是被安裝基板180的壁面阻隔。
圖4及圖5描述了用於等離子體處理裝置內進行氣體分配的第二種實施方式的氣體分配裝置230的剖視示意圖。
相較於第一種實施方式，第二種實施方式的氣體分配裝置230的氣體擋板270於中心氣體入口271與邊緣氣體入口272之間進一步設置中間氣體入口278，同時於中心氣體擴散區域273與邊緣氣體擴散區域274之間進一步設置中間氣體擴散區域279，該中間氣體擴散區域279與中間氣體入口278相連通。中心氣體入口271、中間氣體入口278及邊緣氣體入口272位於氣體擋板270的頂部，中心氣體擴散區域273、中間氣體擴散區域279與邊緣氣體擴散區域274位於氣體擋板270的底部。中心氣體擴散區域273與中間氣體擴散區域279之間的區域設置有複數個環形氣體通道275及複數個環形容納通道276，複數個環形氣體通道275與複數個環形容納通道276交錯設置。中間氣體擴散區域279與邊緣氣體擴散區域274之間的區域設置有複數個環形氣體通道275及複數個環形容納通道276，複數個環形氣體通道275與複數個環形容納通道276交錯設置。各區域內的各環形氣體通道275與環形容納通道276的側面開設有開口277。
第二種實施方式中的氣體擋板270與安裝基板280的安裝方式與第一種實施方式相同，安裝基板280上的孔道281在上下方向上與氣體擋板270上的中心氣體擴散區域273、中間氣體擴散區域279、邊緣氣體擴散區域274及環形氣體通道275相連通，而氣體擋板270上的各環形容納通道276並未與安裝基板280上的孔道281相連通而是被安裝基板280的壁面阻隔。
在等離子體處理裝置進行刻蝕製程處理的過程中，需要引入不同的刻蝕氣體，且這些氣體需要分佈於待刻蝕晶片的所需刻蝕區域內，傳統的設置於等離子體處理裝置內的氣體分配裝置的結構，其內的氣體傳輸路徑及氣體分配區域面積都被固定，自氣體入口引入的氣體會被分配至固定的流道區域內而後引入固定的刻蝕區域，若對晶片進行不同製程處理時，需要不同的氣體流入該製程所需的流道區域並引入所需的刻蝕區域內時，需要更換相應的氣體分配裝置，更換過程複雜，且需要較高的更換費用。
而本申請中的第一種實施方式的氣體分配裝置130，氣體自中心氣體入口171和/或邊緣氣體入口172流入至相應的中心氣體擴散區域173和/或邊緣氣體擴散區域174，並向該氣體擴散區域周圍的環形氣體通道175與環形容納通道176擴散，且各環形氣體通道175與環形容納通道176的側面開設的開口177有助於更順暢的氣體流動，同時各氣體會被引入安裝基板180的孔道181內以被釋放至晶片相應的等離子體反應區域內。當需要進行刻蝕製程處理時，可根據該刻蝕製程所需要的於晶片上的刻蝕區域，於任一環形容納通道176內設置環形密封圈190，以限制氣體的進一步擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與未被環形密封圈190堵塞流路的環形氣體通道175及環形容納通道176內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道181內，並通過這些孔道181將分區後的氣體釋放至位於氣體分配裝置130下方的氣體噴淋頭110，並由氣體噴淋頭110噴射至相應區域的等離子體處理區。
同理，第二種實施方式的氣體分配裝置230，氣體自中心氣體入口271、中間氣體入口278和邊緣氣體入口272中的至少之一者流入至相應的中心氣體擴散區域273、中間氣體擴散區域279和/或邊緣氣體擴散區域274，並向該氣體擴散區域周圍的環形氣體通道275與環形容納通道276擴散，且各環形氣體通道275與環形容納通道276的側面開設的開口277有助於更順暢的氣體流動，同時各氣體會被引入安裝基板280的孔道281內以被釋放至晶片相應的等離子體反應區域內。當需要進行刻蝕製程處理時，可根據該刻蝕製程所需要的於晶片上的刻蝕區域，於任一環形容納通道276內設置環形密封圈290，以限制氣體的進一步擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與未被環形密封圈290堵塞流路的環形氣體通道275及環形容納通道276內，並通過這些孔道281將分區後的氣體釋放至位於氣體分配裝置230下方的氣體噴淋頭110，並由氣體噴淋頭110噴射至相應區域的等離子體處理區。
較佳的，於第一種實施方式的中心擴散區域173與邊緣擴散區域174之間設置有至少2組環形氣體通道175及至少3組環形容納通道176。於第二種實施方式的中心氣體擴散區域273、中間氣體擴散區域279及邊緣氣體擴散區域274的各區域之間均設置有至少2組環形氣體通道275及至少3組環形容納通道276。同時在兩種實施方式中均設置有與各環形容納通道的直徑相對應的環形密封圈以封堵環形容納通道，具體的，環形密封圈的直徑介於30mm至120mm之間。待進行不同區域刻蝕製程時，只需置換相應的環形密封圈即可。且環形密封圈密封性能好、價格便宜，能夠帶來非常好的實用效果，且刻蝕過程中，常常需要在不同的區域流入不同的刻蝕氣體，而環形密封圈既能限制氣體的擴散區域面積也能較好的隔離不同氣體。
另外，第一種實施方式與第二實施方式中氣體擋板的邊緣氣體擴散區域的外側均設置有環形槽210，該環形槽210內設置有環形密封圈220，以阻止氣體向氣體分配裝置的外部流出。
本申請於第一種實施方式及第二種實施方式中的環形氣體通道及環形容納通道的側面開設有開口，以助於更順暢的氣體流動，當然在其他實施方式中，可均不開設開口或者選擇性的開設開口，同時氣體可於氣體擋板與安裝基板相結合的表面之間的縫隙進行流通。環形密封圈封堵於某一環形容納通道內時，該環形密封圈能貼合至環形容納通道的各壁與安裝基板頂壁而具有較好的密封性能。
本申請於第一種實施方式中的氣體擋板170上設置兩個氣體擴散區域，於第二種實施方式中的氣體擋板270上設置三個氣體擴散區域，在相鄰的氣體擴散區域內設置複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，通過於某一環形容納通道內設置環形密封圈達到將氣體進行分區的目的，在其他實施方式中並不以此為限，可設置多於三個氣體擴散區域的擴散區域，並於相鄰的擴散區域內設置複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，通過於某一環形容納通道內設置環形密封圈達到將氣體進行分區的目的均應被本申請所涵蓋。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
100:反應腔 100a:側壁 100b:頂壁 110:氣體噴淋頭 120:基座 130,230:氣體分配裝置 140:隔離環 150:等離子體約束環 160:絕緣環 170, 270:氣體擋板 171, 271:中心氣體入口 172, 272:邊緣氣體入口 173, 273:中心氣體擴散區域 174, 274:邊緣氣體擴散區域 175, 275:環形氣體通道 176, 276:環形容納通道 177, 277:開口 180, 280:安裝基板 181, 281:孔道 190, 220, 290:環形密封圈 210:環形槽 278:中間氣體入口 279:中間氣體擴散區域 w:基片 s:螺栓
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於所屬技術領域中具有通常知識者來講，在不付出進步性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。 圖1為一種設置有氣體分配裝置的等離子體處理裝置； 圖2為第一種實施方式的氣體分配裝置的剖視示意圖； 圖3為第一種實施方式的氣體分配裝置中的氣體擋板側視圖； 圖4為第二種實施方式的氣體分配裝置的剖視示意圖；以及 圖5為第二種實施方式的氣體分配裝置中的氣體擋板側視圖。
130:氣體分配裝置
170:氣體擋板
171:中心氣體入口
172:邊緣氣體入口
173:中心氣體擴散區域
174:邊緣氣體擴散區域
175:環形氣體通道
176:環形容納通道
180:安裝基板
181:孔道
190,220:環形密封圈
210:環形槽
s:螺栓

Claims (12)

  1. 一種氣體分配裝置，包括一氣體擋板及與該氣體擋板固定連接的一安裝基板，其中： 該氣體擋板包括一中心氣體入口、一邊緣氣體入口、與該中心氣體入口連通的一中心氣體擴散區域及與該邊緣氣體入口連通的一邊緣氣體擴散區域，該中心氣體擴散區域與該邊緣氣體擴散區域之間的區域設置有複數個環形氣體通道及複數個環形容納通道，該些環形氣體通道與該些環形容納通道交錯設置； 該安裝基板上設置有貫穿該安裝基板的表面的一孔道，該孔道與該中心氣體擴散區域、該邊緣氣體擴散區域及該環形氣體通道相連通； 其中，氣體自該中心氣體入口和/或該邊緣氣體入口流入至相應的氣體擴散區域並向氣體擴散區域周圍的該些環形氣體通道與該些環形容納通道內擴散，於任一該環形容納通道內設置一環形密封圈，以限制氣體的擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與通道內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道內。
  2. 如請求項1所述的氣體分配裝置，其中：該氣體擋板進一步包括一中間氣體入口及與該中間氣體入口相連通的該中間氣體擴散區域，該中間氣體入口位於該中心氣體入口與該邊緣氣體入口之間，該中間氣體擴散區域位於該中心氣體擴散區域與該邊緣氣體擴散區域之間。
  3. 如請求項2所述的氣體分配裝置，其中：該中心氣體擴散區域與該中間氣體擴散區域之間的區域設置有該些環形氣體通道及該些環形容納通道，該中間氣體擴散區域與該邊緣氣體擴散區域之間的區域設置有該些環形氣體通道及該些環形容納通道，各氣體擴散區域之間的該些環形氣體通道及該些環形容納通道交錯設置。
  4. 如請求項3所述的氣體分配裝置，其中：氣體自該中心氣體入口、該中間氣體入口和該邊緣氣體入口中的至少之一者流入至相應的氣體擴散區域並向相應的氣體擴散區域周圍的該些環形氣體通道與該些環形容納通道擴散，於任一該環形容納通道內設置該環形密封圈，以限制氣體的擴散，從而將氣體限制於所需區域的氣體擴散區域與通道內，進而進一步使氣體釋放至對應區域的孔道內。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：該些環形氣體通道與該些環形容納通道的側面開設有開口，以使氣體於該些環形氣體通道及未設置有該環形密封圈的該環形容納通道之間流通。
  6. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：設置於該安裝基板上的該孔道與各氣體擴散區域及各該環形氣體通道相連通，而與該環形容納通道不連通。
  7. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：該邊緣氣體擴散區域的外側設置有一環形槽，該環形槽內設置有該環形密封圈，以阻止氣體向氣體分配裝置的外部流出。
  8. 如請求項1至中任一項所述的氣體分配裝置，其中：該氣體分配裝置的下方連接有一氣體噴淋頭，氣體於該氣體分配裝置內分區後被該氣體噴淋頭噴射至一等離子體裝置的等離子體反應區內。
  9. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：各擴散區域之間設置有至少2組該環形氣體通道及至少3組該環形容納通道。
  10. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：設置於該環形容納通道內的該環形密封圈的直徑介於30mm至120mm之間。
  11. 如請求項1至4中任一項所述的氣體分配裝置，其中：該氣體擋板與該安裝基板通過螺栓固定連接。
  12. 一種等離子體處理裝置，包括： 由複數個壁圍成的一反應腔； 設置在該反應腔內的一基座，用於固定一基片； 設置在該反應腔內的一氣體噴淋頭，用於引入氣體至該反應腔內，該氣體噴淋頭與該基座之間為一等離子體反應區域； 設置在該氣體噴淋頭上方的一氣體分配裝置，用於對傳入的氣體進行分區後釋放至該氣體噴淋頭，該氣體分配裝置具有如請求項1至4中任一項所述的特徵。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN117612977A (zh) * 2024-01-23 2024-02-27 上海邦芯半导体科技有限公司 进气装置及进气方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8088248B2 (en) * 2006-01-11 2012-01-03 Lam Research Corporation Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system
JP4826483B2 (ja) * 2007-01-19 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5192214B2 (ja) * 2007-11-02 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法
KR101110080B1 (ko) * 2009-07-08 2012-03-13 주식회사 유진테크 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법
SG11201703129YA (en) * 2014-10-17 2017-05-30 Lam Res Corp Gas supply delivery arrangement including a gas splitter for tunable gas flow control
KR101881538B1 (ko) * 2016-08-29 2018-07-24 주식회사 에이씨엔 균일한 가스 분배를 위한 듀얼 가스 분배 배플을 갖는 플라즈마 처리 장치
CN108231620B (zh) * 2016-12-15 2021-01-19 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法
CN107393802A (zh) * 2017-07-17 2017-11-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子体刻蚀系统的喷淋头

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117612977A (zh) * 2024-01-23 2024-02-27 上海邦芯半导体科技有限公司 进气装置及进气方法
CN117612977B (zh) * 2024-01-23 2024-04-05 上海邦芯半导体科技有限公司 进气装置及进气方法

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